ÖZETLER 19. YOĞUN MADDE FİZİĞİ ANKARA TOPLANTISI 20 ARALIK 2013 BİLKENT ÜNİVERSİTESİ MİTHAT ÇORUH AMFİ

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "ÖZETLER 19. YOĞUN MADDE FİZİĞİ ANKARA TOPLANTISI 20 ARALIK 2013 BİLKENT ÜNİVERSİTESİ MİTHAT ÇORUH AMFİ"

Transkript

1 19. YOĞUN MADDE FİZİĞİ ANKARA TOPLANTISI ÖZETLER 20 ARALIK 2013 BİLKENT ÜNİVERSİTESİ MİTHAT ÇORUH AMFİ FACEBOOK.COM/YMFANKARA

2 20 Aralık 2013 (Cuma) Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantıları Bilkent Üniversitesi, Mithat Çoruh Amfisi YMF-19 Program 08:30-09:00 Fuaye KAYIT 09:00-09:15 Açılış Başkan E. Duman (Ankara) Konuşmacılar, lütfen önceden konuşmanızı yükleyiniz 09:15-09:40 S1 M. Işkın (Koç) Spin-yörünge etkileşimli fermiyonik gazların süperakışkan özellikleri 09:40-10:05 S2 İ. Dinçer (Ankara) Film kalınlığının ve kompozisyonun epitaksiyel Ni-Mn-Sn ince filmlerinin martensitik faz geçişleri ve manyetik özellikleri üzerine etkisi 10:05-10:30 S3 B. Tekin (ODTÜ) Anderson-Higgs mekanizması 10:30-11:00 Çay Arası (Fuaye) Posterlerin Görülmesi Başkan H. Toffoli (ODTÜ) Konuşmacılar, lütfen önceden konuşmanızı yükleyiniz 11:00-11:25 S4 S. Elagöz (Cumhuriyet) MOCVD ile epitaksiyel kristal büyütme teknikleri 11:25-11:50 S5 F. Ö. İlday (Bilkent) Kendiliğinden organize, lazer güdümlü nanoyapılandırma: doğrusal olmayan fotonik sistemlerin yönetimi 11:50-12:15 S6 E. Taşçı (ODTÜ) Grup teorisinin yapısal faz geçişlerine uygulanması: PZT örneği 12:15-12:30 S7 T. Zerrin (Hacettepe) Çalışma basıncının DC magnetron kopartma tekniği ile hazırlanan elmas benzeri karbon ince filmlerin optik özellikleri üzerindeki etkisi 12:30-14:00 Öğle Arası Posterlerin Görülmesi Başkan Ş. Çetin (Gazi) Konuşmacılar, lütfen önceden konuşmanızı yükleyiniz 14:00-14:25 S8 A. Erol (İstanbul) Bant aralığı mühendisliğinde yeni bir açılım: uyumsuz yarıiletken alaşımlar 14:25-14:50 S9 İ. Adagideli (Sabancı) Düzensiz nanotellerde Majorana fermionları 14:50-15:15 S10 M. Z. Baykara (Bilkent) Sürtünmenin atomik temellerinin peşinde: antimon nanoparçacıklar vasıtasıyla nano boyutta sürtünme çalışmaları 15:15-16:00 Çay Arası (Fuaye) Posterlerin Görülmesi Başkan A. Ceylan (Hacettepe) Konuşmacılar, lütfen önceden konuşmanızı yükleyiniz 16:00-16:25 S12 O. Gürlü (İTÜ) Grafen'in farklı yüzeylerde taramalı uç mikroskopi teknikleri ile incelenmesi: Ne görüyoruz? 16:25-16:50 S13 B. Lişesivdin (Gazi) SiC üzerine büyütülen grafen yapılarda elektriksel iletim kanallarının ayrıştırılıp incelenmesi 16:50-17:15 S14 H. Sevinçli (İYTE) Grafen tabanlı sistemlerde termal ve termoelektrik özellikler 17:15-17:30 S15 E. O. Polat (Bilkent) Grafen süperkapasitör tabanlı geniş bant optik modulatörler Güncelleme: 10 Aralık 2013

3 Teşekkür Bir günlük etkinlik olmasına karşın 30 yıl kadar öncesine giden bu geleneğimizi aynı düzeyde devam ettirebilmek adına aldığımız değerli yardımlar için nacizane teşekkürlerimizi ifade etmek istiyoruz. Bilkent Üniversitesi Fizik Bölümündeki genç meslektaşlarımızın önemli katkılarını öncelikle belirtmemiz gerekir; bilhassa toplantının afiş, web sayfası/facebook hesaplarını yöneten Ertuğrul Karademir ve özet kitapçığının düzelti ve redaksiyonunu yapan F. Nur Ünal'a özverili çalışmaları için teşekkürlerimiz iletiyoruz. Toplantının kayıt ücretsiz kalmasını sağlayan Bilkent Üniversitesi Fizik Bölüm Başkanı Prof. Dr. Atilla Erçelebi, logoları kapakta yer alan hepsi meslektaşımız olan sponsor firmalarımıza, ve ayrıca özet kitapçığının basımını her yıl olduğu gibi bu yıl da üstlenen sayın Mehmet Türken'e maddi desteklerinden dolayı teşekkür ederiz. En son olarak, kısa duyuru süresine karşın toplantıya ilgi gösterip 85 sunumla toplantının bilimsel derinliğini oluşturan yoğun madde fiziği camiamıza şükranlarımızı sunuyoruz. YMF Düzenleme Kurulu Ceyhun Bulutay (Bilkent Üniversitesi) Abdullah Ceylan (Hacettepe Üniversitesi) Mehmet Çakmak (Gazi Üniversitesi) S. Şebnem Çetin (Gazi Üniversitesi) İlker Dinçer (Ankara Üniversitesi) Eyüp Duman (Ankara Üniversitesi) Yalçın Elerman (Ankara Üniversitesi) Recai Ellialtıoğlu (Hacettepe Üniversitesi) Şinasi Ellialtıoğlu (TED Üniversitesi) Tezer Fırat (Hacettepe Üniversitesi) Oğuz Gülseren (Bilkent Üniversitesi) Bekir Sıtkı Kandemir (Ankara Üniversitesi) Süleyman Özçelik (Gazi Üniversitesi) Mehmet Parlak (Orta Doğu Teknik Üniversitesi) Hande Toffoli (Orta Doğu Teknik Üniversitesi)

4 Yoğun Madde Fiziği, Ankara Toplantıları Geçmiş Toplantılar YMF 1 Katıhal Fiziği Toplantısı Hacettepe Üniversitesi 7 Şubat 1984 YMF 2 II. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri Bilkent Üniversitesi 1992 YMF 3 III. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri Ankara Üniversitesi 1993 YMF 4 IV Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri Hacettepe Üniversitesi 30 Kasım 1994 YMF 5 Yoğun Madde Fiziği - Ankara Orta Doğu Teknik Seminerleri V Üniversitesi 7 Mart 1997 YMF 6 Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri VI Gazi Üniversitesi 28 Kasım 1997 YMF 7 Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri VII Bilkent Üniversitesi 30 Kasım 1998 YMF 8 8. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Bilkent Üniversitesi 9 Kasım 2001 YMF 9 9. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Bilkent Üniversitesi 20 Aralık 2002 YMF Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Hacettepe Üniversitesi 14 Kasım 2003 YMF Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Gazi Üniversitesi 3 Aralık 2004 YMF Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Ankara Üniversitesi 18 Kasım 2005 YMF Yoğun Madde Fiziği - Orta Doğu Teknik Ankara Toplantısı Üniversitesi 3 Kasım 2006 YMF Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Hacettepe Üniversitesi 2 Kasım 2007 YMF Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Bilkent Üniversitesi 7 Kasım 2008 YMF Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Gazi Üniversitesi 6 Kasım 2009 YMF Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Ankara Üniversitesi 5 Kasım 2010 YMF Yoğun Madde Fiziği - Orta Doğu Teknik Ankara Toplantısı Üniversitesi 25 Kasım 2011 YMF Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Bilkent Üniversitesi 20 Aralık 2013

5

6 SÖZLÜ SUNUMLAR

7 Spin-yörünge Etkileşimli Fermiyonik Gazların Süperakışkan Özellikleri Menderes Işkın 1 1 Koç Üniversitesi, Fizik Bölümü, İstanbul Soğuk atom gazları alanındaki çalışmalar 1995 yılında Bose-Einstein yoğuşmasının gözlemlenmesinden sonra hızlı bir biçimde gelişim kat etmiştir. Bu sistemlerin en önemli özellikleri deneylerin kuramsal olarak kolay ve basit bir şekilde modellenebilmesi ve modellemelerdeki parametrelerin de deneylerde kolaylıkla değiştirilebilmesidir. Örneğin, çalışılmak istenen fiziksel olaya göre hem Bozonik hem de Fermiyonik kuvantum istatistiklerine uyan atomlar veya bunların karışımı kullanılabilir; atomların sayısı ayarlanabilir; atomlar nötr oldukları için arası etkileşimin şiddeti ve mesafesi azaltılıp artırılabilir ve bu etkileşimin çekici veya itici olması sağlanabilir; atomlar lazerlerle oluşturulan ve tüm özellikleri kontrol edilebilen optik örgülere aktarılabilir; bu örgüler kusursuz olup fonon (phonon) ya da yabancı madde (impurity) barındırmazlar; optik örgüler sayesinde atomlar iki ya da bir boyuta da indirgenebilir. Öte yandan katı-hal fiziğindeki birçok ilginç gözlem ya elektronlar elektrik veya manyetik alanlara yerleştirildiğinde ya da spin-yörünge etkileşimine sahip oldukları zaman ortaya çıkar. Yukarıda bahsi geçen bütün avantajlarına rağmen atomlar yüksüz yani nötr oldukları için elektronların sahip olduğu bu tip etkileşimler soğuk atom sistemlerinde doğal olarak yoktur. Fakat, son dört yılda geliştirilen yeni kuantum-optik teknikleri ile atom-ışık etkileşmeleri kullanılarak, yapay ayar alanlarının ve özellikle spin-yörünge etkileşiminin oluşturulması mümkün hale gelmiştir yılından bu yana yapılan deneylerde hem yapay tekdüze (uniform) ayar alanları, manyetik alanlar, elektrik alanlar hem de spin-yörünge etkileşimi önce Bozonik daha sonra da Fermiyonik atomlarla oluşturulabilmiştir. Kontrol edilebilir yapay ayar alanlarının oluşturulması soğuk atom fiziği alanında şu ana kadar gelinen en önemli aşama olmakla birlikte bilimin diğer alanlarına da yaygın etkisi olacağı kesindir. Örneğin, katı-hal sistemlerinde yaygın bir biçimde çalışılmış ve halen önemli bir konu olarak güncelliğini koruyan spin-yörünge etkileşmelerinin yakın zamanda keşfedilmiş en önemli sonuçlarından bir tanesi de teknolojik olarak büyük potansiyele sahip olduğu düşünülen ve topolojik yalıtkan olarak adlandırılan malzemelerdir. Bu malzemelerin en temel özelliklerinden bir tanesi iç kısımlarında (bulk) yalıtkan olmasına karşılık yüzey veya kenarlarında (surface or edge) iletken yani metalik olması ve bu özelliklerinin de topolojik olarak yerel bozukluklardan korunaklı olmasıdır. Bu konuşmamda spin-yörünge etkileşimine sahip atomik sistemler üzerine yaptığım çalışmalardan bahsedeceğim. S1

8 Film Kalınlığı ve Komposizyonun Epitaksiyel Ni-Mn-Sn İnce Filmlerinin Martensitik Faz Geçişleri ve Manyetik Özellikleri Üzerine Etkisi I. Dincer 1, E. Yüzüak 1,2, Y. Elerman 1, A. Auge 3, N. Teichert 3 and A. Hütten 3 1 Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler, Ankara 2 Nanoteknoloji Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, R.T.E. Üniversitesi, Rize 3 Department of Physics, Thin Films and Physics of Nanostructures, Bielefeld University, Bielefeld, Germany Ferromanyetik şekil hafıza alaşımları, sıcaklık, basınç veya manyetik alan uygulanarak kontrol edilebilen Martensitik faz geçişi gösteren alaşımlardır. Bu özellik, bu tür alaşımları aktuatörlerde ve manyetik soğutucularda kullanılabilir yapmaktadır. Gelecekteki mikro soğutma cihazları ve nanoelektromekanik sistemlerin yapılması için, ferromanyetik şekil hafıza alaşımları yani Ni-Mn-X (X:Ga, In, Sn, Sb) Heusler alaşımları çok önemli olacaktır. Bu yüzden manyetik şekil hafıza etkisi gösteren Heusler alaşımlarının ince filmlerinin detaylı olarak incelenmesi gerekmektedir. Yapılan çeşitli deneysel ve teorik çalışmalara göre Martensitik faz geçiş sıcaklığı tanecik boyutu ve film kalınlığının bir fonksiyonu şeklindedir. İnce filmler büyük yüzey-hacim oranına sahip olduğu için manyetik soğutucular için çok önemlidir. Bu bağlamda Ni-Mn-Sn Heusler alaşımlarının ince filmlerini incelenmesi bunların teknolojideki uygulanabilirliği için oldukça önemli bilgiler sağlayacaktır [1]. İki farklı kompozisyona sahip ve değişik kalınlıklardaki ( nm) Ni-Mn-Sn ince filmleri epitaksiyel olarak MgO(001) alttaş üzerine magnetronsputtering yöntemiyle elde edilmiştir. Bu ince filmlerin yapısal özellikleri ve kompozisyonları TEM, x-ışını kırınımı, x-ışını reflektometri ve x-ışını floresans ölçümleriyle belirlenmiştir. Elektriksel direnç ve manyetik özellikleri belirlemek için, K sıcaklık aralığında ölçümler yapılmıştır. Ayrıca bu ince filmlerin manyetik entropi değişim değerleri, ısıtma ve soğutma yönünde yapılan ölçümler ve Maxwell bağıntısı kullanılarak hesaplanmıştır. Maksimum manyetik entropi değişim değerleri H=1T için ısıtma yönünde 1.6 J.kg -1.K -1 ve soğutma yönünde 1.5 J.kg -1.K -1 olarak belirlenmiştir [2]. Elde edilen bu sonuçlar manyetokalorik malzemelerin ince filmlerinin, üstün özellikleri nedeniyle, manyetik soğutucularda kullanılabileceğini göstermiş ve mikro manyetik soğutucuların yapılmasının önünü açmıştır. Şekil nm kalınlığında Ni-Mn-Sn ince filmin TEM resmi Teşekkür: Bu çalışma TÜBİTAK (109T582) ve DLR (01DL12010-SuBuTu) tarafından desteklenmiştir. Kaynakça 1. N. Teichert, A. Auge, A. Hütten, E. Yüzüak, I. Dincer and Y. Elerman. Phys. Rev. B, Gönderildi. 2. E. Yüzüak, I. Dincer, Y. Elerman, N. Teichert, A. Auge and A. Hütten. Applied Phys. Let., 103 (2013) S2

9 Anderson-Higgs Mekanizması Bayram Tekin ODTÜ Fizik Bölümü, 06800, Ankara 2012 yılında Higgs parçacığının bulunması ile temel parçacıkların kütle kazanma mekanizmasının, 1964 yılında teorik olarak öngörüldüğü gibi, ayar simetrilerinin kırılması sonucunda olduğu deneysel olarak ispatlandı. Konuşmamızda önce Schwinger in, ardından Anderson un çalışmaları ile başlayan, Higgs, Englert, Brout, Guralnik, Hagen, Kibble gibi pek çok araştırmacının katkıları sonucunda olgunlaşan, ve süperiletkenlerden zayıf etkileşime kadar pek çok fiziksel süreçlerde rol oynayan, simetri kırılma mekanizmasını özetleyeceğiz. S3

10 MOCVD ile Epitaksiyel Kristal Büyütme Teknikleri Sezai ELAGÖZ 1,2,3 1 Cumhuriyet Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü, 58140, Sivas 2 Cumhuriyet Üniversitesi Nanoteknoloji Mühendisliği Bölümü, 58140, Sivas 3 Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Araştırma Merkezi, 58140, Sivas MOCVD organometalik ve hidrit kaynakların kullanımı ile epitaksiyel homo yada hetero kristal yapılar büyütülmesine olanak sağlayan (Şekil 1) bir kristal büyütme tekniğidir. Organometalik kimyasal buhar biriktirme anlamına gelen bu teknik MOCVD kısaltması dışında OMCVD, MOVPE, OMVPE vb. kısaltmalar ile de bilinmektedir. Bir diğer önemli teknik olan MBE (Moleküler Demet Depolama) sistemi ve bunların hibritleri (örneğin MOMBE, PA- MOCVD vb.) ile yapılan birçok kristal büyütme tekniği mevcuttur ve her birinin diğerlerine göre farklı üstünlükleri vardır. Ülkemizde yapılan epitaksiyel kristal büyütme çalışmaları yeni sayılabilir, Gazi Üniversitesinde kurulan ilk MBE sistemini ODTÜ, Eskişehir Anadolu ve Fatih Üniversitesinde kurulan MBE sistemleri takip etti. Aselsan a kurulan MBE sistemi ile de Türkiye de ilk defa bir sanayi kuruluşu MBE imkânına sahip oldu. Ancak, bu gelişmelere rağmen dünyadaki sayılara bakıldığında ülkemizde bulunan MBE sistemleri olması gereken seviyede değildir. MOCVD sistemleri açısından ise bu durum daha da kötüdür. Türkiye de şu anda iki MOCVD sistemi mevcuttur. Bu sayıların artması yapılacak çalışmaların çeşitlenmesine de imkân sağlayacaktır. Söz konusu sistemlerin fiyatları, işletiminde karşılaşılan güçlükler ve yetişmiş insan gücü eksikliği bu sayıların istenilen düzeyin altında olmasının önemli sebeplerindedir. Ga As Ga As Ga Ga As As Arsenik Galyum As Ga As As As Alttaş Tutmaç Hidrojen Karbon Şekil 1: MOCVD ile GaAs homo-epitaksi As Bu konuşmada; MOCVD ile kristal büyütme tekniği, Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Merkezi nde bulunan MOCVD sistemi ve yapılan III/V grubu As/P tabanlı (GaAs, In x Ga 1- xas, InP, ) ve N tabanlı (GaN, Al x Ga 1-x N, ) kristal büyütme çalışmaları anlatılacaktır. S4

11 Nonlinear Engineering in Photonics: Self-Organized Laser-Driven Nanostructure Formation F. Ömer İlday 1 1 Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06800, Ankara Structure and functionality arises in nature often through an interplay of nonlinear feedback mechanisms. While emergent phenomena is ubiquitous in nature, its intentional use in human technology is relatively rare. However, it is possible to exploit complex nonlinear dynamics to achieve superior technological functionalities, which may be difficult or even impossible to achieve with linear systems. Photonics is a particularly fertile platform to achieve this vision and known examples include mode-locking of lasers and a broad class of fractal optics, including self-similarity. In addition to fundamental interest in such phenomena, they often share important features with vastly different physical systems, including those that are notoriously difficult to experiment on. An excellent is example rouge waves in photonics, which shed light on rogue ocean waves. In this talk, I will demonstrate self-organised formation of metal-oxide nanostructures under femtosecond laser irradiation. Indeed, laser-induced formation of micro- and nano-scale surface structures is almost as old as the history of the laser, but this technique has suffered to date from a stubborn lack of long-range order. We have formulated an approach through which we demonstrate unprecedented levels of uniformity ( 1 nm) over indefinitely large areas (several-mm range) by simply scanning the laser beam over the surface. Robustness against perturbations and errors, which is often observed as intrinsic property of complex dynamical systems, emerges as a natural side benefit of this technique. S5

12 Grup Teorisinin Yapısal Faz Geçişlerine Uygulanması: PZT Örneği Emre S. Taşcı 1, Balazs Kocsis 2, J. Manuel Perez-Mato 3, Mois I. Aroyo 3, Gemma de la Flor 3 1 ODTÜ, Fizik Bölümü, 06800, Ankara 2 Ludwig-Maximilians Universität München, Crystallography Section, 80539, Münich / Almanya 3 Universidad del País Vasco, Departamento de Física de la Materia Condensada, 48080, Bilbao / İspanya Grup teorisinin, katı hal alanındaki en etkin araçlardan biri olmasına karşın, görünürdeki karmaşık kuralları yüzünden çoklukla ondan uzak durulmaktadır. Halbuki, günümüzdeki hesaplamalı simetri işlemleri [1-3] ile olası fazların sistematik ve otomatikleştirilmiş incelenmesi ve çıkarımları kolaylıkla yapılabilmektedir. gözlemlenmektedir. Bu bağıntılar hem faz diyagramındaki düzen parametresinin gelişimini saptamak için; hem de deneysel veya teorik olarak saptanmış yapıların olabilirliğinin etkili bir testi için kullanılabilir [6]. Bu konuşmada pseudo-simetri [4] ve simetri-modu analizi [5] gibi faz dönüşümlerine uygulanabilir bir demet grup teorik yaklaşım ele alınacaktır. Örnek malzeme olarak piezo ve pyro-elektrik özellikleri bilinen bir ferroelektrik, Kurşun Zirkonat Titanat (PZT / Pb (Zr 1-x Ti x )O 3 ) incelenecektir. PZT nin değişik fazlarına dair yayınlanmış birçok çalışmada tespit edilen yapılar sistematik simetri modu analizi ile incelenmektedir. Düzen parametresine karşılık gelen bozukluk (distortion) saptanmış ve her faz için kıyaslanabilir bir halde ifade edilmiştir. PZT de gözlemlenmekte olan fazların kaynağının 3 katlı yozlaşmış (dejenere) polar kararsız bir mod (Şekil 1a) ile, bazı durumlarda buna ek kararsız bir sekiz-yüzlü eğilme modu (Şekil 1b) olduğu ve bu modların farklı fazlar arasında yapısal bağıntı (correlation) kurduğu, mod parametreleştirmesi ile doğrudan Şekil 1: PZT nin faz dönüşümleriyle ilintili simetri modlarının etkisi: GM4- polar mod (a); R5- sekiz-yüzlü eğilme modu (b). Kaynakça 1. M. I. Aroyo, J. M. Perez-Mato, D. Orobengoa, E. Tasci, G. de la Flor, A. Kirov, Crystallography online: Bilbao Crystallographic Server, Bulg. Chem. Commun. 43(2) (2011). 2. M. I. Aroyo, J. M. Perez-Mato, C. Capillas, E. Kroumova, S. Ivantchev, G. Madariaga, A. Kirov, H. Wondratschek, Bilbao Crystallographic Server I: Databases and crystallographic computing programs, Z. Krist. 221, 1, (2006). 3. M. I. Aroyo, A. Kirov, C. Capillas, J. M. Perez-Mato, H. Wondratschek, Bilbao Crystallographic Server II: Representations of crystallographic point groups and space groups, Acta Cryst. A62, (2006). 4. C. Capillas, E.S. Tasci, G. de la Flor, D. Orobengoa, J.M. Perez-Mato, M.I. Aroyo, A new computer tool at the Bilbao Crystallographic Server to detect and characterize pseudosymmetry, Z. Krist. 226(2), (2011). 5. J. M. Perez-Mato, D. Orobengoa, M. I. Aroyo, Mode Crystallography of distorted structures, Acta. Cryst. A66, (2010). 6. B. Kocsis, J. M. Perez-Mato, E.S. Tasci, M. I. Aroyo, G. de la Flor, A survey of the structural models proposed for PbZr1-xTixO3 (PZT) using mode analysis (değerlendirilmek üzere dergiye gönderildi). S6

13 Geçirgenlik (%) Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Bilkent Üniversitesi, 20 Aralık 2013 Çalışma Basıncının DC Magnetron Kopartma Tekniği ile Hazırlanan Elmas Benzeri Karbon İnce Filmlerin Optik Özellikleri Üzerindeki Etkisi Taner Zerrin 1, Özlem Duyar Coşkun 1 1 Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü,06800, Ankara Elmas filmler istenilen elektriksel, optik ve mekanik özelliklerin kendine özgü kombinasyon-ları ve birçok uygulamaları nedeniyle ilgi çekmektedir [1]. Elmas benzeri karbon (DLC) olarak da bilinen amorf karbon (a-c) ve hidrojenlendirilmiş amorf karbon (a-c:h) filmler elmasın sahip olduğu özelliklerin çoğunu bulundurmakla birlikte, büyütülmesi için gerekli sınırlamaların (yüksek alttaş sıcaklığı gibi ~800 C) üstesinden gelinmesini de sağlamaktadır. Yüksek sertlikleri, kimyasal kararlılıkları, optik geçirgenlikleri ve geniş yasak enerji aralığına sahip bir yarıiletken olarak da davranabilmesi en önemli avantajlarındandır. DLC filmlerin koruyucu kaplama olarak kullanılması yanında, optik pencereler ve yansıtmasız kaplamalarda kullanımı da sözkonusudur [2,3]. Bu çalışmada DLC ince filmler, DC magnetron kopartma tekniği ile grafit hedef kullanılarak, Si ve cam alttaşlar üzerinde hazırlanmıştır. Tüm deneylerde alttaş-hedef arası uzaklık, kopartma gücü, alttaş sıcaklığı gibi parametreler sabit tutularak çalışma basıncının film özellikleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. DLC ince filmlerin optik geçirgenlik ve yansıtma ölçümleri, s ve p polarize ışık için nm dalgaboyu aralığında Aquila nkd-8000e spektrofotometre kullanılarak elde edilmiştir. αhv = B(hv E opt ) r (1) Tauc denklemi (1) kullanılarak DLC filmlerin optik bant aralıkları belirlenmiştir. Burada α soğurma katsayısı, h Planck sabiti, v frekans, B bir sabit, E opt optik bant aralığı ve r geçişin türünü belirleyen bir sabittir [4]. Farklı argon basınçları altında hazırlanan DLC filmlerin bant aralıklarının değerleri 1.15 ile 1.98 ev arasında değişmektedir. Bu sonuçlar DLC filmler için elde edilen tipik bant aralığı değerleri ile uyum içindedir [5]. Amorf karbon için bant aralığı C-sp 2 bağlarının miktarı ve salkım büyüklükleri ile ilgilidir. Film içerisinde artan sp 2 oranı ile birlikte optik bant aralığı küçülür. Sp 3 bağlarının artması ile DLC filmlerin optik özelliklerinin iyileştiği bilinmektedir sp 2 bölgelerinden gelen katkı durum yoğunluğu kullanılarak karakterize edilir. Ancak DLC filmlerin durum yoğunlukları amorf silikon veya germanyuma göre daha karmaşıktır. Bunun nedeni DLC filmlerin her sp 2 -C salkımının pi durumları ile belirlenen bir yerel bant ile karakterize edilmesinden kaynaklanan homojen olmayan mikroyapısıdır. Bu nedenle malzemenin bant aralığı sp 2 -C salkımlarının dağılımı, büyüklüğü ve sp 3 ağına nasıl bağlandığı ile ilgili olarak değişebilmektedir. Böyle bir mikroyapıda pi durumu seviyeleri Fermi düzeyinin aşağısında ve yukarısında üst üste binerek farklı durumların ortaya çıkmasına neden olmaktadır [7]. Argon gazı basıncının artması plazma yoğunluğunu artırmaktadır ve yapılan daha önceki çalışmalarda belirtildiği üzere Ar gazı konsantrasyonunun artması ile film yüzeyindeki zayıf sp 2 bağları koparılabilir [7]. Bu nedenle Ar gazının basıncının artması film büyütme işlemi sırasında sp 2 fazının dinamik bir şekilde atılarak yok edilmesine neden olarak filmdeki sp 3 oranının artmasını sağlamıştır. Ar gazı basıncının artmasıyla hazırlanan filmlerin optik geçirgenliklerinin artması ve bant aralıklarının büyümesi, sp 3 oranı yüksek elmas benzeri özellik gösteren filmlerin hazırlandığını işaret etmektedir. Şekil 1' de farklı Argon basınçlarında büyütülmüş olan DLC filmlerin optik geçirgenlik spektrumları verilmiştir Dalgaboyu (nm) 16 mtorr 26 mtorr 80 mtorr 50 mtorr Şekil 1. Farklı Argon basınçlarında hazırlanan DLC filmlerin optik geçirgenlik spektrumları. [6]. DLC filmlerin bant aralığını etkileyen sp 3 veya Kaynakça 1. Werner M. and R Locher, Rep. Prog. Phys. 61(1998) Staryga E. and G. W. Bąk, Diamond and Related Materials, 14(2005) Smith, D. L., 1995, Thin film Deposition: Principles and Practice, McGraw-Hill, Boston. 4. Karim Deraman, Journal of Fundamental Sciences Vol. 7, No. 1 (2011) J. E. Field, Appendix in the Properties on Natural and Synthetic Diamond (1992), p N. Tomozeiu, A. Hart, B. Kleinsorge, and W. I. Milne, Diamond Relat. Mater. 8, 522 (1999). 7. Jaebum Kim, Chongmu Lee, Journal of the Korean Physical Society, Vol. 42, February 2003, p.956 S7

14 Bant Aralığı Mühendisliğinde Yeni Bir Açılım: Uyumsuz Yarıiletken Alaşımlar A. Erol, F. Sarcan, Ö. Dönmez, M.Ç. Arıkan İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, İstanbul Epitaksiyel büyütme yöntemlerindeki gelişmelerle, alışılagelmiş yarıiletken alaşımlardan farklı özelliklere sahip ve uyumsuz alaşımlar olarak adlandırılan yarıiletken malzemelerin büyütülmesi mümkün hale gelmiştir. Al x Ga 1- xas, In x Ga 1-x As vb. alışılagelmiş alaşımlardan farklı olarak, uyumsuz yarıiletken alaşımların atomları elektronegatiflik/iyonizasyon enerjisi ve atomik boyut açısından birbirlerinden oldukça farklıdır. Bu alaşım sınıfının ilk ve üzerinde en fazla çalışılmış olanı, seyreltik miktarda azotlu alaşımlar olarak adlandırılan yarıiletkenlerdir. Bu yarıiletken malzemelerde, alaşımı oluşturan diğer atomlardan boyut ve elektronegatifliği açısından oldukça farklı olan azotun varlığı, içine katıldığı evsahibi yarıiletkenin iletkenlik bandını yeniden yapılandırarak, bant aralığının 100meV/%N kadar daralmasına neden olur [1]. Alışılagelmiş (uyumlu) yarıiletkenlerde bant aralığında bu kadar büyük bir değişiklik yaratmak için çok daha yüksek konsantrasyonlarda alaşımlama yapılmalıdır. Azotun varlığı bant aralığını daraltırken, hem taşıyıcı etkin kütleleri hem de elektron mobilitesinin azota bağlı olarak büyük ölçüde değişmesine neden olur [2-4]. Bant aralığının değişimine ek olarak indirek bant aralıklı bileşiklere katılan azotun bant aralığını direk yaptığı da gözlenmiştir [5]. Seyreltik miktarda azotlu alaşımlarla doğan uyumsuz yarıiletken alaşımların son üyeleri Bizmut içeren III-V grubu yarıiletkenleridir. Bizmut atomunun varlığı sonucunda evsahibi III-V grubu yarıiletkeninin valans bandının yeniden yapılandırılmasıyla, bu alaşımlarda bant aralığının %Bi başına 80meV daraldığı gözlenmiştir [6]. Dolayısıyla, uyumsuz yarıiletkenler alaşımlar sınıfı, farklı bant aralığına sahip yarıiletken malzemelerin büyütülmesi ve bant aralıkları ile etkin taşıyıcı kütlelerinin alaşım konsantrasyonuna büyük bağlılığı sayesinde, bant aralığı mühendisliğinde yeni bir açılımın öncüsü olmuşlardır. Kaynakça 1. A. Erol (Ed.), Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology, Springer, Y Sun, N Balkan, A Erol, MC Arikan, Electronic transport in n-and p-type modulation-doped GaInNAs/GaAs quantum wells, Microelectronics Journal 40, 403 (2009). 3. F. Sarcan, O. Donmez, A. Erol, M. Gunes, M. C. Arikan, J. Puustinen, M. Guina, Influence of nitrogen on hole effective mass and hole mobility in p-type modulation doped GaInNAs/GaAs quantum well structures, Applied Physics Letters 103, (2013). 4. F. Sarcan, O. Donmez, M. Gunes, A. Erol, M. C. Arikan, J. Puustinen, M. Guina, An analysis of Hall mobility in asgrown and annealed n- and p-type modulation-doped GaInNAs/GaAs quantum wells, Nanoscale Research Letters 7, 529 (2012). 5. I. A. Buyanova, G. Pozina, J. P. Bergman, W. M. Chen, H. P. Xin, C. W. Tu, Time-resolved studies of photoluminescence in alloys: Evidence for indirect-direct band gap crossover, Applied Physics Letters 81, 52 (2002). 6. F. Sarcan, Ö. Dönmez, K. Kara, A. Erol, E. Akalin, M.Ç. Arıkan, H. Makhloufi, A.Arnoult, and C. Fontaine, Bismuthinduced effects on optical, lattice vibrational and structural properties of bulk GaAsBi Alloys, Nanoscale Research Letters, kabul edildi (2013). S8

15 Düzensiz Nanotellerde Majorana Fermionları İnanç Adagideli 1 1 Sabancı Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa bilimleri Fakültesi, Orhanlı-Tuzla 34956, İstanbul Bu konuşmada p-dalgası [1] ya da s-dalgası [2] topolojik süperiletkenlerde düzensizlik etkilerinden bahsedeceğim. Özellikle s-dalgası nanotellerde düzensizlik yardımıyla tetiklenen topolojik faz oluşumundan bahsedeceğim[2]. Konunun paradigma modeli olan p-dalgası süperiletken tellerde düzensizlik kritik bir değerin üzerinde ise topolojik fazı bozmaktadır. Buna karşılık deneysel olarak gerçekçi olan Rashba spin-yörünge etkileşimli, konvansiyonel s-dalgası süperiletkenle (proximity) etkilesen yarıiletken nanotellerde düzensizlik topolojik fazı tetikleyebilir ve böylece telin uçlarında Majorana fermionlari oluşturabilir. Bu faz sınırları için geliştirdiğimiz perturbatif olmayan formül sayesinde, Rashba nanotellerde toplam topolojik faz alanının sabit olduğunu gösterdik. Ayrıca süper-örgü tarafından yaratılabilecek bir düzenli saçılım sayesinde bu faz alanı arttırılabilir ve bir topolojik faz mühendisliği yapılabilir. Konuşmamı, sonuçlarımızın ışığında deneysel sonuçları tekrar gözden geçirerek bitireceğim. Şekil 1: Kimyasal potansiyel µ ve Zeeman etkilesimi B nin fonksiyonu olarak topolojik yuk. Burada (a) temiz sistem (b) superorgu ve (c,d) duzensiz sistemlerdir. (c) sabit bir duzensizlik profilinde kisa (L=100a, a orgu sabiti) ve (d) uzun (L=4000a) tel, (e) and (f) sabit kimyasal potansiyelde, kisa ve uzun tellerin tunel iletkenlikleridir. Kaynakça 1. M.-T. Rieder, P.W. Brouwer and I. Adagideli, Reentrant topological phase transitions in a disordered spinless superconducting wire, Physical Review B 88, (R) (2013) 2. Adagideli, M. Wimmer and A. Teker, "Inducing topological order in dirty wires: Majorana fermions from scattering", arxiv: S9

16 Sürtünmenin Atomik Temellerinin Peşinde: Antimon Nanoparçacıklar Vasıtasıyla Nano Boyutta Sürtünme Çalışmaları Mehmet Z. Baykara 1 1 Bilkent Üniversitesi, Makine Mühendisliği Bölümü ve UNAM, 06800, Ankara Birçok bilimsel ve teknolojik alan için temel önem arz etmesine rağmen, sürtünme fenomeninin fiziksel prensipleri halen tam olarak anlaşılamamıştır [1]. Tarihte ilk olarak Leonardo da Vinci ( ), Guillaume Amontons ( ) ve Charles- Augustin de Coulomb ( ) tarafından başlatılan sürtünme araştırmaları, 20. yüzyılın başlarında Prandtl-Tomlinson modelinin ortaya çıkması ile yeniden hız kazanmış [2], yüzyılın sonlarına doğru atomik kuvvet mikroskopisinin (AKM) keşfi ile çalışmalar nanometre boyutuna indirilerek nanotriboloji adlı araştırma alanı oluşturulmuştur [3]. Nanotribolojinin ilgi alanı kısaca nano boyutta sürtünme, aşınma ve kayganlaştırma olarak tanımlanabilir. Makroskopik dünyada, hem endüstriyel süreçlerde hem de günlük hayatımızda sıklıkla karşılaştığımız sürtünme fenomenini belirleyen fiziksel mekanizmaların sürtünen yüzeyler arasındaki atomik etkileşimlere dayandığı düşünüldüğünde, AKM yardımıyla nanometre boyutunda yapılacak hassas kuvvet ölçümlerinin önemi ortaya çıkmaktadır. Bu çalışmada, grafit yüzeyler üzerinde AKM yardımıyla yanal olarak hareket ettirilen antimon nanoparçacıkların deneyimledikleri sürtünme kuvvetleri ve sürtünme sırasında meydana gelen enerji kaybı, ara yüz boyutunun bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. Daha önce benzer sistemler üzerinde gerçekleştirilen deneylerde görüldüğü gibi, hem temaslı (contact-mode) AKM yöntemiyle elde edilen sürtünme kuvveti değerleri, hem de tıklatmalı (tapping-mode) AKM metoduyla elde edilen enerji kaybı değerleri, ara yüz boyutu ile doğrusal bir ilişki sergilemektedirler. Şekil 1: (a) Grafit yüzeyine ısıl olarak yerleştirilmiş antimon nanoparçacıklarn dağılımını gösteren AKM görüntüsü. (b) Bir antimon nanoparçacığın AKM vasıtasıyla grafit üzerinde yatay olarak ilerletilmesi. Buna karşın, birim temas alanına tekabül eden sürtünme kuvveti ve enerji kaybı değerleri, ara yüz boyutu 20,000 nm 2 seviyesine ulaştığında dikkate değer ve ani bir artış sergilemektedirler. Geçirimli elektron mikroskopisi (TEM) ölçümleri, bahsi geçen boyutlarda antimon nanoparçacıkların amorf düzenden kristal düzene geçtiklerini gösterdiği gibi, nanoparçacıkların ince bir oksit katmanıyla sarılı olduklarını da ortaya çıkarmaktadır. Bu şekilde, nano boyutta sürtünme ile ara yüz yapısı arasında deneysel gözlemlere dayanan bir bağ kurulabilmektedir [4]. Bu konuşmada, bahsi geçen deneysel çalışma sonuçları özetlenecek ve gözlemlerin dayandığı muhtemel fiziksel süreçler irdelenecektir. Kaynakça 1. B. Bhushan, Introduction to Tribology, (John Wiley & Sons, New York, 2002). 2. L. Prandtl, Ein Gedankenmodell zur kinetischen theorie der festen körper, Zeitschrift für Angewandte Mathematik und Mechanik, 8, 85 (1928). 3. E. Gnecco, E. Meyer, Fundamentals of Friction and Wear on the Nanoscale, (Springer, Berlin, 2007). 4. C. Ritter, M.Z. Baykara, B. Stegemann, M. Heyde, K. Rademann, J. Schroers, U.D. Schwarz, Nonuniform friction-area dependency for antimony oxide surfaces sliding on graphite, Physical Review B, 88, (2013). S10

17 Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Bilkent Üniversitesi, 20Aralık 2013 İki Boyutlu Elektronik Uygulamalar için Tek Katmanlı Grafen Sentezi Dilce Özkendir, Erdi Kuşdemir, Alnazir İbrahim, Aysu Özaras, Burak Erdal, Yasemin Keskin, Volkan Fırat ve Cem Çelebi İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü,Fizik Bölümü,Nanoelektronik Laboratuvarı,35430 Urla-İzmir Grafen, tamamı simetrik altıgen geometriye sahip ve sadecekarbon atomlarından oluşan iki boyutlu bir malzemedir. Tek atom kalınlığında olmasına rağmen, yüksek mekanik ve termal dayanıklılık gibi gelişkin birçok özellikleri bakımından elmasa benzemektedir. Diğer taraftan grafendeki yük taşıyıcılarının hareketliliğinin (mobilite) görece çok yüksek olmasından dolayı,bilim insanları tarafından günümüz teknolojilerinde yaygın olarak kullanılan Si-tabanlı malzemelerin yerini alabilecek biralternatif olarak kabul edilmektedir. Ancak bu adayın bir enerji bandı aralığına sahip olmaması, mikroelektronik ve optoelektronik alanlarında transistör veya optik duyarlı bir malzeme olarak kullanılmasına engel olmaktadır. Laboratuvarımızda, tek katmanlı grafen elde etmek için görece yaygın olarak kullanılan birkaç yöntem üzerinde çalışılmaktadır yılında A. Geim ve K. Novoselov un Nobel ödülünü de kazanmalarını sağlayan Mikromekanik ayrıştırma yöntemi ile SiO 2 tabanları üzerine grafen eldesi kullandığımız yöntemlerdenbir tanesidir. Elde ettiğimiz grafen örneklerinin optik mikroskop, Raman spektroskopisi ve Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) yöntemleriyle karakterizasyonları yapılmaktadır. Yapmakta olduğumuz diğer çalışmalar kapsamındaendüstriyel üretime çok daha elverişli,kristal safsızlık yoğunluğu birhayli düşük,tek katmanlı ve yüksek homojenlikteki epitaksiyel grafen tabakaları elde etmek için Ultra yüksek vakumda Silikon Karbür (SiC) tabanları üzerine epitaksiyel grafen büyütülmesi metodu kullanılmaktadır[1,2]. Elde edilen epitaksiyel grafenler üzerinde AFM ve Raman spektroskopisi ölçümleri yapılmaktadır.diğer taraftan bu örneklerin kuvantum taşınım ölçümleri yardımıyla, düşük sıcaklık ve yüksek manyetik alan etkisinde, yük taşıyıcı özelliklerinin belirlenmesi çalışmalarına başlanmıştır. Çalışmanın ileriki aşamalarında, üretimi yapılan tek katman grafenler üzerine, dünyada yeni denenmeye başlanmış blok kopolimer litografisi yöntemi uygulanacak ve bu sayede grafen nanoşerit ağları (GNA) elde edilecektir. Uygulanacak bu yöntem sayesinde tek katman grafende bir yasak enerji bandı aralığı oluşturulması amaçlanmaktadır. Yarıiletken özellikler kazandırılmış GNA örneklerinin band aralığı büyüklüğü, taşıyıcı yük yoğunluğu, taşıyıcı hareketliliği gibi elektronik taşınım parametreleri, düşük sıcaklıklardan (10 mk) oda sıcaklığına (300 K) kadar geniş bir aralıkta belirlenecektir. Kaynaklar 1. C.Çelebi et al./carbon 50 (2012) C.Çelebi et al./applied Surface Science 264 (2013) S11

18 Grafen'in Farklı Yüzeylerde Taramalı Uç Mikroskopi Teknikleri ile İncelenmesi: Ne Görüyoruz? Oğuzhan Gürlü 1, Ünal Küçükel 2, Ebubekir Erdoğan 2, Umut Kamber 1, Dilek Yıldız 1, Oğuz Gülseren 3, Şener Şen 3, Gökhan İpek 1, Elif Peksu 1 1 İTÜ Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Maslak, Sarıyer, 34469, İstanbul 2 Kuleli Askeri Lisesi, Çengelköy, Üsküdar, 34680, İstanbul 3 İ.D Bilkent Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Bilkent, 06800, Ankara Bant ile eksfoliasyon yöntemi ile elde edilmiş grafen üzerinde yaptıkları elektriksel ölçümler 2010 yılında Geim ve Novoselov a Nobel ödülü kazandırmıştır. Elbette bu temel prensibin ispatı deneyinin takibinde grafenin pul ölçeğinde (wafer scale) üretimi yönünde çalışmalar hız kazanmış ve kimyasal buhar biriktirme yöntemi (CVD) ile grafenin bakır folyolar üzerinde üretilebileceği gösterilmiştir. Bunu izleyen çalışmalarda, SiC gibi halihazırda karbon içeren yüzeylerin termal işleme tabi tutulması sonucunda en üst grafit katmanının grafen ile benzer özellikler göstermesi ile birlikte farklı yüzeylerde tek ya da çok katmanlı grafit filmlerinin grafenimsi özelliklerinin incelenmesi yoğun ilgi çekmektedir. Farklı yöntemlerle elde edilen grafen ya da grafenimsilerin elektronik devre elemanlarında kullanımı oldukça sıcak bir araştırma konusudur ancak halen "çalışır devre elemanları"nın elde edilmesi deneme yanılmaya bağlıdır. Bunun en temel sebeplerinden birisi ise hazırlanan grafen filmlerinin kusurlarının atomik ölçekte yapısal özelliklerinin ve bunların elektronik özelliklere etkisinin net olarak bilinmemesi ve üretim aşamasında bunların kontrol edilememesidir. Yaptığımız çalışmalarda farklı yöntemler ile grafen eldesi üzerinde durmaktayız. Özellikle HOPG (Highly Oriented Pyrolitic Graphite) kristalleri üzerinde kimyasal yöntemler ile oluşturduğumuz grafen filmlerinin yapısal ve elektronik özellikleri, benzer gözlemler çok eski olmasına karşın, halen açıklanmayı bekleyen pek çok problemi içermektedir. Bu sistemlerde moire desenlerinin gözlemlenebilmelerinin sebebi bu güne dek elektronik mi atomik mi tartışmalarına sebep olmuşken bizim çalışmalarımız ikisinin etkisinin de olduğunu, ancak hangisinin ne kadar etkin olduğunun gözlemlenen yapıya bağlı olarak yorumlanması gereğini ortaya koymaktadır. Grafen/HOPG sistemi yanı sıra, kendi geliştirdiğimiz bir atmosferik-cvd sisteminde bakır folyolar üzerinde büyüttüğümüz grafen filmlerinin en göze çarpan noktası ise bu yapıların Taramalı Tünelleme Mikroskobu (TTM) ile atmosfer koşullarda gözlemlenebilir olmasıdır. Oysa bakır yüzeylerine oda koşullarında TTM ile tünelleme yapılması olası değildir. Ayrıca gene grafen/bakır sistemi üzerinde yaptığımız Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) faz görüntüleme çalışmalarımız ile grafenin bakır üzerinde büyümesi sırasında bakır yüzeyini çok ciddi şekilde etkilediği ve hatta yeniden yapılanmasına sebep olduğu yönünde veriler elde etmiş bulunuyoruz. Bunun yanında CVD parametrelerinin kontrolü ile fraktal karbon yapıları elde edebiliyoruz. Genel olarak taramalı uç mikroskopları (TUM) ile elde ettiğimiz veriler sayesinde grafen büyütme parametrelerinin optimizasyonu ve atomik ölçekte grafen/yüzey sistemlerinin ve bu sistemlerdeki atomik kusurların anlaşılması üzerinde araştırma faaliyetlerinde bulunuyoruz. Ayrıca foton taramalı tünelleme mikroskobu (fttm) ile grafen/yüzey sistemlerinin plazmonik yapısı hakkında veriler elde etme çabalarımızı sürdürüyoruz. S12

19 SiC Üzerine Büyütülen Grafen Yapılarda Elektriksel İletim Kanallarının Ayrıştırılıp İncelenmesi S. B. Lisesivdin 1, G. Atmaca 1, E. Arslan 2, J. Ul-Hassan 3, E. Janzén 3, ve E. Özbay 2,4 1 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara. 2 Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi, 06800, Bilkent, Ankara. 3 Linköping Teknoloji Üniversitesi, Fizik, Kimya ve Biyoloji Bölümü, S Linköping, İsveç. 4 Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06800, Bilkent, Ankara; Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, 06800, Bilkent, Ankara. (SiC üzerine büyütülen grafen yapılarının K aralığında sıcaklığa bağlı Hall etkisi ölçümleri 0.5 T sabit manyetik alan altında yapılmıştır. Sadece sıcaklığa bağlı Hall verileri kullanarak, basit paralel iletim ayrıştırma yöntemi (ing. SPCEM) adı verilen yöntemin [1,2] ilk defa bu sistemlerde uygulanması ile bir iki-boyutlu (2B) taşıyıcı ve birde üç-boyutlu (3B) taşıyıcıya ait sıcaklığa bağlı hareketlilik taşıyıcı yoğunluğu değerleri elde edildi. Şekil 1 de sırasıyla σ 1 ve σ 2 olarak gösterilen 2B ve 3B özelliği gösteren bu elektriksel iletim kanallarınının yine sırasıyla grafene ve SiC alttaşa ait saf elektriksel iletim kanalları oldukları kabul edilerek bu iki taşıyıcıya ait saçılma analizleri yapıldı. Her iki taşıyıcı içinde sıcaklıktan bağımsız bir hareketlilik limitleyici bileşen gözlemlenmiştir. Ayrıca bu yöntem ile SiC alttaşına ait iyonize safsızlık konsantrasyonu değeri de hesaplanabilmiştir. Şekil 1: SiC üzerine büyütülen grafen yapılarda oluşabilen iki tür taşıyıcı iletimi: grafen deki 2-boyutlu iletim (σ 1 ) ve SiC deki3-boyutlu iletim (σ 2 ). Kaynakça 1. S. B. Lisesivdin, N. Balkan, E. Ozbay A Simple Parallel Conduction Extraction Method (SPCEM) for MODFETs and Undoped GaN-based HEMTs Microelectron. J., 40, 413 (2009). 2. A. Yildiz, S. B. Lisesivdin, M. Kasap, S. Ozcelik, E. Ozbay and N. Balkan Investigation of low temperature electrical conduction mechanisms in highly resistive GaN bulk layers extracted with SPCEM Appl. Phys. A, 98, 557 (2010). S13

20 Grafen Tabanlı Sistemlerde Termal ve Termoelektrik Özellikler Hâldun Sevinçli 1 1 İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bölümü, 35430, İzmir Grafen, olağandışı elektronik özelliklerinin yanında, gerek mekanik, gerekse fononik ve termal özellikleriyle de alışılmışın dışında bir sistemdir. Kuvvetli sp 2 bağları sayesinde, grafen, bilinen en mukavim malzemedir. Bu kuvvetli bağlar fononları başlıca ısı taşıyıcısı yaparken, grafene ısıl açıdan en iletken malzeme olma özelliğini de kazandırırlar. Bu da grafeni termal uygulamalar açısından ilginç bir hale getirmiştir. Bu konuşmada, grafenin fononik ve termal özelliklerinden kısaca bahsedildikten sonra atomik kusurların, kenar düzensizliklerinin, diğer malzemelerle hibridizasyonun ve alttaşla etkileşimin bu özellikleri nasıl etkilediğine dair teorik çalışmalardan bahsedilecek; olası termoelektrik uygulamalar için bazı öneriler sunulacaktır. Atomik düzeydeki kusurlar, gren sınırları, kenar düzensizlikleri, alttaş ile etkileşim gibi etkenler grafenin elektron ve fonon taşınımı üzerinde önemli rol oynarlar ve bu etkiler elektronlar ve fononlar icin değişiklikler gösterebilmektedir. 1 3 Örneğin grafen nanoşeritlerdeki kenar düzensizlikleri fonon iletimini etkin bir şekilde baskılarken 4,5, zigzag nano-şeritlerdeki elektronlar bu düzensizliklerden çok az etkilendiğinden termoelektrik özellikler beklenmedik şekilde iyileşebilmektedir. 6 Bunun yanında, atom eksikliği veya Stone-Wales kusuru gibi düzensizlikler hem elektron hem de fonon Şekil 1: Grafen nano-şeritte kenar düzensizliği. taşınımını baskılayarak termoelektrik verimi düşürmektedir. 7 Bu kusurların yol açtığı ortlama-serbest-yolun frekansa bağlı özellikleri, kusurları termal standardizasyon için etkili bir araç haline getirir. Örneğin, karbon nano-tüplerin termal iletkenlikleri, düşük kusur yoğunluklarında büyük bir varyans verirken, kusur yoğunluğu arttığında varyans azalır ve standart bir termal iletkenlik değerine ulaşmak mümkün olur. 8 Nano-yapılandırma, grafenin elektronik ve termal özelliklerini istenen amaca uygun hale getirmek için başvurulan başlıca yöntemlerdendir. Bunlardan BN ile hibridizasyon yöntemi ile termal iletkenlik %65 oranına kadar indirilebilirken 9 nano-şeritlerin geometrileri ve izotopik kompozisyonlarının aşağıdan-yukarıya bir yaklaşımla düzenlenmesi ile termoelektrik fayda sabiti ZT'nin 3'ün üzerinde değerlere ulaşabileceği öngörülmektedir. 10 Kaynakça 1. Neto, C., Guinea, F., Peres, N., Novoselov, K. & Geim, A. The electronic properties of graphene. Rev. Mod. Phys. 81, (2009). 2. Balandin, A. Thermal properties of graphene and nanostructured carbon materials. Nat. Mater. 10, (2011). 3. Pop, E., Varshney, V. & Roy, A. K. Thermal properties of graphene: Fundamentals and applications. MRS Bull. 37, (2012). 4. Li, W., Sevinçli, H., Roche, S. & Cuniberti, G. Efficient linear scaling method for computing the thermal conductivity of disordered materials. Phys. Rev. B 83, (2011). 5. Li, W., Sevinçli, H., Cuniberti, G. & Roche, S. Phonon transport in large scale carbon-based disordered materials: Implementation of an efficient order-n and real-space Kubo methodology. Phys. Rev. B 82, (2010). 6. Sevinçli, H. & Cuniberti, G. Enhanced thermoelectric figure of merit in edge-disordered zigzag graphene nanoribbons. Phys. Rev. B 81, (2010). 7. Haskins, J. et al. Control of Thermal and Electronic Transport in Defect-Engineered Graphene Nanoribbons. ACS Nano 5, (2011). 8. Sevik, C., Sevinçli, H., Cuniberti, G. & Çağın, T. Phonon Engineering in Carbon Nanotubes by Controlling Defect Concentration. Nano Lett. 11, (2011). 9. Sevinçli, H., Li, W., Mingo, N., Cuniberti, G. & Roche, S. Effects of domains in phonon conduction through hybrid boron nitride and graphene sheets. Phys. Rev. B 84, (2011). 10. Sevinçli, H., Sevik, C., Çağın, T. & Cuniberti, G. A bottom-up route to enhance thermoelectric figures of merit in graphene nanoribbons. Sci. Rep. 3, (2013). S14

21 Grafen Süperkapasitör Tabanlı Geniş Bant Optik Modulatörler Emre O. Polat 1, Coşkun Kocabaş 1 1 Bilkent Universitesi Fizik Bölümü 06800, Ankara, Türkiye Optik modülatörler bilişim teknolojilerinde ışık şiddeti, polarizasyon, faz gibi fiziksel parametrelerin kontrolü için sıklıkla kullanılır. Günümüzde bu optik modulatörlerin çoğunluğu yarıiletken tabanlıdır. Optik özelliklerinin voltajla kontrol edilebilmesinden dolayı, grafen optik modülatörler için yeni potansiyel uygulamalar sunmaktadır. Fakat, yetersiz elektrostatik katkılamalar nedeniyle grafen tabanlı optik moülatörlerin çalışma aralığı kızılötesi dalga boylarındadır. Bu çalışmada, geniş bant aralığında çalışabilen, grafen elektrotlar ve sıvı elektrolitle oluşturulmuş süperkapasitör tabanlı optik modülatörleri rapor ediyoruz[1]. Saydam süperkapasitör yapısı sayesinde 450 nm den 2 µm ye kadar uzanan geniş bir bant aralığını atmosferik koşullarda modüle edebiliyoruz. Çok katmanlı grafen ve yansıma tipinde farklı aygıt geometrileri kullanarak %35 modulasyon sağlayabiliyoruz[1]. Grafenin ışıkla etkileşimi, yük taşıyıların bandlar arası ve band içi geçişlerine neden olur. Işığın momentumunun aynı band içinde electron hole çifti yaratamayacak kadar düşük olduğu yakın kızılötesi ve görünür bölgede, grafenin optik tepkisi, bandlar arası geçişler tarafından belirlenir. Grafenin lineer band yapısından dolayı, bandlar arası geçişler grafende sabit optik 2 iletkenlikli ( e 2h ) geniş band optik tepkilere neden olur. Görünür ve yakın kızılötesi bölgede bandlar arası geçişleri kontrol etmek için yüksek yük taşıyıcı konstantrasyonuna ihtiyaç vardır. Fermi enerji seviyesinin elektriksel olarak ayarlanmasıyla, enerjisi 2 E den küçük bandlar arası geçişler, Pauli engellemesi prensibiyle engellenerek, grafen saydam hale getirilebilmektedir. Şekil 1: Grafen süperkapasitörün şematik gösterimi ve farklı voltajlar için dalgaboyuna bağlı geçirgenlik ölçümü. Önerdiğimiz grafen tabanlı optik modülatörün çalışması temelde bu prensibe dayanmaktadır. Basit kapasitör geometrisi ve etkili elektrostatik katkılama performansıyla, optoelektronik ve plazmonik gibi alanlarda grafen tabanlı aktif aygıtların geliştirilmesine olanak sağlayacağını düşünüyoruz[1]. F Kaynakça 1. Polat, E.O. and C. Kocabas, Broadband optical modulators based on graphene supercapacitors. Nano Letters, S15

22 POSTER SUNUMLARI

23 Çekirdek-Yüzey Tipi Nanoparçacıklarda Değiş-Tokuş Anizotropi Etkisinin Kaynağı Rıza Erdem 1, Orhan Yalçın 2, Songül Özüm 3, Nazire Çiftçi 4 1 Fizik Bölümü, Akdeniz Üniversitesi, Antalya 2 Fizik Bölümü, Niğde Üniversitesi, Niğde 3 Fen Bilimleri Enstitüsü, Niğde Üniversitesi, Niğde 4 Fen Bilimleri Enstitüsü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Tokat İki-boyutta altıgen örgü üzerinde tanımlanan tek domenli çekirdek-yüzey (core-surface, CS) tipi nanoparçacıkların (Şekil 1) [1] manyetik özellikleri analiz edildi. Bilineer ( J ), bikuadratik ( 1/ 2 K ) ve dipol-kuadrupol (tek, L (JK ) ) etkileşmeli Ising spin sistemi [2] bağ yaklaşım yöntemi [3] altında CS nanoparçacık için çözülerek parçacığın mıknatıslanma ve histerezis eğrileri bulundu. Model Hamiltonyen indeki etkileşme parametrelerinin bu eğriler üzerindeki etkileri özellikle L etkileşme sabitinin histerezis eğrileri üzerinde oluşturduğu değişiklikler gözlendi. L sabitinin histerezis döngülerinde kaydırma özelliği meydana getirdiği bulundu. Bu önemli etki, literatürde değiş-tokuş anizotropi (exchange bias, EB) etkisi olarak bilinir ve manyetik sistemlerde gözlenen EB ile ilgili deneysel bulgularla uyumludur [4]. Şekil 1: İki boyutta altıgen örgü üzerinde tanımlanan tek domenli ve iki kabuklu (R = 2) bir nanoparçacığın şematik gösterimi. Kırmızı ve mavi renkli içi dolu daireler sırasıyla C ve S spinlerini; kırmızı, yeşil ve mavi çizgiler ise sırasıyla C, CS ve S spin çiftlerini temsil eder. Kaynakça 1. L. G. C. Rego, W. Figueiredo, Magnetic properties of nanoparticle in the Bethe-Peierls approximation, Physical Review B, 64, O (2001). 2. C. Temirci, A. Kökçe, M. Keskin, Equilibrium properties of a spin-1 Ising system with bilinear, biquadratic and odd interactions, Physica A, 231, 673 (1996). 3. A. Erdinç, M. Keskin, Equilibrium and nonequilibrium behaviour of the spin-1 Ising model in quadrupolar phase, Physica A 307, 453 (2002). 4. O. Iglesias, A. Labarta, X. Batlle, Exchange bias phenomenology and models of core/shell nanoparticles, J. Nanosci. & Nanotech. 8, 2761 (2008). P1

24 Kübik Yapıdaki Pd 2 XAl ve Pt 2 XAl (X=Co, Fe, Ni) Heusler Alaşımlarının Fonon Özelliklerinin Hesaplanması Ş. Uğur 1, A. Ekiz 1 1 Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06500, Teknikokullar, Ankara Bu çalışmada Pd 2 XAl ve Pt 2 XAl (X=Co, Fe, Ni) Heusler alaşımlarının fonon özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ile beraber yoğunluk fonksiyonel pertürbasyon teorisi ve genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı kullanılarak araştırıldı. Hesaplanan toplam enerji-hacim eğrileri Murnaghan hal denklemine uydurularak alaşımların örgü sabitleri bulundu. Ni içeren alaşımların net bir manyetizasyona sahip olmadığı görüldü. Fonon frekansları ve durum yoğunlukları (toplam ve kısmi) lineer tepki yaklaşımı kullanılarak elde edildi ve yüksek simetri yönleri boyunca çizildi. P2

25 Isısal Tavlamanın Püskürtme Yöntemi ile Elde Edilmiş ZnO İnce Filmlerin Yapısal ve Elektriksel Özelliklerine Etkisi Figen Özyurt Kuş 1, Tansu Ersoy 2, Tülay Serin 3, Necmi Serin 3 1 DSİ TAKK Dairesi Başkanlığı, İzotop Laboratuvarı, 06291, Ankara 2 İstanbul Teknik Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 34469, İstanbul 3 Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü,06100, Ankara Bu çalışmada püskürtme yöntemiyle farklı alttabaka sıcaklıklarında üretilen ZnO ince filmlerin elektriksel ve yapısal özelliklerine ısısal tavlamanın etkisi incelenmiştir. Deneyde ZnO filmler elde etmek için, Zn(CH 3 COO)2.2H 2 O + H2O ZnO + C 4 H 6 O 3 + 3H 2 O (Alttaş sıcaklığı 200 C) reaksiyonundan faydalanılmıştır [1]. Püskürtülecek çözelti bu reaksiyona göre seçilmiş ve hazırlanmıştır. Taşıyıcı olarak hava kullanılmıştır. Reaksiyonun oluşabilmesi için alttabaka ısıtılmıştır. ZnO ince filmler 18x26 mm boyutlarında camlar üzerinde farklı alttabaka sıcaklıklarında (350 C C, T=50 C) üretilmiştir. Filmler kaplandıktan sonra tavlamanın elektriksel ve yapısal özellikleri üzerindeki etkilerini araştırmak için 1 saat boyunca 500 C de hava ortamında tavlanmıştır. Filmlerin ısısal tavlamadan önce ve sonra X-ışını kırınım yöntemiyle kristal yapıları incelenmiş, grain boyutları ve örgü parametreleri (c 5.2Å) hesaplanmıştır (Tablo 1). Isısal tavlama ile 500 C hazırlanan film hariç diğer filmlerin tüm yönelimlerindeki kristallenmelerinin arttığı gözlenmiştir. İki nokta yöntemi kullanılarak filmlerin elektriksel iletkenlikleri bulunmuş ve iletkenliğin ısısal tavlama ile azaldığı gözlenmiştir. Haug ve arkadaşlarının Sputtering yöntemiyle hazırladığı ZnO ince filmlerde de tavlama ile iletkenliğin azaldığı gözlenmiştir [2]. Tablo 1: ZnO ince filmlerin ısısal tavlamadan önce ve sonra (002) yönelimindeki grain boyutları ve örgü parametreleri Alttabaka Sıcaklığı, T s (ºC) 2 (º) Isısal Tavlamadan Önce (º) Grain Boyutu (Å) c (Å) 2 (º) (º) Isısal Tavlamadan sonra Grain Boyutu (Å) c (Å) Kaynakça 1. Riad, A. S., Mahmoud, S. A., Ibrahim, A. A. Physics B,296 (2001) Haug, F.-J., Krejci, M., Geller, Zs., Zogg, H., Tiwari, A. N. Proceedings of the 16th European Photovoltaik Solar Energy Conference, Glaspow. (2000) P3

26 Dik Manyetik Alan Altında Rashba Spin-Yörünge Etkileşmeli Çift Kuantum Telinin Enerji Spektrumunun İncelenmesi Yenal Karaaslan 1, Bircan Gişi 1, Serpil Şakiroğlu 2, İsmail Sökmen 2 1 Dokuz Eylül Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Bölümü, 35390, İzmir 2 Dokuz Eylül Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 35390, İzmir Elektrik akımları ve kapı voltajları ile spin ve manyetik özelliklerin kontrol edilebilmesi esasına dayanan, katıların elektronik, optik ve manyetik özelliklerini karakterize ederek spin etkileşimlerinin doğası ile ilgili önemli bilgiler sunan spintronik uygulamaları son zamanların gelecek vaat eden önemli çalışma konuları arasındadır [1]. Bu amaçla, düşük-boyutlu kuantum sistemler (kuantum kuyu, kuantum tel ve kuantum nokta) ve böylesi sistemlerin çiftli yapılarının çalışılması önem kazanmıştır [2]. Saf materyallere ve arayüzlere sahip iki-boyutlu elektron gazındaki spin serbestlik derecelerinin kontrol edilebilirliğini sağlayan temel mekanizmalardan biri olan spin-yörünge etkileşmelerinin, hapsetme potansiyelinin asimetrisinden kaynaklanan Rashba ve kristal örgünün bulk inversiyon asimetrisinden kaynaklanan Dresselhaus spin-yörünge çiftlenimleri olduğu bilinmektedir [3-5]. Bu çalışmada sistem olarak, dik manyetik alan etkisi altında simetrik anharmonik potansiyeli ( ve potansiyel parametreleri olmak üzere) ile tanımlanan ve sadece y-yönünde elektron hareket serbestliği bulunan birbiriyle etkileşen çift kuantum teli yapısını ele alıyoruz (Şekil 1(a)). Bu bağlamda bu çalışmada, dik manyetik alan etkisi altında Rashba spinyörünge etkileşiminin de hesaba katıldığı etkileşimli Şekil 1: (a) Çift kuantum tel yapısına ait şematik gösterim. (b) Kesikli çizgiler manyetik alan ve Rashba spin-yörünge çiftlenim katkısı yok iken, sürekli çizgiler ise bu katkıları da içeren duruma ait en düşük altı seviye için enerji spektrumu gösterimi. çift kuantum teli yapısına ait enerji dispersiyon ilişkileri teorik olarak incelenmiştir. Sistemin enerji özdeğerleri ve özfonksiyonları Schrödinger denkleminin ikinci kuantizasyon yöntemi çözümü ile nümerik olarak elde edilmiştir. Sistemin enerji spektrum davranışının manyetik alana ve spinyörünge çiftleniminin şiddetine ve ayrıca potansiyel profiline güçlü bir şekilde bağlı olduğu görülmüştür (Şekil 1(b)). Dış manyetik alanın varlığında spinyörünge çiftlenim şiddetinin fiziksel sistemin enerji dağılımı üzerine etkilerinin belirlenmesi, spintronik aygıtlarda istenilen magnetotransport özelliklerinin elde edilmesi açısından önem taşıması bakımından çalışmamızın literatüre katkı sağlamasını beklemekteyiz. Kaynakça 1. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. Von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, D. M. Treger, "Spintronics: A Spin-Based Electronics Vision for the Future", Science 291, (2001). 2. J-R. Shi, B-Y. Gu, " Magnetoconductance oscillations of two parallel quantum wires coupled through a potential barrier", Physical Reviev B 55, (1997). 3. M. Governale, U. Zülicke, "Spin accumulation in quantum wires with strong Rashba spin-orbit coupling", Physical Reviev B 66, (2002). 4. J. Knobbe, Th. Schäpers, "Magnetosubbands of semiconductor quantum wires with Rashba spin-orbit coupling", Physical Reviev B 71, (2005). 5. S. Zhang, R. Liang, E. Zhang, L. Zhang, Y. Liu, "Magnetosubbands of semiconductor quantum wires with Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling", Physical Reviev B 73, (2006). P4

27 Düzlem-İçi Manyetik Alan Altındaki Kuantum Telinin Optik Özellikleri Üzerine Spin-Yörünge Etkileri Bircan Gişi 1, Yenal Karaaslan 1, Serpil Şakiroğlu 2, İsmail Sökmen 2 1 Dokuz Eylül Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Bölümü, 35390, İzmir 2 Dokuz Eylül Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 35390, İzmir Son yıllarda, kuantum kuyu, kuantum tel, kuantum nokta gibi düşük-boyutlu yarıiletken yapıların fiziksel özellikleri, optoelektronik devre teknolojilerindeki uygulamalarından dolayı, yoğun çalışma aktivitelerini teşvik etmektedir [1]. Düşükboyutlu sistemlerde yük taşıyıcılarının hapsedilmesi kesikli enerji seviyelerine sebep olmakta ve bu kesiklilik optik soğurma spektrumunda önemli değişiklik gözlenmesine yol açmaktadır. Düşükboyutlu yapılarda optik soğurma ve kırılma indisi gibi lineer olmayan optik özellikler fotodedektör, kızılötesi lazer ve elektro-optik modülatör gibi yarıiletken optoelektronik cihazlar için geniş uygulama alanı sunar. Kuantum tellerinin dış elektrik/manyetik alanlar ve spin-yörünge etkileşimi ile şekil (boyut) kontrol edilebilirliği istenilen optik geçişleri sağlayan enerji spektrasının elde edilmesini mümkün kılar [2,3]. Bu çalışmada, düzlem-içi manyetik alan altındaki parabolik hapsetme potansiyeli ile tanımlanan kuantum telinin alt-bantlar arası optik soğurma katsayısı ve kırılma indisi değişimi üzerine Rashba spin-yörünge etkileşimi etkisi araştırılmıştır. Lineer ve üçüncü derece lineer olmayan optik soğurma katsayıları ve kırılma indisi değişimlerinin analitik ifadeleri kompakt-yoğunluk matrisi ve Şekil 1: B=3 T, ϕ=0, α=30 mevnm için foton enerjilerinin fonksiyonu olarak lineer (kesikli), lineer olmayan (noktalı) ve toplam (sürekli) soğurma katsayıları iteratif şema kullanılarak elde edilmiştir [4]. Optik soğurma katsayısı ve kırılma indisi değişimi kuantum teli yarıçapı, Rashba spin-yörünge etkileşimi, manyetik alan şiddeti ve yönelimi ve foton enerjisinin fonksiyonu olarak elde edilmiştir. Optik soğurma katsayısı ve kırılma indisi değişiminin sistem parametrelerine güçlü bir şekilde bağlı olduğu gözlemlenmiştir. Kaynakça 1. C. H. L. Quay, T. L. Hughes, J. A. Sulpizio, L. N. Pfeiffer, K. W. Baldwin, K. W. West, D. Goldhaber- Gordon, R. de Picciotto, Observation of a One-Dimensional Spin-Orbit Gap in a Quantum Wire, Nature Physics 6, (2010); S. Datta, Electronic transport in mesoscopic systems, Cambridge University Press, Cambridge (1995). 2. R. Khordad, Optical properties of quantum wires: Rashba effect and external magnetic field, J. Lumin. 134, (2013). 3. S. Lahon, M. Kumar, P. K. Jha, M. Mahon, Spin-orbit interaction effect on the linear and nonlinear properties of quantum wire in the presence of electric and magnetic fields, J. Lumin. 144, (2013). 4. R. W. Boyd, Nonlinear optics, Academic Press, San Diego (2003). P5

28 Al 1.1Sc ve Al 2Sc Alaşımlarının Bazı Mekanik Özelliklerinin İncelenmesi Hamza Yaşar Ocak 1, Ercan Uçgun 1 ve Rahmi Ünal 2 1 Dumlupınar Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, Kütahya 2 Gazi Üniversitesi Mühendislik Fakültesi, Ankara Al Sc alaşımları endüstride özel bir öneme sahip olmaları nedeniyle; Sc un iki farklı oranı için Al 1.1Sc ve Al 2Sc alaşımlarını toz metarolojisi tekniği ile elde edilerek birçok fiziksel özellikleri deneysel ve teorik olarak incelenmiştir. Öncelikle alaşımın örgü parametresi XRD yöntemiyle bulunarak diğer parametrelerin EMTO programı ile hesaplanmasında kullanılmıştır. Bu çalışmada sadece bazı mekanik özelliklere ait çalışmalarımız yer alacaktır. Ayrıca Sc oranına bağlı olarak ikinci derece elastik sabitlerin değişimi de değerlendirilmiştir. Not: Bu konudaki ilk makalemiz Transactions of Nonferrous Metals Society of China da yayımlandı. (23,2013, ) P6

29 Schiff Bazlı (E)-2-methyl-N-((5-nitrothiophen-2-yl)methylene)aniline Molekülünün Kristalografik ve Kuantum Mekaniksel İncelenmesi Özlem Deveci 1, Şamil Işık 1, Ebil Ağar 2 ve Sümeyye Gümüş 2 1 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fizik Bölümü, TR-55139, Samsun 2 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Kimya Bölümü, TR-55139, Samsun Schiff bazı olan C 12 H 10 N 2 O 2 S kristali sentezlendi ve kristal yapısı X-ışınları kırınım tekniği ile belirlendi, spektroskopik özellikleri ise FTIR, UV-VIS ve 1 H-, 13 C-NMR deneysel metotları ile incelendi. Bileşiğin yapısı Hartree-Fock (HF), Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi (Density Functional Theory, DFT), Austin Model (AM1) and Parametric Model (PM3) teorik hesaplama metotları ile incelendi. Molekülün kristal yapısı direkt yöntemler ile SHELXS97 [1] programı kullanılarak çözüldü ve atomik parametreler, tam-matris en küçük kareler ve Fark Fourier yöntemleri kulanılarak SHELXL97 [2] programı ile arıtıldı. Kristale ait birim hücre boyutları, birim hücredeki atom konumları, bağ uzunlukları, bağ açıları ve titreşim parametreleri belirlendi. [C 12 H 10 N 2 O 2 S] Tek kristalinin moleküler yapısını gösteren çizimi (Şekil 1). Deneysel çalışma sonuçlarını desteklemek amacıyla Gaussian 03W ve GaussView paket programları kullanılarak ab initio Hartree Fock (HF), Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi (Density Functional Theory, DFT) ve yarı deneysel hesaplamaları Austin Model (AM1), Parametric Model (PM3) metotları ile temel haldeki serbest molekülün moleküler geometrisi, titreşim frekansları (IR), kimyasal kayma değerleri (NMR), sınır moleküler orbitalleri (HOMO ve LUMO) incelendi. Teorik hesaplamalar için baz seti olarak 6-31G(d) seçildi. Şekil 1: [C 12 H 10 N 2 O 2 S] Molekülünün %30 olasılıklı ısısal elipsoitlerle çizilmiş ORTEP3 diyagramı. Kesikli çizgiler molekül içi ve etkileşmelerini ifade etmektedir Sonuç olarak, moleküllerin enerjileri, konformasyon analizleri, yük dağılımları, moleküler elektrostatik potansiyelleri, dipol momentleri ve sınır moleküler orbitalleri (HOMO ve LUMO) hesaplanarak elde edildi. Çalışmadaki moleküle ait deneysel ve teorik sonuçları karşılaştırılmalarında, bu sonuçlar arasında iyi bir uyum olduğu görülmüştür. Kaynakça 1. Sheldrick, G. M., 1997b. SHELXS97, Program for the solution of crystal structures. University of Göttingen, D., Germany. 2. Sheldrick, G. M., 1997a. SHELXL97, Program for crystal structure refinement. University of Göttingen, D., Germany. P7

30 Kalkopirit ZnSiP 2 Yarıiletkeni Üzerinde Basıncın Etkisi İrem Öner 1, Yasemin Ö. Çiftci 2, Kemal Çolakoğlu 3 1,2,3 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara A II B IV C V 2 yarıiletkenleri, anizotropik yapılarından dolayı lineer olmayan optik özellikler gibi birçok ilginç fiziksel ve kimyasal karakteristiğe sahiptir. Bu bileşikler görünür ve kızılötesi LEDler, kızılötesi dedektör ve üreteçler ile optik parametreli osilatörler vb. teknolojik uygulama alanlarında kullanılan önemli adaylardandır [1]. Bu çalışmada ZnSiP 2 'nin elastik, elektronik ve optik özelliklerinin basınca bağlılığı yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayalı ilk ilkeler hesaplamaları ile ele alınmıştır. Genelleştiril-miş gradyan yaklaşımının Perdew-Burke- Ernzerhof (GGA-PBE) parametrizasyonuna dayalı izdüşümsel genişletilmiş düzlem dalga (PAW) sözde potansiyel metodu Vienna Ab initio Simülasyon Paketi (VASP) ile kullanılarak, hacim merkezli tetragonal (I-42d; uzay grup no:122/kalkopirit) ve yüzey merkezli kübik (Fm-3m; uzay grup no:225/kayatuzu) fazları incelenmiştir. Dalga fonksiyonları için düzlem dalgalar 360 ev'luk kesilim kinetik-enerjisine kadar genişletilmiştir. Sözde atomik hesaplamalar Zn: [Ar] 3d 10 4s 2, P: [Ne] 3s 2 3p 3 ve Si: [Kr] 4d 10 5s 2 5p 2 için gerçekleştirilmiştir. Brillouin bölgesinin nümerik integrasyonu, I-42d ve Fm-3m için sırasıyla 8x8x4 ve 8x8x8 Monkhorst-Pack k-nokta örnekleme prosedürü kullanılarak yapılmıştır. Denge örgü parametresine karşılık gelen elastik sabitleri hesaplanmıştır; buna göre I-42d mekaniksel kararlı iken Fm-3m kararsızdır. Bununla birlikte I-42d, Fm-3m ye göre enerjitik olarak daha kararlıdır ve basınç altında (~35 GPa) kalkopiritten kayatuzuna bir faz geçişi belirlenmiştir. ZnSiP 2 bileşiğinin elektronik yapısı, I-42d fazının 1.36 ev direkt enerji band aralığına sahip bir yarıiletken olduğunu göstermiştir. Band grafiğinin yanında toplam (t_dos) ve parçalı (p_dos) durum yoğunlukları çizdirilmiştir. 10, 20 ve 30 GPa için her iki fazda elastik sabitleri, ve bu basınçlar için kalkopirit yapıda optik özellikleri, band ve dos hesabı yapılmıştır. Ayrıca örgü sabiti, bulk modülü, bulk modülünün basınca göre türevi, Zener anizotropi faktörü, Poisson oranı, Young modülü ve izotropik shear modülü gibi temel fiziksel parametreler elde edilmiştir. Dielektrik fonksiyonu, kırılma indisi, sönüm katsayısı, soğurma katsayısı, optik yansıma ve elektron enerji kaybı spektrumu da optik özellikler olarak ortaya konulmuştur. Sonuçların diğer teorik ve deneysel çalışmalarla uyumlu olduğu görülmüştür. Tablo 1: I-42d ve Fm-3m fazlarının örgü parametreleri, minimum enerjileri ve enerji band aralıkları Faz Referans a (Å) c (Å) Eg (ev) I-42d Fm-3m Bu çalışma (GGA-PBE) Teorik (GGA-PW91) [1] Deneysel [2] Bu çalışma (GGA-PBE) Teorik (GGA-PW91) [1] Tablo 2: I-42d fazının elastik sabitleri, bulk modülü, shear modülü ve Young modülü (GPa birimi ile verilmiştir.) Faz Referans C 11 C 12 C 13 C 33 C 44 C 66 B G E Fm-3m Bu çalışma (GGA-PBE) Teorik (GGA-PW91) [1] I-42d Bu çalışma (GGA-PBE) Teorik (GGA-PW91) [1] Kaynakça 1. F. Arab et al. "Ab initio investigations of structural, elastic and electronic properties of ZnSiP2: Pressure effect", Computational Materials Science 65 (2012) Yu. M. Basalev et al. "Electronic Structure of Triple Phosphides MgSiP2, ZnSiP2, and CdSiP2", Russian Physics Journal 48 (2005) P8

31 Synthesis, Structural Characterization of (C 21 H 23 CuN 2 O 12 ) Complex Akif Arslan 1, Ömer Çelik 2, Sevtap Keser 3, Sedat Köstekçi 3, Mehmet Aslantaş 4,Tuba Kıyak 4 1 Düziçi Vocational School, Osmaniye Korkut Ata University, Osmaniye 2 Physics Education Department, Ziya Gökalp Education Faculty, Dicle University, Diyarbakır 3 Biotechnology Laboratory, Biology Department, KSÜ, Avsar Campus, Kahramanmaras 4 Physics Department, KSÜ, Avsar Campus, Kahramanmaras In this study, the metal complex C 21 H 23 CuN 2 O 12 was prepared from the reaction between 3.5 Dihidroksibenzoic acid and 2-aminobenzamide in the presence of cupper(ii) sulfate, and X-ray diffraction methods. The crystallographic analysis shows that the complex crystallizes in the triclinic system, space group. In the complex, the geometry around the cupper ion has distorted pyramid geometry by one water (H 2 O) molecule, one N and three O atoms. The N-H O strong intra- and also C-H O and O-H O type strong inter-molecular hydrogen bonding interactions mainly stabilize the crystal structure and form an infinite 3-dimensional network. We would like to thank Dr.Şemistan Karabuğa at Chemistry Department and the Biotechnology Laboratory in Biology Department, KSU, staff for their assistance without which this work could not have been accomplished. Keywords: Metal Complex, Sulfonic Acid, X-ray Crystallography, Antimicrobial, Enzymatic Activity Kaynakça 1. G.M. Sheldrick,(SHELXS-97),University of Gottingen, Germany,(1997). 2. G.M. Sheldrick,(SHELXL-97),University of Gottingen, Germany,(1997). 3. Sertçelik et al. Acta Crystallographica Section E68: (2012). 4. Aydın et al. Acta Crystallographica Section E68: (2012). P9

32 Pd-Mn-Sb tabanlı Heusler Alaşımlarının Yapısal ve Manyetik Özellikleri H. Can Aydoğan 1 ve Seda Aksoy Esinoğlu 1 1 İstanbul Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Mühendisliği Bölümü, 34469, İstanbul, Türkiye Ferromanyetik Heusler alaşımlarında, yüksek sıcaklık kübik fazdan (austenit) ferromanyetik durumdaki tetragonal faza (martensit) yapısal geçiş, martensitik geçiş gözlenmektedir. Martensitik geçiş sebebiyle bu alaşımlarda tek-yönlü ya da iki-yönlü şekil hafıza etkisi, süperelastiklik gözlenmektedir. Buna ek olarak bazı Heusler alaşımlarında yapısal ve manyetik faz geçişi aynı anda meydana gelir. Bu durumda alaşımlar büyük manyetokalorik etki gösterir. Heusler alaşımlarının gösterdiği bu etkiler bu alaşımların aktüatör, sensör ve manyetik soğutucu gibi manyetik olarak kontrol edilebilen ve akıllı malzeme olarak adlandırılan aygıtların yapılmasına olanak tanır. Ferromanyetik Ni-Mn tabanlı Heusler alaşımları yüksek manyetik şekil hafıza etkisi ve manyetokalorik etki gösterdiği için yaygın olarak çalışılmaktadır [1,2]. Son zamanlarda Pd-Mn tabanlı yeni Heusler alaşımları incelenmekte olup, Pd-Mn- Sn alaşımında martensitik geçiş gözlenmiş ve potansiyel bir manyetik şekil hafıza alaşımı olduğu tartışılmaktadır [3,4]. Şekil 1: X 2 YZ genel formülüne sahip Heusler alaşımlarının austenit fazdaki L2 1 kübik yapısı. Bu çalışmada Pd 50 M 25+x Sb 25-x (x=0, 7, 10, 13, 15) ve Pd 50 M 25 y Sb 25+y (y=0, 5, 15) alaşımlarının yapısal ve manyetik özellikleri incelenmiştir. Üretilen örneklerin kompozisyonları, taramalı elektron mikroskobunda (SEM) EDS analizi ile doğrulanmıştır. X-ışını toz kırınımı desenleri oda sıcaklığında elde edilerek, örneklerin kristal yapıları belirlenmiştir. Her bir alaşımın Curie sıcaklıkları, hem sıcaklığa bağlı direnç ölçümlerinden (70<T<300 K) hem de 50 mt manyetik alan altındaki sıcaklığa bağlı mıknatıslanma ölçümlerinden (5<T<300 K) gözlenmiş olup 240 K civarında olduğu bulunmuştur. Bu değer literatürde bulunan Pd 50 Mn 25 Sb 25 stokiyometrik alaşımının Curie sıcaklığı ile uyumludur [5]. Kaynakça 1. Ullakko K., vd., Applied Physics Letters, 69, 1966,(1996). 2. Krenke T., vd., Nature Materials, 4, 450, (2005). 3. Kanomata T., vd., Journal of Alloys and Compounds, 541, 392, (2012). 4. Chieda Y., vd., Journal of Alloys and Compounds, 554, 335, (2013). 5. Shirakawa K., vd., Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 70, 421, (1987). P10

33 Li 2 Pt 3 X (X=B, C ve N) Bileşiklerinin İlk-Prensiplerle İncelenmesi Sezgin Aydın 1 1 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara Li 2 Pd 3 B ve Li 2 Pt 3 B de sırasıyla 8K ve 2-3K gibi sıcaklıklarda süper iletkenlik elde edilmesi bu bileşiklere gösterilen ilginin artmasını sağladı [1-2]. Şekil 1: Li 2 Pt 3 B nin kristal yapısı (üstte) ve hesaplanmış 3D elektron yoğunluğu (altta) Bu çalışmada, Li 2 Pt 3 B bileşiğindeki bor atomu karbon ve azot atomuyla yer değiştirilerek elde edilen Li 2 Pt 3 X (X=B, C ve N) bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik ve mekanik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında, GGA-PBE fonksiyoneli ve ultrasoft pseudopotansiyeller kullanılarak uygun seçimli kesilim enerjisi ve k- nokta değerleri ile CASTEP paket programı yardımıyla incelendi. Li 2 Pt 3 B için hesaplanan örgü parametresinin (6.860Å) literatürdeki 6.755Å [3] değeriyle uyumlu olduğu görüldü. Kararlılık tartışması için bileşiklerin oluşum entalpileri ve elastik sabitleri hesaplandı. Bütün bileşiklerin negatif oluşum entalpisine sahip oldukları ve elastik sabitlerin de kararlılık şartlarını sağladıkları, bu nedenle bütün bileşiklerin termodinamik ve mekanik kararlı oldukları görüldü. En düşük oluşum entalpisinin Li 2 Pt 3 B ye ait olduğu, bor atomunu karbon ve azot atomu ile değiştirmenin yapıyı daha kararlı yapmadığı tespit edildi. Band yapılarından ve kısmi durum yoğunluğu eğrilerinden, Fermi seviyesini kesen bandlardan ve sıfırdan farklı durum yoğunluğundan dolayı bütün bileşiklerin metal oldukları tespit edildi. Yapıların metallikleri incelendi ve Li 2 Pt 3 X (X=B, C ve N) bileşiklerinin metallikleri sırasıyla 0.85, 0.39 ve 0.49 olarak hesaplandı. Süperiletken karakteriyle uyumlu olarak borlu yapının daha yüksek metalliğe sahip olduğu görüldü. Diğer taraftan, bağlanma karakteri ortaya kondu: 1- tip B-Pt bağının ve 1-tip Pt-Pt bağının pozitif Mulliken popülasyonuna sahip olduğu bulundu. Bu bağlar dikkate alınarak, Li 2 Pt 3 X (X=B, C ve N) bileşiklerinin sertlikleri sırasıyla 19.4, 22.2 ve 21.2 GPa olarak hesaplandı. Sertlik değerlerinin birbirlerine yakın oldukları, Pt-Pt bağlarının Pt-X bağlarından daha sert oldukları görüldü. Kaynakça 1. H. Q. Yuan, D. F. Agterberg, N. Hayashi, P.Badica, D. Vandervelde, K. Togano, M. Sigrist, M. B. Salamon, Physical Review Letters 97, (2006). 2. K.-W. Lee, W.E. Pickett, Physical Review B 72, (2005). 3. S. K. Bose, E. S. Zijlstra, Physica C 432, (2005). 4. U. Eibenstein, W. Jung, Journal of Solid State Chemistry 133, (1997) P11

34 Ti 3 B 4 bileşiğinin Karakteristik Elektronik Özellikleri Sezgin Aydın 1 1 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara Titanyum bor bileşikleri çok sayıda avantaja sahiptirler. Bunlardan bazıları yüksek erime noktası, sertlik, aşınma direnci, iyileştirilmiş elektriksel iletkenlik ve mekanik özellikler şeklinde sıralanabilir [1-2]. Bu özelliklerinden dolayı titanyum boritler için geniş uygulama alanları vardır. Bu çalışmada, Ti 3 B 4 bileşiğinin yapısal, elektronik, elastik ve mekanik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında, GGA-PBE fonksiyoneli ve ultrasoft pseudopotansiyeller kullanılarak uygun kesilim enerjisi ve k-nokta değerleri ile CASTEP paket programı yardımıyla incelendi. Hesaplanan örgü parametrelerinin deneysel değerlerle ve diğer teorik sonuçlarla iyi uyum içinde olduğu [3], negatif oluşum entalpisi (-0.94 ev/atom) ve kararlılık şartlarını sağlayan elastik sabitler sayesinde Ti 3 B 4 bileşiğinin termodinamik ve mekanik kararlı olduğu görüldü. Şekil 1: Ti 3 B 4 ün kristal yapısı (3 1 1)[3]. Kırmızı renkli kısım birim hücreyi temsil etmektedir. Şekil 2: Ti 3 B 4 için kısmi durum yoğunluğu eğrileri. Şekil 2 de sunulan kısmi durum yoğunluğu eğrilerinden bileşiğin metal olduğu, B p- durumlarının ve Ti d-durumlarının DOS eğrilerinde baskın karakterde olduğu görüldü. [-4, -2] ev aralığında B p-durumları ve Ti d-durumları arasında hibritleşme olduğu ve Fermi seviyesinde daha yüksek durum yoğunluğu değerine sahip olduğundan dolayı, metallik durumunun büyük ölçüde Ti d-durumlarından kaynaklandığı tespit edildi. Stres-strain metoduyla hesaplanan elastik sabitlerden GPa olarak hesaplanan bulk modülü değeri Fe 3 C (226.8 GPa) ve TiC (242 GPa) ile karşılaştırılabilir seviyededir. Ek olarak, bağlanma karakteri ortaya kondu: 2-tip B-B bağının, 4-tip B-Ti bağının ve 1-tip Ti-Ti bağının pozitif Mulliken popülasyonuna sahip olduğu bulundu. Bu bağlar dikkate alınarak, bileşiğin sertliği 25.8 GPa olarak hesaplandı. Daha kısa uzunluğa sahip Ti-B bağlarının bireysel sertliklerinin diğer bağlardan daha yüksek olduğu görüldü. Kaynakça 1. V. I. Matkovich, Boron and Refractory Borides, Springer Verlag, New York, L. Sun, Y. Gao, B. Xiao, Y. Li, G. Wang, Journal of Alloys and Compounds 579, (2013) 3. N. R. Adsit, Trans. Metall. Soc. AIME 236, 804 (1966) P12

35 Mo 2 B ve Mo 3 B 2 Bileşiklerinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve Mekanik Özelliklerinin İlk-Prensiplerle İncelenmesi Sezgin Aydın 1 1 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara Geçiş-metali (TM) boritleri mükemmel kararlılık, iyi iletkenlik, yüksek erime noktası, yüksek sertlik değerleri, aşınma direnci, iyi elektriksel iletkenlik gibi özelliklerden dolayı oldukça ilgi gösterilen malzeme gruplarından biridir [1-2]. Bu çalışmada, Mo 2 B ve Mo 3 B 2 bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik ve mekanik özellikleri ilk-prensipler yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında, GGA-PBE fonksiyoneli ve ultrasoft pseudopotansiyeller kullanılarak uygun seçimli kesilim enerjisi ve k-nokta değerleri ile CASTEP paket programı yardımıyla incelendi. Şekil 1: Mo 2 B (solda)[3] ve Mo 3 B 2 (sağda)[4] nin kristal yapıları.üstteki yapılar c-doğrultusunda, alttaki yapılar ise a-doğrultusundadır. Hesaplanan örgü parametrelerinin deneysel değerlerle iyi uyum içinde olduğu [3, 4], oluşum entalpileri ve elastik sabitler yardımıyla her iki bileşiğin termodinamik ve mekanik kararlı olduğu görüldü. Daha düşük oluşum entalpisi, daha yüksek elastik sabitler ve mekanik özelliklerden dolayı Mo 3 B 2 nin Mo 2 B den daha kararlı olduğu belirlendi. Band yapılarından ve kısmi durum yoğunluğu eğrilerinden her iki bileşiğin Fermi seviyesini kesen bandlardan ve sıfırdan farklı durum yoğunluğu değerinden dolayı metal olduğu, durum yoğunluğu eğrilerinin ağırlıklı olarak Mo d- durumlarından kaynaklandığı tespit edildi. [-6,-2] ev enerji aralığında bor atomlarının p-durumları ve Mo atomlarının d-durumları arasında hibritleşme meydana geldiği, bu durumun B atomları ve Mo atomları arasında meydana gelen olası bağlanmaya işaret ettiği sonucuna varıldı. Detaylı bağlanma analizi çıkarıldığında her iki yapı için, 1-tip B-B ve 3-tip Mo-B bağının pozitif Mulliken popülasyonuna sahip olduğu, yani bu tür bağların var olduğu görüldü. Elektron yoğunlukları, durum yoğunlukları ve Mulliken atomik yük analizinden elde edilen sonuçlar ışığında, bileşiklerdeki bağlanmanın kovalent, iyonik ve metalik bileşenlere sahip olduğu sonucuna varıldı. Ek olarak, her iki bileşiğin sertliği teorik olarak hesaplandı. Mo 2 B nin sertliği 24.2 GPa ve Mo 3 B 2 nin sertliği de 23.9 GPa olarak bulundu. Her iki bileşiğin sertliğinin birbirine yakın olduğu, bu sertlik değerlerinin literatürde rapor edilen TiC (24.7 GPa) ve OsC (24.3 GPa) sertlik değerleriyle karşılaştırılabilir oldukları görüldü. daha kısa Mo- B bağlarının bireysel sertliklerinin diğerlerinden daha yüksek olduğu tespit edildi. Kaynakça 1. I. R. Shein, A. L. Ivanovskii, Pysical Review B 73, (2006). 2. C. T. Zhou, J. D. Xing, B. Xiao, J. Feng, X. J. Xie, Y. H. Chen, Computational Materials Science 44, (2009). 3. A. M. Zakharov, M. Y. Golubev, Inorg. Mater. 16, (1980). 4. A. Wittmann, H. Nowotny, H. Boller, Monatsh. Chem. 91, (1960). P13

36 Yapı ATO daldırma sayısı ZnO daldırma sayısı CuO daldırma sayısı ZnO ön ısıtma sıcaklığı (ºC) ZnO ön ısıtma süresi (dakika) ZnO tavlama sıcaklığı (ºC) ZnO tavlama süresi (dakika) CuO ön ısıtma sıcaklığı (ºC) CuO ön ısıtma süresi (dakika) CuO tavlama sıcaklığı (ºC) CuO tavlama süresi (dakika) Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Bilkent Üniversitesi, 20 Aralık 2013 Tavlama Sıcaklığının Sol-Jel Daldırma Yöntemiyle Hazırlanan p-cuo/i-zno/n-ato Heteroyapıların Elektriksel Özelliklerine Etkisinin İncelenmesi Figen Özyurt Kuş 1, Tülay Serin 2, Necmi Serin 2 1 DSİ TAKK Dairesi Başkanlığı, İzotop Laboratuvarı, 06291, Ankara 2 Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü,06100, Ankara Farklı tavlama sıcaklıklarında ( C, T= 0 C) sol-jel daldırma yöntemiyle hazırlanan p-cuo/i-zno/n- ATO heteroyapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi amacıyla 1x25x75mm boyutlarında mikroskop camları üzerine p-cuo/i-zno/n-ato heteroyapıları büyütülmüştür. Bu yapıların elektriksel özellikleri akımgerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) ve kapasite-frekans (C-f) ölçümleri kullanılarak incelenmiş, akım-gerilim belirtkenlerinin diyot özelliği gösterdiği gözlenmiştir. Ayrıca bu yapıların ileri beslem engel potansiyelleri, doğrultma çarpanları ve diyot ideallik faktörleri I-V ölçümlerinden; engel potansiyelleri ve alıcı yoğunlukları C-V ölçümlerinden; yapıların arayüzey durum yoğunlukları C-f ölçümlerinden hesaplanmıştır. Bu ölçüm ve hesaplamalardan bu yapılarda akım-iletim mekanizmasının çok adımlı tünelleme olduğu belirlenmiştir. Şekil 1: p-cuo/i-zno/n-ato heteroyapısının şematik gösterimi Tablo 1: p-cuo/i-zno/n-ato yapılarını hazırlama şartları p-cuo/i-zno/n-ato p-cuo/i-zno/n-ato p-cuo/i-zno/n-ato p-cuo/i-zno/n-ato p-cuo/i-zno/n-ato P14

37 SmX (X = S, Se ve Te) Bileşiklerinin Yapısal, Elastik ve Titreşim Özelliklerinin Hesaplanması A. İyigör 1, Ş. Uğur 2, R. Ellialtıoğlu 3 1 Ahi Evran Üniversitesi, Merkezi Araştırma ve Uygulama Lab, , Kırşehir 2 Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü,06500, Teknikokullar-Ankara 3 Hacattepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe, Ankara Yoğunluk fonksiyonel teorisi içerisinde genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı kullanılarak, Pm-3m (216) uzay grubu ve B2(CsCl) kristal yapısındaki SmX (X = S, Se ve Te) bileşikleri için hesaplamalar yapıldı. Bu bileşikler için taban durum yapısal, elastik ve titreşim özellikleri araştırıldı. SmS, SmSe ve SmTe bileşiklerinin örgü sabitleri sırasıyla Å, Å ve Å olarak bulundu ve bu sonuçlar elastik ve titreşim özellikleri hesaplanırken kullanıldı. Örgü titreşimi özellikleri, öz uyumlu yoğunluk fonksiyoneli pertürbasyon kuramı çerçevesinde incelendi. P15

38 Fe-Ni Alaşımlarında Martensitik Faz Geçişlerinin Moleküler Dinamik Simülasyon Yöntemi ile Araştırılması Eşe Akpınar 1, Seyfettin Çakmak 1 1 Süleyman Demirel Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bölüm Adı, 32260, Isparta Martensit faz geçişleri, birinci dereceden katı- katı faz geçişleridir. Fe 66 Ni 34 ve Fe 64 Ni 36 ikili alaşım sistemlerinin martensitik faz geçişleri Moleküler Dinamik Simulasyon yöntemi ile araştırılmıştır. Çalışmada Gömülmüş Atom Metodunun Sutton- Chen versiyonu kullanılmıştır. Sıcaklık etkisinin ve Ni içeriğinin martensitik faz geçişleri üzerindeki etkisi araştırılmıştır. Yapısal analizler, radyal dağılım fonksiyonu eğrileri kullanılarak yapılmıştır. Fe 66 Ni 34 ve Fe 64 Ni 36 alaşımlarında sıcaklığın etkisi ile martensitik faz geçişleri gerçekleştiği gözlenmiştir. P16

39 B 13 -C Nanoşeridinde Karbon Atomunun Etkisinin İlk- Prensipler Yaklaşımı ile İncelenmesi 1 Esra EROĞLU, 1 Mehmet ŞİMŞEK 1 Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü Teknikokullar /Ankara Bor, yapısındaki elektron-eksikliği doğası nedeniyle içinde bulunduğu bileşiklerde oluşan kimyasal bağlarında çok çeşitlilik gösterir. Bu bağlamda borlu yapılar çok sayıda teorik ve deneysel araştırmacının dikkatini üzerine çekmiştir[1-4]. Bor nanoşeritleri çoğu zaman metalik karakterde olmasına rağmen yarıiletken yapılara da rastlamak mümkündür[4]. Nanoşeritler; yapıdan farklı sayıda ve konumdaki atomların çıkarılmasıyla ya da yapıya başka türdeki atomların bağlanmasıyla çeşitli formlarda oluşturulabilir. Böylece oluşturulan yapıların kararlılıkları ve elektronik özellikleri farklılıklar gösterir[1]. Bu çalışmada, yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) kapsamında benzetişim hesaplamaları yapılarak, doğrusal kenarlı B 14 nanoşeridi çalışıldı. B 14 yapısına ait birim hücre Şekil 1 de verildi. Şeridi oluşturan altıgenlerden birinin farklı konumlarındaki bor atomları, karbon atomlarıyla değiştirilerek yeni nanoşeritler oluşturuldu. Böylece, karbon atomunun konum bağımlı etkileri (genel olarak yapıya bir elektron eklenmesi etkisi) incelendi. Geometri optimizasyonu ve elektronik özellikleri kapsayan hesaplamalar GGA-PW91 fonksiyoneli ve ultrasoft pseudo-potansiyeller kullanılarak CASTEP programıyla yapıldı. Nanoşeritlerin periyodiklikten dolayı meydana gelen etkileşmesini önlemek için, örgü boyutları en yakın iki komşu atomu arası uzaklık en az 10Å [2-3] olacak şekilde ayarlandı. Tasarlanan/önerilen nanoşeritlerin enerjetik kararlılıkları, geometrik parametreleri (bağ uzunlukları v.b) ve elektronik özellikleri (durum yoğunluğu, band yapısı, Mulliken atomik yükleri ve bağ popülasyon değerleri) incelendi. Şekil 1: B 14 nanoşeridi için birim hücre Elde edilen sonuçlar doğrultusunda; tüm yapıların metalik karakterde olduğu görüldü. Atomik yük dağılımı incelendiğinde B 14 yapısının hemen hemen nötr durumda olduğu, yapıya karbon eklendiğinde ise elektron alarak negatif yük dağılımına sahip olması, çevresi ile etkileşme aktivitesini ve bağ yapma özelliğini artırdığı görülmektedir. Sonuç olarak yeni şeritlerin atomik tutucu veya filitre olarak kullanılabileceği söylenebilir. Anahtar kelimeler: DFT, elektronik yapı, nanoşerit, bor. Kaynakça 1. T. T. Xu, J. G. Zheng, N. Wu, A. W. Nicholls, J. R. Roth, D. A. Dikin, R. S. Ruoff, Crystalline Boron Nanoribbons: Synthesis and Characterization,Nano Letters, 4:5 (2004). 2. Y. Zhao, C. Ban, Q. Xu, S. H. Wei, C. Dillon, Charge-driven structural transformation and valance versatility of boron sheets in magnesium borides, Phys. Rev. B, 83: (2011). 3. Y. Ding, X. Yang, J. Ni, Electronic structures of boron nanoribbons, Applied Physics Letters, 93: (2008). 4. S. Saxena, T. A. Tyson, Insights on the Atomic Electronic Structure of Boron Nanoribbons, Physics Letters, 104: (2010). P17

40 Karma Spin-(2, 5/2) Ising Sisteminin Dinamik Davranışının Glauber Geçiş Oranları Temelli Ortalama Alan Yaklaşımı ile İki Tabakalı Kare Örgü Üzerinde İncelenmesi Mehmet Ertaş, Mustafa Keskin Erciyes Üniversitesi Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039, Kayseri Zamana bağlı salınımlı dış manyetik alan altında iki tabakalı kare örgü üzerinde karma spin (2, 5/2) Ising modelinin dinamik davranışı Glauber-tipi stokhastik dinamik temelli ortalama alan yaklaşımı kullanılarak incelendi. Master denkleminden yola çıkılarak modelin dinamik davranışını veren ortalama-alan dinamik denklemleri Glauber-tipi stokhastik dinamik kullanılarak elde edildi. Elde edilen ortalama-alan dinamik denklemleri, Adams- Moulton kestirme ve düzeltme yöntemi ve Romberg integrasyon metotları kullanılarak nümerik olarak çözüldü. Sistemde mevcut olan fazları elde etmek için ortalama düzen parametrelerinin zamanla değişimleri incelendi. Daha sonra bir periyot içinde ortalama düzen parametrelerinin veya dinamik düzen parametrelerinin, sıcaklığın fonksiyonu olarak davranışları incelenerek dinamik faz geçiş (DFG) sıcaklıkları tespit edilecek ve aynı zamanda DFG lerinin doğası (kesikli veya sürekli yani birinci- veya ikinci-derece faz geçişleri) karakterize edildi. Tabakalar içi etkileşim parametreleri olan J 1 ve J 2 nin hem antiferromanyetik /antiferromanyetik (AFM/AFM), hem de antiferromanyetik/ferromanyetik(afm/fm) olduğu durumlar için DFG noktalarından faydalanarak (T, h) düzleminde dinamik faz diyagramları sunuldu. Sonuçlar FM/FM ve FM/AFM [1] durumları için elde edilen sonuçlarla karşılaştırıldı. Kaynakça 1. M. Ertaş, M. Keskin, Dynamic magnetic behavior of the mixed-spin bilayer system in an oscillating field, Physics Letters A 376, 2455 (2012). P18

41 Ak im Yoğunluğu (ma/cm 2 ) Ak im Yoğunluğu (ma/cm 2 ) Aki m Yoğunluğu (ma/cm 2 ) Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Bilkent Üniversitesi, 20 Aralık 2013 NiO İnce Filmlerin Optik ve Elektrokromik Özellikleri Gamze Atak 1, Selen Demirel 1,2, Özlem Duyar Coşkun 1 1 Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği, 06800, Ankara 2 Hacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp, 06800, Ankara Nikel oksit (NiO), tungsten oksitten (WO 3 ) sonra en yaygın olarak kullanılan ve üzerinde çalışılan elektrokromik malzemelerden biridir [1],[2]. Anodik elektrokromik bir malzeme olan nikel oksit, yüksek elektrokromik verime sahiptir [3]. Katodik tungsten oksit ince film ile bir elektrokromik cihaz içinde karşılıklı olarak birbirini tamamlayıcı olarak kullanılabilirler. NiO çalışma aralığı anlamında düşük potansiyel aralığına, yüksek çevrim ömrüne ve yüksek renklenme etkinliğine sahip bir malzemedir. NiO yükseltgendiğinde koyu kahve-siyah renklenir iken, indirgendiğinde ise etkin olarak renksizleşir. Bu çalışmada magnetron kopartma sistemi ile NiO ince filmler büyütülüp, optik ve elektrokromik özellikleri incelenmiştir. Sistem Torr temel basınca düşürüldükten sonra, 75 W plazma gücünde 1737F yüksek sıcaklık camı ve ITO ince film kaplı cam alttaşlar üzerine, 2'' seramik NiO hedef malzeme kullanılarak büyütülmüştür. Kopartma gazı olarak Argon gazı kullanılmıştır. Çalışma basıncı 9 30 mtorr aralığında değiştirilmiştir. Böylelikle çalışma basıncının filmlerin özellikleri üzerine etkisi incelenmiştir. görüntüleri alınmıştır. Daha sonra hazırlanan tüm ince filmlerin elektrokromik özelliklerinin incelenmesi amacı ile elektrokimyasal ölçümleri alınmıştır. Bu ölçümler kullanılarak, farklı çalışma basınçlarında büyütülen filmlerin renklenme etkinlikleri ve iyon/yük depolama kapasiteleri hesaplanmıştır Potansiyel (V) Şekil 2. Farklı çalışma basınçlarında hazırlanan NiO ince filmlerin CV eğrileri 9 mtorr 12 mtorr 15 mtorr 20 mtorr Hazırlanan NiO ince filmlerin, Aquila nkd 8000e spektrofotometre ile nm dalga boyu aralığında, 30 geliş açısında s ve p polarize ışık için geçirgenlik ve yansıtma ölçümleri alınmıştır. Hazırlanan filmlerin spektrofotometrik ölçümleri amorf yarıiletken malzemelerde çok iyi sonuç veren Tauc-Lorentz model ile uyuşum işlemine tabii tutularak, film kalınlığı ve dalga boyuna bağlı kırma indisi ile sönüm sabiti değerleri elde edilmiştir. Büyütülen ince filmlerin yapısal özelliklerinin incelenmesi için, X-ışını kırınım desenleri ve SEM mtorr 3 12 mtorr 2 15 mtorr mtorr 0 30 mtorr Zaman (Saniye) Zaman (Saniye) Teşekkür Bu proje TÜBİTAK tarafından desteklenmektedir (Proje No: 111T252). XRD ölçümleri için Hacettepe Üniversitesi Fizik Mühendisliği Bölümü SNTG Laboratuvarı na teşekkür ederiz. Şekil 3. Farklı çalışma basınçlarında hazırlanan NiO ince filmlerin CA eğrileri Kaynakça 1. T. Maruyama and S. Arai, Electrochromic properties of tundsten trioxide thin films prepared by chemical deposition J. Electrochem. Soc., vol 141, p.1021, (1994). 2. E. L. Miller and R. E. Rocheleau, Electrochemical and electrochromic behaviour of reactively sputtered nickel oxide, J. Electrochem. Soc., vol. 144, p.1995, (1997). 3. C. G. Granqvist, Handbook of Inorganic Electrochromic Materials, Elsevier, , (2002) P19

42 Nikel Ferrit Nanoparçacıkların Seyreltme ile Değişen Özelliklerinin Ferromagnetik Rezonans Tekniği ile Belirlenmesi Senem Çitoğlu 1, Mustafa Coşkun 2 1 Hacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp Anabilim Dalı, 06800, Ankara, Türkiye 2 Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Ankara, Türkiye Oleik asit kaplı 5,87 nm boyutundaki NiFe 2 O 4 nanoparçacıklar termal ayrıştırma yöntemi kullanılarak sentezlendi. NiFe 2 O 4 nanoparçacıkların yapısal özellikleri, şekil ve parçacık boyutları XRD (X-ışınları Toz Kırınımı) ve TEM (Geçirimli Elektron Mikroskobu) ölçüm teknikleri ile incelendi. Oleik asit kaplı NiFe 2 O 4 magnetik nanoparçacıklarının siklohekzan içerisinde seyreltilmesi ile değişen magnetik özellikleri FMR (Ferromagnetik Rezonans) tekniği ile belirlendi. İlk olarak oleik asit kaplı olarak sentezlenen NiFe 2 O 4 nanoparçacıklarının K aralığında FMR sinyal değişimine bakıldı. Ardından, NiFe 2 O 4 nanoparçacıkları siklohegzan içerisinde seyreltildi ve 0.5 Tesla magnetik alanı altında 120 K değerinde örneğin dondurulması ile siklohekzanın erime sıcaklığı olan 240 K e kadar 10 K aralıklarla ve 0 o -180 o açı değerlerinde FMR ölçümleri alındı. Sıvı ortamda seyreltme ile örneklerin FMR çizgilerinin şekil ve kaymaları sıcaklığa bağlı olarak analiz edildi. FMR ölçüm sonuçlarında, siklohekzan içerisinde seyreltme ile NiFe 2 O 4 nanoparçacıklarının arasındaki dipolar etkileşimin azalarak, FMR sinyallerinin rezonans alanında artış ve çizgi genişliğinde ise daralma meydana getirdiği belirlendi. Bu sonuçlardan, magnetik nanoparçacıkların seyreltme ile dipolar etkileşmelerindeki değişimlerin FMR spektrometresi kullanılarak belirlenebileceği gösterildi. P20

43 XB 3 (X=Os, Re ve W) Bileşiklerinin Yapısal, Elektronik ve Mekanik Özelliklerinin İlk-Prensiplerle İncelenmesi Sezgin Aydın 1, Aynur Tatar 1, Yasemin Öztekin Çiftci 1 1 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara Osmiyum, renyum ve tungsten boritler yüksek ısıl dayanımları, yüksek sertlikleri ve iyileştirilmiş mekanik özelliklerinden dolayı oldukça ilgi çeken bir malzeme grubudur ve birçok uygulama alanına sahiptirler [1, 2]. Şekil 1: OsB 3 ün kristal yapısı (üstte) ve hesaplanmış 3D elektron yoğunluğu (altta) Bu çalışmada, OsB 3 bileşiğindeki Os atomunun Re ve W atomuyla yer değiştirilmesi sonucu elde edilen XB 3 (X=Os, Re ve W) bileşiklerinin yapısal, elektronik ve mekanik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında, GGA-PBE fonksiyoneli ve ultrasoft pseudopotansiyeller kullanılarak 450eV kesilim enerjisi ve /Å aralıklı k-nokta değerleri ile CASTEP paket programı yardımıyla incelendi. OsB 3 için hesaplanan örgü parametrelerinin literatürle uyumlu olduğu görüldü [1]. Kararlılık tartışması için bileşiklerin oluşum entalpileri ve elastik sabitleri hesaplandı. Bütün bileşiklerin negatif oluşum entalpisine sahip oldukları ve elastik sabitlerin de kararlılık şartlarını sağladıkları, bu nedenle bütün bileşiklerin termodinamik ve mekanik kararlı oldukları görüldü. En düşük oluşum entalpisinin (-0.30 ev/atom) ReB 3 bileşiğine ait olduğu, Os atomunu Re ve W atomu ile değiştirmenin yapıyı daha kararlı hale getirdiği tespit edildi. Ayrıca, Re ve W atomu ile oluşturulan yapıların elastik sabitlerinin ve mekanik özelliklerinin OsB 3 ten daha iyi (daha yüksek) olduğu belirlendi. Band yapılarından ve kısmi durum yoğunluğu eğrilerinden, Fermi seviyesini kesen bandlardan ve sıfırdan farklı durum yoğunluğundan dolayı bütün bileşiklerin metal oldukları tespit edildi. Diğer taraftan, sunulan bileşiklerin bağlanma karakterleri incelendi: 2-tip B-B bağının ve 1-tip B- X bağının pozitif Mulliken popülasyonuna sahip olduğu bulundu. Bu bağlar dikkate alınarak, XB 3 (X=Os, Re ve W) bileşiklerinin sertlikleri sırasıyla 33.8, 33.9 ve 32.9 GPa olarak hesaplandı. Sertlik değerlerinin birbirlerine yakın oldukları, daha uzun olan B-B bağlarının B-X bağlarından daha sert oldukları görüldü. Kaynakça 1. Z.-W. Ji, C.-H.Hu, D. H. Wang, Y.Zhong, J.Yang, W.-Q. Zhang, H.-Y. Zhou, Acta Materialia 60, (2012). 2. M. Zhang, H. Yan, G. Zhang, H. Wang, Journal of Physical Chemistry C 116, (2012). P21

44 OsB 3 Bileşiğinin Basınç Altında İlk-Prensiplerle İncelenmesi Sezgin Aydın 1, Aynur Tatar 1, Yasemin Öztekin Çiftci 1 1 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara Süper sert materyaller aşındırma, parlatma, kesici araçlar ve koruyucu kaplamalar gibi uygulamalarda önemli endüstriyel uygulamalara sahiptirler [1]. Yeni bir süpersert malzeme dizayn etmenin yollarından biri geçiş-metallerinin B, C ve N gibi hafif elemenetlerle yaptığı bileşikleri araştırmaktır. Osmiyum boritler (OsB, OsB 2, Os 2 B 3, Os 2 B 5, OsB 3, OsB 4 ) bu tarife çok iyi uyarlar ve farklı kristal yapılarının (özellikle OsB 2 ) iyi mekanik davranışlar sergilediği gösterilmiştir [2]. Bu çalışmada, OsB 3 bileşiğinin basınç altında yapısal, elektronik ve mekanik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında, GGA-PBE fonksiyoneli ve ultrasoft pseudopotansiyeller kullanılarak 450eV kesilim enerjisi ve /Å aralıklı k-nokta değerleri ile CASTEP paket programı yardımıyla incelendi. Hesaplanan örgü parametrelerinin basınçla değişimi incelendiğinde, a-parametresinin basınca c- parametresinden daha duyarlı olduğu, yapısal parametrelerin basınçla geleneksel davranışa uygun bir şekilde azaldığı görüldü (Şekil 1). Diğer taraftan, her bir basınçta bulk, shear ve Young modülleri, ayrıca sertlikleri hesaplandı ve basınçla hemen hemen düzgün olarak arttıkları tespit edildi (Şekil 1). Ek olarak, bileşiğin basınç altındaki bağlanma doğası araştırıldı. Optimize yapıda 2-tip B-B bağının ve 1-tip B-Os bağının pozitif popülasyon değerine sahip olduğu, yani yapıdaki bağlanmanın bu bağlardan kaynaklandığı, basınç arttıkça B-Os bağının popülasyon değerinin hemen hemen 80 GPa da sıfıra düştüğü, bağın kovalentliğinin azaldığı ve iyonikliğinin arttığı sonucuna varıldı. Bağ uzunlukları analiz edildiğinde, uzun karakterli olan B-B bağının basınca diğer bağlardan daha duyarlı olduğu tespit edildi. Şekil 1: OsB 3 ün yapısal parametrelerinin (üstte) ve mekanik özelliklerinin basınçla değişimi (altta) Kaynakça 1. Z.-W. Ji, C.-H.Hu, D. H. Wang, Y.Zhong, J.Yang, W.-Q. Zhang, H.-Y. Zhou, Acta Materialia 60, (2012). 2. Q. Gu, G. Krauss, W. Steurer. Advanced Materials 20, 3620 (2008). P22

45 Hf 2 AX (A= Li, Mg, X= B, C ve N ) Bileşiklerinin İlk Prensipler ile İncelenmesi Aynur Tatar 1, Sezgin Aydın 1 1 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü,06500, Ankara M n+1 AX n bileşikleri hem metal hem de seramik özellikleri sergilerler ve yüksek erime noktası, yüksek dayanım ve mekanik özellikler, yüksek ısıl ve elektriksel iletkenlik, yüksek sıcaklık oksitlenme direnci gibi dikkat çekici özelliklere sahiptirler [1, 2]. Literatürde, Hf 2 AlC ve Hf 2 AlN gibi M 2 AX bileşikleri çalışılmıştır. Bu çalışmada, Al atomu Li ve Mg gibi alkali bir metal ile değiştirilerek, Cr 2 AlC-tip kristal yapıya sahip Hf 2 AX (A= Li, Mg, X= B, C ve N) bileşiklerinin yapısal, elektronik, mekanik ve dinamik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında, GGA-PBE fonksiyoneli ve ultrasoft pseudopotansiyeller kullanılarak 600eV kesilim enerjisi ve /Å aralığa sahip k-nokta değerleri ile CASTEP paket programı yardımıyla incelendi. Hf 2 AX (A= Li, Mg, X= B, C ve N) bileşiklerinin kararlılıklarını araştırmak için oluşum entalpileri, elastik sabitleri ve fonon dispersiyon eğrileri hesaplandı. Bütün bileşiklerin negatif oluşum entalpilerinden, kararlılık şartlarını sağlayan elastik sabitlerden ve pozitif fonon frekanslarından (Hf 2 LiB hariç) dolayı termodinamik, mekanik ve dinamik kararlı oldukları görüldü. Oluşum entalpileri incelendiğinde, azotlu yapıların, karbonlu yapılardan, onların da borlu yapılardan daha kararlı oldukları gözlendi. Band yapılarından ve kısmi durum yoğunluğu eğrilerinden, kararlı olan bütün bileşiklerin metalik karakterde oldukları, Hf d-durumlarının ve X p- durumlarının baskın olduğu görüldü. Bileşiklerin metallikleri araştırıldı ve borlu yapıların en yüksek metalliğe, azotlu yapıların da en düşük metalliğe sahip oldukları bulundu. Şekil 1: Cr 2 AlC-tip kristal yapı Kaynakça 1. H. Nowotny, Prog. Solid State Chem. 2, 27 (1970). 2. M. Dahlqvist, B. Alling, J. Rosen, Physical Review B 81, (R) (2010). P23

46 Ag/n-Si/p-AGIS/In Heteroeklem Yapısının Aygıt Özellikleri Hasan Hüseyin Güllü 1,3, Emre Coşkun 1,2, Mehmet Parlak 1,3 1 Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi (ODTÜ), 06800, Ankara 2 Fizik Bölümü,, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17100, Çanakkale 3 Güneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, 06800, Ankara Bu çalışmada, AgInSe 2 ve AgGaSe 2 üçlü yarı-iletken kalkopirit bileşik yapılarının dört elementli bileşiği olarak Ag-Ga-In-Se (AGIS) polikristal yarı-iletken ince filmlerin aygıt özellikleri incelenmiştir. P-tipi AGIS ince filmleri n-tipi Si (111) plaka üzerine Ag, Ga, In, Se elementel kaynaklarları kullanılarak katmanlı yapıda dört kaynaklı termal buharlaştırma sistemi ile büyütülmüştür. Üretim süresince alttaş sıcaklığı 200 C de sabit tutulmuştur. Üretilen filmlerin elementel kompozisyonu EDS (Enerji Dağılımlı X-ışını Spektroskopisi) kullanılarak Ag:Ga:In:Se = 25:10:15:50 olarak bulunmuştur. X-ışını kırınımı (XRD) ölçümleri sonucunda, AGIS filmlerinde baskın yönelimin derecedeki (112) düzlemi yönünde olduğu gözlenmiştir. Ag/n-Si/p-AGIS/In katlı yapı üzerinde oda sıcaklığındaki detaylı aygıt özellikleri analizi yapılmıştır. Farklı türden iki yapı ile oluşturulan eklem yapısı içerisinde aygıt parametreleri I-V ölçümleri ile belirlenmiştir. Oluşturulan p-n eklem yapısı, 4-kat doğrultma çarpanı, 5.87 Ω seri direnç ve 1.37x10 4 Ω paralel direnç ile diyot özelliği göstermektedir. Ayrıca, üretilen aygıt yapısının nm dalgaboyu aralığında spektral foto-tepki ölçümleri yapılmıştır. Kaynakça 1. H. Karaagac, M. Kaleli, M. Parlak, Characterization of AgGa 0.5 In 0.5 Se 2 thin films deposited by electronbeam technique, J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009) G. H. Chandra, O. M.. Hussain, S. Uthanna, B. S. Naidu, Characterization of AgGa 0.5 In 0.5 Se 2 thin films, Vacuum 62 (2001) 39}45 3. M. Kaleli, M. Parlak and C Erçelebi, Studies on device properties of an n-agin 5 Se 8 /p-si heterojunction diode, Semicond. Sci. Technol. 26 (2011) P24

47 Cu-Zn-Sn-Te İnce Filmlerin Yapısal ve Optik Özelliklerinin İncelenmesi Hasan Hüseyin Güllü 1,2, İdris Candan 1,2, Özge Bayraklı 1,2, Mehmet Parlak 1,2 1 Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi (ODTÜ), 06800, Ankara 2 Güneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, 06800, Ankara Cu-Zn-Sn-Te (CZST) ince film yapıları direk bant aralıklı yarı-iletken olup, soğurma katsayısı 10 4 cm -1 nin üzerinde, yasak bant aralığı ise ev civarındadır. CZST ince film tabanlı hücrelerin teknolojisi ağır metalleri içermediği ve düşük maliyetli elementleri kullandığı için güneş enerji teknolojilerinde önemli bir etkiye sahip olacağı düşünülmektedir. Bu çalışmada, CZST filmleri, Cu, Zn, Sn, Te elementel kaynakları kullanılarak katmanlı olarak cam alttaş üzerine dört kaynaklı termal buharlaştırma sistemi ile büyütüldü. CZST ince filmlerin üretim sonrası ısıl işleme bağlı olarak yapısal ve optik özellikleri üzerinde yoğunlaşıldı. Üretilen CZST ince filmlerin kristal yapısını ve ikincil fazlarının incelemek için XRD (X-ışını kırınımı) ölçümleri gerçekleştirildi. SEM (Taramalı Elektron Mikroskopu) ve EDS (Enerji Dağılımlı X-ışını Spektroskopisi) kullanılarak filmlerin morfolojisi ve içerikleri incelendi. Ayrıca, UV/VIS/NIR spektrofotometresi kullanarak elde edilen filmlerin soğurma katsayısı ve E g yasak enerji aralığı bulundu. Kaynakça 1. I. Repins, C. Beall, N. Vora, C. DeHart, D. Kuciauskas, P. Dippo, B. To, J. Mann, W. C. Hsu, A. Goodrich, R. Noufi, Co-evaporated Cu 2 ZnSnSe 4 films and devices, Solar Energy Materials & Solar Cells 101 (2012) D. B. Mitzi, O. Gunawan, T. K. Todorov, D. A. R. Barkhouse, Prospects and performance limitations for Cu Zn Sn S Se photovoltaic technology, Phil. Trans. R. Soc. A, 371 (2013) K. Wang, O. Gunawan, T. Todorov, B. Shin, S. J. Chey, N. A. Bojarczuk, D. Mitzi, S. Guhaa, Thermally evaporated Cu 2 ZnSnS 4 solar cells, Applied Physics Letters 97 (2010) P25

48 GaAsP/GaP Alaşımlarının Yapısal ve Optik Özelliklerinin İncelenmesi Saime Şebnem Çetin *, Emine Boyalı, Yunus Özen, Süleyman Özçelik Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara Gazi Üniversitesi, Fotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi,06500 Ankara Optoelektronik uygulamalarda kullanılabilen farklı kompozisyonlara sahip GaAs 1-x P x yarıiletken alaşımları, katı kaynaklı moleküler demet büyütme (MBE) tekniği kullanılarak, SI-GaP alttaş üzerine büyütüldü. Büyütülen numuneler K1, K2 ve K3 olarak isimlendirildi. Bu alaşımların, oda sıcaklığında taşıyıcı yoğunlukları, Hall katsayıları ve mobiliteleri; özdirenç, taşıyıcı yoğunluğu ve taşıyıcı hareketliliği (mobilite) Hall Etkisi deneyleri ile sıcaklığa bağlı ( K) olarak belirlendi K1 K2 K Büyütülen numunelerin yüksek çözünürlüklü X-ışını -2 kırınım desenlerine LEPTOS yazılımı kullanılarak simülasyon yapılması ile numunelerin alaşım oranları (x), sırasıyla 0.32, 0.33 ve 0.50 olarak belirlendi. Numuneler için GaAsP tabakasına ve GaP alttaşa ait pik pozisyonları, pik yarı genişlikleri (FWHM), örgü parametreleri (a) ve gerilme (strain) değerleri belirlendi. Şiddet (k.b.) GaAsP (derece) Şiddet (k.b.) GaP K1 Şiddet (k.b.) GaAsP (derece) GaP GaAsP (derece) Şekil 1: Numunelerin HRXRD kırınım desenleri K3 GaP K Foton Enerjisi (ev) Şekil 2: Numunelerin dielektrik fonksiyonunun reel kısmı Yarıiletken malzemelerde dielektrik fonksiyonun (DF) davranışı, yapının elektronik geçişleri hakkında detaylı bilgiler vermektedir. Dielektrik fonksiyonu, yarıiletkende bantlar-arası geçişler olarak değerlendirilen kritik enerji noktaları hakkında veriler içerir ve enerji bant yapısının açıklanmasında kullanılabilir. Numunelerin, Spektroskopik Elipsometre (SE) ile ev foton enerjisi aralığına bağlı dilelektrik fonksiyonunun reel kısmının ( 1 ) spektrumu elde edildi. Yapıların bantlararası-geçiş kenarlarının kritik nokta enerjilerinden E 0 kritik noktasının değişimi, dielektrik fonksiyonunun reel kısmının ikinci türev spektrumlarına standart kritik nokta çizgi-şekli eşitliklerine en küçük kareler yöntemi ile fit edilerek incelendi. Ayrıca, oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ölçümleri sonucu elde edilen emisyon pik enerji pozisyonları alaşım oranına bağlı olarak incelendi ve SE verilerine yapılan analiz sonucu elde edilen değerler ile karşılaştırıldığında değerlerin uyumlu olduğu görüldü. Teşekkür: Bu çalışma 111T655 nolu proje ile TÜBİTAK ve 2011K nolu proje ile KB (DPT) tarafından desteklenmiştir. P26

49 Üç Alt Örgülü Ferro-Ferrimagnet Heisenberg Sistem için İnverted Histerisiz Döngüsü Gülistan Mert Selçuk Üniversitesi, Fizik Bölümü, 42075, Konya Üç alt örgülü karma-spin Heisenberg ferro-ferrimanyetik sistemi, Green fonksiyon tekniği ile inceledik. Sistem, bütün değiş-tokuş etkileşim pozitif olduğu zaman ferromanyetik, en az biri negatif olduğu zaman ferrimanyetik özellik gösterir. Ferrimanyetik durum için, histerisiz döngüsünün sıcaklığa bağlılığını elde ettik. Kritik sıcaklığa kadar bütün sıcaklıklarda histerisiz etki vardır. Zorlayıcı alan düşük sıcaklıklarda maksimumdur ve kompansasyon sıcaklığında (T komp ) sıfır olur. Sıcaklık arttıkça tekrar artar ve kritik sıcaklıkta sıfır olur. Kompansasyon sıcaklığında meydana gelen sıfır zorlayıcı alanın nedeni alt örgülerdeki manyetik momentlerin birbirlerini yok etmeleridir. Kalıcı manyetizasyonun ve zorlayıcı alanın negatif olduğu manyetik histerisiz döngüsü inverted histerezis döngüsü olarak adlandırılır. İncelediğimiz sistemde T komp = 8.7 < T < T = 13.8 sıcaklıklar arasında inverted histerisiz döngüsü elde ettik. Bu negatif zorlayıcı alan, deneysel olarak Prusya mavisi bileşiklerden olan üç alt örgülü Sm 0.52 III Gd 0.48 III [Cr III (CN) 6 ] ferro-ferrimagnet de gözlenmektedir. P27

50 Metal Oksit Tabanlı Çift Katmanlı İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Elde Edilmesi Sevcan ERCAN 1, Tayyar GÜNGÖR 2 ve Ebru GÜNGÖR 2 1 Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, Fizik Bölümü,15030 Burdur, TÜRKİYE. 2 Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü,15030 Burdur, TÜRKİYE. ZnO tabanlı çift katmanlı ince filmler, ITO film kaplanmış taban üzerine ZnO ince filmlerin ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile uygun hazırlama koşullarında biriktirilmesiyle elde edilmiştir. Belirli molaritede ve film kalınlığında elde edilen çift katmanlı filmlerin optik özellikleri incelenmiştir. Biriktirme tekniği için kullanılan solgel; çinko asetat dihidrat (Zn(CH 3 COO) 2.2H 2 O) (%99.9, Merck) tuzu, uygun çözücülerle 60 dak. karıştırılarak hazırlanmıştır. Film kaplama işlemi için ısıtıcı taban üzerine alttaş ve ITO taban ardışık olarak yerleştirilmiş ve eş zamanlı olarak ZnO, ZnO/ITO ince filmler hazırlanmıştır. Üretilen filmlerin optik geçirgenlik spektrumları, nm dalgaboyu aralığında UV-Vis spektrofotometre ile elde edilmiştir (Şekil 1). ZnO/ITO katmanlı ince filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırma indisi, sönüm katsayısı), nokta tabanlı kısıtlamasız minimizasyon algoritması ile belirlenmiştir. Şekil 1: ZnO, ZnO/ITO ve ITO ince filmlere ait deneysel olarak elde edilen optik geçirgenlik spektrumları. Film kalınlıkları, ZnO için 750nm, ITO için 110nm olarak hesaplanmıştır (Şekil 2-3). Katmanlı olan ZnO/ITO örnekteki tabaka kalınlıkları ise 795nm:115nm olarak hesaplanmıştır (Şekil 4). Kullanılan iteratif yöntemle katmanlı filmlerin optik sabitleri doğrudan hesaplanabilmiş ve tek katmanlı filmlerin optik sabitleri ile uyumlu olduğu görülmüştür. Şekil 2: ZnO, ITO ve ZnO/ITO ince filmlere ait deneysel ve teorik olarak elde edilen optik geçirgenlik spektrumları. Not: Bu çalışma, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi tarafından 110-NAP-10, 0172-NAP-13 ve NAP-13 nolu projeleri ile desteklenmiştir. P28

51 ZnO İnce Filmlerin Optik Bant Aralığının Eşik Dalgaboyu Yöntemiyle Hesaplanması Ömer Ali Türkcan 1, Aydın Yıldırımlar 1, Tayyar Güngör 2 ve Ebru Güngör 2 1 Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, Fizik Bölümü,15030 Burdur, TÜRKİYE. 2 Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü,15030 Burdur, TÜRKİYE. Bu çalışmada ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak ZnO film elde edilmiştir. Bunun için uygun hazırlama parametreleri ile hazırlanan başlangıç çözeltisi, sabit sıcaklıkta (400 C) tutulan cam alttaş üzerine püskürtülmüştür. Uygun akış hızı için elde edilen ZnO filmin optik sabitleri (kalınlık, sönüm katsayısı vb.) nm dalgaboyu aralığında UV-Vis bölgesinde elde edilen optik geçirgenlik spektrumunun (Şekil 1) iteratif yöntemler ile değerlendirilmesi ile belirlenmiştir. Yapısal özellikleri için x-ışını kırınım desenleri incelenmiştir. Bu desenlerde (002) tercihli yönelimin olduğu görülmüş ve grain boyutu 43nm olduğu belirlenmiştir. Klasik biçimde, malzemenin optik band aralık değerleri, optik yansıma spektrumu ve/veya optik geçirgenlik spektrumlarının kullanıldığı karmaşık yöntemlerle (Swanepoel, vb.) hesaplanabilmektedir. Optik soğurma katsayısının (α), foton enerjisi (hv) ile değişimi Tauc ifadesi (α=a(hv-e g ) n /hv) yardımı ile belirlenir. ZnO gibi direkt band aralığına sahip yarıiletkenlerin n=1/2 olarak dikkate alınır. ZnO filmin optik band aralığı, fotolüminesans (PL) spektrumu (Şekil 2) ve optik soğurma ölçümlerinin yanısıra eşik dalgaboyu yöntemi ile hesaplanmış ve sonuçlar karşılaştırılmıştır. Bu kapsamda, eşik dalgaboyu yöntemi ile optik band aralığının; optik geçirgenlik spektrumunun dalgaboyuna göre ikinci türevinin işaret değiştirdiği dalgaboyu ( inf ) değeri yardımı ile doğrudan hesaplanabildiği gösterilmiştir (Şekil 3). Sonuç olarak, PL ve eşik dalgaboyu yöntemleri ile hesaplanan optik band aralığı değerleri (3.25 ev) birbiriyle uyum içindedir. Şekil 1: ZnO ince filme ait deneysel ve teorik olarak elde edilen optik geçirgenlik spektrumları. Şekil 2: ZnO filme ait PL spektrumu. Şekil 3: ZnO ince filmin (d 2 T/d 2 ) değişimi. Not: Bu çalışma, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi tarafından 110-NAP-10, 0172-NAP-13 ve 0173-NAP-13 nolu projeleri ile desteklenmiştir. P29

52 Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Bilkent Üniversitesi, 20Aralık 2013 Admittans Spektroskopisi ile Yarıiletken Eklemlerin Karakterizasyonu Aydın Yıldırımlar 1, Ebru Güngör 2 ve Tayyar Güngör 2 1 Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, Fizik Bölümü, 15030, Burdur, TÜRKİYE 2 Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü, 15030, Burdur, TÜRKİYE Empedans spektroskopisi fizikte, kimyada ve mühendislik uygulamalarında çok kullanışlı bir karakterizasyon tekniğidir. Özellikle güneş pillerinde tuzak yoğunluğu ve tuzak enerji seviyelerinin belirlenmesinde kullanılmaktadır. Bununla beraber sözkonusu sistemlerin frekansa bağlı analizleri ile eşdeğer devre modellleri incelenebilir. Bu teknik, birbirinden ayırt edilebilir iki zaman sabiti içeren devrelerde veya birinin daha baskın olduğu sistemlerde kullanılabilir. Özellikle tek zaman sabitine sahip güneş pillerinde gözlenen yarı dairenin merkezi, çapı ve orjinden olan uzaklığı gibi parametreler önemlidir. Bu çalışmada karanlık ve aydınlık ortamlarda Hengyang SC2509 model (Ref-1), Trony TMS 6060 (Ref-2) model ve no-name (Ref-3) güneş pilleri üzerinde oda sıcaklığında admittans ölçümleri gerçekleştirilmiştir (Şekil 1-3). Ref-1 numunesi için C 1 kondansatörüne paralel R direnci ve bunlara seri bağlı kandonsatör konfigürasyonu, Ref-2 numunesi için ise R direncinin kondansatörüne paralel kombinasyonları gözlenmiştir. 45Hz-5MHz frekans aralığında çalışabilen HIOKI model LRC metre ile elde edilen admittans spektrumları Matlab programı için yazılan kaynak kod ile değerlendirilmiştir. Elde edilen spektrumların değerlendirilmesi ile söz konusu yarıiletken eklemlerin eşdeğer devre modelleri elde edilebilmektedir. Şekil 1: Trony TMS 6060 model güneş piline ait ölçülen ve hesaplanan admittans spektrumları. Şekil 2: SC2509 model güneş piline ait ölçülen ve hesaplanan admittans spektrumları. Not: Bu çalışma Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi tarafından 0156-YL-12, 110-NAP-10, NAP-13 ve 173-NAP-13 numaralı projeler ile desteklenmiştir. Şekil 3: No-name model güneş pili için aydınlık- karanlık admittans spektrumları. Kaynakça 1. S. Ebrahim, Impedance Spectroscopy and Equivalent Circuits of Heterojunction Solar Cell Based on n- Si/Polyaniline Base, Polymer Science Ser A. Vol 53, No 12, (2011). P30

53 Protein Crystallography: Beware of High Atomic Numbers (Z) Mehmet Aslantas 1 and Engin Kendi 2 1 Physics Department, KSU, Kahramanmaras 2 Physics Engineering Department, Hacettepe University, Beytepe, Ankara Heavy-atoms (including sulfurs) in protein crystals cause anomalous scattering when irradiated by Synchrotron X-ray beams. Anomalous scatterers in protein crystals have the potential to generate phase information for solving structures by SAD/MAD methods. In addition, metal sites having high atomic numbers (Z) and sulfurcontaining residues can be affected seriously by X-ray radiation damage because of their higher absorption values. In this study, a detailed analysis of the coordination geometry of specific erbium-ion sites, its chemistry with some amino acid residues (Asp, Asn and Glu) and the behavior of sulfur-containing amino acids (Cys and Met) will be presented in protein structure as a function of total exposure time (s) and accumulated dose (Gy). P31

54 InGaAs/GaAs Süperörgü Yapılarının Optik Özelliklerinin Belirlenmesi H. İbrahim Efkere 1,2,*, Gürkan Kurtuluş 1,3, Emre Pişkin 1,3, S. Şebnem Çetin 1,3, Tarık Asar 1,3, Tuncay Karaaslan 2 ve Süleyman Özçelik 1,3 1 Gazi Üniversitesi, Fotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi, Ankara, Türkiye 2 Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Kayseri, Türkiye 3 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye Bu çalışmada, moleküler demet büyütme (MBE) yöntemiyle büyütülmüş iki adet p-i-n InGaAs süperörgü yapısının optik özellikleri incelendi. Her iki numune MBE sisteminde aynı şartlar altında büyütüldü. GS262 ve GS263 olarak isimlendirilen numuneler, sırasıyla yedi ve beş kuantum kuyulu olarak tasarlandı. n tipi GaAs alttaşlar üzerine, alttaş kusurlarının epi-katmanlara etkisinin azaltılması amacıyla, 1000 nm kalınlıklı ve yüksek katkılı n-gaas tampon tabakası büyütüldü. Tampon tabakasının üzerine süperörgü yapıları 100 nm kalınlıklı i- GaAs ve 20 nm kalınlıklı i-ingaas olarak büyütüldü. Süperörgü yapılarının üzerine yüksek katkılı ve 2000 nm kalınlıklı p-gaas tabakası büyütülerek numunelerin üretim aşaması tamamlandı. Numunelerin üretiminden sonra, optik özellikleri spektroskopik elipsometre (SE) ve fotolimünesans (PL) sistemleri belirlendi. SE ölçümlerinden elde edilen veriler kullanılarak, GS262 ve GS263 numunelerinin dielektrik fonksiyonlarının ikinci türevlerinin foton enerjisine göre değişim grafikleri çizilerek, Şekil 1 de verildi ve kritik nokta (CP) enerji değerleri hesaplandı. CP enerjileri; GS262 numunesi için ev, ev, ev, ev ve 4,450 ev olarak, GS263 numunesi içinse ev, ev, ev, 3.015eV ve ev olarak hesaplandı. PL ölçümlerinden belirlenen banttan banda geçiş enerjileri GS262 ve GS263 numuneleri için sırasıyla 0,792 ve 0,938 ev olarak belirlendi. Bu enerji değerlerini kullanarak Vegard yasası denkleminden, GS262 ve GS263 numunelerinin indiyum kompozisyon oranları (x), sırasıyla, %49 ve %36 olarak bulundu. E 0 E E E 2 E E 1 d2 /de GS262 d2 /de 2 0 E 0 E E 1 E E 2 E GS Foton Enerjisi (ev) 3.0 Foton Enerjisi (ev) Şekil 1. GS262 ve GS263 numunelerinin dielektrik fonksiyonlarının ikinci türevlerinin foton enerjisine göre değişimi (sağdaki grafiklerde bir örnek olarak E kritik noktası için yapılan fit deneysel değerler ile birlikte verilmiştir) Teşekkür: Bu çalışma 2011k nolu proje ile Kalkınma Bakanlığı ve FBY nolu BAP-Erciyes Üniversitesi tarafından desteklenmiştir. P32

55 Flouro Perovskite CsCdF 3 Bileşiğinin Fiziksel Parametrelerinin Teorik Hesabı Nihat Aydın 1, Fethi Soyalp 1 1 Yüzüncü Yıl Üniversitesi Eğitim Fakültesi, OFMAE Bölümü, 65080, Van Perovskite kristal yapıya sahip üçlü bileşikler ilginç fiziksel özelliklerinden dolayı uzun zamandan beri araştırma konusu olmuşlardır. Bu bileşiklerin çalışılan fiziksel özellikleri arasında optik özellikleri[1], yüksek sıcaklık süperiyonik özellikleri[2], ferroelektrik özellikleri, antiferroelektrik özellikleri[3] ve süperiletkenlik özelliklerini sayabiliriz. CsCdF 3 bileşiğinin luminesans ta uygulama alanı bulması bir çok araştırmacının dikkatini çekmiştir[4]. Termal genişleme katsayısı ve elastik özellikleri rapor edildi[5]. Termal genleşme katsayısı ölçümlerinde termal genleşme katsayısı sıcaklıkla düzgün bir şekilde arttığı bu değişimde faz geçişi ifade eden bir değişim olmadığı rapor edilmiştir[14]. Kübik yapıdaki CsCdF 3 bileşiği aynı gurupta bulunan RbCdF 3 ve TlCdF 3 gibi diğer bileşiklere göre daha kararlı bir yapıda olduğu rapor edilmiştir. Bu çalışmada CsCdF 3 bileşiğinin yapısal, elastik, elektronik ve fonon özellikleri yoğunluk fonksiyonu teorisine dayanan Pseudu-potansiyel metodu kullanılarak Genelleştirilmiş Eğim Yaklaşımı ile hesaplandı. Teorik olarak hesaplanan örgü sabiti kullanılarak Yoğunluk Fonksiyonu Perturbasyon Teorisi yardımıyla fonon dispersiyon eğrileri hesaplandı. Bu çalışmada örgü sabiti a=4.54 Ǻ olarak hesaplandı bu değer deneysel olarak ölçülen[6] 4.45 Ǻ ile çok iyi uyum içindedir. Tablo 1 de bu çalışmada hesaplanan ve başka araştırmacılar tarafından hesaplanan ve deneysel olarak ölçülen elastik sabiti sonuçları karşılaştırılmıştır. Bu çalışmada yapılan hesaplamalar deney sonuçları ile çok iyi uyum içindedir. Tablo 1: CsCdF 3 bileşiğinin hesaplanan taban durum özellikleri a(a) B B ' C 11 C 12 C 44 Bu çalışma GGA[6] LDA[6] Deney[5] Şekil 1: CsCdF 3 için hesaplanan fonon dispersiyon eğrisi Şimdiye kadar CsCdF 3 bileşiği için dinamik özellikler hesaplanmamıştır. Şekil 1 de hesaplanan fonon dispersiyon eğrisi bütün simetri yönlerinde verilmiştir. Buradan da görüldüğü gibi CsCdF 3 bileşiği kübik yapıda kararlı bir kristal yapıdadır. Kaynakça 1. Gerhard Hörsch, Hans J. Paus, "A new color center laser on the basis of lead-doped KMgF3", Optical Communications 60, 69 (1986) 2. A. V. Chadwick, J. H. Strange, G. A. Ranieri, and M. Terenzi, " Studies of ionic motion in perovskite fluorides ", Solid State Ionics 9, 555 (1983) 3. J. Julliard and J. Nouet, "Analyse radiocristallographique de la distorsion magnétostrictive dans les antiferromagnétiques KCoF 3, RbCoF 3 et TlCoF 3 ", Rev. Phys. Appl 10, 325 (1975) 4. B. Villacampa, R. Cases, V. M. Orera, and R. Alcala, "EPR and optical study of Ni 2+ ions in CsCaF 3 and CsCdF 3 ", Journal of Physics and Chemistry of Solids 55, 263 (1994) 5. M. Rousseau, J. Y. Gesland, J. Julliard, J. Nouet, J. Zarembowitch, and A. Zarembowitch, "Crystallographic, elastic, and Raman scattering investigations of structural phase transitions in RbCdF 3 and TlCdF 3 ", Phys. Rev. B 12, 1579 (1975) 6. G.Vaitheeswaran, V. Kanchane, R.S. Kumar, A.L. Cornelius, M.F. Nicol, A. Svane, N.E. Christensen, O. Eriksson "High-pressure structural study of fluoro-perovskite CsCdF 3 up to 60 GPa:A combined experimental and theoretical study" 81, (2010) P33

56 InAs/GaAs için Biçimsizlenme Potansiyellerinin Kuramsal Hesabı Aslı Çakan, Ceyhun Bulutay Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06800, Ankara GaAs içine gömülü şekilde büyütülen InAs kuantum noktaları, son yıllarda spintronik ve kuantum bilişim uygulamalarıyla önem kazanmıştır. Her iki malzeme arasındaki örgü sabit farkı, ciddi gerinme (strain) alanına yol açmakta, ve bu durum hem elektron hem de dörtkutup çiftleniminden (quadrupolar coupling) dolayı çekin spinlerini etkilemektedir. Bu çalışmanın başlıca amacı, bu iki kristalin biçimsizlenme (deformation) potansiyellerinin hesaplanması, ve bu sayede kullanılacak olan elektronik bant yapısının gerilim altında ne derece güvenilir olduğunun saptanmasıdır. InAs ve GaAs kristallerinin elektronik yapısı, yarı deneysel sankipotansiyel yöntemiyle (semiempirical pseudopotential method) hesaplanmıştır [1]. Tablo 1: Hesaplarımızın deney ile karşılaştırılması. a, b ve d 0.01 gerinme altında hesaplanmıştır. E gap GaAs InAs Hesap Deney Hesap Deney (ev) m /m * e * [100] m hh /m * [111] /m m hh m * /m lh [100] 0 a (ev) b (ev) d (ev) Yarıiletkenlerin elektronik bant yapıları gerilim (stress) altında değişime uğrarlar ve gerinmeden dolayı kristal yapının bozulması enerji seviyelerinde izini gösterir. Bu değişimleri betimleyen parametreler biçimsizlenme potansiyelleri olarak tanımlanır. Hidrostatik gerilme sadece enerji seviyelerini kaydırırken, tek ve çift eksenli gerilimler bant çakışıklıklarını kaldırır. Şekil 1: Hidrostatik ve çift eksenli gerilim altındaki InAs (düz) ve GaAs (kesikli) kristallerinin biçimsizlenme potansiyellerinin değişimleri. Hidrostatik gerilim altında, değerlik bant kaymasını temsil eden biçimsizlenme potansiyeli E a gap, ( S 2 S ) X [001] doğrultusu boyunca uygulanan çift eksenli gerilim altında değerlik bant ayrımını temsil eden E001 b, ( S S ) X ve [111] doğrultusu boyunca uygulanan çift eksenli gerilim altında d 3 E S X , parametreleriyle ifade edilir. Burada X (dyn/cm 2 ) gerilim büyüklüğünü, S 11, S 12 ve S 44 (cm 2 /dyn) esneklik katsayılarını ve E (ev) enerji kaymalarını temsil eder. Şekil 1 ve Tablo 1'de verilen sonuçlarımız, kullanılan EPM bant yapısının gerilim altında deneyle makul bir uyumda olduğunu göstermektedir. Teşekkür: Bu çalışma TÜBİTAK tarafından 112T178 No lu proje kapsamında desteklenmektedir. Kaynakça 1. A. J. Williamson, L. W. Wang, and Alex Zunger, " Theoretical interpretation of the experimental electronic structure of lens-shaped self-assembled InAs-GaAs quantum dots", Physical Review B, 62, 19 (2000). P34

57 Boyutta Dirac Denkleminin Süper-simetrik Kuantum Mekaniği Yöntemleri ile İncelenmesi Şilan Nayır 1, Özlem Yeşiltaş 2 1 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara 2 Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara Grafen yüzeyi üzerinde hareket eden parçacıkların kütlesiz relativistik fermiyonlar olması sebebiyle bu parçacıklar Dirac denklemini kullanılarak incelenirler. Biz bu çalışmada Fermi hızını konuma bağlı bir şekilde alarak Dirac-Weyl denklemini yüzeye dik magnetik alanlarda inceledik. Momentum vektörü ayarını Dirac denkleminde kullandıktan sonra iki boyutlu uzayda bileşenlerine uygun dönüşümlerle ayırdık ve sonuç Hamiltoniyen sistemini Süper-simetrik kuantum mekaniğinin yöntemlerini kullanarak inceledik. Uygun dönüşümlerle elde edilen Klein-Gordon-vari denklem kompleks Rosen-Morse potansiyeli için çözülerek olasılık yoğunluğunun korunduğu gösterdik. Kaynakça 5. O.Panella, P.Roy, Bound state in continuum-like solutions in one-dimensional heterostrunctures, Physics Letters A, 376 (2012) F.Darabi, S.K. Moayedi, A.R.Ahmadi " Exact Solutions of Dirac Equation on (1+1)-Dimensional Spacetime Coupled to a Static Scalar Field", Int J Theor Phys, (2010). 49: Fred Cooper,Avinash Khare,Uday Sukhatme,Süpersymmetry İn Quantum Mechanics,Word scientific P35

58 Temperature Effects on Structures, Morphologies and Phase Change of NbN Films Deposited by PLD Ashraf H. Farha 1, Ali O. Er 2, Yüksel Ufuktepe 3, and Hani E. Elsayed-Ali 1 1 Electrical and Computer Engineering & 2 Department of Physics, Old Dominion University, Norfolk VA Department of Physics, Cukurova University, Adana, Turkey Niobium nitride (NbN) films were deposited on Nb using pulsed laser deposition (PLD), and the effect of substrate deposition temperature on the preferred orientation, phase, and surface properties of NbN films were explored by x-ray diffraction (XRD), and atomic force microscopy (AFM). It was found that the substrate deposition temperature has a significant influence on properties of the NbN films, leading to a pronounced change in the preferred orientation of the crystal structure and the phase. We find that substrate temperature is a critical factor in determining the phase of the NbN films. For a substrate temperature of 650 o C 850 o C, NbN formed the cubic δ-nbn phase formed with a mix of β-nb 2 N hexagonal phase. With an increase in substrate temperature, NbN layers became β-nb 2 N single phase. Essentially, films with a mainly β-nb2n hexagonal phase were obtained at deposition temperatures above 850 o C. Surface roughness and crystallite sizes of the β- Nb2N hexagonal phase increased as the deposition temperatures increased. P36

59 boyutta Dirac Denklemi ve Kanonik Nokta Dönüşümleri Özlem Yeşiltaş 1, Kubilay Durmuş 2 1,2 Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü Teknikokullar, Ankara. Bu çalışmada, grafen için Dirac-Weyl denklemini (2+1) boyutta düz uzay-zamanda sabit Fermi hızı kullanarak inceledik. Bilindiği gibi SO(2,1) simetri cebri Coulomb, Morse gibi potansiyellere uygulanabilmektedir. Süpersimetri cebri olarak da bilinen bu cebir ile Dirac-titreşici, Dirac-Coulomb ve Dirac-Morse problemlerini grafene uygulayarak kanonik nokta dönüşümler ile SO(2,1) cebrini grafen sistemlerine genişletmiş olduk. Ayrıca çalışmamızda sistemlerin tam çözümlerini de elde ettik. P37

60 n-tipi InSe ve InSe:Sn Tek Kristallerinin Lineer Soğurma Katsayılarının, Tavlama Süresine Göre Değişimi Burcu Akça, Salih Erzeneoğlu, Bekir Gürbulak Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 25040, Erzurum Bu çalışmada Bridgman/Stockbarger metoduyla büyütülmüş n-tipi InSe ve InSe: Sn tek kristallerinin lineer soğurma katsayılarının, tavlama süresine göre değişimleri incelenmiştir. Bu kristallerin yapısal ve örgü parametreleri X-ışını kırınım yöntemi (XRD) ve enerji ayırımlı X-ışını tekniği (EDX) kullanılarak analiz edilmiştir. InSe ve InSe:Sn tek kristallerinin hegzagonal yapıda oldukları ve 2θ pik değerinde birbirlerine oldukça yakın değerler aldıkları tespit edilmiştir. Aktif çapı 3,91 mm, aktif alanı 12 mm 2 ve 5,9 kev de FWHM u 160 ev olan bir Si(Li) detektör kullanılmıştır. Çalışmaya başlamadan önce en iyi verimin elde edileceği voltaj değeri belirlenmiştir. Kullanılan Si(Li) detektör için bu değer yaklaşık olarak -430 volttur. Deney süresince sayaç kristali ve FET 30 litrelik bir sıvı azot kabında, sıvı azot sıcaklığında tutulmuştur. Detektör dış ortamdan gelebilecek yüzey kirlenmelerini önlemek için 0,025 mm kalınlığında bir berilyum pencere ile koruma altına alınmıştır. Detektörün laboratuvar içindeki konumu mümkün olduğunca az saçılmış -ışını alacak şekilde belirlenmiştir. Ölçü alma süresince çevresel koşulların olabildiğince değiştirilmemesine dikkat edilmiştir. Deneyde şiddeti 100mCi olan Am-241 radyoaktif kaynağının 59,5 kev enerjili fotonları kullanılmıştır. Çalışmamızda sayma sistemi olarak enerji ayırımlı X-ışını spektrometresi (EDXRF) kullanılmıştır. Camberra DSA-1000 spektrum analizörü 4096 kanala ayarlanarak 600 saniyelik sayımlar numuneli ve numunesiz olarak en az üç kez tekrarlanmıştır ve ortalamaları alınmıştır. Alınan ölçüler MATLAB-R2007a programında işlenerek OriginPro 7.5 programına aktarılmıştır ve foton şiddet alanları hesaplanmıştır. Daha sonra grafikler için OriginPro 8.0 programı kullanılmıştır. Tavlama süresinde 0 dakikadan başlayarak 10 dakika artışlarla 60 dakikaya, tavlama sıcaklığında ise 50 den başlayarak 50 artışlarla numunelerin yandıkları en son sıcaklığa çıkılmıştır. Tavlama sıcaklığı InSe için 300 iken, InSe:Sn için 350 olarak belirlenmiştir. n-tipi InSe ve InSe:Sn tek kristallerinin kalınlıkları 638 μm dir. n- tipi InSe ve InSe: Sn tek kristallerinin lineer soğurma katsayıları (μ), Beer-Lambert yasası ( kullanılarak hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlar grafiksel olarak verilmiştir. P38

61 Tam Sayı Olmayan Boyutlu Uzayda Fröhlich Polaronu Gözde Özbal, R. Tuğrul Senger İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Fizik Bölümü, Urla, İzmir Polaron, bir ortamın fononları ile etkileşim içinde olan elektronu tanımlayan sanki-parçacıktır. Büyük polaronun mikroskopik tanımı, tam çözümleri kabul etmeyen Fröhlich Hamiltonyeni ile verilir. Bu yüzden büyük polaronun temel durum enerjisi ve etkin kütlesinin hesaplanmasında elektron-fonon etkileşim sabitinin büyüklüğüne göre belirlenen yaklaşım yöntemleri kullanılmaktadır. Polaronun, bir dış potansiyel tarafından sınırlandırıldığı düşük boyutlu sistemlerde temel durum enerjisi ve etkin kütlenin artış gösterdiği bilinmektedir. Bu çalışmada Fröhlich polaronu üzerindeki parabolik potansiyelin getirdiği sınırlama derecesi miktarının, geleneksel Euclid uzayından farklı olarak, tam sayı olmayan boyutlu uzayda belirlenmesi ele alınacaktır. Bu amaç doğrultusunda öncelikle, elektron-fonon çiftlenim sabitinin büyük olduğu durumlar için varyasyonal metot kullanılarak [1], levha ve tel benzeri geometri formunu veren sınırlama potansiyelinin parametreleri cinsinden, temel durum enerjisi ve etkin kütlenin değişimi hesaplandı. Daha sonra aynı yaklaşım çerçevesinde tam sayı olmayan boyutlu uzay cebiri [2] uygulanarak polaron problemi izotropik D-boyutlu uzayda çözüldü. Burada, etkin boyut parametresi D, levha geometrisi için 3ten 2ye, tel geometrisi için 3ten 1e kadar kesintisiz değiştirildi. İki hesaplamadan elde edilen polaronun temel durum enerjisi ve etkin kütlelerinin eşlenmesiyle, verilen sınırlama ve malzeme parametreleri için polaronun etkin boyut parametresi hesaplandı. Şekil 1: Güçlü çiftlenim limitinde etkin boyut parametresi D nin, parabolik sınırlama potansiyeli parametresi Ω ile değişimi. a) levha benzeri geometri b) tel benzeri geometri. Kaynakça 1. T Yildirim and A Ercelebi. The grounds-state description of the optical polaron versus the effective dimensionality in quantum-well-type systems. Journal of Physics: Condensed Matter, 3(10):1271, Frank.H.Stillenger. Axiomatic basis for spaces with noninteger dimension. J. Math.Phys., 18: , P39

62 Grafen Yapıların Karbon Oksit (CO X ) Ortamında Duyarlılıklarının İncelenmesi Irmak Karaduman 1, Engin Er 2, Hüseyin Çelikkan 2, Selim Acar 1 1 Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, 06560, Ankara 2 Gazi Ünivesitesi, Kimya Bölümü, 06560, Ankara Son yıllarda dünyada ve ülkemizde artan sosyal faaliyetler, kalabalık insan kitlelerinin kapalı mekanlarda uzun süre bir arada bulunmaları, yanma işlemleri sırasında yanmanın tam gerçekleşmemesi sonucu açığa çıkan zararlı gazlar gibi etkenler çevreyi kirletmekte bundan dolayı insan sağlığı da etkilenmektedir. Yaşanılan ortamın hava kalitesinin iyi olması sağlık açısından çok önemli olduğundan bilim insanları çeşitli gaz sensörleri geliştirerek havada bulunan zehirli gazların tespit edilmesi ve bunların bir takım yöntemlerle bertaraf edilmesi konusunda yoğun bir şekilde çalışmaktadırlar. Günlük uygulamalarda kullanılan gaz sensörlerinde de (SnO2) ısıtıcılar bulunmakta ve sensör sıcaklığını (yaklaşık 50 0 C) istenilen düzeye getirerek çalışma verimini yükseltmesi sağlanmaktadır. Çoğu gaz sensörlerinin çalışma sıcaklığı oldukça yüksektir. Çalışma sıcaklığının yüksek olması, yüksek güç tüketimine ve yüksek maliyete sebep olmaktadır. Son yıllardaki çalışmalarda oda sıcaklığında duyarlılık gösteren, düşük güç tüketimi yapan sensörlerin geliştirilmesi hedeflenmektedir. Bu çalışmada Hummers metoduyla iki farklı grafen numune üretildi. Üretilen numunelerin karbon dioksit gazlarına (karbonmonoksit-karbondioksit) karşı duyarlılıkları incelendi. Grafen numunelerinin farklı sıcaklıklarda (300 K-320 K-350 K) ve farklı gaz konsantrasyonlarında (1000 ppm-500 ppm-250 ppm-125 ppm-50 ppm) zamana bağlı olarak elektriksel karakterizasyonu yapıldı. Numunelerin CO ve CO 2 gazlarına karşı 320 K sıcaklıkta duyarlılık gösterdiği tespit edildi. P40

63 AL/AL 2 O 3 /p-si Yapısının CO 2 Gazı Altında Duyarlılıklarının İncelenmesi Irmak Karaduman 1, Nevin Demirel 1, Özlem Barin 1, Esra Yıldız 2, Selim Acar 1 1 Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06560, Ankara 2 Hitit Üniversitesi, Fizik Bölümü, 19030, Çorum Ev, iş yeri ve sanayi ortamlarındaki kirliliğin etkili ve şiddetli sağlık problemleri meydana getirmesi, dünyada özellikle gaz sensörü teknolojisi üzerinde yapılan çalışmaların artmasına neden olmuştur. Sağlık problemlerinin yanı sıra, teknolojik ilerlemeler sonucunda sensörlerin; tıp, gıda ve zirai alanlarda kullanım alanlarının hızla arttığı ve otomasyon çalışmalarında devrenin duyarlı noktasını oluşturduğu bilinmektedir. Özellikle, gıda sektöründe seracılık faaliyetlerindeki otomasyon çalışmaları son yıllarda önem kazanarak artış göstermektedir. Son yıllardaki çalışmalarda oda sıcaklığında duyarlılık gösteren, düşük güç tüketimi yapan sensörlerin geliştirilmesi hedeflenmektedir. Bu çalışmada atomik tabaka biriktirme metoduyla AL/AL 2 O 3 /p-si yapısı üretilmiştir. Üretilen yapının CO 2 gazı ortamında gösterdiği duyarlılıklar incelenmiştir. Örneklerin çalışma sıcaklığını tespit edebilmek amacıyla 2000 ppm sabit gaz konsantrasyonlarında farklı sıcaklıklarda CO 2 gazı için ölçümler yapılmıştır. Ölçümler, 350 K, 375 K, 400 K ve 450 K de yapılmıştır. Numune CO 2 gazının için 300K sıcaklığında bir duyarlılık göstermemiştir. Ölçülen sıcaklık aralığında sıcaklık arttıkça duyarlılık artmış, 450 K de maksimum duyarlılık göstermiştir. P41

64 Li 2 XY (X=Au, Cu; Y=Ge, Sb) Bileşiklerinin Yapısal, Elektronik ve Elastik Özelliklerinin Teorik Olarak İncelenmesi A. Kaffashina 1, Ş. Uğur 1 1 Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06500, Teknikokullar, Ankara Bu çalışmada yoğunluk fonksiyonel teorisine dayalı düzlem dalga, sanki-potansiyel yöntemi kullanılarak kübik L2 1 yapıdaki Li-tabanlı üçlü Heusler alaşımlarının, yapısal, elektronik ve elastik özellikleri araştırıldı. Net manyetik momenti olmayan Li 2 XY (X=Au, Cu; Y= Ge, Sb) alaşımlarının yapısal parametreleri (örgü parametreleri, yığın modülü, yığın modülünün basınca göre birinci dereceden türevi) hesaplandı. Bu parametreler ikinci dereceden elastik sabitlerini hesaplamak için kullanıldı. Temel simetri yönleri boyunca bütün alaşımlar için elektronik bant yapısı, kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri çizildi ve metalik özellik gösterdiği bulundu. P42

65 V 2 GeC Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve Mekanik Özellikleri Üzerinde Ab-Initio Hesaplamaları M. Altay 1, K.Çolakoğlu 1, G. Sürücü 1 1 Gazi üniversitesi, Fizik bölümü, Teknikokullar,06500, Ankara TÜRKİYE Bu çalışmada hegzagonal yapıdaki V 2 GeC MAX faz (194 - P6 3 /mmc) bileşiğinin yapısal, elastik, elektronik, mekanik ve örgü dinamiği özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) ile incelendi. Hesaplamalarda elektron-iyon etkileşimi için PAW (Projector-Augmented-Wave) düzlem dalga metodu kullanıldı. Değiştokuş korelasyon etkisinde genelleştirilmiş gradient yaklaşımı (GGA) kullanıldı. Yapı için örgü sabitleri, bulk modülü, bulk modülünün türevi, elastik sabitleri, shear modülü, young modülü ve poisson oranı gibi temel fiziksel parametreler hesaplandı. Hesaplanan özelliklerin daha önceki deneysel ve teorik değerlerle uyumlu olduğu görüldü. P43

66 Termodinamik Niceliklerin β-quartz ve β-crıstobalıte için Basınç ve Sıcaklığa Bağlılığı M. Cem Lider 1, Hamit Yurtseven 2 1 Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, Ankara 2 Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, Ankara Termal genleşme katsayısı (α p ), izotermal sıkıştırılabilirlik katsayısı (Ƙ T ) ve özgül ısı (C p -C v ) nın basınç ve sıcaklığa bağlılığı β-quartz için çalışılmıştır. Literatürden deneysel olarak gözlenen hacim (V) nin, 1 atm sabit basınçta sıcaklığa ve sabit T=848 K de basınca bağlılığı analiz edilerek, Pippard bağıntıları ile α p, Ƙ T and C p -C v değerleri elde edilmiş, (C p -C v ) nin V.α p ye ve α p nin Ƙ T ye bağlılığı β quartz β cristobalite geçişi için açıklanmaya çalışılmıştır. Burada, belirli sıcaklık ve basınç aralığında, Pippard bağıntılarından ortaya çıkan eğim dp/dt değeri β- quartz ve β-cristobalite faz geçişi yakınlarındaki deneysel ölçümle tutarlılığı doğrulanmıştır. Kaynakça: 1. Pierre Hudon, In-Ho Jung, Don R. Baker, Melting of β- quartz up to 2 GPa and thermodynamic optimization of the silica liquidus up to 6.0 GPa, Physics of the Earth and Planetary Interiors 130, (2002). P44

67 Kübik L2 1 Yapıdaki Pd 2 TiX (X=Al, In) Heusler Alaşımlarının Yapısal, Elektronik ve Elastik Özelliklerinin İncelenmesi Ü. Bayhan 1, M. Çivi 2, Ş. Uğur 3, G. Uğur 3 1 Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, Fizik Bölümü, 15030, Burdur 2 Arel Üniversitesi, Matematik ve Bilgisayar Bölümü, 34537, İstanbul 3 Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü,06500, Teknikokullar-Ankara Bu çalışmada, Pd 2 TiX (X=Al, In) Heusler alaşımlarının yapısal, elektronik ve elastik özelliklerinin belirlenmesinde yöntem olarak yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanıldı. Bu teori içindeki değiş-tokuş korelasyon fonksiyoneli olarak genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı seçildi. Elde edilen örgü parametreleri kullanılarak her iki alaşım için elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğu grafikleri çizildi. İkinci dereceden elastik sabitleri hesaplanarak kendi aralarında kıyaslandı. Teşekkür: Bu çalışma Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi tarafından (BAP) 0147-NAP-12 nolu proje ile desteklenmiştir. P45

68 Tl 4 Ga 3 InS 8 Kristallerinde Tuzak Merkezlerinin Termolüminesans Ölçümleri ile Karakterizasyonu Serdar Delice 1, Mehmet Işık 2, Enver Bulur 1, Nizami Hasanli 1 1 Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06800, Ankara 2 Atılım Üniversitesi, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, 06836, Ankara Tl 4 Ga 3 InS 8 katmanlı kristallerin tuzak merkezi parametreleri termolüminesans (TL) ölçümleri kullanılarak K sıcaklık aralığında araştırıldı. TL eğrileri, 46 ve 125 K maksimum sıcaklık değerlerinde gözlemlenen piklere karşılık gelen tuzak yapılarını karakterize etmek amacıyla analiz edildi. Çeşitli analiz yöntemleri kullanılarak, tuzak merkezlerinin termal aktivasyon enerjileri belirlendi. Eğrilerin analizleri, elde edilen tuzakların aktivasyon enerjilerinin E ta = 5 mev ve E tb = 28 mev olduğunu gösterdi. Ayrıca, farklı ısıtma hızı metodu, termal temizleme yoluyla ayrıştırılan yüksek maksimum sıcaklık değerindeki pike (pik B) uygulandı ve 26 mev lik bir aktivasyon enerjisi belirlendi. Yüksek sıcaklıktaki pike karşılık gelen tuzak merkezinin dağılımı da çalışmamızda incelenmiştir ve aydınlatma sıcaklığının 42 K den 80 K e kadar belirli aralıklarla artırılmasıyla aktivasyon enerjisinin 29 mev dan 151 mev a artış gösterdiği belirlenmiştir. Elde edilen TL şiddeti-sıcaklık eğrisinin analizi, yavaş geri tuzaklanmaya dayalı teorik modele uyumluluk gösterdi. Çalışılan kristale büyütme süresince herhangi bir katkılanma uygulanmadığından dolayı, gözlemlenen bu tuzak merkezlerinin büyütme sırasında ortaya çıkan kusurlardan veya kasıtlı olarak eklenmeyen safsızlıklardan kaynaklandığı düşünülmektedir. P46

69 TmX ( X= S, Se, Te) Bileşiklerinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve Titreşim Özelliklerinin İlk-Prensipler Yaklaşımı ile İncelenmesi A. Candan 1, G. Uğur 2, R. Ellialtıoğlu 3 1 Ahi Evran Üniversitesi, Merkezi Araştırma ve Uygulama Lab., 40100, Kırşehir 2 Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06500, Teknikokullar-Ankara 3 Hacattepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe, Ankara Kübik yapıdaki TmX ( X= S, Se, Te) bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik ve titreşim özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ve genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı kullanılarak araştırıldı. TmX (X= S, Se, Te) bileşikleri için örgü sabiti değerleri bulunduktan sonra bu değerler elektronik, elastik ve fonon özelliklerini hesaplamak için kullanıldı. Temel simetri yönleri boyunca elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğu grafikleri elde edildi. Ayrıca ikinci dereceden elastik sabitler elde edildi ve bu yapıda bütün bileşiklerin kararlı oldukları bulundu. Fonon frekansları ise ilk defa bu çalışmada hesaplandı ve temel simetri yönleri boyunca çizildi. P47

70 Yoğun Madde Fizi ği Ankara Toplant ısı, Bilkent Üniversitesi, 20 Aral ık 2013 Tek Elektron Transistörlerde Zayıf ve Güçlü Elekton-Fonon Kuplajlarının Etkileri Berna Uyanık 1, Süleyman Bozdemir 1 1 Çukurova Üniversitesi, Fizik Bölümü, 01330, Adana Tek Elektron Transistörün (Single Electron Transistor -SET) MOSFET yerine kullan ılabilece ği anla şıldığından beri SET lerde elektron taşınımı, akım ve iletkenliğin incelenmesi önem kazanm ıştır. SET lerde lineer tepki rejiminde akım I=L 11 (t)v+ L 12 (t)δt olarak yaz ılabilir. Burada L11 ve L12 Onsager katsayılarıdır. Termogüç (Seebeck katsayısı) ise L12 (t) S L11 (t) T olarak yaz ılabilir. Bu teorik çalışmada Holstein Hamiltonyeni kullan ılmış, çift zamanlı Green fonksiyonlarının iki boyutlu kartezyen gridde çözümünden Onsager katsayıları hesaplanmış ve daha sonra sıfır ve sonlu şiddete elektron-fonon kuplajları için termog üç değerleri bulunmu ştur. a) b) Şekil 1: Farklı sıcaklıklarda kuantum noktasının final seviyesine çıkarılmasıyla a) sıfır şiddetinde b) sonlu şiddette elektron-fonon kuplajında ölçülen anlık termogüç Şekil 1 de görüldüğü gibi Kuantum noktasının son seviyesine çıkarılmasıyla sıfır ve sonlu şiddette elektron- fonon kuplajında ölçülen anlık termogüç farklı sıcalıklarda sıfırdan başlayıp dura ğan duruma gelinceye kadar devam eder [1]. Termoelektrik malzemeler zay ıf elektron-fonon kuplajında verimli olabilirler [2]. Bu nedenle SET lerde kuantum noktası olarak termoelektrik materyal kullanıldığında oluşan iletkenlik salınımları ve akımın incelenmesi önemlidir. Çalışmamızda SET lerde organik termoelektrik materyallerin kuantum noktası olarak kullan ıldığı durumlarda gate ya da bias voltajındaki ani de ğişimlerden sonra gözlenen için akımın ve bu akıma ba ğlı termogücün incelenmesine devam edilmektedir. Kaynakça: 1. Goker and B. Uyanik. Transient thermoelectricity in a vibrating quantum dot in Kondo regime. Physics Letters A, 376(42 43): , Heng Wang, Yanzhong Pei, Aaron D LaLonde, and G Jeffrey Snyder. Weak electron-phonon coupling contributing to high thermoelectric performance in n-type PbSe. Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 109(25):9705 9, June P48

71 Yarı İletken MgSiP 2 Bileşiğinin Ab-İnitio Yöntem ile İncelenmesi Belgin Koçak, Yasemin Öztekin Çiftci, Kemal Çolakoğlu Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara MgSiP 2 bileşeği uzay grubu I 2d (D2 d ) olan, ilkel birim hücresinde sekiz atom bulunan cisim merkezli tetragonal (chalcopyrite) yapıda kristalleşmektedir. Bu gruptaki bileşikler son yıllarda fotovoltaik uygulamalarda kullanılabilecek alternatif bileşik olarak gösterilmektedir [1-3]. Bu çalışma boyunca yapılan bütün hesaplamalarda yoğunluk fonksiyoneli teorisi kapsamında değiş tokuş korelasyon enerjisi için yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) ve genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA) olarak PW91 (Perdew ve Wang), PBE (Perdew- Burke-Ernherzof), RPBE (revised Perdew-Burke-Ernherzof), PBEsol (modified Perdew-Burke-Ernherzof), AM05 (Armiento-Mattson 2005) fonksiyonelleri kullanıldı. Hesaplanan örgü parametreleri a, c ve iç yer değiştirme parametresi u için GGA-AM05 fonksiyonellinin deneysel çalışmalarla daha iyi uyumlu olduğu görüldü. Bileşiğin incelenen elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğu eğrilerinden Γ noktasında doğrudan bant aralığına sahip yarı iletken bir malzeme olduğu belirlendi. Dikkate alınan bütün yaklaşımlar için ayrıca elastik sabitleri ve ilgili mekaniksel nicelikler hesaplanmıştır. Kramers-Kronig eşitlikleri yardımıyla kırılma indisi, sönüm katsayısı, yansıtma sabiti, enerji kayıp fonksiyonunun foton enerjisiyle değişimi incelendi. Elde ettiğimiz sonuçların mevcut teorik çalışmalarla uyumlu olduğu görüldü. Temeli yoğunluk fonksiyonel pertürbasyon teorisine (DFPT) dayanan PHONOPY kodu kullanılarak bileşiğin fonon dispersiyon eğrileri, toplam ve kısmi durum yoğunlukları elde edilerek, I 2d (D2 d ) uzay grubunun bu bileşik için dinamik olarak kararlı olduğu belirlendi. Elde edilen tüm sonuçlar mevcut literatür sonuçları ile karşılaştırıldı ve genellikle iyi uyum gözlendi. Kaynakça 1. V. L. Shaposhnikov, A. V. Krivosheeva, V.E. Borisenko, Ab initio modeling of the structural, electronic, and optical properties of A II B IV C V 2 semiconductors, Physical Review B, 85, (2012). 2. M. V. Schilfgaarde, N. Newman, T. J. Peshek, T. J. Coutts, T. A. Gessert, Mg-IV-V chalcopyrites in thin film tandem photovoltaic cells, Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 34th IEEE, 7-12 June 2009, Philadelphia. 3. F. Chiker, Z. Kebbab, N. Benramdane, Chalcopyrite Semiconductors: New Materials For Solar Cell Energy, EFEEA 10 International Symposium on Environment Friendly Energies in Electrical Applications, 2-4 November 2010, Algeria. P49

72 şiddet (birimsiz) Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Bilkent Üniversitesi, 20 Aralık 2013 Gözenekli Silikon Üretimi ve Karakterizasyonu Şafak Doğan, Nihan Akın, Ü. Ceren Başköse, Tofig Memmedli, Süleyman Özçelik Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü, Ankara Gazi Üniversitesi Fotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi, Ankara Yaklaşık 10 yıldır yapılan çalışmalarda mikron boyutlarından nanometre boyutlarına değişen nanokristal silikon çalışmaları dünya genelinde yapılmaktadır(1,2,3). Bu konuya ilgi 1990larda gözenekli silikondan görünür bölgede ışıma elde edilmesi ile artmıştır(4). Gözenekli silikon ışıma açısından verimsiz olan indirek enerji bant yapısına sahip olan silikon yapılara dayandığından ilginç bir malzemedir. Silikon, mikrolektronik endüstrisinde kullanılan çok önemli bir malzemedir. Gözenekli silikonda ışımanın keşfi ile beraber mikroelektronikteki bu uygulamalar optoelektronik uygulamalara doğru genişlemiştir. Bu çalışmada ıslak aşındırma kullanılarak üretilen çeşitli gözenekli silikon katmanları üretilerek yapısal ve optik özellikleri araştırıldı. Üretilen gözenekli silikon filmlerin, fotolüminesans özellikleri, yüzey morfolojileri ve kristal yapıları ayrıntılı bir şekilde çalışıldı. Üretilen filmlerin emisyon piklerinin, yapıdaki gözenekliliğe göre değişimi Şekil 1'de verildi. Şekil 2: Farklı koşullarda üretilen 3 numune için 2-D, 3-D AFM ölçüm sonuçları Gözenekli Si yapılarının yüzey morfolojisi atomik kuvvet mikroskobu (AKM) ile incelendi. Alınan AKM görüntüleri Şekil 2 ile verildi. AKM görüntülerinden spesifik yüzey alanı ve gözeneklilik yüzdesi, Şekil 3 de verilen şematik tasarım dikkate alınarak hesaplandı. Üretilen filmlerin gözeneklilik yüzdesi %49, %65 ve %72 olarak belirlendi. %49 gözeneklilik %65 gözeneklilik %72 gözeneklilik Şekil 3: Gözenekli Silikon Katmanların Şematik Gösterimi dalgaboyu (nm) Şekil 1: Farklı koşularda üretilen 3 numune için gözenekliliğe bağlı olarak fotoluminesans spektrumu Hesaplanan gözenekliliğin, filmin ışıma karakteristikleri üzerinde etkili olduğu tespit edildi. Sonuç olarak gözeneklilik arttıkça, ışıma spektrumda daha küçük dalga boylarına doğru kayma oluştuğu belirlendi. Teşekkür: Bu çalışma 2011K nolu proje kapsamında Kalkınma Bakanlığı tarafından desteklenmiştir. Kaynakça 1. Fauchet, P. M., Behren, J., Hirschman, K. D., Tsybeskov, L., Duttagupta, S. P., Porous Silicon physics and device applications: a status report, Phys. Stat. Solid.,165:3-13 (1998). 2. Lalic, N., Linnros, J., Characterization of a porous silicon diode with efficient and tunable electroluminescence, J. Appl. Phys., 80: (1996). 3. Vial, J. C., Herino, R., Billat, S., Bsiesy, A., Gaspard, F., Ligeon, M., Milahescu, I., Muller, F., Romestain, R., Visible light emission from silicon: a quantum effect in highly porous materials, IEEE Transactions on Nuclear Science, 39: (1992). 4. Lazarouk, S., Jaguiro, P., Katsouba, S., Maiello, G., La Monica, S., Masini, G., Proverbio, E., Ferrari, A., Visual determination of thickness and porosity of porous silicon layers, Thin Solid Films, 297: (1997). P50

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI Dersin Kodu FIZ508 Spektroskopik Analiz Yöntemleri (II) Kredisi (T P K) (3 0 3) 2-Bahar Atomik spektroskopi, infrared absorpsiyon spektroskopisi, raman spektroskopisi, nükleer magnetik rezonans spektroskopisi,

Detaylı

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR...

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... İÇİNDEKİLER Bölüm 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... 1 1.1 Katıhal... 1 1.1.1 Kristal Katılar... 1 1.1.2 Çoklu Kristal Katılar... 2 1.1.3 Kristal Olmayan (Amorf) Katılar... 2 1.2 Kristallerde Periyodiklik... 2

Detaylı

Fotonik Kristallerin Fiziği ve Uygulamaları

Fotonik Kristallerin Fiziği ve Uygulamaları Fotonik Kristallerin Fiziği ve Uygulamaları Ekmel Özbay, İrfan Bulu, Hümeyra Çağlayan, Koray Aydın, Kaan Güven Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü Bilkent, 06800 Ankara ozbay@fen.bilkent.edu.tr, irfan@fen.bilkent.edu.tr,

Detaylı

Doç.Dr.Vildan BiLGiN. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü

Doç.Dr.Vildan BiLGiN. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü Doç.Dr.Vildan BiLGiN Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü vbilgin@comu.edu.tr İÇERİK; Moleküller ve Katılar, Katıların Bant Yapısı ve Elektriksel İletkenlik, Yarıiletkenler,

Detaylı

Depozisyon Teknikleri

Depozisyon Teknikleri ELEKTROKİMYASAL SİSTEMLERDE DEPOLAMA VE YÜZEY KARAKTERİZASYONU Depozisyon Teknikleri MBE, CVD, MOCVD, PLD Elektrokimyasal Depozisyon Avantajları: 1. Oda sıcaklığı ve atmosfer basıncında çalışılabilir.

Detaylı

ÖZGEÇMİŞ. 2002-2003 Tezsiz Yüksek Lisans, Eğitim Fakültesi, Fizik Öğretmenliği, Ankara Üniversitesi

ÖZGEÇMİŞ. 2002-2003 Tezsiz Yüksek Lisans, Eğitim Fakültesi, Fizik Öğretmenliği, Ankara Üniversitesi ÖZGEÇMİŞ ADI SOYADI: İpek Güler EMAIL: ipekkocerguler@gmail.com ipekguler@cankaya.edu.tr EĞİTİM: 2004-2011 Bütünleşik Doktora Eğitimi, Fizik Bölümü, ODTÜ Şubat-Mayıs 2008 Araştırmacı, Fizik Bölümü, Bari

Detaylı

ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ *

ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ * ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ * Production and Optical Properties of Zinc Nitride (Zn 3 N 2 ) By Pulsed Filtered Cathodic

Detaylı

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri 12. Ders Yarıiletkenlerin lektronik Özellikleri T > 0 o K c d v 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Yalıtkan, yarıiletken, iletken, Doğrudan (direk) ve dolaylı (indirek) bant aralığı, tkin kütle, devingenlik,

Detaylı

Sb 2 Te 3 ve Bi 2 Te 3 İÇERİKLİ YARI İLETKEN ALAŞIMLARIN ÜRETİMİ ve TERMOELEKTRİK, YAPISAL, MİKROYAPISAL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ ÖZET

Sb 2 Te 3 ve Bi 2 Te 3 İÇERİKLİ YARI İLETKEN ALAŞIMLARIN ÜRETİMİ ve TERMOELEKTRİK, YAPISAL, MİKROYAPISAL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ ÖZET Sb 2 Te 3 ve Bi 2 Te 3 İÇERİKLİ YARI İLETKEN ALAŞIMLARIN ÜRETİMİ ve TERMOELEKTRİK, YAPISAL, MİKROYAPISAL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Mehmet Burçin PİŞKİN, Emek Möröydor DERUN, Sabriye PİŞKİN YILDIZ TEKNİK

Detaylı

İstatistiksel Mekanik I

İstatistiksel Mekanik I MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için

Detaylı

SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE

SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE OPTİK MALZEMELER ARAŞTIRMA GRUBU SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE Birhan UĞUZ 1 0 8 1 0 8 1 0 İçerik Elipsometre Nedir? Işığın Kutuplanması Işığın Maddeyle Doğrusal Etkileşmesi Elipsometre Bileşenleri Ortalama

Detaylı

Malzeme Bilimi ve Mühendisliği. h$p://www.mse.cankaya.edu.tr

Malzeme Bilimi ve Mühendisliği. h$p://www.mse.cankaya.edu.tr Malzeme Bilimi ve Mühendisliği 1 h$p://www.mse.cankaya.edu.tr Malzeme Bakır Çağı (M.Ö. 5000-3000) Tunç Çağı (M. Ö. 3000-1000) Demir Çağı (M.Ö. 1190-330 ) 2 Malzeme Günümüzde birçok malzeme çeşidi bulunmaktadır.

Detaylı

Optik Özellikler. Elektromanyetik radyasyon

Optik Özellikler. Elektromanyetik radyasyon Optik Özellikler Işık malzeme üzerinde çarptığında nasıl bir etkileşme olur? Malzemelerin karakteristik renklerini ne belirler? Neden bazı malzemeler saydam ve bazıları yarısaydam veya opaktır? Lazer ışını

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

FİZİK ANABİLİM DALI. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı ANS Kampüsü, Afyonkarahisar

FİZİK ANABİLİM DALI. Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı ANS Kampüsü, Afyonkarahisar FİZİK ANABİLİM DALI Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı ANS Kampüsü, Afyonkarahisar Telefon (272) 228 14 23 Faks (272) 228 14 22 1992 yılında kurulmuş olan Fizik Anabilim

Detaylı

DOÇ.DR. İSMAİL KARAKURT Işık Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü ikarakurt@isikun.edu.tr

DOÇ.DR. İSMAİL KARAKURT Işık Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü ikarakurt@isikun.edu.tr DOÇ.DR. İSMAİL KARAKURT Işık Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Bölümü ikarakurt@isikun.edu.tr 1. Adı Soyadı : İsmail KARAKURT 2. Doğum Tarihi : 1970 3. Unvanı : Doçent 4. Öğrenim Durumu : ÖĞRENİM DÖNEMİ

Detaylı

Faz ( denge) diyagramları

Faz ( denge) diyagramları Faz ( denge) diyagramları İki elementin birbirleriyle karıştırılması sonucunda, toplam iç enerji mimimum olacak şekilde yeni atom düzenleri meydana gelir. Fazlar, İç enerjinin minimum olmasını sağlayacak

Detaylı

MMM291 MALZEME BİLİMİ

MMM291 MALZEME BİLİMİ MMM291 MALZEME BİLİMİ Ofis Saatleri: Perşembe 14:00 16:00 ayse.kalemtas@btu.edu.tr, akalemtas@gmail.com Bursa Teknik Üniversitesi, Doğa Bilimleri, Mimarlık ve Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme

Detaylı

ZnO Yarıiletken Filmlerinin Optik, Elektrik ve Yüzey Özellikleri Üzerine Isıl Tavlama İşleminin Etkileri

ZnO Yarıiletken Filmlerinin Optik, Elektrik ve Yüzey Özellikleri Üzerine Isıl Tavlama İşleminin Etkileri Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 16-1( 2012), 56-60 ZnO Yarıiletken Filmlerinin Optik, Elektrik ve Yüzey Özellikleri Üzerine Isıl Tavlama İşleminin Etkileri Olcay GENÇYILMAZ

Detaylı

ÖZGEÇMİŞ ve ESERLER LİSTESİ. : Alanya Alaaddin Keykubat Üniversitesi, Konaklı Belediye Merkezi, Alanya/Antalya. : huseyinertik@akdeniz.edu.

ÖZGEÇMİŞ ve ESERLER LİSTESİ. : Alanya Alaaddin Keykubat Üniversitesi, Konaklı Belediye Merkezi, Alanya/Antalya. : huseyinertik@akdeniz.edu. ÖZGEÇMİŞ ve ESERLER LİSTESİ Adı Soyadı : Hüseyin ERTİK Doğum Tarihi : 18.01.1979 Medeni Durumu : Evli Dil : İngilizce (ÜDS Mart 2012, Puan 86,25) : Alanya Alaaddin Keykubat Üniversitesi, Adres Eğitim Fakültesi,

Detaylı

Özgeçmiş ve Yayınlar Listesi (Ocak, 2014)

Özgeçmiş ve Yayınlar Listesi (Ocak, 2014) Özgeçmiş ve Yayınlar Listesi (Ocak, 2014) Kişisel Bilgiler: Adı Soyadı: Hasan Yıldırım Doğum Yeri: Gaziantep, Türkiye Adres (İş): Karabük Üniversitesi Sağlık Yüksek Okulu İş Sağlığı ve Güvenliği Bölümü

Detaylı

MALZEME BİLGİSİ DERS 2 DR. FATİH AY. www.fatihay.net fatihay@fatihay.net

MALZEME BİLGİSİ DERS 2 DR. FATİH AY. www.fatihay.net fatihay@fatihay.net MALZEME BİLGİSİ DERS 2 DR. FATİH AY www.fatihay.net fatihay@fatihay.net DERSİN AMACI: Malzeme Biliminde temel kavramları tanıtmak ÖĞRENECEKLERİNİZ: Malzeme yapısı Yapının özelliklere olan etkisi Malzemenin

Detaylı

Bünyamin Şahin ve Sedat Ağan

Bünyamin Şahin ve Sedat Ağan International Journal of Engineering Research and Development, Vol.2, No.2, June 2010 43 PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM),Raman

Detaylı

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları 1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik

Detaylı

ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ

ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ ÖZGEÇMİŞ Adı Soyadı: Mustafa Güneş Doğum Tarihi: 11 Mayıs 1981 Öğrenim Durumu: Doktora Derece Bölüm/Program Üniversite Yıl Lisans-I Fizik Dokuz Eylül Üniversitesi 2004 Lisans-II

Detaylı

Malzemelerin Yüzey İşlemleri (MATE 464) Ders Detayları

Malzemelerin Yüzey İşlemleri (MATE 464) Ders Detayları Malzemelerin Yüzey İşlemleri (MATE 464) Ders Detayları Ders Adı Ders Kodu Dönemi Ders Uygulama Saati Saati Laboratuar Kredi AKTS Saati Malzemelerin Yüzey İşlemleri MATE 464 Her İkisi 3 0 0 3 5 Ön Koşul

Detaylı

TOZ METALURJİSİ Prof.Dr. Muzaffer ZEREN

TOZ METALURJİSİ Prof.Dr. Muzaffer ZEREN . TEKNİK SEÇİMLİ DERS I TOZ METALURJİSİ Prof.Dr. Muzaffer ZEREN SİNTERLEME Sinterleme, partiküllerarası birleşmeyi oluşturan ısıl prosestir; aynı zamanda ham konumda gözlenen özellikler artırılır. . Sinterlemenin

Detaylı

MALZEME BİLGİSİ. Katı Eriyikler

MALZEME BİLGİSİ. Katı Eriyikler MALZEME BİLGİSİ Dr.- Ing. Rahmi ÜNAL Konu: Katı Eriyikler 1 Giriş Endüstriyel metaller çoğunlukla birden fazla tür eleman içerirler, çok azı arı halde kullanılır. Arı metallerin yüksek iletkenlik, korozyona

Detaylı

Optoelektronik Tümleşik Devreler. 2008 HSarı 1

Optoelektronik Tümleşik Devreler. 2008 HSarı 1 Optoelektronik Tümleşik Devreler 2008 HSarı 1 Kaynaklar: R. G. Hunsperger, Integrated Optics: Theory and Technology, 3rd Edition, Springer Series in Optical Science, Springer-Verlag, 1991 2008 HSarı 2

Detaylı

KAPLAMA TEKNİKLERİ DERS NOTLARI

KAPLAMA TEKNİKLERİ DERS NOTLARI KAPLAMA TEKNİKLERİ DERS NOTLARI CVD Kaplama Ortalama kapalı bir kap içinde ısıtılmış malzeme yüzeyinin buhar halindeki bir taşıyıcı gazın kimyasal reaksiyonu sonucu oluşan katı bir malzeme ile kaplanması

Detaylı

Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü 06100 Tandoğan-ANKARA

Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü 06100 Tandoğan-ANKARA In x Al 1-x As BİLEŞİK YARIİLETKEN MALZEMELERDE KALICI FOTOİLETKENLİK Hüseyin SARI 1, Harry H. WIEDER* Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü 06100 Tandoğan-ANKARA *Kaliforniya

Detaylı

Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS. Yarıiletken Malzemeler EEE213 3 3+0 3 5

Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS. Yarıiletken Malzemeler EEE213 3 3+0 3 5 DERS BİLGİLERİ Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS Yarıiletken Malzemeler EEE213 3 3+0 3 5 Ön Koşul Dersleri Dersin Dili Dersin Seviyesi Dersin Türü İngilizce Zorunlu / Lisans Yüz Yüze

Detaylı

Kane Tipi Kuantum Halkalarında Elektronların Etkin g-çarpanı. Effective g-factor of Electrons in the Kane Type Quantum Rings

Kane Tipi Kuantum Halkalarında Elektronların Etkin g-çarpanı. Effective g-factor of Electrons in the Kane Type Quantum Rings Kane Tipi Kuantum Halkalarında Elektronların Etkin g-çarpanı Arif Babanlı 1,*, Deniz Türköz Altuğ 2 1 Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 32260, Isparta, Türkiye 2 Süleyman

Detaylı

YENİ BİR İLETKEN POLİMER: POLİ(3,8 DİAMİNOBENZO[c]SİNNOLİN) ELEKTROKİMYASAL ÜRETİMİ VE ELEKTROKROMİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

YENİ BİR İLETKEN POLİMER: POLİ(3,8 DİAMİNOBENZO[c]SİNNOLİN) ELEKTROKİMYASAL ÜRETİMİ VE ELEKTROKROMİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ YENİ BİR İLETKEN POLİMER: POLİ(3,8 DİAMİNOBENZO[c]SİNNOLİN) ELEKTROKİMYASAL ÜRETİMİ VE ELEKTROKROMİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Eda AKGÜL a *, Ahmet Ferat ÜZDÜRMEZ b, Handan GÜLCE a, Ahmet GÜLCE a, Emine

Detaylı

İÇİNDEKİLER 1: X-IŞINLARI

İÇİNDEKİLER 1: X-IŞINLARI İÇİNDEKİLER Bölüm 1: X-IŞINLARI 1.1. X-ışınlarının Özellikleri... 1 1.2. Elektromanyetik radyasyon... 2 1.3. Sürekli Spektrum... 5 1.4. Karakteristik Spektrum... 6 1.5. X-ışınlarının Oluşturulması... 9

Detaylı

DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ AKADEMİK ÖZGEÇMİŞ BELGESİ

DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ AKADEMİK ÖZGEÇMİŞ BELGESİ DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ AKADEMİK ÖZGEÇMİŞ BELGESİ KİMLİK VE İLETİŞİM BİLGİLERİ Unvanı Adı Soyadı E posta Doç. Dr. (8 Ekim 2013 tarihinde doçentliğini aldı) Devrim Tarhan dtarhan@gmail.com, devrim.tarhan@dpu.edu.tr

Detaylı

Laboratuarımız. Ankara Üniversitesi. Mühendislik Fakültesi Manyetik Malzemeler Araştırma Grubu. Ankara Üniversitesi

Laboratuarımız. Ankara Üniversitesi. Mühendislik Fakültesi Manyetik Malzemeler Araştırma Grubu. Ankara Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Manyetik Malzemeler Araştırma Grubu Laboratuarımız Örnek Hazırlama Ark Fırınları Isıl İşlem Fırınları Mekanik Alaşımlama Sistemleri Şerit Üretim Sistemi (Melt Spinner) Yapısal Karakterizasyon

Detaylı

İleri Elektronik Uygulamaları Hata Analizi

İleri Elektronik Uygulamaları Hata Analizi İleri Elektronik Uygulamaları Hata Analizi Tuba KIYAN 01.04.2014 1 Tarihçe Transistör + Tümleşik devre Bilgisayar + İnternet Bilişim Çağı Transistörün Evrimi İlk transistör (1947) Bell Laboratuvarları

Detaylı

X-Işınları. 1. Ders: X-ışınları hakkında genel bilgiler. Numan Akdoğan. akdogan@gyte.edu.tr

X-Işınları. 1. Ders: X-ışınları hakkında genel bilgiler. Numan Akdoğan. akdogan@gyte.edu.tr X-Işınları 1. Ders: X-ışınları hakkında genel bilgiler Numan Akdoğan akdogan@gyte.edu.tr Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü Fizik Bölümü Nanomanyetizma ve Spintronik Araştırma Merkezi (NASAM) X-Işınları

Detaylı

Dr. Mustafa ERKOVAN. Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü Fizik Bölümü erkovanm@gmail.com. Gebze Yüksek Tek. Enst. Fizik Bölümü Ocak 2005- Kasım 2010

Dr. Mustafa ERKOVAN. Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü Fizik Bölümü erkovanm@gmail.com. Gebze Yüksek Tek. Enst. Fizik Bölümü Ocak 2005- Kasım 2010 Dr. Mustafa ERKOVAN Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü Fizik Bölümü erkovanm@gmail.com EĞĐTĐM PostDoktora: Berlin Freie Üniversitesi Deneysel Fizik Haziran 2011- Haziran 2012 Doktora: Gebze Yüksek Tek. Enst.

Detaylı

ZnO TABANLI YARIİLETKENLERDE METAL KONTAK ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI * Investigation of Metal Contact Properties at ZnO Based Semiconductors

ZnO TABANLI YARIİLETKENLERDE METAL KONTAK ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI * Investigation of Metal Contact Properties at ZnO Based Semiconductors ZnO TABANLI YARIİLETKENLERDE METAL KONTAK ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI * Investigation of Metal Contact Properties at ZnO Based Semiconductors Nihal TOZLU Fizik Anabilim Dalı Hamide KAVAK Fizik Anabilim

Detaylı

Bugün için Okuma: Bölüm 1.5 (3. Baskıda 1.3), Bölüm 1.6 (3. Baskıda 1.4 )

Bugün için Okuma: Bölüm 1.5 (3. Baskıda 1.3), Bölüm 1.6 (3. Baskıda 1.4 ) 5.111 Ders Özeti #4 Bugün için Okuma: Bölüm 1.5 (3. Baskıda 1.3), Bölüm 1.6 (3. Baskıda 1.4 ) Ders #5 için Okuma: Bölüm 1.3 (3. Baskıda 1.6 ) Atomik Spektrumlar, Bölüm 1.7 de eģitlik 9b ye kadar (3. Baskıda

Detaylı

METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010

METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010 METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010 WEBSİTE www2.aku.edu.tr/~hitit Dersler İÇERİK Metalik Malzemelerin Genel Karakteristiklerİ Denge diyagramları Ergitme ve döküm Dökme demir ve çelikler

Detaylı

Atom. Atom 9.11.2015. 11 elektronlu Na. 29 elektronlu Cu

Atom. Atom 9.11.2015. 11 elektronlu Na. 29 elektronlu Cu Atom Maddelerin en küçük yapı taşlarına atom denir. Atomlar, elektron, nötron ve protonlardan oluşur. 1.Elektronlar: Çekirdek etrafında yörüngelerde bulunurlar ve ( ) yüklüdürler. Boyutları çok küçüktür.

Detaylı

ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ

ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ ÖZGEÇMİŞ Adı Soyadı: Hamza Yaşar Ocak Doğum Tarihi: 23.04.1961 Öğrenim Durumu: Derece Bölüm/Program Üniversite Yıl Lisans Fizik Öğretmenliği Atatürk 1985 Y. Lisans Fizik-Katıhal

Detaylı

Manyetik Alan. Manyetik Akı. Manyetik Akı Yoğunluğu. Ferromanyetik Malzemeler. B-H eğrileri (Hysteresis)

Manyetik Alan. Manyetik Akı. Manyetik Akı Yoğunluğu. Ferromanyetik Malzemeler. B-H eğrileri (Hysteresis) Manyetik Alan Manyetik Akı Manyetik Akı Yoğunluğu Ferromanyetik Malzemeler B-H eğrileri (Hysteresis) Kaynak: SERWAY Bölüm 29 http://mmfdergi.ogu.edu.tr/mmfdrg/2006-1/3.pdf Manyetik Alan Manyetik Alan

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 4: Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri Fotovoltaik Hücre Fotovoltaik Etki Yarıiletken Fiziğin Temelleri Atomik Yapı Enerji Bandı Diyagramı Kristal Yapı Elektron-Boşluk Çiftleri

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

YENİ YARI-İLETKEN TEKNOLOJİLERİ

YENİ YARI-İLETKEN TEKNOLOJİLERİ YENİ YARI-İLETKEN TEKNOLOJİLERİ Doç. Dr. Cengiz Beşikci Mikroelektronik Bilgisayar Enformasyon Teknolojisi Telekomünikasyon Mikroelektronik Teknolojisi Yeni Kavramlar Yeni Malzemeler Küçültme Karõşõk Teknolojiler

Detaylı

FİZ4001 KATIHAL FİZİĞİ-I

FİZ4001 KATIHAL FİZİĞİ-I FİZ4001 KATIHAL FİZİĞİ-I Dr. Aytaç Gürhan GÖKÇE Katıhal Fiziği - I Dr. Aytaç Gürhan GÖKÇE 1 Giriş Bir kristali bir arada tutan şey nedir? Elektrostatik etkileşme elektronlar (-) ile + iyonlar arasındaki

Detaylı

CdS:In Filmlerinin Optik, Yüzey ve Elektrik Özellikleri Üzerine Isıl Tavlamanın Etkisi

CdS:In Filmlerinin Optik, Yüzey ve Elektrik Özellikleri Üzerine Isıl Tavlamanın Etkisi CdS:In Filmlerinin Optik, Yüzey ve Elektrik Özellikleri Üzerine Isıl Tavlamanın Etkisi Seniye KARAKAYA 1,*, Ömer ÖZBAŞ 1 1 Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Eskişehir

Detaylı

PÜSKÜRTME YÖNTEMİ İLE HAZIRLANAN CdO İNCE FİLMLERİN ÖZELLİKLERİ * Properties of CdO Thin Films Deposition by Spray Methods*

PÜSKÜRTME YÖNTEMİ İLE HAZIRLANAN CdO İNCE FİLMLERİN ÖZELLİKLERİ * Properties of CdO Thin Films Deposition by Spray Methods* PÜSKÜRTME YÖNTEMİ İLE HAZIRLANAN CdO İNCE FİLMLERİN ÖZELLİKLERİ * Properties of CdO Thin Films Deposition by Spray Methods* Filinta KIRMIZIGÜL Fizik Anabilim Dalı Cebrail GÜMÜŞ Fizik Anabilim Dalı ÖZET

Detaylı

SPRAY PYROLYSIS YÖNTEMİ İLE FARKLI ALTLIK SICAKLIĞINDA ELDE EDİLEN SnO 2 ve SnO 2 : F İNCE FİLMLERİN BAZI FİZİKSEL ÖZELLİKLERİNE, ALTLIK SICAKLIĞININ

SPRAY PYROLYSIS YÖNTEMİ İLE FARKLI ALTLIK SICAKLIĞINDA ELDE EDİLEN SnO 2 ve SnO 2 : F İNCE FİLMLERİN BAZI FİZİKSEL ÖZELLİKLERİNE, ALTLIK SICAKLIĞININ SPRAY PYROLYSIS YÖNTEMİ İLE FARKLI ALTLIK SICAKLIĞINDA ELDE EDİLEN SnO 2 ve SnO 2 : F İNCE FİLMLERİN BAZI FİZİKSEL ÖZELLİKLERİNE, ALTLIK SICAKLIĞININ ETKİSİNİN ARAŞTIRILMASI Demet TATAR Doktora Tezi Fizik

Detaylı

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER Dielektrik malzemeler; serbest elektron yoktur, yalıtkan malzemelerdir, uygulanan elektriksel alandan etkilenebilirler. 1 2 Dielektrik malzemeler Elektriksel alan

Detaylı

Ön Söz... xiii Teşekkür... xiv

Ön Söz... xiii Teşekkür... xiv İÇİNDEKİLER Ön Söz... xiii Teşekkür... xiv Bölüm 1 NANOBİLİM VE NANOTEKNOLOJİ 1.1 Büyüklük Ölçekleri... 1 1.2 Küçük Sistemlerde Kuantum Mekaniği (Schrödinger in Kedisi) -Düzensiz Dalgalanmalar... 2 1.3

Detaylı

Başka Boyutlar Arayışı-2:

Başka Boyutlar Arayışı-2: Başka Boyutlar Arayışı-2: Ekstra Boyutların bir Sınıflandırması, Gözlenebilirlikleri ve Standart Birleştirme Teorilerinde Enerji Ölçekleri K. O. Ozansoy, Ankara Üniversitesi Fizik Bölümü İçerik 1. Özet

Detaylı

HYDROTERMAL YÖNTEMİYLE NİKEL FERRİT NANOPARTİKÜLLERİN SENTEZİ VE KARAKTERİZASYONU

HYDROTERMAL YÖNTEMİYLE NİKEL FERRİT NANOPARTİKÜLLERİN SENTEZİ VE KARAKTERİZASYONU ÖZET HYDROTERMAL YÖNTEMİYLE NİKEL FERRİT NANOPARTİKÜLLERİN SENTEZİ VE KARAKTERİZASYONU Zeynep KARCIOĞLU KARAKAŞ a,*, Recep BONCUKÇUOĞLU a, İbrahim H. KARAKAŞ b a Atatürk Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi,

Detaylı

Gözlemevi Yer Seçimi Amaçlıİklim Tanı Arşivlerinde Türkiye

Gözlemevi Yer Seçimi Amaçlıİklim Tanı Arşivlerinde Türkiye Gözlemevi Yer Seçimi Amaçlıİklim Tanı Arşivlerinde Türkiye Tansel AK(1,2), Tuncay ÖZIŞIK(1) (1) TÜBİTAK Ulusal Gözlemevi (2) İstanbul Üniv. Fen Fak. Astronomi ve Uzay Bilimleri Bölümü Gözlemevi Yer Seçiminde

Detaylı

Sıvı Depolarının Statik ve Dinamik Hesapları

Sıvı Depolarının Statik ve Dinamik Hesapları Sıvı Depolarının Statik ve Dinamik Hesapları Bu konuda yapmış olduğumuz yayınlardan derlenen ön bilgiler ve bunların listesi aşağıda sunulmaktadır. Bu başlık altında depoların pratik hesaplarına ilişkin

Detaylı

İstanbul Medeniyet Üniversitesi. Fen Fakültesi Kimya Bölümü Akademik Kurul Toplantısı Aralık - 2013

İstanbul Medeniyet Üniversitesi. Fen Fakültesi Kimya Bölümü Akademik Kurul Toplantısı Aralık - 2013 İstanbul Medeniyet Üniversitesi Fen Fakültesi Kimya Bölümü Akademik Kurul Toplantısı Aralık - 2013 Akademik Personel Mesut Görür Arş. Gör. Ayşe Demir Uzman Dr. Kübra Demir Uzman Büşra Şennik Arş. Gör.

Detaylı

Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi/ Journal of The Institute of Natural & Applied Sciences 17 (1):6-12, 2012

Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi/ Journal of The Institute of Natural & Applied Sciences 17 (1):6-12, 2012 Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi/ Journal of The Institute of Natural & Applied Sciences 17 (1):6-12, 2012 Araştırma Makalesi/Research Article BaCl 2 -Ba(H 2 PO 2 ) 2 -H 2 O Üçlü

Detaylı

Yarıiletken Yapılar. 2009 HSarı 1

Yarıiletken Yapılar. 2009 HSarı 1 Yarıiletken Yapılar 2009 HSarı 1 Ders İçeriği Yarıiletken klemler» Homo klemler» Hetero klemler Optoelektronik Malzemeler Optoelektronik Üretim Teknolojisi 2009 HSarı 2 Kaynaklar: 1) Solid State lectronics

Detaylı

Doğal Gypsum (CaSO 4.2H 2 O) Kristallerinin Termolüminesans (TL) Tekniği ile Tarihlendirilmesi. Canan AYDAŞ, Birol ENGİN, Talat AYDIN TAEK

Doğal Gypsum (CaSO 4.2H 2 O) Kristallerinin Termolüminesans (TL) Tekniği ile Tarihlendirilmesi. Canan AYDAŞ, Birol ENGİN, Talat AYDIN TAEK Doğal Gypsum (CaSO 4.2H 2 O) Kristallerinin Termolüminesans (TL) Tekniği ile Tarihlendirilmesi Canan AYDAŞ, Birol ENGİN, Talat AYDIN TAEK 2 3 4 Termolüminesans (TL) Tekniği TL Tekniği ile Tarihlendirme

Detaylı

KARBON ELYAF TAKVİYELİ POLİAMİT 6 KARMALARIN ISIL VE MEKANİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

KARBON ELYAF TAKVİYELİ POLİAMİT 6 KARMALARIN ISIL VE MEKANİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ KARBON ELYAF TAKVİYELİ POLİAMİT 6 KARMALARIN ISIL VE MEKANİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ N. Gamze Karslı Yılmaz, Ayşe Aytaç, Veli Deniz Kocaeli Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Kimya Mühendisliği Bölümü,

Detaylı

BİLECİK ÜNİVERSİTESİ AKADEMİK ÖZGEÇMİŞ FORMU

BİLECİK ÜNİVERSİTESİ AKADEMİK ÖZGEÇMİŞ FORMU BİLECİK ÜNİVERSİTESİ AKADEMİK ÖZGEÇMİŞ FORMU Adı Soyadı Ali İhsan Göker Ünvanı Doç. Dr. Alanı Fizik Doğum Yeri Akşehir Doğum Tarihi 28/01/1980 E-Posta aihsan.goker KİŞİSEL BİLGİLER EĞİTİM DURUMU Derece

Detaylı

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre

Detaylı

Kimyasal Depolama Yöntemiyle Elde Edilen CdSe Filmlerinin Elektriksel Karakteristikleri

Kimyasal Depolama Yöntemiyle Elde Edilen CdSe Filmlerinin Elektriksel Karakteristikleri Kimyasal Depolama Yöntemiyle Elde Edilen CdSe Filmlerinin Elektriksel Karakteristikleri H. Metin, S. Erat * ME. Ü. Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Mersin, hmetin@mersin.edu.tr *ME. Ü. Fen-Edebiyat

Detaylı

TÜBİTAK DESTEKLİ PROJELER

TÜBİTAK DESTEKLİ PROJELER TÜBİTAK DESTEKLİ LER 1 114F155 PROF. DR. ÇETIN KILIÇ 2014-2017 Bizmut Katkılı Çinko Oksit Nanotellerin Spintronik, Manyetik Ve Elektriksel Özelliklerinin Hesaplamalı İncelenmesi 172.560,00 2 109T677 PROF.

Detaylı

AMORF SİLİKON P-İ-N GÜNEŞ PİLLERİ VE KALKAJONİD CAMLARDA FOTOTAŞIYICI ÖMÜR SÜRESİ ÖLÇÜMÜ

AMORF SİLİKON P-İ-N GÜNEŞ PİLLERİ VE KALKAJONİD CAMLARDA FOTOTAŞIYICI ÖMÜR SÜRESİ ÖLÇÜMÜ AMORF SİLİKON P-İ-N GÜNEŞ PİLLERİ VE KALKAJONİD CAMLARDA FOTOTAŞIYICI ÖMÜR SÜRESİ ÖLÇÜMÜ Ruhi KAPLAN Mersin Üniversitesi Eğitim Fakültesi Fen ve Matematik Alanlar Eğitimi Bölümü Yenişehir Kampüsü, 33169

Detaylı

NORMAL ÖĞRETİM DERS PROGRAMI

NORMAL ÖĞRETİM DERS PROGRAMI NORMAL ÖĞRETİM DERS PROGRAMI 1. Yarıyıl 1. Hafta ( 19.09.2011-23.09.2011 ) Nükleer reaktör türleri ve çalışma prensipleri Atomik boyuttaki parçacıkların yapısı Temel kavramlar Elektrostatiğin Temelleri,

Detaylı

Ön Söz vii Kitabın Türkçe Çevirisine Ön Söz Çevirenin Ön Sözü 1 Sinterleme Bilimine Giriş 2 Sinterleme Ölçüm Teknikleri xiii

Ön Söz vii Kitabın Türkçe Çevirisine Ön Söz Çevirenin Ön Sözü 1 Sinterleme Bilimine Giriş 2 Sinterleme Ölçüm Teknikleri xiii Ön Söz vii Kitabın Türkçe Çevirisine Ön Söz ix Çevirenin Ön Sözü xi 1 Sinterleme Bilimine Giriş 1 Genel bakış / 1 Sinterleme tarihçesi / 3 Sinterleme işlemleri / 4 Tanımlar ve isimlendirme / 8 Sinterleme

Detaylı

Yatay Kuvvet yd-akm Fotoğrafı

Yatay Kuvvet yd-akm Fotoğrafı Yatay Kuvvet yd-akm Fotoğrafı Si(111) Yüzeyinde TTM Topografisi ve Yatay Kuvvet Görüntüsü: Atomik teraslar Topography image of atomic steps of Si(111)(7x7) using dithering special cantilever. Topography

Detaylı

Kristalizasyon Kinetiği

Kristalizasyon Kinetiği Kristalizasyon Kinetiği İçerik Amorf malzemeler amorf kristal Belirli bir kristal yapısı yoktur Atomlar rastgele dizilir Belirli bir kristal yapısı vardır Atomlar belirli bir düzende dizilir camlar amorf

Detaylı

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ Infrared (IR) ve Raman Spektroskopisi Yrd. Doç. Dr. Gökçe MEREY TİTREŞİM Molekülleri oluşturan atomlar sürekli bir hareket içindedir. Molekülde: Öteleme hareketleri, Bir eksen

Detaylı

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları Bölüm 7: Elektriksel Özellikler CEVAP ARANACAK SORULAR... Elektriksel iletkenlik ve direnç nasıl tarif edilebilir? İletkenlerin, yarıiletkenlerin ve yalıtkanların ortaya çıkmasında hangi fiziksel süreçler

Detaylı

MMM291 MALZEME BİLİMİ

MMM291 MALZEME BİLİMİ MMM291 MALZEME BİLİMİ Ofis Saatleri: Perşembe 14:00 16:00 ayse.kalemtas@btu.edu.tr, akalemtas@gmail.com Bursa Teknik Üniversitesi, Doğa Bilimleri, Mimarlık ve Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme

Detaylı

Bor ve karbon nanomalzemelerin üretimi ve karakterizasyonu

Bor ve karbon nanomalzemelerin üretimi ve karakterizasyonu Bor ve karbon nanomalzemelerin üretimi ve karakterizasyonu Prof.Dr. Yuda Yürüm Burcu Saner Okan, Züleyha Özlem Kocabaş, Firuze Okyay, Dr. Aslı Nalbant Ergün, Dr. Ahu Gümrah Dumanlı, Dr. Alp Yürüm KOCAELİ

Detaylı

YÜKSEK LĠSANS TEZ ADI: Termiyonik Vakum Ark (TVA) Tekniği ile Optik

YÜKSEK LĠSANS TEZ ADI: Termiyonik Vakum Ark (TVA) Tekniği ile Optik ÖZGEÇMĠġ ADI-SOYADI: Tuna AYDOĞMUġ DOĞUM TARĠHĠ: 03.07.1987 ELEKTRONĠK POSTA: tuna.aydogmus@gedik.edu.tr EĞĠTĠM: LĠSANS: Samsun Ondokuz Mayıs Üniversitesi Ortaöğretim Fizik Öğretmenliği (2005-2010) YÜKSEK

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR II DOĞRUSAL ISI İLETİMİ DENEYİ 1.Deneyin Adı: Doğrusal ısı iletimi deneyi..

Detaylı

PÜSKÜRTME ŞEKİLLENDİRME (SPRAY FORMING / SPRAY DEPOSITION)

PÜSKÜRTME ŞEKİLLENDİRME (SPRAY FORMING / SPRAY DEPOSITION) PÜSKÜRTME ŞEKİLLENDİRME (SPRAY FORMING / SPRAY DEPOSITION) Püskürtme şekillendirme (PŞ) yöntemi ilk olarak Osprey Ltd. şirketi tarafından 1960 lı yıllarda geliştirilmiştir. Günümüzde püskürtme şekillendirme

Detaylı

ÇİFT PARABOLİK KUŞATMA ALTINDA KUANTUM SİSTEMİ ELEKTRONİK ENERJİ DÜZEYLERİ

ÇİFT PARABOLİK KUŞATMA ALTINDA KUANTUM SİSTEMİ ELEKTRONİK ENERJİ DÜZEYLERİ Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 0 (008) 1-1 Marmara Üniversitesi ÇİFT PARABOLİK KUŞATMA ALTINDA KUANTUM SİSTEMİ ELEKTRONİK ENERJİ DÜZEYLERİ SEZAİ ELAGÖZ *, OSMAN USLU VE PINAR BAŞER Cumhuriyet Üniversitesi

Detaylı

Dokuz Eylül Üniversitesi İnşaat Mühendisliği Bölümü YAPI MALZEMESİ - I

Dokuz Eylül Üniversitesi İnşaat Mühendisliği Bölümü YAPI MALZEMESİ - I Dokuz Eylül Üniversitesi İnşaat Mühendisliği Bölümü YAPI MALZEMESİ - I YRD.DOÇ.DR. KAMİLE TOSUN FELEKOĞLU 1. Giriş 1 KAYNAK KİTAP: Dokuz Eylül Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Yayınları Yayın No : 307

Detaylı

Yığma yapı elemanları ve bu elemanlardan temel taşıyıcı olan yığma duvarlar ve malzeme karakteristiklerinin araştırılması

Yığma yapı elemanları ve bu elemanlardan temel taşıyıcı olan yığma duvarlar ve malzeme karakteristiklerinin araştırılması Yığma yapı elemanları ve bu elemanlardan temel taşıyıcı olan yığma duvarlar ve malzeme karakteristiklerinin araştırılması Farklı sonlu eleman tipleri ve farklı modelleme teknikleri kullanılarak yığma duvarların

Detaylı

Öğretim Üyeleri İçin Ön Söz Öğrenciler İçin Ön Söz Teşekkürler Yazar Hakkında Çevirenler Çeviri Editöründen

Öğretim Üyeleri İçin Ön Söz Öğrenciler İçin Ön Söz Teşekkürler Yazar Hakkında Çevirenler Çeviri Editöründen Öğretim Üyeleri İçin Ön Söz Öğrenciler İçin Ön Söz Teşekkürler Yazar Hakkında Çevirenler Çeviri Editöründen ix xiii xv xvii xix xxi 1. Çevre Kimyasına Giriş 3 1.1. Çevre Kimyasına Genel Bakış ve Önemi

Detaylı

Paslanmaz Çelik Gövde. Yalıtım Sargısı. Katalizör Yüzey Tabakası. Egzoz Emisyonları: Su Karbondioksit Azot

Paslanmaz Çelik Gövde. Yalıtım Sargısı. Katalizör Yüzey Tabakası. Egzoz Emisyonları: Su Karbondioksit Azot Paslanmaz Çelik Gövde Yalıtım Sargısı Egzoz Emisyonları: Su Karbondioksit Azot Katalizör Yüzey Tabakası Egzoz Gazları: Hidrokarbonlar Karbon Monoksit Azot Oksitleri Bu bölüme kadar, açıkça ifade edilmese

Detaylı

Toz Metalurjik Malzemeler Yrd. Doç. Dr. Rıdvan YAMANOĞLU

Toz Metalurjik Malzemeler Yrd. Doç. Dr. Rıdvan YAMANOĞLU Yrd. Doç. Dr. Rıdvan YAMANOĞLU Mikroyapı Kontrolü Tozlar, her taneciğin içerisinde fazların kontrolüne imkan tanıyan küçük boyutlardadır. Tozlar alışılagelmiş büyük cisimlerde ulaşılamayan yeni atomik

Detaylı

Seramik malzemelerin kristal yapıları

Seramik malzemelerin kristal yapıları Seramik malzemelerin kristal yapıları Kararlı ve kararsız anyon-katyon görünümü. Kırmızı daireler anyonları, mavi daireler katyonları temsil eder. Bazı seramik malzemelerin atomlararası bağlarının iyonik

Detaylı

PİEZOELEKTRİK YAMALARIN AKILLI BİR KİRİŞİN TİTREŞİM ÖZELLİKLERİNİN BULUNMASINDA ALGILAYICI OLARAK KULLANILMASI ABSTRACT

PİEZOELEKTRİK YAMALARIN AKILLI BİR KİRİŞİN TİTREŞİM ÖZELLİKLERİNİN BULUNMASINDA ALGILAYICI OLARAK KULLANILMASI ABSTRACT PİEZOELEKTRİK YAMALARIN AKILLI BİR KİRİŞİN TİTREŞİM ÖZELLİKLERİNİN BULUNMASINDA ALGILAYICI OLARAK KULLANILMASI Uğur Arıdoğan (a), Melin Şahin (b), Volkan Nalbantoğlu (c), Yavuz Yaman (d) (a) HAVELSAN A.Ş.,

Detaylı

EPR STUDIES ON OCTAKIS (1-NAPHTHYL-METHYLTHIO) SUBSTITUTED PORPHYRAZINE DERIVATIVES

EPR STUDIES ON OCTAKIS (1-NAPHTHYL-METHYLTHIO) SUBSTITUTED PORPHYRAZINE DERIVATIVES TR0500063 22. FİZİK KONGRESİ. 14 17 EYLÜL 2004. BODRUM 7I,RK7VE EPR STUDIES ON OCTAKIS (1-NAPHTHYL-METHYLTHIO) SUBSTITUTED PORPHYRAZINE DERIVATIVES Y.KÖSEOĞLU. S. GUNER, E. GONCA AND B. AKTAŞ* Fatih University,

Detaylı

Katkılı Tabakalar Arasındaki Uzaklığa Bağlı Olarak Çift

Katkılı Tabakalar Arasındaki Uzaklığa Bağlı Olarak Çift C.Ü. Fen-Eebiyat Fakültesi Fen Bilimleri Dergisi (2004)Cilt 25 Sayı 2 Katkılı Tabakalar Arasınaki Uzaklığa Bağlı Olarak Çift Si δ - Katkılı GaAs Yapısı Emine Öztürk Cumhuriyet Üniversitesi Fen Eebiyat

Detaylı

T.C. AKSARAY ÜNİVERSİTESİ BİLİMSEL VE TEKNOLOJİK UYGULAMA VE ARAŞTIRMA MERKEZİ (ASÜBTAM)

T.C. AKSARAY ÜNİVERSİTESİ BİLİMSEL VE TEKNOLOJİK UYGULAMA VE ARAŞTIRMA MERKEZİ (ASÜBTAM) Tel: 0382 288 2691 e-posta: asubtam@aksaray.edu.tr İnt.: http://asubtam.aksaray.edu.tr/ İçindekiler Gaz Kromatografisi Kütle Spektrometresi (GC-MS)... 2 Gaz Kromatografisi Flame Ionization Detector (GC-FID)...

Detaylı

Elektrolimünenz ve Termografik yöntemlerine Teorik bir bakış

Elektrolimünenz ve Termografik yöntemlerine Teorik bir bakış Elektrolimünenz ve Termografik yöntemlerine Teorik bir bakış 2 Giriş 2.1 Solar Hücrelerin Elektrolimünenz Özellikleri Sistemin temelinde solar hücrelerin belirli bir miktarda elektriksel gerilime tati

Detaylı

Co Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Üretimi ve Karakterizasyonu

Co Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Üretimi ve Karakterizasyonu BAÜ Fen Bil. Enst. Dergisi Cilt 14(2) 15-24 (2012) Co Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Üretimi ve Karakterizasyonu Olcay GENÇYILMAZ 1,2,*, Seniye KARAKAYA 1, Ferhunde ATAY 1 ve İdris AKYÜZ 1 1 Eskişehir Osmangazi

Detaylı

X-Işınları. Gelen X-ışınları. Geçen X-ışınları. Numan Akdoğan. akdogan@gyte.edu.tr

X-Işınları. Gelen X-ışınları. Geçen X-ışınları. Numan Akdoğan. akdogan@gyte.edu.tr X-Işınları 3. Ders: X-ışınlarının maddeyle etkileşmesi Gelen X-ışınları Saçılan X-ışınları (Esnek/Esnek olmayan) Soğurma (Fotoelektronlar)/ Fluorescence ışınları Geçen X-ışınları Numan Akdoğan akdogan@gyte.edu.tr

Detaylı

Fen-Edebiyat Fakültesi. Sağlık Hizmetleri Meslek Yüksekokulu

Fen-Edebiyat Fakültesi. Sağlık Hizmetleri Meslek Yüksekokulu 1. KİŞİSEL BİLGİLER 1.1. Adı Soyadı: Gökhan ALPASLAN 1.2. Doğum Tarihi ve Yeri: 29.06.1982 / ANKARA 1.3. Ünvanı: Yrd.Doç.Dr 1.4. Öğrenim Durumu: Doktora 2. AKADEMİK DERECELER 2.1. Eğitim (dereceler, alan,

Detaylı

ÖZGEÇMİŞ. Ortaöğretim Fen ve Mat. Alan. Eğit. Böl. Akdeniz Üniversitesi

ÖZGEÇMİŞ. Ortaöğretim Fen ve Mat. Alan. Eğit. Böl. Akdeniz Üniversitesi ÖZGEÇMİŞ Doç. Dr. MUSTAFA HOŞTUT Adres Eğitim Fakültesi, Dumlupınar Bulvarı, 07058 Antalya E-posta mhostut@akdeniz.edu.tr Telefon 0 242 310 6075 Faks 0 242 226 1953 RESİM EKLENECEK 1. Eğitim Bilgileri

Detaylı

TAHRİBATLI MALZEME MUAYENESİ DENEYİ

TAHRİBATLI MALZEME MUAYENESİ DENEYİ TAHRİBATLI MALZEME MUAYENESİ DENEYİ MAK-LAB15 1. Giriş ve Deneyin Amacı Bilindiği gibi malzeme seçiminde mekanik özellikler esas alınır. Malzemelerin mekanik özellikleri de iç yapılarına bağlıdır. Malzemelerin

Detaylı

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak X-IŞINI TÜPÜ X-IŞINI TÜPÜ PARÇALARI 1. Metal korunak (hausing) 2. Havası alınmış cam veya metal tüp 3. Katot 4. Anot X-ışın

Detaylı

04.01.2016 LASER İLE KESME TEKNİĞİ

04.01.2016 LASER İLE KESME TEKNİĞİ LASER İLE KESME TEKNİĞİ Laser: (Lightwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation) Uyarılmış Işık yayarak ışığın güçlendirilmesi Haz.: Doç.Dr. Ahmet DEMİRER Kaynaklar: 1-M.Kısa, Özel Üretim Teknikleri,

Detaylı

Faz dönüşümleri: mikroyapı oluşumu, faz dönüşüm kinetiği

Faz dönüşümleri: mikroyapı oluşumu, faz dönüşüm kinetiği Faz dönüşümleri: mikroyapı oluşumu, faz dönüşüm kinetiği Faz dönüşümleri 1. Basit ve yayınma esaslı dönüşümler: Faz sayısını ve fazların kimyasal bileşimini değiştirmeyen basit ve yayınma esaslı ölçümler.

Detaylı