T. C. ATOM ENERJİSİ KOMİSYONU

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "T. C. ATOM ENERJİSİ KOMİSYONU"

Transkript

1 T. C. ATOM ENERJİSİ KOMİSYONU ANKARA NÜKLEER ARAŞTIRMA MERKEZİ Teknik Raporu : r\h ~.j../j

2 Al - Al-0 - Al İNCE FİLMLERİNDE TÜNEL OLAYI U.BÜĞET - O.SENCER*- D.TÜREK Mart, 1973 (*) Bu çalışma Osman SMCER'ln Fizik Yüksek Mühendislik Tezi olarak Ankara Üniversitesi Fen Fakültesine sunulmuştur.

3 ÖZET Al- A1? 0 - Al ince filmlerinde akım geçiş mekanizması incelenmiş; akımın alçak voltajlarda termiyonik çıkarma mekanizmasıyla, daha yüksek voltajlarda ise kuantum mekaniği tünel olayı ile geçtiği sonucuna varılmıştır. Tünel olayının olduğu bölgenin dikdörtgen şeklinde potansiyel engeli modeline dayanan teoriyle karşılaştırılmasından engel yüksekliği 1.2 ev olarak tayin edilmiştir. y SUMMARY The current mechanism in Al-AlpO -Al thin films have been investigated and found due to thermionic emission and due to quantum mechanical tunnel effect at low voltage and intermediate voltage ranges respectively. The potential barrier is being determined as 1.2 ev by the comparison of tunnel region and the theory based on the rectangular potential barrier model.

4 İÇİNDEKİLER 1. GÎRİŞ 2. KURAMSAL BİLGİLER 2.1. Özdeş elektrodlar halinde uıetal-y8lıtkan-metal yapısında tünel olayı 2.2. Denklem (10) üzerinde tartışma Denklem (10) a dikdörtgen potansiyel engelinin uygulanması ve alçak voltajlardaki (V - O) ifadesi Denklem (10) a dikdörtgen potansiyel engelinin uygulanması ve kısm«n yüksek voltajlardaki (intenmediate voltage range) V < 0 /e ) ifadesi 3. DENEYSEL YÖNTM 3.1. İnce film yapımında kullanılan genel metodlar Püskürtme (Sputtering) Buharlaştırma (Vacuum evaporation) Oksitlenen (Oxidation) 3.2. Al-Al 0 -Al ince filmlerinin yapılışı 3.3. Yalıtkan filmin ( A^20^ kalınlığının tayini 3*3«1» Sığa ölçülerinden tayin edilen kalınlık üzerinde tartışmı 3.4. Akım voltaj karakteristiklerinin ölçülmesi 4. SONUÇLAR VE TARTIŞMA 4.1. Giriş 4.2. Deney sonuçları 4.3» Deneyle teorinin karşılaştırılması 4.4. Tünel olayı ile açıklanmıyan kısmın incelenmesi 5. İHDELBIE 6. ŞEKİLLER 7. FAYDALANILAN YAYINLAR

5 l.g 1 R t A kalınlığında çok ince madde tabakalarına ince film Sentr. Yalnız bu sayıların ince film kalınlığını karakterize eden kesin bir sınır olmadığını işaret etmek gerekir; örneğin 2 A den A e kadar kalınlıkta tabakalarada"ince film" denilmektedir. İnce filmlerin yapılması için en çok kullanılan metodlar; Buharlaştırma (Vacuum Evaporation), püskürtme (Sputtering) ve oksitleme (oxidation) teknikleri olup 3.1 de kısaca anlatılacaktır flj İnce filmlerin en önemli uygulaması katı hal elektroniğindedir. Güneş pili (solar celi), elektronik beyin hafıza elemanları (memory elements), ince film dirençler, kondansatörler, diyodlar, transistörler gibi elektronik devre elemanları ince filmlerin tatbikatı olmuş hatta ince film yapılarının kombinasyonu ile mikrominyatür elektronik devreler (integre devre) meydana getirilmiştir. Tipik ince film elektronik devrelerde; bakır, gümüş, alüminyum, altın, krom, nikel, t8ntelyum elektrodların ve iletken filmlerin yapımında, silikon dioksit, silikon monoksit, tantalyum pentoksit, alüminyum oksit, çinko sülfür, siloxane polimerler sığalardaki dielektrik filmlerin yapımında, nikel-krom alaşımları, paslanmaz çelik, krom ve silikon monoksit karışımları, tantalyum nitrid direnç yapımında, silikon, kadmiyum sülfür, kadmiyum selenid yarı iletken filmlerin yapımında en çok kullanılan maddelerdir. İnce filmlerin elektriksel iletkenliği üzerinde yapılan araştırmalar beş ayrı akım geçiş mekanizmasının varlığını ortaya koymuştur f 2 "j. Bunlar : 1- İyonik akım 2- Uzay yükü ile sınırlı akım (Space charge limited current, SCLC )

6 Tünel akımı 4- Schottky çıkarması ve Poole-Frenkel olayı 5- Safsizlik iletimi Metal-yalıtkan-metal ince film yapısında yalıtkan filmin 10? A den ince olması halinde akım geçişinde hâkim mekanicmanm tünel olayı olduğu ileri sürülmüştür 3- Bu çalışmada yukarda bahsedilen yapı Al-Al p 0 -Al ince film sandeviç yapısı ile gerçeklenmiş ve akım geçiş mekanizması incelenerek tünel olayı doğrulanmıştır. 2» KURAMSAL BİLGİLER 2.1. Özdeş elektrodlar halinde metal-yalıtkan-metal yapısında tünel olayı» Metal-yalıtkan-metal yapısında denge şartları yalıtkanın iletkenlik bandının elektrodların Permi seviyesinin üstünde olmasını gerektirir. Böylece yalıtkan ile metal arasında elektron geçişini zorlaştıran "bir potansiyel engeli meydana gelir» Klâsik düşünceye göre "bir parçacığın kinetik enerjisi karşılaştığı potansiyel engelinden küçükse engeli aşması mümkün değildir. Kuantum mekaniği ise engel sonsuz yükseklikte olmadıkça "belli "bir olasılıkla geçme olanağının olduğunu ortaya koymuştur.- Bu olaya kuantum mekaniği tünel olayı denir. E enerjisinde bir elektronun As kalınlığında, V yük8ekiiğinde dikdörtgen şeklinde bir potansiyel engelini geçme ihtimali D (E ) s exp -^r- /*v*> «v i J ifadesiyle verilmektedir. Buradan görüldüğü gibi ince bir potansiyel engeli parçacığın geçme olasılığını arttırmaktadır,,

7 - 3 - Bir elektronun V(x) şeklinde bir potansiyel engelinden geçme olasılığı WKB yaklaşımı ile f D(E x ) - exp j "5 a, f v (x)-e dx ı \ şeklinde verilir [6] s L Xj ) J (2) Metal-yalıtkan-metal yapısında enerji band modeli şekil (l) de gösterilmiştir» l.eliktroddan, 2«Elektroda tünellenen elektron sayısı v N s v n(v ) D(E ) dv ı / x x x x J o E m 1 / n(v) D(E) de v (3) B / X X X dir. Burada E elektronların maksimum enerjisi, n(v ) dv ise v ile v dv hızları arasında birim XX X XX hacimdeki elektron sayısıdır, n(v) dv dv. dv = 2m 4 /H 3 f(e) dv dv dv...(4) şeklinde yazılabilir. f(e), 1. Elektroddaki elektronların enerji dağılımını gösteren Permi-Direc fonksiyonudur. Buradan : n(v ) = 2m 4 /h 3 / f f(e) dv dv x' ' J J y z = 4IT» W f f(b) de r (5) 1

8 - 4 - (5) ifadesinde integrant kutupsai kordinatlarda ifade edilmiştir. Yani v - v 2 + v 2, Er«mv 2 /2 (5),(3) de yerine konursa, = 4 m_ / D(E ) de f f(e) de...(6) 1 3 / x x f r o -^ olur. 2, Elektroddan 1. Elektroda tünellenen elektronların sayısı N?, benzer şekilde hesaplanır. Tünellerime olasılığının her iki yöndeki geçiş için aynı olduğu kabul edilip, ikinci elektroddaki elektronların enerji dağılımını belirten Permi-Dirac fonksiyonunun f(e>ev) olduğu gözönüne alınırsa engeli geçen net elektron sayısı Em N «N x -N 2 «/ D(E x ) de x I ±üi i [f(e)-f(e + ev) ^ jjder olduğu görülmektedir.denk Şekil (1) den V(x) = 1 + 0(x) lem (?.) de yerine konursa., f S 2 ^/2 1 D (E.) - exp \-^(2m) l/z j l"-n ^(x)-e x dx..(8) 8 1 «2 f X ' 2 (x) dx * # 1^2 A s bağıntısı herhangi sürekli 8 ı bir fonksiyon için geçerli olduğundan (8) denklemine uygulanırsa

9 - 5 - r 1 D( V= exp j -4 T A s (2m) 1 / 2 r r 0-E x i V l..( 9 ) olur. (9) r (7) de yerine konur ve gerekli ıaatamatiksel işlemler yapılırsa tünel akım yoğunluğu (Amp/cm^) J = J o [ JS exp(-a^l/2 )-(^+ev)exp [-A(^teV) l/2 ]j...(lo) olarak elde edilir ı 7 İ.? ı/? Burada j = e/2tth(as) A - 4TT <&s(2m) ' /h dır Denklem (10) üzerinde tartışma, Birinci elektroddan ikinci elektroda j ikinci elektroddan birinci elektroda ise, 1/2 $ exp(-aj? ' ) r j (% + ev) exp [-A(^ + e büyüklüğünde tünel akımı geçmektedir. Yapıya voltaj uygulanmadığı zaman, her iki elektrod aynı metalden yapılmışsa fermi seviyeleri aynı düzeyde olacağından ve tünellerime olasılığının heriki yöndeki geçiş için aynı olacağından heriki yöne aynı büyüklükte akım geçeöek dolayısıyla sistemde dinamik denge mevcut olacaktır. Uygulanan voltajla potansiyel engeli alçalacaktır. Fakat herhangi bir şekildeki potansiyel engeli için J& ya V nin etkisinin nasıl bir fonksiyonla olacağı bilinemiyeceğinden basit bir geometrik modele inmek gerekir.bu çalışmada dikdörtgen şeklinde potansiyel engeli modeli kabul edilecektir Denklem (10) a dökdörtgen potansiyel engelinin uygulanması ve alçak voltajlardaki (Vfv o) ifadesi : Şekil (2) den görüldüğü üzere # -= 0 As = s dir. Denklem (10) da yerlerine konur ve gerekli yaklaşımlar yapılırsa, J- L 3(2n^0) l/2 /28j (ea) 2 V exp i * * (2m ^ ) 1 / 2 j...(il) elde edilir i 7 i.

10 - 6 - Alçak voltajlarda tünel akımı voltajla lineer olarak değişmektedir. Başka bir deyişle eklem direnci omiktir Denklem (10) a dikdörtgen potansiyel engelinin uygulanması ve kısmen yüksek voltajlardaki (intertıediate voltage range; fv< 0 /e ) ifadesi: Şekil (3) den görüldüğü gibi (0 - ev) j _ ey/2 As = Denklem (10) da yerlerine konursa,1/2 1 Ğ m â o W o" ev/2) exp! ~ A(^o - ev / 2 > J - - (0 +ev/2) exp -A(# t ev/2) o o,h (12) elde edilir. 3. DENEYSEL YÖNTM 3.1. İnce film yapımında kullanılan genel metodlar ; Püskürtme (Sputtering) Madde, hedef olarak enerjik pozitif iyonlar tarafından bombardıman edilir. îyon kaynağı olarak iki elektrod arasında seyreltik gazın meydana getirdiği plazma kullanılır. Yüksek gerilim tatbikinde deşarj olan iyonlar katoda çarparak maddenin atomlarını çıkartır ve bu şekilde püskürtülmüş atomlar uygun bir yere yerleştirilmiş bir camın üzerinde birikerek filmi meydana getirir» Bu metodda genellikle argon gazı ve paralel plakalı elektrodlar kullanılmaktadır. Elektrodlar arasındaki mesafenin birkaç cm, basıncın 0,01 ile 0,1 Torr, uygulanan gerilimin 2 ile 5 kv arasında tutulması bu metod için uygun değerlerdir.

11 Buharlaştırma (Vacuum evaporation) Kaplanacak filmin maddesi erime sıcaklığı yüksek bir filamanın içine konur ve filmin birikeceği cam filamandan belli bir uzaklıkta yerleştirilir. Camın filamana dönük yüzeyine mümkün olduğu kadar yakın olacak şekilde istenilen geometrik biçimde film kaplanmasını sağlıyan maske-yerleştirilir. Sistemin havası boşaltılır.genellikle 10 Torr civarında vakum elde etmek mümkündür. Pile mandan yüksek akım geçirilerek ısınması sağlanır, maddenin ergime sıcaklığına erişildiğinde madde buharlaşır ve camın üzerini kaplar Oksitleme İletken veya yarı iletken filmler oksitlenerek üzerlerinde yalıtkan filmler teşekkül eder. Örneğin Ta 2 0 5, A , Si0 2 gibi. a) Anodik oksitleme j^8!. Metal film elektrolitik hücrenin anodu, paslanmaz çelik katodu olarak kullanılır.uygun bir elektrolit, hücrenin içine doldurulur, gerilim tatbikinde anoddan oksijen çıkar ve filmi oksitler. Filmde düşen voltaj oksit kalınlığının ölçüsüdür. Örneğin Al filmde düşen her volt 13.4 A kalınlığında oksit tabakası meydana geldiğini gösterir. b) Termal Oksitleme [9]. Film, bir fırında ısıtılır ve üzerinden nemi alınmış saf oksijen geçirilerek oksitlenir. Oksit kalınlığı oksitleme süresinin ve sıcaklığın fonksiyonudur. c) Havada Oksitleme Film oda sıcaklığında tozsuz ve nemsiz bir ortamda havada oksitlenebilir, örneğin Fisher ve Giaever [3] f ince Al 0 filmlerini bu şekilde yapmışlardır.yayınladıkları rapora göre 11 günlük sürede 45 ila 48 A arasında değişen Al.O^ filmleri elde etmişlerdir.

12 Al-Al ü-al ince filmlerinin yapılışı. Bir mikroskop camı önce deterjan, #LC HC1, NaOH banyolarında, sonra "Ultrosonic Cleaner 120 Sonatron" cihazında iyioe temimi^v>7r.-;c, Ve kurulu} muştur. Camın üzerine 2 mm genişliğinde ajuminyum film "buharlaştırma tekniği ile yapılmış ve kuru havada oda sıcaklığında 3 ila 16 gün arasında değişen sürelerde oksitlenmiye "bırakılmıştır. Böylece meydana gelen Al-Al 0 -- yapısının üzerine tekrar Al film buharlaştırılarak Al-Al 0 -Al sandviç yapısı elde edilmiştir. Alt ve üst elektrodlardan terminaller gümüş pastası kullanılarak alınmıştır. Yapım safhaları şekil 4-a, 4-b, 4-c, 4-d de gösterilmiştir Yalıtkan filmin (Al 0.) kalınlığının tayini meydana gelen yapıyı arasında dielektrik bulunan paralel plâkalı bir sığa gibi düşünüp yapının sığasının ölçülmesiyle yalıtkanın kalınlığının hesaplanması mümkündür. A(filmin alanı), C(filmin sığası) ölçülen nicelikler olup (Al 0 ün dielektrik katsayısı) 8 olarak verildiğine göre[3, 5], s (yalıtkanın kalınlığı) C= e A/4TTa bağıntısından hesaplanmıştır. Sığa ölçüleri "Marconi Inst, universal Bridge" cihazı ile 1 kes da alınmıştır Sığa ölçülerinden tayin edilen kalınlık üzerinde tartışma, Yapılan filmler içinde en büyük sığayı film 14-b vermiştir. A : 3.68 mm2, C :. 34 j*t, : 8 olduğundan filmin kalınlığı s -* 83 A hesaplanmıştır. Diğer filmler genellikle birkaç yüz pikofarad mertebesinde sığa değerleri verdiğinden hesaplanan s değerleri birkaç bin A mertebesiadedir. Bu değerlerin makûl olmadığı söylenebilir. Çünkü Bölüm 3-2 de belirtildiği gibi oksitleme süresi en fazla 1# gün olmuştur. Bir kaç bin A mertebesinde oksit kalınlığının 10 günde meydana gelmesi günde en az ICO A oksit büyümesini gerektirirki bu imkansızdır. Nitekim Fisher ve Giaever 'in belirttiğini göre günde yaklaşık olarak 4 A büyümektedir. 0 halde C : CA/4TTs bağıntısında bir düzeltme faktörü gerekmektedir. Böyle bir faktörün fiziksel izahı şu şekilde yapılabilir:

13 - 9 - Al O filminin çok ince olması alt elektrodla üst elektrottun çeşitli noktalarda kısa devre olma olanağını çoğaltmaktadır. Böylece arada dielektrik bulunan alan küçüldüğünden sığaya katkıda bulunan alan geometrik alandan deha küçük olan etkin alana dönüşmektedir Akım-voltaj karakteristeklerinin ölçülmesi, Akım voltaj ölçüleri için kullanılan sistemin blok şeması Şekil (5) de gösterilmiştir. a) Film vakum sisteminin içine yerleştirilmiş ve ölçülerin vakumda alanması sağlanmıştır. b) #0,05 veya 1 mv hatalı»»241 Reguloted High Voltage Supply" ile filme voltaj uygulanmış ve geçen akım İÖ 1-5 ampere kadar ölçebilen "Keithley 610 B Electrometer" ile ölçülmüştür. c) Filmden geçen akımın kararlı duruma geldiği değerlerin hassas olarak gözlenmesi için "Keithley 370 Recorder" kullanılmıştır. 4. SONUÇLAR VE TARTIŞMA Giriş. Al-Al 0 -Al ince filmlerinde tünel olayı üzerinde yapılan araştırmalarda rapor edilen akım voltaj karakteristikleri şekil (6) da gösterilmiştir. Bu grafikler Al-Al-0 -Al ince filmlerinde akım geçişinin tünel olayı ile olduğunu kanıtlamaktadır. Filmlerin kalınlığı sığa ölçülerinden hesaplanmış ve teorinin gerektirdiği kalınlıktan oldukça büyük çıktığı bildirilmiştir. Araştırmacıların Al-Al 0 -Al tünel eklemleri üzerinde yaptıkları incelemeler sonunda yapının tâyin ettikleri özellikleri aşağıdaki tabloda gösterilmiştir 10].

14 KALINLIK (A ) ENGEL YÜKSEKLİĞİ (ev) LİTERATÜR REPERANSI 5e 17, , ,5; 1, ,1; 2,3 0,78; 0,89 M 0,74 1,64; 2,4 Emtege ve Tantroporn [il] Polİ8ck ve Morris Fisher ve Giaevex Meyerhofer ve Ochs fl«rtman ve Chivian Miles ve Smith Tantroporn Hartman j_ 5j [ 3j [_ 4J fl2j [ij] [~14j [l5j Engel yüksekliğin sütununda bazı araştırmacıların farklı iki potansiyel engeli tayin ettikleri görülmektedir. Örneğin Pollack ve Morris, yapıya uygulanan voltajın polaritesinin değişimi ile j ve j gibi farklı büyüklükte tünel akımlarının geçtiğini gözlemişlerdir. Bu da potansiyel engelinin antisimetrik olduğunu göstermektedir. Böylece alt elektrodla yalıtkan arasında 1,5 ev, üst elektrodla yalıtkan arasında 1,85 ev lik trapezoidal potansiyel engeli tayin etmişlerdir Deney Sonuçları, Pilm 14-b, lc-c, 5-a şeklinde numaralandırılmış filtfuîsn akım-voltaj (J-V) karakteristikleri şekil (10, 11, 12) de gösterilmiştir Pilm 14-fc de 0,01 voltda geçen ekim 4,07 x 10 Amp/cm olup yaklaşık olarak ü,05 volta kadar lineer olarak artmakta daha sonra hızla yükselmektedir. 0,7 voltda geçen akım 4,07 x 10^ Amp/cm 2 d ir. 8? Pilm 10-c de 0,04 voltda geçen akım 1,75 x 10 Amp/cm olup «0,1 volta kadar lineer olarak artmakta daha sonr«

15 hiala yükselmektedir* 0? Ö voltda geçen akm 1 : 08 x İĞ Amp/ciii dir. -9 / 2 Film 5-a da 0,05 volta geçen akım 9,3 x 10 Amp/ cm olup -v/ 0,1 volta kadar lineer olarak artmakta daha sonra hızla yükselmektedir, 0,8 voltdan geçen akım 10' Amp/cnrdir Deneyle teorinin karşılaştırılması,. Deneysel akım voltaj eğrilerinin tünel kuramına uyup uymadığının saptanması için kuramın kısmen yüksek voltajlardaki (intermediate voltage range) ifadesi olan Denk. (12) nin kompüter analizi yapılmıştır o Program değerleri aşeğıda gösterilmiştir: s : 30, 35, 40, 90 (A ) 0 : 0.6, 0.7, (ev) değerleri verilmiş ve V 0.01 voltla 1.8 volt arasında değiştirilerek her voltaj değerine karşı gelen akım yoğunluğu J (Amp/cm^) değerleri hesaplanmıştır. s : 35 (A ), 0 Q : 1, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4 (ev) s : 40 (A 0 ), 0 Q : C.9 f 1, 1.1, 1.2 (ev) için kuramsal eğriler çizilmiş ve Pilm 14-b nin ak.ım-voltaj karakteristiği ile karşılaştırılmıştir. s:40, 0 :1.2 için çizilmiş eğriyle hu deneysel eğrinin yaklaşık olarak 0.8 voltdan sonra mükemmel uyuştuğu görülmüştür. Buradan Al-Al o 0 -Al ince filmlerinde akım geçişinin belli bir voltajdan" sonra tünel olayı ile açıklanabileceği sonucu çıkartılmıştır. Bundan başka tünel ekleminin s, 0 gibi parametreleri tayin edilmiştir. Film 14-b de yalıtkan filmin (Al 0 ) 40 A kalınlığında olduğu, metalyalıtkan arasında 1 2^eV yüksekliğinde diktörtgen şeklinde potansiyel engeli olduğu tünel kuramı ile deneyin uyuşmasından tayin edilmiştir. Yalnız film 14-b nin sığa

16 ölçüsünden hesap edilen kalınlığın 40 A olmayıp 83 A olduğu 3«2.1 de söylenmişti. Aynı bölümde s: A/4TTc formülünde A yerine geometrik alan kullanmanın doğru olmadığı, ondan farklı ve daha küçük olan etkin alan kullanmak gerektiği belirtilmişti. s c : A _ /4 TJ c gev s^ : A./4 TT c t et bağıntıları taraf tarafa oranlanırsa s A ^ : A elde edilir. Film 14-b için s. : 40 A, et s geo * t s :83 A olduğundan A : #48 A çıkar. Başka bir deyişle geometrik alanın #52 si sığaya katkıda bulunamıyan kısa devrelerden ibarettir îpünel olayı ile açıklanmıyan kısmın incelenmesi, yilm 14-b, 10-c, 5-a nın akım voltaj karakteristikleri alçak voltajlar bölgesinde (V < 0.1 volt) incelendiğinde akımın voltajla artışının oldukça az olduğu görülmektedir. Bu bölgede voltajın dominant olmaması sıcaklık parametresinin kontrol ettiği bir akım geçiş mekanizmasının mümkün olabileceğini ortaya koymaktadır. Bu termiyonik çıkarma mekanizmasıdır. (Schottky çıkarmasının i özel halidir. Engelin uygulanan voltajla alçalması ihmal edilirse Schottky çıkarması termiyonik çıkarmaya indirgenir ). Termiyonik çıkarmada akım «î : RT exp(-0 /kt) ifadesiyle verilir i Burada 0 0 ~ 2 o 2 R : Richard s on-dushmann sabite (120 Amp/cm k )

17 T : Mutlak sıcaklık (300 k) 0 : Metal-yalıtkan arasında potansiyel engeli yüksekliği (ev) j : Doyma akım yoğunluğu (Amp/cm ) k : Boltzman sabiti. 1 ft 9 Film 14-b de <).01 voltda ge en akım 4^07 x 10 Amp/cm dir. Voltaj uygulanmadığında ^10 10 Alp/cm 2 büyüklüğünde termiyonik çıkarma akımı geçeceği kabulü yapılıp yukardaki İfadeden 0 hesaplanırsa 0 '^ 1 ev bulunur, o Bölüm 4.2. de tünel teorisinden tayin edilen 1.2 ev ile karşılaştırıldığında mukayese edilebilir değerde olması bu görüşü kuvvetlendirmektedir. Böylece Al-Al 0 -Al ince filmlerinde akım geçişinin başlangıç voltajlarda termiyonik çıkarma mekanizmasıyla olduğu sonucuna varılmıştır. 5. İRDELEME Al-Al 0 -Al ince filmlerinde alçak voltajlarda akım geçişi termiyonik çıkarmayla olmaktadır. Uygulanan voltajın artmasıyla tünellerime olasılığının artması gerek termiyonik çıkarmanın, gerekse tünel olayının akıma ortak katkıda bulunduğu bir geçiş bölgesi doğurmaktadır. Nihayet elektrik alanının yeterince büyük değere ulaşması ile tünel olayı ön plâna geçmekte ve akım tamamen tünel olayına tabi olmaktadır. TEŞEKKÜR Bu çalışmanın kompüter programlarını yapan Fizik Yüksek Mühendisi Sayın Erol Barutçugil'e teşekkür ederiz.

18 $. ŞEKİLLER

19 Vakum seviyesi Permi seviyesi ft Permi seviyesi = V (x) İ l.elektx6d Yalıtkan 27ELektrod y Şekil 1. İki metal elektrod arasında yalıtkan filmde genel potansiyel engeli.

20 Şekil 2, İki metal elektrod arasında yalıtkan filmde dikdörtgen potansiyel engeli (V:o) Şekil 3. Yapıya kısmen yüksek voltaj uygulandığında dikdörtgen potansiyel engelindeki değişme.

21 Can Alt elektrod (Al film) Şekil 4-a Gümüş pastası Tel Şekil 4-b fmır>>nitiımnt Alüminyum oksit tabakası Şekil 4-e Şekil 4-b Üst elektrodlar (Al film) 6:Güç kaynağı V:Vakum sistemi NsNumune A: Ampermetre R:Recorder Şekil 5.

22 ' Meyerhofer ve Ochs 52 A 0 ıs o a 18' Pollflck.ve Morris 17,5A< H 3 x5' 15 Pollack ve Morris^ A 0 - / S JFisher ve? G^aever 8 V 3 * 0 Pollack ve -Morris 30A C * 10 x 1 10 Voltaj (volt) Çekil 6. A1 2 0 ince filmlerinde tünel karakteristiği gösteren deneysel eğriler.

23 j (Ampere/em S*35 A SxlS 1 Şekil 7. Denklem (12) nin Konrpüter Analizi.

24 - 20 -!5 8 j (Amper/om ) 4 -^ V (volt) S»35 A 0, 0^1,2 ev 1Ğ 9 _ ıs 1# 10 2 ŞekU 8«Denklen (12) n%n, kompüter analizi.

25 - fcl «- 1,5x1(5 Şekil 9. Tenklem (12) nin Kompüter analı»!.

26 lö 8 J S (Amper/em ) i V (volt) lö 9 - lö 1 * 5 "WWWM««>WMWP«p lö 2 x5" 7X10 1 Şekil la (X4-t) nln akx»-voltaj karakteristiği.

27 lö 6 2 â (Amper/cm ) -**V (volt) 10? ı5 8 2x1* ı5 J Şekil 11. Film 10-e nin akıa-voltaj karakteristiği.

28 J (Anp er/cm ) ^.V (volt) 8 L 2xl Şekil 12, Pilm 5-a nın akıa-voltaj karakteristiği.

29 FAYDALANILAN YAYINLAR R.A. COOMBE - the electrical properties and applications of thin films. Sir Isaac Pitman and sons Ltd D.R. LAMB Electrical conduction mechanisms in thin insulating films. Methuen and CO Ltd J.C. FISHER and I.GIAEVER-J.Appl.Phys. 32 (1961) » D.MEY'ERHüi'ER and S.A,OCHS-J Appl. Phys 34 (1963) S.R. POLLACK and C.E.MORRIS-J.Appl.Phys. 35 (1964) 15^ J.L. POWELL and B.CRASmANN-Quantum Mechanics. Addison Fasley Publishing Co. J.G. SIMMONS-J.Appl.Phys. 34 (1963) J.C. ANDERSON-The use of thin films in physical! investigation Acedemic Press London and Uewyork 1966» J.ANTÜLA-Thin Solid Films Vol.3 No.3 (1969) R.M.HILL-Thin Solid Films Vol.1 No.l (1967) P.E.EMTAGE and W.TANTRAPORN-Phys Rev.Lett.8 (1962) T.E.HARTMAN and CHIVIAN-Phys Rev. 134 (1964) A1094-A1101. J.L.MILES and P,H. SMITH~Aiu. Electrochem. Spring Meet ( 1963 ) Abst.No 3. W.TANTRAPORN-Solid State Electronics 7 (1964) T.E.HARTMAN-J.Appl.?hys. 35 (1964) U.BÜGET-Katı Hal Fiziği ders notları (1972).

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre

Detaylı

7. DİRENÇ SIĞA (RC) DEVRELERİ AMAÇ

7. DİRENÇ SIĞA (RC) DEVRELERİ AMAÇ 7. DİENÇ SIĞA (C) DEELEİ AMAÇ Seri bağlı direnç ve kondansatörden oluşan bir devrenin davranışını inceleyerek kondansatörün durulma ve yarı ömür zamanını bulmak. AAÇLA DC Güç kaynağı, kondansatör, direnç,

Detaylı

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net Yük Elektriksel yük maddelerin temel özelliklerinden biridir. Elektriksel yükün iki temel

Detaylı

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir.

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir. Bir fuel cell in teorik açık devre gerilimi: Formülüne göre 100 oc altinda yaklaşık 1.2 V dur. Fakat gerçekte bu değere hiçbir zaman ulaşılamaz. Şekil 3.1 de normal hava basıncında ve yaklaşık 70 oc da

Detaylı

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak

Detaylı

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları 1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

KOROZYON. Teorik Bilgi

KOROZYON. Teorik Bilgi KOROZYON Korozyon, metalik malzemelerin içinde bulundukları ortamla reaksiyona girmeleri sonucu, dışardan enerji vermeye gerek olmadan, doğal olarak meydan gelen olaydır. Metallerin büyük bir kısmı su

Detaylı

9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR

9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR 9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR 1. FORMÜLÜ 2. SABİT DİRENÇTE, AKIM VE GERİLİM ARASINDAKİ BAĞINTI 3. SABİT GERİLİMDE, AKIM VE DİRENÇ ARASINDAKİ BAĞINTI 4. OHM KANUNUYLA İLGİLİ ÖRNEK VE PROBLEMLER 9.1 FORMÜLÜ

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

BAZI KAYNAK PARAMETRELERİNİN SIÇRAMA KAYIPLARINA ETKİSİ

BAZI KAYNAK PARAMETRELERİNİN SIÇRAMA KAYIPLARINA ETKİSİ BAZI KAYNAK PARAMETRELERİNİN SIÇRAMA KAYIPLARINA ETKİSİ ÖZET CO 2 kaynağında tel çapının, gaz debisinin ve serbest tel boyunun sıçrama kayıpları üzerindeki etkisi incelenmiştir. MIG kaynağının 1948 de

Detaylı

BARTIN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ MALZEME LABORATUARI II DERSİ AKIMLI VE AKIMSIZ KAPLAMALAR DENEY FÖYÜ

BARTIN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ MALZEME LABORATUARI II DERSİ AKIMLI VE AKIMSIZ KAPLAMALAR DENEY FÖYÜ BARTIN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ METALURJİ VE MALZEME MÜHENDİSLİĞİ MALZEME LABORATUARI II DERSİ AKIMLI VE AKIMSIZ KAPLAMALAR DENEY FÖYÜ Gelişen teknoloji ile beraber birçok endüstri alanında kullanılabilecek

Detaylı

İstatistiksel Mekanik I

İstatistiksel Mekanik I MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

= σ ε = Elastiklik sınırı: Elastik şekil değişiminin görüldüğü en yüksek gerilme değerine denir.

= σ ε = Elastiklik sınırı: Elastik şekil değişiminin görüldüğü en yüksek gerilme değerine denir. ÇEKME DENEYİ Genel Bilgi Çekme deneyi, malzemelerin statik yük altındaki mekanik özelliklerini belirlemek ve malzemelerin özelliklerine göre sınıflandırılmasını sağlamak amacıyla uygulanan, mühendislik

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel

Detaylı

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER Dielektrik malzemeler; serbest elektron yoktur, yalıtkan malzemelerdir, uygulanan elektriksel alandan etkilenebilirler. 1 2 Dielektrik malzemeler Elektriksel alan

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

Uluslararası Yavuz Tüneli

Uluslararası Yavuz Tüneli Uluslararası Yavuz Tüneli (International Yavuz Tunnel) Tünele rüzgar kaynaklı etkiyen aerodinamik kuvvetler ve bu kuvvetlerin oluşturduğu kesme kuvveti ve moment diyagramları (Aerodinamic Forces Acting

Detaylı

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir. TEMEL ELEKTRONİK Elektronik: Maddelerde bulunan atomların son yörüngelerinde dolaşan eksi yüklü elektronların hareketleriyle çeşitli işlemleri yapma bilimine elektronik adı verilir. KISA ATOM BİLGİSİ Maddenin

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Optik Sensörler Üzerine düşen ışığa bağlı olarak üstünden geçen akımı değiştiren elemanlara optik eleman denir. Optik transdüserler ışık miktarındaki değişmeleri elektriksel

Detaylı

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon

Detaylı

14. ÜNİTE GERİLİM DÜŞÜMÜ

14. ÜNİTE GERİLİM DÜŞÜMÜ 14. ÜNİTE GERİLİM DÜŞÜMÜ KONULAR 1. GERİLİM DÜŞÜMÜNÜN ANLAMI VE ÖNEMİ 2. ÇEŞİTLİ TESİSLERDE KABUL EDİLEBİLEN GERİLİM DÜŞÜMÜ SINIRLARI 3. TEK FAZLI ALTERNATİF AKIM (OMİK) DEVRELERİNDE YÜZDE (%) GERİLİM

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI DENEY FÖYÜ DENEY ADI FOTOVOLTAİK PANELLERİN ÇEŞİTLERİ VE ÖLÇÜMLERİ DERSİN ÖĞRETİM

Detaylı

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak X-IŞINI TÜPÜ X-IŞINI TÜPÜ PARÇALARI 1. Metal korunak (hausing) 2. Havası alınmış cam veya metal tüp 3. Katot 4. Anot X-ışın

Detaylı

Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör. Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26

Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör. Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26 Elektrostatik Elektrik Alan Elektrik Akı Kondansatör Kaynak : Serway-Beichner Bölüm 23, 24, 26 İndüksiyon Nötr Maddenin indüksiyon yoluyla yüklenmesi (Bir yük türünün diğer yük türüne göre daha fazla olması)

Detaylı

Ders 3- Direnç Devreleri I

Ders 3- Direnç Devreleri I Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel

Detaylı

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak.

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ AMAÇ: 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. 2. Bu eş potansiyel çizgileri kullanarak elektrik alan çizgilerinin

Detaylı

ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM

ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM 1. Giriş Malzemelerde üretim ve uygulama sırasında görülen katılaşma, çökelme, yeniden kristalleşme, tane büyümesi gibi olaylar ile kaynak, lehim, sementasyon gibi işlemler

Detaylı

Dahili Bobinlerin En İyi İçsel Sinyal/Gürültü Oranı Kullanılarak Değerlendirilmesi

Dahili Bobinlerin En İyi İçsel Sinyal/Gürültü Oranı Kullanılarak Değerlendirilmesi Dahili Bobinlerin En İyi İçsel Sinyal/Gürültü Oranı Kullanılarak Değerlendirilmesi Yiğitcan Eryaman 1, Haydar Çelik 1, Ayhan Altıntaş 1, Ergin Atalar 1,2 1 Bilkent Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği

Detaylı

6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ

6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ AMAÇLAR 6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ 1. Değeri bilinmeyen dirençleri voltmetreampermetre yöntemi ve Wheatstone Köprüsü yöntemi ile ölçmeyi öğrenmek 2. Hangi yöntemin hangi koşullar

Detaylı

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN 1. GĐRĐŞ Güneş enerjisinden elektrik enerjisi üretilmesi işlemi, çeşitli alanlarda uygulanmıştır. Fakat güneş enerjisinin depolanması

Detaylı

AKM 205-BÖLÜM 2-UYGULAMA SORU VE ÇÖZÜMLERİ

AKM 205-BÖLÜM 2-UYGULAMA SORU VE ÇÖZÜMLERİ AKM 205-BÖLÜM 2-UYGULAMA SORU VE ÇÖZÜMLERİ 1 Bir otomobil lastiğinin basıncı, lastik içerisindeki havanın sıcaklığına bağlıdır Hava sıcaklığı 25 C iken etkin basınç 210 kpa dır Eğer lastiğin hacmi 0025

Detaylı

Vakum Teknolojisi * Prof. Dr. Ergun GÜLTEKİN. İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi

Vakum Teknolojisi * Prof. Dr. Ergun GÜLTEKİN. İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi Vakum Teknolojisi * Prof. Dr. Ergun GÜLTEKİN İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi Giriş Bilimsel amaçla veya teknolojide gerekli alanlarda kullanılmak üzere, kapalı bir hacim içindeki gaz moleküllerinin

Detaylı

Kaplama dekoratif görünüşü çekici kılarlar 2

Kaplama dekoratif görünüşü çekici kılarlar 2 METALĠK KAPLAMALAR Uygulamada metalik kaplamalar yalnız korozyondan korunma amacı ile dahi yapılmış olsalar bile diğer önemli bazı amaçlara da hizmet ederler: Dekoratif görünüşü çekici kılarlar. 1 Kaplama

Detaylı

Bir PV Modül ve Panel in Elde Edilmesi

Bir PV Modül ve Panel in Elde Edilmesi Bir P Modül ve Panel in Elde Edilmesi Tipik olarak bir P hücre 5-30 cm lik kare bir alana sahip olup, yaklaşık W lık güç üretir. Yüksek güçler elde edebilmek için birçok P hücre seri ve paralel olarak

Detaylı

BÖLÜM 1: TEMEL KAVRAMLAR

BÖLÜM 1: TEMEL KAVRAMLAR BÖLÜM 1: TEMEL KAVRAMLAR Hal Değişkenleri Arasındaki Denklemler Aralarında sıfıra eşitlenebilen en az bir veya daha fazla denklem kurulabilen değişkenler birbirine bağımlıdır. Bu denklemlerden bilinen

Detaylı

ÇANAKKALE-ÇAN LİNYİTİNİN KURUMA DAVRANIŞI

ÇANAKKALE-ÇAN LİNYİTİNİN KURUMA DAVRANIŞI ÇANAKKALE-ÇAN LİNYİTİNİN KURUMA DAVRANIŞI Duygu ÖZTAN a, Y. Mert SÖNMEZ a, Duygu UYSAL a, Özkan Murat DOĞAN a, Ufuk GÜNDÜZ ZAFER a, Mustafa ÖZDİNGİŞ b, Selahaddin ANAÇ b, Bekir Zühtü UYSAL a,* a Gazi Üniversitesi,

Detaylı

1,3-BİS-(P-İMİNOBENZOİK ASİT) İNDAN LANGMUIR-BLODGETT (LB) FİLMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ

1,3-BİS-(P-İMİNOBENZOİK ASİT) İNDAN LANGMUIR-BLODGETT (LB) FİLMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ 1,3-BİS-(P-İMİNOBENZOİK ASİT) İNDAN LANGMUIR-BLODGETT (LB) FİLMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ Hüseyin SARI 1, Tayfun UZUNOĞLU, Onur TURHAN* Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği

Detaylı

DA DEVRE. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI

DA DEVRE. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI DA DEVRE Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI BÖLÜM 1 Temel Kavramlar Temel Konular Akım, Gerilim ve Yük Direnç Ohm Yasası, Güç ve Enerji Dirençsel Devreler Devre Çözümleme ve Kuramlar

Detaylı

MAK 210 SAYISAL ANALİZ

MAK 210 SAYISAL ANALİZ MAK 210 SAYISAL ANALİZ BÖLÜM 6- İSTATİSTİK VE REGRESYON ANALİZİ Doç. Dr. Ali Rıza YILDIZ 1 İSTATİSTİK VE REGRESYON ANALİZİ Bütün noktalardan geçen bir denklem bulmak yerine noktaları temsil eden, yani

Detaylı

ATMOSFERDEKİ YAĞIŞA GEÇERİLİR SURUHARI MİKTARININ HESAPLANMASI

ATMOSFERDEKİ YAĞIŞA GEÇERİLİR SURUHARI MİKTARININ HESAPLANMASI ATMOSFERDEKİ YAĞIŞA GEÇERİLİR SURUHARI MİKTARININ HESAPLANMASI SEMA TOPÇU* 1. GİRİŞ Dünya üzerindeki büyük su kütlelerinden meydana gelen buharlaşma ve canlıların terleme olayı atmosferdeki subuharının

Detaylı

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ Prof. Dr. Hasan EFEOĞLU Mühendislik Fakültesi E&E Mühendisliği Bölümü hefeoglu@atauni.edu.tr Forum, CeBIT 09-Eylül-2005, İstanbul Yarıiletken Teknolojisi Günlük hayatımızın

Detaylı

GAZBETONUN SU KARŞISINDAKİ DAVRANIŞI

GAZBETONUN SU KARŞISINDAKİ DAVRANIŞI GAZBETONUN SU KARŞISINDAKİ DAVRANIŞI SEMİHA KARTAL 1, ŞÜKRAN DİLMAÇ 2 ÖZET Gazbeton ülkemiz inşaat sektöründe önemli bir pazar payına sahiptir. Bu bildiride ülkemizde üretilen gazbetonların su karşısındaki

Detaylı

MIG-MAG GAZALTI KAYNAĞINDA KAYNAK PAMETRELERİ VE SEÇİMİ

MIG-MAG GAZALTI KAYNAĞINDA KAYNAK PAMETRELERİ VE SEÇİMİ MIG-MAG GAZALTI KAYNAĞINDA KAYNAK PAMETRELERİ VE SEÇİMİ Prof. Dr. Ramazan YILMAZ Sakarya Üniversitesi, Teknoloji Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü Esentepe Kampüsü, 54187, SAKARYA Kaynak

Detaylı

HAZIRLAYAN Mutlu ŞAHİN. Hacettepe Fen Bilgisi Öğretmenliği

HAZIRLAYAN Mutlu ŞAHİN. Hacettepe Fen Bilgisi Öğretmenliği HAZIRLAYAN Mutlu ŞAHİN Hacettepe Fen Bilgisi Öğretmenliği DENEY NO: 8 DENEYİN ADI: PİL VE AKÜ DENEYİN AMACI: PİL VE AKÜLERİN ÇALIŞMA SİSTEMİNİN VE KİMYASAL ENERJİNİN ELEKTRİK ENERJİSİNE DÖNÜŞÜMÜNÜN ANLAŞILMASI

Detaylı

EVHRAC 3 YIL. Avantajları. Fonksiyonu. Modeller

EVHRAC 3 YIL. Avantajları. Fonksiyonu. Modeller EVHRAC Fonksiyonu Bilindiği gibi binalarda hava kalitesinin arttırılması için iç ortam havasının egzost edilmesi ve yerine taze hava verilmesi kaçınılmaz hale gelmiştir. Her ne kadar ısı geri kazanım cihazları

Detaylı

T.C. BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MIM331 MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR DERSİ

T.C. BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MIM331 MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR DERSİ T.C. BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MIM331 MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METODLAR DERSİ 3 NOKTA EĞME DENEY FÖYÜ ÖĞRETİM ÜYESİ YRD.DOÇ.DR.ÖMER KADİR

Detaylı

İDEAL GAZ KARIŞIMLARI

İDEAL GAZ KARIŞIMLARI İdeal Gaz Karışımları İdeal gaz karışımları saf ideal gazlar gibi davranırlar. Saf gazlardan n 1, n 2,, n i, mol alınarak hazırlanan bir karışımın toplam basıncı p, toplam hacmi v ve sıcaklığı T olsun.

Detaylı

KANUNLAR : Bir iletkenin iki ucu arasındaki potansiyel farkının,iletkenden geçen akım şiddetine oranı sabittir.

KANUNLAR : Bir iletkenin iki ucu arasındaki potansiyel farkının,iletkenden geçen akım şiddetine oranı sabittir. KANUNLAR : Elektrik ve elektronikle ilgili konuları daha iyi anlayabilmek için, biraz hesap biraz da kanun bilgisine ihtiyaç vardır. Tabii bunlar o kadar zor hasaplar değil, yalnızca Aritmetik düzeyinde

Detaylı

Şekil 1. Elektrolitik parlatma işleminin şematik gösterimi

Şekil 1. Elektrolitik parlatma işleminin şematik gösterimi ELEKTROLİTİK PARLATMA VE DAĞLAMA DENEYİN ADI: Elektrolitik Parlatma ve Dağlama DENEYİN AMACI: Elektrolit banyosu içinde bir metalde anodik çözünme yolu ile düzgün ve parlatılmış bir yüzey oluşturmak ve

Detaylı

EK-B Gazlı Söndürme Sistemleri İçin Açıklayıcı Bilgiler

EK-B Gazlı Söndürme Sistemleri İçin Açıklayıcı Bilgiler EK-B Gazlı Söndürme Sistemleri İçin Açıklayıcı Bilgiler Tablo B.1 Söndürücü Gazların Karakteristikleri ¹ Söndürücü Gazlar HFC-227ea HFC-125 IG-01 IG-541 Özellikleri Kimyasal Formülü CF3CHFCF3 CF3CHF2 Ar

Detaylı

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap) Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

MAK-LAB009 DOĞAL VE ZORLANMIġ TAġINIM YOLUYLA ISI TRANSFERĠ DENEYĠ

MAK-LAB009 DOĞAL VE ZORLANMIġ TAġINIM YOLUYLA ISI TRANSFERĠ DENEYĠ MAK-LAB009 DOĞAL VE ZORLANMIġ TAġINIM YOLUYLA ISI TRANSFERĠ DENEYĠ 1. GĠRĠġ Endüstride kullanılan birçok ısı değiştiricisi ve benzeri cihazda ısı geçiş mekanizması olarak ısı iletimi ve taşınım beraberce

Detaylı

YENİ BİR İLETKEN POLİMER: POLİ(3,8 DİAMİNOBENZO[c]SİNNOLİN) ELEKTROKİMYASAL ÜRETİMİ VE ELEKTROKROMİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

YENİ BİR İLETKEN POLİMER: POLİ(3,8 DİAMİNOBENZO[c]SİNNOLİN) ELEKTROKİMYASAL ÜRETİMİ VE ELEKTROKROMİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ YENİ BİR İLETKEN POLİMER: POLİ(3,8 DİAMİNOBENZO[c]SİNNOLİN) ELEKTROKİMYASAL ÜRETİMİ VE ELEKTROKROMİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Eda AKGÜL a *, Ahmet Ferat ÜZDÜRMEZ b, Handan GÜLCE a, Ahmet GÜLCE a, Emine

Detaylı

formülü zamanı da içerdiği zaman alttaki gibi değişecektir.

formülü zamanı da içerdiği zaman alttaki gibi değişecektir. Günümüz endüstrisinde en yaygın kullanılan Direnç Kaynak Yöntemi en eski elektrik kaynak yöntemlerinden biridir. Yöntem elektrik akımının kaynak edilecek parçalar üzerinden geçmesidir. Elektrik akımına

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR-II BORU ve DİRSEKLERDE ENERJİ KAYBI DENEYİ 1.Deneyin Adı: Boru ve dirseklerde

Detaylı

ÖLÇÜ TRANSFORMATÖRLERİ

ÖLÇÜ TRANSFORMATÖRLERİ 1 ÖLÇÜ TRANSFORMATÖRLERİ Normalde voltmetrelerle en fazla 1000V a kadar gerilimler ölçülebilir. Daha yüksek gerilimlerde; Voltmetrenin çekeceği güç artar. Yüksek gerilimden kaynaklanan kaçak akımların

Detaylı

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 402 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY 4

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 402 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY 4 BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 0 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY İÇİNDE SABİT SICAKLIKTA SİLİNDİRİK ISITICI BULUNAN DİKDÖRTGEN PRİZMATİK SAC KUTU YÜZEYLERİNDEN ZORLANMIŞ TAŞINIM

Detaylı

VİSKOZİTE SIVILARIN VİSKOZİTESİ

VİSKOZİTE SIVILARIN VİSKOZİTESİ VİSKOZİTE Katı, sıvı veya gaz halinde bütün cisimler, kitlelerinin bir bölümünün birbirine göre şekil ya da göreceli yer değiştirmelerine karşı bir mukavemet arz ederler. Bu mukavemet değişik türlerde

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR II DOĞRUSAL ISI İLETİMİ DENEYİ 1.Deneyin Adı: Doğrusal ısı iletimi deneyi..

Detaylı

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır.

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. BÖLÜM 2 KONDANSATÖRLER Önbilgiler: Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. Yapısı: Kondansatör şekil 1.6' da görüldüğü gibi, iki iletken plaka arasına yalıtkan bir maddenin

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

Kaynak İşleminde Isı Oluşumu

Kaynak İşleminde Isı Oluşumu Kaynak İşleminde Isı Oluşumu Kaynak tekniklerinin pek çoğunda birleştirme işlemi, oluşturulan kaynak ısısı sayesinde gerçekleştirilir. Kaynak ısısı, hem birleştirilecek parçaların yüzeylerinin hem de ilave

Detaylı

Kobra 3 ile Ohm Yasası

Kobra 3 ile Ohm Yasası Kobra 3 ile Ohm Yasası LEP İlgili konular Ohm yasası, Özdirenz, Kontakt Direnç, İletkenlik, Güç ve İş Prensip Voltaj ile akım arasındaki ilişki farklı rezistörler için ölçülür. Direnç akımla ilglili olan

Detaylı

Elektromanyetik Alan Kaynakları (1)

Elektromanyetik Alan Kaynakları (1) (4) Elektrostatik Giriş Elektrostatik zamana bağlı olarak değişen elektrik alanlar için temel oluşturur. Pek çok elektronik cihazın çalışması elektrostatik üzerine kuruludur. Bunlara örnek olarak osiloskop,

Detaylı

8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği

8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Transdüser ve Sensör Kavramı Fiziksel ortam değişikliklerini (ısı, ışık, basınç, ses, vb.) algılayan elemanlara sensör, algıladığı bilgiyi elektrik enerjisine çeviren elemanlara

Detaylı

Akımsız Nikel. Çözeltideki tuzları kullanarak herhangi bir elektrik akım kaynağı kullanılmadan nikel alaşımı kaplayabilen bir prosestir"

Akımsız Nikel. Çözeltideki tuzları kullanarak herhangi bir elektrik akım kaynağı kullanılmadan nikel alaşımı kaplayabilen bir prosestir Akımsız Nikel Eğitimi Akımsız Nikel Çözeltideki tuzları kullanarak herhangi bir elektrik akım kaynağı kullanılmadan nikel alaşımı kaplayabilen bir prosestir" Akımsız Nikel Anahtar Özellikler Brenner &

Detaylı

3.KABARTILI DİRENÇ KAYNAĞI. 05.05.2015 Dr.Salim ASLANLAR 1

3.KABARTILI DİRENÇ KAYNAĞI. 05.05.2015 Dr.Salim ASLANLAR 1 3.KABARTILI DİRENÇ KAYNAĞI 05.05.2015 Dr.Salim ASLANLAR 1 KABARTILI DİRENÇ KAYNAĞI Kabartılı direnç kaynağı, seri imalat için ekonomik bir birleştirme yöntemidir. Uygulamadan yararlanılarak, çoğunlukla

Detaylı

KAYMALI YATAKLAR II: Radyal Kaymalı Yataklar

KAYMALI YATAKLAR II: Radyal Kaymalı Yataklar KAYMALI YATAKLAR II: Radyal Prof. Dr. İrfan KAYMAZ Mühendislik Fakültesi Makine Mühendisliği Bölümü Giriş Bu bölüm sonunda öğreneceğiniz konular: Radyal yataklama türleri Sommerfield Sayısı Sonsuz Genişlikte

Detaylı

SEYİT AHMET İNAN, İZZET KARA*, ARİF KOYUN**

SEYİT AHMET İNAN, İZZET KARA*, ARİF KOYUN** PELTİER TERMOELEKTRİK SOĞUTUCU KULLANILARAK KATI CİSİMLERİN ISI İLETİM KATSAYISININ ÖLÇÜLMESİNE YÖNELİK CİHAZ TASARIMI, YAPILMASI VE ENDÜSTRİYEL UYGULAMASI SEYİT AHMET İNAN, İZZET KARA*, ARİF KOYUN** Süleyman

Detaylı

ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ KİMYA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ORGANİK KİMYA LABORATUVARI DENEY 8 : YÜZEY GERİLİMİNİN BELİRLENMESİ

ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ KİMYA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ORGANİK KİMYA LABORATUVARI DENEY 8 : YÜZEY GERİLİMİNİN BELİRLENMESİ ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ KİMYA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ORGANİK KİMYA LABORATUVARI DENEY 8 : YÜZEY GERİLİMİNİN BELİRLENMESİ DENEYİN AMACI Gazlarda söz konusu olmayan yüzey gerilimi sıvı

Detaylı

Prof.Dr.Muzaffer ZEREN SU ATOMİZASYONU

Prof.Dr.Muzaffer ZEREN SU ATOMİZASYONU . Prof.Dr.Muzaffer ZEREN SU ATOMİZASYONU Su atomizasyonu, yaklaşık 1600 C nin altında ergiyen metallerden elementel ve alaşım tozlarının üretimi için en yaygın kullanılan tekniktir. Su atomizasyonu geometrisi

Detaylı

Elektrokimyasal İşleme

Elektrokimyasal İşleme Elektrokimyasal İşleme Prof. Dr. Akgün ALSARAN Bu notların bir kısmı Prof. Dr. Can COGUN un ders notlarından alınmıştır. Anot, katot ve elektrolit ile malzemeye şekil verme işlemidir. İlk olarak 19. yüzyılda

Detaylı

Yığma yapı elemanları ve bu elemanlardan temel taşıyıcı olan yığma duvarlar ve malzeme karakteristiklerinin araştırılması

Yığma yapı elemanları ve bu elemanlardan temel taşıyıcı olan yığma duvarlar ve malzeme karakteristiklerinin araştırılması Yığma yapı elemanları ve bu elemanlardan temel taşıyıcı olan yığma duvarlar ve malzeme karakteristiklerinin araştırılması Farklı sonlu eleman tipleri ve farklı modelleme teknikleri kullanılarak yığma duvarların

Detaylı

Kuantum Fiziğinin Gelişimi (Quantum Physics) 1900 den 1930 a

Kuantum Fiziğinin Gelişimi (Quantum Physics) 1900 den 1930 a Kuantum Fiziğinin Gelişimi (Quantum Physics) 1900 den 1930 a Kuantum Mekaniği Düşüncesinin Gelişimi Dalga Mekaniği Olarak da Adlandırılır Atom, Molekül ve Çekirdeği Açıklamada Oldukça Başarılıdır Kuantum

Detaylı

ÖLÇÜM VE /VEYA ANALİZ İLE İLGİLİ;

ÖLÇÜM VE /VEYA ANALİZ İLE İLGİLİ; NUMUNE ALMA T.C. Çevresel Etki Değerlendirmesi İzin ve Denetim lüğü EK LİSTE-1/5 SU, ATIK SU 1 ph Elektrokimyasal Metot TS 3263 ISO 10523 İletkenlik Elektriksel İletkenlik Tayini TS 9748 EN 27888 Çözünmüş

Detaylı

8.04 Kuantum Fiziği Ders XII

8.04 Kuantum Fiziği Ders XII Enerji ölçümünden sonra Sonucu E i olan enerji ölçümünden sonra parçacık enerji özdurumu u i de olacak ve daha sonraki ardışık tüm enerji ölçümleri E i enerjisini verecektir. Ölçüm yapılmadan önce enerji

Detaylı

BÖLÜM 4: MADDESEL NOKTANIN KİNETİĞİ: İMPULS ve MOMENTUM

BÖLÜM 4: MADDESEL NOKTANIN KİNETİĞİ: İMPULS ve MOMENTUM BÖLÜM 4: MADDESEL NOKTANIN KİNETİĞİ: İMPULS ve MOMENTUM 4.1. Giriş Bir önceki bölümde, hareket denklemi F = ma nın, maddesel noktanın yer değiştirmesine göre integrasyonu ile elde edilen iş ve enerji denklemlerini

Detaylı

ÇEVRE MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ 0010020036 KODLU TEMEL ĠġLEMLER-1 LABORATUVAR DERSĠ DENEY FÖYÜ

ÇEVRE MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ 0010020036 KODLU TEMEL ĠġLEMLER-1 LABORATUVAR DERSĠ DENEY FÖYÜ DENEY NO: 5 HAVAANDIRMA ÇEVRE MÜHENDĠSĠĞĠ BÖÜMÜ Çevre Mühendisi atmosfer şartlarında suda çözünmüş oksijen ile yakından ilgilidir. Çözünmüş oksijen (Ç.O) su içinde çözünmüş halde bulunan oksijen konsantrasyonu

Detaylı

V R. Devre 1 i normal pozisyonuna getirin. Şalter (yukarı) N konumuna alınmış olmalıdır. Böylece devrede herhangi bir hata bulunmayacaktır.

V R. Devre 1 i normal pozisyonuna getirin. Şalter (yukarı) N konumuna alınmış olmalıdır. Böylece devrede herhangi bir hata bulunmayacaktır. Ohm Kanunu Bir devreden geçen akımın şiddeti uygulanan gerilim ile doğru orantılı, devrenin elektrik direnci ile ters orantılıdır. Bunun matematiksel olarak ifadesi şöyledir: I V R Burada V = Gerilim (Birimi

Detaylı

NİKEL ESASLI REZİSTANS ELEMENTLERİ

NİKEL ESASLI REZİSTANS ELEMENTLERİ NİKEL ESASLI REZİSTANS ELEMENTLERİ Isıtıcı âletler (ocaklar, fırınlar, sobalar...) imalinde kullanılan rezistans tellerinin elektriksel nitelikleri ve ömürleri üzerinde yapılmış çalışma ve deney sonuçlarını

Detaylı

ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ *

ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ * ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ * Production and Optical Properties of Zinc Nitride (Zn 3 N 2 ) By Pulsed Filtered Cathodic

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

ALUMİNYUMUN YÜZEYİNDEKİ OKSİT TABAKASININ SÜLFÜRİK ASİT ANODIZING YÖNTEMİYLE GELİŞTİRİLMESİ*

ALUMİNYUMUN YÜZEYİNDEKİ OKSİT TABAKASININ SÜLFÜRİK ASİT ANODIZING YÖNTEMİYLE GELİŞTİRİLMESİ* ALUMİNYUMUN YÜZEYİNDEKİ OKSİT TABAKASININ SÜLFÜRİK ASİT ANODIZING YÖNTEMİYLE GELİŞTİRİLMESİ* The Development of Alumina Formed on Aluminium Using Sulphuric Acid Anodizing Technique Suzan KONUKLU Kimya

Detaylı

METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010

METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010 METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010 WEBSİTE www2.aku.edu.tr/~hitit Dersler İÇERİK Metalik Malzemelerin Genel Karakteristiklerİ Denge diyagramları Ergitme ve döküm Dökme demir ve çelikler

Detaylı

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO: DENEY GRUP NO:

Detaylı

Toprak Nemi Ölçme Metodları

Toprak Nemi Ölçme Metodları Toprak Nemi Ölçme Metodları Doğrudan Ölçme Metodu (Gravimetrik) Dolaylı Ölçme Metodları Toprağın Elektriksel Özelliklerini Kullanan Metodlar Radyasyon Tekniği (Nötron Proble) Toprak Tansiyonu (Tansiyometre)

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı