ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ 6. ULUSAL KONGRESİ

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ 6. ULUSAL KONGRESİ"

Transkript

1 ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ 6. ULUSAL KONGRESİ Eylül 1995 BURSA TMMOB ELEKTRİK MÜHENDİSLERİ ODASI ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TÜBİTAK

2 ISBN : X Baskı : K A R E AJANS & MATBAACILIK Litrosyolu, 2. Matbaacılar Sanayi Sitesi C Blok No : 4 NC 25 Topkapı - İstanbul Tel: (0212)

3 ÖNSÖZ TMMOB Elektrik Mühendisleri Odası, Uludağ Üniversitesi Mühendislik-Mimarlık Fakültesi Elektronik Mühendisliği Bölümü ve TÜBiTAK'ın işbirliği ile Eylül 1995 tarihleri arasında düzenlenen Elektrik Mühendisliği 6. Ulusal Kongresine hoşgeldiniz. Hazırlık çalışmaları yaklaşık bir yıl önce başlayan Kongreye, Üniversitelerimiz, araştırma ve endüstri kurumlarında çalışan meslektaşlarımız büyük ilgi göstermiş ve toplam 450 civarında bildiri başvurusu olmuştur. Aydınlatma Tekniği, Ar-Ge ve Teknoloji Üretimi, Bilgisayar ve Kontrol, Devreler ve Sistemler, Elektronik, Elektromagnetik Alanlar ve Mikrodalga Tekniği, Elektrik Makinaları, Elektrik Enerji Üretimi ve Dağıtımı, Eğitim, Güç Elektroniği, Haberleşme Tekniği ve Sistemleri, Ölçme Tekniği, Tıp Elektroniği ve Yüksek Gerilim Tekniği konularına göre ayrılan bildiriler, yürütme kurulunca belirlenen değerlendirme kuralları çerçevesinde uzmanlarca değerlendirilerek, yaklaşık 300 kadarının oturumlarda sunulması uygun bulunmuştur. Üç Ayrı ciltte toplanan bildirilerin, Aydınlatma Tekniği, Enerji Üretim, İletim ve Dağıtımı.Yüksek Gerilim Tekniği, Güç Elektroniği, Elektrik Makinaları birinci ciltte, Elektronik, Elektromağnatik Alanlar ve Mikrodalga Tekniği, Haberleşme Tekniği ve Sistemleri, Ölçme Tekniği, Tıp Elektroniği ikinci ciltte, Bilgisayar ve Kontrol, Eğitim ve diğerleri üçüncü ciltte yer almıştır. EMO ve Üniversitelerin temsilcilerinin yanısıra kamu ve özel sektör temsilcilerinin de yer aldığı Kongre Danışma Kurulu'nca belirlenen görüşler çerçevesinde, Elektrik-Elektronik Mühendisliğini ilgilendiren çeşitli konularda paneller ve çağrılı bildiriler de düzenlenmiş bulunmaktadır. Türkiye'de Elektrik-Elektronik Sanayinin Konumu, AB İle Bütünleşmesi ve Perspektifler, Elektrik- Elektronik Mühendisliğinde Eğitim, Altyapı Hizmetleri Özelleştirme ve Düzenleyici Erk, Türkiye'nin Elektrik Enerji Sisteminde Yapısal Değişiklikler ve Politikalar konulu paneller ve Bilgi Çağının Anahtar Teknolojisi; Mikroelektronik, Mikrodalga Enerjisinin Endüstriyel Uygulamaları, Bilgi Toplumu ve Internet, Elektrik-Elektronik sanayinin Gelişiminde Ar-Ge'nin Önemi, Nükleer Güç Santrallerinin İşletmesindeki Teknik Sorunlar ve Çevre Konulu çağrılı bildirilerle konuların tartışılacağı, bilimsel yaklaşımlarla çözüm ve önerilen geliştirileceği, ilgili kurum ve kuruluşlara önemli katkılar sağlayacağı inancındayız. Kongrede çağrılı bildiri ve panellere katılarak değerli katkılarda bulunacak değerli bilim adamları ile özel ve kamu kuruluş yetkililerine sonsuz teşekkürlerimi sunuyorum. Bugüne kadar iki yılda bir düzenli olarak yapılan, bilimsel niteliği ve katılımı giderek artan Elektrik Mühendisliği Ulusal Kongresi, Ülkemizde yapılan bilimsel ve teknolojik çalışmaların nitel ve nicel özelliklerini yansıtması bakımından önem arzetmektedir.' Kongrenin, izleyiciler ve delegeler için başarılı olmasını, ülkemizin bilimsel ve teknolojik çalışmalanna yön ve ivme vermesini diliyor, hazırlık çalışmalarımıza özenle katkı sağlayan değerli TMMOB Elektrik Mühendisleri Odası Yönetim Kuruluna, Elektrik Mühendisleri Odası Bursa Şubesi Yönetim Kuruluna ve Çalışanlanna, Bilim Kurulu, Danışma Kurulu, Yürütme Kurulu ve Sosyal İlişkiler Komisyonu üyeleri ile emeği geçen tüm arkadaşlanmıza destek ve katkıları için teşekkür ediyorum. Prof. Dr.Ali OKTAY Yürütme Kurulu Başkanı

4 ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ 6.ULUSAL KONGRESİ YÜRÜTME KURULU Prof. Dr.Ali OKTAY Prof.Dr.Ahmet DERVİŞOĞLU Prof.Dr.R.Nejat TUNCAY Teoman ALPTÜRK Faruk KOÇ Haluk ZONTUL Ömer ADIŞEN EmirBİRGÜN Sevim ÖZAK Yakup ÜNLER Osman AKIN H.İbrahim BAKAR (U.Ü. - Başkan) (İTÜ) (İTÜ) (EMO Başkanı) (EMO Bursa Şube Başkanı) (EMO Yön.Kur. Üyesi) (U.Ü.) (EMO-Bursa Şube Yön.Kur. Yazman Üyesi) (EMO-Bursa Şube Yön. Kur. Üyesi) (EMO-Bursa Şubesi) (EMO-Bursa Şubesi) (EMO-Bursa Şubesi) TMMOB ELEKTRİK MÜHENDİSLERİ ODASI BURSA ŞUBESİ YÖNETİM KURULU Başkan Başkan Yrd. Yazman Sayman Üye Üye Üye Faruk KOÇ İsmail Yalçın AKTAŞ Emir BİRGÜN Bahri KAVİLCİOĞLU Sevim ÖZAK Tuncay HIZLIOĞLU Cem ÖZKAN TMMOB ELEKTRİK MÜHENDİSLERİ ÇDASI BURSA ŞUBE GÖREVLİLERİ Kemal ERTUĞRAN Kemal KARAKAŞ Raziye BEĞEN Meliha DEMİR Hüseyin GÖK : Kongre-Fuar Sorumlu Mühendisi : Proje Denetim ve Test Mühendisi : Sekreterya Sorumlusu : Muhasebe Görevlisi : Şube Görevlisi SOSYAL ETKİNLİKLER KOMİSYONU İnci BECEREN Sabiha CESUR Bekir DAĞLAROĞLU Gülsemin GÜNEŞ Muvaffak KARAHAN Önder SERHATLI - I -

5 BİLİMSEL DEĞERLENDİRME KURULU AKÇAKAYA Ergül, Prof. Dr.(İTÜ) AKPINAR Sefa, Prof.Dr. (KTÜ) ANDAY Fuat, Prof.Dr.(İTÜ) ATAMAN Atilla, Prof.Dr. (YTÜ) AYGÖLÜ Ümit, Prof.Dr.(İTÜ) AŞKAR Murat, Prof. Dr. (ODTÜ) BAYRAKÇI H.Ergün, Prof.Dr.(UÜ) BURŞUK A.Fahri, Prof.Dr. (İÜ) BİR Atilla, Prof.Dr.(İTÜ) CANATAN Fatih, Prof.Dr.(ODTÜ) CERİDÖmer, Prof.Dr.(BÜ) ÇETİN İlhami, Prof.Dr.(İTÜ) ÇİFTÇİOĞLU Özer, Prof.Dr. (İTÜ) DALFEŞ Abdi, Prof.(İTÜ) DEMİRÖREN Ayşen, Yrd.Doç.Dr.(İTÜ) DERVİŞOGLU Ahmet, Prof.Dr.(İTÜ) ERTAN H.Bülent, Prof.Dr.(ODTÜ) ERTAŞ Arif, Prof. Dr. (ODTÜ) ERİMEZ Enise, Prof.Dr. (İTÜ) FADIL Salih, Yrd.Doç.Dr.(OÜ) GÖKMEN Muhittin, Prof.Dr.(İTÜ) GÖNÜLEREN Ali Nur, Prof.Dr.(İTÜ) GÜLGÜN Remzi, Prof.Dr.(YTÜ) GÜNAN Hasan, Prof.Dr.(ODTÜ) GÜNEŞ Filiz, Prof.Dr.(YTÜ) GÜRLEYEN Fuat, Doç.Dr.(İTÜ) GÜVEN Nezih, Doç.Dr.(ODTÜ) GÜZELBEYOGLU Nurdan, Prof.Dr.(İTÜ) HARMANCI A.Emre, Prof.Dr. (İTÜ) İDEMEN Mithat, Prof.Dr.(İTÜ) İDER Y.Ziya, Prof.Dr. (ODTÜ) İNAN Kemal, Prof.Dr.(ODTÜ) KALENDERLİ Özcan, Yrd.Doç.Dr.(İTÜ) - KASAPOĞLU Asım, Prof.Dr.(YTÜ) - KAYPMAZ Adnan, Doç. Dr.(İTÜ) - KORÜREK Mehmet, Doç.Dr.(İTÜ) - KUNTMAN H.Hakan, Prof.Dr.(İTÜ) - LEBLEBİCİOĞLU Kemal, Prof.Dr.(ODTÜ) - MERGEN Faik, Prof.Dr.(İTÜ) - MORGÜL Avni, Prof.Dr.(BÜ) -OKTAYAli, Prof.Dr.(UÜ) - ONAYGİL Sermin, Doç. Dr.(İTÜ) - ÖNBİLGİN Güven, Prof. Dr.(19 MAYIS Ü) - ÖZAY Nevzat, Prof. Dr. (ODTÜ) - ÖZDEMİR Aydoğan, Doç.Dr.(İTÜ) - ÖZKAN Yılmaz, Prof. Dr.(İTÜ) - ÖZMEHMET Kemal, Prof.Dr.(9 EYLÜL Ü) - PANAYIRCI Erdal, Prof.Dr. (İTÜ) - RUMELİ Ahmet, Prof.Dr.(ODTÜ) - SANKUR Bülent, Prof.Dr.(BÜ) - SARIKAYALAR Şefik, Prof.(YTÜ) - SEVAİOĞLU Osman, Prof. Dr.(ODTÜ) - SEVERCAN Mete, Prof.Dr. (ODTÜ) - SOYSAL A.Oğuz, Prof.Dr.(İÜ) - ŞEKER Selim, Prof. Dr. (BÜ) - TACER Emin, Prof. Dr.(İTÜ) - TANIK Yalçın, Prof.Dr.(ODTÜ) - TARKAN Nesrin, Prof.Dr.(İJÜ) - TOPUZ Ercan, Prof.Dr.(İTÜ) - TUNCAY R.Nejat, Prof.Dr. (İTÜ) - TÜRELİ Ayhan, Prof.Dr.(ODTÜ) - ÜÇOLUK Metin, Prof.Dr.(İTÜ) - YAZGAN Erdem, Prof.Dr.(HÜ) - YÜCEL Metin, Prof. (YTÜ) - YÜKSEL Önder, Prof.Dr.(ODTÜ) - YÜKSELER Nusret, Prof.Dr.(İTÜ) - II -

6 DANIŞMA KURULU - AKÇAKAYA Ergül (Prof.Dr.-İTÜ) - AKKAŞLI Nevzat - ALADAĞLI Tunç (Nergis A.Ş.) - ALGÜADJŞ Selim (EKA) - ARABUL Hüseyin (EMSAD) - ARGUN Tanju (TESİD) - ATALI İbrahim (EMO Adana Şube) - ATEŞ Mustafa (TEDAŞ) - AVCI M.Naci (Organize Sanayi Bölgesi) - BAYKAL Faruk (Nilüfer Belediye Başkanı) - BERKOĞLU İsmail (PTT Bölge Başmüdürü) - BOZKURT Yusuf (MEES) - BİRAND Tuncay (ODTÜ) - CANER Süleyman (Çanakkale Seramik) - CEYHAN Mümin - CEYLAN Arif - ÇALIM Yavuz (TEAŞ Müessese Müdürü) - DRAMA Mehmet (TEDAŞ) - DURGUT Metin (EMO Merkez) - GÖREN Sunay (Siemens) - HARMANCI Emre (Prof.Dr.-İTÜ) - ISPALAR Ayhan (EMKO) - KAYA Ersin (Kaynak Dergisi) - KAŞIKÇI İsmail (Almanya) - KIRBIYIK Mehmet (Prof.Dr.-U.Ü.Müh.Mim.Fak.Dekanı) - KUZUCU Mehmet (TOFAŞ Elk.Eln.Tesis Servis Şefi) - MUTAF M.Macit (EMO İzmir Şube) - OKAT ismail (TEDAŞ Bursa Müessese Müdürü) - OKUMUŞ NecatifTEDAŞ) - OKYAY Nursel (TEDAŞ) - ÖZMEHMET Kemal (Prof.Dr.-9 Eylül) - ÖNBİLGİN Güven (Prof.Dr.-19 Mayıs Ü.) - PUCULAOGLU Mustafa (EMO Merkez) - RAŞİTOĞLU Mithat (TEDAŞ) - SÖNMEZ Ali Osman (Ticaret ve Sanayi Odası Başkanı) - TERZİOĞLU TosunfTÜBİTAK) - YAZICI Ali Nihat (EMO Merkez) - YEŞİL Hüseyin (EMO İstanbul Şube) - YÜCEL Behçet - YÜKSELER H.Nusret (Prof.Dr.-İTÜ) - YURTMAN Naşit (Oyak Renault Fab.Teknik Servis Bakım Müdürü) - YİĞİT Ali (EMO Ankara Şube) - ZÜMBÜL İsmail - III -

7 RTA P-TİPİ SİLİKON TEK KRİSTALDE OLUŞTURULAN BOZUKLUKLAR VE BAKIR KATKILAMANIN ETKİLERİ M. SARTTAŞ Gazı Üniversitesi, Mühendislik ve Mimarlık Fakültesi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Maltepe-ANKARA. ÖZET: Entegre devre teknolojisinde; dıslokasyonlar ve yığın tıpı bozukluklar malzemenin optik ve elektronik özelliklerini olumsuz yönde etkilemektedir Ancak bu bozukluklar mıkroelektronık teknolojisinde istenmeyen safsızlık elementlerini, demir ve bakır gibi bazı geçiş elementlerini, istenmeyen bölgelerden yok etmek için kullanılmaktadır. Bu çalışmada, i) hızlı ısıl ışlem(rta) uygulanmış p-üpı silikon tek kristalde. ıi) oksıdasyon uygulanmış OX RTA'da. üı) yüzeyi mekanik yolla bozulmuş ve oksıdasyon uygulanmış OISF RTA'da oluşan bozukluklar ve aynı numunelere, 30 sn-30 dak arasında bakır katkılamanın etkilen incelendi. Kullanılan yöntemler; fotolümınesans(pl), elektron mıkroskobu(sem), elektron ışın akım(ebic) ve denn seviye geçiş spektroskopısı (DLTS) yöntemleri olup elde edilen sonuçlar literatürdeki sonuçlarla karşılaşünlarak irdelendi. 1. GİRİŞ Entegre devre teknolojisinde; malzeme yüzeyinde ve yapısında oluşan bozukluklar malzemenin optik ve elektronik özelliklerini olumsuz yönde etkilemektedir. Bu bozukluklar/l/: Nokta bozukluk, Çızgısel bozukluk veya dislokasyon, Yüzey veya düzlemsel olmak üzere üç grupta inceleyebiliriz. Nokta tıpı bozukluklar, atomik bozukluklar olup, ideal bir kristal örgüde bölgesel dislokasyon oluştururlar Bu tıp bozukluklar için gerekli olan enerji, ev sahibi atomlar arası mesafeye ve bozukluğu mevdana «eüren vabancı atomun büyüklüğüne bağlıdır Nokta tıpı bozukluklar üç tiptir: Ev sahibi atomun yennın boşalmasıyla oluşan boşluk tıpı bozukluk, Başka atomların ev sahibi atomlar arasına girmesi ile oluşan bozukluk. Yabana atomun ev sahibi atomu kaldırıp yerine oturması ile oluşan bozukluktur Boşluk oluşumu için 1-3 ev, araya girme işlemi için bunun 2-4 katı büyüklükte enerji gerekmektedir. Yüzeysel veya düzlemsel bozukluklar, tane çökelmesi ve dıslokasyonlarda tane çökelmesini içeren bozukluklardır. Çizgısel bozukluk veya dıslokasyonlar ise; bir kaç atom genişliğinde ve bir yönde uzun olup: Yığın tipi, Tane sınırlı, Daz sınırlı olmak üzere üç grupta incelenebilir. Tane sınırlı bozukluk, kristal örgüde bölgesel olarak atomların değişik yönde dizilmeleri sonucu oluşur Daz sınırlı bozukluklar, ayna görüntüsü şeklinde olup bu tıp bozukluklar plastik deformasyonla oluşturulurlar Atomik düzlemlerin ABC ABC. şeklinde düzgün sıralanması yerine ABCABÇBAC şeklinde C'nın etrafında ayna görüntüsü oluştururlar Yığın tıpı bozukluklar, ev sahibi atomların örgü yapısını bozmaktadır Yığın tıpı bozukluklar tek yönlü olup kristaldeki atomların düzenli sıralanışının bölgesel bir bozukluğudur FCC(Orta merkezli kübik) yapıda iki tıp yığın tıpı bozukluk vardır Atomların ABCABC şeklindeki bir sırayla dizilişinde, C sırası yoksa, AB ABC şeklinde ise, buna saf (intnnsıc) bozulma; araya ektra bir sıra girmişse, ABACABC şeklinde, buna da katkılı(extnnsıc)

8 bozulma denir. FCC yapıda ıkı tıp kısmı dıslokasyon bulunmaktadır. Bunlar kayma çizgisi içeren Schockley üpı veya bölgesel olarak bir sıra atomun, dizine girmesi veya çıkmasından oluşan Frank üpı kısmı dıslokasyonlardır. Silikon, ila tane iç içe geçmiş FCC içermektedir. Bu yapıdaki gerçek dıslokasyonun Burger vektörü, FCC yapı ile aynı olup tkl/2)a<110> dır ve bu dıslokasyon \\\\] düzleminde kayabilir. Kısmı Schokley dislokasyonu, b=( 1 /6)a< 112>, ile kısmı Frank dıslokasyonu, b=(l/3)a<lll>, etkıleşırse gerçek dıslokasyon, b=<l/2)a<110>, yapı ortaya çıkmaktadır Schokley tıpı kısmı dıslokasyon kayabılmekte; Frank üpı dıslokasyon ise kaymaz ancak tırmanarak hareket edebilmektedir. Eğer ıkı gerçek dıslokasyon, değişik düzlemlerde kayarken bir kesit çizgisinde karşılaşırlarsa, Lomer Cottreil Lock(kılıt) üpı bozukluk oluşur Bu dıslokasyon da kaymayan tiptendir. Dıslokasvonlar ve yığın üpı bozukluklar mıkroelekü"onık teknolojisinde istenmeyen satsızlık elementlerini istenmeyen bölgelerden yok etmede kullanılmaktadır. Dıslokasyonlar, P- N eklem dıyodlannda. MOS yapılarda, DRAM ve CCD yapılarda elektrik yükünü depolama süresini etkilemektedir. Dıslokasyonlar tek başlarına elektriksel olarak etkili olmalarına rağmen; yığın üpı bozukluklar, tek başlarına etkili değildirler Yığın tipi bozuklukların kısmı dıslokasyonlara bağlanması ve diğer safsızlıklarla çevrilmesi, bu tip bozuklukları elektriksel olarak etkili kılmaktadır. Literatürde, dislokasyonlann elektriksel özelliklen incelenmiş olup deneysel çalışmalarda, plastik deformasyon uygulanmış ve daha sonra 60O-900 C'de ısıl işlem görmüş n-tipi silikon kullanılmıştır Literatürdeki bu sonuçlar diğer çalışmalarda özetlenmışûr/2,3/. P-tipı üzerinde çalışmalar/2-5/ azdır. Diğer taraftan, entegre devrelerin yapımı sırasında silikon dilimlerinin geçiş elemenden üe pislerimden kaçınılmazdır/2-5/. 3-d geçiş elemenden, silikon içindeki kati çözunürlülüklenne göre ıkı grupta incelenebilirler. Bunlardan 3-d I elemenden: Cr, Mn, Fe, Co ve 3-d II elemenden: Ni, Cu'dır. 3-d I elemenden, nötral olarak Si atomlarının arasına girerken; 3-d II elemenden, pozitif yüklü olarak Sı atomlarının arasına girmektedir. Cr, Mn, Fe atomlan, silikon soğutulurken Si atomlan arasında donup kalırken; Co, Ni, Cu atomlan ise Sı atomlarının arasından çıkarak kaybolmakta ve Sı yüzeyinde çökelmektedır. Bu geçiş elemendenn, Si içinde termal stabılıtelen de birbirinden farklıdır. Geçiş elemendennden demır(fe)'ın edası çok ıyı bilinmekte olup bakır(cu)'ın edası en az bilinenidir. Bu çalışmada, p-tipı Si tek kristalinde hızlı ısıl ışlemın(rta), yüksek sıcaklıkta kontrol atmosferde oksıdasvonun. mekanik yolla bozukluk oluşturduktan sonra yüksek sıcaklık ve kontrol atmosferde oksıdasvonun, yüksek sıcaklıkta değişik surelerde bakır katkılamanın edalen ayn ayn değişik yöntemlerle incelendi. Sonuçlar literatürdeki sonuçlarla karşüaşûnldı. 2. DENEYSEL ÇALIŞMA Bu çalışmada, 150 mm çapındauoo) yönünde büyütülmüş p-tipı silikon tek kristale 1200 C'de 30 saniye süreyle azot gazı ortamında hızlı ısıl işlem(rta) uygulandı/2-4/. Yüzeyin X- ışın fotoğrafı çekildi. RTA'dan dolayı silikon yüzeyde oluşan kayma çizgilerinin kristalin kenarlarında toplandığı görüldü. X-ışın fotoğrafını kullanarak kayma çizgilerinin oluşmadığı bölgeden büyükçe bir parça kesildi. Yüzey RCA ile temizlendikten sonra bu parça üç kısma ayrıldı. Bınncı parça olduğu gibi bırakıldı. Dana parçanın yüzeyi 1 mikron elmas uçla tamamen çizildi ve adına mekanik yolla yüzeyi bozulmuş numune denildi. Dona ve üçüncü parçaya, içinden kuru oksijen gazı geçirilen 1050 *CTık bir finnda 4 saat ısıl işlem uygulandı. Bu ıkı numuneye OX RTA ve OISF RTA denildi Her ıkı numunenin yüzeylerinde oluşan bozukluklar Y3 asidi üe tesbıt edildi. Numunelerin yüzeylerinde oluşan bozukluklar ve edalen; elektron mıkroskobu(sem), fotolumınesans(pl) ve EBIC( Elektron Işın Akımı), DLTS(Denn Seviye Geçiş Spektroskopla) yöntemlen kullanılarak incelendi. Daha sonra bu iki numunedeki oksit tabakalan temizlendi ve arka yüzeylerine buharlaştırma yöntemi üe bakır kaplandı. Bu iki numune 4 eşit parçaya bölündü ve bu parçalardan 4 çift oluşturuldu. Her bir çifte

9 o 1000 CTık firında, azot gazı ortamında, sırasıyla 30 saniye, 1, 6, ve 30 dakikalık ısıl işlemler uygulandı. Bakır katkılamanın. OX RTA ve OISF RTA numunelere etkisi incelendi Özet olarak kullanılan numuneler aşağıda özetlendi: RTA P-Tipı silikon, OX RTA katkısız/'cu katkılı. OISF RTA katkısız/cu katkılı. Isıl İşlem Çeşitleri: IC teknolojisinde, yan iletkenlere, ıkı tıp ısıl işlem uygulanmaktadır. Bunlardan bınncısı finnda yaklaşık 1000 C'de olup ısıl işlem yavaş ve ısıl işlem süresi uzundur. Fınn ortamından numuneye yabancı maddelerin bulaşma nskı fazladır. Diğer tıp bir ısıl işlem, hızlı ısıl işlem (RTA) olup halojen lamba ve grafit ısıtıcılar gerektirmektedir. Isıl işlem sıcaklığı 1000 "C'den fâzla ancak süresi 100 saniyeden daha kısadır RTA ışiemı, hızlı ısıtıp soğutma imkanı vermektedir. Bu üp ısıl işlemde çevreden bulaşma nskı çok daha azdır. RTA. ÜLSI devrelerinde, sığ yapılar oluşturmak için çok uygundur. Yan iletken teknolojisinde, iyon ekme yönteminden dolayı oluşan yüzey bozuklukları, katkı profiline etki etmeden RTA ile düzeltilmektedir. 3. SONUÇLAR VE TARTIŞMA Fotolüminesans(PL) Sonuçlan: Literatürde, n- üpı silikon yapıda oluşan dıslokasyonlara bağlı olarak gözlenen PL spektrumlan(dl-dl2) bir önceki çalışmalarda özetlenmıştır/2-4/ Bu çalışmada: OXRTA. Cu katkılanmış OX RTA, Yığın tıpı bozukluk oluşturulmuş OISF RTA, Cu katkılanmış OISF RTA numunelere PL yöntemi uygulanmış ve bu numunelerde gözlenen PL spektrumlan Şekil l'de verilmiştir. Altı dakika Cu katkılanmış OX RTA'dakı PL çizgileri, Şekil l(a)'da. sırasıyla; ev(dl), 0.876eV(D2) ve 0.95eV etrafinda çok geniş bir pık(d5) olarak görülmektedir. OISF RTA'da şiddetli bir Dİ çizgisi ve zayıf bir D2 çizgisi gözlenirken D5 çizgisi yok olmuştur(şekıl 1-b). Altı dakika Cu katkılanmış OISF RTA'da ise Dİ çizgisinin zayıfladığı ve D2'nın de tamamen yok olduğu görülmüştüıtşekıl 1-c). Bu sonuç, yüzeyde çökelmış Cu atomlarının, yüzey rekombınasyon hızını arttırmasına ve eksıton popülasyonun yüzeyde düşmesine bağlanmıştır BO7 0. 0<l O. 018 O. OM Enerji (ev) Şekil 1. BıoRAD PL6100 üe elde edilen PL spektrumlan. (a) 6-dak. Cu OX RTA, (b) OISF, (c) 6-dak. Cu OISF RTA için elde edilmiştir. SEM ve EBIÇ Sonuçlan: Elektron mikroskop kullanarak, RTA. OX RTA. OISF RTA numunelerin Cu katkılamadan önce ve sonraki fotoğraflan çekildi. RTA ve OX RTA numune yüzeylerinde kayda değer bir bozukluk gözlenmedi 6-dak. Cu katkılanmış OX RTA'da gözlenen bozukluk tıplen Şekil 2(a)'da verilmiş olup buradaki bozuklukların yoğunluğu 2x10^ cm"-'dır. OISF RTA numunede gözlenen yığın tıpı bozukluk sayısı 2x10^ cm"- olup Şekil 2(b)'de görülmektedir. Bu numunede, yığın tıpı bozuklukların dışında 4x10^ cm"- kadar bozukluk görülmektedir. 30-dak. Cu katkılanmış OISF RTA numunede ise yığın tıpı bozukluk sayısında bir değişim olmadığı ancak yığın dışı bozuklukların sayısında bir artış olduğu tesbıt edılmiştut Şekil 2-c). Bu ikinci tıp bozuklukların sayısı, Cu katkılama süresinin 30 sn den 30 dakikaya arttırılması ile, 4x10^ cm"- den 10^ cm"-'ye çıkmıştır. SEM neticelerinde görülen bu bozukluk artışı, PL spektrumunun şiddetim düşürmüştür. SEM'e benzer bir EBIC fotoğrafı da Şekil 3 'de görülmektedir. DLTS Sonuçlan: Eldeki numunelere Schottky dryodlan yapılarak DLTS sinyalleri, K

10 *HB *>ekıl 2 Malzeme vuzevien Y.Vle temizlendikten sonra SEM Fotoûrailan (a) (>dak Cu OXRT,Vib)ÜISFRTA.(c)30-dak Cu OISF RTA ıcırı la) ve fb) için büyütme (c) için 3000 dır Şekil 3 P-tıpı RTA'dan EBIC tekniği ile elde edilen bir vapı bozukluğu

11 arasında elde edildi ve elde edilen denn seviyeler bir önceki çalışmalarda özetlendi/2-4/ Buradaki PL ve SEM çalışmalarını daha ıyı irdelemek için. DLTS neticelerinden elde edilen bozukluk ve katkı konsantrasyonları kısaca özetlenecektir RTA'dan sonra tesbıt edilen bozuklukların savısı 1-2x10'- cm" 3 olup bunlar. dıslokasyon çekirdeği etrafında ıkılı boşluklara, nokta tıpı bozukluklara veya boron- boşluk komplekslerine bağlanmıştır, 6 OX RTA numunede ise boronboşluk kompleksinin kaybolduğu, diğer tıp bozuklukların yerini koruduğu ancak konsantrasyonlarının 10^' cm" 3 'mn altına düştüğü gözlenmiştir OX RTA. 6-dakıkanın uzennde Cu katkılandığında ise bakıra bağlı denn sevrve katkı konsantrasyonunun ve bakır katkılamadan dolavı oluşan dıslokasvon konsantrasyonun 1-2x10'- cm"- 5 mertbesınde olduğu görülmüştür RTA da gözlenmiş olan butun bu denn sevıyelenn. 6-dak. uzennde Cu katkılanmış OX RTA da görülmemesi boşluk üpı bozuklukların kendi yerlerini Cu atomlarına bırakması ile açıklanabilir;2.4/ Bu Cu atomlan. elektriksel olarak aktif olup üçlü alıcktnple acceptor) olarak Sı yapısına girmiştir OISF RTA da, 1-5x10 ^3 cm" 3 arasında yığın üpı bozukluk görülmüş ve bu bozuklukların maksimum olduğu derinliğin yaklaşık olarak 1 mikron mertebesinde olduğu tesbıt edilmiştir/2.3/ Bakır katkılama ile bu dennlığın ve yığın üpı bozukluk konsantrasyonun etkilenmediği görülmüştür.ancak, 30-dak bakır katkılanmış numunede bir tek bakır seviyesi yerine uç bakır enerji seviyesi tesbıt edilmiş olup bu sevilerden bir tanesinin numuneye 410 K'de uygulanan ısıl işlem süresiyle arttığı gözlenmiştir, 3/ Bu sonuç, vuzeyın bakırla zenyınleşünlmış "Cu-sılıcıde" yapıya dönüşümüyle açıklanmıştır/7/. Öx RTA ve OISF RTAdakı Cu konsantrasyonunun, bu numunelerdekı bozukluk konsantrasyonunu aşmadığı tesbıt edılmışür Literatürde "C'de Cu katkılanmış numunelerde tesbıt edilen konsantrasyon farklılıklan. ısıl işlemden sonraki numune soğutma hızına bağlanmıştır. 1 S Santaş, Engıneenng Metallurgy and Matenals. Gazı Unıv Müh Fak yayın No 15, Gazı Ünıv iletişim Fak Basmevı, M. Santaş, 'The Effect of Copper Dıfîüsıon on Deep States in Oadızed ;ınd Oxygen Induced Stackıng Faulted P-Type RTA Cz Silicon". Proc of 7th MELCO1V94. pp Apnl Antalya/Turkev 3 M Santaş and A R. Peaker. Deep States.\ssocıated vvıth Oxıdatıon Induced Stackıng Faults in RTA P-Tvpe Sıbcon Before and After Copper Dıfîüsıon'. Solıd-State Electronics, Vol 38. No 5. pp: M Santaş, 'Deep Leveis m RTA and Copper Dıfrused P-Type Silicon. Proc of 6th ICM'94, pn September Istanbul/TurKey 5 A.G. Mılnes. Deep Impunoes in Semıconductors, Wıley New York A O Evwaraye, Defects and Radıaüon Effects in Semıconductors Conf. Ser , İnst Phys 7 Metals Handbook. 7th Ed Vol.9, p 298 Prof Dr Müasyyen Santaş, 20/2/1952 Biga-Çanakkale doğumlu ilk. Orta. Lise yi Biga'da tamamladı 1976'da Hacettepe Ünıv, Fız Yük. Müh. Bölümünden mezun oldu. 1981'de UMIST, Manchester- İngılterte, Elektnk ve Elektronik Müh. Böl den Doktora dereceli Elektronik ABD'da vümda Doçent yılmda Prof unvanlarını aldı arası ODTÜ Gaıantep Elektnk ve Elektronik Müh Bölümünde çalıştı Burada. Elektronik ABD Bşk. Bol Bşk Yard. ve Böl. Başkanlığı görevlerinde bulundu 1987'de TÜBiTAK'tan doktora sonrası bursu ile ve 1991 'de kendi ımkanlan ile UMIST'te Doktora ustu çalışmalar yapü Mart 1991'den buyana Gazı Ünıv. Müh Mim Fak., Elektnk ve Elektronik Müh. Böl."de Öğretim Uyesı ve Elektronik ABD Başkanıdır Mıkroelektronık, Elektronik Devre Elemanlan. Elektronik Devreler. Fotovoltaj Pıllen. Mıkroışlemcı Denetimli Devreler ve Haberleşme konularında yayınlan vardır KAYNAKÇA:

12 ANODİK OKSİT VE SÜLFÜR ARA YÜZEY TABAKALI n-gaas SCHOTTKY DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ 11 M. A. EBEOĞLU \ F. TEMURTAŞ a. Z. Z. ÖZTÜRK " Dumlupınar Üniversitesi. Müh. Fak., Elek.-Elektronik Müh. Böl.. KÜTAHYA ''TÜBİTAK-Marmara Araştırma Merkezi. Fizik Bölümü. Gebze-KOCAELİ Özet: Metal - n-gaas (MS) metal - öz (native) oksit - n-gaas (MOS) ve metal -sülfür - n-gaas (MİS) Schottky kontaklar imal edildi "K sıcaklık aralığında I-V ve C-V karakteristikleri incelendi. MİS ve MOS yapılarda izolasyon tabakası kullanmanın bariyer yüksekliğini (<j>bn ) MS yapıya göre artırdığı, ancak idealite faktörünü (n) yükselttiği gözlendi. Oksitleme ile elde edilen MOS yapının sülfürleme ile elde edilen MİS yapıya göre. bariyer yüksekliğinde artış görülmüştür, ancak sülfürleme ile elde edilende ise idealite faktörü değişmemiştir. I. GİRİŞ bariyer yüksekliğini artırmışlardır. GaAs için bariyer yüksekliği ev civarında sınırlanmıştır. İstenilen. GaAs tabanlı Schottky bariyer yüksekliğinin istenilen şekilde modifiye edilmesidir. K. Hirose et al. chalcogen ara tabakası kullanarak GaAs schottky diyotlarda bariyer yüksekliğini modifiye etmişlerdir 9 '. 20 yıllık bilgi birikimine rağmen GaAs tabanlı devre elemanların entegrasyonunda. yüksek hızlı ve optoelektronik uygulamalarda daha iyi kalitede Schottky kontaklara hala ihtiyaç duyulmaktadır 10 "''' Bu çalışmada n-gaas Schottky kontakları üzerinde çalışılmış, ilk defa ince izolasyon tabakası olarak anodik oksit ve sülfit tabakaları kullanılmıştır. Bilinen en eski ve basit devre elemanı Schottky diyodu olmasına rağmen günümüze kadar geçen zaman zarfında Schottky diyotlarına olan ilgi giderek artmakta. engel oluşturma teknikleri ile ilgili çeşitli deneysel ve teorik çalışmalar halen sürdürülmektedir U:>/.Bu çalışmalar. Schottky diyotlarının. radyo astronomi, atmosferik fizik ve plazma diagnostik uygulamalarında terahertz (10'~ Hz) mertebesinde sinyal mikserleri, varaktör elemanları, vb olarak uygulama alanları bulmasından kaynaklanmaktadır 6/. Schottky diyot bariyer yüksekliği, teknolojik açıdan en önemli aygıt (device) parametresi olup bariyer yüksekliğini artırmak için halen deneysel çalışmalar yapılmaktadır. Bunun için metal ve yarıiletken arasına çok ince bir ( Â ) izolasyon tabakası kullanılmaktadır. Yoon- I-Ia Jeong et al.. P;,N 4 ara tabakası 7/. K.C. Reinhardt et al. termal oksit ara tabakası kullanarak s '. Au-lnP Schottky diyodun II. MS, MOS VE MİS YAPILARIN OLUŞTURULMASI Bu çalışmada MS. MOS ye MİS yapı için Si katkılı 1.7x10'' cm katkı yoğunluklu. (100) yönelimli, n-gaas kristalleri (MPC Ltd.. UK) kullanılmıştır.. Ohmik kontak için. kristalin yüzeyi 10"' mbarlık vakumda lmm çaplı hegzagonal dizilişli maske ile Au-Ge ve Ni kaplanmış ve difüzyon için flash anneal.ing tekniği kullanılmıştır. Elde edilen kontakların direnci 2-3 Q olarak ölçülmüştür. Yapılması düşünülen Schottky MS. MOS ve MİS yapılar ohmik kontaklı kristaller üzerine yapılmıştu; MS yapılarda metal elektrot için Ag 10' 7 mbar vakumda maske kullanılarak kaplandı. MİS yapısı için metal elektrot kaplamadan önce izolatör tabaka için kristal yüzeyinde sülfür tabakası büyütüldü. Anodik sülfürleme işleminde susuz (NH^S çözeltisi kullanılmış olup

13 muhtemel oksitlenmeyi önlemek için anodizasyon. kuru azot atmosferinde gerçekleştirilmiştir. MOS yapısı için kristalin kendi öz oksiti (native oxide) anodik oksidasyon yöntemiyle yüzeyde oluşturulmuştur. Anodik oksitleme işleminde elektrolit olarak, etilen glikol, deivonize (Di) su ve sitrik asit monohidrat kullanıldı 12/ Kullandıöımız teknikler için ı oksit büyütme hızı 24 A/ V \V ve sülfür büyütme hızı 21 A / V l4/ olarak verilmiştir. Oksit ve sülfür özellikleri tablo 1 'de verilmiştir. MİS ve MOS yapılar için de Ag metal elektrot olarak yüzeye 10"' mbar vakumda kaplanmıştır. Tablo 1. Oksit ve sülfür oluşum değerleri izolatör Akım yoğunluğu Pasivasyon «erilimi Kalınlık Native oksit 0.1 ma/cm" 4.1 Volt -100 Â Sülfür 0.1 ma/cm" 7.9 Volt -160 Â n = (e/kt)dv/d(lni) (2) Burada, k Boltzman sabiti. T kelvin cinsinden sıcaklık, e elektronun yükü. A* etkin Richardson sabiti (GaAs için 8.64 cm" 2 K' 2 ) /I6 ' I7/. S etkin diyot alanı ve I s saturasyon akımıdır. Etkin taşıyıcı yoğunluğu Nj. C"~-V grafiğinin doğrusal kısmının eğiminden. N d = 2/(S 2 ee s )(dv/d(c-)) (3) kullanılarak elde edilmiştir l7. Burada s - varıiletkenin dielektrik sabitidir L < ; III. ÖLÇÜM İmal edilen Schottky kontakların elektriksel karakterizasyonu K sıcaklıklarında yapılan I-V ve C-V ölçümleriyle gerçekleştirilmiştir. I-V ölçümleri programlanabilir elektrometre.(keithley Model 617) ile. C-V ölçümleri ise Lock-in tekniği kullanılarak yapılmıştır. Elde edilen MS. MOS ve 'MİS yapı Schottky diyotlarının oda sıcaklığı I-V değişimleri şekil 1 "de verilmiştir. Tipik bir örnek olarak MS yapının değişik sıcaklıklardaki I-V değişimleri şekil 2 "de verilmiştir. Schottky bariyer yüksekliği (<j>bn) ve idealite faktörü (n) termoiyonik emisyon teorisine göre aşağıdaki formüller 15/ kullanılarak elde edilmiştir Ş - * +-MS W \ * «o-mis ': " * ;< '-MOS 10t 3? :< i 101 x : Gerilim (Volt) ŞEKİL 1. MS. MİS ve MOS Schottky yapıların logaritmik (I)-V grafikleri = (kt/e)ln(a*t-s/i s ) (D 551 -

14 i.i î T 10; < 298 K t K i 10 x_ 200 K ; 150 K : K ' 77 K ; 10 * _ 22 K : 0" " î Gerilim (Volt) ŞEKİL 2. MS yapının çeşitli sıcaklıklardaki logaritmik (I) -V grafiği IV. SONUÇLAR VE TARTIŞMA Bütün örneklerin I-V datalarının toplu sonucu tablo 2 'de görülmektedir. C- V ölçümlerinden Nj etkin taşıyıcı yoğunluğunu ortalama 10 U) mertebesinde bulunmuştur. Bu değer kristali imal eden firma tarafından verilen değere yakındır.aradaki fark ara yüzey durum yoğunluğunun fazlalığı ve/veya akseptor tip tuzakların varlığı ile açıklanabilir. Bu durum idealite faktörünün yüksek olmasında da etkili olmaktadır. TABLO 2. Tüm yapılar için oda sıcaklığında toplu sonuçlar MS MÜS MİS <İ>un(eV) n «bu,, (ev) n <l>bn (ev) n Değişik sıcaklıklarda I-V den hesaplanan görünür (j)q n değerlerinin bütün örnekler için sıcaklık düştükçe azaldığı görülmektedir. Bu arayüzeysel tabakadaki elektron tünelleme olasılığı ve bu tabakada tünelleme bariyerinin varlığıyla açıklanabilir /l8/. Gerçek bariyer yüksekliğinin sıcaklık arttıkça azalması beklenmektedir 18 " 19 '. Fakat sıcaklık düştükçe termoiyonik emisyon yerine termoiyonik-alan emisyonu etkin olmaktadır. Sıcaklık azaldıkça elektronlar yeterli enerjiye sahip olamadıklarından bariyerin üzerinden geçme yerine bariyerden tünelleme ile geçmeye başlamakta ve gerçek bariyer artmasına rağmen I-V den görünen bariyer yüksekliğinde azalma gözlenmektedir. Oluşturduğumuz yapılarda ince izolasyon tabakası kullanmanın oda sıcaklığında beklediğimiz şekilde <j) Bn "ni yükselttiğini gözledik. Bariyer yüksekliğinin artışı ara yüzey durum yoğunluğunun artışından ileri gelebilir 20 '. MOS yapıda MS yapıya göre bariyer yüksekliğinde oldukça iyi bir artış gözlenmektedir. Bu durum InP için literatürde gösterilen artışlarla uyum içinde olup idealite faktöründe artış vardır 7 ' 8 '. MİS yapıda oda sıcaklığında bariyer yüksekliğinde daha küçük bir yükselme gözlenmesine rağmen idealite faktörü değişmemiştir. Bu çalışmanın önemi GaAs için ilk kez yapılmasından ve daha sonra yapılacak çalışmalara bir başlangıç oluşturmasından ileri gelmektedir. İyi bir Schottky diyot için istenilen şey yüksek (j>b n ve küçük n değerleridir. Araya izolasyon tabakası koymak bariyer yüksekliğini artırmasının yanında genellikle idealite faktörünü artırarak kötüleştirir " 8::o/. İzolasyon tabakası olarak sülfür kullanmak <j>bn 'i Çok az artırmasına rağmen idealite faktörünü artırmaması önemili sonuçtur. MS yapının referans alınarak MOS ve MİS yapıda <j>b n ve n değişimlerini izalasyon tabakasının etkilemesi yapıda modifikasyona geçilebileceğini ve böylelikle arzulanan schottky diyotlann GaAs tabanlı olarak yapılabilirliğini de

15 KAYNAKÇA: I G. Ashkinaz et al.. Sol. Stat. Electron.. 36(1). 13(1993) : I.R. Tamın et al.. Sol. Stat. Electron.. 36(10). 1417(1993) E.K.. Evangelou et al.. Sol. Stat. Electron.. 36 (1 1). 1633(1993) 4 M.C. C'heng el al.. Sol. Stat. Electron.. 33(7). 863(1990) (i. Peto et al.. Sol. Stat. Electron.. 34 (6). 591(1991) '' kaushık Bhaumik et al.. IEEE Trans. Microwave Theo. Tech.. 40(5). 880(1992) Yoon-Ha Jeong et al...1. Appl. Phys.. 69(9). ()699(1991) x K.C. Reinhard et al.. Sol. Stat. Electron.. 31(10).1537(1988) ''' K. Hirose et al., i. Appl. Phys.. 64(11). 6575( 19X8) "' T. Okıımura anti K. N. Tu. J. Appl. Phys.. 61 (8). 2955(1987) " L.A. Delinova et al.. Sol. Stat. Electron (1988) II Z.Z.Ö/.ıürk and M.A.Ebeoğlu. Physica Slatus Solidi (a). 138(2). 631(1993) ' ' M.A.Ebeoğlu. Doktora Tezi. Dicle Ünv.. Diyarbak7r II.Yüzer. Doktora Tezi.İTÜ. İstanbul lv S.M.Sze. Physics ol* semiconductor Devices (Wiley. New York. 1981) "" M.do Potter et al... J. Appl. Phys.. 61(10) (1987) 1 E.H.Rhoderick. Vletal-Semieonduetor Contacts(0xlbrd Science. Ne w York. 1988) ls/ K.Hattori et al.. J. Appl. Phys.. 54(12) 6575(1983) ''' Z.O.Shi. et al.. Sol.Stat.Electronics. 34(3).285(1991) : " k.k.amimura et al.. J. Appl. Phys.. 51(9).49()5 (1980) M.A.Ebeoğlu, 1980 Hacettepe Univ. Elekt. - Elektronik Mühendisliği Mezunu. Y. Lisansını 1984 "de ve Doktorasını 1989 "da Dicle Univ. "de tamamladı. Halen DPÜ Elektrik - Elektronik Mühendisliği Bölümünde Yardımcı Doçent. İlgi alanları, sensörler ve mikroelektroniktir. 20 "nin üzerinde yurtiçi ve yurtdışı makale ve bildirisi mevcuttur. F.Temurtaş, 1991 ODTÜ Elektrik - Elektronik Mühendisliği Mezunu. Halen DPC Mühendislik Fakültesi.Araştırma Görevlisi. Z.Z.Öztürk Hacettepe Üniversitesi Fizik Müh. Mezunu. Yüksek Lisansını 1977 de. Doktorasını 1982 \la Darmstadt Teknik Univ.'de tamamladı. Halen TÜBİTAK MAM Temel Bilimler Araştırma Enstitüsü Fizik Bölümünde görev yapmaktadır. İlgi alanları. Katıhal Fiziği. Mikroelektronik ve gaz sensörleridir. Re fere edilmiş 13 yır* iışı makalesi ve (i un üzerinde yurtdışı mevcuttur. yurtiçi ve tebliüi

16 TURNİKE ANTEN ÜZERİNE İNCELEMELER A. Tarkan TEKCAN, Kemal ÖZMEHMET Dokuz Eylül Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü BORNOVA- İZMİR ÖZET Turnike anten halk kullanımı için her türlü yayında kullanılabilecek bir antendir. İstenilen yayın, niteliğine göre, antenin fiziksel özelliği değiştirilerek sağlanabilir. Bu çalışmada, imalat sırasında bilerek ya da bilmeden yapılan farklı fiziksel değişikliklerin anten parametrelerini ne şekilde etkilediği deneysel olarak araştırılmış ve sonuçlan verilmiştir. 1. GİRİŞ Özellikle son dönemlerde, büyük yerleşim merkezlerinde artan yayınlar bir çok karmaşayı da beraberinde getirmiştir. Yayın kalitelerinin artmasında, kullanılan anten tipinin önemi büyüktür. Turnike anten, ışıma örüntüsü nedeni ile verici olarak kullanılmaya uygun bir anten türüdür İM. Bu antenin fiziksel parametreleri ve bunların değişimleri de bu tür anten ile yapılacak yayınlan etkilenmektedir. 2. TURNİKE ANTENLER Turnike anten, doğrusal olmayan dipol dizisi olarak tanımlanabilir. Işıma örüntüsü hemen hemen daireseldir İM, 121. Bu araştırmada, ideal durumda tasarlanmış anten ya da anten dizilerinin ışıma örüntüsünü belirleyen bir yazılım gerçekjeştinldi. Yazılımda dizi elemanlan arasındaki uzaklığın X/2, X/4 ve A78 olduğu durumlarda ışıma örüntüsü belirlenmiştir. Bunun sonucunda ikili dizi yapılması durumunda, dizi elemanlan X,/8 aralıklarla yerleştirilirdiğinde en uygun yaklaşıklığın oluştuğu gözlenmiştir. 3. ANTEN TASARIM Bu araştırmada kullanılan turnike antenin çalışma frekansını 650 MHz. alarak tasanmlandı. Referans anten olarak da bu anteni kullanabilmek amacı ile eşlenik iki adet tasarlandı. Ölçüm düzeneğinde kullanılan sistemlerin giriş / çıkış empedanslan 50 fi olduğundan, anten empedansı da buna yakın tasarlanmaya çalışıldı. Kullanımı, maliyeti ve iletkenliği gibi özelliklerinden dolayı tasanm aşamasında malzeme olarak dış çapı 7 mm., iç çapı 5 mm. alimünyum kullanılmıştır. Seçilen frekansta her bir çubuğun boyu uç etkisi çıkratılarak 10 cm. olarak elde edilmiştir. Kollar arası açıklığı 2 cm. olarak alındı. Tüm veriler gerekli grafikler ile değerlendirildiğinde ışıma direnci 45 fi olarak çıktı. Bu direncin 50 fi 'luk sistem ve hat dirençlerine yakınlığı nedeni ile aynca empedans dönüştürme işlemi uygulanmamıştır

17 4. ÖLÇÜMLER Ölçümler HP 8592B (9kHz. - 22GHz.) Spektrum Analyzer, HP 8350B ( GHz.) Svveep Osılatör, 488 iletişim kartı, skalar yansıma ölçer, diğer aksesuarlar ve bunlara uygun yazılımlar kullanılarak gerçekleştirildi. Karşılıklı iki özdeş anten kullanılarak, ölçümler iletişim sistemi ve bilgisayar destekli ölçüm düzeneği ile gerçekleştirildi. Öncelikle çalışma sırasında empedans uyumunun en iyi sağlandığı frekans arahklan yansıma katsayısının etkisi araştırılarak belirlendi ve çalışma bu frekans bölgelerinde yoğunlaştırılmıştır. I I I Frekans (MHz.) Şekil 1: Antenin frekans - 1 / T 2 grafiği 700 Antenin frekans - güç ve frekans - kazanç karakteristikleri çıkarıldı. İki farklı uzaklığa yerleştirilen levha reflektör ile de ölçümler gerçekleştirilmiştir. Bu ölçüm sonuçlan grafiksel olarak Şekil 2 ve 3'de sunulmuştur. Şekil 2 'de antenin frekans - güç eğrisi görülmektedir. Bu şekilde 5/4 A. ve 3/2 X. uzaklığa yerleştirilmiş reflektör etkileri de incelenebilmektedir. Antenin ışıma örüntüsü incelenmiş, sonuç Şekil 4'deki grafik ile verilmiştir. Antenin fiziksel özelliklerinin değişiminin kazanca yarattığı etkiyi değerlendirebilmek için kol açısı - kazanç değişimi ve faz açısı - kazanç değişimi sırasıyla Tablo 1 ve Tablo 2 'de verilmiştir. S. SONUÇLAR İlk olarak empedans uyumunun en iyi gerçekleştirildiği frekans bandının belirlenmesi amacı ile yansıma üzerine yapılan incelemenin sonucu frekans - 1 / F 2 grafiği olarak Şekil l'de verilmiştir. Bu grafikten en iyi uyumlanmış frekans arahklannın MHz. ve MHz. olduğu ortaya çıkıyor. I i 1 1 I I T I ı I I I ı I I I I I Frekans (MHz.) Şekil 2: Antenin frekans - güç karektenstiği Reflektör A: 5/4 \, B: 3/2 X uzaklıkta. Bu değerler kullanılarak temel anten bağmtılan yardımı ile antenin kazanç eğrisi elde edilmiştir (Şekil 3):

18 Tablo 1: Kol açısı değişimi - kazanç grafiği II I I [ I I 1 I I I I I I I I Frekans (MHz.) Şekil 3: Antenin frekans - kazanç eğrisi Reflektör A: 5/4 X, B: 3/2 X uzaklıkta. 700 kol açısı - kazanç İÇ Frekanslar (MHz.) 'lik faz farkı değiştirilerek antenin kazanç değerlerinin nasıl değiştiği araştırılmıştır: Tablo 2: Faz farkı - kazanç (db) değişimi Antenin verimli çalıştığı frekans bölgesinde bulunan 350 ve 554 MHz., dışında kalan 568 MHz. ile tasarım frekansı 650 MHz.'de ışıma örüntüleri incelenmiştir: faz açısı - kazanç , Frekanslar (MHz.) DEĞERLENDİRME ı j i rı ı i l l ı ı ı ACI (derece) Şekil 4: Işıma Örüntüsü A: 350 MHz, B: 554 MHz. C: 568 MHz., D. 650 MHz. Antenin kol açılarının standart dışındaki değerlerde olmasının kazanca etkisi Tablo l'de verilmiştir: Anten montajı sırasında kolların gövdeye yerleştirilmesini sağlayan metal çiviler (yaklaşık 1 cm. boyunda) ile hatların ucunda bağlantı için kullanılmış pabuçlar, ışımaya etki etmiş ve çalışma frekansımızı kaydırmıştır. Bu durumda en iyi kazanç 1.18 db olarak 568 MHz. 'de elde edilmiştir. Anten ışıma empedansı, kol boylarının, bağlantı hatlarının uçlarında kullanılan metal pabuçlar ve montaj çivileri nedeni ile gerçekte tasarlanandan farklı olması, 2 cm. olan besleme aralığının çok hassas ayarlanamaması nedenleri ile tasarlandığı gibi 50 O. dolaylarında çıkmamıştır. Bu da yansımalara yol açmıştır. En az yansıma olan yani en iyi empedans uyumu sağlanan frekans bölgeleri şekil 1 'den de

19 görülebileceği gibi MHz. ve MHz. 'dir. Işıma örüntüleri, beklenildiği gibi sıfir bölgeleri içermemektedir. Kol açılarının değişimi kazançta düşümler yaratmıştır. En iyi kazanç kollar 90 iken bulunmuştur. Faz açılarında ise 45 dışında yine büyük kazanç düşümleri oluşmuştur. Turnike antenin fiziksel parametrelerinin değişimi anten kazancını düşürmektedir. Bu durumda hassas olarak tasarlanmış ve gerçekleştirilmiş bir turnike antenin, beslemeleri arasında faz farkı 90, kollan arası 90 iken en iyi çalıştığı ortaya çıkmıştır. KAYNAKÇA 1) K. Özmehmet & T. Tekcan, "Anten Laboratuvan Notlan", D.E.Ü., ) G. Markov; "Antennas", Progress Press, ) E. Rubine & J. C. Bolomey; "Antennas", Vol. 1, N. Oxford Academiç Press, ) S. Drabowitch & C. Ancona; "Antennas", Vol. 2., N. Oxford Academiç Press, ) E. A. Wolf & R. Kaul; "Microvvave Engıneering & System Appl.", John Wiley & Sons, ÖZGEÇMİŞLER A. Tarkan TEKCAN tamamladı. Aynı üniversitede doktora çalışmalanna devam etmektedir. Nisan 1992 den beri bu kurumda Elektromanyetik Alanlar ve Mikrodalga Teknikleri anabilim dalında araştırma görevlisi olarak çalışmaktadır. İlgilendiği konular: Antenler, sinyal işleme teknikleri ve biomedikal uygulamalardır. KemalÖZMEHMET Lefkoşe Kıbns doğumlu. Lisans ve yüksek lisans eğitimini Londra Üniversitesinde doktorasını VVanvick Üniversitesinde tamamlamıştır. 1980'de Hacettepe Üniversitesinde Doçent ve 1987'de de Profesör Unvanını almıştır. Halen D.E.Ü. Elektnk - Elektronik Mühendisliği Bölüm Başkanlığını yürütmektedir. İngiltere'de bulunduğu sürede GEC Hirst Research Centre, VVanvick Üniversitesi ve Ratheon kuruluşlannda araştıncı olarak mikroelektronik, mikrodalga sistemleri ve askeri elektronik alanlarında uygulamalı çalışmalar yaptı yıllan arasında Hacettepe Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mührndisliği Bölümü Kuruluş çalışmalannı da yürütmüş olan Prof. ÖZMEHMET halen D.E.Ü. 'de uydu haberleşme sistemleri, uzaktan algılama ve değerlendirme, tıp elektroniği, EMİ ve EMC konulannda araştırmalar sürdürmektedir İzmir Doğumlu yılında, Dokuz Eylül Üniversitesi, Elektrik - Elektronik Mühendisliği Bölümünde yüksek lisans programını

20 TEK KATMANLI DAİRESEL DİSK VE HALKA MİKROŞERİT PARÇA ANTENLERİN SPEKTRAL UZAYDA REZONANS ANALİZLERİ Çiğdem S. Gürel ve Erdem Yazgan Hacettepe Üniversitesi. Elektrik-Elektronik Mühendisliği Böl., Beytepe-Ankara Özet: Tek katmanlı dairesel disk ve halka mikroşerit parça antenlerin rezonans analizleri spektral uzayda gerçekleştirilmiştir. Bu amaçla her iki yapının Green's fonksiyonları çıkarılmıştır. Galerkin yönteminin uygulanmasıyla elde edilen matris denkleminin çözümünden yapıların rezonans frekansları elde edilmiştir. Yapılan analizde yüzey dalga modlarının etkilen, integrallerin kompleks düzlemde hesaplanmasıyla ıçerilmıştir. Çalışılan her iki yapının performansları incelenerek uygun çalışma modları belirlenmiştir. 1. GİRİŞ Mikroşerit antenlerin dar bandgenişliği özelliklerinden dolayı yalnızca rezonans frekansı etrafında verimli çalışabilmeleri nedeniyle bu frekansın hesabı oldukça önemlidir. Özellikle bazı uygulama alanlarında bu frekansın iyi bir yaklaşımla elde edilmesi gereklidir [1]. Bu frekansın hesabı uygulanması oldukça kolay olan boşluk modeli ile gerçekleştirilebilirse de yapılan yaklaşımların fazla olması nedeniyle elde edilen sonucun güvenilirliği azdır. Boşluk modeli analizinden daha sonra geliştirilen tam dalga analizi ise yapıda oluşan bütün kayıpları modelleyebilmesi nedeniyle tercih edilmektedir. Bu çalışmada tam dalga analizinin spektral uzayda uygulanması ile iki farklı anten geometrisinin rezonans analizleri gerçekleştirilmiştir. İncelenen anten yapıları şekil I 1 de gösterilmiştir. / ~~ ^ dielektrilc iletken parça toprak düzlertı (a) / \ y dielektnk iletken parça toprak düzleih (b) z=dl z=0 z=dl z=ü Şekil 1. a-dairesel disk b- dairesel halka mikroşerit parça anten geometrileri 2. FORMULASYON A. Green's Fonksiyonları Çalışılan yapıların Green's fonksiyonları, z=d yüzeyinde iletken parça üzerinde oluşan akım dağılımlarının dönüşümleri ile teğet elektrik alan bileşenlerinin dönüşümleri arasındaki ilgiyi veren eşdeğer iletim hattı modelleri kullanılarak Hankel dönüşüm uzayında elde edilebilir [2]. Bir F. vektörü; F =F ±jf (D ile tanımlandığında bu ifadenin Hankel

ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5

ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 İletim Hatları İLETİM HATLARI İletim hatlarının tarihsel gelişimi iki iletkenli basit hatlarla (ilk telefon hatlarında olduğu gibi) başlamıştır. Mikrodalga enerjisinin

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

Antenler, Türleri ve Kullanım Yerleri

Antenler, Türleri ve Kullanım Yerleri Antenler, Türleri ve Kullanım Yerleri Sunum İçeriği... Antenin tanımı Günlük hayata faydaları Kullanım yerleri Anten türleri Antenlerin iç yapısı Antenin tanımı ve kullanım amacı Anten: Elektromanyetik

Detaylı

L1, L2 ve L5 Frekanslarında Çalışan Üç Katmanlı Mikroşerit GPS Anteni Tasarımı

L1, L2 ve L5 Frekanslarında Çalışan Üç Katmanlı Mikroşerit GPS Anteni Tasarımı L1, L2 ve L5 Frekanslarında Çalışan Üç Katmanlı Mikroşerit GPS Anteni Tasarımı Sertaç ERDEMİR 1 Asım Egemen YILMAZ * Özet: Bu çalışmada Küresel Konumlandırma Sistemleri ölçümlerindeki kullanımı gittikçe

Detaylı

AKDENİZ ÜNİVERSİTESİ. Anten Parametrelerinin Temelleri. Samet YALÇIN

AKDENİZ ÜNİVERSİTESİ. Anten Parametrelerinin Temelleri. Samet YALÇIN AKDENİZ ÜNİVERSİTESİ Anten Parametrelerinin Temelleri Samet YALÇIN Anten Parametrelerinin Temelleri GİRİŞ: Bir antenin parametrelerini tanımlayabilmek için anten parametreleri gereklidir. Anten performansından

Detaylı

Ahenk (Koherans, uyum)

Ahenk (Koherans, uyum) Girişim Girişim Ahenk (Koherans, uyum Ahenk (Koherans, uyum Ahenk (Koherans, uyum http://en.wikipedia.org/wiki/coherence_(physics#ntroduction Ahenk (Koherans, uyum Girişim İki ve/veya daha fazla dalganın

Detaylı

İletken Düzlemler Üstüne Yerleştirilmiş Antenler

İletken Düzlemler Üstüne Yerleştirilmiş Antenler İletken Düzlemler Üstüne Yerleştirilmiş Antenler Buraya dek sınırsız ortamlarda tek başına bulunan antenlerin ışıma alanları incelendi. Anten yakınında bulunan başka bir ışınlayıcı ya da bir yansıtıcı,

Detaylı

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları 1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik

Detaylı

MALZEME BİLGİSİ. Katı Eriyikler

MALZEME BİLGİSİ. Katı Eriyikler MALZEME BİLGİSİ Dr.- Ing. Rahmi ÜNAL Konu: Katı Eriyikler 1 Giriş Endüstriyel metaller çoğunlukla birden fazla tür eleman içerirler, çok azı arı halde kullanılır. Arı metallerin yüksek iletkenlik, korozyona

Detaylı

ýçindekiler Ön Söz xiii Antenler 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 Temel Anten Parametreleri 27 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10 2.11 2.12 2.13 2.

ýçindekiler Ön Söz xiii Antenler 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 Temel Anten Parametreleri 27 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10 2.11 2.12 2.13 2. çindekiler Ön Söz xiii 1 Antenler 1 1.1 Giri 1 1.2 Anten Tipleri 4 1.3 I ma Mekanizmas 7 1.4 nce Tel Antende Ak m Da l m 17 1.5 Tarihsel Geli meler 20 1.6 Multimedya 24 Kaynakça 24 2 Temel Anten Parametreleri

Detaylı

Endüstriyel Sensörler ve Uygulama Alanları Kalite kontrol amaçlı ölçme sistemleri, üretim ve montaj hatlarında imalat sürecinin en önemli aşamalarındandır. Günümüz teknolojisi mükemmelliği ve üretimdeki

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Paslanmaz Çelik Gövde. Yalıtım Sargısı. Katalizör Yüzey Tabakası. Egzoz Emisyonları: Su Karbondioksit Azot

Paslanmaz Çelik Gövde. Yalıtım Sargısı. Katalizör Yüzey Tabakası. Egzoz Emisyonları: Su Karbondioksit Azot Paslanmaz Çelik Gövde Yalıtım Sargısı Egzoz Emisyonları: Su Karbondioksit Azot Katalizör Yüzey Tabakası Egzoz Gazları: Hidrokarbonlar Karbon Monoksit Azot Oksitleri Bu bölüme kadar, açıkça ifade edilmese

Detaylı

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre

Detaylı

Magnetic Materials. 7. Ders: Ferromanyetizma. Numan Akdoğan.

Magnetic Materials. 7. Ders: Ferromanyetizma. Numan Akdoğan. Magnetic Materials 7. Ders: Ferromanyetizma Numan Akdoğan akdogan@gyte.edu.tr Gebze Institute of Technology Department of Physics Nanomagnetism and Spintronic Research Center (NASAM) Moleküler Alan Teorisinin

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Gizem Pekküçük, İbrahim Uzar, N. Özlem Ünverdi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Yıldız Teknik Üniversitesi gizem.pekkucuk@gmail.com,

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel

Detaylı

19 ve 29 cmlik PONCEBLOC HAFİF YAPI ELEMANI SES AZALMA İNDİSİ ÖLÇÜMÜ ÖN RAPORU

19 ve 29 cmlik PONCEBLOC HAFİF YAPI ELEMANI SES AZALMA İNDİSİ ÖLÇÜMÜ ÖN RAPORU 19 ve 29 cmlik PONCEBLOC HAFİF YAPI ELEMANI SES AZALMA İNDİSİ ÖLÇÜMÜ ÖN RAPORU HAZIRLAYAN : Y.DOÇ. DR. NURGÜN TAMER BAYAZIT İTÜ MİMARLIK FAKÜLTESİ YAPI BİLGİSİ ABD TAŞKIŞLA TAKSİM-34437 İST TEMMUZ, 2014

Detaylı

Doç.Dr.Vildan BiLGiN. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü

Doç.Dr.Vildan BiLGiN. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü Doç.Dr.Vildan BiLGiN Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü vbilgin@comu.edu.tr İÇERİK; Moleküller ve Katılar, Katıların Bant Yapısı ve Elektriksel İletkenlik, Yarıiletkenler,

Detaylı

KOMPOZİT MALZEMELERİN TERMAL ANALİZİ

KOMPOZİT MALZEMELERİN TERMAL ANALİZİ T.C. DOKUZ EYLÜL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ KOMPOZİT MALZEMELERİN TERMAL ANALİZİ Bitirme Projesi Orkun Övez Nalçacı Projeyi Yöneten Yrd. Doç. Dr. Dilek Kumlutaş Haziran

Detaylı

Waveguide to coax adapter. Rectangular waveguide. Waveguide bends

Waveguide to coax adapter. Rectangular waveguide. Waveguide bends Rectangular waveguide Waveguide to coax adapter Waveguide bends E-tee 1 Dalga Kılavuzları, elektromanyetik enerjiyi kılavuzlayan yapılardır. Dalga kılavuzları elektromanyetik enerjinin mümkün olan en az

Detaylı

ÖZEL EGE LİSESİ GÜNEBAKAN PANELLER

ÖZEL EGE LİSESİ GÜNEBAKAN PANELLER ÖZEL EGE LİSESİ GÜNEBAKAN PANELLER HAZIRLAYAN ÖĞRENCİLER: Eren Ege AKAR Atlas Ferhat HACIMUSALAR DANIŞMAN ÖĞRETMEN: Nilüfer DEMİR İZMİR 2016 İÇİNDEKİLER 1.Projenin amacı...2 2. Giriş...2 3.Sonuçlar...5

Detaylı

Malzemelerin Deformasyonu

Malzemelerin Deformasyonu Malzemelerin Deformasyonu Malzemelerin deformasyonu Kristal, etkiyen kuvvete deformasyon ile cevap verir. Bir malzemeye yük uygulandığında malzeme üzerinde çeşitli yönlerde ve çeşitli şekillerde yükler

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 5: Fotovoltaik Hücre Karakteristikleri Fotovoltaik Hücrede Enerji Dönüşümü Fotovoltaik Hücre Parametreleri I-V İlişkisi Yük Çizgisi Kısa Devre Akımı Açık Devre Voltajı MPP (Maximum

Detaylı

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak.

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ AMAÇ: 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. 2. Bu eş potansiyel çizgileri kullanarak elektrik alan çizgilerinin

Detaylı

Hareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu

Hareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu Akım ve Direnç Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız tartışmalar durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik yüklerinin hareket halinde olduğu durumları inceleyeceğiz.

Detaylı

MALZEME ANA BİLİM DALI Malzeme Laboratuvarı Deney Föyü. Deneyin Adı: Malzemelerde Sertlik Deneyi. Deneyin Tarihi:

MALZEME ANA BİLİM DALI Malzeme Laboratuvarı Deney Föyü. Deneyin Adı: Malzemelerde Sertlik Deneyi. Deneyin Tarihi: Deneyin Adı: Malzemelerde Sertlik Deneyi Deneyin Tarihi:13.03.2014 Deneyin Amacı: Malzemelerin sertliğinin ölçülmesi ve mukavemetleri hakkında bilgi edinilmesi. Teorik Bilgi Sertlik, malzemelerin plastik

Detaylı

Mehmet Sönmez 1, Ayhan Akbal 2

Mehmet Sönmez 1, Ayhan Akbal 2 TAM DALGA BOYU DİPOL ANTEN İLE YARIM DALGA BOYU KATLANMIŞ DİPOL ANTENİN IŞIMA DİYAGRAMLARININ KARŞILAŞTIRILMASI Mehmet Sönmez 1, Ayhan Akbal 2 1 Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Fırat Üniversitesi

Detaylı

SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE

SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE OPTİK MALZEMELER ARAŞTIRMA GRUBU SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE Birhan UĞUZ 1 0 8 1 0 8 1 0 İçerik Elipsometre Nedir? Işığın Kutuplanması Işığın Maddeyle Doğrusal Etkileşmesi Elipsometre Bileşenleri Ortalama

Detaylı

Elektrik Müh. Temelleri

Elektrik Müh. Temelleri Elektrik Müh. Temelleri ELK184 2 @ysevim61 https://www.facebook.com/groups/ktuemt/ 1 Akım, Gerilim, Direnç Anahtar Pil (Enerji kaynağı) V (Akımın yönü) R (Ampül) (e hareket yönü) Şekildeki devrede yük

Detaylı

A) DENEY NO: HT B) DENEYİN ADI: Doğrusal Isı İletimi Deneyi

A) DENEY NO: HT B) DENEYİN ADI: Doğrusal Isı İletimi Deneyi 10 A) DENEY NO: HT-350-01 B) DENEYİN ADI: Doğrusal Isı İletimi Deneyi C) DENEYİN AMACI: Aynı boyutlarda ve aynı malzemeden yapılmış bir katı çubuk boyunca ısının doğrusal olarak nasıl iletildiğini göstermek,

Detaylı

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap) Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir

Detaylı

Ders 3- Direnç Devreleri I

Ders 3- Direnç Devreleri I Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel

Detaylı

TOPRAKLAMA VE POTANSİYEL SÜRÜKLENMESİ

TOPRAKLAMA VE POTANSİYEL SÜRÜKLENMESİ TOPRAKLAMA VE POTASİYEL SÜRÜKLEMESİ Genel bilgi Generatör, transformatör, motor, kesici, ayırıcı aydınlatma artmatürü, çamaşır makinası v.b. elektrikli işletme araçlarının, normal işletme anında gerilim

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

BÖLÜM I GİRİŞ (1.1) y(t) veya y(x) T veya λ. a t veya x. Şekil 1.1 Dalga. a genlik, T peryod (veya λ dalga boyu)

BÖLÜM I GİRİŞ (1.1) y(t) veya y(x) T veya λ. a t veya x. Şekil 1.1 Dalga. a genlik, T peryod (veya λ dalga boyu) BÖLÜM I GİRİŞ 1.1 Sinyal Bir sistemin durum ve davranış bilgilerini taşıyan, bir veya daha fazla değişken ile tanımlanan bir fonksiyon olup veri işlemde dalga olarak adlandırılır. Bir dalga, genliği, dalga

Detaylı

FOTOVOLTAIK HÜCRELERIN YAPıSı VE ÇALıŞMA PRENSIPLERI DOĞRUDAN ELEKTRIK ÜRETIMI

FOTOVOLTAIK HÜCRELERIN YAPıSı VE ÇALıŞMA PRENSIPLERI DOĞRUDAN ELEKTRIK ÜRETIMI DOĞRUDAN ELEKTRIK ÜRETIMI DOĞRUDAN ELEKTRIK ÜRETIMI Güneş enerjisinden doğrudan elektrik enerjisi üretmek için güneş hücreleri (fotovoltaik hücreler) kullanılır. Güneş hücreleri yüzeylerine gelen güneş

Detaylı

YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRO NIK Y Ü K. M Ü H.

YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRO NIK Y Ü K. M Ü H. EM 420 Yüksek Gerilim Tekniği EŞ MERKEZLİ KÜRESEL ELEKTROT SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRO NIK Y Ü K. M Ü H. Not: Tüm slaytlar, listelenen ders kaynaklarından alıntı yapılarak

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı

T.C. BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MIM331 MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR DERSİ

T.C. BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MIM331 MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR DERSİ T.C. BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MIM331 MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR DERSİ 3 NOKTA EĞME DENEY FÖYÜ ÖĞRETİM ÜYESİ YRD.DOÇ.DR.ÖMER KADİR

Detaylı

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ VİZE SORULARI :.. OKUL NO ADI SOYADI

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ VİZE SORULARI :.. OKUL NO ADI SOYADI ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ VİZE SORULARI 18.04.2011 OKUL NO :.. ADI SOYADI :.. S-1 z-ekseni boyunca az yönünde 15A akı taşıya bir akı fila a ı mevcuttur. H yi Kartezyen

Detaylı

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR...

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... İÇİNDEKİLER Bölüm 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... 1 1.1 Katıhal... 1 1.1.1 Kristal Katılar... 1 1.1.2 Çoklu Kristal Katılar... 2 1.1.3 Kristal Olmayan (Amorf) Katılar... 2 1.2 Kristallerde Periyodiklik... 2

Detaylı

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ Prof. Dr. Hasan EFEOĞLU Mühendislik Fakültesi E&E Mühendisliği Bölümü hefeoglu@atauni.edu.tr Forum, CeBIT 09-Eylül-2005, İstanbul Yarıiletken Teknolojisi Günlük hayatımızın

Detaylı

MMM291 MALZEME BİLİMİ

MMM291 MALZEME BİLİMİ MMM291 MALZEME BİLİMİ Ofis Saatleri: Perşembe 14:00 16:00 ayse.kalemtas@btu.edu.tr, akalemtas@gmail.com Bursa Teknik Üniversitesi, Doğa Bilimleri, Mimarlık ve Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme

Detaylı

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır.

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır. 3. Bölüm Güç Elektroniğinde Temel Kavramlar ve Devre Türleri Doç. Dr. Ersan KABALC AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ Güç Elektroniğine Giriş Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve

Detaylı

Doğal Gypsum (CaSO 4.2H 2 O) Kristallerinin Termolüminesans (TL) Tekniği ile Tarihlendirilmesi. Canan AYDAŞ, Birol ENGİN, Talat AYDIN TAEK

Doğal Gypsum (CaSO 4.2H 2 O) Kristallerinin Termolüminesans (TL) Tekniği ile Tarihlendirilmesi. Canan AYDAŞ, Birol ENGİN, Talat AYDIN TAEK Doğal Gypsum (CaSO 4.2H 2 O) Kristallerinin Termolüminesans (TL) Tekniği ile Tarihlendirilmesi Canan AYDAŞ, Birol ENGİN, Talat AYDIN TAEK 2 3 4 Termolüminesans (TL) Tekniği TL Tekniği ile Tarihlendirme

Detaylı

BURULMA DENEYİ 2. TANIMLAMALAR:

BURULMA DENEYİ 2. TANIMLAMALAR: BURULMA DENEYİ 1. DENEYİN AMACI: Burulma deneyi, malzemelerin kayma modülü (G) ve kayma akma gerilmesi ( A ) gibi özelliklerinin belirlenmesi amacıyla uygulanır. 2. TANIMLAMALAR: Kayma modülü: Kayma gerilmesi-kayma

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-2 Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-2 Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-2 Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİRENÇLER Direnci elektrik akımına gösterilen zorluk olarak tanımlayabiliriz. Bir iletkenin elektrik

Detaylı

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri 12. Ders Yarıiletkenlerin lektronik Özellikleri T > 0 o K c d v 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Yalıtkan, yarıiletken, iletken, Doğrudan (direk) ve dolaylı (indirek) bant aralığı, tkin kütle, devingenlik,

Detaylı

Antenler ve Radyo Dalga Yayılımı (EE 531) Ders Detayları

Antenler ve Radyo Dalga Yayılımı (EE 531) Ders Detayları Antenler ve Radyo Dalga Yayılımı (EE 531) Ders Detayları Ders Adı Ders Kodu Dönemi Ders Saati Uygulama Saati Laboratuar Saati Kredi AKTS Antenler ve Radyo Dalga Yayılımı EE 531 Seçmeli 3 0 0 3 7.5 Ön Koşul

Detaylı

Manyetik Alanlar. Benzer bir durum hareketli yükler içinde geçerli olup bu yüklerin etrafını elektrik alana ek olarak bir manyetik alan sarmaktadır.

Manyetik Alanlar. Benzer bir durum hareketli yükler içinde geçerli olup bu yüklerin etrafını elektrik alana ek olarak bir manyetik alan sarmaktadır. Manyetik Alanlar Manyetik Alanlar Duran ya da hareket eden yüklü parçacığın etrafını bir elektrik alanın sardığı biliyoruz. Hatta elektrik alan konusunda şu sonuç oraya konulmuştur. Durgun bir deneme yükü

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

Mikrodalga Konnektörler. Microwave connectors

Mikrodalga Konnektörler. Microwave connectors Mikrodalga Konnektörler * Microwave connectors KONU : Mikrodalga Konnektörler PROJE YÖNETİCİSİ : Yrd. Doç. Dr. Arif Dolma TESLİM TARİHİ : 23.11.2005 HAZIRLAYANLAR : İpek SUADİYE 1. Giriş Bu çalışmada mikrodalga

Detaylı

YAVAŞ DEĞİŞEN ÜNİFORM OLMAYAN AKIM

YAVAŞ DEĞİŞEN ÜNİFORM OLMAYAN AKIM YAVAŞ DEĞİŞEN ÜNİFORM OLMAYAN AKIM Yavaş değişen akımların analizinde kullanılacak genel denklem bir kanal kesitindeki toplam enerji yüksekliği: H = V g + h + z x e göre türevi alınırsa: dh d V = dx dx

Detaylı

SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRONIK YÜK. MÜH.

SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRONIK YÜK. MÜH. EM 420 Yüksek Gerilim Tekniği DÜZLEMSEL ELEKTROT SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRONIK YÜK. MÜH. Not: Tüm slaytlar, listelenen ders kaynaklarından alıntı yapılarak ve faydalanılarak

Detaylı

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak X-IŞINI TÜPÜ X-IŞINI TÜPÜ PARÇALARI 1. Metal korunak (hausing) 2. Havası alınmış cam veya metal tüp 3. Katot 4. Anot X-ışın

Detaylı

ELN 4089 Mikrodalga Uygulamaları GİRİŞ. : Öğr.Gör. Dr. Ali Akman :

ELN 4089 Mikrodalga Uygulamaları GİRİŞ. : Öğr.Gör. Dr. Ali Akman : GİRİŞ Öğr. Üy. : Öğr.Gör. Dr. Ali Akman e-mail : aakman@uludag.edu.tr Ofis : EL-109 Görüşme Saatleri : Salı 11.00 12.00, Perşembe 14.00 15.00 Ders Web Sayfas : http://w20.uludag.edu.tr/~mikro/eln4089 Elektronik

Detaylı

Malzemelerin elektriksel özellikleri

Malzemelerin elektriksel özellikleri Malzemelerin elektriksel özellikleri OHM yasası Elektriksel iletkenlik, ohm yasasından yola çıkılarak saptanabilir. V = IR Burada, V (gerilim farkı) : volt(v), I (elektrik akımı) : amper(a) ve R(telin

Detaylı

İstatistiksel Mekanik I

İstatistiksel Mekanik I MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için

Detaylı

2.5. İletkenlerde R, L, C Hesabı İletim Hatlarında Direnç (R) İletim hatlarında gerilim düşümüne ve güç kaybına sebebiyet veren direncin doğru

2.5. İletkenlerde R, L, C Hesabı İletim Hatlarında Direnç (R) İletim hatlarında gerilim düşümüne ve güç kaybına sebebiyet veren direncin doğru 2.5. İletkenlerde R, L, C Hesabı 2.5.1. İletim Hatlarında Direnç (R) İletim hatlarında gerilim düşümüne ve güç kaybına sebebiyet veren direncin doğru hesaplanması gerekir. DA direnci, R=ρ.l/A eşitliğinden

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR II DOĞRUSAL ISI İLETİMİ DENEYİ 1.Deneyin Adı: Doğrusal ısı iletimi deneyi..

Detaylı

MÜHENDİSLİK EĞİTİMLERİNDE ÖLÇÜMBİLİM VE KALİBRASYON KONULARINDAKİ MEVCUT DURUMUN DEĞERLENDİRİLMESİ

MÜHENDİSLİK EĞİTİMLERİNDE ÖLÇÜMBİLİM VE KALİBRASYON KONULARINDAKİ MEVCUT DURUMUN DEĞERLENDİRİLMESİ 253 MÜHENDİSLİK EĞİTİMLERİNDE ÖLÇÜMBİLİM VE KALİBRASYON KONULARINDAKİ MEVCUT DURUMUN DEĞERLENDİRİLMESİ Özge ALTUN ÖZET Ülkemizde gelişen teknoloji ve ileri seviye mühendislik uygulamalarının artmasıyla

Detaylı

Antenler ve Yayılım (EE 405) Ders Detayları

Antenler ve Yayılım (EE 405) Ders Detayları Antenler ve Yayılım (EE 405) Ders Detayları Ders Adı Ders Kodu Dönemi Ders Saati Uygulama Saati Laboratuar Saati Kredi AKTS Antenler ve Yayılım EE 405 Her İkisi 3 0 0 3 5 Ön Koşul Ders(ler)i EE 310 (FD)

Detaylı

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ Infrared (IR) ve Raman Spektroskopisi Yrd. Doç. Dr. Gökçe MEREY TİTREŞİM Molekülleri oluşturan atomlar sürekli bir hareket içindedir. Molekülde: Öteleme hareketleri, Bir eksen

Detaylı

KAYIT FORMU TEL : 0 (354) 242 1002 FAKS :. 0 (354) 242 1005. E-MAİL 1 : zbabayev@erciyes.edu.tr E-MAİL 2 :...

KAYIT FORMU TEL : 0 (354) 242 1002 FAKS :. 0 (354) 242 1005. E-MAİL 1 : zbabayev@erciyes.edu.tr E-MAİL 2 :... Türkiye İnşaat Mühendisliği XVII. Teknik Kongre ve Sergisi KAYIT FORMU İnşaat Mühendisleri Odası TMMOB ADI SOYADI : Ziyafeddin BABAYEV KURULUŞ :. Erciyes Üniversitesi YAZIŞMA ADRESİ :. E.Ü. Yozgat Müh.

Detaylı

Bir iletken katı malzemenin en önemli elektriksel özelliklerinden birisi, elektrik akımını kolaylıkla iletmesidir. Ohm kanunu, akım I- veya yükün

Bir iletken katı malzemenin en önemli elektriksel özelliklerinden birisi, elektrik akımını kolaylıkla iletmesidir. Ohm kanunu, akım I- veya yükün Bir iletken katı malzemenin en önemli elektriksel özelliklerinden birisi, elektrik akımını kolaylıkla iletmesidir. Ohm kanunu, akım I- veya yükün geçiş hızının, uygulanan voltaj V ile aşağıdaki şekilde

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR -I TAŞINIM VE IŞINIMLA BİRLEŞİK ISI TRANSFERİ DENEY FÖYÜ 1. Deney Amacı Farklı

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

Antenler ve Radyo Dalga Yayılımı (EE 531) Ders Detayları

Antenler ve Radyo Dalga Yayılımı (EE 531) Ders Detayları Antenler ve Radyo Dalga Yayılımı (EE 531) Ders Detayları Ders Adı Ders Kodu Dönemi Ders Saati Uygulama Saati Laboratuar Saati Kredi AKTS Antenler ve Radyo Dalga Yayılımı EE 531 Seçmeli 3 0 0 3 7.5 Ön Koşul

Detaylı

HOŞGELDİNİZ MIG-MAG GAZALTI KAYNAK PARAMETRELERİ. K ayna K. Sakarya Üniversitesi Teknik Eğitim Fakültesi. Teknolojisi. Teknolojisi

HOŞGELDİNİZ MIG-MAG GAZALTI KAYNAK PARAMETRELERİ. K ayna K. Sakarya Üniversitesi Teknik Eğitim Fakültesi. Teknolojisi. Teknolojisi MIG-MAG GAZALTI KAYNAK PARAMETRELERİ K ayna K K ayna K Teknolojisi Teknolojisi HOŞGELDİNİZ Doç. Dr. Hüseyin UZUN Kaynak Eğitimi Ana Bilim Dalı Başkanı 1 /27 KAYNAK PARAMETRELERİ VE SEÇİMİ Kaynak dikişinin

Detaylı

2- Bileşim 3- Güneş İç Yapısı a) Çekirdek

2- Bileşim 3- Güneş İç Yapısı a) Çekirdek GÜNEŞ 1- Büyüklük Güneş, güneş sisteminin en uzak ve en büyük yıldızıdır. Dünya ya uzaklığı yaklaşık 150 milyon kilometre, çapı ise 1.392.000 kilometredir. Bu çap, Yeryüzünün 109 katı, Jüpiter in de 10

Detaylı

Güneş Paneli Montaj Şekillerinin Karşılaştırılması

Güneş Paneli Montaj Şekillerinin Karşılaştırılması Güneş Paneli Montaj Şekillerinin Karşılaştırılması Dünya genelinde hatırı sayılır bir kurulu güce ulaşan güneş enerji santrallerinin, ülkemizdeki kapasitesi de (artış hızı birçok etkene bağlı olarak, dünyadaki

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

3.5. Devre Parametreleri

3.5. Devre Parametreleri 3..3 3.5. Devre Parametreleri 3.5. Devre Parametreleri Mikrodalga mühendisliğinde doğrusal mikrodalga devrelerini karakterize etmek için dört tip devre parametreleri kullanılır: açılma parametreleri (parametreleri)

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

YÜKSEK GERİLİM TEKNİĞİ BÖLÜM 7 DİELEKTRİK KAYIPLARI VE

YÜKSEK GERİLİM TEKNİĞİ BÖLÜM 7 DİELEKTRİK KAYIPLARI VE EM 420 Yüksek Gerilim Tekniği YÜKSEK GERİLİM TEKNİĞİ BÖLÜM 7 DİELEKTRİK KAYIPLARI VE KAPASİTE ÖLÇME YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRO NIK Y Ü K. M Ü H. Not: Tüm slaytlar, listelenen

Detaylı

Ege Üniv. Müh. Fak. İnşaat Müh. Böl. Bornova / İZMİR Tel: Faks:

Ege Üniv. Müh. Fak. İnşaat Müh. Böl. Bornova / İZMİR Tel: Faks: MEVLANA HEYKELİ ve TAŞIYICI SİSTEMİ Ayhan NUHOĞLU (Yrd. Doç. Dr.) anuhoglu@eng.ege.edu.tr Hikmet AYDIN (Prof. Dr.) Ege Üniv. Müh. Fak. İnşaat Müh. Böl. Bornova / İZMİR Tel: 0.232.3886026 Faks: 0.232.3425629

Detaylı

EEM 202 DENEY 5 SERİ RL DEVRESİ

EEM 202 DENEY 5 SERİ RL DEVRESİ SERİ RL DEVRESİ 5.1 Amaçlar i, v, v R ve v L için RMS değerlerini hesaplama Seri RL devresinde voltaj ve empedans üçgenlerini tanımlama Seri RL devresinin empdansının kazanç ve faz karakteristiklerini

Detaylı

EEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi

EEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi EEM 0 DENEY 0 SABİT FEKANSTA DEVEEİ 0. Amaçlar Sabit frekansta devrelerinin incelenmesi. Seri devresi Paralel devresi 0. Devre Elemanları Ve Kullanılan Malzemeler Bu deneyde kullanılan devre elemanları

Detaylı

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ Spektroskopiye Giriş Yrd. Doç. Dr. Gökçe MEREY SPEKTROSKOPİ Işın-madde etkileşmesini inceleyen bilim dalına spektroskopi denir. Spektroskopi, Bir örnekteki atom, molekül veya iyonların

Detaylı

SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ KİMYA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ KMM 302 KİMYA MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI-I ÖĞÜTME ELEME DENEYİ

SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ KİMYA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ KMM 302 KİMYA MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI-I ÖĞÜTME ELEME DENEYİ SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ KİMYA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ KMM 302 KİMYA MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI-I ÖĞÜTME ELEME DENEYİ ISPARTA, 2014 ÖĞÜTME ELEME DENEYİ DENEYİN AMACI: Kolemanit mineralinin

Detaylı

Dahili Bobinlerin En İyi İçsel Sinyal/Gürültü Oranı Kullanılarak Değerlendirilmesi

Dahili Bobinlerin En İyi İçsel Sinyal/Gürültü Oranı Kullanılarak Değerlendirilmesi Dahili Bobinlerin En İyi İçsel Sinyal/Gürültü Oranı Kullanılarak Değerlendirilmesi Yiğitcan Eryaman 1, Haydar Çelik 1, Ayhan Altıntaş 1, Ergin Atalar 1,2 1 Bilkent Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği

Detaylı

Asıl başlık stili için tıklatın Ulusal Metroloji Enstitüsü ve Mikrodalga Metrolojisi

Asıl başlık stili için tıklatın Ulusal Metroloji Enstitüsü ve Mikrodalga Metrolojisi Asıl başlık stili için tıklatın Ulusal Metroloji Enstitüsü ve Mikrodalga Metrolojisi Dr. Murat CELEP 2015 Asıl başlık(ölçüm stili için tıklatın Metroloji bilimi) 2 Asıl başlık stili için tıklatın Tarihçesi

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

MAKiNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

MAKiNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ üniversitelerimizden DOKUZ EYLÜL ÜNİVERSİTESİ MAKiNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ Her sayımızda "Üniversitelerimizden" köşemizde çeşitli üniversitelerin Makina Mühendisliği Bölümlerini tanıtmaya devam ediyoruz.

Detaylı

ISI ĠLETĠM KATSAYISININ TESPĠTĠ DENEY FÖYÜ

ISI ĠLETĠM KATSAYISININ TESPĠTĠ DENEY FÖYÜ T.C ONDOKUZ MAYIS ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ MAKĠNA MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ISI ĠLETĠM KATSAYISININ TESPĠTĠ DENEY FÖYÜ HAZIRLAYAN: Prof. Dr. Aydın DURMUġ SAMSUN Deney 1: Doğrusal Isı Ġletimi Deneyi

Detaylı

MİKRODALGA ÖLÇÜM TEKNİKLERİ

MİKRODALGA ÖLÇÜM TEKNİKLERİ MİKRODALGA ÖLÇÜM TEKNİKLERİ Dr. Murat CELEP TÜBİTAK ULUSAL METROLOJİ ENSTİTÜSÜ 02 Nisan 2014 1 İÇERİK Ölçme Mikrodalga gürültü S-parametreleri Network Analyzer Spektrum analyzer SAR ölçümleri 2 ÖLÇME (?)

Detaylı

Mimar Sinan Güzel Sanatlar Üniversitesi, Fizik Bölümü Fizik II Dersi Birinci Ara Sınavı

Mimar Sinan Güzel Sanatlar Üniversitesi, Fizik Bölümü Fizik II Dersi Birinci Ara Sınavı Mimar Sinan Güzel Sanatlar Üniversitesi, Fizik Bölümü Fizik II Dersi Birinci Ara Sınavı 9 Mart 20 Hazırlayan: Yamaç Pehlivan Başlama saati: :00 Bitiş Saati: 2:20 Toplam Süre: 80 Dakika Lütfen adınızı ve

Detaylı

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 402 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY 4

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 402 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY 4 BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 0 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY İÇİNDE SABİT SICAKLIKTA SİLİNDİRİK ISITICI BULUNAN DİKDÖRTGEN PRİZMATİK SAC KUTU YÜZEYLERİNDEN ZORLANMIŞ TAŞINIM

Detaylı

Prof. Dr. ŞAKİR ERKOÇ Doç. Dr. MAHMUT BÖYÜKATA

Prof. Dr. ŞAKİR ERKOÇ Doç. Dr. MAHMUT BÖYÜKATA TÜBİTAK BİDEB LİSE ÖĞRETMENLERİ-FİZİK, KİMYA, BİYOLOJİ, MATEMATİK- PROJE DANIŞMANLIĞI EĞİTİMİ ÇALIŞTAYI (LİSE-4 [ÇALIŞTAY 2014]) GRUP ADI: FENER PROJE ADI NEODYUM MIKNATISLARLA ELEKTRİK ÜRETME Proje Ekibi

Detaylı

Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör. Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26

Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör. Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26 Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26 İndüksiyon Nötr Maddenin indüksiyon yoluyla yüklenmesi (Bir yük türünün diğer yük türüne göre daha fazla olması)

Detaylı

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN 1. GĐRĐŞ Güneş enerjisinden elektrik enerjisi üretilmesi işlemi, çeşitli alanlarda uygulanmıştır. Fakat güneş enerjisinin depolanması

Detaylı

Elektron ışını ile şekil verme. Prof. Dr. Akgün ALSARAN

Elektron ışını ile şekil verme. Prof. Dr. Akgün ALSARAN Elektron ışını ile şekil verme Prof. Dr. Akgün ALSARAN Elektron ışını Elektron ışını, bir ışın kaynağından yaklaşık aynı hızla aynı doğrultuda hareket eden elektronların akımıdır. Yüksek vakum içinde katod

Detaylı

DERS KİTABI. Anten Teorisi Analiz ve Tasarım, Nobel Yayıncılık, (Antenna Theory: Analysis and Design, 3rd Edition, Constantine A.

DERS KİTABI. Anten Teorisi Analiz ve Tasarım, Nobel Yayıncılık, (Antenna Theory: Analysis and Design, 3rd Edition, Constantine A. Anten Temellerİ 1- Antenler 2- Temel Anten Parametreleri 3- Işıma İntegralleri ve Yardımcı Potansiyel Fonksiyonları 4- Doğrusal Tel Antenler 5- Halka Antenler 6- Diziler: Doğrusal, Düzlemsel ve Dairesel

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı