Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
|
|
- Nuray Talay
- 7 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 Çukurova Üniveritei Biyomedikal Mühendiliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı eney Föyü eney#1 Temel Yarıiletken iyot Karakteritikleri oç. r. Mutlu AVCI Ar. Gör. Mutafa İSTANBULLU AANA, 2015
2
3 ENEY 1 Temel Yarıiletken iyot Karakteritikleri A. Amaç Bu laboratuar çalışmaında yarıiletken diyot elemanı, diyot çeşitleri tanıtılacak ve akım-gerilim karakteritik eğrileri elde edilecektir. B. Temel Bilgiler PN Eklemi Katkılı veya af bir yarıiletken taban üzerine n-tipi ve/veya p-tipi katkılama ile elde edilen eklem bir pn eklemi olup diyot olarak adlandırılan devre elemanını oluşturur. pn eklemi oluştuğu anda Şekil 1 de görüldüğü gibi difüzyon ile zıt kutuplu yük taşıyıcıları (elektron ve hole) bölgeleri araında yük geçişi olur. Bu işlem p tipi bölgede elektron, n tipi bölgede hole birikip elektrik alan oluşumu ve bu alanın yeterince büyümei onucu difüzyonu durdurmaına kadar devam eder. Yüklerin toplandığı bu bölgeye uzay-yük bölgei veya taban yarıiletkenin taşıyıcı tipine ter yükler toplanmaı nedeniyle azınlık (depletion) bölgei denir. Uzay yük bölgei harici kıımlarda ideal şartlarda herhangi bir yük bulunmayıp nötr kabul edilirler. Şekil 1 ifüzyonla yük geçişi geçişi ve uzay yük bölgeinin oluşmaı Oluşan bu pn eklemine harici bir uyarım uygulanmadığı takdirde, yük difüzyonundan kaynaklı oluşan elektrik alan bir potaniyel farkı oluşturur. Bu potaniyel farkına inşa potaniyeli (built-in potential/ ) veya bariyer potaniyeli denir. ifüzyon işlemini durduran mekanizma zıt kutuplu yük taşıyıcılarının oluşturduğu elektrik alan dengeidir. Bariyer potaniyelinin değeri germanyum için 0.3V ve iliyum için ie 0.7V düzeylerindedir (Şekil 1).
4 Buradaki pn eklemi, akımın dikkate alınacak bir değerde tek yönlü olarak aktığını kabul eden diyot davranışını oluşturur. iyotta ileri yönlü akımın girdiği p bölgei anot ve akımın diyottan çıktığı terminal olan n bölgei ie katot adını alır (Şekil 2). Şekil 2 Yarıiletken diyot iyotun çalışmaı, kutuplanmaına bağlı olarak uzay yük bölgeinin (SCR) genişleyip daralmaı prenibi üzeredir. Kaynağın pozitif ucu anoda negatif ucu da katoda bağlanıra diyot ileri yönlü kutuplanır. Bu durumda uzay yük bölgei daralmaya başlar ve uygulanan gerilimin genliği belirli bir eşik gerilim değerini aştığı zaman iletim akımı i akar (Şekil 3). Bu eşik gerilimi öncei de akım akışı olmaına rağmen akım değerinin çok küçük olmaı nedeniyle ihmal edilir. Eşik gerilimini aşan bir uyarım ile diyot akımı ütel bir artış göterir. Şekil 3 İleri yönlü kutuplanmış pn eklemi, azatlım bölgeinin daralmaı ve akımların göterimi iyotun ter kutuplanmaı halinde uzay yük bölgei daha büyüyecek, iletim ancak çok küçük değerli (femto amperler mertebeinde) ter yönlü bir ızıntı akımından ibaret olacaktır (Şekil 4). Bu ızıntı akımı ileri yönlü akım iletimi için önemli bir parametre olup ileri yönlü diyot akımı heabında kendi değeriyle, ter yönlü iletim heabında ie ihmal edilerek kullanılabilir. Şekil 4 Ter yönlü kutuplanmış pn eklemi, azatlım bölgeinin genişlemei ve akımların göterimi
5 T İleri yönlü heaplamada ter ızıntı akımı büyük değer alan v e / nv terimi ile çarpılmakta, böylece ileri yönlü akımın makul bir değer almaı öz konuu olmaktadır. Ter gerilimlemede ie iletim akımı doğrudan doğruya femto amperler mertebeinde değer alan bu ızıntı akımına eşit olacağından ihmal edilmei makul olmaktadır. Bu ter yönde iletimin olmadığı kabulünü mümkün kılar. iyot elemanına ait devreden bağımız diyot akım ( i ) -gerilim ( v ) ilişkii aşağıdaki ifade ile modellenmektedir. Yarıiletken bir diyot için i ve v araındaki bağıntı; i I ( e v / nv T 1) şeklindedir. Burada; I ter yönlü atürayon akımı ve V T ie termal gerilim olup; V T kt / q k Boltzmann abiti = 1.38x10-23 Joule/Kelvin T Kelvin birimli ıcaklık q Elektron yükü = 1.602x10-19 Coulomb n idealden uzaklaşma faktörü yada emiyon katayıı ifadei ile heaplanır. Oda ıcaklığında (300ᵒK) yaklaşık olarak V T = 26mV alınır. Emiyon katayıı veya idealden uzaklaşma faktörü olarak adlandırılan n, diyotun fabrikayonuna ve malzeme özelliğine göre genellikle 1 ile 2 araında bir değer alır. n = 1 kabul edildiğinde diyot denklemi i I ( e v / V T 1) şekline gelir. Bu katayı diyota ait üretici katalogunda belirtilir. I gibidir. 10pA, T= 300ᵒK de ( V T=26mV ) tipik bir i v diyot akım-gerilim eğrii Şekil 5 de göterildiği Şekil 5 Yarıiletken diyotun i-v karakteritiği
6 i I ( e v / nv T 1) iyot denkleminde yer alan v nv T e / terimindeki ütelinin 3 e eşit veya büyük olmaı durumunda ifadede yer alan 1 ihmal edilip denklem aşağıdaki şekle gelir. i I ( e T = 300ᵒK de V T = 26mV olduğuna göre n = 1 için geriliminin V olmaı bu ihmal için yeterli olacaktır. İleri yönde akım iletimi yapan bir Si diyot için gerilimi yaklaşık 0.7 V mertebelerinde olacağından denklem -1 terimi ihmal edilmiş olarak kullanılabilir. v nv / T ) V RI V 0 V V nvt RI e V 0 Şekil 6 İleri yönlü kutuplamalı diyot devrei ve devre denklemi Yukarıdaki devre denklemi hem gerilimini hem de v nv T e / terimi ile bu gerilimin ütelini içerdiği için tranandantal denklem olarak adlandırılır ve analitik bir çözüm yolu bulunmamaktadır. Bu nedenle, pn eklem diyot devre elemanı içeren elektronik devrelerin analizi için elle çözümlemelerde model bazlı yaklaşık çözümler, bilgiayar tabanlı çözümlemelerde nümerik analiz yöntemleri uygulanır. El ile çözüm yöntemi ilk olarak ideal diyot modellemei ile başlar. İdeal olarak kabul edilen diyotta Şekil 7 de görüldüğü gibi v = 0 V ve ileri yönlü iletim direnci r f = 0 Ω kabul edilir. Böylece diyot üzerinde herhangi bir gerilim düşümü oluşmaz. İdeal diyot onraki modeller için tek yönlü iletimi ağlayan bir anahtar işlevli bileşendir. Pratikte böyle bir diyotun bulunmadığı unutulmamalıdır. Şekil 7 İdeal ve gerçek diyot karakteritiği iyot elemanının bir ileri modeli ideal diyot elemanına tıkama yönünde bağlanmış bariyer gerilimi değeri kadar bir gerilim kaynağı içeren Şekil 8'de görülen abit gerilim düşümü modelidir (contant
7 voltage drop model, CV). Sabit gerilim düşümü modelinde, ileri yönlü kutuplanmış diyot üzerindeki gerilim, diyot akımından bağımız olarak v = V γ V olarak kabul edilir. Şekil 8 de görüldüğü üzere pn eklem diyot bir ideal diyot ve buna eri bağlanmış bir gerilim kaynağı ile temil edilir. İleri yönlü iletim direnci r f = 0 Ω kabul edilmektedir. Şekil 8 Sabit gerilim düşümü modeli ve CV ile gerçek diyot modeli karakteritiklerinin karşılaştırılmaı iyotlu devrelerin analizinde abit gerilim düşümü modeli genellikle AC girişli gerilim doğrultma devrelerinde kullanılan bir yaklaşımdır. Ancak diğer diyotlu devreler için bu model de yeterli doğrulukta olmayacağından, diyot üzerindeki gerilimin artan diyot akımıyla artışını yanıtan ilave bir direnç ile modelin daha ilerlemei ağlanır. Bu modele parçalı lineer model (piece-wie linear model, PWL) denir ve daha yükek doğruluk göterir. Şekil 9 da görüldüğü üzere parçalı lineer modelde diyot, bir ideal diyot, eri bağlı bir gerilim kaynağı ve yine eri bağlı bir direnç ile temil edilir. Böylece hem v hem de r f ıfırdan farklı olur. Bu model önceki iki modeli de bünyeinde barındırır. Şekil 9 Parçalı lineer modeli ve PWL ile gerçek diyot modeli karakteritiklerinin karşılaştırılmaı Şekil 9 dan PWL diyot model denklemi;
8 Olarak yazılır. Şekil 6 daki devre denkleminde PWL model denklemi yerine konulura; ile ifade edilir. Böylece analitik bir çözüm ifadeine ulaşılmış, diyot belirli bir başarım ile el çözümüne tabi tutulabilmiş olur. LE (Light Emitting iode) LE, Light Emitting iode kelimelerinin kıaltılmış halidir ve Işık Yayan iyot anlamına gelir. LE ler foton yayan yarı iletken devre elemanlarıdır. aha önce de belirtildiği gibi ileri yönlü kutuplanan pn eklemde hole ve elektronlar birleşmektedir (rekombinayon). Eğer yarıiletken, GaA gibi doğrudan (direct) geçişli bant aralığına ahipe hole ve elektronlar momentumlarında bir değişiklik olmadan birleşir ve bunun onucunda bir foton yayarlar. Buna karşılık, yarıiletken malzeme Si gibi dolaylı (indirect) geçişli bant aralığına ahipe hole ve elektron birleşiminde momentum değişimi olur ve foton meydana gelmez. Bu nedenle LE'ler GaA gibi bileşik yarıiletkenlerden üretilirler. LE için diyot akımı yarıiletkende meydana gelen rekombinayon oranına bağlıdır. Bununla birlikte LE'den yayılan foton yoğunluğu da diyot akımıyla doğru orantılıdır. Şekil 10 LE lerdeki foton oluşturma olayını götermektedir. Şekil 10 LE de foton oluşma işlemi ve LE embolü LE lerin ortama yaydığı fotonun frekanı, pektrumun görünür ışık bölgeine denk düşer. Bununla birlikte gözle görülemeyen frekanta foton yayan kızılötei (infrared, IR) veya morötei (ultraviole,uv) LE ler de vardır. LE lerin yaydığı foton, yarıiletken malzemedeki katkı maddeleri ile ilgilidir. LE in hangi renkte ışık yaymaı iteniyora galyum, arenit, alüminyum, fofat, indiyum, nitrit gibi malzemelerden uygun oranda yarı iletken taban malzemeye katkı yapılır (GaAIA, GaA, GaAP, GaP, InGaAIP, SiC, GaN). Böylece LE'in itenen dalga boyunda ışıma yapmaı ağlanır. Örneğin kırmızı renk (660nm) için GaAlA, arı renk (595nm) için InGaAIP, yeşil renk (565nm) için GaP, mavi renk (430nm) için GaN kullanılır. LE'lerin genel görünüşü aşağıdaki gibidir.
9 Şekil 11 LE in şematik görüntüü ve farklı renklerde LE ler Zener iyot aha önceki kıımlarda belirtildiği gibi diyotun ter yönlü kutuplanmaıyla, diyot üzerindeki gerilim belirli bir limitin üzerine çıkamaz. Bununla birlikte bir noktadan itibaren ter yönlü kutuplanan diyotta kırılma (breakdown) meydana gelir ve ter yönde akan diyot akımı hızlıca artmaya başlar. Bu olayın oluştuğu gerilim değerine kırılma gerilimi denir. Ter yönde kırılmanın olduğu diyot akım-gerilim grafiği Şekil 12 de göterilmiştir. Şekil 12 Kırılma geriliminin göterildiği zener diyot i-v karakteritiği ve zener diyot embolü Zener olarak adlandırılan diyotlar, belirli bir kırılma noktaı belirlenilerek taarlanır ve üretilirler. Şekil 12 de zener bölgeinde görülen direnci çok küçük değerlerde olup değeri birkaç ohm ile birkaç 10Ω araında değişiklik göterir. Zener diyotlarda zener potaniyeli katkılamaya bağlı olarak 1,8V ile 200V araında değişiklik göterebilir. Şekil 12 de zener diyot embolü görülmektedir. Burada zener kırılma gerilimi ve akımı ie zener bölgeinde çalışan diyotun ter kutuplama akımını götermektedir.
10 Adı, Soyadı: Öğrenci No: C. Hazırlık Çalışmaı 1. Aşağıdaki devre için (Vout-t) grafiğini çiziniz. Vin-t grafiği şekildeki gibidir. 10V Vin 5V 0V V(V1:+) Time
11 Adı, Soyadı: Öğrenci No: 2. Aşağıdaki devre için Vo çıkış gerilimini bulunuz.
12 Adı, Soyadı: Öğrenci No:. eney Çalışmaı 1. ijital multimetreyi diyot ölçüm moduna getiriniz. İleri kutuplamada 1N4001 diyotu için açılma gerilimini ölçüp boşluğu doldurunuz. Şekil 13 ijital multimetre ile diyot teti 2. Şekil 14 de görülen devreyi 1N4001, LE ve 3.3V zener elemanları için ayrı ayrı kurunuz. Aşağıdaki tabloda verilen farklı kaynak gerilimleri için ve gerilimlerini ölçünüz. Ölçtüğünüz değerleri yine tabloda ilgili alanlara yazınız. Tabloya yazılan değerleri kullanarak üç farklı diyot için akımgerilim ( ) grafiklerini çiziniz. ( ifadeinden heaplanacaktır.) Şekil 14 1N4001 LE Zener 0.2V 0.2V -5V 0.4V 0.4V -4V 0.6V 0.6V -3V 0.8V 0.8V -2V 1V 1V -1V 2V 2V 0V 3V 3V 0.2V 4V 4V 0.4V 5V 5V 0.6V 6V 6V 0.8V 7V 7V 1V 8V 8V 2V 9V 9V 3V 10V 10V 4V
13 1N4001 LE 3.3V Zener 3. Şekil 15'teki devre, herhangi bir iki terminalli elemanın ya da devrenin akım-gerilim karakteritiğini oilokop yardımı ile elde etmekte kullanılabilir. Buradaki 1kΩ'luk direnç diyot üzerinden geçen akımın değerini ınırlamak için kullanılmıştır. Oilokop ile akım değeri ölçülemediğinden, devreden geçen akım, diyota eri bağlanmış olan küçük değerli bir direnç üzerindeki gerilimin ölçülüp direnç değerine bölünmeiyle bulunur. Buradaki dikkat edilmei gereken nokta, oilokobun X girişindeki gerilim değerinin diyot ve 10Ω'luk direnç üzerindeki gerilimler toplamı olduğudur. Fakat buradaki 10Ω'luk direnç üzerindeki gerilimin diyot üzerindeki gerilimle karşılaştırıldığında çok küçük olmaı X girişindeki gerilimin yaklaşık olarak diyot üzerindeki gerilime eşit olduğu anlamına gelir. Buna göre Şekil 15 te görülen devreyi 1N4001 diyotu ve zener diyot için kurarak oilokop ekranında X-Y modunda çıkışı gözleyiniz. Gözlediğiniz çıkışları ilgili koordinat düzlemi üzerine çiziniz. 1k X Y 10V 15V f=100hz 10 GN Şekil 15
14 X-Y Modu 1N4001 X-Y Modu Zener E. Tartışma 1. Teorik ve deneyel onuçları karşılaştırınız. Sonuçlar araında farklılıklar var ie ebeplerini yazınız. 2. Üzerindeki çizgii ilinmiş olan bir diyotun anot ve katot ucunu dijital bir multimetre ile naıl belirleriniz? 3. Hangi şartlar altında bir eklem diyot açılır açıklayınız. F. Malzeme Litei irençler : 10Ω, 1kΩ iyot : 1N4001 LE : MV5353 Zener iyot : BZX84C3V3 (3.3V) Standart deney teçhizatı KAYNAKLAR: 1. Microelectronic Circuit Analyi and eign, Neamen., Microelectronic Circuit eign, Jeager R., Blalock T., Electronic evice and Circuit Theory, Boyletad R., Nahelky L.
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#1 Temel Yarıiletken Diyot Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Ar. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM226 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#1 Temel Yarıiletken Diyot Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Ar. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2018
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik1 Laboratuvarı eney Föyü eney#3 iyot Kırpıcı ve Kenetleyici evreler oç. r. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU AANA, 2017 ENEY 3 Kırpıcı
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıElektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot
ElektronikI Laboratuvarı 1. Deney Raporu AdıSoyadı: İmza: Grup No: 1 Diyot Diyot,Silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken malzemelerden yapılmış olan aktif devre elemanıdır. İki adet bağlantı ucu vardır.
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
DetaylıDENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler
ENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici evreler 1. Amaç Bu deneyin amacı, diyot elemanının elektronik devrelerde diğer bir uygulaması olan ve dalgaların şekillendirilmesinde kullanılan kırpıcı ve kenetleyici devrelerinin
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot Karakteristikleri Diyot, zener diyot DENEY
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
DetaylıAMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim
DetaylıYarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;
1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun
DetaylıT.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları
T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232
Detaylı1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik1 Laboratuvarı eney Föyü eney#3 iyot Kırpıcı ve Kenetleyici evreler oç. r. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU AANA, 2016 BMM212 Elektronik
Detaylı1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar Konunun Özeti * Diyotlar yapım tekniğine bağlı olarak; Nokta temaslı diyotlar,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#4 Bipolar Junction Transistor (BJT) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıELEKTRONİK LAB. I DİYOT KARAKTERİSTİĞİ
KURALLAR: Deneye isminizin bulunduğu grupla beraber, ilgili saat ve günde geliniz. Deney grubu değişiklikleri için (başka bir dersle çakışması vb. durumlarda) deneyden sorumlu öğretim elemanı ile görüşebilirsiniz.
DetaylıElektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,
YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#8 I-V ve V-I Dönüştürücüler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 8 I-V ve
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU
DetaylıT.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU
T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV
DetaylıT.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I
T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
DetaylıŞekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri
DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Diyotlar; bir yarısı N-tipi, diğer yarısı P-tipi yarıiletkenden oluşan kristal elemanlardır ve tek yönlü akım geçiren yarıiletken devre elemanlarıdır. N
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
Detaylı1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Yarı İletken Diyotlar 1.1 Giriş 1.2. Yarı İletkenlerde Akım Taşıyıcılar 1.3. N tipi ve P tipi Yarı İletkenlerin Oluşumu 1.4. P-N Diyodunun Oluşumu 1.5. P-N Diyodunun Kutuplanması
DetaylıT.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I
T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 6: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1. DİYOT ve UYGULAMALARI
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 DİYOT ve UYGULAMALARI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN EKİM 2011 KAYSERİ DİYOT
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıValans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.
Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun
DetaylıDENEY 2 Diyot Doğrultma Devreleri ve Gerilim Katlayıcı
DENEY 2 Diyot Doğrultma Devreleri ve Gerilim Katlayıcı A. Amaç Bu deneyin amacı, klasik bir DC güç kaynağında yer alan, AC işareti DC işarete dönüştürme işlemi için gerekli diyot doğrultma devrelerinin
DetaylıELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri
DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#2 Diyot Doğrultma Devreleri ve Gerilim Katlayıcı Doç Dr. Mutlu AVCI Ar.Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2016
DetaylıEEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 01: DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıDİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı 1. Deneyin Amacı DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot çeşitlerinin
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
DetaylıDeney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:
Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları Amaç: Diyot elemanını ve çeşitlerini tanımak Diyotun çalışma mantığını kavramak Diyot sağlamlık kontrolü İleri kutuplama, geri kutuplama ve gerilim düşümü. Araç
DetaylıDENEY 2 DİYOT DEVRELERİ
DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ 2.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde çıkış gerilim dalga formunda değişiklik oluşturan kırpıcı (clipping) ve kenetleme (clamping) devrelerinin nasıl çalıştığı öğrenilecek ve kavranacaktır.
DetaylıKIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI
K.T.Ü ElektrikElektronik Müh.Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I KICHOFF'UN KIML E GEĠLĠMLE YSSININ DENEYSEL SĞLNMSI KICHOFF'UN KIML YSSI: Bir elektrik devresinde, bir düğümde bulunan kollara ilişkin akımların
DetaylıElektronik Laboratuvarı
2013 2014 Elektronik Laboratuvarı Ders Sorumlusu: Prof. Dr. Mehmet AKBABA Laboratuvar Sorumluları: Rafet DURGUT İçindekiler Tablosu Deney 1: Laboratuvar Malzemelerinin Kullanılması... 4 1.0. Amaç ve Kapsam...
Detaylı1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıKIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ
A) Kırpıcı Devreler KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ Bir işaretteki belli bir gerilim ya da frekans seviyesinin üstündeki veya altındaki parçasını geçirmeyen devrelere kırpıcı devreler denir. Kırpıcı
DetaylıT.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT
T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ Deneyin Amacı: DENEY-1:DİYOT Elektronik devre elemanı olan diyotun teorik ve pratik olarak tanıtılması, diyot
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıSensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL
Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Optik Sensörler Üzerine düşen ışığa bağlı olarak üstünden geçen akımı değiştiren elemanlara optik eleman denir. Optik transdüserler ışık miktarındaki değişmeleri elektriksel
DetaylıELEKTRONİK LAB. 1. DENEY QUİZ ÇALIŞMA SORULARI
ELEKTRONİK LAB. 1. ENEY QUİZ ÇALIŞMA SORULARI Laboratuvar başlangıcında 15 dk sürecek tek soruluk Quiz yapılacaktır. Bu dökümandaki Quiz Çalışma Sorularından ve eney föyü teorik kısımdaki sorulardan sorulacaktır.
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI
ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI 1. Direnç Renk Kodları Direnç Renk Tablosu Renk Sayı Çarpan Tolerans SİYAH 0 1 KAHVERENGİ 1 10 ± %1 KIRMIZI 2 100 ± %2 TURUNCU 3 1000 SARI 4 10.000 YEŞİL 5 100.000 ± %0.5 MAVİ
Detaylı1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)
Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıLEDler (Light Emitting Diodes-Işık Yayan Diyotlar)
LEDler (Light Emitting Diodes-Işık Yayan Diyotlar) Işık yayan flamansız lambalara LED denir. Bu elemanlar çeşitli boyutlarda üretilirler.2-20 miliamper gibi çok az akımla çalışırlar. Sarsıntılara dayanıklı
DetaylıBÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)
BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda
DetaylıProblem Çözmede Mühendislik Yaklaşımı İzlenecek Yollar Birimler ve ölçekleme Yük, akım, gerilim ve güç Gerilim ve akım kaynakları Ohm yasası
Yrd. Doç. Dr. Fatih KELEŞ Problem Çözmede Mühendislik Yaklaşımı İzlenecek Yollar Birimler ve ölçekleme Yük, akım, gerilim ve güç Gerilim ve akım kaynakları Ohm yasası 2 Mühendislik alanında belli uzmanlıklar
DetaylıÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Diyotu tanımlayınız. Diyot bir yönde akım geçiren, diğer yönde akım geçirmeyen elektronik devre elemanıdır. Diyotlarda anot ve katodu tanımlayınız. Diyot
DetaylıDENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT
YALITKAN YARI- İLETKEN METAL DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT Amaç: Birinci deneyde Ohmik bir devre elemanı olan direncin uçları arasındaki gerilimle üzerinden geçen akımın doğru orantılı
DetaylıDers #9. Otomatik Kontrol. Kararlılık (Stability) Prof.Dr.Galip Cansever. 26 February 2007 Otomatik Kontrol. Prof.Dr.
Der #9 Otomatik Kontrol Kararlılık (Stability) 1 Kararlılık, geçici rejim cevabı ve ürekli hal hataı gibi kontrol taarımcıının üç temel unurundan en önemli olanıdır. Lineer zamanla değişmeyen itemlerin
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıElektrik Müh. Temelleri
Elektrik Müh. Temelleri ELK184 2 @ysevim61 https://www.facebook.com/groups/ktuemt/ 1 Akım, Gerilim, Direnç Anahtar Pil (Enerji kaynağı) V (Akımın yönü) R (Ampül) (e hareket yönü) Şekildeki devrede yük
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıV R1 V R2 V R3 V R4. Hesaplanan Ölçülen
DENEY NO : 1 DENEYİN ADI : Kirchhoff Akım/Gerilim Yasaları ve Düğüm Gerilimleri Yöntemi DENEYİN AMACI : Kirchhoff akım/gerilim yasalarının ve düğüm gerilimleri yöntemi ile hesaplanan devre akım ve gerilimlerinin
DetaylıDENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı
DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER 3.1. Deneyin Amacı Yarım ve tam dalga doğrultucunun çalışma prensibinin öğrenilmesi ve doğrultucu çıkışındaki dalgalanmayı azaltmak için kullanılan kondansatörün etkisinin
DetaylıDENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ Alan Etkili Transistör (FET) Alan etkili transistörler 1 bir elektrik alanı üzerinde kontrolün sağlandığı bir takım yarıiletken aygıtlardır. Bunlar iki çeşittir:
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıAKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER
YARI İLETKENLER Doğada bulunan atamlar elektriği iletip-iletmeme durumuna görene iletken, yalıtkan ve yarı iletken olarak 3 e ayrılırlar. İletken maddelere örnek olarak demir, bakır, altın yalıtkan maddeler
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıGERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ
GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıDoğru Akım Devreleri
Doğru Akım Devreleri ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için elektromotor kuvvet (emk) adı verilen bir enerji kaynağına ihtiyaç duyulmaktadır. Şekilde devreye elektromotor
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 3 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Şaban ULUS Şubat 2014 KAYSERİ
DetaylıDeğişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.
DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese
DetaylıDİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK
BÖLÜM 5 DİYOT ÇEŞİTLERİ 1) KRİSTAL DİYOT 2) ZENER DİYOT 3) TÜNEL DİYOT 4) IŞIK YAYAN DİYOT (LED) 5) FOTO DİYOT 6) AYARLANABİLİR KAPASİTELİ DİYOT (VARAKTÖR - VARİKAP) DİĞER DİYOTLAR 1) MİKRODALGA DİYOTLARI
DetaylıFOTOVOLTAİK HÜCRENİN TEK DİYOT EŞDEĞER DEVRE PARAMETRELERİNİN ÇIKARILMASI VE MATLAB/SİMULİNK MODELİ
FOTOVOLTAİK HÜCRENİN TEK DİYOT EŞDEĞER DEVRE PARAMETRELERİNİN ÇIKARILMASI VE MATLAB/SİMULİNK MODELİ Murat ÜNLÜ Sabri ÇAMUR Birol ARİFOĞLU Kocaeli Üniveritei, Mühendilik Fakültei Elektrik Mühendiliği Bölümü
DetaylıELEKTRONİK-1 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Diyot Karakteristikleri Deneyleri (PN Jonksiyon)
ELEKTRONİK-1 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Diyot Karakteristikleri Deneyleri (PN Jonksiyon) DENEYİN AMACI 1. Silisyum ve Germanyum Diyotların karakteristiklerini anlamak. 2. Silisyum ve Germanyum Diyot tiplerinin
DetaylıDENEY 3: DOĞRULTUCU DİYOT VE ZENER DİYOT UYGULAMASI
ENEY 3: OĞUTUCU İYOT E ENE İYOT UYGUAMAS Örnek 3 =1v Akım akma iyot ters yönde kutuplanmıştır. Örnek 4 =1v Akim akar >0 iyot doğru yönde kutuplanmıştır. Örnek 5 =1v Akım akma >0 iyot ters yönde kutuplanmıştır.
DetaylıYARIİLETKENLER ve P-N EKLEMLERİ
YARIİLETKENLER ve P-N EKLEMLERİ TEMEL KAVRAMLAR Atom: elektron elektron yörüngesi K L M N çekirdek elektron elektron Çekirdek Atomun basit gösterimi Çekirdek normalde neutron ve protonlardan oluşur Elektronlar
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıOHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI
DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde, Ohm kanunu işlenecektir. Seri ve paralel devrelere ohm kanunu uygulanıp, teorik sonuçlarla deney sonuçlarını karşılaştıracağız ve doğrulamasını yapacağız.
DetaylıBLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 2. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 2 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 3/1/2015 1 P-N BİRLEŞİM DİYOTU Günümüzde çoğu
DetaylıEEM 307 Güç Elektroniği
DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Yaz Okulu GENEL SINAV SORULARI VE ÇÖZÜMLERİ EEM 307 Güç Elektroniği Tarih: 30/07/2018 Saat: 18:30-19:45 Yer: Merkezi Derslikler
DetaylıŞekil 1. R dirençli basit bir devre
DENEY 2. OHM KANUNU Amaç: incelenmesi. Elektrik devrelerinde gerilim, akım ve direnç arasındaki ilişkinin Ohm kanunu ile Kuramsal Bilgi: Bir iletkenden geçen elektrik akımına karşı, iletken maddenin içyapısına
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için
DetaylıDENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP
DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP Amaç: Bu deneyin amacı, öğrencilerin alternatif akım ve gerilim hakkında bilgi edinmesini sağlamaktır. Deney sonunda öğrencilerin, periyot, frekans, genlik,
Detaylıİletken, Yalıtkan ve Yarı İletken
Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,
DetaylıYarım Dalga Doğrultma
Elektronik Devreler 1. Diyot Uygulamaları 1.1 Doğrultma Devreleri 1.1.1 Yarım dalga Doğrultma 1.1.2 Tam Dalga Doğrultma İki Diyotlu Tam Dalga Doğrultma Dört Diyotlu Tam Dalga Doğrultma Konunun Özeti *
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
Detaylı