RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ"

Transkript

1 RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

2 RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama güç kavramını kullanarak gürültünün büyüklüğünü ifade ederiz. Bu integralde kullanılan T periyodu gürültü sinyalinin en düşük frekanslı parçasının periyodunun birkaç katı olacak şekilde alınır.

3 GÜRÜLTÜ SPEKTRUMU Herhangi bir sinyalin 10 khz frekansındaki değerini ölçmek için diğer bütün spektrumu filtreleyip 10 khz deki ortalama gücünü ölçmemiz gerekir

4 GÜRÜLTÜ SPEKTRUMU Gürültü sinyalinin her bir frekansta 1 Hz lik filtrelerden geçirilmiş halinin gücü ölçüldüğünde spektral güç dağılımı S x (f)elde edilmiş olur.

5 SPEKTRAL GÜÇ DAĞILIMI (SGD) S x (f)in altında kalan toplam alan x(t)nin ortalama gücüne eşittir. İki taraflı spektrada sol taraf sağ tarafın simetriğidir fakat güç eksenindeki değerler yarıya bölünmüştür. Sonuçta alttaki alan aynıdır. Çift taraflı Tek taraflı

6 DİRENÇ GÜRLÜTÜSÜ R1 değerine sahip bir direncin tek taraflı SGD si aşağıdaki gibidir. Denklemde k= J/KBoltzmann sabitidir, T mutlak sıcaklıktır.böylesi bir SGD dağılımı beyaz olarak anılır çünki beyaz ışık gibi bütün frekans değerlerinden eşit güç miktarında sinyali içinde barındırır. (a) Bu gürültü voltajının ortalama güç değeri nedir? (b) S v (f)nin birimi nedir? (c) 50Ωluk bir direncin oda sıcaklığında 1 Hz deki gürültü voltajını hesaplayın.

7 DİRENÇ GÜRLÜTÜSÜ (a) S v (f)in altındaki alan sonsuz olarak görünmektedir. Bu durum mümkün değildir çünki dirençteki gürültünün kaynağı ortamdaki sonlu ısıdır. Gerçekte S v (f)f> 1 THz frekanslarında azalmaya başlar ve toplam gürültü enerjisi sonlu hale gelir. Bu durumda direnç gürültüsü gerçekte beyaz değildir.

8 DİRENÇ GÜRLÜTÜSÜ (b) S v (f)in birimi (V /Hz)dir. Bu durumda SGD yi aşağıdaki gibi yazmak mümkündür V = 4kTR n Burada V n V n in 1 Hz bant genişliğindeki ortalama gücünü temsil etmektedir. Burada ortalama işlemi aynı gürültü farklı zamanlarda birkaç sefer ölçülerek alınır. Bunu belirtmek için üst çizgi kullanılır.

9 DİRENÇ GÜRLÜTÜSÜ (c) T=300 K de 50 Ωluk bir direnç için = 4kTR = V n = V n V Hz V n = 0.91 nv Hz

10 TRANSFER FONKSİYONU ETKİSİ SGD nin tanımlanmasındaki en büyük sebep deterministik sinyaller için frekans ekseninde kullanılan operasyonların rastgele sinyaller içinde kullanılmasını sağlamaktır. Çıkıştaki SGD girişteki SGD nin devrenin transfer fonksiyonunun mutlak değerinin karesiyle çarpılmasıdır. Karenin sebebi SGD vin V li olmasıdır.

11 CİHAZ GÜRÜLTÜSÜ Herhangi bir cihazın gürültüsü seri bağlanmış bir voltaj kaynağı yada paralel bağlanmış bir akım kaynağı olarak modellenebilir. Kaynağın kutuplarının yönü önemli değildir fakat bu kutupların hesaplamalar sırasında aynı olması önemlidir.

12 ÖRNEK Aşağıdaki şekilde görülen RLC devresinin çıkışındaki gürültü voltajının SGD sini çiziniz R 1 in gürültüsünü I n1 gürültü kaynağı olarak modellediğimizde V n /I n1 oranı RLC devresinin toplam empedansı olan Z T ye eşittir. Bu durumda f 0 da L 1 ve C 1 rezonansa girerek devreyi R1 den ibaret hale dönüştürür ve bu noktada gürültü 4kTR 1 e eşit olur. f 0 ın altındaki ve üstündeki frekanslarda devrenin empedansı düşer ve çıkıştaki gürültü voltajıda düşer

13 DEVRE GÜRÜLTÜSÜ Pasif ve resiprokal bir devrenin iki terminali arasından görünen empedansın reel kısmı Re{Z out }ise bu devrenin bu iki terminal arasından görünen termal SGD si 4kTRe{Z out } olur.

14 MOSFET de GÜRÜLTÜ Doyum bölgesinde çalışan bir MOS transistörün termal gürültüsü şekilde görülen akım kaynağı yada voltaj kaynağı şeklinde modellenebilir.

15 MOSFET de GÜRÜLTÜ Burada γuzun kanallı transistörlerde 0.67 den kısa kanallı transistörlerde ye kadar değişen bir katsayıdır. g m ise kısa kanal etkisi W görmezden gelindiğinde g = µ C V V dir m n ox L ( ) GS T

16 KAPI DİRENCİNİN GÜRÜLTÜSÜ Yüksek frekans devrelerinde kullanılan transistör tasarımlarında kapı uzunluğu fazla olduğundan kapı direncinin termal gürültüsü de görmezden gelinemeyecek kadar fazla olur. Fakat kapı direncinin gürültü modellemesi klasik direnç gürültüsüne göre farklı olduğundan ayrıca belirtilmesi gerekir.

17 KAPI DİRENCİNİN GÜRÜLTÜSÜ Şekil a daki gibi bir kapı için kapı direnci dir. Burada R kapı iletkeninin birim karesinin direncidir. Bu kapı direncinin SGD si RG 4kT dir. 3 İyi bir tasarımda

18 TİTREŞİM GÜRÜLTÜSÜ Titreşim gürültüsü kapı yalıtkanı ile yarıiletken yüzey arasında hapsolmuş yüklerin yol açtığı frekansın tersiyle orantılı SGD ye sahip bir gürültüdür. Titreşim gürültüsünün SGD si: Bu gürültü voltajı kapı terminaline seri bağlanır.

19 TİTREŞİM GÜRÜLTÜSÜ Şeklindeki titreşim gürültüsü voltajı şekilde görüldüğü gibi bir akım kaynağı şekline dönüştürülüp de bağlanabilir. Bu durumda akım kaynağının değeri aşağıdaki gibidir.

20 KÖŞE FREKANSI Köşe frekansı titreşim gürültüsünün değerinin termal gürültüye eşit olduğu frekans değeridir. Hesaplamada kapı direncinin gürültüsü görmezden gelinmiştir

21 BJT GÜRÜLTÜSÜ Bipolar transistörlerin base emitör ve kollektör terminallerinin iç dirençleri gürültü oluştururlar. Bunların haricinde bipolar transistörlerde shot gürültüsü denen bir gürültü vardır. Bu gürültü şekilde görülen iki akım kaynağı ile modellenir.

22 GİRİŞTE GÖSTERİLEN GÜRÜLTÜ Herhangi bir gürültülü devrenin içindeki gürültü kaynakları girişte gürültü voltajı ve gürültü akımı olarak iki kaynaklı bir şekilde gösterilebilir.

23 GİRİŞTE GÖSTERİLEN GÜRÜLTÜ Gürültü voltajını bulmak için iki devrenin de girişleri kısa devre yapılır ve çıkıştaki gürültü voltajları birbirine eşitlenir. Gürültü akımını bulmak için iki devrenin girişleri açık devre yapılır ve çıkıştaki gürültü voltajları eşitlenir.

24 GÜRÜLTÜ KATSAYISI Gürültü katsayısı bir devrede girişten çıkışa SNR (sinyal gürültü oranı) in ne kadar değiştiğini gösteren bir parametredir. Bu parametre sadece devrenin gürültüsüne bağlı değildir. Aynı zamanda önceki basamaktan gelen SNR değerinede bağlıdır. Örneğin giriş sinyalindeki gürültü değeri sıfır olsaydı NF sonsuz olurdu.

25 GÜRÜLTÜ KATSAYISI

26 NF GÜRÜLTÜ KATSAYISI = 1+ α V n A v 1. V Rs Yukarıda verilen gürültü katsayısı formülünün sağ tarafı aşağıdaki şekilde sadeleştirilebilir. A 0 = α n, out = Vn + A v V Rs = 4kTR s V A 4kTR 0 s

27 GÜRÜLTÜ KATSAYISI Gürültü katsayısını hesaplamanın iki yöntemi vardır. 1. Toplam çıkış gürültüsünü devrenin voltaj kazancına böleriz ve çıkan sonucu kaynak gürültüsü olan R s in gürültüsüne göre normalize ederiz.. Yükselticinin kendi çıkış gürültüsünü hesaplarız bunu voltaj kazancına böleriz çıkan sonucuda R s in gürültüsüne göre normalize ederiz çıkan sonuca bir ekleriz. Vn 1 NF = 1+. α A V v Rs

28 ÖRNEK Şekildeki R p direncinin gürültü katsayısını hesaplayın.

29 ÖRNEK Şekilde görünen ortak source devresinin gürültü katsayısını R S kaynak direncine göre hesaplayınız. M 1 FET inin kapasitanslarını ve titreşim gürültüsünü görmezden geliniz ve I 1 akım kaynağının ideal olduğunu varsayınız.

30 ÇÖZÜM Gürültü kaynakları eklenince devre şekildeki hale döner. Devreyi analiz ettiğimizde gürültü katsayısı aşağıdaki gibi çıkar.

31 KASKAD BAĞLANTIDA NF Tek bir basamak için: Vn 1 NF = 1+. = 1+ α A V v Aşağıda görülen kaskad bağlantıya tek bir blok gibi bakarsak hesaplamamız gerekenler bloğun çıkış gürültü voltajı ve yansımaları da hesaba katan voltaj kazancıdır. Rs V A n 0 A 1. V Rs 0 = α A v

32 KASKAD BAĞLANTIDA NF Yansımaları hesaba katan voltaj kazancı: Unutulmaması gerekir ki 1. basamağın girişinde yansıma olduğu gibi 1. basamağın çıkışı ile. basamağın girişi arasında da yansıma olur ve bu yansıma sağ altta görülen devre kullanılarak hesaplanır.

33 KASKAD BAĞLANTIDA NF İki basamağın çıkışta oluşturduğu gürültü önce birinci basamağın çıkış gürültüsünün birinci ile ikinci arasındaki yansıma katsayısı ve ikinci basamğın voltaj kazanıcının her ikisinin kareleriyle çarpılması ve bu sonuca ikinci basamağın çıkış gürültüsünün eklenmesiyle bulunur. V n = V n + V n1 ( R + R ) in R in out1 A v

34 KASKAD BAĞLANTIDA NF Bulunan değerler NF formülüne yerleştirilince RS n t V A V NF + = ( ) 1 1 v out in in n n n A R R R V V V + + =

35 KASKAD BAĞLANTIDA NF Toplam NF değerini birinci ve ikinci basamakların NF değeri cinsinden aşağıdaki gibi ifade ederiz. NF t formülünün ikinci kısmının paydası kullanılabilir güç kazancı olarak bilinir ve tam uyumlu bir yüke verilen maksimum çıkış gücünün (P out,av ) tam uyumlu bir kaynaktan alınan maksimum giriş gücüne (P S,av ) oranıdır.

36 KASKAD BAĞLANTIDA NF O halde ikinci basamağın NF değeri birinci basamağın kullanılabilir güç kazancı oranında azalmış olur. Bu formülü çok basamaklı kaskad bağlantılar için aşağıdaki gibi genelleyebiliriz. Bu demek oluyor ki kaskad bağlantılarda sonradan gelen basmakların gürültüsü önemsiz hale geliyor ve gürültüsü en önemli olan basamak ilk basamak oluyor. Hatırlanacağı gibi eğrisellikte durum tam tersidir.

37 ÖRNEK Şekildeki gibi kaskad bağlanmış ortak source devresinin gürültü katsayısını hesaplayınız. FET kapasitanslarını ve titreşim gürültülerini görmezden geliniz.

38 ÇÖZÜM Öncelikle NF

39 ÖRNEK Şekilde görülen devrenin gürültü katsayısını hesaplayınız. FET kapasitanslarını titreşim gürültüsünü, kısa kanal etkilerini, ve body etkisini görmezden geliniz.

40 ÇÖZÜM Kısa kanal etkisini görmezden gelirsek r 0 sonsuz olur.

RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA)

RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA) RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA) GÜRÜLTÜ KATSAYISI LNA nın gürültü katsayısı alıcının gürültüsüne direkt olarak eklendiğinden düşük olması elzemdir. Takip eden basamakların gürültü katsayıları

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK TEMEL BİLGİLER

RF MİKROELEKTRONİK TEMEL BİLGİLER RF MİKROELEKTRONİK TEMEL BİLGİLER BİRİMLER terminalli bir devre için desibel cinsinden voltaj kazancı: V o A = V 0log db Vi GİRİŞ Güç kazancı: P o A = P 10log db Pi ÇIKIŞ BİRİMLER Girişteki kaynak direnci

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER) EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre

Detaylı

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Deneyin Amacı DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Seri ve paralel RLC devrelerinde rezonans durumunun gözlenmesi, rezonans eğrisinin elde edilmesi ve devrenin karakteristik parametrelerinin ölçülmesi

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

ANALOG HABERLEŞME (GM)

ANALOG HABERLEŞME (GM) ANALOG HABERLEŞME (GM) Taşıyıcı sinyalin sinüsoidal olduğu haberleşme sistemidir. Sinüs işareti formül olarak; V. sin(2 F ) ya da i I. sin(2 F ) dır. Formülde; - Zamana bağlı değişen ani gerilim (Volt)

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100

Detaylı

SAYISAL İŞARET İŞLEME LABORATUARI LAB 5: SONSUZ DÜRTÜ YANITLI (IIR) FİLTRELER

SAYISAL İŞARET İŞLEME LABORATUARI LAB 5: SONSUZ DÜRTÜ YANITLI (IIR) FİLTRELER SAYISAL İŞARET İŞLEME LABORATUARI LAB 5: SONSUZ DÜRTÜ YANITLI (IIR) FİLTRELER Bu bölümde aşağıdaki başlıklar ele alınacaktır. Sonsuz dürtü yanıtlı filtre yapıları: Direkt Şekil-1, Direkt Şekil-II, Kaskad

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

Alternatif Akım Devre Analizi

Alternatif Akım Devre Analizi Alternatif Akım Devre Analizi Öğr.Gör. Emre ÖZER Alternatif Akımın Tanımı Zamaniçerisindeyönüveşiddeti belli bir düzen içerisinde (periyodik) değişen akıma alternatif akımdenir. En bilinen alternatif akım

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral

Detaylı

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ A. DENEYİN AMACI : Seri ve paralel RC devrelerinin ac analizini yapmak. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Sinyal Üreteci, 2. Osiloskop, 3. Değişik değerlerde direnç ve kondansatörler. C. DENEY İLE

Detaylı

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ. DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ. DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ 1) İdeal Sönümleme Elemanı : a) Öteleme Sönümleyici : Mekanik Elemanların Matematiksel Modeli Basit mekanik elemanlar, öteleme hareketinde;

Detaylı

BÖLÜM 4 RADYO ALICILARI. 4.1 Süperheterodin Alıcı ANALOG HABERLEŞME

BÖLÜM 4 RADYO ALICILARI. 4.1 Süperheterodin Alıcı ANALOG HABERLEŞME BÖLÜM 4 RADYO ALIILARI 4. Süperheterodin Alıcı Radyo alıcıları ortamdaki elektromanyetik sinyali alır kuvvetlendirir ve hoparlöre iletir. Radyo alıcılarında iki özellik bulunur, bunlar ) Duyarlılık ) Seçicilik

Detaylı

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS A. DENEYİN AMACI : Seri RLC devresinin AC analizini yapmak ve bu devrede rezonans durumunu incelemek. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. AC güç kaynağı, 2. Sinyal üreteci, 3. Değişik değerlerde dirençler

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt. ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik AC ve DC Empedans RMS değeri Bobin ve kondansatörün

Detaylı

3.5. Devre Parametreleri

3.5. Devre Parametreleri 3..3 3.5. Devre Parametreleri 3.5. Devre Parametreleri Mikrodalga mühendisliğinde doğrusal mikrodalga devrelerini karakterize etmek için dört tip devre parametreleri kullanılır: açılma parametreleri (parametreleri)

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

Zıplayan Tanecikler Faz geçişleri ve kararsızlık için modelleme

Zıplayan Tanecikler Faz geçişleri ve kararsızlık için modelleme Tajik (Tajikistan) Q2-1 Zıplayan Tanecikler Faz geçişleri ve kararsızlık için modelleme Lütfen bu probleme başlamadan önce ayrı zarftaki genel talimatları okuyunuz Giriş Faz geçişleri günlük hayatta iyi

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : YAPILIŞ TARİHİ: GRUP ÜYELERİ : 1. 2. 3. DERSİN SORUMLU ÖĞRETİM ÜYESİ: Yrd. Doç.

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz. Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

Şekil Sönümün Tesiri

Şekil Sönümün Tesiri LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin

Detaylı

Ders 3- Direnç Devreleri I

Ders 3- Direnç Devreleri I Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

LCR METRE KALİBRASYONU

LCR METRE KALİBRASYONU 599 LCR METRE KALİBRASYONU Yakup GÜLMEZ Gülay GÜLMEZ Mehmet ÇINAR ÖZET LCR metreler, genel olarak indüktans (L), kapasitans (C), direnç (R) gibi parametreleri çeşitli frekanslardaki alternatif akımda ölçen

Detaylı

Hatalar ve Bilgisayar Aritmetiği

Hatalar ve Bilgisayar Aritmetiği Hatalar ve Bilgisayar Aritmetiği Analitik yollardan çözemediğimiz birçok matematiksel problemi sayısal yöntemlerle bilgisayarlar aracılığı ile çözmeye çalışırız. Bu şekilde Sayısal yöntemler kullanarak

Detaylı

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER ALTERNATİF AKIM DEVRELERİ A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER Alternatif akım devrelerinde akımın geçişine karşı üç çeşit direnç (zorluk) gösterilir. Devre elamanları dediğimiz bu dirençler: () R omik

Detaylı

18.034 İleri Diferansiyel Denklemler

18.034 İleri Diferansiyel Denklemler MIT AçıkDersSistemi http://ocw.mit.edu 18.034 İleri Diferansiyel Denklemler 2009 Bahar Bu bilgilere atıfta bulunmak veya kullanım koşulları hakkında bilgi için http://ocw.mit.edu/terms web sitesini ziyaret

Detaylı

Yükseltici DA Kıyıcılar, Gerilim beslemeli invertörler / 12. Hafta

Yükseltici DA Kıyıcılar, Gerilim beslemeli invertörler / 12. Hafta E sınıfı DC kıyıcılar; E sınıfı DC kıyıcılar, çift yönlü (4 bölgeli) DC kıyıcılar olarak bilinmekte olup iki adet C veya iki adet D sınıfı DC kıyıcının birleşiminden oluşmuşlardır. Bu tür kıyıcılar, iki

Detaylı

21. ÜNİTE FREKANS-GÜÇ KATSAYISI VE DEVİR SAYISININ ÖLÇÜLMESİ

21. ÜNİTE FREKANS-GÜÇ KATSAYISI VE DEVİR SAYISININ ÖLÇÜLMESİ 21. ÜNİTE FREKANS-GÜÇ KATSAYISI VE DEVİR SAYISININ ÖLÇÜLMESİ KONULAR 1. Frekansın Ölçülmesi 2. Güç Katsayısının Ölçülmesi 3. Devir Sayının Ölçülmesi 21.1.Frekansın Ölçülmesi 21.1.1. Frekansın Tanımı Frekans,

Detaylı

Bölüm 9 KÖK-YER EĞRİLERİ YÖNTEMİ

Bölüm 9 KÖK-YER EĞRİLERİ YÖNTEMİ Bölüm 9 KÖK-YER EĞRİLERİ YÖNTEMİ Kapalı-döngü denetim sisteminin geçici-durum davranışının temel özellikleri kapalı-döngü kutuplarından belirlenir. Dolayısıyla problemlerin çözümlenmesinde, kapalı-döngü

Detaylı

bölüm POWER AMPLIFIERS

bölüm POWER AMPLIFIERS bölüm POWER AMPLIFIERS T H E S O U N D R E I N F O R C E M E N T H A N D B O O K Power amplifiers 1990 (second editions) by YAMAHA corporation of America and Gary Dacis & Associates Hal Leonard Publishing

Detaylı

Asenkron Makineler (2/3)

Asenkron Makineler (2/3) Asenkron Makineler (2/3) 1) Asenkron motorun çalışma prensibi Yanıt 1: (8. Hafta web sayfası ilk animasyonu dikkatle inceleyiniz) Statora 120 derecelik aralıklarla konuşlandırılmış 3 faz sargılarına, 3

Detaylı

Gürültü Perdeleri (Bariyerleri) Prof.Dr.Mustafa KARAŞAHİN

Gürültü Perdeleri (Bariyerleri) Prof.Dr.Mustafa KARAŞAHİN Gürültü Perdeleri (Bariyerleri) Prof.Dr.Mustafa KARAŞAHİN Gürültü nedir? Basit olarak, istenmeyen veya zarar veren ses db Skalası Ağrı eşiği 30 mt uzaklıktaki karayolu Gece mesken alanları 300 mt yükseklikte

Detaylı

ÜÇ-FAZ SENKRON JENERATÖRÜN AÇIK DEVRE VE KISA DEVRE KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 324-04

ÜÇ-FAZ SENKRON JENERATÖRÜN AÇIK DEVRE VE KISA DEVRE KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 324-04 ĐNÖNÜ ÜNĐERSĐTESĐ MÜHENDĐSĐK FAKÜTESĐ EEKTRĐK-EEKTRONĐK MÜH. BÖ. ÜÇ-FAZ SENKRON JENERATÖRÜN AÇIK DERE E KISA DERE KARAKTERİSTİKERİ DENEY 4-04. AMAÇ: Senkron jeneratör olarak çalışan üç faz senkron makinanın

Detaylı

ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5

ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 İletim Hatları İLETİM HATLARI İletim hatlarının tarihsel gelişimi iki iletkenli basit hatlarla (ilk telefon hatlarında olduğu gibi) başlamıştır. Mikrodalga enerjisinin

Detaylı

Endüstriyel Sensörler ve Uygulama Alanları Kalite kontrol amaçlı ölçme sistemleri, üretim ve montaj hatlarında imalat sürecinin en önemli aşamalarındandır. Günümüz teknolojisi mükemmelliği ve üretimdeki

Detaylı

DENEY 3. Tek Yan Bant Modülasyonu

DENEY 3. Tek Yan Bant Modülasyonu DENEY 3 Tek Yan Bant Modülasyonu Tek Yan Bant (TYB) Modülasyonu En basit genlik modülasyonu, geniş taşıyıcılı çift yan bant genlik modülasyonudur. Her iki yan bant da bilgiyi içerdiğinden, tek yan bandı

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

Deney 32 de osiloskop AC ve DC gerilimleri ölçmek için kullanıldı. Osiloskop ayni zamanda dolaylı olarak frekansı ölçmek içinde kullanılabilir.

Deney 32 de osiloskop AC ve DC gerilimleri ölçmek için kullanıldı. Osiloskop ayni zamanda dolaylı olarak frekansı ölçmek içinde kullanılabilir. DENEY 35: FREKANS VE FAZ ÖLÇÜMÜ DENEYĐN AMACI: 1. Osiloskop kullanarak AC dalga formunun seklini belirlemek. 2. Çift taramalı osiloskop ile bir endüktanstın akım-gerilim arasındaki faz açısını ölmek. TEMEL

Detaylı

Doğru Akım (DC) Makinaları

Doğru Akım (DC) Makinaları Doğru Akım (DC) Makinaları Doğru akım makinaları motor veya jeneratör olarak kullanılabilir. Genellikle DC makinalar motor olarak kullanılır. En büyük avantajları hız ve tork ayarının kolay yapılabilmesidir.

Detaylı

ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ

ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ DENEY 1 ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ 1.1. Genel Bilgi MV 1424 Hat Modeli 40 kv lık nominal bir gerilim ve 350A lik nominal bir akım için tasarlanmış 40 km uzunluğundaki

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı

Detaylı

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 1.1. YARIİLETKEN DİYOT... 1 1.2. DİYOTUN DC MODELİ... 10 1.3. DİYOTUN ALÇAK FREKANS KÜÇÜK

Detaylı

FUJI MICRO HIZLI DEVREYE ALMA KILAVUZU

FUJI MICRO HIZLI DEVREYE ALMA KILAVUZU FUJI MICRO HIZLI DEVREYE ALMA KILAVUZU KONTEK OTOMASYON A.Ş. BEYİT SOK. NO:27 YUKARI DUDULLU ÜMRANİYE / İSTANBUL 0216 466 47 00 (T) 0216 466 21 20 (F) www.kontekotomasyon.com.tr Sayfa 1 / 7 TUŞ FONKSİYONLARI

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ İLETİŞİM LABORATUARI SAYISAL FİLTRELER

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ İLETİŞİM LABORATUARI SAYISAL FİLTRELER SAYISAL FİLTRELER Deney Amacı Sayısal filtre tasarımının ve kullanılmasının öğrenilmesi. Kapsam Ayrık zamanlı bir sistem transfer fonksiyonunun elde edilmesi. Filtren frekans tepkes elde edilmesi. Direct

Detaylı

NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ History in Pictures - On January 5th, 1940, Edwin H. Armstrong transmitted thefirstfmradiosignalfromyonkers, NY to Alpine, NJ to Meriden, CT to Paxton, MA to Mount Washington. 5 January is National FM

Detaylı

BİLGİSAYARLI KONTROL OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER

BİLGİSAYARLI KONTROL OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER BÖLÜM 4 OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER 4.1 OPERASYONEL AMPLİFİKATÖRLER (OPAMP LAR) Operasyonel amplifikatörler (Operational Amplifiers) veya işlemsel kuvvetlendiriciler, karmaşık sistemlerin

Detaylı

BÖLÜM I GİRİŞ (1.1) y(t) veya y(x) T veya λ. a t veya x. Şekil 1.1 Dalga. a genlik, T peryod (veya λ dalga boyu)

BÖLÜM I GİRİŞ (1.1) y(t) veya y(x) T veya λ. a t veya x. Şekil 1.1 Dalga. a genlik, T peryod (veya λ dalga boyu) BÖLÜM I GİRİŞ 1.1 Sinyal Bir sistemin durum ve davranış bilgilerini taşıyan, bir veya daha fazla değişken ile tanımlanan bir fonksiyon olup veri işlemde dalga olarak adlandırılır. Bir dalga, genliği, dalga

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

OSİLOSKOP I. KULLANIM ALANI

OSİLOSKOP I. KULLANIM ALANI OSİLOSKOP I. KULLANIM ALANI Osiloskop elektriksel işaretlerin ölçülmesinde ve görüntülenmesinde kullanılan temel bir ölçüm aletidir. İşaretin dalga şeklinin görüntülenmesini, frekans ve genliğinin kolayca

Detaylı

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle

Detaylı

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır.

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır. 3. Bölüm Güç Elektroniğinde Temel Kavramlar ve Devre Türleri Doç. Dr. Ersan KABALC AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ Güç Elektroniğine Giriş Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve

Detaylı

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi: 1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim

Detaylı

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI İşaret akış diyagramları blok diyagramlara bir alternatiftir. Fonksiyonel bloklar, işaretler, toplama noktaları

Detaylı

EEM 202 DENEY 11. Tablo 11.1 Deney 11 de kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi. Devre Elemanları Ω Direnç (2 W)

EEM 202 DENEY 11. Tablo 11.1 Deney 11 de kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi. Devre Elemanları Ω Direnç (2 W) N: EEM DENEY SEİ EZONANS DEESİ. Amaçlar Değişen frekanslı seri C devresinde empedansın ölçülmesi ve çizilmesi Seri C devresinde akım değişiminin frekansın değişimine göre incelenmesi Seri C devresinin

Detaylı

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI 7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme oç. r. Ersan KABALCI 1 Genel FET Öngerilimleme evreleri JFET abit Öngerilim evresi Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Ayarlamalı MOFET (-MO) Kendinden

Detaylı

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon

Detaylı

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 4 Temel İşlemsel Kuvvetlendirici (Op-Amp) Devreleri 1. Hazırlık a. Dersin internet sitesinde yayınlanan Laboratuvar Güvenliği ve cihazlarla ilgili bildirileri

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 5: Fotovoltaik Hücre Karakteristikleri Fotovoltaik Hücrede Enerji Dönüşümü Fotovoltaik Hücre Parametreleri I-V İlişkisi Yük Çizgisi Kısa Devre Akımı Açık Devre Voltajı MPP (Maximum

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DENEY FÖYÜ DENEY ADI AC AKIM, GERİLİM VE GÜÇ DENEYİ DERSİN ÖĞRETİM ÜYESİ DENEY SORUMLUSU DENEY GRUBU: DENEY TARİHİ : TESLİM

Detaylı

Senkronizasyon Opsiyon Modülü. SV-IS7 Serisi. Kullanıcı Manueli

Senkronizasyon Opsiyon Modülü. SV-IS7 Serisi. Kullanıcı Manueli Senkronizasyon Opsiyon Modülü SV-IS7 Serisi Kullanıcı Manueli Ürün Standartları Madde Nasıl Montaj Yapılır Master Enkoder Girişi Slave Enkoder Girişi Master Enkoder Geridönüş Çıkışı Terminal Bloğu Çıkışı

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği. Analog Haberleşme Sistemleri Ders 4 Alıcı Devreleri

Elektrik Elektronik Mühendisliği. Analog Haberleşme Sistemleri Ders 4 Alıcı Devreleri Elektrik Elektronik Mühendisliği Analog Haberleşme Sistemleri Ders 4 Alıcı Devreleri Alıcı Devreler RF bandında elektromanyetik dalgalar kullanılarak kablosuz yoldan mesaj gönderilen haberleşme sistemlerinde

Detaylı

sbölüm I REZONANS DEVRELERİ

sbölüm I REZONANS DEVRELERİ sböüm I EZONANS DEVEEİ. GİİŞ ezonans, bobin ve kondansatör kullanılan A elektrik ve elektronik devrelerinde oluşan özel bir durumdur. Herhangi bir A devrede bobinin Endüktif eaktans ı ile kondansatörün

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

6.2. GÜRÜLTÜNÜN FİZİKSEL ÖZELLİKLERİ

6.2. GÜRÜLTÜNÜN FİZİKSEL ÖZELLİKLERİ GÜRÜLTÜ 6.1 Giriş İnsan çevresini ciddi bir şekilde tehdit eden önemli bir problem de "gürültü" dür. Gürültüyü arzu edilmeyen seslerin atmosfere yayılması şeklinde ele almak uygundur. Son zamanlarda iş

Detaylı

U.Ü. Mühendislik Mimarlık Fakültesi Elektronik Mühendisliği Bölümü ELN3102 OTOMATİK KONTROL Bahar Dönemi Yıliçi Sınavı Cevap Anahtarı

U.Ü. Mühendislik Mimarlık Fakültesi Elektronik Mühendisliği Bölümü ELN3102 OTOMATİK KONTROL Bahar Dönemi Yıliçi Sınavı Cevap Anahtarı U.Ü. Mühendislik Mimarlık Fakültesi Elektronik Mühendisliği Bölümü ELN30 OTOMATİK KONTROL 00 Bahar Dönemi Yıliçi Sınavı Cevap Anahtarı Sınav Süresi 90 dakikadır. Sınava Giren Öğrencinin AdıSoyadı :. Prof.Dr.

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı