SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI"

Transkript

1 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) SYIS EEMNIN İÇ YPII Sayısal tümdevrelerin gerçeklenmesinde çeşitli tipte tranzistorlar kullanılır. İlk olarak bipolar tipteki tranzistorlar tanıtılacaktır. ipolar Tranzistor: Sayısal tümdevrelerde tranzistorlar bir anahtar elemanı olarak kullanılır. u nedenle tranzistorlar ya iletimde (anahtar akım iletiyor) ya da kesimde (anahtar akım iletmiyor). ipolar tranzistorun iletimde olduğu duruma tranzistor doymada denir. ipolar Tranzistor C Kollektör I az c I b I e =I b I c E Emetör Tranzistor kesimde V E < 0.6V I b =0 V E <0.6V C E I c =0 Ie=0 Tranzistor doymada V E > 0.6V I b >0 V E =0.6V C I c >0 CE(sa t ) V CE(ST) =0.2V I e =I b I c E Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.1 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) ir Tümleme kapısının tranzistor ve dirençle gerçeklenmesi V CC V IN OUT OUT 2 3.6V V CC Devrenin eşdeğeri V CC =5V 0.2V V CE(sat) V CC =5V OW IG 0.8V 2.0V c I O =OW nahtar açık =V CC - C *I O =IG =IG nahtar kapalı CEsat <50Ω V CEsat 0.2V =OW Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.2

2 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) TT (Tranzistor- Tranzistor) ojiği ilesi ipolar tranzistorlar ve dirençler kullanılır. Örnek: İki girişli TVE bağlacı 2 4 Girişler Çıkış Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.3 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) TT Çıkış Katının Çalışması Çıkışın lojik 0 (OW) olması için Q 4 iletimde, Q 3 kesimde olur. u durumda bağlacın çıkışından içeriye doğru I O akımı akar. V O = V CE() I O * I O V O Çıkış Çıkışın lojik 1 (IG) olması için Q 3 iletimde, Q 4 kesimde olur. u durumda bağlacın çıkışından dışarıya doğru I O akımı akar. V O = V CC (V CE() I O * ( )) I O em Q 3 hem de Q 4 kesimde olursa çıkış yüksek empedans (high ) kumunda olur. u durumda bağlacın çıkışından akım akmaz ve bağlaç bağlandığı hattan yalıtılmış olur. TT elemanlar için V O(MX) = 0.4V V O(MIN) = 2.5V TT ailesinde değişik tipte elemanlar vardır (S,S,, F gibi). unların her biri için akım değerleri farklıdır. u değerler kataloglardan öğrenilebilir Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.4

3 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) TT Çıkış Yelpazesi (Fan Out) ir lojik bağlacın çıkışı diğer lojik bağlaçların girişlerine bağlanmaktadır. kım olaylarından dolayı bir elemanın çıkışına bağlanabilecek eleman sayısı sınırlıdır. TT elemanların girişleri tranzistorların emetörlerindenoluşmaktadır. Çıkış OW olduğunda: V O I I I I I I Girişi OW olan elemanların girişinden dışarıya doğru I I akımı akar. u akımların toplamı diğer elemanın çıkışı tarafından yutulmaktadır. I O < ΣI I I O I O akımı çok artarsa V O = V CE() I O * bağıntısından da anlaşıldığı gibi V O de artar ve lojik 0 olarak kabul edilen gerilim değeri aşılır Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.5 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) Çıkış IG olduğunda: I O V O I I I I I I ir elemanın çıkış yelpazesi, OW ve IG kumları için hesaplanan değerlerden küçük olana eşittir. Girişi IG olan elemanların girişinden içeriye doğru I I akımı akar. u akımların toplamı diğer elemanın çıkışından çekilecektir. I O < ΣI I I O akımı çok artarsa V O = V CC (V CE() I O * ( )) bağıntısından da anlaşıldığı gibi V O azalır ve lojik 1 olarak kabul edilen gerilim değerinin altına düşer. TT elemanlara ait V O, V O, V I, V I, I O, I O, I I, I I gibi değerler bu elemanların kataloglarında yer almaktadır Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.6

4 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS (Complementary MOS) ojiği ilesi MOS FET (Metal-Oxide Semicductor Field-Effect Tranzistor) kullanılır. ojik bağlaçlarda kullanılan MOS tranzistorlar birer ayarlı direnç gibi düşünülebilir. Gate Drain Source a) n kanallı MOS: NMOS. gate V gs - İki tip MOS tranzistor vardır. dra in source V GS arttıkça DS direnci azalır. Normalde: V GS 0V Gate-Source (V GS )arasına uygulanan gerilime göre Drain Source ( DS )arasındaki direnç değişir. Tranzistor tıkamadayken DS 1MΩ Tranzistor iletimdeyken DS 100Ω b) p kanallı MOS: PMOS. gate V gs source dra in V GS azaldıkça DS direnci azalır. Normalde: V GS 0V Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.7 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS Tümleme ağlacı =5.0V IN OUT (p-channel) (n-channel) 0.0 () 5.0 () () () Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.8

5 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS Tümleme ağlacının nahtar Modeli =5.0V (p-cha nne l) ow ise iletimde 0 = 1 Durumu: =5.0V (n-cha nne l) igh ise iletimde 1 = 0 Durumu: =5.0V = = = = Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.9 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS TVE (NND) ağlacı Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.10

6 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS TVE (NND) ağlacı nahtar Modeli = = = = = = = = = 0 TVE 0 = 1 0 TVE 1 = 1 1 TVE 1 = Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.11 Sayısal Devreler (ojik Devreleri) CMOS TVEY (NO) ağlacı Yrd.Doç.Dr. Feza UUC 8.12

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI ENEY-2 JT E MOSFET İN ÖZELLİKLERİNİN ÇKARTLMAS ENEYİN AMA: ipolar jonksiyonlu transistör (JT) ve MOS transistörün (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik ve pratik olarak

Detaylı

5. LOJİK KAPILAR (LOGIC GATES)

5. LOJİK KAPILAR (LOGIC GATES) 5. LOJİK KPILR (LOGIC GTES) Dijital (Sayısal) devrelerin tasarımında kullanılan temel devre elemanlarına Lojik kapılar adı verilmektedir. Her lojik kapının bir çıkışı, bir veya birden fazla girişi vardır.

Detaylı

Yarışma Sınavı. A ) Kristal diyot B ) Zenner diyot C ) Varyabıl diyot D ) Schotky diyot E ) Diyak

Yarışma Sınavı. A ) Kristal diyot B ) Zenner diyot C ) Varyabıl diyot D ) Schotky diyot E ) Diyak 1 3 Hızlı diyot olarak bilinen, iletime geçme gerilimleri çok düşük olan ve yüksek frekanslı devrelerin doğrultulmasında kullanılan eleman Yukarıda verilen devrede kullanılan transistörün yükseltme katsayısı

Detaylı

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits)

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits) SE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates nd Logic Circuits) Sakarya Üniversitesi Lojik Kapılar - maçlar Lojik kapıları ve lojik devreleri tanıtmak Temel işlemler olarak VE,

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ SAYISAL DEVRE UYGULAMALARI Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ İÇİNDEKİLER ŞEKİLLER TABLOSU... vi MALZEME LİSTESİ... viii ENTEGRELER... ix 1. Direnç ve Diyotlarla Yapılan

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden

Detaylı

DENEY 2 UJT Karakteristikleri

DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. UJT nin iç yapısını ve karakteristiklerini öğrenmek. 2. UJT nin çalışma ilkelerini ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek 3. UJT karakteristiklerinin

Detaylı

Lojik Kapı Devreleri. Diyotlu Devreler:

Lojik Kapı Devreleri. Diyotlu Devreler: Lojik Kapı Devreleri Diyotlu Devreler: Lojik kapılar yarı iletken devreleri olarak oluşturulmuştur. Röleli devreler artık uygulamalarda çok az kullanılmaktadır. Yüksek gerilim tekniğindeki denetimlerde

Detaylı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEY-6 LOJİK KPILR VE İKİLİ DEVRELER DENEYİN MCI: Bu deneyde emel manık kapıları (logic gaes) incelenecek ek kararlı ikili devrelerin çalışma prensipleri gözlemlenecekir. ÖN HZIRLIK Temel lojik kapı devrelerinden

Detaylı

Ş İ ç İ İ Ş ç ç ç ç Ö İ ç İ Ö İ ç ğ ç ç ç ç ç ğ Ö ç ğ ç ç ç ğ ç ç ç ğ ç ç ğ ğ ç ç ç ğ ç ğ ğ ç İ Ç İ ğ ç ç ç ğ Ç ğ ç ç ç ğ Ö ğ İğ ç ğ ğ ç ğ ğ ğ ğ ç ğ ğ ğ ğ ğ ğ ğ ğ ç ğ ç ç ç ç ç ğ ç ç ç ğ ç ç ğ ç ğ ğ ğ

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Teorik Bilgiler ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Güç elektroniği devreleri ile güç dönüşümü anahtarlama teknikleri kullanılarak yapılır.

Detaylı

ç ç ç ğ ğ ğ ğ ç ç ğ ğ ç ğ ğ ğ ğ ğ ç ğ ç ç ç ğ ç ğ Ğ ç ğ ç ç Ğ Ğ ğ ğ ğ Ç Ü Ü ç Ç Ü Ğ Ü ğ ğ ç Ç ğ ç ğ ğ ç ç ç ç ğ ğ ç ç ğ ç ç ç ğ ğ ç ç ğ ç ğ ç Ö ç ğ ğ ğ ç ç Ö ç ğ ğ ğ ğ ğ ğ ğ ğ ç ğ ç ç ç ç ğ ç ğ Ğ çç ç

Detaylı

ş ş ğ ş ş ğ ğ ğ ş çç ş ç ğ ğ ş ş ğ ğ ş ç Ü ğ ğ ç ğ ş ç ğ ş ş ş ğ ğ ç ğ ç ş ç ş ğ ğ ş ç ç ç ç ç ğ ğ ş Ö ğ ğ ç ğ ğ ş ş ş ğ ç ş ğ ş ş ğ Ğ Ö ğ ç Ç ç Ö ğ Ş ş ğ Ğ Ç Ç Ş Ş Ğ Ü ğ Ş Ç ç ç ç ğ ğ ç Ğ ğ ç ğ ş ğ Ö

Detaylı

OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ

OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ TOPLAR OP-AMP ÖRNEĞİ GERİLİM İZLEYİCİ Eşdeğer devresinden görüldüğü gibi Vo = Vi 'dir. Emiter izleyici devreye çok benzer. Bu devrenin giriş empedansı yüksek, çıkış empedansı

Detaylı

Şekil-2.a Röleli anahtar

Şekil-2.a Röleli anahtar K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı TRANSĐSTÖRÜN ANAHTAR DAVRANIŞLARI 1. Genel Tanıtım Şekil 1.a da verilen emetör montajlı transistör V cc kaynağını

Detaylı

VE DEVRELER LOJİK KAPILAR

VE DEVRELER LOJİK KAPILAR ÖLÜM 3 VE DEVELEI LOJIK KPIL VE DEVELE LOJİK KPIL Sayısal devrelerin tasarımında kullanılan temel devre elemanlarına Lojik kapılar adı verilir. ir lojik kapı bir çıkış, bir veya birden fazla giriş hattına

Detaylı

9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR

9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR 9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR 1. FORMÜLÜ 2. SABİT DİRENÇTE, AKIM VE GERİLİM ARASINDAKİ BAĞINTI 3. SABİT GERİLİMDE, AKIM VE DİRENÇ ARASINDAKİ BAĞINTI 4. OHM KANUNUYLA İLGİLİ ÖRNEK VE PROBLEMLER 9.1 FORMÜLÜ

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

Bölüm 3. Sayısal Elektronik. Universal (Genel) Geçitler 10/11/2011 TEMEL MANTIK GEÇİTLERİ. Temel Mantık Geçitleri. Temel Mantık Geçitleri

Bölüm 3. Sayısal Elektronik. Universal (Genel) Geçitler 10/11/2011 TEMEL MANTIK GEÇİTLERİ. Temel Mantık Geçitleri. Temel Mantık Geçitleri // Sayısal Elektronik Elektronik Teknolojisi programı rd. Doç. Dr. Mustafa Engin - ölüm 3 TEMEL MNTIK GEÇİTLERİ Temel Mantık Geçitleri VE (ND) Geçidi VE (OR) Geçidi DEĞİL (NOT) Geçidi Temel Mantık Geçitleri

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ

1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ . ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ.. Giriş, Analog tümdevrelerde CMOS teknolojisinin yeri Ortaya çıktığı ilk yıllarda daha çok sayısal sistemlerin gerçekleştirilmesinde yararlanılan CMOS teknolojisi, günümüzde,

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

LOJİK KAPILAR (ANSI / IEEE-1973)

LOJİK KAPILAR (ANSI / IEEE-1973) LOJİK KPILR (NSI / IEEE-1973) VE KPISI (ND GTE) =. 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 VE KPISI (OR GTE) =+ 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 DEĞİL KPISI (NOT GTE) = 0 1 1 0 VE DEĞİL (NND GTE) =(.) 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 VE

Detaylı

Bundan sonra, giriş anahtarını diğer pozisyona hareket ettirip ne olduğunu göreceğiz:

Bundan sonra, giriş anahtarını diğer pozisyona hareket ettirip ne olduğunu göreceğiz: CMOS Geçit Devresi Bu noktaya kadar transistör mantık devre analizlerimiz çift kutuplu transistörlerin kullanıldığı TTL dizayn modeli ile sınırlı idi ve kayan girişlerin genel stratejisi "yüksek" (V cc

Detaylı

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır? 1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan

Detaylı

ş ç ö ç ç ş ş ö ş ş ç ö ö ş ç ç ş ö ö ö ş ş ş ş ş ş ş ö ö ç ç ç ş ş ö ş ö ö ş ö ö ö ş ö ş Ö Ü Ç ö ö Ğ ş ş ö Ö ö ç Ğ ş ş ö Ö ş ş şş ö ş ç ç ö ö ç ş ç ç ç Ö ç ç Ö ç ç ş ş Ö ç ö ş Ö ş ç ç ö ş ö ö ş ö ç ç

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler)

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) 1- Transistör (BJT, Bipolar Junction Transistor) hakkında temel bilgi Transistor B (beyz) ucuna uygulanan akıma göre C (kolektör)-e (emiter) uçlan

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

..:: LOJİK KAPI ENTEGRELERİ ::..

..:: LOJİK KAPI ENTEGRELERİ ::.. ..:: LOJİK KAPI ENTEGRELERİ ::.. ENTEGRE TÜRLERİ a.lineer Entegreler Sürekli sinyallerle çalışan bu lojik kapı entegreleri, yükselteç, opamp gibi elektronik fonksiyonların gerçekleştirilmesinde kullanılır.

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

ş şşş ş ç ş şş ş ş çş Ç Ğ Ü Ü ş ç ç Ü ç ç ç Ü ç Ş Ü ş ç ş Ü Ş Ü ç ç ş Ş ş Ş Ü ş ş ş ş ş ş ş ş ş ç Ç Ş ş Ş ş ş Ü Ş ş ş ş Ü Ü ş ş Ü ş ş Ö ş ç ş ç Ç ç ç ş ş ç Ğ Ğ ş ç ş Ğ ş ş Ş Ğ ş ş ş ş ş ş ş ç Ç ç Ü ş ç

Detaylı

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır? 1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan

Detaylı

ğ İ Ü Ü İĞ Ğİ İ İ Ü Ü Ü Ü ğ ğ öğ ğ ö Ö ğ ç ğ ş ğ ğ ç ç ğ ğ ö ğ ş ğ ğ ç ö ş ö ş ş ğ İ ş ğ ğ ç Ö ö ö ş ş ğ ğ ğ ğ ö ş ö ş ğ ğ ğ ğ Ü ğ ç Ş ç Ü ğ ş ş ç ş ş ö ö ş ç ş ş ğ ş ş ğ ğ İ ş ğ ç ğ ç ç ö öğ Ü ğ ç ş ğ

Detaylı

BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER

BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER 7.1 GİRİŞ Diyot ve transistörler gibi yarıiletken elemanlara ek olarak, özel uygulamalar için birçok değişik tipte yarıiletken elemanlar geliştirilmiştir. Bunlar arasında;

Detaylı

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2 DENEY 1 AMAÇ: VE Kapılarının (AND Gates) çalısma prensibinin kavranması. Çıkıs olarak led kullanılacaktır. Kullanılacak devre elemanları: Anahtarlar (switches), 100 ohm ve 1k lık dirençler, 7408 entegre

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

Deneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir.

Deneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir. DENEY 4 THEVENİN VE NORTON TEOREMİ 4.1. DENEYİN AMACI Deneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir. 4.2. TEORİK İLGİ

Detaylı

FET Avantajları: Dezavantajı:

FET Avantajları: Dezavantajı: FET Alan Etkili Transistör (Field Effect Transistor), 3 uçlu bir grup yarı iletken devre elemanının genel adıdır. Bu gruptaki transistörler kendi aralarında birtakım kategorilere ayrılır ve isimlendirilir.

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Transdüser ve Sensör Kavramı Fiziksel ortam değişikliklerini (ısı, ışık, basınç, ses, vb.) algılayan elemanlara sensör, algıladığı bilgiyi elektrik enerjisine çeviren elemanlara

Detaylı

ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?...

ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?... ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?... İçerik Düzeni Entegre Tanımı Entegre Seviyeleri Lojik Aileler Datasheet Okuma ENTEGRE TANIMI Entegreler(IC) chip adı da verilen,

Detaylı

GÜNEŞİ TAKİP EDEN HAREKETLİ KOLLEKTÖR MÜNİR ATAMAN BTSO Kamil Tolon Bilim Ve Sanat Merkezi Osmangazi-BURSA munirataman@hotmail.com ŞENOL YILDIZ Ekinciler 75. Yıl İlköğretim Okulu-Göynük BOLU senolyildiz5@hotmail.com

Detaylı

Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları

Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları Direnç (R) Alternatif gerilimin etkisi altındaki direnç, Ohm kanunun bilinen ifadesini korur. Denklemlerden elde edilen sonuç

Detaylı

Dirençler. 08 Aralık 2015 Salı 1

Dirençler. 08 Aralık 2015 Salı 1 Dirençler 08 Aralık 2015 Salı 1 Tanımı ve İşlevi Dirençler elektrik akımına zorluk gösteren elektronik devre elemanlarıdır. Direnç R harfi ile gösterilir, birimi ohmdur. Omega simgesi ile gösterilir (Ω).

Detaylı

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. Triyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 2. Diyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 3. Diyak-Triyak faz kontrol devrelerini incelemek.

Detaylı

1.1 FET Çal³ma Bölgeleri. Elektronik-I Laboratuvar 6. Deney. Ad-Soyad: mza: Grup No: JFET; jonksiyon FET. MOSFET; metal-oksit yar iletken FET

1.1 FET Çal³ma Bölgeleri. Elektronik-I Laboratuvar 6. Deney. Ad-Soyad: mza: Grup No: JFET; jonksiyon FET. MOSFET; metal-oksit yar iletken FET Elektronik-I Laboratuvar 6. eney Ad-oyad: mza: rup No: 1 FET ve FET Çal³ma Bölgeleri Alan etkili transistorlar ksaca FET (Field-Eect Transistor) olarak bilinmektedir. Aktif devre eleman olan alan etkili

Detaylı

Pursaklar İMKB Teknik ve Endüstri Meslek Lisesi

Pursaklar İMKB Teknik ve Endüstri Meslek Lisesi E. Ö. Yılı: 013 014 Sınıf: 10. Sınıflar Okul Türü: EML ve ATL Dal: Ortak Modül 1: Doğru Akım ve Devreleri Eylül 3 (1) Elektrik kazalarına karşı alınacak tedbirleri kavrar. Elektrik çarpması durumunda alınacak

Detaylı

DİRENÇ ÇEŞİTLERİ. Sabit dirençler Ayarlı dirençler Entegre tipi dirençler Özel (ortam etkili) dirençler

DİRENÇ ÇEŞİTLERİ. Sabit dirençler Ayarlı dirençler Entegre tipi dirençler Özel (ortam etkili) dirençler DİRENÇ ÇEŞİTLERİ Sabit dirençler Ayarlı dirençler Entegre tipi dirençler Özel (ortam etkili) dirençler Sabit dirençler Direnç değerleri sabit olan, yani değiştirilemeyen elemanlardır. Ayarlı dirençler

Detaylı

Ders 3- Direnç Devreleri I

Ders 3- Direnç Devreleri I Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel

Detaylı

Ölçme ve Devre Laboratuvarı Deney: 1

Ölçme ve Devre Laboratuvarı Deney: 1 Ölçme ve Devre Laboratuvarı Deney: 1 Gerilim, Akım ve Direnç Ölçümü 2013 Şubat I. GİRİŞ Bu deneyin amacı multimetre kullanarak gerilim, akım ve direnç ölçümü yapılmasının öğrenilmesi ve bir ölçüm aletinin

Detaylı

TEMEL ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY FÖYÜ

TEMEL ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY FÖYÜ YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY FÖYÜ ELEKTRONİK ANABİLİM DALI ARAŞTIRMA GÖREVLİLERİ: ARŞ. GÖR. NERGİS TURAL ARŞ. GÖR. CENK DİNÇBAKIR

Detaylı

1) Yarıiletken teknolojisini anlamak. 1,2,4 1

1) Yarıiletken teknolojisini anlamak. 1,2,4 1 DERS BİLGİLERİ Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS Elektroniğe Giriş BIL241 3 3+0 3 5 Ön Koşul Dersleri Yok Dersin Dili Dersin Seviyesi Dersin Türü Türkçe Lisans Zorunlu / Yüz Yüze Dersin

Detaylı

DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI

DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-21001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. Devre elemanı üzerinden akım akmasını sağlayan

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversiesi Mühendislik Fakülesi * Elekrik-Elekronik Mühendisliği Bölümü Elekronik Anabilim alı * Elekronik Laborauarı I FET.Lİ KUETLENİİCİLE 1. eneyin Amacı FET Transisörlerle yapılan

Detaylı

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak

Detaylı

DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI

DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI DENEY NO: DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI Bu deneyde direnç elamanını tanıtılması,board üzerinde devre kurmayı öğrenilmesi, avometre yardımıyla direnç, dc gerilim ve dc akım

Detaylı

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken) KTÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı DOĞRULTUCULAR Günümüzde bilgisayarlar başta olmak üzere bir çok elektronik cihazı doğru akımla çalıştığı bilinen

Detaylı

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DENEY 1-3 DC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-22001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını

Detaylı

SICAKLIK ALGILAYICILAR

SICAKLIK ALGILAYICILAR SICAKLIK ALGILAYICILAR AVANTAJLARI Kendisi güç üretir Oldukça kararlı çıkış Yüksek çıkış Doğrusal çıkış verir Basit yapıda Doğru çıkış verir Hızlı Yüksek çıkış Sağlam Termokupldan (ısıl İki hatlı direnç

Detaylı

Akımı sınırlamaya yarayan devre elemanlarına direnç denir.

Akımı sınırlamaya yarayan devre elemanlarına direnç denir. Akımı sınırlamaya yarayan devre elemanlarına direnç denir. Gösterimi: Birimi: Ohm Birim Gösterimi: Ω (Omega) Katları: 1 Gigaohm = 1GΩ = 10 9 Ω 1 Megaohm = 1MΩ = 10 6 Ω 1 Kiloohm = 1kΩ = 10 3 Ω 1 ohm =

Detaylı

DENEY 4 PUT Karakteristikleri

DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. PUT karakteristiklerini ve yapısını öğrenmek. 2. PUT un çalışmasını ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek. 3. PUT karakteristiklerini ölçmek. 4.

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA)

RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA) RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA) GÜRÜLTÜ KATSAYISI LNA nın gürültü katsayısı alıcının gürültüsüne direkt olarak eklendiğinden düşük olması elzemdir. Takip eden basamakların gürültü katsayıları

Detaylı

BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN TARAFINDAN 11.03.2009 TARĐHĐNDE YAYINLANAN NOTLARIN YENĐDEN DÜZENLENMĐŞ HALĐDĐR.

BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN TARAFINDAN 11.03.2009 TARĐHĐNDE YAYINLANAN NOTLARIN YENĐDEN DÜZENLENMĐŞ HALĐDĐR. BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN TARAFINDAN 11.03.2009 TARĐHĐNDE YAYINLANAN NOTLARIN YENĐDEN DÜZENLENMĐŞ HALĐDĐR. 1 TÜMDEVRE TASARIM ĐLKELERĐ 1.GĐRĐŞ 2.TÜMDEVRE TASARIMI VE ÜRETĐMĐ AŞAMALARI 2.1. Maske

Detaylı

Yarım Toplayıcı (Half Adder): İki adet birer bitlik sayıyı toplayan bir devredir. a: Birinci Sayı a b c s. a b. s c.

Yarım Toplayıcı (Half Adder): İki adet birer bitlik sayıyı toplayan bir devredir. a: Birinci Sayı a b c s. a b. s c. Syıl Devreler (Lojik Devreleri) Tümleştirilmiş Kominezonl Devre Elemnlrı Syıl itemlerin gerçekleştirilmeinde çokç kullnıln lojik devreler, klik ğlçlrın ir ry getirilmeiyle tümleştirilmiş devre olrk üretilirler

Detaylı

1. SAYISAL SİSTEMLERE GİRİŞ

1. SAYISAL SİSTEMLERE GİRİŞ 1. SAYISAL SİSTEMLERE GİRİŞ Lojik devre temelleri dersinde, kısaca sayısal elektronik devrelerin analizi ve tasarımının temel kavram ve yöntemlerinin öğretilmesini amaçlamıştır. Konu ayrıca lojik tasarımı,

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin. DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.

Detaylı

TEMEL ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY FÖYÜ

TEMEL ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY FÖYÜ YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY FÖYÜ ELEKTRONİK ANABİLİM DALI ARAŞTIRMA GÖREVLİLERİ: ARŞ. GÖR. NERGİS TURAL ARŞ. GÖR. CENK DİNÇBAKIR

Detaylı

T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET

T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET ANKARA 2007 Milli Eğitim Bakanlığı tarafından geliştirilen modüller;

Detaylı

BÖLÜM 11 SAYISAL-ANALOG (DAC) ANALOG-SAYISAL(ADC) DÖNÜŞTÜRÜCÜLER SAYISAL TASARIM. Bu bölümde aşağıdaki konular anlatılacaktır.

BÖLÜM 11 SAYISAL-ANALOG (DAC) ANALOG-SAYISAL(ADC) DÖNÜŞTÜRÜCÜLER SAYISAL TASARIM. Bu bölümde aşağıdaki konular anlatılacaktır. SYISL TSIM BÖLÜM SYISLNLOG (DC NLOGSYISL(DC DÖNÜŞTÜÜCÜLE Bu bölümde aşağıdaki konular anlatılacaktır. Sayısal ve nalog sinyaller İşlemsel yükselteçler (Operatinal mplifieropmp Sayısalnalog Çeviriciler

Detaylı

1 Nem Kontrol Cihazı v3

1 Nem Kontrol Cihazı v3 NEM KONTROL CİHAZI v5.0 Nem Kontrol Cihazı v3.0 1 Nem Kontrol Cihazı v3 NEM Havada bulunan su buharı miktarına nem denir. Nem ölçümlerinde mutlak nem, bağıl nem ve spesifik nem hesaplanır. Mutlak nem birim

Detaylı

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde

Detaylı