DEÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MÜHENDİSLİK BİLİMLERİ DERGİSİ Cilt: 14 Sayı: 1 sh Ocak 2012

Transkript

1 DEÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MÜHENDİSLİK BİLİMLEİ DEGİSİ Cilt: Sayı: h. -7 Ocak 0 TESLENMİŞ AKIM GEİ BESLEMELİ İŞLEMSEL ÜKSELTEÇ E MOS-C DEE GEÇEKLEMESİ UGULAMALAI (INETING CUENT FEEDBACK OPEATIONAL AMPLIFIE AND ITS APPLICATIONS TO MOS-ICUIT EALIATION) Haan SÖEN*, Ahmet GÖKÇEN**, Selçuk KILINÇ***, Uğur ÇAM*** ÖET/ABSTACT Bu çalışmada, terlenmiş akım geri belemeli işlemel yükelteç (TAGBİ) olarak iimlendirilen bir aktif eleman tanıtılmıştır. TAGBİ in CMOS gerçeklemeleri verilmiştir. Bu yapı bloğunun, devrelerin MOS-C gerçeklemeleri için çok uygun olduğu göterilmiştir. Uygulama örnekleri olarak TAGBİ kullanan Tow-Thoma ve Kerwin-Huelman-Newcomb üzgeçleri ile birinci dereceden tüm geçiren üzgeç ve alıngaç devreleri unulmuştur. Teorik analizler PSPICE benzetim onuçları ile doğrulanmıştır. In thi paper, an active element called inverting current feedback operational amplifier (ICFOA) i decribed. CMOS implementation of ICFOA are included. It ha been hown that thi building block i very uitable for MOS-C realization of circuit. A the application example, MOS-C implementation of Tow-Thoma biquad, Kerwin-Huelman-Newcomb biquad, firt order allpa filter and quadrature ocillator uing ICFOA are preented. Theoretical analyi i verified by PSPICE imulation. ANAHTA KELİMELE/KEODS Analog inyal işleme, Akım taşıyıcılar, Akım geri belemeli işlemel yükelteçler, MOS-C gerçekleme Analog ignal proceing, Current conveyor, Current feedback operational amplifier, MOS-C realization * Celal Bayar Ün., Elektrik-Elektronik Müh. Böl., Muradiye erleşkei, Muradiye, 50, MANİSA ** Mutafa Kemal Ün., Elektrik-Elektronik Müh. Böl., Antakya, 00, HATA *** Dokuz Eylül Ün., Elektrik-Elektronik Müh. Böl., Tınaztepe erleşkei, Buca, 50, İMİ

2 Sayfa No: H. SÖEN, A. GÖKÇEN, S. KILINÇ, U. ÇAM. GİİŞ İkinci neil akım taşıyıcı (İNAT), ortaya çıktığından beri analog inyal işleme alanında yaygın olarak kullanılmaktadır. Kaynaklarda İNAT tabanlı birçok gerilim modlu ve akım modlu üzgeç işlevlerini entezleyen yapılar unulmuştur (Toumazou vd., 990; Sedra vd., 990; Chen, 00). İNAT, gerilim modlu devrelerde kullanılmakla birlikte, çıkış ucunun yükek empedan özelliği nedeniyle, akım modlu üzgeçlere daha uygundur. Sonradan bu elemana, yükek empedanlı çıkış ucunun gerilim tamponlanmaıyla elde edilen başka bir çıkış ucu eklenmiştir. Elde edilen elemana akım geri belemeli işlemel yükelteç (AGBİ) adı verilmiştir. AGBİ birçok uygulamada kullanılmıştır (Soliman, 99). Öte yandan bu eleman, abit kazanç-bant genişliği çarpımı avantajıyla birlikte klaik işlemel yükelteç olarak da kullanılabilir. Bu elemanın düşük empedanlı çıkış ucu, gerilim modlu devrelerin art arda bağlanmaına olanak ağlar. Sonraki yıllarda, analog taarımcılara daha fazla olanak ağlamak için terlenmiş ikinci neil akım taşıyıcı (TİNAT) ileri ürülmüştür (Awad ve Soliman, 999). Bu elemanın İNAT dan tek farkı giriş uçlarının zıt potaniyellerde olmaıdır. Bu durum özellikle tüm geçiren ve bant durduran üzgeçlerin entezinde faydalıdır. TİNAT ın bazı uygulamaları kaynaklarda unulmuştur (İbrahim vd., 00; Minaei vd., 00; Soliman, 008). İNAT da olduğu gibi, düşük empedanlı çıkış ucunun olmamaından dolayı, bu eleman da gerilim modlu devreler için çok uygun değildir. Bu çalışmada, TAGBİ olarak iimlendirilen bir aktif yapı bloğu unulmaktadır. Bu eleman, klaik AGBİ için yapıldığı gibi, TİNAT elemanının yükek empedanlı çıkış ucunun tamponlanmaıyla elde edilen başka bir çıkış ucunun eklenmeiyle oluşturulmuştur. Bu yapı bloğunun özellikle gerilim modlu devrelerin MOS-C gerçeklemeinde yararlı olduğu görülmüştür. İkinci dereceden üzgeçler, birinci dereceden tüm geçiren üzgeç ve alıngaç devreleri, elemanın uygulama örnekleri olarak verilmiştir. Bu devrelerdeki dirençler, doğrual olmamazlığı yok edilmiş MOSFET ler kullanılarak gerçeklenmiştir. Sonuçta elde edilen devreler, MOS-C gerçeklemeine uygun olarak adece tranitor ve kondanator içermektedir. Taarlanan üzgeçlerin ve alıngacın parametreleri, elektronik olarak MOSFET lerin kapı gerilimlerinin değiştirilmeiyle ayarlanabilmektedir. Devrelerin benzetimleri PSPICE programı kullanılarak yapılmıştır. Benzetim onuçlarının teorik analizlerle uygun olduğu gözlemlenmiştir. Bu çalışma şu şekilde düzenlenmiştir. TAGBİ aktif elemanı Bölüm de tanıtılmıştır. Bu yapı bloğunun CMOS gerçeklemeleri de bu bölüme eklenmiştir. Bölüm, dirençlerin gerçeklenmeinde kullanılan MOS devrelerindeki doğrual olmamazlığın yok edilmeine ilişkin detayları vermektedir. Sunulan aktif yapı bloğunu kullanan üzgeç ve alıngaç devrelerinin MOS-C gerçeklemeleri, PSPICE benzetim onuçlarıyla birlikte Bölüm te verilmiştir. Bölüm 5 çalışmanın onuçlarını içermektedir.. TESLENMİŞ AKIM GEİ BESLEMELİ İŞLEMSEL ÜKSELTEÇ (TAGBİ) TAGBİ in devre embolü Şekil de verilmiştir. Elemanının uçlarındaki ilişki aşağıdaki eşitlik takımıyla tanımlanır. I I y x z w = 0 = = ± I = z x y ()

3 Mühendilik Bilimleri Dergii Cilt : Sayı : Sayfa No: 5 y I y I z z TAGBİ x I x w Şekil. TAGBİ in devre embolü TİNAT Gİ TAGBİ Şekil. TİNAT ve gerilim izleyici kullanarak TAGBİ gerçeklemei I z = ±I x ifadeindeki pozitif işaret, pozitif tip TAGBİ+; negatif işaret, negatif tip TAGBİ temil etmektedir. TAGBİ, Şekil de göterildiği gibi TİNAT ve gerilim tamponunun bağlanmaıyla elde edilebilir. Böylelikle, TAGBİ nın CMOS gerçeklemei, TİNAT nın CMOS gerçeklemei ve bunu izleyen bir CMOS gerilim tamponu ile oluşturulabilir. Kaynaklarda TİNAT nın CMOS gerçeklemei için değişik yollar unulmuştur (Awad ve Soliman, 999; Sobhy ve Soliman, 007). Ayrıca, farkal gerilim akım taşıyıcı ve farkal fark akım taşıyıcı elemanları da, uygun uçlarının topraklanmaıyla TİNAT olarak kullanılabilmektedir (Chiu vd., 99; İbrahim ve Kuntman, 00). TAGBİ in CMOS gerçeklemeini tamamlamak için, TİNAT nın çıkış ucuna bir CMOS gerilim tamponu bağlanabilir (Manetaki ve Toumazou, 99). TAGBİ+ nın CMOS gerçeklemei Şekil te göterilmiştir. Bu gerçekleme, farkal fark akım taşıyıcı elemanın ( ve uçları topraklanmış) gerilim tamponu ile art arda bağlanmaıyla elde edilmiştir (İbrahim ve Kuntman, 00; Manetaki ve Toumazou, 99). Devrenin 0.5 µm CMOS işlem parametreleriyle birlikte, PSPICE programı kullanılarak benzetimi gerçekleştirilmiştir. Beleme gerilimleri ±.5 olarak alınmıştır. TAGBİ+ nın doğru çalıştığını göteren, I I, ve DC karakteritiklerinin PSPICE benzetim onuçları ıraıyla Şekil, Şekil 5 ve Şekil da verilmiştir. Benzetim onuçları, = Ω, =0 MΩ, =00 MΩ, ve =80 Ω port direnç değerlerini de vermektedir. TAGBİ nin CMOS gerçeklemei Şekil 7 de verilmiştir. Bu gerçekleme ICCII nin gerilim tamponu ile art arda bağlanmaıyla elde edilmiştir (Sobhy ve Soliman, 007; Manetaki ve Toumazou, 99). Devrenin benzetim onuçları aynı işlem parametreleri ve beleme kaynaklarıyla PSPICE programı kullanılarak elde edilmiştir. Şekil 8, I = I ilişkiini doğrulayan PSPICE benzetim onucunu götermektedir. CMOS TAGBİ nin diğer karakteritikleri Şekil ve Şekil da göterilen TAGBİ+ karakteritikleriyle benzerdir.

4 Sayfa No: H. SÖEN, A. GÖKÇEN, S. KILINÇ, U. ÇAM DD M M7 M8 MP M5P MP MP MP M7 M8 MP M7P M0 M M M M MA SS M9 MA MA M MA M M MN DD M7N M M MN M0 BB M9 M5N MN M5 M5A M5B M5C M5D MN MN M SS Şekil. TAGBİ+ nın CMOS gerçeklemei Şekil. CMOS TAGBİ+ nın ve değerleri araındaki DC karakteritiği

5 Mühendilik Bilimleri Dergii Cilt : Sayı : Sayfa No: 7 Şekil 5. CMOS TAGBİ+ nın I ve I değerleri araındaki DC karakteritiği Şekil. CMOS TAGBİ+ nın ve değerleri araındaki DC karakteritiği

6 Sayfa No: 8 H. SÖEN, A. GÖKÇEN, S. KILINÇ, U. ÇAM DD B M M M8 M M M M9 M0 M5 M M M M M M7 M8 M M M9 M M5 -B M5 M M7 M0 M SS Şekil 7. TAGBİ nin CMOS gerçeklemei Şekil 8. CMOS TAGBİ nin I ve I değerleri araındaki DC karakteritiği. MOS DEELEİNDE DOĞUSAL OLMAMALIĞI OK ETME LSI devrelerinde iliyum alanının kapladığı yer, analog taarımcılar açıından önemli bir konudur. Bundan dolayı, entegre devrelerin alanını küçültmek çok önemlidir. Modern CMOS teknolojiinde, dirençler ve kondanatorlar çip üzerinde büyük alanlar işgal eder. Bu bakımdan, dirençleri tranitor kullanarak gerçeklemek boyutu önemli ölçüde azaltacaktır. Sonuçta elde edilen devre, adece MOS tranitorlar ve kondanatorlardan oluşacak ve bundan dolayı devre MOS-C gerçekleme olarak iimlendirilecektir. Bu yapı, çip alanının

7 Mühendilik Bilimleri Dergii Cilt : Sayı : Sayfa No: 9 önemli bölümünden taarruf ağlayacak ve devrelerin elektronik olarak ayarlanmaını mümkün kılacaktır. Bu durumda, direnç değerlerinin ve dolayııyla ilgili üzgeç parametrelerinin kolay bir şekilde, kapı gerilimlerinin değiştirilmeiyle ayarlanabilmei ağlanmış olacaktır. MOS-C tabanlı devrelerin gerçeklenmeine alternatif bir teknik kaynaklarda unulmaktadır (Tividi vd., 98). Bu yöntemde, uçları aynı pozitif ve negatif gerilimlere bağlı bir direnç, doğrual olmamazlığı yok edilmiş bir MOS tranitor kullanılarak kolaylıkla gerçeklenebilir (Tividi vd., 98). Bu çalışmada tanıtılan TAGBİ elemanının giriş uçları zıt potaniyelde olduğundan, bu tip MOS-C gerçeklemelerine iyi bir adaydır. ukarıda bahedilen teknik, terlenmiş bir birim kazançlı yükeltecin giriş ve çıkış uçları araına doymaız bölgede çalışan bir MOSFET bağlanmaına dayanan bir yöntem olup dengeli MOSFET-C devrelerine alternatif olarak önerilmiştir (Tividi vd., 98; Acar ve Ghaui, 987). Şekil 9 da göterilen bu yöntem, MOSFET in doğrual olmamazlığını önemli ölçüde yok eder. Akaçtan kaynağa akım akışı aşağıdaki eşitlikle verilir. I = () Eşitlikdeki aşağıdaki gibidir. = µ C ( / L)( ) () n ox c t ukarıdaki eşitlikde, ve L kanal genişliğini ve uzunluğunu, t MOSFET in eşik gerilimini, µ n kanaldaki elektron hareketliliğini, C ox birim alandaki kapı-okit ığaını ifade eder. Eşdeğer direnç değeri c ile ayarlanabilir ve doğrual olmamazlıklar yok edildiğinden geniş bir gerilim aralığında çalışır (Tividi vd., 98). Doğrual olmamazlıkların yok edilmei için diğer bir yöntem, kaynaklarda önerilmiştir (Han ve Park, 98). Bir doğrual direnç, Şekil 0 da göterildiği gibi doymaız bölgede çalışan iki kanal ayarlamalı NMOS tranitorun paralel bağlanmaıyla gerçeklenmektedir. Devre M tranitorunu aktif etmek için kanal ayarlamalı elemanlara ihtiyaç duymaktadır. ve uçları araındaki eşdeğer direnç aşağıdaki gibidir. = µ C ( / L)( ) () n ox c t Direnç değeri, c kapı gerilimi ile elektronik olarak kontrol edilebilmektedir. c I - - Şekil 9. ıt potaniyeller araına bağlı direncin MOSFET gerçeklemei

8 Sayfa No: 0 H. SÖEN, A. GÖKÇEN, S. KILINÇ, U. ÇAM M M c Şekil 0. Topraklanmış direncin paralel bağlı kanal ayarlamalı MOSFET lerle gerçeklenmei. TAGBİ NIN MOS-C DEELEİNDEKİ UGULAMALAI Bu bölümde, ikinci dereceden alçak geçiren, yükek geçiren, bant geçiren üzgeçler, birinci dereceden tüm geçiren üzgeç ve alıngaç devrelerini içeren TAGBİ uygulamaları unulmuştur. Bu devrelerdeki dirençler, önceki bölümde açıklandığı gibi MOS tranitorlar kullanarak gerçeklenmiştir. Aşağıdaki devrelerin benzetimlerinde, ıraıyla Şekil ve Şekil 7 de verilen TAGBİ+ ve TAGBİ nin CMOS gerçeklemeleri, 0.5 µm CMOS işlem parametreleri ve ±.5 beleme gerilimleri ile birlikte kullanılmıştır... Tow-Thoma Süzgeci TAGBİ kullanan Tow-Thoma ikinci dereceden üzgecin MOS-C gerçeklemei Şekil de göterilmiştir. Devrenin aktarım işlevleri aşağıdaki şekilde elde edilmiştir. = (5) 8 in C C = () 8 in C 8 5 = (7) 8 in C Doğal açıal frekan ve kalite faktörü şu şekilde bulunur. 8 5 ω 0 = (8) CC

9 Mühendilik Bilimleri Dergii Cilt : Sayı : Sayfa No: 8C 5 Q = (9) C Eşitliklerden görüldüğü gibi, bu topoloji kullanılarak terlenmiş bant geçiren, terlenmemiş alçak geçiren ve terlenmiş alçak geçiren üzgeçleri gerçeklenebilir. Süzgeçlerin doğal frekanını yaklaşık MHz olacak şekilde ayarlamak amacıyla, bu devrenin PSPICE benzetimlerinde,, ve dirençlerini gerçekleyen tüm tranitorlar için =.5 µm ve L=.5 µm olarak alınmıştır. Ayrıca, c =.5 olarak alınmıştır. Böylece, bahi geçen direnç değerleri.8 kω a eşit bulunmuştur. ve 5 dirençleri için tranitorların kanal genişliği ve uzunluğu =5 µm ve L=5 µm olarak alınmıştır. Ayrıca c =7.5 olarak alınmıştır. Böylece, direnç değerleri.5 kω a eşit bulunmuştur. Kapaite değerleri C =C =00 pf olarak alınmıştır. Bu değerlerden, teorik doğal frekan.0 MHz olarak elde edilmiştir. Şekil, Tow-Thoma ikinci dereceden üzgecin benzetim onuçlarını götermektedir. Benzetim onucunda elde edilen doğal frekan değeri, teorik değere çok yakın olan MHz e eşittir. Kalite faktörünün ayarlanabilirliği Şekil te göterilmiştir. Görüldüğü gibi bant geçiren üzgecin kalite faktörü, merkez frekanını değiştirmeden M nin kapı geriliminin değiştirilmeiyle ayarlanmaktadır. in c M TAGBİ+ C c M a M b M TAGBİ+ c c TAGBİ+ C M M TAGBİ+ Şekil. Tow-Thoma ikinci dereceden üzgecin MOS-C gerçeklemei c M 5a c 5 M 5b Şekil. Tow-Thoma ikinci dereceden üzgecin kazanç yanıtına ait benzetim onuçları

10 Sayfa No: H. SÖEN, A. GÖKÇEN, S. KILINÇ, U. ÇAM Şekil. Tow-Thoma ikinci dereceden üzgecin elektronik olarak ayarlanabilirliği.. Kerwin-Huelman-Newcomb (KHN) Süzgeci Şekil te TAGBİ tabanlı KHN ikinci dereceden üzgecin MOS-C gerçeklemei göterilmektedir. KHN üzgecinin alçak geçiren, bant geçiren ve yükek geçiren yanıtlarına ait aktarım işlevleri ıraıyla aşağıdaki gibi bulunmuştur C in LP + + = (0) 5 8 C C in BP + + = () 5 8 C in HP + + = () Doğal açıal frekan ve kalite faktörü aşağıdaki gibidir. 0 8 = ω () 5 C C Q = () ukarıdaki eşitliklerden devrenin üç temel üzgeç işlevi olan alçak geçiren, yükek geçiren ve bant geçiren üzgeçlerin işlevlerini ağladığı açıktır. Ayrıca, üzgeçlerin kazanç, kalite faktörü ve doğal frekanı birbirlerinden bağımız olarak kontrol edilebilmektedir.

11 Mühendilik Bilimleri Dergii Cilt : Sayı : Sayfa No: KHN ikinci dereceden üzgecin benzetimlerinde, dışındaki dirençleri gerçekleyen tranitorların tümü için =.5 µm ve L=.5 µm alınmıştır. Ayrıca c =.5 alınmıştır. Böylece, direnç değerleri.8 kω a eşit olmaktadır. için kanal ayarlamalı tranitor ve = µm, L=0 µm, c =0 eçilmiştir. Böylece, direnç değeri.8 kω olmaktadır. Kapaite değerleri C =C =00 pf olarak alınmıştır. Bu değerlerden teorik olarak doğal frekan. MHz bulunmuştur. İkinci dereceden alçak geçiren, yükek geçiren ve bant geçiren üzgeçlerin kazanç yanıtlarının benzetim onuçları Şekil 5 te verilmiştir. Benzetimi yapılan doğal frekan değeri teorik değere oldukça yakın olup. MHz değerine eşittir. LP TAGBİ+ M c in HP BP C C c M TAGBİ+ c TAGBİ+ c M M TAGBİ+ c M a M b TAGBİ- M 5 c 5 Şekil. KHN ikinci dereceden üzgecin MOS-C gerçeklemei Şekil 5. KHN ikinci dereceden üzgecin kazanç yanıtına ait benzetim onuçları

12 Sayfa No: H. SÖEN, A. GÖKÇEN, S. KILINÇ, U. ÇAM.. Birinci Dereceden Tüm Geçiren Süzgeç Şekil, TAGBİ içeren birinci dereceden tüm geçiren üzgeç topolojiinin MOS-C gerçeklemeini götermektedir. utin analiz aşağıdaki aktarım işleviyle onuçlanmıştır. out in = C (5) + C Doğal açıal frekan aşağıdaki gibi bulunur. ω o = () C Süzgecin faz yanıtı aşağıdaki gibi heaplanır. ο C ϕ( ω) = 80 arctan ω (7) ukarıdaki eşitliklerden Şekil daki devrenin, itenilen frekan aralığında abit çıkış genliği veren ve frekan bağımlı gecikme için kullanılabilen birinci dereceden tüm geçiren üzgeci gerçeklediği anlaşılmaktadır. Birinci dereceden tüm geçiren üzgecin benzetimlerinde, direnci gerçekleyen tranitor için =.5 µm ve L=.5 µm alınmıştır. Ayrıca c =.5 alınmıştır. Böylece, direnç değeri.8 kω değerine eşit olmuştur. Kapaite değeri C=00 pf olarak alınmıştır. Bu değerlerden, teorik doğal frekan 58 khz olarak bulunmuştur. Birinci dereceden üzgecin faz yanıtı ve kazanç yanıtının benzetim onucu Şekil 7 de verilmiştir. Benzetim onucunda elde edilen doğal frekan 587 khz değerine eşittir. Süzgecin farklı kapı gerilim değerleri için elektronik olarak ayarlanabilme özelliği ve bunlara karşılık faz yanıtları Şekil 8 de verilmiştir. C in C C M TAGBİ+ out Şekil. Birinci dereceden tüm geçiren üzgecin MOS-C gerçeklemei

13 Mühendilik Bilimleri Dergii Cilt : Sayı : Sayfa No: 5 Şekil 7. Tüm geçiren üzgecin kazanç ve faz yanıtına ait benzetim onuçları Şekil 8. Birinci dereceden tüm geçiren üzgecin elektronik olarak ayarlanabilirliği.. Salıngaç Devrei Sinüzoidal alıngacın, art arda bağlı tüm geçiren üzgeç ve tümlev devrei ile bir bloğun çıkışının diğer bloğun girişine bağlanmaı onucu çevrimin tamamlanmaıyla gerçeklenebildiği bilinmektedir (Haritanti, 985). Bu yaklaşım kullanılarak, TAGBİ tabanlı alıngaç Şekil 9 daki gibi gerçeklenebilir. Bu devrede, yukarıda unulan birinci dereceden tüm geçiren üzgeç ve TAGBİ tabanlı bir tümlev devrei kullanılmıştır. Sinüzoidal alınımı ağlamak için, devrenin çevrim kazancı aşağıdaki gibi = jω de bire eşitlenir. C + C C = jω = (8) Eşitlik 8 den alınım şartı ve frekanı ıraıyla aşağıdaki gibi bulunabilir. C C = (9) ω 0 = (0) C C

14 Sayfa No: H. SÖEN, A. GÖKÇEN, S. KILINÇ, U. ÇAM Tüm geçiren üzgeç C Tümlev devrei C C C M TAGBİ+ C M TAGBİ- Şekil 9. Salıngaç devreinin MOS-C gerçeklemei Şekil 0. Salıngaç çıkış gerilimlerinin benzetim onuçları Baitlik açıından, = = ve C = C = C olarak eçilire, alınım şartı ağlanır ve alınım frekanı aşağıdaki gibi olur. ω 0 = () C Benzetimlerde ve dirençlerini gerçekleyen tranitorlar için =.5 µm, L=.5 µm ve c =.5 olarak alınmıştır. Böylece, bahi geçen dirençlerin değerleri.8 kω olarak bulunmuştur. Kapaite değerleri C =C =0 pf olarak alınmıştır. Teorik olarak alıngaç frekanı.8 MHz olarak heaplanmıştır. Benzetim onucunda elde edilen değer ie.9 MHz dir. Devrenin çıkış dalga şekilleri Şekil 0 de verilmiştir. 5. SONUÇ Bu çalışmada, TAGBİ aktif elemanı içeren, ikinci dereceden alçak geçiren, yükek geçiren, bant geçiren üzgeçler, birinci dereceden tüm geçiren üzgeç ve alıngaç devreinin MOS-C gerçeklemeleri verilmiştir. Devreler, TAGBİ nın girişlerindeki terlenmiş gerilim kopyalama özelliği nedeniyle, MOS-C gerçeklemeine dayalı olarak tamamen tümleştirilebilmektedir. Buna ek olarak, devre parametreleri elektronik olarak ayarlanabilir. TAGBİ nın çıkış uçlarından biri düşük empedanla karakterize edildiğinden, gerilim modlu devrelerin ek bir tampon kullanılmadan art arda bağlanabilmeine olanak ağlanmaktadır. Çalışmaya, TAGBİ in CMOS gerçeklemeleri kullanılarak elde edilen ve teorik analizleri doğrulayan PSPICE benzetim onuçları eklenmiştir. Tanıtılan aktif elemanın, taarımcılara analog inyal işleme alanında yeni olanaklar ağlamaı beklenmektedir.

15 Mühendilik Bilimleri Dergii Cilt : Sayı : Sayfa No: 7 KANAKLA C. Acar, M. S. Ghaui (987): Fully Integrated Active C-filter Uing MOS and Non- Balanced Structure, International Journal of Circuit Theory and Application, Cilt 5,. 05. I. A. Awad, A. M. Soliman (999): Inverting Second Generation Current Conveyor: the Miing Building Block, CMOS ealization and Application, International Journal of Electronic, Cilt 8,.. H. P. Chen (00): Single CCII-Baed oltage-mode Univeral Filter, Analog Integrated Circuit and Signal Proceing, Cilt, Chiu, S. I. Liu, H.. Tao, J. J. Chen (99): CMOS Differential Difference Current Conveyor and Their Application, IEE Proceeding Circuit, Device and Sytem, Cilt, I. S. Han, S. B. Park (98): oltage-controlled Linear eitor by Two MOS Tranitor and It Application to Active C Filter MOS Integration, Proceeding of the IEEE, Cilt 7, I. Haritanti (985): General Method for Deigning C Harmonic Ocillator, International Journal of Electronic, Cilt 58, M. A. İbrahim, H. Kuntman (00): High Linearity CMOS Differential Current Conveyor (DDCC), International Conference on Microelectronic,. 9. M. A. İbrahim, H. Kuntman, S. Özcan, O. Suvak, O. Çiçekoğlu (00): New Firt-Order Inverting-Type Second-Generation Current Conveyor-Baed All-Pa Section Including Canonical Form, Electrical Engineering, Cilt 8, K. Manetaki, C. Toumazou (99): Current-Feedback Opamp Suitable for CMOS LSI Technology, Electronic Letter, Cilt, S. Minaei, E. üce, O. Çiçekoğlu (00): ICCII-Baed oltage-mode Filter with Single Input and Six Output Employing Grounded Capacitor, Circuit, Sytem, and Signal Proceing, Cilt 5, A. S. Sedra, G.. obert, F. Gohh (990): The Current Conveyor: Hitory, Progre and New eult, IEE Proceeding Part G, Cilt 7, E. A. Sobhy, A. M. Soliman (007): Novel CMOS ealization of the Inverting Second- Generation Current Conveyor and Application, Analog Integrated Circuit and Signal Proceing, Cilt 5,. 57. A. M. Soliman (99): Application of the Current Feedback Operational Amplifier, Analog Integrated Circuit and Signal Proceing, Cilt, A. M. Soliman (008): The Inverting Second Generation Current Conveyor a Univeral Building Block, International Journal of Electronic and Communication (AEU), Cilt,.. C. Toumazou, F. J. Lidgey, D. G. Haigh (990): Analogue IC Deign: the Current Mode Approach, London, Peter Peregrinu.. Tividi, M. Banu, J. Khoury (98): Continuou-Time MOSFET-C Filter in LSI, IEEE Journal of Solid-State Circuit, SC-,. 5 0.