Zn/p-Si Schottky Diyotlarda Temel Elektriksel Parametrelerin Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi *

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "Zn/p-Si Schottky Diyotlarda Temel Elektriksel Parametrelerin Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi *"

Transkript

1 KSÜ Fen ve Mühendislik Dergisi 8(1) KSU Journal of Science and Engineering 8(1)-2005 Zn/p-Si Schottky Diyotlarda Temel Elektriksel Parametrelerin Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi * Şükrü KARATAŞ, Şemsettin ALTINDAL 2 1 Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Kahramanmaraş 2 Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara ÖZET: Bu çalışmada (100) yönelimine sahip 100 Ω-cm özdirençli, 635 µm kalınlıklı Bor katkılı p-tipi tek silisyum kristal yapraklar kullanılarak hazırlanan metal-yarıiletken (MS) Schottky diyotunun deneysel akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümlerinden faydalanılarak diyodun idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (Φ b ) ve seri direnç (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri K sıcaklık aralığında incelendi. Hem I-V hem de C- V ölçüm metodundan elde edilen bu temel elektriksel parametrelerin birbirleriyle ve literatürle uyumlu olduğu gözlendi. Diyodun idealite faktörü (n) ve seri direnci (Rs) sıcaklığa kuvvetlice bağlı olup artan sıcaklıkla üstel olarak azalmaktadır. İdealite faktörü (n) ve seri direncin (Rs) büyük çıkması, metal ile yarıiletken arasında doğal olarak oluşan yalıtkan (SiO 2 ) tabakasının varlığına ve yarıiletken-yalıtkan ara yüzeyinde yarıiletken (Si) ile dengede olan ara yüzey durumlarının özel bir dağılımına atfedildi. Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, Sıcaklık, Seri direnç Analysis Dependence on Temperature of Basic Electrical Parameters on Zn/p-Si Schottky Diodes ABSTRACT: In this work, the basic electrical parameters such as the ideality factor (n), potential barrier height (Φ b ) and diode series resistance (R s ) from experimental measurements the current-voltage (I-V) and capacitancevoltage (C-V) of metal-semiconductor (MS) Zn/p-Si Schottky diode prepared from p-type (Boron doped) single crystal silicon wafer having a resistivity of 100 Ω-cm, the thickness 635 µm and the (100) direction were studied (experimental) in the temperature range K. It has seen that the results are in good agreement with each other and the literature calculated values from measurement method both the current-voltage (I-V) and capacitancevoltage (C-V). Idealite factor (n) and series resistance (Rs) of diode is strongly connection to temperature and decrease with increase temperature. The heights values of idealite factor (n) and series resistance (Rs) attributed to the presence of native insulator oxide layer (SiO 2 ) between metal and semiconductor and attributed to special distribution of interfacial states that which equilibrium with semiconductor in interfacial semiconductor-insulator. Key Words: Schottky diode, Temperature, Series resistance GİRİŞ Metal-yarıiletken (MS) ve metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) yapıların temel fiziksel özellikleri ve iletim mekanizmaları geniş bir şekilde incelenmiştir (Milnes ve Feuct, 1972; Sze, 1981; Kar ve Panchal, 1982; Singh, 1985; Rhoderick ve Williams 1988; Cova ve Singh, 1990). Bu çalışmalara ilaveten son zamanlarda yüksek seri dirence sahip Schottky diyotlarda, seri direnç (Rs), idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (Φ b ) gibi temel fiziksel parametrelerin tayininde yeni hesaplama yöntemleri geliştirilmiştir (Sullivan ve ark, 1991; Tung, 1992). Ancak bu durum özellikle MS yapılarda akımiletim mekanizmaları, yasak enerji aralığında çok sayıda istenilmeden oluşan ara yüzey durumları, metal ile yarıiletken arasında doğal yada oluşturulan yalıtkan tabakanın (SiO 2, SnO 2 gibi) varlığı ve yapının seri direnci hakkında henüz çok net bir fikir birliği olmayıp bu konudaki çalışmalar büyük bir hızla devam etmektedir. Bu çalışmada, yukarıda belirtilen nedenlerden dolayı hazırlanan metal-yarıiletken (Zn/p-Si) Schottky diyodun akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümlerinden faydalanarak diyodun idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (Φ b ) ve seri direnci (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri K sıcaklık aralığında hesaplandı. Geleneksel yarı-logaritmik lni-v eğrilerinden K sıcaklık aralığındaki I-V karakteristiklerinden hesaplanan temel elektriksel parametreler ayrıca Cheung (Cheung, 1986) tarafından öne sürülen dv/dln(i)-i ve H(I)-I fonksiyonları yardımıyla da hesaplandı ve bu yöntemle elde edilen n ve Φ b parametreleri diğerleriyle çok iyi bir uyum içinde olduğu gözlendiğinden sadece seri direnç (Rs) değerleri tabloda verildi. Diyot performansını üzerinde çok etkili olan temel bazı elektriksel parametrelerden özellikle diyotun idealite faktörü (n), seri direnci (Rs) ve potansiyel engel yüksekliği (Φ b ) sıcaklığa bağlı olarak hesaplandı ve mevcut literatür ile uyumluluk derecesi tartışıldı. Diyotun seri direnci (Rs) ve metal ile yarıiletken arasında doğal olarak oluşan yalıtkan (SiO 2 ) tabakanın, özellikle akım-voltaj (I-V) karakteristikler üzerindeki etkisi araştırıldı. * Bu çalışma K. Sütçü İmam Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi (2003/7-2) tarafından desteklenmiştir.

2 KSÜ Fen ve Mühendislik Dergisi 8(1) KSU Journal of Science and Engineering 8(1)-2005 MATERYAL ve METOT Bu çalışmada (100) yönelimli, 100 Ω-cm özdirençli ve 635 µm kalınlıklı bor katkılı bir yüzeyi fabrikasyon olarak parlatılmış olan p-tipi silisyum kristali kullanıldı. Kontak yapılmadan önce p-si yarıiletkenin yüzeyindeki hasar tabakasını kazımak ve istenmeyen safsızlıkları azaltmak için yarıiletken yapraklar bir dakika süreyle 5H 2 SO 4 +H 2 O 2 +H 2 O çözeltisinde bekletildi. Daha sonra H 2 O+HCL çözeltisinde temizlenerek 18 M Ω özdirence sahip de-iyonize suda 10 dakika süreyle yıkandı. Numune sonra yüksek saflıklı nitrojen gazı (N 2 ) ile kurulandıktan hemen sonra numune derhal vakum ortamına yerleştirildi. Omik kontak için numunenin arka tarafına 10-5 Torr basınç altında bir maske yardımıyla % saflıkta Al metali buharlaştırıldı. Daha sonra kristal bir quartz tüp fırınında ortama kuru N 2 gazı verilerek (oksidasyonu önlemek için) 3 dakikalık süreyle 450 ο C de tavlanarak omik kontak sağlandı. Yarıiletkenin diğer yüzeyine doğrultucu kontak yapmadan önce gerekli birkaç anodizasyon metodu Si kristalinin parlak ön yüzeyine uygulandıktan sonra sırasıyla HCl çözeltisine ve de-iyonize suyun içine bırakılarak yüzeyde istenilmeyen oksit tabakası kazıldı. Bu işlemler birkaç kez tekrarlandıktan sonra yine vakum ortamında Si kristalinin parlak yüzeyine bir maske yardımıyla yaklaşık 1.35 mm çaplı doğrultucu kontaklar oluşturuldu. Hazırlanan Schottky diyotların I- V ölçümleri için bir Keithley 220 programlanabilir sabit akım kaynağı ve Keithley 614 elektro-metre, C-V ölçümleri için ise (1 M-Hz) bir HP 4192A LF empedans analiz metre kullanılarak ölçümler K sıcaklık aralığında alındı. Tüm ölçümler VPF-475 Krıyostat ( K) içinde ve sıcaklık bir Lake-shore 321 sıcaklık kontrol cihazıyla kontrol edilerek ve ayrıca bir AC/DC çevirici kart kullanılarak hazırlanan bir bilgisayar programı yardımıyla kumanda ve kontrol edildi. BULGULAR ve TARTIŞMA Hazırlanan birkaç Schottky diyotu arasında seçilen örnek numunenin akım-voltaj (I-V) karakteristikleri başlangıçta, aşağıda verilen termiyonik emisyon teorisi kullanılarak incelendi (Rhoderick, 1978). qv qv I = I exp exp 1 (1) o nkt kt Burada I 0 doyma akımı olup yarı-logaritmik lni-v grafiğinde lineer doğrunun V = 0 da akım eksenine fit edilerek bulundu ve * 2 q Φ b0 I o = AA T exp (2) kt eşitliği ile verilir. Burada q elektronun yükü, V uygulanan doğru beslem voltajı, A diyotun alanı, k Boltzmann sabiti, A * p-tipi silisyum için etkin Richardson sabiti (A* = 32 A cm -2 K -2 ), Φ bo potansiyel engel yüksekliği, n idealite faktörü ve T ise Kelvin cinsinden mutlak sıcaklıktır. Seçilen örnek Schottky diyodunun K sıcaklık aralığındaki tipik yarılogaritmik doğru beslem akım-voltaj (I-V) karakteristikleri Şekil 1 de gösterilmiştir. Akım (A) 1.E-04 1.E-05 1.E-06 1.E-07 1.E-08 Zn/p-Si (100) 400 K 300 K Voltaj (V) Şekil 1. Zn/p-Si Schottky diyotunun farklı sıcaklıklar için elde edilen akım-voltaj (I-V) eğrileri. İdealite faktörünün değeri, Eşitlik (1) den faydalanılarak her sıcaklık için, q dv n = (3) kt d ln I eşitliğinden hesaplandı. Engel yüksekliği Φ bo (Φ bo =Φ IV ) ise Eşitlik (2) den her sıcaklık için elde edilen deneysel doyma akımı (I 0 ) değerleri ve diyot alanı kullanılarak hesaplandı. Engel yüksekliği (Φ bo ) ve idealite faktörünün (n) deneysel değerleri sırasıyla, 300 K için 0.73 ev ve 4.62, 400 K için ise 0.93 ev ve 3.29 olarak elde edildi. Sıcaklığa bağlı olarak elde edilen n ve Φ bo değerleri Tablo 1 de verilmektedir. Şekil 1 deki yarı-logaritmik doğru beslem akımvoltaj (I-V) karakteristiklerinin lineer kısmının eğiminden elde edilen idealite faktörünün sıcaklığa göre değişimi Şekil 2 de gösterilmiştir. Şekil 2 ve Tablo 1 de gösterildiği gibi idealite faktörünün değerleri sıcaklığa bağlı olup artan sıcaklık ile düzgün bir şekilde azalmaktadır. Sıcaklığa bağlı doğru beslem akım-voltaj (I-V) ve ters beslem kapasitans-voltaj (C-V) karakteristiklerinden sırasıyla elde edilen engel yükseklikleri Φ bo ve Φ C-V değerleri de Şekil 3 ve Tablo 1 de verilmiştir. Ters besleme C-V karakteristiklerinden elde edilen engel yüksekliği (Φ C-V ) artan sıcaklıkla azalmakta ve sıcaklıkla değişim katsayısının değeri ise - 4x10-4 ev/k vermektedir. Bu değer Si için yasak enerji aralığının sıcaklıkla değişim katsayısı olan -4.73x10-4 ev/k değeriyle mertebe ve negatiflik açısından uyumludur. Ancak doğru besleme akım-voltaj (I-V) ölçümlerinden elde edilen potansiyel engel yüksekliği değerleri artan sıcaklıkta artmaktadır. Bu Si yasak enerji aralığının sıcaklıkla negatif değişim katsayısına aykırıdır.

3 KSÜ Fen ve Mühendislik Dergisi 8(1) KSU Journal of Science and Engineering 8(1)-2005 Idealite Factörü, n Şekil 2. Zn/p-Si Schottky diyotunun deneysel idealitefaktörünün sıcaklığa göre değişimi. Engel yüksekliği Φ IV Φ C Φ fb Şekil 3. Zn/p-Si Schottky diyodunun deneysel engel yüksekliğinin sıcaklığa göre değişimi. 1/ C 2 (F -2 ) 1,E+20 9,E+19 8,E+19 7,E+19 6,E+19 5,E+19 4,E+19 3,E+19 2,E+19 1,E+19 0,E K 400 K 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 Voltaj (V) Şekil 4. Zn/p-Si Schottky diyodunun farklı sıcaklıklar için elde edilen 1/C 2 V eğrileri Bu durum ve idealite faktörünün özellikle n>1 çıkması saf termiyonik emisyon teorisinden sapma olduğunun bir göstergesidir. Metal-yarıiletken ara yüzeyde akım iletimi sıcaklığa bağlı olduğundan dolayı, düşük sıcaklıklarda elektronlar daha düşük bir engel ile karşılaştıklarından akım iletimi baskın olur ve idealite faktörü değeri de artar (Tung, 1991; Sullivan, 1991). Sıcaklık artıkça elektronlar daha yüksek bir engeli aşmaya yetecek kadar enerji kazanacaklar ve sonuçta engel yüksekliği sıcaklığa ve doğru beslem voltajına bağlı olarak artacaktır. Numunenin kapasitans voltaj (C-V) ölçümleri K sıcaklık aralığında ve f=1 M-Hz de alındı. Zn/p- Si Schottky diyodun kapasitans-voltaj datalarından faydalanılarak C -2 -V grafiği Şekil 4 teki gibi elde edildi. Değerlilik bandındaki etkin durum yoğunluğu (N V ) değerleri ise, 3 / 2 * 2πm h kt N = 2 2 (4) V h eşitliğinden her sıcaklık için elde edildi. Burada Si için etkin kütle m =0.55m 0, m 0 =9,11x10-31 kg olan serbest * h elektronun kütlesidir. Oda sıcaklığında (T=300 K) p- Si için elde edilen Nv = 1.02x10 19 cm -3 değeri, referans 1 de p-si için verilen 1.04x10 19 cm -3 değeriyle uyum içindedir. Seri Direnç (ohm) Şekil 5. Zn/p-Si Schottky diyodunun seri direncin sıcaklığa bağlı değişimi. Tablo 1 de gösterildiği gibi p-si için taşıyıcı yoğunluğu değerleri, K sıcaklık aralığında sıcaklığın azalmasıyla azalmaktadır. p-si için etkin durum yoğunluğunun 400 K deki 1.58 x10 19 cm -3 değeri 300 K deki 1.02x10 19 cm -3 değerinden daha büyüktür. Cheung tarafından geliştirilen metodu kullanılarak deneysel doğru beslem akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinden seri direnç değerleri sıcaklığın bir

4 KSÜ Fen ve Mühendislik Dergisi 8(1) KSU Journal of Science and Engineering 8(1)-2005 fonksiyonu olarak hesaplanarak hem Şekil 5 de hem de Tablo 1 de gösterildi (Cheung ve ark, 1986). Şekil 5 ve Tablo 1 de görüldüğü gibi seri direnç değerleri azalan sıcaklıkla artmaktadır. Seri direnç değerleri (Rs) 300 K ve 400 K için sırasıyla Ω ve Ω olarak elde edildi. Sıcaklığın düşmesiyle seri direnç (Rs) değerlerinin artması, düşük sıcaklıklarda serbest taşıyıcı yoğunluğunun azalması veya diyodun idealite faktörü değerinin artmasından kaynaklanabilir (Chand ve Kumar, 1996). Aktivasyon enerji ln(i 0 / T 2 ), Eşitlik (2) den I 0 * qφ bo ln = ln( AA ) (5) 2 T kt olarak verilir ve deneysel ln(i 0 / T 2 ) nin sıcaklığa bağlı (1/T) değişimi eğimi qφ bo /kt ve y eksenini kestiği nokta ise Richardsın sabiti değeri olan bir doğru olmalıdır. Şekil 6 dan da gösterildiği gibi deneysel ln(i 0 / T 2 ) nın sıcaklığa bağlı (1/T) değişimi yüksek sıcaklıklarda lineer bir doğru verdiği için fit ederek aktivasyon enerjisini ve Richardson sabiti bulunabilir. Şekil 6 da görüleceği gibi deneysel değerler ancak yüksek sıcaklıklarda bir doğru vermektedir. Bu doğrunun eğiminden aktivasyon enerjisinin değeri 0.25 ev olarak elde edildi. Deneysel ln(i 0 /T 2 ) ve (1/T) eğrisi engel yüksekliği ve idealite faktörünün sıcaklığa bağlı değişiminin bir sonucudur. Aşağıda belirtildiği gibi Richardson eğrilerindeki sapma düşük ve yüksek engel alanları içeren ara yüzeyde homojen olmayan engel yükseklikleri (BHs) ve potansiyel değişmelerden dolayı olabilir. Ln(I0/T 2 ) (A/K 2 ) /nt 10 3 /T /T or 10 3 /nt (K -1 ) Şekil 6. Zn/p-Si Schottky diyodunun Ln(I 0 /T 2 ) nin 10 3 /T veya 10 3 /nt ye göre değişimi. Yani Schottky diyodunda oluşan akım potansiyel dağılımda daha düşük engellerde olacaktır (Dobracko ve Osvald, 1994; Gümüş ve ark, 2002). Aynı zamanda (100) yönelimli Zn/p-Si Schottky engel diyotu için Richardson sabitinin değeri A* Şekil 6 da verilen deneysel ln(i 0 /T 2 ) ve (1/T) grafiğinin y eksenini kestiği noktadan 0.17 A/K 2 cm 2 elde edildi. Bu değer p-tipi Si yarıiletkendeki deşikler için bilinen A*=32 A/K 2 cm 2 değerinden 188 kat kadar daha düşüktür. I-V karakteristiklerinden elde edilen A* değerinin farklı çıkması engelin homojen olmamasından dolayı olabilir ve bu değer gerçek etkin kütlesiyle bağlı olabilen ve hesaplanan değerden farklıdır (Horwath, 1996). Tablo 1. Yüksek sıcaklıklarda Zn/p-Si Schottky diyodu için temel elektriksel parametreler T (K) n Φ b(i-v) Φ b(c-v ) Φ bf Nv (10 19 cm -3 ) Rs (Ω) SONUÇ Sonuç olarak çalışmada hazırlanan Zn/p-Si Schottky diyotunun yüksek sıcaklıklarda temel elektriksel parametrelerinin (n, Rs ve Φ bo ) büyük çıkması metal ile yarıiletken arasında doğal olarak oluşan bir yalıtkan oksit tabakasının (SiO 2 ) varlığına atfedilir. KAYNAKLAR Chand, S., Kumar. J Current transport in Pd 2 Si/n- Si(100) Schottky barrier diodes at low temperatures. Appl. Phys. A.. 63: Cheung, S. K., Cheung, N.W Extraction of Schottky diode parameters from forward currentvoltage characteristics. Appl. Phys. Lett.. 49: Cova, P., Singh. A Temperature dependence of I- V and C-V characteristics of Ni/n-CdF 2 Schottky barrier type diodes. Solid-State Electronics. 33(1): Dobrocka, E., Osvald, J Electrical deactivation of arsenic as a source of point defects. Appl. Phys. Lett.. 65: Gümüş, A., Türüt, A., Yalçın, N Temperature dependent barrier characteristics of CrNiCo alloy Schottky contacts on n-type molecular-beam epitaxy GaAs. J. Appl. Phys.. 91: Horváth. Zs. J Analysis of I-V measurements on CrSi 2 -Si Schottky structures in a wide temperature. Solid - State Electron.. 39: Milnes, A.G., Feucht, D.L Heterojunctions and Metal-Semiconductor Jonction. New York Rhoderick. E. H Metal-Semiconductor Contacts. Oxford Rhoderick, E.H., Williams, R.H Metal- Semiconductor Contacts. Oxford. Kar,S., Panchal, K.M., Varma. S On the Mechanism of Carrier Transport in Metal-Thin Oxide Semiconductor Diodes on Polycrystalline Silicon. IEET Transactions on Electron devices. 29:

5 KSÜ Fen ve Mühendislik Dergisi 8(1) KSU Journal of Science and Engineering 8(1)-2005 Singh, A Characterization of interface states at Ni/n-CdF 2 Schottky barrier type diodes and the effect of CdF 2 surface preparation. Solid-State Electronics. 28 (3): Sullivan, J. P., Tung, R.T., Pinto. M.R.. Graham. W.R Electron transport of inhomogeneous Schottky barriers: A numerical study. J. Appl. Phys.. 70: Sze. S. M Physics of Semiconductor Devices 2 nd Ed.. New York. Tung, R. T Electron transport at metalsemiconductor interfaces: General theory. Phys. Rev. B.. 45: 13509

LIEN-SO-NICOLET YÖNTEMİYLE ANTİMON KATKILI TiO2/n-Si METAL-YALITKAN-YARIİLETKEN DİYODUN SERİ DİRENÇ DEĞERİNİN BELİRLENMESİ

LIEN-SO-NICOLET YÖNTEMİYLE ANTİMON KATKILI TiO2/n-Si METAL-YALITKAN-YARIİLETKEN DİYODUN SERİ DİRENÇ DEĞERİNİN BELİRLENMESİ SAÜ Fen Edebiyat Dergisi (2011-1) LIEN-SO-NICOLET YÖNTEMİYLE ANTİMON KATKILI TiO2/n-Si METAL-YALITKAN-YARIİLETKEN DİYODUN SERİ DİRENÇ DEĞERİNİN BELİRLENMESİ Savaş SÖNMEZOĞLU, Seçkin AKIN Karamanoğlu Mehmetbey

Detaylı

Organik Arayüzey Tabakalı Al/CuPc /p-inp Kontakların Fabrikasyonu Ve Elektriksel Parametrelerinin İncelenmesi

Organik Arayüzey Tabakalı Al/CuPc /p-inp Kontakların Fabrikasyonu Ve Elektriksel Parametrelerinin İncelenmesi Organik Arayüzey Tabakalı Al/CuPc /p-inp Kontakların Fabrikasyonu Ve Elektriksel Parametrelerinin İncelenmesi F. Aslan 1, Ö. Güllü 1*, Y. S. Ocak 2, Ş. Rüzgar 1,3, A. Tombak 1, C. Özaydın 4, O.Pakma 1,

Detaylı

Döndü Eylül ERGEN YÜKSEK LĐSANS TEZĐ

Döndü Eylül ERGEN YÜKSEK LĐSANS TEZĐ Au/n-GaAs METAL YARIĐLETKEN KONTAKLARIN OPTĐK ÖZELLĐKLERĐNĐN ĐNCELENMESĐ Döndü Eylül ERGEN YÜKSEK LĐSANS TEZĐ FĐZĐK GAZĐ ÜNĐVERSĐTESĐ FEN BĐLĐMLERĐ ENSTĐTÜSÜ MAYIS 2009 ANKARA Döndü Eylül ERGEN tarafından

Detaylı

Al/CuO/p-Si/Al Diyot Yapısının Elektriksel Özellikleri

Al/CuO/p-Si/Al Diyot Yapısının Elektriksel Özellikleri Al/CuO/p-Si/Al Diyot Yapısının Elektriksel Özellikleri Mehmet Faruk Karabat 1, İsmail Arsel 2* 1 Fen Bilimleri Enstitüsü, Batman Üniversitesi, Batman, TÜRKİYE 2 Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Batman

Detaylı

Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi

Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi üzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji ergisi, 2 (2014) 227 234 üzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji ergisi Araştırma Makalesi Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer iyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin

Detaylı

Al/TiO 2 /p-si (MIS) Yapılarında Temel Elektriksel Parametrelerin Akım-Gerilim (I-V) Karakteristiklerinden Hesaplanması

Al/TiO 2 /p-si (MIS) Yapılarında Temel Elektriksel Parametrelerin Akım-Gerilim (I-V) Karakteristiklerinden Hesaplanması KSÜ Fen ve Mühendislik Dergisi, 11(2), 28 67 KSU Journal of Science and Engineering, 11(2), 28 Al/TiO 2 /p-si (MIS) Yapılarında Temel Elektriksel Parametrelerin Akım-Gerilim (I-V) Karakteristiklerinden

Detaylı

ANKARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ DOKTORA TEZİ METAL/TiO 2 /c-si/metal YAPILARINDA YÜZEY ŞARTLARININ ELEKTRİKSEL BELİRTKENLER ÜZERİNDEKİ ETKİSİ Osman PAKMA FİZİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI ANKARA

Detaylı

Ag/Azure A /n-si Schottky Diyodun Elektriksel ve Fotovoltaik Özelliklerinin Araştırılması

Ag/Azure A /n-si Schottky Diyodun Elektriksel ve Fotovoltaik Özelliklerinin Araştırılması Tr. Doğa ve Fen Derg. Tr. J. Nature Sci. 217 Vol. 6 No. 1 B2 Ag/Azure A /n-si Schottky Diyodun Elektriksel ve Fotovoltaik Özelliklerinin Araştırılması Nezir YILDIRIM* 1, Enes DURUMLU 2 Özet Bu çalışmada;

Detaylı

Au/(Zn-KATKILI) POLİVİNİL ALKOL/n-GaAs YAPILARIN HAZIRLANMASI VE AKIM-İLETİM MEKANİZMALARININ GENİŞ BİR SICAKLIK ARALIĞINDA İNCELENMESİ

Au/(Zn-KATKILI) POLİVİNİL ALKOL/n-GaAs YAPILARIN HAZIRLANMASI VE AKIM-İLETİM MEKANİZMALARININ GENİŞ BİR SICAKLIK ARALIĞINDA İNCELENMESİ Au/(Zn-KATKILI) POLİVİNİL ALKOL/n-GaAs YAPILARIN HAZIRLANMASI VE AKIM-İLETİM MEKANİZMALARININ GENİŞ BİR SICAKLIK ARALIĞINDA İNCELENMESİ Hüseyin TECİMER DOKTORA TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI GAZİ ÜNİVERSİTESİ

Detaylı

Au/SiO 2 /n-si (MYY) YAPILARIN ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN SICAKLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ. Mert YILDIRIM YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK

Au/SiO 2 /n-si (MYY) YAPILARIN ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN SICAKLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ. Mert YILDIRIM YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK Au/SiO 2 /n-si (MYY) YAPILARIN ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN SICAKLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ Mert YILDIRIM YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ARALIK 2010 ANKARA Mert YILDIRIM

Detaylı

AL/P-Sİ SCHOTTKY BARİYER DİYOTUN γ-işini RADYASYON ETKİSİ ÜZERİNDE ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN HESAPLANMASI. Serhat GÜLOĞLU

AL/P-Sİ SCHOTTKY BARİYER DİYOTUN γ-işini RADYASYON ETKİSİ ÜZERİNDE ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN HESAPLANMASI. Serhat GÜLOĞLU T.C. DİCLE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ AL/P-Sİ SCHOTTKY BARİYER DİYOTUN γ-işini RADYASYON ETKİSİ ÜZERİNDE ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN HESAPLANMASI Serhat GÜLOĞLU YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK ANABİLİMDALI

Detaylı

Akım ve Direnç. Bölüm 27. Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç

Akım ve Direnç. Bölüm 27. Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç Bölüm 27 Akım ve Direnç Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç Öğr. Gör. Dr. Mehmet Tarakçı http://kisi.deu.edu.tr/mehmet.tarakci/ Elektrik Akımı Elektrik yüklerinin

Detaylı

METAL/ORGANİK/İNORGANİK YARIİLETKEN YAPILARIN SICAKLIĞA BAĞLI OLARAK ELEKTRİKSEL VE OPTİK PARAMETRELERİNİN BELİRLENMESİ

METAL/ORGANİK/İNORGANİK YARIİLETKEN YAPILARIN SICAKLIĞA BAĞLI OLARAK ELEKTRİKSEL VE OPTİK PARAMETRELERİNİN BELİRLENMESİ T.C. DİCLE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ METAL/ORGANİK/İNORGANİK YARIİLETKEN YAPILARIN SICAKLIĞA BAĞLI OLARAK ELEKTRİKSEL VE OPTİK PARAMETRELERİNİN BELİRLENMESİ Enise ÖZERDEN DOKTORA TEZİ FİZİK

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ

GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ DENEY 1 GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ YENİLEBİLİR ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUAR YRD. DOÇ. DR. BEDRİ KEKEZOĞLU DENEY 1 GÜNEŞ ENERJİSİ SİSTEMLERİ 1. GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ Dünyamızın en büyük enerji kaynağı olan

Detaylı

Au/SiO 2 /n-si (MIS) YAPININ ELEKTRİK VE DİELEKTRİK KARAKTERİSTİKLERİNİN SICAKLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ. Ayşe Gül EROĞLU YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK

Au/SiO 2 /n-si (MIS) YAPININ ELEKTRİK VE DİELEKTRİK KARAKTERİSTİKLERİNİN SICAKLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ. Ayşe Gül EROĞLU YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK Au/SiO 2 /n-si (MIS) YAPININ ELEKTRİK VE DİELEKTRİK KARAKTERİSTİKLERİNİN SICAKLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ Ayşe Gül EROĞLU YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ EYLÜL 2011 ANKARA

Detaylı

RF PÜSKÜRTME METODU İLE HAZIRLANAN SiO 2 ARAYÜZEYLİ METAL-YARIİLETKEN KONTAKLARDA PARAMETRELERİN BELİRLENMESİ. Şule DEMİR YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK

RF PÜSKÜRTME METODU İLE HAZIRLANAN SiO 2 ARAYÜZEYLİ METAL-YARIİLETKEN KONTAKLARDA PARAMETRELERİN BELİRLENMESİ. Şule DEMİR YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK RF PÜSKÜRTME METODU İLE HAZIRLANAN SiO ARAYÜZEYLİ METAL-YARIİLETKEN KONTAKLARDA PARAMETRELERİN BELİRLENMESİ Şule DEMİR YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ EKİM 007 ANKARA

Detaylı

T.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ

T.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ T.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ORGANİK ARAYÜZEYLİ GaAs SCHOTTKY DİYODLARIN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU Feza BOY YÜKSEK LİSANS TEZİ Fizik Anabilim Dalını ŞUBAT-2013 KONYA Her Hakkı Saklıdır

Detaylı

EŞANJÖR (ISI DEĞİŞTİRİCİSİ) DENEYİ FÖYÜ

EŞANJÖR (ISI DEĞİŞTİRİCİSİ) DENEYİ FÖYÜ EŞANJÖR (ISI DEĞİŞTİRİCİSİ) DENEYİ FÖYÜ Giriş Isı değiştiricileri (eşanjör) değişik tiplerde olup farklı sıcaklıktaki iki akışkan arasında ısı alışverişini temin ederler. Isı değiştiricileri başlıca yüzeyli

Detaylı

DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT

DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT YALITKAN YARI- İLETKEN METAL DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT Amaç: Birinci deneyde Ohmik bir devre elemanı olan direncin uçları arasındaki gerilimle üzerinden geçen akımın doğru orantılı

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 5: Fotovoltaik Hücre Karakteristikleri Fotovoltaik Hücrede Enerji Dönüşümü Fotovoltaik Hücre Parametreleri I-V İlişkisi Yük Çizgisi Kısa Devre Akımı Açık Devre Voltajı MPP (Maximum

Detaylı

PERİLENSİZ VE PERİLENLİ Al/p-Si SCHOTTKY ENGEL DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN ODA SICAKLIĞINDA KARŞILAŞTIRILMASI.

PERİLENSİZ VE PERİLENLİ Al/p-Si SCHOTTKY ENGEL DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN ODA SICAKLIĞINDA KARŞILAŞTIRILMASI. PERİLENSİZ VE PERİLENLİ Al/p-Si SHOTTKY ENGEL DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN ODA SIAKLIĞINDA KARŞILAŞTIRILMASI Çiğdem BİLKAN YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ AĞUSTOS

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

T.C. SÜLEYMAN DEMĠREL ÜNĠVERSĠTESĠ FEN BĠLĠMLERĠ ENSTĠTÜSÜ

T.C. SÜLEYMAN DEMĠREL ÜNĠVERSĠTESĠ FEN BĠLĠMLERĠ ENSTĠTÜSÜ T.C. SÜLEYMAN DEMĠREL ÜNĠVERSĠTESĠ FEN BĠLĠMLERĠ ENSTĠTÜSÜ Au/(Zn-KATKILI PVA)/n-4HSiC (MPS) YAPILARIN ELEKTRĠK VE DĠELEKTRĠK ÖZELLĠKLERĠNĠN ODA SICAKLIĞINDA ARAYÜZEY TABAKASININ KALINLIĞINA BAĞLI ĠNCELENMESĠ

Detaylı

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV

Detaylı

Prof. Dr. Cevdet COŞKUN. Fizik Katıhal Fiziği Sapanca 01.04.1970. Giresun Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 28100 GİRESUN

Prof. Dr. Cevdet COŞKUN. Fizik Katıhal Fiziği Sapanca 01.04.1970. Giresun Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 28100 GİRESUN Prof. Dr. Cevdet COŞKUN Fizik Katıhal Fiziği Sapanca 01.04.1970 Giresun Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 28100 GİRESUN E-mail:cevdet.coskun@giresun.edu.tr Telefon (Dekanlık):0454 310 1488

Detaylı

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ

Detaylı

DÖRT NOKTA TEKNİĞİ İLE ELEKTRİKSEL İLETKENLİK ÖLÇÜMÜ DENEYİ FÖYÜ

DÖRT NOKTA TEKNİĞİ İLE ELEKTRİKSEL İLETKENLİK ÖLÇÜMÜ DENEYİ FÖYÜ T.C ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MALZEME BİLİMİ VE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MALZEME ÜRETİM ve KARAKTERİZASYON LABORATUVARI DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DÖRT NOKTA TEKNİĞİ İLE ELEKTRİKSEL İLETKENLİK

Detaylı

Sb 2 Te 3 ve Bi 2 Te 3 İÇERİKLİ YARI İLETKEN ALAŞIMLARIN ÜRETİMİ ve TERMOELEKTRİK, YAPISAL, MİKROYAPISAL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ ÖZET

Sb 2 Te 3 ve Bi 2 Te 3 İÇERİKLİ YARI İLETKEN ALAŞIMLARIN ÜRETİMİ ve TERMOELEKTRİK, YAPISAL, MİKROYAPISAL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ ÖZET Sb 2 Te 3 ve Bi 2 Te 3 İÇERİKLİ YARI İLETKEN ALAŞIMLARIN ÜRETİMİ ve TERMOELEKTRİK, YAPISAL, MİKROYAPISAL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Mehmet Burçin PİŞKİN, Emek Möröydor DERUN, Sabriye PİŞKİN YILDIZ TEKNİK

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

Hareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu

Hareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu Akım ve Direnç Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız tartışmalar durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik yüklerinin hareket halinde olduğu durumları inceleyeceğiz.

Detaylı

FARKLI PANEL TİPLERİ İÇİN EŞDEĞER DEVRE MODELİNİN PARAMETRE DEĞERLERİNİN BULUNMASI

FARKLI PANEL TİPLERİ İÇİN EŞDEĞER DEVRE MODELİNİN PARAMETRE DEĞERLERİNİN BULUNMASI FARKLI PANEL TİPLERİ İÇİN EŞDEĞER DEVRE MODELİNİN PARAMETRE DEĞERLERİNİN BULUNMASI Erdem ELİBOL Melih AKTAŞ Nedim TUTKUN Özet Bu çalışmada fotovoltaik güneş panellerinin matematiksel eşdeğer devrelerinden

Detaylı

ÖZGEÇMİŞ. 1. Adı Soyadı : İlke TAŞÇIOĞLU 2. Doğum tarihi : Unvanı : Yrd. Doç. Dr.

ÖZGEÇMİŞ. 1. Adı Soyadı : İlke TAŞÇIOĞLU 2. Doğum tarihi : Unvanı : Yrd. Doç. Dr. ÖZGEÇMİŞ 1. Adı Soyadı : İlke TAŞÇIOĞLU 2. Doğum tarihi : 05.10.1983 3. Unvanı : Yrd. Doç. Dr. 4. Öğrenim Durumu: Derece Alan Üniversite Yıl Lisans Fizik GAZİ ÜNİVERSİTESİ 2005 Lisansüstü Fizik GAZİ ÜNİVERSİTESİ

Detaylı

ORGANİK-İNORGANİK HİBRİT YAPILARIN ELEKTRİKSEL VE FOTOELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU

ORGANİK-İNORGANİK HİBRİT YAPILARIN ELEKTRİKSEL VE FOTOELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU T.C. DİCLE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ORGANİK-İNORGANİK HİBRİT YAPILARIN ELEKTRİKSEL VE FOTOELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU Yusuf Selim OCAK DOKTORA TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI DİYARBAKIR MAYIS 2010

Detaylı

EFFECT OF SURFACE STATES ON ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) DIODES

EFFECT OF SURFACE STATES ON ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) DIODES 11-14 Eylül 00.SDÜ, İsparta " TR03ÖÖÖ33 YMF_P14 EFFECT OF SURFACE STATES ON ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) DIODES Ş. ALTINDAL, 1. DÖKME, A. TATAROĞLU AND R. ŞAHINGÖZ Physic

Detaylı

ATOMİK KATMAN KAPLAMA TEKNİĞİ İLE SENTEZLENEN NANO-ÖLÇEKLİ AL 2 O 3 ARA KATMANLI, YARIİLETKEN MALZEME TEMELLİ SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞA BAĞLI

ATOMİK KATMAN KAPLAMA TEKNİĞİ İLE SENTEZLENEN NANO-ÖLÇEKLİ AL 2 O 3 ARA KATMANLI, YARIİLETKEN MALZEME TEMELLİ SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞA BAĞLI ATOMİK KATMAN KAPLAMA TEKNİĞİ İLE SENTEZLENEN NANO-ÖLÇEKLİ AL 2 O 3 ARA KATMANLI, YARIİLETKEN MALZEME TEMELLİ SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞA BAĞLI ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU Abdulkerim KARABULUT Doktora

Detaylı

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum

Detaylı

ANKARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ DOKTORA TEZİ. /p-si/al YAPILARINDA YÜZEY ŞARTLARININ ELEKTRONİKSEL İLETKENLİĞE ETKİSİ.

ANKARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ DOKTORA TEZİ. /p-si/al YAPILARINDA YÜZEY ŞARTLARININ ELEKTRONİKSEL İLETKENLİĞE ETKİSİ. ANKARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ TR0500018 DOKTORA TEZİ Al/SnO 2 /p-si/al YAPILARINDA YÜZEY ŞARTLARININ ELEKTRONİKSEL İLETKENLİĞE ETKİSİ Serdar KARADENİZ FİZİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI 2001

Detaylı

Mehmet Faruk KARABAT Yüksek Lisans Tezi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. İsmail ARSEL 2014 Her hakkı saklıdır

Mehmet Faruk KARABAT Yüksek Lisans Tezi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. İsmail ARSEL 2014 Her hakkı saklıdır P TİPİ SİLİSYUM TABANLI ALTLIK ÜZERİNE CuO MADDESİNİN KAPLANARAK ELDE EDİLEN YAPILARIN AKIM İLETİM MEKANİZMALARI Mehmet Faruk KARABAT Yüksek Lisans Tezi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. İsmail

Detaylı

T.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ

T.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ T.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ METAL/ORGANİK/İNORGANİK SCHOTTKY DİYODLARIN SICAKLIĞA BAĞLI ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU Narin ŞİMŞİR YÜKSEK LİSANS TEZİ Fizik Anabilim Dalını Temmuz-2012

Detaylı

MUSTAFA KEMAL ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI

MUSTAFA KEMAL ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI I MUSTAFA KEMAL ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI Al/ZnO/p-Si ve Au/CuO/p-Si SCHOTTKY YAPILARIN FARKLI METOTLARLA ELDE EDİLMESİ VE KARAKTERİZASYONU SAMED ÇETİNKAYA YÜKSEK LİSANS

Detaylı

Kobra 3 ile Ohm Yasası

Kobra 3 ile Ohm Yasası Kobra 3 ile Ohm Yasası LEP İlgili konular Ohm yasası, Özdirenz, Kontakt Direnç, İletkenlik, Güç ve İş Prensip Voltaj ile akım arasındaki ilişki farklı rezistörler için ölçülür. Direnç akımla ilglili olan

Detaylı

ÇANAKKALE-ÇAN LİNYİTİNİN KURUMA DAVRANIŞI

ÇANAKKALE-ÇAN LİNYİTİNİN KURUMA DAVRANIŞI ÇANAKKALE-ÇAN LİNYİTİNİN KURUMA DAVRANIŞI Duygu ÖZTAN a, Y. Mert SÖNMEZ a, Duygu UYSAL a, Özkan Murat DOĞAN a, Ufuk GÜNDÜZ ZAFER a, Mustafa ÖZDİNGİŞ b, Selahaddin ANAÇ b, Bekir Zühtü UYSAL a,* a Gazi Üniversitesi,

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Fizik II Elektrik ve Manyetizma Akım, Direnç ve Elektromotor Kuvvet

Fizik II Elektrik ve Manyetizma Akım, Direnç ve Elektromotor Kuvvet Ders Hakkında Fizik-II Elektrik ve Manyetizma Dersinin Amacı Bu dersin amacı, fen ve mühendislik öğrencilerine elektrik ve manyetizmanın temel kanunlarını lisans düzeyinde öğretmektir. Dersin İçeriği Hafta

Detaylı

Cr/Si SCHOTTKY EKLEMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

Cr/Si SCHOTTKY EKLEMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Cr/Si SCHOTTKY EKLEMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Fizikçi Ayşe Evrim BULGURCUOĞLU FBE Fizik Anabilim Dalında Hazırlanan YÜKSEK LİSANS TEZİ

Detaylı

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları Bölüm 7: Elektriksel Özellikler CEVAP ARANACAK SORULAR... Elektriksel iletkenlik ve direnç nasıl tarif edilebilir? İletkenlerin, yarıiletkenlerin ve yalıtkanların ortaya çıkmasında hangi fiziksel süreçler

Detaylı

ELEKTRİK ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

ELEKTRİK ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI ELEKTRİK ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI BCP103 Öğr.Gör. MEHMET GÖL 1 Ders İçeriği Analog ve sayısal sinyal kavramları ler, çeşitleri, uygulama yerleri, direnç renk kodları Kondansatörler, çalışması, çeşitleri,

Detaylı

1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti

1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti Elektronik Devreler 1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar Konunun Özeti * Diyotlar yapım tekniğine bağlı olarak; Nokta temaslı diyotlar,

Detaylı

T.C. GAZİOSMANPAŞA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANA BİLİMDALI

T.C. GAZİOSMANPAŞA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANA BİLİMDALI T.C. GAZİOSMANPAŞA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANA BİLİMDALI Mn/n-GaAs SCHOTTKY DİYOTUNUN HİDROSTATİK BASINÇ ALTINDA ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU HAZIRLAYAN: SADIK ÖNAL DANIŞMAN: Doç. Dr.

Detaylı

N TİPİ SİLİSYUM TABANLI ALTLIK ÜZERİNE PYRENE (C 16 H 10 ) MADDESİNİN KAPLANARAK ELDE EDİLEN YAPILARIN AKIM İLETİM MEKANİZMALARI.

N TİPİ SİLİSYUM TABANLI ALTLIK ÜZERİNE PYRENE (C 16 H 10 ) MADDESİNİN KAPLANARAK ELDE EDİLEN YAPILARIN AKIM İLETİM MEKANİZMALARI. N TİPİ SİLİSYUM TABANLI ALTLIK ÜZERİNE PYRENE (C 16 H 10 ) MADDESİNİN KAPLANARAK ELDE EDİLEN YAPILARIN AKIM İLETİM MEKANİZMALARI Mesut TURMUŞ Yüksek Lisans Tezi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd.Doç. Dr.

Detaylı

Ankara Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 7. Hafta. Aysuhan OZANSOY

Ankara Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 7. Hafta. Aysuhan OZANSOY FİZ102 FİZİK-II Ankara Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 7. Hafta Aysuhan OZANSOY Bölüm 6: Akım, Direnç ve Devreler 1. Elektrik Akımı ve Akım Yoğunluğu 2. Direnç ve Ohm Kanunu 3. Özdirenç 4. Elektromotor

Detaylı

4 ELEKTRİK AKIMLARI. Elektik Akımı ve Akım Yoğunluğu. Elektrik yüklerinin akışına elektrik akımı denir. Yük

4 ELEKTRİK AKIMLARI. Elektik Akımı ve Akım Yoğunluğu. Elektrik yüklerinin akışına elektrik akımı denir. Yük 4 ELEKTRİK AKIMLARI Elektik Akımı ve Akım Yoğunluğu Elektrik yüklerinin akışına elektrik akımı denir. Yük topluluğu bir A alanı boyunca yüzeye dik olarak hareket etsin. Bu yüzeyden t zaman aralığında Q

Detaylı

T.C. BALIKESİR ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI

T.C. BALIKESİR ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI T.C. BALIKESİR ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI Au/p-GaAs 1-x P x /n-gaas YAPILI P-N EKLEM DİYOTUN TAVLANMA SICAKLIKLARINA GÖRE ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU YÜKSEK LİSANS TEZİ Tuğçe

Detaylı

ÖZGEÇMİŞ. : Giresun Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, GİRESUN

ÖZGEÇMİŞ. : Giresun Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, GİRESUN ÖZGEÇMİŞ 1. Adı Soyadı : Cevdet COŞKUN Adres : Giresun Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, GİRESUN Telefon : +90 (454) 310 1363 E-posta : cevdet.coskun@giresun.edu.tr 2. Doğum Tarihi : 01.04.1970

Detaylı

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 2. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 2. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 2 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 3/1/2015 1 P-N BİRLEŞİM DİYOTU Günümüzde çoğu

Detaylı

Seydişehir Alüminasında Gözlemlenen Feding Olayının Tünel Mekanizması ile Açıklanması

Seydişehir Alüminasında Gözlemlenen Feding Olayının Tünel Mekanizması ile Açıklanması Seydişehir Alüminasında Gözlemlenen Feding Olayının Tünel Mekanizması ile Açıklanması Erdem UZUN 1, Yasemin YILDIZ YARAR 2, A. Necmeddin YAZICI 3 1 Karamanoğlu Mehmetbey Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik

Detaylı

1,3-BİS-(P-İMİNOBENZOİK ASİT) İNDAN LANGMUIR-BLODGETT (LB) FİLMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ

1,3-BİS-(P-İMİNOBENZOİK ASİT) İNDAN LANGMUIR-BLODGETT (LB) FİLMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ 1,3-BİS-(P-İMİNOBENZOİK ASİT) İNDAN LANGMUIR-BLODGETT (LB) FİLMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ Hüseyin SARI 1, Tayfun UZUNOĞLU, Onur TURHAN* Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği

Detaylı

AR-GE miz TARAFINDAN TASARLANAN SİSTEMLER. made in TURKEY

AR-GE miz TARAFINDAN TASARLANAN SİSTEMLER. made in TURKEY AR-GE miz TARAFINDAN TASARLANAN SİSTEMLER made in TURKEY HALL EFFECT ÖLÇÜM SİSTEMİ TEKNİK ÖZELLİKLER Van Der Pauw tekniği ile Hall Effect ölçümleri N / P tipi yarıiletken tayini Magneto resistans Halk

Detaylı

Bölüm 5: Yayınma (Difüzyon)

Bölüm 5: Yayınma (Difüzyon) Bölüm 5: Yayınma (ifüzyon) Yayınma nasıl gerçekleşir? İşlemdeki önemi nedir? Yayınma hızı bazı basit durumlar için nasıl tahmin edilir? Yayınma yapıya ve sıcaklığa nasıl bağlıdır? hapter 5 - Yayınma (ifüzyon)

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

ÇİNKO FTALOSİYANİN TABANLI HETEROEKLEMİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ. Mustafa Yıldız. YÜKSEK LİSANS TEZİ Fizik Anabilim Dalı

ÇİNKO FTALOSİYANİN TABANLI HETEROEKLEMİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ. Mustafa Yıldız. YÜKSEK LİSANS TEZİ Fizik Anabilim Dalı T.C. DİCLE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ÇİNKO FTALOSİYANİN TABANLI HETEROEKLEMİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ Mustafa Yıldız YÜKSEK LİSANS TEZİ Fizik Anabilim Dalı DİYARBAKIR Haziran-2012

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Optik Sensörler Üzerine düşen ışığa bağlı olarak üstünden geçen akımı değiştiren elemanlara optik eleman denir. Optik transdüserler ışık miktarındaki değişmeleri elektriksel

Detaylı

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir.

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir. Bir fuel cell in teorik açık devre gerilimi: Formülüne göre 100 oc altinda yaklaşık 1.2 V dur. Fakat gerçekte bu değere hiçbir zaman ulaşılamaz. Şekil 3.1 de normal hava basıncında ve yaklaşık 70 oc da

Detaylı

ÖZGEÇMĠġ. Derece Bölüm/Program Üniversite Yıl. Doçentlik Fizik Mühendisliği YÖK, Üniversitelerarası Kurul 2010

ÖZGEÇMĠġ. Derece Bölüm/Program Üniversite Yıl. Doçentlik Fizik Mühendisliği YÖK, Üniversitelerarası Kurul 2010 ÖZGEÇMĠġ KiĢisel Bilgiler Adı-Soyadı: Adres: Serdar KARADENİZ ĠĢ Telefon: (454) 310 4131 Giresun Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü Güre Mevkii Çamlık Tesisleri 28010

Detaylı

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,

Detaylı

ELEKTRONİK LAB. I DİYOT KARAKTERİSTİĞİ

ELEKTRONİK LAB. I DİYOT KARAKTERİSTİĞİ KURALLAR: Deneye isminizin bulunduğu grupla beraber, ilgili saat ve günde geliniz. Deney grubu değişiklikleri için (başka bir dersle çakışması vb. durumlarda) deneyden sorumlu öğretim elemanı ile görüşebilirsiniz.

Detaylı

DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı 1. Deneyin Amacı DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot çeşitlerinin

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

2014/2 MÜHENDİSLİK BÖLÜMLERİ FİZİK 2 UYGULAMA 4

2014/2 MÜHENDİSLİK BÖLÜMLERİ FİZİK 2 UYGULAMA 4 2014/2 MÜHENDİSLİK BÖLÜMLERİ FİZİK 2 UYGULAMA 4 (SIĞA ve DİELEKTRİK/AKIM&DİRENÇ ve DOĞRU AKIM DEVRELERİ) 1. Yüzölçümleri 200 cm 2, aralarındaki mesafe 0.4 cm olan ve birbirlerinden hava boşluğu ile ayrılan

Detaylı

The Determination of Series Resistance Parameter of Sb Doped TiO 2 / n Si MIS Structure by Capacitance Voltage (C V) Method

The Determination of Series Resistance Parameter of Sb Doped TiO 2 / n Si MIS Structure by Capacitance Voltage (C V) Method Afyon Kocatepe Üniveritei Fen Bilimleri Dergii Afyon Kocatepe Univerity Journal of Science AKÜ FEBİD 11 (2011) 011101 (1 8) AKU J. Sci. 11 (2011) 011101 (1 8) Kapaitan Voltaj (C V) Yöntemiyle Sb Katkılı

Detaylı

Au/ZnO/n-GaAs (MIS) SCHOTTKY ENGEL DİYOTLARIN (SBDs) ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERİNİN FREKANS VE VOLTAJA BAĞLI İNCELENMESİ.

Au/ZnO/n-GaAs (MIS) SCHOTTKY ENGEL DİYOTLARIN (SBDs) ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERİNİN FREKANS VE VOLTAJA BAĞLI İNCELENMESİ. Au/ZnO/n-GaAs (MIS) SCHOTTKY ENGEL DİYOTLARIN (SBDs) ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERİNİN FREKANS VE VOLTAJA BAĞLI İNCELENMESİ Buket AKIN YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ

Detaylı

( PİRUVİK ASİT + SU + ALKOL ) ÜÇLÜ SIVI-SIVI SİSTEMLERİNİN DAĞILIM DENGESİNİN İNCELENMESİ

( PİRUVİK ASİT + SU + ALKOL ) ÜÇLÜ SIVI-SIVI SİSTEMLERİNİN DAĞILIM DENGESİNİN İNCELENMESİ TOA17 ( PİRUVİK ASİT + SU + ALKOL ) ÜÇLÜ SIVI-SIVI SİSTEMLERİNİN DAĞILIM DENGESİNİN İNCELENMESİ B. Başlıoğlu, A. Şenol İstanbul Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Kimya Mühendisliği Bölümü, 34320, Avcılar

Detaylı

Şekil 1. R dirençli basit bir devre

Şekil 1. R dirençli basit bir devre DENEY 2. OHM KANUNU Amaç: incelenmesi. Elektrik devrelerinde gerilim, akım ve direnç arasındaki ilişkinin Ohm kanunu ile Kuramsal Bilgi: Bir iletkenden geçen elektrik akımına karşı, iletken maddenin içyapısına

Detaylı

OPEN-END İPLİKÇİLİĞİNDE FARKLI ÇAPTA ROTOR KULLANIMININ İPLİK KALİTESİNE ETKİLERİNİN İNCELENMESİ

OPEN-END İPLİKÇİLİĞİNDE FARKLI ÇAPTA ROTOR KULLANIMININ İPLİK KALİTESİNE ETKİLERİNİN İNCELENMESİ Uludağ Üniversitesi Mühendislik-Mimarlık Fakültesi Dergisi, Cilt 9, Sayı 1, 2004 OPEN-END İPLİKÇİLİĞİNDE FARKLI ÇAPTA ROTOR KULLANIMININ İPLİK KALİTESİNE ETKİLERİNİN İNCELENMESİ Remzi GEMCİ * Ahmet KAPUÇAM

Detaylı

Ölçme Kontrol ve Otomasyon Sistemleri 1

Ölçme Kontrol ve Otomasyon Sistemleri 1 Ölçme Kontrol ve Otomasyon Sistemleri 1 Dr. Mehmet Ali DAYIOĞLU Ankara Üniversitesi Ziraat Fakültesi Tarım Makinaları ve Teknolojileri Mühendisliği Bölümü 1. Elektroniğe giriş Akım, voltaj, direnç, elektriksel

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN 1. GĐRĐŞ Güneş enerjisinden elektrik enerjisi üretilmesi işlemi, çeşitli alanlarda uygulanmıştır. Fakat güneş enerjisinin depolanması

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DOYMA BASINCI DENEY FÖYÜ 3

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DOYMA BASINCI DENEY FÖYÜ 3 BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DOYMA BASINCI DENEY FÖYÜ 3 Hazırlayan: Arş. Gör. Gülcan ÖZEL 1. Deney Adı: Doyma çizgisi kavramı 2. Deney Amacı:

Detaylı

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim

Detaylı

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ Sakarya Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü M6/6318 Bölümün tanıtılması Elektrik Elektronik Mühendisliğinin tanıtılması Mühendislik Etiği Birim Sistemleri Doğru ve

Detaylı

ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ

ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ ÖZGEÇMİŞ Adı Soyadı: Behzad BARIġ Doğum Tarihi: 28 Kasım 1962 Öğrenim Durumu: Derece Bölüm/Program Üniversite Yıl Lisans Fizik Mühendisliği Ankara Üniversitesi 1991 Y. Lisans

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

5. BORU HATLARI VE BORU BOYUTLARI

5. BORU HATLARI VE BORU BOYUTLARI h 1 h f h 2 1 5. BORU HATLARI VE BORU BOYUTLARI (Ref. e_makaleleri) Sıvılar Bernoulli teoremine göre, bir akışkanın bir borudan akabilmesi için, aşağıdaki şekilde şematik olarak gösterildiği gibi, 1 noktasındaki

Detaylı

KRİSTAL KUSURLARI BÖLÜM 3. Bağlar + Kristal yapısı + Kusurlar. Özellikler. Kusurlar malzeme özelliğini önemli ölçüde etkiler.

KRİSTAL KUSURLARI BÖLÜM 3. Bağlar + Kristal yapısı + Kusurlar. Özellikler. Kusurlar malzeme özelliğini önemli ölçüde etkiler. KRİSTAL KUSURLARI Bağlar + Kristal yapısı + Kusurlar Özellikler Kusurlar malzeme özelliğini önemli ölçüde etkiler. 2 1 Yarıiletken alttaş üretiminde kullanılan silikon kristalleri neden belli ölçüde fosfor

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

HALL EFFECT ÖLÇÜM SİSTEMLERİ VE PROB İSTASYONU. made in KOREA

HALL EFFECT ÖLÇÜM SİSTEMLERİ VE PROB İSTASYONU. made in KOREA HALL EFFECT ÖLÇÜM SİSTEMLERİ VE PROB İSTASYONU made in KOREA 0 312 222 20 43 www.teknis.com.tr 37 HMS 3000 SERİSİ HALL EFFECT GENEL ÖZELLİKLER Van Der Pauw tekniği ile Hall Effect ölçümleri N / P tipi

Detaylı

Al/P-Si/Zno/Al Foto Diyotun Üretimi ve Elektriksel Karakterizasyonu

Al/P-Si/Zno/Al Foto Diyotun Üretimi ve Elektriksel Karakterizasyonu Fırat Üniv. Müh. Bil. Dergisi Science and Eng. J of Fırat Univ. 29(1), 327-332, 217 29(1), 327-332, 217 Al/P-Si/Zno/Al Foto Diyotun Üretimi ve Elektriksel Karakterizasyonu Özet Mehmet ÇAVAŞ Department

Detaylı

Delta Tipi Engel Potansiyeli Olan Kane Tipi Yarıiletkenlerde Elektronların Etkin g-çarpanı

Delta Tipi Engel Potansiyeli Olan Kane Tipi Yarıiletkenlerde Elektronların Etkin g-çarpanı Delta Tipi Engel Potansiyeli Olan Kane Tipi Yarıiletkenlerde Elektronların Etkin g-çarpanı Arif Babanlı 1,*, Deniz Türköz Altuğ 2 1 Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,

Detaylı

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre

Detaylı

ĐNCELENMESĐ. Muharrem GÖKÇEN DOKTORA TEZĐ GAZĐ ÜNĐVERSĐTESĐ FEN BĐLĐMLERĐ ENSTĐTÜSÜ KASIM 2008 ANKARA

ĐNCELENMESĐ. Muharrem GÖKÇEN DOKTORA TEZĐ GAZĐ ÜNĐVERSĐTESĐ FEN BĐLĐMLERĐ ENSTĐTÜSÜ KASIM 2008 ANKARA Au/SiO 2 /n-gaas (MOY) YAPILARIN ELEKTRĐK VE DĐELEKTRĐK KARAKTERĐSTĐKLERĐNĐN FREKANS VE SICAKLIĞA BAĞLI ĐNCELENMESĐ Muharrem GÖKÇEN DOKTORA TEZĐ FĐZĐK GAZĐ ÜNĐVERSĐTESĐ FEN BĐLĐMLERĐ ENSTĐTÜSÜ KASIM 2008

Detaylı

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları 1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik

Detaylı

KİNETİK GAZ KURAMI. Doç. Dr. Faruk GÖKMEŞE Kimya Bölümü Hitit Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi 1

KİNETİK GAZ KURAMI. Doç. Dr. Faruk GÖKMEŞE Kimya Bölümü Hitit Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi 1 Kinetik Gaz Kuramından Gazların Isınma Isılarının Bulunması Sabit hacimdeki ısınma ısısı (C v ): Sabit hacimde bulunan bir mol gazın sıcaklığını 1K değiştirmek için gerekli ısı alışverişi. Sabit basınçtaki

Detaylı

In 2 S 3 İNCE FİLMİNİN n-inp ALTLIK ÜZERİNE KİMYASAL PÜSKÜRTME METODUYLA BÜYÜTÜLMESİ VE ÜRETİLEN Au/n-InP/In VE Au/In 2 S 3 /n-inp/in YAPILARIN

In 2 S 3 İNCE FİLMİNİN n-inp ALTLIK ÜZERİNE KİMYASAL PÜSKÜRTME METODUYLA BÜYÜTÜLMESİ VE ÜRETİLEN Au/n-InP/In VE Au/In 2 S 3 /n-inp/in YAPILARIN In 2 S 3 İNCE FİLMİNİN n-inp ALTLIK ÜZERİNE KİMYASAL PÜSKÜRTME METODUYLA BÜYÜTÜLMESİ VE ÜRETİLEN Au/n-InP/In VE Au/In 2 S 3 /n-inp/in YAPILARIN NUMUNE SICAKLIĞINA BAĞLI OLARAK ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERİNİN

Detaylı

PV PANELLERİN YAPISI VE PANELLERDEN ELEKTRİK ÜRETİMİNE SICAKLIĞIN ETKİSİ

PV PANELLERİN YAPISI VE PANELLERDEN ELEKTRİK ÜRETİMİNE SICAKLIĞIN ETKİSİ PV PANELLERİN YAPISI VE PANELLERDEN ELEKTRİK ÜRETİMİNE SICAKLIĞIN ETKİSİ Taner ÇARKIT Elektrik Elektronik Mühendisi tanercarkit.is@gmail.com Abstract DC voltage occurs when light falls on the terminals

Detaylı

Hazırlayan: Tugay ARSLAN

Hazırlayan: Tugay ARSLAN Hazırlayan: Tugay ARSLAN ELEKTRİKSEL TERİMLER Nikola Tesla Thomas Edison KONULAR VOLTAJ AKIM DİRENÇ GÜÇ KISA DEVRE AÇIK DEVRE AC DC VOLTAJ Gerilim ya da voltaj (elektrik potansiyeli farkı) elektronları

Detaylı