BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:"

Transkript

1 ÖLÜM 6 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLEİ Konular: 6.1 Küçük sinyal yükseltme işlemi 6.2 Transistörün ac eşdeğer dereleri 6.3 Ortak emiterli yükselteç 6.4 Ortak beyzli yükselteç 6.5 Ortak kolektörlü yükselteç 6.6 Çok katlı sistemler 6.7 Onarım Amaçlar: Küçük sinyal yükselteçlerinin tanıtımı e özellikleri Transistörlerin ac parametreleri Ortak emiterli yükselteç deresinin özellikleri, çalışması e analizi Ortak beyzli yükselteç deresinin özellikleri, çalışması e analizi Ortak kollektörlü yükselteç deresinin özellikleri, çalışması e analizi Çok katlı (kaskat bağlı yükselteç derelerinin çalışmaları e analizi Yükselteçlerde arıza tipleri e onarım u bölümde transistörün yükselteç olarak nasıl çalıştırılacağını öğreneceksiniz. Yükselteç tasarımında dikkat edilmesi gereken özellikleri belirleyip, küçük işaretlerin nasıl yükseltildiğini göreceksiniz.

2 6.1 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTME İŞLEMİ Önceki bölümde bir transistörün çalışabilmesi için dc polarmaya gereksinim duyduğunu belirtmiştik. Polarma işlemi sonunda transistörün çalışma bölgesini belirleyip işaret işlemeye hazır hale getirmiştik. Tüm hazırlıklar transistörü bir yükselteç (amplifier olarak çalıştırmaya hazırlamaktı. u bölümde transistörün küçük işaretleri nasıl yükselttiğini irdeleyeceğiz. Transistörlü yükselteç dereleri genellikle küçük sinyal e güç yükselteçleri olmak üzere iki temel bölümde incelenir. Örneğin; mikrofon, anten.b cihazların çıkışlarından alınan işaretleri yükseltmek amacı ile kullanılan yükselteç dereleri küçük sinyal yükselteçleri olarak adlandırılır. u tür yükselteçler girişlerine uygulanan küçük işaretlerin gerilimlerini yükselterek çıkışa aktarırlar. u bölümde sıra ile; Yükselteç derelerinde ac e dc işaretlerin nasıl gösterildiğini Küçük sinyal yükselteçlerinde yükseltme işleminin nasıl gerçekleştirildiğini Ac işaretler için yük doğrusunun analizini Öğreneceksiniz. Yükselteç derelerinin analizi iki temelde yapılmaktadır. unları kısaca dc çalışma şartlarının analizi e ac çalışma şartlarının analizi olarak tanımlayabiliriz. Yükselteç derelerinde dc işaretlerin tanımlanmasında genellikle alfabenin büyük harfler kullanılır. IE, VE e VE.b gibi. Oysaki ac işaretlerin çeşitli değerleri ardır. Etkin (rms değer, tepe değer (peak, tepeden tepeye (peak-to-peak, etkin (rms değer gibi. Genel bir kabul olarak ac işaretler tanımlanırken alfabedeki küçük harfler italik formda kullanılır. Örneğin; ic, ib, ce, be.b gibi. Örneğin bir transistörün ac işarete karşı gösterdiği emiter direnci e, olarak dc işarete gösterdiği emiter direnci ise E olarak tanımlanır. Küçük Sinyal Yükselteci Tipik bir küçük sinyal yükselteç deresi şekil-6.1 de erilmiştir. Yükseltilecek sinusoydal işaret transistörün beyz terminaline uygulanmıştır. Yükseltilmiş çıkış ise transistör kollektör terminalinden L yükü üzerine alınmıştır. s direnci ac işaret kaynağının iç direncidir. Transistörün polarma gerilim e akımlarını girişteki ac kaynaktan e çıkıştaki L yükünden yalıtmak amacı ile 1 e 2 kondansatörleri kullanılmıştır. 161

3 V I c I Q V b 1 2 V ce s 1 I b V EQ V s 2 E L Şekil-6.1 Gerilim bölücü polarmalı küçük işaret yükselteç deresi aşlangıçta yükselteç deresine ac işaretin uygulanmadığını, sadece dc kaynağın ar olduğunu kabul edelim. Doğal olarak dc kaynak, transistör polarmasını sağlayacak e çalışma noktasını belirleyecektir. Transistörün aktif bölgede çalıştığını kabul edelim. u durumda transistör iletimdedir. elirli bir dc kollektör akım (I e gerilimine (VE sahiptir. Transistör artık yükseltme işlemine hazırdır. Çünkü aktif bölgede çalışıyor. Şimdi transistörün beyz inden küçük genlikli bir sinüsoydal işaretin uygulandığını arsayalım. Sinüsoydal işaretin pozitif saykılı beyz akımında artmaya neden olacaktır. eyz akımının artması kollektör akımında da artmaya neden olacaktır. Giriş sinüsoydal işaretinin sıfıra inmesi durumunda ise mecut beyz akımı değeri transistörün Q çalışma noktasındaki değere geri dönmesine neden olacaktır. Giriş sinüsoydal işaretinin negatif saykılı ise beyz akımını azaltıcı yönde etki edecektir. Dolayısıyla transistörün Q noktasındaki kollektör akımı değerini de azaltacaktır. u durum giriş sinüsoydal işareti ar olduğu sürece tekrarlanacaktır. Yükselteç girişine uygulanan sinüsoydal işaretin transistörün çalışma noktası (Q değerlerinde oluşturduğu değişim (yükselme-azalma şekil-6.2 de grafiksel olarak gösterilmiştir. Grafikten de görüldüğü gibi giriş beyz akımındaki çok küçük bir miktar değişim, transistörün çıkış kollektör akımında büyük miktarlarda değişime neden olmaktadır. Kısaca girişten uygulanan işaret, çıkışta yükseltilmiştir. Grafikten görüldüğü gibi giriş beyz akımındaki değişim µa düzeyinde olurken, çıkış kollektör akımındaki değişim ise ma düzeyindedir. Şekil-6.2 de erilen grafiği analiz edelim. Transistör sükunet halinde (girişte ac işaret yok Q çalışma noktasında I30µA, I3mA e VE4V değerlerine sahiptir. Transistör (yükselteç girişine tepe değeri 10µA olan bir sinüsoydal işaret uygulandığında ise; Transistörün beyz akımındaki değişim 20µA ile 30µA arasında olmuştur. una karşılık transistörün kollektör akımı 2mA ile 4mA arasında değişmiştir. Sonuçta; transistör girişine uygulanan e tepe değeri 20µA olan sinüsoydal işaret, çıkıştan yine sinüsoydal olarak fakat tepe değeri 4mA olarak alınmıştır. Aynı şekilde VE değerinde de bir değişim söz konusudur. 162

4 µa Düzeyinde artma e azalma I (ma I b ma Düzeyinde artma e azalma I c 4 40µA 3 30µA Q 2 20µA V E (V V ce Şekil-6.2 Yükselteç deresinde yükseltme işleminin grafiksel analizi 6.2 TANSİSTÖÜN A EŞDEĞE DEVESİ Transistörlü yükselteçlerin ac işaretlerde analizi oldukça karmaşık yapılar ortaya çıkarabilir. Analizi kolaylaştırıp pratik hale getirmek için çeşitli yöntemler geliştirilmiştir. Küçük sinyal analizinde en uygun e pratik yöntem; transistörün eşdeğer dere modellerinden yararlanmaktır. Transistörün ac eşdeğer dere modellemesinde kullanılan başlıca iki tip parametre ardır. unlar; h eya hibrit parametresi, diğeri ise r parametresi olarak bilinir e tanımlanırlar. u bölümde; transistörün ac eşdeğer dere modellemesinde kullanmak üzere, hibrit- modeli tanıtılacaktır. Transistör ac Eşdeğeri Küçük sinyal yükselteçlerinin ac analizinde kullanılmak üzere, çeşitli dere modellemeleri geliştirilmiştir. u bölümde; transistörün ac eşdeğer deresi için Hibrid- (Hybrid modeli tanıtılacaktır. u model, diğerlerine göre basit yapıdadır e kullanımı daha kolaydır. Dolayısıyla transistörün ac analizde bu modelden yararlanılacaktır. Küçük sinyal yükselteçlerinde ipolar Jonksiyon Transistör (JT şekil-6.3 de erilen hiprid- dere modeli ile temsil edilebilir. u eşdeğer dere modelinde; gm e r olarak erilen parametreler transistörün kollektör akımı I değerine bağımlıdır. Dolayısı ile hibrid- modeli transistörün belirli bir çalışma noktasında kullanılabilir. 163

5 r g m r 0 - E Şekil-6.3 ipolar jonksiyon transistör için hibrid- modeli Eşdeğer dere modelinde kullanılan parametreler sırasıyla;, transistörün beyz-emiter (be sinyal gerilimini gm, transkondüktansını (iletkenliğini r, transistörün beyz-emiter arası giriş direncini temsil etmektedir. u parametrele ile ilgili ayrıntılı bilgiler ileriki bölümlerde erilecektir. Transistörün transkondüktans (gm e giriş direnci değerleri (r aşağıdaki gibi erilir. g m I V T I 26mV r β g m Görüldüğü gibi her iki parametrede kollektör akımının değerine bağlıdır. u sebeple yukarıda da belirtildiği gibi hibrid- modelini kullanmak için transistörün çalışma noktasındaki I değerinin bilinmesi zorunludur. Eşdeğer dere modelinde transistörün çıkış akımı bağımlı bir kaynak ile tanımlanmıştır. Transistörün çıkış akımı I; i c β ib gm gm r i b şeklinde yazılabilir. Şekil-6.3 de erilen eşdeğer dere modelinde görüldüğü gibi transistörün sahip olduğu bir çıkış direnci ardır. u direnç r0 ile sembolize edilmiştir. Transistörün çıkış direnci r0, yükseltecin kazancı hesaplanırken kimi durumlarda örneğin << r0 olduğunda ihmal edilebilir. u konu ileride işlenecektir. Küçük Sinyal Eşdeğer Deresinin Kullanımı Transistörlü bir yükselteç deresinin küçük sinyal analizi iki aşamada yapılır. Analiz de dc e ac kaynakların neden olduğu etkenler ayrı ayrı incelenmelidir. u yöntem analizi kolaylaştırır. Transistörün bir yükselteç olarak çalışabilmesi için öncelikli koşul aktif bölgede çalışmasıdır. u ise dc polarma ile sağlanır. Transistörlü yükselteçlerinin analizinde ilk aşama dc polarma akım e gerilimlerinin sağlanıp çalışma noktasının belirlenmesidir. Yapılan yükselteç tasarımı eya analizinde eğer transistör aktif bölgede çalışmıyorsa, ac analiz yapmanın anlamı olmayacaktır. Transistörlü bir yükselteç deresinde dc e ac analiz için yapılacak işlemler aşağıda adım adım anlatılmıştır. Örneğin şekil-6.4.a da erilen yükselteç için dc e ac analizi ayrı ayrı gerçekleştirelim. 164

6 V V V s V V a Yükselteç deresi b dc analiz için eşdeğer gösterim Şekil-6.4.a.b Transistörlü yükselteç deresi e dc analiz için eşdeğer dere ir yükselteç deresinde dc analiz yapılırken, ac kaynaklar kısa dere edilir. Eğer yükselteç deresinde kondansatörler arsa açık dere edilmelidir. Çünkü kondansatörler dc sinyale açık dere gibi daranırlar. Küçük sinyal yükselteci için derenin dc eşdeğeri şekil-5.6.b de çizilmiştir. D çalışmada gerekli analizler yapılarak transistörün çalışma bölgesi belirlenir. Transistör aktif bölgede çalıştırılıyorsa ac analize geçilebilir. Aktif bölgede çalışmayan bir transistör için ac analiz yapmak gereksizdir. Çünkü bir kazanç eya yükseltme söz konusu değildir. Transistörlü yükselteç deresinin ac yapılırken doğal olarak derenin ac kaynağa tepkisi incelenecektir. Dolayısıyla derede bulunan dc kaynaklar yok edilmelidir. unun için dc kaynaklar dereden çıkartılarak yerleri kısa dere edilir. Ayrıca derede kondansatörler arsa kısa dere edilmelidir. Çünkü kapasitörlerin orta frekans bölgesinde kısa dere daranışı gösterdiği kabul edilir. Şekil-6.4 de erilen küçük sinyal yükselteç deresinin ac eşdeğer gösterimi e ac eşdeğer dere modeli görülmektedir. V r Л Transistör Eşdeğeri Л 0 V s V s V s - g m Л c V V E a Yükselteç deresi b ac analiz için eşdeğer gösterim c ac analiz için eşdeğer dere modeli Şekil-6.4 Transistörlü küçük sinyal yükseltecinin ac eşdeğeri e dere modellemesi Şekil-6.4.c de erilen ac dere modellemesi kullanılarak yükselteç deresi için gerekli analizler yapılır. Küçük işaret yükselteçlerinin eşdeğer dere modellemeleri ileri ki bölümlerde ayrıntıları ile erilecektir. Ac e dc dere modellemeleri kullanılarak gerekli analizler e çözümler ayrıntılı olarak yapılacaktır. Konunun daha iyi anlaşılması için aşağıda örnek bir dere analizi erilmiştir. Dikkatlice inceleyiniz. 165

7 Örnek: 6.1 Şekil-6.5.a da erilen yükselteç deresinin küçük sinyaller için dc e ac analizini yapınız. β150, VE0.7V V 12V V 12V 2.2KΩ 2.2KΩ V s V 220KΩ 5V V 220KΩ 5V a Yükselteç deresi b dc analiz için eşdeğer gösterim Şekil-6.5.a e b Transistörlü yükselteç deresi e dc eşdeğeri Çözüm a. dc analiz Yükselteci dc çalışma şartlarının belirlenmesinde ilk adım derenin dc eşdeğerinin çizilmesidir. Dc eşdeğer çizimi için deredeki ac kaynak 0V, kapasitörler ise açık dere kabul edilir. Yapılan kabuller sonucunda yükselteç deresinin dc eşdeğeri şekil-6.5.b de erildiği gibidir. İkinci adım transistör sükunet halinde iken (derede ac işaret yokken çalışma bölgesi akım e gerilimlerinin (I e VE belirlenmesidir. unun için dereden çere gerilimlerinden yararlanarak I akımını bulalım. I V V E I mA 19 A 220KΩ 220KΩ µ I β I ( 150 (19µ A 2850µ A 2. 85mA VE V I 12 V (2.85mA 2.2KΩ 5. 73V elde edilen değerler bize transistörün aktif bölgede çalıştığı belirtmektedir. Dolayısı ile transistör yükseltme (amplifikasyon için uygun bölgede çalışmaktadır. O halde erilen derenin ac analizine geçebiliriz. b. ac analiz Şekil-6.5.a da erilen transistörlü yükselteç deresinin küçük sinyal için ac analizi yapalım. İlk adım ac eşdeğer dereyi çizmektir. unun için deredeki dc gerilim kaynağı e kapasitörler kısa dere edilir. Yapılan bu işlemler sonucunda deremizin ac eşdeğeri e hibrid-л dere modeli şekil-6.6 da yükselteç deresi ile birlikte erilmiştir. Yükseltecin eşdeğer dere modelinde, transistörün sahip olduğu r0 çıkış direnci ihmal edilerek gösterilmemiştir. Transistörün çıkış direnci, direncinden çok (<<r0 büyüktür. Dolayısı ile ihmal edilebilir. 166

8 V s 220KΩ 2.2KΩ V s 220KΩ r Л Л - E g m Л - c 2K2 0 a ac analiz için eşdeğer gösterim b ac analiz için eşdeğer dere modeli Şekil-6.6.a e b Transistörlü yükselteç deresi e ac eşdeğeri gösterimi Yükselteç girişine yükseltilmek amacıyla uygulanan giriş sinyali s, yükselteç çıkışında 0 olarak alınmaktadır. Çıkış işareti kollektör noktasındaki gerilimdir. Dolayısıyla direnci üzerinde görülen ac değerdir. Derenin çözümünde ikinci adım ac eşdeğer için gereken parametrelerin bulunmasıdır. Önce transistörün trankondüktans e beyz-emiter sinyal gerilimi değerlerini bulalım. I 2.85mA g m 109.6mA / V V 26mV r T β KΩ g 109.6mA m olarak bulunur. Şimdi yükseltecin çıkış ac gerilim değerini bulalım. Eşdeğer dereden direnci üzerinden geçen akımın gmл olduğu görülmektedir. direnci üzerindeki ac gerilim ohm kanunu kullanılarak bulunur. Vc; c g m u gerilimin yönü eşdeğer derede (şekil-6.6.b gösterildiği gibi akım yönüyle bağlantılı olacaktır. Akımın girdiği yer (, çıktığı yer (- olduğuna göre bu işaretleme kollektör direnci üzerindeki gerilimin yönüyle terstir. u işaretlemeye göre çıkış gerilimi 0, kollektör direnci üzerindeki gerilime göre terstir e faz farklı olacaktır. u nedenle yükseltecin ac çıkış gerilim; 0 g m olacaktır. u eşitlikte sadece Л değeri bilinmemektedir. u değeri bulalım. Şekil-5.7 de erilen eşdeğer derenin giriş çeresini kullanarak; s 1.36KΩ KΩ 1.36KΩ s π rπ rπ s 167

9 ulunan bu eşitlik gerilimi belirlenir. g 0 g m denkleminde yerine yazılırsa yükseltecin çıkış g 0 g m 3 0 x (109.6 x 10 (0.006 s ( (109.6 x 10 (0.006 s (2.2 x s 43 Artık yükseltecin gerilim kazancını bulabiliriz. Yükselteçlerde gerilim kazancı çıkış gerilimin giriş gerilimine oranıdır. 0 A V 1.43 s YÜKSELTEÇLEDE AĞLANTI TİPLEİ Transistörlü yükselteçler; derede kullanılan bipolar jonksiyon transistörün bağlantı şekline adlandırılırlar. aşlıca üç tip bağlantı şekli ardır. Ortak emiterli, ortak beyzli e ortak kolektörlü. Her bir bağlantı tipinin farklı özellikleri e işleleri ardır. Dolayısı ile farklı amaçlar için farklı yerlerde kullanılabilirler. u bölümde; ortak emiterli yükselteç (commen-emiter amplifier, ortak kollektörlü yükselteç (common-collector amplifier e ortak beyzli yükselteç (common-base amplifier deresinin temel bağlantı şekillerini analiz edip, temel özelliklerini urgulayacağız. Her bir yükselteç deresi için gerekli dc e ac analizleri ise ileri bölümlerde gerçekleştireceğiz. Temel bir yükselteç deresinin blok diyagramı şekil-6.7 de erilmiştir. Yükselteç girişine uygulanan işaret, belirli işlemlerden geçirilir e yükseltilerek çıkışa aktarılır. u durum, yükselteç deresinin temel işleidir. Giriş Transistörlü Yükselteç Çıkış Şekil-6.7 Temel bir yükseltecin blok diyagramı 168

10 lok diyagramda görüldüğü gibi yükselteç için 2 giriş e 2 çıkış terminali gereklidir. Transistörlü yükselteç derelerinde kullanılan temel eleman ise transistördür. Transistör 3 uçlu bir dere elamanıdır. Dolayısıyla yükselteç tasarımında transistörün bir terminali giriş e çıkış için ortak uç olarak kullanılır. u nedenle yükselteçler, transistörün bağlantı şekillerine göre sınıflandırılırlar. Örneğin ortak emiterli bir yükselteç deresinde; emiter terminali giriş e çıkış için ortak uçtur. Transistörlü yükselteçlerde kullanılan 3 temel bağlantı tipi Şekil-6.8 de ayrıntılı olarak erilmiştir. u bağlantı tipleri sırası ile; Ortak-emiterli yükselteç Ortak-kollektörlü yükselteç Ortak-beyzli yükselteç olarak adlandırılır. Her bir bağlantı tipinin kendine has bir takım özellikleri ardır. Dolayısı ile kullanım alanları farklıdır. İlerleyen bölümlerde sıra ile her bir bağlantı tipinin özelliklerini, dc e ac analizlerini ayrıntılı olarak inceleyeceğiz. V V V V 0 2 V E E 2 E 2 V E a Ortak emiterli yükselteç deresi a Ortak kollektörlü yükselteç deresi a Ortak beyzli yükselteç deresi Şekil-6.8 Transistörlü yükselteçlerde bağlantı tipleri 6.4 OTAK EMİTELİ YÜKSELTEÇ Transistörlü yükselteçlerde kullanılan bağlantı tiplerinden en popüleri ortak emiterli yükselteç deresidir. Kimi kaynaklarda ismi kısaltılarak E (ommen Emiter olarak tanımlanır. Ortak emiterli yükselteçlerin (OE gerilim e akım kazançları oldukça yüksektir. u durum onu bir çok uygulamada popüler kılar. u bölümde ortak emiterli yükselteç deresini tüm yönleri ile analiz edeceğiz. Daha sonraki bölümlerde sırasıyla diğer bağlantı tiplerini inceleyeceğiz. Tipik bir ortak emiterli yükselteç deresi şekil-6.9 da erilmiştir. u yükselteç deresi ortak emiterli derenin çalışma prensibini anlayabilmeniz için geliştirilmiştir. Pratikte bir yükselteç deresinde iki adet dc besleme kaynağı kullanılmaz. 169

11 L V out V in V EE V Şekil-6.9 Tipik bir ortak emiter bağlantılı yükselteç deresi Yükseltilecek eya kuetlendirilecek giriş işareti yükseltecin beyz-emiter terminalleri arasından uygulanmıştır. Çıkış işareti ise; yükseltecin kollektör-emiter terminalleri arasından alınmıştır. Dolayısı ile emiter terminali giriş e çıkış işareti için ortak uçtur. undan dolayı bu yükselteç ortak emiterli yükselteç (OE olarak adlandırılır. Ortak emiter bağlantılı yükselteç deresinin temel özellikleri aşağıda sıralanmıştır. Gerilim Kazancı (Voltage Gain : Var Akım Kazancı (urrent Gain : Var Güç Kazancı (Power Gain : Var, yüksek Sinyal Faz Çerimi : Var, Giriş Empedansı : Orta düzeyde (500Ω-1kΩ Çıkış Empedansı : Orta düzeyde (10KΩ-50KΩ Gerilim bölücülü dc polarmaya sahip ortak emiterli yükselteç dereleri pratikte sık kullanır. Pek çok cihaz e sistemin tasarımında kullanılan böyle bir yükselteç deresi şekil-6.10 da erilmiştir. V 12V 1 27KΩ 2.2KΩ s 2 V 0 4.7KΩ KΩ E 470Ω E L 1KΩ Şekil-6.10 Ortak emiter bağlantılı gerilim bölücülü yükselteç deresi 170

12 Derede Vs giriş sinyal kaynağıdır. s direnci ise sinyal kaynağının iç direncidir. Yükseltilecek sinyal transistörün beyzine 1 kapasitörü üzerinden uygulanmaktadır. 1 değeri yeterince büyük (1µF-100µF seçilmelidir. Çıkış sinyali ise kollektör üzerinden 2 kapasitörü ile L yük direnci üzerine alınmaktadır. 2 değeride 1 gibi uygun değerde seçilmelidir. Transistörün emiterine bağlı E direnci, ac çalışmada transistörün kazancını azaltmaktadır. Orta frekans bölgelerinde çalışmada E nin bu etkisi paralel bağlı E kapasitörü tarafından yok edilmiştir. u nedenle E kapasitörüde yeterince büyük (1µF-100µF seçilmelidir. E kapasitörü sadece dc çalışmada transistörün kararlılığını sağlamaktadır. u nedenle bu kapasitöre emiter bypass kapasitörü denilmektedir. Şekil-6.10!da erilen ortak enmiter bağlantılı yükselteç deresinin analizi iki aşamada gerçekleştirilir. İlk aşama dc analizdir. Derenin dc analizini yapalım. D Analiz Derenin dc analizi için ilk adım, dc eşdeğer dereyi çizmektir. D eşdeğer için derede bulunan kapasitörler açık dere kabul edilir e Vs sinyal kaynağı dikkate alınmaz. u koşullar yerine getirildiğinde oluşan dc eşdeğer dere şekil-6.11 de erilmiştir. V 12V V 12V 1 27KΩ 2.2KΩ 1 27KΩ 2.2KΩ s V 0 4.7KΩ 2 5.6KΩ E 470Ω L 1KΩ 2 5.6KΩ E 470Ω Şekil-6.11 Ortak emiter bağlantılı yükselteç deresinin dc eşdeğer deresinin çıkarılması Derenin dc analizini yapalım. D analizde transistörün polarma akım e gerilimleri hesaplanarak çalışma bölgesi belirlenmekteydi. O halde, theenin eşdeğer deresinden yararlanarak; V 12V VTH 2 5.6KΩ 2. 06V 27KΩ 5.6KΩ KΩ 5.6KΩ TH 4. 63KΩ 27KΩ 5.6KΩ 1 2 VTH VE 2.06V 0.7V 1.36V I E 2. 64mA TH 4.63KΩ 515Ω E 470Ω ( β

13 I I E 2.64mA 26 ( β µ A I β I µ A 2. 6mA V V I mA 2.2KΩ 6. 28V VE I E E 2.64mA 470Ω 1. 24V VE V VE V ulunan sonuçlarda transistörün aktif bölgede çalıştığı görülmektedir. O halde ac analize geçebiliriz. A Analiz Derenin ac analizi için ilk adım, ac eşdeğer dereyi çizip daha sonra hibrid-л modelini çıkarmaktır. D eşdeğer için derede bulunan dc kaynaklar e kapasitörler kısa dere kabul edilir. u koşullar altında oluşan ac eşdeğer dere şekil-6.12 de erilmiştir. V 12V 1 27KΩ 2.2KΩ V 0 s 2 V 0 s 4.7KΩ KΩ E 470Ω E L 1KΩ 1 2 L Şekil-6.11 Ortak emiter bağlantılı yükselteç deresinin dc eşdeğer deresinin çıkarılması Yükselteç deresinin küçük sinyal eşdeğer deresi için ikinci aşama ise transistörün eşdeğer modelini yerleştirmektir. u işlem sonucunda ortak emiterli yükselteç deresinin küçük sinyaller için eşdeğer dere modeli şekil-6.12 de erilmiştir. 172

14 s 4.7KΩ r Л Л _ 0 g m Л 1 2 L 27KΩ 5.6KΩ - E 2K2 1KΩ in Şekil-6.11 Ortak emiterli yükselteç deresinin küçük sinyal eşdeğer dere modeli Gerekli parametreleri hesaplayarak ac analize geçelim. Önce transistörün iletkenlik katsayısını e beyz-emiter arası sinyal gerilimi değerlerini bulalım. I 2.6mA g m 100mA / V V 26mV T r β 100 g m 3 1KΩ in 1 // 2 // r KΩ Eşdeğer dere modelinden yararlanarak s, s e in çeresinden hareket ederek göz denklemini yazarak Л değerini bulalım. s s in 0.823KΩ KΩ 0.823KΩ s in s buradan yükseltecin çıkış sinyal gerilimini (0 bulalım L 0 g m ( // L g m (100mA / V (0.168s (0.68KΩ L s eşitliği elde edilir. uradan ortak emiterli küçük işaret yükseltecinin gerilim kazancı bulunur. 173

15 Örnek: 6.2 Şekil-6.12 de erilen yükselteç deresinin küçük sinyaller için dc e ac analizini yapınız. β100, VE0.7V V 15V 560KΩ 2KΩ µF V 0 10µF L 20KΩ Çözüm c. dc analiz Şekil-6.12 Ortak emiter bağlantılı transistörlü yükselteç deresi Yükselteci dc çalışma şartlarının analizi için deredeki kapasitörler açık dere yapılır. İkinci adım transistör sükunet halinde iken (derede ac işaret yokken çalışma bölgesi akım e gerilimlerinin (I e VE belirlenmesidir. unun için dereden çere gerilimlerinden yararlanarak I akımını bulalım. V VE 15V 0.7V 14.3V I µA 560KΩ 560KΩ I β I ( 100 (25.54µA 2554µA mA VE V I 15 V (2.554mA(2KΩ V V V I VE 15 V (2.554mA(2KΩ 0.7V 9. 12V değerleri bulunur. Derede; V>0 dır. Dolayısı ile transistör aktif bölgede çalışmaktadır. A analize geçebiliriz. d. ac analiz Şekil-6.12 de erilen transistörlü yükselteç deresinin küçük sinyal için ac analizi yapalım. İlk adım ac eşdeğer dereyi çizmektir. unun için deredeki dc gerilim kaynağı e kapasitörler kısa dere edilir. Deremizin ac eşdeğeri dere modeli şekil-6.13 de erilmiştir. 174

16 Örnek: 6.3 Şekil-6.14 de erilen yükselteç deresinin küçük sinyaller için gerilim kazancı ifadesini bulunuz? β150, VE0.7V V 12V 470KΩ 2KΩ 2 S 1 10µF V 0 1KΩ 10µF L 20KΩ Çözüm Şekil-6.14 Ortak emiter bağlantılı transistörlü yükselteç deresi a. dc analiz Yükseltecin dc çalışma şartlarının analizi için deredeki kapasitörler açık dere yapılır. İkinci adım transistör sükunet halinde iken (derede ac işaret yokken çalışma bölgesi akım e gerilimlerinin (I e VE belirlenmesidir. unun için dereden çere gerilimlerinden yararlanarak I akımını bulalım. V VE 12V 0.7V 11.3V I 24µA 470KΩ 470KΩ I β I ( 150 (24µA 3600µA 3. 6mA VE V I 12 V (3.6mA(2KΩ 4. 8V V V I VE 12 V (3.6mA(2KΩ 0.7V 4. 1V değerleri bulunur. Derede; V>0 dır. Dolayısı ile transistör aktif bölgede çalışmaktadır. A analize geçebiliriz. b. ac analiz Analizi istenilen dere örnek:6.2 de erilen dere ile benzerlikler içermektedir. Sadece bu derede giriş işaret kaynağının VS iç direnci S erilmiştir. Eşdeğer dere çiziminde bu direnci dikkate almalıyız. Şimdi şekil-6.14 de erilen transistörlü yükselteç deresinin küçük sinyal için ac analizi yapalım. İlk adım ac eşdeğer dereyi çizmektir. unun için deredeki dc gerilim kaynağı e kapasitörler kısa dere edilir. Deremizin ac eşdeğeri dere modeli şekil-6.15 de erilmiştir. 175

17 S 1KΩ r Л Л _ 0 470KΩ - E g m Л 2K L 20KΩ in Şekil-6.15 Ortak emiter bağlantılı yükselteç deresinin ac eşdeğeri Yükseltecin eşdeğer dere modelinde, transistörün sahip olduğu r0 çıkış direnci ihmal edilerek gösterilmemiştir. Transistörün çıkış direnci, direncinden çok (<<r0 büyüktür. Dolayısı ile ihmal edilebilir. I 3.6mA gm 138mA/ V V 26mV T r β x10 3 gm 1.086KΩ g ( // 0 m L L 2KΩ 20KΩ // L 1.82KΩ 2KΩ 20KΩ L // r r 470KΩ 1.086KΩ 470KΩ 1.086KΩ in r 1.083KΩ S S in 1.083KΩ 0. 5 in 1KΩ 1.083KΩ g ( // 0 m L 0 (138mA/ V 0.5S (1.82KΩ S A V 0 (138mA/ V(1.82KΩ S 176

18 6.5 OTAK KOLLEKTÖLÜ YÜKSELTEÇ Transistörlü yükselteçlerde kullanılan diğer bir bağlantı tipidir. u bağlantı tipi emiter izleyici (emiter-follower olarakta adlandırılmaktadır. Yüksek giriş direncine e alçak çıkış direncine sahiptir. u nedenle tampon (buffer olarak kullanılmaktadır. u bölümde ortak kollektörlü yükselteç (common-collector amplifier deresini tüm yönleri ile analiz edeceğiz. ir sonraki bölümde ise son olarak ortak beyzli bağlantı tipini inceleyeceğiz. Tipik bir ortak kolektörlü yükselteç deresi şekil-6.16 da erilmiştir. u yükselteç deresinde giriş sinyali (işareti transistörün beyz-emiter uçları arasından uygulanmıştır. Çıkış işareti ise emiter-kollektör terminalleri arasından alınmıştır. V 1 S E L V 0 Şekil-6.16 Tipik bir ortak kollektör bağlantılı yükselteç deresi Ortak kollektör deresi emiter izleyici dere olarak da adlandırılmaktadır. Giriş direncinin yüksek, çıkış direncinin alçak olmasından dolayı tampon (buffer eya izolasyon amacı ile yaygın olarak kullanılmaktadır. Şekil-6.16 da görüldüğü gibi giriş işareti yükseltece beyz terminalinden uygulanmıştır. Çıkış ise emiter terminalinden alınmıştır. Derede ilk bakışta kollektör terminali giriş e çıkış işareti için ortak uç olarak gözükmektedir. Fakat ac çalışmada, dc kaynaklar kısa dere kabul edildiğinden, kollektör terminali doğrudan şase terminaline bağlı kabul edilmektedir. Dolayısıyla ortak uç kolektördür. Ortak kollektör bağlantılı yükselteç deresinin temel özellikleri aşağıda sıralanmıştır. Giriş Empedansı Çıkış Empedansı Gerilim Kazancı : Yüksek; yaklaşık 20KΩ-300KΩ : Alçak; yaklaşık 300Ω-500Ω : Yok; 1 den az 177

19 Akım Kazancı : Var; IE/I Güç Kazancı : Var. İşaret Faz Çerimi : Yok. Genel Kullanım Alanı : Tampon yükselteci ya da emiter izleyici Derede kullanılan S direnci yükseltece uygulanan sinyal kaynağının (VS iç direncidir. Ortak kolektörlü yükseltecin gerilim kazancı yoktur. Dolayısı ile çıkış sinyali giriş sinyalinden düşük olacaktır. Fakat akım kazancı ardır. Şekil-6.16 da erilen ortak kollektör bağlantılı yükselteç deresinin küçük sinyaller için ac eşdeğer deresi şekil-6.17 de görülmektedir. S 1KΩ r Л Л - g m Л 1 // 2 0 in b E _ L _ Şekil-6.17 Ortak kollektör bağlantılı yükselteç deresinin ac eşdeğeri Şekil-6.17 de eşdeğer deresi erilen ortak kolektörlü yükselteç için çıkış sinyal gerilimi ifadesini yazalım; g ( // 0 m E L Derenin emiterinden bakıldığında görülen direnç etkisi, emiter direncinin (β1 katıdır. Eşdeğer derede b ile tanımlanan direnç değeri ise; b r ( β 1 ( E // olarak belirlenir. Eşdeğer derede görülen in değeri ise; // 2 // in 1 b olacaktır. Analize deam edelim. Eşdeğer derenin girişi için çere gerilimlerinden yararlanarak in üzerindeki sinyal gerilimini e değerlerini yazalım. in S in S in L r in ( β 1( E // L r Elde edilen bu değeri, çıkış sinyal gerilimi ifadesindeki ilgili yere yerleştirelim. g g 178 ( // 0 m E L r ( // in 0 m E L r ( β 1( E // L

20 Yukarıdaki eşitlikte gerekli sadeleştirmeler yapılarak ortak kolektörlü yükseltecin gerilim kazancı ifadesi aşağıdaki gibi yazılabilir. A V 0 S g m in in S r in ( β 1( E // L ( E // L 6.6 OTAK EYZLİ YÜKSELTEÇ Transistörlü yükselteçlerde kullanılan diğer bir bağlantı tipidir. Yüksek gerilim e akım kazancına sahiptir. Alçak giriş direncine e yüksek çıkış direncine sahiptir. u bölümde ortak beyzli yükselteç (common-base amplifier deresini tüm yönleri ile analiz edeceğiz. Tipik bir ortak beyzli yükselteç deresi şekil-6.18 da erilmiştir. u yükselteç deresinde giriş sinyali (işareti transistörün emiter-beyz uçları arasından uygulanmıştır. Çıkış işareti ise kollektör-beyz terminalleri arasından alınmıştır. Görüldüğü gibi beyz ucu, hem giriş hem de çıkış işareti için ortak terminaldir. u nedenle bu dere ortak beyzli yükselteç olarak adlandırılır. V V 0 S 1 L 2 E Şekil-6.18 Tipik bir ortak beyz bağlantılı yükselteç deresi Ortak beyz bağlantılı yükselteç (common-base amplifier deresinin temel özellikleri aşağıda maddeler halinde sıralanmıştır. Giriş Empedansı Çıkış Empedansı : Alçak; yaklaşık 50Ω - 500Ω : Yüksek; yaklaşık 300KΩ - 1MΩ 179

21 Gerilim Kazancı Akım Kazancı Güç Kazancı İşaret Faz Çerimi Genel Kullanım Alanı : Var; GV V / VE : Yok; α I / IE : Var. : Yok. : adyo frekans (F yükselteç tasarımı Şekil-6.18 de erilen ortak beyzli yükselteç deresinde S direnci, girişten uygulanan ac kaynağın (VS iç direncidir. D analiz için deredeki kapasitörler açık dere yapıldığında ortak emiterli dere ile aynıdır. Derenin dc polarma bileşenlerinin bulunması e çalışma noktasının belirlenmesi ortak emiterli dere ile aynıdır. u nedenle bu bölümde dc analiz ile ilgilenilmeyecektir. A analiz için deredeki kapasitörleri kısa dere yapalım. Dereyi basitleştirmek için transistörün çıkış direnci r0 ı ise ihmal edelim. elirtilen koşullar altında şekil-6.18 de erilen ortak beyz bağlantılı yükselteç deresinin ac eşdeğeri şekil-6.19 da erilmiştir. Derenin çıkış sinyalini yazalım; g ( // 0 m L Yükseltecin emiter noktasında ortaya çıkan sinyal bileşenini bulmak için gerilim bölücü eşitliğini uygularız. u durumda emiter sinyali; r Л Л _ S - i e g m Л L E e E in Şekil-6.19 Ortak beyz bağlantılı yükselteç deresinin ac eşdeğeri e S in S in olur. Yükselteç deresinde beyz terminali dirençler üzerinden toprağa bağlı olduğu için, 0 olacaktır. Emitere doğru bakıldığında E ye paralel bir re direnci ardır. u direncin değeri ise; r e r β 1 180

22 olarak erilir. re<<e olduğundan inre alabiliriz. u durumda yükseltecin çıkış gerilimi 0 yeniden yazılırsa; g ( // 0 m e L olur. Yukarıda bulduğumuz e değerini çıkış gerilimi eşitliğine yerleştirelim. g ( // S 0 m in L in S u denklemi kullanarak yükseltecin gerilim kazancı eşitliğini yazabiliriz. A V 0 S g m in in S ( // L 181

BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:

BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar: BÖLÜM 6 6 KÜÇÜK İNYAL YÜKELTEÇLERİ Konular: 6.1 Küçük sinyal yükseltme işlemi 6.2 Transistörün ac eşdeğer devreleri 6.3 Ortak emiterli yükselteç 6.4 Ortak beyzli yükselteç 6.5 Ortak kolektörlü yükselteç

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

BÖLÜM 5 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ. Konular: Amaçlar:

BÖLÜM 5 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ. Konular: Amaçlar: ÖLÜM 5 5 TRANSİSTÖRLRİN D ANALİZİ Konular: Amaçlar: 5.1 Transistörde D çalışma noktası 5.2 Transistörde temel polarama 5.3 eyz polarma 5.4 Gerilim bölücülü polarma devresi 5.5 Geribeslemeli polarma devresi

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI 5. ölüm: JT D Öngerilimleme Doç. Dr. rsan KAAL 1 Öngerilimleme Transistörün düzgün bir şekilde çalışması için öngerilimlenmesi gerekir. DA çalışma noktasını oluşturmak için birçok yöntem vardır. Öngerilimleme

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

T.C. MİLLÎ EĞİTİM BAKANLIĞI UÇAK BAKIM TRANSİSTÖRLÜ DEVRELER

T.C. MİLLÎ EĞİTİM BAKANLIĞI UÇAK BAKIM TRANSİSTÖRLÜ DEVRELER T.C. MİLLÎ EĞİTİM BAKANLIĞI UÇAK BAKIM TRANSİSTÖRLÜ DEVRELER Ankara, 2013 Bu modül, mesleki ve teknik eğitim okul/kurumlarında uygulanan Çerçeve Öğretim Programlarında yer alan yeterlikleri kazandırmaya

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

DC DEVRE ÇÖZÜM YÖNTEMLERİ

DC DEVRE ÇÖZÜM YÖNTEMLERİ DC DEVRE ÇÖZÜM YÖNTEMLERİ Elektrik devresi, kaynak ve yük gibi çeşitli devre elemanlarının herhangi bir şekilde bağlantısından meydana gelir. Bu gibi devrelerin çözümünde genellikle, seri-paralel devrelerin

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI ENEY-2 JT E MOSFET İN ÖZELLİKLERİNİN ÇKARTLMAS ENEYİN AMA: ipolar jonksiyonlu transistör (JT) ve MOS transistörün (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik ve pratik olarak

Detaylı

2. DA DEVRELERİNİN ANALİZİ

2. DA DEVRELERİNİN ANALİZİ 2. DA DEVRELERİNİN ANALİZİ 1 Hatları birbirini kesmeyecek şekilde bir düzlem üzerine çizilebilen devrelere Planar Devre adı verilir. Hatlarında kesişme olan bazı devreler de (şekil-a) kesişmeleri yok edecek

Detaylı

DENEY 7 DC DEVRELERDE GÜÇ ÖLÇÜMÜ VE MAKSİMUM GÜÇ AKTARIMI UYGULAMALARI

DENEY 7 DC DEVRELERDE GÜÇ ÖLÇÜMÜ VE MAKSİMUM GÜÇ AKTARIMI UYGULAMALARI T.C. Maltepe Üniersitesi Mühendislik e Doğa Bilimleri Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü EK 01 DEVRE TEORİSİ DERSİ ABORATUVARI DENEY 7 DC DEVREERDE GÜÇ ÖÇÜMÜ VE MAKSİMUM GÜÇ AKTARIMI UYGUAMAARI

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

Elektrik Devre Temelleri

Elektrik Devre Temelleri Elektrik Devre Temelleri 3. TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) 1 PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2

Detaylı

BÖLÜM 4 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR. Konular: Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları

BÖLÜM 4 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR. Konular: Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları ÖLÜM 4 4 İPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları Konular: 4.1 Transistörün Yapısı 4.2 Transistörün Çalışması 4.3 Transistör Karakteristikleri ve parametreleri

Detaylı

AMLİFİKATÖRLER VE OSİLATÖRLER

AMLİFİKATÖRLER VE OSİLATÖRLER BÖLÜM 5 Multivibratörler KONULAR: 1. Dengesiz (astable) multivibratörün çalışması ve özelliklerini incelemek. 2. Çif dengeli (bistable) multivibratörün çalışmasını ve özelliklerini incelemek. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz. Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken) KTÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı DOĞRULTUCULAR Günümüzde bilgisayarlar başta olmak üzere bir çok elektronik cihazı doğru akımla çalıştığı bilinen

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

MOSFET Karakteristiği

MOSFET Karakteristiği Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET

Detaylı

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi DENEY-4 Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi Deneyin Amacı: BJT yapmak. transistörlerle yapılan yükselteçlerin alçak ve yüksek frekans analizlerini Teorinin Özeti: Şimdiye kadar gördüğümüz transistörlü

Detaylı

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI K.T.Ü ElektrikElektronik Müh.Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I KICHOFF'UN KIML E GEĠLĠMLE YSSININ DENEYSEL SĞLNMSI KICHOFF'UN KIML YSSI: Bir elektrik devresinde, bir düğümde bulunan kollara ilişkin akımların

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. UJT lerin (Unijunction Transistor: Tek Bileşimli Transistör) çeşitli özellikleri ve karakteristikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. UJT lerin (Unijunction Transistor: Tek Bileşimli Transistör) çeşitli özellikleri ve karakteristikleri incelenecektir. BÖLÜM 8 UJT KARAKTERİSTİKLERİ KONU: UJT lerin (Unijunction Transistor: Tek Bileşimli Transistör) çeşitli özellikleri ve karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog)

Detaylı

Aşağıdaki, verimli ve güvenilir bir işlem için gerekli tüm bileşenleri tanımlanmış gerçek evirici devresinin bir şematik çizimidir:

Aşağıdaki, verimli ve güvenilir bir işlem için gerekli tüm bileşenleri tanımlanmış gerçek evirici devresinin bir şematik çizimidir: NOT Geçidi Daha önce değinilen tek-transistörlü evirici devresinin gerçekte geçit gibi pratik kullanımının olması çok ilkeldir. Gerçek evirici devreler gerilim kazancını maksimize etmek için birden fazla

Detaylı

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde

Detaylı

Elektronik Ders Notları

Elektronik Ders Notları Elektronik Ders Notları 1 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları Konular: Transistörün Yapısı Transistörün Çalışması Transistör Karakteristikleri ve parametreleri

Detaylı

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ 1- Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, şekil 1 'de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

Elektronik Ders Notları 5

Elektronik Ders Notları 5 Elektronik Ders Notları 5 Derleyen: Dr. Tayfun Demirtürk E-mail: tdemirturk@pau.edu.tr 1 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları Konular: Transistörün Yapısı

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO:4 KIRPICI DEVRELER Laboratuvar Grup No : Hazırlayanlar :......................................................................................................

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

BİLGİSAYARLI KONTROL OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER

BİLGİSAYARLI KONTROL OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER BÖLÜM 4 OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER 4.1 OPERASYONEL AMPLİFİKATÖRLER (OPAMP LAR) Operasyonel amplifikatörler (Operational Amplifiers) veya işlemsel kuvvetlendiriciler, karmaşık sistemlerin

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER

OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER Fairchild 1965 yılında, en çok kullanılan Ua709 elemanı piyasaya sunmuştur. Aslında başarısının yanında, bu elemanın birçok dezavantajları da vardı. Bu nedenle de

Detaylı

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. DC Motor Hız Kontrolü Proje No: 1

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. DC Motor Hız Kontrolü Proje No: 1 YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ DC Motor Hız Kontrolü Proje No: 1 Proje Raporu Cemre ESEMEN 12068033 16.01.2013 İstanbul

Detaylı

Temel Elektronik Basic Electronic Düğüm Gerilimleri Yöntemi (Node-Voltage Method)

Temel Elektronik Basic Electronic Düğüm Gerilimleri Yöntemi (Node-Voltage Method) Temel Elektronik Basic Electronic Düğüm Gerilimleri Yöntemi (Node-Voltage Method) Konular Düğüm Gerilimleri Yöntemi o Temel Kavramlar o Yönteme Giriş o Yöntemin Uygulanışı o Yöntemin Uygulanması o Örnekler

Detaylı

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin. DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II

ANALOG ELEKTRONİK - II BÖLÜM İşlemsel Yükselteçler Konular:. İşlemsel (operasyonel) yükseltecin (opamp) tanıtılması. Farksal (differential) Yükselteç.3 Opamp Karakteristikleri Amaçlar: Bu bölümü bitirdiğinizde aşağıda belirtilen

Detaylı

YAKIN DOĞU ÜNİVERSİTESİ. Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü ELE 210 BİLGİSAYAR UYGULAMALARI

YAKIN DOĞU ÜNİVERSİTESİ. Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü ELE 210 BİLGİSAYAR UYGULAMALARI YAKIN DOĞU ÜNİVERSİTESİ Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü ELE 210 BİLGİSAYAR UYGULAMALARI "ELEKTRONİK WORKBENCH(EWB)" İLE BİLGİSAYAR SİMÜLASYONU DENEY - 1 BASİT RESİSTOR AĞLARI Öğrenme Hedefleri(Deneyin

Detaylı

Deneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir.

Deneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir. DENEY 4 THEVENİN VE NORTON TEOREMİ 4.1. DENEYİN AMACI Deneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir. 4.2. TEORİK İLGİ

Detaylı

DENEY 2 UJT Karakteristikleri

DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. UJT nin iç yapısını ve karakteristiklerini öğrenmek. 2. UJT nin çalışma ilkelerini ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek 3. UJT karakteristiklerinin

Detaylı

7. DİRENÇ SIĞA (RC) DEVRELERİ AMAÇ

7. DİRENÇ SIĞA (RC) DEVRELERİ AMAÇ 7. DİENÇ SIĞA (C) DEELEİ AMAÇ Seri bağlı direnç ve kondansatörden oluşan bir devrenin davranışını inceleyerek kondansatörün durulma ve yarı ömür zamanını bulmak. AAÇLA DC Güç kaynağı, kondansatör, direnç,

Detaylı

ELM 232 Elektronik I - Deney 2 Zener Diyotlu Regülatör Tasarımı. Doğrultucu Regülatör Yük. R L yükü üzerinde oluşan sinyalin DC bileşeni

ELM 232 Elektronik I - Deney 2 Zener Diyotlu Regülatör Tasarımı. Doğrultucu Regülatör Yük. R L yükü üzerinde oluşan sinyalin DC bileşeni Amaç Bu deneyin amaçları; tam doğrultucu köprünün çalışmasını izlemek, kondansatör kullanılarak elde edilen doğrultucuyu incelemek ve zenerli regülatör tasarımı yapmaktır. Deneyin Yapılışı Sırasında İhtiyaç

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

2. Bölüm: Diyot Uygulamaları. Doç. Dr. Ersan KABALCI

2. Bölüm: Diyot Uygulamaları. Doç. Dr. Ersan KABALCI 2. Bölüm: Diyot Uygulamaları Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 Yük Eğrisi Yük eğrisi, herhangi bir devrede diyot uygulanan bütün gerilimler (V D ) için muhtemel akım (I D ) durumlarını gösterir. E/R maksimum I

Detaylı

ÜNİTE. MATEMATİK-1 Yrd.Doç.Dr.Ömer TARAKÇI İÇİNDEKİLER HEDEFLER DOĞRULAR VE PARABOLLER

ÜNİTE. MATEMATİK-1 Yrd.Doç.Dr.Ömer TARAKÇI İÇİNDEKİLER HEDEFLER DOĞRULAR VE PARABOLLER HEDEFLER İÇİNDEKİLER DOĞRULAR VE PARABOLLER Birinci Dereceden Polinom Fonksiyonlar ve Doğru Doğru Denklemlerinin Bulunması İkinci Dereceden Polinom Fonksiyonlar ve Parabol MATEMATİK-1 Yrd.Doç.Dr.Ömer TARAKÇI

Detaylı

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 DENEY 1-6 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC

Detaylı

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) 9.1 Amaçlar 1. µa741 ile PWM modülatör kurulması. 2. LM555 in çalışma prensiplerinin

Detaylı

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici DENEY-1 Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici Deneyin Amacı: Transistör kullanarak ortak emiterli küçük sinyal yükseltici yapılması ve özelliklerinin incelenmesi Teorinin Özeti: Bipolar transistör iki

Detaylı

İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER DERS NOTLARI

İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER DERS NOTLARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER DERS NOTLARI Hazırlayan: Öğr. Gör. Bora Döken 1 İÇİNDEKİLER Sayfa İÇİNDEKİLER... 2 1. OPAMP IN TANITILMASI... 2 1.1 Opamp Sembolü ve Terminalleri... 3 1.2 Opamp'ların Özellikleri...

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan

Detaylı

BÖLÜM VIII ÖZEL TİP YÜKSELTEÇLER

BÖLÜM VIII ÖZEL TİP YÜKSELTEÇLER BÖLÜM VIII ÖZEL TİP YÜKSELTEÇLE Özel tip yükselteçlerde dar bant ve geniş bantlı yükselteçler işlenecektir. Dar band yükselteçler genelde alıcı-verici devrelerinde kullanılıp, frekans bandı dar olan sinyallerin

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 3

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 3 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 3 ÇEVRE (GÖZ) AKIMLARI YÖNTEMİ Arş. Gör. Sümeyye BAYRAKDAR Arş. Gör.

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

TEMEL DEVRE KAVRAMLARI VE KANUNLARI

TEMEL DEVRE KAVRAMLARI VE KANUNLARI TDK Temel Devre Kavramları ve Kanunları /0 TEMEL DEVRE KAVRAMLARI VE KANUNLARI GĐRĐŞ: Devre analizi gerçek hayatta var olan fiziksel elemanların matematiksel olarak modellenerek gerçekte olması gereken

Detaylı

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler)

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) 1- Transistör (BJT, Bipolar Junction Transistor) hakkında temel bilgi Transistor B (beyz) ucuna uygulanan akıma göre C (kolektör)-e (emiter) uçlan

Detaylı

6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ

6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ AMAÇLAR 6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ 1. Değeri bilinmeyen dirençleri voltmetreampermetre yöntemi ve Wheatstone Köprüsü yöntemi ile ölçmeyi öğrenmek 2. Hangi yöntemin hangi koşullar

Detaylı

V R. Devre 1 i normal pozisyonuna getirin. Şalter (yukarı) N konumuna alınmış olmalıdır. Böylece devrede herhangi bir hata bulunmayacaktır.

V R. Devre 1 i normal pozisyonuna getirin. Şalter (yukarı) N konumuna alınmış olmalıdır. Böylece devrede herhangi bir hata bulunmayacaktır. Ohm Kanunu Bir devreden geçen akımın şiddeti uygulanan gerilim ile doğru orantılı, devrenin elektrik direnci ile ters orantılıdır. Bunun matematiksel olarak ifadesi şöyledir: I V R Burada V = Gerilim (Birimi

Detaylı

1.1 FET Çal³ma Bölgeleri. Elektronik-I Laboratuvar 6. Deney. Ad-Soyad: mza: Grup No: JFET; jonksiyon FET. MOSFET; metal-oksit yar iletken FET

1.1 FET Çal³ma Bölgeleri. Elektronik-I Laboratuvar 6. Deney. Ad-Soyad: mza: Grup No: JFET; jonksiyon FET. MOSFET; metal-oksit yar iletken FET Elektronik-I Laboratuvar 6. eney Ad-oyad: mza: rup No: 1 FET ve FET Çal³ma Bölgeleri Alan etkili transistorlar ksaca FET (Field-Eect Transistor) olarak bilinmektedir. Aktif devre eleman olan alan etkili

Detaylı

THEVENIN VE NORTON TEOREMLERİ. Bu teoremler en güçlü analiz tekniklerindendir EBE-215, Ö.F.BAY 1

THEVENIN VE NORTON TEOREMLERİ. Bu teoremler en güçlü analiz tekniklerindendir EBE-215, Ö.F.BAY 1 THEVENIN VE NORTON TEOREMLERİ Bu teoremler en güçlü analiz tekniklerindendir EBE-25, Ö.F.BAY THEVENIN EŞDEĞER TEOREMİ DOĞRUSAL DEVRE Bağımsız ve bağımlı kaynaklar içerebilir DEVRE A v O _ a + i Bağımsız

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversiesi Mühendislik Fakülesi * Elekrik-Elekronik Mühendisliği Bölümü Elekronik Anabilim alı * Elekronik Laborauarı I FET.Lİ KUETLENİİCİLE 1. eneyin Amacı FET Transisörlerle yapılan

Detaylı

TOBB EKONOMİ VE TEKNOLOJİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

TOBB EKONOMİ VE TEKNOLOJİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ TOBB EKONOMİ VE TEKNOLOJİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ FİZ 102 FİZİK LABORATUARI II FİZİK LABORATUARI II CİHAZLARI TANITIM DOSYASI Hazırlayan : ERDEM İNANÇ BUDAK BİYOMEDİKAL MÜHENDİSİ Mühendislik

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

BÖLÜM 4: MADDESEL NOKTANIN KİNETİĞİ: İMPULS ve MOMENTUM

BÖLÜM 4: MADDESEL NOKTANIN KİNETİĞİ: İMPULS ve MOMENTUM BÖLÜM 4: MADDESEL NOKTANIN KİNETİĞİ: İMPULS ve MOMENTUM 4.1. Giriş Bir önceki bölümde, hareket denklemi F = ma nın, maddesel noktanın yer değiştirmesine göre integrasyonu ile elde edilen iş ve enerji denklemlerini

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET 523EO0075 Ankara, 2011 Bu modül, mesleki ve teknik eğitim okul/kurumlarında uygulanan Çerçeve Öğretim Programlarında yer alan yeterlikleri

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DENEY 1-3 DC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-22001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını

Detaylı

Güç Elektroniği Ders notları Prof. Dr. Çetin ELMAS

Güç Elektroniği Ders notları Prof. Dr. Çetin ELMAS KAYNAKLAR 1. Hart, D. W.,1997, Introduction to Power Electronics, Prentice Hall International Inc, USA. 2. Mohan, N., Undeland, T. M., Robbins, W.P.,1995, Power Electronics: Converters, Application and

Detaylı

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2 DENEY 1 AMAÇ: VE Kapılarının (AND Gates) çalısma prensibinin kavranması. Çıkıs olarak led kullanılacaktır. Kullanılacak devre elemanları: Anahtarlar (switches), 100 ohm ve 1k lık dirençler, 7408 entegre

Detaylı

T.C. NUH NACİ YAZGAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI DERSİ DENEY FÖYÜ

T.C. NUH NACİ YAZGAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI DERSİ DENEY FÖYÜ T.C. NUH NACİ YAZGAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI DERSİ DENEY FÖYÜ HAZIRLAYAN ARŞ. GÖR. ERHAN KURT KAYSERİ 2014 Elektronik Devreler-I

Detaylı

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır? 1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan

Detaylı

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır.

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. 6. Osiloskop Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. Osiloskoplar üç gruba ayrılabilir; 1. Analog osiloskoplar 2. Dijital osiloskoplar

Detaylı

İç direnç ve emk. Seri bağlı dirençler. BÖLÜM 28 Doğru Akım Devreleri. İç direnç ve emk. ve emk. Elektromotor kuvvet (emk) kaynakları.

İç direnç ve emk. Seri bağlı dirençler. BÖLÜM 28 Doğru Akım Devreleri. İç direnç ve emk. ve emk. Elektromotor kuvvet (emk) kaynakları. BÖLÜM 8 Doğru Akım Devreleri Elektromotor Kuvveti emk iç direnç Seri ve Paralel Bağlı Dirençler Eşdeğer direnç Kirchhoff Kuralları Düğüm kuralı İlmek kuralı Devreleri Kondansatörün yüklenmesi Kondansatörün

Detaylı

Anten Tasarımı. HFSS Anten Benzetimi

Anten Tasarımı. HFSS Anten Benzetimi Bu dokümanda, antene ait temel bilgiler verilmiş ve HFSS programında anten tasarımının nasıl yapıldığı gösterilmiştir. Anten Tasarımı HFSS Anten Benzetimi KAZIM EVECAN Dumlupınar Üniversitesi Elektrik-Elektronik

Detaylı