BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler)
|
|
- Hazan Ekşi
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) 1- Transistör (BJT, Bipolar Junction Transistor) hakkında temel bilgi Transistor B (beyz) ucuna uygulanan akıma göre C (kolektör)-e (emiter) uçlan arasından geçen akımı kontrol eder. Başka bir deyişle transistor çalışabilmek için belli bir I B akımına gerek duyar. İşte bu nedenle transistörlere akım kontrollü aktif devre elemanı denir. Sekil l 'de NN ve N tip: transistor sembolleri verilmiştir. Sekii 1: NN ve N transistor sembolleri 2.JFET (FET) ler G (gale, geyt, kapı) ucuna uygulanan ters polariteli gerilimin değerine göre D (drain, dreyn, oluk)~s (source, sars, kaynak) uçları arasından geçen akımı kontrol edebilen elemanlara ise JFET (Jımction Field Effect Transistor, birleşim yüzeyli alan etkili transistor) denir. 3- JFET lerin özellikleri T, video, kamera, bilgisayar, kesintisiz güç kaynağı, anten yükselteci, verici, alıcı vb. gibi hassas yapılı elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılan JFET'lerin bazı özellikleri şunlardır: Giriş empedansları 100 MH dolayında olup çok yüksektir. Transistorun (BJT) giriş empedansı ise çok düşük olup 2 Ώ dolayındadır. Radyasyon (ışınım) etkisi yoktur. Anahtar olarak kullanıldıklarında kontrol edilmeleri kolaydır. Yani D-S uçlan arasından geçen akım gücük bîr GG polarma (Ön gerilimleme) voltajıyla denetlenebilir. Transistorlardan daha az gürültülü (parazitsîz) çalışırlar. Sıcaklık değişmelerinden daha az etkilenirler. Gövde boyutları transistorlardan daha küçüktür. Giriş empedanslarının yüksek, elektrotla arası kapasitenin (sığanın) düşük olması nedeniyle yüksek frekanslı elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılırlar. Bant genişlikleri (çalışabildikleri frekans aralığı) dardır. 4- Alan etkili transistor çeşitleri Alan etkili transistorlar iki gruba ayrılır: a. JFET (Junction Field Effect Transistor birleşim yüzeyli alan etkili transistor), b. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, metal oksit yarı iletken alan etkili transistor) 5- JFET lerin yapısı ve N tipi iki yan iletkenin birleşmesinden oluşan JFET'lerin. D, S, G adlı üç ayağı vardır. Şekil 2'de N ve kanallı JFET sembolleri verilmiştir. Şekil 3'te ise N kanallı JFET 'in yarı iletken iç yapısı verilmiştir.
2 Şekil 3: JFET'lerin yarı iletken iç yapısı JFET'lerde D-S arasındaki kanal maddesi büyük, kapı (G) maddesi ise küçüktür. N kanallı JFET ile kanallı JFET arasında bir fark yoktur. Sadece I akımının yönü terstir. Bu bölümde, anlaşılması daha kolay olduğu için N kanallı JFETlerin çalışması açıklanacaktır. Şekil 4: N kanal JFET in polarılması 6- JFET lerin çalışma ilkesi Şekil 4 te görüldüğü gibi N kanallı JFET in G ucu ters, D-S uçları ise doğru polarılmıştır. JFET'in D ucuna bağlanmış olan R D, yük direnci olarak görev yapmaktadır. G-S uçları arasına bağlanmış olan GG kaynağı JFET'in G-S uçları arasındaki yarı iletkenleri ters polarır. Bilindiği gibi -N ekleminden oluşan yarı iletken ters polarıldığında birleşim (junction, jonksiyon) bölgesinde, elektron ve oyuk bakımından fakirleşmiş bir bölge (alan) oluşur. Fakirleşmiş alanın genişliği şekil 5'te görüldüğü gibi G ucuna uygulanan ters polarma geriliminin değeri büyüdükçe artar.
3 Şekil 5: JFET'in G-S uçları arasına ters olarak bağlanan GG kaynağının gerilim değeri arttıkça fakirleşmiş bölge genişler. (JFET in akım geçiren kanal daralır.) JFET'in G-S uçları ters polarıldığı için G ucundan hiç akını geçişi olmaz. İşte bu nedenle JFET'ler gerilim kontrollü eleman olarak tanımlanırlar. Transistörlerin B ucu akım çektiği için bu elemanlar akım kontrollüdür. Şekil 4'te verilen devrede ilk anda GG geriliminin O (sıfır) volt olduğunu varsayalım: Bu durumda DD kaynağı R D direnci ve D-S uçlan arasından belli bir akım geçirir. GG kaynağının gerilimi O (sıfır) voltken geçen akım JFET'in D-S uçlarının ve R D 'nin direnç değeri tarafından sınırlanır. Şekil 6: JFET'in G ucuna uygulanan gerilim O 'ken I akımının ve S geriliminin değişiminin incelenebilmesi için kurulan deney bağlantı şeması Şekil 6'da verilen deney bağlantı şemasında G ucu şaseye bağlıyken ( GG = O) DD kaynağının gerilimi 0 (sıfır) volttan itibaren artırılacak olursa I D akımı da şekil 7'de görüldüğü gibi artmaya başlar. Akımın doğrusal (lineer) olarak artış gösterdiği A-B noktalan arasındaki bu kısma "omik bölge" denir. Şekil 7: JFETin G-S uçlan arasına uygulanan gerilim O 'ken D-S uçları arasına bağlanan DD kaynağının gerilim değeri O'dan itibaren artın idamda I D akiminin karakteristik eğrisi
4 JFET'e uygulanan DD gerilimi doğrusal bir şekilde artırılmaya devam edilirse I D akımının şekil 7'de görüldüğü gibi doğrusal olarak artmadığı görülür. Şekil 6'da DD gerilimi O tan 4 'a doğru artırıldığında I akımın şekil 7'de görüldüğü gibi doğrusala yakın düzgünlükte arttığı görülür. DD gerilimi 4 volttan itibaren artırılsa bile I D akımındaki artış durur. I D akımının artışının durduğu noktaya saturasyon (doyum, pinch-off} noktası denir. Doyum (pinchoff) noktası kritik gerilim değeri olarak da adlandırılır ve p ile gösterilir. FET'in G ucuna uygulanan ters polarma gerilimi GG =0 voltken D-S uçları arasından geçen I D alarmı, DD gerilimi artırılsa bile belli değerde sabitlesin Akımın sabit olduğu bu değere I DSS (D-S uçları arasından geçen doyum akımı) denir. FET'in D-S uçları arasından geçen akım, DS uçlan arasındaki gerilim artırılmaya devam etmesine karşın pek fazla artmaz. Şekil 7'de verilen karakteristik eğride doyum (pinch-off) bölgesi olarak adlandırılan bölgede JFET'ten geçen I DSS akımı hemen hemen aynı değerde kalır. Sekil 6'da verilen deney bağlantı şemasında DD kaynağının gerilim değeri artırılarak D-S uçları arasındaki DS gerilimi yükseltilecek olursa I D akımı yüksek bir değere çıkar. I D akımının aşırı artması ise JFET'in bozulmasına yol açar. Şekil 7'deki karakteristik eğrisinde bozulma (breakdown, kırılma) noktası (C) olarak gösterilen bu değeri JFET'e uygulamamak gerekir. 7. JFET lerin elektriksel karakteristikleri a. JFET in çıkış ( DS - I D ) Karakteristiği FET'in G ucu şekil 6'da görüldüğü gibi şaseye bağlıyken DS kaynağının gerilim değeri belli bir noktaya ulaştığında D-S uçları arasından belli büyüklükte bir akım geçer. Buna I DSS akımı denir. G ucuna uygulanan GS ters polarma gerilimi şekil 8'de görüldüğü gibi artırıldığında (örneğin-1 volt yapıldığında) I D akımı şekil 9'da görüldüğü gibi azalır. Şekil 8: JFET'in G ucuna uygulanan gerilim O volttan yüksekken I D akımının ve DS geriliminin değişiminin incelenebilmesi için kurulan deney bağlantı şeması Şekil 9: JFET'in G- S uçlan arasına uygulanan gerilim 1 voltken D-S uçlar; arasına bağlanan DD kaynağının gerilim değeri 0 tan itibaren artırıldığında I D akımının değeri I DSS değerinin altına iner. GG kaynağıyla G ucuna uygulanan ters polarma gerilimi biraz daha artırıldığında (örneğin- 1,5 yapıldığında) I D akımı şekil 9'da görüldüğü gibi daha da azalır. GS = -2 yapıldığında ise I D akımı 0 A değerine iner. Sonuç olarak GG kaynağıyla G ucun; uygulanan ters gerilim -0,5, -l, -1,5,..., -2 şeklinde artırılmaya devam edilirse I D akımı 0 düzeyine doğru iner. I D akımının azalmasının nedeni kanal bölgesinin elektron ve oyuk yönünden fakirleşmiş bir hâle gelmesindendir. Kanal bölgesinin fakirleşmiş hâle gelmesini sağlayan etken ise bilindiği gibi G-S uçlar arasının ters polarılmış olmasıdır.
5 b- JFET in transfer ( GS - I D ) Karakteristiği JFET'in transfer karakteristiği, sabit bir DS gerilimi altında GS geriliminin değişimine göre I D akımının değişimini gösterir. Başka bir deyişle DS gerilimi sabitken G ucuna uygulanan ters polarma ( GG ) gerilimi artırıldıkça I D akımı şekil l0'da görüldüğü gibi I DSS değerinden 0 ma değerine doğru iner. Şekil l0 da verilen transfer karakteristiği eğrisinde herhangi bir - GS gerilimi değerinde I D akımının değeri, I D = I DSS (1 ) ve I D= K.( GS - T ) 2 şeklindedir. denklemiyle bulunur. Şekil 10'da verilen karakteristik eğrisinden şu yargılara varmak mümkündür: I. GS gerilimi 0 'ken JFET'ten maksimum düzeyde bir akım geçişi olmaktadır. Bu akım I DSS (saturasyon, doyum) akımı olarak nitelenir. II. JFET'in G ucuna uygulanan ters polariteli GS gerilimi GG kaynağıyla 0 'tan itibaren artırıldığında D-S uçları arasından geçen I D akımı I DSS değerinden daha küçük bir değere inmektedir, III. JFET'in G-S uçları arasına uygulanan ters polarma gerilimi belli bir düzeye (- değerine) ulaştığında D-S uçları arasından geçen I D akımı 0 (sıfır) seviyesine inmektedir. Transfer Karakteristiğiyle ilgili örnekler: Örnek: Bir JFET'in gerilimi -3, I DSS akımı 10 ma'dir, Buna göre, a. GS gerilimi 0 voltken I D akımını, b. GS gerilimi -l voltken I D akımını, c. GS gerilimi -3 voltken I D akımını bulunuz. Çözüm: 0 I D = I DSS (1 ) =10 2 (1 ) 10mA 3 a. b. -1 I D = I DSS (1 ) =10 2 (1 ) 4,43.mA 3 c. -3 I D = I DSS (1 ) =10 2 (1 ) 0.mA 3 Örnek: Bir JFET'in p gerilimi -4, I DSS akımı 20 ma'dir, Buna göre, a. GS gerilimi 0 voltken I D akımını, b. GS gerilimi -2 voltken I D akımını, c. GS gerilimi -4 voltken I D akımını bulunuz,
6 Çözüm a. I = I (1 ) = 20 2 (1 ) 20mA D DSS 0 4 b. I = I (1 ) = 20 2 (1 ) 15.mA D DSS -2 4 c. I = I (1 ) = 20 2 (1 ) 0.mA D DSS JFET lerin elektriksel parametreleri FET'e uygulanan gerilimlerin değiştirilmesiyle bu elemanın gösterdiği davranışa parametre (büyüklük) denir. Elektronik devre eleman üreten firmalar kataloglarda her JFET için parametre değerlerini bildirirler. Örnek olarak BF245 adlı JFET'in bazı özellikleri aşağıda verilmiştir. DSmaks = ± 30 GSmaks = -30 g m = (mho) I DSS =10 ma JFET'lerin özellikleri açıklanırken kullanılan bazı teknik parametrelerin (terimlerin) anlamları şöyledir: a. D-S doyma akımı (I DSS ) G-S eklemi kısa devre edildiğinde (yani C ucuna O volt uygulandığında) D-S uçları arasından geçen maksimum akımdır. b. G-S kapama gerilimi (kritik gerilim,.) D-S kanalının tamamen kapandığı (hiç akın geçirmediği) gerilim değeridir. Bu değer GS-off ( GS-kesim ) ile de gösterilir. c.g-s kırılma gerilimi ( GSmaks ) Bu parametre belirli bir akımda D-S kısa devreyken ölçülür. Uygulamada bu değerin üzerine çıkılması hâlinde JFET bozulur. ç. D-S kırılma gerimi ( DSmaks ) JFET'in D-S uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilim değerini bildirir. Bu değerin üzerinde bir gerilim JFET'i bozar. d. Geçiş iletkenliği (g m ) JFETler sabit akım elemanı olduğundan D ucundaki gerilimin değişimi I D akımında pek bir değişikliğe yol açmaz. I D akımı genellikle G ucuna uygulanan gerilimle kontrol edilir. Bu nedenle JFET'lerin en önemli parametrelerinden biri I D akımındaki değişime göre G voltajının değişimidir. Bu parametre geçirgenlik transkondüktans, transconductance) olarak tanımlanır. Aşağıda BF245 adlı JFET'in geçiş iletkenliği eğrisi verilmiştir.
7 Geçirgenlik, DS gerilimi sabitken I D akım değişiminin G-S arası gerilim değişimine oranıdır. g m I D = ( DS =Sabit) GS Geçirgenlik, direncin tersi olduğu için birimi (mho, mo) yada Siemens (S) ile ifade edilir. g m 2. I = DSS 1 GS ve. g m 2. I = r DSS I I D DSS denklemleri kullanılarak JFET'in geçirgenlik değeri hesaplanır. Örnek: Bir JFETin GS gerilimi O 'tan-0,6 '2 kadar değiştiğinde I D akımı l ma'den 0,2 ma'e doğru bir azalma (değişim) göstermektedir, JFET'in geçirgenliğini (transkondüktansını) bulunuz. g m Çözüm I = GS = 1,33mΩ ( mi lim o) p ( ,2.10 = (0,6 0) ) 0,8.10 = 0,6 = 0,33.10 Örnek: Bir JFET'in I DSS akımı 10 ma, gerilimi -6, GS gerilimi - 1 olduğuna göre JFET'in iletkenliğini (transkondüktansını) bulunuz. Çözüm: g m 2. I = = 6 = 2,78.10 DSS GS 1 1 = 3, Ω = 2,78mΩ 3.0,834 Ω e. D-S iletim direnci (r ds ) Bu büyüklük, belirli bir G-S gerilimi ve I akımında ölçülen gerilim D-S iletim direnci. JFET'in anahtar olarak kullanılmasında önen taşır. Bu değer on ile bir kaç yüz arasında değişir. B.MOSFET lerin yapısı ve karakteristiği 1.Giriş JFET'lere göre daha üstün özelliklere sahip olan MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor, metal oksit tabakalı alan etkili transistör)'ierde G ucu gövdeden tamamen yalıtılmıştır. O nedenle MOSFET'lerin giriş empedansı (Z grş ) çok yüksek olup l0 14 Ώ dolayındadır. Bant genişliği ve çalışma frekansı JFET'lere oranla daha yüksek olan MOSFET'ler entegre yapımında ve hassas elektronik devrelerin üretiminde yaygın olarak kullanılmaktadır.
8 Hassas yapılı olan MOSFET'lerin G ucundaki ince silisyum (silikon) oksit tabakası insan bedenindeki statik elektrik yüküyle bile delinebilir. Ü nedenle bu elemanlara el ile dokunmadan bedendeki durgun (statik) elektrik yükünün boşaltılması gerekir. Ayrıca MOSFET'lerin lehimlenmesinde düşük güçlü (fazla ısınmayan) ve topraklı havyalar kullanılmalıdır. Şekil 11 'de azaltan kanallı, şekil 12'de ise çoğaltan kanallı MOSFET sembolleri verilmiştir. Şekil 12; Çoğaltan kanallı MOSFET sembolleri 2. MOSFET ÇEŞİTLERİ Uygulamada kullanılan MOSFET çeşitleri şunlardır: a. Azaltan kanallı (depletion tipi, D-MOSFET) MOSFET, b.çoğaltan kanallı (enhancement tipi,endüksiyon tipi, E-MOSFET) MOSFET 3. MOSFET lerin yapısı a. Azaltan kanallı? MOSFET'ler Şekil 13'te yapısı verilen azaltan kanallı MOSFET'te G ucu N tipi kanal maddesinden silisyum oksit ve silisyum nitrat tabakalarıyla ayrılmıştır. substrate (SS, bulk, alt katman) Şekil 13: Azaltan kanallı MOSFET'in yapısı Azaltan kanallı MOSFET'in G ucuna uygulanan gerilim 0 voltken, D-S uçlarına bir gerilim uygulandığında N tipi kanaldan belli değerde bir akım (I DSS ) geçişi olur. G ucuna uygulanan ters polarma geriliminin değeri artırıldıkça D-S kanalından geçen akım (Ip) azalır.
9 b.çoğaltan kanallı MOSFET'ler Şekil 14'te yapısı verilen çoğaltan kanallı MOSFET'te D-S uçları arasında kanal maddesi yoktur. G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmadığında D-S uçları arasından bir alam geçişi olmaz. G ucunun bağlı olduğu metal parça ile tipi gövde (substrate) bir kondansatör özelliği gösterir. Bilindiği gibi iki iletken ve bir yalıtkan "kondansatörü" oluşturur. substrate (SS, bulk, ait katman) Şekil 14: Çoğaltan kanallı: MOSFET'in yapısı Çoğaltan kanallı MOSFETin G ucuna (+) polariteli gerilim uygulandığında kapasite Özelliğinden dolayı tipi gövdeye bağlı iki N maddesinin arasında şekil 15'te görüldüğü gibi (-) yükler toplanır. D-S uçları arasındaki bölgede toplanan (-) yükler tipi maddenin içinde az sayıda bulunan azınlık taşıyıcılardır. substrate (SS, bulk, alt katman) Şekil 15: Çoğaltan kanallı MOSFET'te D-S uçları arasında (-} yüklerin toplanışı D-S uçları arasında biriken (-) yükler doğal (tabî) bir kanal oluşumunu sağlar. Bu sayede D-S uçlan arasından akım geçişi başlar. G ucuna uygulanan (+) polariteli gerilimin değeri artırıldıkça D-S uçlan arasında biriken (-) yükler çoğalır ve geçen akım da artar. Çoğaltan kanallı MOSFET'in G ucuna gerilim uygulanmadığı zaman. D-S arasından alanı geçişi olmaz 4.MOSFET karakteristikleri a.n tipi, azaltan kanallı MOSFET lerin karakteristikleri Şekil 16'da N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması verilmiştir. Bu devre kullanılarak şekil 17'de verilen I D - DS statik karakteristik eğrisi ve şekil 18'de verilen transfer karakteristik eğrisi elde edilebilir.
10 Şekil 16: N tipi, azaltan kanallı MOSFETin devre bağlantı şeması Şekil 17: N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in! D - DS karakteristik eğrisi Şekil 18: N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in transfer karakteristiği eğrisi Şekil 17'dc verilen I D - DS statik karakteristik eğrisi incelenecek olursa MOSFET in G ucunun polarma gerilimi negatif (-) ve pozitif (+) polariteli olarak uygulanmıştır. GS gerilimi negatif polariteli olarak artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen I D akımı azalmaktadır. Negatif polariteli GS gerilimi belli bir p değerine ulaştığında D-S uçlan arasından geçen I D akımı O (sıfır) değerine iner. I D akımının O değerine inmesini sağlayan GS gerilimine kıstırma (pinch-off) gerilimi ( p ) denir. Şekil 17'de kesik çizgiyle gösterilen "k" eğrisine kadar her bir eğri p (pinch-off) gerilimine ulaşıncaya kadar I D akımı da artar. Bu değerden sonra gerilim artsa bile I akımı sabit kalır. Azaltan kanallı MOSFET'lerin D-S uçları arasından geçen akımın herhangi bir GS değerindeki miktarını bulmak için kullanılan denklem JFET'lerde olduğu gibi, 2 GS I D = I DSS 1 şeklindedir. Buna göre azaltan kanallı MOSFET'ler JFET'lerle aynı biçimde çalışırlar.
11 Şekil 19: N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması Şekil 20: N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in I D - DS karakteristik eğrisi Şekil 21: N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in transfer karakteristiği eğrisi b. N tipi çoğaltan kanallı MOSFET lerin karakteristikleri Şekil 19 da N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması verilmiştir. Bu bağlantı şeması kullanılarak şekil 20'de verilen I D - DS statik karakteristik eğrisi ve şekil 21 'de verilen transfer karakteristiği eğrisi elde edilebilir. Sekil 20'de verilen I D - DS statik karakteristik eğrisi incelenecek olursa MOSFET'in G ucuna uygulanan GS polarma gerilimi artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen I D akımı artmaktadır. Çoğaltan kanallı MOSFET'lerde GS gerilimi şekil 21'de görüldüğü gibi T eşik gerilim değerini aşıncaya kadar I D alamı akmaz. Eşik geriliminden büyük (pozitif polariteli) GS gerilimlerinde D-S uçları arasından geçen I akımı artar.
12 Çoğaltan kanallı MOSFET'lerîn transfer karakteristiğinin denklemi, I D = k.( GS - T ) 2 şeklindedir. Bu denklemde "k" değeri MOSFET'in yapısı yla ilgili bir değer olup tipik olarak 0,3 ma/ değerindedir. GS = O durumunda hiç I D akımı geçmeyeceğinden I DSS değeri de olmayacaktır. Çoğaltan kanallı MOSFET'ler küçük boyutu olduklarından daha çok entegre (tümleşik devre yonga, çip, chip) yapımında kullanılırlar. 5. MOSFET parametreleri JFET parametrelerinde açıklanan D-S doyma akımı (I DSS ), G-S kıstırma (pinch-off) gerilimi ( p ), geçiş iletkenliği (g m ),D-S iletim direnci (r ds ) MOSFET'ler için de geçerlidir. MOSFET'lerin I D akımını bulmada kullanılan denklemler: I D = I DSS (1 ) ve I D= K.( GS - T ) 2 şeklindedir. MOSFET'lerin geçiş iletkenliğini (g m ) bulmada kullanılan denklem, g m =2.k.( GS - T ) şeklindedir. MOSFET lerle ilgili problemler Örnek: Azaltan kanallı MOSFETte I DSS akımı 12 ma, p gerilimi -3 'tur. I D akımını, a. GS = 0 b. GS = -2 için hesaplayınız. Çözüm a. I = I (1 ) = (1 ) = A D DSS 0 3 b. I = I (1 ) = (1 ) D DSS 2 3 = ,111= 1, A = 1,33 ma Örnek: Azaltan kanallı MOSFETin I DSS akımı 12 ma, p gerilimi 6 'tur. I D akmını, a. GS = 3 b. GS = 6 değeri için hesaplayınız. Çözüm a. I = I (1 ) = (1 ) D DSS = A =3 ma 3 6 b. I = I (1 ) = ( 1 ) =0 A D DSS 6 6
13 Örnek: N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in eşik gerilimi T = 3 'tur. a. GS = 3, b. GS = 5 değerlerinde I D akımını bulunuz. Not: k-0,3 ma/ 2-0, A/ 2 olarak kabul edilecektir Çözüm: a) I D =k.. ( GS - T ) 2 = 0, (3-3) 2 = 0 A a) I D = k.. ( GS - T ) 2 = 0, (5-3) 2 =1, A=1,2 ma Örnek: Eşik gerilimi T = 5 olan N tipi, çoğaltan kanallı MOSFET'in geçiş iletkenliğini, a.. GS = 6, b. GS = 8 değerlerine göre hesaplayınız. Not: k=0,3 ma/ 2-0, A/ 2 olarak kabul edilecektir. Çözüm a. g m = 2.k.( GS - T )=2.0, (6-5) =0, Ώ = 0,6mΏ b.g m = 2.k.( GS - T )=2.0, (8-5) =l, Ώ =l,8m Ώ Örnek: Azaltan kanallı MOSFET'in I DSS akımı 12 ma, p gerilimi -4, GS gerilimi 0 volttur. Buna göre MOSFET'in geçiş iletkenliği (g m ) değerini bulunuz. Çözüm JFET lerdeki g m = 2. I DSS 1 GS denklemi azaltan kanallı MOSFET ler için de geçerlidir. 2. I DSS 1 GS = = Ώ =6m Ώ C.JFET E MOSFET lerin polarılması (ön gerilimlenmesi) 1. JFET lerin polarılması (ön gerilimlenmesi) Şekil 22 N kanallı JFET in sabit polarması
14 Şekil 23 kanallı JFET in sabit polarması a.sabit (DC üreteçli, fixed)polarma Şekili 22'de N kanallı, şekil 23'te ise kanallı JFET'in sabit polarma yöntemiyle polarılmasına (ön gerilimlenmesine) ilişkin devre şemaları verilmiştir. Yukarıda verilen iki devre şeması yükselteç (amlifikatör) olarak kullanılabilir. Yükseltilecek sinyal C, kuplaj (bağlaşım) kondansatörü aracılığıyla JFET'in G ucuna uygulanır. Yükseltilmiş sinyal ise JFET'in D ucuna bağlı C 2 kuplaj (bağlaşım) kondansatörü üzerinden alınır. İki devrede de S ucu ortak (şase) olarak kullanıldığı için bunlara S (source) ucu şase (ortak) yükselteç adı verilir. JFET'li, S ucu şase yükselteçler yapı olarak transistorlu emiteri şase yükselteçlere benzerler. S (source) ucu şase yükselteçlerde G-S uçları GG kaynağıyla ters polarılır. GG kaynağı JFET'e polarma gerilimi sağlayarak D ucundaki D geriliminin DD geriliminin yarısı kadar olmasını sağlar. Bilindiği gibi bir yükselteç devresinin düzgün (distorsiyonsuz, kırpılmamış) çıkış veren bir devre olarak çalışabilmesi için D ucundaki gerilimin DD geriliminin yarısı kadar olması gerekir. S ucu şase yükselteç devresinde G ucu akım: çekmediği için R G direnci üzerinde gerilim düşümü oluşmaz. Buna göre GG geriliminin tümü G-S uçlan arasında görülür. Yani, GG = GS dir. I D akımının bulunmasında kullanılan denklem ise, I D = I DSS (1 ) şeklindedir Şekil 22 ve 23 'te verilen yükselteç devrelerinde I D akımının R D direnci üzerinde oluşturduğu gerilim. RD = I D.R D denklemiyle hesaplanır. Yükseltecin çıkış bölümünün denklemleri. DD = RD + DS DD =I D.R D + DS DD = DD.I D. R D I DD DS D = şeklinde yazılabilir. RD
15 Örnek: Aşağıda verilen S ucu şase (ortak) "N kanal JFET'li, sabit polarmalı yükselteç devresinde, a. I D akımını b. DS gerilimini bulunuz Not: Devrede I DSS = 10 ma ((0,01 A), p = -5 volttur. Çözüm: JFET'in G ucu hiç akını çekmediğinden kaynağının geriliminin tümü G-S uçlan arasında düşer. R G direnci üzerinde hiç gerilim düşümü olmaz. GS = GG = -2 a) I = I (1 = 0,01.( D DSS ) = 0,0036 A = 3,6 ma b) DS = DD I D. R D = 10-(0, ) = 10-6,48 = 3,52 2 Örnek: Aşağıda verilen S ucu şase (ortak) kanal JFET'li, sabit polarmalı yükselteç devresinde, a. I D akımını bulunuz. b. DS gerilimini bulunuz, Not: Devrede I DSS = 10 ma (0,01 A), = 6 volttur.
16 Çözüm: JFET'in G ucu hiç akım çekmediğinden GG kaynağının geriliminin tümü G- S uçları arasında düşer. R G direnci üzerinde hiç gerilim düşümü olmaz GS = GG = 3 a) I = I (1 = 0,01.( D DSS ) = 0,0025 A = 2,5 ma b) DS = DD I D. R D = 12-(0, )= 7 2 b. Kendinden (sıfır, self, Rs dirençli ) polarma Bu yöntemde GG kaynağı kullanmaya gerek yoktur. G-S uçlarını ters polarma işlemini R S direnci üzerinde oluşan gerilim gerçekleştirir. Şekil 24; Kendinden (sıfır) polarma JFET devresi Şekil 24'teki devrede, G =0, RS = I D R S, olduğundan, GS - G - S = 0-I D.R S GS = -I D.R S olur. Örneğin, I D = 2 ma, R S = kώ ise GS = -I D.R S = = -2 olur. Görüldüğü gibi JFET'in S ucuna bağlanan R S direnci sayesinde G-S uçlarına gelen gerilimin polaritesinin ters olması sağlanmaktadır. Şekil 24'teki devrede, çıkış bölümünün denklemi ise şöyle yazılabilir: DD = I D R D + DS + I D. R S DD = I D (R D + R S ) + DS Gerilim bölücü dirençlerle yapılan polarma devresinde, şekil 25'te görüldüğü gibi bir tek üreteç ( DD ) vardır
17 Şekil 25: Gerilim bölücü dirençli polarma G ucuna gelen polarma gerilimi R GI ve R G2. gerilim bölücü dirençleri tarafından belirlenir. Devrede G noktasındaki gerilim şu şekilde bulunur: olarma dirençlerinin toplam değeri R T = R GI + R G2 olarma dirençlerinden geçen akım, L T = DD /R T G noktasındaki gerilim, G = I T.R G2 JFET'in G-S uçları arasındaki gerilim, GS = G S = G I D. R S Gerilim bölücü dirençli polarma devresinde çıkış kısmının denklemi Kirşof un gerilim kanununa göre, DD = I D -R D + D, + I D.R S yada DD = I D.(R D +R S ) + DS şeklinde yazılabilir. I D akımını bulmak için, DD = I D -(R D +Rs) + DS denkleminden I D değeri çekilecek olursa, eşitliği bulunur. Devrenin çıkışından alman gerilim ise, DS = DD - I D.R D denklemiyle hesaplanır Örnek: Yukarıda verilen şekilde p = - 4, I DSS - 8 ma (0,008 A), RS = 3 olduğuna göre, I D ve DS değerlerini bulunuz. Çözüm: RS değeri 3 olduğuna göre I D akımını, I D = RS /R s denklemiyle bulabiliriz. I D - RS /R D = 3 / 1000 = 0,003 A = 3 ma I D akımı bulunduktan sonra RD gerilimi de bulunabilir. RD = I D..R D = 0, = 6,6
18 DD geriliminin denklemi, DD = RD + DS + RS Şeklinde yazılabilir. Bu denklemeden DS çekilerek, DS = DD - ( RD + RS ) eşitliği yazılabilir. DS = DD - ( RD + RS ) DS = 10 - (6,6 +3) ,6 = 0,4 bulunur. Örnek: Aşağıda verilen şekilde p = -3,5, I DSS = 10 ma (0,01 A), DS = 9,11 olduğuna göre, a.i D b. GS c. D değerlerini bulunuz. Çözüm: a. Devrede DS gerilimi belli olduğuna göre dirençler üzerinde düşen toplam gerilimi bulabiliriz. R D ve R S dirençleri üzerinde düşen gerilim, RD + RS = DD - DS =20-9,11 = 10,89 'tur. Buna göre devrenin çıkış kısmından geçen I D akımının değeri, b) DD DS 20 9,11 10,89 I D = = = = 0,0033 R D + RS I GS D 1 0,0033 0,01. GS = I = 1 DSS 3,5 0,0033. = 1 GS 0,01 3,5 2 0,33. = 1 GS 3,5 2 A=3,3 ma olarak bulunur. = 2 1 GS = 1 GS 3,5 3,5 0,57. = 1 GS GS = 1 0,57 3,5 3,5 GS = 0,43 3,5 GS =-3,5.0,43=-1,505 2 c. D = DD.-I D.R D =20-(0, ) =20-7,26=12,74
19 2. MOSFET'lerin polarması a. Sabit polarma MOSFET'lerin sabit polarması JFET'lerin sabit polarmasında açıklandığı gibidir. Şekil 22 ve şekil 23'e bakınız. b. Sıfır polarma Şekil 26'da verilen sıfır polarma devresinde tek kaynaklı besleme yöntemi kullanılmaktadır. MOSFET'in G ucunun polarma gerilimi R G ve R S dirençleri ile oluşturulmaktadır. Şöyleki: MOSFET'in G ucu akım çekmediğinden R G direnci üzerinde bir gerilim düşümü oluşmaz. Şekil 26: Sıfır polarmah azaltan kanallı MOSFET'li yükselteç devresi Yani, RG = 0 volttur, RG = 0 olduğu için MOSFET'in G ucunda da 0 görülür. R S direnci üzerinde düşen RS geriliminin değeri, RS = I D.R S denklemîyle bulunur. GS geriliminin denklemi, GS = G - RS olduğuna göre, GS = 0 - RS GS = - RS = I D.R S şeklinde yazılabilir. Örnek: Yanda verilen sıfır polarmalı, Sucu şase,azaltan kanalı MOSFET'li y ü k s e l t e ç devresinde I DSS = 9 ma (0,009 A), D = - 4 volttur. Devrenin I D akımını ve D gerilimini bulunuz, Çözüm GS = G.- S = 0-0 = 0 GS 2 I D = I DSS (1 ) denkleminde GS = O olduğu için I D = I DSS = 0,009 A = 9 ma çıkar. D = D - I D.R D = 15 - (0, ) = 4,2
20 c. Gerilim bölücü dirençli (ideal) polarma MOSFET'lerin gerilim bölücü dirençli polarması şekil 27'de görüldüğü gibi JFET' de kilerle aynıdır. Örnek: Yanda verilen azaltan kanallı MOSFET'li, gerilim bölücü dirençli, S ucu şase yükselteç devresinde RS gerilimi 3,9 volttur. Buna göre GS, I D ve DS değerlerini bulunuz. Çözüm olarma dirençlerinin toplam değeri, R GT = R G1 + R G2 = = Ώ = kώ olarma dirençleri üzerinden geçen toplam akım, DD 6 IGT = 12 = 0,21.10 A RGT MOSFET'in G ucundaki polarma gerilimi, G = I GT R G2 = 0, =2,1 MOSFET'in G ucundaki gerilim aşağıdaki denklemle de bulunabilir: DD 12 G = RG2 = = 2, 1 R + R G1 G2 GS = G - RS = 2,1-3,9 = -1,8 RS = I D.R S olduğuna göre, buradan I D 'yi çekersek, RS I D = yazılabilir. R S I D = 3,9/1300 = 0,003 A = 3 ma bulunur. I D akımı bulunduğuna göre RD gerilimini bulabiliriz RD =I D.R D = 0, = 3,9 DD, RD, RS değerleri belli olduğuna göre, DD = RD + DS + RS eşitliği kullanılarak DS değeri bulunabilir. DS = DD -( RD + RS ) = 12 - (3,9+3,9) = 4,2 Ç. JFET deneyleri Deney 1: JFET in özelliklerinin incelenmesi Bu deneyde gerilim kumandalı aktif devre elemanı olan JFET'in elektriksel özellikleri incelenecektir. JFET'in G ucuna uygulanan GS geriliminin değeri O voltken D-S uçları arasından şekil 27'deki karakteristik eğride görüldüğü gibi maksimum değerde I D akımı akar.
21 Şekil 28: GS =0 'ken JFET'in DS I D karakteristik eğrisi GS =0 voltken JFET'in D-S uçlan arasından geçen akıma I DSS akımı denir. DS gerilimi O'dan itibaren artırılırken I D akımı da artar. DS gerilimi belli bir değere ulaştığında I D akımının artışı durur. I D akımının durduğu noktadaki DS gerilimi değerine p (pinch-off gerilimi) denir. JFET'e uygulanan gerilim bu elemanın dayanabileceği DSmaks değerinin üzerine çıkarılacak olursa JFET bozulur. BF245 tipi JFET için DSmaks değeri ± 30 'tur. JFET'in G-S uçları arasına uygulanan ters polarma gerilimi artırıldıkça D-S uçları arasından geçen akım şekil 29'da verilen karakterstik eğrideki gibi azalır. Şekil 29: GS gerilimi artırıldıkça JFET'ten geçen I D akımının azalışına ilişkin karakteristik eğrisi Deneyde kullanılan BF245 tipi JFET'ir elektriksel özellikleriyle ilgili karakteristik eğrileri şekil 30'da verildiği gibidir.
22 Şekil 30: BF245 tipi JFET'in elektriksel karakteristik eğrileri Şekil 30'da verilen karakteristik eğrilerden yararlanılarak JFET'in çeşitli akım, gerilim değerleri bulunabilir. Örneğin şekil 31'de verilen devrelerde I D akımını şekil 30-b'ye bakarak belirleyebiliriz. Şekil 31: GG =-1 ve GG =0 voltken I D akımının karakterisitik eğriye bakarak belirlenmesi Şekil 31 de GG kaynağı -l volt olan devrede GS =-1 ve DS =10 'tur. Bu durumda şekil 30-b'deki grafikten I D =4,3 ma bulunur, Şekil 31'de GG kaynağı 0 volt olan devrede GS -0 ve DS =10 'tur, Bu durumda şekil 30- b'deki grafikten I D =9,7 ma bulunur. Görüldüğü üzere GG kaynağının değeri 0 voltken I D akımı 9,7 ma, GG kaynağının değeri -l olduğunda ise I D akımı 4,3 ma olmaktadır. Yani G ucuna uygulanan ters polariteli gerilim artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen I D akımı azalmaktadır. Şekil 32: JFET'in çıkış karakteristiğini çıkarmak için kullanılan deney bağlantı seması JFET'in çıkış karakteristiğini ( DS -I D ) çıkarmak için şekil 32'de verilen devre kurulduktan sonra çizelge I'de verilen değerlere göre I D akımı ölçülmelidir. I akımları ölçüldükten sonra GS 'nin O, -0,5, -l, -2 değerleri için şekil 33'te verilen çıkış karakteristiği çizilebilir.
23 Çıkış karakteristiğinde görülen eğrilere göre BF245 tipi JFET'in, p gerilimi yaklaşık 2 volttur. GS = 0 voltken D-S arasından geçen I DSS akımı yaklaşık 6,8 ma'dir. GS gerilimi -2 olduğunda I D akımı 0 A olmaktadır. DS () DS () DS () DS () DS () DS () ,5 0 1,8 0,5-1 0, , , , , , , , , , , , , , , , , ,7 0-0, ,5-0,5 1,4 0, ,5 2, ,5 3, ,5 3, ,5 4, ,5 4, ,5 5, ,5 5, ,5 5, ,5 5, Çizelge1: JFET in çıkış karakteristiğini çizebilmek için faklı DS ve GS değerlerine göre bulunan I D akımları. Şekil 33'e bakarak BF245 tipi JFET'in hangi aralıklarda "gerilim kontrollü direnç" ve "gerilim kontrollü akım kaynağı" olarak çalıştığıda belirlenebilmektedir. Çizelge 1' deki değerlere bakarak herhangi bir DS değerine göre JFET'in transfer karakteristiğini de çizebiliriz. Burada örnek olarak DS değerini 10 kabul edip transfer karakteristiğini çizelim, DS = 10 olduğunda, GS = 0 için I D = 6,8 ma, GS = -0,5 için I D = 5,2 ma, GS = -1 için I D = l,7ma, GS = -2 için I D = 0 Şekil 34: N kanal JFET'in transfer karakteristiği
Bölüm 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili Transistörler)
Bölüm : JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili Transistörler) A. JFET (FET) lerin yapısı ve karakteristiği. Transistör (BJT, Bipolar Junction Transistor) hakkında temel bilgi Transistör B (beyz) ucuna uygulanan
DetaylıMOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı
MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin
DetaylıBölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri 7.1 DENEYİN AMACI (1) JFET in temel karakteristiklerini anlamak. (2) MOSFET in temel karakteristiklerini anlamak. 7.2 GENEL BİLGİLER 7.2.1 Yeni Terimler: (1) JFET
DetaylıDENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları
Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir
DetaylıBu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.
DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıBölüm 8 FET Karakteristikleri
Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri
DetaylıFET Transistörün Bayaslanması
MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıDeney 2: FET in DC ve AC Analizi
Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken
DetaylıDENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ Alan Etkili Transistör (FET) Alan etkili transistörler 1 bir elektrik alanı üzerinde kontrolün sağlandığı bir takım yarıiletken aygıtlardır. Bunlar iki çeşittir:
DetaylıMOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11
MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.
DetaylıGERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ
GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine
Detaylı* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.
Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
Detaylıİletken, Yalıtkan ve Yarı İletken
Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıElektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,
YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıYarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;
1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıFET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9
FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ Hafta 9 Prof. Dr. Mehmet Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği 1 Alan-Etkili Tranzistörler (FET ler) Hatırlanacağı üzere
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıDENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ
DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
Detaylı(BJT) NPN PNP
Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
Detaylı1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Yarı İletken Diyotlar 1.1 Giriş 1.2. Yarı İletkenlerde Akım Taşıyıcılar 1.3. N tipi ve P tipi Yarı İletkenlerin Oluşumu 1.4. P-N Diyodunun Oluşumu 1.5. P-N Diyodunun Kutuplanması
DetaylıTRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)
TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden
DetaylıDENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.
DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) :
BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
DetaylıValans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.
Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,
DetaylıZENER DİYOTLAR. Hedefler
ZENER DİYOTLAR Hedefler Bu üniteyi çalıştıktan sonra; Zener diyotları tanıyacak ve çalışma prensiplerini kavrayacaksınız. Örnek devreler üzerinde Zener diyotlu regülasyon devrelerini öğreneceksiniz. 2
DetaylıBÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ
BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıKOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri
Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıBölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.
Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
Detaylı2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?
1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıBÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER
BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER 7.1 GİRİŞ Diyot ve transistörler gibi yarıiletken elemanlara ek olarak, özel uygulamalar için birçok değişik tipte yarıiletken elemanlar geliştirilmiştir. Bunlar arasında;
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 3 Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Not: Solda gösterilen devre Temel Yarı İletken Elemanlar dersi laboratuvarında yaptığınız 5. deneye ilişkin devre olup,
DetaylıELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ
EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini
DetaylıMOSFET Karakteristiği
Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıT.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.
DetaylıElektrik Devre Lab
2010-2011 Elektrik Devre Lab. 2 09.03.2011 Elektronik sistemlerde işlenecek sinyallerin hemen hepsi düşük genlikli, yani zayıf sinyallerdir. Elektronik sistemlerin pek çoğunda da yeterli derecede yükseltilmiş
DetaylıRF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ
RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama
DetaylıŞekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi
FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...
ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...olarak polarmalandırılması gerekir. Yukarıdaki boşluğa aşağıdakilerden
Detaylı7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI
7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme oç. r. Ersan KABALCI 1 Genel FET Öngerilimleme evreleri JFET abit Öngerilim evresi Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Ayarlamalı MOFET (-MO) Kendinden
DetaylıBölüm 1. Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları
Bölüm Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları. Temel Elektriksel Büyüklükler: Akım, Gerilim, Güç, Enerji. Güç Polaritesi.3 Akım ve Gerilim Kaynakları F.Ü. Teknoloji Fak. EEM M.G. .. Temel
DetaylıMultivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör
Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ
BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ Hedefler DC polarma devrelerinin amacını, avantajlarını ve çalışma prensipleri anlayacaksınız Sabit Beyz Polarmalı ve Emiteri Kararlı DC Polarma Devrelerinin hesaplamalarını
DetaylıBu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.
TRANZİSTÖRLERİN ÇALIŞMASI VE KARAKTERİSTİKLERİ Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir. Temel kavramlar PNP ve NPN olmak üzere iki çeşit BJT tranzistör vardır.
DetaylıREZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc
KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
DetaylıBMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıTRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)
TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT) Transistörler, katı-hal devre elemanlarıdır. Genelde transistör yapımında silisyum ve germanyum kullanılmaktadır. Bu dokümanımızda bipolar Jonksiyon transistörlerin temel yapısı
DetaylıTEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET
TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET EBE-211, Ö.F.BAY 1 Temel Elektriksel Nicelikler Temel Nicelikler: Akım,Gerilim ve Güç Akım (I): Eletrik yükünün zamanla değişim oranıdır.
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini
ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon
DetaylıT.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. Sümeyye
DetaylıF AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER
ALTERNATİF AKIM DEVRELERİ A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER Alternatif akım devrelerinde akımın geçişine karşı üç çeşit direnç (zorluk) gösterilir. Devre elamanları dediğimiz bu dirençler: () R omik
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıT.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU
T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
DetaylıBÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)
BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda
DetaylıDeney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:
Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları Amaç: Diyot elemanını ve çeşitlerini tanımak Diyotun çalışma mantığını kavramak Diyot sağlamlık kontrolü İleri kutuplama, geri kutuplama ve gerilim düşümü. Araç
DetaylıT.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT
T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ Deneyin Amacı: DENEY-1:DİYOT Elektronik devre elemanı olan diyotun teorik ve pratik olarak tanıtılması, diyot
Detaylı1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
Detaylı