Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü
|
|
- Ilhami Bulut
- 7 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 BJT YÜKSELTEÇLER (KUVVETLENDİRİCİLER) (BJT AMPLIFIERS) KÜÇÜK İŞARET ANALİZİ (AC ANALİZİ) Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 1
2 BJT YÜKSELTEÇLER Önceki bölümde, bipolar transistörün çalışması ve yapısı tanımlanmış ve bu elemanları içeren devrelerin dc cevabını tasarlanmış ve analiz edilmişti. Bu bölümde lineer yükselteç uygulamalarında bipolar transistörün kullanımı üzerinde durulacaktır. Lineer yükselteçler dendiğinde çoğu zaman analog sinyallerle uygulamalar anlaşılmaktadır. Analog sinyalin genliği limitleri içerisinde herhangi bir değerde olabilir ve zamana göre sürekli bir değişim arzedebilir. Bu durumda lineer yükselteçde çıkış sinyali giriş sinyalinin genellikle birden büyük bir sabit ile çarpılmış halidir ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 2
3 Bu bölümde verilmek istenenler aşağıdaki gibi sıralabilir. Analog sinyal kavramını ve lineer yükselteç prensibini anlamak, Zamanla değişen küçük genlikli bir giriş sinyalini kuvvetlendiren bir tranzistör devresinin işleyişini incelemek, AC yük doğrusu kavramını anlamak ve çıkış sinyalinin maksimum simetrik salınımını belirlemek, Çok transistörlü ve çok katmanlı kuvetlendirici devrelerini analiz etmek, Bir yükselteç devresinde sinyal gerilim, akım ve güç kazancı kavramını tanımlamak ve hesaplamak ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 3
4 1.1 ANALOG SİNYALLER VE LİNEER YÜKSELTEÇLER Bu bölümde sinyalleri, analog devreleri ve yükselteçleri inceleyeceğiz. Bir sinyal bir çeşit bilgi içerir. Örneğin konuşan bir insan tarafından üretilen ses dalgaları başka bir insanla iletişim kuran insanın bilgilerini içerir. Bizim duyma, görme ve dokunma gibi fiziksel duyularımız doğal olarak analogtur. Analog sinyaller sıcaklık, basınç ve rüzgar hızı gibi parametreleri temsil eder. Aşağıda bir kompakt diskin çıkış sinyali, mikrofondan gelen bir sinyal veya kalp ritim monitöründen gelen bir sinyal gibi elektriksel sinyaller ile ilgilenceğiz. Elektriksel sinyaller zamanla değişen akım ve gerilim formundadır. Analog sinyalin genliği limitleri içerisinde herhangi bir değeri alabilir ve zamanla sürekli değişebilir ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 4
5 Analog sinyalleri işleyen elektronik devreler analog devreler olarak isimlendirilir. Analog devreye bir örnek lineer yükselteçdir. Lineer bir yükselteç giriş sinyalini yükseltir ve genliği giriş sinyaliyle orantılı ve daha büyük olan bir çıkış sinyali üretirler. Pek çok günlük modern sistemde sinyaller işlenir ve dijital formda gönderilir veya alınır. Analog sinyal üretmek için bu dijital sinyaller bir dijital-analog dönüştürücü vasıtasıyla işlenmelidir. D/A ve A/D dönüştürücüler kullanılır. Bu bölümde, kuvvetlendirilecek analog bir sinyale baştan sahip olduğumuzu kabul edeceğiz ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 5
6 Belirli bir kaynaktan gelen zamanla değişen sinyaller faydalı olacak şekilde işlenebilmeden önce sıklıkla kuvvetlendirilmesi gerekir. Örneğin Şekil 1 kompakt disk sisteminin çıkışı olan bir sinyal kaynağını göstermektedir. Burada sinyal kaynağı D/A konvertörün çıkışı olup bu sinyal küçük güçlü olan ve zamanla değişen küçük bir akım ve gerilimden oluşur. Hoparlörü sürmek için gerekli güç kompakt diskin çıkış sinyalinden daha büyüktür dolayısıyla kompakt disk sinyali, sesin duyulabilmesi için hoparlörleri sürmeden önce kuvvetlendirilmelidir. Diğer sinyal örnekleri de bir mikrofonun çıkışı, dünya etrafında dönen bir mekikten alınan ses sinyalleri, hava uydusundan alınan video sinyalleri ve EKG cihazından alınan çıkış sinyalleri gibi aynı şekilde kullanışlı ve işlenebilir hale getirilmeden önce kuvvetlendirilmelidir (YÜKSELTİLMELİDİR) ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 6
7 Şekil 1 de gösterildiği üzere bir dc kaynak yükselteçye (yükseltece,(amplifikatöre)) bağlanmıştır. yükselteç devresinde, transistörün yükseltici olarak davranabilmesi için ileri-aktif bölgede kutuplanmış transistörler kullanılmalıdır. Burada hoparlör çıkışının kompakt diskin ürettiği sinyalin mümkün olduğunca net bir kopyası olması için çıkış sinyalinin giriş sinyalinin lineer kuvvetlendirilmiş hali olmasını gerekmektedir. Bu yüzden yükseltecin (amplifikatörün) lineer çalışmasını istemekteyiz ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 7
8 dc güç kaynağı dc güç Giriş işareti CD çalar zayıf işaret (sinyal) gücü Yükselteç (kuvvetlendirici ) güçlü işaret (sinyal) gücü (Amplifier) yük hoparlör Şekil 1.a: Kompakt disk çaların blok diyagramı ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 8
9 Şekil 1.b: Örnek bir yükseltici devresi ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 9
10 Şekil 1 kuvvetlendiricinin iki tip analizini yapmamız gerekmektedir: İlki dc kaynak uyguladığımızdan dolayı dc analiz bunu kutuplama, eğilimleme veya ön gerilimleme olarak bililiyoruz. Bu analizin nasıl yapıldrığını önceki derslrimizde detaylı olarak işlemiştik. İkincisi zamanla değişen sinyal kaynağından dolayı zamanla değişen veya ac analizdir. Bu analizin nasıl yapılacağını, bu analiz için gerekli olan ac eşdeğer devresinin çıkartılışını bu dersimizde işleyeceğiz ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 10
11 Lineer bir yükselteçde süperpozisyon prensibi uygulanır. Süperpozisyon prensibi ugulandığında birden çok bağımsız giriş tarafından uyarılan lineer bir devrenin cevabı her bir giriş kaynağına karşı düşen cevapların tek tek toplamına eşittir. Ac analizi yapılırken aşağıdaki adımlar uygulanarak ac eşdeğer devre elde edilir. a) Bütün dc kaynaklar sıfıra eşitlenir ve kısa devre eşdeğeri yerleştirilir. b) Bütün kapasitörlerin yerine kısa devre eşdeğerleri konulur c) Adım a ve b de kısa devre yapılan elemanlar devreden kaldırılır d) Devre daha kullanılışlı ve daha mantıklı bir şekilde yeniden çizilir ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 11
12 Yukarıdaki kurallar Şekil 3.a da verilen ortak emiterli yükselteç devresine uygulandığında Şekil 3.b de verilen bsitleştirilmiş ac eşdeğer devre elde edilir. Bu eşdeğer devrenin ac analizine tam hazır hale gelmesi için ileride göreceğimiz gibi ilave değişiklikler gerekecektir. Burada hem zamanla değişen ac işaretler (sinyaller) hemde dc işretlerle işlem yapacağız. Bu nedenle bu işaretleri biribirinden ayıran simgeler kullanılmalıdır. Tablo 1 kullanılacak olan simgeleri özetlemektedir. Büyük harf alt simgeli ve büyük harf değişken (örneğin V CE ) DC değeri, Küçük harf alt simgeli ve kücük harf (bazen büyük hafte kullanılmaktadır) değişken (örneğin v ce ) ac değeri, Büyük harf alt simgeli ve küçük harf değişken (örneğin v CE ), toplam ani değeri gösterir. (Şekil 2 ye bakınız) ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 12
13 DC devrede DC değer Ac eşdeğer devrede ac değer Toplam ani değer V BE v be v BE I B i b i B I C i c i C V CE v ce v CE I E i e i E Tablo 1: DC değer, ac değer ve toplam ani değeri gösteren simgeler ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 13
14 Şekil 2: DC sinyal, ac sinyal ve toplam ani değer gösterilimi ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 14
15 Şekil 3.a: Ortak Emiterli Yükselteç Şekil 3.b: Basitleştirilmiş ac eşdeğer devre ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 15
16 2 BİPOLAR (BJT) LİNEER YÜKSELTEÇ (KUVVETLENDİRİCİ) Buradaki amaç tek bir transistörün küçük, zamanla değişen sinyali yükseltilmesinden yola çıkarak yükseltilme işlemini incelemek ve lineer yükseltecin analizinde kullanılan transistörün küçük-sinyal modelini geliştirmektir. Bu bölümda bipolar transistör (BJT) yükselteçlerini inceleyeceğiz. Bipolar transistörler (BJT) göreceli olarak yüksek kazançlarından dolayı geleneksel olarak lineer yükselteç devrelerinde kullanılmıştır. Analizimize bir önceki bölümde tartışılan bir bipolar devreyi göz önüne alarak başlayalım. Şekil 4(a) giriş sinyali V i olan ve hem dc hem de ac sinyali içeren bir devreyi gösterir ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 16
17 Şekil 4.a ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 17
18 Şekil 4.b: Zamanla değişen sinyal kaynağının beyz dc kaynağı ile seri bağlandığı ortak-emiterli yükselyeç devresi ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 18
19 Şekil 4.c (Şekil 1.b ye bakınız) ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 19
20 Şekil 1.b: Örnek yükselteç devresi ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 20
21 Şekil 4(a) Bipolar transistör inverter devresini, Şekil 4(b) de V BB transistörü belirli bir Q noktasında kutuplandıran dc kaynağı, v S kuvvetlendirilecek sinyal olmak üzere ac kaynağı içeren aynı devreyi göstermektedir. Şekil 4(c) daha önceki dersimizde geliştirilen gerilim transfer karakteristiğini göstermektedir. Devreyi bir yükselteç olarak çalıştırmak için transistörü ileri-aktif bölgede kutuplandırarak Q (sükunet noktası veya çalışma noktası) noktasında çalıştırmak üzere dc gerilim ayarlanmalıdır. Bu dc analiz veya devre tasarımı bir önceki dersimizde (dc analizi-kutuplama yöntemleri) detaylı olarak işlenmişti ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 21
22 Örnek olarak sinüsoidal zamanla değişen bir sinyal dc giriş gerilimine V BB bindirilirse çıkış gerilimi zamanla değişen bir çıkış gerilimi üreterek transfer eğrisi boyunca değişecektir. Eğer zamanla değişen çıkış gerilimi giriş gerilimi ile doğru orantılı ve daha büyükse bu durumda devre lineer yükselteçtir. Bu şekilden transistör aktif bölgede kutuplanmamışsa çıkış geriliminin giriş gerilimindeki değişiklik ile orantılı değişmeyeceğini görürüz. Bu durumda artık bu bir yükselteç değildir. Bu bölümde bipolar transistörlerin ac analiz ve tasarımıyla ilgileneceğiz. Bunu yapmak için zamanla değişen çıkış ve giriş sinyalleri arasındaki bağıntıyı belirlemeliyiz. Bu amaçla devrenin temel çalışmasına bir öngörü oluşturması için ilk olarak grafiksel tekniği kullanacağız ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 22
23 2.1 Grafiksel Analiz ve AC Eşdeğer devre Şekil 5, Şekil 4.b da verilen transistörün karakteristiğini, dc yük doğrusu ve Q-çalışma nokrasını göstermektedir. Sinüsoidal sinyal kaynağı Vs şekilde gösterildiği gibi çalışma noktasındaki beyz akımına bindirilmiş zamanla değişen veya ac beyz akımı üretecektir. Zamanla değişen beyz akımı çalışma noktasındaki kollektör akımı üzerine bindirilmiş bir ac kollektör akımı indükleyecektir. Ac kollektör akımı R C üzerinde zamanla değişen bir gerilim üretecektir. Bu gerilimde şekilde gösterildiği gibi bir ac kollektör-emiter gerilimi indükler. Ac kollektör-emiter gerilimi veya çıkış gerilimi genellikle sinüsoidal giriş sinyalinden daha büyüktür. Bu durumda devre yükselteç olarak çalışır ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 23
24 Şekil 4.b: Zamanla değişen sinyal kaynağının beyz dc kaynağı ile seri bağlandığı ortak-emiterli yükselyeç devresi ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 24
25 Time=Zaman Şekil 5: Ortak emiter transistör karakteristikleri, dc yük doğrusu, beyz akımında, kollektör akımında ve kollektör-emiter geriliminde sinüzoidal değişim ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 25
26 Devredeki akım ve gerilimlerdeki sinüzoidal değişimler arasındaki ilişkiyi belirlemek için matematiksel bir model veya metot geliştirmeliyiz. Bahsedildiği üzere bir lineer yükselteçte süperpozisyon uygulanarak dc ve ac analizler ayrı ayrı yapılabilir. Lineer bir yükselteç elde etmek için ac sinyaller arasında lineer bir ilişkiyi garantilemek üzere zamanla değişen veya ac akımlar ve gerilimler yeterince küçük olmalıdır. Bu amacı karşılamak için zamanla değişen sinyaller küçük sinyaller olarak kabul edilir. Böylece ac sinyallerin genlikleri bu lineer ilişkiyi elde etmek için yeterince küçük olmuş olurlar. Yeterince küçük kavramı veya küçük sinyal kavramı küçük sinyal eşdeğer devrelerinin geliştirdikçe daha detaylı olarak tartışılacaktır ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 26
27 Şekil 2.a daki devrenin beyzındaki zamanla değişen bir sinyal kaynağı V S beyz akımında zamanl değişen bir bileşen üretir. Bu da aynı zamanda zamanla değişen bir beyz emiter gerilimine sebep olur. Şekil 5 beyz akımı ve gerilimi arasında eksponansiyel ilişkiyi göstermektedir. DC çalışma noktası üzerine bindirilmiş zamanla değişen sinyallerin genliği küçük ise o halde ac beyz-emiter gerilimi ve ac beyz akımı arasında lineer bir ilişiki geliştirebiliriz ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 27
28 Şekil 6: Bindirilmiş sinüzoidal sinyallerle beyz emiter voltajına karşılık beyz akımı karakteristiği. Çalışma noktasındaki eğim küçük sinyal parametresi olan r e ile ters orantıldır ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 28
29 Ac Eşdeğer Devre Şekil 4 de verilen ortak emiter devresinin ac eşdeğerinin buraya kadar anlatılanlardan Şekil 7 deki gibi olacağını anlamak zor olmasa gerek: Şekil 7: Temel tranzistör devresi ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 29
30 Şekil 8: npn transistörün hibrit-π eş değer devresi. AC sinyal akımları ve gerilimleri gösterilmektedir. Fazör sinyalleri parantez içinde gösterilmektedir ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 30
31 V T termal gerilimi göstermektedir ve daha önce gördüüğümüz gibi V T =kt/q olarak verilmiştir. Burada k= boltzman sabitini T : Kevin cinsinden sıcaklığı ve q: elelektron yükünü ifade etmektedir. g m : kondüktans (iletkenlik) katsayısı V T her defasında yukarıdaki gibi hesaplanmaz. Ortam sıcaklığı 20 veya 25 o C kabul edilip 25 veya 26 mv olarak alınır. r e = v be /i e = V T /I EQ = 26 (V T (mv) / I E (ma) ) veya 25 (mv/i E (ma) olarak alınır ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 31
32 ac i c = β ac i b r v i be b i e v be /(1 ) (1 i e ) v be r e v i be e olarak tanımlandığından ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 32
33 r π =(1+β)r e veya yaklaşık olarak r π =βr e yazılabilir. g m v be I V CQ T v be r I e CQ I EQ r i b r e (( I CQ 1) / ) I CQ (1 ) r i e b i b Elde edilir. Bu durumda Şekil 7 deki ac eşdeğer devre yerine Şekil 8 deki eşdeğer devre verilebilir: ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 33
34 Şekil 9: Ortak emiter akım kazancı kullanarak BJT küçük sinyal eşdeğer devresi. AC sinyal akımları ve gerilimleri gösterilmektedir. Fazör sinyalleri parantez içinde gösterilmektedir ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 34
35 R E direnci varsa ac eşdeğer devre aşağıdaki gibi olur: Şekil ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 35
36 i c i e alınırsa ac eşdeğer devre Şekil 11 daki gibi olur Şekil ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 36
37 Tranzistörün çikiş empedansı veya direncini Z o = r o göz önüne alırsak ac eşdeğer devre aşağıdaki gibi olur: r o direncinin tanımı aşağıda verilmiştir: V A Early gerilimi çok büyük olduğundan r o direnci genel olarak çok büyüktür ve çoğunlukla ihmal edilir ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 37
38 Early gerilimi V A ve r o nun tanımları Şekil 11 ve Şekil 12 de verilmiştir Şekil 12.a: Early gerilimi V A nın tanımı ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 38
39 Şekil 12.b: Early gerilimi V A nın tanımı ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 39
40 Şekil 12: Çıkış direnci r o nun tanımı ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 40
41 AC Beta nın ( βac) DC Beta (β=βdc) ile Karşılaştırılması Şekil 14.a da gösterildiği gibi, tipik bir transistörün için I C akımının I B akımı ile değişimi lineer olmayan bir grafiktir. Eğer Eğrinin üzerinde bir Q noktasını seçersek ve beyz akım değerini I B kadar değiştirirsek, Şekil 14.b de gösterildiği gibi IC kadar değişir. Lineer olmayan eğrinin başka bir noktasında IC / IB oranı farklı olacaktır ve Q noktasında IC / IB oranı da değişebilir. β=β dc = IC / IB ve β ac = IC / IB olduğu için bu iki değer bir miktar değişiklik gösterebilir. Problem çözümlerinde çoğu kez β=β dc = β ac yaklaşıklığını kullanacağız ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 41
42 Şekil 14: β ac ve β dc parametrelerinin grafiksel gösterilimi ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 42
43 Transistörlü yükselteçlerde kullanılan 3 temel bağlantı tipi Şekil 14 de ayrıntılı olarak verilmiştir. Bu bağlantı tipleri sırasıile (daha önce gördüğümüz gibi); Ortak-emiterli yükselteç Ortak-kollektörlü yükselteç Ortak-beyzli yükselteç olarak adlandırılır. Her bir bağlantı tipinin kendine has bir takım özellikleri vardır. Dolayısı ile kullanım alanları farklıdır. İlerleyen bölümlerde sıra ile her bir bağlantı tipinin özelliklerini, dc ve ac analizlerini ayrıntılı olarak inceleyeceğiz ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 43
44 Şekil 15.a: Ortak Emiterli yükselteç (kuvvetlendirici) ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 44
45 Şekil 15.b: Ortak Kollektörlü yükselteç (kuvvetlendirici) ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 45
46 Şekil 15.c: Ortak Beyzli yükselteç (kuvvetlendirici) ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 46
47 ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTECİN ÖZELLİKLERİ Yükseltilecek veya kuvvetlendirilecek giriş işareti yükselticinin beyz-emiter terminalleri arasından uygulanmıştır. Çıkış işareti ise; yükselticinin kollektöremiter terminaller arasından alınmıştır. Dolayısıile emiter terminali giriş ve çıkışişareti için ortak uçtur. Bundan dolayıbu yükselteç ortak emiterli yükselteç (OE) olarak adlandırılır. Ortak emiter bağlantılıyükselteç devresinin temel özellikleri aşağıda sıralanmıştır. Gerilim Kazancı(Voltage Gain) : Var Akım Kazancı(Current Gain) : Var Güç Kazancı(Power Gain) : Var, yüksek Sinyal Faz Çevrimi : Var, Giriş Empedansı: Orta düzeyde (500Ω-1kΩ) Çıkış Empedansı: Orta düzeyde (10KΩ-50KΩ ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 47
48 Gerilim bölücülü dc polarmaya sahip ortak emiterli yükselteç devreleri pratikte sık kullanır. Pek çok cihaz ve sistemin tasarımında kullanılan tipik bir yükselteç devresi Şekil 16 te verilmiştir. Şekil 16: Tipik bir OE yükselteç (kuvvetlendirici) devresi ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 48
49 OE devrede V s giriş sinyal kaynağıdır. R s direnci ise sinyal kaynağının iç direncidir. Yükseltilecek sinyal transistörün beyzine C 1 kapasitörü üzerinden uygulanmaktadır. C 1 değeri yeterince büyük (1µF-100µF) seçilmelidir. Çıkış sinyali ise kollektör üzerinden C 2 kapasitörü ile R L yük direnci üzerine alınmaktadır. C 2 değeride C 1 gibi uygun değerde seçilmelidir. Transistörün emiterine bağlı R E direnci, ac çalışmada transistörün kazancını azaltmaktadır. Orta frekans bölgelerinde çalışmada R E nin bu etkisi paralel bağlı C E kapasitörü tarafından yok edilmiştir. Bu nedenle C E kapasitörüde yeterince büyük (1µF-100µF) seçilmelidir. R E direnci sadece dc çalışmada transistörün kararlılığını sağlamaktadır. Bu nedenle C E kapasitörüne emiter bypass kapasitörü denilmektedir ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 49
50 BJT Tranzistorlü Yükselteç devrelerinin ac eşdeğer devre örnekleri ve Gerilim Kazancı A v tanımı Şekil 16 de verilen ortak emiter bağlantılı yükselteç devresinin ele alalım. Devrenin analizi iki aşamada gerçekleştirilir. İlk aşama dc analizi, ikinci aşama ac analizidir. A V =Çıkış gerilimi/giriş gerilimi olarak tanımlanır. DC Analizi Devrenin dc analizi için ilk adım, dc eşdeğer devreyi çizmektir. DC eşdeğer için devrede bulunan kapasitörler açık devre kabul edilir ve V s sinyal kaynağı dikkate alınmaz. Bu koşullar yerine getirildiğinde oluşan dc eşdeğer devre Şekil 17 da verilmiştir ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 50
51 Şekil 17: Ortak emiter bağlantılı yükselteç devresinin dc eşdeğer devresinin Çıkarılması ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 51
52 Devrenin dc analizini yapalım. DC analizde amaç transistörün polarma akım ve gerilimleri hesaplayarak çalışma bölgesi belirlenmekti. O halde, Thevenin eşdeğer devresinden yararlanarak; ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 52
53 Bulunan sonuçlardan transistörün aktif bölgede çalıştığı görülmektedir. O halde ac analize geçebiliriz ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 53
54 ac analizi Devrenin ac analizi için ilk adım, ac eşdeğer devreyi çizip daha sonra hibrid π veya r e modelini çıkarmaktır. DC eşdeğer için devrede bulunan dc kaynaklar ve kapasitörler kısa devre kabul edilir. Bu koşullar altında oluşan ac eşdeğer devre Şekil 18 de verilmiştir Şekil 18: Ortak emiter bağlantılıyükselteç devresinin dc eşdeğer devresinin çıkarılması ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 54
55 Yükselteç devresinin küçük sinyal eşdeğer devresi için ikinci aşama ise transistörün eşdeğer modelini yerleştirmektir. Bu işlem sonucunda ortak emiterli yükselteç devresinin küçük sinyaller için eşdeğer devre modeli şekil 19 de verilmiştir. Şekil 19: Ortak emiterli yükselteç devresinin küçük sinyal eşdeğer devre modeli ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 55
56 Gerekli parametreleri hesaplayarak ac analize geçelim. Önce transistörün iletkenlik Katsayısını ve beyz-emiter arası sinyal gerilimi değerlerini bulalım. (r e 1/g m =10 Ω) (r π =βr e =100x10=1000 Ω =1 kω) r e doğrudan V T / I E olarakta hesaplanabilir. Eşdeğer devre modelinden yararlanarak Vs, Rs ve R in çevresinden hareket ederek göz denklemini yazarak V değerini bulalım ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 56
57 v in =v π =0.149vs v0 ( 100mA/ V )( v s )( 2/ 3) v s A V =v o / v π A V v v 67 - İşareti giriş gerilimi ile çıkış gerilimi arasında 180 o faz farkından kaynaklanmaktadır (faz çevirici özelliği) s s ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 57
58 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 58 Veya b e in i v r L C L C b L C L C c o R R R R i R R R R i v ) *(. * ) ( V L C e L C b e L C L C b in o V A R R r R R i r R R R R i v v A
59 KAYNAKLAR 1. Robert Boylestad and Louis Nashelski, Elektromik Cihazlar ve Devre Teorisi, Palme Yayıncılık 2. Mehmet Akbaba, Elektronik Ders Notları 3. Thomas L. Floyd, Electronic Devices, Merill Publishin Company 59
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıBLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 8 BJT TRANZİSTÖRLERLÜ KUVVENLENTİRİCİLER (YÜKSELTEÇLER) II Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof.
DetaylıDENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER
DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER 1. Amaç Bu deneyin amacı, lineer (doğrusal) kuvvetlendiricilerde kullanılan BJT kuvvetlendirici devresinin devre girişine uygulanan zamanla değişen bir küçük işareti kuvvetlendirmesi
DetaylıBÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:
ÖLÜM 6 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLEİ Konular: 6.1 Küçük sinyal yükseltme işlemi 6.2 Transistörün ac eşdeğer dereleri 6.3 Ortak emiterli yükselteç 6.4 Ortak beyzli yükselteç 6.5 Ortak kolektörlü yükselteç
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıDENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk
DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk AMAÇLAR Bipolar transistorleri kullanarak güncel bazı kutuplama devreleri tasarımı ve analizi. Kutuplama devrelerinin sıcaklığa karşı kararlılık
DetaylıKOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri
Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.
Detaylı* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.
Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010
TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim
Detaylıİşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs)
BLM224 ELEKTERONİK DEVRELER Hafta 12 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs) Opamp Sembolü ve Terminalleri Standart bir opamp; iki adet giriş terminali, bir adet çıkış terminaline
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıElektrik Devre Lab
2010-2011 Elektrik Devre Lab. 2 09.03.2011 Elektronik sistemlerde işlenecek sinyallerin hemen hepsi düşük genlikli, yani zayıf sinyallerdir. Elektronik sistemlerin pek çoğunda da yeterli derecede yükseltilmiş
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıHafta 5 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 5 TRANZİSTORLARIN KUTUPLANDIRILMASI (ÖN GERİLİMLENMESİ) (EĞİLİMLENDİRİLMESİ) Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 16.03.2015 BSM
DetaylıElektronik Ders Notları 6
Elektronik Ders Notları 6 Derleyen: Dr. Tayfun Demirtürk E-mail: tdemirturk@pau.edu.tr 1 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ Konular: Transistörde DC çalışma noktası Transistörde temel polarama Beyz polarma Gerilim
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıMOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11
MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıBu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.
TRANZİSTÖRLERİN ÇALIŞMASI VE KARAKTERİSTİKLERİ Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir. Temel kavramlar PNP ve NPN olmak üzere iki çeşit BJT tranzistör vardır.
DetaylıTRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)
TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT) Transistörler, katı-hal devre elemanlarıdır. Genelde transistör yapımında silisyum ve germanyum kullanılmaktadır. Bu dokümanımızda bipolar Jonksiyon transistörlerin temel yapısı
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıZENER DİYOTLAR. Hedefler
ZENER DİYOTLAR Hedefler Bu üniteyi çalıştıktan sonra; Zener diyotları tanıyacak ve çalışma prensiplerini kavrayacaksınız. Örnek devreler üzerinde Zener diyotlu regülasyon devrelerini öğreneceksiniz. 2
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıEEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I
EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ
BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ Hedefler DC polarma devrelerinin amacını, avantajlarını ve çalışma prensipleri anlayacaksınız Sabit Beyz Polarmalı ve Emiteri Kararlı DC Polarma Devrelerinin hesaplamalarını
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıAREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ
AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER DR. GÖRKEM SERBES İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ İşlemsel kuvvetlendirici (Op-Amp); farksal girişi ve tek uçlu çıkışı olan DC kuplajlı, yüksek kazançlı
DetaylıDENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı
DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıBÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:
BÖLÜM 6 6 KÜÇÜK İNYAL YÜKELTEÇLERİ Konular: 6.1 Küçük sinyal yükseltme işlemi 6.2 Transistörün ac eşdeğer devreleri 6.3 Ortak emiterli yükselteç 6.4 Ortak beyzli yükselteç 6.5 Ortak kolektörlü yükselteç
DetaylıBLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 3 DİYOT UYGULAMALARI Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Elektronik Notları 1 Tam Dalga Doğrultucu, Orta Uçlu Bu doğrultma tipinde iki adet diyot orta
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#8 I-V ve V-I Dönüştürücüler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 8 I-V ve
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıBÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ
BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,
DetaylıHafta 4 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü BJT TRANZİSTÖRLERİN TEMELLERİ
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 4 BJT TRANZİSTÖRLERİN TEMELLERİ Prof. Dr. Mehmet Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet 1 TRANZİSTORLER BJT FET BJT:
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıEEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 04: BJT TRANSİSTÖR VE AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
Detaylı(BJT) NPN PNP
Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıDENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET
DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen
DetaylıŞekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı
DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF
DetaylıDENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ
DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ 8.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde fark yükselteçleri analiz edilecek ve girşçıkış sinyalleri incelenecektir. 8.2 TEORİK BİLGİ Fark yükselteçleri birçok entegre devrelerde kullanılan
DetaylıĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.
Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıBLM1612 DEVRE TEORİSİ
BLM1612 DEVRE TEORİSİ KAPASİTÖRLER ve ENDÜKTANSLAR DR. GÖRKEM SERBES Kapasitans Kapasitör, elektrik geçirgenliği ε olan dielektrik bir malzeme ile ayrılan iki iletken gövdeden oluşur ve elektrik alanda
DetaylıBÖLÜM 5 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ. Konular: Amaçlar:
ÖLÜM 5 5 TRANSİSTÖRLRİN D ANALİZİ Konular: Amaçlar: 5.1 Transistörde D çalışma noktası 5.2 Transistörde temel polarama 5.3 eyz polarma 5.4 Gerilim bölücülü polarma devresi 5.5 Geribeslemeli polarma devresi
DetaylıBölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak
DetaylıBÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER
BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri
DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.
DetaylıBÖLÜM 3 ALTERNATİF AKIMDA SERİ DEVRELER
BÖÜM 3 ATENATİF AKMDA SEİ DEVEE 3.1 - (DİENÇ - BOBİN SEİ BAĞANMAS 3. - (DİENÇ - KONDANSATÖÜN SEİ BAĞANMAS 3.3 -- (DİENÇ-BOBİN - KONDANSATÖ SEİ BAĞANMAS 3.4 -- SEİ DEVESİNDE GÜÇ 77 ATENATİF AKM DEVE ANAİİ
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıFAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL)
FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL) 1-Temel Bilgiler Faz kilitlemeli çevrim (FKÇ) (Phase Lock Loop, PLL) dijital ve analog haberleşme ve kontrol uygulamalarında sıkça kullanılan bir elektronik devredir. FKÇ,
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıElektronik Laboratuvarı
2013 2014 Elektronik Laboratuvarı Ders Sorumlusu: Prof. Dr. Mehmet AKBABA Laboratuvar Sorumluları: Rafet DURGUT İçindekiler Tablosu Deney 1: Laboratuvar Malzemelerinin Kullanılması... 4 1.0. Amaç ve Kapsam...
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıTRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)
TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden
DetaylıElektrik Devre Temelleri 3
Elektrik Devre Temelleri 3 TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini
DetaylıMultivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör
Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma
DetaylıDeney 2: FARK YÜKSELTEÇ
Deney : FARK YÜKSELTEÇ Fark Yükselteç (Differential Amplifier: Dif-Amp) Fark Yükselteçler, çıkışı iki giriş işaretinin cebirsel farkıyla orantılı olan amplifikatörlerdir. O halde bu tip bir amplifikatörün
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıELEKTRİK ENERJİ SİSTEMLERİNDE OLUŞAN HARMONİKLERİN FİLTRELENMESİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ MODELLENMESİ VE SİMÜLASYONU
T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ELEKTRİK ENERJİ SİSTEMLERİNDE OLUŞAN HARMONİKLERİN FİLTRELENMESİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ MODELLENMESİ VE SİMÜLASYONU Mehmet SUCU (Teknik Öğretmen, BSc.)
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıBölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.
Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf
DetaylıŞekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı
1. OSİLATÖRLER 1.1. Osilatör Nedir? Elektronik iletişim sistemlerinde ve otomasyon sistemlerinde kare dalga, sinüs dalga, üçgen dalga veya testere dişi dalga biçimlerinin kullanıldığı çok sayıda uygulama
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıElektrik Devre Temelleri
Elektrik Devre Temelleri 3. TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) 1 PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2
DetaylıYükselteçlerde Geri Besleme
Yükselteçlerde Geri Besleme Açık çevrim bir yükseltici yandaki gibi gösterebiliriz. vi A Bu devreyi aşağıdaki gibi kazancı β olan bir geri besleme devresi ile kapalı döngü haline getirebiliriz. A= vo A
Detaylı