Bİ-TABANLI SERAMİK SÜPERİLETKEN TRANSİSTOR
|
|
- Mehmet Aldemir
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 ÖZEL EGE LİSESİ Bİ-TABANLI SERAMİK SÜPERİLETKEN TRANSİSTOR HAZIRLAYAN ÖĞRENCİLER: Tunç TORT Emincan AYÇİÇEK DANIŞMAN ÖĞRETMEN: A. Ruhşah ERDUYGUN 2006 İZMİR
2 1.GİRİŞ VE AMAÇ Temel bilimlere olan yakınlığı ve pek çok teknik uygulamaya sahip olması bakımından süperiletkenlik(üstün iletkenlik) olayı günümüzde yaygın olarak kullanılmaktadır. Süperiletkenliğin iki ana göstergesi vardır. Bunlardan ilki kritik bir T c sıcaklığının varlığı olup, direncin bu sıcaklığın altında sıfıra gitmesidir. Örneğin, yeterince düşük sıcaklıkta tutulan süperiletken bir halkada oluşan elektrik akımı, kaydadeğer bir azalma göstermeden geçmeye devam eder. Süperiletken halka, akıma karşı bir direnç ortaya koymaz, dolayısıyla bir ısınma ve kayıp söz konusu olamaz. İkincisi, T c 'nin altında, manyetik alanın süperiletkenin iç bölgesinden dışlanmasıdır (Meissner Olayı). Meissner olayı bir dış manyetik alanın akı çizgilerinin T c 'nin altında süperiletken dışına itilmesi ve içerisinde B=0 olmasıdır. Yani, süperiletkenlik bazı maddelerde elektriksel direncin maddeye özgü bir "kritik sıcaklık" T c değerinin altında aniden sıfıra düşmesi olayıdır. Başlangıcı 1911 lere uzanan süperiletkenlik tarihinde en önemli sayılacak keşif 1986 yılında gerçekleşti. G. Bednorz ve K. A. Müller, IBM Zürih Laboratuvarlannda yaptıkları çalışmalarla metal oksit bileşiklerinde, süperiletkenliğin varlığını ortaya koydular. Böylece yüksek sıcaklık süperiletkenliği denilen yeni bir dönem başladı ve süperiletken geçiş sıcaklıklarında (La,Sr) 2 CuO 4 için T 0 =36 K YBa 2 Cu için T>92 K, Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O y için TC=110 K, Tl 2 Ba 2 Ca 2 Cu 4 O 10 için T c =125 K ve HgBa 2 Ca 2 Cu 3 O 10+x için T c =133 K gibi çok yüksek değerlere ulaşıldı. Maeda ve arkadaşları tarafından bulunan Bi-tabanlı (Bi-Sr-Ca-Cu-O) yüksek sıcaklık süperiletken seramikler 80 K'lik alçak T c ve 110 K'lik yüksek T c fazı gibi iki süperiletken faza sahiptirler. (Maeda et al.,1988). Bu fazlar süperiletkenliğin meydana geldiği Cu-O düzlemlerindeki taşıyıcıların paylaşılması Bi-tabanlı seramiklerde süperiletkenliğin oluşumunda önemli bir parametredir. Cu atomları ile diğer katkı atomlarının yer değiştirmesi sistemin elektronik yapısında ve örneklerin süperiletken özelliklerinde önemli değişikliklere neden olmaktadır. Yukarıda yazdığımız tüm bilgi ve uygulanabilirlik ölçüleri bizi bu projeye yöneltmiştir. Yarıiletken transistorların akım, genlik yükseltme özellikleri bilinmekte ve birçok elektronik devrede sıklıkla kullanılmaktadır. Geçen yıllarda süperiletkenlerin bir sığaç olarak kullanılabileceği ( çok küçük potansiyel farklar altında çok yüksek elektrik yükleri tutabilen aygıt oluşturulabileceği ) bir projenin hazırlandığını görüp inceleme olanağı bulmuştuk. Bu süperiletken maddeden yapılacak olan bir transistörün daha farklı bir boyut kazanacağı düşünülmüştür.
3 2.GENEL BİLGİLER 2.1.Süperiletkenliğin Gelişimi ve Tarihçesi Düşük sıcaklık süperiletkenliğinin tarihi, 1908 yılında Hollandalı fizikçi Heike Kamerling Onnes'in kaynama sıcaklığı 4,2 K olan helyumu sıvılaştırmasıyla başlamıştır.üç yıl sonra 1911 'de Onnes ve yardımcılarından birisi metallerin düşük sıcaklıkta dirençlerin incelerken süperiletkenlik olayını keşfettiler. İlk olarak platini incelediler. Platinin sıcaklığının 0 K'e doğru azaltıldıkça direncinin sıfıra gitmek yerine belli bir değerde sabit kaldığım gördüler ve bu direnç değerinin metalin saflığına bağlı olarak değiştiğini ortaya koydular. Daha sonra çok saf sıvıları incelemeye karar verdiler. O sırada elde bulunan en saf metal olan civanın sıcaklıkla direncinin değişimini incelediler ve civarım direncinin, 4,15 K'de çok keskin bir şekilde düşerek ölçülemeyecek kadar küçük değerlere (yaklaşık olarak 0'a) ulaştığını gördüler. Cıva bu sıcaklığın altında dirençsiz hale gelmekteydi. Onnes, 4,15 K'nin altındaki sıcaklıklarda civanın önceki bilinen özelliklerinin dışında farklı elektriksel özelliklere sahip yeni bir hale geçtiğini belirtti ve bu durumu süperiletken hal olarak adlandırdı. Civa ve platin için deneysel sonuçlar şekil 2.1. de görülmektedir. R (Ω) R (Ω) Hg Pt R T(K) 0 T(K) Şekil 2.1.Civa ve platin için direnç- sıcaklık değişimi grafiği Helyumun sıvılaşmasıyla ve maddelerin düşük sıcaklık özellikleri üzerinde yaptığı çalışmalar Onnes'e "1913 Nobel Fizik Ödülünü" kazandırmıştır yılında W. Hans Meissner ve Robert Ochsenfold süperiletkenlerin manyetik özellilerini incelediler ve manyetik alanda soğutulan bir süperiletkenin kritik sıcaklık(direncin sıfır olduğu sıcaklık) altında, manyetik akıyı dışladığım buldular(w. Meisner et al., 1933). Ayrıca bu süperiletken malzemelerin, kritik manyetik alanda (B c ) daha büyük alanlarda süperiletkenlik özelliğini kaybettiğini buldular. Ancak süperiletkenliğin asıl doğası ve kökeni John Bardeen, Leon N. Cooper ve J. Robert Schrieffer tarafından 1957'de açıklanmıştır. BCS teorisi olarak bilinen bu teorinin ana teması, iki elektron arasında "Cooper Çiftleri" olarak bilinen bağlı bir halin oluşmasıdır. Süperiletkenlikle ilgili çalışmalar 1962 yılında Brian D. Josephson ile sürmüştür. B. D. Josephson 2 mm kalınlığında yalıtkan bir engel ile ayrılmış iki süperiletken arasında tünelleme akımının oluştuğunu ispatlamıştır. 1986'nm başlarında J. George Bednorce ve Kari Alex Müller, lantanyum, baryum ve bakırın bir oksitinde 30 K'nın üzerinde süperiletkenliğin varlığım buldular. O zamana kadar T c için bilinen en yüksek değer 23 K idi ve bu değer niobyurn ve germanyumun bir bileşiğine aitti. Onların bu buluşu "Yüksek Sıcaklık Süperiletkenliği" olarak bilinen bir dönemin başlamasına neden olmuştur. Bu konudaki çalışmalar hala devam etmektedir. Eğer kritik sıcaklıkları oda sıcaklığının üzerinde olan süperiletkenler bulunursa günümüz teknolojisinde hızlı ilerlemeler olacaktır.
4 2.2. I.Tip Süperiletkenlerin Manyetik Özellikleri I uzunluğunda ve üzerinde I akımı geçen bir tel düşünelim. Tel normal haldeyken, uçları arasındaki potansiyel farkı V olsun. Sabit sıcaklıkta, telin direncini bulabilmek için Ohm yasasını kullanabiliriz. Buna göre R=V/I yada V=IR dır. Burada R telin direncini gösterir. Telin elektrik alanını bulabilmek içinde E=V/I bağıntısını kullanırız.tel süperiletken durumdayken R=0 olduğundan hem V=0 hem de E=0 olur.yani süperiletken durumda iletkenin içindeki elektrik alan sıfırdır. Faraday 'm indüksiyon kanunu, E.ds= - dφ m dt şeklinde yazılabilir. Yani E elektrik alanının kapalı bir halka boyunca çizgi integali, kapalı halka düzleminden geçen Φ m manyetik akısını zamana göre değişiminin eksi işaretlisine eşittir. Bir süperiletken içindeki her noktada E=0 olduğundan, kapalı yol boyunca alman integral yani dφ m /dt= 0 olur. Bu da, süperiletken içindeki manyetik akının değişmeyeceğini ifade eder. Burada B'nin (B= Φ m / A) süperiletken içinde sabit kaldığı sonucuna varabiliriz yılında Meissner ve Ochsenfold, zayıf bir manyetik alanda soğutulan metalin, süperiletken olduğunda madde içinde her noktada B=0 olacak şekilde alanı dışarıladığını keşfettiler. Bu etki silindir biçimindeki madde için şekil 2.2. de gösterilmiştir. Sıcaklık T c 'den büyük iken alan silindire nüfuz etmektedir. Bununla beraber, sıcaklık T c 'nin altına düşürüldüğünde alan çizgileri süperiletkenden dışlanmaktadır. Yani 1. tip süperiletkenler mükemmel iletken olmanın yanı sıra, aynı zamanda B=0 olan mükemmel diyamanyetik maddelerdir. Manyetik alanın süperiletkenden dışlanması olayına " Meissner Olayı" denir. Birinci tip süperiletken içinde B=0 olması, bu maddenin direncinin sıfır olması kadar temel bir olgudur. Uygulanan alan B> B c olacak şekilde arttırılırsa süperiletkenlik halı bozulur ve alan örneğe girer. (2.1) T> T C T C > T Şekil 2.2. Süperiletken bir silindir tarafından manyetik alanın dışlanması (Meissner Olayı) Mükemmel diyamanyetik olma özelliğini süperiletkeni erin manyetik alandaki davranışlarını öğrenmek amacıyla aşağıdaki şekilleri sırasıyla inceleyebiliriz London Denklemleri Meissner olayının keşfiyle, Fritz ve Heiny London, Maxwell denklemlerini kullanarak süperakımların elektrodinamiğini tanımladılar. Londonun elde ettiği iki önemli denklem aşağıda verilmiştir. B= - m n s e 2 J s n (2.2) s e J 2 s = E (2.3) m
5 Burada J s süperakım yoğunluğu, m süperelektronların kütlesi, e süperelektronların yükü, n s süperelektronların yoğunluğu, E elektrik alan ve B manyetik alandır. (2.2) denklemi süperiletkenlerin dirençsiz olma halini, (2.3) denklemi ise diyamanyetizmayı açıklar. London denklemleri süperiletkenliği çok iyi açıklayamasa da süperiletkenlerin makroskobik özelliklerinin çoğunu açıklayabilmiştir. Bunun yanında, bu denklemlerden elde edilen sonuçların da deneysel verilerle uyum içerisinde olduğu görülmüştür II. Tip Süperiletkenler İkinci tip süperiletkenler ilk defa 1957 yılında Abrikosov tarafından bulunmuştur. Abrikosov süperiletkenleri bir dış manyetik alan içindeki davranışlarına göre birinci tip(metalik süperiletkenler) ve ikinci tip(alaşımlar ve Seramikler) olmak üzere ikiye ayırdı. I.tip süperiletkenler mükemmel diyamanyetizma gösterirler ve uygulanan alan kritik değeri geçtiğinde normal hale geçerler. II. tip süperiletk eni erde B c1 ve B c2 olarak gösterilen iki kritik alan sınırı vardır. Uygulanan alan B c1 alt kritik alanından küçükse, madde tam olarak süperiletkendir ve I.tip süperiletkenlerde olduğu gibi manyetik alan örnek tarafından dışlanır. Uygulanan alan B c2 üst kritik alanından büyükse, manyetik alan örneğin tamamına girer ve örnek normal hale döner, yarı süperiletken hal ortadan kalkar. Fakat B cl ve B c2 arasındaki alan içinde örnek " karışık hal " veya " girdap halı "olarak bilmen halde bulunur. Vortex halinde madde sınır dirence sahip olabilir ve akı kısmen nüfuz edebilir. Yani, B cl ve B c2 arasında normal bölgelerle süperiletken bölgeler birlikte bulunurlar. B (Tesla) B (Tesla) B C2 B C B C1 T C T(K) T C T(K) (a) (b) Şekil 2.3 (a) I. tip ve (b) II. tip süperiletkenler için, kritik alanların sıcaklığın fonksiyonu olarak değişimi. II.Tip süperiletkenler için kritik sıcaklık (T c ) ve üst kritik alan (B c2 ) değerlen çizelge 2.2 de verilmiştir.çizelgeden B c2 nın değerinin I. tıp süperiletkenlerin B0 kritik alan değerlerinden büyük olduğu görülmektedir. Örneğin, Nb 3 (AlGe) alaşımı için üst kritik alan B c2 =44T ve kritik sıcaklık T c =21 K'dir Bu nedenle yüksek manyetik alan veren mıknatıs yapımı için 11. tıp süperiletkenler çok uygundurlar. NbTi kullanılarak güç kaybı olmadan 5T ve 10T arasında alan verebilen süperiletken bobinler sarılabilir. Demir çekirdekli elektromıknatıslarda 2T alanın üzerine çıkmak için bile çok yüksek güç tüketimi gerekir.
6 Süperiletken T c (K) B c2 (Tesla) Nb 3 Al 18,7 32,4 Nb 3 Sn 18,0 24,5 Nb 3 Ge 23,0 38,0 NbTi 9,3 15,0 Nb 3 (AlGe) 21,0 44,0 V 3 Sİ 16,9 23,5 V 3 Ga 14,8 20,8 Çizelge 2.1. T = 0 K'de bazı II. tip süperiletkenler için üst kritik alan ve kritik sıcaklık değerleri Uygulanan bir manyetik alan içinde I. tıp ve II. tıp süperiletkenlerin manyetik davranışları da (mıknatıslanma) farklıdır. B gibi bir dış manyetik alana konulan örnek M mıknatıslanması kazanır. Örnek içerisindeki Biç- 0 olacağından, mıknatıslanma; M= - B = χb (2.3) µ 0 bağıntısıyla verilir. Burada manyetik suseptibilite X(X=-l/uo) dır(doygunluk). Yani, süperiletkenlerin mıknatıslanması, dış manyetik alana karşı koyar ve manyetik doygunluk maksimum negatif değerine sahip olur. I.tip ve II.tip süperiletkenlerin uygulanan manyetik alanın değerine göre mıknatıslanmaları şekil 2.8 de ayrıntılı şekilde görülmektedir. µ om (+) µ om (+) B 0 B (Tesla) B c1 B 0 B c2 B (Tesla) (-) (-) Şekil 2.4. Uygulanan manyetik alan içinde (a) I. tip ve (b) Il.tip süperiletkenlerin manyetik davranışları 2.5. BCS Teorisi Normal bir metalin direncinin bir kısmı, serbest elektronlarla kristal örgüdeki iyonlarının çarpışmalarından kaynaklanmaktadır. Elektronlar, bir tür sürtünme olarak isimlendirilebilecek bu etkiler nedeniyle enerjilerini ısıya dönüştürürler. Metallerde elektronlar her zaman çarpışmaya uğrayacağından süperiletken hal bu klasik modelle açıklanamaz. Çünkü süperiletkenlik elektrik akımının malzeme içinde direnci oluşturan engellemeler olmaksızın kayıpsız akabilirliği demektir. Süperiletkenliği açıklayabilmek için bazı teoriler ileri sürülmüştür. Fakat elektronların nasıl olup da süperiletken hale geçtikleri ve bu halde iken niçin safsızlıklar ve örgü titreşimleri tarafından saçılmaya uğramadıkları bu teoriler tarafından açıklanamamaktadır.
7 J. Bardeen, L. N. Cooper ve J. R. Schieffer tarafından 1957'de ortaya atılan teori süperiletkenliğin değişik özelliklerinin anlaşılmasında başarılı olmuştur. BCS teorisi olarak bilinen bu teorinin ana teması, aralarında bir tür çekici etkileşme bulunan iki elektronun "Cooper Çiftleri" olarak bilinen bağlı durumlar oluşturmasıdır. Elektronlar eksi yüke sahip olduklarından ve aynı cins yüklerin birbirini itmesi gerektiğinden, bu teori ters gelse de, örgü noktası civarından geçen elektronun anlık olarak neden olduğu örgü bozuklukları, iki elektron arasında net bir çekici etkileşme elde edilmesine neden olabilir. Bunu daha iyi anlayabilmek için şekil 2.10'u göz önüne alalım. Eksi yüklü elektron pozitif yüklü iyonların civarından geçerken onları kendine doğru çekip o civarda pozitif yük konsantrasyonunun az da olsa artmasına neden olur. Bir diğer elektron o civardan geçerken, bozulmaya uğramış pozitif yüklü bölgeye doğru çekilir. Bu durumda iki elektron birbirini dolaylı bir yoldan çekmiş olur. Bu etkileşim sonucu metal elektron çiftlerinden(cooper Çiftlerinden) oluşan minimum enerjili hale yani süperiletken hale geçer (Bardeen et al., 1957) Sonuç olarak Cooper Çiftlerini oluşturan neden iki elektron arasından çekici bir -örgü-elektron etkileşmesidir. elektron elektron Şekil 2.5. Cooper çiftleri zıt momentuma ve spine sahiptir. Şekil 2.6. Cooper çiftlerinin oluşumu Örgü elektron etkileşmesi Bir Cooper çifti eşit fakat zıt moment ve spinlere sahip iki elektrondan oluşmaktadır. Yani Cooper Çifti toplam momentumu ve spini sıfır olan bir sistem oluşturur. Cooper Çiftlerinin spini sıfır olduğundan "Bozonlar" gibi davranırlar ve süperiletken halde çiftler bağımsız hareket yerine birlikte davranış sergilerler. Bir süperiletkenin uyarma spektrumunda, 0 K'deki enerji aralığı kt c (yaklaşık 10-3 ev) civarındadır. Bir süperiletkenin E g enerji aralığı,.cooper çiftlerinden birinin bozulması için gereken enerji aralığını temsil eder ve T=0 K de kritik sıcaklık ve enerji arasındaki ilişki, E g = 3.53 kt c (2.4) bağıntısıyla verilir.burada k Boltzman sabiti ve T c kritik sıcaklıktır. Dolayısıyla, büyük enerji aralığına sahip olan süperiletkenlerin kritik sıcaklığı da daha yüksektir.
8 Bazı süperiletkenler için (2.3) eşitliği kullanılarak hesaplanan enerji aralığı değerleri çizelge 2.2 de verilmiştir..süperiletken E g (mev) Zn 0,24 Ga 0,33 Al 0,34 in 1,05 Sn 1,15 Hg 1,65 Çizelge 2.2. Bazı süperiletkenlerin T = 0 K deki enerji aralıkları 2.6. Yüksek Sıcaklık Süperiletkenleri Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerinin Tarihçesi Şekil 2.7 de süperiletkenliğin keşfinden günümüze, geçiş sıcaklığındaki gelişmeler,kronolojik olarak verilmiştir. Şekil 2.7. Süperiletkenliğin bulunuşundan günümüze geçiş sıcaklığındaki gelişmeler Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerinin Kristal Yapıları Yüksek T c li süperiletken bileşiklerinin hepsi şekil 2.7den de görülebileceği gibi bakır oksitlerden oluşup, Perovskit olarak adlandırılan kristal yapıdadırlar. Bu kristal yapıda bakır ve ona bağlı oksijen atomlarından oluşan bakır-oksit tabakaları, nadir toprak elementlerinin oluşturduğu yalıtkan düzlemlerle birbirinden ayrılırlar. Bu da süperiletkene iki boyutlu bir yapı özelliği kazandırır. Yani, süperiletkenlik iki boyutlu iyi iletken olan bakır oksit düzlemlerinde meydana gelmektedir. Süperiletken bileşiklerindeki bakır-oksijen tabakalarının sayısı ile kritik sıcaklık arasında doğrudan bir ilişki vardır. Bakır- oksijen tabakalarının, periyodik olarak yapı kendini tekrarlayıncaya kadar eklenmesi T c yi arttırır.
9 Bu süperiletkenler anizotoprupiktirler yani, yöne bağımlı özelliklere sahiptirler. Bunun en belirgin delili, direnin, bakır-oksijen düzlemlerinde çok küçük, bu düzleme dik doğrultuda ise çok büyük olmasıdır. Bunlar veya seramik yapıdadırlar. Seramik yapıda olmalarından dolayı esnek değil, kırılgandırlar. Ayrıca bakır-oksit tabakalarındaki atomların yerine başka atomların yerleştirilmesi süperiletkenliği bozmakta veya yok etmektedir. Bi 2 Sr 2 Ca n-1 Cu n 0 2n+4+x bileşiğinde n= 1,2,3 değerleri için üç değişik süperiletken faz mevcuttur. n=l için (2201), n=2 için (2212), n=3 için (2223) fazlarına sahip süperiletken bileşiklerin birim hücreleri şekil 2.12 de gösterilmiştir. n=l yani Bi 2 Sr 2 Cu 1 O 6+x (2201) fazının geçiş sıcaklığı yaklaşık l0 K'dir ve birim hücresinde bir tane Cu0 2 düzlemi vardır. n=2 yani Bi 2 Sr 2 Ca 1 Cu x (2212) fazının geçiş sıcaklığı yaklaşık 85K'dir ve birim hücresinde iki tane Cu0 2 düzlemi vardır. n=3 yani Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu3O 10+x (2223) fazının geçiş sıcaklığı yaklaşık 1l0 K'dir ve birim hücresinde üç tane Cu0 2 düzlemi vardır. Bu örneklerden, süperiletken bileşiğe bakır-oksijen tabakası eklenmesinin kritik sıcaklığı daha yüksek değerlere çıkardığı gerçeği daha iyi görülebilmektedir. Yani n değerinin artmasıyla T c değeri de artmaktadır(bi-tabanlı bileşiklerde n=1,2,3 için T c sırasıyla 10K,85K, 110 K'dir) n=3'ün üstünde T c 'de önemli bir artış gözlenmez.fakat Tl-tabanlı süperiletkenlerde n=4 için T C =125K değerine sahiptir. Şekil 2.8. Bİ 2 Sr 2 Ca n-1 Cu n 0 2n+4+x bileşiğinin farklı üç fazının birim hücreleri.2.7. Uygulamalar Yüksek sıcaklık süperiletkenlerinin keşfi bilimsel ve teknolojik alanlarda hepsi çok yeni ve önemli çeşitli kullanım alanlarının gündeme gelmesine yol açmıştır. Yüksek sıcaklık süperiletkeni erinden yeterince yararlanmamızı önleyen en büyük problemlerden biri, bu malzemelerin çok kırılgan olması dolayısıyla tel ve şerit şeklinde malzeme elde etmek ve SQUID(Superconducting Quantum Interferance Decices) gibi küçük cihazlarda kullanılacak ince filmler üretmekte karşılaşılan zorluklardır. Diğer bir problem ise Tc kritik sıcaklığının oda sıcaklığına veya kısmen erişilebilir düzeyde yüksek sıcaklıklara henüz çıkarılamam zorluğudur. Bu türden zorlukların üstesinden gelinebileceğini düşünürsek, yüksek sıcaklık süperiletkenleriyle çeşitli uygulamalar gerçekleştirilebilir. Mesela, elektrik tellerinde iletim hattı olarak bakır gibi normal iletkenler kullanıldığında elektrik gücünün büyük bir kısmı ısı olarak kaybolmaktadır. Bu iletim hatları süperiletken yapılabilirse, kayıplar önlenir ve günümüzün enerji sorununda önemli ölçüde ekonomik yararlar sağlanır. Bu süperiletkenler elektronik sahasında da çok büyük ve olumlu etkiler yapabilirler. Anahtarlama özelliklerinden dolayı, Josephson eklemleri bilgisayar elementleri olarak kullanılabilirler.
10 Ayrıca bilgisayar cipleri arasındaki bağlantılar süperiletkenlerle sağlanabilir ve eğer çip boyutları küçültülebilirse hızlan arttırılabilir. Böylelikle bir devreye daha az ısı üreten çok sayıda çip yerleştirilerek bilgi akışı hızlandırılabilir. Sargıları süperiletken telden yapılmış bir galvanometre şimdiye kadar erişilemeyen bir duyarlılıkta, yaklaşık voltluk küçük potansiyel farklarını ölçebilir. Kritik alam büyük süperiletken sargılara sahip bir elektromıknatıs ile şiddeti yaklaşık 10 Teslalık manyetik alanların elde edilmesi mümkün olabilecektir. Süperiletkenlerden taşıma alanlarında da yararlanmak mümkündür. Japonya'da bir vagona süperiletken mıknatıs yerleştirilmiştir. Normal iletken ray üzerinde hareket eden tren, eddy(girdap) akımı itmesiyle havada asılı kalmak tadır. Süperiletken mıknatıslar Manyetik Rezonans Görüntülemesi olarak adlandırılan alette de kullanılır. Bu cihaz yardımıyla vücudun değişik kısımlarının görüntülenmesinde X-ışınına kıyasla daha güvenli olan radyo frekanslı ışınımlar kullanılır. Bu tekniğin esası süperiletken tarafından üretilen güçlü manyetik alana dayandığından manyetik rezonans görüntüleme sinin yatırım ve işletme masrafları yüksektir. Ayrıca Josephson etkisi ve kuantum girişimlerini kullanan magnetometre ve SQUID gibi cihazlar, beyin tarafından üretilen zayıf manyetik alanların ölçülmesinde ve yorumlanmasında kullanılmaktadır. 2.8 Yüzey Temaslı Transistörler(BJT) Şekil 2.8. Yüzey temaslı transistör Yüzey temaslı transistor, aynı tipten iki bölge arasında, diğer tipten ince bir bölge ihtiva eden yarıiletken kristaldir. PNP ve NPN tipi transistorlar vardır. Transistorlar elektrik bağlantıları için gerekli üç elektroda sahiptir. bunlar emitör(e), beys(b), kolektör(c) NPN tipi bir transistorun çalışmasını açıklamak için aşağıdaki şekildeki gibi kutuplandırılan bir yükelteç devresini göz önüne alırsak; bu devre için beys giriş ve çıkış devreleri için ortaktır. Giriş sinyali emitör-beys uçları arasına uygulanır. Çıkış sinyali (gerilimi) beys-kolektör uçları arasından alınır. Bu durumda IC akımı, çıkış devresine uygulanan VCC gerilimi ile bu devredeki R yük direncini kapsayan PN ekleminin I-V (Akım-Gerilim) karekteristliğine bağlı olacaktır. Bu şekildeki gerilim uygulama E-B eklemini ileri yönde, C-B eklemini ise ters yönde kutuplandırmaktadır. Bu halde N tip bölgenin çoğunluk yük taşıyıcıları olan elektronlar beys i oluşturan P tip bölgeye girererek burada azınlık yük taşıyıcısı olurlar ve kolektör-beys eklemine doğru ilerlerler. Beys bölgesindeki çoğunluk yük taşıyıcıları olan boşlukların bazılarının emiltörden buraya gelen elektronlarla birleşme şansı vardır ancak beys bölgesindeki yabancı madde konsantrasyonu daha az yapıldığından, boşlukların sayısı da azdır. Ayrıca beys bölgesinin ince yapılması da elektronların çoğunun boşluklarla birleşmeden kolektör-beys eklemine ulaşmasını sağlar. Kolektör-beys eklemine uygulanan ters yöndeki gerilim bu bölgenin azınlık yük taşıyıcıları olan elektronların eklemi aşarak kolektöre gelmelerini kolaylaştırır. Kolektöre gelen elektronlar dış devredeki Vcc ve Vee kaynakları yardımıyla tekrar emiltöre dönerler ve olay böylece devam eder. Akım yönü pozitif yüklerin aktığı yön kabul edildiğinden Ie akımı emiltörden dışarıya doğru olup işareti negatiftir; kolektör akımı ise aynı nedenlerle pozitif işaretli; beys akımı beys e doğru olup pozitif işaretlidir. Emiltörden çıkan elektronların bir kısmı kolektöre ulaşabilfiğinden kolektör akımı emiltör akımından daha küçüktür başka bir deyişle kolektör akımı emiltör akımının aie kadarıdır ve a pozitiftir. O halde a=( Ic / Ie) şeklinde ifade edilebilir. Buradan a nın bu devre içi akım yükseltme katsayısı olduğu görülür. Emiltör akımının kolektör akımıyla beys akımlarının toplamı olduğu devreden açıkça görülmektedir.
11 3. MATERYAL VE YÖNTEM 3.1. Bi 16 (Pbo,4)Sr 2 Ca 2 Cu30 y Süperiletken Örneğinin Katı-Hal Tepkime yöntemi ile Hazırlanması BiSrCaCuO süperiletken bileşiği, çok benzer kristal yapıya sahip farklı üç süperiletken faza sahiptir (Hudakova et al., 1995). Süperiletken bileşiğin oluşumu sırasında 85K ve 110 K fazı genelde bir arada bulunmaktadır. Birçok önemli çalışma sonucu, BiSrCaCuO süperiletken bileşiğinde Bi yerine kısmen Pb katkılanması, (2223) fazının oluşumuna yardımcı olarak, (2223) fazını daha stabil hale getirdiği ve süperiletkenlik parametrelerine olumlu etki yaptığı bulunmuştur (Liu et al., 1992; Hudakova et al., 1995; Sinh, 2003; Azzouz et al., 2001).Süperiletkenin hazırlanması : (Bi 2-x Pb x )Sr 2 Ca 2 Cu 3 O Y genel yapıya sahip bileşiği, klasik katı-hal tepkime yöntemi kullanılarak hazırlandı. Yüksek saflıkta Bi 2 O 3 PbO, SrCO 3, CaCO 3 ve CuO başlangıç malzemelerini, x = 0,30; 0,35; 0,40; 0,45; 0,50; 0,60 değerleri için katyonik oranlarda ±0,lmg duyarlıkta tartarak, mekanik yolla karıştırılarak toz karışım haline getirildi. Bu toz karışım, agat havan içerisinde homojen hale gelinceye kadar öğütüldü. Daha sonra bir alümünyum kap içerisine konularak 800 C de 24 saat kalsine edildi. Kalsine edilen bu tozlar öğütülerek, 3, 5-4 ton/cm 2 basınç altında 13mm çapında 1-3mm kalınlığında tabletler haline getirildi. Elde edilen bu tabletler 845 C de 120 saat sinterlendi. Son olarak örnekler, sinterizasyon işlemi sonucunda 10 C / dakika hızla oda sıcaklığına kadar soğutuldu. (Şekil 4.2) 800ºC 800ºC 24 saat 20 ºC 20 ºC (a) 845ºC 845ºC 120 saat 20 ºC 20 ºC (a) Şekil 3.1 BPSCCO süperiletken örneklerin (a) Kalsinasyon ve (b) Sinterizasyon işlemleri.
12 Karıştırma ve öğütme Kalsinasyon Karıştırma ve öğütme Presleme Bi 2 O 3 PbO, SrCO 3, CaCO 3, CuO Sinterizasyon Şekil 3.2. BPSCCO süperiletken örneklerin hazırlanma aşamaları X-ışını analizi Ölçümler 3.2. Dört Uç AC- Metodu İle Elektriksel Direncinin Ölçümü Bu metod, hazırlanan örneklerin direncinin sıcaklıkla değişimini incelemek ve örneklerin süperiletkenliğe geçiş sıcaklıklarını ölçebilmek için kullanılan bir metoddur. Ölçüm sırasında örneğe alternatif akım uygulandığından metot bu adı almıştır. Aşağıda ölçüm için kullanılan devrenin şeması verilmiştir.(şekil 3.4) Bu ölçüm için Lock-in yükselticisi(sr530 iki kanallı Lock-in yükselteç) olarak tanımlanır. Bu aralığın dar olması ile örneğin kalitesi doğru orantılıdır. Bizim örneklerimiz için T C = 8 K olarak bulunmuştur. R (Ω) Şekil 3.3. Bi 1,6 (Pb o,4 )Sr 2 Ca 2 Cu 3 0 Y (2223) sisteminin AC direnç sıcaklık değişim eğrisi T(K) Süperiletken olarak hazırladığımız iki örnek birbirlerine tam paralel olacak şekilde düzenlenmiş ve aralarına yaklaşık 0,12 mm kalınlığında yalıtkan ve saydam bir film tabakası yerleştirilmiştir. Bu şekilde hazırlanan süper kondansatör sistemimizin elektrot bağlantıları gümüş pasta ile sağlandıktan sonra sistem bir akım kaynağma bağlanmış ve bir LCR metre kullanılarak kapasite ölçümü yapılmıştır. DC milivoltmetre (Philips PM-2441), sinyal üretıcisı(wavetek sinyal üretici Model 22), akım kaynağı (KETHLEY 224) ve kalibre edilmiş platin direnç termometresi içeren bir düzenek kullanılmıştır.
13 Yazıcı Sin. Jen. Lock-in Milivoltmetre örnek DC Akım Kaynağı Sıvı azot Pt Termometre Sekil 3.2. Dört Uç AC direnç ölçüm düzeneğinin şematik gösterimi Oluşturduğumuz iki adet BiPbSrCaCuO seramik süperiletkenlerin sıvı azot içinde mükemmele yakın Meissner etkisi(diyamanyetik özellik) gösterdikleri görüldü. Daha sonra bu iki seramik süperiletken arasına EMETRON 10 Leitsilber 200 gümüş ince bir film tabakası kaplanarak bu bölgeden bir uç bağlantısı alındı. Gümüşlü olan bu ara bölge beys olarak kabul edildi. Diğer iki seramik süperiletkenin dışta kalan yüzeylerine yine gümüş kontaktla iki uç bağlantısı daha yapıldı. Bu yüzeyler de emitör ve kolektör olarak düşünüldü. Böylece Bizmut tabanlı seramik süperiletken transistorümüz oluşturuldu.(şekil 3.3 ). Seramik süperiletkenler E Gümüş ara yüzey C Şekil 3.3. Süperiletken transistörümüz B Süperiletken transistorümüz oluşturulduktan sonra beys i ortak NPN tipi bir BJT gibi düşünülerek gerekli kutuplandırmalar yapıldı(şekil 3.4) Şekil 3.4. NPN tipi transistör
14 Transistörümüz hazırlandıktan sonra sıvı azot içine bırakılarak ölçümlere geçildi. Düzeneğimizde bir adet sinyal jeneratörü (NETES Function Generator 8110), bir adet çift kanallı osiloskop (HUNG CHANG 20MHz Oscilloscope 3502C), iki adet voltaj kaynağı (PASCO SF-9584 Low Voltage AC/DC Power Supply), 1,1W 10W 17KW 8,2MW luk yük dirençleri, üç adet ampermetre (BRYMEN Digital Multimeter BM805-4), İkim adet voltmetre (BRYMEN Digital Multimeter BM805-4) ölçmeler için kullanıldı. 4. SONUÇLAR VE TARTIŞMA 4.1. Bi 1,6 (Pb 0,4 )Sr 2 Ca 2 Cu 3 O y (2223) Sisteminin AC Direnç Sıcaklık Ölçüm Sonuçları Hazırlanan Bi 1,6 (Pb 0,4 )Sr 2 Ca 2 Cu 3 0 y süperiletken örneklerden birinin direncinin sıcaklıkla değişimi şekil 4.3.de verilmiştir. Süperiletkenliğin başladığı sıcaklık (onset sıcaklığı, T c 10 ) 110 K olup bu sıcaklığa kadar örneklerden birinin metalik karakter sergilemekte olduğu görülmektedir. Diğer örneğin de aynı karakteri sergilediği belirlenmiştir. 102 K'de ise direnç sıfıra düşmektedir(kritik sıcaklık, T c ). Ayrıca süperiletken örneğin kaliteli bir örnek olup olmadığı Meissner etkisiyle de belirlendi. Süperiletken transistörümüz hazırlandıktan sonra şekil (3.2) ki devre hazırlanarak transistör sıvı azot içinde tutuldu ve aşağıdaki ölçüm sonuçlarına ulaşıldı. Ib(mA) Veb(mV) Ie(mA) Vcb(mV) Ic(mA) 1,49 0,90 0,22 27,1 0,18 2,15 1,90 0,48 25,6 0,43 1,86 2,10 0,51 24,6 0,47 1,70 2,20 0,60 24,0 0,52 1,47 2,30 0,68 22,5 0,64 1,13 3,30 0,72 21,8 0,67 Tablo 4.1. Giriş ve Çıkış Karakteristliği ölçümleri Giriş Karakteristliği Ie(mA) 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0, ,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 Veb(mV) Grafik 1. Giriş Karakteristliği
15 Çıkış Karakteristliği Ic(mA) 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0, Vcb(mV) Grafik 21. Çıkış Karakteristliği Giriş ve çıkış karakteristliği grafiklerine göre çıkış karakteristiğinden süperiletken transistörün bir genlik düşürücü (attenuator) olarak çalışacağı değerlendirildi. Küçük genlikli sinyaller için (0,12V değerine kadar) giriş ve çıkış genliklerinin eşit olduğu ve frekansa bağlı olarak giriş ve çıkış genliklerinde değişme olmadığı gözlendi. Ancak giriş genliği büyüdükçe çıkış devresindeki yük direncinin değerine bağlı olarak çıkış sinyali genliğinin azaldığı belirlendi. Sinyal jeneratörünün çıkışı maksimum 11,2 Volt değerine ayarlanarak Tablo 4.2 ölçümleri alındı. RL A=(Vç/Vg) 1,1W 6, W 1, KW 0,80 8,2MW 0,83 Tablo 4.2. RL-A ölçümleri Bu tablodan giriş sinyalinin genliğinin büyümesi halinde çıkış sinyalinin genliğinin devredeki yük direncine de bağlı olarak azaldığı açıkça gözlenmektedir. Sonuç olarak; yukarıda belirtildiği gibi çıkış sinyalinin dalga biçiminde hemen hemen hiç bozulmanın olmadığını da göz önüne alırsak, süperiletken transistörümüz, mükemmele yakın bir genlik düşürücü olarak çalışmaktadır. Yarıiletken transistörlerden farklı olarak süperiletken transistörümüz büyük genlikli sinyalleri işlemektedir. Bu da büyük genlikli sinyallerin zayıflatılması için uygun bir durum olarak ortaya çıkmaktadır. Süperiletken transistörün içinde bulunduğu sıvı azot azaldıkça Ic akımının da giderek azaldığı ve oda sıcaklığına yaklaşıldığı zaman bu değerin 0,9 µa değerine kadar düştüğü gözlendi. Bu durum süperiletken transistörümüzün çalıştığının açık bir kanıtıdır. Son olarak ise katkı atomlarının değiştirilmesinin ve kristalde farklı yönelimlere göre uç bağlantılarının seçilmesinin bu transistorün daha farklı işlemesine neden olabileceği de düşünülmesi gereken bir sonuçtur.
16 KAYNAKÇA ERTAŞ, İ., Denel Fizik Dersleri, (Cilt II, Sayfa 66-67, 3.Baskı, E.Ü.F.F. Yayınları, Bornova-İZMİR,1996) FISHBANE, P.M., GASIOROWICZ, S., THORNTON, S. T.,(Yayına hazırlayan: YALÇIN, C., Cilt II, Sayfa , Arkadaş Yayınları, Ankara, 2003) BAYTOSUN, F.,(Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-O Süperiletken Bileşiğinin K Fazına Termo- Mekaniksel işlemlerin etkisi, E.Ü. Fizik Anabilim Dalı Yüksek Lisans Tezi, Bornova-İZMİR, 2005) ORAL, M., Elektronik Deneyleri, (E.Ü.F.F. Yayınları, Sayfa , Bornova-İZMİR, 1981) Yr. Doç. Dr. Teoman YILDIZ Doç. Dr. Mustafa TEPE
17 RESİMLER
Akım ve Direnç. Bölüm 27. Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç
Bölüm 27 Akım ve Direnç Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç Öğr. Gör. Dr. Mehmet Tarakçı http://kisi.deu.edu.tr/mehmet.tarakci/ Elektrik Akımı Elektrik yüklerinin
Detaylıengelsiz İki elektronun işbirliği!
süperiletkenlik Süperiletkenlik Bir metali sert yaylar ile bağlanmış ve hareket edebilen pozitif iyonlardan oluşan bir kafes olarak düşünebiliriz. Kafeste hareket eden elektronlar elektrik akımı oluştururlar.
DetaylıAnkara Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 7. Hafta. Aysuhan OZANSOY
FİZ102 FİZİK-II Ankara Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 7. Hafta Aysuhan OZANSOY Bölüm 6: Akım, Direnç ve Devreler 1. Elektrik Akımı ve Akım Yoğunluğu 2. Direnç ve Ohm Kanunu 3. Özdirenç 4. Elektromotor
DetaylıBÖLÜM 2. Gauss s Law. Copyright 2008 Pearson Education Inc., publishing as Pearson Addison-Wesley
BÖLÜM 2 Gauss s Law Hedef Öğretiler Elektrik akı nedir? Gauss Kanunu ve Elektrik Akı Farklı yük dağılımları için Elektrik Alan hesaplamaları Giriş Statik Elektrik, tabiatta birbirinden farklı veya aynı,
DetaylıModern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları
40 Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 1 Test 1 in Çözümleri 1. USG ve MR cihazları ile ilgili verilen bilgiler doğrudur. BT cihazı c-ışınları ile değil X-ışınları ile çalışır. Bu nedenle I ve II.
DetaylıELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER
ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.
DetaylıSensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison
Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör
DetaylıKARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1
KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik
DetaylıBölüm 4 Doğru Akım Devreleri. Prof. Dr. Bahadır BOYACIOĞLU
Bölüm 4 Doğru Akım Devreleri Prof. Dr. Bahadır BOYACIOĞLU Doğru Akım Devreleri Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Yasası Elektromotor Kuvvet (EMK) Kirchoff un Akım Kuralı Kirchoff un İlmek Kuralı Seri ve Paralel
DetaylıValans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.
Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,
DetaylıENERJİ VERİMLİLİĞİ VE SÜPERİLETKEN MALZEMELER. Rıfkı Terzioğlu, Türker Fedai Çavuş Sakarya Üniversitesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü
ENERJİ VERİMLİLİĞİ VE SÜPERİLETKEN MALZEMELER Rıfkı Terzioğlu, Türker Fedai Çavuş Sakarya Üniversitesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü İçerik Giriş İçerik Giriş Süperiletkenler ve temel özellikleri,
DetaylıDers 2- Temel Elektriksel Büyüklükler
Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net Yük Elektriksel yük maddelerin temel özelliklerinden biridir. Elektriksel yükün iki temel
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için
DetaylıŞekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri
DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Diyotlar; bir yarısı N-tipi, diğer yarısı P-tipi yarıiletkenden oluşan kristal elemanlardır ve tek yönlü akım geçiren yarıiletken devre elemanlarıdır. N
DetaylıHareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu
Akım ve Direnç Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız tartışmalar durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik yüklerinin hareket halinde olduğu durumları inceleyeceğiz.
DetaylıBÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)
BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda
DetaylıElektrik Müh. Temelleri
Elektrik Müh. Temelleri ELK184 2 @ysevim61 https://www.facebook.com/groups/ktuemt/ 1 Akım, Gerilim, Direnç Anahtar Pil (Enerji kaynağı) V (Akımın yönü) R (Ampül) (e hareket yönü) Şekildeki devrede yük
DetaylıFizik II Elektrik ve Manyetizma Akım, Direnç ve Elektromotor Kuvvet
Ders Hakkında Fizik-II Elektrik ve Manyetizma Dersinin Amacı Bu dersin amacı, fen ve mühendislik öğrencilerine elektrik ve manyetizmanın temel kanunlarını lisans düzeyinde öğretmektir. Dersin İçeriği Hafta
DetaylıMalzemeler elektrik yükünü iletebilme yeteneklerine göre 3 e ayrılırlar. İletkenler Yarı-iletkenler Yalıtkanlar
Malzemeler elektrik yükünü iletebilme yeteneklerine göre 3 e ayrılırlar. İletkenler Yarı-iletkenler Yalıtkanlar : iletkenlik katsayısı (S/m) Malzemelerin iletkenlikleri sıcaklık ve frekansla değişir. >>
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıDielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma
Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER Dielektrik malzemeler; serbest elektron yoktur, yalıtkan malzemelerdir, uygulanan elektriksel alandan etkilenebilirler. 1 2 Dielektrik malzemeler Elektriksel alan
DetaylıELEKTRİK AKIMI Elektrik Akım Şiddeti Bir İletkenin Direnci
ELEKTRİK AKIMI Elektrikle yüklü ve potansiyelleri farklı olan iki iletken küreyi, iletken bir telle birleştirilirse, potansiyel farkından dolayı iletkende yük akışı meydana gelir. Bir iletkenden uzun süreli
DetaylıİÇİNDEKİLER -BÖLÜM / 1- -BÖLÜM / 2- -BÖLÜM / 3- GİRİŞ... 1 ÖZEL GÖRELİLİK KUANTUM FİZİĞİ ÖNSÖZ... iii ŞEKİLLERİN LİSTESİ...
İÇİNDEKİLER ÖNSÖZ... iii ŞEKİLLERİN LİSTESİ... viii -BÖLÜM / 1- GİRİŞ... 1 -BÖLÜM / 2- ÖZEL GÖRELİLİK... 13 2.1. REFERANS SİSTEMLERİ VE GÖRELİLİK... 14 2.2. ÖZEL GÖRELİLİK TEORİSİ... 19 2.2.1. Zaman Ölçümü
DetaylıDENEY-4 ASENKRON MOTORUN KISA DEVRE (KİLİTLİ ROTOR) DENEYİ
DENEY-4 ASENKRON MOTORUN KISA DEVRE (KİLİTLİ ROTOR) DENEYİ TEORİK BİLGİ ASENKRON MOTORLARDA KAYIPLAR Asenkron motordaki güç kayıplarını elektrik ve mekanik olarak iki kısımda incelemek mümkündür. Elektrik
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) :
BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler
DetaylıA.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ 5. HAFTA
A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ 5. HAFTA İçindekiler 3. Nesil Güneş Pilleri Çok eklemli (tandem) güneş pilleri Kuantum parçacık güneş pilleri Organik Güneş
DetaylıBölüm 9 ELEKTROMANYETİK İNDÜKSİYON. Copyright 2008 Pearson Education Inc., publishing as Pearson Addison-Wesley
Bölüm 9 ELEKTROMANYETİK İNDÜKSİYON Hedef Öğretiler Faraday Kanunu Lenz kanunu Hareke bağlı EMK İndüksiyon Elektrik Alan Maxwell denklemleri ve uygulamaları Giriş Pratikte Mıknatısın hareketi akım oluşmasına
DetaylıERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DENEY FÖYÜ DENEY ADI AC AKIM, GERİLİM VE GÜÇ DENEYİ DERSİN ÖĞRETİM ÜYESİ DENEY SORUMLUSU DENEY GRUBU: DENEY TARİHİ : TESLİM
DetaylıTemel Kavramlar. Elektrik Nedir? Elektrik nedir? Elektrikler geldi, gitti, çarpıldım derken neyi kastederiz?
Temel Kavramlar Elektrik Nedir? Elektrik nedir? Elektrikler geldi, gitti, çarpıldım derken neyi kastederiz? 1 Elektriksel Yük Elektrik yükü bu dış yörüngede dolanan elektron sayısının çekirdekteki proton
DetaylıEEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 01: DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıDoğru Akım Devreleri
Doğru Akım Devreleri ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için elektromotor kuvvet (emk) adı verilen bir enerji kaynağına ihtiyaç duyulmaktadır. Şekilde devreye elektromotor
Detaylı4 ELEKTRİK AKIMLARI. Elektik Akımı ve Akım Yoğunluğu. Elektrik yüklerinin akışına elektrik akımı denir. Yük
4 ELEKTRİK AKIMLARI Elektik Akımı ve Akım Yoğunluğu Elektrik yüklerinin akışına elektrik akımı denir. Yük topluluğu bir A alanı boyunca yüzeye dik olarak hareket etsin. Bu yüzeyden t zaman aralığında Q
DetaylıAtomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.
TEMEL ELEKTRONİK Elektronik: Maddelerde bulunan atomların son yörüngelerinde dolaşan eksi yüklü elektronların hareketleriyle çeşitli işlemleri yapma bilimine elektronik adı verilir. KISA ATOM BİLGİSİ Maddenin
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış
Detaylı1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları
1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik
Detaylıİstatistiksel Mekanik I
MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için
DetaylıSICAKLIK ALGILAYICILAR
SICAKLIK ALGILAYICILAR AVANTAJLARI Kendisi güç üretir Oldukça kararlı çıkış Yüksek çıkış Doğrusal çıkış verir Basit yapıda Doğru çıkış verir Hızlı Yüksek çıkış Sağlam Termokupldan (ısıl İki hatlı direnç
DetaylıDENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT
YALITKAN YARI- İLETKEN METAL DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT Amaç: Birinci deneyde Ohmik bir devre elemanı olan direncin uçları arasındaki gerilimle üzerinden geçen akımın doğru orantılı
Detaylı7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ
7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ KONULAR 1. AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ 2. AKIM BİRİMİ, ASKATLARI VE KATLARI 3. GERİLİM BİRİMİ ASKATLARI VE KATLARI 4. DİRENÇ BİRİMİ VE KATLARI 7.1. AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ
DetaylıEnerji Band Diyagramları
Yarıiletkenler Yarıiletkenler Germanyumun kimyasal yapısı Silisyum kimyasal yapısı Yarıiletken Yapım Teknikleri n Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi p Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi Yarıiletkenlerde
DetaylıBi 1,6 Pb 0,4 Sr 2 Ca 2-x Sm x Cu 3 O y (x= 0,0 ve 1,0) SÜPERİLETKENLERİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU. Havva BOĞAZ
Bi 1,6 Pb,4 Sr 2 Ca 2-x Sm x Cu 3 O y (x=, ve 1,) SÜPERİLETKENLERİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU Havva BOĞAZ YÜKSEK LİSANS TEZİ İLERİ TEKNOLOJİLER GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ HAZİRAN 26 ANKARA
DetaylıŞekil-1. Doğru ve Alternatif Akım dalga şekilleri
2. Alternatif Akım =AC (Alternating Current) Değeri ve yönü zamana göre belirli bir düzen içerisinde değişen akıma AC denir. En çok bilinen AC dalga biçimi Sinüs dalgasıdır. Bununla birlikte farklı uygulamalarda
Detaylıİletken, Yalıtkan ve Yarı İletken
Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıDENEY 4 DC ŞÖNT ve SERİ MOTORUN YÜKLEME KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 4 DC ŞÖNT ve SERİ MOTORUN YÜKLEME KARAKTERİSTİKLERİ 1. Temel Teori (Şönt Uyarmalı Motor) DC şönt motorlar hızdaki iyi kararlılıkları dolayısıyla yaygın kullanılan motorlardır. Bu motor tipi seri
DetaylıAtomlar birleştiği zaman elektron dağılımındaki değişmelerin bir sonucu olarak kimyasal bağlar meydana gelir. Üç çeşit temel bağ vardır:
Atomlar birleştiği zaman elektron dağılımındaki değişmelerin bir sonucu olarak kimyasal bağlar meydana gelir. Üç çeşit temel bağ vardır: İyonik bağlar, elektronlar bir atomdan diğerine aktarıldığı zaman
DetaylıHIZLANDIRICI FİZİĞİ. Doğru Akım Hızlandırıcıları. Semra DEMİRÇALI Fen Bilimleri Öğretmeni DENİZLİ (TTP-7 Katılımcısı) 05/03/2018
HIZLANDIRICI FİZİĞİ Doğru Akım Hızlandırıcıları Semra DEMİRÇALI Fen Bilimleri Öğretmeni DENİZLİ (TTP-7 Katılımcısı) 05/03/2018 İÇİNDEKİLER 1. Elektrostatik Hızlandırıcılar 1.1. Cockroft- Walton Hızlandırıcısı
Detaylı7. DİRENÇ SIĞA (RC) DEVRELERİ AMAÇ
7. DİENÇ SIĞA (C) DEELEİ AMAÇ Seri bağlı direnç ve kondansatörden oluşan bir devrenin davranışını inceleyerek kondansatörün durulma ve yarı ömür zamanını bulmak. AAÇLA DC Güç kaynağı, kondansatör, direnç,
Detaylı7.DENEY RAPORU AKIM GEÇEN TELE ETKİYEN MANYETİK KUVVETLERİN ÖLÇÜMÜ
7.DENEY RAPORU AKIM GEÇEN TELE ETKİYEN MANYETİK KUVVETLERİN ÖLÇÜMÜ Arş. Gör. Ahmet POLATOĞLU Fizik II-Elektrik Laboratuvarı 9 Mart 2018 DENEY RAPORU DENEYİN ADI: Akım Geçen Tele Etkiyen Manyetik Kuvvetlerin
DetaylıATOMİK YAPI. Elektron Yükü=-1,60x10-19 C Proton Yükü=+1,60x10-19 C Nötron Yükü=0
ATOMİK YAPI Elektron Yükü=-1,60x10-19 C Proton Yükü=+1,60x10-19 C Nötron Yükü=0 Elektron Kütlesi 9,11x10-31 kg Proton Kütlesi Nötron Kütlesi 1,67x10-27 kg Bir kimyasal elementin atom numarası (Z) çekirdeğindeki
Detaylı1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Yarı İletken Diyotlar 1.1 Giriş 1.2. Yarı İletkenlerde Akım Taşıyıcılar 1.3. N tipi ve P tipi Yarı İletkenlerin Oluşumu 1.4. P-N Diyodunun Oluşumu 1.5. P-N Diyodunun Kutuplanması
Detaylı6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ
AMAÇLAR 6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ 1. Değeri bilinmeyen dirençleri voltmetreampermetre yöntemi ve Wheatstone Köprüsü yöntemi ile ölçmeyi öğrenmek 2. Hangi yöntemin hangi koşullar
DetaylıELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ
ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ Dr. Cemile BARDAK Ders Gün ve Saatleri: Çarşamba (09:55-12.30) Ofis Gün ve Saatleri: Pazartesi / Çarşamba (13:00-14:00) 1 TEMEL KAVRAMLAR Bir atom, proton (+), elektron (-) ve
DetaylıŞekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir.
Bir fuel cell in teorik açık devre gerilimi: Formülüne göre 100 oc altinda yaklaşık 1.2 V dur. Fakat gerçekte bu değere hiçbir zaman ulaşılamaz. Şekil 3.1 de normal hava basıncında ve yaklaşık 70 oc da
Detaylı14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ
14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ Sinüsoidal Akımda Direncin Ölçülmesi Sinüsoidal akımda, direnç üzerindeki gerilim ve akım dalga şekilleri ve fazörleri aşağıdaki
DetaylıEŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak.
EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ AMAÇ: 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. 2. Bu eş potansiyel çizgileri kullanarak elektrik alan çizgilerinin
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıT.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.
DetaylıEndüstriyel Sensörler ve Uygulama Alanları Kalite kontrol amaçlı ölçme sistemleri, üretim ve montaj hatlarında imalat sürecinin en önemli aşamalarındandır. Günümüz teknolojisi mükemmelliği ve üretimdeki
DetaylıManyetik Alan. Manyetik Akı. Manyetik Akı Yoğunluğu. Ferromanyetik Malzemeler. B-H eğrileri (Hysteresis)
Manyetik Alan Manyetik Akı Manyetik Akı Yoğunluğu Ferromanyetik Malzemeler B-H eğrileri (Hysteresis) Kaynak: SERWAY Bölüm 29 http://mmfdergi.ogu.edu.tr/mmfdrg/2006-1/3.pdf Manyetik Alan Manyetik Alan
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıTERMODİNAMİĞİN ÜÇÜNCÜ YASASI
Termodinamiğin Üçüncü Yasası: Mutlak Entropi Yalnızca entropi değişiminin hesaplanmasında kullanılan termodinamiğin ikinci yasasının ds = q tr /T şeklindeki matematiksel tanımından entropinin mutlak değerine
DetaylıBMM307-H02. Yrd.Doç.Dr. Ziynet PAMUK
BMM307-H02 Yrd.Doç.Dr. Ziynet PAMUK ziynetpamuk@gmail.com 1 BİYOELEKTRİK NEDİR? Biyoelektrik, canlıların üretmiş olduğu elektriktir. Ancak bu derste anlatılacak olan insan vücudundan elektrotlar vasıtasıyla
DetaylıMEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI
MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI KONDANSATÖR Kondansatör iki iletken plaka arasına bir yalıtkan malzeme konarak elde edilen ve elektrik enerjisini elektrostatik enerji olarak depolamaya
DetaylıAKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER
YARI İLETKENLER Doğada bulunan atamlar elektriği iletip-iletmeme durumuna görene iletken, yalıtkan ve yarı iletken olarak 3 e ayrılırlar. İletken maddelere örnek olarak demir, bakır, altın yalıtkan maddeler
DetaylıElektromanyetik Dalga Teorisi
Elektromanyetik Dalga Teorisi Ders-1 Diferansiyel Formda Maxwell Denklemleri İntegral Formda Maxwell Denklemleri Fazörlerin Kullanımı Zamanda Harmonik Alanlar Malzeme Ortamı Dalga Denklemleri Michael Faraday,
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıDA DEVRE. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI
DA DEVRE Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI BÖLÜM 1 Temel Kavramlar Temel Konular Akım, Gerilim ve Yük Direnç Ohm Yasası, Güç ve Enerji Dirençsel Devreler Devre Çözümleme ve Kuramlar
DetaylıDanışman: Yard. Doç. Dr. Metin Özgül
Hazırlayan:Nida EMANET Danışman: Yard. Doç. Dr. Metin Özgül 1 ELEKTROSERAMİK NEDİR? Elektroseramik terimi genel olarak elektronik, manyetik ve optik özellikleri olan seramik malzemeleri ifade etmektedir.
DetaylıATOMİK YAPI. Elektron Yükü=-1,60x10-19 C Proton Yükü=+1,60x10-19 C Nötron Yükü=0
ATOMİK YAPI Atom, birkaç türü birleştiğinde çeşitli molekülleri, bir tek türü ise bir kimyasal öğeyi oluşturan parçacıktır. Atom, elementlerin özelliklerini taşıyan en küçük yapı birimi olup çekirdekteki
DetaylıYAŞAMIMIZDAKİ ELEKTRİK
YAŞAMIMIZDAKİ ELEKTRİK DURGUN ELEKTRİK Atomda proton ve nötrondan oluşan bir çekirdek ve çekirdeğin çevresinde yörüngelerde hareket eden elektronlar bulunur. Elektrik yüklerinin kaynağı atomun yapısında
DetaylıDENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI-GERİLİM VE AKIM ÖLÇÜMLERİ
DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI-GERİLİM VE AKIM ÖLÇÜMLERİ A. DENEYİN AMACI : Ohm ve Kirchoff Kanunları nın geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi ve gerilim ve akım ölçümlerinin yapılması B. KULLANILACAK
DetaylıÖĞRENME ALANI : FĐZĐKSEL OLAYLAR ÜNĐTE 3 : YAŞAMIMIZDAKĐ ELEKTRĐK (MEB)
ÖĞENME ALANI : FZKSEL OLAYLA ÜNTE 3 : YAŞAMIMIZDAK ELEKTK (MEB) B ELEKTK AKIMI (5 SAAT) (ELEKTK AKIMI NED?) 1 Elektrik Akımının Oluşması 2 Elektrik Yüklerinin Hareketi ve Yönü 3 ler ve Özellikleri 4 Basit
DetaylıElektrik Mühendisliğinin Temelleri-I EEM 113
Elektrik Mühendisliğinin Temelleri-I EEM 113 1 1 Terim Terimler, Birimleri ve Sembolleri Formülsel Sembolü Birimi Birim Sembolü Zaman t Saniye s Alan A Metrekare m 2 Uzunluk l Metre m Kuvvet F Newton N
DetaylıTEMEL ELEKTRİK-ELEKTRONİK DERSİ SORU BANKASI
TEMEL ELEKTRİK-ELEKTRONİK DERSİ SORU BANKASI TEMEL ELEKTRİK ELEKTRONİK 1 1. Atomun çekirdeği nelerden oluşur? A) Elektron B) Proton C) Proton +nötron D) Elektron + nötron 2. Elektron hangi yükle yüklüdür?
Detaylıdq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ
OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Şaban ULUS Şubat 2014 KAYSERİ
DetaylıBuna göre, bir devrede yük akışı olabilmesi için, üreteç ve pil gibi aygıtlara ihtiyaç vardır.
ELEKTRİK AKIMI Potansiyelleri farklı olan iki iletken cisim birbirlerine dokundurulduğunda potansiyelleri eşit oluncaya kadar birinden diğerine elektrik yükü akışı olur. Potansiyeller eşitlendiğinde yani
DetaylıDers 3- Direnç Devreleri I
Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel
DetaylıDOĞRU AKIM MAKİNELERİNDE KAYIPLAR
1 DOĞRU AKIM MAKİNELERİNDE KAYIPLAR Doğru Akım Makinelerinde Kayıplar Doğru akım makinelerinde kayıplar üç grupta toplanır. Mekanik kayıplar, Manyetik kayıplar, Bakır kayıplar. Bu üç grup kayıptan başka
DetaylıAET 113 DOĞRU AKIMI DEVRE ANALİZİ 1. HAFTA
AET 113 DOĞRU AKIMI DEVRE ANALİZİ 1. HAFTA İçindekiler Temel Kavramlar Devre Elemanları Elektrik Devre Kaynakları GERİLİM (v) Pozitif ve negatif yük birbirinden ayrıldığı zaman enerji harcanır. Gerilim,
DetaylıHazırlayan: Tugay ARSLAN
Hazırlayan: Tugay ARSLAN ELEKTRİKSEL TERİMLER Nikola Tesla Thomas Edison KONULAR VOLTAJ AKIM DİRENÇ GÜÇ KISA DEVRE AÇIK DEVRE AC DC VOLTAJ Gerilim ya da voltaj (elektrik potansiyeli farkı) elektronları
DetaylıFZM 220. Malzeme Bilimine Giriş
FZM 220 Yapı Karakterizasyon Özellikler İşleme Performans Prof. Dr. İlker DİNÇER Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü 1 Atomsal Yapı ve Atomlararası Bağ1 Ders Hakkında FZM 220 Dersinin Amacı Bu dersin
Detaylıİletken Düzlemler Üstüne Yerleştirilmiş Antenler
İletken Düzlemler Üstüne Yerleştirilmiş Antenler Buraya dek sınırsız ortamlarda tek başına bulunan antenlerin ışıma alanları incelendi. Anten yakınında bulunan başka bir ışınlayıcı ya da bir yansıtıcı,
DetaylıYarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;
1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun
DetaylıKARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1
KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Bu bölüm, çeşitli şekillerde birbirlerine bağlanmış bataryalar, dirençlerden oluşan bazı basit devrelerin incelenmesi ile ilgilidir. Bu tür
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıBİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR II DOĞRUSAL ISI İLETİMİ DENEYİ 1.Deneyin Adı: Doğrusal ısı iletimi deneyi..
DetaylıDeğişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.
DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese
DetaylıMADDENİN YAPISI VE ÖZELLİKLERİ ATOM
MADDENİN YAPISI VE ÖZELLİKLERİ ATOM ATOMUN YAPISI Elementlerin tüm özelliğini gösteren en küçük parçasına atom denir. Atomu oluşturan parçacıklar farklı yüklere sa-hiptir. Atomda bulunan yükler; negatif
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıAşağıdaki formülden bulunabilir. S16-Kesiti S1=0,20 mm²,uzunluğu L1=50 m,özdirenci φ=1,1 olan krom-nikel telin direnci kaç ohm dur? R1=?
S1-5 kw lık bir elektrik cihazı 360 dakika süresince çalıştırılacaktır. Bu elektrik cihazının yaptığı işi hesaplayınız. ( 1 saat 60 dakikadır. ) A-30Kwh B-50 Kwh C-72Kwh D-80Kwh S2-400 miliwatt kaç Kilowatt
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun
DetaylıELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ
Sakarya Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü M6/6318 Bölümün tanıtılması Elektrik Elektronik Mühendisliğinin tanıtılması Mühendislik Etiği Birim Sistemleri Doğru ve
Detaylı8. ALTERNATİF AKIM VE SERİ RLC DEVRESİ
8. ATENATİF AKIM E SEİ DEESİ AMAÇA 1. Alternatif akım ve gerilim ölçmeyi öğrenmek. Direnç, kondansatör ve indüktans oluşan seri bir alternatif akım devresini analiz etmek AAÇA oltmetre, ampermetre, kondansatör
DetaylıT.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU
T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV
DetaylıİÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR...
İÇİNDEKİLER Bölüm 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... 1 1.1 Katıhal... 1 1.1.1 Kristal Katılar... 1 1.1.2 Çoklu Kristal Katılar... 2 1.1.3 Kristal Olmayan (Amorf) Katılar... 2 1.2 Kristallerde Periyodiklik... 2
DetaylıAlternatif Akım; Zaman içerisinde yönü ve şiddeti belli bir düzen içerisinde değişen akıma alternatif akım denir.
ALTERNATiF AKIM Alternatif Akım; Zaman içerisinde yönü ve şiddeti belli bir düzen içerisinde değişen akıma alternatif akım denir. Doğru akım ve alternatif akım devrelerinde akım yönleri şekilde görüldüğü
Detaylı