BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler)

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler)"

Transkript

1 BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) 1- Transistör (BJT, Bipolar Junction Transistor) hakkında temel bilgi Transistor B (beyz) ucuna uygulanan akıma göre C (kolektör)-e (emiter) uçlan arasından geçen akımı kontrol eder. Başka bir deyişle transistor çalışabilmek için belli bir I B akımına gerek duyar. İşte bu nedenle transistörlere akım kontrollü aktif devre elemanı denir. Sekil l 'de NN ve N tip: transistor sembolleri verilmiştir. Sekii 1: NN ve N transistor sembolleri 2.JFET (FET) ler G (gale, geyt, kapı) ucuna uygulanan ters polariteli gerilimin değerine göre D (drain, dreyn, oluk)~s (source, sars, kaynak) uçları arasından geçen akımı kontrol edebilen elemanlara ise JFET (Jımction Field Effect Transistor, birleşim yüzeyli alan etkili transistor) denir. 3- JFET lerin özellikleri T, video, kamera, bilgisayar, kesintisiz güç kaynağı, anten yükselteci, verici, alıcı vb. gibi hassas yapılı elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılan JFET'lerin bazı özellikleri şunlardır: Giriş empedansları 100 MH dolayında olup çok yüksektir. Transistorun (BJT) giriş empedansı ise çok düşük olup 2 Ώ dolayındadır. Radyasyon (ışınım) etkisi yoktur. Anahtar olarak kullanıldıklarında kontrol edilmeleri kolaydır. Yani D-S uçlan arasından geçen akım gücük bîr GG polarma (Ön gerilimleme) voltajıyla denetlenebilir. Transistorlardan daha az gürültülü (parazitsîz) çalışırlar. Sıcaklık değişmelerinden daha az etkilenirler. Gövde boyutları transistorlardan daha küçüktür. Giriş empedanslarının yüksek, elektrotla arası kapasitenin (sığanın) düşük olması nedeniyle yüksek frekanslı elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılırlar. Bant genişlikleri (çalışabildikleri frekans aralığı) dardır. 4- Alan etkili transistor çeşitleri Alan etkili transistorlar iki gruba ayrılır: a. JFET (Junction Field Effect Transistor birleşim yüzeyli alan etkili transistor), b. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, metal oksit yarı iletken alan etkili transistor) 5- JFET lerin yapısı ve N tipi iki yan iletkenin birleşmesinden oluşan JFET'lerin. D, S, G adlı üç ayağı vardır. Şekil 2'de N ve kanallı JFET sembolleri verilmiştir. Şekil 3'te ise N kanallı JFET 'in yarı iletken iç yapısı verilmiştir.

2 Şekil 3: JFET'lerin yarı iletken iç yapısı JFET'lerde D-S arasındaki kanal maddesi büyük, kapı (G) maddesi ise küçüktür. N kanallı JFET ile kanallı JFET arasında bir fark yoktur. Sadece I akımının yönü terstir. Bu bölümde, anlaşılması daha kolay olduğu için N kanallı JFETlerin çalışması açıklanacaktır. Şekil 4: N kanal JFET in polarılması 6- JFET lerin çalışma ilkesi Şekil 4 te görüldüğü gibi N kanallı JFET in G ucu ters, D-S uçları ise doğru polarılmıştır. JFET'in D ucuna bağlanmış olan R D, yük direnci olarak görev yapmaktadır. G-S uçları arasına bağlanmış olan GG kaynağı JFET'in G-S uçları arasındaki yarı iletkenleri ters polarır. Bilindiği gibi -N ekleminden oluşan yarı iletken ters polarıldığında birleşim (junction, jonksiyon) bölgesinde, elektron ve oyuk bakımından fakirleşmiş bir bölge (alan) oluşur. Fakirleşmiş alanın genişliği şekil 5'te görüldüğü gibi G ucuna uygulanan ters polarma geriliminin değeri büyüdükçe artar.

3 Şekil 5: JFET'in G-S uçları arasına ters olarak bağlanan GG kaynağının gerilim değeri arttıkça fakirleşmiş bölge genişler. (JFET in akım geçiren kanal daralır.) JFET'in G-S uçları ters polarıldığı için G ucundan hiç akını geçişi olmaz. İşte bu nedenle JFET'ler gerilim kontrollü eleman olarak tanımlanırlar. Transistörlerin B ucu akım çektiği için bu elemanlar akım kontrollüdür. Şekil 4'te verilen devrede ilk anda GG geriliminin O (sıfır) volt olduğunu varsayalım: Bu durumda DD kaynağı R D direnci ve D-S uçlan arasından belli bir akım geçirir. GG kaynağının gerilimi O (sıfır) voltken geçen akım JFET'in D-S uçlarının ve R D 'nin direnç değeri tarafından sınırlanır. Şekil 6: JFET'in G ucuna uygulanan gerilim O 'ken I akımının ve S geriliminin değişiminin incelenebilmesi için kurulan deney bağlantı şeması Şekil 6'da verilen deney bağlantı şemasında G ucu şaseye bağlıyken ( GG = O) DD kaynağının gerilimi 0 (sıfır) volttan itibaren artırılacak olursa I D akımı da şekil 7'de görüldüğü gibi artmaya başlar. Akımın doğrusal (lineer) olarak artış gösterdiği A-B noktalan arasındaki bu kısma "omik bölge" denir. Şekil 7: JFETin G-S uçlan arasına uygulanan gerilim O 'ken D-S uçları arasına bağlanan DD kaynağının gerilim değeri O'dan itibaren artın idamda I D akiminin karakteristik eğrisi

4 JFET'e uygulanan DD gerilimi doğrusal bir şekilde artırılmaya devam edilirse I D akımının şekil 7'de görüldüğü gibi doğrusal olarak artmadığı görülür. Şekil 6'da DD gerilimi O tan 4 'a doğru artırıldığında I akımın şekil 7'de görüldüğü gibi doğrusala yakın düzgünlükte arttığı görülür. DD gerilimi 4 volttan itibaren artırılsa bile I D akımındaki artış durur. I D akımının artışının durduğu noktaya saturasyon (doyum, pinch-off} noktası denir. Doyum (pinchoff) noktası kritik gerilim değeri olarak da adlandırılır ve p ile gösterilir. FET'in G ucuna uygulanan ters polarma gerilimi GG =0 voltken D-S uçları arasından geçen I D alarmı, DD gerilimi artırılsa bile belli değerde sabitlesin Akımın sabit olduğu bu değere I DSS (D-S uçları arasından geçen doyum akımı) denir. FET'in D-S uçları arasından geçen akım, DS uçlan arasındaki gerilim artırılmaya devam etmesine karşın pek fazla artmaz. Şekil 7'de verilen karakteristik eğride doyum (pinch-off) bölgesi olarak adlandırılan bölgede JFET'ten geçen I DSS akımı hemen hemen aynı değerde kalır. Sekil 6'da verilen deney bağlantı şemasında DD kaynağının gerilim değeri artırılarak D-S uçları arasındaki DS gerilimi yükseltilecek olursa I D akımı yüksek bir değere çıkar. I D akımının aşırı artması ise JFET'in bozulmasına yol açar. Şekil 7'deki karakteristik eğrisinde bozulma (breakdown, kırılma) noktası (C) olarak gösterilen bu değeri JFET'e uygulamamak gerekir. 7. JFET lerin elektriksel karakteristikleri a. JFET in çıkış ( DS - I D ) Karakteristiği FET'in G ucu şekil 6'da görüldüğü gibi şaseye bağlıyken DS kaynağının gerilim değeri belli bir noktaya ulaştığında D-S uçları arasından belli büyüklükte bir akım geçer. Buna I DSS akımı denir. G ucuna uygulanan GS ters polarma gerilimi şekil 8'de görüldüğü gibi artırıldığında (örneğin-1 volt yapıldığında) I D akımı şekil 9'da görüldüğü gibi azalır. Şekil 8: JFET'in G ucuna uygulanan gerilim O volttan yüksekken I D akımının ve DS geriliminin değişiminin incelenebilmesi için kurulan deney bağlantı şeması Şekil 9: JFET'in G- S uçlan arasına uygulanan gerilim 1 voltken D-S uçlar; arasına bağlanan DD kaynağının gerilim değeri 0 tan itibaren artırıldığında I D akımının değeri I DSS değerinin altına iner. GG kaynağıyla G ucuna uygulanan ters polarma gerilimi biraz daha artırıldığında (örneğin- 1,5 yapıldığında) I D akımı şekil 9'da görüldüğü gibi daha da azalır. GS = -2 yapıldığında ise I D akımı 0 A değerine iner. Sonuç olarak GG kaynağıyla G ucun; uygulanan ters gerilim -0,5, -l, -1,5,..., -2 şeklinde artırılmaya devam edilirse I D akımı 0 düzeyine doğru iner. I D akımının azalmasının nedeni kanal bölgesinin elektron ve oyuk yönünden fakirleşmiş bir hâle gelmesindendir. Kanal bölgesinin fakirleşmiş hâle gelmesini sağlayan etken ise bilindiği gibi G-S uçlar arasının ters polarılmış olmasıdır.

5 b- JFET in transfer ( GS - I D ) Karakteristiği JFET'in transfer karakteristiği, sabit bir DS gerilimi altında GS geriliminin değişimine göre I D akımının değişimini gösterir. Başka bir deyişle DS gerilimi sabitken G ucuna uygulanan ters polarma ( GG ) gerilimi artırıldıkça I D akımı şekil l0'da görüldüğü gibi I DSS değerinden 0 ma değerine doğru iner. Şekil l0 da verilen transfer karakteristiği eğrisinde herhangi bir - GS gerilimi değerinde I D akımının değeri, I D = I DSS (1 ) ve I D= K.( GS - T ) 2 şeklindedir. denklemiyle bulunur. Şekil 10'da verilen karakteristik eğrisinden şu yargılara varmak mümkündür: I. GS gerilimi 0 'ken JFET'ten maksimum düzeyde bir akım geçişi olmaktadır. Bu akım I DSS (saturasyon, doyum) akımı olarak nitelenir. II. JFET'in G ucuna uygulanan ters polariteli GS gerilimi GG kaynağıyla 0 'tan itibaren artırıldığında D-S uçları arasından geçen I D akımı I DSS değerinden daha küçük bir değere inmektedir, III. JFET'in G-S uçları arasına uygulanan ters polarma gerilimi belli bir düzeye (- değerine) ulaştığında D-S uçları arasından geçen I D akımı 0 (sıfır) seviyesine inmektedir. Transfer Karakteristiğiyle ilgili örnekler: Örnek: Bir JFET'in gerilimi -3, I DSS akımı 10 ma'dir, Buna göre, a. GS gerilimi 0 voltken I D akımını, b. GS gerilimi -l voltken I D akımını, c. GS gerilimi -3 voltken I D akımını bulunuz. Çözüm: 0 I D = I DSS (1 ) =10 2 (1 ) 10mA 3 a. b. -1 I D = I DSS (1 ) =10 2 (1 ) 4,43.mA 3 c. -3 I D = I DSS (1 ) =10 2 (1 ) 0.mA 3 Örnek: Bir JFET'in p gerilimi -4, I DSS akımı 20 ma'dir, Buna göre, a. GS gerilimi 0 voltken I D akımını, b. GS gerilimi -2 voltken I D akımını, c. GS gerilimi -4 voltken I D akımını bulunuz,

6 Çözüm a. I = I (1 ) = 20 2 (1 ) 20mA D DSS 0 4 b. I = I (1 ) = 20 2 (1 ) 15.mA D DSS -2 4 c. I = I (1 ) = 20 2 (1 ) 0.mA D DSS JFET lerin elektriksel parametreleri FET'e uygulanan gerilimlerin değiştirilmesiyle bu elemanın gösterdiği davranışa parametre (büyüklük) denir. Elektronik devre eleman üreten firmalar kataloglarda her JFET için parametre değerlerini bildirirler. Örnek olarak BF245 adlı JFET'in bazı özellikleri aşağıda verilmiştir. DSmaks = ± 30 GSmaks = -30 g m = (mho) I DSS =10 ma JFET'lerin özellikleri açıklanırken kullanılan bazı teknik parametrelerin (terimlerin) anlamları şöyledir: a. D-S doyma akımı (I DSS ) G-S eklemi kısa devre edildiğinde (yani C ucuna O volt uygulandığında) D-S uçları arasından geçen maksimum akımdır. b. G-S kapama gerilimi (kritik gerilim,.) D-S kanalının tamamen kapandığı (hiç akın geçirmediği) gerilim değeridir. Bu değer GS-off ( GS-kesim ) ile de gösterilir. c.g-s kırılma gerilimi ( GSmaks ) Bu parametre belirli bir akımda D-S kısa devreyken ölçülür. Uygulamada bu değerin üzerine çıkılması hâlinde JFET bozulur. ç. D-S kırılma gerimi ( DSmaks ) JFET'in D-S uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilim değerini bildirir. Bu değerin üzerinde bir gerilim JFET'i bozar. d. Geçiş iletkenliği (g m ) JFETler sabit akım elemanı olduğundan D ucundaki gerilimin değişimi I D akımında pek bir değişikliğe yol açmaz. I D akımı genellikle G ucuna uygulanan gerilimle kontrol edilir. Bu nedenle JFET'lerin en önemli parametrelerinden biri I D akımındaki değişime göre G voltajının değişimidir. Bu parametre geçirgenlik transkondüktans, transconductance) olarak tanımlanır. Aşağıda BF245 adlı JFET'in geçiş iletkenliği eğrisi verilmiştir.

7 Geçirgenlik, DS gerilimi sabitken I D akım değişiminin G-S arası gerilim değişimine oranıdır. g m I D = ( DS =Sabit) GS Geçirgenlik, direncin tersi olduğu için birimi (mho, mo) yada Siemens (S) ile ifade edilir. g m 2. I = DSS 1 GS ve. g m 2. I = r DSS I I D DSS denklemleri kullanılarak JFET'in geçirgenlik değeri hesaplanır. Örnek: Bir JFETin GS gerilimi O 'tan-0,6 '2 kadar değiştiğinde I D akımı l ma'den 0,2 ma'e doğru bir azalma (değişim) göstermektedir, JFET'in geçirgenliğini (transkondüktansını) bulunuz. g m Çözüm I = GS = 1,33mΩ ( mi lim o) p ( ,2.10 = (0,6 0) ) 0,8.10 = 0,6 = 0,33.10 Örnek: Bir JFET'in I DSS akımı 10 ma, gerilimi -6, GS gerilimi - 1 olduğuna göre JFET'in iletkenliğini (transkondüktansını) bulunuz. Çözüm: g m 2. I = = 6 = 2,78.10 DSS GS 1 1 = 3, Ω = 2,78mΩ 3.0,834 Ω e. D-S iletim direnci (r ds ) Bu büyüklük, belirli bir G-S gerilimi ve I akımında ölçülen gerilim D-S iletim direnci. JFET'in anahtar olarak kullanılmasında önen taşır. Bu değer on ile bir kaç yüz arasında değişir. B.MOSFET lerin yapısı ve karakteristiği 1.Giriş JFET'lere göre daha üstün özelliklere sahip olan MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor, metal oksit tabakalı alan etkili transistör)'ierde G ucu gövdeden tamamen yalıtılmıştır. O nedenle MOSFET'lerin giriş empedansı (Z grş ) çok yüksek olup l0 14 Ώ dolayındadır. Bant genişliği ve çalışma frekansı JFET'lere oranla daha yüksek olan MOSFET'ler entegre yapımında ve hassas elektronik devrelerin üretiminde yaygın olarak kullanılmaktadır.

8 Hassas yapılı olan MOSFET'lerin G ucundaki ince silisyum (silikon) oksit tabakası insan bedenindeki statik elektrik yüküyle bile delinebilir. Ü nedenle bu elemanlara el ile dokunmadan bedendeki durgun (statik) elektrik yükünün boşaltılması gerekir. Ayrıca MOSFET'lerin lehimlenmesinde düşük güçlü (fazla ısınmayan) ve topraklı havyalar kullanılmalıdır. Şekil 11 'de azaltan kanallı, şekil 12'de ise çoğaltan kanallı MOSFET sembolleri verilmiştir. Şekil 12; Çoğaltan kanallı MOSFET sembolleri 2. MOSFET ÇEŞİTLERİ Uygulamada kullanılan MOSFET çeşitleri şunlardır: a. Azaltan kanallı (depletion tipi, D-MOSFET) MOSFET, b.çoğaltan kanallı (enhancement tipi,endüksiyon tipi, E-MOSFET) MOSFET 3. MOSFET lerin yapısı a. Azaltan kanallı? MOSFET'ler Şekil 13'te yapısı verilen azaltan kanallı MOSFET'te G ucu N tipi kanal maddesinden silisyum oksit ve silisyum nitrat tabakalarıyla ayrılmıştır. substrate (SS, bulk, alt katman) Şekil 13: Azaltan kanallı MOSFET'in yapısı Azaltan kanallı MOSFET'in G ucuna uygulanan gerilim 0 voltken, D-S uçlarına bir gerilim uygulandığında N tipi kanaldan belli değerde bir akım (I DSS ) geçişi olur. G ucuna uygulanan ters polarma geriliminin değeri artırıldıkça D-S kanalından geçen akım (Ip) azalır.

9 b.çoğaltan kanallı MOSFET'ler Şekil 14'te yapısı verilen çoğaltan kanallı MOSFET'te D-S uçları arasında kanal maddesi yoktur. G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmadığında D-S uçları arasından bir alam geçişi olmaz. G ucunun bağlı olduğu metal parça ile tipi gövde (substrate) bir kondansatör özelliği gösterir. Bilindiği gibi iki iletken ve bir yalıtkan "kondansatörü" oluşturur. substrate (SS, bulk, ait katman) Şekil 14: Çoğaltan kanallı: MOSFET'in yapısı Çoğaltan kanallı MOSFETin G ucuna (+) polariteli gerilim uygulandığında kapasite Özelliğinden dolayı tipi gövdeye bağlı iki N maddesinin arasında şekil 15'te görüldüğü gibi (-) yükler toplanır. D-S uçları arasındaki bölgede toplanan (-) yükler tipi maddenin içinde az sayıda bulunan azınlık taşıyıcılardır. substrate (SS, bulk, alt katman) Şekil 15: Çoğaltan kanallı MOSFET'te D-S uçları arasında (-} yüklerin toplanışı D-S uçları arasında biriken (-) yükler doğal (tabî) bir kanal oluşumunu sağlar. Bu sayede D-S uçlan arasından akım geçişi başlar. G ucuna uygulanan (+) polariteli gerilimin değeri artırıldıkça D-S uçlan arasında biriken (-) yükler çoğalır ve geçen akım da artar. Çoğaltan kanallı MOSFET'in G ucuna gerilim uygulanmadığı zaman. D-S arasından alanı geçişi olmaz 4.MOSFET karakteristikleri a.n tipi, azaltan kanallı MOSFET lerin karakteristikleri Şekil 16'da N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması verilmiştir. Bu devre kullanılarak şekil 17'de verilen I D - DS statik karakteristik eğrisi ve şekil 18'de verilen transfer karakteristik eğrisi elde edilebilir.

10 Şekil 16: N tipi, azaltan kanallı MOSFETin devre bağlantı şeması Şekil 17: N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in! D - DS karakteristik eğrisi Şekil 18: N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in transfer karakteristiği eğrisi Şekil 17'dc verilen I D - DS statik karakteristik eğrisi incelenecek olursa MOSFET in G ucunun polarma gerilimi negatif (-) ve pozitif (+) polariteli olarak uygulanmıştır. GS gerilimi negatif polariteli olarak artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen I D akımı azalmaktadır. Negatif polariteli GS gerilimi belli bir p değerine ulaştığında D-S uçlan arasından geçen I D akımı O (sıfır) değerine iner. I D akımının O değerine inmesini sağlayan GS gerilimine kıstırma (pinch-off) gerilimi ( p ) denir. Şekil 17'de kesik çizgiyle gösterilen "k" eğrisine kadar her bir eğri p (pinch-off) gerilimine ulaşıncaya kadar I D akımı da artar. Bu değerden sonra gerilim artsa bile I akımı sabit kalır. Azaltan kanallı MOSFET'lerin D-S uçları arasından geçen akımın herhangi bir GS değerindeki miktarını bulmak için kullanılan denklem JFET'lerde olduğu gibi, 2 GS I D = I DSS 1 şeklindedir. Buna göre azaltan kanallı MOSFET'ler JFET'lerle aynı biçimde çalışırlar.

11 Şekil 19: N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması Şekil 20: N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in I D - DS karakteristik eğrisi Şekil 21: N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in transfer karakteristiği eğrisi b. N tipi çoğaltan kanallı MOSFET lerin karakteristikleri Şekil 19 da N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması verilmiştir. Bu bağlantı şeması kullanılarak şekil 20'de verilen I D - DS statik karakteristik eğrisi ve şekil 21 'de verilen transfer karakteristiği eğrisi elde edilebilir. Sekil 20'de verilen I D - DS statik karakteristik eğrisi incelenecek olursa MOSFET'in G ucuna uygulanan GS polarma gerilimi artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen I D akımı artmaktadır. Çoğaltan kanallı MOSFET'lerde GS gerilimi şekil 21'de görüldüğü gibi T eşik gerilim değerini aşıncaya kadar I D alamı akmaz. Eşik geriliminden büyük (pozitif polariteli) GS gerilimlerinde D-S uçları arasından geçen I akımı artar.

12 Çoğaltan kanallı MOSFET'lerîn transfer karakteristiğinin denklemi, I D = k.( GS - T ) 2 şeklindedir. Bu denklemde "k" değeri MOSFET'in yapısı yla ilgili bir değer olup tipik olarak 0,3 ma/ değerindedir. GS = O durumunda hiç I D akımı geçmeyeceğinden I DSS değeri de olmayacaktır. Çoğaltan kanallı MOSFET'ler küçük boyutu olduklarından daha çok entegre (tümleşik devre yonga, çip, chip) yapımında kullanılırlar. 5. MOSFET parametreleri JFET parametrelerinde açıklanan D-S doyma akımı (I DSS ), G-S kıstırma (pinch-off) gerilimi ( p ), geçiş iletkenliği (g m ),D-S iletim direnci (r ds ) MOSFET'ler için de geçerlidir. MOSFET'lerin I D akımını bulmada kullanılan denklemler: I D = I DSS (1 ) ve I D= K.( GS - T ) 2 şeklindedir. MOSFET'lerin geçiş iletkenliğini (g m ) bulmada kullanılan denklem, g m =2.k.( GS - T ) şeklindedir. MOSFET lerle ilgili problemler Örnek: Azaltan kanallı MOSFETte I DSS akımı 12 ma, p gerilimi -3 'tur. I D akımını, a. GS = 0 b. GS = -2 için hesaplayınız. Çözüm a. I = I (1 ) = (1 ) = A D DSS 0 3 b. I = I (1 ) = (1 ) D DSS 2 3 = ,111= 1, A = 1,33 ma Örnek: Azaltan kanallı MOSFETin I DSS akımı 12 ma, p gerilimi 6 'tur. I D akmını, a. GS = 3 b. GS = 6 değeri için hesaplayınız. Çözüm a. I = I (1 ) = (1 ) D DSS = A =3 ma 3 6 b. I = I (1 ) = ( 1 ) =0 A D DSS 6 6

13 Örnek: N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in eşik gerilimi T = 3 'tur. a. GS = 3, b. GS = 5 değerlerinde I D akımını bulunuz. Not: k-0,3 ma/ 2-0, A/ 2 olarak kabul edilecektir Çözüm: a) I D =k.. ( GS - T ) 2 = 0, (3-3) 2 = 0 A a) I D = k.. ( GS - T ) 2 = 0, (5-3) 2 =1, A=1,2 ma Örnek: Eşik gerilimi T = 5 olan N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in geçiş iletkenliğini, a.. GS = 6, b. GS = 8 değerlerine göre hesaplayınız. Not: k=0,3 ma/ 2-0, A/ 2 olarak kabul edilecektir. Çözüm a. g m = 2.k.( GS - T )=2.0, (6-5) =0, Ώ = 0,6mΏ b.g m = 2.k.( GS - T )=2.0, (8-5) =l, Ώ =l,8m Ώ Örnek: Azaltan kanallı MOSFET'in I DSS akımı 12 ma, p gerilimi -4, GS gerilimi 0 volttur. Buna göre MOSFET'in geçiş iletkenliği (g m ) değerini bulunuz. Çözüm JFET lerdeki g m = 2. I DSS 1 GS denklemi azaltan kanallı MOSFET ler için de geçerlidir. 2. I DSS 1 GS = = Ώ =6m Ώ C.JFET E MOSFET lerin polarılması (ön gerilimlenmesi) 1. JFET lerin polarılması (ön gerilimlenmesi) Şekil 22 N kanallı JFET in sabit polarması

14 Şekil 23 kanallı JFET in sabit polarması a.sabit (DC üreteçli, fixed)polarma Şekili 22'de N kanallı, şekil 23'te ise kanallı JFET'in sabit polarma yöntemiyle polarılmasına (ön gerilimlenmesine) ilişkin devre şemaları verilmiştir. Yukarıda verilen iki devre şeması yükselteç (amlifikatör) olarak kullanılabilir. Yükseltilecek sinyal C, kuplaj (bağlaşım) kondansatörü aracılığıyla JFET'in G ucuna uygulanır. Yükseltilmiş sinyal ise JFET'in D ucuna bağlı C 2 kuplaj (bağlaşım) kondansatörü üzerinden alınır. İki devrede de S ucu ortak (şase) olarak kullanıldığı için bunlara S (source) ucu şase (ortak) yükselteç adı verilir. JFET'li, S ucu şase yükselteçler yapı olarak transistorlu emiteri şase yükselteçlere benzerler. S (source) ucu şase yükselteçlerde G-S uçları GG kaynağıyla ters polarılır. GG kaynağı JFET'e polarma gerilimi sağlayarak D ucundaki D geriliminin DD geriliminin yarısı kadar olmasını sağlar. Bilindiği gibi bir yükselteç devresinin düzgün (distorsiyonsuz, kırpılmamış) çıkış veren bir devre olarak çalışabilmesi için D ucundaki gerilimin DD geriliminin yarısı kadar olması gerekir. S ucu şase yükselteç devresinde G ucu akım: çekmediği için R G direnci üzerinde gerilim düşümü oluşmaz. Buna göre GG geriliminin tümü G-S uçlan arasında görülür. Yani, GG = GS dir. I D akımının bulunmasında kullanılan denklem ise, I D = I DSS (1 ) şeklindedir Şekil 22 ve 23 'te verilen yükselteç devrelerinde I D akımının R D direnci üzerinde oluşturduğu gerilim. RD = I D.R D denklemiyle hesaplanır. Yükseltecin çıkış bölümünün denklemleri. DD = RD + DS DD =I D.R D + DS DD = DD.I D. R D I DD DS D = şeklinde yazılabilir. RD

15 Örnek: Aşağıda verilen S ucu şase (ortak) "N kanal JFET'li, sabit polarmalı yükselteç devresinde, a. I D akımını b. DS gerilimini bulunuz Not: Devrede I DSS = 10 ma ((0,01 A), p = -5 volttur. Çözüm: JFET'in G ucu hiç akını çekmediğinden kaynağının geriliminin tümü G-S uçlan arasında düşer. R G direnci üzerinde hiç gerilim düşümü olmaz. GS = GG = -2 a) I = I (1 = 0,01.( D DSS ) = 0,0036 A = 3,6 ma b) DS = DD I D. R D = 10-(0, ) = 10-6,48 = 3,52 2 Örnek: Aşağıda verilen S ucu şase (ortak) kanal JFET'li, sabit polarmalı yükselteç devresinde, a. I D akımını bulunuz. b. DS gerilimini bulunuz, Not: Devrede I DSS = 10 ma (0,01 A), = 6 volttur.

16 Çözüm: JFET'in G ucu hiç akım çekmediğinden GG kaynağının geriliminin tümü G- S uçları arasında düşer. R G direnci üzerinde hiç gerilim düşümü olmaz GS = GG = 3 a) I = I (1 = 0,01.( D DSS ) = 0,0025 A = 2,5 ma b) DS = DD I D. R D = 12-(0, )= 7 2 b. Kendinden (sıfır, self, Rs dirençli ) polarma Bu yöntemde GG kaynağı kullanmaya gerek yoktur. G-S uçlarını ters polarma işlemini R S direnci üzerinde oluşan gerilim gerçekleştirir. Şekil 24; Kendinden (sıfır) polarma JFET devresi Şekil 24'teki devrede, G =0, RS = I D R S, olduğundan, GS - G - S = 0-I D.R S GS = -I D.R S olur. Örneğin, I D = 2 ma, R S = kώ ise GS = -I D.R S = = -2 olur. Görüldüğü gibi JFET'in S ucuna bağlanan R S direnci sayesinde G-S uçlarına gelen gerilimin polaritesinin ters olması sağlanmaktadır. Şekil 24'teki devrede, çıkış bölümünün denklemi ise şöyle yazılabilir: DD = I D R D + DS + I D. R S DD = I D (R D + R S ) + DS Gerilim bölücü dirençlerle yapılan polarma devresinde, şekil 25'te görüldüğü gibi bir tek üreteç ( DD ) vardır

17 Şekil 25: Gerilim bölücü dirençli polarma G ucuna gelen polarma gerilimi R GI ve R G2. gerilim bölücü dirençleri tarafından belirlenir. Devrede G noktasındaki gerilim şu şekilde bulunur: olarma dirençlerinin toplam değeri R T = R GI + R G2 olarma dirençlerinden geçen akım, L T = DD /R T G noktasındaki gerilim, G = I T.R G2 JFET'in G-S uçları arasındaki gerilim, GS = G S = G I D. R S Gerilim bölücü dirençli polarma devresinde çıkış kısmının denklemi Kirşof un gerilim kanununa göre, DD = I D -R D + D, + I D.R S yada DD = I D.(R D +R S ) + DS şeklinde yazılabilir. I D akımını bulmak için, DD = I D -(R D +Rs) + DS denkleminden I D değeri çekilecek olursa, eşitliği bulunur. Devrenin çıkışından alman gerilim ise, DS = DD - I D.R D denklemiyle hesaplanır Örnek: Yukarıda verilen şekilde p = - 4, I DSS - 8 ma (0,008 A), RS = 3 olduğuna göre, I D ve DS değerlerini bulunuz. Çözüm: RS değeri 3 olduğuna göre I D akımını, I D = RS /R s denklemiyle bulabiliriz. I D - RS /R D = 3 / 1000 = 0,003 A = 3 ma I D akımı bulunduktan sonra RD gerilimi de bulunabilir. RD = I D..R D = 0, = 6,6

18 DD geriliminin denklemi, DD = RD + DS + RS Şeklinde yazılabilir. Bu denklemeden DS çekilerek, DS = DD - ( RD + RS ) eşitliği yazılabilir. DS = DD - ( RD + RS ) DS = 10 - (6,6 +3) ,6 = 0,4 bulunur. Örnek: Aşağıda verilen şekilde p = -3,5, I DSS = 10 ma (0,01 A), DS = 9,11 olduğuna göre, a.i D b. GS c. D değerlerini bulunuz. Çözüm: a. Devrede DS gerilimi belli olduğuna göre dirençler üzerinde düşen toplam gerilimi bulabiliriz. R D ve R S dirençleri üzerinde düşen gerilim, RD + RS = DD - DS =20-9,11 = 10,89 'tur. Buna göre devrenin çıkış kısmından geçen I D akımının değeri, b) DD DS 20 9,11 10,89 I D = = = = 0,0033 R D + RS I GS D 1 0,0033 0,01. GS = I = 1 DSS 3,5 0,0033. = 1 GS 0,01 3,5 2 0,33. = 1 GS 3,5 2 A=3,3 ma olarak bulunur. = 2 1 GS = 1 GS 3,5 3,5 0,57. = 1 GS GS = 1 0,57 3,5 3,5 GS = 0,43 3,5 GS =-3,5.0,43=-1,505 2 c. D = DD.-I D.R D =20-(0, ) =20-7,26=12,74

19 2. MOSFET'lerin polarması a. Sabit polarma MOSFET'lerin sabit polarması JFET'lerin sabit polarmasında açıklandığı gibidir. Şekil 22 ve şekil 23'e bakınız. b. Sıfır polarma Şekil 26'da verilen sıfır polarma devresinde tek kaynaklı besleme yöntemi kullanılmaktadır. MOSFET'in G ucunun polarma gerilimi R G ve R S dirençleri ile oluşturulmaktadır. Şöyleki: MOSFET'in G ucu akım çekmediğinden R G direnci üzerinde bir gerilim düşümü oluşmaz. Şekil 26: Sıfır polarmah azaltan kanallı MOSFET'li yükselteç devresi Yani, RG = 0 volttur, RG = 0 olduğu için MOSFET'in G ucunda da 0 görülür. R S direnci üzerinde düşen RS geriliminin değeri, RS = I D.R S denklemîyle bulunur. GS geriliminin denklemi, GS = G - RS olduğuna göre, GS = 0 - RS GS = - RS = I D.R S şeklinde yazılabilir. Örnek: Yanda verilen sıfır polarmalı, Sucu şase,azaltan kanalı MOSFET'li y ü k s e l t e ç devresinde I DSS = 9 ma (0,009 A), D = - 4 volttur. Devrenin I D akımını ve D gerilimini bulunuz, Çözüm GS = G.- S = 0-0 = 0 GS 2 I D = I DSS (1 ) denkleminde GS = O olduğu için I D = I DSS = 0,009 A = 9 ma çıkar. D = D - I D.R D = 15 - (0, ) = 4,2

20 c. Gerilim bölücü dirençli (ideal) polarma MOSFET'lerin gerilim bölücü dirençli polarması şekil 27'de görüldüğü gibi JFET' de kilerle aynıdır. Örnek: Yanda verilen azaltan kanallı MOSFET'li, gerilim bölücü dirençli, S ucu şase yükselteç devresinde RS gerilimi 3,9 volttur. Buna göre GS, I D ve DS değerlerini bulunuz. Çözüm olarma dirençlerinin toplam değeri, R GT = R G1 + R G2 = = Ώ = kώ olarma dirençleri üzerinden geçen toplam akım, DD 6 IGT = 12 = 0,21.10 A RGT MOSFET'in G ucundaki polarma gerilimi, G = I GT R G2 = 0, =2,1 MOSFET'in G ucundaki gerilim aşağıdaki denklemle de bulunabilir: DD 12 G = RG2 = = 2, 1 R + R G1 G2 GS = G - RS = 2,1-3,9 = -1,8 RS = I D.R S olduğuna göre, buradan I D 'yi çekersek, RS I D = yazılabilir. R S I D = 3,9/1300 = 0,003 A = 3 ma bulunur. I D akımı bulunduğuna göre RD gerilimini bulabiliriz RD =I D.R D = 0, = 3,9 DD, RD, RS değerleri belli olduğuna göre, DD = RD + DS + RS eşitliği kullanılarak DS değeri bulunabilir. DS = DD -( RD + RS ) = 12 - (3,9+3,9) = 4,2 Ç. JFET deneyleri Deney 1: JFET in özelliklerinin incelenmesi Bu deneyde gerilim kumandalı aktif devre elemanı olan JFET'in elektriksel özellikleri incelenecektir. JFET'in G ucuna uygulanan GS geriliminin değeri O voltken D-S uçları arasından şekil 27'deki karakteristik eğride görüldüğü gibi maksimum değerde I D akımı akar.

21 Şekil 28: GS =0 'ken JFET'in DS I D karakteristik eğrisi GS =0 voltken JFET'in D-S uçlan arasından geçen akıma I DSS akımı denir. DS gerilimi O'dan itibaren artırılırken I D akımı da artar. DS gerilimi belli bir değere ulaştığında I D akımının artışı durur. I D akımının durduğu noktadaki DS gerilimi değerine p (pinch-off gerilimi) denir. JFET'e uygulanan gerilim bu elemanın dayanabileceği DSmaks değerinin üzerine çıkarılacak olursa JFET bozulur. BF245 tipi JFET için DSmaks değeri ± 30 'tur. JFET'in G-S uçları arasına uygulanan ters polarma gerilimi artırıldıkça D-S uçları arasından geçen akım şekil 29'da verilen karakterstik eğrideki gibi azalır. Şekil 29: GS gerilimi artırıldıkça JFET'ten geçen I D akımının azalışına ilişkin karakteristik eğrisi Deneyde kullanılan BF245 tipi JFET'ir elektriksel özellikleriyle ilgili karakteristik eğrileri şekil 30'da verildiği gibidir.

22 Şekil 30: BF245 tipi JFET'in elektriksel karakteristik eğrileri Şekil 30'da verilen karakteristik eğrilerden yararlanılarak JFET'in çeşitli akım, gerilim değerleri bulunabilir. Örneğin şekil 31'de verilen devrelerde I D akımını şekil 30-b'ye bakarak belirleyebiliriz. Şekil 31: GG =-1 ve GG =0 voltken I D akımının karakterisitik eğriye bakarak belirlenmesi Şekil 31 de GG kaynağı -l volt olan devrede GS =-1 ve DS =10 'tur. Bu durumda şekil 30-b'deki grafikten I D =4,3 ma bulunur, Şekil 31'de GG kaynağı 0 volt olan devrede GS -0 ve DS =10 'tur, Bu durumda şekil 30- b'deki grafikten I D =9,7 ma bulunur. Görüldüğü üzere GG kaynağının değeri 0 voltken I D akımı 9,7 ma, GG kaynağının değeri -l olduğunda ise I D akımı 4,3 ma olmaktadır. Yani G ucuna uygulanan ters polariteli gerilim artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen I D akımı azalmaktadır. Şekil 32: JFET'in çıkış karakteristiğini çıkarmak için kullanılan deney bağlantı seması JFET'in çıkış karakteristiğini ( DS -I D ) çıkarmak için şekil 32'de verilen devre kurulduktan sonra çizelge I'de verilen değerlere göre I D akımı ölçülmelidir. I akımları ölçüldükten sonra GS 'nin O, -0,5, -l, -2 değerleri için şekil 33'te verilen çıkış karakteristiği çizilebilir.

23 Çıkış karakteristiğinde görülen eğrilere göre BF245 tipi JFET'in, p gerilimi yaklaşık 2 volttur. GS = 0 voltken D-S arasından geçen I DSS akımı yaklaşık 6,8 ma'dir. GS gerilimi -2 olduğunda I D akımı 0 A olmaktadır. DS () DS () DS () DS () DS () DS () ,5 0 1,8 0,5-1 0, , , , , , , , , , , , , , , , , ,7 0-0, ,5-0,5 1,4 0, ,5 2, ,5 3, ,5 3, ,5 4, ,5 4, ,5 5, ,5 5, ,5 5, ,5 5, Çizelge1: JFET in çıkış karakteristiğini çizebilmek için faklı DS ve GS değerlerine göre bulunan I D akımları. Şekil 33'e bakarak BF245 tipi JFET'in hangi aralıklarda "gerilim kontrollü direnç" ve "gerilim kontrollü akım kaynağı" olarak çalıştığıda belirlenebilmektedir. Çizelge 1' deki değerlere bakarak herhangi bir DS değerine göre JFET'in transfer karakteristiğini de çizebiliriz. Burada örnek olarak DS değerini 10 kabul edip transfer karakteristiğini çizelim, DS = 10 olduğunda, GS = 0 için I D = 6,8 ma, GS = -0,5 için I D = 5,2 ma, GS = -1 için I D = l,7ma, GS = -2 için I D = 0 Şekil 34: N kanal JFET'in transfer karakteristiği

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11 MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden

Detaylı

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır? 1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

Şekil Sönümün Tesiri

Şekil Sönümün Tesiri LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER

BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER 7.1 GİRİŞ Diyot ve transistörler gibi yarıiletken elemanlara ek olarak, özel uygulamalar için birçok değişik tipte yarıiletken elemanlar geliştirilmiştir. Bunlar arasında;

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

MOSFET Karakteristiği

MOSFET Karakteristiği Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI 7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme oç. r. Ersan KABALCI 1 Genel FET Öngerilimleme evreleri JFET abit Öngerilim evresi Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Ayarlamalı MOFET (-MO) Kendinden

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. Sümeyye

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET

TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET EBE-211, Ö.F.BAY 1 Temel Elektriksel Nicelikler Temel Nicelikler: Akım,Gerilim ve Güç Akım (I): Eletrik yükünün zamanla değişim oranıdır.

Detaylı

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ

7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ 7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ KONULAR 1. AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ 2. AKIM BİRİMİ, ASKATLARI VE KATLARI 3. GERİLİM BİRİMİ ASKATLARI VE KATLARI 4. DİRENÇ BİRİMİ VE KATLARI 7.1. AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER ALTERNATİF AKIM DEVRELERİ A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER Alternatif akım devrelerinde akımın geçişine karşı üç çeşit direnç (zorluk) gösterilir. Devre elamanları dediğimiz bu dirençler: () R omik

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET 523EO0075 Ankara, 2011 Bu modül, mesleki ve teknik eğitim okul/kurumlarında uygulanan Çerçeve Öğretim Programlarında yer alan yeterlikleri

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET

T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET ANKARA 2007 Milli Eğitim Bakanlığı tarafından geliştirilen modüller;

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Deneyin Amacı DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Seri ve paralel RLC devrelerinde rezonans durumunun gözlenmesi, rezonans eğrisinin elde edilmesi ve devrenin karakteristik parametrelerinin ölçülmesi

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan

Detaylı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 5: Fotovoltaik Hücre Karakteristikleri Fotovoltaik Hücrede Enerji Dönüşümü Fotovoltaik Hücre Parametreleri I-V İlişkisi Yük Çizgisi Kısa Devre Akımı Açık Devre Voltajı MPP (Maximum

Detaylı

Ders 3- Direnç Devreleri I

Ders 3- Direnç Devreleri I Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel

Detaylı

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir. DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese

Detaylı

7. DİRENÇ SIĞA (RC) DEVRELERİ AMAÇ

7. DİRENÇ SIĞA (RC) DEVRELERİ AMAÇ 7. DİENÇ SIĞA (C) DEELEİ AMAÇ Seri bağlı direnç ve kondansatörden oluşan bir devrenin davranışını inceleyerek kondansatörün durulma ve yarı ömür zamanını bulmak. AAÇLA DC Güç kaynağı, kondansatör, direnç,

Detaylı

ANALOG HABERLEŞME (GM)

ANALOG HABERLEŞME (GM) ANALOG HABERLEŞME (GM) Taşıyıcı sinyalin sinüsoidal olduğu haberleşme sistemidir. Sinüs işareti formül olarak; V. sin(2 F ) ya da i I. sin(2 F ) dır. Formülde; - Zamana bağlı değişen ani gerilim (Volt)

Detaylı

FET Avantajları: Dezavantajı:

FET Avantajları: Dezavantajı: FET Alan Etkili Transistör (Field Effect Transistor), 3 uçlu bir grup yarı iletken devre elemanının genel adıdır. Bu gruptaki transistörler kendi aralarında birtakım kategorilere ayrılır ve isimlendirilir.

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Teorik Bilgiler ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Güç elektroniği devreleri ile güç dönüşümü anahtarlama teknikleri kullanılarak yapılır.

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VI. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VI. DENEY FÖYÜ ELEKTİK DEELEİ-2 LABOATUAI I. DENEY FÖYÜ ALTENATİF AKIM DEESİNDE GÜÇ ÖLÇÜMÜ Amaç: Alternatif akım devresinde harcanan gücün analizi ve ölçülmesi. Gerekli Ekipmanlar: AA Güç Kaynağı, 1kΩ Direnç, 0.5H Bobin,

Detaylı

SICAKLIK KONTROLLÜ HAVYA

SICAKLIK KONTROLLÜ HAVYA SICAKLIK KONTROLLÜ HAVYA Dirençler sıcaklığa bağımlıdır. Havyanın ısıtıcı direnci de istisna değildir. Böylece her havyanın sıcaklığı kontrol edilebilir. Ancak, elde 24V la çalışan bir havya olmalıdır

Detaylı

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits)

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits) SE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates nd Logic Circuits) Sakarya Üniversitesi Lojik Kapılar - maçlar Lojik kapıları ve lojik devreleri tanıtmak Temel işlemler olarak VE,

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-4 Kondansatörler ve Bobinler

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-4 Kondansatörler ve Bobinler Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-4 Kondansatörler ve Bobinler Kondansatörler Kondansatör, elektronların kutuplanarak elektriksel yükü elektrik alanın içerisinde depolayabilme

Detaylı

ÖLÇÜ TRANSFORMATÖRLERİ

ÖLÇÜ TRANSFORMATÖRLERİ 1 ÖLÇÜ TRANSFORMATÖRLERİ Normalde voltmetrelerle en fazla 1000V a kadar gerilimler ölçülebilir. Daha yüksek gerilimlerde; Voltmetrenin çekeceği güç artar. Yüksek gerilimden kaynaklanan kaçak akımların

Detaylı

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör DENEY 7 : OSİLATÖR UYGULAMASI AMAÇ: Faz Kaymalı RC Osilatör ve Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörün temel çalışma prensipleri MALZEMELER: Güç Kaynağı: 12VDC, 5VDC Transistör: BC108C veya Muadili

Detaylı

Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları

Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları Direnç (R) Alternatif gerilimin etkisi altındaki direnç, Ohm kanunun bilinen ifadesini korur. Denklemlerden elde edilen sonuç

Detaylı

Buna göre, bir devrede yük akışı olabilmesi için, üreteç ve pil gibi aygıtlara ihtiyaç vardır.

Buna göre, bir devrede yük akışı olabilmesi için, üreteç ve pil gibi aygıtlara ihtiyaç vardır. ELEKTRİK AKIMI Potansiyelleri farklı olan iki iletken cisim birbirlerine dokundurulduğunda potansiyelleri eşit oluncaya kadar birinden diğerine elektrik yükü akışı olur. Potansiyeller eşitlendiğinde yani

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

ELEKTRĐK MOTORLARI SÜRÜCÜLERĐ EELP212 DERS 05

ELEKTRĐK MOTORLARI SÜRÜCÜLERĐ EELP212 DERS 05 EELP212 DERS 05 Özer ŞENYURT Mayıs 10 1 BĐR FAZLI MOTORLAR Bir fazlı motorların çeşitleri Yardımcı sargılı motorlar Ek kutuplu motorlar Relüktans motorlar Repülsiyon motorlar Üniversal motorlar Özer ŞENYURT

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

DC DEVRE ÇÖZÜM YÖNTEMLERİ

DC DEVRE ÇÖZÜM YÖNTEMLERİ DC DEVRE ÇÖZÜM YÖNTEMLERİ Elektrik devresi, kaynak ve yük gibi çeşitli devre elemanlarının herhangi bir şekilde bağlantısından meydana gelir. Bu gibi devrelerin çözümünde genellikle, seri-paralel devrelerin

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim

Detaylı

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI 5. ölüm: JT D Öngerilimleme Doç. Dr. rsan KAAL 1 Öngerilimleme Transistörün düzgün bir şekilde çalışması için öngerilimlenmesi gerekir. DA çalışma noktasını oluşturmak için birçok yöntem vardır. Öngerilimleme

Detaylı

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit

Detaylı

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt. ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik AC ve DC Empedans RMS değeri Bobin ve kondansatörün

Detaylı

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Diyotu tanımlayınız. Diyot bir yönde akım geçiren, diğer yönde akım geçirmeyen elektronik devre elemanıdır. Diyotlarda anot ve katodu tanımlayınız. Diyot

Detaylı

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER) EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre

Detaylı

1. Sunum: Kapasitans ve İndüktans. Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN- R. Mark NELMS

1. Sunum: Kapasitans ve İndüktans. Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN- R. Mark NELMS 1. Sunum: Kapasitans ve İndüktans Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN- R. Mark NELMS Kapasitans ve İndüktans Kondansatörler elektrik alanlarında, indüktörler ise manyejk alanlarında

Detaylı