ELEKTRONİK DERS NOTU (DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT LER)
|
|
- Mehmed Kaner
- 4 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 ELEKTRONİK DERS NOTU (DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT LER)
2 BÖLÜM-III DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT LER Giriş: Transistörlü bir yükseltecin analizi ve tasarımı için dc veya ac tepkisini bilmek gereklidir. Transistörün dıştan bir enerji kaynağının yardımı olmadan uygulanan ac girişin seviyesini yükselttiğini düşünmek yanlıştır. Gerçekte, çıkışın yükseltilmiş güç seviyesi uygulanan dc kaynağın enerjisinin aktarılması sonucudur. Bir transistörün dc analizinin gerçekleştirilebilmesi için bilinmesi gereken değer ve formüller aşağıda verilmiştir. V BE = 0.7V (3.1) I E = 1 + β I B + I C (3.2) I C = βi B (3.3) 2
3 DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT LER Transistörlü yükselteçlerde dc akım ve dc gerilim, uygulanan sinyalin yükseltilmesinde kullanılacak bölgedeki çalışma noktasını oluşturacaktır. Çalışma noktası karakteristik eğride sabit bir nokta olduğu için bu noktaya hareketsiz (quiescent) nokta denir ve Q ile gösterilir. Şekil 3.1 de ortak-emitörlü yapıya ait karakteristik eğri verilmiştir. Bu eğrideki kesikli çizgiler ile ayrılmış bölüm aktif bölgeyi diğer kısımlar ise kesim ve doyum bölgelerini ifade etmektedir. Aktif Kesim Doyum BE İleri ön-gerilimli Ters ön-gerilimli İleri ön-gerilimli CB Ters ön-gerilimli Ters ön-gerilimli İleri ön-gerilimli Şekil 3.1 Ortak Emitörlü yapıya ait karakteristik eğri 3
4 DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT LER Kutuplama Devreleri-Sabit Eğilimlemeli Yapı: Şekil 3.2 ile verilen devre en basit dc eğilimleme devresidir. Devrede npn transistör kullanılmıştır. Bütün akımların yönleri ve gerilim kutuplarının yönü değiştirilerek pnp transistör için hesaplamalar aynen yapılabilir. DC analizde kapasitörler açık devre kabul edilerek analiz yapılabilir. Çünkü dc durumda kapasitörün reaktansı sonsuzdur. I. Yol denklemi I. Yol II. Yol V CC I B R B V BE = 0 V CC V BE R B II. Yol denklemi V CC I C R C V CE = 0 V CE = V CC I C R C Şekil 3.2 Sabit eğilimlemeli devre Şekil 3.3 devrenin dc eşdeğeri V CE = V C V E V BE = V B V E 4
5 DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT LER Örnek 3.1: Şekil 3.4 ile verilen sabit eğilimleme devresinde V CC = 12V, R B = 240kΩ, R C = 2.2kΩ olduğuna göre; baz (I B ) ve kollektör (I C ) akımı ile kollektör-emitör arası gerilimi (V CE ), Baz gerilimini (V B ), kollektör gerilimini (V C ) ve baz-kollektör gerilimini (V BC ) bulunuz. I. Yol denklemi V CC I B R B V BE = 0 V CC V BE R B kΩ = μA I C = β μA = 2. 35mA V CC I C R C V CE = 0 II. Yol denklemi V CE = V CC I C R C = mA 2.2kΩ = 6. 83V V CE = V C V E V E = 0 olduğundan; V BE = V B V E V CE = V C = 6. 83V Şekil 3.4 Sabit eğilimlemeli devre V BE = V B = 0. 70V V BC = V B V C V BC = = 6. 13V 5
6 Yük Hattı Analizi: yük hattı analizinde; I C = 0 ise (kesim durumu), V CE = V CC 0 R C V CEmax = V CC olur. V CE = 0 ise (doyum durumu), 0 = V CC I C R C I Cmax = V CC R C V CC I C R C V CE = 0 Yük Hattı Analizi: yük hattı analizinde; Sabit V CC ve R B değerleri için R C değişimlerine karşılık çalışma noktaları (Şekil 3.6); Şekil 3.5 Sabit eğilimlemeli yük hattı Şekil 3.6 Artan bir R C seviyesinin yük hattına etkisi ve Q- noktaları. 6
7 Yük Hattı Analizi: Yük Hattı Analizi: yük hattı analizinde; Farklı I B değerleri için yük hattı ve çalışma noktaları (Şekil 3.7); Yük Hattı Analizi: yük hattı analizinde; Farklı V CC değerleri için yük hattı ve çalışma noktaları (Şekil 3.8); Şekil 3.7 Artan bir I B akımının yük hattına etkisi ve Q-noktaları. Şekil 3.8 Farklı V CC nin değerleri için yük hattı ve Q-noktaları 7
8 Emitöründe direnç olan sabit eğilimlemeli yapı: Şekil 3.9 da verilen devrenin çalışmasını analiz etmek için devrenin baz-emitör ile kollektör-emitör çevresi ayrı ayrı ele alınmalıdır. I. Yol denklemi (baz-emitör) V CC I B R B V BE I E R E = 0 I E = β + 1 I B için V CC I B R B V BE β + 1 I B R E = 0 V CC V BE R B + β + 1 R E II. Yol denklemi(kollektör-emitör) V CC I C R C V CE I E R E = 0 I E I C için Şekil 3.9 Emitör direnci eklenmiş Sabit eğilimlemeli devre V CE = V CC I C (R C + R E ) 8
9 Örnek 3.2: Şekil 3.10 ile verilen devrede V CC = 20V, R B = 430kΩ, R C = 2kΩ, R E = 1kΩ olduğuna göre; I B, I C, V CE, V B, V C, V E ve V BC yi bulunuz. I. Yol denklemi V CC I B R B V BE β + 1 I B R E = 0 V CC V BE R B + β + 1 R E kΩ kΩ = 40. 1μA I C = β μA = 2. 01mA II. Yol denklemi(kollektör-emitör) V CC I C R C V CE I E R E = 0 V CE = V CC I C (R C + R E ) Şekil 3.10 V CE = mA (2kΩ + 1kΩ) V CE = V I C = βi B 9
10 Örnek 3.2: Şekil 3.10 ile verilen devrede V CC = 20V, R B = 430kΩ, R C = 2kΩ, R E = 1kΩ olduğuna göre; I B, I C, V CE, V B, V C, V E ve V BC yi bulunuz. V C = V CC I C R C V C = 20 (2.01mA)(2kΩ) V C = V V CE = V CC I C (R C + R E ) V E = V C V CE V E = = 2. 01V V B = V BE + V E V B = = 2. 71V Şekil 3.10 V BC = V B V C V BC = = V 10
11 Örnek 3.3: Örnek 3.1 ve Örnek 3.2 için β nın 50 ve 100 değerleri için eğilimleme gerilimlerini ve akımlarını hesaplayarak bir tablo oluşturunuz. β daki değişim için I C ve V CE değerlerini karşılaştırınız kΩ = μA Örnek 3.1 β=50 için; kΩ kΩ = 40. 1μA β=50 için; Örnek 3.2 I C = β μA = 2. 01mA I C = β μA = 2. 35mA V CE = mA 2kΩ + 1kΩ = V V CE = V CC I C R C = mA 2.2kΩ = 6. 83V β=100 için; β=100 için; kΩ kΩ = 36. 3μA I C = β μA = 4. 71mA V CE = V CC I C R C = mA 2.2kΩ = 1. 64V β I B (μa) I C (ma) V CE (V) I C = β μA = 3. 63mA V CE = mA 2kΩ + 1kΩ = 9. 11V β I B (μa) I C (ma) V CE (V)
12 Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı: Sabit eğilimleme yapısında eğilimleme akımı I CQ ve gerilimi V CEQ transistörün akım kazancı β nın fonksiyodur. Ancak, özellikle silikon transistörlerde β sıcaklığa duyarlı olduğu için β nın gerçek değeri genellikle tam olarak tanımlı değildir. Transistörün akım kazancı β ya az bağımlı, hatta bağımsız bir eğilimleme devresi istenen bir durumdur. Şekil 3.11 de verilen gerilim bölücü eğilimleme devresi böyle bir devredir. Devrenin analizi yapılacak olursa; Tam Analiz I I 1, I 2, I B akımları bulunur. Bilinmeyen sayısı üç olduğu için çözüm için üç denkleme ihtiyaç vardır. B V CC I 1 R 1 I 2 R 2 = 0 V CC I 1 R 1 V BE 1 + β I B R E = 0 I E = β + 1 I B için I 1 = I 2 + I B I 2 R 2 V BE 1 + β I B R E = 0 Denklemleri kullanılarak I B hesaplanır ve V CE ; Şekil 3.11 Gerilim bölücü eğilimleme yapısı V CE = V CC I C R C + I E R E şeklinde yazılır. 12
13 Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam) B Tam Analiz II Şekil 3.11 deki devre Şekil 3.12 de gösterildiği gibi yeniden çizilecek olursa; B noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (E TH ) ve Thevenin eşdeğer direnci (R TH ) bulunarak I B, I C ve I E hesaplanır. Şekil 3.12 Gerilim bölücü yapının dc bileşenleri E TH = V CCR 2 R 1 + R 2 R TH = R 1 //R 2 E TH I B R TH V BE I E R E = 0 I E = β + 1 I B için V CE = V CC I C R C + I E R E E TH V BE R TH + β + 1 R E V CE V CC I C (R C + R E ) 13
14 Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam) Yaklaşık Analiz Şekil 3.12 de verilen devrede B noktasının gerilimi (V B ) aşağıdaki gibi hesaplanabilir. V B = V CCR 2 R 1 + R 2 B Eğer βr E 10R 2 koşulu sağlanıyorsa yaklaşık analiz yapılabilir. durumda V B hesaplandıktan sonra V E aşağıdaki gibi hesaplanabilir. Bu V E = V B V BE Şekil 3.12 Gerilim bölücü yapının dc bileşenleri I E = V E R E I CQ I E V CE = V CC I C R C + I E R E V CE V CC I C (R C + R E ) 14
15 Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam) Örnek 3.4: Şekil 3.13 ile verilen devrede I C akımını ve V CE gerilimini bulunuz. Tam Analiz II B noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (E TH ) ve Thevenin eşdeğer direnci (R TH ) E TH = V CCR 2 R 1 + R 2 = (22V)(3.9kΩ) 39kΩ + 3.9kΩ = 2V B R TH = R 1 //R 2 R TH = E TH V BE R TH + β + 1 R E = 3.9kΩ (39kΩ) 39kΩ + 3.9kΩ = 3. 55kΩ 3.55kΩ kΩ = 8. 38μA I C = βi B Şekil 3.13 Örnek 3.4 için kullanılan devre I C = β μA = 0.84mA V CE mA 10kΩ + 1.5kΩ = V 15
16 Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam) Örnek 3.4: Şekil 3.13 ile verilen devrede I C akımını ve V CE gerilimini bulunuz. Yaklaşık analiz: Yaklaşık analiz için çözüm testi yapılırsa; βr E 10R kΩ (10)(3.9kΩ) 150kΩ 39kΩ (Yaklaşık çözüm kullanılabilir.) B V B = V CCR 2 R 1 + R 2 = (22V)(3.9kΩ) 39kΩ + 3.9kΩ = 2V V E = V B V BE = = 1.3V I E = V E R E = 1.3V 1.5kΩ = 0.867mA I CQ I E = mA Şekil 3.13 Örnek 3.4 için kullanılan devre V CE V CC I C (R C + R E ) V CE (10kΩ + 1.5kΩ) = V 16
17 Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam) Örnek 3.5: Örnek 3.4 ile verilen devrede β = 50 alınırsa I C akımını ve V CE gerilimini bulunuz. Tam Analiz II B noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (E TH ) ve Thevenin eşdeğer direnci (R TH ) E TH = 2V R TH = 3. 55kΩ E TH V BE R TH + β + 1 R E = kΩ kΩ = μA B β = 50 I C = βi B I C = β μA = 0. 81mA V CE mA 10kΩ + 1.5kΩ = V Şekil 3.13 Örnek 3.5 için kullanılan devre β I C (ma) V CE (V)
18 Ortak Kollektörlü Devrelerin Kutuplanması Önceki bölümlerde gösterilen yapılarda çıkış gerilimi tipik olarak transistörün kollektör terminalinden alınmıştı. Bu bölümde ise Şekil 3.14 te gösterildiği gibi emitör terminalinden alınmıştır. I. Yol denklemi I B R B V BE 1 + β I B R E + V EE = 0 V EE V BE R B β R E II. Yol denklemi V CE I E R E + V EE = 0 Şekil 3.14 Ortak kollektörlü yapı V CE = V EE I E R E 18
19 Ortak Kollektörlü Devrelerin Kutuplanması Örnek 3.6: Şekil 3.15 ile verilen devrede I C akımını ve V CE gerilimini bulunuz. I. Yol denklemi I B R B V BE 1 + β I B R E + V EE = 0 V EE V BE R B β R E 1 + β I E kΩ (2kΩ) = 45.73μA I E = μA = 4. 6mA Şekil 3.15 Örnek 3.6 için kullanılan devre II. Yol denklemi V CE I E R E + V EE = 0 V CE = V EE I E R E V CE = mA 2kΩ = V 19
20 Ortak Bazlı Devrelerin Kutuplanması Ortak bazlı yapıda diğerlerinden farklı olarak uygulanan sinyal emitör terminaline bağlıdır ve baz topraktadır. Bu kutuplama yöntemi çok popülerdir çünkü ac durumda düşük giriş empedansı, yüksek çıkış empedansı ve iyi bir kazancı vardır. Tipik olarak ortak bazlı yapı Şekil 3.16 de verilmiştir. Dikkat edilirse bu yapıda iki kaynak vardır. I. Yol denklemi V BE I E R E + V EE = 0 I E = V EE V BE R E II. Yol denklemi V CC I C R C V CE I E R E + V EE = 0 Şekil 3.16 Ortak bazlı yapı V CE = V CC + V EE I E (R E +R C ) 20
21 Ortak Bazlı Devrelerin Kutuplanması Örnek 3.7: Şekil 3.17 ile verilen devrede I B, I E akımlarını ve V CE, V CB gerilimlerini bulunuz. I. Yol denklemi V BE I E R E + V EE = 0 I E = V EE V BE R E I E = kΩ = 2. 75mA 1 + β I E I E 1 + β = 2.75mA (1 + 60) II. Yol denklemi = μA Şekil 3.17 Örnek 3.7 için kullanılan devre V CE = V CC + V EE I E (R E +R C ) V CE = 10V + 4V 2.75mA 1.2kΩ + 2.4kΩ = 4. 1V V CB = V CC I C R C V CB = V CC βi B R C = 10V μA 2.4kΩ = 3. 51V 21
22 PNP transistörün kutuplaması Şekil 3.18 ile verilen devrenin analizi için KGK yazılırsa; I. Yol denklemi I E R E + V BE I B R B + V CC = β I E V CC + V BE R B β R E II. Yol denklemi I E R E + V CE I C R C ( V CC ) = 0 I C I E V CE = V CC + I C (R C +R E ) Şekil 3.18 PNP transistörün Kutuplaması 22
23 Örnek 3.8: Şekil 3.19 ile verilen devrede I B, I E akımlarını ve V CE, V CB gerilimlerini bulunuz. Tam Analiz II B noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (E TH ) ve Thevenin eşdeğer direnci (R TH ) E TH = V CCR 2 = 18V 10kΩ R 1 + R 2 47kΩ + 10kΩ = 3. 16V R TH = 47kΩ//10kΩ = 8. 25kΩ I B 8.25k 3.16V + 0.7V 8.25kΩ kΩ = 17. 4μA -3.16V V EB 1.1k I C = β μA = 2. 09mA Şekil 3.19 Örnek 3.8 için kullanılan devre I E I E R E V CE I C R C + V CC = 0 V CE = V CC + I E (R E + R C ) V CE = mA 3.5kΩ = 10.69V 23
24 Çok Katlı Kuvvetlendiriciler Örnek 3.9: Şekil 3.20 ile verilen devrede I B, I E ve I C akımlarını β 1 = β 2 = 100 için bulunuz. V cc 20V B1 noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (E TH ) ve Thevenin eşdeğer direnci (R TH ) R3=27.9k RC2=2k C3 R1=82.4k RC1=8k B 2 I C 2 Q 2 v 0 E TH1 = V CCR 2 R 1 + R 2 = kΩ 82.4kΩ kΩ = 2. 82V I C1 B v 1 i Q1 C1 C2 R4=4.5k RE2=1k R TH1 = 82.4kΩ//13.5kΩ = 11. 6kΩ R2=13.5k RE1=2k I B1 = E TH1 = I B1 R TH1 + V BE β I B1 R E1 E TH1 V BE R TH R E1 = kΩ kΩ 10μA Şekil 3.20 Örnek 3.9 için kullanılan kaskat devre I C1 = βi B1 = μA = 1mA I E1 = 1 + β I B1 = μA = 1. 01mA 24
25 Çok Katlı Kuvvetlendiriciler Örnek 3.9: Şekil 3.20 ile verilen devrede I B, I E ve I C akımlarını β 1 = β 2 = 100 için bulunuz. (devam) V cc 20V B2 noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (E TH ) ve Thevenin eşdeğer direnci (R TH ) R3=27.9k RC2=2k C3 R1=82.4k RC1=8k B 2 I C 2 Q 2 v 0 E TH2 = V CCR 4 R 3 + R 4 = kΩ 27.9kΩ + 4.5kΩ = 2. 78V I C1 B v 1 i Q1 C1 C2 R4=4.5k RE2=1k R TH2 = 27.9kΩ//4.5kΩ = 3. 88kΩ R2=13.5k RE1=2k I B2 = E TH2 = I B2 R TH2 + V BE β I B2 R E2 E TH2 V BE R TH R E2 = kΩ kΩ 20μA Şekil 3.20 Örnek 3.9 için kullanılan kaskat devre I C2 = βi B2 = μA = 2mA I E2 = 1 + β I B2 = μA = 2. 02mA 25
26 Çok Katlı Kuvvetlendiriciler Ödev: Şekil 3.20 ile verilen devrede I C2 akımını 2mA yapacak R4 direncinin değerini β 1 = β 2 = 250 ve V BE = 0.6V için bulunuz. V cc 20V R4 I 1 R5=4.7k R6=47 C3 R1=10k v 0 I B2 I C 2 Q 2 I B1 I C1 v i C1 Q 1 R7=4.7k R2=100 R3=4.7k Şekil 3.21 Ödev için kullanılan kaskat devre 26
27 KAYNAKLAR Pastacı, H. 2015, ELEKTRONİK, Nobel Yayın, 1. Baskı Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011, ELEKTRONİK CİHAZLAR VE DEVRE TEORİSİ, Palme Yayıncılık, (Onuncu Baskıdan Çeviri), Çevirenler: Adnan Köksal (Ed.), Ahmet Selçuk, Sevda Özdemir, Şölen KumbayYıldız, Gürhan Bulu. 27
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
Detaylı* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.
Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--
ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6 --Thevenin Eşdeğer Devresi-- DENEYİN AMACI Deneyin amacı iki terminal arasındaki gerilim ve akım ölçümlerini yaparak, Thevenin eşdeğer devresini elde etmektir. GEREKLİ
DetaylıBLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 8 BJT TRANZİSTÖRLERLÜ KUVVENLENTİRİCİLER (YÜKSELTEÇLER) II Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof.
DetaylıHafta 5 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 5 TRANZİSTORLARIN KUTUPLANDIRILMASI (ÖN GERİLİMLENMESİ) (EĞİLİMLENDİRİLMESİ) Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 16.03.2015 BSM
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıBu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.
TRANZİSTÖRLERİN ÇALIŞMASI VE KARAKTERİSTİKLERİ Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir. Temel kavramlar PNP ve NPN olmak üzere iki çeşit BJT tranzistör vardır.
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ
BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ Hedefler DC polarma devrelerinin amacını, avantajlarını ve çalışma prensipleri anlayacaksınız Sabit Beyz Polarmalı ve Emiteri Kararlı DC Polarma Devrelerinin hesaplamalarını
DetaylıDENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER
DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER 1. Amaç Bu deneyin amacı, lineer (doğrusal) kuvvetlendiricilerde kullanılan BJT kuvvetlendirici devresinin devre girişine uygulanan zamanla değişen bir küçük işareti kuvvetlendirmesi
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıDENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk
DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk AMAÇLAR Bipolar transistorleri kullanarak güncel bazı kutuplama devreleri tasarımı ve analizi. Kutuplama devrelerinin sıcaklığa karşı kararlılık
DetaylıBÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:
ÖLÜM 6 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLEİ Konular: 6.1 Küçük sinyal yükseltme işlemi 6.2 Transistörün ac eşdeğer dereleri 6.3 Ortak emiterli yükselteç 6.4 Ortak beyzli yükselteç 6.5 Ortak kolektörlü yükselteç
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıDENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET
DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıKOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri
Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere
Detaylı5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI
5. ölüm: JT D Öngerilimleme Doç. Dr. rsan KAAL 1 Öngerilimleme Transistörün düzgün bir şekilde çalışması için öngerilimlenmesi gerekir. DA çalışma noktasını oluşturmak için birçok yöntem vardır. Öngerilimleme
DetaylıProf. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü
BJT YÜKSELTEÇLER (KUVVETLENDİRİCİLER) (BJT AMPLIFIERS) KÜÇÜK İŞARET ANALİZİ (AC ANALİZİ) Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 15.04.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof.
DetaylıTRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)
TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT) Transistörler, katı-hal devre elemanlarıdır. Genelde transistör yapımında silisyum ve germanyum kullanılmaktadır. Bu dokümanımızda bipolar Jonksiyon transistörlerin temel yapısı
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010
TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı
DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya
DetaylıElektronik Ders Notları 6
Elektronik Ders Notları 6 Derleyen: Dr. Tayfun Demirtürk E-mail: tdemirturk@pau.edu.tr 1 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ Konular: Transistörde DC çalışma noktası Transistörde temel polarama Beyz polarma Gerilim
DetaylıDENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ
Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ Devre Analiz yöntemlerinden olan Thevenin ve Norton teoremlerinin deneysel olarak gerçeklenmesi. Doğrusal devreleri analiz etmek
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
DetaylıBölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıV R1 V R2 V R3 V R4. Hesaplanan Ölçülen
DENEY NO : 1 DENEYİN ADI : Kirchhoff Akım/Gerilim Yasaları ve Düğüm Gerilimleri Yöntemi DENEYİN AMACI : Kirchhoff akım/gerilim yasalarının ve düğüm gerilimleri yöntemi ile hesaplanan devre akım ve gerilimlerinin
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıDENEY 4 PUT Karakteristikleri
DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. PUT karakteristiklerini ve yapısını öğrenmek. 2. PUT un çalışmasını ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek. 3. PUT karakteristiklerini ölçmek. 4.
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
Detaylı(BJT) NPN PNP
Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün
DetaylıDeneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir.
DENEY 4 THEVENİN VE NORTON TEOREMİ 4.1. DENEYİN AMACI Deneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir. 4.2. TEORİK İLGİ
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)
BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre) Lineer modda, transistör DC devreleri için aşağıdaki şekilde gösterilir: Lineer modda Base Emitter
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıMARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ
MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıR 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1
DENEY #4 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ ve MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi Kullanılan Alet ve Malzemeler: 1) DC Güç Kaynağı 2) Avometre
DetaylıEEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I
EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku
DetaylıTHEVENIN VE NORTON TEOREMLERİ. Bu teoremler en güçlü analiz tekniklerindendir EBE-215, Ö.F.BAY 1
THEVENIN VE NORTON TEOREMLERİ Bu teoremler en güçlü analiz tekniklerindendir EBE-25, Ö.F.BAY THEVENIN EŞDEĞER TEOREMİ DOĞRUSAL DEVRE Bağımsız ve bağımlı kaynaklar içerebilir DEVRE A v O _ a + i Bağımsız
DetaylıElektrik Müh. Temelleri
Elektrik Müh. Temelleri ELK184 4 @ysevim61 https://www.facebook.com/groups/ktuemt/ Elektrik Mühendisliğinin TemelleriYrd. Doç. Dr. Yusuf SEVİM 1 Thevenin (Gerilim) ve Norton (kım) Eşdeğeri macı : Devreyi
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI
DetaylıKISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1
İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 1.1. YARIİLETKEN DİYOT... 1 1.2. DİYOTUN DC MODELİ... 10 1.3. DİYOTUN ALÇAK FREKANS KÜÇÜK
DetaylıTRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)
TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) :
BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıDENEY 5: ALTERNATİF AKIMDA FAZ FARKI (R, L VE C İÇİN)
DENEY 5: ALTERNATİF AKIMDA FAZ FARKI (R, L VE C İÇİN) A. DENEYİN AMACI : Bu deneyin amacı, pasif elemanların (direnç, bobin ve sığaç) AC tepkilerini incelemek ve pasif elemanlar üzerindeki faz farkını
DetaylıEEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 04: BJT TRANSİSTÖR VE AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
Detaylı1. RC Devresi Bir RC devresinde zaman sabiti, eşdeğer kapasitörün uçlarındaki Thevenin direnci ve eşdeğer kapasitörün çarpımıdır.
DENEY 1: RC DEVRESİ GEÇİCİ HAL DURUMU Deneyin Amaçları RC devresini geçici hal durumunu incelemek Kondansatörün geçici hal eğrilerini (şarj ve deşarj) elde etmek, Zaman sabitini kavramını gerçek devrede
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
DetaylıDENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ
DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi. Maksimum güç transferi teoreminin geçerliliğinin deneysel
Detaylı12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI
Wheatstone Köprüsü ile Direnç Ölçümü 12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI Orta değerli dirençlerin (0.1Ω
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıBölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri
Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıBu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.
Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır. Uygulama -1: Dirençlerin Seri Bağlanması Uygulama -2: Dirençlerin Paralel Bağlanması Uygulama -3: Dirençlerin Karma Bağlanması Uygulama
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıBölüm 1. Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları
Bölüm Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları. Temel Elektriksel Büyüklükler: Akım, Gerilim, Güç, Enerji. Güç Polaritesi.3 Akım ve Gerilim Kaynakları F.Ü. Teknoloji Fak. EEM M.G. .. Temel
Detaylı11. Sunum: İki Kapılı Devreler. Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık
11. Sunum: İki Kapılı Devreler Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık 1 Giriş İki kapılı devreler giriş akımları ve gerilimleri ve çıkış akımları
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıDENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ
DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ 8.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde fark yükselteçleri analiz edilecek ve girşçıkış sinyalleri incelenecektir. 8.2 TEORİK BİLGİ Fark yükselteçleri birçok entegre devrelerde kullanılan
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
DetaylıElektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,
YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum
DetaylıARASINAV SORULARI. EEM 201 Elektrik Devreleri I
Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü 2017-2018 EĞĠTĠM- ÖĞRETĠM YILI YAZ OKULU ARASINAV SORULARI EEM 201 Elektrik Devreleri I Tarih: 04-07-2018 Saat: 11:45-13:00 Yer: Merkezi Derslikler
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI
ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 2 Thevenin Eşdeğer Devreleri ve Süperpozisyon İlkesi 1. Hazırlık a. Dersin internet sitesinde yayınlanan Laboratuvar Güvenliği ve cihazlarla ilgili bildirileri
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
DetaylıDC DEVRE ÇÖZÜM YÖNTEMLERİ
DC DEVRE ÇÖZÜM YÖNTEMLERİ Elektrik devresi, kaynak ve yük gibi çeşitli devre elemanlarının herhangi bir şekilde bağlantısından meydana gelir. Bu gibi devrelerin çözümünde genellikle, seri-paralel devrelerin
Detaylı1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve
Detaylı