ÖZEL TRİSTÖRLER TRİYAK

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "ÖZEL TRİSTÖRLER TRİYAK"

Transkript

1 ÖZEL TRİSTÖRLER Tristör tanımının dışında kalan bazı tristörler bulunmaktadır.bunların bazı özellikleri normal tristörlerdekine benzemekle beraber yeni yetenekler eklenmiştir. Bunlar iki yönlü iletebilme veya tıkama, ters kapı akımıyla tıkamaya sokulabilme, ışıkla iletime geçirilebilme gibi özelliklerdir. TRİYAK TANIM VE ÖZELLİKLERİ: Tristörün sadece bir yönde akım iletimini gerçekleştirmesi özellikle AC güç kontrol devrelerinde çoğunlukla dezavantajdır.her iki yönde de iletime geçirilebilen bir eleman mevcuttur.bu eleman triyaktır. Triyak (TRIAC), Triode (three electrode) AC [üç elektrotlu] yarı iletken anahtar olarak anılabilir fakat genel kullanımı bu kelimelerin baş harflerinin kullanılmasıyla kısaltılmıştır. AC devrelerinde, tristörler gibi bir kapı sinyali kontrolüyle akım anahtarlamalarında kullanılırlar. Akımı her iki polariteyi de geçirebilme ya da tıkama özelliği bulunur ki bu özelliğinden dolayı, triyak -genel olarak iki yönlü triyot tristör olarak adlandırılır. İki tek yönlü tristörün ters paralel bağlanmış şekli gibi davranırlar. Böylece, uygulanmış olan gerilimin her iki polaritesini de iletme ya da tıkama yeteneğine sahiptir. Bir pozitif veya negatif kapı akımı kullanarak her iki yönde akım geçişi sağlanabilir. Özellikle şebeke frekanslı AC kontrolü için kullanılırlar. Triyağın kullanışlılığı ve güç tutabilme özelliğinin artması nedeniyle AC, DC motor hız kontrolü (ve çalıştırılması) ; ışık ayarı (dimmer) ;AC statik anahtarlama ve ısıtıcı kontrolü gibi tam dalga kontrol uygulamaları için aranan ve çok elverişli bir elemandır. Bir kristal yapı içinde iki ters paralel p-n-p-n zincirini sağlamak zor olduğun için trisrörler kadar büyük akım ve gerilim değerleri için üretilmezler.triyağın kullanımı, normal bir tristöre göre,bir soğutucu ve bir tetikleme devresi yeterli olduğundan daha ekonomiktir. Anot gerilimi UA ve kapı gerilimi UG nin yönüne bağlı olarak triyağın 4 tetikleme bölgesi vardır(1.,2.,3.,4. Bölgeler). Triyaklar, 200 A akım değeri ve 1000 V gerilim değerlerine kadar kullanılabilir. 400 Hz e kadar ve özellikle Hz de kullanılabilir.tipik tetikleme seviyeleri ve büyüklükleri tristörünkilere benzerdir.mesela, 10-2 mertebesindeki akımlar ve 1 veya 2 voltluk kapı tetikleme sinyali ; 1 ve 2 V iletimdeki gerilimini kapsayan bir sahadadır. Triyak ve normal tristör arasındaki yön kavramından kaynaklanan farklılığı görmezlikten gelirsek, aralarında birçok benzerliğin olduğunu görebiliriz.bunlar, ilgili kullanılan terimler (terminoloji) ; tetikleme metotları, uygulamaları ; 1. Bölge karakteristikleri ve üretim teknikleridir. Triyaklarda kapı akımına hassasiyet normal tristörlere nazaran daha azdır, serbest kalma süreleri daha uzundur.kritik gerilim yükselme hızları da daha küçüktür.bu nedenle endüktif yüklü uygulamalarda kullanımları zordur çünkü kapı kontrolleri tekrar elde edilemez Şekil 1.1 de bir tipik düşük akımlı triyağın değerleri verilmiştir.birçok triyak açıklaması, sembolü, ve büyüklükleri tristördekilerle aynıdır.bu tablodaki veriler genellikle en kötü haldir, bu nedenle ana uç ve kapı polaritesi durumlarından en zorlusunu yansıtır.triyak kapı nicelikleri tepe değerleri ile en düşük kapı tetikleme seviyeleri değerleri karıştırılmamalıdır.kapı nicelikleri tepe değeri, maksimum izin verilen kapı kaybı ve düşük kapı tetikleme seviyeleri değerleri de, tetiklenme için gerekli olan minimum seviyeyle 1

2 ilgilidir.şekil 1.1.(a) ve (b). Tipik triyak verileri, geçirme akımı ve maksimum sıcaklık ile ilgili olan grafikleri içerir Kapama Durumunda Periyodik 200 V 400 Gerilimin Tepe Değeri,V DROM V Kapı Tetikleme Akımı Tepe Değeri, I GTM, (Max.1μs için) Kapı Güç Kaybı, P GM (tepe) (Max 1μs ve I GTM 4 A (tepe) için) 4 A 4 A 16 W 16 W Şekil 1.1.(a) MT ve Kapı Geriliminin Her İki Polaritesine Ait Bazı Büyüklükler Ortalama P GAV 0,2 W 0,2 W Geçirme Akımı RMS Değeri, I t(rms), T C =+75 C ve 360 lik iletme açısı için 6A 6A Karakteristik Kapamadaki Akım Tepe Değeri, T J =+100 C için Maksimum İletim Gerilimi, İ T = 30 A(tepe) ve T C =+25 C için Sembol Sınırlar Birim Min Tİpik Max Min Tipik Max I DROM -- 0, ,2 44 ma v T -- 1, ,6 2,25 V DC Tutma Akımı, T C =+25 C için I H , ma Komutasyon Gerilimi Kritik YükselmeHızı, V DROM =V D, I t(rms) =6A, di/dt=3,2a/ms,t C =+75 C için Kapama Gerilimi Kritik Yükselme Hızı, T C =+100 C DC Kapı Tetikleme Akımı,V D =12V(dc),R L =12Ω,T C =+25 C için I.Bölge III.Bölge IV.Bölge II.Bölge DC Kapı Tetikleme Gerilimi, R L =12Ω V D =12V(dc), T C =+25 C için ve V DROM =V D, R L =125Ω, T J =+100 C için Kapı Kontrollü İletime Geçme Zamanı (Gecikme Zamanı + Yükselme Zamanı) V/μs dv/dt I GT V GT , ,2 V 0, , t GT -- 2, ,2 -- μs Termik Direnç (Jonksiyon-Gövde) C/W ma Şekil 1.1.(b).Karakteristikler. 2

3 ANA UÇ KARAKTERİSTİKLERİ: Şekil 1. 2.Ana Triyak Yapısı ve Devre Sembolü Ana triyak yapısı şekil 2 de gösterilmiştir.triyakda iki yönlü akım geçişi olabildiğinden dolayı ana uçlar, anot ve katot yerine MT1 ve MT2 olarak adlandırılır.mt1 ucu, kapı ucundaki ve MT2 ucundaki akım gerilim ölçümündeki referans noktasıdır.her iki ana ucun da,hem n tipi hem de p- tipi emiter ile omik kontakları vardır.mt2 deki n-tipi emiter,mt1 deki p- tipi emiterin direk olarak tersindedir ve MT2 deki p-tipi emiter, MT1 deki n-tipi emiterin direk olarak tersindedir.bu da, MT1 ve MT2 uçları arasındaki bölgenin p-n-p-n ve n- p-n-p zincirlerinin paralel bağlantısından oluştuğunu gösterir.kapı bölgesi daha karmaşık bir yapıdadır. Bu eleman bir kısa devre emiter yapısına sahiptir.n emiterleri,komşu p bölgelerine kısa devre edilmiştir.bu nedenle,bu jonksiyonların gerilimleri sıfırdır.eğer kapıya bir darbe uygulanırsa, elektronlar n 3 den p 2 ye doğru hareket eder.elektronlar n 2 ye birikir ve iletime geçme oluşur.eğer kapıya negatif bir darbe uygulanırsa,elektronlar n 4 den p 2 ye hareket eder ve sonuçta yine tetiklenme gerçekleşmiş olur. Anot gerilimi UA ve kapı gerilimi UG nin yönüne bağlı olarak triyağın 4 tetiklenme bölgesi bulunmaktadır(şekil 1.3.).Triyak 1 ve 3. bölgelerde en hassastır,tetiklenmesi en kolaydır.daha sonraki hassasiyet sırası 4 ve 2.bölgelerdir.Modern triyaklar bu 4 bölgede de tetiklenebilecek yapıdadır. Şekil (a) Anot Akım-Gerilim Karakteristiği, (b)tetiklenme Bölgeleri 3

4 Şekil 1.3.(a) da AC akım-gerilim karakteristiği gösterilmiştir. Referans noktası olarak MT1 alınmıştır. 4 tetiklenme bölgesini inceleyecek olursak, 1. bölge MT2 nin MT1 e göre pozitif olduğu bölge ve 3. bölge de MT2 nin MT1 e göre negatif olduğu bölgedir.normal tristördeki gibi triyak da kapamadan iletime devrilme gerilimi V B0 da geçer.iletimde, ana akım, I H tutma akımı altına düşene kadar kapı kontrolünü kaybetmiştir. Devrilme noktasına kapı ucuna pozitif veya negatif bir darbe uygulanarak daha düşük bir ana uç geriliminde ulaşılabilir. Devrilme geriliminin (VB0 ın),her iki bölgede de, kapı kontrolünü yitirmemek için, uygulanan normal AC dalga şeklinden büyük olması gerekir. Böylece her iki polaritede, belirtilmiş genlikteki bir kapı akımı, her iki bölgede triyağı iletime sokacaktır. Eğer VB0 aşılırsa (kısa süreli de olsa), triyak iletime geçer ve akımı,tutma akımı I H ın altına düşene kadar iletimde kalır. Bu hareket triyakta aşırı süreksiz gerilimler için doğal bir bağışıklık sağlar ve genelde yardımcı koruyucu elemanlar için duyulan ihtiyacı yok eder. Bazı uygulamalarda,triyağı süreksiz sinyalle iletime sokmak, kontrol edilen devrede bazı istenmeyen ve tehlikeli sonuçlar doğurabilir. Triyağın kendisi bu geçici sinyallerden zarar görmese bile, iletime geçmesini önlemek için geçici sinyal bastırması gereklidir. Şekil 1.4. Triyak Kesit Görünüşü ve Farklı Çalışma Durumlarında Akım Geçişi Şekil 1.4 de MT2 ve kapının durumuna göre jonksiyonlar arası akım geçişi gösterilmiştir. Şeklin üst yarısı, MT2 pozitifken (MT1 referans alınmıştır) negatif ve pozitif kapı tetiklemesi olasılığını gösterir.pozitif kapı gerilimi ile, kapı akımı, gösterilmiş iletimdeki (forward biased) p-n jonksiyonundan geçerek kapıdan MT1 e akar. Negatif kapı sinyalleri de triyağı tetikleyebilir.tek fark, asimetri ve ana akım etkilerinden dolayı ihtiyaç duyulan I G akımı seviyesindeki bazı farklılıklar ve kapı akım yoludur. 4

5 Tristörlerin kapamaya geçmesi için tam bir negatif yarım periyodu vardır fakat triyak, her iki yarım periyotta da iletir ve bu nedenle ana gerilim sıfırdan geçerken triyak kısa bir sürede kapamaya geçmelidir. Tristörlerdekine benzer olarak, triyak akım büyüklükleri maksimum jonksiyon sıcaklığına bağlıdır. Akım büyüklüğü uygun soğutma şartlarında -, güç kaybı, (R ThJC ) (iç termik direnç) jonksiyon gövde termik direnci ile belirlenir. Eğer gövde sıcaklığının belirlenmiş değerinin üstüne çıkmasına izin verilirse,triyağın belirlenmiş gerilimini tıkaması ya da ana uç akımı sıfır değerine düştüğünde emniyetli (güvenilir) bir iletimden çıkma olayı garanti edilemez. Endüktif yükler için, hat akımı ve hat gerilimi arasındaki faz kayması triyağın iletimden çıkması anlamına gelir ve daha sonra triyak uçlarında oluşması gereken belirli bir hat gerilimi meydana gelir. Eğer bu gerilim çok hızlı bir şekilde oluşursa, yük taşıyıcılarında çığ oluşabilir ve bu çığ sonucu triyak hemen tekrar iletime girer. Belirli endüktif yüklerle uygun bir komutasyon elde etmek için dv/dt değeri, triyağa paralel bağlı RC devresiyle ya da akım gerilim faz kayması veya jonksiyon sıcaklığının azaltılmasıyla sınırlandırılmalıdır. KAPI TETİKLEME KARAKTERİSTİKLERİ: Triyak, 1. ve 3. bölgelerde, düşük enerjili pozitif veya negatif kapı akımlarıyla tetiklenebileceği için devre tasarımcısı kontrol elemanlarını seçebilmesi için geniş bir alana sahiptir.tetikleme, DC,doğrultulmuş AC, AC, veya UJT, neon lamba,anahtarlama diyotları [(ST2)diyak,SBS, asimetrik tetikleme anahtarı(st-4)] gibi darbe kaynaklarından elde edilebilir.burada önemli olan, iki yönlü karakteristik sergileyen tetikleme elemanları kullanmaktır. Bu olay, tetikleme elemanı sinyali, AC hattan elde edildiğinde önem kazanır ve bazı belirli pozitif ve negatif gerilimlerde tetikleme elemanının devrilmesi veya iletmesi istenilir bir olaydır. TRİYAK TETİKLEME DURUMLARI MT1 e göre MT1 e göre Çalışma MT2 GERİLİMİ Pozitif Pozitif Negatif Negatif KAPI GERİLİMİ Pozitif Negatif Pozitif Negatif Bölgesi I (+) I I (-) IV III (+) II III (-)III Not:(+) ve (-) işaretleri kapı tetikleme akımı veya geriliminin polaritesini gösterir. MT1 ucu referans noktasıdır. Şekil 1.5. Triyak Tetikleme Durumları Triyağın hassasiyeti II. ve IV. bölgelerde biraz daha düşük olduğundan özel durumlar oluşmadıkça bu bölgelerde (özellikle II. bölgede) kullanılmaz.böyle bir durumda, bu uygulama için özel olarak seçilmiş triyaklar kullanılabilir. Triyağın V-I karakteristiğini incelenirse, kapı ve MT1 uçları arasında düşük non-lineer empedansın bulunduğu görülür. Karakteristik, bir çift diyodun ters paralel biçimde bağlanmasıyla oluşan karakteristikle benzerdir. Triyak çalışma teorisi hakkında temel sağlayan 4 ana tristör kavramı vardır: a)temel Geri Tıkamalı Triyot Tristör(The Basic Reverse Blocking Triode Thyristor or SCR) b)kısa Devre Emiterli Tristör(The Shorted Emitter Thyristor) c)jonksiyon Kapı Tristörü(Junction Gate Thyristor) d)uzak Kapı Tristörü(Remote Gate Thyristor) 5

6 c)jonksiyon Kapı Tristörü şekil 1.6 da gösterilmiştir. Şekil 1.6. Jonksiyon Kapı Tristörü Başlangıçta, I G kapı akımı, yardımcı p 1 n 1 p 2 n 3 yapısının p 2 n 3 kapı jonksiyonunu iletime sokar ve p 1 n 1 p 2 n 3 yapısının iletime geçmesiyle bu yapıdaki gerilim düşümü azalır. p 2 bölgesinin sağ tarafı anot potansiyeline erişmeye başlar. p 2 den yanal bir akım geçer. p 2 -n 2 nin sağ köşesi iletime geçtiğinde elektronlar bu noktaya gelir ve ana yapı iletime geçer. d)uzak Kapı Tristörü şekil 1.7 de gösterilmiştir. Şekil 1.7. Uzak Kapı Tristörü Dış kapı akımı, I G, p 1 -n 3 ün iletime girmesine neden olur ve şekilde gösterildiği gibi elektronlar hareket eder. Bu elektronlar, p 1 bölgesinde yayılır ve p 1 n 1 jonksiyonu tarafından toplanır. p 1 n 1 iletime geçse bile hala bir kollektör gibi hareket eder. n 3 deki elektronlar, p 1 n 1 tarafından toplanır ve p 1 n 1 de bir akım artışı meydana gelir.eleman tekrar iletime geçer. Yukarıdaki 4 elemanın belirgin özellikleri tek bir elemanda birleştirilebilir.bu eleman triyaktır. Aşağıda tipik bir triyağın yapısı gösterilmiştir (Şekil 1.8).Çalışma şekli şu şekildedir: a)ana uç 2 (MT2) pozitif, pozitif kapı akımı ; Bu durumda,triyak,tam olarak sıradan bir tristör gibi davranır.aktif bölümler p 1 n 1 p 2 n 2 dir. b) Ana uç 2 (MT2) pozitif, negatif kapı akımı; Çalışma, jonksiyon kapı tristörününkine benzedir. p 1 n 1 p 2 n 2 ana yapıdır. n 3 de jonksiyon kapı bölgesi olarak davranır. c) Ana uç 2 (MT2) negatif, negatif kapı akımı; Uzak kapı durumudur. p 2 n 1 p 1 n 4 ana yapıdır. d) Ana uç 2 (MT2) negatif, pozitif kapı akımı; 6

7 p 2 -n 2 iletimdedir ve p 2 n 1 tarafından toplanan elektronları enjekte eder. p 2 n 1 daha çok ileri ön gerilime sahip olur. p 2 n 1 p 1 n 4 den geçen akım oranı artar ve bu bölüm iletime geçer.bu durum da, uzak kapı çalışmasına benzerdir. TRİYAĞIN KULLANIMI: Şekil 1.8. Tipik Triyak Yapısı Triyağın basitliği ve çok yönlü olması, AC güç kontrolünü içeren uygulamalarda geniş bir çeşitlilik sağlayarak onu ideal yapar. Triyağın kapısına tetikleme darbesinin sağlanmasında iki yönlü tetikleme gereksinimleri için ideal olarak uygun olan 3 eleman vardır. Bunlar, neon lamba, diyak, ve silisyumlu iki yönlü anahtar tristördür (SBS). a)statik ANAHTARLAMA: AC devrelerde triyağın bir statik anahtar olarak kullanılması, mekanik anahtarlama hakkında belirli avantajlar verir. Denk bir röleyle karşılaştırırsak çok düşük bir güç kontrol kaynağıyla oldukça büyük akımların kontrol edilmesine izin verir.triyak her yarım dalgada kilitlendiğinde (latching), bir kontak sıçraması olmaz. Triyak, daima sıfır akımda açıldığından, herhangi bir ark veya güç ya da yük hattında depolanmış endüktif enerjiden dolayı güçlenen geçici gerilim oluşmaz. Ayrıca, bileşen sayısında diğer yarı iletken statik anahtarlarla karşılaştırıldığındaetkileyici bir azalma vardır. Bunun nedeni, kapı tetikleme sinyali ve ana gerilimin her iki polaritesini de iletme yeteneğindendir. Devre basitliğinin en dikkat çeken örneği şekil 1.9 da gösterilen temel statik anahtardır. Triyağın tetiklenmesi için gerekli olan sadece birkaç mikrosaniye süresince kontaklar akım tuttuğu için, şekildeki (şekil 1.9.(a)) anahtar yerine (reed switch), röleler, termostatlar, basınç anahtarları, program / timer anahtarları gibi geniş çeşitlilikteki küçük anahtarlama elemanları kullanılabilir. Bu devre, [MT2+,kapı+] ve [MT2-, kapı-], kapı tetikleme durumlarını kullanır. Şekil 1.9(b), basit 3 pozisyonlu güç kontrolü elde etmek için, dalgalanma sınırlayıcı direnci ile seri olan düşük akım diyodu ve bir 3 pozisyonlu anahtarın kullanımını gösterir. 1.pozisyonda herhangi bir kapı bağlantısı yoktur ve güç verilmez. 2.pozisyonda, kapı akımına sadece bir yarım periyotta izin verilir ve yükteki güç yarım dalgadır. 7

8 Şekil 1.9.Triyağın Statik AC Anahtarlama Uygulamaları 3.pozisyonda, her iki yarım periyotta da kapı akımı vardır ve güç tam olarak bulunur.şekil 1.9 (c) de gösterildiği gibi, bu anahtar yerine trafo da kullanılabilir.burada, R direnci, primerden toprağa mıknatıslanma akımını şönt etmek için seçilir. Bu devre, yalıtılmış düşük gerilim kontaklarıyla kontrolü sağlar. Çok kanallı çalışmalardaki işitsel (audio) kodlanmış giriş sinyallerinde tam frekans seçilebilirlik anahtarlamaları sağlamak için şekil 1.9(a) daki gibi devredeki triyakla birlikte rezonant-reed röleler kullanılır.daha düşük frekanslarda, bazı tetikleme noktası modulasyonu hat frekansı darbesinden meydana gelir. Şekil (a)dc Kontrol (b) AC Kontrol Diğer yararlı anahtarlama devreleri, şekil 1.10 da gösterilmiştir ve triyak AC ve DC tetiklemesini gösterir. S 1 anahtarı, termistör, fotosel veya şekil 1.11 de gösterildiği gibi elektriksel sinyal ile kontrol edilen bir transistör ile yer değiştirebilir. 600 Hz in üstündeki daha yüksek frekanslar da etkilidir. Kumanda kontrol çalışması veya bir sistemin teyp kayıt programlanması için diğer statik veya dinamik filtre devreleri kullanımıyla frekans seçiciliği elde edilebilir. Ne olursa olsun, triyak tetikleme hassasiyetinin her iki polaritede veya her bölgede (I,II,III,IV) tümüyle aynı olmadığı,bu nedenle bir eşik dedektörü olarak kullanılmadığı için tetikleme sinyali ON ya da OFF biçiminde olmalıdır. Düşük seviye DC lojik kaynağı gözönünde tutulursa, şekil 1.11 deki transistör bağlantıları bir triyak veya bir dizi triyağın sürülmesi için idealdir. Bunun bir örneği şekil 1.12 de gösterilmiştir ve burada bir AC güç flaşör düzenlemesinde bir transistör flip-flop devresiyle iki triyağın tetiklenmesi gösterilmiştir. 8

9 Şekil 1.11 Transistörlü Kapı Kontrolü Şekil AC Güç Flaşörü.(R 2 nin ayarlanmasıyla, belirtilen frekansta triyak 1 ve 2 birbirini takip ederek ardarda iletime girer.) Triyak 1-2: GE SCI51B (1kw yük için) / GE SCI46B (600 kw yük için) CR 1 -CR 4 : GE AI4F Q 1 : GE 2N26 46 / Q 2 -Q 3 : GE2N3416 C 1 :500μF 25 V Elektrolitik / C 2 :0,2 μf / C 3,C 4: 0,05 μf R 1 :56Ω 2W R 2 :2 MEG TRİMMER / R 3 :1 MEG / R 4 :100 Ω / R 7 -R 8 -R 9 : 680 Ω / R 10 R 11 R 12 R 13 :10 kω b)tetikleyici DİYOT İLE ATEŞLEME: Şekil 1.13 te gösterildiği gibi, temel tam dalga triyak faz kontrol devresi oluşturmak için sadece 4 bileşene ihtiyaç duyulur. Bunlar, ayarlanabilir R 1 direnci ve C 1 kapasitesi, diyak ve triyaktır. Diyak karakteristiği, ileri veya geri yönde olmak üzere benzer simetride yaklaşık olarak ±32 V ta diyağın devrilmesini gösterir.ayrıca,bir negatif direnç karakteristiği ve düşük tetikleme - akım gereksinimlerini sergiler. C 1 üzerindeki gerilim diyağın (iki yönlü tetikleyici diyot) V BO devrilme gerilimine ulaştığında, C 1, diyak üzerinden triyağın kapısına kısmen boşalır. Şekilde diyak, C 1 kapasitesi yaklaşık olarak ±32 V a kadar şarj olduğunda devrilir ve bu değer de 115 veya 230 V luk hat için uygun bir seviyedir. Bu yarım periyodun kalanında, bu darbe triyağı iletim durumuna tetikler. Dalga şeklinde gösterildiği gibi yarım periyodun geri kalanında hat gerilimi yüke taşınır. R 1 direnci oldukça düşük bir direnç değerine ayarlandığında,tetikleme her alternansta erken gerçekleşir ve yük gücü artar. R 1 direnci arttırıldığında, C 1 in diyak devrilme gerilimine ulaşması için gerekli olan zaman da büyüyecek ve hat geriliminin küçük bir yüzdesi yüke uygulanacaktır. 9

10 Şekil 1.13.Temel Diyak-Triyak Faz Kontrolü Şekildeki kapasite-gerilim dalga şekli, kapasite gerilimindeki istenmeyen etkileri gösterir. İlk diyak tetiklenmesinde kapasite gerilimi, diyak ileri gerilimi seviyesine kadar azalır.böylece, C 1 gerilimi öncekinden daha düşük bir gerilimden şarj olmaya başlar ve devrilme gerilimi bir sonraki periyotta daha sonra oluşur. V C1 deki bu azalma istenmeyen bir histeresis etkisine neden olur.yükü başlatma ve durdurma ayarı aynı olmayacaktır.bu,bir lamba ayarlayıcısında (lamp dimmer),lambanın geçirmeye geçmesi ve ayarların %40 kadar aynı zamana rastlamadığı anlamına gelir.böylece potansiyometre kontrol sahası %60 a sınırlandırılmış olur.bunun için şekilde kesikli çizgiyle gösterilmiş olan ikinci bir R-C faz kayma ağının eklenmesiyle histeresis azaltılır ve saha da arttırılır.ikinci R-C zaman sabiti ilkinden daha büyük yapılır. Böylece ikinci kapasite C 1 i tekrar doldurur ve onun tetiklemeden sonraki normal şarjını korumasına yardımcı olur. Bu tek veya çift R-C li devre, akkor lambaların parlaklık kontrolünde kullanılabilir.burada yük bir lamba veya lamba grubu şeklindedir.akkor lambanın ışık şiddeti, uygulanmış gücün lineer fonksiyonu değildir. Bu nedenle, ışıklandırma, R 1 in ayarlanmasıyla oldukça hızlı bir şekilde değişir. Lamba kontrolüne özgü problemlerden biri, oldukça düşük soğuk flaman direnci nedeniyle oluşan yüksek başlama akımıdır. Bu direnç, normal çalışma sıcaklığındaki flaman dirençten birkaç kat daha düşüktür. Bununla beraber, genelde birkaç yüz milisaniye içinde normal dirence ulaşılır.yüksek akım sadece bir çift devir için akacaktır. Bu devrede, tetikleme I ve III bölgelerindedir. Bu devrenin sınırlı bir kontrol sahası olmasına rağmen ve bu sahanın sonunda düşük-çıkışta büyük histeresis etkileri olmasına rağmen, lamba, ısıtıcı, fan hız kontrolleri gibi küçük uygulamaların birçoğunda devrenin basitliğinden dolayı çok uygun bir devredir.bu basit devredeki bazı problemleri yok etmek için, tam bir kontrol sahasının gerektiği yerlerde, çok daha karmaşık devreler (dv/dt bastırma, RFI bastırma, endüktif yükler için bir paralel R-C devresi, bir mekanik ana güç anahtarı vb.) genelde kullanılır. Asimetrik tetikleyici anahtar (ST-4) gibi iki yönlü tetikleyici diyotların diğer tipleri de kullanılabilir. 10

11 Şekil 1.14.Resistif Bir Yükün Gerilimi (a) R değeri düşükken, (b) R değeri makul bir değerde, (c) R değeri yüksekken. Şekil 1.15.Triyak Faz Kontrol Devresinde Dalga Şekilleri Şekil 1.14 de gösterildiği gibi,triyak yük gücünü kontrol ederken her alternansta tetiklenir. Bu nedenle,kapı,her alternans sonunda kontrolü elde edemez.anot akımı I A sıfırdan geçerken, triyak iletimden çıkma eğilimindedir ve kontrolü kapıya verir.şekil 1.15 (a) daki dalga şekilleri,yük endüktifken triyak akımı ve kaynak gerilimi E arasındaki faz ilişkisini gösterir. I A akımı sıfıra yaklaştığı ve triyağın iletimden çıkması için elektron delik çiftleri birleştiği zaman aralığı Δt dir(çizimde abartılmıştır). Şekil (b) de triyak kapamaya geçmeye meylettiğindeki triyak gerilimi değişimi gösterilmiştir. Şekil (c) de ise de/dt etkisinin triyağı periyodik olarak tekrar tetiklediğindeki yük gerilim değişimini gösterir. Bu devrede gösterilmemesine rağmen, neon lamba ve SBS de iki yönlü karakteristiğe sahip olduğu için triyak tetiklenmesi için kullanılabilir. Neon lambalar, 50 V tan 100 V a kadar olan devrilme gerilimleriyle kullanılabilir ve SBS anahtarlama gerilimi yaklaşık olarak 8 V tur. SBS, düşük gerilim anahtarlaması istendiğinde tercih edilir. DİĞER TRİYAK DEVRELERİ : Şekil 1.16,birkaç triyak motor kontrol devresini gösterir.endüksiyon motor hız kontrolünün basitleştirilmiş bir şeması (a) da gösterilmiştir. Bu devre, çamaşır makinesi gibi 3 hızlı motorlarda kullanılabilir ve 2/1 oranında sürekli hız kontrolüne ek bir avantaj sunar.bu devrede, triyak, sürme sarımı ile seridir ve bu nedenle, motor hızını ve bu bobinin gücünü kontrol eder. Böyle bir motorun kontrolü ve regülasyonu, küçük bir takometreden elde edilen UJT kaynağı ile bir UJT darbe devresi ile sağlanır. Takometre bobini motorun ucuna ( sonuna ) yerleştirilmiştir. Bunun AC çıkışı, motor hızı ile orantılıdır ve motorun hızını istenen ayarda korumak için geri beslenmiştir. 11

12 Şekil 1.16.Triyak Motor Kontrol Devreleri (a)endüksiyon Motoru Hız Kontrolü, (b)santrifüj Anahtar Yerine Triyağın Bağlanması, (c)triyak Ters Yön Motor Kontrolü. Endüksiyon motorlarının diğer bir gereksinimi,motora hız kazandırmak için başlama sarımını enerjilendirmek ve onun bağlantısını kesmek gibi yollardır. Bu görev genelde röle veya santrifüj anahtar gibi elektromekanik elemanlarla yerine getirilir.diğer bir durumda,ilk geçirme süresince gücün başlama sarımı üzerinden akmasına izin verilir ve daha sonra elektromekanik birim,motorun sarımını açmasına neden olur.şekil 1.16 (c) de gösterildiği gibi, bir triyak, bu elektromekanik elemanın yerine kullanılabilir.güç uygulandığında,ilk akım baskını (yığılması) süresince,trafo kapı tetikleme gerilimini üretir ve akım kesilince gerilimi V GT altına düşer. Bu noktada, triyak iletimi durdurur ve başlama sarımı açılır. Diğer bir triyak uygulaması, şekil 1.16 (c) deki basitleştirilmiş şemada gösterilen ters yönde çalışan motorların kontrolüdür.bu gibi uygulamalarda,triyaklar,hem ileri hem de geri bobinleri enerjilendiren statik anahtarlar gibi davranır.kontrol anahtarları, radyo frekansı veya ışık bağı yolu ile uzaktan veya normal olarak tetiklenen solid-state ya da mekanik anahtarlar olabilir. Motoru,istenilen limitlerde durdurmak için genelde bir limit anahtarı birleştirilir. Komutasyon kapasitesi, triyak ana uç gerilimlerini tersine çevirir. Bir triyağın hala iletimde, diğerinin ise tetiklenmiş olduğu gibi bir durumda,r 1 direnci, kapasite akımını sınırlandırmak için gereklidir. Eğer kapı devresi dirençlerinden biri termistörse veya buna benzer ısıya duyarlı bir bileşense, şekil 1.13 (a) daki devre, rezistans ısıtıcıya uygulanmış gücü kontrol edecektir. Bununla birlikte, ısıtıcıların genelde çok yüksek güçte olmasından, RFI aşırı olacaktır ve elverişli bir bastırma ağı büyük ve pahalı olacaktır. Bu nedenle, bir sıfır gerilim anahtarlama devresi, ısıtıcı uygulamalarında en sık kullanılan devredir. Bu devreler, sıfır gerilim geçişleri yakınlarında meydana gelen bir anahtarlama ile yüke, yarım veya tam dalga periyotlarını uygular. Tristörde olduğu gibi, tetiklemenin sıfır bölgesinde meydana gelmesini sağlamak için en basit ve en etkili araçlardan biri, ana gerilimle 90 faz farkı (önde) olan bir kapı akımını sağlamak için kapı devresinde bir kapasite kullanmaktır. Ana gerilim minimumdayken, kapı tetikleme sinyali maksimumdur, ve tetikleme, ana gerilim birkaç volta ulaşınca oluşur. 12

13 TRİYAKLARIN KOMUTASYONU: AC devrelerinde, triyağın kullanımı ve bir çift tristörün kullanımı arasında bir önemli fark vardır.tristörlerden her biri kapamaya geçmek için tam bir yarım dalgaya sahiptir.oysa ki yük akımı sıfırdan geçerken triyağın komutasyonu oldukça kısa bir an içinde gerçekleşmelidir. Bu problem, 3 ve 10 V/ s değerleri arasında ortadadır (şekil 1.1 (b) de belirtilmiş olan kritik komutasyon gerilim hızı). Endüktif yükler ile triyağın komutasyonu zorlaşır. Triyağın kapamaya sokulmasındaki problem, elemanın her iki yönde de iletmesinden kaynaklanır. Bu nedenle, uygulanan gerilimin tersi, ters yöndeki iletime geçme olayını başlatabilecek bir algılama akımına neden olur. Bu problemi ortadan kaldırmak için, triyak ana akımı, I H ( tutma akımı ) değerinin altına düşürülmelidir. Akımın sıfırdan geçişinde var olan gerilim değişme hızına yaklaşık olarak denk olan bir zaman aralığı için ana gerilim tekrar uygulanmamalıdır. Bu zaman aralığı depolanmış taşıyıcıların tekrar birleşmesi için yeterli bir süredir.böylece triyak tekrar iletime geçmeye hazır duruma gelmiş olacaktır. Şekil Endüktif Yük Dalga Şekilleri Şekil 1.17, tipik endüktif yük devresi için triyak akım ve gerilim dalga şekillerini gösterir. Endüktif yük ile, endüktans üzerindeki gerilim hemen değişebilir ve triyak gerilimi, akımının sıfıra düşmesinden sonra bir anda yükselir. Eğer sıfır akımdaki ( kapama noktasındaki ) dalga şekillerini incelersek, şekil 1.18 deki gibi bir dalga şekli bulunur. Burada da, algılama akımı fiili bir kapı akımı gibi davranır ve elemanı tekrar iletime sokmaya çalışır. Bundan başka, jonksiyon kapasitesi ve tekrar uygulanan dv/dt den dolayı geri akıma bir bileşen vardır. Bu bileşen direk olarak algılama akımına eklenir fakat triyak,ters polariteyi tıkamaya başlayana kadar bu bileşen ortaya çıkmaz. Akım değişme hızı (-di/dt ) azalınca, algılama akımı da azalır.bu da,verilen bir komutasyon yeteneği için düşük di/dt değerleri için,tekrar uygulanmış yüksek dv/dt lerin izin verilebilir olduğunu gösterir. Yükselme hızı dv /dt, endüktif yükteki akım sıfır olduğundan sadece triyak kapasitesi ile sınırlandırılır. Eğer dv/dt belirli bir değeri aşarsa, yeni ek koruma devreleri eklenmelidir. Standart metot, şekil 1.17 deki R 1 C 1 gibi bir R-C bastırma devresi kullanılarak gerçekleştirilir. R 1 ve C 1 değerleri, kullanılan triyak, hat gerilimi ve yükün bir fonksiyonudur. 13

14 TRİYAK TERMİK DİRENÇLERİ: Şekil Komutasyonda Triyak Akım ve Gerilimi Bütün yarı iletken elemanlarında olduğu gibi, sıcaklık, izin verilen çalışma gücünü etkiler. Yüksek sıcaklıklarda ( genelde 125 ) sızıntı akımlar yüksektir ve istenmeyen tetiklenme tehlikesi olasılığı yüksektir.yüksek çevre sıcaklıkları ve akımlarda düşük seviyeli triyakların çalışması için bazı soğutma şekilleri gereklidir(triyağın soğutucu plaka üzerine monte edilmesi). Özel bir uygulama için triyağın seçiminde elverişli emniyet sınırı sağlanmalıdır. Böylece eleman aşırı değerdeki T JMAX, P GM vs. gibi değerlerle karşı karşıya bırakılmamış olur. Şekil İki Farklı Triyak Termik Direnci GE triyak kataloglarında, aynı eleman için 2 farklı termik direnç belirtilmiştir. 1)JEDEC Termik Direnci: Elemanların, birbirinin yerine geçebilme yeteneğine kanıtlamak amacıyla JEDEC tarafından belirtilmiş bir termal karakteristiktir.bir tek yönlü DC gücünün elemanda kaybı sonucu oluşan, gövde referans noktasındaki jonksiyon sıcaklık artışının ölçülmesiyle elde edilmiş bir değerdir. Termik karakteristik her iki iletim yönü için tamamıyla aynı değildir. 2)Görünür Termik Direnç: Triyak genelde AC uygulamalarda kullanılır ve sonuç olarak, JEDEC tek yönlü termik direnç değeri,maksimum gövde sıcaklığında akım büyüklüğü hesaplamalarında kullanılırken AC akım büyüklüklerinde çok az koruyucu eleman sağlar.bunu yenmek için,ge, görünür termik direnç değeri yerleştirmiştir ki bu da,belirtilen bir frekanstaki akımının tam sinüs dalgası tarafından üretilen bir ortalama güç tarafından arttırıldığında, akım iletiminin her yarım dalgasının onlarında bir anlık oluşan bir jonksiyon sıcaklığı sağlar. Akım büyüklüğü, bu anlık jonksiyon sıcaklığı değerinin eleman için maksimum değer olmasıyla saptanır. Bu da herhangi bir yarım 14

15 dalga akım iletim zaman aralıklarını takip eden kapama gerilimlerini ( dv/dt sınırlamaları ile birlikte) elemanın tıkamasına hazır hale gelmesini temin eder. Şekil 1.19 (b) de gösterildiği gibi,triyağın görünür termik direnci Y modeli ile gösterilir. Y nin kollarından herbiri (R,R ), silisyum elemanın yaklaşık olarak yarısının termik direncini gösterir (bir polaritedeki devre akımı için çalışma). Y nin ana ayağı ise silisyum eleman bağlantı noktasından referans noktasına (T C ) kadar kılıfın termik direncidir.ayrıca GE, fazla yüklenmiş AC akım hesaplamalarında kullanılmak üzere bir görünür süreksiz termik empedans eğrisi belirtmiştir. GTO TRİSTÖR TANIM VE ÖZELLİKLERİ: Normal tristörler güç elektroniği uygulamalarında hemen hemen ideal şalterler olarak kullanılır. Kapama yönünde birkaç bin volt değerindeki gerilimleri ve iletim yönünde ise birkaç bin ampere kadar çıkan akım değerlerini birkaç voltluk gerilim düşümü ile iletirler. En çok kullanımları, tristörün kapısına bir kontrol sinyali uygulayarak istenildiği anda iletime geçirilmeleridir. Bununla birlikte tristörlerin anahtarlama uygulamalarındaki kullanımlarını önleyen ciddi bir eksikliği vardır.bir kontrol sinyali uygulayarak tıkamaya geçirilemezler. Bu tıkamaya geçirilme özelliğinin kazandırılması için eleman yapısında bazı değişiklikler yapılmalıdır. GTO tristör (Gate Turn-Off thyristor), normal bir tristörde olduğu gibi p-n-p-n yapıya sahiptir fakat katot bölgesi, kapıya uygulanan pozitif bir akımın elemanı iletime sokacak ve kapıya uygulanan negatif bir akımın elemanı iletimden çıkaracak şekilde tasarlanmıştır. Sonuç olarak, sıradan bir tristörle karşılaştırırsak, GTO tristör iki yolla iletimden çıkarılabilir: a) Sıradan bir tristördeki gibi, ileri akımını tutma akımı I H0 dan düşük bir değere azaltılmasıyla, b)kapıya negatif kapama akımının uygulanmasıyla. Geriye kalan işlevler, özellikler, karakteristiği,normal tristör ile aynıdır. Şekil 2.1.GTO Tristörün Çalışması. 15

16 Şekil 2.1 (a) da tetikleme için, pozitif akım uygulanışı ; (b) de GTO dan geçen ileri akım I A ve J 3 jonksiyon bölgesinde I A den çıkarılan negatif kapama akımı I G ; c de ise sonuç olarak, I A I G sonucunda I<I H0 olması gereken I akımı J 3 jonksiyonundan geçer. Bu durum olursa, tristör iletimden çıkar.eğer p-n-p-n yapısı alanı yeteri derecede büyükse, yanal elektrik alanları ve yanal taşıyıcı konsantrasyon iniş çıkışları oluşur. Bu nedenle, açıklanan I A I G çıkartması sadece kapı çevresinde uygulanabilir. Daha uzak bölgelerde bu unsur uygulanamaz ve GTO, negatif kapı akımı ile ( I G ) iletimden çıkarılamaz. İletimden çıkarılma mekanizmasının işlemesini sağlamak için p-n-p-n yapısının katot bölgesi için özel bir tasarım uygulanmalıdır. GTO tristör inverterlerde, chopper devrelerinde, elektronik anahtarlama ve diğer uygulamalarda kullanılmaktadır. GTO nun avantajları, sıradan bir tristörü iletimden çıkarmayı kolaylaştıran komutasyon zamanını elde etmek için gerekli olan chopper devrelerinde yardımcı endüktanslar ve kapasitelerin atılması olayına bağlıdır. İletimden çıkma kazancı, anot akımının kapamaya yol açan kapı akımına oranına eşittir ve tipik değeri 3-5 mertebesindedir. Tam yük durumları altında, uygunsuz ısınma ve kapı bağlantısında olası erime meydana gelebilir. Tetikleme darbesi, darbe şeklinde başlamalı ve t GD ( maksimum kapı kontrolü gecikme zamanı) zamanına uygun olarak bir biçimde devam etmelidir. Bir büyük sınırlama vardır ki, yüksek kapama kazancı elde etmek için geri tıkama gerilimi etkili bir şekilde azaltılmıştır ve eğer bir devrede kullanılıyorsa tristörü korumak için seri bir diyot bağlanmalıdır. İletime girme ve serbest kalma süreleri bu elemanlar için genelde bir mikrosaniye mertebesindedir. GTO nun iletimdeki gerilim düşümü aynı büyüklükteki normal bir tristörle karşılaştırılırsa GTO nun eşdeğer direncinin büyük olmasından dolayı daha fazladır ve nominal akımdaki tipik değeri 3 volt mertebesindedir.kilitleme ve tutma akımları da yüksek değerdedir. İletimde iken anot akımı tutma akımı seviyesine kadar azalırsa, kristal yapıda akımın geçmediği izole adalar oluşabilir. Anot akımı tekrar arttırıldığında ve kapı akımı bulunmaması halinde, akımın tekrar tüm yüzeye yayılmaması ihtimali vardır. Sonuçta, bölgesel ısınma sonucu eleman tahrip olabilir. Böyle bir sorunun meydana gelme olasılığı bulunan uygulamalarda, GTO nun iletim süresince kapı akımının sürekli olarak geçirilmesi gerekir. GTO tristörün mevcut akım değeri 3500 A, gerilimi 6000 V tur. TEMEL YAPISI VE I-V KARAKTERİSTİĞİ: GTO nun geçirme mekanizması normal tristörle benzerlik taşır. 4 katmanlı eleman, iki transistörün bağlanması ile düşünülebilir fakat elemanın iletimdeki ve aşırı akımdaki davranışı için iyi bir örnek değildir. Anot katot uçlarına ileri gerilim uygulandığında geri gerilimli merkez jonksiyonu bulunduğundan akım geçmez. Eğer bir pozitif akım geçirilirse, akım taşıyıcılar jonksiyon merkezinde oluşur ve eleman iletime geçer. Akım taşıyıcıların oluşumuna göre jonksiyon merkezindeki akım aşağıdaki gibidir: IC0 IA IC0 npn.ia pnp. IA 1 npn pnp Burada, I C0, tristördeki sızıntı akımdır ve α, transistör ortak baz kazancına eşittir. Buradan, taşıyıcıların artış oranı C, p bölgesinin içlerinde: C = I L.( α npn 1 +α pnp ). Eğer C > 0 ise, taşıyıcı sayısı artar ve bu da iletime neden olur. α npn +α pnp, I L akımına bağlıdır. 16

17 Eğer C < 0 olduğunda, taşıyıcılar taşınır fakat ikinci jonksiyonundaki boşaltma tabakasının artması, bu taşınma oranına karşı koyar.bu da bir potansiyel tepe oluşturur ki bu da iletime karşı koyar. Bu durum, kapıdan akımı geri çekme ile oluşturulabilir. Böylece yeni oran: C = I G.α npn +I L ( α npn + α pnp -1 ) olur. Kapı akımı negatiftir ve böylece, taşıyıcı oranı C nin negatif olmasına neden olabilir. ( npn pnp 1) IG IL npn Uygun bir geri devrilme gerilimine uygun olarak α npn ve α pnp nin seçimiyle, iletimden çıkma oranı I L /I G, 2 10 oranındaki değerlere sahip olabilir. Maksimum periyodik frekans yaklaşık olarak 100 kc/s dir ve yüksek frekanslar büyük anahtarlama kayıpları anlamına gelir. Şekil 2.2.GTO nun Düşey Kesit Perspektif Görünüşü ve GTO nun Devre Sembolü Şekil 2.2 (a) da, kapı katot yapısının birbiriyle çoğalan bölmeleriyle GTO nun dikey kesiti gösterilmiştir. GTO da p 2 baz tabakasının kalınlığı, sıradan bir tristöre oranla biraz daha küçüktür. GTO ve sıradan bir tristör yapıları arasında üç önemli fark vardır. İlk fark, kapı ve katot yapılarının, karmaşık kıvrımlı yapıları içeren çeşitli tipteki geometrik formlarla birçok bölmelere ayrılmış olmasıdır. Temel amaç, katot çevresini büyütmek ve kapıdan katot bölgesi merkezine olan uzaklığın azaltılmasıdır. İkinci fark, katodu çevreleyen silisyumun asitle aşındırılarak uzaklaştırılması ile katot bölgelerinin oluşturulmasıdır. Böylece,katot bölgeleri, şekilde de gösterildiği gibi adalar veya yükseltiler olarak görünür. Bu katot adaları, direk olarak metal soğutucu plakasına bağlıdır ve bu da katot bağlantısının dışarıya verilmesini sağlar. Üçüncü daha önemli fark ise,gto nun anot bölgesiyle ilgilidir.düzenli aralıklarda, n 1 baz tabakasını biçimlendiren n - bölgesiyle teması sağlamak için n + bölgesi, p tipi anoda (p 1 tabakası) sızar. n + bölgeleri,aynı maden kaplama üzerindedir ve p tipi anotla temas halindedir ve kısa devre anot oluşur.kısa devre anot yapısı GTO nun kapamaya geçmesini hızlandırmak için kullanılır.eleman geri gerilimleri tıkasın diye,bazı GTO lar kısa devre anotsuz yapılırlar. GTO nun ileri yöndeki I-V karakteristiği sıradan bir tristörünkiyle aynıdır. Bununla beraber 17

18 ,geri yönde,kısa devre anot yapısından dolayı GTO aslında tıkama yeteneğine sahip değildir. Geri yönde tıkama yapan tek jonksiyon J 3 tür ve oldukça düşük bir devrilme gerilimine (tipik olarak V) sahiptir.gto nun devre sembolü şekil 2.2 (b) de gösterilmiştir. KAPAMA ÇALIŞMASI FİZİĞİ: a)kapama KAZANCI: Şekil 2.3. Bir Tristörün Basitleştirilmiş Modeli GTO nun temel işleyişi, sıradan bir tristörle aynıdır. İki eleman arasındaki başlıca farklar, kapıdan kapamaya sokulabilme özelliğinin kazandırılması için ana tristör yapısında yapılan değişikliklere dayanır. GTO yapısının sıradan bir tristörle neden farklılıklar taşıdığı ve hangi uzlaşmaların yapılması gerektiğinin anlaşılması iki transistör eşdeğer devresinde kapama durumlarının incelenmesiyle mümkün olur (şekil 2.3). Kapı devresine gelen pozitif bir darbe ile Q 1 transistörü ve ardından Q 2 iletime geçer. Devre kilitlenir ve kapıdaki darbe kesildiği halde transistörler hala iletimde kalır.gto nun iletimden çıkabilmesi için uygulanacak negatif bir akımın Q 2 transistörünün I C2 akımını kesmesi gerekir. Eşdeğer devredeki Q 1, Q 2 tristör geçirmedeyken doymuştur.bununla beraber,eğer Q 2 ye doğru baz akımı, doymayı korumak için (I β2 < I C2 /β 2 ), gerekli olan değerden az yapılmalıdır.daha sonra, Q 2 aktif olur ve bir veya her iki transistör aktif olunca, devrede mevcut olan yenileyici hareketten dolayı tristör kapamaya geçer. Şekil 2.3 (b) deki eşdeğer devreyi kullanarak,tristör uç akımlarına göre I β2 yi yazabiliriz: I β2 = α 1. I A -I G ' Burada I G ',normal kapı akımının negatifidir.eşdeğer devreden, Q 2 yi doymadan çıkarmanın tek yolunun bir negatif kapı akımı I G ' olduğu görülebilir.kollektör akımı I C2 şu şekildedir: I C2 = (1-α 1 ).I A I β2 < I C2 /β 2 eşitsizliğini, β 2 = α 2 / (1-α 2 ) ve yukarıdaki iki denklemi kullanarak düzenlersek: I IG' OFF β OFF parametresi,kapama kazancıdır ve şu şekilde verilir: OFF

19 b)gerekli YAPISAL DEĞİŞİKLİKLER : Normal bir tristörü GTO ya değiştirmek için ilk adım, kapama kazancını uygulanabilir kadar büyük yapmaktır.böylece negatif kapı akımının çok yüksek değerlerinin önüne geçilmiş olur. Bu durumda α 1 küçüktür ve α 2 de bir yakınındadır. α 2 yi bu durumda yapmak, n-p-n transistörü Q 2 için dar bir p 2 tabakasının kullanımını ister. Bu adımlar, bir BJT de büyük bir beta değeri elde etmek için gerekli olan ve sıradan bir tristörün fabrikasyonunda kullanılan normal adımlardır. α 1 i küçük yapmak için, n 1 tristör tabakası (Q 1 transistörünün bazı) mümkün olduğunca kalın olmalıdır ve taşıyıcı ömrü bu katmanda kısa olacaktır. Kalın bir n 1 tabakası, bir tristör fabrikasyonunda standarttır çünkü bu katman, ileri tıkama durumundaki eleman çalışması sırasında J 2 jonksiyonunun boşaltma tabakasını barındırmalıdır. Bununla birlikte, kısa ömürlü taşıyıcılara duyulan ihtiyaçla, bu bölgede geçirmedeki güç kayıplarını en aza indirmek için uzun ömürlü taşıyıcılara duyulan ihtiyaç arasında uyuşmazlık vardır. Kapıdan tıkamaya sokulabilme özelliğinin elde edilmesi için taşıyıcı ömürlerindeki bazı azalmalar kabul edilmelidir ve sonuç olarak GTO nun sıradan bir tristöre göre,verilen bir akım değerinde,daha yüksek bir geçirme gerilim düşümü vardır. Yukarıda anlatılan, taşıyıcı ömürlerdeki uyuşmazlık ihtiyaçları,şekil 2.2 de gösterildiği gibi kısa devre anot yapısıyla büyük ölçüde ortadan kaldırılmıştır. GTO nun kapamaya sokulması için,aşırı miktardaki taşıyıcıların özellikle deliklerin n 1 tabakasından taşınması (kaldırılması) gerekir.kısa devre anot yapısından dolayı,hiç geri anot katot gerilimi olamaz ve böylece aşırı miktardaki taşıyıcıların temizlenmesi (taşınması) için gereken geri anot akımları da olamaz. Aşırı miktardaki bu taşıyıcıların taşınması için tek yol, difüzyon ve iç tekrar birleşmelidir. Bununla beraber,gto daki n + bölgeleri,delik difuzyonu duvarını (engelini) kaldırır. Bu, delik difüzyonunun büyük bir oranda olmasına izin verir. Böylece n 1 tabakasındaki aşırı miktardaki delikler en azından difüzyonla olduğu kadar iç tekrar birleşme ile de taşınır. Net sonuç, elemanın kapanması sırasında toplam depolanmış yükün daha hızlı taşınmasıdır ve böylece iletimdeki kayıplar dışında sıradan bir tristörle karşılaştırıldığında GTO nun istenilir her iki daha kısa serbest kalma (turn off) ve ileri algılama zamanları vardır. Bu kısa devre anot yapısı, serbest kalma ve algılama zamanlarının azaltılmasında çok etkilidir ve bazen RCT denilen özel tristör yapılarında da kullanılır.rct lerin GTO da olduğu gibi kısa serbest kalma ve algılama zamanları vardır fakat bir negatif kapı akımıyla tıkamaya geçirilemez çünkü gerekli bazı yapısal değişiklikleri içermez. Kapıdan tıkamaya sokulma yeteneği için gerekli çoğalan bölmeli bir yapıya sahip olan kapı ve katot yapısının kullanımıdır.bu, (çoğalan bölmeli kapı ve katot yapısının kullanımı) da geçirme ve kapama sırasında p 2 tabakasındaki yanal gerilim düşümlerini en aza indirir. Bu yanal gerilim düşümleri, özellikle sıradan tristörlerde göze çarpar. Bu gibi yanal gerilim düşümleri, akım yığılması problemleri ve di/dt sınırlamalarına neden olur. Bununla birlikte, çoğalan bölmeli kapı - katot yapısının kullanımı - ki bu yapılar, kapı kontakları ve katot bölgesi ortası arasında oldukça kısa mesafelere sahiptir - bu problemleri en az indirir. Büyük kapı kapama akımları ile kapı metal kaplamasında önemli gerilim düşümlerinin önüne geçmek için kapı metaline gelen kontaklar, ince yüzeyde aralıklı dizilmiştir. GTO ANAHTARLAMA KARAKTERİSTİKLERİ : a)bastirma VE SÜRME DEVRELERİNİN DAHİL EDİLMESİ: GTO lar, normalde bastırma devreleriyle birlikte kullanılmalıdır. GTO anahtarlama davranışının gerçekçi bir açıklaması bastırma devrelerinin etkilerini de içermelidir. 19

20 Şekil 2.4. Kapama ve Geçirme Bastırmalarıyla Birlikte GTO nun Kullanıldığı Bir Konverter Devresi Şekil 2.4 de gösterilen gerilim azaltıcı konverter devresi (bu devre anahtarlama elemanı olarak GTO yu kullanır.) anahtarlama dalga şekillerinin açıklanmasında kullanacaktır. GTO sadece akım gerilim seviyelerinin büyük olduğu yerlerde değil, ayrıca GTO ile birleştirilen diğer yarı iletken bileşenlerin yavaş olduğu, sadece orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Bu nedenle, şekil 2.4 deki D f diyodu, çok hızlı bir algılama diyodu olmayacaktır. Diğer taraftan, -GTO nun çoğalan bölmeli kapı katot yapısından dolayı diyodun geri algılama zamanıyla karşılaştırıldığında GTO nun daha hızlı akım yükselme zamanı vardır. Bunun sonucu, koruyucu devreler olmadan,diyodun oldukça yavaş geri algılaması nedeniyle çok büyük aşırı akımlar hem GTO hem de diyottan geçebilecektir.bastırma devresi,gto nun uçlarına uygulanabilecek gerilim yükselme hızını arttırır ve iletimden çıkma kabiliyetini iyileştirir.bir pozitif kapı akımı darbesiyle GTO iletime sokulur. İletime geçmeden önce C S bastırma devresi kondansatörü, U D kaynak gerilimi ile şarjlıdır. İletime geçerken C S, R S ve GTO üzerinden boşalır. Enerjisinin büyük bir bölümü R S de harcanır. Negatif kapı akımı darbesi ile GTO kesime geçirildiğinde C S, D S diyodu üzerinden salınarak dolar.seri bağlı olan kaçak endüktanslar,gto nun uçlarındaki gerilim yükselme hızını sınırlar.bastırma devresinin güç kaybı yaklaşık olarak : P S = (½).C S.U 2 D.f dir.burada f işletme (darbe) frekansıdır. Şekil 2.4 deki bastırma indüktörü, devrede bir geçirme bastırması olarak davranması için devrede bulunmaktadır. GTO nun iletime geçmedeki davranışı normal tristörünkine benzerdir fakat iletimden çıkma karakteristikleri farklıdır (şekil 2.7).Negatif kapı akımı oluştuğunda, anot akımı (I A ) belirli bir gecikmeden sonra düşmeye başlar. Bu süre çok kısadır (yaklaşık olarak <1μs ). Geçirme yönünde pozitif bir anot gerilim oluşmaya başladığında ve anot akımı bastırma devresi üzerinden geçmeye çalıştığında, L S kaçak endüktansı bir gerilim sıçramasına neden olur. Eğer bu gerilim tepesi büyükse zararlıdır ve akım yoğunluğu bölgesel ısınmalar sonucu, sekonder devrilmeye sebep olabilir. Bu da arıza durumudur. Bu problem, bastırma devresi kaçak endüktansının minimuma indirilmesiyle giderilebilir.sıçrama geriliminden sonra anot gerilimi normal U D değerini almadan önce bastırma devresi rezonansından dolayı büyük bir değerden geçerek salınır. Bu sırada, anot akımında, bir sapma akımı oluşur. Bu akıma kuyruk akımı denir. Bastırma devresi kondansatörünü arttırarak, kuyruk akımı ve bu gerilim darbesi küçültülebilir fakat bu da bastırma devresi kayıplarının artmasına neden olur.normalde GTO nun bastırma kondansatörü, normal tristörünküne göre birkaç kat daha büyüktür. 20

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP TRİSTÖR (SCR) Yapı ve Sembol İletim Karakteristiği KARAKTERİSTİK DEĞERLER I GT : Tetikleme Akımı. U GT : Tetikleme Gerilimi I GTM

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Teorik Bilgiler ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Güç elektroniği devreleri ile güç dönüşümü anahtarlama teknikleri kullanılarak yapılır.

Detaylı

İNDEKS. Cuk Türü İzolesiz Dönüştürücü, 219 Cuk Türü İzoleli Dönüştürücü, 228. Çalışma Bölgeleri, 107, 108, 109, 162, 177, 197, 200, 203, 240, 308

İNDEKS. Cuk Türü İzolesiz Dönüştürücü, 219 Cuk Türü İzoleli Dönüştürücü, 228. Çalışma Bölgeleri, 107, 108, 109, 162, 177, 197, 200, 203, 240, 308 İNDEKS A AC Bileşen, 186 AC Gerilim Ayarlayıcı, 8, 131, 161 AC Kıyıcı, 8, 43, 50, 51, 54, 62, 131, 132, 133, 138, 139, 140, 141, 142, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157,

Detaylı

2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir.

2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir. Tristörlü Redresörler ( Doğrultmaçlar ) : Alternatif akımı doğru akıma çeviren sistemlere redresör denir. Redresörler sanayi için gerekli olan DC gerilimin elde edilmesini sağlar. Büyük akım ve gerilimlerin

Detaylı

A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 3. HAFTA

A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 3. HAFTA A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 3. HAFTA 1 İçindekiler Tristör Triyak 2 TRİSTÖR Tristörler güç elektroniği devrelerinde hızlı anahtarlama görevinde kullanılan, dört yarı iletken

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

DENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü

DENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü DENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Elektromanyetik rölelerin çalışmasını ve yapısını öğrenmek 2. SCR kesime görüme yöntemlerini öğrenmek 3. Bir dc motorun dönme yönünü kontrol

Detaylı

T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LABORATUVAR RAPORU ADI SOYADI : Fedi Salhi 170214925 Bilge Batuhan Kurtul 170214006 Hamdi Sharaf 170214921 DERSİN ADI : Güç

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. Triyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 2. Diyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 3. Diyak-Triyak faz kontrol devrelerini incelemek.

Detaylı

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Sıcaklık kontrol elemanlarının türlerini ve çalışma ilkelerini öğrenmek. 2. Bir orantılı sıcaklık kontrol devresi yapmak. GİRİŞ Solid-state sıcaklık kontrol

Detaylı

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır.

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır. 3. Bölüm Güç Elektroniğinde Temel Kavramlar ve Devre Türleri Doç. Dr. Ersan KABALC AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ Güç Elektroniğine Giriş Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve

Detaylı

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,

Detaylı

DENEY 10 UJT-SCR Faz Kontrol

DENEY 10 UJT-SCR Faz Kontrol DNY 0 UJT-SCR Faz Kontrol DNYİN AMACI. Faz kontrol ilkesini öğrenmek.. RC faz kontrol devresinin çalışmasını öğrenmek. 3. SCR faz kontrol devresindeki UJT gevşemeli osilatör uygulamasını incelemek. GİRİŞ

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri U : AC girişteki efektif faz gerilimi f : Frekans q : Faz sayısı I d, I y : DC çıkış veya yük akımı (ortalama değer) U d U d : DC çıkış gerilimi, U d = f() : Maksimum

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI 1. Direnç Renk Kodları Direnç Renk Tablosu Renk Sayı Çarpan Tolerans SİYAH 0 1 KAHVERENGİ 1 10 ± %1 KIRMIZI 2 100 ± %2 TURUNCU 3 1000 SARI 4 10.000 YEŞİL 5 100.000 ± %0.5 MAVİ

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum

Detaylı

SİLİKON KONTROLLÜ ANAHTAR SİLİCON CONTROLLED RECTETİER ( SCR )

SİLİKON KONTROLLÜ ANAHTAR SİLİCON CONTROLLED RECTETİER ( SCR ) Tristörler : SİLİKON KONTROLLÜ ANAHTAR SİLİCON CONTROLLED RECTETİER ( SCR ) Tanımı: Tristör, anot ( A ), katot ( K ) ve geyt ( G ) ucu bulunan ve geytine uygulanan ( + ) sinyal ile A - K arası iletime

Detaylı

(BJT) NPN PNP

(BJT) NPN PNP Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün

Detaylı

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Diyotlar; bir yarısı N-tipi, diğer yarısı P-tipi yarıiletkenden oluşan kristal elemanlardır ve tek yönlü akım geçiren yarıiletken devre elemanlarıdır. N

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİ EĞİTİM SETİ DENEY KİTABI KONU: PNPN DİYOT

GÜÇ ELEKTRONİĞİ EĞİTİM SETİ DENEY KİTABI KONU: PNPN DİYOT KONU: PNPN DİYOT Giriş: Shockley diyot yada 4 tabaka diyot olarak da bilinen PNPN DİYOT, tek yönlü çalışan yarıiletken anahtar elemanıdır. Sembolü ve görünüşü şekil 6.1 de ve karakteristik eğrisi şekil

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

AA Motorlarında Yol Verme, Motor Seçimi Yrd. Doç. Dr. Aytaç Gören

AA Motorlarında Yol Verme, Motor Seçimi Yrd. Doç. Dr. Aytaç Gören 04.12.2011 AA Motorlarında Yol Verme, Motor Seçimi Yrd. Doç. Dr. Aytaç Gören İçerik AA Motorlarının Kumanda Teknikleri Kumanda Elemanları na Yol Verme Uygulama Soruları 25.11.2011 2 http://people.deu.edu.tr/aytac.goren

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,

Detaylı

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri

Detaylı

ÜÇ FAZLI KONTROLLÜ DOĞRULTUCU VE DİMMER DEVRE UYGULAMASI

ÜÇ FAZLI KONTROLLÜ DOĞRULTUCU VE DİMMER DEVRE UYGULAMASI KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Güç Elektroniği Uygulamaları ÜÇ FAZLI KONTROLLÜ DOĞRULTUCU VE DİMMER DEVRE UYGULAMASI 1. DENEYİN AMACI Bu deneyin

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri)

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) 1. DENEYİN AMACI ÜÇ FAZ EVİRİCİ 3 Faz eviricilerin çalışma

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 2. HAFTA

A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 2. HAFTA A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 2. HAFTA 1 İçindekiler Yarıiletken Devre Elemanlarının İncelenmesi Diyot Güç Diyotları Diyak 2 YARI İLETKEN DEVRE ELEMANLARININ İNCELENMESİ 1940

Detaylı

TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR

TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR 1. DENEYİN

Detaylı

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori: Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları Amaç: Diyot elemanını ve çeşitlerini tanımak Diyotun çalışma mantığını kavramak Diyot sağlamlık kontrolü İleri kutuplama, geri kutuplama ve gerilim düşümü. Araç

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

Şekil-1. Doğru ve Alternatif Akım dalga şekilleri

Şekil-1. Doğru ve Alternatif Akım dalga şekilleri 2. Alternatif Akım =AC (Alternating Current) Değeri ve yönü zamana göre belirli bir düzen içerisinde değişen akıma AC denir. En çok bilinen AC dalga biçimi Sinüs dalgasıdır. Bununla birlikte farklı uygulamalarda

Detaylı

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim

Detaylı

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler

Detaylı

DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI

DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI Teorinin Açıklaması: Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı geçiren bir elemandır. Yükselteçlerde DC yi geçirip AC geçirmeyerek filtre

Detaylı

1) Standart tristör: Ağır sanayi cihazlarında AC ve DC de Hz,4000V,1000A

1) Standart tristör: Ağır sanayi cihazlarında AC ve DC de Hz,4000V,1000A KONU: A. TRİSTÖRÜN YAPISI VE ÖZELLİKLERİ a) Tristörün yapısı ve çeşitleri : Tristör en az dört silisyum yarı iletken parçanın birleştirilmesinden oluşan, anahtar ve doğrultma görevi yapan bir elemandır.

Detaylı

1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti

1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti Elektronik Devreler 1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar Konunun Özeti * Diyotlar yapım tekniğine bağlı olarak; Nokta temaslı diyotlar,

Detaylı

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad

Detaylı

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER ALTERNATİF AKIM DEVRELERİ A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER Alternatif akım devrelerinde akımın geçişine karşı üç çeşit direnç (zorluk) gösterilir. Devre elamanları dediğimiz bu dirençler: () R omik

Detaylı

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 6: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad

Detaylı

TEK FAZLI KONTROLLÜ (TRĠSTÖRLÜ) DOĞRULTUCULAR

TEK FAZLI KONTROLLÜ (TRĠSTÖRLÜ) DOĞRULTUCULAR TEK FAZLI KONTROLLÜ (TRĠSTÖRLÜ) DOĞRULTUCULAR Teorik Bilgi Deney de sabit çıkış gerilimi üretebilen diyotlu doğrultucuları inceledik. Eğer endüstriyel uygulama sabit değil de ayarlanabilir bir gerilime

Detaylı

Deney 1: Saat darbesi üretici devresi

Deney 1: Saat darbesi üretici devresi Deney 1: Saat darbesi üretici devresi Bu deneyde, bir 555 zamanlayıcı entegresi(ic) kullanılacak ve verilen bir frekansta saat darbelerini üretmek için gerekli bağlantılar yapılacaktır. Devre iki ek direnç

Detaylı

Yüksek Gerilim Tekniği İÇ AŞIRI GERİLİMLER

Yüksek Gerilim Tekniği İÇ AŞIRI GERİLİMLER İÇ AŞIRI GERİLİMLER n Sistemin kendi iç yapısındaki değişikliklerden kaynaklanır. n U < 220 kv : Dış aşırı gerilimler n U > 220kV : İç aşırı gerilimler enerji sistemi açısından önem taşırlar. 1. Senkron

Detaylı

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI KONDANSATÖR Kondansatör iki iletken plaka arasına bir yalıtkan malzeme konarak elde edilen ve elektrik enerjisini elektrostatik enerji olarak depolamaya

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

TEK FAZLI KONTROLLU VE KONTROLSUZ DOĞRULTUCULAR

TEK FAZLI KONTROLLU VE KONTROLSUZ DOĞRULTUCULAR FIRAT ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ GÜÇ ELEKTRONİĞİ LABORATUVARI DENEY NO:1 TEK FAZLI KONTROLLU VE KONTROLSUZ DOĞRULTUCULAR 1.1 Giriş Diyod ve tristör gibi

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

SICAKLIK KONTROLLÜ HAVYA

SICAKLIK KONTROLLÜ HAVYA SICAKLIK KONTROLLÜ HAVYA Dirençler sıcaklığa bağımlıdır. Havyanın ısıtıcı direnci de istisna değildir. Böylece her havyanın sıcaklığı kontrol edilebilir. Ancak, elde 24V la çalışan bir havya olmalıdır

Detaylı

TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLLÜ DOĞRULTUCULAR

TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLLÜ DOĞRULTUCULAR KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLLÜ DOĞRULTUCULAR 1. DENEYİN

Detaylı

1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti

1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti Elektronik Devreler 1. Yarı İletken Diyotlar 1.1 Giriş 1.2. Yarı İletkenlerde Akım Taşıyıcılar 1.3. N tipi ve P tipi Yarı İletkenlerin Oluşumu 1.4. P-N Diyodunun Oluşumu 1.5. P-N Diyodunun Kutuplanması

Detaylı

Şekil 1. Darbe örnekleri

Şekil 1. Darbe örnekleri PWM SOKET BİLGİ KİTAPÇIĞI PWM(Darbe Genişlik Modülasyonu) Nedir? Darbe genişlik modülasyonundan önce araçlardaki fren sistemlerinden bahsetmekte fayda var. ABS frenler bilindiği üzere tekerleklerin kızaklanmasını

Detaylı

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

Şekil Sönümün Tesiri

Şekil Sönümün Tesiri LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin

Detaylı

****** GÜÇ ELEKTRONİK DERS NOTLARI / 2006 ******

****** GÜÇ ELEKTRONİK DERS NOTLARI / 2006 ****** Güç elektroniği terimi, çok geniş bir alanda elektronik devreleri içine alır ve buradaki amaç ise bir kaynaktan bir yüke giden elektrik gücünün kontrol edilmesidir. Bu kontrol çok değişik biçimlerde; örneğin

Detaylı

Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları

Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 40 Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 1 Test 1 in Çözümleri 1. USG ve MR cihazları ile ilgili verilen bilgiler doğrudur. BT cihazı c-ışınları ile değil X-ışınları ile çalışır. Bu nedenle I ve II.

Detaylı

Elektrik. Alternatif Akım Motorlarının Kumanda Teknikleri Kumanda Elemanları

Elektrik. Alternatif Akım Motorlarının Kumanda Teknikleri Kumanda Elemanları Elektrik Alternatif Akım Motorlarının Kumanda Teknikleri Kumanda Elemanları 24.12.2013 Dr. Levent Çetin 2 24.12.2013 Dr. Levent Çetin 3 Buton/Anahtar / Limit Anahtarı Kalıcı butona basıldığında, buton

Detaylı

ZENER DİYOTLAR. Hedefler

ZENER DİYOTLAR. Hedefler ZENER DİYOTLAR Hedefler Bu üniteyi çalıştıktan sonra; Zener diyotları tanıyacak ve çalışma prensiplerini kavrayacaksınız. Örnek devreler üzerinde Zener diyotlu regülasyon devrelerini öğreneceksiniz. 2

Detaylı

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ 1- Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, şekil 1 'de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot

Detaylı

2. Bölüm: Diyot Uygulamaları. Doç. Dr. Ersan KABALCI

2. Bölüm: Diyot Uygulamaları. Doç. Dr. Ersan KABALCI 2. Bölüm: Diyot Uygulamaları Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 Yük Eğrisi Yük eğrisi, herhangi bir devrede diyot uygulanan bütün gerilimler (V D ) için muhtemel akım (I D ) durumlarını gösterir. E/R maksimum I

Detaylı

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 01: DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. Sümeyye

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

Yarım Dalga Doğrultma

Yarım Dalga Doğrultma Elektronik Devreler 1. Diyot Uygulamaları 1.1 Doğrultma Devreleri 1.1.1 Yarım dalga Doğrultma 1.1.2 Tam Dalga Doğrultma İki Diyotlu Tam Dalga Doğrultma Dört Diyotlu Tam Dalga Doğrultma Konunun Özeti *

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:

Detaylı

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER 3.1. Deneyin Amacı Yarım ve tam dalga doğrultucunun çalışma prensibinin öğrenilmesi ve doğrultucu çıkışındaki dalgalanmayı azaltmak için kullanılan kondansatörün etkisinin

Detaylı

AŞIRI AKIM KORUMA RÖLELERİ Trafolarda Meydana Gelen Aşırı Akımların Nedenleri

AŞIRI AKIM KORUMA RÖLELERİ Trafolarda Meydana Gelen Aşırı Akımların Nedenleri Koruma Röleleri AŞIRI AKIM KORUMA RÖLELERİ Trafolarda Meydana Gelen Aşırı Akımların Nedenleri Trafolarda meydana gelen arızaların başlıca nedenleri şunlardır: >Transformatör sargılarında aşırı yüklenme

Detaylı

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır.

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. 6. Osiloskop Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. Osiloskoplar üç gruba ayrılabilir; 1. Analog osiloskoplar 2. Dijital osiloskoplar

Detaylı

Elektromekanik Kumanda Sistemleri / Ders Notları

Elektromekanik Kumanda Sistemleri / Ders Notları İkincisinde ise; stator düşük devir kutup sayısına göre sarılır ve her faz bobinleri 2 gruba bölünerek düşük devirde seri- üçgen olarak bağlanır. Yüksek devirde ise paralel- yıldız olarak bağlanır. Bu

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

Alternatif Akım Devreleri

Alternatif Akım Devreleri Alternatif akım sürekli yönü ve şiddeti değişen bir akımdır. Alternatif akımda bazı devre elemanları (bobin, kapasitör, yarı iletken devre elemanları) doğruakım devrelerinde olduğundan farklı davranırlar.

Detaylı

Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri

Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri 7.1 DENEYİN AMACI (1) JFET in temel karakteristiklerini anlamak. (2) MOSFET in temel karakteristiklerini anlamak. 7.2 GENEL BİLGİLER 7.2.1 Yeni Terimler: (1) JFET

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 1. Deneyin Amacı Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI CDS (Kadmiyum

Detaylı

ALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI

ALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ ALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI Dr. Öğr. Üyesi Ahmet ÇİFCİ Elektrik enerjisi, alternatif akım ve doğru akım olarak

Detaylı

PWM Doğrultucular. AA/DA güç dönüşümü - mikroelektronik devrelerin güç kaynaklarında, - elektrikli ev aletlerinde,

PWM Doğrultucular. AA/DA güç dönüşümü - mikroelektronik devrelerin güç kaynaklarında, - elektrikli ev aletlerinde, PWM DOĞRULTUCULAR PWM Doğrultucular AA/DA güç dönüşümü - mikroelektronik devrelerin güç kaynaklarında, - elektrikli ev aletlerinde, - elektronik balastlarda, - akü şarj sistemlerinde, - motor sürücülerinde,

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. Schmitt kapılarının yapı ve karakteristiklerinin anlaşılması. GENEL BİLGİLER Schmitt kapısı aşağıdaki karakteristiklere sahip olan tek lojik kapıdır: 1.

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise... ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...olarak polarmalandırılması gerekir. Yukarıdaki boşluğa aşağıdakilerden

Detaylı

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki

Detaylı

Hareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu

Hareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu Akım ve Direnç Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız tartışmalar durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik yüklerinin hareket halinde olduğu durumları inceleyeceğiz.

Detaylı