SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI"

Transkript

1 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) SYIS EEMNIN İÇ YPII Sayısal tümdevrelerin gerçeklenmesinde çeşitli tipte tranzistorlar kullanılır. İlk olarak bipolar tipteki tranzistorlar tanıtılacaktır. ipolar Tranzistor: Sayısal tümdevrelerde tranzistorlar bir anahtar elemanı olarak kullanılır. u nedenle tranzistorlar ya iletimde (anahtar akım iletiyor) ya da kesimde (anahtar akım iletmiyor). ipolar tranzistorun iletimde olduğu duruma tranzistor doymada denir. ipolar Tranzistor C Kollektör I az c I b I e =I b I c E Emetör Tranzistor kesimde V E < 0.6V I b =0 V E <0.6V C E I c =0 Ie=0 Tranzistor doymada V E > 0.6V I b >0 V E =0.6V C I c >0 CE(sa t ) V CE(ST) =0.2V I e =I b I c E Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.1 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) ir Tümleme kapısının tranzistor ve dirençle gerçeklenmesi V CC V IN OUT OUT 2 3.6V V CC Devrenin eşdeğeri V CC =5V 0.2V V CE(sat) V CC =5V OW IG 0.8V 2.0V c I O =OW nahtar açık =V CC - C *I O =IG =IG nahtar kapalı CEsat <50Ω V CEsat 0.2V =OW Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.2

2 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) TT (Tranzistor- Tranzistor) ojiği ilesi ipolar tranzistorlar ve dirençler kullanılır. Örnek: İki girişli TVE bağlacı 2 4 Girişler Çıkış Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.3 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) TT Çıkış Katının Çalışması Çıkışın lojik 0 (OW) olması için Q 4 iletimde, Q 3 kesimde olur. u durumda bağlacın çıkışından içeriye doğru I O akımı akar. V O = V CE() I O * I O V O Çıkış Çıkışın lojik 1 (IG) olması için Q 3 iletimde, Q 4 kesimde olur. u durumda bağlacın çıkışından dışarıya doğru I O akımı akar. V O = V CC (V CE() I O * ( )) I O em Q 3 hem de Q 4 kesimde olursa çıkış yüksek empedans (high ) kumunda olur. u durumda bağlacın çıkışından akım akmaz ve bağlaç bağlandığı hattan yalıtılmış olur. TT elemanlar için V O(MX) = 0.4V V O(MIN) = 2.5V TT ailesinde değişik tipte elemanlar vardır (S,S,, F gibi). unların her biri için akım değerleri farklıdır. u değerler kataloglardan öğrenilebilir Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.4

3 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) TT Çıkış Yelpazesi (Fan Out) ir lojik bağlacın çıkışı diğer lojik bağlaçların girişlerine bağlanmaktadır. kım olaylarından dolayı bir elemanın çıkışına bağlanabilecek eleman sayısı sınırlıdır. TT elemanların girişleri tranzistorların emetörlerindenoluşmaktadır. Çıkış OW olduğunda: V O I I I I I I Girişi OW olan elemanların girişinden dışarıya doğru I I akımı akar. u akımların toplamı diğer elemanın çıkışı tarafından yutulmaktadır. I O < ΣI I I O I O akımı çok artarsa V O = V CE() I O * bağıntısından da anlaşıldığı gibi V O de artar ve lojik 0 olarak kabul edilen gerilim değeri aşılır Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.5 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) Çıkış IG olduğunda: I O V O I I I I I I ir elemanın çıkış yelpazesi, OW ve IG kumları için hesaplanan değerlerden küçük olana eşittir. Girişi IG olan elemanların girişinden içeriye doğru I I akımı akar. u akımların toplamı diğer elemanın çıkışından çekilecektir. I O < ΣI I I O akımı çok artarsa V O = V CC (V CE() I O * ( )) bağıntısından da anlaşıldığı gibi V O azalır ve lojik 1 olarak kabul edilen gerilim değerinin altına düşer. TT elemanlara ait V O, V O, V I, V I, I O, I O, I I, I I gibi değerler bu elemanların kataloglarında yer almaktadır Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.6

4 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS (Complementary MOS) ojiği ilesi MOS FET (Metal-Oxide Semicductor Field-Effect Tranzistor) kullanılır. ojik bağlaçlarda kullanılan MOS tranzistorlar birer ayarlı direnç gibi düşünülebilir. Gate Drain Source a) n kanallı MOS: NMOS. gate V gs - İki tip MOS tranzistor vardır. dra in source V GS arttıkça DS direnci azalır. Normalde: V GS 0V Gate-Source (V GS )arasına uygulanan gerilime göre Drain Source ( DS )arasındaki direnç değişir. Tranzistor tıkamadayken DS 1MΩ Tranzistor iletimdeyken DS 100Ω b) p kanallı MOS: PMOS. gate V gs source dra in V GS azaldıkça DS direnci azalır. Normalde: V GS 0V Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.7 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS Tümleme ağlacı =5.0V IN OUT (p-channel) (n-channel) 0.0 () 5.0 () () () Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.8

5 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS Tümleme ağlacının nahtar Modeli =5.0V (p-cha nne l) ow ise iletimde 0 = 1 Durumu: =5.0V (n-cha nne l) igh ise iletimde 1 = 0 Durumu: =5.0V = = = = Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.9 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS TVE (NND) ağlacı Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.10

6 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS TVE (NND) ağlacı nahtar Modeli = = = = = = = = = 0 TVE 0 = 1 0 TVE 1 = 1 1 TVE 1 = Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.11 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS TVEY (NO) ağlacı Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.12

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

SAYISAL SİSTEMLERDE ORTAK YOLUN KULLANILMASI

SAYISAL SİSTEMLERDE ORTAK YOLUN KULLANILMASI DENEY 6 SAYISAL SİSTEMLERDE ORTAK YOLUN KULLANILMASI İRİŞ Bu deneyde; açık kollektörlü elemanlar, üç durumlu geçitler ve bu elemanların kullanılmasıyla sayısal sistemlerde ortak yolun oluşturulması üzerinde

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

açık olduğu bir anahtar gibi davranır. Kesim durumu genellikle baz ile emetör arasına VBE uygulanması ile sağlanır, ancak 0.

açık olduğu bir anahtar gibi davranır. Kesim durumu genellikle baz ile emetör arasına VBE uygulanması ile sağlanır, ancak 0. Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı LOJİK KAPILAR. Genel Tanıtım Sayısal bilgileri işleyecek şekilde tasarlanmış tümleşik devrelere

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde temel lojik kapılar incelenecek; çift kararlı ve tek kararlı ikili devrelerin çalışma prensipleri gözlemlenecektir. ÖN HAZIRLIK Temel lojik

Detaylı

5. LOJİK KAPILAR (LOGIC GATES)

5. LOJİK KAPILAR (LOGIC GATES) 5. LOJİK KPILR (LOGIC GTES) Dijital (Sayısal) devrelerin tasarımında kullanılan temel devre elemanlarına Lojik kapılar adı verilmektedir. Her lojik kapının bir çıkışı, bir veya birden fazla girişi vardır.

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9

FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9 FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ Hafta 9 Prof. Dr. Mehmet Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği 1 Alan-Etkili Tranzistörler (FET ler) Hatırlanacağı üzere

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI ENEY-2 JT E MOSFET İN ÖZELLİKLERİNİN ÇKARTLMAS ENEYİN AMA: ipolar jonksiyonlu transistör (JT) ve MOS transistörün (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik ve pratik olarak

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Aşağıdaki problemlerde aksi belirtilmedikçe

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015

Detaylı

12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI

12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI Wheatstone Köprüsü ile Direnç Ölçümü 12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI Orta değerli dirençlerin (0.1Ω

Detaylı

Bölüm 4 Doğru Akım Devreleri. Prof. Dr. Bahadır BOYACIOĞLU

Bölüm 4 Doğru Akım Devreleri. Prof. Dr. Bahadır BOYACIOĞLU Bölüm 4 Doğru Akım Devreleri Prof. Dr. Bahadır BOYACIOĞLU Doğru Akım Devreleri Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Yasası Elektromotor Kuvvet (EMK) Kirchoff un Akım Kuralı Kirchoff un İlmek Kuralı Seri ve Paralel

Detaylı

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits)

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits) SE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates nd Logic Circuits) Sakarya Üniversitesi Lojik Kapılar - maçlar Lojik kapıları ve lojik devreleri tanıtmak Temel işlemler olarak VE,

Detaylı

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11 MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.

Detaylı

DENEY FÖYÜ 1: Direnç Ölçme ve Devre Kurulması

DENEY FÖYÜ 1: Direnç Ölçme ve Devre Kurulması DENEY FÖYÜ 1: Direnç Ölçme ve Devre Kurulması Deneyin Amacı: Elektrik Elektroniğin temel bileşeni olan direnç ile ilgili temel bilgileri edinme, dirençlerin renk kodlarını öğrenme, devre kurma aracı olarak

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

DENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B

DENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

Yarışma Sınavı. A ) Kristal diyot B ) Zenner diyot C ) Varyabıl diyot D ) Schotky diyot E ) Diyak

Yarışma Sınavı. A ) Kristal diyot B ) Zenner diyot C ) Varyabıl diyot D ) Schotky diyot E ) Diyak 1 3 Hızlı diyot olarak bilinen, iletime geçme gerilimleri çok düşük olan ve yüksek frekanslı devrelerin doğrultulmasında kullanılan eleman Yukarıda verilen devrede kullanılan transistörün yükseltme katsayısı

Detaylı

3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c)

3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c) . Kazancın sonlu olması,. Lineerlik bölgesinin sonlu olması, 3. dengesizlik gerilimi, 4. frekans eğrisi, 5. gürültü alt başlıkları altında sıralanabilir. 3. V DD V CC I O I O I O I O V i - T T C C V O

Detaylı

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar DENEY 1-1 Lojik Kapı Devreleri DENEYİN AMACI 1. Çeşitli lojik kapıların çalışma prensiplerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların girişi ve çıkış gerilimlerini

Detaylı

I R DENEY Ohm Kanunun İncelenmesi

I R DENEY Ohm Kanunun İncelenmesi DENEY 3 3.1 Ohm Kanunun İncelenmesi Not: Deneye gelmeden önce Kirchoff kanunları deneyinin tablosunda (Sayfa 7) teorik sonuçlar yazan kısmı Şekil 3.2.1 de verilen devre şemasına göre hesaplayıp doldurunuz.

Detaylı

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ SAYISAL DEVRE UYGULAMALARI Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ İÇİNDEKİLER ŞEKİLLER TABLOSU... vi MALZEME LİSTESİ... viii ENTEGRELER... ix 1. Direnç ve Diyotlarla Yapılan

Detaylı

4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi = R R G

4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi = R R G 34 ENDÜSTYEL ELEKTNK 4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi Enstrümantasyon ve dönütürücü uygulamalarında µvlar mertebesinde fark iaret gerilimleri ve bunlarla birlikte bulunan büyük deerli ortak iaret

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-2 Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-2 Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-2 Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİRENÇLER Direnci elektrik akımına gösterilen zorluk olarak tanımlayabiliriz. Bir iletkenin elektrik

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 6 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

İÇİNDEKİLER. 1-1 Lojik ve Anahtara Giriş Lojik Kapı Devreleri... 9

İÇİNDEKİLER. 1-1 Lojik ve Anahtara Giriş Lojik Kapı Devreleri... 9 İÇİNDEKİLER BÖLÜM 1 TEMEL LOJİK KAPI DENEYLERİ 1-1 Lojik ve Anahtara Giriş 1 1-2 Lojik Kapı Devreleri... 9 a. Diyot Lojiği (DL) devresi b. Direnç-Transistor Lojiği (RTL) devresi c. Diyot-Transistor Lojiği

Detaylı

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir. DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese

Detaylı

1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ

1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ 1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ 1.1. Giriş, Analog tümdevrelerde MOS teknolojisinin yeri Son zamanlara kadar daha çok dijital sistemlerin gerçekleştirilmesinde kullanılan MOS teknolojisi, günümüzde, analog

Detaylı

YÜKSEK GERİLİM ENERJİ NAKİL HATLARI

YÜKSEK GERİLİM ENERJİ NAKİL HATLARI Enerjinin Taşınması Genel olarak güç, iletim hatlarında üç fazlı sistem ile havai hat iletkenleri tarafından taşınır. Gücün taşınmasında ACSR(Çelik özlü Alüminyum iletkenler) kullanılırken, dağıtım kısmında

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 2

ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 2 ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 2 DENEYİN ADI: LOJİK FONKSİYONLARIN SADECE TEK TİP KAPILARLA (SADECE NAND (VEDEĞİL), SADECE NOR (VEYADEĞİL)) GERÇEKLENMESİ VE ARİTMETİK İŞLEM DEVRELERİ

Detaylı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. Schmitt kapılarının yapı ve karakteristiklerinin anlaşılması. GENEL BİLGİLER Schmitt kapısı aşağıdaki karakteristiklere sahip olan tek lojik kapıdır: 1.

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LOJİK DEVRELERİ LABORATUVARI DENEY RAPORU. : TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ

İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LOJİK DEVRELERİ LABORATUVARI DENEY RAPORU. : TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LOJİK DEVRELERİ LABORATUVARI DENEY RAPORU DENEYİN ADI : TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ RAPORU HAZIRLAYAN : BEYCAN KAHRAMAN Toplam on (

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

Yeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII)

Yeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII) Yeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII) Shahram MINAEI 1 Merih YILDIZ 2 Hakan KUNTMAN 3 Sait TÜRKÖZ 4 1,2. Doğuş Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LABORATUVARI I T.C. ULUDĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMRLIK FKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LBORTUVRI I DENEY 6: ve KPI KRKTERĠSTĠKLERĠ Boşta çalışma karakteristiği Yüklü çalışma karakteristiği

Detaylı

(BJT) NPN PNP

(BJT) NPN PNP Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün

Detaylı

Elektronik Devre Tasarım Laboratuarı

Elektronik Devre Tasarım Laboratuarı T.C. SAKARYA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ Elektronik Devre Tasarım Laboratuarı -I- Grup No: Adı : Soyadı : Öğrenci No : 2 Elektronik Devre Tasarım Laboratuarı

Detaylı

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 1: Transistörlü Yükselteç Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün

Detaylı

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden

Detaylı

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEY-6 LOJİK KPILR VE İKİLİ DEVRELER DENEYİN MCI: Bu deneyde emel manık kapıları (logic gaes) incelenecek ek kararlı ikili devrelerin çalışma prensipleri gözlemlenecekir. ÖN HZIRLIK Temel lojik kapı devrelerinden

Detaylı

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve

Detaylı

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 1.1. YARIİLETKEN DİYOT... 1 1.2. DİYOTUN DC MODELİ... 10 1.3. DİYOTUN ALÇAK FREKANS KÜÇÜK

Detaylı

OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ

OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ TOPLAR OP-AMP ÖRNEĞİ GERİLİM İZLEYİCİ Eşdeğer devresinden görüldüğü gibi Vo = Vi 'dir. Emiter izleyici devreye çok benzer. Bu devrenin giriş empedansı yüksek, çıkış empedansı

Detaylı

DENEY FÖYÜ 1: Direnç Ölçme ve Devre Kurulma

DENEY FÖYÜ 1: Direnç Ölçme ve Devre Kurulma DENEY FÖYÜ 1: Direnç Ölçme ve Devre Kurulma Deneyin Amacı: Elektrik Elektroniğin temel bileşeni olan direnç ile ilgili temel bigileri edinme, dirençlerin renk kodlarını öğrenme ve dirençlerin breadboard

Detaylı

DENEY 2 UJT Karakteristikleri

DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. UJT nin iç yapısını ve karakteristiklerini öğrenmek. 2. UJT nin çalışma ilkelerini ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek 3. UJT karakteristiklerinin

Detaylı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

Lojik Kapı Devreleri. Diyotlu Devreler:

Lojik Kapı Devreleri. Diyotlu Devreler: Lojik Kapı Devreleri Diyotlu Devreler: Lojik kapılar yarı iletken devreleri olarak oluşturulmuştur. Röleli devreler artık uygulamalarda çok az kullanılmaktadır. Yüksek gerilim tekniğindeki denetimlerde

Detaylı

9. EŞİKALTI BÖLGESİNDE ÇALIŞAN ANALOG YAPI BLOKLARI

9. EŞİKALTI BÖLGESİNDE ÇALIŞAN ANALOG YAPI BLOKLARI 9. EŞİKALT BÖLGESİNDE ÇALŞAN ANALOG YAP BLOKLAR Son yıllarda, eşikaltında çalışan MOS tranzistorların kullanıldığı analog devre yapıları gittikçe önem kazanmaktadır. Bunun başlıca nedeni, hasta üzerine

Detaylı

ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI

ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI Deney Hocası: Yılmaz Ürgün Amaç: A, B, AB Sınıfı Kuvvetlendiricilerin İncelenmesi ve Gerçeklenmesi. Malzeme Listesi: Transistör:

Detaylı

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ AMAÇLAR: ir transistor ün kolektör e baz eğrilerinin görülmesi. Transistor ün beta ( β) değerinin belirlenmesi. Sıcaklığa bağlı değişimlerin belirlenmesi.

Detaylı

SAYISAL ELEKTRONİK. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı

SAYISAL ELEKTRONİK. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı SYISL ELEKTRONİK Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ÖLÜM 3 Mantık Geçitleri Değil (Inverter) Geçidi İnverter geçidi oolean NOT işlemini yapar. Giriş YÜKSEK olduğunda çıkışını DÜŞÜK, giriş DÜŞÜK

Detaylı

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde, Ohm kanunu işlenecektir. Seri ve paralel devrelere ohm kanunu uygulanıp, teorik sonuçlarla deney sonuçlarını karşılaştıracağız ve doğrulamasını yapacağız.

Detaylı

Ş İ ç İ İ Ş ç ç ç ç Ö İ ç İ Ö İ ç ğ ç ç ç ç ç ğ Ö ç ğ ç ç ç ğ ç ç ç ğ ç ç ğ ğ ç ç ç ğ ç ğ ğ ç İ Ç İ ğ ç ç ç ğ Ç ğ ç ç ç ğ Ö ğ İğ ç ğ ğ ç ğ ğ ğ ğ ç ğ ğ ğ ğ ğ ğ ğ ğ ç ğ ç ç ç ç ç ğ ç ç ç ğ ç ç ğ ç ğ ğ ğ

Detaylı

ç ç ç ç ç İ ç ç ç ç ç ç

ç ç ç ç ç İ ç ç ç ç ç ç İ Ğİ Ş «Ü İ Ç Ç İ İ Ş İ ç İ ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç İ ç ç ç ç ç ç ç ç Ü Ö ç ç İ ç ç ç ç ç İ İ ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç Ç ç ç ç ç ç ç ç İç ç ç ç ç

Detaylı

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

Elektrik akımının yönü ELEKTRİK İLE İLGİLİ BAZI SİMGELER VE İSİMLERİ. Yukarıda da aktardığım

Elektrik akımının yönü ELEKTRİK İLE İLGİLİ BAZI SİMGELER VE İSİMLERİ. Yukarıda da aktardığım ELEKTRİK İLE İLGİLİ BZ SİMGELER E İSİMLERİ Elektrik akımı İletken tel nahtar mpul Direnç mpermetre oltmetre Reosta (yarlı direnç) Pil, Üreteç, Güç kaynağı Basit bir elektrik devresine Baktığımızda iletken

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

Elektrik Müh. Temelleri

Elektrik Müh. Temelleri Elektrik Müh. Temelleri ELK184 4 @ysevim61 https://www.facebook.com/groups/ktuemt/ Elektrik Mühendisliğinin TemelleriYrd. Doç. Dr. Yusuf SEVİM 1 Thevenin (Gerilim) ve Norton (kım) Eşdeğeri macı : Devreyi

Detaylı

LOJİK KAPILAR (ANSI / IEEE-1973)

LOJİK KAPILAR (ANSI / IEEE-1973) LOJİK KPILR (NSI / IEEE-1973) VE KPISI (ND GTE) =. 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 VE KPISI (OR GTE) =+ 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 DEĞİL KPISI (NOT GTE) = 0 1 1 0 VE DEĞİL (NND GTE) =(.) 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 VE

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU

Detaylı

EEM309 SAYISAL ELEKTRONİK LABORATUARI. AND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır.

EEM309 SAYISAL ELEKTRONİK LABORATUARI. AND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır. Deney No : 1 Deneyin dı : ojik Kapılar GİRİŞ: EEM309 SIS EEKTRONİK ORTURI ND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır. amba Şekil 1: VE kapısının sembolü, elektriksel ve transistör eşdeğeri

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Teorik Bilgiler ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Güç elektroniği devreleri ile güç dönüşümü anahtarlama teknikleri kullanılarak yapılır.

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

KONDANSATÖRLER Farad(F)

KONDANSATÖRLER Farad(F) KONDANSATÖRLER Kondansatörler elektrik enerjisi depo edebilen devre elemanlarıdır. İki iletken levha arasına dielektrik adı verilen bir yalıtkan madde konulmasıyla elde edilir. Birimi Farad(F) C harfi

Detaylı

ç ç ç ğ ğ ğ ğ ç ç ğ ğ ç ğ ğ ğ ğ ğ ç ğ ç ç ç ğ ç ğ Ğ ç ğ ç ç Ğ Ğ ğ ğ ğ Ç Ü Ü ç Ç Ü Ğ Ü ğ ğ ç Ç ğ ç ğ ğ ç ç ç ç ğ ğ ç ç ğ ç ç ç ğ ğ ç ç ğ ç ğ ç Ö ç ğ ğ ğ ç ç Ö ç ğ ğ ğ ğ ğ ğ ğ ğ ç ğ ç ç ç ç ğ ç ğ Ğ çç ç

Detaylı

ş ş ğ ş ş ğ ğ ğ ş çç ş ç ğ ğ ş ş ğ ğ ş ç Ü ğ ğ ç ğ ş ç ğ ş ş ş ğ ğ ç ğ ç ş ç ş ğ ğ ş ç ç ç ç ç ğ ğ ş Ö ğ ğ ç ğ ğ ş ş ş ğ ç ş ğ ş ş ğ Ğ Ö ğ ç Ç ç Ö ğ Ş ş ğ Ğ Ç Ç Ş Ş Ğ Ü ğ Ş Ç ç ç ç ğ ğ ç Ğ ğ ç ğ ş ğ Ö

Detaylı

Per-unit değerlerin avantajları

Per-unit değerlerin avantajları PER-UNİT DEĞERLER Per-unit değerlerin avantajları Elektriksel büyüklüklerin karşılaştırılmasında ve değerlendirilmesinde kolaylık sağlar. Trafoların per-unit eşdeğer empedansları primer ve sekonder taraf

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ DEVRE NLİZİ DENEY FÖYÜ 2013-2014 Ders Sorumlusu: Yrd. Doç. Dr. Can Bülent FİDN Laboratuvar Sorumluları: İbrahim TLI : Rafet DURGUT İÇİNDEKİLER DENEY 1: SERİ VE PRLEL DİRENÇLİ DEVRELER... 3 DENEY 2: THEVENİN

Detaylı

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine

Detaylı