BÖLÜM 5 MOS TRANZ STOR MODELLER MOS teknolojisine bakı.

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "BÖLÜM 5 MOS TRANZ STOR MODELLER. 5.1. MOS teknolojisine bakı."

Transkript

1 BÖLÜM 5 MOS TRANZSTOR MODELLER 5.1. MOS teknolojisine bakı. MOS teknolojisi geni çapta tümletirilmi sayısal devrelerin ve mikroilemci devrelerinin temelini oluturur. VLSI devreler için MOS teknolojisinin bipolar teknolojisine göre saladıı en önemli yarar, MOS teknolojisi ile aynı kırmık üzerine daha fazla sayıda tranzistor yerletirilmesi, böylece fazla sayıda devre fonksiyonunun gerçekletirilebilmesidir. Bunun üç ana nedeni vardır: Birincisi, tranzistorlardan her birinin imalat sırasında kırmık üzerinde çok küçük bir alan kaplamasıdır. kincisi, MOS imalat prosesinin daha az imalat adımına gereksinme göstermesi ve birim kırmık yüzeyi baına imalat veriminin bipolar teknolojisine göre daha yüksek olması eklinde kendini gösterir. Üçüncüsü, verilen bir devre fonksiyonu için gerçekletirme açısından daha az tranzistora gereksinme gösteren MOS tekniinin bu bakımdan bipolar tekniine göre daha pratik olmasıdır. Sayısal devre tekniinin yanısıra, MOS teknolojisinin analog devre tekniinde de kullanım alanı bulduunu belirtmekte yarar vardır. Günümüzde, MOS analog ilem blokları yaygın olarak kullanılmaktadır. Dolayısıyla bu elemanın da bilgisayar programlarında iyi ve yeteri kadar doru bir biçimde temsil edilmesinin gerekecei açıktır. Bu da yeteri kadar doruluk salayan modellerin gerekliliini ortaya koymaktadır. Tümdevre yapı bloklarının analizinin yeteri kadar doru bir biçimde yürütülebilmesi, geni ölçüde tümdevre bileenlerine uygun düen modellerin kullanılmasına balıdır. Elle yapılacak hesaplar için daha basit modellerin kullanılması zorunlu olmakta, buna karılık, bilgisayarla yapılan analizlerde daha karmaık ve daha çok fiziksel olayı kapsayan modellerin kullanılması mümkün olmaktadır. Yapılan analizlerin ve tasarımların doruluu, daha önce de birçık defa belirtildii gibi, simülasyonda kullanılan modellerin doruluuna balıdır. Bunun için kullanıcının genelde kullanılan modelleri anlamı olması ve her bir modelleme ilemindeki yaklaımların ve yapılmı olan yaklaıklıkların neler olduunu bilmesinde yarar vardır.

2 5. Bu bölümde, MOS tranzistorun yapısı, karakteristik büyüklükleri, akım gerilim baıntıları incelenecek, SPICE programında kullanılmak üzere gelitirilen MOS modelleri ayrıntılı olarak ele alınacaktır. 5.. MOS tranzistorun yapısı ve çalıması. VS Kaynak V G V D Savak t OX Geçit W x j n+ n+ x jl L eff Taban V B ekil-5.1. NMOS tranzistorun ematik yapısı Bir NMOS tranzistorun yapısı ematik olarak ekil-5.1 de görülmektedir. NMOS tranzistorun çalıma ilkesi temelde öyle özetlenebilir: Geçit elektroduna uygulanan bir gerilim, yüksek katkılı n tipi kaynak ve savak bölgelerinin (n+) arasındaki akım iletimini kontrol eden bir elektriksel alan oluturur. Bu elektriksel alan nedeniyle, MOS tranzistor alan etkili tranzistor, yani MOSET olarak da isimlendirilmektedir. Geçidin tümüyle dier elektrotlardan yalıtılmı olduuna dikkat etmek gerekir. Bu nedenle, MOSET, ayrıca, yalıtılmı geçitli alan etkili tranzistor (insulated gate field effect transistor-iget) ismiyle de anılmaktadır. Kullanılabilecek bir dier isim de unipolar tranzistor ismidir. Bu isim, MOS tranzistorda sadece tek tip taıyıcının, örnein NMOS tranzistorda sadece elektronların, elemanın çalıması açısından rol oynamasının bir sonucu olarak ortaya çıkmıtır. Bir NMOS tranzistorda p

3 5.3 tipi tabanda yer alan hareketli delikler, tranzistorun normal çalıma bölgesinde herhangi bir rol oynamazlar. Bir MOS veya herhangi bir unipolar tranzistorun aksine, bir npn veya pnp tranzistorda hem elektronların hem de deliklerin bu elemanların çalıması açısından etkili olduklarını hatırlatmakta yarar vardır. Bir NMOS tranzistorda gövde yahut taban, tekta bir silisyum puldan oluur. Bu malzeme, MOS tranzistorun imalatı için hareket noktası olmaktadır ve en sonda oluturulacak devre için fiziksel taıyıcı görevini de yerine getirir. P tipi katkılama younluu, daha sonra da gösterilecei gibi, elemanın elektriksel davranıı açısından önemli bir faktör oluturur. Gövdenin üst tarafı aktif tranzistor bölgesini ve pasif bölgeyi ( yahut alan bölgesini) oluturmaktadır. Bu pasif bölge yalıtım bölgesi olarak da isimlendirilmektedir. Pasif bölgenin salaması gereken temel art, bu bölgenin iki ayrı aktif bölge arasında kanal olumadan akım akmasına izin verilmemesidir. NMOS tranzistorlarda tüm iletim elektronlar tarafından salanır. Bu nedenle, alan bölgesi kanal olumadan elektronların akmasını önleyecek ekilde olmalıdır. Alan bölgesinin üzerinde yer alan kalın bir silisyumoksit tabakası,metal veya polisilisyumun gövdeye balanmasıyla oluacak istenmeyen kapasitelerin minimize edilmesi amacıyla kullanılmaktadır. Tranzistor bölgesi, gövdede n tipi savak ve kaynak bölgeleriyle p tipi kanal bölgesini bir araya getirir. Tipik olarak eleman simetriktir; yani kaynak ve savak uçlarının yerleri deitirilebilir. Daha doru bir biçimde söylemek gerekirse, kaynak ve savak uçları sadece uygulanan gerilimlerin yönü ile belirlenmektedir. NMOS tranzistorda daha pozitif olan elektrot savak olarak görev yapar. Kutuplama geriliminin uygulanmaması halinde, savaktan kaynaa kadar uzanan yol sırt sırta balanmı iki pn jonksiyonu biçimindedir. Gövde her ikisi için ortak p bölgesi oluturuyor gibi düünülebilir. Buradan akacak olan akım, sadece diyotların ters yönde kaçak akımından oluur. Bu artlar altında iletim kanalı bulunmayacaı açıktır. Kaynak, savak ve gövdenin topraa balandıklarını ve geçide de pozitif bir gerilim uygulandıını varsayalım. Elektrostatiin basit kuralları uyarınca, geçide pozitif bir gerilim uygulanması bu bölgedeki deliklerin tabana doru itilmelerine ve elektronların da kanal bölgesine doru çekilmesine yol açar. En sonunda, elektronların yııldıı bu dar p tipi bölge tip deitirir. Bu bölgeye çekilen elektronlar nedeniyle, savak ve kaynak arasında n tipi iletken bir kanal

4 5.4 bölgesi oluur. Savak ve kaynak arasına bir gerilim uygulandıında, bu yol üzerinden bir akım akar. letken kanal, çok küçük pozitif geçit gerilimlerinde olumaz. lk önce p tipi kanal bölgesinin yüzeyindeki elektrostatik potansiyel, 0.5V ile V arasındaki geçit-kaynak gerilimlerinin uygulanmasıyla pozitif yapılmalıdır. letken kanalın oluması için gerekli olan geçit gerilimi deerine eik gerilimi adı verilir ve V TH sembolü ile gösterilir. Bu büyüklük, önemli eleman modeli parametrelerinden biridir ve daha sonraki bölümlerde ayrıntılı olarak ele alınacaktır. Birçok pratik MOS tranzistor gerçekletirilmesi ileminde, kanal katkı younluu, eik gerilimini ayarlamak üzere, iyon ekme yöntemiyle deitirilmektedir. P tipi bir iyon ekme ilemi eik gerilimini daha fazla pozitif yapmakta, n tipi bir iyon ekme ilemi de eik gerilimini daha fazla negatif deerlere getirmektedir. Yüksek miktarda n tipi katkı iyonu ekme ilemi bir NMOS tranzistorun kanalını n tipi özellii baskın olacak biçime getirir, yani, sıfır kutuplama durumunda da iletim kanalı bulunur. Bu durumda, eik gerilimi negatif olur. Kanaldaki elektron younluunu azaltmak üzere, geçit-savak arasına negatif bir kutuplama gerilimi uygulanmalıdır. Sıfır kutuplama geriliminde iletim kanalı bulunmayan MOS tranzistorlar normalde tıkalı elemanlar olarak da isimlendirilirler, bunlar için kullanılan bir dier terim, kanal oluturmalı MOS tranzistor ismidir. Kanal oluturmalı tranzistor isminin anlamı, iletimi balatabilmek üzere, geçit-kaynak geriliminin savak-kaynak gerilimiyle aynı yönde olmasıdır. Gerilim yönü, NMOS tranzistorlar için pozitif, PMOS tranzistorlar için negatif olur. Normalde iletimde olan, yani V GS =0 için iletim kanalı bulunan tranzistorlar ise kanal ayarlamalı tranzistorlar olarak isimlendirilirler. Kanal ayarlamalı bir NMOS tranzistor için negatif bir geçit-kaynak gerilimi iletim kanalını kısar. Kanal ayarlamalı ve kanal oluturmalı elemanların eik gerilimleri sırasıyla V TD ve V TE sembolleriyle gösterilmektedir. MOSET ler için kullanılan devre sembolleri ekil-5. de verilmitir. Bu tranzistorlara ilikin geçi karakteristikleri de ekil-5.3 de görülmektedir. arklı tipteki tranzistorlara ilikin eik gerilimleri de ekil-5.3 üzerinde ayrıca belirtilmitir.

5 5.5 D I D + D I D + G B V + - V GS V SB + - S D (a) I D + G B V + - V GS V SB + - S (c) G B V + - V GS V SB + - S D (b) I D + G B V + - V GS V SB + - S (d) ekil-5.. MOS tranzistor sembolleri: a) kanal oluturmalı NMOS, b) kanal ayarlamalı NMOS, c) kanal oluturmalı PMOS, d) kanal ayarlamalı PMOS.

6 5.6 I D I D V TH V GS V TH V GS (a) (b) V TH V GS V TH V GS (c) I D I D (d) ekil-5.3. NMOS ve PMOS tranzistorlar için geçi karakteristikleri: a) kanal oluturmalı NMOS, b) kanal ayarlamalı NMOS, c) kanal oluturmalı PMOS, b) kanal ayarlamalı PMOS.

7 MOS modeli baıntıları MOSET in ilk incelenecek bölümü bir elektrik alanının etkisi altında yüzeyin davranııdır. Bu elektrik alanı geçit ve taban arasına uygulanan gerilim ile oluur, oksit yarıiletken arayüzeyine de düey dorultudadır MOS yapısının yüzey davranıı Yüzeydeki referans durumu, yarıiletkenin yüzeyde ve tabanda aynı taıyıcı younlukluklarına sahip olduu durumdur. Bu duruma düz band durumu denir. Bu durumu salayan V GB gerilimine düz band gerilimi denir ve V B olarak gösterilir. V GB = V B olduunda bütün V GB gerilimi oksitin üzerine gelir. Bu durumda Q0 V B MS (5.1) C ox MS geçit malzemesi gövde malzemesi (5.) olur. Burada,, MS geç it malzemesi gövde malzemesi sembolleri ile gösterilen büyüklükler, yine indiste belirtilmi olan uçlara ilikin i potansiyelleridir. Q' 0 oksit - silisyum arayüzeyindeki birim alan yüküdür ve her zaman pozitiftir, bu yüzden geçitte bunu etkisiz hale getirecek negatif bir yüke gereksinme vardır. C ox ' ince oksit tabakanın birim alan baına düen kapasitesidir. Burada tabanı p tipi olan ve n kanallı NMOS ların incelemesi yapılacaktır. N tipi tabanı olan PMOS ların durumu buradaki akım ve gerilimlerin iaretlerinin deitirilmesiyle elde edilebilir. V GB = V B olduunda yarıiletkendeki taıyıcı younluu sabit olur ve N A ya eittir. V GB < V B durumu geçitteki negatif yükleri artırır ve yüzeye yakın yerlerdeki delik younluunu geçit yükünü dengelemek için artırır. Böylece p - tipi taıyıcıların younluu yüzeyde tabandakine göre daha fazla olur. Bu durumda taıyıcılar yüzeye yıılmı denir.

8 5.8 Yarıiletkendeki Q sc '. yükü Qsc QG Q0 ( VB VGB ) Cox (5.3) olur. Burada Q G ' geçit yüküdür. V GB > V B için çounluk taıyıcısı olan delikler yüzeyden uzaklaırlar; böylece negatif yükler geçit yüküyle dengeyi kurarlar. Yüzeye yakın yerdeki taıyıcı younluu tabandakinden azdır ve bu durumda, yüzey, taıyıcılar açısından fakirlemitir. akirlemi bölgenin kalınlıı X B s s (5.4) qn A olur. S fakirlemi bölgedeki potansiyeldir. Eer S kanaldaki azınlık taıyıcıları ihmal edilebilecek kadar küçükse sabit yük Q B ', Q G '- Q 0 ' ye eit olur. Bu durumda Q N qx B A B s s q (5.5) QG Q0 ( VGB VB s ) Cox (5.6) olur. Bu denklemler kullanılarak S ve geçit-taban kapasitesi bulunabilir. Bu durumda 1 s 4VGB VB 4 dqg Cox CGB dvgb 4 1 VGB V s qn A C ox olur. büyüklüü gövde etkisi faktörü olarak adlandırılır. B (5.7) (5.8) (5.9)

9 5.9 Kanaldaki taıyıcı younluu N A ya göre ihmal edilebilir düzeyde olduu sürece bu baıntılar geçerli olur. S yeteri kadar büyük olduunda yüzeydeki elektronların younluu tabandaki delik younluunu aabilir. Boltzmann daılımına göre bu durum S = olduunda oluur. Burada n q / kt NA ne i (5.10) kt N ln A (5.11) q ni olur. S = ( : ermi potansiyeli), fakirlemi durumdan evirtim durumuna geçilebilmesi için gerekli olan yüzey gerilimidir. Evirtim durumunda yüzeydeki taıyıcı younluu taban younluuna göre daha büyüktür. V GB = V TH durumu S = olduunda oluur. V GB > V TH olduunda yüzey potansiyeli S ve sabit yük Q B ' deimez olarak düünülebilir, çünkü yeni yükler yüzeye yakın bölümlerdeki elektronlardan salanır. V GB gerilimindeki artı evirtim bölgesindeki Q I '. yükünde artı salar. S de küçük bir artı olursa, Boltzmann üstel baıntısına balı olarak, Q B ' yükü (5.5) baıntısına göre sabit kalırken, Q I ' yükünde artı olur. Bu durumda kanaldaki hareketli yükler QI QG Q0 QB (5.1) olarak gösterilir. Q I ' yükü MOSET in iletkenliini oluturur. (5.5), (5.6) ve (5.10) kullanılırsa eik gerilimi olur. V (5.13) TH V B Shichman-Hodges Modeli SPICE da kullanılan ilk ve basit model Shichman ve Hodges tarafından 1968 de gelitirilen modeldir ve 1. düzey MOS modeli (MOS1) olarak isimlendirilir. Burada yüzey potansiyeli referans potansiyeli olarak alınacaktır ve kanaldaki gerilim V c (x) olarak gösterilecektir. Savak-kaynak arasında sıfır voltluk gerilim olursa, yani dengede, yüzeydeki azınlık taıyıcıların younluunu tabandaki çounluk taıyıcılarının younluuna eit yapmak için,

10 5.10 yüzey potansiyeli S, kaynak ve taban arasındaki V evirtim kutuplamasını amalıdır: V (5.14) s (5.14) denklemini kullanırsak eik gerilimi V TH V B V (5.15) olur. Bu durumda eik gerilimi taban gerilimin kare kökünün bir fonksiyonudur. Burada gövde etkisi faktörü parametresidir ve (5.9) da tanımlanmıtır. V GS > V TH olduunda kanal oluur ve bu durumda savaa pozitif gerilim uygulanarak kanalda savaktan kaynaa doru sürüklenme ile akım akıtılır. Bu durumu gösteren MOSET kesiti ekil-5.4 de gösterilmitir. ekil-5.5 de ise savak geriliminin çeitli deerleri için kesitin aldıı durumlar gösterilmitir. Kanalın dx lik kısmında akan I x akımı dqi Ix dt (5.16) olur. Burada dq I, dx lik kısımda bulunan hareketli yüktür ve dt bu yükün dx lik kısmı katetmesi için gereken zamandır. dq I deeri dqi dqg dq0 dqb (5.17) olarak bulunur. Burada dq dq CWdxV V V ( ) (5.18) dq B ox G 0 ox GS B c x CWdx V (5.19) olarak tanımlanır. Geçit kapasitesi ise dqg CG Cox dv (5.0) GS olur. dq B nin hesabında kanal ve taban arasındaki gerilime (V + V c (x)) dikkat edilmemi ve bu gerilim V gerilimine eit olarak alınmıtır. Böyle bir yaklaım sadece V nin küçük olduu durumda geçerlidir. Aksi halde fakirlemi bölgenin X B kalınlıı savak yakınında, kaynak yakınına göre dikkat çekecek biçimde daha geni olur. Bu ekilde hesap edilen dq B deeri gerçek deerinden daha az olacaktır ve hesaplanan dq I çok büyük olacaktır.

11 5.11 V S V G V D n+ kanal n+ fakirlemi bölge 0 x dx V C (x) L Taban V B ekil-5.4. MOSET in kesit alanı (5.17), (5.18) ve (5.19) kullanılırsa dq CWV V ( x) V (5.1) I ox GS c TH elde edilir. Taıyıcıların v(x) hızı E x (x) elektrik alanına taıma denklemiyle ilikilendirilir: dx dvc ( x) ( x) Ex ( x) (5.) dt dx (5.) denkleminden 1 dvc ( x) (5.3) dt dx elde edilir. (5.16), (5.1) ve (5.3) denklemleri kullanılırsa dvc ( x) Ix WC oxvgs VTH Vc ( x) (5.4) dx

12 5.1 elde edilir. Kaynak ve savak arasında V c (x) deiken olarak alınarak (5.5) deki gibi integral alınırsa L eff V 0 x ox V GS VTH Vc ( x) I dx WC dv ( x) (5.5) 0 c VG V D VG V D n+ fakirlemi bölge kanal (evirtim tabakası) Taban n+ n+ fakirlemi bölge Kanal n+ (a) V > V G V = 0 D Evirtim T (b) V > V G T V < V - V D G T Kısılma öncesi V G V D n+ Kanal n+ fakirlemi bölge x = 0 L' L V > V G T V > V - V D G T (c) Kısılma ekil-5.5. Kutuplama etkilerine göre MOSET in fakirlemi bölge deiimi (a) savak gerilimi küçüktür, fakirlemi bölge kanal boyunca yaklaık olarak aynı kalınlıktadır. (b) savak gerilimi fakirlemi bölge kalınlıında belirli bir deiiklik yapacak kadar büyüktür. (c) savak gerilimi kısılma deerini amıtır, kanal sadece L' uzaklıına kadar uzanabilir. (L' < L ) I x akımının kanalın tümünde sabit kabul edilirse, akım

13 5.13 W V I. Cox VGS VTH V (5.6) Leff olarak bulunur. Model kaynak ile savak arasında sürekli bir kanal olduu sürece geçerlidir. akat V geriliminin belli bir deerinde, kanalla geçit arasındaki gerilimin eik gerilimine eit olduu kanaldaki noktadan savaa kadar kanalın oluması için gereken durumlar oluamaz. V (x) V (5.7) c GS V TH olduu durumda kanal sadece x = 0 dan x = L' ye kadar oluabilir. Burada L', kanal geriliminin V D,sat kısılma gerilimine ulatıı noktadır. VDsat Vc L, ( ) VGS VTH (5.8) olarak belirlenir. V > V D,sat olduunda I akımı V nin bir fonksiyonu olmaz, çünkü kanalın sonundaki gerilim bu durumda V D,sat gerilimine eittir. (5.6) ve (5.8) kullanılarak V > V D,sat için akım elde edilebilir. I VGS VTH (5.9) W Cox Leff KP W L eff (5.30) KP, bir SPICE parametresidir ve proses geçi iletkenlii parametresi olarak isimlendirilir. V - V D,sat gerilimi, x = L' ve x = L eff arasında düer ve bu gerilim farkı tarafından belirlenen elektrik alanı, taıyıcıları kanaldan savaa taır Shichman-Hodges modelinin SPICE programına uygulanması, SPICE 1. düzey MOS modeli SPICE programında kullanılan 1. düzey (LEVEL 1) MOS modeli Shichman ve Hodges tarafından verilen modele dayanmaktadır. 1. düzey MOS modeline ilikin akım-gerilim baıntıları:

14 5.14 Doymasız (Lineer) bölgede (V GS > V TH ve V < V GS - V TH için) I W 1 KP GS TH L X 1 jl V V V V V Doyma (kısılma) bölgesinde (V GS > V TH ve V > V GS - V TH için) I KP W L X V V jl 1 V GS TH (5.31) (5.3) eklindedir. X jl yan difüzyondur ve SPICE da LD olarak gösterilir. Eik gerilimi V TH T 0 V V (5.33) baıntısıyla tanımlanmıtır. Burada V T0, V = 0 daki eik gerilimidir. Her iki bölgede de L eff = L - X jl olarak alınır. (1+V ) terimi kısılma bölgesindeki iletkenlii ampirik olarak düzeltmek için konmutur. Bu ifadenin lineer bölgede de kullanılmasının nedeni lineer çalıma ve doyma bölgeleri sınırında birinci dereceden türevlerin sürekliliini salamaktır. Böylece kanal uzunluunun kısılma etkisi her iki bölge için verilen formüllerde yer alır. Bu durumda 5 tane elektriksel model parametresi bulunur: KP,, V T0, ve. Bu parametreler fiziksel parametrelerden hesaplanabilir. KP C ox (5.34) qn C ox A kt N ln (5.35) A (5.36) q ni Cox t ox ox (5.37) Çeitli etkenlerin MOSET in simülasyonla elde edilecek çıkı karakteristiklerine etkisi incelenmi ve sonuçlar ekil-5.6, ekil-5.7 ve ekil- 5.8 de gösterilmitir. Yapılan simülasyonlarda Tablo-5.1'deki parametre deerleri kullanılmıtır. Bu parametre deerlerinden, daha sonra ele alınacak olan. ve 3. düzey modeller için de yararlanılacaktır. Her simülasyon için farklı alınan deerler ise ilgili ekil üzerinde belirtilmitir. 1. düzey modelden (MOS1)

15 5.15 hareketle bulunan I D akımının V TO ve V ile deiimi de ekil-5.9'da görülmektedir. Tablo-5.1. SPICE simulasyonlarında kullanılan MOS model parameteri.model N NMOS (LEVEL=) LD= U TOX=505.0E-10 +NSUB= E16 + VTO= KP=44.9E-6 GAMMA=0.981 PHI=0.6 UO=656 +UEXP= UCRIT= DELTA=3.5317E-5 VMAX= XJ=0.4U +LAMBDA= NS=1E11 NE=1.001 NSS=1E1 TPG=1 RSH=9.95 +CGDO=.83588E-10 + CGSO=.83588E-10 CGBO=7.968E-10 CJ= MJ= CJSW=5.84E-10 MJSW= PB=0.7 XQC=1 *VTO parametre Date/Time run: 03/9/98 18:58:03 Temperature: uA I D 600uA 400uA VTO = 0.8V VTO = 1V VGS = V 00uA VTO = 0.8V VTO = 1V VGS = 3V 0A 0V V 4V 6V 8V 10V vds ekil düzey modelden (MOS1) hareketle bulunan I D savak akımının farklı V T0 eik gerilimi deerleri için V savak-kaynak gerilimi ile deiimi (çıkı karakteristikleri) 5.5. Meyer modeli Daha iyi bir model elde etmek için (5.19) denkleminde yapılan ihmal gözönüne alınarak Q B yi hesaplarken kanaldaki gerilimin Q B üzerindeki etkisi

16 5.16 *KP' parametre Date/Time run: 03/9/98 18:3:38 Temperature: uA 500uA KP' = 50uA/V^ VGS = 3V I D 400uA KP' =45uA/V^ 300uA 00uA KP' = 50uA/V^ VGS = V 100uA KP' = 45uA/V^ 0A 0V V 4V 6V 8V 10V vds ekil düzey modelden (MOS1) hareketle bulunan I D savak akımının farklı KP proses eim parametresi deerleri için V savak-kaynak gerilimi ile deiimi (çıkı karakteristikleri) *Lambda parametre Date/Time run: 03/9/98 19:0:35 Temperature: uA 600uA Lambda = 0.0 I D VGS = 3V Lambda = uA 00uA VGS = V Lambda = 0.0 Lambda = A 0V V 4V 6V 8V 10V vds ekil düzey modelden (MOS1) hareketle bulunan I D savak akımının farklı kanal boyu modülasyonu parametresi deerleri için V savak-kaynak gerilimi ile deiimi (çıkı karakteristikleri)

17 5.17 *VTO parametre Date/Time run: 03/9/98 19:08:08 Temperature: 7.0.0mA 1.5mA I D VTO = 0.8V 1.0mA VTO = 1V 0.5mA -0.0mA 0V 1.0V.0V 3.0V 4.0V 5.0V vgs (a) *V parametre Date/Time run: 03/9/98 19:14:46 Temperature: 7.0.0mA 1.5mA I D 1.0mA V = 0 0.5mA V = -1V -0.0mA 0V 1.0V.0V 3.0V 4.0V 5.0V vgs (b) ekil düzey modelden (MOS1) hareketle bulunan I D akımının için a) V TO ile b) V ile deiimi (geçi özerileri)

18 uA Date/Time run: 03/9/98 3:04:07 Temperature: uA 1. DUZEY VGS = V I D 100uA. DUZEY 50uA 1. DUZEY. DUZEY VGS = 1.5V -0uA VGS = 1V 0V V 4V 6V 8V 10V ekil-5.10: 1. düzey (MOS 1) ve düzey (MOS ) modeller yardımıyla hesaplanan I D savak akımının V savak-kaynak gerilimi ile deiimi (çıkı karakteristikleri). dikkate alınmalıdır. Bu problem 1971 yılında J.E.Meyer tarafından çözülmütür. dq Wdx C V V ( x) (5.39) Yeni durumdaki Q B B ox olur. Yeni akım deeri c I V 3 GS V V V 1.5 V V V B 1.5 (5.40)

19 5.19 eklinde ifade edilir. ki modelden elde edilen çıkı özerilerinin karılatırılması ekil-5.10'da verilmitir. Kısılma durumu, kanaldaki yük x = L' için sıfır olduunda oluur. (5.18) ve (5.19) denklemleri V = V D,sat için (5.17) denkleminde kullanılırsa V V V C C V V 0 Q ( I L ) GS D, sat B ox ox D, sat (5.41) bulunur. Buradan V D,sat D, sat VGS VB 1 1 VGS VB olarak elde edilir. V (5.4) Akımın parametresi ile deiimi V.= 0 için de elde edilmektedir ki, bu deiim 1. düzey modelde bulunmamaktadır Meyer modelinin SPICE programına uygulanması,. düzey SPICE MOS modeli Eik gerilimi fiziksel parametrelerden qn ss VT 0 MS (5.43) C T MS PG g A ox E kt N ln (5.44) q n i olarak bulunur. N' ss büyüklüü yüzey durum younluu olarak isimlendirilir. T PG parametresi geçidin tipini gösterir ve metal geçitli tranzistorlar için 0, polisilisyumdan yapılmı geçit elektrodlu tranzistorlar için -1 ve +1 deerlerini alır. Eer tabanla aynı tip polisilisyum kullanılmısa -1, farklı bir polisilikon kullanılmısa +1 kullanılır. (5.40) denklemine kanalboyu modülasyonu düzeltme terimi de eklenirse, lineer bölgede akım

20 I 3 KP 1V W LX V V 1.5 V V V jl GS B 5.0 V 1.5 V (5.45) eklinde yazılır. V nin küçük deerlerinde akım MOS1 deki deerlere çok yakın olmaktadır. Kısılma bölgesinde I I Dsat, 1 1 V (5.46) olur. I D,sat,(5.45) denkleminde V = V D,sat koyarak, V D,sat büyüklüü (5.4) denkleminden bulunur. Bu denklemler basit modele göre daha iyi sonuç verirler ama hala deneysel sonuçlara tam olarak uymaz. Bu nedenle, MOS tranzistorda etkili olan baka faktörlerin de model kapsamına alınması gerekmektedir. Geçit elektrik alanı ile hareket yeteneinin deiimi 1. DÜZEY MOS modelinde akım hesaplanırken hareket yetenei sabit alınmıtır. akat gerçekte geçit geriliminin artııyla hareket yeteneinde bir azalma olmaktadır. Bunu göstermek için SPICE programındaki. DÜZEY MOS modelinde KP parametresi bu etkiyi de içerecek biçimde s KP KP ox Uctox V V UV GS TH t U e (5.47) eklinde ifade edilmitir. Parentez içindeki terim 1 ile sınırlıdır. U c geçitten kanala kritik alandır. Bu seviyenin üzerinde hareket yetenei, (V GS - V TH - U t V ) / t ox kanala düey ortalama elektrik alanı temsil ettii durumda, azalmaya balar. U t parametresi 0 ile 0.5 arasında seçilir ve savak geriliminin geçitten kanala olan elektrik alanına katkısını gösterir. Bu

21 5.1 formül, kısa ve dar kanal etkilerinin olmadıı durumda ve sadece güçlü evirtim bölgesinde SPICE deerleriyle ölçüm deerlerini uyumlu hale getirir. U c ve U e parametrelerinin karakteristikler üzerindeki etkileri ekil-5.11, ekil-5.1 ve ekil-5.13 de gösterilmitir. Zayıf evirtim bölgesinde iletim SPICE daki temel model sürüklenme akımını yüzey potansiyeli ye eit veya daha fazla olduu zaman hesaplar. Gerçekte ise, V GS < V TH için de yüzeye yakın yerlerde bir elektron younluu vardır. Bu yüzden yüzey güçlü evirtim bölgesinde olmasa bile bir eikaltı akımı vardır. SPICE daki model zayıf evirtim bölgesinde I yi V GS ye üssel olarak balar. Bu model zayıf ve kuvvetli evirtim bölgeleri arasında bir sınır deer olarak V on gerilimi tanımlamıtır. Bu gerilim nkt Von VTH (5.48) q qns Cd n 1 (5.49) C C ox ox olur. C d fakirlemi bölgeyle ilikili kapasite deeridir ve (5.39) denklemiyle bulunur. Bu durumda C d dq dv B V (5.50) olarak bulunur. N S bir model parametresidir ve hızlı yüzey durumlarının sayısını gösterir. Bu parametrenin deeri log I -V erisinin eimine eittir.

22 5. *UC parametre Date/Time run: 03/9/98 :5:8 Temperature: mA 1.0mA I D UC = mA UC = mA 0V 1.0V.0V 3.0V 4.0V 5.0V vgs ekil düzey modelle (MOS) hesaplanan I D akımının V GS gerilimi ile deiimi (geçi karakteristii), U c parametre alınmıtır. 1.mA *UE parametre Date/Time run: 03/9/98 :56:56 Temperature: mA 0.8mA I D 0.6mA UE = mA UE = mA -0.0mA 0V 1.0V.0V 3.0V 4.0V 5.0V vgs ekil düzey modelle (MOS) hesaplanan I D akımının V GS gerilimi ile deiimi (geçi karakteristii), U e parametre alınmıtır.

23 5.3 CIKIS OZEGRILERI-UE parametre Date/Time run: 03/30/98 07:55:01 Temperature: uA I D 400uA 300uA UE = 0 UE = 0. VGS = 3V 00uA 100uA UE = 0 UE = 0. VGS = 1V 0A 0V V 4V 6V 8V 10V vds ekil düzey modelle (MOS) hesaplanan I D akımının V gerilimi ile deiimi (çıkı karakteristikleri), U e parametre alınmıtır. Zayıf evirtim bölgesindeki akım I I e on V V q/ nkt GS on (5.51) eklindedir. I on,v GS = V on için kuvvetli evirtim bölgesindeki akımdır. ekil-5.14'de modelin transfer karakteristii gösterilmitir. Model V GS = V on için türevde bir süreksizlik göstermektedir. Bu yüzden kuvvetli ve zayıf evirtim geçi bölgesindeki simülasyon tam doru deildir.

24 5.4 Kanal boyunun kısılma bölgesinde deiimi 1. ve. DÜZEY MOS modelleri için kısılma bölgesinde iletimi hesaplamak için ampirik parametresi kullanılmıtır. 100uA *NS parametre Date/Time run: 03/9/98 3:13:34 Temperature: nA NS 1E11 I D 100pA NS = 0 0V 0.5V 1.0V 1.5V.0V.5V 3.0V 3.5V 4.0V vgs ekil düzey model yardımıyla hesaplanan I D akımının zayıf evirtim bölgesinde farklı N S deerleri içinv GS ile deiimi (geçi karakteristii).. DÜZEY MOS modelinde, ayrıca, kısılma bölgesindeki kanal boyunu hesaplamak için fiziksel bir model kullanımı imkanı da vermektedir. L L parametresi eff ( 1 V ) (5.5) L L eff L V eff (5.53) ile hesaplanabilir. Burada

25 5.5 V VD, sat V VD, sat L eff L XD 1 (5.54) 4 4 X D s qn A (5.55) olarak bulunur. Bu modelle bulunan I D,sat ile V gerilimi erisinin eimi gerçek deerinden genelde biraz daha fazladır. Model, kısılma bölgesinde iletkenliin L eff e balılıını doru olarak vermektedir. Sabit kullanılırsa G iletkenlii V > V D,sat olduu için L eff ile deimez. Kanal uzunluunun eik gerilimi üzerindeki etkisi Kanal uzunluu, fakirlemi bölge kalınlııyla kıyaslanabilir oranda kısaysa eik gerilimi ile kanal boyutları W ve L arasında bir iliki oluur. Eer L büyükse bu iliki ihmal edilebilir. SPICE modelinde bu olay, kaynak ve savak fakirlemi bölgelerine doru Q B yükünün azalması fikrine dayandırılarak oluturulmutur. Bu modeldeki eik gerilimini oluturan Q B yükü ekil-5.15 de gösterilmitir. Bu olay parametresini gelitirerek Kaynak Geçit Savak Xj Q Beff X j WS W d Taban ekil Yau modeline göre efektif Q B taban yükünün geometrik hesaplanması

26 5.6 X j 1 1 W 1 s WD Leff Xj Xj (5.56) eklinde ifade edilir. X j metalurjik jonksiyon derinliidir. Burada W s kaynak, W D savak fakirlemi bölgelerinin genilikleridir. W S X D V (5.57) W D X D V V (5.58) Eik geriliminin ya balı olarak deiimi ekil-5.16 da gösterilmitir. X j nin çıkı karakteristii üzerindeki etkisi ekil de gösterilmitir. Taıyıcıların hız sınırlarının etkisi (5.4) denklemiyle hesaplanan kısılma gerilimi savaın yakınında x = L' olduu anda kanaldaki yükün sıfır olduu kabulüne dayanmaktaydı. akat bu kabul yanlıtır. Çünkü kısılma akımını taıyan taıyıcıların younluu kanalda mutlaka sıfırdan büyük olmalıdır, bu younluk taıyıcıların hareket hızına balıdır. Savak ve x = L' deki kanal sonu arasındaki elektrik alanı, taıyıcıları hız sınırında sürükleyecek kadar büyük olabilir. Bu maksimum hız v max olarak gösterilir ve V = V D,sat durumundaki Q I ' nün hesabında kullanılır: I Q I W Dsat, max (5.59) I D nin v max a balılıı ekil-5.18 de gösterilmitir.

27 uA Date/Time run: 04/11/98 17:59:59 Temperature: uA VSB = 5V V = 0.5V I D 00uA GAMMA = 0 100uA GAMMA = A 0V 1.0V.0V 3.0V 4.0V 5.0V vgs ekil düzey modelde gövde etkisi 400uA 300uA Date/Time run: 04/11/98 17:43:58 Temperature: 7.0 XJ = um VGS = 3V XJ = 0 I D 00uA XJ = um VGS = V 100uA XJ = 0-0uA VGS = 1V 0V 1.0V.0V 3.0V 4.0V 5.0V vds ekil-5.17:.düzey model yardımıyla hesaplanan I D akımının X j ile deiimi (çıkı özerileri)

28 5.8 *vmax parametre 1.5mA Date/Time run: 03/9/98 3:8:15 Temperature: mA vmax = 0 vmax = VGS = 5V I D 0.5mA vmax = 0 vmax = VGS = 3V 0A 0V V 4V 6V 8V 10V vds ekil düzey modelden hesaplanan çıkı karakteristiklerinin farklı v max deerleri için deiimi. Eer v max parametresi belirtilirse SPICE programı kısılma bölgesindeki kanal boyu modülasyonunu (5.3.5) bölümünde belirtilen formüllerle hesaplamaz. Bu durumda Baum ve Beneking tarafından tanımlanan model kullanılır. L L X eff D XD max XD V VDsat, Burada X D parametresi bir N eff eri uydurma parametresiyle birlikte X D s qn N A eff olarak tanımlıdır. max (5.60) (5.61) Buraya kadar ele alınan model 4-5m lik kanal boyuna kadar oldukça iyi sonuçlar vermektedir. akat lineer ve kısılma bölgeleri sınırında türevlerde bir süreksizlik oluturmaktadır. Bu da iletkenlik hesabında daha az bir doruluk olmasını salar ve kullanılan Newton-Raphson algoritmasında yakınsama problemleri olumaktadır.

29 5.9 Kanal geniliinin eik gerilimi üzerindeki etkisi 5 veya 6 m den daha küçük kanal geniliine (W) sahip MOSET lerde V TH eik gerilimi klasik modeldeki deerden daha büyüktür. Bu etki, Q B yükünün kanal kenarlarındaki iki boyutlu daılımından kaynaklanmaktadır. ekil-5.19 bu olayı göstermektedir. Sınır bölgelerdeki etkiyi eklersek eik gerilimi için (5.15) baıntısından farklı olarak V TH V B V (5.6) s V 4C oxw bulunur. Burada deiimi salamak için parametresi kullanılmıtır. Bu parametre SPICE da DELTA olarak gösterilmektedir. Eik geriliminin artııyla I D akımı etkilenmektedir. Akımın deiimi ekil-5. 0 de gösterilmitir. Geçit kapasitesi SPICE, Meyer in kullandıı modele benzer bir geçit kapasitesi modeli kullanmaktadır. Bu basit modelde yük birikimi olayı 3 tane nonlineer kapasite tarafından gösterilmektedir: C GB, C GS, C GD. Model denklemleri öyledir:

30 5.30 W XB QBeff ekil Kanal sınırlarındaki fakirlemi bölgeler tarafından azaltılmı Q B taban yükünün geometrik hesaplanması ekil düzey modelden hesaplanan I D akımının eik gerilimi ile deiimi (geçi karakteristii) [1]

3. 27 I C C' C C (V B ' C ') C DC. EM1 Modeli I B C E (V B ' E ') E' r E ' I E

3. 27 I C C' C C (V B ' C ') C DC. EM1 Modeli I B C E (V B ' E ') E' r E ' I E 3. 27 3.2.2. EM2 Modeli EM2 modeli, bir bipolar tranzistordaki yük birikimi olaylarının temsil edildii birinci dereceden bir modeldir. Bu model, kısıtlı da olsa, frekans domeni ve geçici hal analizlerinin

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ

1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ 1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ 1.1. Giriş, Analog tümdevrelerde MOS teknolojisinin yeri Son zamanlara kadar daha çok dijital sistemlerin gerçekleştirilmesinde kullanılan MOS teknolojisi, günümüzde, analog

Detaylı

6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER

6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER 6. 1 6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER Analog çarpma devreleri, giri gerilimlerinin çarpımıyla orantılı çıkı gerilimi veren düzenlerdir ve aradaki iliki V O =.V.V Y (6.1) eklindedir. büyüklüü çarpma devresinin

Detaylı

1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKN

1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKN 1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKN 1.1. Giri, Analog tümdevrelerde CMOS teknolojisinin yeri Ortaya çıktıı ilk yıllarda daha çok sayısal sistemlerin gerçekletirilmesinde yararlanılan CMOS teknolojisi, günümüzde,

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi = R R G

4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi = R R G 34 ENDÜSTYEL ELEKTNK 4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi Enstrümantasyon ve dönütürücü uygulamalarında µvlar mertebesinde fark iaret gerilimleri ve bunlarla birlikte bulunan büyük deerli ortak iaret

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN TARAFINDAN 11.03.2009 TARĐHĐNDE YAYINLANAN NOTLARIN YENĐDEN DÜZENLENMĐŞ HALĐDĐR.

BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN TARAFINDAN 11.03.2009 TARĐHĐNDE YAYINLANAN NOTLARIN YENĐDEN DÜZENLENMĐŞ HALĐDĐR. BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN TARAFINDAN 11.03.2009 TARĐHĐNDE YAYINLANAN NOTLARIN YENĐDEN DÜZENLENMĐŞ HALĐDĐR. 1 TÜMDEVRE TASARIM ĐLKELERĐ 1.GĐRĐŞ 2.TÜMDEVRE TASARIMI VE ÜRETĐMĐ AŞAMALARI 2.1. Maske

Detaylı

2. TEMEL YAPITA LARI

2. TEMEL YAPITA LARI . TEMEL YAPITALARI Bu bölümde temel NMOS ve CMOS yapıblokları olan akım kaynakları, gerilim referansları, temel kazanç katları genel özellikleri açısından ele alınacaktır... Diyot balı NMOS tranzistor

Detaylı

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA GÜVENİLİRLİĞİ

CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA GÜVENİLİRLİĞİ CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA ÜVENİLİRLİĞİ Yasin ÖZCELEP 1 Ayten KUNTMAN Hakan KUNTMAN 3 1, İstanbul Üniversitesi,Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü,3430, Avcılar, İstanbul 3 Elektronik ve Haberleşme

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET

TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET EBE-211, Ö.F.BAY 1 Temel Elektriksel Nicelikler Temel Nicelikler: Akım,Gerilim ve Güç Akım (I): Eletrik yükünün zamanla değişim oranıdır.

Detaylı

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot

Detaylı

Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü

Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü (Novel High-Precision Current-Mode Multiplier/Divider) Ümit FARAŞOĞLU 504061225 1/28 TAKDİM PLANI ÖZET GİRİŞ AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ DEVRE ÖNERİLEN AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış

Detaylı

9. EŞİKALTI BÖLGESİNDE ÇALIŞAN ANALOG YAPI BLOKLARI

9. EŞİKALTI BÖLGESİNDE ÇALIŞAN ANALOG YAPI BLOKLARI 9. EŞİKALT BÖLGESİNDE ÇALŞAN ANALOG YAP BLOKLAR Son yıllarda, eşikaltında çalışan MOS tranzistorların kullanıldığı analog devre yapıları gittikçe önem kazanmaktadır. Bunun başlıca nedeni, hasta üzerine

Detaylı

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ AMAÇLAR: ir transistor ün kolektör e baz eğrilerinin görülmesi. Transistor ün beta ( β) değerinin belirlenmesi. Sıcaklığa bağlı değişimlerin belirlenmesi.

Detaylı

1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ

1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ . ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ.. Giriş, Analog tümdevrelerde CMOS teknolojisinin yeri Ortaya çıktığı ilk yıllarda daha çok sayısal sistemlerin gerçekleştirilmesinde yararlanılan CMOS teknolojisi, günümüzde,

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

Ders 3- Direnç Devreleri I

Ders 3- Direnç Devreleri I Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel

Detaylı

3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c)

3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c) . Kazancın sonlu olması,. Lineerlik bölgesinin sonlu olması, 3. dengesizlik gerilimi, 4. frekans eğrisi, 5. gürültü alt başlıkları altında sıralanabilir. 3. V DD V CC I O I O I O I O V i - T T C C V O

Detaylı

(BJT) NPN PNP

(BJT) NPN PNP Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 6 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap) Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim

Detaylı

DENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B

DENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051

Detaylı

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ

Detaylı

MAK 210 SAYISAL ANALİZ

MAK 210 SAYISAL ANALİZ MAK 210 SAYISAL ANALİZ BÖLÜM 5- SONLU FARKLAR VE İNTERPOLASYON TEKNİKLERİ Doç. Dr. Ali Rıza YILDIZ MAK 210 - Sayısal Analiz 1 İNTERPOLASYON Tablo halinde verilen hassas sayısal değerler veya ayrık noktalardan

Detaylı

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ 14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ Sinüsoidal Akımda Direncin Ölçülmesi Sinüsoidal akımda, direnç üzerindeki gerilim ve akım dalga şekilleri ve fazörleri aşağıdaki

Detaylı

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11 MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.

Detaylı

Bölüm 1. Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları

Bölüm 1. Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları Bölüm Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları. Temel Elektriksel Büyüklükler: Akım, Gerilim, Güç, Enerji. Güç Polaritesi.3 Akım ve Gerilim Kaynakları F.Ü. Teknoloji Fak. EEM M.G. .. Temel

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

Problem Çözmede Mühendislik Yaklaşımı İzlenecek Yollar Birimler ve ölçekleme Yük, akım, gerilim ve güç Gerilim ve akım kaynakları Ohm yasası

Problem Çözmede Mühendislik Yaklaşımı İzlenecek Yollar Birimler ve ölçekleme Yük, akım, gerilim ve güç Gerilim ve akım kaynakları Ohm yasası Yrd. Doç. Dr. Fatih KELEŞ Problem Çözmede Mühendislik Yaklaşımı İzlenecek Yollar Birimler ve ölçekleme Yük, akım, gerilim ve güç Gerilim ve akım kaynakları Ohm yasası 2 Mühendislik alanında belli uzmanlıklar

Detaylı

3. BÖLÜM LEMSEL KUVVETLEND R C LER N L NEER OLMAYAN UYGULAMALARI

3. BÖLÜM LEMSEL KUVVETLEND R C LER N L NEER OLMAYAN UYGULAMALARI 3. BÖLÜM LEMSEL KUETLENDCLEN LNEE LMAYAN UYGULAMALA lemsel kuvvetlendiriciler ve yarıiletken diyotlar, bipolar tranzistor gibi devre elemanlarının birlikte kullanılmasıyla, karakteristikleri lineer olmayan

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku

Detaylı

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,

Detaylı

Mühendislik Mekaniği Statik. Yrd.Doç.Dr. Akın Ataş

Mühendislik Mekaniği Statik. Yrd.Doç.Dr. Akın Ataş Mühendislik Mekaniği Statik Yrd.Doç.Dr. Akın Ataş Bölüm 10 Eylemsizlik Momentleri Kaynak: Mühendislik Mekaniği: Statik, R. C.Hibbeler, S. C. Fan, Çevirenler: A. Soyuçok, Ö. Soyuçok. 10. Eylemsizlik Momentleri

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

7. MOS OS LATÖR DEVRELER

7. MOS OS LATÖR DEVRELER 7. MOS OSLATÖ DEVELE aret üreten devreler, genel olarak, osilatör olarak isimlendirilirler. Osilatörler, doru akım gücünü periyodik dalga ekilli bir iarete çeviren devrelerdir. Osilatör yapıları, akortlu

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Şaban ULUS Şubat 2014 KAYSERİ

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRONIK YÜK. MÜH.

SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRONIK YÜK. MÜH. EM 420 Yüksek Gerilim Tekniği DÜZLEMSEL ELEKTROT SİSTEMİ YRD.DOÇ. DR. CABBAR VEYSEL BAYSAL ELEKTRIK & ELEKTRONIK YÜK. MÜH. Not: Tüm slaytlar, listelenen ders kaynaklarından alıntı yapılarak ve faydalanılarak

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net Yük Elektriksel yük maddelerin temel özelliklerinden biridir. Elektriksel yükün iki temel

Detaylı

TEMEL ELEKTROT SİSTEMLERİ Eş Merkezli Küresel Elektrot Sistemi

TEMEL ELEKTROT SİSTEMLERİ Eş Merkezli Küresel Elektrot Sistemi TEMEL ELEKTROT SİSTEMLERİ Eş Merkezli Küresel Elektrot Sistemi Merkezleri aynı, aralarında dielektrik madde bulunan iki küreden oluşur. Elektrik Alanı ve Potansiyel Yarıçapları ve ve elektrotlarına uygulanan

Detaylı

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku

Detaylı

OTA. lemsel kuvvetlendiricinin gerilim kontrollu gerilim kayna ı özelli i göstermesi, çıkı direncinin çok küçük olması ve kazancın G =

OTA. lemsel kuvvetlendiricinin gerilim kontrollu gerilim kayna ı özelli i göstermesi, çıkı direncinin çok küçük olması ve kazancın G = 4. CMOS GEÇ LETKENL KUVVETLENDRCS, OTA lemsel kuvvetlendiricinin erilim kontrollu erilim kaynaı özellii östermesi, çıkı direncinin çok küçük olması ve kazancın V O K V = (4.) V I -V I baıntısıyla tanımlanmasına

Detaylı

PSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR

PSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR PSpice Simülasyonu Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR Ekim 2005 1. Giriş Bilgisayarla devre simülasyonu, elektronik devrelerin ve sistemlerin tasarımında en önemli adımlardan biridir. Devre ve tümdevre

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP TRİSTÖR (SCR) Yapı ve Sembol İletim Karakteristiği KARAKTERİSTİK DEĞERLER I GT : Tetikleme Akımı. U GT : Tetikleme Gerilimi I GTM

Detaylı

Vakum teknolojisi. Sistem kılavuzu

Vakum teknolojisi. Sistem kılavuzu Vakum teknolojisi Sistem kılavuzu Yazılım Yazılım aracı: Vakum seçimi Festo, vakum hesaplarına esas tekil eden, hızlı ve kolay bir ekilde uygun vantuz tutucu elemanının seçimini olanaklı kılan 2001 ürünleri

Detaylı

DENEY RAPORU. Fotometrik Yöntemle Karıım Tayini (11 No lu deney)

DENEY RAPORU. Fotometrik Yöntemle Karıım Tayini (11 No lu deney) M.Hilmi EREN 04-98 - 3636 Enstrümantel Analiz II Lab. 9.Deney Grubu DENEY RAPORU DENEY ADI Fotometrik Yöntemle Karıım Tayini (11 No lu deney) DENEY TARH 31 Ekim 2003 Cuma AMAÇ Lambert-Beer yasasından ve

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

TEMEL ELEKTROT SİSTEMLERİ Silindirsel Elektrot Sistemi

TEMEL ELEKTROT SİSTEMLERİ Silindirsel Elektrot Sistemi Aralarında yalıtkan madde (dielektrik) bulunan silindir biçimli eş eksenli yada kaçık eksenli, iç içe yada karşılıklı, paralel ve çapraz elektrotlar silindirsel elektrot sistemlerini oluştururlar. Yüksek

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

MAK 210 SAYISAL ANALİZ

MAK 210 SAYISAL ANALİZ MAK 210 SAYISAL ANALİZ BÖLÜM 6- İSTATİSTİK VE REGRESYON ANALİZİ Doç. Dr. Ali Rıza YILDIZ 1 İSTATİSTİK VE REGRESYON ANALİZİ Bütün noktalardan geçen bir denklem bulmak yerine noktaları temsil eden, yani

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI

SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI Sayısal Devreler (ojik Devreleri) SYIS EEMNIN İÇ YPII Sayısal tümdevrelerin gerçeklenmesinde çeşitli tipte tranzistorlar kullanılır. İlk olarak bipolar tipteki tranzistorlar tanıtılacaktır. ipolar Tranzistor:

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

Elektrik Akımı, Direnç ve Ohm Yasası

Elektrik Akımı, Direnç ve Ohm Yasası 1. Akım Şiddeti Elektrik akımı, elektrik yüklerinin hareketi sonucu oluşur. Ancak her hareketli yük akım yaratmaz. Belirli bir bölge ya da yüzeyden net bir elektrik yük akışı olduğu durumda elektrik akımından

Detaylı

! " # $ % & '( ) *' ' +, -. /.,

!  # $ % & '( ) *' ' +, -. /., !"#$ %& '()*' ' +,-./.,-. 0 12.30.420 ,-./.,-,-.5' $-.5 6# #",-.5 2(3 # #",-.5 6') 7 2(3 87" $-.5.$-.5) 7 # * ",222 2 #5# * #)7 #7",-./.,- Theorem: Context-free diller union, concatenation ve Kleene star

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

DEVRE VE SİSTEM ANALİZİ ÇALIŞMA SORULARI

DEVRE VE SİSTEM ANALİZİ ÇALIŞMA SORULARI DEVRE VE SİSTEM ANALİZİ 01.1.015 ÇALIŞMA SORULARI 1. Aşağıda verilen devrede anahtar uzun süre konumunda kalmış ve t=0 anında a) v 5 ( geriliminin tam çözümünü diferansiyel denklemlerden faydalanarak bulunuz.

Detaylı

ALTERNATİF AKIM (AC) II SİNÜSOİDAL DALGA; KAREKTRİSTİK ÖZELLİKLERİ

ALTERNATİF AKIM (AC) II SİNÜSOİDAL DALGA; KAREKTRİSTİK ÖZELLİKLERİ . Amaçlar: EEM DENEY ALERNAİF AKIM (AC) II SİNÜSOİDAL DALGA; KAREKRİSİK ÖZELLİKLERİ Fonksiyon (işaret) jeneratörü kullanılarak sinüsoidal dalganın oluşturulması. Frekans (f), eriyot () ve açısal frekans

Detaylı

TAŞINIMIN FİZİKSEL MEKANİZMASI

TAŞINIMIN FİZİKSEL MEKANİZMASI BÖLÜM 6 TAŞINIMIN FİZİKSEL MEKANİZMASI 2 or Taşınımla ısı transfer hızı sıcaklık farkıyla orantılı olduğu gözlenmiştir ve bu Newton un soğuma yasasıyla ifade edilir. Taşınımla ısı transferi dinamik viskosite

Detaylı

BÖLÜM 2 D YOTLU DO RULTUCULAR

BÖLÜM 2 D YOTLU DO RULTUCULAR BÖLÜ 2 DYOTLU DORULTUCULAR A. DENEYN AACI: Tek faz ve 3 faz diyotlu dorultucularn çalmasn ve davranlarn incelemek. Bu deneyde tek faz ve 3 faz olmak üzere tüm yarm ve tam dalga dorultucular, omik ve indüktif

Detaylı

DEVRE DEĞİŞKENLERİ Bir elektrik devresinde enerji ölçülebilen bir değer değildir fakat ölçülebilen akım ve gerilim değerlerinden hesaplanır.

DEVRE DEĞİŞKENLERİ Bir elektrik devresinde enerji ölçülebilen bir değer değildir fakat ölçülebilen akım ve gerilim değerlerinden hesaplanır. DEVRE DEĞİŞKENLERİ Bir elektrik devresinde enerji ölçülebilen bir değer değildir fakat ölçülebilen akım ve gerilim değerlerinden hesaplanır. Akımın yönü okla gösterilir. Gerilimin akım gibi gösterilen

Detaylı

MEMM4043 metallerin yeniden kazanımı

MEMM4043 metallerin yeniden kazanımı metallerin yeniden kazanımı 2016-2017 güz yy. Prof. Dr. Gökhan Orhan MF212 katot - + Cu + H 2+ SO 2-4 OH- Anot Reaksiyonu Cu - 2e - Cu 2+ E 0 = + 0,334 Anot Reaksiyonu 2H 2 O O 2 + 4H + + 4e - E 0 = 1,229-0,0591pH

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir.

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir. Bir fuel cell in teorik açık devre gerilimi: Formülüne göre 100 oc altinda yaklaşık 1.2 V dur. Fakat gerçekte bu değere hiçbir zaman ulaşılamaz. Şekil 3.1 de normal hava basıncında ve yaklaşık 70 oc da

Detaylı

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin. DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 5: Fotovoltaik Hücre Karakteristikleri Fotovoltaik Hücrede Enerji Dönüşümü Fotovoltaik Hücre Parametreleri I-V İlişkisi Yük Çizgisi Kısa Devre Akımı Açık Devre Voltajı MPP (Maximum

Detaylı

Bölüm 4 Doğru Akım Devreleri. Prof. Dr. Bahadır BOYACIOĞLU

Bölüm 4 Doğru Akım Devreleri. Prof. Dr. Bahadır BOYACIOĞLU Bölüm 4 Doğru Akım Devreleri Prof. Dr. Bahadır BOYACIOĞLU Doğru Akım Devreleri Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Yasası Elektromotor Kuvvet (EMK) Kirchoff un Akım Kuralı Kirchoff un İlmek Kuralı Seri ve Paralel

Detaylı

GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ

GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ DENEY 1 GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ YENİLEBİLİR ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUAR YRD. DOÇ. DR. BEDRİ KEKEZOĞLU DENEY 1 GÜNEŞ ENERJİSİ SİSTEMLERİ 1. GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ Dünyamızın en büyük enerji kaynağı olan

Detaylı

Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları

Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 40 Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 1 Test 1 in Çözümleri 1. USG ve MR cihazları ile ilgili verilen bilgiler doğrudur. BT cihazı c-ışınları ile değil X-ışınları ile çalışır. Bu nedenle I ve II.

Detaylı