T. C. GAZİ ÜNİVERSİTESİ GAZİ EĞİTİM FAKÜLTESİ FİZİK EĞİTİMİ BÖLÜMÜ BİTİRME PROJESİ

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "T. C. GAZİ ÜNİVERSİTESİ GAZİ EĞİTİM FAKÜLTESİ FİZİK EĞİTİMİ BÖLÜMÜ BİTİRME PROJESİ"

Transkript

1 T. C. GAZİ ÜNİVERSİTESİ GAZİ EĞİTİM FAKÜLTESİ FİZİK EĞİTİMİ BÖLÜMÜ BİTİRME PROJESİ SES AMPLİFİKATÖRÜ DEVRESİ (Darlington İle Hi-Fi : Tam Eşlenik 100W lık Güç Kuvvetlendiricisi) Hazırlayan : Hasan Şahin KIZILCIK Proje Danışmanı : Yrd. Doç. Dr. Sıtkı GÜRCAN ANKARA

2 İÇİNDEKİLER ÖNSÖZ... 3 A. TEMEL DEVRE ELEMANLARI Dirençler Dirençlerin Teknik Özellikleri Özel Direnç Çeşitleri Kondansatörler Kondansatörlerin Teknik Özellikleri Bobinler ve Transformatörler Bobinler Transformatörler A. YARIİLETKENLER Yarıiletken Tanımı Katkılı Yarıiletkenler N Tipi Yarıiletkenler P Tipi Yarıiletkenler PN Eklemi B. YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI Diyotlar Diyot Karakteristiği Diyot Çeşitleri Transistorlar Transistorların Yapısı ve Çeşitleri NPN ve PNP Transistorlar Transistorlarda Yükseltme Dört Bölge Karakteristiği C. SESİN ELEKTRİĞE ÇEVİRİLMESİ VE MİKROFONLAR Dinamik Mikrofonlar Şeritli Mikrofonlar Kapasitif Mikrofonlar Karbon Mikrofonlar D. SES FREKANSI KUVVETLENDİRİCİLERİ Ses Amplifikatörleri ve Kısımları Hi-Fi ve Stereo Amplifikatörler Hi-Fi Aplifikatörler Stereo Amplifikatörler Devre Şeması ve Çalışma İlkesi Çalışma İlkesi Teknik Veriler Parça Listesi Besleme Devresi E. ELEKTRİĞİN SESE ÇEVİRİLMESİ VE HOPARLÖRLER EK : DEVRE ELEMANLARININ SEMBOLLERİ KAYNAKÇA

3 ÖNSÖZ Ses amplifikatörleri (ses kuvvetlendiricileri) halk arasında amfi olarak bilinen devrelerdir. Bunlar mikrofondan, müzik aletlerinden ve diğer ses yayın cihazlarından alınan ses işaretlerini topluluğun duyabileceği seviyeye yükselten ve hoparlörlere aktaran aletlerdir. Transistorlu ve entegreli olmak üzere ikiye ayrılırlar. Günümüzde entegreli amplifikatörler daha yaygın bir şekilde kullanılmakla birlikte transistorun akım yükseltme özelliğinden yararlanarak güçlü kuvvetlendirici devreleri halen yapılmaktadır. Hazırlamış olduğum ses amplifikatörü devresi, darlington transistorlar yardımıyla 100Watt çıkış gücü sağlamaktadır. Bu amplifikatör devresi Hi-Fi özelliğe sahip olup, sadece % 0,06 distorsiyon vermektedir. Aynı özelliklere sahip, özdeş iki Hi-Fi ses amplifikatörünün uygun şekilde bağlanmasıyla elde edilen kuvvetlendiriciye stereo kuvvetlendirici denir. Yani bu devremiz mono özelliğe sahiptir. Bu çalışmamda, bana yardımları ve rehberliğinden dolayı proje danışmanım, değerli hocam, Sn. Yrd. Doç. Dr. Sıtkı GÜRCAN, Araştırma Görevlileri Şebnem KANDİL ve Mustafa KARADAĞ a; bana sağlamış oldukları teknik imkanlar, destek, ilgi ve hoşgörülerinden ötürü Bülent ÖZBEK, K. Bertan ÖZEREN, Ahmet YETİŞİR, M. Lütfi HİDAYETOĞLU, Soner İŞİMTEKİN, Metehan DİKİCİ ve M. Kubilay İHTİYAROĞLU na ve de özellikle aileme çok teşekkür ederim... 3

4 A. TEMEL DEVRE ELEMANLARI 1. DİRENÇLER Dirençler, elektrik akımına karşı gösterilen zorluk diye tanımlanırlar. Formüllerde, R sembolü ile gösterilir ve Ohm (Ω) adını verdiğimiz bir birim ile ölçülür. Elektrik ve elektronik devrelerinde en çok kullanılan devre elemanlarından biridir. Aşağıdaki gibi gösterilir Dirençlerin Teknik Özellikleri Şekil 1. Ünlü bilim adamı Ohm, bir telin uçlarına uygulanan V geriliminin, o tel üzerinden geçen I akımına oranının sabit olduğunu keşfetti. Buna direnç (resistance) dedi. Bir iletken telin direnci, o telin kesit alanına, boyuna ve yapıldığı maddeye bağlıdır. Direnç, elektrik akımına karşı gösterilen zorluk olduğundan, iletkenlik ile ters orantılıdır. Ohm Kanunu Direncin Bağlı Olduğu Etkenler Dirençler, pratik olarak ohmmetre denilen aletlerle; daha doğrusu, Wheatstone köprüsü ile ölçülür. Direnç bir yerde çalışıyorsa, Ohm kanunundan faydalanarak uçları arasındaki gerilimi, üzerinden geçen akım değerine bölerek de ölçülüp hesaplanabilir. Bir direncin dört önemli özelliği vardır : i. Ohm (Ω) ile ölçülen değeri ii. Watt (W) ile ölçülen gücü ii. % ile verilen direnç değerindeki toleransı iv. Direncin tipi i. Direncin Ohm (Ω) olarak değeri : Dirençler, miliohm(mω) dan megaohm(mω) lara kadar çeşitli değerlerde yapılırlar. Direncin Ohm olarak değeri ya rakamlarla direncin üzerine yazılır, ya da renk kodlarıyla belirtilir. (Tablo 1) 4

5 Dirençlerin değeri ısınınca değişir. Karbon ve yarıiletken malzemelerin direnci, sıcaklık arttıkça azalır. Diğer madenlerin direnci ise, sıcaklık arttıkça artar. Bir direncin değeri, 20 0 C de R 20 Ω ise, t 0 C deki değeri : R t = R 20 [ 1 + α ( t-20 ) + β ( t 20 ) 2 ] ( α ve β sabittir. ) Pratikte, bu bağıntı, şu şekilde kullanılmaktadır : R t = R 20 [ 1 + α ( t-20 ) ] Bir elektrik devresinde, dirençler seri ve paralel bağlandığında, eşdeğer direnç şu şekilde hesaplanmaktadır. Seri bağlandığında : R eş = R 1 + R 2 + R R n Paralel bağlandığında : R 1 R 2 R 3... R n R eş = R 1 + R 2 + R R n Tablo 1 : Dirençlerin renk kodları ii. Direncin Gücü : Formüllerde güç, P ile gösterilir ve Watt ile ölçülür. Dirençler, 0,1 Watt tan kilowatt lara kadar çeşitli güçlerde yapılır. Dirençlerin gücü büyüklüğü ile doğru orantılıdır. Çoğunlukla dirençlerin kaç Watt lık olduğu üzerinde yazmaz. (Tablo 2) 5

6 Dirençlerde güç formülü aşağıdaki gibidir. Yani, üç farklı şekilde güç hesaplanabilir. Bir devrede, hesaplanan güçten daha büyük güce sahip direnç kullanılabilir, fakat daha küçük güçlü olanı kullanılmamalıdır. Aksi halde direnç yanar. Direncin Gücü Gücü P(W) 1/8 1/4 1/ Çapı d(mm) 2,5 3,7 5,2 7 9,3 12 Boyu L(mm) Tablo 2 : Dirençlerin boyutları ile gücü arasındaki ilişki iii. Dirençlerin Toleransı : Dirençlerin Ohm olarak verilen değerinin doğruluğu, yapım esnasında gösterilen titizliğe ve kullanılan malzemeye göre değişir. Örneğin, %10 luk toleransa sahip, 100Ω luk bir direnç, 110Ω ile 90Ω arasında herhangi bir değerde olabilir. iv. Direncin Tipi : Direnç malzemelerinin fiziksel yapısına göre dirençler; katı, sıvı, gaz diye üç sınıfa ayrılabilir. Fakat, çoğunlukla kullanılan dirençler, katı malzemeden yapılırlar. Karbon, metal ve katkılanmış yarıiletken gibi Özel Direnç Çeşitleri Sanayinin çeşitli ihtiyaçları için, malzemenin fiziksel özelliklerinden yararlanarak özel dirençler yapılmıştır. Bunları şu şekilde sıralayabiliriz : i. Elektrik gerilimine bağlı dirençler (Varistör VDR) ii. Manyetik alana bağlı dirençler (Hall jenaratörleri) iii. Sıcaklığa bağlı dirençler (Termistörler NTC, PTC) iv. Işığa bağlı dirençler (Fotodirençler LDR) v. Basınca bağlı dirençler (Strain gage) i. Elektrik gerilimine bağlı dirençler : Silisyum karpit tozları, bir bağlayıcı madde ile karıştırılıp istenen biçimde preslenir. Böyle bir dirence, büyükçe bir gerilim verilirse, silisyum karpit tozlarının değme yüzeyleri değişerek aradaki direnç oldukça küçülür. Bunlara varistör (VDR, Voltage Depent Resistor) denir. ii. Manyetik alana bağlı dirençler : İndiyum-antimonitten bir tabaka içine ince iğne gibi nikel-antimonitten yapılmış iletken çubuklar gömülmesiyle yapılır. Böyle bir malzeme içinden akım geçirmek 6

7 istersek, elektron yolu soldan sağa doğru düz bir çizgi üzerinde olur. Şayet bu malzeme, önden arkaya doğru olan bir manyetik alan içine konursa elektron alana dik doğrultuda sapacağından yönü değişecektir. Elektron yolu uzadığı için, manyetik alan içinde malzemenin direnci büyür. Böyle dirençler, manyetik alan ölçmelerinde kullanılır. iii. Sıcaklığa bağlı dirençler : Bunlara termistör denir. Yarıiletken veya seramik malzemeden yapılmış dirençlerin değeri sıcaklığa çok bağlıdır. Sıcaklıkla direnci azalan termistörlere NTC (Negative Temperature Coeffecient) termistörü, sıcaklıkla direnci artan termistörlere de PTC (Positive Temperature Coeffecient) termistörü denir. Elektrik ve elektronik devrelerinde NTC tipi termistörler daha çok kullanılır. Bazı özel yerlerde PTC tipi termistörler de kullanılır. Termistörler genelde sıcaklık ölçmek veya sıcaklık etkisini dengelemek için kullanılmaktadır. iv. Işığa bağlı dirençler : Bunlara fotodirenç (LDR, Light Dependent Resistor) denir. Katkılanmış silisyum, germanyum ve kadmiyum sülfit gibi bazı yarıiletken malzemelerin özgül iletkenliği, üzerine düşen ışık akısı ile artar. Çünkü görünen ışık akısı, bu malzemenin elektron hızlarını arttırır ve bazı yörünge elektronlarını serbest hale getirir. Bu da iletkenliğin artması yani direncin azalmasına neden olur. Işık kesilince direnç tekrar artar. v. Basınca bağlı dirençler : Cisimlerin çekme gerilmesi ile boylarının uzadığını ve basma gerilmesiyle de boylarının kısaldığını biliyoruz. Bir direnç telinin boyu uzarsa direnci artar. Bu özellikten yararlanarak, basınç ile değeri değişen dirençler yapılmıştır. 2. KONDANSATÖRLER Kondansatör, elektrik enerjisini depolayabilen bir araçtır. Dielektrik adı verilen bir yalıtım malzemesiyle ayrılmış iki iletken levhadan oluşur. Kondansatör (Capasitor), C ile gösterilir ve Farad (F) adı verilen bir birim ile ölçülür. Böyle bir kondantasöre doğru gerilim uygulanırsa iletken levhalardan biri (+), diğeri (-) yükle yüklenir. Kondansatör doğru gerilim kaynağından ayrılır ve iki ucu bir iletkenle birleştirilirse, bir kıvılcımla toplanan yük boşalır. Kondansatörler devrede aşağıdaki gibi gösterilir. Şekil Kondansatörlerin Teknik Özellikleri Kondansatör tipleri, kullanılan dielektrik malzemenin cinsine göre isimlendirilir. Kağıtlı, mikalı, polyester, seramik gibi. 7

8 Bir kondansatörün dört önemli özelliği vardır : i. Kondansatörün kapasitesi (C sığası) ii. Kapasitenin toleransı (%) iii. Kondansatörün dayanabileceği maximum gerilim (V) iv. Kondansatörün tipi (Bazıları sadece DC ile çalışır.) i. Kondansatörün kapasitesi : Kondansatörün yük alma özelliğidir. Kapasite C ile gösterilir ve Farad ile ölçülür. Farad çok büyük olduğundan genelde MikroFarad (µf), NanoFarad (nf), PicoFarad (pf) gibi alt katları kullanılır. Düzlemsel bir kondansatörün kapasitesi şu formülle verilir: Sığa Sığanın bağlı olduğu etkenler Kondansatörler paralel bağlandığında sığaları artar. Seri bağlandıklarında ise dirençlerin tersine sığaları azalır. Seri bağlandığında : C 1 C 2 C 3... C n C eş = C 1 + C 2 + C C n Paralel bağlandığında : C eş = C 1 + C 2 + C C n i. Kapasitenin toleransı : Kondansatör yapılırken gösterilen titizliğe ve kullanılan malzemeye göre dirençler gibi kondansatörlerin de bir toleransı vardır. ii. Kondansatörün dayanacağı gerilim : Bu gerilim dielelektriğin özelliği ile sınırlıdır. Kondansatörde kullanılan yalıtkan malzemede kullanılan delinme gerilimi kondansatörün dayanabileceği maksimum gerilimi belirler. Bir kondansatörün yerine daha büyük gerilimli bir kondansatör bağlanabilir. Fakat daha küçük gerilimlisi kullanılamaz. iii. Kondansatörün tipi : Kondansatörler dielektiriğin cinsine göre sınıflandırılır. Elektrolitik olanlar sadece doğru gerilimde (DC) kullanılabilirler. Bir kondansatörde biriken enerji şu şekilde hesaplanır. 8

9 Şekil BOBİNLER VE TRANSFORMATÖRLER 3.1. Bobinler Bir telden elektrik akımı geçerse telin etrafında manyetik alan oluşur. Bu manyetik alanın yönü sağ el kuralıyla bulunur. Bu kuvvet çizgilerini yani manyetik alanın şiddetini arttırmak için tel, bir silindir üzerine sarılırsa kuvvet çizgileri seri bağlanarak çoğalır. Bobinin bir ucundan çıkan kuvvet çizgileri diğer ucundan tekrar bobine girer. Şekil 4. Bu kuvvet çizgilerinin toplamına ψ denirse, bobinin; L = ψ / I şeklinde tanımlanan bir L indüktansı olur. Bu indüktans Henry (H) ile ölçülür. Bobinin boyutları cinsinden indüktans aşağıdaki gibidir. Bobinin indüktansı 9

10 Bir bobinin indüktansını arttırmak için, bobinin içine µ manyetik momenti büyük olan (demir gibi) bir çekirdek konur. Demir, bobin içine kütle olarak konursa demir içindeki Foucault ve Histerzis kayıplarından dolayı bobin kayıpların artar. Bobin ısınır. Bunu önlemek için demir, plaketler halinde konur ve araları izole edilir Transformatörler Transformatör iki bobinden oluşan bir düzenektir. Karşılıklı koyulan iki bobin ile gerilim ve akım değiştirilmesi sağlanır. Şöyle ki : Lenz Kanununa göre, indüksiyon emk nın yönü, ilmekten geçen manyetik akı değişimine karşı koyacak şekilde manyetik akı oluşturan akım yönündedir. Bu durumda karşılıklı koyulan iki bobinden birisine değişken gerilim verildiğinde, diğer bobin de indüklenir. Böylece ikinci bobinde de akım elde edilmiş olur. Bobinler içine ferromanyetik olan demir çekirdek konursa hatta bu demir çekirdekler yine başka bir demir çekirdek ile birleştirilirse özelliğinden dolayı manyetik alanı toplayacaktır. Şekil 5. Bobinlerde, birinci bobine verilen akım değişken olmalı. Eğer sinüsoidal akım verilirse ikinci bobinde de sinüsoidal akım elde edilir. Şiddeti aşağıdaki bağıntı ile verilir. Transformatörlerde indüklenme 10

11 B. YARIİLETKENLER 1. YARIİLETKEN TANIMI Bütün elektronik devre elemanları yapıldıkları maddelerin özelliklerine göre davranırlar. İletken madde, elektrik akımını kolay ileten; yalıtkan madde ise elektrik akımına karşı çok büyük direnç gösteren maddelerdir. Yarıiletkenler ne iyi birer iletken, ne de iyi birer yalıtkandır. Germanyum, silisyum gibi maddeler bunlara örnek verilebilir. Atomlar elektronlar ve çekirdek partikürlerinden oluşur. Çekirdeğin etrafındaki elektronlar belli bir düzeye sahiptir. İletkenlerde üç veya daha az, yalıtkanlarda ise beş veya daha fazla değerlik elektronu vardır. Yarıiletkenler ise genelde dört değerlik elektronuna sahip maddelerdir. Şekil 6. Band teorisine göre iletkenlik bandı ve valans bandı olmak üzere iki band bulunur. Valans bandından iletkenlik bandına geçen elektronlar iletkenliği oluşturur. Aradaki bölge yasak bölgedir. Yalıtkanlarda bu yasak bölge çok büyük, iletkenlerde çok küçük ve yarıiletkenlerde ise ikisinin arasındadır. Şekil 7. 11

12 2. KATKILI YARIİLETKENLER Katkısız yarıiletkenler, elektronikte pek kullanılmaz. Katkı maddesine göre, maddedeki elektron veya boşluk sayısı değişir. Bu durumda, hem boşluk iletimi hem de elektron iletimi bundan etkilenecektir. Boşluklar pozitif, elektronlar ise negatif yük iletimini sağlar. Yani, katkı maddesine göre iletim, pozitif ya da negatif ağırlıklı olur. En uygun katkı maddesi, değerlik elektronu sayısı yarıiletkeninkinden bir farklı olandır. Katkı yapmak için, önce yarıiletken eritilir ve içine çok az miktarda katkı maddesi koyularak soğumaya bırakılır. Böylece, katkı maddesi kristal yapıya katılmış olur N Tipi Yarıiletkenler Arsenik, fosfor, bizmut gibi 5 değerlik elektronuna sahip maddelerin yarıiletken kristaline katkı maddesi olarak karıştırılmasıyla olur. Katkı maddesinin dış yörüngesinde 5 elektron bulunduğundan, bu elektronların 4 tanesi yarıiletken atomu ile bağ kurarken, geriye kalan 1 elektron serbest kalır ve iletkenlik bandına kolaylıkla geçer. İletim negatif yüklerle sağlanır P Tipi Yarıiletkenler Şekil 8. Dış yörüngesinde 3 elektron bulunan; indiyum, galyum, alüminyum gibi maddelerle katkı yapılarak elde edilir. 12

13 Katkı maddesi kristale girdiğinde, bağ yapmak için 1 elektronu eksik olur. Bu yüzden kristalde boşluklar oluşur. Bu şekilde oluşan yarıiletkende iletim boşluklarla sağlanır. Boşluklar, pozitif taşıyıcıdır. Boşlukların taşınması şu şekilde olur: Boşluk bir elektron ile doldurulduğunda, elektronun geldiği atomda boşluk oluşmak zorundadır. Yani boşluk, elektron ile ters yönde hareket etmiş olur PN Eklemi Şekil 9. P ve N tipi yarıiletkenlerin kademeli olarak birleştirilmesiyle olur. Fakat, P ve N tipi iki yarıiletken mekanik olarak birleştirilerek PN eklemi yapılamaz. Bunun için, bir yarıiletkenin bir kısmı P tipi, bir kısmı da N tipi olacak şekilde kademeli geçiş sağlanır. Burada önemli olan nokta, kristal yapının bozulmamasıdır. P ve N bölgeleri arasında geçiş kademelidir. Aradaki bu geçiş bölgesine Shottky bölgesi denir. Shottky bölgesinde yüklü bir tanecik bulunmaz. Çünkü araya düşen herhangi bir tanecik, her iki taraftan birine çekilir. Yani Shottky bölgesi ideal bir yalıtkandır. Difüzyon dengesi vardır. Bu bölgenin oldukça büyük bir direnci vardır. P ve N bölge sınırları, bir kondansatörün plakaları gibidir. Bu yüzden bir sığa söz konusudur. Bu iki bölge sınırları arasında bir potansiyel farkı mevcuttur. Buna Shottky potansiyel farkı veya Shottky bariyeri adı verilir. Şekil

14 Eğer bu PN eklemine potansiyel farkı uygularsak, elde ettiğimiz malzemenin elektronik açısından önemini gözlemlemiş oluruz. Şöyle ki: Bu PN eklemine, P bölgesine negatif (-), N bölgesine pozitif (+) gerilim verecek şekilde bir DC güç kaynağı bağlarsak, Shottky bölgesindeki potansiyel farkı artacaktır. Yüklü tanecikler Shottky bariyerini aşamayacağından, PN eklemi akım geçirmeyecektir. Ancak miliamper(ma) veya mikroamper(µa) mertebesinde bir geçiş olacaktır. Bunun nedeni de araya düşen taneciklerin elektrik alanda hareket etmeleridir. Bu tür polarılamaya, ters yönde polarma veya ters yönde gerilimleme denir. Şekil 11. Eğer bu PN eklemine, N bölgesine negatif(-), P bölgesine pozitif(+) uç gelecek şekilde DC gerilimi verildiğinde, P ve N bölgelerindeki yük birikimlerinin bir kısmı nötrlenir ve bozulan difüzyon dengeye ulaşmak için tekrar başlar. Ancak, üreteç bağlı olduğundan, hiçbir zaman dengeye ulaşamaz. PN eklemi üzerinden akım geçmektedir. Bu tür bağlantıya, doğru yönde polarma veya doğru yönde gerilimleme denir. Şekil

15 C. YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI 1. DİYOTLAR Diyotlar, bir yönde akan akıma karşı çok yüksek, diğer yönde akan akıma karşı ise çok az direnç gösteren elemanlardır. Yarıiletken PN ekleminden oluşurlar. Genelde devreden tek yönde akım geçmesi istendiğinde kullanılırlar. Eğer bir diyotun bulunduğu devreye sinüsoidal AC akımı uygulanırsa; diyot, sadece bir yöndeki alternansların geçmesine izin verecektir. Diyotlar, devrede aşağıdaki gibi gösterilir Diyot Karakteristiği Şekil 13. Diyotların akım-gerilim grafiğine diyot karakteristiği denir. Diyota her iki yönde de sıfırdan başlayarak çeşitli gerilimler uygulanır ve devredeki diyot üzerinden geçen akım ölçülür. Ters yönde belli bir gerilimin üzerinde akım verildiğinde diyot kırılır. Yani kristal yapı bozulur ve diyot direnç görevi görür. Buna V k kırılma gerilimi denir. Şekil

16 Doğru polarma durumunda; germanyum diyotun karakteristik eğrisi 0,2V. civarında, silisyum (silikon) diyotun karakteristik eğrisi ise 0,6V. civarında yukarı kıvrılmaktadır. Diyotlar, bu gerilimlerde iletime geçerler. Buna başlangıç veya eşik gerilimi denir. Bunun nedeni, aradaki Shottky bölgesi potansiyel farkıdır. Doğru yönde akım belli bir değerin üzerine çıkarsa diyot yanar. Bu akım değeri diyotların üzerinde yazmaktadır. Ters polarma durumunda ise; çok küçük, önemsenmeyecek bir akım geçer. V k kırılma gerilimi aşıldığında akım hızla artar. Diyot artık özelliğini kaybetmiş olur Diyot Çeşitleri Diyotlar başlıca üç ana gruba ayrılır. Bunlar : 1. Lamba Diyotlar 2. Metal Diyotlar 3. Yarıiletken Diyotlar Lamba diyotlar, genelde redresör ve dedektör yapımında kullanılırlar. Bir katot tüpü şeklindedirler. Metal diyotlar ise, bakır oksit (CuO) ve selenyumlu diyotlardır. Yarıiletken diyotlar, PN tipi germanyum veya silikon diyotlardır. Genel olarak en çok kullanılan diyot çeşitleri şunlardır : 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Işık Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap) 7. Mikrodalga Diyotları 8. Gunn Diyotları 9. Impatt (Avalanş) Diyot 10. Barıtt (Schottky) Diyot 11. Ani Toparlanmalı Diyot 12. Pin Diyot 13. Büyük Güçlü Diyotlar 2. TRANSİSTORLAR 2.1. Transistorların Yapısı ve Çeşitleri Transistorlar, genel olarak yarıiletken maddeden yapılmış devre elemanlarıdır. Her ne kadar, diyotun yapısına benzese de çalışması ve fonksiyonları diyottan çok farklıdır. Transistorlar çok çeşitli tanımlanabilirler. Örneğin : 1. Transistor, iki elektrodu arasındaki direnci, üçüncü elektroda uygulanan gerilim ile değişen bir devre elemanıdır. 16

17 2. Transistor, yan yana birleştirilmiş iki PN diyotundan oluşan bir devre elemanıdır. Birleşme sırasına göre, NPN veya PNP tipi transistorler oluşur. Şekil 15. Transistorlar, en basit olarak, beyz ucuna verilen ma seviyesindeki akım ile kollektör-emitter arasını akım geçişine açan bir devre elemanıdır. Transistor, yapısal bakımdan, yükselteç olarak çalışma özelliğine sahip bir devre elemanıdır. Ayrıca, devrede bir nevi anahtar görevi de görür. Elektroniğin her alanında kullanılmaktadır. Şekil 16. Bi-polar ve foto transistorlar, PNP ve NPN olmak üzere iki tipte imal edilirler. Fet transistorlar ise, Kanal ve N-Kanal olmak üzere iki tipte imal edilirler. Bunların haricinde; Mosfet, darlington, unijaksın(ujt) tipi gibi transistorlarda bulunmaktadır. Biz burada, bu farklı tip transistorlardan sadece darlington transistoru kullanacağız. Darlington transistor, iki adet PNP veya NPN transistorun ardarda bağlanmasıyla oluşur. Yani, bir transistordan alınan yükseltme, bir diğer transistorla daha da kuvvetlendirilir. Darlington transistora, basit olarak iki transistor gibi bakılabilir. Şu şekilde gösterilir. Şekil

18 Transistorun başlıca çeşitleri şunlardır : 1. Yüzey birleşmeli (Jonksiyon) transistor 2. Nokta temaslı transistor 3. Unijonksiyon transistor 4. Alan etkili transistor 5. Foto transistor 6. Tetrot (dört uçlu) transistor 7. Koaksiyal transistor 2.2. NPN ve PNP Transistorlar Trasistorlar, yapı bakımından NPN ve PNP olmak üzere ikiye ayrılır. Yine her iki tip transistorun de N-P-N ve P-N-P bölgeleri şöyle adlandırılır : i. Emitter (Emetör) : "E" ile gösterilir. Yayıcı özelliğe sahiptir. Akım taşıyıcıların harekete başladığı bölgedir. ii. Baz (Beyz) : "B" ile gösterilir. Taban olarak da adlandırılır. Transistörün çalışmasını etkileyen orta bölgedir. Mümkün olduğunca ince yapılır. iii. Kollektör : "C" ile gösterilir. Toplayıcı özelliğe sahiptir. Akım taşıyıcıların toplandığı bölgedir. Bu bölgelere irtibatlandırılan bağlantı iletkenleri de, elektrot, ayak veya bağlantı ucu olarak tanımlanır. Baz'ın mümkün olduğunca ince yapılmasının nedeni, akım taşıyıcılarının baz bölgesini kolayca geçebilmesi içindir. NPN Transistorlar için : Emiterde; transistordan dış devreye doğru, yani emiterdeki ok yönünde bir akım oluşur. Beyz ve kollektörde akım; dış devreden transistöre doğrudur. Emittere negatif(-), beyz ve kollektöre ise, pozitif(+) gerilim uygulanır. PNP Transistorler için : Emiterde; dış devreden transistöre doğru, yani okun gösterdiği yönde, beyz ve kollektörde ise; transistörden dış devreye doğru akım oluşur. Emittere pozitif(+), beyz ve kollektöre ise negatif(-) gerilim uygulanır. Bunu şu şekilde tablolarsak : NPN Tipi PNP Tipi Akım Gerilim Akım Gerilim Emitter Dışa - İçe + Beyz İçe + Dışa - Kollektör İçe + Dışa - Tablo 3 : Transistorların Akım ve Gerilim Yönleri Emitter ve kollektör aynı tip, beyz ise farklı tip katkılanmış yarıiletkendir. Emitter ve kollektörün farkı şudur: Kollektörde emittere göre daha az katkı maddesi kullanılmıştır. Bu yüzden akım taşıyıcılarının sayıları farklıdır. 18

19 2.3. Transistorlarda Yükseltme Transistörler yapısı gereği, akım yükseltme özelliğine sahiptir. Uygun bir devre dizaynıyla gerilim ve güç yükseltmesi de yapar. Tabi bu işlemlerde de asıl olan akımdır. Bu nedenle, önce akımın nasıl yükseltildiğinin bilinmesi gerekir. Örnek olarak şekilde görüldüğü gibi bir NPN tipi transistör alınmıştır. Transistörün çalışabilmesi için elektrotlarına, şu gerilimler uygulanıyor : Emitter; negatif (-) gerilim, Beyz; pozitif (+) gerilim, Kollektöre; pozitif (+) gerilim. Şekil 18. Yükseltme işlemi, aşağıdaki aşamalarla izah edilebilir : 1. Transistör içerisinde emitterden beyz ve kollektöre doğru bir elektron akışı vardır. 2. Elektronların küçük bir kısmı da, V BE kaynağının oluşturduğu giriş devresi üzerinden, büyük bir kısmıda V CE kaynağının oluşturduğu çıkış devresi üzerinden devresini tamamlar. 3. Giriş ve çıkışta dolaşan elektronların miktarı, transistorun büyüklüğüne bağlı olduğu gibi, V BE ve V CE kaynak gerilimlerinin büyüklüğüne de bağlıdır. 4. Emitterdeki elektronları harekete geçirmek için "Silisyum" transistörde en az 0.6V, "Germanyum" transistörde ise 0.2V olması gerekir. 5. Elektroları çekebilmesi için V CE gerilimi V BE 'ye göre oldukça büyük seçilir. 6. Giriş devresinden dolaşan elektronlar "I B " beyz akımını, çıkış devresinden dolaşan elektronlarda "I C " kollektör akımını oluşturur. 7. Buradaki I B ve I C akımları DC akımlardır. Eğer girişe AC gerilim uygulanırsa, I C 'de AC olarak değişir. 8. I B ve I C akımları devrelerini tamamlarken emitter elektrodu üzerinde birleştiğinden I E akımı, I B ve I C 'nin toplamı olur. Her zaman geçerli kural : I E = I B + I C 19

20 Sonuçta; I B akımı giriş akımı, I C akımı da çıkış akımı olarak değerlendirilirse, I B gibi küçük değerli bir akımdan, I C gibi büyük değerli bir akıma ulaşılmaktadır. Bu olay "Transistörün akım yükselteci olarak çalıştığını göstermektedir. Şekildeki gibi emitteri ortak bağlantıda akım kazancı formülü : β = I C / I B 'dır. I B ve I C akımları değişse de, β(beta) akım kazancı sabit kalmaktadır. Çünkü, şekle göre; V BE gerilimi büyütüldüğünde; iki aşamalı şu gelişmeler olmaktadır : 1. Emiter-Beyz diyotu daha büyük bir gerilim ile polarılmıştır. Daha çok elektron harekete geçer. Bu elektronların, Beyz girişi üzerinden devre tamamlayan miktarı da artar. I B akımı büyür. 2. Diğer taraftan, büyük hareketlilik kazanan emitter elektronları, mevcut olan V CE çekme kuvveti etkisiyle beyz'i daha çok sayıda geçerek kollektöre ulaşır. Böylece daha büyük I C akımı oluşur. I B ve I C deki artış aynı oranda olmaktadır. Böylece, β = I C / I B değeri sabit kalmaktadır. V BE küçültüldüğünde de I B ve I C aynı oranda küçülür ve β yine sabit kalır. Yani, gerek I B, gerek I C akımının büyüyüp küçülmesinde yalnızca V BE giriş gerilimi etkindir. V CE gerilimi büyütüldüğünde, akan elektron miktarında, yani I C akımında, önemli bir artış olmaz. Çünkü V CE gerilimi, esas olarak, V BE geriliminin emitterde hareketlendirdiği elektronları çeker. Emitterde ne kadar çok elektron hareketlenmişse, V CE 'de o kadar çok elektron çeker. Bunlara kollektördeki belirli sayıdaki elektronlarda eklenir. Ancak, kollektörde daha az katkı maddesi kullanıldığından elektron sayısı daha azdır. Bunlarda I C akımını fazla etkilemez. V CE belirli bir değeri geçerse, Beyz-kollektör diyotu delinir ve transistor yanar. Bu tip yükselteçlerin üç bağlantı şekli vardır. Burada emitteri ortak bağlantı örnek verilmiştir. Gerçekte bağlantı şekilleri şöyledir : 1. Emitteri ortak bağlantı 2. Beyzi ortak bağlantı 3. Kollektörü ortak bağlantı Akım kazancı : β = I C / I B α = I C / I E γ = I E / I B Şekil

21 Her üç bağlantı şeklinde de akımlar arası şu bağıntı vardır : I E = I B + I C Bu bağıntı ve akım kazancı bağıntılarından yararlanarak, akım kazançları; α, β ve γ birbirlerine dönüştürülür. α ve β nın birbiri cinsinden yazılması : 1 / α = I E / I C = ( I C + I B ) / I C = 1 + I B / I C = / β α = β / ( β + 1 ) β = α / ( 1 - α ) α ve γ nın birbiri cinsinden yazılması : α = I C / I E = ( I E - I B ) / I E = 1 - I B / I E = 1-1 / γ α = ( γ - 1 ) / γ γ = 1 / ( 1 - α ) γ ve β nın birbiri cinsinden yazılması : β = I C / I B = ( I E - I B ) / I B = I E / I B - 1 = γ - 1 β = γ - 1 γ = β Dört Bölge Karakteristiği DC de yüksüz olarak çalıştırılan transistorun giriş ve çıkış akımları ile gerilimleri arasındaki bağıntılara ait karakteristik eğrilerinden yararlanarak şu statik değerler hesaplanabilmektedir : 1. Giriş direnci 2. Çıkışdirenci 3. Akım kazancı 4. Giriş-çıkış gerilim (zıt reaksiyon) bağıntısı Bunlar transistorun yapısıyla ilgili karakteristik değerlerdir. Dört bölge karakteristiği, transistor çıkışında yük direnci yokken çıkarıldığından bun eğrilere kısa devre karakteristikleri de denir. Emiteri ortak yükseltece ait dört bölge karakteristik eğrisi, şu bölgelerden oluşmaktadır : 1. Bölge Karakteristik Eğrisi (V CE -I C ) : V CE çıkış gerilimindeki değişime göre, I C çıkış akımındaki değişimi gösterir. R C = V CE / I C bağıntısı ile çıkış direncini belirler. 2. Bölge Karakteristik Eğrisi (I B -I C ) : I B giriş akımındaki değişime göre, I C çıkış akımındaki değişimi gösterir. β = I C / I B bağıntısı ile akım kazancını belirler. 3. Bölge Karakteristik Eğrisi (V BE -I B ) : V BE giriş gerilimindeki değişime göre, I B giriş akımındaki değişimi gösterir. R g = V BE / I B bağıntısı ile giriş direncini belirler. 21

22 4. Bölge Karakteristik Eğrisi (V BE -V CE ) : "V BE - V CE " bağıntısı V BE giriş gerilimindeki değişime göre, V CE çıkış gerilimindeki değişim miktarını gösterir. Bu değişim, gerilim transfer oranı olarak tanımlanır. Şekil 20. Bu esnada, kararlı çalışma çok önemlidir. Buna stabilize de denir. Bir transistorun çalışma noktasının stabilize edilmesi, verimi arttırır. Yani, transistorun girişine ve çıkışına uygulanan polarma gerilimi ve akımın çalışma süresince aynı kalması için gerekli önlemlerin alınması gerekir. Daha kısa bir söylemle, transistorun kararlı çalışmasının sağlanması gerekir. Her transistorun bir yük doğrusu ve Q çalışma noktası vardır. Bu Q noktasının çalışma sırasında değişmemesi gerekir. Stabil çalışmayı zorlaştıran iki etken vardır. Bunlar : 1. Isınan transistorun I C kollektör akımının artması, 2. Bir devredeki transistor yerine başka bir transistor kullanılması halinde, akım kazancı farklı olursa, devre aynı devre olduğu halde çıkış akımı değişeceğinden stabilite bozulacaktır. Isınınca I C akımının anormal artmasını önlemek için : Emitteri ortak bağlantıda, şekildeki gibi I C akımı artınca R C direnci üzerindeki gerilim düşümü artacağından, B noktasındaki gerilim küçülecektir. Dolayısıyla I B akımı küçülür. I C = β I B bağıntısından, I C küçülecek ve denge sağlanacaktır. Şekil

23 D. SESİN ELEKTRİĞE ÇEVİRİLMESİ VE MİKROFONLAR Bütün mikrofonların yapıları, ses dalgalarının bir diyaframı titreştirmesi esasına dayanmaktadır. Her sesin belirli bir şiddeti vardır. Bu ses şiddetinin havada yarattığı basınç ses şiddeti ile orantılıdır. Gelen hava basıncının büyüklük ve küçüklüğüne göre ileri-geri titreşen diyaframın bu titreşimini, elektrik enerjisine çevirmek için değişik yöntemler kullanılmaktadır. Kullanılan yöntemlere göre de mikrofona ad verilmektedir. Başlıca Mikrofonlar : i. Dinamik mikrofonlar ii. Şeritli mikrofonlar iii. Kapasitif mikrofonlar iv. Karbon mikrofonlar v. Kristal mikrofonlar vi. Elektret mikrofonlar vii. Telsiz mikrofonlar 1. DİNAMİK MİKROFONLAR Dinamik mikrofonlar en çok kullanılan mikrofon türüdür. Şu özelliklere sahiplerdir : Sağlam yapılı, küçük, hafif ve oldukça iyi sayılabilecek bir frekans karakteristiğine sahiplerdir. ( Hz). Maliyeti de düşüktür. Çalışması için ayrıca bir gerilim kaynağına ihtiyaç duymadığından oldukça geniş bir kullanım alanı vardır. Güçlü çıkış verir. Güçlü çıkışına rağmen sadakati (fidelity), yani ses frekansını takibi o kadar iyi değildir. Şu bölümlerden oluşmaktadır : Diyafram, diyaframa bağlı hareketli bobin, Bobinin içerisinde hareket ettiği sabit mıknatıs, empedans uygunluğu sağlayan küçük bir transformatör (Bazı dinamik mikrofonlarda bulunur). Şekil 22. Ses dalgalarıyla titreşen diyafram, bağlı bulunduğu bobini, sabit mıknatıs içerisinde ileri-geri hareket ettirir. Sabit mıknatısın kutupları arasında φ manyetik fluks'u (manyetik alan hatları) vardır. Bobin iletkenleri hareket sırasında bu manyetik alan hatlarını kesmektedir. Lenz kanununa göre, bir manyetik alan içerisinde "V" hızıyla hareket eden "I" boyundaki bir iletkenin uçları arasında E = I / V değerinde bir gerilim oluşur. Bu kurala uygun olarak sürekli ileri-geri titreşim halinde bulunan bobinde de ses frekansına uygun olarak değişen bir gerilim (AFAC - Audio 23

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI KONDANSATÖR Kondansatör iki iletken plaka arasına bir yalıtkan malzeme konarak elde edilen ve elektrik enerjisini elektrostatik enerji olarak depolamaya

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Ses Sensörleri (Ultrasonik) Ultrasonik sensörler genellikle robotlarda engellerden kaçmak, navigasyon ve bulunan yerin haritasını çıkarmak amacıyla kullanılmaktadır.bu

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK BÖLÜM 5 DİYOT ÇEŞİTLERİ 1) KRİSTAL DİYOT 2) ZENER DİYOT 3) TÜNEL DİYOT 4) IŞIK YAYAN DİYOT (LED) 5) FOTO DİYOT 6) AYARLANABİLİR KAPASİTELİ DİYOT (VARAKTÖR - VARİKAP) DİĞER DİYOTLAR 1) MİKRODALGA DİYOTLARI

Detaylı

İstanbul Teknik Üniversitesi IEEE Öğrenci Kolu

İstanbul Teknik Üniversitesi IEEE Öğrenci Kolu Direnç Dirençler elektronik devrelerin vazgeçilmez elemanlarıdır. Yaptıkları iş ise devre içinde kullanılan diğer aktif elemanlara uygun gerilimi temin etmektir. Elektronik devreler sabit bir gerilim ile

Detaylı

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon

Detaylı

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net Yük Elektriksel yük maddelerin temel özelliklerinden biridir. Elektriksel yükün iki temel

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap) Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir

Detaylı

TEMEL ELEKTRONĠK DERSĠ

TEMEL ELEKTRONĠK DERSĠ TEMEL ELEKTRONĠK DERSĠ ÖĞRETMEYE YÖNELĠK TEST SORU BANKASI HAZIRLAYAN: Öğr.Gör.Aykut Fatih GÜEN 1 ÜNĠTE 1 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONĠK) DĠRENÇ SORULARI Aşağıdakilerden hangisi, pasif devre elemanlarının

Detaylı

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır.

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. BÖLÜM 2 KONDANSATÖRLER Önbilgiler: Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. Yapısı: Kondansatör şekil 1.6' da görüldüğü gibi, iki iletken plaka arasına yalıtkan bir maddenin

Detaylı

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir. TEMEL ELEKTRONİK Elektronik: Maddelerde bulunan atomların son yörüngelerinde dolaşan eksi yüklü elektronların hareketleriyle çeşitli işlemleri yapma bilimine elektronik adı verilir. KISA ATOM BİLGİSİ Maddenin

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

ALGILAYICILAR (SENSÖRLER-TRANSDÜSERLER)

ALGILAYICILAR (SENSÖRLER-TRANSDÜSERLER) ALGILAYICILAR (SENSÖRLER-TRANSDÜSERLER) SENSÖRLER-TRANSDÜSERLER Fiziksel ortam değişikliklerini (ısı, ışık, basınç, ses, vb.) algılayan cihazlara algılayıcılar denir. Algılayıcılar, fiziksel ortam ile

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

SICAKLIK ALGILAYICILAR

SICAKLIK ALGILAYICILAR SICAKLIK ALGILAYICILAR AVANTAJLARI Kendisi güç üretir Oldukça kararlı çıkış Yüksek çıkış Doğrusal çıkış verir Basit yapıda Doğru çıkış verir Hızlı Yüksek çıkış Sağlam Termokupldan (ısıl İki hatlı direnç

Detaylı

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Diyotu tanımlayınız. Diyot bir yönde akım geçiren, diğer yönde akım geçirmeyen elektronik devre elemanıdır. Diyotlarda anot ve katodu tanımlayınız. Diyot

Detaylı

Dirençler. 08 Aralık 2015 Salı 1

Dirençler. 08 Aralık 2015 Salı 1 Dirençler 08 Aralık 2015 Salı 1 Tanımı ve İşlevi Dirençler elektrik akımına zorluk gösteren elektronik devre elemanlarıdır. Direnç R harfi ile gösterilir, birimi ohmdur. Omega simgesi ile gösterilir (Ω).

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

Temel Kavramlar Doðru Akým (DA, DC, Direct Current) Dinamo, akümülâtör, pil, güneþ pili gibi düzenekler tarafýndan

Temel Kavramlar Doðru Akým (DA, DC, Direct Current) Dinamo, akümülâtör, pil, güneþ pili gibi düzenekler tarafýndan Bölüm 8: Güç Kaynaðý Yapýmý A. Doðrultmaç (Redresör) Devre Uygulamalarý Elektronik devrelerin bir çoðunun çalýþmasý için tek yönlü olarak dolaþan (DC) akýma gerek vardýr. Bu bölümde doðru akým üreten devreler

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

ÖLÇÜ TRANSFORMATÖRLERİ

ÖLÇÜ TRANSFORMATÖRLERİ 1 ÖLÇÜ TRANSFORMATÖRLERİ Normalde voltmetrelerle en fazla 1000V a kadar gerilimler ölçülebilir. Daha yüksek gerilimlerde; Voltmetrenin çekeceği güç artar. Yüksek gerilimden kaynaklanan kaçak akımların

Detaylı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO: DENEY GRUP NO:

Detaylı

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER ALTERNATİF AKIM DEVRELERİ A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER Alternatif akım devrelerinde akımın geçişine karşı üç çeşit direnç (zorluk) gösterilir. Devre elamanları dediğimiz bu dirençler: () R omik

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot ElektronikI Laboratuvarı 1. Deney Raporu AdıSoyadı: İmza: Grup No: 1 Diyot Diyot,Silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken malzemelerden yapılmış olan aktif devre elemanıdır. İki adet bağlantı ucu vardır.

Detaylı

TEMEL BİLGİLER. İletken : Elektrik yüklerinin oldukça serbest hareket ettikleri maddelerdir. Örnek olarak bakır, gümüş ve alüminyum verilebilir.

TEMEL BİLGİLER. İletken : Elektrik yüklerinin oldukça serbest hareket ettikleri maddelerdir. Örnek olarak bakır, gümüş ve alüminyum verilebilir. TEMEL BİLGİLER İletken : Elektrik yüklerinin oldukça serbest hareket ettikleri maddelerdir. Örnek olarak bakır, gümüş ve alüminyum verilebilir. Yalıtkan : Elektrik yüklerinin kolayca taşınamadığı ortamlardır.

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Işığı Takip Eden Kafa 2 Nolu Proje

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Işığı Takip Eden Kafa 2 Nolu Proje YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ Işığı Takip Eden Kafa 2 Nolu Proje Proje Raporu Hakan Altuntaş 11066137 16.01.2013 İstanbul

Detaylı

TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET

TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET EBE-211, Ö.F.BAY 1 Temel Elektriksel Nicelikler Temel Nicelikler: Akım,Gerilim ve Güç Akım (I): Eletrik yükünün zamanla değişim oranıdır.

Detaylı

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır? 1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL İçerik Algılama Teknolojisi Algılama Mekanizması Uygun Sensör SENSÖR SİSTEMİ Ölçme ve Kontrol Sistemi Transdüser ve Sensör Kavramı Günlük hayatımızda ısı, ışık, basınç

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

Elektrik akımı ve etkileri Elektrik alanı ve etkileri Manyetik alan ve etkileri

Elektrik akımı ve etkileri Elektrik alanı ve etkileri Manyetik alan ve etkileri Elektrik akımı ve etkileri Elektrik alanı ve etkileri Manyetik alan ve etkileri 1 Elektrotekniğin Pozitif Tarafları Elektrik enerjisi olmadan modern endüstri düşünülemez! Hidrolik ve pnömatik mekanizmaların

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel

Detaylı

ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ

ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ DENEY 1 ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ 1.1. Genel Bilgi MV 1424 Hat Modeli 40 kv lık nominal bir gerilim ve 350A lik nominal bir akım için tasarlanmış 40 km uzunluğundaki

Detaylı

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır? 1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan

Detaylı

DA DEVRE. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI

DA DEVRE. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI DA DEVRE Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI BÖLÜM 1 Temel Kavramlar Temel Konular Akım, Gerilim ve Yük Direnç Ohm Yasası, Güç ve Enerji Dirençsel Devreler Devre Çözümleme ve Kuramlar

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 1. Deneyin Amacı Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI CDS (Kadmiyum

Detaylı

2. HAFTA BLM223 DEVRE ANALİZİ. Yrd. Doç Dr. Can Bülent FİDAN. hdemirel@karabuk.edu.tr

2. HAFTA BLM223 DEVRE ANALİZİ. Yrd. Doç Dr. Can Bülent FİDAN. hdemirel@karabuk.edu.tr 2. HAFTA BLM223 Yrd. Doç Dr. Can Bülent FİDAN hdemirel@karabuk.edu.tr Karabük Üniversitesi Uzaktan Eğitim Uygulama ve Araştırma Merkezi 2 2. AKIM, GERİLİM E DİRENÇ 2.1. ATOM 2.2. AKIM 2.3. ELEKTRİK YÜKÜ

Detaylı

Elektrik Mühendisliğinin Temelleri-I EEM 113

Elektrik Mühendisliğinin Temelleri-I EEM 113 Elektrik Mühendisliğinin Temelleri-I EEM 113 1 1 Terim Terimler, Birimleri ve Sembolleri Formülsel Sembolü Birimi Birim Sembolü Zaman t Saniye s Alan A Metrekare m 2 Uzunluk l Metre m Kuvvet F Newton N

Detaylı

Temel Kavramlar. Elektrik Nedir? Elektrik nedir? Elektrikler geldi, gitti, çarpıldım derken neyi kastederiz?

Temel Kavramlar. Elektrik Nedir? Elektrik nedir? Elektrikler geldi, gitti, çarpıldım derken neyi kastederiz? Temel Kavramlar Elektrik Nedir? Elektrik nedir? Elektrikler geldi, gitti, çarpıldım derken neyi kastederiz? 1 Elektriksel Yük Elektrik yükü bu dış yörüngede dolanan elektron sayısının çekirdekteki proton

Detaylı

1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır?

1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır? 1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır? a) Yüzde 10 b) Yüzde 5 c) Yüzde 1 d) Yüzde 20 3. Direnç

Detaylı

T.C. MİLLÎ EĞİTİM BAKANLIĞI YENİLİK VE EĞİTİM TEKNOLOJİLERİ GENEL MÜDÜRLÜĞÜ. Sınav Hizmetleri Daire Başkanlığı

T.C. MİLLÎ EĞİTİM BAKANLIĞI YENİLİK VE EĞİTİM TEKNOLOJİLERİ GENEL MÜDÜRLÜĞÜ. Sınav Hizmetleri Daire Başkanlığı T.C. MİLLÎ EĞİTİM BKNLIĞI YENİLİK VE EĞİTİM TEKNOLOJİLERİ GENEL MÜDÜRLÜĞÜ Sınav Hizmetleri Daire Başkanlığı KİTPÇIK TÜRÜ İÇİŞLERİ BKNLIĞI PERSONELİNE YÖNELİK UNVN DEĞİŞİKLİĞİ SINVI 17. GRUP: ELEKTRİK ELEKTRONİK

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER Dielektrik malzemeler; serbest elektron yoktur, yalıtkan malzemelerdir, uygulanan elektriksel alandan etkilenebilirler. 1 2 Dielektrik malzemeler Elektriksel alan

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir.

2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir. Tristörlü Redresörler ( Doğrultmaçlar ) : Alternatif akımı doğru akıma çeviren sistemlere redresör denir. Redresörler sanayi için gerekli olan DC gerilimin elde edilmesini sağlar. Büyük akım ve gerilimlerin

Detaylı

28.02.2012 ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

28.02.2012 ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI Transistör 20. yüzyılın en büyük buluşlarından biri olduğu düşülmektedir. İnsanlığın aya gitmesi, giderek daha küçük ve daha etkili bilgisyarların yapılması, kulak içi işitme

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

AKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER

AKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER YARI İLETKENLER Doğada bulunan atamlar elektriği iletip-iletmeme durumuna görene iletken, yalıtkan ve yarı iletken olarak 3 e ayrılırlar. İletken maddelere örnek olarak demir, bakır, altın yalıtkan maddeler

Detaylı

Analog Elektronik. Öğr.Gör. Emre ÖZER

Analog Elektronik. Öğr.Gör. Emre ÖZER Analog Elektronik Öğr.Gör. Emre ÖZER Analog Devre Elemanları Dirençler Dirençler elektrik akımına zorluk gösteren elektronik devre elemanlarıdır. Alman bilim adamı Ohm tarafından 1827 yılında bulunmuştur.

Detaylı

2. Bölüm: Diyot Uygulamaları. Doç. Dr. Ersan KABALCI

2. Bölüm: Diyot Uygulamaları. Doç. Dr. Ersan KABALCI 2. Bölüm: Diyot Uygulamaları Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 Yük Eğrisi Yük eğrisi, herhangi bir devrede diyot uygulanan bütün gerilimler (V D ) için muhtemel akım (I D ) durumlarını gösterir. E/R maksimum I

Detaylı

Bir bobinin omik direnci ile endüktif reaktansının birlikte gösterdikleri ortak etkiye empedans denir,

Bir bobinin omik direnci ile endüktif reaktansının birlikte gösterdikleri ortak etkiye empedans denir, 9.KISIM BOBİNLER Dış ısıya dayanıklı yalıtkan malzeme ile izole edilmiş Cu veya Al dan oluşan ve halkalar halinde sarılan elemana bobin denir. Bir bobinin alternatif akımdaki direnci ile doğru akımdaki

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

Bu Haftanın Konu Başlıkları

Bu Haftanın Konu Başlıkları Sensörler-2 Kuvvet, Gerilme, Sıcaklık, Akış sensörleri... (devamı) Sensörlerin sınıflandırılması Giriş sinyaline göre Çıkış sinyaline göre Beslenme ihtiyacına göre Sensör karakteristikleri Ölçüm aralığı

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

Alternatif Akım Devre Analizi

Alternatif Akım Devre Analizi Alternatif Akım Devre Analizi Öğr.Gör. Emre ÖZER Alternatif Akımın Tanımı Zamaniçerisindeyönüveşiddeti belli bir düzen içerisinde (periyodik) değişen akıma alternatif akımdenir. En bilinen alternatif akım

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI

DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI DENEY NO: DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI Bu deneyde direnç elamanını tanıtılması,board üzerinde devre kurmayı öğrenilmesi, avometre yardımıyla direnç, dc gerilim ve dc akım

Detaylı

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

KONUM ALGILAMA YÖNTEMLERİ VE KONTROLÜ

KONUM ALGILAMA YÖNTEMLERİ VE KONTROLÜ KONUM ALGILAMA YÖNTEMLERİ VE KONTROLÜ 1. AMAÇ: Endüstride kullanılan direnç, kapasite ve indüktans tipi konum (yerdeğiştirme) algılama transdüserlerinin temel ilkelerini açıklayıp kapalı döngü denetim

Detaylı

ÜNİTE 5 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 5 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 5 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRAFO SORULARI Transformatörün üç ana fonksiyonundan aşağıdakilerden hangisi yanlıştır? a) Gerilimi veya akımı düşürmek ya da yükseltmek b) Empedans uygulaştırmak

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 4: Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri Fotovoltaik Hücre Fotovoltaik Etki Yarıiletken Fiziğin Temelleri Atomik Yapı Enerji Bandı Diyagramı Kristal Yapı Elektron-Boşluk Çiftleri

Detaylı

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ Sakarya Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü M6/6318 Bölümün tanıtılması Elektrik Elektronik Mühendisliğinin tanıtılması Mühendislik Etiği Birim Sistemleri Doğru ve

Detaylı

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı

Detaylı

2: MALZEME ÖZELLİKLERİ

2: MALZEME ÖZELLİKLERİ İÇİNDEKİLER Önsöz III Bölüm 1: TEMEL KAVRAMLAR 11 1.1.Mekanik, Tanımlar 12 1.1.1.Madde ve Özellikleri 12 1.2.Sayılar, Çevirmeler 13 1.2.1.Üslü Sayılarla İşlemler 13 1.2.2.Köklü Sayılarla İşlemler 16 1.2.3.İkinci

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Bu bölüm, çeşitli şekillerde birbirlerine bağlanmış bataryalar, dirençlerden oluşan bazı basit devrelerin incelenmesi ile ilgilidir. Bu tür

Detaylı

Bölüm 7. Manyetik Alan ve. Manyetik Kuvvet. Copyright 2008 Pearson Education Inc., publishing as Pearson Addison-Wesley

Bölüm 7. Manyetik Alan ve. Manyetik Kuvvet. Copyright 2008 Pearson Education Inc., publishing as Pearson Addison-Wesley Bölüm 7 Manyetik Alan ve Manyetik Kuvvet Hedef Öğretiler Manyetik Kuvvet Manyetik Alan ve Manyetik Akı Manyetik Alanda Yüklerin hareketi Yarıiletkenlerde Manyetik Kuvvet hesabı Manyetik Tork Elektrik Motor

Detaylı

BASINÇ (GERİLME) TRANSDÜSERLERİ

BASINÇ (GERİLME) TRANSDÜSERLERİ BASINÇ (GERİLME) TRANSDÜSERLERİ Tanımı Üzerlerine düşen basınçla orantılı olarak fiziki yapılarında meydana gelen değişimden dolayı basınç seviyesini ya da basınç değişimi seviyesini elektriksel işarete

Detaylı

Soru 4) Bir gümüş nitrat eriyiğinden (Ag 3 ΝΟ ) saniyede 1,118 miligram gümüş ayıran şiddete ne ad verilir. a) 1 Ohm b) 1 Volt c) 1 Amper d) 1 Watt

Soru 4) Bir gümüş nitrat eriyiğinden (Ag 3 ΝΟ ) saniyede 1,118 miligram gümüş ayıran şiddete ne ad verilir. a) 1 Ohm b) 1 Volt c) 1 Amper d) 1 Watt Soru 1) Kısa devreli rotor (Sincap kafesli rotor), hangi motor türünde kullanılır. a) Doğru akım motoru b) Adım Motoru c) Senkron Motor d) Asenkron Motor Soru 4) Bir gümüş nitrat eriyiğinden (Ag 3 ΝΟ )

Detaylı

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ Dr. Cemile BARDAK Ders Gün ve Saatleri: Çarşamba (09:55-12.30) Ofis Gün ve Saatleri: Pazartesi / Çarşamba (13:00-14:00) 1 TEMEL KAVRAMLAR Bir atom, proton (+), elektron (-) ve

Detaylı

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Proje Adı Proje No

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Proje Adı Proje No YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ Proje Adı Proje No Işık İzleyen Araba Projesi Proje No 2 Proje Raporu Adı, Soyadı, Öğrenci

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

3. HAFTA BLM223 DEVRE ANALİZİ. Yrd. Doç Dr. Can Bülent FİDAN. hdemirel@karabuk.edu.tr

3. HAFTA BLM223 DEVRE ANALİZİ. Yrd. Doç Dr. Can Bülent FİDAN. hdemirel@karabuk.edu.tr 3. HAFTA BLM223 Yrd. Doç Dr. Can Bülent FİDAN hdemirel@karabuk.edu.tr Karabük Üniversitesi Uzaktan Eğitim Uygulama ve Araştırma Merkezi 2 3. OHM KANUNU, ENEJİ VE GÜÇ 3.1. OHM KANUNU 3.2. ENEJİ VE GÜÇ 3.3.

Detaylı

Temel Elektronik. Yarı İletkenli Elektronik Devre Elemanları

Temel Elektronik. Yarı İletkenli Elektronik Devre Elemanları Temel Elektronik Yarı İletkenli Elektronik Devre Elemanları 1. Diyot a. Doğru Polarma b. Ters Polarma 2. Zener Diyot 3. Tunel Diyot 4. Varikap Diyot 5. Şotki (Schottky) Diyot 6. Led Diyot 7. İnfraruj Led

Detaylı

Ders 3- Direnç Devreleri I

Ders 3- Direnç Devreleri I Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

Akımı sınırlamaya yarayan devre elemanlarına direnç denir.

Akımı sınırlamaya yarayan devre elemanlarına direnç denir. Akımı sınırlamaya yarayan devre elemanlarına direnç denir. Gösterimi: Birimi: Ohm Birim Gösterimi: Ω (Omega) Katları: 1 Gigaohm = 1GΩ = 10 9 Ω 1 Megaohm = 1MΩ = 10 6 Ω 1 Kiloohm = 1kΩ = 10 3 Ω 1 ohm =

Detaylı

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ LABORATUARI

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ LABORATUARI SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ LABORATUARI DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI:

Detaylı

AŞIRI GERİLİMLERE KARŞI KORUMA

AŞIRI GERİLİMLERE KARŞI KORUMA n Aşırı akımlar : Kesici n Aşırı gerilimler: 1. Peterson bobini 2. Ark boynuzu ve parafudr 3. Koruma hattı 26.03.2012 Prof.Dr.Mukden UĞUR 1 n 1. Peterson bobini: Kaynak tarafı yıldız bağlı YG sistemlerinde

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Optik Sensörler Üzerine düşen ışığa bağlı olarak üstünden geçen akımı değiştiren elemanlara optik eleman denir. Optik transdüserler ışık miktarındaki değişmeleri elektriksel

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

Endüstriyel Sensörler ve Uygulama Alanları Kalite kontrol amaçlı ölçme sistemleri, üretim ve montaj hatlarında imalat sürecinin en önemli aşamalarındandır. Günümüz teknolojisi mükemmelliği ve üretimdeki

Detaylı

- Gerilme ve Gerinme ikinci dereceden tensörel büyüklüklerdir. (3 puan)

- Gerilme ve Gerinme ikinci dereceden tensörel büyüklüklerdir. (3 puan) MAK437 MT2-GERİLME ÖLÇÜM TEKNİKLERİ SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ I. öğretim II. öğretim A şubesi B şubesi ÖĞRENCİ ADI NO İMZA TARİH 30.11.2013 SORU/PUAN

Detaylı