T. C. ATOM ENERJİSİ KOMİSYONU

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "T. C. ATOM ENERJİSİ KOMİSYONU"

Transkript

1 T. C. ATOM ENERJİSİ KOMİSYONU ANKARA NÜKLEER ARAŞTIRMA MERKEZİ Teknik Raporu : r\h ~.j../j

2 Al - Al-0 - Al İNCE FİLMLERİNDE TÜNEL OLAYI U.BÜĞET - O.SENCER*- D.TÜREK Mart, 1973 (*) Bu çalışma Osman SMCER'ln Fizik Yüksek Mühendislik Tezi olarak Ankara Üniversitesi Fen Fakültesine sunulmuştur.

3 ÖZET Al- A1? 0 - Al ince filmlerinde akım geçiş mekanizması incelenmiş; akımın alçak voltajlarda termiyonik çıkarma mekanizmasıyla, daha yüksek voltajlarda ise kuantum mekaniği tünel olayı ile geçtiği sonucuna varılmıştır. Tünel olayının olduğu bölgenin dikdörtgen şeklinde potansiyel engeli modeline dayanan teoriyle karşılaştırılmasından engel yüksekliği 1.2 ev olarak tayin edilmiştir. y SUMMARY The current mechanism in Al-AlpO -Al thin films have been investigated and found due to thermionic emission and due to quantum mechanical tunnel effect at low voltage and intermediate voltage ranges respectively. The potential barrier is being determined as 1.2 ev by the comparison of tunnel region and the theory based on the rectangular potential barrier model.

4 İÇİNDEKİLER 1. GÎRİŞ 2. KURAMSAL BİLGİLER 2.1. Özdeş elektrodlar halinde uıetal-y8lıtkan-metal yapısında tünel olayı 2.2. Denklem (10) üzerinde tartışma Denklem (10) a dikdörtgen potansiyel engelinin uygulanması ve alçak voltajlardaki (V - O) ifadesi Denklem (10) a dikdörtgen potansiyel engelinin uygulanması ve kısm«n yüksek voltajlardaki (intenmediate voltage range) V < 0 /e ) ifadesi 3. DENEYSEL YÖNTM 3.1. İnce film yapımında kullanılan genel metodlar Püskürtme (Sputtering) Buharlaştırma (Vacuum evaporation) Oksitlenen (Oxidation) 3.2. Al-Al 0 -Al ince filmlerinin yapılışı 3.3. Yalıtkan filmin ( A^20^ kalınlığının tayini 3*3«1» Sığa ölçülerinden tayin edilen kalınlık üzerinde tartışmı 3.4. Akım voltaj karakteristiklerinin ölçülmesi 4. SONUÇLAR VE TARTIŞMA 4.1. Giriş 4.2. Deney sonuçları 4.3» Deneyle teorinin karşılaştırılması 4.4. Tünel olayı ile açıklanmıyan kısmın incelenmesi 5. İHDELBIE 6. ŞEKİLLER 7. FAYDALANILAN YAYINLAR

5 l.g 1 R t A kalınlığında çok ince madde tabakalarına ince film Sentr. Yalnız bu sayıların ince film kalınlığını karakterize eden kesin bir sınır olmadığını işaret etmek gerekir; örneğin 2 A den A e kadar kalınlıkta tabakalarada"ince film" denilmektedir. İnce filmlerin yapılması için en çok kullanılan metodlar; Buharlaştırma (Vacuum Evaporation), püskürtme (Sputtering) ve oksitleme (oxidation) teknikleri olup 3.1 de kısaca anlatılacaktır flj İnce filmlerin en önemli uygulaması katı hal elektroniğindedir. Güneş pili (solar celi), elektronik beyin hafıza elemanları (memory elements), ince film dirençler, kondansatörler, diyodlar, transistörler gibi elektronik devre elemanları ince filmlerin tatbikatı olmuş hatta ince film yapılarının kombinasyonu ile mikrominyatür elektronik devreler (integre devre) meydana getirilmiştir. Tipik ince film elektronik devrelerde; bakır, gümüş, alüminyum, altın, krom, nikel, t8ntelyum elektrodların ve iletken filmlerin yapımında, silikon dioksit, silikon monoksit, tantalyum pentoksit, alüminyum oksit, çinko sülfür, siloxane polimerler sığalardaki dielektrik filmlerin yapımında, nikel-krom alaşımları, paslanmaz çelik, krom ve silikon monoksit karışımları, tantalyum nitrid direnç yapımında, silikon, kadmiyum sülfür, kadmiyum selenid yarı iletken filmlerin yapımında en çok kullanılan maddelerdir. İnce filmlerin elektriksel iletkenliği üzerinde yapılan araştırmalar beş ayrı akım geçiş mekanizmasının varlığını ortaya koymuştur f 2 "j. Bunlar : 1- İyonik akım 2- Uzay yükü ile sınırlı akım (Space charge limited current, SCLC )

6 Tünel akımı 4- Schottky çıkarması ve Poole-Frenkel olayı 5- Safsizlik iletimi Metal-yalıtkan-metal ince film yapısında yalıtkan filmin 10? A den ince olması halinde akım geçişinde hâkim mekanicmanm tünel olayı olduğu ileri sürülmüştür 3- Bu çalışmada yukarda bahsedilen yapı Al-Al p 0 -Al ince film sandeviç yapısı ile gerçeklenmiş ve akım geçiş mekanizması incelenerek tünel olayı doğrulanmıştır. 2» KURAMSAL BİLGİLER 2.1. Özdeş elektrodlar halinde metal-yalıtkan-metal yapısında tünel olayı» Metal-yalıtkan-metal yapısında denge şartları yalıtkanın iletkenlik bandının elektrodların Permi seviyesinin üstünde olmasını gerektirir. Böylece yalıtkan ile metal arasında elektron geçişini zorlaştıran "bir potansiyel engeli meydana gelir» Klâsik düşünceye göre "bir parçacığın kinetik enerjisi karşılaştığı potansiyel engelinden küçükse engeli aşması mümkün değildir. Kuantum mekaniği ise engel sonsuz yükseklikte olmadıkça "belli "bir olasılıkla geçme olanağının olduğunu ortaya koymuştur.- Bu olaya kuantum mekaniği tünel olayı denir. E enerjisinde bir elektronun As kalınlığında, V yük8ekiiğinde dikdörtgen şeklinde bir potansiyel engelini geçme ihtimali D (E ) s exp -^r- /*v*> «v i J ifadesiyle verilmektedir. Buradan görüldüğü gibi ince bir potansiyel engeli parçacığın geçme olasılığını arttırmaktadır,,

7 - 3 - Bir elektronun V(x) şeklinde bir potansiyel engelinden geçme olasılığı WKB yaklaşımı ile f D(E x ) - exp j "5 a, f v (x)-e dx ı \ şeklinde verilir [6] s L Xj ) J (2) Metal-yalıtkan-metal yapısında enerji band modeli şekil (l) de gösterilmiştir» l.eliktroddan, 2«Elektroda tünellenen elektron sayısı v N s v n(v ) D(E ) dv ı / x x x x J o E m 1 / n(v) D(E) de v (3) B / X X X dir. Burada E elektronların maksimum enerjisi, n(v ) dv ise v ile v dv hızları arasında birim XX X XX hacimdeki elektron sayısıdır, n(v) dv dv. dv = 2m 4 /H 3 f(e) dv dv dv...(4) şeklinde yazılabilir. f(e), 1. Elektroddaki elektronların enerji dağılımını gösteren Permi-Direc fonksiyonudur. Buradan : n(v ) = 2m 4 /h 3 / f f(e) dv dv x' ' J J y z = 4IT» W f f(b) de r (5) 1

8 - 4 - (5) ifadesinde integrant kutupsai kordinatlarda ifade edilmiştir. Yani v - v 2 + v 2, Er«mv 2 /2 (5),(3) de yerine konursa, = 4 m_ / D(E ) de f f(e) de...(6) 1 3 / x x f r o -^ olur. 2, Elektroddan 1. Elektroda tünellenen elektronların sayısı N?, benzer şekilde hesaplanır. Tünellerime olasılığının her iki yöndeki geçiş için aynı olduğu kabul edilip, ikinci elektroddaki elektronların enerji dağılımını belirten Permi-Dirac fonksiyonunun f(e>ev) olduğu gözönüne alınırsa engeli geçen net elektron sayısı Em N «N x -N 2 «/ D(E x ) de x I ±üi i [f(e)-f(e + ev) ^ jjder olduğu görülmektedir.denk Şekil (1) den V(x) = 1 + 0(x) lem (?.) de yerine konursa., f S 2 ^/2 1 D (E.) - exp \-^(2m) l/z j l"-n ^(x)-e x dx..(8) 8 1 «2 f X ' 2 (x) dx * # 1^2 A s bağıntısı herhangi sürekli 8 ı bir fonksiyon için geçerli olduğundan (8) denklemine uygulanırsa

9 - 5 - r 1 D( V= exp j -4 T A s (2m) 1 / 2 r r 0-E x i V l..( 9 ) olur. (9) r (7) de yerine konur ve gerekli ıaatamatiksel işlemler yapılırsa tünel akım yoğunluğu (Amp/cm^) J = J o [ JS exp(-a^l/2 )-(^+ev)exp [-A(^teV) l/2 ]j...(lo) olarak elde edilir ı 7 İ.? ı/? Burada j = e/2tth(as) A - 4TT <&s(2m) ' /h dır Denklem (10) üzerinde tartışma, Birinci elektroddan ikinci elektroda j ikinci elektroddan birinci elektroda ise, 1/2 $ exp(-aj? ' ) r j (% + ev) exp [-A(^ + e büyüklüğünde tünel akımı geçmektedir. Yapıya voltaj uygulanmadığı zaman, her iki elektrod aynı metalden yapılmışsa fermi seviyeleri aynı düzeyde olacağından ve tünellerime olasılığının heriki yöndeki geçiş için aynı olacağından heriki yöne aynı büyüklükte akım geçeöek dolayısıyla sistemde dinamik denge mevcut olacaktır. Uygulanan voltajla potansiyel engeli alçalacaktır. Fakat herhangi bir şekildeki potansiyel engeli için J& ya V nin etkisinin nasıl bir fonksiyonla olacağı bilinemiyeceğinden basit bir geometrik modele inmek gerekir.bu çalışmada dikdörtgen şeklinde potansiyel engeli modeli kabul edilecektir Denklem (10) a dökdörtgen potansiyel engelinin uygulanması ve alçak voltajlardaki (Vfv o) ifadesi : Şekil (2) den görüldüğü üzere # -= 0 As = s dir. Denklem (10) da yerlerine konur ve gerekli yaklaşımlar yapılırsa, J- L 3(2n^0) l/2 /28j (ea) 2 V exp i * * (2m ^ ) 1 / 2 j...(il) elde edilir i 7 i.

10 - 6 - Alçak voltajlarda tünel akımı voltajla lineer olarak değişmektedir. Başka bir deyişle eklem direnci omiktir Denklem (10) a dikdörtgen potansiyel engelinin uygulanması ve kısmen yüksek voltajlardaki (intertıediate voltage range; fv< 0 /e ) ifadesi: Şekil (3) den görüldüğü gibi (0 - ev) j _ ey/2 As = Denklem (10) da yerlerine konursa,1/2 1 Ğ m â o W o" ev/2) exp! ~ A(^o - ev / 2 > J - - (0 +ev/2) exp -A(# t ev/2) o o,h (12) elde edilir. 3. DENEYSEL YÖNTM 3.1. İnce film yapımında kullanılan genel metodlar ; Püskürtme (Sputtering) Madde, hedef olarak enerjik pozitif iyonlar tarafından bombardıman edilir. îyon kaynağı olarak iki elektrod arasında seyreltik gazın meydana getirdiği plazma kullanılır. Yüksek gerilim tatbikinde deşarj olan iyonlar katoda çarparak maddenin atomlarını çıkartır ve bu şekilde püskürtülmüş atomlar uygun bir yere yerleştirilmiş bir camın üzerinde birikerek filmi meydana getirir» Bu metodda genellikle argon gazı ve paralel plakalı elektrodlar kullanılmaktadır. Elektrodlar arasındaki mesafenin birkaç cm, basıncın 0,01 ile 0,1 Torr, uygulanan gerilimin 2 ile 5 kv arasında tutulması bu metod için uygun değerlerdir.

11 Buharlaştırma (Vacuum evaporation) Kaplanacak filmin maddesi erime sıcaklığı yüksek bir filamanın içine konur ve filmin birikeceği cam filamandan belli bir uzaklıkta yerleştirilir. Camın filamana dönük yüzeyine mümkün olduğu kadar yakın olacak şekilde istenilen geometrik biçimde film kaplanmasını sağlıyan maske-yerleştirilir. Sistemin havası boşaltılır.genellikle 10 Torr civarında vakum elde etmek mümkündür. Pile mandan yüksek akım geçirilerek ısınması sağlanır, maddenin ergime sıcaklığına erişildiğinde madde buharlaşır ve camın üzerini kaplar Oksitleme İletken veya yarı iletken filmler oksitlenerek üzerlerinde yalıtkan filmler teşekkül eder. Örneğin Ta 2 0 5, A , Si0 2 gibi. a) Anodik oksitleme j^8!. Metal film elektrolitik hücrenin anodu, paslanmaz çelik katodu olarak kullanılır.uygun bir elektrolit, hücrenin içine doldurulur, gerilim tatbikinde anoddan oksijen çıkar ve filmi oksitler. Filmde düşen voltaj oksit kalınlığının ölçüsüdür. Örneğin Al filmde düşen her volt 13.4 A kalınlığında oksit tabakası meydana geldiğini gösterir. b) Termal Oksitleme [9]. Film, bir fırında ısıtılır ve üzerinden nemi alınmış saf oksijen geçirilerek oksitlenir. Oksit kalınlığı oksitleme süresinin ve sıcaklığın fonksiyonudur. c) Havada Oksitleme Film oda sıcaklığında tozsuz ve nemsiz bir ortamda havada oksitlenebilir, örneğin Fisher ve Giaever [3] f ince Al 0 filmlerini bu şekilde yapmışlardır.yayınladıkları rapora göre 11 günlük sürede 45 ila 48 A arasında değişen Al.O^ filmleri elde etmişlerdir.

12 Al-Al ü-al ince filmlerinin yapılışı. Bir mikroskop camı önce deterjan, #LC HC1, NaOH banyolarında, sonra "Ultrosonic Cleaner 120 Sonatron" cihazında iyioe temimi^v>7r.-;c, Ve kurulu} muştur. Camın üzerine 2 mm genişliğinde ajuminyum film "buharlaştırma tekniği ile yapılmış ve kuru havada oda sıcaklığında 3 ila 16 gün arasında değişen sürelerde oksitlenmiye "bırakılmıştır. Böylece meydana gelen Al-Al 0 -- yapısının üzerine tekrar Al film buharlaştırılarak Al-Al 0 -Al sandviç yapısı elde edilmiştir. Alt ve üst elektrodlardan terminaller gümüş pastası kullanılarak alınmıştır. Yapım safhaları şekil 4-a, 4-b, 4-c, 4-d de gösterilmiştir Yalıtkan filmin (Al 0.) kalınlığının tayini meydana gelen yapıyı arasında dielektrik bulunan paralel plâkalı bir sığa gibi düşünüp yapının sığasının ölçülmesiyle yalıtkanın kalınlığının hesaplanması mümkündür. A(filmin alanı), C(filmin sığası) ölçülen nicelikler olup (Al 0 ün dielektrik katsayısı) 8 olarak verildiğine göre[3, 5], s (yalıtkanın kalınlığı) C= e A/4TTa bağıntısından hesaplanmıştır. Sığa ölçüleri "Marconi Inst, universal Bridge" cihazı ile 1 kes da alınmıştır Sığa ölçülerinden tayin edilen kalınlık üzerinde tartışma, Yapılan filmler içinde en büyük sığayı film 14-b vermiştir. A : 3.68 mm2, C :. 34 j*t, : 8 olduğundan filmin kalınlığı s -* 83 A hesaplanmıştır. Diğer filmler genellikle birkaç yüz pikofarad mertebesinde sığa değerleri verdiğinden hesaplanan s değerleri birkaç bin A mertebesiadedir. Bu değerlerin makûl olmadığı söylenebilir. Çünkü Bölüm 3-2 de belirtildiği gibi oksitleme süresi en fazla 1# gün olmuştur. Bir kaç bin A mertebesinde oksit kalınlığının 10 günde meydana gelmesi günde en az ICO A oksit büyümesini gerektirirki bu imkansızdır. Nitekim Fisher ve Giaever 'in belirttiğini göre günde yaklaşık olarak 4 A büyümektedir. 0 halde C : CA/4TTs bağıntısında bir düzeltme faktörü gerekmektedir. Böyle bir faktörün fiziksel izahı şu şekilde yapılabilir:

13 - 9 - Al O filminin çok ince olması alt elektrodla üst elektrottun çeşitli noktalarda kısa devre olma olanağını çoğaltmaktadır. Böylece arada dielektrik bulunan alan küçüldüğünden sığaya katkıda bulunan alan geometrik alandan deha küçük olan etkin alana dönüşmektedir Akım-voltaj karakteristeklerinin ölçülmesi, Akım voltaj ölçüleri için kullanılan sistemin blok şeması Şekil (5) de gösterilmiştir. a) Film vakum sisteminin içine yerleştirilmiş ve ölçülerin vakumda alanması sağlanmıştır. b) #0,05 veya 1 mv hatalı»»241 Reguloted High Voltage Supply" ile filme voltaj uygulanmış ve geçen akım İÖ 1-5 ampere kadar ölçebilen "Keithley 610 B Electrometer" ile ölçülmüştür. c) Filmden geçen akımın kararlı duruma geldiği değerlerin hassas olarak gözlenmesi için "Keithley 370 Recorder" kullanılmıştır. 4. SONUÇLAR VE TARTIŞMA Giriş. Al-Al 0 -Al ince filmlerinde tünel olayı üzerinde yapılan araştırmalarda rapor edilen akım voltaj karakteristikleri şekil (6) da gösterilmiştir. Bu grafikler Al-Al-0 -Al ince filmlerinde akım geçişinin tünel olayı ile olduğunu kanıtlamaktadır. Filmlerin kalınlığı sığa ölçülerinden hesaplanmış ve teorinin gerektirdiği kalınlıktan oldukça büyük çıktığı bildirilmiştir. Araştırmacıların Al-Al 0 -Al tünel eklemleri üzerinde yaptıkları incelemeler sonunda yapının tâyin ettikleri özellikleri aşağıdaki tabloda gösterilmiştir 10].

14 KALINLIK (A ) ENGEL YÜKSEKLİĞİ (ev) LİTERATÜR REPERANSI 5e 17, , ,5; 1, ,1; 2,3 0,78; 0,89 M 0,74 1,64; 2,4 Emtege ve Tantroporn [il] Polİ8ck ve Morris Fisher ve Giaevex Meyerhofer ve Ochs fl«rtman ve Chivian Miles ve Smith Tantroporn Hartman j_ 5j [ 3j [_ 4J fl2j [ij] [~14j [l5j Engel yüksekliğin sütununda bazı araştırmacıların farklı iki potansiyel engeli tayin ettikleri görülmektedir. Örneğin Pollack ve Morris, yapıya uygulanan voltajın polaritesinin değişimi ile j ve j gibi farklı büyüklükte tünel akımlarının geçtiğini gözlemişlerdir. Bu da potansiyel engelinin antisimetrik olduğunu göstermektedir. Böylece alt elektrodla yalıtkan arasında 1,5 ev, üst elektrodla yalıtkan arasında 1,85 ev lik trapezoidal potansiyel engeli tayin etmişlerdir Deney Sonuçları, Pilm 14-b, lc-c, 5-a şeklinde numaralandırılmış filtfuîsn akım-voltaj (J-V) karakteristikleri şekil (10, 11, 12) de gösterilmiştir Pilm 14-fc de 0,01 voltda geçen ekim 4,07 x 10 Amp/cm olup yaklaşık olarak ü,05 volta kadar lineer olarak artmakta daha sonra hızla yükselmektedir. 0,7 voltda geçen akım 4,07 x 10^ Amp/cm 2 d ir. 8? Pilm 10-c de 0,04 voltda geçen akım 1,75 x 10 Amp/cm olup «0,1 volta kadar lineer olarak artmakta daha sonr«

15 hiala yükselmektedir* 0? Ö voltda geçen akm 1 : 08 x İĞ Amp/ciii dir. -9 / 2 Film 5-a da 0,05 volta geçen akım 9,3 x 10 Amp/ cm olup -v/ 0,1 volta kadar lineer olarak artmakta daha sonra hızla yükselmektedir, 0,8 voltdan geçen akım 10' Amp/cnrdir Deneyle teorinin karşılaştırılması,. Deneysel akım voltaj eğrilerinin tünel kuramına uyup uymadığının saptanması için kuramın kısmen yüksek voltajlardaki (intermediate voltage range) ifadesi olan Denk. (12) nin kompüter analizi yapılmıştır o Program değerleri aşeğıda gösterilmiştir: s : 30, 35, 40, 90 (A ) 0 : 0.6, 0.7, (ev) değerleri verilmiş ve V 0.01 voltla 1.8 volt arasında değiştirilerek her voltaj değerine karşı gelen akım yoğunluğu J (Amp/cm^) değerleri hesaplanmıştır. s : 35 (A ), 0 Q : 1, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4 (ev) s : 40 (A 0 ), 0 Q : C.9 f 1, 1.1, 1.2 (ev) için kuramsal eğriler çizilmiş ve Pilm 14-b nin ak.ım-voltaj karakteristiği ile karşılaştırılmıştir. s:40, 0 :1.2 için çizilmiş eğriyle hu deneysel eğrinin yaklaşık olarak 0.8 voltdan sonra mükemmel uyuştuğu görülmüştür. Buradan Al-Al o 0 -Al ince filmlerinde akım geçişinin belli bir voltajdan" sonra tünel olayı ile açıklanabileceği sonucu çıkartılmıştır. Bundan başka tünel ekleminin s, 0 gibi parametreleri tayin edilmiştir. Film 14-b de yalıtkan filmin (Al 0 ) 40 A kalınlığında olduğu, metalyalıtkan arasında 1 2^eV yüksekliğinde diktörtgen şeklinde potansiyel engeli olduğu tünel kuramı ile deneyin uyuşmasından tayin edilmiştir. Yalnız film 14-b nin sığa

16 ölçüsünden hesap edilen kalınlığın 40 A olmayıp 83 A olduğu 3«2.1 de söylenmişti. Aynı bölümde s: A/4TTc formülünde A yerine geometrik alan kullanmanın doğru olmadığı, ondan farklı ve daha küçük olan etkin alan kullanmak gerektiği belirtilmişti. s c : A _ /4 TJ c gev s^ : A./4 TT c t et bağıntıları taraf tarafa oranlanırsa s A ^ : A elde edilir. Film 14-b için s. : 40 A, et s geo * t s :83 A olduğundan A : #48 A çıkar. Başka bir deyişle geometrik alanın #52 si sığaya katkıda bulunamıyan kısa devrelerden ibarettir îpünel olayı ile açıklanmıyan kısmın incelenmesi, yilm 14-b, 10-c, 5-a nın akım voltaj karakteristikleri alçak voltajlar bölgesinde (V < 0.1 volt) incelendiğinde akımın voltajla artışının oldukça az olduğu görülmektedir. Bu bölgede voltajın dominant olmaması sıcaklık parametresinin kontrol ettiği bir akım geçiş mekanizmasının mümkün olabileceğini ortaya koymaktadır. Bu termiyonik çıkarma mekanizmasıdır. (Schottky çıkarmasının i özel halidir. Engelin uygulanan voltajla alçalması ihmal edilirse Schottky çıkarması termiyonik çıkarmaya indirgenir ). Termiyonik çıkarmada akım «î : RT exp(-0 /kt) ifadesiyle verilir i Burada 0 0 ~ 2 o 2 R : Richard s on-dushmann sabite (120 Amp/cm k )

17 T : Mutlak sıcaklık (300 k) 0 : Metal-yalıtkan arasında potansiyel engeli yüksekliği (ev) j : Doyma akım yoğunluğu (Amp/cm ) k : Boltzman sabiti. 1 ft 9 Film 14-b de <).01 voltda ge en akım 4^07 x 10 Amp/cm dir. Voltaj uygulanmadığında ^10 10 Alp/cm 2 büyüklüğünde termiyonik çıkarma akımı geçeceği kabulü yapılıp yukardaki İfadeden 0 hesaplanırsa 0 '^ 1 ev bulunur, o Bölüm 4.2. de tünel teorisinden tayin edilen 1.2 ev ile karşılaştırıldığında mukayese edilebilir değerde olması bu görüşü kuvvetlendirmektedir. Böylece Al-Al 0 -Al ince filmlerinde akım geçişinin başlangıç voltajlarda termiyonik çıkarma mekanizmasıyla olduğu sonucuna varılmıştır. 5. İRDELEME Al-Al 0 -Al ince filmlerinde alçak voltajlarda akım geçişi termiyonik çıkarmayla olmaktadır. Uygulanan voltajın artmasıyla tünellerime olasılığının artması gerek termiyonik çıkarmanın, gerekse tünel olayının akıma ortak katkıda bulunduğu bir geçiş bölgesi doğurmaktadır. Nihayet elektrik alanının yeterince büyük değere ulaşması ile tünel olayı ön plâna geçmekte ve akım tamamen tünel olayına tabi olmaktadır. TEŞEKKÜR Bu çalışmanın kompüter programlarını yapan Fizik Yüksek Mühendisi Sayın Erol Barutçugil'e teşekkür ederiz.

18 $. ŞEKİLLER

19 Vakum seviyesi Permi seviyesi ft Permi seviyesi = V (x) İ l.elektx6d Yalıtkan 27ELektrod y Şekil 1. İki metal elektrod arasında yalıtkan filmde genel potansiyel engeli.

20 Şekil 2, İki metal elektrod arasında yalıtkan filmde dikdörtgen potansiyel engeli (V:o) Şekil 3. Yapıya kısmen yüksek voltaj uygulandığında dikdörtgen potansiyel engelindeki değişme.

21 Can Alt elektrod (Al film) Şekil 4-a Gümüş pastası Tel Şekil 4-b fmır>>nitiımnt Alüminyum oksit tabakası Şekil 4-e Şekil 4-b Üst elektrodlar (Al film) 6:Güç kaynağı V:Vakum sistemi NsNumune A: Ampermetre R:Recorder Şekil 5.

22 ' Meyerhofer ve Ochs 52 A 0 ıs o a 18' Pollflck.ve Morris 17,5A< H 3 x5' 15 Pollack ve Morris^ A 0 - / S JFisher ve? G^aever 8 V 3 * 0 Pollack ve -Morris 30A C * 10 x 1 10 Voltaj (volt) Çekil 6. A1 2 0 ince filmlerinde tünel karakteristiği gösteren deneysel eğriler.

23 j (Ampere/em S*35 A SxlS 1 Şekil 7. Denklem (12) nin Konrpüter Analizi.

24 - 20 -!5 8 j (Amper/om ) 4 -^ V (volt) S»35 A 0, 0^1,2 ev 1Ğ 9 _ ıs 1# 10 2 ŞekU 8«Denklen (12) n%n, kompüter analizi.

25 - fcl «- 1,5x1(5 Şekil 9. Tenklem (12) nin Kompüter analı»!.

26 lö 8 J S (Amper/em ) i V (volt) lö 9 - lö 1 * 5 "WWWM««>WMWP«p lö 2 x5" 7X10 1 Şekil la (X4-t) nln akx»-voltaj karakteristiği.

27 lö 6 2 â (Amper/cm ) -**V (volt) 10? ı5 8 2x1* ı5 J Şekil 11. Film 10-e nin akıa-voltaj karakteristiği.

28 J (Anp er/cm ) ^.V (volt) 8 L 2xl Şekil 12, Pilm 5-a nın akıa-voltaj karakteristiği.

29 FAYDALANILAN YAYINLAR R.A. COOMBE - the electrical properties and applications of thin films. Sir Isaac Pitman and sons Ltd D.R. LAMB Electrical conduction mechanisms in thin insulating films. Methuen and CO Ltd J.C. FISHER and I.GIAEVER-J.Appl.Phys. 32 (1961) » D.MEY'ERHüi'ER and S.A,OCHS-J Appl. Phys 34 (1963) S.R. POLLACK and C.E.MORRIS-J.Appl.Phys. 35 (1964) 15^ J.L. POWELL and B.CRASmANN-Quantum Mechanics. Addison Fasley Publishing Co. J.G. SIMMONS-J.Appl.Phys. 34 (1963) J.C. ANDERSON-The use of thin films in physical! investigation Acedemic Press London and Uewyork 1966» J.ANTÜLA-Thin Solid Films Vol.3 No.3 (1969) R.M.HILL-Thin Solid Films Vol.1 No.l (1967) P.E.EMTAGE and W.TANTRAPORN-Phys Rev.Lett.8 (1962) T.E.HARTMAN and CHIVIAN-Phys Rev. 134 (1964) A1094-A1101. J.L.MILES and P,H. SMITH~Aiu. Electrochem. Spring Meet ( 1963 ) Abst.No 3. W.TANTRAPORN-Solid State Electronics 7 (1964) T.E.HARTMAN-J.Appl.?hys. 35 (1964) U.BÜGET-Katı Hal Fiziği ders notları (1972).

Hareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu

Hareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu Akım ve Direnç Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız tartışmalar durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik yüklerinin hareket halinde olduğu durumları inceleyeceğiz.

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-4 Kondansatörler ve Bobinler

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-4 Kondansatörler ve Bobinler Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-4 Kondansatörler ve Bobinler Kondansatörler Kondansatör, elektronların kutuplanarak elektriksel yükü elektrik alanın içerisinde depolayabilme

Detaylı

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre

Detaylı

7. DİRENÇ SIĞA (RC) DEVRELERİ AMAÇ

7. DİRENÇ SIĞA (RC) DEVRELERİ AMAÇ 7. DİENÇ SIĞA (C) DEELEİ AMAÇ Seri bağlı direnç ve kondansatörden oluşan bir devrenin davranışını inceleyerek kondansatörün durulma ve yarı ömür zamanını bulmak. AAÇLA DC Güç kaynağı, kondansatör, direnç,

Detaylı

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net Yük Elektriksel yük maddelerin temel özelliklerinden biridir. Elektriksel yükün iki temel

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

Magnetic Materials. 7. Ders: Ferromanyetizma. Numan Akdoğan.

Magnetic Materials. 7. Ders: Ferromanyetizma. Numan Akdoğan. Magnetic Materials 7. Ders: Ferromanyetizma Numan Akdoğan akdogan@gyte.edu.tr Gebze Institute of Technology Department of Physics Nanomagnetism and Spintronic Research Center (NASAM) Moleküler Alan Teorisinin

Detaylı

SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRONIK YÜK. MÜH.

SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRONIK YÜK. MÜH. EM 420 Yüksek Gerilim Tekniği DÜZLEMSEL ELEKTROT SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRONIK YÜK. MÜH. Not: Tüm slaytlar, listelenen ders kaynaklarından alıntı yapılarak ve faydalanılarak

Detaylı

DÖRT NOKTA TEKNİĞİ İLE ELEKTRİKSEL İLETKENLİK ÖLÇÜMÜ DENEYİ FÖYÜ

DÖRT NOKTA TEKNİĞİ İLE ELEKTRİKSEL İLETKENLİK ÖLÇÜMÜ DENEYİ FÖYÜ T.C ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MALZEME BİLİMİ VE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MALZEME ÜRETİM ve KARAKTERİZASYON LABORATUVARI DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DÖRT NOKTA TEKNİĞİ İLE ELEKTRİKSEL İLETKENLİK

Detaylı

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir.

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir. Bir fuel cell in teorik açık devre gerilimi: Formülüne göre 100 oc altinda yaklaşık 1.2 V dur. Fakat gerçekte bu değere hiçbir zaman ulaşılamaz. Şekil 3.1 de normal hava basıncında ve yaklaşık 70 oc da

Detaylı

SIĞA VE DİELEKTRİKLER

SIĞA VE DİELEKTRİKLER SIĞA VE DİELEKTRİKLER Birbirlerinden bir boşluk veya bir yalıtkanla ayrılmış iki eşit büyüklükte fakat zıt işaretli yük taşıyan iletkenlerin oluşturduğu yapıya kondansatör adı verilirken her bir iletken

Detaylı

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları 1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik

Detaylı

2014/2 MÜHENDİSLİK BÖLÜMLERİ FİZİK 2 UYGULAMA 4

2014/2 MÜHENDİSLİK BÖLÜMLERİ FİZİK 2 UYGULAMA 4 2014/2 MÜHENDİSLİK BÖLÜMLERİ FİZİK 2 UYGULAMA 4 (SIĞA ve DİELEKTRİK/AKIM&DİRENÇ ve DOĞRU AKIM DEVRELERİ) 1. Yüzölçümleri 200 cm 2, aralarındaki mesafe 0.4 cm olan ve birbirlerinden hava boşluğu ile ayrılan

Detaylı

9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR

9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR 9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR 1. FORMÜLÜ 2. SABİT DİRENÇTE, AKIM VE GERİLİM ARASINDAKİ BAĞINTI 3. SABİT GERİLİMDE, AKIM VE DİRENÇ ARASINDAKİ BAĞINTI 4. OHM KANUNUYLA İLGİLİ ÖRNEK VE PROBLEMLER 9.1 FORMÜLÜ

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT

DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT YALITKAN YARI- İLETKEN METAL DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT Amaç: Birinci deneyde Ohmik bir devre elemanı olan direncin uçları arasındaki gerilimle üzerinden geçen akımın doğru orantılı

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

BAZI KAYNAK PARAMETRELERİNİN SIÇRAMA KAYIPLARINA ETKİSİ

BAZI KAYNAK PARAMETRELERİNİN SIÇRAMA KAYIPLARINA ETKİSİ BAZI KAYNAK PARAMETRELERİNİN SIÇRAMA KAYIPLARINA ETKİSİ ÖZET CO 2 kaynağında tel çapının, gaz debisinin ve serbest tel boyunun sıçrama kayıpları üzerindeki etkisi incelenmiştir. MIG kaynağının 1948 de

Detaylı

KOROZYON. Teorik Bilgi

KOROZYON. Teorik Bilgi KOROZYON Korozyon, metalik malzemelerin içinde bulundukları ortamla reaksiyona girmeleri sonucu, dışardan enerji vermeye gerek olmadan, doğal olarak meydan gelen olaydır. Metallerin büyük bir kısmı su

Detaylı

KİNETİK GAZ KURAMI. Doç. Dr. Faruk GÖKMEŞE Kimya Bölümü Hitit Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi 1

KİNETİK GAZ KURAMI. Doç. Dr. Faruk GÖKMEŞE Kimya Bölümü Hitit Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi 1 Kinetik Gaz Kuramından Gazların Isınma Isılarının Bulunması Sabit hacimdeki ısınma ısısı (C v ): Sabit hacimde bulunan bir mol gazın sıcaklığını 1K değiştirmek için gerekli ısı alışverişi. Sabit basınçtaki

Detaylı

BARTIN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ MALZEME LABORATUARI II DERSİ AKIMLI VE AKIMSIZ KAPLAMALAR DENEY FÖYÜ

BARTIN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ MALZEME LABORATUARI II DERSİ AKIMLI VE AKIMSIZ KAPLAMALAR DENEY FÖYÜ BARTIN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ MALZEME LABORATUARI II DERSİ AKIMLI VE AKIMSIZ KAPLAMALAR DENEY FÖYÜ Gelişen teknoloji ile beraber birçok endüstri alanında kullanılabilecek

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

ELEKTRO KAZANIM (ELEKTROW NN NG)

ELEKTRO KAZANIM (ELEKTROW NN NG) ELEKTROMETALÜRJ Cevher veya metal içeren her çe it ham madde içindeki metaller elektrikenerjisinden faydalanmak suretiyle üretmeye Elektrometalürji denmektedir. Gerçekte elektrometalurji, elektrokimyan

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

2.5. İletkenlerde R, L, C Hesabı İletim Hatlarında Direnç (R) İletim hatlarında gerilim düşümüne ve güç kaybına sebebiyet veren direncin doğru

2.5. İletkenlerde R, L, C Hesabı İletim Hatlarında Direnç (R) İletim hatlarında gerilim düşümüne ve güç kaybına sebebiyet veren direncin doğru 2.5. İletkenlerde R, L, C Hesabı 2.5.1. İletim Hatlarında Direnç (R) İletim hatlarında gerilim düşümüne ve güç kaybına sebebiyet veren direncin doğru hesaplanması gerekir. DA direnci, R=ρ.l/A eşitliğinden

Detaylı

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER Dielektrik malzemeler; serbest elektron yoktur, yalıtkan malzemelerdir, uygulanan elektriksel alandan etkilenebilirler. 1 2 Dielektrik malzemeler Elektriksel alan

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

İstatistiksel Mekanik I

İstatistiksel Mekanik I MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için

Detaylı

= σ ε = Elastiklik sınırı: Elastik şekil değişiminin görüldüğü en yüksek gerilme değerine denir.

= σ ε = Elastiklik sınırı: Elastik şekil değişiminin görüldüğü en yüksek gerilme değerine denir. ÇEKME DENEYİ Genel Bilgi Çekme deneyi, malzemelerin statik yük altındaki mekanik özelliklerini belirlemek ve malzemelerin özelliklerine göre sınıflandırılmasını sağlamak amacıyla uygulanan, mühendislik

Detaylı

SEM İncelemeleri için Numune Hazırlama

SEM İncelemeleri için Numune Hazırlama SEM İncelemeleri için Numune Hazırlama Giriş Taramalı elektron mikroskobunda kullanılacak numuneleri, öncelikle, Vakuma dayanıklı (buharlaşmamalı) Katı halde temiz yüzeyli İletken yüzeyli olmalıdır. Günümüzde

Detaylı

5. Elektriksel Büyüklüklerin Ölçülebilen Değerleri

5. Elektriksel Büyüklüklerin Ölçülebilen Değerleri Elektrik devrelerinde ölçülebilen büyüklükler olan; 5. Elektriksel Büyüklüklerin Ölçülebilen Değerleri Akım Gerilim Devrede bulunan kaynakların tiplerine göre değişik şekillerde olabilir. Zamana bağlı

Detaylı

ATOMİK YAPI. Elektron Yükü=-1,60x10-19 C Proton Yükü=+1,60x10-19 C Nötron Yükü=0

ATOMİK YAPI. Elektron Yükü=-1,60x10-19 C Proton Yükü=+1,60x10-19 C Nötron Yükü=0 ATOMİK YAPI Elektron Yükü=-1,60x10-19 C Proton Yükü=+1,60x10-19 C Nötron Yükü=0 Elektron Kütlesi 9,11x10-31 kg Proton Kütlesi Nötron Kütlesi 1,67x10-27 kg Bir kimyasal elementin atom numarası (Z) çekirdeğindeki

Detaylı

Buna göre, bir devrede yük akışı olabilmesi için, üreteç ve pil gibi aygıtlara ihtiyaç vardır.

Buna göre, bir devrede yük akışı olabilmesi için, üreteç ve pil gibi aygıtlara ihtiyaç vardır. ELEKTRİK AKIMI Potansiyelleri farklı olan iki iletken cisim birbirlerine dokundurulduğunda potansiyelleri eşit oluncaya kadar birinden diğerine elektrik yükü akışı olur. Potansiyeller eşitlendiğinde yani

Detaylı

KİNETİK GAZ KURAMI. Doç. Dr. Faruk GÖKMEŞE Kimya Bölümü Hitit Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi 1

KİNETİK GAZ KURAMI. Doç. Dr. Faruk GÖKMEŞE Kimya Bölümü Hitit Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi 1 Kinetik Gaz Kuramının Varsayımları Boyle, Gay-Lussac ve Avagadro deneyleri tüm ideal gazların aynı davrandığını göstermektedir ve bunları açıklamak üzere kinetik gaz kuramı ortaya atılmıştır. 1. Gazlar

Detaylı

Bir katı malzeme ısıtıldığında, sıcaklığının artması, malzemenin bir miktar ısı enerjisini absorbe ettiğini gösterir. Isı kapasitesi, bir malzemenin

Bir katı malzeme ısıtıldığında, sıcaklığının artması, malzemenin bir miktar ısı enerjisini absorbe ettiğini gösterir. Isı kapasitesi, bir malzemenin Bir katı malzeme ısıtıldığında, sıcaklığının artması, malzemenin bir miktar ısı enerjisini absorbe ettiğini gösterir. Isı kapasitesi, bir malzemenin dış ortamdan ısı absorblama kabiliyetinin bir göstergesi

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-2 Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-2 Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-2 Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİRENÇLER Direnci elektrik akımına gösterilen zorluk olarak tanımlayabiliriz. Bir iletkenin elektrik

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Optik Sensörler Üzerine düşen ışığa bağlı olarak üstünden geçen akımı değiştiren elemanlara optik eleman denir. Optik transdüserler ışık miktarındaki değişmeleri elektriksel

Detaylı

MAK 210 SAYISAL ANALİZ

MAK 210 SAYISAL ANALİZ MAK 210 SAYISAL ANALİZ BÖLÜM 8- SAYISAL İNTEGRASYON 1 GİRİŞ Mühendislikte sık karşılaşılan matematiksel işlemlerden biri integral işlemidir. Bilindiği gibi integral bir büyüklüğün toplam değerinin bulunması

Detaylı

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir. TEMEL ELEKTRONİK Elektronik: Maddelerde bulunan atomların son yörüngelerinde dolaşan eksi yüklü elektronların hareketleriyle çeşitli işlemleri yapma bilimine elektronik adı verilir. KISA ATOM BİLGİSİ Maddenin

Detaylı

14. ÜNİTE GERİLİM DÜŞÜMÜ

14. ÜNİTE GERİLİM DÜŞÜMÜ 14. ÜNİTE GERİLİM DÜŞÜMÜ KONULAR 1. GERİLİM DÜŞÜMÜNÜN ANLAMI VE ÖNEMİ 2. ÇEŞİTLİ TESİSLERDE KABUL EDİLEBİLEN GERİLİM DÜŞÜMÜ SINIRLARI 3. TEK FAZLI ALTERNATİF AKIM (OMİK) DEVRELERİNDE YÜZDE (%) GERİLİM

Detaylı

Vakum Teknolojisi * Prof. Dr. Ergun GÜLTEKİN. İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi

Vakum Teknolojisi * Prof. Dr. Ergun GÜLTEKİN. İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi Vakum Teknolojisi * Prof. Dr. Ergun GÜLTEKİN İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi Giriş Bilimsel amaçla veya teknolojide gerekli alanlarda kullanılmak üzere, kapalı bir hacim içindeki gaz moleküllerinin

Detaylı

YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRO NIK Y Ü K. M Ü H.

YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRO NIK Y Ü K. M Ü H. EM 420 Yüksek Gerilim Tekniği EŞ MERKEZLİ KÜRESEL ELEKTROT SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRO NIK Y Ü K. M Ü H. Not: Tüm slaytlar, listelenen ders kaynaklarından alıntı yapılarak

Detaylı

Uluslararası Yavuz Tüneli

Uluslararası Yavuz Tüneli Uluslararası Yavuz Tüneli (International Yavuz Tunnel) Tünele rüzgar kaynaklı etkiyen aerodinamik kuvvetler ve bu kuvvetlerin oluşturduğu kesme kuvveti ve moment diyagramları (Aerodinamic Forces Acting

Detaylı

Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör. Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26

Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör. Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26 Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26 İndüksiyon Nötr Maddenin indüksiyon yoluyla yüklenmesi (Bir yük türünün diğer yük türüne göre daha fazla olması)

Detaylı

Elektrik Müh. Temelleri

Elektrik Müh. Temelleri Elektrik Müh. Temelleri ELK184 2 @ysevim61 https://www.facebook.com/groups/ktuemt/ 1 Akım, Gerilim, Direnç Anahtar Pil (Enerji kaynağı) V (Akımın yönü) R (Ampül) (e hareket yönü) Şekildeki devrede yük

Detaylı

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak.

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ AMAÇ: 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. 2. Bu eş potansiyel çizgileri kullanarak elektrik alan çizgilerinin

Detaylı

Ders 3- Direnç Devreleri I

Ders 3- Direnç Devreleri I Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel

Detaylı

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon

Detaylı

ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM

ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM 1. Giriş Malzemelerde üretim ve uygulama sırasında görülen katılaşma, çökelme, yeniden kristalleşme, tane büyümesi gibi olaylar ile kaynak, lehim, sementasyon gibi işlemler

Detaylı

FL 3 DENEY 4 MALZEMELERDE ELASTĐSĐTE VE KAYMA ELASTĐSĐTE MODÜLLERĐNĐN EĞME VE BURULMA TESTLERĐ ĐLE BELĐRLENMESĐ 1. AMAÇ

FL 3 DENEY 4 MALZEMELERDE ELASTĐSĐTE VE KAYMA ELASTĐSĐTE MODÜLLERĐNĐN EĞME VE BURULMA TESTLERĐ ĐLE BELĐRLENMESĐ 1. AMAÇ Malzemelerde Elastisite ve Kayma Elastisite Modüllerinin Eğme ve Burulma Testleri ile Belirlenmesi 1/5 DENEY 4 MAZEMEERDE EASTĐSĐTE VE KAYMA EASTĐSĐTE MODÜERĐNĐN EĞME VE BURUMA TESTERĐ ĐE BEĐRENMESĐ 1.

Detaylı

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak X-IŞINI TÜPÜ X-IŞINI TÜPÜ PARÇALARI 1. Metal korunak (hausing) 2. Havası alınmış cam veya metal tüp 3. Katot 4. Anot X-ışın

Detaylı

Malzemeler elektrik yükünü iletebilme yeteneklerine göre 3 e ayrılırlar. İletkenler Yarı-iletkenler Yalıtkanlar

Malzemeler elektrik yükünü iletebilme yeteneklerine göre 3 e ayrılırlar. İletkenler Yarı-iletkenler Yalıtkanlar Malzemeler elektrik yükünü iletebilme yeteneklerine göre 3 e ayrılırlar. İletkenler Yarı-iletkenler Yalıtkanlar : iletkenlik katsayısı (S/m) Malzemelerin iletkenlikleri sıcaklık ve frekansla değişir. >>

Detaylı

T.C. GAZİ ÜNİVERSİTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ISI LABORATUVARI ISI İLETİM KATSAYISININ TESPİTİ DENEY FÖYÜ

T.C. GAZİ ÜNİVERSİTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ISI LABORATUVARI ISI İLETİM KATSAYISININ TESPİTİ DENEY FÖYÜ T.C. GAZİ ÜNİVERSİTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ISI LABORATUVARI ISI İLETİM KATSAYISININ TESPİTİ DENEY FÖYÜ 1. Deneyin Amacı Yapılacak olan Isı İletim Katsayısının Tespiti deneyinin temel

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI DENEY FÖYÜ DENEY ADI FOTOVOLTAİK PANELLERİN ÇEŞİTLERİ VE ÖLÇÜMLERİ DERSİN ÖĞRETİM

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi

Detaylı

Enerji Band Diyagramları

Enerji Band Diyagramları Yarıiletkenler Yarıiletkenler Germanyumun kimyasal yapısı Silisyum kimyasal yapısı Yarıiletken Yapım Teknikleri n Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi p Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi Yarıiletkenlerde

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Şaban ULUS Şubat 2014 KAYSERİ

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 5: Fotovoltaik Hücre Karakteristikleri Fotovoltaik Hücrede Enerji Dönüşümü Fotovoltaik Hücre Parametreleri I-V İlişkisi Yük Çizgisi Kısa Devre Akımı Açık Devre Voltajı MPP (Maximum

Detaylı

V R. Devre 1 i normal pozisyonuna getirin. Şalter (yukarı) N konumuna alınmış olmalıdır. Böylece devrede herhangi bir hata bulunmayacaktır.

V R. Devre 1 i normal pozisyonuna getirin. Şalter (yukarı) N konumuna alınmış olmalıdır. Böylece devrede herhangi bir hata bulunmayacaktır. Ohm Kanunu Bir devreden geçen akımın şiddeti uygulanan gerilim ile doğru orantılı, devrenin elektrik direnci ile ters orantılıdır. Bunun matematiksel olarak ifadesi şöyledir: I V R Burada V = Gerilim (Birimi

Detaylı

BASMA DENEYİ MALZEME MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ. 1. Basma Deneyinin Amacı

BASMA DENEYİ MALZEME MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ. 1. Basma Deneyinin Amacı 1. Basma Deneyinin Amacı Mühendislik malzemelerinin çoğu, uygulanan gerilmeler altında biçimlerini kalıcı olarak değiştirirler, yani plastik şekil değişimine uğrarlar. Bu malzemelerin hangi koşullar altında

Detaylı

KBM0308 Kimya Mühendisliği Laboratuvarı I ISI İLETİMİ DENEYİ. Bursa Teknik Üniversitesi DBMMF Kimya Mühendisliği Bölümü 1

KBM0308 Kimya Mühendisliği Laboratuvarı I ISI İLETİMİ DENEYİ. Bursa Teknik Üniversitesi DBMMF Kimya Mühendisliği Bölümü 1 ISI İLETİMİ DENEYİ Bursa Teknik Üniversitesi DBMMF Kimya Mühendisliği Bölümü 1 1. Amaç Isı iletiminin temel ilkelerinin deney düzeneği üzerinde uygulanması, lineer ve radyal ısı iletimi ve katıların ısı

Detaylı

YÜKSEK GERİLİM TEKNİĞİ BÖLÜM 7 DİELEKTRİK KAYIPLARI VE

YÜKSEK GERİLİM TEKNİĞİ BÖLÜM 7 DİELEKTRİK KAYIPLARI VE EM 420 Yüksek Gerilim Tekniği YÜKSEK GERİLİM TEKNİĞİ BÖLÜM 7 DİELEKTRİK KAYIPLARI VE KAPASİTE ÖLÇME YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRO NIK Y Ü K. M Ü H. Not: Tüm slaytlar, listelenen

Detaylı

Buna göre, bir devrede yük akışı olabilmesi için, üreteç ve pil gibi aygıtlara ihtiyaç vardır.

Buna göre, bir devrede yük akışı olabilmesi için, üreteç ve pil gibi aygıtlara ihtiyaç vardır. ELEKTRİK AKIMI ve LAMBALAR ELEKTRİK AKIMI Potansiyelleri farklı olan iki iletken cisim birbirlerine dokundurulduğunda potansiyelleri eşit oluncaya kadar birinden diğerine elektrik yükü akışı olur. Potansiyeller

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

BÖLÜM 1: TEMEL KAVRAMLAR

BÖLÜM 1: TEMEL KAVRAMLAR BÖLÜM 1: TEMEL KAVRAMLAR Hal Değişkenleri Arasındaki Denklemler Aralarında sıfıra eşitlenebilen en az bir veya daha fazla denklem kurulabilen değişkenler birbirine bağımlıdır. Bu denklemlerden bilinen

Detaylı

BÖLÜM III METAL KAPLAMACILIĞINDA KULLANILAN ÖRNEK PROBLEM ÇÖZÜMLERİ

BÖLÜM III METAL KAPLAMACILIĞINDA KULLANILAN ÖRNEK PROBLEM ÇÖZÜMLERİ BÖLÜM III METAL KAPLAMACILIĞINDA KULLANILAN ÖRNEK PROBLEM ÇÖZÜMLERİ Faraday Kanunları Elektroliz olayı ile ilgili Michael Faraday iki kanun ortaya konulmuştur. Birinci Faraday kanunu, elektroliz sırasında

Detaylı

Şekil 1. Elektrolitik parlatma işleminin şematik gösterimi

Şekil 1. Elektrolitik parlatma işleminin şematik gösterimi ELEKTROLİTİK PARLATMA VE DAĞLAMA DENEYİN ADI: Elektrolitik Parlatma ve Dağlama DENEYİN AMACI: Elektrolit banyosu içinde bir metalde anodik çözünme yolu ile düzgün ve parlatılmış bir yüzey oluşturmak ve

Detaylı

BÖLÜM 3 DİFÜZYON (YAYINIM)

BÖLÜM 3 DİFÜZYON (YAYINIM) BÖLÜM 3 DİFÜZYON (YAYINIM) 1 Mürekkebin suda yayılması veya kolonyanın havada yayılması difüzyona örnektir. En hızlı difüzyon gazlarda görülür. Katılarda atom hareketleri daha yavaş olduğu için katılarda

Detaylı

7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ

7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ 7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ KONULAR 1. AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ 2. AKIM BİRİMİ, ASKATLARI VE KATLARI 3. GERİLİM BİRİMİ ASKATLARI VE KATLARI 4. DİRENÇ BİRİMİ VE KATLARI 7.1. AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ

Detaylı

ATMOSFERDEKİ YAĞIŞA GEÇERİLİR SURUHARI MİKTARININ HESAPLANMASI

ATMOSFERDEKİ YAĞIŞA GEÇERİLİR SURUHARI MİKTARININ HESAPLANMASI ATMOSFERDEKİ YAĞIŞA GEÇERİLİR SURUHARI MİKTARININ HESAPLANMASI SEMA TOPÇU* 1. GİRİŞ Dünya üzerindeki büyük su kütlelerinden meydana gelen buharlaşma ve canlıların terleme olayı atmosferdeki subuharının

Detaylı

DENEY 5 RC DEVRELERİ KONDANSATÖRÜN YÜKLENMESİ VE BOŞALMASI

DENEY 5 RC DEVRELERİ KONDANSATÖRÜN YÜKLENMESİ VE BOŞALMASI DENEY 5 R DEVRELERİ KONDANSATÖRÜN YÜKLENMESİ VE BOŞALMAS Amaç: Deneyin amacı yüklenmekte/boşalmakta olan bir kondansatörün ne kadar hızlı (veya ne kadar yavaş) dolmasının/boşalmasının hangi fiziksel büyüklüklere

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ISI TRANSFERİ LABORATUARI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ISI TRANSFERİ LABORATUARI ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ISI TRANSFERİ LABORATUARI DENEY FÖYÜ DENEY ADI ZORLANMIŞ TAŞINIM DERSİN ÖĞRETİM ÜYESİ DENEYİ YAPTIRAN ÖĞRETİM ELEMANI DENEY

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR II DOĞRUSAL ISI İLETİMİ DENEYİ 1.Deneyin Adı: Doğrusal ısı iletimi deneyi..

Detaylı

6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ

6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ AMAÇLAR 6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ 1. Değeri bilinmeyen dirençleri voltmetreampermetre yöntemi ve Wheatstone Köprüsü yöntemi ile ölçmeyi öğrenmek 2. Hangi yöntemin hangi koşullar

Detaylı

Bu bölümde Coulomb yasasının bir sonucu olarak ortaya çıkan Gauss yasasının kullanılmasıyla simetrili yük dağılımlarının elektrik alanlarının çok

Bu bölümde Coulomb yasasının bir sonucu olarak ortaya çıkan Gauss yasasının kullanılmasıyla simetrili yük dağılımlarının elektrik alanlarının çok Gauss Yasası Bu bölümde Coulomb yasasının bir sonucu olarak ortaya çıkan Gauss yasasının kullanılmasıyla simetrili yük dağılımlarının elektrik alanlarının çok daha kullanışlı bir şekilde nasıl hesaplanabileceği

Detaylı

KANUNLAR : Bir iletkenin iki ucu arasındaki potansiyel farkının,iletkenden geçen akım şiddetine oranı sabittir.

KANUNLAR : Bir iletkenin iki ucu arasındaki potansiyel farkının,iletkenden geçen akım şiddetine oranı sabittir. KANUNLAR : Elektrik ve elektronikle ilgili konuları daha iyi anlayabilmek için, biraz hesap biraz da kanun bilgisine ihtiyaç vardır. Tabii bunlar o kadar zor hasaplar değil, yalnızca Aritmetik düzeyinde

Detaylı

ÇALIŞMA YAPRAĞI (KONU ANLATIMI)

ÇALIŞMA YAPRAĞI (KONU ANLATIMI) ÇALIŞMA YAPRAĞI (KONU ANLATIMI) ATOMUN YAPISI HAZIRLAYAN: ÇĐĞDEM ERDAL DERS: ÖĞRETĐM TEKNOLOJĐLERĐ VE MATERYAL GELĐŞTĐRME DERS SORUMLUSU: PROF.DR. ĐNCĐ MORGĐL ANKARA,2008 GĐRĐŞ Kimyayı ve bununla ilgili

Detaylı

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN 1. GĐRĐŞ Güneş enerjisinden elektrik enerjisi üretilmesi işlemi, çeşitli alanlarda uygulanmıştır. Fakat güneş enerjisinin depolanması

Detaylı

İTÜ Elektrik Elektronik Fakültesi MAL 201 Malzeme Bilimi Ders Notları. Difüzyon (Yayınım)

İTÜ Elektrik Elektronik Fakültesi MAL 201 Malzeme Bilimi Ders Notları. Difüzyon (Yayınım) İTÜ Elektrik Elektronik Fakültesi ers Notları ifüzyon (Yayınım) Callister, W.. Materials Science and Engineering kitabı için Wiley tarafından hazırlanan ders notlarından ve diğer kaynaklardan derlenmiştir

Detaylı

Kaplama dekoratif görünüşü çekici kılarlar 2

Kaplama dekoratif görünüşü çekici kılarlar 2 METALĠK KAPLAMALAR Uygulamada metalik kaplamalar yalnız korozyondan korunma amacı ile dahi yapılmış olsalar bile diğer önemli bazı amaçlara da hizmet ederler: Dekoratif görünüşü çekici kılarlar. 1 Kaplama

Detaylı

HAZIRLAYAN Mutlu ŞAHİN. Hacettepe Fen Bilgisi Öğretmenliği

HAZIRLAYAN Mutlu ŞAHİN. Hacettepe Fen Bilgisi Öğretmenliği HAZIRLAYAN Mutlu ŞAHİN Hacettepe Fen Bilgisi Öğretmenliği DENEY NO: 8 DENEYİN ADI: PİL VE AKÜ DENEYİN AMACI: PİL VE AKÜLERİN ÇALIŞMA SİSTEMİNİN VE KİMYASAL ENERJİNİN ELEKTRİK ENERJİSİNE DÖNÜŞÜMÜNÜN ANLAŞILMASI

Detaylı

AKM 205-BÖLÜM 2-UYGULAMA SORU VE ÇÖZÜMLERİ

AKM 205-BÖLÜM 2-UYGULAMA SORU VE ÇÖZÜMLERİ AKM 205-BÖLÜM 2-UYGULAMA SORU VE ÇÖZÜMLERİ 1 Bir otomobil lastiğinin basıncı, lastik içerisindeki havanın sıcaklığına bağlıdır Hava sıcaklığı 25 C iken etkin basınç 210 kpa dır Eğer lastiğin hacmi 0025

Detaylı

Elektrot Potansiyeli. (k) (k) (k) Tepkime vermez

Elektrot Potansiyeli. (k) (k) (k) Tepkime vermez Elektrot Potansiyeli Uzun metal parçası, M, elektrokimyasal çalışmalarda kullanıldığında elektrot adını alır. M n+ metal iyonları içeren bir çözeltiye daldırılan bir elektrot bir yarı-hücre oluşturur.

Detaylı

A) DENEY NO: HT B) DENEYİN ADI: Doğrusal Isı İletimi Deneyi

A) DENEY NO: HT B) DENEYİN ADI: Doğrusal Isı İletimi Deneyi 10 A) DENEY NO: HT-350-01 B) DENEYİN ADI: Doğrusal Isı İletimi Deneyi C) DENEYİN AMACI: Aynı boyutlarda ve aynı malzemeden yapılmış bir katı çubuk boyunca ısının doğrusal olarak nasıl iletildiğini göstermek,

Detaylı

3.KABARTILI DİRENÇ KAYNAĞI. 05.05.2015 Dr.Salim ASLANLAR 1

3.KABARTILI DİRENÇ KAYNAĞI. 05.05.2015 Dr.Salim ASLANLAR 1 3.KABARTILI DİRENÇ KAYNAĞI 05.05.2015 Dr.Salim ASLANLAR 1 KABARTILI DİRENÇ KAYNAĞI Kabartılı direnç kaynağı, seri imalat için ekonomik bir birleştirme yöntemidir. Uygulamadan yararlanılarak, çoğunlukla

Detaylı

Korozyon tanımını hatırlayalım

Korozyon tanımını hatırlayalım 8..20 Korozyonun kimyasal ve elektrokimyasal oluşum mekanizması Korozyon tanımını hatırlayalım Korozyon tepkimeleri, çoğu metallerin termodinamik kararsızlığı sonucu (Au, Pt, Ir ve Pd gibi soy metaller

Detaylı

T.C. BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MIM331 MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR DERSİ

T.C. BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MIM331 MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR DERSİ T.C. BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MIM331 MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR DERSİ 3 NOKTA EĞME DENEY FÖYÜ ÖĞRETİM ÜYESİ YRD.DOÇ.DR.ÖMER KADİR

Detaylı

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap) Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir

Detaylı

ÇANAKKALE-ÇAN LİNYİTİNİN KURUMA DAVRANIŞI

ÇANAKKALE-ÇAN LİNYİTİNİN KURUMA DAVRANIŞI ÇANAKKALE-ÇAN LİNYİTİNİN KURUMA DAVRANIŞI Duygu ÖZTAN a, Y. Mert SÖNMEZ a, Duygu UYSAL a, Özkan Murat DOĞAN a, Ufuk GÜNDÜZ ZAFER a, Mustafa ÖZDİNGİŞ b, Selahaddin ANAÇ b, Bekir Zühtü UYSAL a,* a Gazi Üniversitesi,

Detaylı

EVHRAC 3 YIL. Avantajları. Fonksiyonu. Modeller

EVHRAC 3 YIL. Avantajları. Fonksiyonu. Modeller EVHRAC Fonksiyonu Bilindiği gibi binalarda hava kalitesinin arttırılması için iç ortam havasının egzost edilmesi ve yerine taze hava verilmesi kaçınılmaz hale gelmiştir. Her ne kadar ısı geri kazanım cihazları

Detaylı