5.3. Deneyde Yapılacaklar RC Osilatör Deneyi Opamplı Schmitt Osilatör Deneyi Deney Sonu Soruları

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "5.3. Deneyde Yapılacaklar... 40 5.3.1 RC Osilatör Deneyi... 40 5.3.2 Opamplı Schmitt Osilatör Deneyi... 41 5.4.Deney Sonu Soruları... 42 5.5."

Transkript

1 i Đçindekiler Şekil Listesi... 1 Tablo Listesi... 3 Toplu Malzeme Listesi... 3 DENEY 1 : FARK KUETLENDĐRĐCĐLERĐ Genel Bilgi DC Analiz AC Analiz Deney Öncesi Yapılacaklar Deneyde Yapılacaklar Deney Sonu Soruları DENEY 1 Sonuç Sayfası DENEY 2:OPAMP LI AKTĐF FĐLTRE UYGULAMASI Genel Bilgi Filtre Türünün Tespiti Filtre Karakteristikleri c Band Geçiren Filtre Karakteristikleri Filtre Transfer Fonksiyonları ve Devrelerinin Analizi Filtre Tasarım Kriterleri Deney Öncesi Yapılacaklar Deneyde Yapılacaklar Deney Sonu Soruları DENEY 2 Sonuç Sayfası DENEY 3 : GÜÇ KUETLENDĐRĐCĐLERĐ Genel Bilgiler A Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi B Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi AB Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi Deney Öncesi Yapılacaklar Deneyde Yapılacaklar Deney Sonu Soruları DENEY 3 Sonuç Sayfasi DENEY 4 : GERĐBESLEMELĐ KUETLENDĐRĐCĐLER Genel Bilgi Pozitif Geribesleme Negatif Geribesleme Geribesleme Bağlantı Türleri Geribeslemenin Giriş ve Çıkış Empedanslarına Etkisi Deney Öncesi Yapılacaklar Deneyde Yapılacaklar Deney Sonu Soruları DENEY 4 Sonuç Sayfası DENEY 5: OSĐLATÖR DERELERĐ Genel Bilgi Faz Kaymalı RC Osilatör Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatör Opamplı Schmitt Osilatör Opamp lı Đntegratör Devresi Deney Öncesi Yapılacaklar... 40

2 ii 5.3. Deneyde Yapılacaklar RC Osilatör Deneyi Opamplı Schmitt Osilatör Deneyi Deney Sonu Soruları DENEY 5 Sonuç Sayfası ÖNEMLĐ KATALOGLAR BC LM 324Bacak Bağlantıları BD BD BC

3 1 Şekil Listesi Şekil 1.1 Temel Fark Kuvvetlendiricisi... 4 Şekil 1.2 Temel Fark Kuvvetlendiricisinin AC Eşdeğer Modeli... 5 Şekil 1.3 Girişlere fark işareti uygulanması durumu... 6 Şekil 1.4 Girişlere ortak işaret uygulanması durumu... 8 Şekil 1.5 a.) R E Direnci ile Farksal Kuvvetlendirici... 9 b) R E Direnci Yerine Akım Aynası Kullanılarak Elde Edilen Farksal Kuvvetlendirici... 9 Şekil 1.6 Şekil 1.5.a daki Devreye Đlişkin Fark Modu ve Ortak Mod Çıkışı Şekil 1.7 Şekil 1.5.b deki devreye ilişkin Fark Modu ve Ortak Mod Çıkışı Şekil 2.1 Alçak Geçiren Filtre Karakteristikleri a) Đdeal Filtre b) Pratik Filtre Şekil 2.2 Yüksek Geçiren Filtre Karakteristikleri a) Đdeal Filtre b) Pratik Filtre Şekil 2.3 Band Geçiren Filtre Karakteristikleri a) Đdeal Filtre b) Pratik Filtre Şekil 2.4 Birinci Derece Alçak Geçiren Filtre Şekil 2.5 Birinci Derece Yüksek Geçiren Filtre Şekil 2.6 Band Geçiren Filtre Şekil 2.7 Butterworth vs. Chebyshev Şekil 2.8 (a) 1.Derece Alçak Geç. Filtre Dev. (b) 1.Derece Yüksek Geç. Filtre Dev Şekil Derece Band Geçiren Filtre Devresi Şekil 2.10 Alçak Geçiren Filtre için Kazanç(dB)-Frekans eğrisi Şekil 2.11 Yüksek Geçiren Filtre için Kazanç(dB)-Frekans eğrisi Şekil 2.12 Band Geçiren Filtre için Kazanç(dB)-Frekans eğrisi Şekil 3.1 Temel A sınıfı güç kuvvetlendiricisi Şekil 3.2 Q çalışma noktası ve statik ve dinamik yük doğruları Şekil 3.3 Temel B sınıfı güç kuvvetlendiricisi Şekil 3.4 Đdeal B sınıfı kuvvetlendiricinin yük doğrusu ve alternatif çıkış akım gerilimleri Şekil 3.5 Push pull B sınıfı kuvvetlendirici Şekil 3.6 A Sınıfı Kuvvetlendirici Deney Devresi Şekil 3.7 B Sınıfı Kuvvetlendirici Deney Devresi Şekil 3.8 AB Sınıfı Kuvvetlendirici Deney Devresi Şekil 3.9 A sınıfı kuvvetlendiricinin giriş ve çıkış işaretleri Şekil 3.10 Eşlenik transistörlü Push-Pull B sınıfı kuvvetlendiricinin giriş ve çıkış işaretleri Şekil 3.11 Geçiş distorsiyonu düzeltilmiş AB sınıfı Push-Pull kuvvetlendirici devresi giriş ve çıkış işaretleri Şekil 4.1 Geribeslemeli sistemin genel blok diyagramı Şekil 4.2 Geribeslemeli (Af) ve geribeslemesiz kuvvetlendirici (Ao) kazanç-frekans karakteristiği Şekil 4.3 Deney devresi Şekil 4.4 Geribeslemesiz devrenin kazancı Şekil 4.5 Geribeslemeli devrelerin kazançları Şekil 5.1 Ortak Emetörlü Yükselteç Devresi Şekil 5.2 RC faz kaymalı osilatör devresi Şekil 5.3 RC Faz Kaymalı Osilatör Devresi Şekil 5.4 Schmitt Tetikleyici Histerezis Karakteristiği... 37

4 2 Şekil 5.5 Schmitt Tetikleyicili Osilatör Devresi Şekil 5.6 Opamplı Schmitt Kare Dalga Osilatörü Şekil 5.7 Opamp lı Schmitt Tetikleyici histerezis eğrisi Şekil 5.8 Opamp lı integratör devresi Şekil 5.9 Opamp lı Schmitt Osilatör devresi Şekil 5.10 Opamp lı integratör devresi Şekil 5.11 Đntegratörlü üçgen ve sinüs üreteci Şekil 5.12 Osilatör çıkış işareti Şekil 5.13 A, B, C noktalarındaki işaretler Şekil 5.14 Schmitt osilatörden elde edilen minimum ve maksimum çıkış frekansları44 Şekil 5.15 Schmitt osilatör ile kare-üçgen-sinüs osilatör sonuçları... 44

5 3 Tablo Listesi Tablo 1.1 Farksal kuvvetlendiricinin kazanç ve CMRR ifadelerinin karşılaştırılması. 11 Tablo 2.1 Alçak Geçiren Filtrenin Kazanç Frekans Eğrisi için Elde Edilen Değerler. 20 Tablo 2.2 Yüksek Geçiren Filtrenin Kazanç Frekans Eğrisi için Elde Edilen Değerler Tablo 2.3 Band Geçiren Filtrenin Kazanç Frekans Eğrisi için Elde Edilen Değerler. 21 Tablo 3.1 Güç Kuvvetlendiricileri Arasındaki Karşılaştırma Tablo 4.1 Geribesleme Bağlantı Türlerine Göre Giriş e Çıkış Empedanslarının Hesaplanması Tablo 4.2 Ölçüm sonuçları Tablo 5.1 Çıkış işaretinin tepeden tepeye değerini ve frekansı Tablo 5.2 Hesaplanan osilasyon frekansı ile ölçülen osilasyon frekansının karşılaştırılması Tablo 5.3 Osilatörün çıkış işareti ve transistörün bazındaki işaret arasındaki faz farkı Toplu Malzeme Listesi Direnç : 1x 22kΩ, 2 x 12kΩ, 1 x 11kΩ, 3 x 10kΩ, 5 x 1kΩ, 2 x 15kΩ, 2 x 7.5 kω, 2 x 110kΩ, 2 x 1.5kΩ, 1 x 24Ω, 4 x 120Ω (1/2watt), 2 x 1.2kΩ, 1 x 2.2kΩ,1 x 180kΩ, 1 x 27kΩ, 1 x 270Ω, 1 x 3.9kΩ, 3 x 5.6kΩ, 1 x 33kΩ, 1 x 68kΩ, 1 x 270kΩ,, 1 x 3.3kΩ, 1 x 6.8kΩ, 1 x 1kΩ POT, 1 x 10kΩ POT. Kapasite: 2 x 10 nf, 2 x 4.7 nf, 2x1µf, 1x4.7µf, 1 x 1µf, 1 x 10µf, 3 x10nf, 1 x 47nF, 2 x 100nF, 1 x 1µF, 1 x 10µF, 1 x 47µF Diyot : 2x1N4001 Transistör : 6 x BC237, 2 x BD135, 2 x BD136, 4 x BC108 Entegre: 1adet LM324

6 4 DENEY 1 : FARK KUETLENDĐRĐCĐLERĐ Malzeme Listesi : Transistör : 4xBC237 Direnç : 1x22kΩ, 2x12kΩ, 1x11kΩ, 2x10kΩ, 2x1kΩ Amaç: 1) Fark kuvvetlendiricisine ait DC ve AC analizlerin yapılarak DC çalışma noktasının bulunması, ortak işaret ve fark işaret kazancının, ortak zayıflatma oranının bulunması 2) Akım aynasının kazanca etkisinin incelenmesi. 1.1.Genel Bilgi Fark kuvvetlendiricileri genel olarak girişindeki AC işaret farkını yükselten kuvvetlendiricilerdir. Fark yükselteci devresinin özellikle yüksek kazançlı kuvvetlendiricilerin giriş katı olarak kullanılmasına neden olan çok yararlı çeşitli özellikleri mevcuttur. Kuvvetlendiricinin simetrik olması nedeniyle eş özellikli transistörler seçerek (genellikle bu transistörler aynı silisyum kırmık üzerinde gerçeklenirler) oldukça kararlı ve sürüklenmelere dayanıklı devreler oluşturulabilir. Çıkışta görülmek istenen işaret büyük genlikli bir ortak DC gerilime sahip iki uçtan gelen işaretin farkı ise bu devre idealdir. OPAMP devreleri de kaskat bağlanmış fark yükselteçleri kullanarak tasarlanır. Böylece oldukça kararlı ve yüksek kazançlı kuvvetlendiriciler elde edilir. Şekil 1.1 Temel Fark Kuvvetlendiricisi Şekil 1.1 deki fark kuvvetlendiricisi devresindeki transistörlerin çalışma noktalarını bulmak için DC analiz yapılmalıdır DC Analiz Çıkış akımı ve gerilimlerini bulmak için gerekli olan denklemler aşağıda verilmiştir. 1 = 2 = 0 (1.1)

7 5 BE + ITRE EE = 0 (1.2) EE BE I T = (1.3) R E I E = I B + I C = (1 + β )I B (1.4) IT = 2IE 2I C (1.5) I C EE - BE = (1.6) 2R E Çıkış Gerilimleri: EE I R ( BE o1 = o2 = CC C C = CC )R 2R C E (1.7) od = o1 o2 0 (1.8) Đdeal bir fark kuvvetlendiricisinde girişler 0 iken çıkış gerilimleri arasındaki fark ( OD ) 0 olmalıdır AC Analiz Devrenin AC modeli Şekil 1.2 de verilmiştir. Şekil 1.2 Temel Fark Kuvvetlendiricisinin AC Eşdeğer Modeli Kullanılan transistörler eşdeğer yapıda olduğu için g m1 =g m2 ; r π1 = r π2 dir. IC β gm = ve rπ = (1.9) T gm Giriş işaretleri arasındaki farka giriş fark işareti denir. id ile gösterilir. = (1.10) id 1 2 Giriş işaretlerinin ortalama değerine giriş ortak işareti denir. ic ile gösterilir.

8 6 + 2 Devrenin çalışmasını ikiye ayırabiliriz. 1-1 = - 2 haline fark işareti denir. 2-1 = 2 haline ortak işaret denir. 1 2 ic = (1.11) a. Giriş Đşaretinin Fark Đşareti Olması Durumu = (1.12) 1 2 = (t) (1.13) 1 a = (t) (1.14) 2 a Bu durumda ic ve id aşağıda gösterildiği gibi olur ic = = 0 (1.15) 2 = = 2 (t) (1.16) id 1 2 a Fark işareti uygulanması durumunda fark kuvvetlendiricisi devresinin eşdeğer modeli Şekil 1.3 de verilmiştir. E noktası için: Şekil 1.3 Girişlere fark işareti uygulanması durumu g + g + g + g = G (1.17) π π1 m π1 m π2 π π2 E e 2 2 id id + π 2 + e = 0 π 2 = e (1.19) 2 2 id id + π 1 + e = 0 π 1 = e (1.18) + = 2 (1.20) π1 π2 e

9 7 ( + )(g + g ) = G (1.21) π1 π2 π m E e (2g + 2g + π m G E ) = e 0 (1.22) (2g Burada eşitsizliğin sağlanması için + 2g + π m G E ) 0 olduğundan e = 0 olmalıdır. id id = π 1 e 2 = 2 (1.23) id id π 2 = e = 2 2 Devrenin çıkış gerilimleri aşağıda verilmiştir. R id C id o1 = gmπ 1R C = gmr C = 2 r e 2 R id C id o2 = gmπ 2R C = gmr C = 2 r e 2 (1.24) (1.25) (1.26) Buradaki r e değeri transistörün geçiş direncidir ve büyüklüğü Çıkış fark işareti od = 1-2 olduğuna göre r e I TH = dir. C od R R R C id C id C = = id olarak bulunur. re 2 re 2 re Fark işaret kazancı (A dd ) ise aşağıda verilmiştir. A dd od C = = (1.27) id = 0 ic R r e b Giriş Đşaretinin Ortak Đşaret Olması Durumu = 1 2 = (t) 1 b = (t) 2 b (1.28) (1.29) (1.30) Bu durumda ic ve id aşağıda gösterildiği gibi olur ic = = id = 1 2 = 0 (t) b (1.31) (1.32)

10 8 Ortak işareti uygulanması durumunda fark kuvvetlendiricisi devresinin eşdeğer modeli Şekil 1.4 de verilmiştir. Şekil 1.4 Girişlere ortak işaret uygulanması durumu [ ] = i r + 2(1 + β )R = (t) (1.33) i b ic b π E b b(t) = r + 2(1 + β)r π E Devrenin çıkış gerilimleri aşağıda verilmiştir. (1.34) βr C b(t) βr Cic o1 = o2 = β ibr C = = r + 2(1 + β )R r + 2(1 + β)r π E π E (1.35) o1 + o2 Çıkış ortak işareti oc = = o1 = o2 olur. 2 Ortak işaret kazancı (A cc ) ise aşağıda verilmiştir. A cc oc βr C R C = = r + 2(1 + β )R r + 2R ic E e E id = 0 π (1.36) Đdeal bir fark kuvvetlendiricisinde ortak işaret kazancı (A cc ) sıfırdır. Fark işaret kazancının (A dd ), ortak işaret kazancına oranına Ortak Đşaret Zayıflatma Oranı (Common Mode Rejection Ratio, CMRR) denir. Fark yükselteçlerinin yaygın kullanılan bir performans ölçütü olan CMRR şu şekilde tanımlanır: Ad CMRR = (1.37) A c Yukarıdaki formülden de görüldüğü üzere CMRR değerinin büyük olması için R E direncini büyütmek gerekir, ancak R E direnci arttırılırsa aynı I E akımı ile devreyi sürebilmek için gereken besleme gerilimi değeri çok artacaktır. Bu nedenle devrede R E direnci yerine sabit akım kaynağı görevi gören akım aynası (Şekil1.5) kullanılır.

11 9 (a) (b) Şekil 1.5 a.) R E Direnci ile Farksal Kuvvetlendirici b) R E Direnci Yerine Akım Aynası Kullanılarak Elde Edilen Farksal Kuvvetlendirici Doğru akım kaynağı küçük işaretler için yüksek direnç göstereceğinden (açık devre gibi düşünülebilir) akım aynası kullanılan devrede EE gerilimini arttırmaya gerek olmadan yüksek CMRR elde edilebilir Deney Öncesi Yapılacaklar 1. Şekil 1.5a ve 1.5.b deki fark kuvvetlendiricisinin AC eşdeğer devrelerini ve çalışma prensiplerini gözden geçiriniz. 2. Şekil 1.5a ve 1.5.b deki devrenin kazanç ifadelerini (Add ve Acc ) ve CMRR değerlerini föyde verilen bilgileri kullanarak hesaplayınız. Hesaplamalarınız için SPICE programı kullanabilirsiniz. Bu hesapladığınız değerleri deney sonunda bulduğunuz ölçüm sonuçlarıyla karşılaştıracaksınız. Not: Teorik hesaplama sırasında akım aynalı yapı için Acc değerini 0 olarak alabilirsiniz Deneyde Yapılacaklar 1. Şekil 1.5.a daki devreyi kurunuz. + ve besleme gerilimlerini dikkatli bağlayınız, DC kaynakların ve devrenizin toprak bağlantısının neresi olduğuna dikkat ediniz. 2. Devrenin i1 ve i2 girişlerine fark işareti (a) uygulayınız. a. i1 = 10m.sin(2π.10 3.t) i2 = 0 Farksal çıkış gerilimini ( o1 - o2 ) ölçerek kazancı (Add) ölçümlerinize göre bulunuz. Not: Fark işaretini ölçerken 1 probun 2 ucu çıkış noktalarına bağlanacaktır.

12 10 3. Devrenin i1 ve i2 girişlerine ortak işaret (b) uygulayınız. b. i1 = i2 = 10m.sin(2π.10 3.t) Ortak çıkış gerilimini ( o1 veya o2 ) ölçerek kazancı (Acc) ölçümlerinize göre bulunuz. 4. Devrenin CMRR oranını ölçüm değerlerinden yararlanarak hesaplayınız ve ilgili tabloyu doldurunuz. 5. Şekil 1.5.b deki devre ile yukarıdaki adımları tekrarlayınız Deney Sonu Soruları 1. CMRR değerinin büyük olmasının önemi nedir? Açıklayınız. 2. Akım aynasının A dd, A cc ve CMRR değerine etkisi ne olmuştur? 3. Şekil 1.5.b için bulunan CMRR değerini, Şekil 1.5.a da olduğu gibi akım kaynağı yerine dirençle sağlayabilmek için gerekli EE gerilimini hesaplayınız.

13 DENEY 1 Sonuç Sayfası Şekil 1.6 Şekil 1.5.a daki Devreye Đlişkin Fark Modu ve Ortak Mod Çıkışı Şekil 1.7 Şekil 1.5.b deki devreye ilişkin Fark Modu ve Ortak Mod Çıkışı Tablo 1.1 Farksal kuvvetlendiricinin kazanç ve CMRR ifadelerinin karşılaştırılması Teorik Hesaplama Deneysel Ölçüm Şekil 1.5.a Şekil 1.5.b Şekil 1.5.a Şekil 1.5.b A d A c CMRR

14 12 DENEY 2:OPAMP LI AKTĐF FĐLTRE UYGULAMASI Amaç: 1. dereceden alçak geçiren filtre, yüksek geçiren filtre ve 2.dereceden band geçiren filtrelerin aktif elemanlar ile gerçeklenmesi. Malzeme Listesi: Opamp: 2 x LM324 veya 4 x LM741 Direnç: 2 x 15kΩ, 2 x 7.5kΩ Kapasite: 2 x 10 nf, 2 x 4.7 nf 2.1. Genel Bilgi Elektrik devrelerinde çok kullanışlı yapılar olan analog devrelerin başında filtreler gelir. Filtre yapıları elektriksel işaretlerin frekans spektrumlarına biçim vermek amacıyla kullanılan devrelerdir. Pasif R, L, C elemanlarıyla gerçekleştirilen bu devreler aynı zamanda aktif elemanlarla (transistör, opamp vs.) birlikte sadece R veya C elemanları veya bunların her üçünü birden kullanarak da gerçekleştirilebilir. Filtreler elektronik ve haberleşme sistemlerinde oldukça geniş bir uygulama alanı bulmaktadır. Özellikle, sisteme uygulanan frekanslardan yalnızca istenenlerinin geçirilmesi amacıyla kullanılırlar. Gerçeklenen transfer fonksiyonunun frekansla değişimine bağlı olarak alçak geçiren, yüksek geçiren, band geçiren, band söndüren türden filtreler söz konusudur. Kesim frekansı, kalite faktörü, geçirme bandı kazancı ise önemli filtre parametrelerindendir. Pasif filtrelerde direnç, kapasite ve bobin kullanılır. RC filtrelerinde transfer fonksiyonunun kökleri reel olur. Bu tip filtrelerde değer katsayısının küçük olduğu görülür. Büyük kalite faktörü elde edilmek istendiğinde LC filtreleri kullanmak daha uygun olur. Ancak düşük frekanslarda gerekli bobin indüktanslarının büyük olması gerekeceğinden hem devrenin kapladığı alan hem de maliyet artar. Bu nedenle düşük frekanslarda daha çok aktif filtreler tercih edilir. Aktif filtrelerin en önemli avantajları küçük ve hafif olmalarıdır. Ayrıca güvenirlikleri yüksek, seri üretim nedeniyle ucuz ve küçük boyutları nedeniyle de parazitleri düşüktür. Buna karşın, aktif elemanın sonlu band genişliği nedeniyle erişilebilecek kutup frekansları sınırlıdır. Ayrıca filtre karakteristiğinin keskinliğini belirleyen kalite faktörü ile kutup frekansı ters orantılıdır. Dolayısıyla optimum bir çözümün bulunması söz konusudur. Bunun dışında aktif filtrelerde, karakteristiklerinin eleman değerlerindeki değişimlere duyarlığı daha yüksektir ve aktif eleman nedeniyle ayrıca bir besleme devresi gerektirirler Filtre Türünün Tespiti Genel olarak filtre transfer fonksiyonlarının limitini s ve s 0 için alarak ne tür filtreye ait oldukları bulunabilir. AGF nin transfer fonksiyonunu limit işlemi uygulanırsa; K K lim H AGF ( s) = lim = = A s 0 s 0 s + w 0 + w (2.1) c c K K lim H AGF ( s) = lim = = 0.707A wc s wc s + w w + w (2.2) s c c c K K lim H AGF ( s) = lim = = 0 s s s + w + w (2.3) c c Burada A filtrenin maksimum kazancıdır. Limit işleminden görüldüğü gibi yüksek frekanslarda filtrenin kazancı sıfır olmakta, düşük frekanslarda ise maksimum kazanca

15 13 ulaşmaktadır. Diğer filtrelerin transfer fonksiyonlarına basit bir limit işlemi ile analiz edilebilir Filtre Karakteristikleri a Alçak Geçiren Filtre Karakteristikleri Alçak geçiren filtre yapısında 0 Hz ile kesim frekansı ( f H ) arasında sabit bir kazanç vardır (genellikle birim kazanç). Kesim frekansında, alçak frekans kazancı 3 db azalır. 0 Hz ile kesim frekansı ( f H ) arasındaki frekanslar band geçirme frekansı, f H dan büyük frekanslar ise band söndürme frekansıdır. Band söndürme frekansında kazanç oldukça azalır. (a) Şekil 2.1 Alçak Geçiren Filtre Karakteristikleri a) Đdeal Filtre b) Pratik Filtre b Yüksek Geçiren Filtre Karakteristikleri Yüksek geçiren filtre yapısında kesim frekansından ( f L ) daha büyük frekanslarda sabit bir kazanç vardır (genellikle birim kazanç). Kesim frekansında, yüksek frekans kazancı 3dB azalır. 0 Hz ile kesim frekansı ( f L ) arasındaki frekanslar band söndürme frekansı, f L den büyük frekanslar ise band geçirme frekansıdır. Band söndürme frekansında kazanç oldukça azalır. (b) Şekil 2.2 Yüksek Geçiren Filtre Karakteristikleri a) Đdeal Filtre b) Pratik Filtre

16 c Band Geçiren Filtre Karakteristikleri Band geçiren filtre, sadece belirli frekans aralığını geçirir, diğerlerini söndürür. Band geçirme aralığı, kesim frekansları ( f H, f L ) arasında kalan bölgeyi ifade eder. Filtrenin band genişliği ( β = f f ) olarak ifade edilir. H L Şekil 2.3 Band Geçiren Filtre Karakteristikleri a) Đdeal Filtre b) Pratik Filtre Filtre Transfer Fonksiyonları ve Devrelerinin Analizi a 1.Dereceden Alçak Geçiren Filtre: Birinci dereceden alçak geçiren filtrenin transfer fonksiyonu aşağıda verilmiştir. H AGF K ( s) = s + w (2.4) c Burada K kazanç, w c AGF nin kesim frekansıdır. Şekil 2.4 de verilen alçak geçiren filtrenin analizi yapılıp, transfer fonksiyonu devre elemanlarına bağlı olarak elde edilmiştir. Şekil 2.4 Birinci Derece Alçak Geçiren Filtre

17 15 1 o R2C ( s) = i 1 s + R1C 1 K R C Burada = ve 2 1 R C w c 1 = eşitlikleri bulunabilir. (2.5) b 1. Dereceden Yüksek Geçiren Filtre: Birinci dereceden yüksek geçiren filtrenin transfer fonksiyonu aşağıda verilmiştir. s HYGF ( s) = K s + w (2.6) c Burada K kazanç, w c YGF nin kesim frekansıdır. Şekil 2.5 de verilen alçak geçiren filtrenin analizi yapılıp, transfer fonksiyonu devre elemanlarına bağlı olarak elde edilmiştir. Şekil 2.5 Birinci Derece Yüksek Geçiren Filtre Burada o i R ( s) = R R1 R2 K = ve 1 2 s 1 s + R C 1 w c R2C 2 = eşitlikleri bulunabilir. (2.7) c Band Geçiren Filtre : Đkinci derece bir band geçiren filtrenin genel ifadeyle transfer fonksiyonu aşağıda verilmiştir. H BGF ( s) = K s 2 βs + βs + w 2 o (2.8) Burada K kazanç, β band genişliği ve w o BGF nin merkez frekansıdır. Band genişliği w β = o Q olarak tanımlıdır. Burada Q kalite faktörüdür. Kalite faktörü ne kadar büyük olursa devrenin band genişliği azalacak, kazancı artacaktır.

18 16 Şekil 2.6 Band Geçiren Filtre o 1 ( s) = R C i 1 1 s + R2C 2 s + R C s 1 1 (2.9) ya da 1 s o R C ( s) i s + + s R2C2 R1C + 1 R1R2C1C 2 Burada merkez frekansı ( f 0 ) ve band genişliği ( β ) aşağıdaki eşitlikler ile bulunabilir. 2 1 = (2.10) f 0 = 2π 1 R R C C (2.11) β = + 2π R C R C (2.12) Filtre Tasarım Kriterleri a Kazanç (Band-pass gain) Aktif filtreler kullanılarak 1 den yüksek kazanç elde etmek mümkündür. Birçok aktif filtre yapısı filtrenin kazancını belirleyen kazanç katsayısı içerirler. Düz band geçirme kazancına sahip filtreler sıklıkla kullanılır. Bu karakteristiğe sahip filtreler, Butterworth filtre olarak adlandırılır. Diğer bir sınıf olan Chebyshev filtreler ise band geçirme kazancında dalgalanmaya (ripple, overshoot) sebep olurlar.

19 17 Şekil 2.7 Butterworth vs. Chebyshev b Kesim frekansları (Cut-off frequencies) Kesim frekansları (f H, f L ) filtre devresindeki kapasite ve direnç değerleri ile belirlenir c Frekans eğrisinin düşme eğimi (Roll-off rate) Frekans eğrisinin düşme eğimi, filtre kazancının band söndürme bölgesindeki değişim oranıdır. Bu oranın yüksek olması, frekans seçimini iyileştirmesini sağlar. Şekil 2.4 te de görüldüğü üzere Chebyshev filtre yapısında bu oran Butterworth filtre yapısına göre daha yüksektir. Frekans eğrisinin düşme eğimini, filtrenin derecesi belirler. Örneğin, 1. derece filtrede 20dB/decade değerinde bir eğim varken, 2.derece bir filtrede bu değer 40dB/decade olur d Kalite Faktörü (Quality Factor) Band geçiren filtreler için Q (kalite faktörü), merkez frekansın ( f o ), band genişliğine ( β ) oranıdır. f Q = o β Alçak geçiren ve yüksek geçiren filtreler için Q, kutup kalitesini gösterir. Yüksek kalite faktörleri grafiksel olarak 0 db çizgisi ile filtrenin kazanç cevabının tepe noktası arasındaki mesafe olarak gösterilebilir. Q en düşük 1 olarak seçilir Deney Öncesi Yapılacaklar 1. Deneye gelmeden önce LM741 katalogunu inceleyiniz. 2. Şekil 2.8 ve şekil 2.9 da verilen devrelerin SPICE programı kullanılarak aşağıda istenen simülasyonlarını gerçekleyiniz. 3. AC analiz yapılarak alçak ve yüksek geçiren filtrelerin kesim frekansını ve maksimum çıkış genliğini, band geçiren filtrenin merkez frekansını, band genişliğini ve maksimum çıkış genliğini bulup not alınız.

20 Deneyde Yapılacaklar 1- Alçak Geçiren Filtre 1. Şekil 2.8 de verilen 1. devreyi kurunuz. 2. Devrenin girişine inp-p=20m uygulayınız. Devredeki Opamp lar için besleme gerilimleri ±12 dur. 3. Devrenin kesim frekansını bulunuz. Giriş işaretinin frekansını tabloda verilen değerlere göre ayarlayınız. Osiloskop ekranında gözlemlediğiniz değerlere göre Tablo 2.1 i doldurunuz. 4. Elde ettiğiniz değerlere göre kazanç(db)-frekans eğrisini çiziniz (Şekil 2.10). 2- Yüksek Geçiren Filtre 1. Şekil 2.8 de verilen 2. devreyi kurunuz. 2. Devrenin girişine inp-p=20m uygulayınız. Devredeki Opamp lar için besleme gerilimleri ±12 dur. 3. Devrenin kesim frekansını bulunuz. Giriş işaretinin frekansını tabloda verilen değerlere göre ayarlayınız. Osiloskop ekranında gözlemlediğiniz değerlere göre Tablo 2.2 yi doldurunuz. 4. Elde ettiğiniz değerlere göre kazanç(db)-frekans eğrisini çiziniz (Şekil 2.11). 3- Band Geçiren Filtre 1. Şekil 2.9 de verilen devreyi kurunuz. 2. Devrenin girişine inp-p=20m uygulayınız. Devredeki Opamp lar için besleme gerilimleri ±12 dur. 3. Devrenin merkez, alt ve üst kesim frekanslarını bulunuz. Giriş işaretinin frekansını tabloda verilen değerlere göre ayarlayınız. Osiloskop ekranında gözlemlediğiniz değerlere göre Tablo 2.3 ü doldurunuz. 4. Elde ettiğiniz değerlere göre kazanç(db)-frekans eğrisini çiziniz (Şekil 2.12). (a) Şekil 2.8 (a) 1.Derece Alçak Geç. Filtre Dev. (b) 1.Derece Yüksek Geç. Filtre Dev. (b)

21 19 Şekil Derece Band Geçiren Filtre Devresi 2.4. Deney Sonu Soruları 1. Pasif ve aktif filtre devrelerinin birbirlerine göre avantaj ve dezavantajlarını sıralayınız. 2. Endüktans elemanının özelliklerini sıralayarak devre içinde kullanımının avantajları ve dezavantajlarını belirtiniz. 3. Alçak geçiren filtre devrelerinin uygulama alanlarını araştırınız. 4. Band geçiren filtre devrelerinin uygulama alanlarını araştırınız. 5. Band söndüren filtre devrelerinin uygulama alanlarını araştırınız. 6. Yüksek dereceli alçak geçiren elde etmek için daha düşük dereceli alçak geçiren filtreler nasıl bağlanabilir? 7. Alçak geçiren filtre kullanarak band geçiren filtre elde etmek için ne yapılmalıdır, açıklayınız. 8. Đdeal bir Opamp ın giriş ve çıkış dirençleri nedir? 9. Opamp kullanarak integratör ve türev alıcı yapıları tasarlayınız. Transfer fonksiyonlarını belirtiniz.

22 DENEY 2 Sonuç Sayfası Tablo 2.1 Alçak Geçiren Filtrenin Kazanç Frekans Eğrisi için Elde Edilen Değerler Şekil 2.10 Alçak Geçiren Filtre için Kazanç(dB)-Frekans eğrisi Tablo 2.2 Yüksek Geçiren Filtrenin Kazanç Frekans Eğrisi için Elde Edilen Değerler

23 21 Şekil 2.11 Yüksek Geçiren Filtre için Kazanç(dB)-Frekans eğrisi Tablo 2.3 Band Geçiren Filtrenin Kazanç Frekans Eğrisi için Elde Edilen Değerler Şekil 2.12 Band Geçiren Filtre için Kazanç(dB)-Frekans eğrisi

24 22 DENEY 3 : GÜÇ KUETLENDĐRĐCĐLERĐ Amaç : A, B, AB sınıfı kuvvetlendiricilerin incelenmesi ve gerçeklenmesi. Malzeme Listesi : Transistör : 1xBC237, 1xBD135, 1xBD136 Diyot : 2x1N4001 Direnç : 2x110kΩ, 2x10kΩ, 2x1,5kΩ, 1x24Ω, 4x120Ω (1/2watt), 2x1,2kΩ, 1x2,2kΩ Kondansatör : 2x1µf, 1x4.7µf 3.1. Genel Bilgiler Kuvvetlendiriciler, kuvvetlendirdikleri elektriksel büyüklüğün boyutuna göre gruplanır. Buna göre gerilim, akım ve güç kuvvetlendiricisi olmak üzere üç grup kuvvetlendirici vardır. Güç kuvvetlendiricilerinde yüke aktarılan güç önemlidir. Devrede oluşan kayıplar nedeni ile kaynaktan çekilen gücün tamamı yüke aktarılamaz. Yüke aktarılan güç P Y ve kaynaktan çekilen güç P DC ile gösterilsin. Yüke aktarılan gücün, kaynaktan çekilen güce oranına verim denir ve η ile gösterilir. P P Y η = (3.1) DC Devrede harcanan güç nedeni ile verim %100 den küçüktür.güç kuvvetlendiricileri girişteki sinüzoidal işarete karşılık transistör üzerinden akan akımın akış açısına bağlı olarak sınıflara ayrılır A Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi Şekil 3.1 Temel A sınıfı güç kuvvetlendiricisi A sınıfı çalışmada giriş işaretinin iki yarı periyodu da kuvvetlendirilerek yüke aktarılır (Şekil 3.2).

25 23 Şekil 3.2 Q çalışma noktası ve statik ve dinamik yük doğruları I Şekil 3.1 deki devreyi incelersek: CC BE B =, IC IB R B = β, CE = CC ICR L (3.2) Yüke aktarılan işaretin maksimum genlikli olabilmesi için çalışma noktasında 1 CC CE = CC seçilmelidir. Bu durumda çalışma noktasında kollektör akımı IC = olur. 2 2R L CC CC Yani CEQ =, ICQ = dir. 2 2R P DC Y L 2 CC CC (kaynaktan çekilen DC güç) = CC ICQ = CC. = (3.3) 2R 2R P (yüke aktarılan gücün ortalama değeri) ( ) ( ) P I 2 2 Im R LIm Y = R L = m L L 2 π 2 2 π = i R Ldα = R L. i dα 2π 2π 0 0 sinuzoidal isaretin effektif degerinin karesi (3.4) (3.5) 2 2 = m CC R = 2R (3.6) L L 2 2 R L CC CC PY = = 2 2R L 8R L (3.7) PY 1 η = = = %25 P 4 (3.8) DC

26 B Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi Temel bir B sınıfı güç kuvvetlendiricisi Şekil 3.3 te verilmiştir. B sınıfı çalışmada çıkış akımının akış açısı θ = 180 dir. Buna göre girişe alternatif bir işaret uygulandığında işaretin bir yarı periyodu kuvvetlendirilerek yüke güç aktarılmaktadır (Şekil 3.4). i = 0 iken akım akmaz. Bu nedenle verim A sınıfına göre daha yüksektir. Şekil 3.3 Temel B sınıfı güç kuvvetlendiricisi Şekil 3.4 Đdeal B sınıfı kuvvetlendiricinin yük doğrusu ve alternatif çıkış akım gerilimleri B sınıfı çalışmada sadece bir yarı periyot kuvvetlendirildiği için distorsiyon yüksektir. Giriş işaretinin tümünü kuvvetlendirmek için 2 transistörlü yapı kullanılır (Şekil 3.5).

27 25 Şekil 3.5 Push pull B sınıfı kuvvetlendirici Şekil 3.5 deki devreyi incelersek: i = 0 iken T1 ve T2 kesimdedir, 0 = 0 > iken T1 iletimdedir, i i BE < iken T2 iletimdedir. BE BE < i < BE arasında 0 = 0 dır. Bu bozulmaya geçiş (cross-over) distorsiyonu denir. Çıkış işaretinin maksimum değeri O M = CC CESAT dır. P I P DC DC = 2 I (3.9) CC DC Im = (3.10) π m DC = 2CC πr L 2 πr 2 m L [ dir] L m (3.11) CC 2 Imm m PY = I eff.eff = = (3.12) 2 2R P πr π η = =. = = %78 (3.13) P 2R Y m L 2 DC L m AB Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi AB sınıfı çalışmada çıkış akımının akış açısı 180 < θ < 360 dir. B sınıfı kuvvetlendiricide geçiş distorsiyonu oluştuğu için bu bozulmayı önleyecek şekilde devreye 2 diyot eklenir. Böylece i = 0 iken de devreden akım akar. B sınıfı çalışmaya göre distorsiyon daha azdır. erim ise B sınıfına göre daha düşüktür.

28 Deney Öncesi Yapılacaklar 1. Deneyde kuracağınız devrelerin kazancını hesaplayınız. 2. Föyün sonundaki sorulara göz atınız Deneyde Yapılacaklar 1. Şekil 3.6 daki A sınıfı kuvvetlendirici devresini kurunuz ve çalıştırınız. Bu devreyi çalıştırırken devrenin girişine f = 1kHz lik 10m genlikli bir gerilim uygulayınız. Giriş ve çıkış işaretlerini Şekil 3.9 üzerine çiziniz. 2. Devrenin kazancını ve çıkışta bozulma olmadan girişe uygulayabileceğiniz maksimum giriş işareti genliğini tespit ediniz ve sonuç sayfasındaki tabloya yazınız. 3. Kırpılmasız maksimum çıkış genliğindeki çıkış akımını hesaplayınız ve sonuç sayfasındaki tabloya yazınız. 4. Devrenin verimini ölçülen değerlerden hesaplayınız ve sonuç sayfasındaki tabloya yazınız. 5. Şekil 3.7 deki eşlenik transistörlü Push-Pull B sınıfı kuvvetlendiriciyi çalıştırınız. Devre girişine f = 1kHz lik 1 genlikli bir gerilim uygulayınız. 6. Giriş ve çıkış işaretlerini Şekil 10 üzerine çiziniz. 7. Maksimum çıkış gerilimi değeri için devrenin verimini ölçülen değerlerden yararlanarak hesaplayınız ve tabloya yazınız. 8. Geçiş distorsiyonu düzeltilmiş AB sınıfı Push-Pull kuvvetlendirici DC kutuplama devresi ile birlikte gerçeklenecektir. (Şekil 3.8) Giriş ve çıkış işaretlerini Şekil 11 üzerine çiziniz. 9. Devrenin verimini ölçülen değerlerden hesaplayınız ve tabloyu doldurunuz Deney Sonu Soruları 1. Güç kuvvetlendirici devreleri temelde ne işe yarar ve nerelerde kullanılır? 2. Güç kuvvetlendiricilerin sınıflandırılması neye göre yapılır ve kaç çeşit güç kuvvetlendiricisi vardır? 3. Bir güç kuvvetlendiricisinin verimini tanımlayınız. 4. Maksimum akım sınırı 500mA; maksimum dayanma gerilimi 40; CESAT = 0.5 ve β = 100 değerleri ile verilen bir transistör kullanarak 100Ω yük direncine 0.5W güç sağlayan bir A sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarlayınız. 5. Şekil 3.5 deki gibi B sınıfı bir güç kuvvetlendiricisi verilmektedir. Devrenin yük direnci 100Ω ve besleme gerilimleri ±15 dur. Transistörlerin CESAT değerleri 0.5 olduğuna göre yüke aktarılabilecek maksimum gücü hesaplayınız. ( BE = 0; β çok büyük ve çıkış gerilimi tam sinüzoidal varsayınız).

29 27 Şekil 3.6 A Sınıfı Kuvvetlendirici Deney Devresi Şekil 3.7 B Sınıfı Kuvvetlendirici Deney Devresi Şekil 3.8 AB Sınıfı Kuvvetlendirici Deney Devresi

30 DENEY 3 Sonuç Sayfasi...( )...( )...( )...( ) Şekil 3.9 A sınıfı kuvvetlendiricinin giriş ve çıkış işaretleri...( )...( )...( )...( ) Şekil 3.10 Eşlenik transistörlü Push-Pull B sınıfı kuvvetlendiricinin giriş ve çıkış işaretleri...( )...( )...( )...( ) Şekil 3.11 Geçiş distorsiyonu düzeltilmiş AB sınıfı Push-Pull kuvvetlendirici devresi giriş ve çıkış işaretleri Tablo 3.1 Güç Kuvvetlendiricileri Arasındaki Karşılaştırma A sınıfı B sınıfı AB sınıfı Kırpılmasız maksimum çıkış gerilimi Yük akımı Maksimum verim

31 29 DENEY 4 : GERĐBESLEMELĐ KUETLENDĐRĐCĐLER Amaç : Geribeslemeli kuvvetlendirici devre yapısını ve çalışmasını deney yoluyla öğrenmek. Geribeslemenin kuvvetlendiriciler üzerindeki etkilerini incelemek. Malzeme Listesi : Transistör: 2xBC108 Kondansatör : 1x1µf, 1x10µf Direnç : 1x180kΩ, 1x27kΩ, 1x10kΩ, 1x1kΩ, 1x270Ω, 1x3.9kΩ, 1x5.6kΩ Geribesleme devresi için dirençler: 1x33kΩ, 1x68kΩ, 1x270kΩ 4.1. Genel Bilgi Geribeslemeli devreler elektronikte oldukça geniş bir kullanım alanı olan bir konudur. Bir elektronik devrede, çıkıştan alınan işaretin bir örneğinin aynı fazda veya zıt fazda girişe aktarıldığı devrelere Geribeslemeli Devreler diyoruz. Giriş işaretine zıt fazda gelen işarete dayalı devrelere negatif geribesleme devreleri, işleme negatif geribesleme, giriş işaretine eş fazda gelen işarete dayalı devrelere pozitif geribesleme devreleri, işleme pozitif geribesleme denir. Geribeslemeli sistemin genel blok diyagramı Şekil 4.1 de görülmektedir. s giriş sinyali, bir karıştırma devresine uygulanır ve bu arada β o geribesleme sinyali ile birleştirilir. Bu sinyallerin farkı olan i, daha sonra yükseltece giriş gerilimi olarak uygulanır. Yükselteç çıkışının bir kısmı, giriş karıştırıcı devresine geribesleme sinyalini uygulayan geri besleme devresine (β) bağlanır. Şekil 4.1 Geribeslemeli sistemin genel blok diyagramı A f Geribeslemeli sisteme ilişkin transfer fonksiyonu: Ao = (4.1) 1 + βa o Burada A o, geribeslemesiz kuvvetlendirici devresinin kazancı olup aynı zamanda açık çevrim kazancı olarak da ifade edilir. A f ise Geribeslemeli kuvvetlendirici devresinin kazancıdır. Transfer fonksiyonunda yer alan βa o (βa o : Döngü Kazancı) büyüklüğüne bağlı olarak sistemden elde edilen performans farklılık gösterir.

32 30 Transfer fonksiyonuna göre eşitliğin paydasındaki βa o terimi incelenecek olursa; βa o = 0 ise sistemde geribesleme yoktur. βa o > 0 ise sistemde negatif geri besleme vardır. βa o < 0 ise sistemde pozitif geri besleme vardır. βa o = -1 ise sistem osilasyon yapar. Transfer fonksiyonuna göre döngü kazancı 1 den oldukça büyük olması durumunda (βa o >>1) negatif geribeslemeli kuvvetlendirici devresinin kazancı tümüyle açık çevrim kazancından bağımsızdır. Ao 1 βa o >> 1 A f = = (4.2) βa β Pozitif Geribesleme o A f > A o, transfer fonksiyonundaki paydanın modülü 1 den küçükse pozitif geribesleme söz konusudur. Pozitif geribesleme bazı özel durumlarda (darbe şekillendiriciler, osilatörler, aktif süzgeçler) kullanılır. Elde edilen kazanç geribeslemesiz kuvvetlendiriciden elde edilen kazanca göre yüksektir Negatif Geribesleme A f < A o, transfer fonksiyonundaki paydanın modülü 1 den büyükse negatif geribesleme söz konusudur. Negatif geri besleme sistemler üzerinde bazı iyileştirici etkileri olduğundan oldukça sık karşılaşılan bir uygulamadır. Negatif geri besleme ile elde edilen gerilim kazancı, geribeslemesiz gerilim kazancına oranla oldukça düşüktür. Ancak bu kazanç kaybına karşılık yüksek bir giriş empedansı, düşük bir çıkış empedansı, daha kararlı bir kuvvetlendirici kazancı ve daha yüksek bir kesim frekansı elde etmek mümkündür. Kararlılığın artması ile birlikte aktif devre elemanındaki ısıl değişimler, zamanla parametrelerdeki değişimler ve gürültülerin etkisi azaltılmış olur. Negatif geribeslemeli devrelerin iyileştirici etkileri aşağıda özetlenmiştir. Daha yüksek giriş empedansı elde edilir. (Uygun bir negatif geribesleme topololojisi ile sağlanabilir.) Daha düşük çıkış empedansı elde edilir. (Uygun bir negatif geribesleme topololojisi ile sağlanabilir.) Frekans cevabı daha iyidir. Band-genişliği arttığından daha geniş bir frekans alanında girişin kuvvetlenmesi sağlanır. Geribeslemeli ve geribeslemesiz kuvvetlendiricilerden elde edilen kazanç-frekans karakteristiği Şekil 4.2 de verilmiştir. Çıkıştaki distorsiyon ve gürültü etkileri negatif geribesleme ile en aza indirilir. (1+βA o ) faktörü hem giriş gürültüsünü hem de sonuçta ortaya çıkan doğrusal olmayan bozulmayı önemli ölçüde azaltarak belirgin bir şekilde iyileştirme sağlar. Ancak toplam kazancında azaldığını belirtmek gerekir. Kazancı geribeslemesiz kazanç düzeyine çıkarmak için ilave katların kullanılması halinde, bu ilave katın ve/veya katların sisteme, geribesleme yükseltecinin azalttığı kadar gürültü ekleyebileceği bilinmelidir. Kararlılık artar. Böylece devreden elde edilen kazanç, ısıl değişimlerden ve zamanla parametrelerdeki değişimlerden bağımsız hale gelir.

33 31 Şekil 4.2 Geribeslemeli (Af) ve geribeslemesiz kuvvetlendirici (Ao) kazanç-frekans karakteristiği Geribesleme Bağlantı Türleri Geribesleme sinyalini bağlamanın 4 temel yolu vardır. Hem gerilim hem de akım girişe seri ya da paralel olarak uygulanabilir. Seri-gerilim geribeslemesi Seri-akım geribeslemesi Paralel-gerilim geribeslemesi Paralel-akım geribeslemesi Buna göre gerilim, geribesleme devresine giriş olarak bağlanan çıkış gerilimini, akım, geribesleme devresinden akan çıkış akımını göstermektedir. Seri terimi, geri besleme sinyalinin, giriş sinyal gerilimi ile seri şekilde bağlandığını, paralel terimi ise geri besleme sinyalinin giriş akım kaynağına paralel bağlandığını gösterir Geribeslemenin Giriş ve Çıkış Empedanslarına Etkisi Seri geribesleme bağlantıları, giriş direncini yükseltme, paralel geribesleme bağlantıları ise giriş direncini düşürme eğilimi gösterir. Gerilim geribeslemesi çıkış empedansını düşürür, akım geribeslemesi ise çıkış empedansını yükseltir. Tipik olarak kaskat bağlı yükselteçlerin çoğunda yüksek giriş ve düşük çıkış empedansı arzu edilir. Geribeslemenin giriş ve çıkış empedanslarına etkisi aşağıdaki Tablo 4.1 de özetlenmiştir. Tablo 4.1 Geribesleme Bağlantı Türlerine Göre Giriş e Çıkış Empedanslarının Hesaplanması Seri-Gerilim Geribeslemesi Z i f Z i ( 1 + βa) Z o f (artar) Z o βa 1+ (azalır) Seri-Akım Geribeslemesi ( 1 + ) Z i βa (artar) ( 1 + ) Z o βa (artar) Paralel-Gerilim Geribeslemesi Z i βa 1+ (azalır) Z o βa 1+ (azalır) Paralel-Akım Geribeslemesi Z i βa 1+ (azalır) ( 1 + ) Z o βa (artar)

34 Deney Öncesi Yapılacaklar 1. BC108 transistörünün katalog bilgilerini inceleyip bacak bağlantılarını ve transistörün DC şartlardaki önemli parametrelerini öğreniniz. 2. Şekil 4.3 deki geribeslemeli kuvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer modelini çiziniz (Transistörler h-parametreleri ile modellenecektir). 3. Bu devrenin açık çevrim kazancı (A o ), döngü kazancı (βa o ) ve geribeslemeli devrenin kazancı (A f ) değerlerini hesaplayınız. 4. Aynı devrenin giriş empedansı (Z i ) ve çıkış empedansını (Z o ) hesaplayınız. 5. Şekil 4.3 deki devrenin SPICE simulasyonunu yapınız. Frekans analizi ile geribeslemesiz (R f den oluşan kol açık devre iken) ve geribeslemeli (R f = 33k) devrenin genlik BODE diyagramlarını aynı grafikte üst üste (bunu yapamazsanız ayrı ayrı da olur) çizdiriniz, geribeslemenin kazanca etkisini gösteriniz Deneyde Yapılacaklar 1. Şekil 4.3 deki devreyi kurunuz. Girişe 10KHz frekansında 20m genlikli sinüsoidal gerilim uygulayınız. 2. Geribeslemesiz devrenin kazancını gözleyiniz. 3. Geribesleme devresini ekleyiniz. R f nin farklı değerleri için ölçtüğünüz kazanç değerlerini Tablo 4.2 ye yazınız. Her bir direnç değeri için döngü kazancını (βa 0 ) hesaplayınız. 4. Geribeslemesiz devre ve geribeslemeli (üç farklı direnç değeri ile) devrelerin alt ve üst frekansını deneysel yolla belirleyiniz ve Şekil 4.4 ve Şekil 4.5 üzerine çiziniz. 5. Ölçtüğünüz kazanç değerleri ile hesapladığınız değerleri karşılaştırarak tutarlılığını yorumlayınız. Şekil 4.3 Deney devresi

35 Deney Sonu Soruları 1. Şekil 4.3 deki devrenin topolojisinden devrenin türünü belirleyiniz. 2. Negatif ve pozitif geribeslemeli devrelerin uygulama alanlarını belirtiniz. 3. Açık çevrim kazancı A= 100, giriş direnci 10kΩ, çıkış direnci 20 kω olan kuvvetlendirici devresine, geribesleme faktörü β= 0.1 olan, seri-gerilim geribeslemesi uygulanmıştır. Buna göre geribeslemeli kuvvetlendiricinin gerilim kazancını, giriş ve çıkış empedansını hesaplayınız. 4. Açık çevrim kazancı A o = 1000 ve geribesleme faktörü β=1/10 olan geribeslemeli kuvvetlendirici devresinin kazancını (A f ) bulunuz. Açık çevrim kazancının, a. A o = 500 e indiğini varsayalım b. A o = 250 ye indiğini varsayalım Her iki durumda geribeslemeli devrenin kazancını (A f ) hesaplayınız. Geribeslemesiz ve geribeslemeli devrenin kazancındaki yüzde değişim oranlarını hesaplayınız.

36 DENEY 4 Sonuç Sayfası Tablo 4.2 Ölçüm sonuçları Şekil 4.4 Geribeslemesiz devrenin kazancı Şekil 4.5 Geribeslemeli devrelerin kazançları

37 35 DENEY 5: OSĐLATÖR DERELERĐ Amaç: Osilatörlerin çalışma mantığı ve osilatör çeşitlerinin öğrenilmesi, Faz Kaymalı RC Osilatör ve Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatör uygulamalarının yapılması. Malzemeler: Transistör: 1xBC108 Direnç: 5x10kΩ, 1x3.3kΩ, 3x5.6kΩ, 1x6.8kΩ, 3x10kΩ, 3x560Ω, 1x1kΩ POT, 1x10kΩ POT. Kondansatör: 3x10nF, 1x47nF, 2x100nF, 1x1µF, 1x10µF, 1x47µF. Entegre: LM Genel Bilgi DC gerilimi istenilen frekansta işaretlere dönüştüren devrelere osilatör denir. Osilatörler DC gerilim kaynakları ile beslenirler. Bir osilatör devresi; osilasyonu başlatan rezonans devresi, yükselteç ve geribesleme katlarından oluşmaktadır. Temel osilatör devrelerinden sinüsoidal çıkış alınır. Fakat çıkışlarında kare, üçgen v.b dalga biçimleri elde edilebilen osilatör tasarımı da yapılabilir. Osilatörler; kullanım amaçları ve özelliklerine bağlı olarak çeşitli şekillerde tasarlanabilirler. Osilasyonun başlamasını sağlayan rezonans devreleri genellikle; R-C veya R-L pasif devre elemanlarından oluşur. Aşağıda popüler ve yaygın kullanım alanları bulunan bazı osilatör tipleri sıralanmıştır. RC Faz kaymalı osilatör Wien Köprü osilatör Kolpits osilatörü Hartley osilatör Kristal osilatör Schmitt Tetikleyicili Osilatör Osilatörler, dijital devreler, alıcı ve verici devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları gibi yerlerde çoğunlukla kullanılırlar. Bir osilatör devresinin oluşturulabilmesi için önce tank devresi (rezonans devresi) ve yükselteç devresine gereksinim vardır. Ayrıca osilasyonun sürekliliğini sağlamak için yükselteç devresinde pozitif geribesleme yapılmalıdır. Şekil 5.1 de ortak emetörlü bir yükselteç devresi görülmektedir. Bu yükselteç devresini geliştirerek bir osilatör devresine dönüştürebiliriz. Ortak emetörlü yükselteç devresinde; yükselteç girişine uygulanan işaret ile çıkışından alınan işaret arasında 180 O faz farkı olduğunu biliyoruz. Ortak emetörlü yükselteç devresini bir osilatör haline dönüştürmek için; yükselteç çıkışından alınacak işaretin bir kısmı, pozitif geribesleme ile yükselteç girişine uygulanmalıdır. Bu osilasyonun sürekliliği için gereklidir.

38 36 Şekil 5.1 Ortak Emetörlü Yükselteç Devresi Faz Kaymalı RC Osilatör Yükselteç çıkış gerilimini; girişe geri besleyerek osilasyon elde edebilmek için, çıkış işaretini 180 o faz kaydırmak gerekmektedir. RC faz kaymalı osilatör devresinin temel prensibi bu koşula dayanmaktadır. Şekil 5.2 de RC faz kaymalı osilatör devresi verilmiştir. Devre dikkatlice incelendiğinde çıkış işaretinin bir kısmının RC geri besleme elemanları ile girişe geri besleme yapıldığı görülmektedir. Her bir RC hücresi; çıkış işaretini 60 0 faz kaydırmaktadır. Çıkış ile giriş arasında 3 adet faz kaydırma devresi kullanılmıştır. Dolayısıyla çıkış işaretinin fazı kaydırılarak girişe pozitif geribesleme yapılmıştır. Şekil 5.2 RC faz kaymalı osilatör devresi Her bir RC devresinin 60 0 faz kaydırması istenirse R1=R2=Rg ve C1=C2=C3 olarak seçilmelidir. Rg, ortak emetörlü yükseltecin giriş empedansıdır. Giriş empedansının R1 ve R2'ye eşit olması gerekmektedir. Bu koşullar sağlandığı zaman, çıkış işaretinin frekansı aşağıdaki formül yardımı ile bulunur. 1 f = (5.1) 2πC 6R R1R C

39 37 Osilasyonların genliği, geri besleme oranına ve yükseltecin kazancına bağlıdır. Geri besleme oranı seri RC devrelerinin toplam empedansına bağlıdır. Bu empedans arttıkça geri besleme oranı düşecek ve çıkış işaretinin (osilasyonun) genliği azalacaktır. Şekil 5.3 RC Faz Kaymalı Osilatör Devresi Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatör Dijital devrelerde, dijital devre elemanlarının hepsinin belirlenmiş bir düzen dahilinde çalışması istenir. Çünkü her devre elemanı görevini zamanın belli bir bölgesinde yapar. Birkaç entegreden oluşan bir sistemi çalıştırdığımızda sistemin düzgün çalışması ancak bu entegrelerin senkron çalışmasıyla mümkündür. Bu senkronizasyon osilatör yardımıyla sağlanır. Osilatör ürettiği karedalga işareti düm dijital devre elemanlarına göndererek senktonizasyonu sağlar. Bir karedalga işareti üretmenin pek çok yolu vardır. Bunlardan bir tanesi evirici (Schmitt Tetikleyici) ile yapılan osilatördür. Burdada Schmitt Tetikleyici çok önemlidir çünkü onun yerine normal bir evirici kullanırsak devre osilasyon yapmayacaktır. Bunun sebebi Schmitt Tetikleyicinin histerezis özelliğidir. 74HC14 entegresi, içerisinde 6 tane Schmitt özellikli evirici buffer bulunduran Si-gate CMOS bir entegredir. Schmitt özelliğinden kasdedilen aslında Şekil 5.4 de görülen histerezis özelliğidir. Şekil 5.4 Schmitt Tetikleyici Histerezis Karakteristiği

40 38 Bir schmitt tetikleyicinin sabit yüksek (High) ve düşük (Low) gerilim seviyeleri ve bunların yanısıra yüksek ve düşük eşik seviyeleri vardır. Şekil 5.4 te - T ile düşük eşik seviyesi, + T ile yüksek eşik seviyesi gösterilmiştir. Giriş işareti Low iken çıkış High seviyededir. Giriş arttırılıp yüksek eşik seviyesini geçtiği anda çıkış Low a düşer. Bu anda giriş işareti seviyesi tekrar düşmeye başlarsa çıkış ancak düşük eşik seviyesinin altında tekrar High seviyeye geçecektir. Đşte bu özellik, Schmitt tetikleyiciyi normal bir eviriciden ayıran histerezis özelliğidir. Şekil 5.5 Schmitt Tetikleyicili Osilatör Devresi Başlangıçta yani devreye enerji verildiğinde kondansatörün boş olduğunu varsayalım. A noktası yani tetikleyicinin girişi 0 olduğundan çıkış yani B noktası 5 seviyesindedir. Çıkış High seviyede olduğundan buradan kondansatöre doğru akan akım kondansatörü direnç üzerinden şarj etmeye başlar. Kondansatör gerilimi yüksek eşik seviyesi + T ye ulaştığında çıkış konum değiştirir ve Low seviyeye düşer. Çıkış gerilimi 0 olduğundan bu kez kondansatörden çıkışa doğru bir akım akar ve kondansatör direnç üzerinden deşarj olmaya - başlar. A noktasındaki gerilim T düşük eşik seviyesine ulaştığında çıkış tekrar konum değiştirir ve High seviyeye çıkar. Bu noktadan sonra kondansatörün + T ile - T arasında sürekli şarj ve deşarj olmasıyla çıkışta karedalga işaret oluşması sağlanır Opamplı Schmitt Osilatör Şekil 5.6 da Opamp lı Schmitt Kare Dalga Osilatörü devresi görülmektedir. Şekil 5.6 Opamplı Schmitt Kare Dalga Osilatörü

41 39 Bu devrede A noktası gerilimi, A R O = 1 (5.2) R1 + R f olarak hesaplanır. Opampın çıkış geriliminin O maksimum +, minimum - olabileceği için Schmitt Tetikleyici histerezis eğrisi Şekil 5.7 deki gibi elde edilir. Şekil 5.7 Opamp lı Schmitt Tetikleyici histerezis eğrisi Đlk anda C kondansatörünün boş olduğu düşünülürse O = + olur. Bu durumda A > 0 dır ve bu A gerilimi Schmitt osilatörün pozitif eşik seviyesidir ( T+ ). Boş olan kondansatör O gerilimi ve R direnci üzerinden şarj olmaya başlar. C > A olduğunda opamp çıkışı konum değiştirir ve O = - olur. Bu durumda A < 0 olmuştur ve A = - A dır. Bu kez kondansatör R direnci üzerinden deşarj olmaya başlar. C < A olduğunda çıkış gerilimi yeniden O = + olur ve yukarıdaki olaylar tekrarlanır. Böylece devre çıkışında bir karedalga elde edilmiş olur. Kare dalganın frekansı R*C zaman sabitiyle ayarlanır Opamp lı Đntegratör Devresi Đntegral devresi, girişine uygulanan işaretin integralini alır. Eğer giriş işareti kare dalga ise çıkış üçgendir, giriş üçgen ise çıkışta sinüsoidal işaret elde edilir. Opamp lı integral alıcı devre Şekil 5.8 de görülmektedir. Şekil 5.8 Opamp lı integratör devresi

42 40 Şekil 5.8 deki opamplı integratör devresi için akım ve gerilim denklemleri yazılırsa, I 1 = ( i A ) / R 1 = i / R 1 (5.3) T o = (1/C f ) I f dt, I f = - I 1 (5.4) 0 T o = - (1 / C f ) 0 T o = - (1 / C f ) 0 T o = - [1 / (R 1.C f )] 0 I 1 dt (5.5) ( i / R 1 ) dt' (5.6) i dt (5.7) olarak bulunur. Bu denklemden devrenin giriş işaretinin integralini aldığı görülmektedir. Devrede, giriş ofset geriliminin Opamp ı doyuma götürmesini engellemek için geribesleme kondansatörüne paralel R f direnci bağlanmıştır. Giriş offset gerilimini ve etkilerini gidermek amacıyla da R 2 direnci eklenmiştir. R 2 = R 1 // R f seçilir. Đntegral devresinin çalışabilmesi için aşağıdaki iki şartın yerine gelmesi gerekir. 1. f giriş 1/2πR f C f (giriş işaretinin frekansı kritik frekanstan büyük ya da eşit olmalı) 2. Devrenin zaman sabiti (T=RxC) giriş sinyaline eşit ya da yakın bir değerde olmalıdır Deney Öncesi Yapılacaklar 1. BC108C transistörünün katalog bilgilerini inceleyip bacak bağlantılarını ve transistörün DC şartlardaki önemli parametrelerini öğreniniz. 2. LM324 entegresinin katalog bilgilerini inceleyerek Opamp lı Schmitt Tetikleyici devresinin, max çıkış gerilimi ( OH ), min çıkış gerilimi ( OL ), yüksek eşik gerilimi ( T + ) ve düşük eşik gerilimi ( T - ) değerlerini tespit ediniz. 3. Deney devrelerinin spice simülasyonlarını yaparak çıkışlarında osilasyon oluştuğunu gösteriniz. Đzlenecek Yol: Devre başlangıçta osilasyona girmeyip pozitif feedback etkisiyle bir süre sonra osilasyona girecektir. Bütün bu aşamaları gösterecek şekilde çıkış işaretini gösterin Deneyde Yapılacaklar RC Osilatör Deneyi 1. Şekil 5.3'deki faz kaymalı osilatör devresini kurunuz. Osilatörün çıkış işaretini gözlemlemek için gerekli osiloskop bağlantısını yapınız. 2. Osilatör çıkış işaretini (ç) ölçüp şekil 5.12 ye, A, B, C noktalarındaki işaretleri ölçüp Şekil-5.13'e ölçekli olarak çiziniz.

43 41 3. Çıkış işaretinin tepeden tepeye değerini ve frekansını ölçerek Tablo 5.1 e kaydediniz. Hesapladığınız osilasyon frekansı ile ölçtüğünüz frekansı Tablo 5.2 ye kaydederek karşılaştırınız. 4. Osilatörün çıkış işareti ile transistörün bazındaki işareti aynı anda osiloskopta gözleyiniz. Bu iki işaret arasındaki faz farkını Tablo 5.3 e kaydediniz ve yorumlayınız Opamplı Schmitt Osilatör Deneyi 1. Şekil 5.9 daki Opamp lı Schmitt osilatör devresini LM324 entegresi içindeki birinci opampı kullanarak kurunuz. Şekil 5.9 Opamp lı Schmitt Osilatör devresi 2. O ve C noktalarındaki dalga şekillerini osiloskop ekranında dual modda izleyerek yorumlayınız. 3. R 3 potansiyometresinin değerini değiştirerek çıkış işaretindeki değişimi yorumlayınız. 4. Potansiyometrenin minimum ve maksimum değerleri için elde ettiğiniz çıkış işaretlerini şekil 5.14 e ölçekli olarak kaydediniz. 5. Şekil 5.9 daki karedalga osilatörü ve şekil 5.10 daki opamplı integratör devresini kullanarak şekil 5.11 de blok şeması verilen kare-üçgen-sinüs osilatör devresini board üzerinde kurunuz. Şekil 5.10 Opamp lı integratör devresi

44 42 Şekil 5.11 Đntegratörlü üçgen ve sinüs üreteci 6. Her katın çıkışını ayrı ayrı ve osiloskobun dual modunda birlikte inceleyerek üç farklı çıkışı şekil 5.15 e ölçekli olarak çiziniz. 7. Đntegratör devresinin çalışabilmesi için gerekli iki şartın yerine getirilip getirilmediğini gerekli hesaplamaları ve ölçümleri yaparak gösteriniz. 5.4.Deney Sonu Soruları 1. RC Osilatör devresinin osilasyona başlaması için çıkış ve geri beslenen giriş işaretleri arasındaki faz farkı nasıl sağlanmıştır? Açıklayınız. 2. RC Osilatörün çalışmasına RE direncinin etkisini belirtiniz? RE direncinin değişimi osilatör çıkış işaretinde ne gibi değişimler sağlar? Açıklayınız. 3. Şekil 5.5 de görülen Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörü devresinin çıkış işaretinde duty cycle ın % 50 olamamasının nedenlerini açıklayınız. 4. Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörü devresini gerçeklerken Schmitt Tetikleyici yerine normal bir evirici kullanıldığında osilasyon yapmamasının sebebini açıklayınız. 5. Şekil 5.14 te blok şeması verilen sistemin çıkışına bir integral alıcı devre daha eklenirse nasıl bir çıkış elde edilir yorumlayınız. 6. RC osilatör devresi çıkışındaki sinüsoidal işaretten üçgen ve kare dalga elde etmek için bir sistem tasarlayınız. Tasarladığınız sisteme ait blok şemayı (şekil 5.14 deki gibi) ve devre topolojisini çiziniz.

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör DENEY 7 : OSİLATÖR UYGULAMASI AMAÇ: Faz Kaymalı RC Osilatör ve Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörün temel çalışma prensipleri MALZEMELER: Güç Kaynağı: 12VDC, 5VDC Transistör: BC108C veya Muadili

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin

Detaylı

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz. Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.

Detaylı

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)

Detaylı

ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI

ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI Deney Hocası: Yılmaz Ürgün Amaç: A, B, AB Sınıfı Kuvvetlendiricilerin İncelenmesi ve Gerçeklenmesi. Malzeme Listesi: Transistör:

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 3 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 3 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 3 LAB. DENEY FÖYLERİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER 16 AMAÇ 1. Eviren işlemsel kuvvetlendirici devresini öğrenmek. 2. Evirmeyen

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

BÖLÜM 3 OSİLASYON KRİTERLERİ

BÖLÜM 3 OSİLASYON KRİTERLERİ BÖLÜM 3 OSİİLATÖRLER Radyo sistemlerinde sinüs işaret osilatörleri, taşıyıcı işareti üretmek ve karıştırıcı katlarında bir frekansı diğerine dönüştürmek amacıyla kullanılır. Sinüs işaret osilatörlerinin

Detaylı

KISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM)

KISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM) İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM) 1. BÖLÜM GERİBESLEMELİ AMPLİFİKATÖRLER... 3 1.1. Giriş...3 1.2. Geribeselemeli Devrenin Transfer Fonksiyonu...4 1.3. Gerilim - Seri Geribeslemesi...5

Detaylı

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin

Detaylı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.

Detaylı

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi: 1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k

Detaylı

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının

Detaylı

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ 9.1. DENEYİN AMAÇLARI DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ RC devresinde kondansatörün şarj ve deşarj eğrilerini elde etmek Zaman sabiti kavramını öğrenmek Seri RC devresinin geçici cevaplarını incelemek

Detaylı

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR 1.1 Amaçlar AC nin Elde Edilmesi: Farklı ve değişken DC gerilimlerin anahtar ve potansiyometreler kullanılarak elde edilmesi. Kare dalga

Detaylı

DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI

DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI DENEYİN AMACI: Bu deneyde işlemsel kuvvetlendiricinin doğrusal uygulamaları incelenecek ve işlemsel kuvvetlendirici kullanılarak çeşitli matematiksel

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

AMLİFİKATÖRLER VE OSİLATÖRLER

AMLİFİKATÖRLER VE OSİLATÖRLER BÖLÜM 5 Multivibratörler KONULAR: 1. Dengesiz (astable) multivibratörün çalışması ve özelliklerini incelemek. 2. Çif dengeli (bistable) multivibratörün çalışmasını ve özelliklerini incelemek. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

Amaç: Tristörü iletime sokmak için gerekli tetikleme sinyalini üretmenin temel yöntemi olan dirençli tetikleme incelenecektir.

Amaç: Tristörü iletime sokmak için gerekli tetikleme sinyalini üretmenin temel yöntemi olan dirençli tetikleme incelenecektir. GÜÇ ELEKTRONİĞİ LABORATUVARI DENEYLERİ DENEY 01 DİRENÇLİ TETİKLEME Amaç: Tristörü iletime sokmak için gerekli tetikleme sinyalini üretmenin temel yöntemi olan dirençli tetikleme incelenecektir. Gerekli

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

Deney 5: Osilatörler

Deney 5: Osilatörler Deneyin Amacı: Deney 5: Osilatörler Osilatörlerin çalışma mantığının anlaşılması. Wien köprü osilatörü uygulamasının yapılması. A.ÖNBİLGİ Osilatörler, DC güç kaynağındaki elektrik enerjisini AC elektrik

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Deneyin Amacı DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Seri ve paralel RLC devrelerinde rezonans durumunun gözlenmesi, rezonans eğrisinin elde edilmesi ve devrenin karakteristik parametrelerinin ölçülmesi

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY - I

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY - I T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY - I DİYOT UYGULAMALARI 2: AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle

Detaylı

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin. DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L

Detaylı

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER 1. DENEYİN AMACI KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER DC-DC gerilim azaltan

Detaylı

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DENEY 4. Rezonans Devreleri ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2012-2013 Bahar DENEY 4 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı

Detaylı

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : YAPILIŞ TARİHİ: GRUP ÜYELERİ : 1. 2. 3. DERSİN SORUMLU ÖĞRETİM ÜYESİ: Yrd. Doç.

Detaylı

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ FİZİK II LABORATUVARI DENEY 2 TRANSFORMATÖRLER

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ FİZİK II LABORATUVARI DENEY 2 TRANSFORMATÖRLER ELEKTRİK ELEKTROİK MÜHEDİSLİĞİ FİZİK LABORATUVAR DEEY TRASFORMATÖRLER . Amaç: Bu deneyde:. Transformatörler yüksüz durumdayken giriş ve çıkış gerilimleri gözlenecek,. Transformatörler yüklü durumdayken

Detaylı

DENEY 5. Pasif Filtreler

DENEY 5. Pasif Filtreler ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM24 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2425 Bahar DENEY 5 Pasif Filtreler Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı : Ön

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı 1. OSİLATÖRLER 1.1. Osilatör Nedir? Elektronik iletişim sistemlerinde ve otomasyon sistemlerinde kare dalga, sinüs dalga, üçgen dalga veya testere dişi dalga biçimlerinin kullanıldığı çok sayıda uygulama

Detaylı

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop Osiloskop kullanarak alternatif gerilimlerin incelenmesi Deney Malzemeleri: 5 Adet 1kΩ, 5 adet 10kΩ, 5 Adet 2k2Ω, 1 Adet potansiyometre(1kω), 4

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi 23 Deney Adı : İşlemsel Kuvvetlendiricinin Temel Devreleri Deney No : 6 Deneyin Amacı : İşlemsel kuvvetlendiricilerle en ok kullanılan devreleri gerekleştirmek, fonksiyonlarını belirlemek Deneyle İlgili

Detaylı

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı

Detaylı

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ DEVRE NLİZİ DENEY FÖYÜ 2013-2014 Ders Sorumlusu: Yrd. Doç. Dr. Can Bülent FİDN Laboratuvar Sorumluları: İbrahim TLI : Rafet DURGUT İÇİNDEKİLER DENEY 1: SERİ VE PRLEL DİRENÇLİ DEVRELER... 3 DENEY 2: THEVENİN

Detaylı

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine

Detaylı

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) 9.1 Amaçlar 1. µa741 ile PWM modülatör kurulması. 2. LM555 in çalışma prensiplerinin

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II T.C. LDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATVARI II DENEY 5: KOMPARATÖRLER DENEY GRB :... DENEYİ YAPANLAR :......... RAPOR HAZIRLAYAN

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

ALTERNATİF AKIM (AC) II SİNÜSOİDAL DALGA; KAREKTRİSTİK ÖZELLİKLERİ

ALTERNATİF AKIM (AC) II SİNÜSOİDAL DALGA; KAREKTRİSTİK ÖZELLİKLERİ . Amaçlar: EEM DENEY ALERNAİF AKIM (AC) II SİNÜSOİDAL DALGA; KAREKRİSİK ÖZELLİKLERİ Fonksiyon (işaret) jeneratörü kullanılarak sinüsoidal dalganın oluşturulması. Frekans (f), eriyot () ve açısal frekans

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ

DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ 1 AMAÇ Bu deneyin temel amacı; bant geçiren ve alçak geçiren seri RLC filtrelerin cevabını incelemektir. Ayrıca frekans cevabı deneyi neticesinde elde edilen verileri

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri)

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) 1. DENEYİN AMACI ÜÇ FAZ EVİRİCİ 3 Faz eviricilerin çalışma

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç: KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Deneyin Amacı: Alçak frekans güç yükselteçleri ve çıkış katlarının incelenip, çalışma mantıklarının kavranması Kullanılacak Materyaller: BD135 (npn Transistör)

Detaylı

ELEKTRONİK ve HABERLEŞME LAB DENEY FÖYÜ

ELEKTRONİK ve HABERLEŞME LAB DENEY FÖYÜ YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK ve HABERLEŞME LAB DENEY FÖYÜ ( ELEKTRONİK KISMI ) ELEKTRONİK ANABİLİM DALI ARAŞTIRMA GÖREVLİLERİ: ARŞ. GÖR. NERGİS TURAL

Detaylı

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi DENEY 8: PASİF FİLTRELER Deneyin Amaçları Pasif filtre devrelerinin çalışma mantığını anlamak. Deney Malzemeleri Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop.

Detaylı

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit

Detaylı

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı

Detaylı

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev

Detaylı

Deney 32 de osiloskop AC ve DC gerilimleri ölçmek için kullanıldı. Osiloskop ayni zamanda dolaylı olarak frekansı ölçmek içinde kullanılabilir.

Deney 32 de osiloskop AC ve DC gerilimleri ölçmek için kullanıldı. Osiloskop ayni zamanda dolaylı olarak frekansı ölçmek içinde kullanılabilir. DENEY 35: FREKANS VE FAZ ÖLÇÜMÜ DENEYĐN AMACI: 1. Osiloskop kullanarak AC dalga formunun seklini belirlemek. 2. Çift taramalı osiloskop ile bir endüktanstın akım-gerilim arasındaki faz açısını ölmek. TEMEL

Detaylı

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,

Detaylı

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 3 Temel İşlemsel Kuvvetlendiriciler 1. Hazırlık a. Ön-çalışma soruları laboratuvara gelmeden önce çözünüz. Ön-çalışma çözümleriniz asistan Bürkan Tekeli'ye Z11'de

Detaylı

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ 1. Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, Şekil 1 de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon

Detaylı

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1 DENEY #4 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ ve MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi Kullanılan Alet ve Malzemeler: 1) DC Güç Kaynağı 2) Avometre

Detaylı

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Sıcaklık kontrol elemanlarının türlerini ve çalışma ilkelerini öğrenmek. 2. Bir orantılı sıcaklık kontrol devresi yapmak. GİRİŞ Solid-state sıcaklık kontrol

Detaylı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR

Detaylı

FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL)

FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL) FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL) 1-Temel Bilgiler Faz kilitlemeli çevrim (FKÇ) (Phase Lock Loop, PLL) dijital ve analog haberleşme ve kontrol uygulamalarında sıkça kullanılan bir elektronik devredir. FKÇ,

Detaylı

ANALOG HABERLEŞME (GM)

ANALOG HABERLEŞME (GM) ANALOG HABERLEŞME (GM) Taşıyıcı sinyalin sinüsoidal olduğu haberleşme sistemidir. Sinüs işareti formül olarak; V. sin(2 F ) ya da i I. sin(2 F ) dır. Formülde; - Zamana bağlı değişen ani gerilim (Volt)

Detaylı

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır.

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. 6. Osiloskop Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. Osiloskoplar üç gruba ayrılabilir; 1. Analog osiloskoplar 2. Dijital osiloskoplar

Detaylı

Bölüm 1. Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları

Bölüm 1. Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları Bölüm Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları. Temel Elektriksel Büyüklükler: Akım, Gerilim, Güç, Enerji. Güç Polaritesi.3 Akım ve Gerilim Kaynakları F.Ü. Teknoloji Fak. EEM M.G. .. Temel

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Amaç: Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı

Detaylı

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ DENEYİN AMAÇLARI DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ RC devresinde kondansatörün şarj ve deşarj eğrilerini elde etmek Zaman sabiti kavramını öğrenmek Seri RC devresinin geçici cevaplarını incelemek Deney Malzemeleri:

Detaylı

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DENEY FÖYÜ DENEY ADI AC AKIM, GERİLİM VE GÜÇ DENEYİ DERSİN ÖĞRETİM ÜYESİ DENEY SORUMLUSU DENEY GRUBU: DENEY TARİHİ : TESLİM

Detaylı

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 2 OHM-KIRCHOFF KANUNLARI VE BOBİN-DİRENÇ-KONDANSATÖR Malzeme Listesi: 1 adet 47Ω, 1 adet 100Ω, 1 adet 1,5KΩ ve 1 adet 6.8KΩ Dirençler 1 adet 100mH Bobin 1 adet 220nF Kondansatör Deneyde Kullanılacak

Detaylı