Yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinde ve Hubbard modelinde d(x 2 y 2 ) simetrili süperiletkenlik

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "Yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinde ve Hubbard modelinde d(x 2 y 2 ) simetrili süperiletkenlik"

Transkript

1 Yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinde ve Hubbard modelinde d(x 2 y 2 ) simetrili süperiletkenlik Nejat Bulut İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Urla, İzmir Ç yılındaki keşiflerinden buyana yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinin elektronik yapısını inceleyen birçok deneysel çalışma yapılmıştır. Bu deneyler göstermiştir ki yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinde Cooper çiftlerinin dalgafonksiyonu d(x 2 y 2 ) simetrisine sahiptir. Bu sonuç ise yüksek-sıcaklık süperiletkenliğinin mekanizmasını anlamak için önemli ipuçları verir, çünkü d(x 2 y 2 ) simetrili süperiletkenliğe sebep olabilecek sadece birkaç çeşit mikroskopik mekanizma bulunmaktadır. Bunların arasında en olası olanı ise fermiyonlar arasında spin dalgalanmalarının değiş tokuşundan kaynaklanır. Günümüzde yüksek-sıcaklık superiletkenliğini anlamak için gerekli olan en yalın mikroskopik modelin iki-boyutlu Hubbard modeli olduğu varsayılmaktadır. Maalesef, bu modelin yakınlaştırma yapmaksızın tam çözümüne ulaşmak henüz mümkün değil. Fakat iki tane Hubbard zincirinin birleştirilmesiyle oluşan Hubbard merdiveni için sayısal yoğunluk-matrisi renormalizasyon grubu ve kuantum Monte Carlo yöntemlerini kullanarak tam çözüme ulaşmak mümkün. Uygun model parametreleri seçildiği zaman Hubbard merdivenin de fermiyonlar arasında kuvvetli d(x 2 y 2 ) simetrili süperiletkenlik bağlantıları gözlenmiştir. Burada çok-tanecik fiziğinin sayısal yöntemlerini kullanarak Hubbard merdivenindeki d(x 2 y 2 ) simetrili süperiletkenlik hakkında neler öğrendiğimizi ve bunların bakır-oksit tabanlı materyallerde gözlenen yüksek-sıcaklık süperiletkenliği için ne anlama geldiğini konuşacağım. Özellikle d(x 2 y 2 ) simetrili süperiletkenliğin gücünün nasıl belirlendiğini inceleyeceğiz. Göreceğimiz sayısal sonuçlar d(x 2 y 2 ) simetrili süperiletkenliğin oluşumunda spin dalgalanmalarının önemini vurgulamaktadır. 1

2 Ç02 Grafen: Karbon tülünün sihiri İsmet İ. Kaya Sabancı Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, İstanbul Grafen üzerine yapılan bilimsel ve teknolojik araştırmalar son yıllarda hızla artmaktadır. Temel ve uygulamalı yoğun madde fiziğinin gözbebeği haline gelen bu malzemeye bu denli ilgi duyulmasının en önemli nedeni ise gelecekte önemli uygulama alanları bulabileceğine dair yaygın bir kanaat oluşmasıdır. Bu yılki Nobel ödülü de bu malzeme üzerinde elde ettikleri ilginç deneysel sonuçlarla 2004 yılında grafen çığırını başlatan Geim ve Novoselov a verilmiştir. Bu konuşmamda grafenin sıradışı özellikleri ve bu özelliklerin ne tür potansiyel uygulamalarda işe yarayabileceğinden bahsedeceğim. Grafenin uygulama alanı bulabilmesi için ucuz, çok miktarda ve üstün nitelikli üretebileceği tekniklerin geliştirilmesi gerekmektedir. Grafitten ayrıştırmayla, epitaksiyel olarak ve kimyasal buhar çöktürmesiyle grafen üretim tekniklerindeki gelişmeleri ve ve bu alanlarda yapmakta olduğumuz araştırmaları özetleyeceğim. Konuşmanın son kısmında grafende kuantum Hall etkisi, uygulamaları ve bu etkinin yüksek akımlarda çökmesi konusunda aldığımız verileri anlatacağım. 2

3 Yüksek çözünürlüklü mikroskopi ve spektroskopi yöntemlerinin biyolojik örnek analizinde uygulamaları Alpan Bek Orta Doğu Teknik Üniversitesi - Fizik Bölümü, Ankara Ç03 Son yıldır bilimcilerin yüksek çözünürlüklü veri toplamadaki yeterlikleri teknik gelişime paralel olarak büyük ölçüde artış göstermiştir. 20. yüzyılın sonlarında atom-altı konumsal ve attosaniye zamansal çözünürlük hayatımıza girmiş bulunuyor. Fizikte ve kimyada olduğu gibi günümüzde biyolojide de, belki daha fizik ve kimyadan da büyük ölçüde, önceleri mümkün olmayan detayda gittikçe küçülen ölçütlerde veri toplama yeteneğinden faydalanılmaktadır. Örneğin katlanmış bir proteinin üstyapısından bu proteinin fibril çökeltilerinin (Şekil 1) üstyapısına uzanan bilgi birikimi bilimcilerin moleküler yapı düzeyinden başlayarak hücre düzeyine kadar uzanan akıllı ilaç dağıtım tasarımları yapmalarına yardım etmektedir [1]. Hücrelerin mikroskopik düzeyde moleküler ve fonksiyonel haritalarının çıkarılması [2] artık günümüzde bilim kurgu değil bir laboratuvar rutini haline gelmektedir (Şekil 2). Şekil 1: Prion protein oligomer ve fibrillerinin atomik kuvvet mikroskopu görüntüleri Bu konuşmada biyolojik sistemlerin yüksek çözünürlükte mikroskopik ve spektroskopik görüntülenmelerinden birkaç örnek sunulacaktır ve büyük hacimli deneylere yüksek çözünürlüklü, küçük hacimli verinin nasıl tamamlayıcı destek oluşturduğu gösterilecektir. Şekil 2: Nöronların çeşitli bantlarda mikroskopik kızılötesi emilim haritaları Kaynakça 1. M. Polano, A. Bek, F. Benetti, M. Lazzarino, G. Legname, Structural Insights Into Alternate Aggregated Prion Protein Forms, Journal of Molecular Biology 393, (2009). 2. A. Didonna, L. Vaccari, A. Bek, G. Legname, "Infrared Microspectroscopy: a multiple-screening platform for investigating single-cell biochemical perturbations upon prion infection", ACS Chemical Neuroscience, 2 (3), (2011). 3

4 Ç04 Kuantum nokta ve kuantum sınırlı safsızlık atomlarının terahertz uygulamaları Bülent Aslan Anadolu Üniversitesi Fizik Bölümü, Yunusemre Kampüsü, Eskişehir Terahertz (THz) frekans bölgesi, son yıllarda hızla artan sayıdaki çalışmalara rağmen elektromanyetik tayfın en az gelişmiş bölgesidir. Sahip olduğu büyük potansiyelin kullanılabilmesi için, THz bölgede çalışan ışık kaynaklarına ve algılayıcılarına ihtiyaç vardır. Bu amaç doğrultusunda yürütülen çalışmalarda, kuantum kuyu ve kuantum nokta yarıiletken nano-yapılar önemli yer tutmaktadır. Bunun sebebi, temel olarak yarıiletken nano-yapıların özelliklerinin, katman yapılarının, katkı türü ve miktarlarının farklı şekillerde tasarlanarak istenilen bölge için ayarlanabilmesidir. Kuantum kuyu yapılarının büyütülmesindeki tecrübe ve rahatlık, kuantum noktaların atom benzeri enerji seviyelerinin sağladığı avantajlarla birleştirilebilir. Bu amaçla, kuantum kuyu içine katkılanmış az miktardaki safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri THz uygulamalarda kullanılabilir. Kuantum kuyu içindeki bu bağlanma enerjilerinin birkaç mev mertebesinden mev mertebesine kadar değiştirilebilmesiyle dipol izinli (1s 2p) geçişlerini aktif mekanizma olarak kullanan aygıtlar üretilebilir. Bu konuşma, THz üretimi algılaması için kuantum nokta içeren yeni yapılara ve benzeri yaklaşımlara odaklanacaktır. Eşik akım yoğunluğunun düşük olması, yüksek sıcaklıkta çalışabilirliği, yüksek diferansiyel kazanç mekanizması ve dalgaboyu ayarlanabilirliği gibi potansiyel avantajlarının olması, kuantum nokta yapıları THz bölge uygulamalarında kullanılmak üzere umut veren bir aday yapmaktadır. GaAs içinde kendiliğinden oluşan InAs kuantum nokta yapılar üzerinden tınlaşım tünelleme olayının gözlenmesi, kuantum noktayapıların THz uygulamalarda kullanılmasının ilk adımı olarak tartışılacaktır. InAs/GaAs kuantum noktaların enerji seviyelerin, büyütme sonrası gerçekleştirilen ısıl işlem sonucunda ayarlanabileceği bir dedektör yapısında gösterilmiştir. Benzer şekilde, çift engelli bir kuantum kuyu tınlaşım tünelleme diyot yapısı, THz bölgedeışıma yapan yayıcılar için ön aşama olarak sunulacaktır. Bu yapıda, safsızlık atomları üzerinden tünelleme akımının gözlenmesi sonraki aşamalar için kritik önem taşımaktadır.verici destekli tünelleme işleminde, dışarıdan uygulanan voltajın etkisiyle kuantum kuyu içindeki 2p-benzeri verici seviyesine geçen elektronlar, 1s-benzeri taban durumuna geçiş yaparak foton yayarlar. THz bölgedeki fotonların algılanması çalışmalarında ise (1s 2p) geçişlerini kullanan yanal taşıyıcı iletimine dayalı çoklu kuantum kuyu yapılar kullanılır. Son olarak, verici katkı atomlarıyla katkılanmış GaAs/AlGaAs kuantum kuyuların THz bölgedeki lineer olmayan (nonlinear) optik özelliklerinin incelendiği hesaplamalar tartışılacaktır. Yapılan hesaplamalar, kuyu genişliği ve/veya Al konsantrasyonu arttıkça lineer olmayan optik alınganlığın azaldığını göstermektedir. Benzer şekilde, kuyu içindeki katkı merkezinin pozisyonu kuyu kenarlarına kaydırıldıkça lineer olmayan optik alınganlık azalmaktadır. Ek olarak, büyütme doğrultusunda uygulanan manyetik alanın 2p± enerjilerindeki çakışıklılığı kaldırdığı ve böylece büyük ve ayarlanabilir lineer olmayan değer katsayısı (nonlinear figure of merit) elde edilebileceği gösterilmiştir. 4

5 S01 Kuantum Hall tabanlı Aharonov Bohm spektroskopisi: Kuram ve deney A. Sıddıki İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Vezneciler, İstanbul Aharonov Bohm spektroskopisi sanki-parçacıkların kuantum istatiksel özelliklerinin tamsayılı ve kesirli kuantize Hall rejimlerinde incelenmesinde önemli bir araçtır. Konuyla ilgili araştırmalar özellikle Abelyen olmayan (non-abelian) durumların topolojik kuantumbilgi işlenmesine yol açacağı öngörüsü üzerinde yoğunlaşmaktadır.ancak, etkileşimlerin bu kuantum durumlarını kuantize Hall şartları altında nasıl etkilediği hal-i hazırda araştırılmaktadır. Bu konuşmada faz bağımlı manyeto-transport deneyleri ile birlikte elektron elektron etkileşimlerini de hesaba katan öz-uyumlu çözüm yöntemleri kısaca anlatılacaktır. Odak nokta, doğrusal olmayan fakat eş evreli (coherent) olan kenar durum taşınımı olacaktır. Bu rejim mevcut araştırma etkinliklerinin epeyce ötesindedir. Deneyler, GaAs heteroyapıda oluşturulan iki boyutlu elektron gölcüğünde (noktasında) tanımlı Aharonov Bohm interferometrelerinde gerçekleştirilmektedir. Bu aygıt aynı zamanda kuantum anahtarı olarak da kullanılabilecektir. Kuantum Hall kenar durumları faz eş evresini (phase coherent) korumaktadır ve interferometrenin kolları olarak düşünülmektedir. Elektron gölcüğünün geometrisi ve kenar durumların doğası yüzey kapılarına uygulanan gerilim ile kontrol edilebilmektedir. Bu alan etkili teknik, tuzaklama potansiyelinin dikliğini kontrol etmemize olanak sağlamakta ve bu sayede her bir interferometre kolununa simetrik olarak tanımlanmasına imkan vermektedir. Bu deneyleri yapmak için, yüksek manyetik alanlar (B > 5 Tesla) ve düşük sıcaklıklar (T < 1.4 K) gerekmektedir. Süperiletken magnet (B ~ 20 Tesla) ve soğutucu sistem (T ~ 10 mk), İstanbul Üniversitesi Fizik bölümünde birkaç ay içerisinde hizmete girecektir ve bu konuşmada ilgililerin dikkatine sunulacaktır. 5

6 Plazma nitrürlenmiş 316L paslanmaz çeliği ve CoCrMo alaşımı üzerinde manyetik tabaka oluşumu O. Öztürk 1, S. Okur 1, J. P. Riviere 2, M. O. Liedke 3 1 Department of Physics, Izmir Institute of Technology, Urla 35430, Izmir, Turkey 2 Institute PPRIME UPR3346 CNRS, ENSMA, Universite de Poitiers, Chasseneuil- Futuroscope Cedex, France 3 Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum, Dresden- Rossendorf, P.O. Box , D Dresden, Germany S02 Östenit paslanmaz çelik (304, 310, 316) ve CoCrMo alaşım yüzeylerine 400 ºC alttaş sıcaklık civarında çeşitli iyon ışınımı metodlarıyla azotun girmesi sonucunda, bu alaşım yüzeylerinde yüksek azot içeren yarıkararlı bir faz, γ N, oluşmaktadır. γ N fazı, katı solusyon fazı veya genişletilmiş östenit fazı olarakta bilinmektedir. Bu fazı içeren tabakaların ortak özellikleri yüksek sertliğe ve aşınma dayanımına ve iyileştirilmiş korozyon dayanımına sahip olmalarıdır. Bu fazın az bilinen diğer bir özelliği ise magnetic yapısı ile ilgilidir. Azot miktarına ve kafes genişlemesine bağlı olarak, bu faz hem ferromanyatik hem de paramanyatik özelliklere sahiptir (östenit paslanmaz çelik ve CoCrMo alaşım alttaş malzemeleri fcc kristal yapıda olup, oda sıcaklığında paramanyetik özelliktedir). Bu sunumun amacı bir FeCrNi alaşımı olan 316L paslanmaz çeliğinde ve CoCrMo alaşımında oluşan genişletilmiş östenit fazının manyetik özelliklerini incelemek olacaktır. Bu fazın her iki alaşımda oluşumu, 400 ºC alttaş sıcaklığı civarında ve gaz karışımı 60% N 2 40% H 2 olan düşük-basınç RF plazma nitrürleme metoduyla gerçekleştirilmiştir. γ N fazını içeren tabakaların manyetik karakteri, yüzey-duyarlı bir teknik olan manyeto-optik Kerr etkisi (MOKE) cihazı ve bir taramalı uç mikroskobunun manyetik kuvvet modunda (MFM) kullanılmasıyla analiz edildi. Bu analizler sonucu gözlemlenen şerit şeklindeki domain yapıları ve histeri eğrileri, bu genişletilmiş fazların, γ N -(Fe,Cr,Ni) ve γ N -(Co,Cr,Mo), ferromanyetik doğaya sahip olduklarının güçlü birer kanıtı olarak gösterilebilir. Burada gözlemlenen ferromagnetic yapı ana olarak büyük kafes genişlemelerine (~10%) ve yüksek azot miktarlarına (~30 at.%) bağlanabilir. Azot atomları paslanmaz çelik ve CoCrMo alaşımlarında fcc örgüsünde octahedral boşluklara girerek, bu malzemelerin kafeslerinin genişlemesine neden olmakta ve bu da fcc örgüsünde Co Co (veya Fe Fe) mesafelerini artırmakta ve bu değişim manyetik etkileşimleri güçlü bir şekilde etkilemektedir. Östenit paslanmaz çelik ve CoCrMo alaşımlarında oluşan bu genişletilmiş fazların, γ N -(Fe,Cr,Ni) and γ N -(Co,Cr,Mo) ferromanyetik özellikleri, fcc kristal yapılarına sahip demir/demir nitrür (fcc γ- Fe/fccFe 4 N) ve kobolt/kobolt nitrür (fcc γ-co/fccco 4 N) yapılarının, manyetik özelliklerinin hacme bağlı olmasıyla ilişiklendirilmektedir. 6

7 Epitaksiyel Ni Mn Sn ultra ince filmlerin yapısal, elektriksel, ve manyetik özelliklerinin incelenmesi E. Yüzüak 1, I. Dinçer 1, Y. Elerman 1, A. Auge 2, M. Meinert 2, ve A. Hütten 2 1 Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fak., Fizik Müh. Beşevler, Ankara 2 Bielefeld Üniversitesi, Thin Films and Physics of Nanostructures, Fizik Bölümü, Bielefeld, Almanya S03 Heusler alaşımları, çok zengin yapısal, elektriksel ve manyetik davranışlar göstermektedirler. Bu özelliklerinde en önemlisi, bu tip alaşımlar yarı-metalik davranış göstermeleridir. Özelikle günümüzün ileri teknoloji ürünü olan spin elektroniği (spintronik) uygulamaları açısından ideal malzemeler olmaktadırlar ve son zamanlarda birçok bilim adamı tarafından incelenilmektedirler. Spin elektroniği, Spintronik, manyetizma ve elektroniğin en yeni ve hızlı bir şekilde gelişen dalıdır [1]. Spintronik, özellikle katıhal fiziği ile ilgili çalışan bilim adamları için yeni bir araştırma sahası olup, birçok disiplinden ilgi çeken bir çalışma alanıdır. Şu anda kullanılan elektronik cihazlar, elektronun yükünün serbestlik derecesine göre çalışmakta ve elektronun spinin serbestlik derecesini yok saymaktadır. Spintronik ise elektronun spininide elektronik cihazlara eklemektedir. Böylece, elektronun spininin serbestlik derecesinin geleneksel elektronik cihazlara eklenmesi, bu cihazların veri işleme hızını artmasına, elektriksel güç kullanımını azaltmasına ve sürekli bellek kullanabilmesine olanak sağlayacaktır [2]. Ni 50 Mn 35 Sn 15 Heusler alaşımının yapısal faz geçişinin ferromanyetik bölgede olması ve manyetik alana bağlı olarak çok büyük zor (strain) gösterdiği için bu alaşımların ince filmleri üretilmiştir [3]. Bu kapsamda, Ni (99.998), Mn (99.99), Sn ( ) saf elementlerden yapılmış hedefler kullanılarak cm 2 büyüklüğünde MgO(100) tek kristal alt taş üzerine Ni 50 Mn 35 Sn 15 alaşımlarının ince filmleri, manyetik alanda sıçratma sistemi kullanılarak elde edilmiştir. Manyetik alanda sıçratma sisteminin temel basıncı, mbar ve sıçratma işlemi azot gaz basıncı ise, mbar dır. Elde edilen manyetik ince filmlerin yapısal, kalınlık ve kompozisyon karakterizasyonu, XRD, XRR ve XRF teknikleriyle gerçekleştirildi. Elde edilen manyetik ince filmlerin elektriksel özellikleri, Bielefeld Üniversitesindeki ev yapımı direnç ölçüm sisteminde incelendi. İnce filmlerin manyetik özellikleri, manyetik alan altında ısıtma (FH) ve manyetik alan altında soğutma (FC) kiplerinde, K sıcaklık aralığında, 150 Oe lık manyetik alan altında SQUID ile belirlendi [3]. Ölçümler sonucunda, manyetik alanda sıçratma sistemiyle 10 nm, 20 nm, 35 nm, 50 nm ve 100 nm kalınlığında, Ni 51.6 Mn 34.9 Sn 13.5 kompozisyonunda ultra ince filmler MgO (100) tek kristal alttaş üzerine epitaksiyel üretilmiştir. Oda sıcaklığı yakınlarında yapılan XRD ölçümleri ile 10 nm ve 20 nm kalınlığındaki ince filmlerin daha yüksek oranda Austenit (L2 1 ) fazda olduğu bulunurken, 35 nm, 50 nm ve 100 nm kalınlığındaki ince filmlerin daha yüksek oranda Martensitik (7O) fazda olduğu bulunmuştur. Manyetik ve elektriksel ölçümler sonucunda, manyetik ince filmlerin kalınlığı artıkça, yapısal faz geçişini düşük sıcaklıktan yüksek sıcaklığa doğru değiştiği gözlemlenmiştir. Ayrıca 10 ve 20 nm kalınlığında üretilen ince filmlerde dünyada ilk defa yapısal faz geçişi ve buna bağlı olarak ta şekil hafıza etkisi gözlemlenmiştir [3]. Teşekkür: Bu çalışma, Tübitak (Proje Numarası: 109T582) tarafından desteklenmektedir. Referanslar: [1] I. Zutic et al., Rev. Mod. Phys. 76, 323(2004). [2] B. Balke et al., Phys. Rev. B 74, (2006). [3] A.Auge et al.,phys. Rev. Lett. egönderildi. 7

8 Nanogözenekli TiO 2 seramik su filtrelerinin hazırlanması M. Burak Kaynar 1, İsmat Shah 2, Şadan Özcan 1, Tezer Fırat 1 1 SNTG Lab. Fizik Mühendisliği Bölümü Hacettepe Üniversitesi Beytepe Ankara, Türkiye 2 Materials Science and Engineering University of Delaware Newark, DE S04 Bu çalışmada kendi kendini temizleyebilen ve bakteri boyutuna kadar organik ve inorganik kontaminantların sudan filtrelenmesinde kullanılacak ucuz ve güvenli filtreler hazırlanması amaçlanmıştır. Amaç doğrultusunda 50 nm ortalama gözenek büyüklüğüne sahip TiO 2 su filtreleri ticari TiO 2 nanoparcacıklar (Degussa TiO 2 P25) ve polyvinylpyrrolidone (PVP 10) kullanılarak yakma sinterleme yöntemiyle çözücü kullanmaksızın hazırlandı. Hazırlanan filtrelerin yapısal analizi x-ışını toz difraksiyonu (XRD) ve taramalı elektron mikroskopu (TEM) kullanılarak yapıldı. Filtrelerin %79 rutil %21 anataz fazından oluştuğu ve ortalama gözenek büyüklüğünün 50 nm olduğu belirlendi. Filtreler su-demiroksit nanoparcacık (30 nm) karışımı kullanılarak testedildi. Hazırlanan 50 nm ortalama gözenek büyüklüklü filtrelerin 30 nm ortalama tanecik büyüklüğüne sahip nanoparçacıları dahi %90 filtrelediği x-ışını fotoelektron spektroskopisi kullanılarak belirlendi. 8

9 TiO 2 (110) yüzeyinde güneş pili uygulamaları için oluşturulmuş kusur durumlarının analizi V. Çelik 1, H. Ünal 1, E. Mete 1, ve Ş. Ellialtıoğlu 2 1 Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi, Balıkesir 2 Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara S05 Güneş enerjisinin doğrudan kullanımı, elektron deşik çifti üretmek için soğurulan fotonların kullanıldığı fotovoltaikler ve boya duygunlaştırıcılı güneş hücreleri (DSSC) sayesinde mümkün olmaktadır. Kristal yüzey ve nanotüp, nanotel gibi formlarıyla titanyum dioksit (TiO 2 ), DSSC uygulamalarında kullanılmak üzere tercih edilen yarıiletkendir. Saf TiO 2 in soğurma frekansı (rutile fazı için ~414 nm ve anataz fazı için ~387 nm) güneş tayfının morötesi bölgesindedir. Çeşitli katyonik veya anyonik safsızlıklarla TiO 2 nin elektronik band aralığı değiştirlebilmekte ve fotokatalitik aktivitesi güçlendirilebilmektedir. Yüzey safsızlıklarının incelenmesinde platin kümeleri önemli bir prototiptir. Pt n (n=1 4) kümelerinin adsorpsiyon profilleri ve elektronik yapıları sistematik olarak stokiyometrik, indirgenmiş ve rekonstruktif rutil (110) yüzeylerinde, Hubbard U tipi mahallinde (on-site) Coulomb etkileşimi ile düzeltilmiş hibrid yoğunluk fonksiyoneli kuramı (DFT) çerçevesinde hesaplandı [Phys. Rev. B 82, (2010)]. Özellikle indirgenmiş yüzeylerde standart DFT, Ti 3d elektronlarına ait kuvvetli korelasyon enerjisinin yerel yoğunluk yaklaşımdan (LDA) dolayı olması gerekenden küçük tahmin etmektedir. Deneyler, bu gibi, stokiyometrik olmayan rutil (110) yüzeylerine ait iletim bandının ~0.9 ev altında yer alan kusur durumlarının varlığını ortaya koymaktadır. Bu kusur durumlarının, Ti 3d elektronları arasına ampirik olarak eklenen Hubbard U tipi mahallinde (on-site) Coulomb itmesiyle deneysel gözlemlerle paralel biçimde türetilebileceği gösterildi. Platin kümeleri için rekonstruktif yüzey çalışmasında deneysel ve teorik olarak en çok kabul gören Onishi ve Iwasawa [Surf. Sci. Lett. 313, 783 (1994)] modeli kullanıldı. Son zamanlarda deneysel olarak desteklenen Park [Phys. Rev. B 75, (2007)] modeli termodinamik stabilite bakımından Onishi modeliyle, DFT+U çerçevesinde karşılaştırıldı [Phys. Rev. B 84, (2011)]. Onishi Iwasawa modelinin yüzey enerjisinin daha düşük olduğu gösterildi. Standart DFT rekonstrüktif yüzeydeki oksijen eksikliğinden kaynaklanan fazla yükün oksijen boşluğu etrafında toplandığını öngörmektedir. Oysa deneysel sonuçlar bu fazla yükün yüzey altı Ti katyonu etrafında yoğunlaştığını rapor etmekte ve bu veri, DFT+U hesaplarımızla örtüşmektedir. Teşekkür: Bu çalışma TÜBİTAK tarafindan desteklenmektedir (110T394). 9

10 Oda sıcaklığında AgTaO 3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerinin incelenmesi: Ab initio hesabı Şevket Şimşek ve Süleyman Çabuk Çukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Balcalı-ADANA S06 Ferroelektrik kristallerin önemli bir sınıfı ABO 3 genel formunda olan perovskitlerdir. AgTaO 3 kristali perovskite kristal yapısına sahip olup, oda sıcaklıklığında rombohedral fazdadır. Sıcaklığın azalmasıyla, yapıdaki simetri bozularak sırasıyla, 663K 692K 777K Rombohedral Monoklinik Tetragonal Kübik faz geçişlerine uğrar. AgTaO 3, perovskite bileşikler içinde en az araştırılan malzemedir. Bu çalışmadaki amaç, yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyon teorisi (DFT) ve ab-initio pseudo-potansiyel yöntemini kullanarak rombohedral fazdaki AgTaO 3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerinin araştırılmasıdır. İlk önce, AgTaO 3 kristalinin Brillouin bölgesindeki yüksek simetri yönlerindeki band yapısı incelendi. Rombohedral fazdaki AgTaO 3 kristalinin dolaylı band aralığına sahip olduğu görüldü ve X simetri noktasındaki değeri ev olarak hesaplandı. Fermi seviyesi yakınlarında valans band spektrumunu daha iyi anlayabilmek için AgTaO 3 kristalinin toplam ve parçalı durum yoğunluğu (DOS) hesaplandı. Ayrıca rombohedral fazdaki AgTaO 3 kristalinin elastik sabitleri, Born efektif yükleri ve optik dielektrik sabiti hesaplandı. 10

11 Nanotellerle kaplanmış endüstriyel boyutlarda kristal silisyum güneş gözeleri M. Kulakci 1, 2, F. Es 1, B. Ozdemir 1, 3, H. E. Unalan 1,3, ve R. Turan 1,2 1 Güneş Enerjisi Araştırma ve Uygulama Merkezi (GÜNAM), Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara 2 Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara 3 Metalurji ve Malzeme Mühendisliği, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara S07 Son yıllarda opto-elektronik ve elektronik yeni nesil aygıt uygulamaları için, yarıiletken nanotel araştırmaları oldukça ilgi çekmektedir. Günümüz elektronik ve fotovoltaik endüstrisinin temel malzemesi olmasından dolayı silisyum nanoteller diğer yarıiletken nanotellere gore ayrı bir ilgi alanına sahiptir. Silisyum nanoteller ya kristal silisyum tabanlı güneş gözeleri için verimli ışık tuzaklayan yüzey kaplaması olarak aktif ve pasif olarak, ya da diğer organic ve inorganic yarı iletken malzemelerle heteroeklem yapısında aktif malzeme olarak kullanılabilmektedir. Nanotel tabanlı radyal ya da aksiyal yapıda p n eklemlerinin güneş gözesi olarak kullanılabileceği yakın zamanlarda öne sürülmüştür. Silisyum nanotellerin güvenilir ve verimli olarak fotovoltaik uygulamalarda kullanılabilmesi için geometrisi ve katkılanabilirliğinin tekrarlanabilmesi büyük önem arzetmektedir. Ayrıca endüstriyel boyutta uygulamalar için, nanotel üretiminin büyük ölçekli alanlarda yapılabilmesi çok önemlidir. Böyle bir uygulama endüstride var olan üretim hatlarına uygunluk gerektirmesi yanında, nanotellerin üretimi için gerekecek ekstra maliyet, nanotelin sağlayacağı verimlilik artışıyla fazlasıyla karşılanabilmelidir. Üretildiği taban yongayla aynı fiziksel özelliklere sahip olmasından dolayı elektrotsuz kazıma yöntemi, diğer silisyum nanotel üretim yöntemlerine gore çok büyük avantajlar içermektedir. Bu yöntemle üretilen nanotel kaplanmış yüzey alanı sadece elde var olan alttaş alnıyla limitlidir. Bu çalışmada, elektrotsuz kazıma yöntemiyle endüstriyel çoklu- ve tek-kristal silisyum yongalar ( cm 2 ) üzerinde, GÜNAM labaratuvarında silisyum nanoteller üretilmiştir. Oda sıcaklığında farklı uzunlukta nanotellerle kaplanmış silisyum yongalardan büyük ölçekli, endüstriyel üretim hattında güneş gözeleri üretilmiş ve test edilmiştir. Üretilen güneş gözeleri, şu anda bilindiği kadarıyla nanotel tabanlı olan dünyada üretilen en büyük güneş gözeleridir. Reflektivite ölçümleri göstermiştir ki nanoteller oldukça verimli bir şekilde anti-reflektif yüzeyler oluşturmaktadır. Bu ışık hapsetme kabiliyetlerinin nanotel uzunluğuna bağlılığı gösterilmiştir ve de endüstriyel uygulamalar için iyi bir anti-reflektör olabileceği anlaşılmıştır. Henüz optimizasyonu yapılmamasına rağmen, nanotel kaplı güneş gözelerinin, belirli nanotel uzunluklarında standart endüstriyel gözelerle hemen hemen aynı verimliliğe sahip olduğu gözlenmiştir. Standart ve nanotelli gözeler standart gözelere uygun şekilde yapıldığı için, üretim parametrelerinin bazıları nanotelli gözeler aleyhine olduğu gözlenmiştir. Bu sorunların giderilmesinden sonar, nanotelle kaplı gözelerden daha yüksek verim alınabileceği görülmüştür. 11

12 Dinamik metamanyetik durulmanın kritik ve üçlükritik noktalar yakınındaki frekans bağlılığı Gül Gülpınar, Mehmet Ağartıoğlu, Yenal Karaaslan, ve Erol Vatansever Fizik Bölümü, Dokuz Eylül Üniversitesi, İzmir S08 Yüksek alan ve düşük sıcaklık değerleri için birinci dereceden, düşük alan ve yüksek sıcaklık değerleri için ise ikinci dereceden geçişler sergileyen spin-½ metamanyetik Ising modeli üçlü kritik nokta ile karakterize bir faz diyagramına sahiptir. Bu çalışmada spin-½ Ising metamıknatısına ait karmaşık veya dinamik alınganlıklar ( ve lineer yanıt kuramı kullanılarak elde edilmiştir. Anti-ferromanyetik fazda sekmeli alınganlık, frekansın logaritması cinsinden sunulduğunda dispersiyon katsayısı iki ardışıl plato bölgesine sahipken absorbsiyon katsayısı iki maksimum sergilemektedir. Paramanyetik fazda ise dispersiyon katsayısı tek bir plato ile karakterizedir. Benzer şekilde düzensiz fazda sistemdeki ısıl kaybı ifade eden absorbsiyon katsayısı tek bir minimuma sahiptir. Bu durum Cole Cole eğrilerindeki düzenli fazdaki iki yarı çemberin ve paramanyetik fazdaki tek yarı çemberin varlığı ile uyum içindedir. Teşekkür: Bu çalışma TBAG 109T721 numaralı Proje bünyesinde Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu (TÜBİTAK) tarafından desteklenmiştir. 12

13 Yüksek hassasiyetli, düşük sıcaklık atomik kuvvet mikroskobu tasarımı Özgür Karcı 1,2, Münir Dede 1, ve Ahmet Oral 3 1 NanoManyetik Bilimsel Cihazlar Ltd., Hacettepe Teknokent, 3.ArGe, 31, Beytepe, Ankara 2 Hacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp Bölümü, Beytepe, Ankara 3 Sabancı Üniversitesi, Doğa Bilimleri ve Mühendislik Fak., Orhanlı - Tuzla, İstanbul S09 Fiber interferometrik ölçüm sistemleri, düşük sıcaklık atomik kuvvet mikroskop (DS-AKM) sistemlerinde, kuvvet algılayıcısı olarak kullanılan yayların sapmalarını ölçmede yaygın olarak kullanılır. Tipik bir Michelson interferometresi şeklinde çalışan bu ölçüm sistemlerinde elde edilen ölçüm hassasiyeti ~100fm/ Hz mertebesindedir. Bir interferometre ölçüm sistemi, ucu elmas bir kesiciyle düzlenmiş bir fiber ve fibere dik olacak şekilde hizalanmış bir yaydan oluşur nm dalga boyundaki bir lazer demeti, 2 2 %50 lik bir fiber çiftleyiciye gelerek burada ikiye ayrılır: birinci kısım fiber kablo aracılığıyla taşınarak, ucu düzlenmiş fibere gelerek %2 3 lük kismi buradan geri yansır. Kalan kısım dışarıya yayılarak, yaya çarpar ve yansıyarak geri döner ve fiber kabloya girerek ilerler. Bu iki demet, fiber kablo içerisinde ilerleyerek bir phodedektöre ulaşır ve burada bir girişim deseni oluşturarak bir akım oluşturur. Bu akım, i =i o [1 Vcos(4πd/λ)] şeklinde ifade edilir. Denklemdeki V parametresi görünürlük, d ise fiber ile yay arasındaki mesafeyi ifade etmektedir. Bu iki parametre, bir fiber interferometrenin hassasiyetini belirleyen iki ana unsurdur. Bu çalışmada, DS-AKM de kuvvet etkileşimlerinden doğan yay sapmalarını ölçmek için Michelson türü bir interferometre geliştirdik. RF modülasyonu uyguladığımız laser demeti DS-AKM sisteminde ~25 fm/ Hz mertebesinde bir hassasiyet elde ettik. Bu hassasiyet mertebesinde elde ettiğimiz Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) görüntülerinde, 10 nm mertebesinde bir çözünürlük elde ettik. Örnek olarak yüksek yoğunluklu bilgisayar hard disklerini kullandık. Elde ettiğimiz MKM çözünürlüğünü artırmak için, DS-AKM nin hassasiyetini artırmak ve gürültü seviyesini düşürmek gerekmektedir. Bu amaçla iki önemli eylem önerisini ortaya koyduk: (1) düzlenmiş fiberin %2 3 seviyesinde olan yansımasını artırmak, (2) fiber ile yay arasındaki mesafeyi azaltmak. Bu amaçla, düzlenmiş fiberi dielektrik malzemelerle çok katmanlı bir şekilde kaplayarak yansımayı ~%50 seviyesine çıkardık. Fiber ile yay arasındaki mesafeyi azaltmak için, tarayıcı piezo tüpü kullancak şekilde bir kaydırak mekanizması geliştirdik. Bu şekilde fiber, z-doğrultusunda yaya göre ileri ve geri yönde hareket kabiliyeti kazandı. Mevcut tasarımdaki µm olan yay fiber mesafesi bu mekanizma ile ayarlanabilir hale getirildi ve mesafe ~2 3 µm a düşürüldü. Çok katmanlı dielektrik kaplama fiber yay arasında, çoklu yansımalar oluşmasını sağlayarak bir Fabry Perot interferometresi olarak çalışmaya başladı. Bu şekilde yaptığımız gürültü ölçümlerinde oda sıcaklığında ~8 fm/ Hz mertebesinde hassasiyet ölçmüş bulunmaktayız. Shot noise adını verdiğimiz gürültü tabanımız ise ~2 fm/ Hz olarak hesaplandı. Yeni sistem ile devam eden çalışmalarımızda, hassasiyeti daha da artırmayı ve 5 6 nm seviyesinde MKM çözünürlüğü elde etmeyi amaçlamaktayız. 13

14 W safsızllığı içeren ZnO yapılarda polarize spin akışı Musa Mutlu Can 1,2* ve Tezer Fırat 1 1 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara 2 Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, Tuzla, İstanbul S10 Yarı iletken örgü içindeki kusurlar, teknolojik uygulamalardaki faklılıkların oluşumuna neden olmaktadır [1]. Yarı iletken örgü içerisinde kontrollü kusur oluşumunu sağlayarak; elektriksel, optik ve hatta manyetik davranışı kontrol etmek mümkündür [2]. Yapılan çalışmalarda geniş band aralığına sahip oksit yarı iletkenlerin sahip olduğu noktasal örgü kusurlar nedeni ile magnetik davranışların meydana geldiğini göstermektedir [3,4]. Günümüzde ise manyetik olmayan f veya d enerji seviyesine sahip elementlerin de yarı iletken örgüye safsızlık olarak yerleşimlerinin, magnetik davranışa neden olacağı belirlenmiştir. Yapılan çalışmada, polarize spin akışı ve ferromagnetik davranışı belirlemeye en uygun yarıiletken örneklerden biri olan W katkılı ZnO yarıiletkenler incelendi. İnce film üretimi, rf-magnetron kopartma sisteminde yapıldı. İnce film üretiminde, %1 ile %2 arasında değişen W safsızlığı sahip ev yapımı ZnO hedefler kullanıldı. Çalışmada, ZnO yapıdaki W safsızlığının miktarı belirlenerek; bu safsızlıklar nedeni ile oluşan magnetik ve elektriksel değişimler irdelendi. W safsızlıklarının yanı sıra örgü kusurlarının etkilerini belirlemek üzere de büyütme sonrası farklı ısıl işlemler uygulanan ince filmler de büyütüldü. Büyütülen ince filmlerin yapısal analizleri, x-ışını toz kırınım metresi (XRD), enerji dağıtıcı x-ışını spektrometresi (EDS) ve x-ışını foto elektron spektrometresi (XPS) ile yapıldı. Yapısal analizler,,,, O i ve O Zn gibi örgü kusurlarının yanı sıra; W atomlarının da W +6, W +5 ve W +4 iyonları halinde örgüye dâhil olduğu anlaşıldı. Büyütülen filmlerde magnetik oluşum magneto elektriksel ölçümler ile anlaşıldı. Yapılan boyuna elektriksel ölçümlerde, örgü kusurlarına bağlı 50 K ve altındaki sıcaklıklarda, negatif magneto direnç (NMD) ve pozitif magneto direnç (PMD) değişimlerinin her ikisinin de etkileri görüldü. Sıcaklık 5 K değerinde ulaştığında ise büyütme sonrası ısıl işlemlere bağlı olarak %28.8 ile %12.7 değerine kadar çıkan PMD değişimi belirlendi. Hesaplamalar PMD değişimlerinin örgüdeki polarize spin akışı ile ilişkili olduğunu gösterdi. Polarize spin akışının belirlendiği bir diğer analiz ise enine Hall ölçümleri ile bulundu. noktasal kusurlarının baskın olduğu örneklerde normal olmayan Hall etkilerinin oluştuğu anlaşıldı. Referanslar: [1] A. Janotti and C. G.V. De Walle, Phys. Rev. B 76, (2002). [2] Q.Wang, Q. Sun, G. Chen, Y. Kawazoe, and P. Jena,Phys. Rev. B 77, (2008). [3] N. H. Hong, J. Sakai, N. Poirot, and V. Brize, Phys. Rev. B 73, (2006). [4] K. R. Kittilstved, W. K. Liu, and D. R. Gamelin, Nature Mater. 5, 291 (2006). [5] B. Ali, L. R. Shah, C. Ni, J. Q. Xiao, and S. I. Shah, J. Phys.: Condens. Mater. 21, (2009). [6] H. Pan, J. B. Yi, L. Shen, R. Q. Wu, J. H. Yang, J. Y. Lin, Y. P. Feng, J. Ding, L. H. Van, and J. H. Yin, Phys. Rev. Lett. 99, (2007). [7] Q. Xu, H. Schmidt, S. Zhou, K. Potzger, M. Helm, H. Hochmuth, M. Lorenz, A. Setzer, P. Esquinazi, C. Meinecke, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 92, (2008). 14

15 Çok tabakalı küresel kuantum nokta yapı içerisindeki hidrojen tipi donor safsızlığının elektronik özellikleri Hatice Taş ve Mehmet Şahin* Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Selçuk Üniversitesi, Konya, Türkiye S11 Bu çalışmada, çekirdek/kabuk/kuyu/kabuk biçimli çok tabakalı bir küresel kuantum noktasının, yüksüz bir donor safsızlığının varlığında ve yokluğunda, enerji özdeğerleri, dalga fonksiyonları, elektron olasılık dağılımları ve bağlanma enerjileri gibi elektronik özellikleri detaylı bir şekilde araştırılmıştır. Göz önüne alınan yapıda, taban (1S) ve uyarılmış (1P) durumlarına ait enerji özdeğerleri ve bu enerjilere karşılık gelen dalga fonksiyonları, safsızlık yok iken (Z=0) ve safsızlık var iken (Z=1) hesaplanmış ve karşılaştırılmıştır. Enerji özdeğerleri ve dalga fonksiyonlarını belirlemek için Schrödinger denklemi, etkin kütle yaklaşımı altında ve sonlu sınırlandırma potansiyelinde, shooting metodu ile tamamen sayısal olarak çözülmüştür. Yüksüz donor safsızlığının elektronik özellikler üzerindeki etkisi, farklı çekirdek yarıçapları, kabuk kalınlıkları ve kuyu genişlikleri için sabit potansiyel altında çalışılmıştır. Sonuçlar, tabaka kalınlıklarının fonksiyonu olarak incelenmiş ve meydana gelen durumlar ayrıntılı olarak yorumlanmıştır. 15

16 Çizgi kusurlu fotonik kristal dalga kılavuzlarında saçıcıların konumlarının değiştirilmesi ile yavaş ışık özelliklerinin iyileştirilmesi Fulya Bağcı ve Barış Akaoğlu Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, Ankara S12 Yavaş ışık optik gecikme hatları, optiksel ara bellekler, tamamen optik sinyal işleme ve çok hassas çalışan algılayıcılar gibi alanlarda uygulama bulmaktadır [1,2]. Fotonik kristal dalga kılavuzları (PCW) oda sıcaklığında çalışabilmeleri, çip üzerine entegre edilebilmeleri, geniş ve ayarlanabilir band aralıkları ile bu alanda tercih edilen yapılardır [3,4]. Fakat PCW'ların da yavaş ışık rejiminde görülen yüksek dereceden dağınım etkileri sinyalde bozulmaya neden olmaktadır [5]. Ayrıca geleneksel PCW'larında kayıp oranının yüksek olması bu tip yapıların tasarımlarında yavaş ışık uygulamaları için bazı değişikliklerin yapılmasını gerektirmektedir. Halka şeklinde saçıcılar algılayıcı uygulamalarında yüksek duyarlılık sağlamaktadır [6]. Saçıcının konumunu değiştirmek daha fazla kontrol imkanı verdiğinden teknolojik olarak tercih edilmektedir [7]. Bu çalışmada, silika alttaş üzerinde kusuru çevreleyen ilk sırada halka şeklinde saçıcılara sahip silikon üçgen örgülü fotonik kristal dalga kılavuzları kullanılmıştır. Kusur etrafındaki ilk ve ikinci sıra saçıcılarının konumları dikey doğrultuda aşağı veya yukarı yönde değiştirilerek dalga kılavuzunun yavaş ışık performansı grup indisi, band genişliği ve grup hız dağınımı açısından incelenmiştir. Hesaplamalarda düzlem dalga açılımı yöntemini uygulayan MIT Photonic-Bands (MPB) paketi kullanılmıştır [8]. Üç boyutlu hesaplamalar etkin indis yöntemi ile iki boyuta indirgenerek yapılmıştır. İlk sıra saçıcıların konumunda değişme s1 ve ikinci sıra saçıcıların konumunda değişme ise s2 ile gösterilecek olursa,s2'nin artışı ile grup indisindeki değişimin s1=0 için en fazla olduğu bulunmuştur. s1 negatif yönde arttıkça (çizgi kusurundan uzaklaştıkça) s2'nin artışı ile grup indisindeki artış oranı azalmaktadır. Grup indisi frekans eğrileri başlangıçta basamak biçiminde iken s2'nin artması ile grup indisi değeri artmakta, band aralığı azalmakta ve eğri U-biçimine dönüşmektedir. Ayrıca s2'nin çizgi kusuruna doğru kayma oranının artırılması bandın band aralığı kılavuzlu kısmını hava bandına doğru yaklaştırdığından yavaş ışık rejiminin görüldüğü bölge maviye kaymaktadır. Örgü sabiti(a) cinsinden ilk sıra saçıcılar çizgi kusuruna 0.02a, ikinci sıra saçıcılar ise 0.08a kadar yaklaştırıldığında ışığın hızı 0.005c'ye kadar düşürülebilmektedir. Yavaş ışığın gözlendiği bölgeye karşılık gelen grup hız dağınımı değerleri de oldukça düşük (GVD<1 ps nm 1 mm 1 ) bulunmuştur. Ayrıca pozitif ve negatif GVD değerlerinin gözlenmesinden dolayı çalışılan yapı dağınım telafisi uygulamalarında da kullanılabilir. Bu sonuçlar tasarlanan yapının optik gecikme hatları ve dağınımı telafi edici aygıtlar için elverişli olduğunu göstermektedir. Referanslar: [1] Lene Vestergaard Hau, S. E. Harris, Zachary Dutton, and Cyrus H. Behroozi, Nature 397, 594 (1999). [2] Y. A. Vlasov, M. O'Boyle, H. F. Hamann, and S. J. McNab, Nature 438, 65 (2005). [3] T. F. Krauss, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 2666 (2007). [4] T. Baba, Nat. Photon. 2, 465 (2008). [5] R. J. P. Engelen, Y. Sugimoto, Y. Watanabe, J. P. Korterik, N. Ikeda, N. F. van Hulst, K. Asakawa, and L. Kuipers, Opt. Express 14, 658 (2006). [6] A. Saynatjoki, M. Mulot, K. Vynck, D. Cassagne, J. Ahopelto, and H. Lipsanen, Photon. Nanostruct.: Fundam. Appl. 6, 42 (2008). [7] J. Li, T. P. White, L. O Faolain, A. Gomez-Iglesias, and T. F. Krauss, Opt Express 16, 6227 (2008). [8] S. G. Johnson and J. D. Joannopoulos, Optics Express 8, 173 (2001). 16

17 Kuantum hall rejiminde gerçek örnekler için interferometrelerin teorik modellenmesi D. Ekşi (1), Ö. Kılıçoğlu (1), ve A. Sıddıki (2,3) 1 Trakya Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Edirne 22030, 2 İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, İstanbul Physics Department, Harvard University, Cambridge, MA, USA S13 Düşük boyutlu yarı iletken tabanlı parçacık interferometreleri düşük sıcaklık ve yüksek manyetik alanlarda kuantum taşınım özellikleri göstermektedir. İki boyutlu elektron sistemi (2BES) üzerinde metalik kapılar veya kimyasal kesme yöntemleri ile tanımlanan bu interferometrelerin en yaygın araştırılanları Mach Zehnder (MZ), Fabry Perot (FP) ve Aharanov Bohm (AB) interferometreleridir. Yapılan deneylerde örneğin faz farkının yoldan bağımsızlığı [1] gibi olguların açıklanabilmesi için malzemenin geometrik özellikleri ve parçacıklar arası etkileşmelerin de hesaba katılması gerekmektedir. Bundan dolayı deneysel parametreleri kullanarak kuantum Hall rejimi altında bu interferometreleri modelledik. Hesaplamalarda sıfır sıcaklık ve sıfır manyetik alan değerlerinde üç boyutlu yapı için Poisson denklemini çözdük ve potansiyel profilini elde ettik. Dik bir manyetik alan varlığında elektron elektron etkileşmelerini de hesaba katarak, Thomas Fermi yaklaşıklığı yöntemini kullanılarak elektron yoğunluğunun uzaysal dağılımını belirledik. 2BES e dik uygulanan manyetik alan yük taşınım durumlarını kuantize eder ve elektron dağılımında iki farklı rejim olmasına neden olur (sıkıştırılabilir bölgeler (SB) metal gibi davranır ve sıkıştırılamaz şeritler (SŞ) yalıtkan gibi davranır). Manyetik alanın büyüklüğüne göre SŞ lerin kalınlıkları artmakta ya da azalmaktadır. FP tipi interferometre için yapılan deneysel çalışmada [2] gözlenen iletkenlik osilasyonları bahsedilen aygıtın boyutlarına bağlı olduğu gösterilmiştir. Dış bir manyetik alanın fonksiyonu olarak side gate (SG) durumu ile tanımlanan (A>5 µm 2 ) alandaki girişimler AB periyodikliği gösterir. Bu durumda SŞ lerin çevrelediği kapalı alan içindeki manyetik akı sayısı manyetik alan ile lineer artar. Buna karşılık, küçük örnekler (A < 3 µm 2 ) Coulomb dominated (CD) rejim olarak adlandırılan karşıt bir davranış gösterir. Akı sayısı manyetik alanı ile azalır. Fakat örnek üzerine yerleştirilen top gate (TG) ile AB periyodikliği durumuna dönmesine neden olur. Manyetik alanın etkisiyle oluşan iki SB arasındaki SŞ bölgesinde hem kuantum etkilerden hem de geometrik yapıdan meydana gelen iki sığa oluşmaktadır. Bu iki sığayı toplayarak toplam sığayı hesapladık. Elde ettiğimiz toplam sığa, Halperin ve ekibi tarafından önerilen CD rejiminin fiziksel sistemlerde geçerli olamayacağını göstermiştir. Bu önemli bulgu, iki boyutlu elektron gazında ölçülen fazın tamamen kuantum mekaniksel geometrik bir faz olduğunu kanıtlamaktadır. Sığa etkilerinden arındırılmış Aharonov Bohm fazı kuantum anahtarları yolu ile kuantum bilgisayarlarının yapım yolunu epeyce kolaylaştırmış bulunmaktadır. Referanslar: [1] I. Neder, M. Heiblum, Y. Levinson, D. Mahalu, and V. Umansky, Phys. Rev. Lett. 96, (2006). [2] Y. Zhang, D. T. McClure, E. M. Levenson-Falk, C. M. Marcus, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. B 79, (2009). 17

18 Kesirli sayılı kenar durumlarındaki overshooting etkisinin analitik modellenmesi S14 A. Salman 1, A. I. Mese 2, M. B. Yücel 1, and A. Sıddıki 3, 4 1 Akdeniz Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Antalya, Türkiye 2 Trakya Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Edirne, Türkiye 3 İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Vezneciler-İstanbul, Türkiye 4 Harvard Üniversitesi, Fizik Bölümü, Cambridge MA, USA Bu çalışmada, yüksek mobiliteli iki boyutlu elektron sistemlerinde (2BES) ve kesirli kuantize Hall rejiminde gözlemlenen kenar durumlarının Hall direnci üzerindeki etkileri araştırılmıştır. Akım taşıyan kanalların etkin genişliklerini hesaplamak için 2BES'nin perdeleme özellikleri, sisteme dik olarak uygulanan güçlü manyetik alanın etkisi ile birleştirilmiştir. Kesirli sayılı kenar durumlarının ortaya çıkmasında çok parçacık etkileşmeleri önemli rol oynamaktadır. Çok parçacık etkileri hesaplarımıza kompozit fermiyon yaklaşımı ile katılmıştır. Çalışmada kesirli sayılı durumlar için de geçerli olduğu belirtilen Chklovskii vd. [1] nin kendinden tutarlı olmayan elektrostatik yaklaşımı, yoğunluk dağılımlarında düzeltmeler yapılarak ve dalga fonksiyonlarının sonlu genişlikleri de ele alınarak kullanılmıştır. Üst kapılar ile tanımlanmış dar (L < 10 μm) bir Hall çubuğu geometrisi ile yaptığımız bu çalışmada Hall direncinde anormal davranışlar gözlenmiştir. / ile / ve / ile / kesirli sayılı doldurma faktörlerine karşı gelen sıkıştırılamaz şeritlerin belli manyetik alan değerlerinde bir arada bulundukları ve Hall direncinde overshoot etkisi yarattıkları gözlemlenmiştir. Sıkıştırılamaz şeritlerin bir arada bulunması durumunun, kenar profilinin konuma bağlı değişim hızı ile ilişkili olduğu ve çok hızlı değişimin olduğu durumlarda sıkıştırılamaz şeritlerin bir arada oluşmadığı tespit edilmiştir. Bu durum tam sayılı Hall etkisindeki ile benzerdir. Böyle bir durumda, tam sayılı kuantum Hall olayındaki overshoot etkisinde olduğu gibi, toplam enine direnç birbiri üzerine binen şeritlerin genişliklerine bağlı olarak artmaktadır. Referans: [1] D. B. Chklovskii, B. I. Shklovskii, and L. I. Glazman, Phys. Rev. B 46, 4026 (1992). 18

19 S15 AlInN/(GaN)/AlN/GaN hetero-eklem yapılarda magneto transport ölçümler Aydın Bayraklı Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, Ankara MOCVD tekniği ile büyütülmüş GaN tabanlı bazı heteroeklem yapılar (başlıkta verilen); K sıcaklık aralığında Hall ölçümleri, van der Pauw ölçümleri ve SdH ölçümleri ile incelenmiş ve örneklerin, hacimsel taşıyıcı yoğunluğu, 2-boyutlu taşıyıcı yoğunluğu, transport mobilitesi ve 2-boyutlu elektronların kuantum mobilitesi elde edilmiştir. Örneklerin tabaka yapısının sonuçlara etkisi araştırılmıştır. 19

20 S16 İki boyutlu elektron gazında manyetodirenç hesabı Didem Ketenoğlu Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beşevler, Ankara Hacim içindeki rastgele potansiyel (RP) saçılmalarına ek olarak düzlemine dik rastgele manyetik alan (RMF) etkisi altındaki iki boyutlu elektron gazı (2DEG) için özdirenç hesabı yapılmıştır. Elektron dağılım fonksiyonunun düzeltme kısmı olan g( r, ) nin sağladığı doğrusallaştırılmış Boltzmann taşınım denklemi (BTE) Green fonksiyonu yöntemi ile çözülmüştür. Özdirenç değişiminin rastgele potansiyelin etkisi azaldıkça saf rastgele manyetik alan etkisi altındaki duruma indirgendiği ve sonuçların beklentilere uyduğu görülmüştür. 20

18. YOĞUN MADDE FĠZĠĞĠ ANKARA TOPLANTISI

18. YOĞUN MADDE FĠZĠĞĠ ANKARA TOPLANTISI 18. YOĞUN MADDE FĠZĠĞĠ ANKARA TOPLANTISI Orta Doğu Teknik Üniversitesi Kültür Kongre Merkezi B Salonu 25 Kasım 2011 Danışma Kurulu Yalçın Elerman (Ankara Ü) Bekir S. Kandemir (Ankara Ü) Ceyhun Bulutay

Detaylı

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR...

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... İÇİNDEKİLER Bölüm 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... 1 1.1 Katıhal... 1 1.1.1 Kristal Katılar... 1 1.1.2 Çoklu Kristal Katılar... 2 1.1.3 Kristal Olmayan (Amorf) Katılar... 2 1.2 Kristallerde Periyodiklik... 2

Detaylı

İstatistiksel Mekanik I

İstatistiksel Mekanik I MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI Dersin Kodu FIZ508 Spektroskopik Analiz Yöntemleri (II) Kredisi (T P K) (3 0 3) 2-Bahar Atomik spektroskopi, infrared absorpsiyon spektroskopisi, raman spektroskopisi, nükleer magnetik rezonans spektroskopisi,

Detaylı

Doç.Dr.Vildan BiLGiN. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü

Doç.Dr.Vildan BiLGiN. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü Doç.Dr.Vildan BiLGiN Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü vbilgin@comu.edu.tr İÇERİK; Moleküller ve Katılar, Katıların Bant Yapısı ve Elektriksel İletkenlik, Yarıiletkenler,

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR II DOĞRUSAL ISI İLETİMİ DENEYİ 1.Deneyin Adı: Doğrusal ısı iletimi deneyi..

Detaylı

5.111 Ders Özeti #12. Konular: I. Oktet kuralından sapmalar

5.111 Ders Özeti #12. Konular: I. Oktet kuralından sapmalar 5.111 Ders Özeti #12 Bugün için okuma: Bölüm 2.9 (3. Baskıda 2.10), Bölüm 2.10 (3. Baskıda 2.11), Bölüm 2.11 (3. Baskıda 2.12), Bölüm 2.3 (3. Baskıda 2.1), Bölüm 2.12 (3. Baskıda 2.13). Ders #13 için okuma:

Detaylı

MMM291 MALZEME BİLİMİ

MMM291 MALZEME BİLİMİ MMM291 MALZEME BİLİMİ Ofis Saatleri: Perşembe 14:00 16:00 ayse.kalemtas@btu.edu.tr, akalemtas@gmail.com Bursa Teknik Üniversitesi, Doğa Bilimleri, Mimarlık ve Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri 12. Ders Yarıiletkenlerin lektronik Özellikleri T > 0 o K c d v 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Yalıtkan, yarıiletken, iletken, Doğrudan (direk) ve dolaylı (indirek) bant aralığı, tkin kütle, devingenlik,

Detaylı

METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010

METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010 METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010 WEBSİTE www2.aku.edu.tr/~hitit Dersler İÇERİK Metalik Malzemelerin Genel Karakteristiklerİ Denge diyagramları Ergitme ve döküm Dökme demir ve çelikler

Detaylı

Paslanmaz Çelik Gövde. Yalıtım Sargısı. Katalizör Yüzey Tabakası. Egzoz Emisyonları: Su Karbondioksit Azot

Paslanmaz Çelik Gövde. Yalıtım Sargısı. Katalizör Yüzey Tabakası. Egzoz Emisyonları: Su Karbondioksit Azot Paslanmaz Çelik Gövde Yalıtım Sargısı Egzoz Emisyonları: Su Karbondioksit Azot Katalizör Yüzey Tabakası Egzoz Gazları: Hidrokarbonlar Karbon Monoksit Azot Oksitleri Bu bölüme kadar, açıkça ifade edilmese

Detaylı

Manyetik Alan. Manyetik Akı. Manyetik Akı Yoğunluğu. Ferromanyetik Malzemeler. B-H eğrileri (Hysteresis)

Manyetik Alan. Manyetik Akı. Manyetik Akı Yoğunluğu. Ferromanyetik Malzemeler. B-H eğrileri (Hysteresis) Manyetik Alan Manyetik Akı Manyetik Akı Yoğunluğu Ferromanyetik Malzemeler B-H eğrileri (Hysteresis) Kaynak: SERWAY Bölüm 29 http://mmfdergi.ogu.edu.tr/mmfdrg/2006-1/3.pdf Manyetik Alan Manyetik Alan

Detaylı

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları 1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 4: Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri Fotovoltaik Hücre Fotovoltaik Etki Yarıiletken Fiziğin Temelleri Atomik Yapı Enerji Bandı Diyagramı Kristal Yapı Elektron-Boşluk Çiftleri

Detaylı

MALZEME BİLGİSİ. Katı Eriyikler

MALZEME BİLGİSİ. Katı Eriyikler MALZEME BİLGİSİ Dr.- Ing. Rahmi ÜNAL Konu: Katı Eriyikler 1 Giriş Endüstriyel metaller çoğunlukla birden fazla tür eleman içerirler, çok azı arı halde kullanılır. Arı metallerin yüksek iletkenlik, korozyona

Detaylı

Malzeme Bilimi ve Mühendisliği. h$p://www.mse.cankaya.edu.tr

Malzeme Bilimi ve Mühendisliği. h$p://www.mse.cankaya.edu.tr Malzeme Bilimi ve Mühendisliği 1 h$p://www.mse.cankaya.edu.tr Malzeme Bakır Çağı (M.Ö. 5000-3000) Tunç Çağı (M. Ö. 3000-1000) Demir Çağı (M.Ö. 1190-330 ) 2 Malzeme Günümüzde birçok malzeme çeşidi bulunmaktadır.

Detaylı

MALZEME BİLGİSİ DERS 2 DR. FATİH AY. www.fatihay.net fatihay@fatihay.net

MALZEME BİLGİSİ DERS 2 DR. FATİH AY. www.fatihay.net fatihay@fatihay.net MALZEME BİLGİSİ DERS 2 DR. FATİH AY www.fatihay.net fatihay@fatihay.net DERSİN AMACI: Malzeme Biliminde temel kavramları tanıtmak ÖĞRENECEKLERİNİZ: Malzeme yapısı Yapının özelliklere olan etkisi Malzemenin

Detaylı

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre

Detaylı

Danışman: Yard. Doç. Dr. Metin Özgül

Danışman: Yard. Doç. Dr. Metin Özgül Hazırlayan:Nida EMANET Danışman: Yard. Doç. Dr. Metin Özgül 1 ELEKTROSERAMİK NEDİR? Elektroseramik terimi genel olarak elektronik, manyetik ve optik özellikleri olan seramik malzemeleri ifade etmektedir.

Detaylı

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER Dielektrik malzemeler; serbest elektron yoktur, yalıtkan malzemelerdir, uygulanan elektriksel alandan etkilenebilirler. 1 2 Dielektrik malzemeler Elektriksel alan

Detaylı

Fotonik Kristallerin Fiziği ve Uygulamaları

Fotonik Kristallerin Fiziği ve Uygulamaları Fotonik Kristallerin Fiziği ve Uygulamaları Ekmel Özbay, İrfan Bulu, Hümeyra Çağlayan, Koray Aydın, Kaan Güven Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü Bilkent, 06800 Ankara ozbay@fen.bilkent.edu.tr, irfan@fen.bilkent.edu.tr,

Detaylı

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak X-IŞINI TÜPÜ X-IŞINI TÜPÜ PARÇALARI 1. Metal korunak (hausing) 2. Havası alınmış cam veya metal tüp 3. Katot 4. Anot X-ışın

Detaylı

Laboratuarımız. Ankara Üniversitesi. Mühendislik Fakültesi Manyetik Malzemeler Araştırma Grubu. Ankara Üniversitesi

Laboratuarımız. Ankara Üniversitesi. Mühendislik Fakültesi Manyetik Malzemeler Araştırma Grubu. Ankara Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Manyetik Malzemeler Araştırma Grubu Laboratuarımız Örnek Hazırlama Ark Fırınları Isıl İşlem Fırınları Mekanik Alaşımlama Sistemleri Şerit Üretim Sistemi (Melt Spinner) Yapısal Karakterizasyon

Detaylı

FİZİK ANABİLİM DALI. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı ANS Kampüsü, Afyonkarahisar

FİZİK ANABİLİM DALI. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı ANS Kampüsü, Afyonkarahisar FİZİK ANABİLİM DALI Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı ANS Kampüsü, Afyonkarahisar Telefon (272) 228 14 23 Faks (272) 228 14 22 1992 yılında kurulmuş olan Fizik Anabilim

Detaylı

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ Dr. Cemile BARDAK Ders Gün ve Saatleri: Çarşamba (09:55-12.30) Ofis Gün ve Saatleri: Pazartesi / Çarşamba (13:00-14:00) 1 TEMEL KAVRAMLAR Bir atom, proton (+), elektron (-) ve

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

TOZ METALURJİSİ Prof.Dr. Muzaffer ZEREN

TOZ METALURJİSİ Prof.Dr. Muzaffer ZEREN . TEKNİK SEÇİMLİ DERS I TOZ METALURJİSİ Prof.Dr. Muzaffer ZEREN SİNTERLEME Sinterleme, partiküllerarası birleşmeyi oluşturan ısıl prosestir; aynı zamanda ham konumda gözlenen özellikler artırılır. . Sinterlemenin

Detaylı

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Gizem Pekküçük, İbrahim Uzar, N. Özlem Ünverdi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Yıldız Teknik Üniversitesi gizem.pekkucuk@gmail.com,

Detaylı

YENİ BİR İLETKEN POLİMER: POLİ(3,8 DİAMİNOBENZO[c]SİNNOLİN) ELEKTROKİMYASAL ÜRETİMİ VE ELEKTROKROMİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

YENİ BİR İLETKEN POLİMER: POLİ(3,8 DİAMİNOBENZO[c]SİNNOLİN) ELEKTROKİMYASAL ÜRETİMİ VE ELEKTROKROMİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ YENİ BİR İLETKEN POLİMER: POLİ(3,8 DİAMİNOBENZO[c]SİNNOLİN) ELEKTROKİMYASAL ÜRETİMİ VE ELEKTROKROMİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Eda AKGÜL a *, Ahmet Ferat ÜZDÜRMEZ b, Handan GÜLCE a, Ahmet GÜLCE a, Emine

Detaylı

Optik Özellikler. Elektromanyetik radyasyon

Optik Özellikler. Elektromanyetik radyasyon Optik Özellikler Işık malzeme üzerinde çarptığında nasıl bir etkileşme olur? Malzemelerin karakteristik renklerini ne belirler? Neden bazı malzemeler saydam ve bazıları yarısaydam veya opaktır? Lazer ışını

Detaylı

ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM

ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM 1. Giriş Malzemelerde üretim ve uygulama sırasında görülen katılaşma, çökelme, yeniden kristalleşme, tane büyümesi gibi olaylar ile kaynak, lehim, sementasyon gibi işlemler

Detaylı

Sıcaklık Nasıl Ölçülür?

Sıcaklık Nasıl Ölçülür? Sıcaklık Nasıl Ölçülür? En basit ve en çok kullanılan özellik ısıl genleşmedir. Cam termometredeki sıvıda olduğu gibi. Elektriksel dönüşüm için algılamanın farklı metotları kullanılır. Bunlar : rezistif

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

SICAKLIK ALGILAYICILAR

SICAKLIK ALGILAYICILAR SICAKLIK ALGILAYICILAR AVANTAJLARI Kendisi güç üretir Oldukça kararlı çıkış Yüksek çıkış Doğrusal çıkış verir Basit yapıda Doğru çıkış verir Hızlı Yüksek çıkış Sağlam Termokupldan (ısıl İki hatlı direnç

Detaylı

Katotlarımız İNOVAC MÜHENDİSLİK HİZMETLERİ

Katotlarımız İNOVAC MÜHENDİSLİK HİZMETLERİ Telefon: +90 212 500 34 18 Katotlarımız İNOVAC MÜHENDİSLİK HİZMETLERİ Ağaoğlu My Office 212 Kat:23 Daire:380 Mahmutbey Merkez Mah. Taşocağı Cad. TR-34217 Güneşli, Bağcılar / İSTANBUL Rev01 Telefon: +90

Detaylı

Üç farklı malzeme türünden imal edilen ve günlük haya6a sıkça karşılaş9ğımız ürünlerden biri, gazlı içecek kaplarıdır. Gazlı içecekler alüminyum

Üç farklı malzeme türünden imal edilen ve günlük haya6a sıkça karşılaş9ğımız ürünlerden biri, gazlı içecek kaplarıdır. Gazlı içecekler alüminyum Üç farklı malzeme türünden imal edilen ve günlük haya6a sıkça karşılaş9ğımız ürünlerden biri, gazlı içecek kaplarıdır. Gazlı içecekler alüminyum (metal) kutularda (üs6e), cam (seramik)(ortada) ve plasek

Detaylı

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak.

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ AMAÇ: 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. 2. Bu eş potansiyel çizgileri kullanarak elektrik alan çizgilerinin

Detaylı

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir. TEMEL ELEKTRONİK Elektronik: Maddelerde bulunan atomların son yörüngelerinde dolaşan eksi yüklü elektronların hareketleriyle çeşitli işlemleri yapma bilimine elektronik adı verilir. KISA ATOM BİLGİSİ Maddenin

Detaylı

Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör. Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26

Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör. Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26 Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26 İndüksiyon Nötr Maddenin indüksiyon yoluyla yüklenmesi (Bir yük türünün diğer yük türüne göre daha fazla olması)

Detaylı

İÇİNDEKİLER 1: X-IŞINLARI

İÇİNDEKİLER 1: X-IŞINLARI İÇİNDEKİLER Bölüm 1: X-IŞINLARI 1.1. X-ışınlarının Özellikleri... 1 1.2. Elektromanyetik radyasyon... 2 1.3. Sürekli Spektrum... 5 1.4. Karakteristik Spektrum... 6 1.5. X-ışınlarının Oluşturulması... 9

Detaylı

MALZEME BİLİMİ. 2014-2015 Güz Yarıyılı Kocaeli Üniversitesi Ford Otosan Ġhsaniye Otomotiv MYO. Yrd. Doç. Dr. Egemen Avcu

MALZEME BİLİMİ. 2014-2015 Güz Yarıyılı Kocaeli Üniversitesi Ford Otosan Ġhsaniye Otomotiv MYO. Yrd. Doç. Dr. Egemen Avcu MALZEME BİLİMİ 2014-2015 Güz Yarıyılı Kocaeli Üniversitesi Ford Otosan Ġhsaniye Otomotiv MYO Yrd. Doç. Dr. Egemen Avcu Bilgisi DERSĠN ĠÇERĠĞĠ, KONULAR 1- Malzemelerin tanımı 2- Malzemelerinseçimi 3- Malzemelerin

Detaylı

SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE

SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE OPTİK MALZEMELER ARAŞTIRMA GRUBU SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE Birhan UĞUZ 1 0 8 1 0 8 1 0 İçerik Elipsometre Nedir? Işığın Kutuplanması Işığın Maddeyle Doğrusal Etkileşmesi Elipsometre Bileşenleri Ortalama

Detaylı

KATILARIN ATOMİK DÜZENİ KRİSTAL YAPILAR

KATILARIN ATOMİK DÜZENİ KRİSTAL YAPILAR KATILARIN ATOMİK DÜZENİ KRİSTAL YAPILAR KRİSTAL YAPILAR Mühendislik açısından önemli olan katı malzemelerin fiziksel özelikleri; katı malzemeleri meydana getiren atom, iyon veya moleküllerin dizilişine

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI DENEY FÖYÜ DENEY ADI FOTOVOLTAİK PANELLERİN ÇEŞİTLERİ VE ÖLÇÜMLERİ DERSİN ÖĞRETİM

Detaylı

Elektrik Yük ve Elektrik Alan

Elektrik Yük ve Elektrik Alan Bölüm 1 Elektrik Yük ve Elektrik Alan Bölüm 1 Hedef Öğretiler Elektrik yükler ve bunların iletken ve yalıtkanlar daki davranışları. Coulomb s Yasası hesaplaması Test yük kavramı ve elektrik alan tanımı.

Detaylı

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ Infrared (IR) ve Raman Spektroskopisi Yrd. Doç. Dr. Gökçe MEREY TİTREŞİM Molekülleri oluşturan atomlar sürekli bir hareket içindedir. Molekülde: Öteleme hareketleri, Bir eksen

Detaylı

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

HYDROTERMAL YÖNTEMİYLE NİKEL FERRİT NANOPARTİKÜLLERİN SENTEZİ VE KARAKTERİZASYONU

HYDROTERMAL YÖNTEMİYLE NİKEL FERRİT NANOPARTİKÜLLERİN SENTEZİ VE KARAKTERİZASYONU ÖZET HYDROTERMAL YÖNTEMİYLE NİKEL FERRİT NANOPARTİKÜLLERİN SENTEZİ VE KARAKTERİZASYONU Zeynep KARCIOĞLU KARAKAŞ a,*, Recep BONCUKÇUOĞLU a, İbrahim H. KARAKAŞ b a Atatürk Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi,

Detaylı

HT-350 ISIL İLETKETLİK EĞİTİM SETİ DENEY FÖYLERİ

HT-350 ISIL İLETKETLİK EĞİTİM SETİ DENEY FÖYLERİ HT-350 ISIL İLETKETLİK EĞİTİM SETİ DENEY FÖYLERİ DENEYSAN EĞİTİM CİHAZLARI SANAYİ VE TİCARET LTD. ŞTİ. Küçük Sanayi sitesi 12 Ekim Cad. 52.Sok. No:18/ABALIKESİR Tel:0266 2461075 Faks:0266 2460948http://www.deneysan.com

Detaylı

Ahenk (Koherans, uyum)

Ahenk (Koherans, uyum) Girişim Girişim Ahenk (Koherans, uyum Ahenk (Koherans, uyum Ahenk (Koherans, uyum http://en.wikipedia.org/wiki/coherence_(physics#ntroduction Ahenk (Koherans, uyum Girişim İki ve/veya daha fazla dalganın

Detaylı

T.C. KTO KARATAY ÜNİVERSİTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ

T.C. KTO KARATAY ÜNİVERSİTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ T.C. KTO KARATAY ÜNİVERSİTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ Aktif Titreşim Kontrolü için Bir Yapının Sonlu Elemanlar Yöntemi ile Modelinin Elde Edilmesi ve PID, PPF Kontrolcü Tasarımları Arş.Gör. Erdi GÜLBAHÇE

Detaylı

ATOMLAR ARASI BAĞLAR Doç. Dr. Ramazan YILMAZ

ATOMLAR ARASI BAĞLAR Doç. Dr. Ramazan YILMAZ ATOMLAR ARASI BAĞLAR Doç. Dr. Ramazan YILMAZ Sakarya Üniversitesi, Teknoloji Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü Esentepe Kampüsü, 54187, SAKARYA Atomlar Arası Bağlar 1 İyonik Bağ 2 Kovalent

Detaylı

BARTIN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ MALZEME LABORATUARI II DERSİ AKIMLI VE AKIMSIZ KAPLAMALAR DENEY FÖYÜ

BARTIN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ MALZEME LABORATUARI II DERSİ AKIMLI VE AKIMSIZ KAPLAMALAR DENEY FÖYÜ BARTIN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ MALZEME LABORATUARI II DERSİ AKIMLI VE AKIMSIZ KAPLAMALAR DENEY FÖYÜ Gelişen teknoloji ile beraber birçok endüstri alanında kullanılabilecek

Detaylı

TÜBİTAK DESTEKLİ PROJELER

TÜBİTAK DESTEKLİ PROJELER TÜBİTAK DESTEKLİ LER 1 114F155 PROF. DR. ÇETIN KILIÇ 2014-2017 Bizmut Katkılı Çinko Oksit Nanotellerin Spintronik, Manyetik Ve Elektriksel Özelliklerinin Hesaplamalı İncelenmesi 172.560,00 2 109T677 PROF.

Detaylı

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ Sakarya Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü M6/6318 Bölümün tanıtılması Elektrik Elektronik Mühendisliğinin tanıtılması Mühendislik Etiği Birim Sistemleri Doğru ve

Detaylı

Güçlendirme Alternatiflerinin Doğrusal Olmayan Analitik Yöntemlerle İrdelenmesi

Güçlendirme Alternatiflerinin Doğrusal Olmayan Analitik Yöntemlerle İrdelenmesi YDGA2005 - Yığma Yapıların Deprem Güvenliğinin Arttırılması Çalıştayı, 17 Şubat 2005, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara. Güçlendirme Alternatiflerinin Doğrusal Olmayan Analitik Yöntemlerle İrdelenmesi

Detaylı

Faz dönüşümleri: mikroyapı oluşumu, faz dönüşüm kinetiği

Faz dönüşümleri: mikroyapı oluşumu, faz dönüşüm kinetiği Faz dönüşümleri: mikroyapı oluşumu, faz dönüşüm kinetiği Faz dönüşümleri 1. Basit ve yayınma esaslı dönüşümler: Faz sayısını ve fazların kimyasal bileşimini değiştirmeyen basit ve yayınma esaslı ölçümler.

Detaylı

Endüstriyel Sensörler ve Uygulama Alanları Kalite kontrol amaçlı ölçme sistemleri, üretim ve montaj hatlarında imalat sürecinin en önemli aşamalarındandır. Günümüz teknolojisi mükemmelliği ve üretimdeki

Detaylı

PÜSKÜRTME ŞEKİLLENDİRME (SPRAY FORMING / SPRAY DEPOSITION)

PÜSKÜRTME ŞEKİLLENDİRME (SPRAY FORMING / SPRAY DEPOSITION) PÜSKÜRTME ŞEKİLLENDİRME (SPRAY FORMING / SPRAY DEPOSITION) Püskürtme şekillendirme (PŞ) yöntemi ilk olarak Osprey Ltd. şirketi tarafından 1960 lı yıllarda geliştirilmiştir. Günümüzde püskürtme şekillendirme

Detaylı

BÖLÜM 1: MADDESEL NOKTANIN KİNEMATİĞİ

BÖLÜM 1: MADDESEL NOKTANIN KİNEMATİĞİ BÖLÜM 1: MADDESEL NOKTANIN KİNEMATİĞİ 1.1. Giriş Kinematik, daha öncede vurgulandığı üzere, harekete sebep olan veya hareketin bir sonucu olarak ortaya çıkan kuvvetleri dikkate almadan cisimlerin hareketini

Detaylı

MALZEMELERİN MUKAVEMETİNİ ARTIRICI İŞLEMLER

MALZEMELERİN MUKAVEMETİNİ ARTIRICI İŞLEMLER MALZEMELERİN MUKAVEMETİNİ ARTIRICI İŞLEMLER Malzemelerin mekanik özelliği başlıca kimyasal bileşime ve içyapıya bağlıdır. Malzemelerin içyapısı da uygulanan mekanik ve ısıl işlemlere bağlı olduğundan malzemelerin

Detaylı

Faz ( denge) diyagramları

Faz ( denge) diyagramları Faz ( denge) diyagramları İki elementin birbirleriyle karıştırılması sonucunda, toplam iç enerji mimimum olacak şekilde yeni atom düzenleri meydana gelir. Fazlar, İç enerjinin minimum olmasını sağlayacak

Detaylı

Atom. Atom 9.11.2015. 11 elektronlu Na. 29 elektronlu Cu

Atom. Atom 9.11.2015. 11 elektronlu Na. 29 elektronlu Cu Atom Maddelerin en küçük yapı taşlarına atom denir. Atomlar, elektron, nötron ve protonlardan oluşur. 1.Elektronlar: Çekirdek etrafında yörüngelerde bulunurlar ve ( ) yüklüdürler. Boyutları çok küçüktür.

Detaylı

KOROZYONUN ÖNEMİ. Korozyon, özellikle metallerde büyük ekonomik kayıplara sebep olur.

KOROZYONUN ÖNEMİ. Korozyon, özellikle metallerde büyük ekonomik kayıplara sebep olur. KOROZYON KOROZYON VE KORUNMA KOROZYON NEDİR? Metallerin bulundukları ortam ile yaptıkları kimyasal veya elektrokimyasal reaksiyonları sonucu meydana gelen malzeme bozunumuna veya hasarına korozyon adı

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL İçerik Algılama Teknolojisi Algılama Mekanizması Uygun Sensör SENSÖR SİSTEMİ Ölçme ve Kontrol Sistemi Transdüser ve Sensör Kavramı Günlük hayatımızda ısı, ışık, basınç

Detaylı

Bugün için Okuma: Bölüm 1.5 (3. Baskıda 1.3), Bölüm 1.6 (3. Baskıda 1.4 )

Bugün için Okuma: Bölüm 1.5 (3. Baskıda 1.3), Bölüm 1.6 (3. Baskıda 1.4 ) 5.111 Ders Özeti #4 Bugün için Okuma: Bölüm 1.5 (3. Baskıda 1.3), Bölüm 1.6 (3. Baskıda 1.4 ) Ders #5 için Okuma: Bölüm 1.3 (3. Baskıda 1.6 ) Atomik Spektrumlar, Bölüm 1.7 de eģitlik 9b ye kadar (3. Baskıda

Detaylı

Kasetin arka yüzeyi filmin yerleştirildiği kapaktır. Bu kapakların farklı farklı kapanma mekanizmaları vardır. Bu taraf ön yüzeyin tersine atom

Kasetin arka yüzeyi filmin yerleştirildiği kapaktır. Bu kapakların farklı farklı kapanma mekanizmaları vardır. Bu taraf ön yüzeyin tersine atom KASET Röntgen filmi kasetleri; radyografi işlemi sırasında filmin ışık almasını önleyen ve ranforsatör-film temasını sağlayan metal kutulardır. Özel kilitli kapakları vardır. Kasetin röntgen tüpüne bakan

Detaylı

BA KENT ÜNİVERSİTESİ. Malzemeler genel olarak 4 ana sınıfa ayrılabilirler: 1. Metaller, 2. Seramikler, 3. Polimerler 4. Kompozitler.

BA KENT ÜNİVERSİTESİ. Malzemeler genel olarak 4 ana sınıfa ayrılabilirler: 1. Metaller, 2. Seramikler, 3. Polimerler 4. Kompozitler. MALZEMELER VE GERĐLMELER Malzeme Bilimi mühendisliğin temel ve en önemli konularından birisidir. Malzeme teknolojisindeki gelişim tüm mühendislik dallarını doğrudan veya dolaylı olarak etkilemektedir.

Detaylı

KOMPOZİTLER Sakarya Üniversitesi İnşaat Mühendisliği

KOMPOZİTLER Sakarya Üniversitesi İnşaat Mühendisliği Başlık KOMPOZİTLER Sakarya Üniversitesi İnşaat Mühendisliği Tanım İki veya daha fazla malzemenin, iyi özelliklerini bir araya toplamak ya da ortaya yeni bir özellik çıkarmak için, mikro veya makro seviyede

Detaylı

ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ *

ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ * ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ * Production and Optical Properties of Zinc Nitride (Zn 3 N 2 ) By Pulsed Filtered Cathodic

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Bazı atomlarda proton sayısı aynı olduğu halde nötron sayısı değişiktir. Bunlara izotop denir. Şekil II.1. Bir atomun parçaları

Bazı atomlarda proton sayısı aynı olduğu halde nötron sayısı değişiktir. Bunlara izotop denir. Şekil II.1. Bir atomun parçaları 8 II. MİNERALLER II.1. Element ve Atom Elementlerin en ufak parçasına atom denir. Atomlar, proton, nötron ve elektron gibi taneciklerden oluşur (Şekil II.1). Elektron negatif, proton pozitif elektrik yüküne

Detaylı

Optoelektronik Tümleşik Devreler. 2008 HSarı 1

Optoelektronik Tümleşik Devreler. 2008 HSarı 1 Optoelektronik Tümleşik Devreler 2008 HSarı 1 Kaynaklar: R. G. Hunsperger, Integrated Optics: Theory and Technology, 3rd Edition, Springer Series in Optical Science, Springer-Verlag, 1991 2008 HSarı 2

Detaylı

MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu. 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar

MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu. 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için http://ocw.mit.edu/terms ve http://tuba.acikders.org.tr

Detaylı

NORMAL ÖĞRETİM DERS PROGRAMI

NORMAL ÖĞRETİM DERS PROGRAMI NORMAL ÖĞRETİM DERS PROGRAMI 1. Yarıyıl 1. Hafta ( 19.09.2011-23.09.2011 ) Nükleer reaktör türleri ve çalışma prensipleri Atomik boyuttaki parçacıkların yapısı Temel kavramlar Elektrostatiğin Temelleri,

Detaylı

Bölüm 3 SAF MADDENİN ÖZELLİKLERİ

Bölüm 3 SAF MADDENİN ÖZELLİKLERİ Bölüm 3 SAF MADDENİN ÖZELLİKLERİ 1 Amaçlar Amaçlar Saf madde kavramının tanıtılması Faz değişimi işleminin fizik ilkelerinin incelenmesi Saf maddenin P-v-T yüzeylerinin ve P-v, T-v ve P-T özelik diyagramlarının

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR II ZAMANA BAĞLI ISI İLETİMİ 1.Deneyin Adı: Zamana bağlı ısı iletimi. 2. Deneyin

Detaylı

Dijital Görüntülemede Grid Kullanımı ile Radyasyon Dozunun ve Görüntü Kalitesinin Değişimi

Dijital Görüntülemede Grid Kullanımı ile Radyasyon Dozunun ve Görüntü Kalitesinin Değişimi Nükleer Bilimler Enstitüsü Medikal Fizik Ana Bilim Dalı Mühendislik Fakültesi Fizik Mühendisliği Bölümü Dijital Görüntülemede Grid Kullanımı ile Radyasyon Dozunun ve Görüntü Kalitesinin Değişimi Ümran

Detaylı

Seramik malzemelerin kristal yapıları

Seramik malzemelerin kristal yapıları Seramik malzemelerin kristal yapıları Kararlı ve kararsız anyon-katyon görünümü. Kırmızı daireler anyonları, mavi daireler katyonları temsil eder. Bazı seramik malzemelerin atomlararası bağlarının iyonik

Detaylı

Magnetic Materials. 6. Ders: Ferromanyetizma. Numan Akdoğan. akdogan@gyte.edu.tr

Magnetic Materials. 6. Ders: Ferromanyetizma. Numan Akdoğan. akdogan@gyte.edu.tr agnetic aterials 6. Ders: Ferromanyetizma Numan Akdoğan akdogan@gyte.edu.tr Gebze Institute of Technology Department of Physics Nanomagnetism and Spintronic Research Center (NASA) Ferromanyetik alzemelerin

Detaylı

DA DEVRE. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI

DA DEVRE. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI DA DEVRE Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI BÖLÜM 1 Temel Kavramlar Temel Konular Akım, Gerilim ve Yük Direnç Ohm Yasası, Güç ve Enerji Dirençsel Devreler Devre Çözümleme ve Kuramlar

Detaylı

Öğretim Üyeleri İçin Ön Söz Öğrenciler İçin Ön Söz Teşekkürler Yazar Hakkında Çevirenler Çeviri Editöründen

Öğretim Üyeleri İçin Ön Söz Öğrenciler İçin Ön Söz Teşekkürler Yazar Hakkında Çevirenler Çeviri Editöründen Öğretim Üyeleri İçin Ön Söz Öğrenciler İçin Ön Söz Teşekkürler Yazar Hakkında Çevirenler Çeviri Editöründen ix xiii xv xvii xix xxi 1. Çevre Kimyasına Giriş 3 1.1. Çevre Kimyasına Genel Bakış ve Önemi

Detaylı

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 402 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY 4

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 402 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY 4 BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 0 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY İÇİNDE SABİT SICAKLIKTA SİLİNDİRİK ISITICI BULUNAN DİKDÖRTGEN PRİZMATİK SAC KUTU YÜZEYLERİNDEN ZORLANMIŞ TAŞINIM

Detaylı

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ Prof. Dr. Hasan EFEOĞLU Mühendislik Fakültesi E&E Mühendisliği Bölümü hefeoglu@atauni.edu.tr Forum, CeBIT 09-Eylül-2005, İstanbul Yarıiletken Teknolojisi Günlük hayatımızın

Detaylı

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir.

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir. Bir fuel cell in teorik açık devre gerilimi: Formülüne göre 100 oc altinda yaklaşık 1.2 V dur. Fakat gerçekte bu değere hiçbir zaman ulaşılamaz. Şekil 3.1 de normal hava basıncında ve yaklaşık 70 oc da

Detaylı

Dahili Bobinlerin En İyi İçsel Sinyal/Gürültü Oranı Kullanılarak Değerlendirilmesi

Dahili Bobinlerin En İyi İçsel Sinyal/Gürültü Oranı Kullanılarak Değerlendirilmesi Dahili Bobinlerin En İyi İçsel Sinyal/Gürültü Oranı Kullanılarak Değerlendirilmesi Yiğitcan Eryaman 1, Haydar Çelik 1, Ayhan Altıntaş 1, Ergin Atalar 1,2 1 Bilkent Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği

Detaylı

Malzemelerin elektriksel özellikleri

Malzemelerin elektriksel özellikleri Malzemelerin elektriksel özellikleri OHM yasası Elektriksel iletkenlik, ohm yasasından yola çıkılarak saptanabilir. V = IR Burada, V (gerilim farkı) : volt(v), I (elektrik akımı) : amper(a) ve R(telin

Detaylı

EGE ÜNİVERSİTESİ EGE MYO MEKATRONİK PROGRAMI

EGE ÜNİVERSİTESİ EGE MYO MEKATRONİK PROGRAMI EGE ÜNİVERSİTESİ EGE MYO MEKATRONİK PROGRAMI SENSÖRLER VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLER SEVİYENİN ÖLÇÜLMESİ Seviye Algılayıcılar Şamandıra Seviye Anahtarları Şamandıralar sıvı seviyesi ile yukarı ve aşağı doğru hareket

Detaylı

TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET

TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET EBE-211, Ö.F.BAY 1 Temel Elektriksel Nicelikler Temel Nicelikler: Akım,Gerilim ve Güç Akım (I): Eletrik yükünün zamanla değişim oranıdır.

Detaylı

ALÜMİNYUM T6 ISIL İŞLEMİ İÇİN GELİŞTİRİLEN SEPET TASARIMI İLE ZAMAN VE ENERJİ TASARRUFU SAĞLANMASI

ALÜMİNYUM T6 ISIL İŞLEMİ İÇİN GELİŞTİRİLEN SEPET TASARIMI İLE ZAMAN VE ENERJİ TASARRUFU SAĞLANMASI ALÜMİNYUM T6 ISIL İŞLEMİ İÇİN GELİŞTİRİLEN SEPET TASARIMI İLE ZAMAN VE ENERJİ TASARRUFU SAĞLANMASI Seracettin Akdı Aydınlar Yedek Parça San. ve Tic. A.Ş. Ar-Ge Merkezi Gamze Küçükyağlıoğlu Aydınlar Yedek

Detaylı

Prof. Dr. Osman SİVRİKAYA Zemin Mekaniği I Ders Notu

Prof. Dr. Osman SİVRİKAYA Zemin Mekaniği I Ders Notu HAFTALIK DERS PLANI Hafta Konular Kaynaklar 1 Zeminle İlgili Problemler ve Zeminlerin Oluşumu [1], s. 1-13 2 Zeminlerin Fiziksel Özellikleri [1], s. 14-79; [23]; [24]; [25] 3 Zeminlerin Sınıflandırılması

Detaylı

FIRAT ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ 3. SINIF EKSTRAKTİF METALURJİ DERSİ VİZE SINAV SORULARI CEVAP ANAHTARI

FIRAT ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ 3. SINIF EKSTRAKTİF METALURJİ DERSİ VİZE SINAV SORULARI CEVAP ANAHTARI FIRAT ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ 3. SINIF EKSTRAKTİF METALURJİ DERSİ VİZE SINAV SORULARI CEVAP ANAHTARI ---------------------------------------Boşluk Doldurma Soru

Detaylı

Kızılötesi. Doğrudan alınan güneşışığı %47 kızılötesi, %46 görünür ışık ve %7 morötesi ışınımdan oluşur.

Kızılötesi. Doğrudan alınan güneşışığı %47 kızılötesi, %46 görünür ışık ve %7 morötesi ışınımdan oluşur. Kızılötesi Kızılötesi (IR: Infrared), nispeten daha düşük seviyeli bir enerji olup duvar veya diğer nesnelerden geçemez. Radyo frekanslarıyla değil ışık darbeleriyle çalışır. Bu nedenle veri iletiminin

Detaylı

DOĞRUSAL YANGIN ALGILAMA SĐSTEMLERĐ

DOĞRUSAL YANGIN ALGILAMA SĐSTEMLERĐ DOĞRUSAL YANGIN ALGILAMA SĐSTEMLERĐ Mehmet Yavuz ALKAN yavuz.alkan@absalarm.com.tr ABS Alarm ve Bilgisayar Sistemleri San. ve Tic. A.Ş. 1203 / 11 Sokak No:3 Ömer Atlı Đş Merkezi Kat:5-505 Yenişehir ĐZMĐR

Detaylı

Asenkron Motor Analizi

Asenkron Motor Analizi Temsili Resim Giriş Asenkron motorlar, neredeyse 100 yılı aşkın bir süredir endüstride geniş bir yelpazede kulla- Alperen ÜŞÜDÜM nılmaktadır. Elektrik Müh. Son yıllarda, FİGES A.Ş. kontrol teknolojilerinin

Detaylı