TOBB University of Economics and Technology
|
|
- Esin Gündüz
- 4 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 TOBB University of Economics and Technology Department of Electrical and Electronics Engineering ELE3 Analog Elektronik Proje Raporu - Adı Soyadı Numara Tarih
2 Ortak Emitör Yükselticisi Ortak emitör yükselticisinin küçük sinyal modeli Şekil. de verilmiştir. Şekil.: Ortak emitör yükselticisinin küçük sinyal modeli Çıkış ve giriş gerilimleri denklem. ve.2 de verildiği gibi hesaplanır. v out = g m v π (R C //R L ). v in = v π + g m v π R E.2 Gerilim kazancı denklem.3 deki gibi birbirine oranıdır. gmre>> olduğundan gerekli sadeleştirmeler yapıldığında kazanç değeri bulunur. Kazanç değeri yaklaşık 20 olarak alınmıştır.
3 A V = g mv π (R C //R L ) v π + g m v π R E = g m(r C //R L ) + g m R E (R C//R L ) R E > 0 = 20.3 Şekil.2: Ortak emitör yükselticisinin yük eğrisi Ortak emitör yükselticisinin yük eğrileri Şekil.2 de verilmiştir. Yük direnci üzerindeki gerilim salınımı, transistörün VCE gerilimindeki salınıma yakın olduğundan VCEQ gerilimi buna orantılı olarak seçilmelidir. VCE gerilimdeki değişimin bir kısmı RE direncinde harcanacağından maksimum salınımdan biraz fazla seçilmesi faydalı olacaktır. Ayrıca transistör doyuma girdiğinde akım kazancı düşeceğinden bir miktar pay bırakılmalıdır. Tasarımda bu pay V olarak alınmıştır. Transistörün diğer DC kutuplama parametresi ICQ yü belirlemek için yük üzerindeki akım salınımını hesaplamak gerekmektedir. Yük üzerindeki maksimum voltaj salınımı, denklem.4 de verildiği gibi maksimum akım salınımı ile yük direncinin çarpımına eşittir. Δv out = Δi out R L.4 2
4 Kolektör akımındaki toplam salınım, yükteki akım salınımı ile RC direncindeki akım salınımın toplamına eşittir. AC yük eğrisi incelendiğinde maksimum akım salınımı denklem.5 de verildiği gibi yaklaşık 2ICQ ya eşittir. Δi C = Δi RC + Δi out 2I CQ.5 RC direncine değer verilerek denklem.5 den ICQ akımı tayin edilir. Daha sonra Şekil.3 ten denklem.6 ya göre DC kutuplamayı sağlayıp sağlamadığına bakılır. Eğer RC değeri düzgün seçilmezse RE ve RE2 dirençleri negatif çıkabilir. 2V CC = V CEQ + I CQ (R C + R E + R E2 ).6 Şekil.3: Ortak emitör yükselticisi RC, RE, RE2 ve ICQ değerleri belirlendikten sonra denklem.7 ve.8 yardımıyla R ve R2 dirençleri hesaplanır. 3
5 R th = R //R 2 = 0.(β + )(R E + R E2 ).7 V th V CC = I BQ. R th + V BE +I EQ (R E + R E2 ).8 Seçilen kazanç, RC ve maksimum çıkış gerilimi salınımına göre yukarıda verilen denklemlere göre tasarlanmış tasarımlar Tablo de verilmiştir. Kapasitör hesapları yedinci tasarıma göre yapılmıştır. C kapasitörünün değeri; 2πf > = C R th C [R //R 2 //(r π + (β + )R E )].9 C > 2π = 5.3μF.0 C2 kapasitörünün değeri; 2πf > = C 2 R th2 C 2 (R C + R L ). C 2 > 2π = 680nF.2 CE kapasitörünün değeri; 2πf > C E R the.3 C E > 2π0.40??? = 400μF.4 4
6 CL kapasitörünün değeri; 2πf > = C L R thl C 2 (R C //R L ).5 C 2 > 2π = 2.8nF.6 PSpice da kurulan devrenin maksimum çıkış gerilimi salınımı Şekil.4 te, frekans cevabı ise Şekil.5 te verilmiştir. 20V (0.753m,2.385) 0V (.250m, m) 0V (0.750m, m) -0V (.25m,-3.397) -20V 0.0ms 0.5ms.0ms.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms V(RL:) V(V:+) Time Şekil.4: Ortak emitör devresinin maksimum çıkış gerilimi salınımı 5
7 0V (58.433,9.557) 8V (4.25,6.7430) (20.284K,6.7422) 6V 4V 2V 0V.0Hz 0Hz 00Hz.0KHz 0KHz 00KHz V(RL:) Frequency Şekil.5: Ortak emitör devresinin frekans cevabı 6
8 Tablo : Belirli Av, RC ve Vout(p2p) değerlerine göre denklemlere göre çıkartılmış tasarımlar AV RC Vout(p2p) VCEQ ICQ IBQ RDC RE RE2 RAC PRC PRE PRE2 R R2 20 0,00 26,00 4,00,95 0,0 8,2 0,33-2,3 7,00 38,03,27-8,09-29,3 299, ,20 26,00 4,00 2,24 0,0 7,6 0,29 -,33 6, 40,97,45-6,66-7,7 288,4 20 6,80 26,00 4,00 2,56 0,0 6,25 0,25-0,8 5,33 44,63,67-5,30-9,72 32, ,60 26,00 4,00 2,97 0,02 5,38 0,22-0,43 4,59 49,44,93-3,83-3,88 20, ,70 26,00 4,00 3,42 0,02 4,68 0,9-0,2 4,00 54,84 2,22-2,4-0,30-6,2 20 3,90 26,00 4,00 3,98 0,02 4,02 0,6-0,05 3,43 6,88 2,59-0,74 2,9 57, ,30 26,00 4,00 4,59 0,03 3,49 0,4 0,04 2,97 69,5 2,98 0,94 3,55 65, ,70 26,00 4,00 5,46 0,03 2,93 0,2 0, 2,50 80,63 3,55 3,25 4,4 62, ,20 26,00 4,00 6,56 0,04 2,44 0,0 0,4 2,08 94,65 4,26 6,03 4,70 55,83 20,80 26,00 4,00 7,87 0,04 2,03 0,08 0,5,73,55 5,2 9,29 4,6 48,29 20,50 26,00 4,00 9,32 0,05,72 0,07 0,5,47 30,20 6,06 2,8 4,34 4,72 20,00 26,00 4,00 3,65 0,08,7 0,05 0,2,00 86,32 8,87 23,2 3,49 29, ,00 24,00 3,00,80 0,0 9,44 0,33-0,89 7,00 32,40,08-2,88-9,89 602, ,20 24,00 3,00 2,06 0,0 8,24 0,29-0,25 6, 34,9,24 -,07 0,72 30, ,80 24,00 3,00 2,36 0,0 7,9 0,25 0,4 5,33 38,02,42 0,76 7,44 3,0 20 5,60 24,00 3,00 2,74 0,02 6,20 0,22 0,38 4,59 42,3,65 2,85,77 35, ,70 24,00 3,00 3,5 0,02 5,39 0,9 0,50 4,00 46,73,89 4,98 3,90 25,7 20 3,90 24,00 3,00 3,68 0,02 4,62 0,6 0,56 3,43 52,73 2,2 7,57 4,84, ,30 24,00 3,00 4,24 0,02 4,0 0,4 0,57 2,97 59,22 2,54 0,25 4,84 98, ,70 24,00 3,00 5,04 0,03 3,37 0,2 0,55 2,50 68,7 3,03 4,02 4,7 84, ,20 24,00 3,00 6,05 0,03 2,8 0,0 0,5 2,08 80,65 3,63 8,65 3,02 70,98 20,80 24,00 3,00 7,27 0,04 2,34 0,08 0,46,73 95,05 4,36 24,3,68 59,6 20,50 24,00 3,00 8,60 0,05,98 0,07 0,4,47 0,94 5,6 30,0 0,40 50,64 20,00 24,00 3,00 2,60 0,07,35 0,05 0,30,00 58,76 7,56 47,88 7,72 34,84 7
9 2 Ortak Kolektör (Emitör Takipçisi) Tasarımı Ortak Kolektör devresinin küçük sinyal modeli Şekil 2. de verilmiştir. Şekil 2.: Emitör Takipçisinin küçük sinyal analizi Vout gerilim denklem 2. de verildiği gibi, bazdan görülen vin gerilim denklem 2.2 de verildiği gibi bulunur. Ayrıca kaynak direnci olduğundan bazdaki gerilimin kaynak gerilimiyle ilişkisi denklem 2.3 te verildiği gibidir. v out = i b (β + )(R E //R L ) 2. v in = i b (r π + (β + )(R E //R L )) 2.2 v in = v SR in R in + R S 2.3 Bu denklemler göz önüne alındığında devrenin gerilim kazancı denklem 2.4 te verilmiştir. 8
10 i b (β + )(R E //R L ) R in A V =. = R in 2.4 i b (r π + (β + )(R E //R L )) R in + R S R in + R S Daha sonra ilk bölüme benzer şekilde denklem 2.5 te verildiği gibi çıkıştaki akım salınımı hesaplanır. Uygun RE değeri seçilerek, denklem 2.6 ya göre IEQ akımı bulunur. Seçilen VCEQ gerilimi ve IEQ akımına göre denklem 2.7 kullanılarak DC kutuplamanın mümkün olup olmadığına bakılıp RC değeri tayin edilir. En son olarak bias stable koşuluna göre denklem 2.8 ve 2.9 kullanılarak R ve R2 hesaplanır. Δv out = Δi out R L 2.5 Δi E = Δi RE + Δi out 2I EQ 2.6 2V CC = V CEQ + I EQ (R C + R E ) 2.7 R th = R //R 2 = 0.(β + )(R E ) 2.8 V th V CC = I BQ. R th + V BE +I EQ (R E ) 2.9 Farklı RE ve VCEQ değerli için tasarlanan devrelerin parametreleri Tablo 2 de verilmiştir. Kapasite değerleri onbeşinci tasarıma göre hesaplanmıştır. C kapasitörü; 2πf > = C R th C [R S + (R //R 2 //(r π + (β + )R E ))] 2.0 C > 2π =.2μF 2. 9
11 C2 kapasitörü; 2πf > = C 2 R th2 C 2 (R L + R E //.. ) 2.2 C 2 > 2π0 = 2.3 CL kapasitörü; 2πf > = C L R thl C L (R L //R E //(.. )) 2.4 C L > 2π0 = 2.5 0
12 20V (0.249m,3.024) (.250m,20.000) 0V 0V (0.750m,-3.376) -0V (.750m, ) -20V 0.0ms 0.5ms.0ms.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms V(RLL:) V(V:+) Time Şekil 2.2: Ortak kolektör devresinin maksimum çıkış salınımı.
13 400mV ( , m) 300mV 200mV (9.505,235.67m) (40.766K, m) 00mV 0V.0Hz 0Hz 00Hz.0KHz 0KHz 00KHz V(RLL:) Frequency Şekil 2.3: Ortak kolektör devresinin frekans cevabı 2
14 Tablo 2: Farklı RE ve VCEQ değerleri için tasarlanan ortak kolektör devreleri ve parametreleri RE Vout(p2p) VCEQ IEQ IBQ RDC RC Rth R R2 PRE PRC rπ gm Rin AV, ,46 0, ,92-0,075 8,0 67,94 24,67 378,75-28,44 0,24 748,52 5,38 0,76 0, ,55 0,3533 0,88-0,034 6,47 55,96 23,34 384,27-4,38 0,23 790,36 4,08 0,75 0, ,88 0, ,82 0,003 4,84 46,06 2,90 392,42,35 0,22 84,39 2,77 0,73 0, ,64 0,3622 0,73 0,05 2,3 33,66 9,40 42,78 30,70 0,9 947,62 0,68 0,69 0, ,0 0, ,64 0,080 0,4 25,6 6,98 442,32 63,56 0,7 080,94 8,87 0,65 0, ,87 0, ,56 0,095 8,5 9,74 4,95 477,25 96,33 0,5 225,6 7,49 0,6 0, ,67 0, ,49 0,0 7,06 5,49 2,97 524,33 35,67 0,3 40,26 6,25 0,57 0, ,79 0,2309 0,43 0,0 5,97 2,59,36 576,45 75,86 0, 607,50 5,3 0,53 0, ,20 0, ,37 0,096 4,89 9,9 9,64 653,63 232,0 0,0 892,40 4,36 0,48 0, ,46 0, ,3 0,088 3,98 7,83 8,0 75,9 300,40 0, ,52 3,57 0,43, ,46 0, ,82-0,78 8,0 67,94 24,67 378,75-67,37 0,24 748,52 5,38 0,76 0, ,55 0,3533 0,78-0,3 6,47 55,96 23,34 384,27-55,48 0,23 790,36 4,08 0,75 0, ,88 0, ,73-0,089 4,84 46,06 2,90 392,42-42,4 0,22 84,39 2,77 0,73 0, ,64 0,3622 0,65-0,03 2,3 33,66 9,40 42,78-8,57 0,9 947,62 0,68 0,69 0, ,0 0, ,57 0,009 0,4 25,6 6,98 442,32 7,35 0,7 080,94 8,87 0,65 0, ,87 0, ,50 0,032 8,5 9,74 4,95 477,25 32,60 0,5 225,6 7,49 0,6 0, ,67 0, ,44 0,046 7,06 5,49 2,97 524,33 62,33 0,3 40,26 6,25 0,57 0, ,79 0,2309 0,38 0,053 5,97 2,59,36 576,45 92,27 0, 607,50 5,3 0,53 0, ,20 0, ,33 0,055 4,89 9,9 9,64 653,63 33,60 0,0 892,40 4,36 0,48 0, ,46 0, ,27 0,054 3,98 7,83 8,0 75,9 83,48 0, ,52 3,57 0,43 3
ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk
DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk AMAÇLAR Bipolar transistorleri kullanarak güncel bazı kutuplama devreleri tasarımı ve analizi. Kutuplama devrelerinin sıcaklığa karşı kararlılık
DetaylıELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıDENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı
DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıDENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET
DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 3 Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Not: Solda gösterilen devre Temel Yarı İletken Elemanlar dersi laboratuvarında yaptığınız 5. deneye ilişkin devre olup,
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 3 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010
TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıDENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER
DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER 1. Amaç Bu deneyin amacı, lineer (doğrusal) kuvvetlendiricilerde kullanılan BJT kuvvetlendirici devresinin devre girişine uygulanan zamanla değişen bir küçük işareti kuvvetlendirmesi
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ
BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ Hedefler DC polarma devrelerinin amacını, avantajlarını ve çalışma prensipleri anlayacaksınız Sabit Beyz Polarmalı ve Emiteri Kararlı DC Polarma Devrelerinin hesaplamalarını
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıOp-Amp Uygulama Devreleri
Op-Amp Uygulama Devreleri Tipik Op-amp devre yapıları şunları içerir: Birim Kazanç Arabelleği (Gerilim İzleyici) Evirici Yükselteç Evirmeyen Yükselteç Toplayan Yükselteç İntegral Alıcı Türev Alıcı Karşılaştırıcı
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI
DetaylıELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI
ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI Deney Hocası: Yılmaz Ürgün Amaç: A, B, AB Sınıfı Kuvvetlendiricilerin İncelenmesi ve Gerçeklenmesi. Malzeme Listesi: Transistör:
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU
DetaylıAvf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. 2 OSİLATÖRLER 1. Ön Bilgiler 1.1 Osilatör Osilatörler DC güç kaynağındaki elektrik enerjisini AC elektrik enerjisine
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II Öğrenci No: Adı Soyadı: Grubu: DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER Deneyin Yapıldığı Tarih:.../.../2017
Detaylı* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.
Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
DetaylıNECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ
NECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ DENEY : AKIM AYNALARI Genel Bilgiler Akım aynaları yükten bağımsız
Detaylı1. RC Devresi Bir RC devresinde zaman sabiti, eşdeğer kapasitörün uçlarındaki Thevenin direnci ve eşdeğer kapasitörün çarpımıdır.
DENEY 1: RC DEVRESİ GEÇİCİ HAL DURUMU Deneyin Amaçları RC devresini geçici hal durumunu incelemek Kondansatörün geçici hal eğrilerini (şarj ve deşarj) elde etmek, Zaman sabitini kavramını gerçek devrede
DetaylıŞekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı
DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Amaç: Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıBölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.
Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI
ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALAR HAKAN KUNTMAN 03-04 EĞİTİM-ÖĞRETİM YL İşlemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik alanında çeşitli ölçü ve kontrol düzenlerinin
DetaylıRF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ
RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI
DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY 2
ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY 2 2.1. ÇEVRE AKIMLAR YÖNTEMİ Elektrik devrelerinin çözümünde kullanılan en basit ve en kolay yöntemlerden biri çevre akımları yöntemidir.
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)
BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre) Lineer modda, transistör DC devreleri için aşağıdaki şekilde gösterilir: Lineer modda Base Emitter
DetaylıDENEY 25 HARMONİK DİSTORSİYON VE FOURIER ANALİZİ Amaçlar :
DENEY 5 HARMONİK DİSTORSİYON VE FOURIER ANALİZİ Amaçlar : Doğrusal olmayan (nonlineer) devre elemanlarının nasıl harmonik distorsiyonlara yol açtığını göstermek. Bir yükselteç devresinde toplam harmoniklerin
DetaylıMARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ
MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı 2 AKTİF SÜZGEÇLER
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı 2 AKTİF SÜZGEÇLER. Ön Çalışmalar: Bode diyagramlarını çizimi ve anlamı araştırılacak. Op amplar bilinecek.
DetaylıHafta 5 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 5 TRANZİSTORLARIN KUTUPLANDIRILMASI (ÖN GERİLİMLENMESİ) (EĞİLİMLENDİRİLMESİ) Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 16.03.2015 BSM
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı
DetaylıELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ
EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini
DetaylıBu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.
TRANZİSTÖRLERİN ÇALIŞMASI VE KARAKTERİSTİKLERİ Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir. Temel kavramlar PNP ve NPN olmak üzere iki çeşit BJT tranzistör vardır.
DetaylıŞekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı
DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için
DetaylıDAĞITIM ŞEBEKELERİNDE GERİLİM DÜŞÜMÜ HESABI Genel Tanımlar Doğru Akımda Enerji Dağıtımı
Genel Tanımlar Doğru Akımda Enerji Dağıtımı i,v l, R Hat Gerilim düşümü I,V t (s) Doğru Akım Sinyali υ = Δv Doğru akım devrelerinde daima υ = Δv = V 1 V 2 V 1 ; Hat başı gerilimi V 2 ; Hat sonu gerilimi
DetaylıT.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI
ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI DENEY FÖYÜ DENEY ADI ELEKTRİK İLETİM HATLARINDA GERİLİM DÜŞÜMÜ VE GÜÇ FAKTÖRÜ
DetaylıDENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.
DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.
DetaylıBÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:
ÖLÜM 6 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLEİ Konular: 6.1 Küçük sinyal yükseltme işlemi 6.2 Transistörün ac eşdeğer dereleri 6.3 Ortak emiterli yükselteç 6.4 Ortak beyzli yükselteç 6.5 Ortak kolektörlü yükselteç
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.
BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V
DetaylıDeney 2: FARK YÜKSELTEÇ
Deney : FARK YÜKSELTEÇ Fark Yükselteç (Differential Amplifier: Dif-Amp) Fark Yükselteçler, çıkışı iki giriş işaretinin cebirsel farkıyla orantılı olan amplifikatörlerdir. O halde bu tip bir amplifikatörün
DetaylıBu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.
DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıBLM1612 DEVRE TEORİSİ
BLM1612 DEVRE TEORİSİ RLC DEVRELERİ DR GÖRKEM SERBES Paralel RLC Devresi Paralel RLC Devresi Seri RLC Devresi Seri RLC Devresi Seri & Paralel RLC: Çözüm RLC Çözümü : Aşırı-Sönümlü (Over-damped) ÖRNEK 92
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıDEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI
DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı
DetaylıBölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları
Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini
DetaylıDENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI
DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI DENEYİN AMACI: Bu deneyde işlemsel kuvvetlendiricinin doğrusal uygulamaları incelenecek ve işlemsel kuvvetlendirici kullanılarak çeşitli matematiksel
DetaylıDENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B
DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051
DetaylıElektrik Devre Temelleri 3
Elektrik Devre Temelleri 3 TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini
DetaylıBÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER
BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL
DetaylıT.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları
T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıŞekil-1. Doğru ve Alternatif Akım dalga şekilleri
2. Alternatif Akım =AC (Alternating Current) Değeri ve yönü zamana göre belirli bir düzen içerisinde değişen akıma AC denir. En çok bilinen AC dalga biçimi Sinüs dalgasıdır. Bununla birlikte farklı uygulamalarda
DetaylıDENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP
DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP Amaç: Bu deneyin amacı, öğrencilerin alternatif akım ve gerilim hakkında bilgi edinmesini sağlamaktır. Deney sonunda öğrencilerin, periyot, frekans, genlik,
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıDENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler
RF OSİLATÖRLER VE İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER (1.DENEY) DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler DENEYİN AMACI : Radyo Frekansı (RF) osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerini
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri
DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.
DetaylıŞekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi
DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.
DetaylıFatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)
Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) 9.1 Amaçlar 1. µa741 ile PWM modülatör kurulması. 2. LM555 in çalışma prensiplerinin
DetaylıDENEY 5: RC DEVRESİNİN OSİLOSKOPLA GEÇİCİ REJİM ANALİZİ
A. DENEYİN AMACI : Seri RC devresinin geçici rejim davranışını osiloskop ile analiz etmek. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Sinyal Üreteci, 2. Osiloskop, 3. Değişik değerlerde direnç ve kondansatörler.
DetaylıDENEY 2 DİYOT DEVRELERİ
DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ 2.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde çıkış gerilim dalga formunda değişiklik oluşturan kırpıcı (clipping) ve kenetleme (clamping) devrelerinin nasıl çalıştığı öğrenilecek ve kavranacaktır.
DetaylıBÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER
BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit
DetaylıDENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri
DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri 1. Amaç Bu deneyin amacı; alternatif akım devrelerinde, direnç-kondansatör birleşimi ile oluşturulan RC filtre
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
Detaylı