PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ VİDEO FREKANS UYGULAMALARI İÇİN A SINIFI LOGARİTMİK ORTAM ELİPTİK SÜZGEÇ TASARIMI

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ VİDEO FREKANS UYGULAMALARI İÇİN A SINIFI LOGARİTMİK ORTAM ELİPTİK SÜZGEÇ TASARIMI"

Transkript

1 PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ VİDEO FREKANS UYGULAMALAR İÇİN A SNF LOGARİTMİK ORTAM ELİPTİK SÜZGEÇ TASARM YÜKSEK LİSANS Murat Dindar Anabilim Dalı : Elektrik-Elektronik Mühendisliği Tez Danışmanı: Doç. Dr. Erkan YÜCE OCAK 2013 i

2

3

4 ÖNSÖZ Son yıllarda logaritmik ortam filtre devreleri analog filtre tasarımları içerisinde önemli bir yer teşkil etmektedir. Bu filtre yapıları geniş çalışma aralığı, elektronik olarak filtre bant genişliğinin ayarlanabilir olması, yüksek doğrusallık ve düşük güç tüketimi gibi özellikleriyle tasarımda avantaj sağlamaktadır. Bu çalışmada logaritmik ortamda video frekans uygulamaları için eliptik filtre tasarımı yapılmıştır. Video frekans uygulamalarında filtrenin kullanılabilmesi için filtre derecesi 7 olarak belirlenmiştir. Filtre tasarımında izlenen yöntem olarak yüksek dereceden logaritmik ortam filtrelerinin sentezlenmesinde sağladığı önemli avantajlar nedeniyle E cell pasif elemanların logaritmik ortam benzetim yöntemi seçilmiştir. Bu yöntem kullanılarak tasarlanan logaritmik ortam 7. dereceden eliptik filtre devresinin video frekans uygulamalarında kullanılabileceği devrenin pasif eşdeğerinin sonuçları incelendiğinde kabul edilmiş ve bu pasif modelin logaritmik ortam benzetimi yapılarak bu devrenin logaritmik ortama aktarılması sağlanmıştır. Tasarlanan devre Pspice benzetim ortamında gerçeklenerek, benzetim sonuçları elde edilmiş ve video frekans uygulamaları için uygunluğu kanıtlanmıştır. Bu çalışmanın gerçekleşmesinde değerli zamanı, sahip olduğu tecrübeleri ve bilgileri esirgemeyen değerli hocam Yrd. Doç. Dr. Ali KRÇAY a ve tez danışmanım Doç. Dr. Erkan YÜCE e, bilgi ve tecrübeleriyle bana ışık tutan değerli hocalarım Yrd. Doç. Dr. Selim BÖREKÇİ e ve Doç. Dr. Selçuk HELHEL e, değerli jüri üyesi hocalarım Doç. Dr. Aydın KZLKAYA a, Yrd. Doç. Dr. Ahmet ÖZEK e, Yrd. Doç. Dr. M. Serhat KESERLİOĞLU na, değerli meslektaşım ve dostum Ekrem KANDEMİR e, bu süreçte benden desteğini esirgemeyen sevgili eşim ve meslektaşım Saniye DİNDAR a ve beni bu günlere getiren aileme teşekkürü bir borç bilirim. Yüksek lisans çalışmalarım boyunca 2210 YURT İÇİ YÜKSEK LİSANS BURS PROGRAM ı kapsamında beni destekleyen TÜBİTAK a teşekkür ederim. Ocak 2013 Murat DİNDAR Elektrik Elektronik Mühendisi iii

5 İÇİNDEKİLER ÖZET... xi SUMMARY... xii 1. GİRİŞ Tezin Amacı Literatür Özeti Tezin İçeriği GENEL FİLTRE KAVRAMLAR VE TÜRLERİ Filtre Tanımı Filtre Türleri ve Temel Filtre Terimleri Kararlılık Nedensellik Rasyonellik Filtrelerin Özelliklerine Göre Sınıflandırılması İşaret işleme yöntemlerine göre filtrelerin sınıflandırılması Güç kaynağı sayısına göre filtrelerin sınıflandırılması Temsil ettikleri işaret modlarına göre filtrelerin sınıflandırılması Tasarımda kullanılan elemanlara göre filtrelerin sınıflandılıması Sınıflarına göre filtrelerin sınıflandırılması Filtre Yaklaşımları Butterworth yaklaşımı Chebyshev yaklaşımı Ters Chebyshev yaklaşımı Eliptik filtre yaklaşımı LOGARİTMİK ORTAM DEVRELERİ VE TEMEL KAVRAMLAR ELN (Externally Linear nternally Nonlinear) Sistemler Translineer Devreler Statik translineer devreler Dinamik translineer devreler Kapasitörlü akım aynası Dinamik translineer integratör Dinamik Translineer Devre Çeşitleri Logaritmik ortam filtreleri Sinh filtreleri Tanh filtreleri Dinamik voltaj translineer devreleri Translineer Elemanlar Diyotlar Bipolar juntion transistörler MOSFET transistörler Logaritmik Ortama Giriş Logaritmik Ortam Filtrelerinin Özellikleri iv Sayfa

6 3.7 A Sınıfı ve AB Sınıfı Logaritmik Ortam Filtreleri A sınıfı logaritmik ortam filtreleri AB sınıfı logaritmik ortam filtreleri Dinamik Giriş Aralığı Genlik Uygunlaştırma Tekniği Zarfsal genlik uygunlaştırma tekniği Anlık genlik uygunlaştırma tekniği Logaritmik Ortam Filtrelerinde İdeal Olmayan Eleman Davranışları LOGARİTMİK ORTAM DEVRELERİ SENTEZ YÖNTEMLERİ Logaritmik Ortam Devrelerinin Gerçeklenme Şartları Logaritmik Ortam Devreleri Sentez Yöntemleri Dinamik translineer sentez yöntemi Durum uzayı sentez yöntemi Pasif elemanların logaritmik ortam benzetimi sentez yöntemi Pasif elemanların logaritmik ortam eşdeğerlerinin elde edilmesi VİDEO FREKANS UYGULAMALAR İÇİN A - SNF LOGARİTMİK ORTAM ELİPTİK SÜZGEÇ TASARM Video Filtresi Tasarım Kriterleri Logaritmik Ortam Video Filtresinin Tasarımı Devre tasarımı ve benzetim sonuçlarının elde edilmesi Benzetim sonuçlarının yorumlanması SONUÇ VE ÖNERİLER Sonuçlar Öneriler KAYNAKLAR EKLER v

7 KSALTMALAR AC BJT CE DC ELN OTA Op/Amp MOSFET SNR THD : Alternative Current : Bipolar Junction Transistor : Common Emiter : Direct Current : Externally Linear nternally Nonlinear : Operantional Transconductance Amplifier : Operantional Amplifier : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor : Signal to Noise ratio : Total Harmonic Distortion vi

8 TABLO LİSTESİ Tablolar 4.1 : E cell bloklarının logaritmik ortam gösterimi, tek girişli yapılar : E cell bloklarının logaritmik ortam gösterimi, çift girişli yapılar : Pasif ve logaritmik devre eleman değerlerinin karşılaştırılması : 7. dereceden eliptik filtre devresine ilişkin benzetim sonuçları : Logaritmik ortamda ideal olmayan parametreler ve bu parametrelere ilişkin hatalar vii

9 ŞEKİL LİSTESİ Şekiller 2.1 : Genel filtre devresinin gösterimi : Temel ideal filtre türlerinin frekans cevapları : Alçak geçiren filtre cevabı, a) ideal b) yaklaşık : Kararlı filtreye ait, a) Sıfır b) Kutup gösterimi : a) Nedensel olmayan b) Nedensel olan sisteme ilişkin darbe cevabı : a) Pasif gerilim modlu b) Aktif gerilim modlu filtreler : a) Akım modlu pasif b) Akım modlu aktif filtreler : a) A sınıfı b) B sınıfı c) AB sınıfı çıkış katı yükselteç devreleri : a) A sınıfı b) B sınıfı c) AB sınıfı filtrelere ait transistör akımları dalga şekilleri : Alçak geçiren filtre genlik cevabı : Farklı derecedeki Butterworth filtrelerin genlik cevapları : Chebyshev filtreye ait genlik cevabı : Ters Chebyshev filtreye ait genlik cevabı : Genel eliptik filtre LC ladder devresi : Alçak geçiren eliptik filtre genlik cevabı : Filtre tiplerinin karşılaştırılması : Filtre tiplerinin gecikme zamanlarının karşılaştırılması : ELN devre yapısı : Dört transistörlü translineer döngü yapısı : Dört translineer döngü içeren devre prensibi : Dinamik translineer devre prensibi : Kapasitörlü akım aynası : Translineer bir integratör : Temel logaritmik ortam filtresi : Temel sinh filtresi : Temel tanh filtresi : Dinamik voltaj translineer devresi : Translineer devre elemanları a) Diyot b) BJT c) MOSFET : Transistör modeli a) Gerçek b) İdeal : Birebir ve örten f(x) fonksiyonu : Logaritmik ortam filtre yapısı : Aktarım fonksiyonlarının sınıflandırılması : Logaritma fonksiyonu grafiği : A sınıfı temel devre yapısı : AB sınıfı temel devre yapısı : a) A sınıfı çalışma yapısı b) AB sınıfı çalışma yapısı : Dinamik çalışma aralığı : Genlik uygunlaştırma tekniği : Dinamik çalışma aralığı a) Doğrusal sistem b) Uygunlaştırılmış sistem : Logaritmik ortamda genlik uygunlaştırma viii

10 3.24 : Zarfsal uygunlaştırma kazanç fonksiyonları a) Giriş b) Çıkış : Anlık uygunlaştırma kazanç fonksiyonları a) Giriş b) Çıkış : Logaritmik ortam devre tasarım prensibi : Translineer devre yapıları : Lineer ortam pasif prototip filtre : Pasif elemanların logaritmik ortama aktarımı : Topraklanmış direnç logaritmik ortam gösterimi : Yüzen direnç logaritmik ortam gösterimi : E cell indüktans ve kapasitör tasarımı için temel devre yapısı : Topraklanmış indüktans logaritmik ortam gösterimi : Yüzen indüktans logaritmik ortam gösterimi : Topraklanmış kapasitör logaritmik ortam gösterimi : Yüzen kapasitör logaritmik ortam gösterimi : 7. dereceden pasif filtre yapısı : Video filtresi uygulama gösterimi : Topraklanmış direnç logaritmik ortam BJT gösterimi : Yüzen indüktans logaritmik ortam BJT gösterimi : Topraklanmış kapasitör logaritmik ortam BJT gösterimi : Yüzen kapasitör logaritmik ortam BJT gösterimi : Pasif, 0 = 25 µa, ideal (β f = 1000) ve AT&T CBC R BJT ler kullanılarak tasarlanan 7. dereceden eliptik alçak geçiren filtre frekans cevabı : E-cell bloklarıyla tasarlanan 7. dereceden eliptik filtrenin blok gösterimi : 7.dereceden logaritmik ortam A sınıfı eliptik filtre devre şeması : Maksimum db geçişbandı ripple grafiği : Tasarlanan eliptik filtrenin frekans ayarlanabilme karakteristiği : Girişe uygulanan basamak işareti : Filtrenin basamak yanıtı ix

11 SEMBOL LİSTE H(s) β ω ω 0 V T K T s o DS V BE V th V GS V AF V AR R E R B g m Q Transfer fonksiyonu İleri yön akım kazancı Açısal frekans Kutup frekansı Yarı iletken malzemenin sıcaklığa bağlı gerilimi Boltzmann sabiti x10-23 JK-1 Derece Kelvin Diyotun ve transistorün sızıntı akımı Diyotun ve transistorün sızıntı akımı MOSFET Drain source akımı BJT base emitter gerilimi MOSFET öngerilimi MOSFET gate source gerilimi İleri early gerilimi Geri early gerilimi BJT parasitik emitter direnci BJT parasitik base direnci Geçiş iletkenliği Kalite faktörü x

12 ÖZET VİDEO FREKANS UYGULAMALAR İÇİN A SNF LOGARİTMİK ORTAM ELİPTİK SÜZGEÇ TASARM Logaritmik ortam filtreleri literatürde akım modlu ELN filtreler olarak da bilinmektedir. Genel olarak logaritmik ortam filtre tasarımda trasistörlerin kollektör akımı ve base emiter gerilimi arasındaki üssel ilişkiden yararlanılmaktadır. Bu çalışmada logaritmik ortamda A sınıfında video frekans uygulamaları için eliptik filtre tasarımının gerçekleştirilmesi hedeflenmiştir. Video frekans uygulamalarında kullanılmak üzere TU BT 601 standartları hedeflenerek filtre tipi eliptik filtre ve derecesi de 7 olarak belirlenmiştir. 7. dereceden eliptik filtrenin logaritmik ortamda A sınıfında gerçekleştirilebilmesi için bazı şartların yerine getirilmesi gerekmektedir. Bu şartlardan en belirleyici olanı logaritmik ortamda akım ve gerilim değerlerinin daima pozitif seviyede kalması gerektiğidir. Böyle bir şartı 7. derece gibi eliptik yaklaşıma sahip bir filtre için A sınıfında sağlamak kolay değildir. Bu sebepten dolayı bu şartı sağlayan pasif elemanların logaritmik ortam eşdeğeri olan A sınıfı logaritmik ortam blok yapıları kullanılarak filtre sentezi yapılmıştır. Bu yöntemle istenen özellikleri sağlayan pasif filtre devresi logaritmik ortama aktarılmıştır. Tasarlanan devreye ilişkin benzetim sonuçları Pspice benzetim programı yardımıyla elde edilmiş ve karşılaştırılmalı olarak verilmiştir. Bu çalışmanın gelecekte gerçekleştirilecek olan video frekans uygulamaları ve logaritmik ortam filtre devreleri konusundaki çalışmalara ışık tutabilmesi ümit edilmektedir. Anahtar Kelimeler: Logaritmik ortam devreleri, Video frekansı uygulamaları, Eliptik süzgeç, ELN filtreleri, A sınıfı filtre devreleri xi

13 SUMMARY CLASS A LOG DOMAN ELLPTC FLTER DESGN FOR VDEO FREQUENCY APPLCATONS Log domain filters are known as current mode ELN filters as well. Generally, the exponantional relationship of BJT between collector current and base emiter voltage is used to design the log domain filters. n this work, class A log domain filter design is desired for video frequency applications. The specifications for video frequency applications was determined by using TU BT 601 standarts and the type of the filter was determined as elliptic filter, the order of the filter to be designed was chosen as 7. The conditions for 7th order elliptic filter in log domain should be implemented. The most deterministic one of those conditions is that currents and voltages should always be positive in log domain. t is not easy to implement that kind of condition for high order filters as 7th order elliptic one. Therefore, the simulating topology of passive prototypes to log domain by using E cells method was chosen in order to design the metioned filter. By using that method, the passive filter could be easily transfer to the log domain. Simulation results associated with the designed circuit were obtained by means of Pspice simulation program and the results were exhibited for comparison purposes. t is expected that this work would be lead for future studies about the video frequency applications and log domain filters. Key Words: Log domain circuits, Video frequency applications, Elliptic filters, ELN filters, Class A filter circuit xii

14 1. GİRİŞ 1.1 Tezin Amacı Bu çalışmada video frekans uygulamaları için logaritmik ortam A sınıfı eliptik filtre tasarımının gerçekleştirilmesi amaçlanmıştır. İstenen tipteki filtre yapısının literatürde bulunan örnekleri incelenmiş ve logaritmik ortam filtre sentez yöntemleriyle video frekans uygulamaları için uygun tasarım gerçekleştirilmiştir. Video frekans uygulamalarında kullanılacak alçak geçiren filtre tiplerinde ki bunlara literatürde anti aliasing filtreler de denmektedir; TU BT 601 standartları doğrultusunda düşük geçiş bandı salınımı, zayıflama bandı aralığı, filtrenin keskinliği gibi parametrelerin sağlanabilmesi için filtre tipi eliptik filtre ve derecesi de 7 olarak belirlenmiştir. Literatürdeki logaritmik ortam devre sentez yöntemleri incelendiğinde karşımıza pek çok yöntem çıkmaktadır. Ancak gerek yüksek dereceden filtrelerin tasarımında sağladığı kolaylık gerekse diğer yöntemlerle karşılaştırıldığında sunduğu avantajlar ve dezavantajlar göz önüne alınıp tüm bu sentez yöntemleri değerlendirildiğinde, pasif elemanların exponansiyel hücrelerle (E Cell) benzetimi yöntemi bu çalışmanın gerçekleştirilmesinde tercih edilmiştir. Bu yöntem, filtre transfer fonksiyonundan pasif prototipi elde edilen filtrenin exponansiyel hücrelerle pasif elemanlarının (R, L, C) benzetimi sağlanarak logaritmik ortamda gerçeklenmesine olanak tanımaktadır. Tasarımı gerçekleştirilen filtrenin Pspice benzetim programında benzetim sonuçları elde edilmiş ve bu sonuçlar doğrultusunda video frekans uygulamaları için filtrenin uygulanabilirliği kanıtlanmıştır. 1.2 Literatür Özeti Filtreler elektrik, elektronik ve haberleşme sistemlerinde önemli bir yere sahiptirler. Filtreler bir giriş sinyalinin genliğini ve fazını işleyerek istenilen özellikte çıkış işareti elde etmek için tasarlanırlar. 1

15 Analog filtreler filtre ailesinin önemli bir üyesidir. Veri iletişim cihazlarından tutun da ev eğlence sistemlerine kadar hemen hemen her yerde analog filtre yapılarıyla karşılaşılabilir. Filtre tasarım alanında yaşanan gelişmelerle birlikte analog filtreler akım modlu filtreler ve logaritmik ortam filtreleri gibi çeşitli filtre tiplerinde tasarlanabilir. Filtre teorisinin temelleri ilk kez 1915 yılında Amerika da Cambell, Almanya da Wagner tarafından birbirlerinden bağımsız olarak elektrik dalga filtresinin bulunmasıyla atılmıştır (Johnson, 1976). Filtre teorisi iki ana kola ayrılır: Klasik filtre teorisi ve modern filtre teorisi. Klasik filtre teorisi 1920 li yıllarda Cambell, Zobel ve diğerleri tarafından geliştirilmiştir lu yıllarda Cauer, Darlington ve diğerleri klasik filtre teorisine göre daha genel ve daha iyi sonuçlar veren modern filtre teorisini geliştirmişlerdir (Johnson, 1976). Gerçekleşen bu ilk filtrelerin tümü pasif devre elemanları yani direnç, kondansatör ve bobin kullanılarak tasarlanmışlardır. Ancak bu devrelerin yüksek frekans değerlerinde iyi çalışmalarına rağmen, daha düşük frekanslarda (yaklaşık 1KHz in altı) boyutu büyük ve pahalı olan yüksek kalitede bobin kullanılması gerektiğinden gerçeklenmesinin pratik uygulamalarda zor olduğu görülmüştür (Sedra ve Smith, 1998). Bunun yanında pasif elemanlar kullanılarak tasarlanan filtrelerin elektronik olarak kolay ayarlanamamaları ve sıcaklık gibi değişkenlerden güçlü bir şekilde etkilenmeleri de bu tür filtre devreleri için bir eksiklik olarak görülmüş ve bu durum araştırmacıları başka tasarım arayışlarına yönlendirmiştir (Baki, 2001). Tüm bu sorunları aşmak için ortaya konmuş olan aktif filtreler; direnç, kondansatör ve aktif devre elemanları kullanılarak gerçeklenmektedir. Aktif filtrelerin pasif filtrelere göre bazı üstünlükleri şu şekilde sıralanabilir: Boyut ve ağırlıkta azalma, devre güvenilirliğinde artış, düşük maliyet, performans artışı, parazitlerde azalma, daha basit tasarım, daha geniş bir transfer fonksiyonu kümesini gerçeklemek ve birden büyük gerilim kazancı elde edebilmektir. Aktif filtre teorisinin ortaya çıkmasından sonra yılları arasında aktif devre elemanları ve fabrikasyon teknolojisinde de önemli gelişmeler olduğu görülmüştür. 2

16 Bu duruma 1947 yılı sonunda Bell laboratuvarlarında transistörün icat edilmesi ve bu yıllarda bilgisayarların geliştirilmiş olması örnek olarak gösterilebilir yılında op-amp entegresinin ortaya konulması aktif filtre devreleri konusundaki gelişmelere hız kazandırmıştır. Entegre devre teknolojisi ve fabrikasyon konusundaki gelişmelerin de ışığı altında 1970 yılı ortalarında aktif devre elemanları kullanılarak, entegre edilebilir, analog, sürekli zamanlı filtreler ortaya çıkmıştır. Elektronik alanda yaşanan tüm bu gelişmeler analog filtrelerin popülerliğini arttırmıştır. Bu gelişmelerle birlikte son yıllarda logaritmik ortam filtreleri analog filtre ailesine katılmış ve bu filtreler ile ilgili çalışmalar yoğunlaşmıştır. Literatürde translineer filtreler, companding filtreler, akım modlu filtreler, externally linear internally nonlinear (ELN) veya exponansiyel state space filtreleri olarak da bilinen logaritmik ortam filtreleri esas olarak düşük güç, düşük voltaj, yüksek dinamik çalışma aralığı, yüksek frekans uygulamaları ve elektronik açıdan bant genişliklerinin ayarlanabilir olması gibi özelliklerinden dolayı ilgi çekmektedirler. Logaritmik ortam filtrelerinin diğer filtre uygulamalarıyla karşılaştırıldıklarında bazı avantajları vardır; bu tür filtre yapılarında uygulanan filtre sadece transistör ve kapasitör elemanları kullanılarak gerçeklenmektedir. Ana fikir BJT veya MOSFET in subthreshold bölgede çalıştırılmasıyla sağlanan V karakteristiğine dayanır. Logaritmik ortam filtreleri orijinal olarak Adams tarafından 1979 yılında tanıtılmıştır (Adams, 1979). Logaritmik Ortam Filtreleri terimi de onun tarafından kazandırılmıştır. Adams ın çalışmasında tasarladığı ilk logaritmik ortam filtresi, ileri yönde biaslanmış diyotlarla gerçeklenmiş log ve anti log blokları bulunan bir alçak geçiren filtredir. Ana yapıyla ilgili olarak, companding yapıyı kullanma fikri de Tsividis tarafından 1990 da gerçekleştirilmiştir (Tsividis, 1990). Aynı zamanda Seevinck de bağımsız olarak logaritmik ortam filtre yapısını, akım modlu companing yapı olarak tanımlayarak keşfetmiştir (Seevinck, 1990). Bu alanda önemli ve dönüm noktası olacak yıl 1993 tür, çünkü Frey logaritmik ortam filtre sentezinin durum uzayı yöntemiyle gerçekleştirilebileceğini çalışmasında göstermiştir. Durum uzayı yönteminde, BJT nin exponansiyel V karakteristiği direkt olarak logaritmik ortam filtrelerini gerçeklemek amacıyla durum uzayı lineer diferansiyel denklemlerinden eşleme yapılarak kullanılabilmektedir. 3

17 Bu çalışmasında Frey sistematik olarak durum uzayı sentez yönteminin logaritmik ortam filtrelerinin tasarlanmasında kullanabileceğini ortaya koymuştur (Frey, 1993a; Frey, 1996a). Bu çalışmadan sonra diğer birçok araştırmacı bu devre yapıları ile ilgilenmeye başlamıştır. Toumazou çalışmasında düşük enerji operasyonu için potansiyeli zayıf tersleme bölgesinde MOSFET transistörü çalıştırarak göstermiştir (Ngarmil ve diğ.,1995). İlk deneysel sonuçlar Perry ve Roberts tarafından yayınlanmıştır (Perry ve Roberts, 1995). Logaritmik ortam devrelerine ilişkin literatür çalışmaları incelendiğinde, MOSFET transistörün subthreshold bölgedeki çalışmasıyla elde edilen devreye ait deneysel sonuçlar Ngammil tarafından verilmiştir (Ngammil, Toumazou ve Lange, 1995), Punzenberger ve Enz (1995), düşük voltajlı uygulamalar için logaritmik ortam devrelerinin uygun olduklarını ve 1.2 V beslemeli 65 db de AB sınıfı devre yapısının çalışmasını ve özelliklerini göstermişlerdir (Punzenberger ve Enz, 1997a). Logaritmik ortam filtrelerinin yüksek frekanslarda (Yüzlerce MHz den GHz e kadar) programlanabildiğine ilişkin birçok tasarımda literatürde bulunmaktadır (Frey, 1996b; Frey 1997; El Gamal, Baki ve Bar Dor, 2000). Frey in logaritmik ortam devre sentezi için geliştirdiği durum uzayı sentez yönteminin yanında logaritmik ortam filtre sentezinde kullanılan birçok yöntem bulunmaktadır. Son yıllarda yüksek dereceden filtre tasarımı için sağladığı avantajlar göz önüne alındığında alternatif bir tasarım yöntemi olan pasif elemanların logaritmik ortam benzetimi de logaritmik ortam filtre tasarımında kullanılmaya başlanmıştır. Bunun yanında farklı birçok sentez yöntemi araştırmacılar tarafından sunulmuştur (Frey, 1996b; El Gamal ve Roberts 1997; Mulder, 1998). Genel tasarım yöntemi Mulder ve arkadaşları tarafından, Translineer Filtre terimi de kazandırılarak yayınlanmıştır (Mulder, 1998; Mulder ve diğ., 1997). Translineer devreler BJT ve MOSFET transistörün zayıf evirtim bölgesindeki karakteristiklerinde, akım ve voltaj arasındaki exponansiyel ilişkiyi baz almaktadır. İlk translineer devreler, bir akım yükseltici ve çarpıcı ile Gilbert tarafından 1968 yılında tasarlanmıştır (Gilbert, 1968a; Gilbert, 1968b). Gilbert aynı zamanda translineer devre prensibini için bir formülasyon geliştirmiştir (Gilbert, 1975). 4

18 Translineer devreler kullanılarak birçok uygulama araştırmacılar tarafından yapılmıştır. Bu uygulamalar osilatörleri (Pookaiyaudom ve Mahattanakul (1995)); (Serdijn, Mulder, Van der Woerd ve Van Roermund (1998)), RMS DC çeviricileri (Mulder, Van der Woerd, Serdijn ve Van Roermund (1996a); Frey (1996c)), mixer - filtre kombinasyonlarını (Frey (1996b); Payne ve Thanachayanont (1997)) ve faz kilit döngülerini (Thananchayanont, Payne ve Pookaiyaudom (1997)) içermektedir. Güçlü evirtimli MOSFET yapısına dair genel bir yöntem Mulder ve diğ. (1996b) tarafından aynı zamanda bağımsız olarak Payne ve Toumazou (1996) tarafından tasarlanmıştır. Aynı zamanda birçok araştırmacı gürültü analizi alanında yarar sağlayan çalışmalar sunmuşlardır (Tsividis, 1997; Serdijn ve diğ. 1997; Punzerberger ve diğ. 1997b; Mulder ve diğ. 1998; Mulder ve diğ. 2000). Sadece pasif elemanların R, L ve C elamanlarının kullanıldığı filtreler pasif filtreleri oluşturmaktadır. Şayet Op/Amps, OTAs gibi aktif elemanlarla tasarlanan filtre yapıları aktif filtre sınıfını oluşturmaktadır. Bu amaç doğrultusunda translineer filtreler aktif filtrelerdir (Tola, 1999). Translineer filtre tipleri içerisinde logaritmik ortam filtreleri genel olarak analog filtrelerin önemli sınıflarından olan ve günümüzde mikro elektronik sistemlerde kullanılan sürekli zamanlı filtre ailesinin bir parçası olarak düşünülebilirler. Logaritmik ortam devreleri lineer transfer fonksiyonlarını BJT nin lineer olmayan karakteristiği ile gerçekleyen akım modlu devrelerdir. Akım modlu devreler potansiyel avantajları göz önüne alındıklarında son yıllarda yüksek bant genişliği, yüksek çalışma aralığı, düşük voltajda çalışmaları, basit devre yapıları ve düşük güç tüketimleriyle dikkat çekmektedirler. Akım yapısındaki matematiksel ifadeler gerilim terimlerine sahip ifadelere nazaran çok daha kolay şekilde düzenlenebilirler. Bu sayede transfer fonksiyonları göz önüne alındığında akım modlu devrelerin analiz ve sentezleri gerilim modlu devrelere göre daha kolaydır. Bu sebepledir ki, entegre akım modlu sistem gerçeklemeleri geleneksel gerilim modlu gerçeklemelerden transistör seviyesine daha yakındır; böylece akım modlu devre yapıları ile daha kolay devre ve sistemler ortaya çıkarılabilmektedir (Kılınç, 2006). Ayrıca gerilim modlu devrelerde yüksek değerli dirençler bant genişliğini sınırlamaktadır. Genelde, akım modlu devrelerde düğüm empedansları ve voltaj dalgalanmaları küçüktür. Böylece devrenin zaman sabiti küçülür ve bu sebeple parasitik kapasiteler için dolma ve boşalma süreleri düşük olur. 5

19 Bu sebeptendir ki akım modlu devreler için slew oranı temin edici ölçüde yüksektir. Yüksek frekansta çalışmaya elverişli olduklarından iletişim uygulamalarında sıklıkla kullanılmaktadırlar (Kılınç, 2006). Akım modlu devrelerde düğüm gerilimleri düşük olduğundan düşük voltajda çalışırlar. Tüm bu önemli meziyetleri düşünüldüğünde analog devre tasarımlarında düşük voltaj ve yüksek frekans istenilen uygulamalarda akım modlu devreler tercih edilmektedir. Akım modlu devrelerin tüm bu önemli özelliklerine rağmen gerilim modlu devrelerin de avantajları vardır. En başta devrelerin pratik olarak yapılabilmesi ve güvenilirliği bu üstün özelliklerden sayılabilir. Bundan dolayıdır ki, birçok sistem akım sinyallerinden çok gerilim sinyalleri ile kullanılır. Bu yüzden, akım modlu devreler popüler olmasına rağmen hala gerilim modlu devre yaklaşımı dikkat çekmektedir (Kılınç, 2006). Logaritmik ortam devrelerinin basit yapısı, hızlı olmaları ve düşük güç tüketiminde çalışmaları gibi özellikleri onları devre tasarımında ön plana çıkarmaktadır (Roberts ve Leung, 2001). Uygulamalarda filtre değişkenlerinde çalışma aralığı gerekmektedir. Bu aralık ne kadar yüksekse filtre o derece geniş aralıkta çalışıyor demektir. Analog devrelerde kapasitör alanının ve güç tüketiminin artması orantısal olarak çalışma aralığını ters yönde etkilenmektedir. Çalışma aralığı üzerinde güç tüketiminin bağımsız olma özelliğine ek olarak, entegre aktif filtrelerin tasarımında entegre devre yapılarının küçülmesine olanak sağlayan teknolojilerle birlikte düşük gerilimli voltaj kaynaklarının kullanılabilir olması da devre yapısını küçülteceğinden önemli bir avantaj sunmaktadır. Ayrıca düşük gerilimle çalışma devrenin güç tüketimini de düşürecektir. Tüm bu özellikleri dikkate alındığında akım modlu devreler ve logaritmik ortam filtre tasarım teknikleri kullanarak tasarlanan devrelerde birim başına güç tüketimi düşürülür ve filtre daha yüksek çalışma aralığına ulaşabilir. Çalışma aralığının yüksek olması logaritmik ortam filtre yapısının karakteristiğinden kaynaklanmaktadır. Logaritmik ortam filtrelerinde sinyal sıkıştırılır ve filtre çekirdeğinde işlendikten sonra genişletilir bu da sinyalin düşük güç ve voltajda işlenip tekrar lineer ortama aktarılması ile sağlanmaktadır. Bu özelliğiyle logaritmik ortam filtreleri ELN, kendi içinde doğrusal olmayan ancak genel yapı olarak doğrusallığını koruyan, filtreler olarak da bilinmektedir. 6

20 Dinamik çalışma aralığındaki artış da bu sıkıştırma ve genişletme işlemlerinde kaynaklanmaktadır (Krishnapura, 2000). Logaritmik ortam filtrelerinin bir diğer önemli özelliği de devrede bulunan transistör bias akım kaynaklarının değerleri değiştirilerek devrenin bant genişliğinin elektronik olarak ayarlanabilmesidir. Logaritmik ortam filtrelerinin en önemli özelliği transistörlerin lineer olmayan özelliklerini doğrudan kullanmalarıdır. Ancak transistör seviyesinde oluşan lineer olmayan etkiler (BJT nin base akımı, sonlu beta değeri, sıfır olmayan jonksiyon direnci, early voltajı gibi) logaritmik ortamda beklenmedik devre cevaplarına yol açmakta ve devrenin frekans cevabını etkilemektedir. Logaritmik ortam filtreleri üzerine A sınıfı ve AB sınıfı olmak üzere birçok çalışma yapılmıştır. A sınıfında Frey (1996) tarafından sunulan A sınıfı logaritmik ortam filtre tasarımını içeren çalışma bu konudaki önemli çalışmalardandır. Son yıllarda logaritmik ortam filtrelerinde AB sınıfında yapılan çalışmalar ön plana çıkmıştır. Bunlardan en önemlileri, Kırçay ve Çam (2008) tarafından yapılan diferansiyel tip logaritmik ortam bant durduran filtre yapısıdır. Ayrıca Frey ve Tola (1999) tarafından AB sınıfı logaritmik ortam filtrelerinin sentez metodunun sistematik olarak verildiği çalışmada da bu konudaki önemli çalışmalardan biri olarak gösterilebilir. Bunun yanında, logaritmik ortamda özellikle yüksek dereceli filtrelerin gerçeklenmesinde büyük kolaylık sağlayan çeşitli yöntemlerde araştırmacılar tarafından ortaya koyulmuştur. Feştila ve diğ. (2007) tarafından gerçekleştirilen çalışmada lineer ortam elemanlarının lineer olmayan logaritmik ortam elemanlarına transformasyonu ile logaritmik ortam devrelerinin tasarımı gerçekleştirilmiştir. Bu konuda bir diğer önemli çalışmada da Psychanolis ve Vlassis (2002) tarafından logaritmik ortamda eliptik filtre devresinin sinyal akış diyagramı yöntemiyle (SFG) tasarımı gerçekleştirilmiştir. Bir diğer sentez yöntemi olan ve bu çalışmada da kullanılan pasif elemanların exponansiyel hücreler (E Cells) yardımıyla benzetimi ile de Kontogiannapoulos ve Psychanolis (2005) tarafından literatüre kazandırılan birçok çalışma bulunmaktadır. Bu yöntem, yüksek dereceden logaritmik ortam filtre tasarımına getirdiği üstünlük sebebiyle bu çalışmada sentez yöntemi olarak tercih edilmiştir. 7

21 Ayrıca G m C devre bloklarına dayalı logaritmik ortam filtre sentez yöntemleri de geliştirilmiştir (Mahattanakul ve Toumazou, 1997). Bunun yanında dalga değişkenlerini kullanarak (Wave Active Filters, WAF) her pasif elemanın tanımlanan dalga değişkenleri yardımıyla logaritmik ortam eşdeğerinin elde edilmesi ve bu eşdeğer yapılarla logaritmik ortam devrelerinin tasarlanması da gerçekleştirilebilir. (Psychalinos ve diğ. 2004). Logaritmik ortam filtreleri sahip oldukları avantajlar göz önüne alındığında birçok uygulama alanına sahiptir. Bu alanlardan biri de video frekans uygulamalarıdır. Bu çalışmanın da konusu olan bu uygulamalarla ilgili literatürde birçok çalışma bulunmaktadır. Kırçay ve Çam (2009) tarafından tasarlanan 5. dereceden eliptik filtre tasarımı, db lik geçiş bandı ripple toleransı ve 40 db den büyük durdurma bandı zayıflama değerine sahip olması sebebiyle bu uygulamalar içinde dikkat çekmektedir. Logaritmik ortam olmamasına rağmen bu çalışma için esin kaynaklarından biri olan, Uygur ve Kuntman ın (2006) video uygulamaları üzerine olan çalışması da 7. dereceden eliptik filtre yapısının video frekans uygulamaları için uygunluğunu göstermek açısından önemlidir. 1.3 Tezin İçeriği Genel bir giriş olarak verilen bu bölümü izleyen ikinci bölümde genel filtre kavramları ve türleri hakkında bilgiler verilmiştir. İkinci bölümde, ilk olarak filtre kavramının açıklanması üzerinde durulmuş ve filtre devrelerine ait temel kavramlar hakkında bilgi verilmiştir. Transfer fonksiyonu kavramı tanımlanarak filtre devrelerinin gerçeklenme şartları açıklanmıştır. Filtre devrelerinin literatürde tanımlandığı şeklide çeşitli özelliklere göre sınıflandırılması ve bu sınıflandırmalar altında bulunan filtre türlerine ilişkin bilgiler verilmiştir. Teoride istenen transfer fonksiyonlarının uygulanması için literatürde var olan filtre yaklaşımları da bu bölümün son kısmında verilmiştir. Üçüncü bölümde, tezin temel konusu olan logaritmik ortam filtrelerine ilişkin temel kavramlar ve bilgiler verilmiştir. ELN sistemlere ilişkin temel bilgiler verilerek, translineer yapıdaki devrelere ilişkin genel özellikler işlenmiştir. 8

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının

Detaylı

BİRİNCİ DERECEDEN ELEKTRONİK AYARLANABİLİR ALÇAK GEÇİREN SÜZGECİN LOGARİTMİK ORTAMDA TASARIMI

BİRİNCİ DERECEDEN ELEKTRONİK AYARLANABİLİR ALÇAK GEÇİREN SÜZGECİN LOGARİTMİK ORTAMDA TASARIMI BİRİNCİ DERECEDEN ELEKTRONİK AYARLANABİLİR ALÇAK GEÇİREN SÜZGECİN LOGARİTMİK ORTAMDA TASARIMI Nazif Küçükkoç 1 Umut Engin Ayten 2 Herman Sedef 3 1,2,3 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü, Yıldız

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#10 Analog Aktif Filtre Tasarımı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 10 Analog

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ SİVİL HAVACILIK ANABİLİM DALI YENİ DERS ÖNERİSİ/ DERS GÜNCELLEME

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ SİVİL HAVACILIK ANABİLİM DALI YENİ DERS ÖNERİSİ/ DERS GÜNCELLEME / DERS GÜNCELLEME Dersin Kodu SHA 615 Dersin Adı İSTATİSTİKSEL SİNYAL İŞLEME Yarıyılı GÜZ Dersin İçeriği: Olasılık ve olasılıksal süreçlerin gözden geçirilmesi. Bayes kestirim kuramı. Büyük olabilirlik

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 1: Transistörlü Yükselteç Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi

Detaylı

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

BİRİNCİ DERECE A SINIFI LOGARİTMİK ORTAM SÜZGECİNİN BLOK MODELLEME İLE TASARIMI VE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ

BİRİNCİ DERECE A SINIFI LOGARİTMİK ORTAM SÜZGECİNİN BLOK MODELLEME İLE TASARIMI VE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ PAMUKKALE ÜNİ VERSİ TESİ MÜHENDİ SLİ K FAKÜLTESİ PAMUKKALE UNIVERSITY ENGINEERING COLLEGE MÜHENDİ SLİ K B İ L İ MLERİ DERGİ S İ JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES YIL CİLT SAYI SAYFA : 2007 : 13 : 2 : 163-172

Detaylı

BİRİNCİ DERECE A SINIFI LOGARİTMİK ORTAM SÜZGECİNİN BLOK MODELLEME İLE TASARIMI VE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ

BİRİNCİ DERECE A SINIFI LOGARİTMİK ORTAM SÜZGECİNİN BLOK MODELLEME İLE TASARIMI VE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ PAMUKKALE ÜNİ VERSİ TESİ MÜHENDİ SLİ K FAKÜLTESİ PAMUKKALE UNIVERSITY ENGINEERING COLLEGE MÜHENDİ SLİ K B İ L İ MLERİ DERGİ S İ JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES YIL CİLT SAYI SAYFA : 2007 : 13 : 2 : 163-172

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

Şekil Sönümün Tesiri

Şekil Sönümün Tesiri LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin

Detaylı

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi DENEY 8: PASİF FİLTRELER Deneyin Amaçları Pasif filtre devrelerinin çalışma mantığını anlamak. Deney Malzemeleri Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop.

Detaylı

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.

Detaylı

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ İLETİŞİM LABORATUARI SAYISAL FİLTRELER

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ İLETİŞİM LABORATUARI SAYISAL FİLTRELER SAYISAL FİLTRELER Deney Amacı Sayısal filtre tasarımının ve kullanılmasının öğrenilmesi. Kapsam Ayrık zamanlı bir sistem transfer fonksiyonunun elde edilmesi. Filtren frekans tepkes elde edilmesi. Direct

Detaylı

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI İşaret akış diyagramları blok diyagramlara bir alternatiftir. Fonksiyonel bloklar, işaretler, toplama noktaları

Detaylı

EEM HABERLEŞME TEORİSİ NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

EEM HABERLEŞME TEORİSİ NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM3006 - HABERLEŞME TEORİSİ NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM3006 - HABERLEŞME TEORİSİ Dersin Öğretim Elemanı: Yrd. Doç. Dr. Yasin KABALCI Ders Görüşme

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

SAYISAL İŞARET İŞLEME LABORATUARI LAB 5: SONSUZ DÜRTÜ YANITLI (IIR) FİLTRELER

SAYISAL İŞARET İŞLEME LABORATUARI LAB 5: SONSUZ DÜRTÜ YANITLI (IIR) FİLTRELER SAYISAL İŞARET İŞLEME LABORATUARI LAB 5: SONSUZ DÜRTÜ YANITLI (IIR) FİLTRELER Bu bölümde aşağıdaki başlıklar ele alınacaktır. Sonsuz dürtü yanıtlı filtre yapıları: Direkt Şekil-1, Direkt Şekil-II, Kaskad

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI İşaret akış diyagramları blok diyagramlara bir alternatiftir. Fonksiyonel bloklar, işaretler, toplama noktaları

Detaylı

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

Statik güç eviricilerinin temel görevi, bir DA güç kaynağı kullanarak çıkışta AA dalga şekli üretmektir.

Statik güç eviricilerinin temel görevi, bir DA güç kaynağı kullanarak çıkışta AA dalga şekli üretmektir. 4. Bölüm Eviriciler ve Eviricilerin Sınıflandırılması Doç. Dr. Ersan KABALCI AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ Giriş Statik güç eviricilerinin temel görevi, bir DA güç kaynağı kullanarak çıkışta

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

Şekil-1. Doğru ve Alternatif Akım dalga şekilleri

Şekil-1. Doğru ve Alternatif Akım dalga şekilleri 2. Alternatif Akım =AC (Alternating Current) Değeri ve yönü zamana göre belirli bir düzen içerisinde değişen akıma AC denir. En çok bilinen AC dalga biçimi Sinüs dalgasıdır. Bununla birlikte farklı uygulamalarda

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim

Detaylı

BÖLÜM 4 RADYO ALICILARI. 4.1 Süperheterodin Alıcı ANALOG HABERLEŞME

BÖLÜM 4 RADYO ALICILARI. 4.1 Süperheterodin Alıcı ANALOG HABERLEŞME BÖLÜM 4 RADYO ALIILARI 4. Süperheterodin Alıcı Radyo alıcıları ortamdaki elektromanyetik sinyali alır kuvvetlendirir ve hoparlöre iletir. Radyo alıcılarında iki özellik bulunur, bunlar ) Duyarlılık ) Seçicilik

Detaylı

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır. Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun

Detaylı

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku

Detaylı

3.4. ÇEVRE AKIMLAR YÖNTEMİ

3.4. ÇEVRE AKIMLAR YÖNTEMİ 3.4. ÇEVRE AKIMLAR YÖNTEMİ 3.4. ÇEVRE AKıMLAR YÖNTEMI (Ç.A.Y): Bu yöntemde düğümlerdeki akımlar yerine, çevredeki akımlar ele alınarak devrenin analizi yapılır. Yöntemin temel prensibi her bir bağımsız

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 1.

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 1. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 1. DENEY GENLİK MODÜLASYONUNUN İNCELENMESİ-1 Arş. Gör. Osman

Detaylı

MAK 210 SAYISAL ANALİZ

MAK 210 SAYISAL ANALİZ MAK 210 SAYISAL ANALİZ BÖLÜM 5- SONLU FARKLAR VE İNTERPOLASYON TEKNİKLERİ Doç. Dr. Ali Rıza YILDIZ MAK 210 - Sayısal Analiz 1 İNTERPOLASYON Tablo halinde verilen hassas sayısal değerler veya ayrık noktalardan

Detaylı

Kontrol Sistemlerinin Analizi

Kontrol Sistemlerinin Analizi Sistemlerin analizi Kontrol Sistemlerinin Analizi Otomatik kontrol mühendisinin görevi sisteme uygun kontrolör tasarlamaktır. Bunun için öncelikle sistemin analiz edilmesi gerekir. Bunun için test sinyalleri

Detaylı

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER 1. Deneyin Amacı Yarım

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

V-LAB BİLGİSAYAR ARAYÜZLÜ EĞİTİM SETİ

V-LAB BİLGİSAYAR ARAYÜZLÜ EĞİTİM SETİ Çeşitli ölçüm ünitelerine ve sinyal üreteçlerine sahip olan, tüm entegre cihazlarının bilgisayar üzerinden kontrol edilebilir ve gözlemlenebilir olması özellikleri ile Mesleki Eğitim'in önemli bir enstrümanıdır.

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

Eleco 2014 Elektrik Elektronik Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyumu, Kasım 2014, Bursa

Eleco 2014 Elektrik Elektronik Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyumu, Kasım 2014, Bursa Eleco 4 Elektrik Elektronik Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyumu, 7 9 Kasım 4, Bursa Harmonik Bozunum Kompanzasyonu için Melez ve Çift Ayarlı Pasif Güç Filtresi Tasarımı ve Performans Analizi

Detaylı

İşlemsel Yükselteçler

İşlemsel Yükselteçler İşlemsel Yükselteçler Bölüm 5. 5.1. Giriş İşlemsel yükselteçler aktif devre elemanlarıdır. Devrede gerilin kontrollü gerilim kaynağı gibi çalışırlar. İşlemsel yükselteçler sinyalleri toplama, çıkarma,

Detaylı

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri U : AC girişteki efektif faz gerilimi f : Frekans q : Faz sayısı I d, I y : DC çıkış veya yük akımı (ortalama değer) U d U d : DC çıkış gerilimi, U d = f() : Maksimum

Detaylı

T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DC-DC BOOST CONVERTER DEVRESİ AHMET KALKAN 110206028 Prof. Dr. Nurettin ABUT KOCAELİ-2014 1. ÖZET Bu çalışmada bir yükseltici tip DA ayarlayıcısı

Detaylı

Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü. Ders içeriği

Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü. Ders içeriği ANTENLER Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü Ders içeriği BÖLÜM 1: Antenler BÖLÜM 2: Antenlerin Temel Parametreleri BÖLÜM 3: Lineer Tel Antenler BÖLÜM 4: Halka Antenler

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ History in Pictures - On January 5th, 1940, Edwin H. Armstrong transmitted thefirstfmradiosignalfromyonkers, NY to Alpine, NJ to Meriden, CT to Paxton, MA to Mount Washington. 5 January is National FM

Detaylı

BÖLÜM 6 LAPLACE DÖNÜŞÜMLERİ

BÖLÜM 6 LAPLACE DÖNÜŞÜMLERİ BÖLÜM 6 LAPLACE DÖNÜŞÜMLERİ 6.2. Laplace Dönüşümü Tanımı Bir f(t) fonksiyonunun Laplace alındığında oluşan fonksiyon F(s) ya da L[f(t)] olarak gösterilir. Burada tanımlanan s; ÇÖZÜM: a) b) c) ÇÖZÜM: 6.3.

Detaylı

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır.

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır. 3. Bölüm Güç Elektroniğinde Temel Kavramlar ve Devre Türleri Doç. Dr. Ersan KABALC AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ Güç Elektroniğine Giriş Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve

Detaylı

İşaret İşleme ve Haberleşmenin Temelleri. Yrd. Doç. Dr. Ender M. Ekşioğlu eksioglue@itu.edu.tr http://www2.itu.edu.tr/~eksioglue

İşaret İşleme ve Haberleşmenin Temelleri. Yrd. Doç. Dr. Ender M. Ekşioğlu eksioglue@itu.edu.tr http://www2.itu.edu.tr/~eksioglue İşaret İşleme ve Haberleşmenin Temelleri Yrd. Doç. Dr. Ender M. Ekşioğlu eksioglue@itu.edu.tr http://www2.itu.edu.tr/~eksioglue İşaretler: Bilgi taşıyan işlevler Sistemler: İşaretleri işleyerek yeni işaretler

Detaylı

ELEKTRİK ENERJİ SİSTEMLERİNDE OLUŞAN HARMONİKLERİN FİLTRELENMESİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ MODELLENMESİ VE SİMÜLASYONU

ELEKTRİK ENERJİ SİSTEMLERİNDE OLUŞAN HARMONİKLERİN FİLTRELENMESİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ MODELLENMESİ VE SİMÜLASYONU T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ELEKTRİK ENERJİ SİSTEMLERİNDE OLUŞAN HARMONİKLERİN FİLTRELENMESİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ MODELLENMESİ VE SİMÜLASYONU Mehmet SUCU (Teknik Öğretmen, BSc.)

Detaylı

Kontrol Sistemlerinin Tasarımı

Kontrol Sistemlerinin Tasarımı Kontrol Sistemlerinin Tasarımı Kök Yer Eğrileri ile Tasarım II PD Denetleyici ve Faz İlerletici Dengeleyici 1 Ardarda (Kaskat) bağlantı kullanılarak geri beslemeli sistemin geçici rejim cevabının iyileştirilmesi

Detaylı

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt. ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik AC ve DC Empedans RMS değeri Bobin ve kondansatörün

Detaylı

Sistem nedir? Başlıca Fiziksel Sistemler: Bir matematiksel teori;

Sistem nedir? Başlıca Fiziksel Sistemler: Bir matematiksel teori; Sistem nedir? Birbirleriyle ilişkide olan elemanlar topluluğuna sistem denir. Yrd. Doç. Dr. Fatih KELEŞ Fiziksel sistemler, belirli bir görevi gerçekleştirmek üzere birbirlerine bağlanmış fiziksel eleman

Detaylı

ELEKTRİK TESİSLERİNDE HARMONİKLERİN PASİF FİLTRE KULLANILARAK AZALTILMASI VE SİMÜLASYONU. Sabir RÜSTEMLİ

ELEKTRİK TESİSLERİNDE HARMONİKLERİN PASİF FİLTRE KULLANILARAK AZALTILMASI VE SİMÜLASYONU. Sabir RÜSTEMLİ ELEKTRİK TESİSLERİNDE HARMONİKLERİN PASİF FİLTRE KULLANILARAK AZALTILMASI VE SİMÜLASYONU Sabir RÜSTEMLİ Elektrik tesislerinin güvenli ve arzu edilir bir biçimde çalışması için, tesisin tasarım ve işletim

Detaylı

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER) EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

Doğrultucularda ve Eviricilerde Kullanılan Pasif Filtre Türlerinin İncelenmesi ve Karşılaştırılması

Doğrultucularda ve Eviricilerde Kullanılan Pasif Filtre Türlerinin İncelenmesi ve Karşılaştırılması Enerji Verimliliği ve Kalitesi Sempozyumu EVK 2015 Doğrultucularda ve Eviricilerde Kullanılan Pasif Filtre Türlerinin İncelenmesi ve Karşılaştırılması Mehmet Oğuz ÖZCAN Ezgi Ünverdi AĞLAR Ali Bekir YILDIZ

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ. DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ. DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ 1) İdeal Sönümleme Elemanı : a) Öteleme Sönümleyici : Mekanik Elemanların Matematiksel Modeli Basit mekanik elemanlar, öteleme hareketinde;

Detaylı

BÖLÜM 3 OSİLASYON KRİTERLERİ

BÖLÜM 3 OSİLASYON KRİTERLERİ BÖLÜM 3 OSİİLATÖRLER Radyo sistemlerinde sinüs işaret osilatörleri, taşıyıcı işareti üretmek ve karıştırıcı katlarında bir frekansı diğerine dönüştürmek amacıyla kullanılır. Sinüs işaret osilatörlerinin

Detaylı

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Gizem Pekküçük, İbrahim Uzar, N. Özlem Ünverdi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Yıldız Teknik Üniversitesi gizem.pekkucuk@gmail.com,

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

PROSES KONTROL DENEY FÖYÜ

PROSES KONTROL DENEY FÖYÜ T.C. SAKARYA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAKİNA TEORİSİ, SİSTEM DİNAMİĞİ VE KONTROL ANA BİLİM DALI LABORATUARI PROSES KONTROL DENEY FÖYÜ 2016 GÜZ 1 PROSES KONTROL SİSTEMİ

Detaylı

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP Amaç: Bu deneyin amacı, öğrencilerin alternatif akım ve gerilim hakkında bilgi edinmesini sağlamaktır. Deney sonunda öğrencilerin, periyot, frekans, genlik,

Detaylı

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER 1. DENEYİN AMACI KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER DC-DC gerilim azaltan

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

4. Sunum: AC Kalıcı Durum Analizi. Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık

4. Sunum: AC Kalıcı Durum Analizi. Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık 4. Sunum: AC Kalıcı Durum Analizi Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık 1 Giriş Aşağıdaki şekillere ve ifadelere bakalım ve daha önceki derslerimizden

Detaylı

ANALOG HABERLEŞME A GRUBU İSİM: NUMARA

ANALOG HABERLEŞME A GRUBU İSİM: NUMARA BÖLÜM 7 ÖRNEK SINAV SORULARI İSİM: NUMARA A GRUBU MERSİN ÜNİVERSİTESİ MMYO ANALOG HABERLEŞME DERSİ FİNAL SINAV SORULARI S-1 Bir GM lu sistemde Vmaxtepe-tepe10 V ve Vmin tepe-tepe6 V ise modülasyon yüzdesi

Detaylı

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

PSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR

PSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR PSpice Simülasyonu Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR Ekim 2005 1. Giriş Bilgisayarla devre simülasyonu, elektronik devrelerin ve sistemlerin tasarımında en önemli adımlardan biridir. Devre ve tümdevre

Detaylı

10. Sunum: Laplace Dönüşümünün Devre Analizine Uygulanması

10. Sunum: Laplace Dönüşümünün Devre Analizine Uygulanması 10. Sunum: Laplace Dönüşümünün Devre Analizine Uygulanması Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık 1 Laplace Devre Çözümleri Aşağıdaki devrenin

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

Elektrik Devre Temelleri

Elektrik Devre Temelleri Elektrik Devre Temelleri Yrd. Doç. Dr. Sibel ÇİMEN Elektronik ve Haberleşeme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi Ders Kitabı Fundamentals of Electric Circuits, by Charles K. Alexander and Matthew N. O. Sadiku,

Detaylı

ĠġLEMSEL YÜKSELTEÇLER (ELEKTRONİK II)

ĠġLEMSEL YÜKSELTEÇLER (ELEKTRONİK II) ĠġLEMSEL YÜKSELTEÇLER (ELEKTRONİK II) - + İsmail Serkan ÜNCÜ ŞUBAT-2013 DERS KAYNAKLARI http://www.softwareforeducation.com/wikileki/index.php/inverting_amplifier Elektronik Devre Tasarımında. ~ OP AMP

Detaylı

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 3 Temel İşlemsel Kuvvetlendiriciler 1. Hazırlık a. Ön-çalışma soruları laboratuvara gelmeden önce çözünüz. Ön-çalışma çözümleriniz asistan Bürkan Tekeli'ye Z11'de

Detaylı

SİNYALLER VE SİSTEMLERİN MATLAB YARDIMIYLA BENZETİMİ

SİNYALLER VE SİSTEMLERİN MATLAB YARDIMIYLA BENZETİMİ SİNYALLER VE SİSTEMLERİN MATLAB YARDIMIYLA BENZETİMİ 2.1. Sinyal Üretimi Bu laboratuarda analog sinyaller ve sistemlerin sayısal bir ortamda benzetimini yapacağımız için örneklenmiş sinyaller üzerinde

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı