Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits"

Transkript

1 Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits By Laszlo Balogh ABSTRACT The main purpose of this paper is to demonstrate a systematic approach to design high performance gate drive circuits for high speed switching applications. It is an informative collection of topics offering a one-stop-shopping to solve the most common design challenges. Thus it should be of interest to power electronics engineers at all levels of experience. The most popular circuit solutions and their performance are analyzed, including the effect of parasitic components, transient and extreme operating conditions. The discussion builds from simple to more complex problems starting with an overview of MOSFET technology and switching operation. Design procedure for ground referenced and high side gate drive circuits, AC coupled and transformer isolated solutions are described in great details. A special chapter deals with the gate drive requirements of the MOSFETs in synchronous rectifier applications. Several, step-by-step numerical design examples complement the paper. ÖZET Bu çalışmanın temel amacı, yüksek performans switchig uygulamalarında, gate-drive tasarımına sistematik bir yaklaşım getirmektir. Bu döküman bu konularla ilgililer için "onestop-shopping" yaklaşımıyla en yaygın tasarım sorunlarını çözmek için hazırlanmıştır.. Her düzeyde güç elektroniği mühendisleri bu dökümanın hedef kistlesidir. Popüler devre çözümleri ve performansları parazitik bileşenleri, sıradışı çalışma koşulları vs. de dahil edilerek analiz edildi. MOSFET teknolıjilerinin ve çaılma özelliklerinin gelenl anlatımıyla basitten karmaşığa doğru giden bir yöntem kullanıldı. Tasarım aşamaları, AC coupled ve izole edilmiş transformatör çözümleri çok detaylı olarak açıklanmıştır. Senkron doğrultucu uygulamalarında MOSFETs uygulamaları ilei ilgili kapı sürücü gereksinimlerine özel bir bölüm de dökümanda mevcuttur. INTRODUCTION MOSFET is an acronym for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor and it is the key component in high frequency, high efficiency switching applications across the electronics industry. It might be surprising, but FET technology was invented in 1930, some 20 years before the bipolar transistor. The first signal level FET transistors were built in the late 1950 s while power MOSFETs have been available from the mid 70 s. Today, millions of MOSFET transistors are integrated in modern electronic components, from microprocessors,

2 through discrete power transistors. The focus of this topic is the gate drive requirements of the power MOSFET in various switch mode power conversion applications. GİRİŞ MOSFET - Metal Oksit Alan Etkili Transistör yarıiletken için bir kısaltmadır ve yüksek frekanslı, yüksek başarımlı switching uygulamaları için çok önemli bir bileşendir, Sürpriz olabilir ama FET Teknolojisi 1930 yılında, icat edilmiştir, Bipolar Transistorün icadından 20 yıl önce. Sinyal-level FET Transistörü 1950 lerin sonuna doğru üretilmişken güç MOSFETleri 70lerin ortalarında kullanılmaya başlanmıştır. Bugün, milyonlarca MOSFET transistörleri Mikroişlemciler içine yerleştirilebilmektedir. Bu konunun odak noktası switch mod power conversion uygulamalarında gate-drive gereksinimlerin nasıl karşılanabileceğidir. MOSFET TECHNOLOGY The bipolar and the MOSFET transistors exploit the same operating principle. Fundamentally, both type of transistors are charge controlled devices which means that their output current is proportional to the charge established in the semiconductor by the control electrode. When these devices are used as switches, both must be driven from a low impedance source capable of sourcing and sinking sufficient current to provide for fast insertion and extraction of the controlling charge. From this point of view, the MOSFETs have to be driven just as hard during turn-on and turn-off as a bipolar transistor to achieve comparable switching speeds. MOSFET TEKNOLOJİSİ Bipolar ve MOSFET transistörler temelde aynı çalışma prensibine sahiptirler. Temelde, iki tip transistörde yük kontrollü aletlerdir. Bu ikisininde çıkış degerleri, kontrol backlarında toplanmış olan yükle orantılıdır. Bu iki transistör switching uygulamalarında kullanılırken düşük empedanslı, kontrol yüklerin hızlı bir şekilde girebilecegi ve çıkabilecegi, yeterli akımı saglayabilecek kaynaklar tarafından sürülmelidir. Bu Bakış açısından, karşılaştırılabilir anahtarlama hızı elde edebilmek için, MOSFET ler turn-on ve turn-off sırasında bipolar transistörler gibi hard olarak sürülmelidirler. Theoretically, the switching speeds of the bipolar and MOSFET devices are close to identical, determined by the time required for the charge carriers to travel across the semiconductor region. Typical values in power devices are approximately 20 to 200 picoseconds depending on the size of the device. MOSFET The popularity and proliferation of MOSFET technology for digital and power applications is driven by two of their major advantages over the bipolar junction transistors. One of these benefits is the ease of use of the MOSFET devices in high frequency switching applications. The MOSFET transistors are simpler to drive because their control electrode is isolated from the current conducting silicon, therefore a continuous ON current is not required. Once the MOSFET transistors are turned-on, their drive current is practically zero. Also, the controlling charge and accordingly the storage time in the MOSFET transistors is greatly reduced. Teorik olarak, bipolar ve MOSFET anahtarlama hızları ideale yakındır. Ve yük taşıyıcılarının yarı iletken bölgesinin bir ucundan diğerine geçmesi için gerek süreye eşittir. Güç cihazları

3 için yaklaşık deger, yarıiletken bölgenin boyutlarına da bağlı olmak üzere pikosaniye arasındadır.. MOSFET transistörlerin bu bu kadar popüler olmalarının sebebi bipolar transistörlere göre iki büyük avantajının olmasıdır. Bunlardan birincisi yüksek frekanslalı swithcing uyğulamalarındaki kullanım kolaylığıdır. MOSFET transistörler daha kolay sürülebilirler çünkü kontrol bacakları akım iletici silikondan izole edilmiş durumdadır. Bu nedenle sürekli saglanan bir ON akmına ihtiyaç duymazlar. MOSFET transistörleri birkere ON konumuna getirildikteen sonra drive akımı pratik olarak sıfırdır. Ayrıca kontrol yükün depolanma zamanı modfet transistörlerde oldukça düşüktür. This basically eliminates the design trade-off between on state voltage drop which is inversely proportional to excess control charge and turn-off time. As a result, MOSFET technology promises to use much simpler and more efficient drive circuits with significant economic benefits compared to bipolar devices. Furthermore, it is important to highlight especially for power applications, that MOSFETs have a resistive nature. The voltage drop across the drain source terminals of a MOSFET is a linear function of the current flowing in the semiconductor. This linear relationship is characterized by the RDS(on) of the MOSFET and known as the on-resistance. On-resistance is constant for a given gate-to-source voltage and temperature of the device. As opposed to the -2.2mV/ C temperature coefficient of a p-n junction, the MOSFETs exhibit a positive temperature coefficient of approximately 0.7%/ C to 1%/ C. This positive temperature coefficient of the MOSFET makes it an ideal candidate for parallel operation in higher power applications where using a single device would not be practical or possible. Due to the positive TC of the channel resistance, parallel connected MOSFETs tend to share the current evenly among themselves. This current sharing works automatically in MOSFETs since the positive TC acts as a slow negative feedback system. The device carrying a higher current will heat up more don t forget that the drain to source voltages are equal and the higher temperature will increase its RDS(on) value. The increasing resistance will cause the current to decrease, therefore the temperature to drop. Eventually, an equilibrium is reached where the parallel connected devices carry similar current levels. Initial tolerance in RDS(on) values and different junction to ambient thermal resistances can cause significant up to 30% error in current distribution. Bu sayede transistorun ON durumundaki ve OFF durumundaki voltaj değişikliği tasarım sorunlarıda ortadan kalkmış olur. Sonuç olarak MOSFET transistorler bipolar transistorlere göre daha kolay bir kullanımın yanısıra farkedilir bir ekonomik avantaj sunarlar. Ayrıca, özellikle güç uygulamaları için, MOSFETlerin direnç özelliği olduğunu vurgulamakta fayda var. MOSFET üzerindeki voltaşj düşüş üzerinden geçen akımla doğru orantılıdır. Bu lineer bağımlılık RDS olarak tarif edilir ve genelde on-rezistans olarak adlandırılır. On-rezistan transistorün sıcaklıgı ve gate-to-sorce voltajı için sabittir. MOSFETler p-n baglantıların aksine pozitif sıcaklık sabitine sahiptirler. Bu yaklaşık olarak derece başına %0.7 ile %1 arasındadır. Bu pozitif sıcaklı sabiti (TC) nedeniyle MOSFETler tek bir aletin kullanılmasının pratik olarak pek mümkün olmadıgı durumlarda, özellikle yüsek güç devrelerinde, paralel olarak kullanılmak için idealdirler. Pozitif TC'leri olması nedeni ile paralel olarak kullanılan MOSFETler akımı eşit olarak paylaşma eğilimindedirler. Bu akım paylaşımı MOSFETlerin dogası geregi otomatik olarak gerçekleşir. (fazla akım taşıyan MOSFET daha fazla ısınarak direnci digerlerine göre daha fazla artacaktır, direncii artınca dogal olarak üzerinden geçen akım azalacaktır. Sistem kendiliginden dengeye gelerek aşağı yukarı yakın benzer şiddette akım taşıyacaklardır.

4 Device types Almost all manufacturers have got their unique twist on how to manufacture the best power MOSFETs, but all of these devices on the market can be categorized into three basic device types. These are illustrated in Figure 1. Double-diffused MOS transistors were introduced in the 1970 s for power applications and evolved continuously during the years. Using polycrystalline silicon gate structures and self aligning processes, higher density integration and rapid reduction in capacitances became possible. The next significant advancement was offered by the V-groove or trench technology to further increase cell density in power MOSFET devices. The better performance and denser integration don t come free however,

5 as trench MOS devices are more difficult to manufacture. The third device type to be mentioned here is the lateral power MOSFETs. This device type is constrained in voltage and current rating due to its inefficient utilization of the chip geometry. Nevertheless, they can provide significant benefits in low voltage applications, like in microprocessor power supplies or as synchronous rectifiers in isolated converters. The lateral power MOSFETs have significantly lower capacitances, therefore they can switch much faster and they require much less gate drive power. Cihaz tipleri Hemen hemen tüm üreticilerin en iyi güç MOSFETleri için kendi tasarımları vardır. Ancak bunların tamamı üç ana grupta toplanabilir. Bunlar Şekil 1 gösterilmektedir. Double-diffused Mos transistörler 70lerin başlarında ortaya çıukmışlar ve sürekli geliştirilmişlerdir.polikristal silikon kullanılarak özel gate yapıları, yüksek yoğunluklu entegreler ve kapasitanslarda hızlı bir düşüş mümkün oldu.. Sonraki önemli gelişme is güç MOSFETlerinde hücre yogunlugunu arttırmayı sağlayan V-groove teknolojisi oldu. Daha yüksek ve yogun MOS parçalar üretilebildi. Bir sonraki tip MOSFET is leteral güç MOSFETleridir. Bu tip MOSFETlerin kullanım alanı, çip üzerinde verimli olmayan geometrik yapılarda oluşturulabildii için sadece voltaj ve akım oranlamasıyla kısıtlı kaldı. Ancak düşük voltaj uygulamalarında, özellikle mikroçip ğüç sağlayıcılarda yada senronize rektifirerlarda, oldukça başarılıdırlar. MOSFETler oldukça düşük kapasitanslıdır bu nedenle oldukça hızlı switching yapabilirler ve düşük gate voltajlarında çalışabilirler. MOSFET Models There are numerous models available to illustrate how the MOSFET works, nevertheless finding the right representation might be difficult. Most of the MOSFET manufacturers provide Spice and/or Saber models for their devices, but these models say very little about the application traps designers have to face in practice. They provide even fewer clues how to solve the most common design challenges. A really useful MOSFET model which would describe all important properties of the device from an application point of view would be very complicated. On the other hand, very simple and meaningful models can be derived of the MOSFET transistor if we limit the applicability of the model to certain problem areas. The first model in Figure 2 is based on the actual structure of the MOSFET device and can be used mainly for DC analysis. The MOSFET symbol in Figure 2a represents the channel resistance and the JFET corresponds to the resistance of the epitaxial layer. The length, thus the resistance of the epi layer is a function of the voltage rating of the device as high voltage MOSFETs require thicker epitaxial layer. Figure 2b can be used very effectively to model the dv/dt induced breakdown characteristic of a MOSFET. It shows both main breakdown mechanisms, namely the dv/dt induced turn-on of the parasitic bipolar transistor - present in all power MOSFETs - and the dv/dt induced turn-on of the channel as a function of the gate terminating impedance. Modern power MOSFETs are practically immune to dv/dt triggering of the parasitic npn transistor due to manufacturing improvements to reduce the resistance between the base and emitter regions. It must be mentioned also that the parasitic bipolar transistor plays another important role. Its base collector junction is the famous bodydiode of the MOSFET. Figure 2c is the switching model of the MOSFET. The most important parasitic components influencing switching performance are shown in this model. Their respective roles will be discussed in the next chapter which is dedicated to the

6 switching procedure of the device. MOSFET Modelleri MOSFETlerin nasıl çalıştıklarını modelleyen pek çok MOSFET modeli mevcuttur. Ancak doğru gösterimi bulmak zor olabilir. Üreticiler, ürünleri için pek çok detaylı model sunmalarına ragmen, bu modeler uygulama ve tasarım sırasında karşılaşılacak pek çok sorun hakkında pek bilgi vermezler. Bu sorunların cözümü hakkında daha da az bilgi sunarlar. Uygulama açısından pek çok detaylı bilgiyi sağlayabilecek modeller öte yandan çok karmaşık hale geliyor. Öte yandan, MOSFET transistörlerinin uygulama alanını sınırlayacak olursak oldukça basit ve aolaşılabilir modeller ortaya konulabilir. Figür2 deki ilk model genel olarak DC analizinde kullanılabilir. Figür 2a daki mosfdet modeli kanal direncini ve ve büyütme katmanının direncini temsil etmektedir. Uzunluk, dolayısıyla katmanın direnci uygulama voltajı üzerinde etkilidir. Yüksek voltaj MOSFETleri daha kalın büyütme katmanına ihtiyaç duyar. Figür 2b MOSFETin breakdown karektesitigini analiz etmek için verimli olarak kullanılabilir.

7 Şekil 2. Güç MOSFET modelleri Şekil 2c MOSFET bir geçiş modelidir. Switching performansını etkileyen gürültü/parazit bileşenleri bu model üzerinde gösterilir. MOSFET Critical Parameters When switch mode operation of the MOSFET is considered, the goal is to switch between the lowest and highest resistance states of the device in the shortest possible time. Since the practical switching times of the MOSFETs (~10ns to 60ns) is at least two to three orders of magnitude longer than the theoretical switching time (~50ps to 200ps), it seems important to understand the discrepancy. Referring back to the MOSFET models in Figure 2, note that all models include three capacitors connected between the three terminals of the device. Ultimately, the switching performance of the MOSFET transistor is determined by how quickly the voltages can be changed across these capacitors. Therefore, in high speed switching applications, the most important parameters are the parasitic capacitances of the device. Two of these capacitors, the CGS and CGD capacitors correspond to the actual geometry of the device while the CDS capacitor is the capacitance of the base collector diode of the parasitic bipolar transistor (body diode). The CGS capacitor is formed by the overlap of the source and channel region by the gate electrode. Its value is defined by the actual geometry of the regions and stays constant (linear) under different operating conditions. The CGD capacitor is the result of two effects. Part of it is the overlap of the JFET region and the gate electrode in addition to the capacitance of the depletion region which is non-linear. The equivalent CGD capacitance is a function of the drain source voltage of the device approximated by the following formula: MOSFET Kritik Parametreler MOSFET kullanımında switching mod göz önüne alındığında amaç mümkün olan en kısa zamanda mimimum ve maksimum rdireç durumlarıı arasında geçiş yapmaktır.. Teorik swithing performası ( pikosaniye) ve pratik uygulamalarda elde edilen performans (10-60 ns) arasındaki bu yüksek farkın sebebiini anlamak önemlidir. Figür 2 deki MOSFET modellerine dönecek olursak her üç modelde de aletin bacakları arasında 3 kapasitans mevcuttur. Aletin switching performansı bu kapasitörler arasında voltajın ne kadar hızlı değiştiğine baglıdır. CGS ve CGD kapasitörleri aletin geometrisinden kaynaklanyorken CDS base kollektör diyotunun (gövde diyotu) kapasitansıdır. CGS kaynak ve kanal gölhelerinin üst üste gelmesinden kaynaklanır ve degeri bölgenin geometrisi tarafından belirlenir, farklı operasyon koşullarında degeri sabittir. CGD iki faktörün sonucudur. Gate elektrodunun ve JFET bölgesinin üstüste gelmesinin bu kapasitansa etkisi vardır. CGD drenaj kaynagının fonksiyonudur ve aşağıdaki formül ile testpit edilir

8 The CDS capacitor is also non-linear since it is the junction capacitance of the body diode. Its voltage dependence can be described as: Unfortunately, non of the above mentioned capacitance values are defined directly in the transistor data sheets. Their values are given indirectly by the CISS, CRSS, and COSS capacitor values and must be calculated as: Further complication is caused by the CGD capacitor in switching applications because it is placed in the feedback path between the input and output of the device. Accordingly, its effective value in switching applications can be much larger depending on the drain source voltage of the MOSFET. This phenomenon is called the Miller effect and it can be expressed as: Since the CGD and CDS capacitors are voltage dependent, the data sheet numbers are valid only at the test conditions listed. The relevant average capacitance for a certain application have to be calculated based on the required charge to establish the actual voltage change across the capacitors. For most power MOSFETs the following approximations can be useful: CDS kapasitansı body diyotunun junction kapasitansı oldugu için non-lineer özllik gösterir. Bu kapasitansın voltaj bağımlılıgı aşağıdaki gibi gösterilir. CGD kapasitasının aletin input ve outputu arasubdaki geridönüş yolunda olmasından kaynaklı işler daha da karmaşıklaşır. Switcing uygulamalarında, bu deger mosetin drenaj voltajına baglı olarak beklenenden daha yükse olabilir. Bu durum Miller etkisi olarak adlandırılır ve aşağıdaki gibi ifade edilir. Daha fazla komplikasyon uygulamaları nedeniyle giriş ve çıkış aygıtı arasında geribildirim yolu yerleştirilir anahtarlama içinde CGD kapasitör kaynaklanır. Buna göre, uygulama geçiş yılında efektif değeri çok MOSFET ve drenaj kaynak gerilimi bağlı olarak daha büyük olabilir. Bu olgu "Miller" etkisi denir ve bu gibi ifade edilebilir:

9 CGD ve CDS kapasitörler volaj bagımlı oldukları için, datasheetlerde verilen değerler sadece test şşartlarında geçerlidir. Belli uygulamalr için ilgili avaraj kapasitans, kapasitörler arasındaki gercek voltaj değişimin gerçekleşmesi temel alınarak hesaplanmalıdır. Aşağıdaki yaklaşım faydalı olacaktır. The next important parameter to mention is the gate mesh resistance, RG,I. This parasitic resistance describes the resistance associated by the gate signal distribution within the device. Its importance is very significant in high speed switching applications because it is in between the driver and the input capacitor of the device, directly impeding the switching times and the dv/dt immunity of the MOSFET. This effect is recognized in the industry, where real high speed devices like RF MOSFET transistors use metal gate electrodes instead of the higher resistance poly-silicon gate mesh for gate signal distribution. The RG,I resistance is not specified in the data sheets, but in certain applications it can be a very important characteristic of the device. In the back of this paper, Appendix A4 shows a typical measurement setup to determine the internal gate resistor value with an impedance bridge. Obviously, the gate threshold voltage is also a critical characteristic. It is important to note that the data sheet VTH value is defined at 25 C and at a very low current, typically at 250μA. Therefore, it is not equal to the Miller plateau region of the commonly known gate switching waveform. Another rarely mentioned fact about VTH is its approximately 7mV/ C temperature coefficient. It has particular significance in gate drive circuits designed for logic level MOSFET where VTH is already low under the usual test conditions. Since MOSFETs usually operate at elevated temperatures, proper gate drive design must account for the lower VTH when turn-off time, and dv/dt immunity is calculated as shown in Appendix A and F. The trans conductance of the MOSFET is its small signal gain in the linear region of its operation. It is important to point out that every time the MOSFET is turned-on or turned-off, it must go through its linear operating mode where the current is determined by the gate-to-source voltage. The trans conductance, gfs, is the small signal relationship between drain current and gate-to-source voltage: Bahsedilmesi gerekn diğer önemli bir parametrede gate-mesh direncidir (RG,I). Bu parazitik direnç, alet içindeki gate sinyal dağılımı ile ilgilidir. Bu direnç alet üzerinde giriş kapasitörü ve direnç arasında bulunduğu için yüksek hızlı switçing uygulamaladında çok önem taşır.

10 Dogrudan Mosffetin switching zamanlarını ve dv/dt oranını etkiler. Bu etki endüstiri tarafından farkedildilerek gerçek yüksek frekanslı RF mossfet transistörlerinde gate sinyal dagılımı için daha yüksek dirençli poli-silikon gate meshleri kullanılmak yerine metal gate elektrodları kullanılır. RG,I direnci transistorlerin data sheetlerinde gösterilmesede, bazı uygulamalardan sistemin karakteristiğini belirleyecek kadar önem kazanabilir. Bu yazının sonundan EK-4 kısmında bu iç direnci empedns köprüsü ile ölçmek için kullanılacak tipik bir kurulum anlatılmaktadır. Gate eşik vaoltajınızn diger bir kritik parametre olduğu açıktır. Datasheetlerde VTH degerinin 25 derece sıcaıklık ve düşük akımlar için (genel olarak 250 mikro amper) tanımlandığı akıldan çıkarılmamalıdır. Dolayısıyla bu deger genel olaral gate switching waveform olarak bilinen Mİller platosu bölgesine eşit değildir. VTH hakkında diğer bir az bahsedilen bilgi ise, -7mV/C bir katsayısının bulunduğudur. VTH'ın genel test koşullarının zaten altında bulunuduğu logic level MOSFETler için tasarlanmış gate-drive devrelerinde bile bu deger önemli etkilere sahiptir. Genel olarak MOSFETler belirli sıcaklıklarda çalıştırıldığı için, uygun gate-drive tasarımınında turn-off zamanında düşük VTH değeride hesaba katılmalıdır. Ve dv/dt immuniy EK-A ve F de gösterildiği gibi hesaplanmalıdır. MOSFETin trans iletkenligi ise, lineer çalışma sırasında onun küçük sinyal kazancıdır.. MOSFET her açıldığında yada kapatıldığında, MOSFET lineer çalışma aşamasından geçmelidir, ki bu aşamada akmı gate-sorce voltajı tarafından belirlenir. Trans iletkenliği,gfs, için drenaj akımı ve gate-to-source vaoltajı arasında küçük bir bağlantı vardır.: Accordingly, the maximum current of the MOSFET in the linear region is given by: Rearranging this equation for VGS yields the approximate value of the Miller plateau as a function of the drain current. Other important parameters like the source inductance (LS) and drain inductance (LD) exhibit significant restrictions in switching performance. Typical LS and LD values are listed in the data sheets, and they are mainly dependent on the package type of the transistor. Their effects can be investigated together with the external parasitic components usually associated with layout and with accompanying external circuit elements like leakage inductance, a current sense resistor, etc. For completeness, the external series gate resistor and the MOSFET driver s output impedance must be mentioned as determining factors in high performance gate drive designs as they have a profound effect on switching speeds and consequently on switching losses. Buna göre, Mostefin liineer beölgesinde maksimum akım aşağıdaki gibi bulunur: Denklemi VGS için yeniden düzenlediğimizde, Miller platosunun yaklaşık değerini drenaj akımının bir fonksiyonu olarak elde edebiliriz.

11 Kaynak (LS) ve drenaj(ld) indüktansları switching performansında önemli etkilere sahip olan diğer parametrelerdir. Genel LS ve LD değerleri datasheetlerde verilmişlerdir. Değerleri genel olarak transistör paketinin çeşitine bağlıdır. Bu parametrelerin etkileri devredeki diğer parazit kaynaklarının etkileri (induktans elemanları, akım sensörleri vs.) ile birlikte degerlendirilebilir. Tartışmayı tamamlamak gerekirse, harici gate drençleri ve MOSFET driver çıkış empedansları da yüksek performansıl switching uygulamalarının hızları ve sonuç olarak swhitching kayıpları uzerinde büyük etkilere sahiptir. SWITCHING APPLICATIONS Now, that all the players are identified, let s investigate the actual switching behavior of the MOSFET transistors. To gain a better understanding of the fundamental procedure, the parasitic inductance of the circuit will be neglected. Later their respective effects on the basic operation will be analyzed individually. Furthermore, the following descriptions relate to clamped inductive switching because most MOSFET transistors and high speed gate drive circuits used in switch mode power supplies work in that operating mode. Figure 3. Simplified clamped inductive switching model The simplest model of clamped inductive switching is shown in Figure 3, where the DC current source represents the inductor. Its current can be considered constant during the short switching interval. The diode provides a path for the current during the off time of the MOSFET and clamps the drain terminal of the device to the output voltage symbolized by the battery. SWITCHING UYGULAMALARI Yukarıda, swhitcing uygulamalarının performansları üzerinde etkisi olan neredeyse tüm etkenlerden bahsettik. Şimdiş switching uygulamalarının gerçek davranışlarından bahsetmeye başlayabiliriz. Temel işleyişi daha iyi anlayabilmek için, devrenin parazitik etkisi gözardı edilecektir. Ancak bu etkiler daha sonra bağımsız olarak tekrar ele alınacaktır. Ayrıca aşağıdaki tanımlamalar induktiv stiching için de geçerlidir, çünkü pekçok MOSFET transistorleri ve yüksek hızlı gate drive devreleri switch mode güç kaynaklarında kullanılır.

12 Şekil 3. Basitleştirilmiş Sabitlenmiş endüktif switching modeli Turn on-sabitlenmiş endüktif switching'in en sade modeli Figür-3 te gösterilmiştir. Burada DC akım kaynagı,indüktörü gösterir. Buradan sağlanan akım kısa swtitching süresince sabit olarak kabul edilebilir. Diyot, MOSFETin off-time'ı süresince akım için bir yol belirler ve aletin drenaj terminaline bağlanır. Çıkış voltajı batarya ile sembolize edilir. Turn-On procedure The turn-on event of the MOSFET transistor can be divided into four intervals as depicted in Figure 4. Figure 4. MOSFET turn-on time intervals In the first step the input capacitance of the device is charged from 0V to VTH. During this interval most of the gate current is charging the CGS capacitor. A small current is flowing through the CGD capacitor too. As the voltage increases at the gate terminal and the CGD capacitor s voltage has to be slightly reduced. This period is called the turn-on delay, because both the drain current and the drain voltage of the device remain unchanged. Once the gate is charged to the threshold level, the MOSFET is ready to carry current. In the second interval

13 the gate is rising from VTH to the Miller plateau level, VGS,Miller. This is the linear operation of the device when current is proportional to the gate voltage. On the gate side, current is flowing into the CGS and CGD capacitors just like in the first time interval and the VGS voltage is increasing. On the output side of the device, the drain current is increasing, while the drain-to-source voltage stays at the previous level (VDS,OFF). This can be understood looking at the schematic in Figure 3. Until all the current is transferred into the MOSFET and the diode is turned-off completely to be able to block reverse voltage across its pn junction, the drain voltage must stay at the output voltage level. Turn-on MOSFET transistörün turn-on aşaması şekil4 te gösterildiği gibi 4 ana kısıma ayrılabilir. Figure4: MOSFET turn-on aşamalarının zamanlamaları

14 Ilk adımda, aletin giriş kapasitansı 0V den V_th'ye degişir. Bu aşamada gate akımının büyük kısmı C_GS kapasitörünü doldurmakta kullanılır. Kuçük bir miktar akım ile C_GD kapasitörü doldurulur. Gate terminalindeki voltaj arttıkça V_GD kapasitöründeki voldaj hafifçe düşer. Bu aşama turn-on gecikmesi olarak adlandırılır. Çünkü bu aşamada, hem drenaj akımı hemde drenaj boltajı degişmeden kalır. Gate eşik degerine kadar şarj edildikten sonra, MOSFET akım taşımaya hazır hale gelir. Bu ikinci aşamada gate V_TH degerinden miller platosu seviyesine V_GS,Miller, yükselir. Bu sırada alet lineer olarak çalışır. Yani akım gate voltajıyla doğru orantılıdır. Gate tarafında, akım C_GS'ye ve C_GD dogru akar ve ilk aşamada olduğu gibi V_GS degeri artmaya artmaya başlar. Output tarafında ise drain-to-source voltajı önceki degerinde (V_DS,OFF) kalmaya devam ederken, drenaj akımı artmaya devam eder. Bu durum figür3 tki şemaya bakakılarak anlaşılabilir. Akımın tamamı MOSFET içinde tranfer edile kadar ve diyot kendi pn baglantısından terst voltaj geçişini tamamen engellemek için turn-off oluncaya kadar voltaj output voltajı seviyesinde kalmalıdır. Entering into the third period of the turn-on procedure the gate is already charged to the sufficient voltage (VGS,Miller) to carry the entire load current and the rectifier diode is turned off. That now allows the drain voltage to fall. While the drain voltage falls across the device, the gate to- source voltage stays steady. This is the Miller plateau region in the gate voltage waveform. All the gate current available from the driver is diverted to discharge the CGD capacitor to facilitate the rapid voltage change across the drain-to-source terminals. The drain current of the device stays constant since it is now limited by the external circuitry, i.e. the DC current source. The last step of the turn-on is to fully enhance the conducting channel of the MOSFET by applying a higher gate drive voltage. The final amplitude of VGS determines the ultimate onresistance of the device during its on-time. Therefore, in this fourth interval, VGS is increased from VGS,Miller to its final value, VDRV. This is accomplished by charging the CGS and CGD capacitors, thus gate current is now split between the two components. While these capacitors are being charged, the drain current is still constant, and the drain-to source voltage is slightly decreasing as the on resistance of the device is being reduced. Turn-on aşamasının 3. bölümüne gelindiğinde gate tüm akımı taşımak için zaten yeteri kadar (V_GS,Miller) yüklenmiş ve rekfayır diyotu turn-off duruma geçmiştir. Bu dranaj voltajının düşmesine olanak sağlar. Alet üzerinde drenaj voltajı düşerken gate-to-source voltajı sabit kalmaya devam eder. Bu kısım Miller platosu bölgesidir. Gate akımının tamamı C_GD kapositörünü discharge ederek drain-to-sorce terminallerinde ani bir voltaj degişimine olanak saglamak için yön değiştirmiştir. Harici bir devre (mesela bir dc akım kaynağı) tarafından sınırlandırıldığı için drenaj akımı sabit kalmaya devam eder. Turn-on aşamasının son adımında daha yüksek bir gate-drive voltajı uygulanarak MOSFETtin iletetim kapasitesi yükseltilir. V_GS'nin son degeri on-resistansının son değerini (çalışır durumdayken) belirler. Bu nedenle, bu 4. aşamada V_GS degeri V_GS,Miller degerinden son degerine (V_DRV) yükseltilir. Bu C_GS ve C_GD kapasitörlerinin şarz edilmesi böylece gate akımının iki parcaya bölünmesi ile sağlanır. Bu kapasitörler şarj edilirken drenaj akımı hala

15 sabittir ve on-resistance degeri düşmeye başladığı için drain-tosource voltajı hafifce düşer. Turn-Off procedure The description of the turn-off procedure for the MOSFET transistor is basically back tracking the turn-on steps from the previous section. Start with VGS being equal to VDRV and the current in the device is the full load current represented by IDC in Figure 3. The drain-tosource voltage is being defined by IDC and the RDS(on) of the MOSFET. The four turn-off steps are shown in Figure 5. for completeness. Figure 5. MOSFET turn-off time intervals The first time interval is the turn-off delay which is required to discharge the CISS capacitance from its initial value to the Miller plateau level. During this time the gate current is supplied by the CISS capacitor itself and it is flowing through the CGS and CGD capacitors of the MOSFET. The drain voltage of the device is slightly increasing as the overdrive voltage is diminishing. The current in the drain is unchanged. In the second period, the drain-to-source voltage of the MOSFET rises from ID RDS(on) to the final VDS(off) level, where it is clamped to the output voltage by the rectifier diode according to the simplified schematic of Figure 3. During this time period which corresponds to the Miller plateau in the gate voltage waveform - the gate current is strictly the charging current of the CGD capacitor because the gate-to-source voltage is constant. This current is provided by the bypass capacitor of the power stage and it is subtracted from the drain current. The total drain current still equals the load current, i.e. the inductor current represented by the DC current source in Figure 3. Turn-Off prosedürü Turn-off presedürü temel olarak turn-on prosedürünün tersten işleyen hali olarak dört aşamada ele alınabilir. Başlanğıçta V_gs degeri V_DRV degerine eşit ve alet üzerinden şekil 3 te I_DC olarak gösterilen tam-yük I_DC akımı gecmektedir. Drain-to-sorce voltajı I_DC akımı ve R_DS(on) direnci tarafından belirlenmektedir. MOSFETin turn-off prosedürü şekil 5 de 4 adım olarak gösterilmiştir.

16

17 İlk aşama turn-off gecikmesidir, bu aşama C_ISS kapasitörünün kendi ilk degerinden Miller platosu seviyesine kadar boşalması için gereken süre olarak da tanımlanabilir. Bu aşamada gate akımı C_ISS tarafından saglanır ve C_GS ve C_GD üzerinden gaçer. Drenaj voltajı hahifçe artarken overdrive voltajı hahifçe düşer. Drenaj akımı değişmez. İkinci aşamada, MOSFETin drain-to-source voltajı I_DRxR_DS(on) degerinden kendi son değeri olan V_DS(on) degerine yükselir. Ve burada rektifayır tarafından şekil 3 te gösterildiği gibi sabit tutulur. Bu aşamada C_GD kapasitörü ( Miller platosu bölgesi olarak da kabul edilebilir) gate akımı tarafından şarj edilir. Çünkü vate-tosource voltajı sabittir. Bu akım bypass kapasitörü tarafından drenaj akımı kullanılarak saglanır. Toplam drenaj akımı hala yük akımına (mesela figür 3 te belirtilen DC akım kaynagı ile gösterilen indüktör akımı) eşittir. The beginning of the third time interval is signified by the turn-on of the diode, thus providing an alternative route to the load current. The gate voltage resumes falling from VGS,Miller to VTH. The majority of the gate current is coming out of the CGS capacitor, because the CGD capacitor is virtually fully charged from the previous time interval. The MOSFET is in linear operation and the declining gate-to-source voltage causes the drain current to decrease and reach near zero by the end of this interval. Meanwhile the drain voltage is steady at VDS(off) due to the forward biased rectifier diode. The last step of the turn-off procedure is to fully discharge the input capacitors of the device. VGS is further reduced until it reaches 0V. The bigger portion of the gate current, similarly to the third turn-off time interval, supplied by the CGS capacitor. The drain current and the drain voltage in the device are unchanged. Summarizing the results, it can be concluded that the MOSFET transistor can be switched between its highest and lowest impedance states (either turn-on or turn-off) in four time intervals. The lengths of all four time intervals are a function of the parasitic capacitance values, the required voltage change across them and the available gate drive current. This emphasizes the importance of the proper component selection and optimum gate drive design for high speed, high frequency switching applications. Üçüncü aşamanın başlangıcı diyotun turn-on aşaması ile işaretlenir, böylece yük akımı için alternatif bir güzergah ortaya çıkar. Gate volyajı VGS,miller degerinden tekrar VTH değerine düşer. Gate akımın büyük bir kısmı CGS kapasitörü tarafından sağlanmaktadır. Çünkü CGD kapasitörü bir önceki aşamada sanal olarak tamamen şarz olmuştur. Bu aşamada MOSFET lineer olarak çalışır ve düşen gate-to-source voltajı bu aşamaın sonunda drenaj akımının neredeyse 0'a kadar düşmesine sebep olur. Aynı zamanda drenaj voltajı VDS(off) rektifiayır diyotun forvard-biased olamsından kaynaklı sabittir. Turn-off presedürünün son adımında MOSFETin input kapasiörü tamemen boşaltılır. VGS 0 volta kadar düşer. Gate akımın büyük bir kısmı 3. adıma benzer bir şekilde CGS kapasitörü taradından sağlanır. Drenaj akımı ve drenaj voltajı değişmeden kalır. Sonuçları özetlemk gerekirse, MOSFET transistörleri kendi maksimum ve minimum empedans durumları arasında 4 aşamada switch edilebiilir. Bu aşamalar için gerekli olan süre parazitik kapasitans degerlerinin, gerekli voltaj değişimi ve uygulanan gate akımının bir fonksiyonudur. Bu sonuç yuksek hızlı switching uygulamaları ve gate- drive tasarımları için uygun devre elemanlarının seçimin nekadar önemli işaret etmektedir. Characteristic numbers for turn-on, turn-off delays, rise and fall times of the MOSFET

18 switching waveforms are listed in the transistor data sheets. Unfortunately, these numbers correspond to the specific test conditions and to resistive load, making the comparison of different manufacturers products difficult. Also, switching performance in practical applications with clamped inductive load is significantly different from the numbers given in the data sheets. Turn-on ve turn-off gecikmeleri için karakteristik değerler (MOSFETin yükselme ve düşme süreleri) transistörlerin datasheetlerinde belirtilmektedir. Ne yazıkki bu değerler özel test şartlarında ve belirli resistif yüklerde ölçülmüştür ve farklı üreticilerin değerlerini birbiri ile karşışatırabilmek çok zordur. Ayrıca pratikte ortaya çıkan değerler bu dataheetlerde verilen değerlerden oldukça farklıdır. Power losses The switching action in the MOSFET transistor in power applications will result in some unavoidable losses, which can be divided into two categories. The simpler of the two loss mechanisms is the gate drive loss of the device. As described before, turning-on or off the MOSFET involves charging or discharging the CISS capacitor. When the voltage across a capacitor is changing, a certain amount of charge has to be transferred. The amount of charge required to change the gate voltage between 0V and the actual gate drive voltage VDRV, is characterized by the typical gate charge vs. gate-to-source voltage curve in the MOSFET data sheet. An example is shown in Figure 6. Figure 6. Typical gate charge vs. gate-to-source voltage Güç Kayıpları MOSFET transistörlerde swithc olayı önüne geçemeyeceğimiz bir takım güç kayıpları ile sonuçlanır. Bu kayıplar iki grupta toplanabilir. Ilki gate driveda oluşan kayıptır. Daha önce anlatıldığı üzere MOSFETin turn on yada turn off aşamasında CISS kapasitörü şarj ve deşarj edilir. Kapasitör üzerindeki voltaj değişirken belli bir miktar yük taşınmalıdır. Gate voltajını ov den gercek drive voltajı olan V_DRV'ye çıkarmak için gerekli olan yük miktarı MOSFETin datasheetinde gösterilen gate yükü vs gate-tosource eğrisi tarafından karakterize edilir. Bunun bir örnegi figur 6 da gösterilmiştir.

19 Şekil 6. Kapı vs Tipik kapısı şarj için kaynak gerilimi This graph gives a relatively accurate worst case estimate of the gate charge as a function of the gate drive voltage. The parameter used to generate the individual curves is the drain-to source off state voltage of the device. VDS(off) influences the Miller charge the area below the flat portion of the curves thus also, the total gate charge required in a switching cycle. Once the total gate charge is obtained from Figure 6, the gate charge losses can be calculated as: where VDRV is the amplitude of the gate drive waveform and fdrv is the gate drive frequency which is in most cases equal to the switching frequency. It is interesting to notice that the QG fdrv term in the previous equation gives the average bias current required to drive the gate. The power lost to drive the gate of the MOSFET transistor is dissipated in the gate drive circuitry. Referring back to Figures 4 and 5, the dissipating components can be identified as the combination of the series ohmic impedance in the gate drive path. In every switching cycle the required gate charge has to pass through the driver output impedance, the external gate resistor, and the internal gate mesh resistance. As it turns out, the power dissipation is independent of how quickly the charge is delivered through the resistors. Using the resistor designators from Figures 4 and 5, the driver power dissipation can be expressed QG.fDRV çarpımı

20 Bu grafik gate yükünü gate drive voltajının bir fonksiyonu olarak verir. Her bir egriyi üretmek için kullanılan parametre drain-to-source -off voltajıdır.vds(off) Miller sarzını (grafikte düz bölgenin altında kalan kısım) ve dolayısıyla switching dongüsünde gerekli olan gate yükünü etkiler. Toplam yük figür 6 dan birkere elde edildikten sonra, yükteki kayıp şöyle hesaplanabilir. burada VDRV gate-drive genligi, fdrv gate-drive frekansıdır ( genellikle switching frekansına eşittir). Şunu belirtmek gerekir ki QG.fDRV çarpımı gatei sürmek için gerekliolan avaraj bias akımına eşittir. Gate drive edilirken oluşan güç kayıbı gate devresinde gerçekleşir. Fiür 4 ve 5'e geri dönecek olursak yükteki kayıba neden olan parçalar gate drive yolunda seri olarak empedanslar olarak düşünülebilirler. Her switching döngüsünde, gerekli olan gate yükü sürücü output empedansını, harici gate direncini ve dahili mesh direncini katetmek zorundadır. Oluşan yük kayıbı yükün direncler üzerinden ne kadar çabuk aktığından bağımsızdır. Figür 4 ve 5 teki direnç tasarımları kullanılarak yükteki kayıp aşağıdaki gibi hesaplanabilir. In the above equations, the gate drive circuit is represented by a resistive output impedance and this assumption is valid for MOS based gate drivers. When bipolar transistors are utilized in the gate drive circuit, the output impedance becomes non-linear and the equations do not yield the correct answers. It is safe to assume that with low value gate resistors (<5Ω) most gate drive losses are dissipated in the driver. If RGATE is sufficiently large to limit IG below the output current capability of the bipolar driver, the majority of the gate drive power loss is then dissipated in RGATE. In addition to the gate drive power loss, the transistors accrue switching losses in the traditional sense due to high current and high voltage being present in the device simultaneously for a short period. In order to ensure the least amount of switching losses, the duration of this time interval must be minimized. Looking at the turn-on and turn-off procedures of the MOSFET, this condition is limited to intervals 2 and 3 of the switching transitions in both turn-on and turn-off operation. These time intervals correspond to the linear operation of the device when the gate voltage is between VTH and VGS,Miller, causing changes in the current of the device and to the Miller plateau region when the drain voltage

Ege Üniversitesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Kontrol Sistemleri II Dersi Grup Adı: Sıvı Seviye Kontrol Deneyi.../..

Ege Üniversitesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Kontrol Sistemleri II Dersi Grup Adı: Sıvı Seviye Kontrol Deneyi.../.. Ege Üniversitesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Kontrol Sistemleri II Dersi Grup Adı: Sıvı Seviye Kontrol Deneyi.../../2015 KP Pompa akış sabiti 3.3 cm3/s/v DO1 Çıkış-1 in ağız çapı 0.635 cm DO2

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

Arýza Giderme. Troubleshooting

Arýza Giderme. Troubleshooting Arýza Giderme Sorun Olasý Nedenler Giriþ Gerilimi düþük hata mesajý Þebeke giriþ gerilimi alt seviyenin altýnda geliyor Þebeke giriþ gerilimi tehlikeli derecede Yüksek geliyor Regülatör kontrol kartý hatasý

Detaylı

Yüz Tanımaya Dayalı Uygulamalar. (Özet)

Yüz Tanımaya Dayalı Uygulamalar. (Özet) 4 Yüz Tanımaya Dayalı Uygulamalar (Özet) Günümüzde, teknolojinin gelişmesi ile yüz tanımaya dayalı bir çok yöntem artık uygulama alanı bulabilmekte ve gittikçe de önem kazanmaktadır. Bir çok farklı uygulama

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Eco 338 Economic Policy Week 4 Fiscal Policy- I. Prof. Dr. Murat Yulek Istanbul Ticaret University

Eco 338 Economic Policy Week 4 Fiscal Policy- I. Prof. Dr. Murat Yulek Istanbul Ticaret University Eco 338 Economic Policy Week 4 Fiscal Policy- I Prof. Dr. Murat Yulek Istanbul Ticaret University Aggregate Demand Aggregate (domestic) demand (or domestic absorption) is the sum of consumption, investment

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

Arıza Giderme. Troubleshooting

Arıza Giderme. Troubleshooting Arıza Giderme Sorun Olası Nedenler Giriş Gerilimi düşük hata mesajı Şebeke giriş gerilimi alt seviyenin altında geliyor Şebeke giriş gerilimi tehlikeli derecede Yüksek geliyor Regülatör kontrol kartı hatası

Detaylı

Delta Pulse 3 Montaj ve Çalıstırma Kılavuzu. www.teknolojiekibi.com

Delta Pulse 3 Montaj ve Çalıstırma Kılavuzu. www.teknolojiekibi.com Delta Pulse 3 Montaj ve Çalıstırma Kılavuzu http:/// Bu kılavuz, montajı eksiksiz olarak yapılmış devrenin kontrolü ve çalıştırılması içindir. İçeriğinde montajı tamamlanmış devrede çalıştırma öncesinde

Detaylı

IDENTITY MANAGEMENT FOR EXTERNAL USERS

IDENTITY MANAGEMENT FOR EXTERNAL USERS 1/11 Sürüm Numarası Değişiklik Tarihi Değişikliği Yapan Erman Ulusoy Açıklama İlk Sürüm IDENTITY MANAGEMENT FOR EXTERNAL USERS You can connect EXTERNAL Identity Management System (IDM) with https://selfservice.tai.com.tr/

Detaylı

Bağlaç 88 adet P. Phrase 6 adet Toplam 94 adet

Bağlaç 88 adet P. Phrase 6 adet Toplam 94 adet ÖNEMLİ BAĞLAÇLAR Bu liste YDS için Önemli özellikle seçilmiş bağlaçları içerir. 88 adet P. Phrase 6 adet Toplam 94 adet Bu doküman, YDS ye hazırlananlar için dinamik olarak oluşturulmuştur. 1. although

Detaylı

A UNIFIED APPROACH IN GPS ACCURACY DETERMINATION STUDIES

A UNIFIED APPROACH IN GPS ACCURACY DETERMINATION STUDIES A UNIFIED APPROACH IN GPS ACCURACY DETERMINATION STUDIES by Didem Öztürk B.S., Geodesy and Photogrammetry Department Yildiz Technical University, 2005 Submitted to the Kandilli Observatory and Earthquake

Detaylı

12. HAFTA BLM323 SAYISAL ANALİZ. Okt. Yasin ORTAKCI. yasinortakci@karabuk.edu.tr

12. HAFTA BLM323 SAYISAL ANALİZ. Okt. Yasin ORTAKCI. yasinortakci@karabuk.edu.tr 1. HAFTA BLM33 SAYISAL ANALİZ Okt. Yasin ORTAKCI yasinortakci@karabuk.edu.tr Karabük Üniversitesi Uzaktan Eğitim Uygulama ve Araştırma Merkezi DIVIDED DIFFERENCE INTERPOLATION Forward Divided Differences

Detaylı

Tekirdağ&Ziraat&Fakültesi&Dergisi&

Tekirdağ&Ziraat&Fakültesi&Dergisi& NamıkKemalÜniversitesi ISSN:1302*7050 TekirdağZiraatFakültesiDergisi JournalofTekirdagAgriculturalFaculty AnInternationalJournalofallSubjectsofAgriculture Cilt/Volume:11Sayı/Number:1Yıl/Year:2014 Sahibi/Owner

Detaylı

Atıksu Arıtma Tesislerinde Hava Dağıtımının Optimize Edilmesi ve Enerji Tasarrufu

Atıksu Arıtma Tesislerinde Hava Dağıtımının Optimize Edilmesi ve Enerji Tasarrufu Optimization of Air Distribution in Waste Water Treatment Plants to Save Energy Atıksu Arıtma Tesislerinde Hava Dağıtımının Optimize Edilmesi ve Enerji Tasarrufu Jan Talkenberger, Binder Group, Ulm, Germany

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

Virtualmin'e Yeni Web Sitesi Host Etmek - Domain Eklemek

Virtualmin'e Yeni Web Sitesi Host Etmek - Domain Eklemek Yeni bir web sitesi tanımlamak, FTP ve Email ayarlarını ayarlamak için yapılması gerekenler Öncelikle Sol Menüden Create Virtual Server(Burdaki Virtual server ifadesi sizi yanıltmasın Reseller gibi düşünün

Detaylı

a, ı ı o, u u e, i i ö, ü ü

a, ı ı o, u u e, i i ö, ü ü Possessive Endings In English, the possession of an object is described by adding an s at the end of the possessor word separated by an apostrophe. If we are talking about a pen belonging to Hakan we would

Detaylı

Gelir Dağılımı ve Yoksulluk

Gelir Dağılımı ve Yoksulluk 19 Decembre 2014 Gini-coefficient of inequality: This is the most commonly used measure of inequality. The coefficient varies between 0, which reflects complete equality and 1, which indicates complete

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

SMART BANK AKILLI BANK

SMART BANK AKILLI BANK d SMART BANK AKILLI BANK Features: Özellikleri: The Smart Bank has following Features. aşağıdaki özelliklere sahiptir. The Smart Bank consist of M.S. cubical structure, Procap make Controller, Solid Dielectric

Detaylı

SBR331 Egzersiz Biyomekaniği

SBR331 Egzersiz Biyomekaniği SBR331 Egzersiz Biyomekaniği Açısal Kinematik 1 Angular Kinematics 1 Serdar Arıtan serdar.aritan@hacettepe.edu.tr Mekanik bilimi hareketli bütün cisimlerin hareketlerinin gözlemlenebildiği en asil ve kullanışlı

Detaylı

OMB. Gaz Yakma Proses Bekleri 2010 TR-EN

OMB. Gaz Yakma Proses Bekleri 2010 TR-EN OMB Gaz Yakma Proses Bekleri 2010 TR-EN TEKNİK ÖZELLİKLER TECHNICAL DATA 650 kw a kadar döküm gövde. 650 kw dan sonra çelik gövde NiCrNi namlu Otomatik ateşleme İyonizasyon elektrodu Modüler tasarım 6.000

Detaylı

ÇEVRESEL TEST HİZMETLERİ 2.ENVIRONMENTAL TESTS

ÇEVRESEL TEST HİZMETLERİ 2.ENVIRONMENTAL TESTS ÇEVRESEL TEST HİZMETLERİ 2.ENVIRONMENTAL TESTS Çevresel testler askeri ve sivil amaçlı kullanılan alt sistem ve sistemlerin ömür devirleri boyunca karşı karşıya kalabilecekleri doğal çevre şartlarına dirençlerini

Detaylı

63A - 125A CEE NORM FİŞ & PRİZLER 63A - 125A CEE NORM PLUGS & SOCKETS. connectors

63A - 125A CEE NORM FİŞ & PRİZLER 63A - 125A CEE NORM PLUGS & SOCKETS. connectors 63A - 125A CEE NORM FİŞ & PRİZLER 63A - 125A CEE NORM PLUGS & SOCKETS connectors 38 63A - 125A CEE NORM FİŞ & PRİZLER 63A - 125A CEE NORM PLUGS & SOCKETS connectors Mermer ocakları ve maden ocakları, limanlar

Detaylı

İŞLETMELERDE KURUMSAL İMAJ VE OLUŞUMUNDAKİ ANA ETKENLER

İŞLETMELERDE KURUMSAL İMAJ VE OLUŞUMUNDAKİ ANA ETKENLER ANKARA ÜNİVERSİTESİ SOSYAL BİLİMLER ENSTİTÜSÜ HALKLA İLİŞKİLER VE TANITIM ANA BİLİM DALI İŞLETMELERDE KURUMSAL İMAJ VE OLUŞUMUNDAKİ ANA ETKENLER BİR ÖRNEK OLAY İNCELEMESİ: SHERATON ANKARA HOTEL & TOWERS

Detaylı

Present continous tense

Present continous tense Present continous tense This tense is mainly used for talking about what is happening now. In English, the verb would be changed by adding the suffix ing, and using it in conjunction with the correct form

Detaylı

Elektrikli Aktütör Bağlantı Şemaları

Elektrikli Aktütör Bağlantı Şemaları Elektrikli Aktütör Bağlantı Şemaları Elektrik Şeması / Wiring Diagram O / OFF Type for 0 / 220 V AC O.. FB CS Tam açık uyarı (lamba) Fully open indicator (lamp) Tam kapalı uyarı (lamba) Fully closed indicator

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

- GENEL TANITIM 2010 - Rofin Sinar Laser Kaynakları Endüstriyel Laser Kaynakları SC Serisi 135-600 Watt DC Serisi 1000 ~ 1500 Watt

- GENEL TANITIM 2010 - Rofin Sinar Laser Kaynakları Endüstriyel Laser Kaynakları SC Serisi 135-600 Watt DC Serisi 1000 ~ 1500 Watt - GENEL TANITIM 2010 - Rofin Sinar Laser Kaynakları Endüstriyel Laser Kaynakları SC Serisi 135-600 Watt DC Serisi 1000 ~ 1500 Watt A ve A Türkiye Rofin Sinar Germany Endüstriyel Üretimin Profesyonel Tek

Detaylı

ELDAŞ Elektrik Elektronik Sanayi ve Tic.A.Ş.

ELDAŞ Elektrik Elektronik Sanayi ve Tic.A.Ş. Sayfa (Page): 2/9 LVD Deney Raporu LVD Testing Report İÇİNDEKİLER (Contents) 1 Dokümantasyon Sayfa (Documentation) 1.1 DGC, Çevre Koşulları ve Sembollerin Tanımları 3 (Conditions/Power Utilized,Description

Detaylı

Numune Kodu ve parti no

Numune Kodu ve parti no Numune Kodu ve parti no Numune tipi Kimin tarafından üretildiği Numune formu ve şekli Sertifikalandıran Kurum Konsantrasyonlar Elde edilen konsantrasyon değerleri Ortalama Standart Sapmalar % 95 Karbon

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

10.7442 g Na2HPO4.12H2O alınır, 500mL lik balonjojede hacim tamamlanır.

10.7442 g Na2HPO4.12H2O alınır, 500mL lik balonjojede hacim tamamlanır. 1-0,12 N 500 ml Na2HPO4 çözeltisi, Na2HPO4.12H2O kullanılarak nasıl hazırlanır? Bu çözeltiden alınan 1 ml lik bir kısım saf su ile 1000 ml ye seyreltiliyor. Son çözelti kaç Normaldir? Kaç ppm dir? % kaçlıktır?

Detaylı

(1971-1985) ARASI KONUSUNU TÜRK TARİHİNDEN ALAN TİYATROLAR

(1971-1985) ARASI KONUSUNU TÜRK TARİHİNDEN ALAN TİYATROLAR ANABİLİM DALI ADI SOYADI DANIŞMANI TARİHİ :TÜRK DİLİ VE EDEBİYATI : Yasemin YABUZ : Yrd. Doç. Dr. Abdullah ŞENGÜL : 16.06.2003 (1971-1985) ARASI KONUSUNU TÜRK TARİHİNDEN ALAN TİYATROLAR Kökeni Antik Yunan

Detaylı

CNC MACH breakout board user manual V8 type

CNC MACH breakout board user manual V8 type CNC MACH breakout board user manual V8 type 1 Catalogue CNC Router breakout board V8 type user manual... Hata! Yer işareti tanımlanmamış. 1) Brief introduction:...3 2) Breakout board drawing:...4 3) Wiring:...5

Detaylı

Varol, A., Carabott, V., Delannoy, P., Vivet, M.: Control of Temperature with a Robot, Matik'97, Makine Tasarım Teorisi ve Modern İmalat Yöntemleri

Varol, A., Carabott, V., Delannoy, P., Vivet, M.: Control of Temperature with a Robot, Matik'97, Makine Tasarım Teorisi ve Modern İmalat Yöntemleri 235 2.4. CONTROL OF TEMPERATURE WITH A ROBOT ABSTRACT This article is a result of a project which completed at Med- Campus, International Summer School on Computer-Based Cognitive Tools for Teaching and

Detaylı

AİLE İRŞAT VE REHBERLİK BÜROLARINDA YAPILAN DİNİ DANIŞMANLIK - ÇORUM ÖRNEĞİ -

AİLE İRŞAT VE REHBERLİK BÜROLARINDA YAPILAN DİNİ DANIŞMANLIK - ÇORUM ÖRNEĞİ - T.C. Hitit Üniversitesi Sosyal Bilimler Enstitüsü Felsefe ve Din Bilimleri Anabilim Dalı AİLE İRŞAT VE REHBERLİK BÜROLARINDA YAPILAN DİNİ DANIŞMANLIK - ÇORUM ÖRNEĞİ - Necla YILMAZ Yüksek Lisans Tezi Çorum

Detaylı

Grade 8 / SBS PRACTICE TEST Test Number 9 SBS PRACTICE TEST 9

Grade 8 / SBS PRACTICE TEST Test Number 9 SBS PRACTICE TEST 9 Grade 8 / SBS PRACTICE TEST Test Number 9 SBS PRACTICE TEST 9 1.-5. sorularda konuşma balonlarında boş bırakılan yerlere uygun düşen sözcük ya da ifadeyi bulunuz. 3. We can t go out today it s raining

Detaylı

Multiplication/division

Multiplication/division Multiplication/division Oku H&P sections 4.6-4.8 Bir kac integer multiplication algorithm Bir integer division algorithms Floating point math 10/22/2004 Bilgisayar Mimarisi 6.1 10/22/2004 Bilgisayar Mimarisi

Detaylı

BVCD DÝKDÖRTGEN HAVA DAMPERÝ ( BVCD) RECTANGULAR VOLUME CONTROL DAMPER

BVCD DÝKDÖRTGEN HAVA DAMPERÝ ( BVCD) RECTANGULAR VOLUME CONTROL DAMPER DÝKDÖRTGEN HAVA DAMPERÝ ( ) RECTANGULAR VOLUME CONTROL DAMPER Dikdörtgen Hava Damperi Teknik Detaylarý Rectangular Volume Control Damper Technical Details : Malzeme: Ürün kasa ve kanatlarýnýn tamamý ekstrüzyon

Detaylı

SAYI SİSTEMLERİ. 1. Sayı Sistemleri. Sayı Sistemlerinde Rakamlar

SAYI SİSTEMLERİ. 1. Sayı Sistemleri. Sayı Sistemlerinde Rakamlar SAYI SİSTEMLERİ 1. Sayı Sistemleri Sayı sistemleri; saymak, ölçmek gibi genel anlamda büyüklüklerin ifade edilmesi amacıyla kullanılan sistemler olarak tanımlanmaktadır. Temel olarak 4 sayı sistemi mevcuttur:

Detaylı

Yaz okulunda (2014 3) açılacak olan 2360120 (Calculus of Fun. of Sev. Var.) dersine kayıtlar aşağıdaki kurallara göre yapılacaktır:

Yaz okulunda (2014 3) açılacak olan 2360120 (Calculus of Fun. of Sev. Var.) dersine kayıtlar aşağıdaki kurallara göre yapılacaktır: Yaz okulunda (2014 3) açılacak olan 2360120 (Calculus of Fun. of Sev. Var.) dersine kayıtlar aşağıdaki kurallara göre yapılacaktır: Her bir sınıf kontenjanı YALNIZCA aşağıdaki koşullara uyan öğrenciler

Detaylı

BOĞAZİÇİ UNIVERSITY KANDİLLİ OBSERVATORY and EARTHQUAKE RESEARCH INSTITUTE GEOMAGNETISM LABORATORY

BOĞAZİÇİ UNIVERSITY KANDİLLİ OBSERVATORY and EARTHQUAKE RESEARCH INSTITUTE GEOMAGNETISM LABORATORY Monthly Magnetic Bulletin May 2015 BOĞAZİÇİ UNIVERSITY KANDİLLİ OBSERVATORY and EARTHQUAKE RESEARCH INSTITUTE GEOMAGNETISM LABORATORY http://www.koeri.boun.edu.tr/jeomanyetizma/ Magnetic Results from İznik

Detaylı

IŞIK ĐZLEYEN ROBOT PROJESĐ FOLLOWĐNG ROBOT SĐNOP LIGHT PROJECT. Proje Yürütücüleri Bünyamin TANGAL, Sinop Ünv. Meslek Yüksekokulu Mekatronik Bölümü

IŞIK ĐZLEYEN ROBOT PROJESĐ FOLLOWĐNG ROBOT SĐNOP LIGHT PROJECT. Proje Yürütücüleri Bünyamin TANGAL, Sinop Ünv. Meslek Yüksekokulu Mekatronik Bölümü IŞIK ĐZLEYEN ROBOT PROJESĐ FOLLOWĐNG ROBOT SĐNOP LIGHT PROJECT Proje Yürütücüleri Bünyamin TANGAL, Sinop Ünv. Meslek Yüksekokulu Mekatronik Bölümü 1 ÖZET Bu projenin amacı, basit elektronik ve mekanik

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

SICAKLIK VE ENTALP KONTROLLÜ SERBEST SO UTMA UYGULAMALARININ KAR ILA TIRILMASI

SICAKLIK VE ENTALP KONTROLLÜ SERBEST SO UTMA UYGULAMALARININ KAR ILA TIRILMASI Türk Tesisat Mühendisleri Derne i / Turkish Society of HVAC & Sanitary Engineers 8. Uluslararası Yapıda Tesisat Teknolojisi Sempozyumu / 8. International HVAC +R Technology Symposium 12-14 Mayıs 2008,

Detaylı

DERSİN KODU : MKM 122 ÖN KOŞUL(LAR) : --- KREDİ(TİP) : 4

DERSİN KODU : MKM 122 ÖN KOŞUL(LAR) : --- KREDİ(TİP) : 4 DERSİN KODU : MKM 122 DERSİN ADI SÖMESTR ÖN KOŞUL(LAR) : --- KREDİ(TİP) : 4 DERSİN SORUMLU ÖĞRETİM ÜYESİ : ELEKTRİK DEVRELERİ : Bahar : Yrd. Doç. Dr. Ayşegül UÇAR TAKİP EDİLEN MATERYAL : Hayt, K., ve Durbin,

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

Bir PV Modül ve Panel in Elde Edilmesi

Bir PV Modül ve Panel in Elde Edilmesi Bir P Modül ve Panel in Elde Edilmesi Tipik olarak bir P hücre 5-30 cm lik kare bir alana sahip olup, yaklaşık W lık güç üretir. Yüksek güçler elde edebilmek için birçok P hücre seri ve paralel olarak

Detaylı

We specialise in design and producing the most comprehensive infrastructural lighting solutions.

We specialise in design and producing the most comprehensive infrastructural lighting solutions. We specialise in design and producing the most comprehensive infrastructural lighting solutions. We offer you cost and competing advantages with our professional staff and the experience gained through

Detaylı

T.C. SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ISPARTA İLİ KİRAZ İHRACATININ ANALİZİ

T.C. SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ISPARTA İLİ KİRAZ İHRACATININ ANALİZİ T.C. SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ISPARTA İLİ KİRAZ İHRACATININ ANALİZİ Danışman Doç. Dr. Tufan BAL YÜKSEK LİSANS TEZİ TARIM EKONOMİSİ ANABİLİM DALI ISPARTA - 2016 2016 [] TEZ

Detaylı

ALANYA HALK EĞİTİMİ MERKEZİ BAĞIMSIZ YAŞAM İÇİN YENİ YAKLAŞIMLAR ADLI GRUNDTVIG PROJEMİZ İN DÖNEM SONU BİLGİLENDİRME TOPLANTISI

ALANYA HALK EĞİTİMİ MERKEZİ BAĞIMSIZ YAŞAM İÇİN YENİ YAKLAŞIMLAR ADLI GRUNDTVIG PROJEMİZ İN DÖNEM SONU BİLGİLENDİRME TOPLANTISI ALANYA HALK EĞİTİMİ MERKEZİ BAĞIMSIZ YAŞAM İÇİN YENİ YAKLAŞIMLAR ADLI GRUNDTVIG PROJEMİZ İN DÖNEM SONU BİLGİLENDİRME TOPLANTISI ALANYA PUBLIC EDUCATION CENTRE S FINAL INFORMATIVE MEETING OF THE GRUNDTVIG

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

BINDER GROUP. Latest Innovation for Energy Efficient Aeration Air Control Systems Verimli Havalandırma Sistemlerinde En Yeni Çözümler

BINDER GROUP. Latest Innovation for Energy Efficient Aeration Air Control Systems Verimli Havalandırma Sistemlerinde En Yeni Çözümler Latest Innovation for Energy Efficient Aeration Air Control Systems Verimli Havalandırma Sistemlerinde En Yeni Çözümler Main operator targets in Waste Water Treatment Plants Atıksu arıtma tesislerinde

Detaylı

NOVAPAC Ambalaj San. Tic. A.Ş

NOVAPAC Ambalaj San. Tic. A.Ş Ambalaj San. Tic. A.Ş 2014 yılında İstanbul'da 5.000 m2 lik alanda kurulan tek kullanımlık plastik ürünleri araştırıp, geliştirip, tasarlayıp üretmektedir. Uzun yılların deneyimi ile pazara yenilikçi,

Detaylı

ATILIM UNIVERSITY Department of Computer Engineering

ATILIM UNIVERSITY Department of Computer Engineering ATILIM UNIVERSITY Department of Computer Engineering COMPE 350 Numerical Methods Fall, 2011 Instructor: Fügen Selbes Assistant: İsmail Onur Kaya Homework: 1 Due date: Nov 14, 2011 You are designing a spherical

Detaylı

Exercise 2 Dialogue(Diyalog)

Exercise 2 Dialogue(Diyalog) Going Home 02: At a Duty-free Shop Hi! How are you today? Today s lesson is about At a Duty-free Shop. Let s make learning English fun! Eve Dönüş 02: Duty-free Satış Mağazasında Exercise 1 Vocabulary and

Detaylı

YARASA VE ÇİFTLİK GÜBRESİNİN BAZI TOPRAK ÖZELLİKLERİ ve BUĞDAY BİTKİSİNİN VERİM PARAMETRELERİ ÜZERİNE ETKİSİ

YARASA VE ÇİFTLİK GÜBRESİNİN BAZI TOPRAK ÖZELLİKLERİ ve BUĞDAY BİTKİSİNİN VERİM PARAMETRELERİ ÜZERİNE ETKİSİ ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ DOKTORA TEZİ YARASA VE ÇİFTLİK GÜBRESİNİN BAZI TOPRAK ÖZELLİKLERİ ve BUĞDAY BİTKİSİNİN VERİM PARAMETRELERİ ÜZERİNE ETKİSİ TARIMSAL YAPILAR VE SULAMA ANABİLİM

Detaylı

YÜKSEK HIZLI DEVRE TASARIMINDA KARŞILAŞILAN GÜÇLÜKLER

YÜKSEK HIZLI DEVRE TASARIMINDA KARŞILAŞILAN GÜÇLÜKLER YÜKSEK HIZLI DEVRE TASARIMINDA KARŞILAŞILAN GÜÇLÜKLER Mumin Gözütok Argenç Ltd, 2010 Güngeçtikçe dijital devrelerin hızları artmakta ve mühendisler her yeni tasarımda daha hızlı devrelerle başetmek zorunda

Detaylı

Electronic Letters on Science & Engineering 5(1) (2009) Available online at www.e-lse.org

Electronic Letters on Science & Engineering 5(1) (2009) Available online at www.e-lse.org Electronic Letters on Science & Engineering 5(1) (2009) Available online at www.e-lse.org Traffic Signaling with Sensor and Manual Control Sıtkı AKKAYA Erciyes Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik

Detaylı

LED AYDINLATMA SİSTEMLERİ LED LIGHTING SYSTEMS

LED AYDINLATMA SİSTEMLERİ LED LIGHTING SYSTEMS LED AYDINLATMA SİSTEMLERİ LED LIGHTING SYSTEMS >0.9 Hg Pb LED LIGHTING SOLUTIONS ÖZEL ÇÖZÜMLER SPECIALS PLANK SİSTEMLER PLANK SYSTEMS 02 BAFFLE LED 03 04 05 PLANK LINE 1 PLANK LINE 4 PLANK LINE 2 TILE

Detaylı

HÜRRİYET GAZETESİ: 1948-1953 DÖNEMİNİN YAYIN POLİTİKASI

HÜRRİYET GAZETESİ: 1948-1953 DÖNEMİNİN YAYIN POLİTİKASI T.C. ANKARA ÜNİVERSİTESİ SOSYAL BİLİMLER ENSTİTÜSÜ GAZETECİLİK ANABİLİM DALI HÜRRİYET GAZETESİ: 1948-1953 DÖNEMİNİN YAYIN POLİTİKASI Doktora Tezi Selda Bulut Tez Danışmanı Prof.Dr.Korkmaz Alemdar Ankara-2007

Detaylı

www.imsamakina.com.tr

www.imsamakina.com.tr HAKKIMIZDA 2003 Yılında ahşap modelhanesi olarak kurulan firmamız, müşteri taleplerini göz önünde bulundurarak ve bu talepleri günümüz teknolojisine uyarlayarak, bünyesine CNC dik işleme merkezleri katmıştır.

Detaylı

Onluk duzende toplama. Lecture 4. Addition and Subtraction. Onluk tabanda toplama

Onluk duzende toplama. Lecture 4. Addition and Subtraction. Onluk tabanda toplama Lecture 4 Oku H&P sections 4.3-4.5 ddition and Subtraction CPU daki circuit (devrelerle) gerceklestirilir Bu is icin devreler nasil dizayn edilir? Bilgisayar Mimarisi 4.1 Bilgisayar Mimarisi 4.2 Onluk

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Teorik Bilgiler ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Güç elektroniği devreleri ile güç dönüşümü anahtarlama teknikleri kullanılarak yapılır.

Detaylı

TEST RESULTS UFED, XRY and SIMCON

TEST RESULTS UFED, XRY and SIMCON TEST RESULTS UFED, XRY and SIMCON Test material : SIM card Tested software : UFED 3.6, XRY 6.5, SIMcon v1.2 Expected results : Proper extraction of SMS messages Date of the test : 02.04.2013 Note : The

Detaylı

Draft CMB Legislation Prospectus Directive

Draft CMB Legislation Prospectus Directive Draft CMB Legislation Prospectus Directive Ayşegül Ekşit, SPK / CMB 1 Kapsam İzahname Konulu Taslaklar İzahname Yayınlama Zorunluluğu ve Muafiyetler İzahnamenin Onay Süreci İzahname Standartları İzahnamenin

Detaylı

6. Seçilmiş 24 erkek tipte ağacın büyüme biçimi, ağacın büyüme gücü (cm), çiçeklenmenin çakışma süresi, bir salkımdaki çiçek tozu üretim miktarı,

6. Seçilmiş 24 erkek tipte ağacın büyüme biçimi, ağacın büyüme gücü (cm), çiçeklenmenin çakışma süresi, bir salkımdaki çiçek tozu üretim miktarı, ÖZET Bu çalışmada, Ceylanpınar Tarım İşletmesi'nde bulunan antepfıstığı parsellerinde yer alan bazı erkek tiplerin morfolojik ve biyolojik özelikleri araştırılmıştır. Çalışma, 1995 ve 1996 yıllarında hem

Detaylı

Damperler / Dampers. RGS International HVAC Equipment. www.rgs-international.com

Damperler / Dampers. RGS International HVAC Equipment. www.rgs-international.com Damperler / Dampers RGS International HVAC Equipment www.rgs-international.com international.com İçindekiler / Index Volüm Damperi / VRD Volume Control Damper / VRD Back Draft Damper / NMD Back Draft Damper

Detaylı

THE IMPACT OF AUTONOMOUS LEARNING ON GRADUATE STUDENTS PROFICIENCY LEVEL IN FOREIGN LANGUAGE LEARNING ABSTRACT

THE IMPACT OF AUTONOMOUS LEARNING ON GRADUATE STUDENTS PROFICIENCY LEVEL IN FOREIGN LANGUAGE LEARNING ABSTRACT THE IMPACT OF AUTONOMOUS LEARNING ON GRADUATE STUDENTS PROFICIENCY LEVEL IN FOREIGN LANGUAGE LEARNING ABSTRACT The purpose of the study is to investigate the impact of autonomous learning on graduate students

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

Öğrenciler analiz programları hakkında bilgi sahibi olurlar

Öğrenciler analiz programları hakkında bilgi sahibi olurlar Ders Öğretim Planı Dersin Kodu 0000 Dersin Seviyesi Lisans Dersin Adı Bilgisayar Destekli Tasarım ve İmalat Dersin Türü Yıl Yarıyıl AKTS Seçmeli Dersin Amacı İmalat amaçlı bir endüstriyel tasarımda, tasarım

Detaylı

PROMO RGB. Compact & Functional Kompakt ve Fonksiyonel

PROMO RGB. Compact & Functional Kompakt ve Fonksiyonel PROMO RGB Linear lighting profile system structural modules for LEDs, Polished aluminium body and polycarbonate diffuser provide great adaptability and allow use in almost any type of interior spaces.

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

T.C. Hitit Üniversitesi. Sosyal Bilimler Enstitüsü. İşletme Anabilim Dalı

T.C. Hitit Üniversitesi. Sosyal Bilimler Enstitüsü. İşletme Anabilim Dalı T.C. Hitit Üniversitesi Sosyal Bilimler Enstitüsü İşletme Anabilim Dalı X, Y, Z KUŞAĞI TÜKETİCİLERİNİN YENİDEN SATIN ALMA KARARI ÜZERİNDE ALGILANAN MARKA DENKLİĞİ ÖĞELERİNİN ETKİ DÜZEYİ FARKLILIKLARININ

Detaylı

IMRT - VMAT HANGİ QA YÜCEL SAĞLAM MEDİKAL FİZİK UZMANI

IMRT - VMAT HANGİ QA YÜCEL SAĞLAM MEDİKAL FİZİK UZMANI IMRT - VMAT HANGİ QA YÜCEL SAĞLAM MEDİKAL FİZİK UZMANI Hasta-spesifik QA??? Neden Hasta Spesifik QA? Hangi Hasta Spesifik QA? Hangi Hasta QA ekipmanı? Hangi Hastaya? Nasıl Değerlendireceğiz? Neden Hasta

Detaylı

Hidrolik Blok Silindirler Block cylinders

Hidrolik Blok Silindirler Block cylinders BS250 Hidrolik Blok Silindirler Block cylinders Genel açıklamalar General description Blok silindirler kısa stroklu çalışma alanları için tasarlanmış, çok küçük montaj boyutlarına sahip kompakt silindirlerdir.

Detaylı

ŞİRKET HAKKINDA ABOUT COMPANY

ŞİRKET HAKKINDA ABOUT COMPANY ŞİRKET HAKKIDA Kalite ve müşteri memnuniyetini kendine ilke edinerek, Pako Şalter üretimine başlayan PAKOSA, tecrübeli yönetimi ve uzman kadrosuyla hızlı ve emin adımlarla büyümektedir. Tüketiciye güvenilir

Detaylı

Exhaust Gas Temperatures

Exhaust Gas Temperatures Exhaust Gas Temperatures SI engines exhaust gas temp 400 600 o C average 300 400 o C at idle and 900 o C at max power when exhaust valve opens, in cylinder gas temperature is 200 300 o C more CI engines

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

SCCV-Sistemi. (Self Closing and Centering Valve System)

SCCV-Sistemi. (Self Closing and Centering Valve System) SCCV-Sistemi (Self Closing and Centering Valve System) MIYAWAKI nin uluslararası patentli SCCV sistemi,30 yılı aşkın bir süredir yüksek güvenirliğini ve efektifliğini ispatlamıştır.bu teknoloji ile donatılmış

Detaylı

Öğrencilere bilgisayar destekli titreşim analizi yeteğinin kazandırılması

Öğrencilere bilgisayar destekli titreşim analizi yeteğinin kazandırılması Ders Öğretim Planı Dersin Kodu 50700 4222007 Dersin Seviyesi Lisans Dersin Adı BİLGİSAYAR DESTEKLİ TİTREŞİM SİMÜLASYONU Dersin Türü Yıl Yarıyıl AKTS Seçmeli 4 8 3 Dersin Amacı Öğrencilere bilgisayar destekli

Detaylı

PHYSICAL/ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HIERARCHICAL INTERFACES HİYERARŞİK SAYISAL ARAYÜZLERİN FİZİKSEL/ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ

PHYSICAL/ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HIERARCHICAL INTERFACES HİYERARŞİK SAYISAL ARAYÜZLERİN FİZİKSEL/ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ EK:1 Standartlar 1. Tavsiye G.703 PHYSICAL/ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HIERARCHICAL INTERFACES HİYERARŞİK SAYISAL ARAYÜZLERİN FİZİKSEL/ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ 2. Tavsiye G.704 SYNCHRONOUS FRAME STRUCTURES

Detaylı

Öğrencilere, endüstriyel fanları ve kullanım alanlarını tanıtmak, endüstriyel fan teknolojisini öğretmektir.

Öğrencilere, endüstriyel fanları ve kullanım alanlarını tanıtmak, endüstriyel fan teknolojisini öğretmektir. Ders Öğretim Planı Dersin Kodu Dersin Adı Dersin Türü Yıl Yarıyıl AKTS 507004962014 ENDÜSTRİYEL FANLAR Seçmeli 4 8 3 Dersin Amacı Öğrencilere, endüstriyel fanları ve kullanım alanlarını tanıtmak, endüstriyel

Detaylı

Matematik Mühendisliği - Mesleki İngilizce

Matematik Mühendisliği - Mesleki İngilizce Matematik Mühendisliği - Mesleki İngilizce Tanım - Definition Tanım nasıl verilmelidir? Tanım tanımlanan ismi veya sıfatı yeterince açıklamalı, gereğinden fazla detaya girmemeli ve açık olmalıdır. Bir

Detaylı

PVC Yalıtkanlı Protoflex Kontrol Kabloları PVC Insulated Protoflex Control Cables

PVC Yalıtkanlı Protoflex Kontrol Kabloları PVC Insulated Protoflex Control Cables PVC Yalıtkanlı Protoflex Kontrol Kabloları PVC Insulated Protoflex Control Cables 0 A brand of the 8 Özel Kablolar Special Cables Kontrol - Ölçü - Kumanda Kabloları H05VV5-F Control - Measurement and Signal

Detaylı

Newborn Upfront Payment & Newborn Supplement

Newborn Upfront Payment & Newborn Supplement TURKISH Newborn Upfront Payment & Newborn Supplement Female 1: Bebeğim yakında doğacağı için bütçemi gözden geçirmeliyim. Duyduğuma göre, hükümet tarafından verilen Baby Bonus ödeneği yürürlükten kaldırıldı.

Detaylı

Giyilebilir Teknolojiler ve Solar Enerjili Şapka Uygulaması

Giyilebilir Teknolojiler ve Solar Enerjili Şapka Uygulaması Giyilebilir Teknolojiler ve Solar Enerjili Şapka Uygulaması 1 Necip Fazıl Bilgin, 2 Bülent Çobanoğlu and 3 Fatih Çelik 2 Faculty of Technology, Department of Mechatronic Engineering, Sakarya University,

Detaylı

U Z U N Ö M Ü R. Uygulama Alanlarý Main Applications. Çekiciler Tow Trucks

U Z U N Ö M Ü R. Uygulama Alanlarý Main Applications. Çekiciler Tow Trucks TRAKSÝYONER AKÜ GRUPLARI TRACTION BATTERY GROUPS E N E N E N U Z U N Ö M Ü R the Longest Life Y Ü K S E K P E R F O R M A N S the Highest Performance E K O N O M Ý K Ç Ö Z Ü M L E R Ý Ç Ý N the Most Economical

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

AFB Enerji Mühendislik Ltd. fiti. www.afb.com.tr

AFB Enerji Mühendislik Ltd. fiti. www.afb.com.tr AFB Enerji Mühendislik Ltd. fiti. www.afb.com.tr SAC KÖŞKLER SAC KÖŞKLER METAL KIOSKS (CABINETS) Sac köşkler müşteri taleplerine göre üretilmekte, yurt içi ve yurt dışı piyasalarına sevk edilmektedir.

Detaylı

İZDÜŞÜM. İzdüşümün Tanımı ve Önemi İzdüşüm Metodları Temel İzdüşüm Düzlemleri Noktanın İzdüşümü Doğrunun İzdüşümü Düzlemlerin İz Düşümleri

İZDÜŞÜM. İzdüşümün Tanımı ve Önemi İzdüşüm Metodları Temel İzdüşüm Düzlemleri Noktanın İzdüşümü Doğrunun İzdüşümü Düzlemlerin İz Düşümleri ÖĞR. GÖR.ÖMER UÇTU İZDÜŞÜM İzdüşümün Tanımı ve Önemi İzdüşüm Metodları Temel İzdüşüm Düzlemleri Noktanın İzdüşümü Doğrunun İzdüşümü Düzlemlerin İz Düşümleri İzdüşümün Tanımı ve Önemi İz düşüm: Bir cismin

Detaylı

Isıtma hesapları Soğutma Hesapları Isıl yük hesabı Dağıtım sistemi hesabı Boyutlandırma Tasarım ilkeleri Standartlar

Isıtma hesapları Soğutma Hesapları Isıl yük hesabı Dağıtım sistemi hesabı Boyutlandırma Tasarım ilkeleri Standartlar Ders Öğretim Planı Dersin Kodu 507004602007 Dersin Seviyesi Lisans Dersin Adı BİLGİSAYAR DESTEKLİ TESİSAT Dersin Türü Yıl Yarıyıl AKTS Seçmeli 4 8 3 Dersin Amacı Dersin amacı, öğrenciye Isıtma hesaplarını,

Detaylı