T.C. GAZİOSMANPAŞA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANA BİLİMDALI

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "T.C. GAZİOSMANPAŞA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANA BİLİMDALI"

Transkript

1 T.C. GAZİOSMANPAŞA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANA BİLİMDALI Mn/n-GaAs SCHOTTKY DİYOTUNUN HİDROSTATİK BASINÇ ALTINDA ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU HAZIRLAYAN: SADIK ÖNAL DANIŞMAN: Doç. Dr. GÜVEN ÇANKAYA YÜKSEK LİSANS TEZİ TOKAT 2007

2 Mn/n-GaAs SCHOTTKY DİYOTUNUN HİDROSTATİK BASINÇ ALTINDA ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU SADIK ÖNAL YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI TOKAT 2007

3 i ÖZET Mn/n-GaAs SCHOTTKY DİYOTUNUN HİDROSTATİK BASINÇ ALTINDA ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU SADIK ÖNAL Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Yüksek Lisans Tezi 2007, 108 Sayfa Danışman : Doç. Dr. Güven ÇANKAYA Jüri : Doç. Dr. Güven ÇANKAYA Jüri : Yrd. Doç. Dr. Salih SAYGI Jüri : Yrd. Doç. Mahmut HEKİM Yarıiletken diyotların I V karakteristikleri yardımıyla elde edilen parametreleri, elektronik tasarımlarında önemli yer tutmaktadır. Çığ gibi büyüyen elektronik sanayisinde, değişik yöntemlerle malzeme parametrelerinin her geçen gün iyileştirilmesi ve çeşitliliğinin artması, malzemelerin karakterizasyonlarından yapılan parametre hesaplamalarında yeni metodlar bulunmasının yolunu açmıştır. Bu hesaplamaların hepsi Termoiyonik Emisyon teorisine dayandırılmaktadır. Schottky diyot parametrelerinin hesaplanmasında TE teorisini temel alarak literatürde çokca kullanılan Missous yöntemi, Norde Fonksiyonu ve Cheung fonksiyonları yardımıyla diyotun elektriksel parametrelerini hesaplaplayabiliriz. Ayrıca deneysel veriler yardımıyla deney aralığını ANFIS ile tanımlayıp bu deney aralığında deneysel verileri alınmış yada alınmamış basınç değerleri için karakterizasyonun tüm değerleri için tahmin ettirebiliriz. Teorik olarak verilen denklemde basınç parametresi bulunmamasına rağmen bu çalışma ile hidrostatik basıncın etkisini kısmende olsa hesaplamaya dahil edilebileceğini göstermeye çalıştık. Anahtar Kelimeler: Metal-Yarıiletken Kontaklar, Elektriksel Özellikler, Hidrostatik basınç, ANFIS

4 ii ABSTRACT ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF Mn/n-GaAs SCHOTTKY DIODE UNDER HYDROSTATIC PRESSURE SADIK ÖNAL Gaziosmanpaşa University Graduate School of Natural and Applied Science Department of Physics Master Thesis 2007, 108 Pages Supervisor : Assoc. Prof. Dr. Güven ÇANKAYA Jury : Assoc. Prof. Dr. Güven ÇANKAYA Jury : Asst. Prof. Dr. Salih SAYGI Jury : Asst. Prof. Dr. Mahmut HEKİM Semiconductor diode-parameters which are obtained by I V characteristics are very important in electronic design. In rapidly developing electronic industry, the improvements of material parameters by using various methods, hence the increasing of diversity provide to find new methods in parameter solutions, which is calculated from material characterizations. All these calculations is based on Thermoionic Emission theory. We can calculate electrical parameters of diode with the help of Missous method, Norde Function and Cheung Functions which are greatly used in literature and based on TE theory. Additionally, working range of data can be defined by ANFIS by inserting experimental data and in this range we can find all values of characterization predicted for pressure values which having or no having experimental values. Theoretical equation is not consist of pressure parameters, although this study have showed effect of hydrostatic pressure, can be included partially in calculations. Keywords: Metal-Semiconductor Contacs, Electrical Properties, Hydrostatic pressure, ANFIS

5 iii TEŞEKKKÜR Yüksek Lisans eğitimim ve bu tezi hazırlamam esnasında yorulmadan, bıkmadan yardımlarını esirgemeyen, bilgi ve deneyimleriyle her türlü desteği sağlayan, danışman hocam Sayın Doç. Dr. Güven ÇANKAYA ya en içten şükranlarımı arz ederim. Çalışmalarım esnasında sonsuz yardımlaştığım, her türlü desteğini aldığım kötü gün dostu değerli hocam Sayın Yrd. Doç. Dr. Mahmut HEKİM e en içten şükranlarımı arz ederim. Çalışmalarım sırasında bilgi ve birikimlerinden faydalandığım değerli meslektaşım Elektronik Yüksek Mühendisi Ali Durmuş a teşekkür ederim. Çalışmalarımın bütün aşamaları boyunca en büyük maddi ve manevi desteğini aldığım değerli aileme teşekkürü bir borç bilirim. Sadık ÖNAL

6 iv İÇİNDEKİLER ÖZET... i ABSTRACT... ii TEŞEKKÜR... iii İÇİNDEKİLER... iv ŞEKİLLER LİSTESİ... vii TABLOLAR LİSTESİ... x SİMGELER VE KISALTMALAR LİSTESİ... xi 1.GİRİŞ SCHOTTKY DİYOTLAR HAKKINDA GENEL BİLGİLER Schottky Diyotların Gelişim Süreci Metal-Yarıiletken Kontaklar n-tipi Yarıiletken-Metal Doğrultucu (Schottky) Kontak Oluşumu Metal n-tipi Yarıiletken Omik Kontaklar Metal (Omik) n- Tipi Yarıiletken Metal (Schottky) Yapısı Schottky Diyotlarında Termoiyonik Emisyonla Akım İletimi Missous Yöntemi ile Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi Norde Fonksiyonları ile Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi Cheung Fonksiyonları ile Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi YAPAY SİNİR AĞLARI Yapay Sinir Ağlarının Genel Özellikleri Transfer Fonksiyonları YSA ların Özellikleri Doğrusal Olmama Öğrenme... 38

7 v Genelleme Yapabilme Uyarlanabilirlik Donanım Olarak Gerçekleştirilebilme Hataya Karşı Duyarlılık Veri İşleme YSA ların Sınıflandırılması YSA ların Ağ Yapılarına Göre Sınıflandırılması İleri Beslemeli Ağ Yapısı Geri Beslemeli Ağ Yapısı Yapay Sinir Ağı Yapıları Çok Katmanlı Perseptron YSA Yapısı YSA ların Öğrenme Algoritmalarına Göre Sınıflandırılması Dereceli Azaltılmış Geri Yayılım (Back Propagation Gradient Descent) ANFIS Ağında Kullanılan Hibrid Öğrenme Algoritması Sistem Modellemede Yapay Sinir Ağlarının Kullanımı BULANIK SİNİR AĞI Bulanık Mantık Bulanık Mantık Gelişim Süreci Klasik ve Bulanık Mantık Arasındaki Fark Bulanık Mantık Uygulama Alanları Bulanık Küme Teorisi Klasik ve Bulanık Kümeler Üyelik Fonksiyonu Bulanık Kümelerde Temel İşlemler Kapsama Denklik Kesişim Birleşim Tümleyen Cebirsel Toplam... 59

8 vi Cebirsel Çarpım Fark Bulanık Sistemler için Bulanık Kurallar Bulanık Çıkarım İşlemi Sugeno Bulanık Çıkarım Metodu Sugeno Tipi Modelin Avantajları Bulanık Sistem Geliştirme Aşamaları Bulanık Sinir Ağı (Neuro-Fuzzy) Bulanık Sinir Ağı ile Sistem Modelleme METARYAL VE METOD Numune Hazırlanması Akım Gerilim ( I V ) Ölçümleri ve Basıncın Diyot Parametrelerine Etkisi Missous Yöntemi Kullanılarak Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi Norde Fonksiyonu Kullanılarak Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi Cheung Fonksiyonlarını Kullanılarak Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi ANFIS Kullanılarak Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi SONUÇLAR VE TARTIŞMA KAYNAKLAR ÖZGEÇMİŞ

9 vii ŞEKİLLER LİSTESİ Şekil Sayfa 2.1. Metal/n-tipi yarıiletken doğrultucu (Schottky) kontak Düz ve ters beslem altındaki Metal/n-tipi yarıiletken doğrultucu kontak Metal/n-tipi yarıiletken omik kontak Düz ve ters beslem altındaki Metal/n-tipi yarıiletken omik kontak Termal dengede n-tipi Schottky diyodunun enerji band diyagramı Biyolojik nöron Yapay nöron YSA larda en çok kullanılmakta olan transfer fonksiyonları İleri beslemeli YSA yapısı Geri beslemeli YSA yapısı Genel bir ÇKP Yapısı Klasik ve Bulanık Mantık Arasındaki Farkı A Kümesinin Üyelik Fonksiyonu Çeşitli Üyelik Fonksiyonu Biçimleri Bulanık Çıkarım Diyagramı 63

10 viii 4.5. Sugeno Bulanık Çıkarım Metodu Basit Bir ANFIS Yapısı Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç ile ters ve düz beslem I-V grafiği ve tez yazarı tarafından yapılan düz beslem fit eğrileri Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç ile ters ve düz beslem I-V grafiği ve Gözlemci tarafından yapılan düz beslem fit eğrileri Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç ile ters ve düz beslem I-V grafikleri ile ters ve düz beslem fitleri Mıssous yöntemi kullanılarak Mn/n- tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç ile ters ve düz beslem I-V grafiği Norde Fonfsiyonları kullanılarak Mn/n- tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınca göre F( V ) V grafiği Tez yazarı tarafından Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınca göre dv d( ln I ) I grafiği Gözlemci tarafından Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınca göre dv d( ln I ) I grafiği Tez yazarı tarafından Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınca göre H ( I) I grafiği Gözlemci tarafından Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınca göre H ( I ) I grafiği kbar basınç için ANFIS ve Deneysel veriler kullanılarak oluşturulan Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği kbar basınç için ANFIS ve Deneysel veriler kullanılarak oluşturulan Mn/n- tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği kbar basınç için ANFIS ve Deneysel veriler kullanılarak oluşturulan Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği 86

11 ix kbar basınç için ANFIS ve Deneysel veriler kullanılarak oluşturulan Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği kbar basınç için ANFIS ve Deneysel veriler kullanılarak oluşturulan Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği ANFIS kullanılarak 0.00 kbar ve 1.00 kbar basınç değerleri arasında elde edilen 0.50 kbar basınç için Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği ANFIS kullanılarak 1.00 kbar ve 3.00 kbar basınç değerleri arasında elde edilen 1.50 kbar basınç için Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği ANFIS kullanılarak 1.00 kbar ve 3.00 kbar basınç değerleri arasında elde edilen 2.00 kbar basınç için Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği ANFIS kullanılarak 3.00 kbar ve 5.00 kbar basınç değerleri arasında elde edilen 4.00 kbar basınç için Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği ANFIS kullanılarak 5.00 kbar ve 7.00 kbar basınç değerleri arasında elde edilen 6.00 kbar basınç için Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun ters ve düz beslem I-V grafiği Basınç ile Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun Engel Yüksekliğinin ve GaAs ın Yasak Enerji Aralığının Değişim grafiği 99

12 x TABLOLAR LİSTESİ Tablo Sayfa 3.1. Biyolojik sinir sistemi ile YSA ların karşılaştırılması Bazı transfer fonksiyonlarının matematik ifadeleri Bulanık Mantık ve YSA Açısından Sistem Modelleme Adımları Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç değerleri için I-V karakterizasyonundan elde edilen idealite faktörü değerleri Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç değerleri için I-V karakterizasyonundan elde edilen engel yüksekliği değerleri Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç değerleri için I-V karakterizasyonundan elde edilen seri direnç değerleri 101

13 xi SİMGELER VE KISALTMALAR LİSTESİ f (E) Fermi dağılım fonksiyonu E F Fermi enerji E vac Vakum seviyesi E s φ s φ m χ s V D φ b Elektronunun iyonizasyon enerjisi Yarıiletkenin iş fonksiyonu Metalin iş fonksiyonu Yarıiletkenin elektron ilgisi Difüzyon potansiyeli Diyotun engel yüksekliği V k I 0 T Uygulanan potansiyel Boltzman sabiti Doyma akımı Mutlak sıcaklık E vbm Valans bandının maksimumu E V Valans bandı enerjisi E c İletim bandı enerjisi E fm Metalin Fermi enerjisi, E fs I J 0 J A n φ b R s Yarıiletkenin Fermi enerjisi Net akım Doyma akım yoğunluğu Net akım yoğunluğu Richardson sabiti İdealite faktörü Engel yüksekliği Seri direnç

14 xii F ( V, γ ) Norde fonksiyonu A γ V 0 Diyotun etkin alanı İdealite faktöründen büyük keyfi bir sabit Diyot bölgesinde düşen voltaj H (I) İkinci cheung fonksiyonu p i w ij η δ j i inci giriş j inci elemana bağlantı ağırlığı Öğrenme katsayısı Ara veya çıkış katmanındaki herhangi bir j nöronuna ait faktör E Ağın çıkışındaki hata degeri µ A(x) A kümesi elemanları üyelik dereceleri S/N TTL I 2 L YSA Sinyal/Gürültü oranı Transistör-Transistör Lojik Entegre edilmiş enjeksiyon lojik Yapay Sinir Ağları I V Akım-Gerilim C V Kapasitans-Gerilim SEY FSM SED FET MESFET JFET IR TE ÇKP LVQ VLSI RTYSA Schottky Engel Yüksekliği Fermi Seviyesi Mıhlanması Schottky Engel Diyot Field Effect Transistör Metal Semiconductor FET Junction FET InfraRed Termoiyonik Emisyon Çok Katmanlı Perseptronlar Learning Vector Quantization Very Large Scale Integration Radyal Tabanlı YSA

15 xiii BPGD FIS ANFIS LPE Back Propagation Gradient Descent Fuzzy Inference System Adaptive Neuro Fuzzy Inference System Lıquid-Phase Epitaxy

16 1 1.GİRİŞ 20. yüzyılda aktif devre elemanları olarak adlandırılan yarıiletken malzemeler üzerine yapılan araştırmalar hız kazanmış ve elektronik sanayindeki yeri gün geçtikçe de artmıştır. Hemen hemen her elektronik cihaz da kullanılan bu materyallerin değişen fiziksel ortam ve şartlar altındaki elektriksel davranışlarının önceden bilinmesi, amaçlara uygun olarak bu elektriksel davranışların modifiye edilmesi büyük önem arz etmektedir. Nokta kontak diyotların gelişmiş hali Schottky kontaklardır. Schottky kontakların gelişmiş olmasının sebebi, daha düşük seri direnç, daha düşük Sinyal/Gürültü (S/N) oranına ve yüksek güç kapasitesine sahip olmalarıdır. Schottky engeli, bu yapılara göre daha büyük mekaniksel güvenliğe sahip olup seri üretimi de daha kolaydır. Günümüzde, Schottky doğrultucular elektronik sistemlerin tasarımına uygundur, özellikle yüksek frekansların olduğu, çoğunluk taşıyıcılarının akım iletiminin baskın olduğu cihazlarda hızlı anahtarlama modu (fast switching mode) istenen durumlarda kullanılırlar. Schottky diyotlarda elektriksel iletkenlik çoğunluk taşıyıcıları ile sağlandığından, rekombinasyon olayı gerçekleşmez ve buna bağlı olarak akımda bir azalma meydana gelmez, verim daha yüksek olur. Böylelikle yüksek frekanslarda ve düşük düz beslemede çalışabilmektedirler. Schottky engelinde anahtarlama hızı; enjekte edilen elektronların termal hızları ile kontrol edilirken, p-n eklemde enjekte edilen azınlık taşıyıcıların yeniden birleşmesiyle kontrol edilir ki Schottky engeli çok daha yüksek frekans uygulamalarında (100 GHz e kadar, sinyal karıştırıcı ve dedektörlerde) kullanılabilir. Anahtarlama hızının yüksek olması devre elemanının tepki verme süresi ve yayılma gecikmesi süresini kısaltır, bu azalma uygulamada anahtarlama modu (switching mode) olarak karşımıza çıkar. Schottky yapıları üzerinde yapılan teorik çalışmalar teknolojik çalışmalardan daha sonra olmuştur. Günümüzde hala teorik çalışmalar, farklı malzemeler için değişik fiziksel koşullar altında araştırılmaktadır.

17 2 Schottky diyotların ticari anlamdaki en önemli uygulamaları birleştirici olarak entegre unipolar devrelerdedir. Diğer yandan mikrodalga diyot ve mikrodalga transistörlerde kapı olarak kullanılmaları da sayılabilir. Pratikte çoğu uygulamalar çoğunluk taşıyıcıların kendi yapılarından kaynaklanan iletimi yüksek hızda sağlamalarının avantajı üzerine yoğunlaşmıştır. Metal-yarıiletken doğrultucular, p-n eklem elemanlardaki azınlık taşıyıcılarının birikmesi ile bağlantılı olarak hız limitlerinden kısmen muaftır. Schottky diyotların, p-n eklem elemanlara göre üstünlükleri; 1 ns altına kadar düşebilen anahtarlama hızları, küçük düz beslemde voltaj düşüşü, yüksek ters empedans (çok küçük sızıntı akımları), sıkışma boyutu (mikroölçekte yapılabilmesi), kolaylıkla üretilebilir olması ve düşük sıcaklıkta imalatı sayılabilir. Sistemlerin matematik modellerinin önemi bugün tüm alanlarda hızla artmaktadır. Özellikle üretim alanında sistemin verimli, hızlı ve kaliteli olabilmesi için bu sistemin modellenmesi gerekmektedir. Böylece sistemin ileri ki dinamik davranışı tahmin edilebilir ve üretimin istenilen seviyede olması sağlanır. Sistem modellemede amaç bilinmeyen bir sistemin transfer fonksiyonu adı verilen geçiş eğrisinin belirlenmesidir (Perrot and Cohen, 1996). Bulanık mantık, üyelik derecelerini temel almış, ikili mantığın aksine çok sayıda değer alabilen matematiğe ait bir disiplindir. Bulanık mantık, yanlış veya doğru olma durumlarından çok, doğru olma durumunun olasılıklarına dayanır. Ayrıca, bulanık mantık uygulaması, matematik modele ihtiyaç duymamaktadır (Ross, 1995). Bulanık mantığın belirsiz bilgileri işleme ve yapay sinir ağının öğrenme yeteneğinden yararlanılarak, sistem modelleme gerçekleştirilmiştir. Aynı zamanda bulanık mantık ve yapay sinir ağının birleştirilmesi, birbirlerinin dezavantajlarını da örtmektedir. Bulanık sinir ağı değişik birçok sistemin modellenmesine uygulanmıştır (Cheng and Jion, 2004). Hidrostatik basınç altında süperlatis yapıların karakteristikleri Gassot et al., 1996; Robert et al., 1999 tarafından incelenmiştir. Tünel diyot parametrelerinin değerlendirilmesi için benzer çalışmalar Dizhur et al., 2001 tarafından yapılmıştır. Schottky kontaklarda seri

18 3 direnç ve ara yüzey hal yoğunluğunun basınç ile değişimi Çankaya et al., 1999; Çankaya and Uçar 2002a tarafından incelenmiştir. Engel yüksekliğinin basınç ile değişimi ve sonuçların değerlendirilmesi, yarıiletkenin iyonik doğasını ve elektronik yapısını aydınlatmada kullanılabilir. (Balasubramanyam and Kumar, 1987; Shen and Matthai, 1991; Shan et al., 1988; Crumbacker et al., 1989; Dobaczewski et al., 1993; van Schilfgaarde et al., 1994; Zainabidinov et al., 1995; Phatak et al., 1995-II; Bardi et al., 1996-II; Çankaya et al., 1999-I; Çankaya et al., 2000a; Çankaya et al., 2000b; Gworek et al., 2001; Çankaya and Uçar, 2002a; Çankaya and Abay, 2005). Son zamanlarda yapılan çalışmalar metal-yarıiletken kontakların engel yüksekliğinin basınca bağlılığının yarıiletkenin elektronik yapısına ve iyonik yapısına yansıdığını göstermektedir. Bundan hareketle yarıiletken malzemelere dışardan bir etki uygulayarak farklı özelliklerini ortaya çıkarmak mümkün olabilir ve bu özellikleri kullanarak arzu edilen yapıda devreler imal edilebilir. Yarıiletken malzemelerin hassas olmalarından dolayı bunların optik ve elektriksel özelliklerinin, yasak band aralıklarının, derin ve sığ kusur seviyelerinin incelenmesi ve bu özelliklerinin açığa çıkarılabilmesi konusunda hidrostatik basınç altında yapılan çalışmalarla oldukça fazla bilgi sağlanmıştır. Buradan hareketle birçok algılayıcı-dönüştürücü elektronik yapılar tasarlanmıştır. Bu çalışma iki temel konu üzerine yoğunlaşmıştır; ilk olarak, Hidrostatik basıncın Schottky kontaklar üzerindeki etkisini ve kontak parametrelerinin nasıl değiştiğinin ve bunun sonucu olarak sensör uygulamalarına uygun olup olmadığının araştırılmasını kapsamaktadır. İkinci kısımda ise bazı deneysel verileri kullanarak numuneyi literatürdeki farklı yöntemlerle inceleyip günümüzde artık ekonomiden astronomiye kadar tartışılmaz bir optimizasyon yöntemi olan ANFIS ile inceleyip, deneysel veri aralığında basınç değerleri için alınmayan sonuçların üretilmesi ve böylelikle tam bir karakterizasyonun elde edilmesi amaçlanmaktadır.

19 4 2.SCHOTTKY DİYOTLAR HAKKINDA GENEL BİLGİLER 2.1.Schottky Diyotların Gelişim Süreci Metal-yarıiletken kontaklar iki kısımda ele alınır: Teknolojik olarak gelişimleri ile bu yapıların teorik ve deneysel olarak incelenmesi. İlk metal-yarıiletken yapı, nokta kontak diyotlardır. Metalleri kullanarak yarıiletkenlere kontak yapımı ilk kez 1874 te Braun tarafından rapor edilmiştir. Geliştirildikleri yüzyıl içinde bu doğrultucular, endüstriyel açıdan önemli üç deneyime sahip olmuştur. Bunlar 20. yüzyılın başlarında radyo dedektörü olarak, ikinci dünya savaşında radar dedektörü ve bipolar entegre devrelerin anahtarlama hızlarını artırmada ve günümüzde mikrodalga diyot ve transistörlerde kapı olarak kullanılmalarıdır. Bu adımlar teknolojide yeniliklerin başlangıcı olmuştur. Braun un çalışmalarından yola çıkarak Marconi, 1895 yılında telekomünikasyon için yaptığı deneylerde nokta kontak metal-yarıiletken doğrultucularını dedektör olarak kullanmıştır yılında Marconi ve Braun telsiz telgraf çalışmalarına katkılarından dolayı Fizik Nobel Ödülünü almışlardır (Rhoderick and Williams, 1988) lu yıllarda mikrodalga radarının gelişmesiyle nokta kontak diyotları frekans dönüştürücüsü olarak mikro dalga dedektör devrelerinde kullanılmıştır. Yükseltmelerinin düşük olması nedeniyle yerini vakum tüplere bırakmıştır. Bu aynı zamanda Transistörün icadı için ilk adımdır (Torrey and Whitmer, 1948) yılında Schottky, Störmer ve Waibel, akım akmaya başladığında kontağın tamamında potansiyelin düştüğünü gözlemleyip bir çeşit engel yüksekliğinin varlığını bildirmişlerdir un sonlarında Schottky ve Spenke, enerji üzerinden taşıyıcı difuzyonunu esas alan doğrultma teorisini bulmuşlar; Deplasyon tabaka engeli, Metal ile yarıiletken arasındaki iş fonksiyonunu farkından dolayı engel yüksekliğinin bağımlılığı, Engel

20 5 üzerinden çoğunluk taşıyıcılarının iletimi ve imaj kuvvetinin düşüşünün önemi vurgulamışlardır lı yıllarda Schottky, difüzyon teorisini, Bethe ise termoiyonik emisyon teorilerini geliştirmişlerdir (Rideout, 1978). Daha sonraları Crowell ve Sze bu iki teoriyi birleştirerek, İdeal Schottky diyotlarda akım iletim mekanizmasını Termoiyonik difüzyon emisyon teorisi olarak sunmuşlardır (Crowell and Sze, 1965, Crowell and Sze, 1966) lı yıllar Schottky engel diyotlar için önemli yıllar olmuştur ve düzlemsel Schottky diyotların bulunmasıyla uygulamada dev bir adım atılmıştır. İlk olarak Alan Etkili Transistörlerin, kapı terminalinde Schottky eklemi kullanılarak daha hızlı unipolar transistörlerin üretilmesi olmuştur. Diğer taraftan yüzey kirliliğinden uzak, yarıiletken yüzeyi altında silisyum ile metalin alaşımı yapılarak düşük sıcaklıkta silisit elde edilmesi olmuştur ki yeni metal yarıiletken eklemlerinin ve üretim tekniklerinin çeşitliğinin temeli atılmıştır yılında Baird bir silikon bipolar transistör ile Schottky engeli aynı yapı üzerinde birleştirerek patent almıştır li yıllarda teorik çalışmalar uygulamaya dönüşerek ticari hayata geçirilmiştir. Yüksek frekanslar ve çok yüksek anahtarlama hızları Schottky diyotları vazgeçilmez kılmıştır. En önemli uygulamaları Bilgisayar ve diğer anahtarlama sistemleri için yüksek hızda unipolar entegre devrelerindeki kesim-doyum arasındaki süreleri azaltmaktadır. Ayrıca Mikrodalga iletişim sistemlerindeki yükseltme devreleri ve sinyal algılaması için yüksek frekans elemanları olarak uygulamalarda kullanılmıştır. Germanyum p-n eklem diyot gibi silikon Schottky engel yüksekliği de (yaklaşık 0.7 ev) silikon p-n eklemin iç potansiyelinden ( 1.1eV ) daha düşüktür. En küçük azınlık taşıyıcının depolama özelliği ile bu faktör; Transistör-Transistör Lojik (TTL) ve entegre edilmiş enjeksiyon lojik (I 2 L) gibi entegre devrelerde birleştirici diyot olarak ideal bir şekilde uyum sağlamakla birlikte Schottky diyotların yapımına da olanak sağlar. Bu bipolar devrelerin anahtarlama hızını artırırken, güç tüketiminde daha da azaltmıştır. Kapı başına 10 mw güç tüketiminde yaklaşık 2 ns lik bir yayılma gecikmesi birleştirilmiş

21 6 Schottky TTL nin günümüz teknolojisindeki tipik bir sonucudur. Günümüzde bu teknolojiler hız konusunda birbiriyle yarışan bilgisayar üreticileri için vazgeçilmez olmuştur. Üretim ve kontrol tekniklerinin gelişmesiyle bu yarış akıl almaz bir ivme kazanmıştır. Schottky diyotların en belirgin dezavantajları ise yüzey elemanı olmalarından dolayı yüzey kirliliği ve çevresindeki problemlere hassasiyetleridir. Diğer taraftan Schottky kontaklar yüksek sıcaklıklarda istenilen performansı verememektedir. Metal-yarıiletken ve metal-yalıtkan-yarıiletken yapılarının temel fiziksel özellikleri ve iletim mekanizmaları geniş bir şekilde verilmiştir. (Milnes 1972, Sze 1981, Kar 1982, Singh 1985, Rhoderick 1988, Cova 1990). Bu çalışmalara ilaveten yüksek seri dirence sahip Schottky diyotlarda; seri direnç, idealite faktörü ve engel yüksekliği gibi temel fiziksel parametrelerin tayininde yeni yöntemler geliştirilmiştir. Bunlardan ilki Missous ve arkadaşları tarafından geliştirilen ve Missous eğrileri olarak bilinen hesaplama yöntemidir (Missous et al., 1985). İkinci olarak Norde tarafından, ideal durum (n=1) için seri direnç ve engel yüksekliğini tanımlanan bir F (V ) fonksiyonu yardımıyla elde edilmesi amaçlanmıştır (Norde, 1979). İleriki yıllarda Bohlin (1986), bu modeli modifiye etmiştir. Daha sonra ideal ve ideal olmayan diyotlar için Cheung tarafından düz beslem I V karakteristikleri kullanılarak Schottky diyotlarda engel yüksekliği, idealite faktörü ve seri direnci hesaplamak için farklı bir hesaplama modeli daha ileri sürülmüştür (Cheung ve Cheung 1986). Karataş and Türüt (2006), Au/n tipi GaAs Schottky engel diyotlarının arayüzey yapısındaki yoğunluk yayılmaları ve elektronik saptamalarını yapmışlar, Cheung fonksiyonlarıyla I V ve C V ölçümlerinden diyot parametreleri olan idealite faktörü, seri direnç ve engel yüksekliğini, sırasıyla , Ω ve ev olarak bulmuşlardır Tsormpatsozlou et al. (2006), düşük frekans ve 160K-199K sıcaklıkları arasında InAs kuantum noktaları içeren Au/n-GaAs Schottky diyotlarındaki sınırlı durumların gürültü spektroskopisini incelemişler, tek sıralı kuantum noktalarının diyotun içindeki

22 7 Fermi Seviyesinin üstünde sığ bir tuzak seviyesi ev civarındaki aktivasyon enerjisiyle ortaya çıkarıldığını ve üç sıralı kuantum noktalarının diyodun içindeki sığ seviye ilaveten yarı boşluktan aşağı yerleştirilen 0.1 ev da derin bir seviye gözlemlemişlerdir. düşük sıcaklıkta Biber (2003), MIS Cu/n-GaAs ve homojen olmayan Cu/n-GaAs diyotlarının I V karakteristiklerini incelemiş, engel yüksekliğinin hesaplamasında kullanılan Richardson sabitinin teorik 8.16 A/cm 2 K 2 değerine karşılık A/cm 2 K 2 deneysel değerini bulmuştur. Karataş et al. (2005), Au/n-GaAs yapılarının elektriksel karakteristikleri üzerine 60 Co γ-ışınının etkilerini incelemişler, ters besleme C V ölçümlerinden elde edilen ( φ ( C V )) engel yüksekliğinde bir artışa sebep olurken düz besleme I V ölçümlerinden b elde edilen ( φ ( I V )) engel yüksekliğinin sabit kaldığını göstermişlerdir. b parametrelerinin Karataş ve Altındal (2004), İdeal olmayan Zn/p-Si Schottky diyotlarının temel I V ölçümlerinden, modifiye edilmiş Norde ve Cheung fonksiyonları yardımıyla hesaplamışlar ve sonuçların birbiriyle ve literatürle uyum içinde olduğunu gözlemlemişlerdir. Karataş ve Altındal (2005b), Zn/p-Si diyotlarda temel elektriksel parametreleri, sıcaklığa bağlı olarak I V ve C V ölçümlerinden Cheung fonksiyonları yardımıyla hesaplamışlar, sonuçların birbiriyle ve literatürle uyumlu olduğunu rapor etmişlerdir. Tavlama ve plastik deformasyon gibi teknikler numune üzerinde kalıcı bir etkiye sahip oldukları için pek tercih edilmezler. Buna göre, Hidrostatik basınca ve Sıcaklığa bağlı yapılan karakterizasyonlarda devre elemanları üzerinde kalıcı etkiler bırakmadıkları için sıkça tercih edilen karakterizasyon yöntemleridir. Literatürde sıcaklığa bağlı çalışmalar oldukça çok bulunmasına rağmen, hidrostatik basınca bağlı çalışmalar oldukça azdır. Aynı şekilde sıcaklığa bağlı alınan ölçümlerin değerlendirilmesinde kullanılan birçok teorik model olmasına rağmen, basınca bağlı ölçümlerin değerlendirilmesinde kullanılan temel bir teorik model geliştirilememiştir. Bu bağlamda hidrostatik basınca bağlı

23 8 karakterizasyon ölçümleri elektronik sanayide ve malzeme imalatında yeni bir ufuk açmasına yardımcı olacaktır. Schottky diyotların doğasını anlamak için son yıllarda hidrostatik basınca bağlı karakterizasyonda gözle görülür bir artış vardır. Bunun sebebi Schottky engel yüksekliğinin kontak için kullanılan metalin cinsinden hemen hemen bağımsız olduğunun izahında yardımcı bir yöntem olarak kullanılmasıdır. Bu olayı açıklamak için Fermi seviyesinin değişmediği yani engel yüksekliğinin metalden bağımsız kalmasının izahının yapılması gerekmektedir. Literatürde bu olaya Fermi Seviyesi Mıhlanması (FSM) denmektedir. Ancak, bu olayın sebebi netlik kazanmamış olup, birçok teoriler geliştirilmiş olmasına rağmen tamamıyla açıklanamamış ve hala üzerinde çalışılan güncel bir konudur. Au : Tl / Pb1 xsnxte / In p-n eklem diyotların hidrostatik basınç altında akım iletimi üzerine yapılan ilk çalışmada artan basınçla düz beslem akımının hemen hemen lineer şekilde azaldığı Hoerstel et al. (1983) tarafından rapor edilmiştir. Dizhur et al. (2001), Au/n-GaAs(Te) tünel diyodlarda Schottky Engel Yüksekliğin hidrostatik basınca bağlılığını incelemişlerdir. N TE >5x10 18 cm -3 olması durumunda Metal-Yarıiletken ara yüzeydeki Fermi seviyesinin pozisyonunu için Schottky Engel Yüksekliğinin düşerek Fermi seviyesinin pozisyonunun yasak enerji aralığının ortasına yakın bir yere kaydığını bildirmişlerdir. Balasubramanyam and Kumar (1987), hidrostatik basınç altında yaptıkları karakterizasyonda Al/n-Si Schottky kontaklarda Fermi seviyesinin valans bandının maksimumuna göre hareketsiz kaldığını ve iletkenlik bandının Fermi seviyesine doğru kaydığını; dolayısıyla n-si da engel yüksekliğinin basınçla değişiminin yasak enerji aralığının basınçla değişimi ile hemen hemen aynı olduğunu gözlemlemişlerdir. Bu çalışmada, n-si da engel yüksekliğinin basınçla değişimi yasak enerji aralığındaki değişime eşit olduğundan p-si da basınçla engel yüksekliğinde bir değişim olmayacağı görüşü ileri sürülmüş ve bu öngörü Mo/p-Si Schottky diyotlarda deneysel olarak ispatlanmıştır.

24 9 Shan et al. (1988), Pt/GaAs Schottky diyodlarda, Engel Yüksekliği nin basınçla değişimini elmas sıkıştırma hücresi kullanarak ölçmüşler, Hidrostatik basıncın fonksiyonu olarak n-gaas da doğal kusurlar tarafından oluşturulan derin enerji seviyelerinin basınç ile değişimlerini karşılaştırmışlar ve doğal kusur seviyelerinin basınca bağlılığının SEY ile aynı olduğunu bildirmişlerdir. Crumbacker et al. (1989), artan basınca bağlı olarak oksit tabakası kalınlığı, dielektrik sabiti, kontak alanı ve taşıyıcı konsantrasyonundaki değişimleri göz önünde tutarak Silisyum-metal oksit yarıiletken (MOS) yapılarında ara yüzey hallerini ölçümlerinini analizi yardımıyla incelemişlerdir. C V Shen and Mathai (1991), Ni-silicide/Si Schottky engel diyodunun ve Si un yasak enerji aralığının basınç ile değişimini teorik olarak hesap etmişler, Fermi Seviyesinin Mıhlanmasına neden olan ara yüzey hallerinin metal etkisiyle yasak enerji aralığında oluşan hallerden veya yasak enerji aralığındaki kusurlar veya düzensizliklerin sebep olduğu hallerden kaynaklanabileceğini bildirmişlerdir. Dobaczewski et al. (1993), MBE (Molecular Beam Epitaxy) tekniği ile AlGaAs kristali üzerine Al büyüterek Schottky diyot imal etmişlerdir. Bu diyotları 0-8 kbar aralığında hidrostatik basıncın etkisini incelemişler ve engel yüksekliğinin basınç katsayısının n-tipi AlGaAs kristalleri için yasak enerji aralığının basınç katsayısına eşit bir değer gözlemlerken, p-tipi AlGaAs kristalleri için herhangi bir değişim gözlemleyememişlerdir. Van Schilfgaarde et al. (1994), GaAs yarıiletkeni ile imal edilmiş n-tipi Pt/GaAs Schottky engel diyotlarının basınca bağlı deneysel karakterizasyonu ile teorik modelleri kıyasladıkları çalışmalarında, yasak enerji aralığı ile EL2 nin basınca bağılıklarının teorik olarak hesaplanan değerlerinin sırasıyla 9.8 ve 2.5 mev/kbar olduğunu rapor etmişlerdir. EL2 için teorik olarak hesaplanan 2.5 mev/kbar değerinin deneysel sonuç olan 2.0 mev/kbar değerine uygun olduğunu ve bu değerin deneysel olark gözlenen Schottky Engel Yüksekliği değişimine eşit olması sebebiyle Fermi Seviyesinin Mıhlanması olayını EL2

25 10 kusur seviyesine atfetmişlerdir. EL2 kusuru Ga yerine geçmiş arsenik atomudur (Dabrowski and Scheffer, 1988). Zainabidinov et al. (1995), Ni ve Gd katkılı n-si yarıiletkeni ile oluşturulan Au/n- Si(Ni) ve Au/n-Si(Gd) Schottky engel diyotlarında basınç artarken, özdirenç, kapasitans ve taşıyıcı konsantrasyonunun azaldığını ve saturasyon akımında da dalgalanma meydana geldiğini gözlemlemişlerdir. Phatak et al. (1995-II), Al ve Au/n-tipi GaAs Schottkky Engel Diyotlarını basınca bağlı inceleyerek farklı sıcaklıklarda tavlanmış diyotların engel yüksekliklerinin basınca göre değişimini elde etmişler, Tavlanmamış, 220 o C ve 290 o C derecede tavlanan diyotların engel yüksekliği ile basınç değişim katsayısını sırasıyla 9.5 ± 0.5, 9.3 ± 0.5, 9.5 ± 0.5 mev/kbar olarak elde etmişlerdir. Bardi et al. (1996), Ga1 X Al X As kristalinin sırasıyla x in %20 ve %64 lük oranlarında, n ve p-tipi olan farklı kristallerini kullanarak imal ettikleri Al / Ga Schottky engel diyotlarının engel yüksekliklerinin basınçla değişimini teorik ve deneysel olarak incelemişler, p-tipi yarıiletkende deneysel ve teorik değerlerinin uyumlu olmasına rağmen bu değişimin n-tipi yarıiletkende gözlenen engel yüksekliği yanında ihmal edilebilecek kadar küçük olmasını 1 X Al / Ga Al As ara yüzeyinin dahili özelliğinden 1 X kaynaklandığını ve FSM ndan sorumlu olarak kusur seviyelerinin bağlanma karakterinin sorumlu tutulamayacağını bildirmişlerdir. X Al X As Gworek et al. (2001), Cu ve Ag elementlerinin GaAs yüzeyine geleneksel buharlaştırma yöntemi ile buharlaştırılması ve Fe tek kristal tabakasının MBE tekniği ile GaAs üzerine büyütülmesi ile oluşturulan Cu / n GaAs(110), Ag / n GaAs(110) ve Fe / n GaAs(100) yapıları için engel yükseklikleri ve bunların basınç katsayılarını sırasıyla 0.89, 0.90 ve ev ve 97m 4mev / Gpa, 97m 4mev / Gpa ve 109m 7mev / Gpa olduğunu rapor etmişlerdir. Çankaya et al. (1999-I), hidrostatik basınç hücresi, numune tutucu ve ölçüm sistemini özetleyip, Au/n-tipi GaAs SED larının engel yüksekliği, idealite faktörü ve

26 11 basınçla değişimlerini incelemişler, artan basınçla engel yüksekliği ve seri direncin arttığını, idealite faktöründe ise dalgalanmaların gözlendiğini bildirmişlerdir. basınca bağlı Çankaya et al. (2000a), Au/n-tipi GaAs SED larının 1 MHz frekansda hidrostatik C V ölçümlerinlerini kullanarak derin seviyelerin C V ölçümleri üzerine etkisini açıklamak için bir model sunmuşlardır. Bu modele göre derin seviyelerin iyonize olmaları için gerekli ters beslem gerilim değerinin artan basınçla arttığını, ölçümlerinden elde edilen C 2 C V V grafiklerinde lineerlikten saptığını gözlemlemişler. Bu durumuda derin seviyelerin basınca karşı davranışıyla açıklamışlardır. Çankaya et al. (2000b), Au/n-tipi GaAs SED larının I V ölçümlerindeki zamana bağlı kalıcı etkilerini incelemişler, basınç uygulanıp kaldırıldıktan sonra alınan karakteristiğin 1 kbar basınçtaki ile yaklaşık aynı olduğunu gözlemlemişler ve sonraki basınç uygulamalarından sonra geriye dönüşün 1 kbar basınçtaki karakteristiğe eşitliğini basıncın diyot parametrelerini iyileştirdiği sonucuna varmışlardır. Çankaya et al. (2001), Au/p-GaSe Schottky engel diyotlarda yaptıkları çalışmada hidrostatik basıncın diyot parametrelerine nasıl yansıdığını araştırmışlardır. Yaptıkları ölçümlerde 0.0 kbar basınçta engel yüksekliği ve idealite faktörünün 0.727eV ve 1.07 değerlerini alırken, 7.0 kbar basınçta ev ve 1.14 değerlerini aldığını gözlemlemişlerdir. Çankaya et al. (2002a), Au/n-tipi GaAs SED larının düz beslem altında, 1kHz ve 1MHz frekanslarında C V ölçümlerinlerinde hidrostatik basınca bağlı ölçümlerini alarak ara yüzey hal değişimini incelemişler, artan basınçla ara yüzey hallerinin sayısında artma olduğunu ve uygulanan basınç ile düz beslem geriliminin ters etki gösterdiğini rapor etmişlerdir. Çankaya and Abay (2005), p GaTe üzerine Cd metalizasyonu yapılarak Schottky engel diyodu üretilmiştir. Bu diyotları I V ve C V teknikleriyle hidrostatik basıncın fonksiyonu olarak karakterize etmişlerdir. Artan hidrostatik basınç ile seri direnç, idealite faktörü ve engel yüksekliğinin azaldığını gözlemlemişlerdir. I V ölçümlerinden

27 12 elde edilen engel yüksekliğinin 1 MHz de bildirmişlerdir. basınç katsayısının C V ölçümlerine göre daha küçük olduğunu I V ve C V ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliklerinin lineer 8.77m 0.10mev / kbar olduğunu ve bu değerin yaklaşık olarak GaTe ün yasak enerji aralığının basınçla değişimine eşit olduğunu ve bundan dolayı da FSM nın referans seviyesinin iletkenlik bandının minimumunda olduğunu rapor etmişlerdir. JFET ler n kanal ve p kanal olmak üzere iki kısma ayrılır. Alan Etkili Transistör FET (Field Effect Transistör) ler üç terminalden ibarettir. Bunlar kapı (Gate), kaynak (Source) ve kanal (Drain) terninalleridir. Gövde (kanal) n-tipi bir yarıiletkenden oluşmuştur. Kanal ve kaynak terminalleri, gövdenin alt ve üst tabanına omik direnç yapacak şekilde bağlanmıştır. Gövdenin her iki yanı oyularak buraya p-tipi bir yarıiletken yerleştirilmiştir. Bu kapıyı oluşturur. FET in akım enjeksiyonu kaynaktan, akımın toplanması kanaldan ve akımın kontrolü de kapıdan yapılır. Eklem FET yani JFET (Junction FET) de denilen FET lerde Gate terminalli p-n eklemden yapıldığı için bu JFET lerin anahtarlama hızının yavaş olmasına sebebiyet vermektedir. Schottky diyotlar sinyal karıştırıcı, dedektör, fotodedektör yapımında ve FET lerde kullanılmaktadır. Diğer FET lere nazaran bu terminal için Schottky engeli kullanıldığından bunu daha avantajlı kılmaktadır. Ayrıca bu yapılar otomotiv sanayinde yolcu güvenliği, motor idaresinde ve basınç sensörü olarak da ateşlemeli makinelerde ve motorların yanma odasının basıncının ölçülmesinde kullanılmaktadır (Fricke, 1991). Schottky diyotların GHz mertebesinde anahtarlama hızına sahip olması bunların optoelektronikte, telekomünikasyon alanında ve taşınabilir telefonlarda kullanılmasını vazgeçilmez hale getirmiştir. GaAs ve AlxGa( 1 x) As gibi yarıiletkenlerin yönelimlerine göre hidrostatik basınç sensörü olarak kullanımına ait bir çalışma Fricke tarafından yapılmıştır (Fricke, 1991). Yapılan devre elemanları çoğunlukla basınç sensörü olarak kullanılmıştır. Bu sensörler yüksek sıcaklıklarda çalışabilen, GaAs taban malzeme üzerine metal yarıiletken alan etkili transistor teknolojisi uygulanılarak elde edilmiştir. Uygulama alanı, ateşlemeli makinelerin ve motorların yanma odasındaki basıncın ölçülmesidir. Bu sensör ticari kuartz sensör ile kıyaslandığında daha iyi sonuç vermektedir. Otomotiv sanayisinde düşük maliyetli ve daha

28 13 küçük sensörlere ihtiyaç vardır. Araştırma safhasında iken, kullanılan yakıtın değişen şartlardan nasıl etkilendiği ve yakıtın en az şekilde kullanılması için gerekli şartlar bu sensör ile tespit edilebilmektedir (Aller et al. 1996). Schottky engeli, yüksek anahtarlama hızı ve yüksek frekans iletişimi için MESFET (Metal Semiconductor FET) deplasyon modunun küçük skaladaki entegrasyonudur. Farklı MESFET ler, mikrodalga güç yükseltici teknolojisinde, minumum bozulma, geniş band ve yüksek verim sağlamaktadır. Yaklaşık elde edilen kazancın 10 GHz de 4W olduğu bilinmektedir. Jit and Murty (2006), yüksek ters beslemde çalışan n-gaas MESFET kullanarak, ortak kaynak ve ortak kanal mikrodalga osilatörleri üzerinde foto etkilerin analitik çalışmasını yapmışlar ve ortak kaynak osilatörünün çıkış frekansının kapı-kaynak kapasitansından çok etkilendiğine dayanarak ortak kanal ossilatörünün kapı kanal kapasitansındaki değişikliklere duyarlı olduğunu sayısal sonuçlardan elde etmişlerdir. Karataş ve Altındal (2005a), Au/n-GaAs Schottky diyotların engel yüksekliklerinin sıcaklıkla ilişkisini incelemişler, doğrudan etkin engel yüksekliğinin ( φ ( I V )), Au/n-GaAs için literatürde verilen negatif sıcaklık katsayısıyla uyum içinde b olduğunu bildirmişlerdir. Salehi et al. (2006), hidrojen algılama uygulaması için Pd/gözenekli-GaAs Schottky kontağı I V karakteristiği kullanılarak incelenmiş ve Pd/gözenekli-GaAs Schottky diyot Sensörün hidrojen gazına karşı yüksek hassasiyet gösterdiği görülmüştür. Salehi and Nikfarjam (2004), ITO/n-GaAs Schottky kontaklarını laboratuarlarında geliştirmişler, Karbonmonoksit e hızlı tepki gösteren diyotun çok düşük sıcaklıkta çalışmasından dolayı entegre devre teknolojisi için mikro ölçekli cihazlara sensör olarak uygulanabileceğini bildirmişlerdir. Schottky diyodların karakteristik parametrelerinin anlaşılabilmesi, yalıtkan ve yarıiletken özelliklerinin araştırılmasının bir yolu da kristale uygun kontakların yapılmasıdır (Crowell and Sze,1966). Kontak; iki maddenin en az dirençle (idealde sıfır)

29 14 birbirine temas etmesi şeklinde düşünülür ki direnç boşa harcanan güçtür. Kontak haline getirilen yüzeylerin temiz, oksitsiz, parlak ve pürüzsüz olması aynı zamanda kontak yapılan metalin cinsi de ideal bir kontak elde edilmesini etkiler (Card and Rhoderick, 1971; Hovarth, et al., 1988; Rhoderick and Williams, 1988). Farklı iki madde kontak haline getirildiğinde maddeler arasında yeni bir yük dağılımı oluşur. Sistemde, termal dengenin bir sonucu olarak her iki maddenin Fermi enerji seviyeleri aynı seviyeye gelinceye kadar yük transferi olur (Ziel, 1968). Fermi enerji ( E ), mutlak sıfır sıcaklığındaki katı ve N elektronlu sistemin taban durumundan itibaren en yüksekteki dolu olan seviyesinin enerjisi olarak tanımlanır. Mutlak sıfır sıcaklığında bu enerji seviyeleri üzerindeki seviyeler boştur. Fermi enerji seviyesi ise, iletkenlik ve valans bandındaki taşıyıcı sayısına bağlı olarak, yasak enerji bölgesinde yer alan izafi seviyeye denir, f (E) Fermi dağılım fonksiyonu ise T sıcaklığında bir katıda elektronun E enerji seviyesine sahip olma ihtimalidir ve 2.1 eşitliği ile verilmektedir (Ziel,1968). F 1 f ( E) = (2.1) [ ( EF E) ] 1+ exp kt Metal-yarıiletken kontaklar, metalin ve yarıiletkenin iş fonksiyonlarına ( φ m, φ s ) bağlı olarak omik kontak ve doğrultucu kontak (Schottky kontak) olarak iki kısımda incelenir. İş fonksiyonu ( φ m, φ s ), metal veya yarıiletkenin Fermi seviyesinden bir elektronu sıfır kinetik enerji ile yüzeye çıkarmak için gerekli olan minimum enerji miktarına denir. Bir metal veya yarıiletkene verilen enerji önce iş fonksiyonu için harcanır eğer verilen enerji iş fonksiyonundan fazla ise elektrona kinetik enerji olarak aktarılır (Ziel, 1968). Bu durum iki metal arasında olduğu gibi, metal ile n-tipi veya p-tipi yarıiletkenler arasındaki kontaklarda da aynı şekilde tanımlanmıştır. Bir metal ile yarıiletken, aralarında başka bir madde olmaksızın kontak durumuna getirildiğinde, metal-yarıiletken yapı olarak adlandırılır. Metal yarıiletken kontaklar, her iki maddenin iş fonksiyonlarına bağlı olarak ikiye ayrılır. Birincisi taşıyıcıların bir

30 15 maddeden diğer maddeye her iki yöndede kolayca geçebildiği kontaklar, omik kontaklar, ikincisi ise bir maddede bulunan taşıyıcıların bir yöndeki hareketinin diğerine göre daha büyük veya küçük olduğu kontaklar, yani doğrultucu (Schottky) kontaklardır (Ziel, 1968). Teorik olarak n-tipi yarıiletken metal için φ m > φ s ise doğrultucu kontak, φ m < φ s ise omik kontak oluşur. p-tipi yarıiletken metallerde ise φ m < φ s doğrultucu kontak, φ m > φ s iken omik kontak oluşur. Her iki durumda da referans vakum seviyesidir. Vakum seviyesi ( E vac ) ise metal veya yarıiletken dışındaki hareketsiz bir elektronun enerjisini temsil eder (Ziel,1968). Yani elektronun maddenin dışında kinetik enerjisinin sıfır olduğu seviyeye denir. E vac ile valans bandının maksimumu ( E vbm ) arasındaki enerji farkı ise Elektronunun iyonizasyon enerjisi ( E ) olarak tanımlanır. s Günümüzde endüstrideki dev adımlar, Schottky diyod yapılarını doğrudan veya dolaylı olarak elektronik devre mimarisinde vazgeçilmez kılmıştır. Bu yapıların tam karakterizasyonu ise ancak optimizasyonla çıkarılabilir, bütün koşullar için deney yapmak mümkün değildir. Schottky yapıların, p-n yapılara göre üstün olduğu durumlar vardır. Bu avantajlar; Schottky engelinde yeniden birleşme yani rekombinasyon olmayacağından akımda azalma meydana gelmez ve verim yüksek olur. Oysa p-n eklemde yeniden birleşme olacağından akımda azalma söz konusudur. Bütün diyot yapılarında ters beslemede diyotlardan akan sızıntı akımının sıcaklığa bağımlılığı, Schottky yapılarda hemen hemen yok gibidir ve kontrol edilmesi gerekmez. Schottky diyotların bu özelliğinden dolayı kızıl ötesi yani IR (InfraRed) teknolojisinde önemli bir adım olmuştur. Schottky engelinde anahtarlama hızı, enjekte edilen elektronların termal hızları ile kontrol edilirken, p-n ekleminde anahtarlama hızı azınlık taşıyıcılarının yeniden birleşmesiyle kontrol edilir ki bu Schottky yapıların frekans aralığının çok büyük olmasını (100 GHz ve üzeri) sağlar. Schottky engelini iletime geçirmek için gerekli olan gerilim p-n eklemine göre çok düşüktür ve tasarlanan cihazların optimal ve düşük güçlerde çalışmasına neden olurlar. Ayrıca p-n ekleminde aynı tür yarıiletkenin hem p hemde n-tipini elde etmek neredeyse imkansızdır yani aynı elektriksel özelliğe sahip farklı tip yarıiletken elde edilemez. Bu durum verimin düşmesine neden olmaktadır. Schottky eklemin oluşturulması

31 16 p-n eklemine göre çok kolaydır. Yukarda kısaca bahsettiğimiz nedenler bizi ve birçok araştırmacıyı Schottky yapılar ve karakteristikleri üzerine yoğunlaştırmıştır Metal-Yarıiletken Kontaklar n-tipi Yarıiletken-Metal Doğrultucu (Schottky) Kontak Oluşumu Doğrultucu kontak (Schottky kontak), metal-yarıiletken kontaklarda akım taşıyıcıların bir doğrultudan diğer doğrultuya göre daha kolayca akabildiği kontaklara denir. n-tipi yarıiletken-metal kontaklarda, yarıiletkenin iş fonksiyonu ( φ s ) metalin iş fonksiyonundan ( φ m ) daha küçük ( φ m > φ s ) ise oluşacak kontağa doğrultucu kontak yada Schottky kontağı adı verilir. Doğrultucu kontaklarda kontaktan önce yarıiletkenin Fermi seviyesi metalin Fermi seviyesinden ( φ m -φ s ) kadar yukarıdadır. Kontaktan sonra yarıiletkenle metal arasında bir yük alışverişi olur ve denge hali oluşuncaya yani elektro kimyasal potansiyeller (Fermi seviyeleri) eşit oluncaya kadar bu alışveriş devam eder (Ziel,1968). Elektronlar, geride iyonize olmuş donorlar bırakarak yarıiletkenden metale geçerler. Doğrultucu kontak oluşumu sonucunda n-tipi yarıiletken tarafındaki uzay yükleri ile metal tarafındaki yüzey yükleri arasında zıt yüklemelerinden dolayı bir dipol tabakası oluşur. Bu da kontakta, bir potansiyel engelinin oluşmasını sağlar. Yani yarıiletken tarafına bantların yukarı doğru bükülmesine neden olur. Kontaktan önceki ve sonraki durumlar için enerji band diyagramları Şekil 2.1 de görülmektedir. Metal n-tipi yarıiletken için engel yükseklikleri: Yarıiletken tarafında evd = φ φ (2.2) m s ve metal tarafında eφ = φ χ (2.3) b m s

32 17 eşitlikleriyle verilir. Burada e elektronun yükü, V D difüzyon potansiyeli, φ m metalin iş fonksiyonu, φ s yarıiletkenin iş fonksiyonu, φ b diyotun engel yüksekliği ve χ yarıiletkenin elektron ilgisidir. Yarıiletkenin elektron ilgisi ( χ ), iletkenlik bandı ile vakum seviyesi arasındaki enerji farkına denir (Ziel,1968). Difüzyon potansiyeli yarıiletkenin iç potansiyeli olup metalin yüzeyine göre ölçülür. s s Potansiyel engeli metal tarafında dik olarak yükselmesine karşılık yarıiletken tarafında d genişliğine sahiptir (Şekil 2.1.b). Yarıiletken tarafındaki d kalınlığına sahip ve elektronlardan arınmış olan bölgeye uzay yükü bölgesi, arınma bölgesi veya Schottky bölgesi denir. Arınma bölgesinin elektronlardan arınmasıyla geriye kalan sabit pozitif yüklü donor atomlarına uzay yükü denir. Bu bölgenin metal tarafında negatif yüzey yüklerine, yarıiletken tarafında pozitif uzay yüküne sahip olduğundan bir kondansatör gibi davranır ve bir kapasiteye sahiptir. Oluşan bu kapasiteye Schottky kapasitesi veya arınma bölgesi kapasitesi denir. Bu Schottky kapasitesi, arınma tabakasının kalınlığı (d) ile ters orantılı, iyonize olan donarların konsantrasyonuna ve difüzyon potansiyeli ( V D ) değerine ile doğru orantılı olacağı açıktır (Rhoderick ve Williams, 1988). Bu kapasite p-n yapılarda jonksiyon kapasitansı olarak bilinir ve Schottky kapasitesiyle karşılaştırılamayacak kadar büyüktür, yüksek frekanslarda distorsiyona sebep olur.

33 18 Metal n-tipi Yarıiletken Vakum Seviyesi φ m φ s χ s E C E fs φ = φ χ b m s V D E fm E V E fm φs χ s d (a) (b) Şekil 2.1. Metal/n-tipi yarıiletken doğrultucu (Schottky) kontak (a) Kontaktan önce (b) Kontaktan sonra Kontak haline getirilmiş ve dengedeki metal n-tipi yarıiletken Schottky kontakta metaldeki bazı elektronlar termal uyarılma nedeniyle yeterli enerjiye sahip olduklarından potansiyel engelini geçip metalden yarıiletkene ve bazıları ise ters yönde yani yarıiletkenden metale geçerler. Bu geçişlerde eşit ve ters yönlü I 0 akımları oluşur. Eğer yarıiletkene V büyüklüğünde bir negatif potansiyel uygulanırsa metalden yarıiletkene giden elektronlar için engel değişmeyeceğinden bu elektronların oluşturacağı akımda da bir değişiklik olmayacaktır. Bunun yanı sıra yarıiletkenin iletkenlik bandındaki enerji seviyeleri ev kadar yükselecektir. Bundan dolayı yarıiletkenden metale geçecek elektronlar için engel yüksekliği ev kadar azalır. Buna bağlı olarak metalden yarıiletkene akan akım exp( ev / kt ) çarpanı kadar artar. Oluşan net akım ise; ev I = I 0 exp 1 (2.4) kt

34 19 eşitliği ile verilir. Burada I 0 doyma akımı, V uygulanan potansiyel, k Boltzman sabiti ve T mutlak sıcaklıktır. Ara yüzey tabakası ve Schottky etkisi hariç tutulursa, metal tarafındaki engel yüksekliği uygulanan V voltajından bağımsız olduğundan sabittir. Yarıiletken tarafında ise engel yüksekliği uygulanan V voltajı ile doğru orantılı olarak değiştiğinden engel yüksekliği sabit değildir. Bu durum Şekil 2.2.a ve Şekil 2.2.b de gösterilmektedir. Metal n-tipi Yarıiletken Metal n-tipi Yarıiletken φ V D -V m χ s E C E fs φm χ s V D +V E fm E fm E C E fs -V E V +V E V d d (a) (b) Şekil 2.2. Düz ve ters beslem altındaki Metal/n-tipi yarıiletken doğrultucu kontak (a) V < 0 olması durumunda enerji band diyagramı, (b) V > 0 olması durumunda enerji band diyagramı. Metal/n-tipi yarıiletken Schottky kontaklarda yarıiletken tarafına negatif voltaj uygulanırsa kontak düz beslemde (ileri yönde kutuplama), pozitif voltaj uygulanırsa kontak ters beslemde (ters yönde kutuplama) denir. V ( V < 0) + V ( V > 0)

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri 12. Ders Yarıiletkenlerin lektronik Özellikleri T > 0 o K c d v 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Yalıtkan, yarıiletken, iletken, Doğrudan (direk) ve dolaylı (indirek) bant aralığı, tkin kütle, devingenlik,

Detaylı

SICAKLIK ALGILAYICILAR

SICAKLIK ALGILAYICILAR SICAKLIK ALGILAYICILAR AVANTAJLARI Kendisi güç üretir Oldukça kararlı çıkış Yüksek çıkış Doğrusal çıkış verir Basit yapıda Doğru çıkış verir Hızlı Yüksek çıkış Sağlam Termokupldan (ısıl İki hatlı direnç

Detaylı

İstatistiksel Mekanik I

İstatistiksel Mekanik I MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap) Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ Sakarya Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü M6/6318 Bölümün tanıtılması Elektrik Elektronik Mühendisliğinin tanıtılması Mühendislik Etiği Birim Sistemleri Doğru ve

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre

Detaylı

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir. TEMEL ELEKTRONİK Elektronik: Maddelerde bulunan atomların son yörüngelerinde dolaşan eksi yüklü elektronların hareketleriyle çeşitli işlemleri yapma bilimine elektronik adı verilir. KISA ATOM BİLGİSİ Maddenin

Detaylı

AL/P-Sİ SCHOTTKY BARİYER DİYOTUN γ-işini RADYASYON ETKİSİ ÜZERİNDE ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN HESAPLANMASI. Serhat GÜLOĞLU

AL/P-Sİ SCHOTTKY BARİYER DİYOTUN γ-işini RADYASYON ETKİSİ ÜZERİNDE ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN HESAPLANMASI. Serhat GÜLOĞLU T.C. DİCLE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ AL/P-Sİ SCHOTTKY BARİYER DİYOTUN γ-işini RADYASYON ETKİSİ ÜZERİNDE ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN HESAPLANMASI Serhat GÜLOĞLU YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK ANABİLİMDALI

Detaylı

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir.

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir. Bir fuel cell in teorik açık devre gerilimi: Formülüne göre 100 oc altinda yaklaşık 1.2 V dur. Fakat gerçekte bu değere hiçbir zaman ulaşılamaz. Şekil 3.1 de normal hava basıncında ve yaklaşık 70 oc da

Detaylı

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları 1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik

Detaylı

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Diyotu tanımlayınız. Diyot bir yönde akım geçiren, diğer yönde akım geçirmeyen elektronik devre elemanıdır. Diyotlarda anot ve katodu tanımlayınız. Diyot

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel

Detaylı

Endüstriyel Sensörler ve Uygulama Alanları Kalite kontrol amaçlı ölçme sistemleri, üretim ve montaj hatlarında imalat sürecinin en önemli aşamalarındandır. Günümüz teknolojisi mükemmelliği ve üretimdeki

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Optik Sensörler Üzerine düşen ışığa bağlı olarak üstünden geçen akımı değiştiren elemanlara optik eleman denir. Optik transdüserler ışık miktarındaki değişmeleri elektriksel

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ 1- Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, şekil 1 'de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri U : AC girişteki efektif faz gerilimi f : Frekans q : Faz sayısı I d, I y : DC çıkış veya yük akımı (ortalama değer) U d U d : DC çıkış gerilimi, U d = f() : Maksimum

Detaylı

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR...

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... İÇİNDEKİLER Bölüm 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... 1 1.1 Katıhal... 1 1.1.1 Kristal Katılar... 1 1.1.2 Çoklu Kristal Katılar... 2 1.1.3 Kristal Olmayan (Amorf) Katılar... 2 1.2 Kristallerde Periyodiklik... 2

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 4: Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri Fotovoltaik Hücre Fotovoltaik Etki Yarıiletken Fiziğin Temelleri Atomik Yapı Enerji Bandı Diyagramı Kristal Yapı Elektron-Boşluk Çiftleri

Detaylı

CETP KOMPOZİTLERİN DELİNMELERİNDEKİ İTME KUVVETİNİN ANFIS İLE MODELLENMESİ MURAT KOYUNBAKAN ALİ ÜNÜVAR OKAN DEMİR

CETP KOMPOZİTLERİN DELİNMELERİNDEKİ İTME KUVVETİNİN ANFIS İLE MODELLENMESİ MURAT KOYUNBAKAN ALİ ÜNÜVAR OKAN DEMİR CETP KOMPOZİTLERİN DELİNMELERİNDEKİ İTME KUVVETİNİN ANFIS İLE MODELLENMESİ MURAT KOYUNBAKAN ALİ ÜNÜVAR OKAN DEMİR Çalışmanın amacı. SUNUM PLANI Çalışmanın önemi. Deney numunelerinin üretimi ve özellikleri.

Detaylı

Malzemelerin elektriksel özellikleri

Malzemelerin elektriksel özellikleri Malzemelerin elektriksel özellikleri OHM yasası Elektriksel iletkenlik, ohm yasasından yola çıkılarak saptanabilir. V = IR Burada, V (gerilim farkı) : volt(v), I (elektrik akımı) : amper(a) ve R(telin

Detaylı

Ders 3- Direnç Devreleri I

Ders 3- Direnç Devreleri I Ders 3- Direnç Devreleri I Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik 2. Direnç Devreleri Ohm kanunu Güç tüketimi Kirchoff Kanunları Seri ve paralel dirençler Elektriksel

Detaylı

Sıcaklık Nasıl Ölçülür?

Sıcaklık Nasıl Ölçülür? Sıcaklık Nasıl Ölçülür? En basit ve en çok kullanılan özellik ısıl genleşmedir. Cam termometredeki sıvıda olduğu gibi. Elektriksel dönüşüm için algılamanın farklı metotları kullanılır. Bunlar : rezistif

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim

Detaylı

AKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER

AKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER YARI İLETKENLER Doğada bulunan atamlar elektriği iletip-iletmeme durumuna görene iletken, yalıtkan ve yarı iletken olarak 3 e ayrılırlar. İletken maddelere örnek olarak demir, bakır, altın yalıtkan maddeler

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ Prof. Dr. Hasan EFEOĞLU Mühendislik Fakültesi E&E Mühendisliği Bölümü hefeoglu@atauni.edu.tr Forum, CeBIT 09-Eylül-2005, İstanbul Yarıiletken Teknolojisi Günlük hayatımızın

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Transdüser ve Sensör Kavramı Fiziksel ortam değişikliklerini (ısı, ışık, basınç, ses, vb.) algılayan elemanlara sensör, algıladığı bilgiyi elektrik enerjisine çeviren elemanlara

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

CALLİSTER - SERAMİKLER

CALLİSTER - SERAMİKLER CALLİSTER - SERAMİKLER Atomik bağı ağırlıklı olarak iyonik olan seramik malzemeler için, kristal yapılarının atomların yerine elektrikle yüklü iyonlardan oluştuğu düşünülebilir. Metal iyonları veya katyonlar

Detaylı

EGE ÜNİVERSİTESİ EGE MYO MEKATRONİK PROGRAMI

EGE ÜNİVERSİTESİ EGE MYO MEKATRONİK PROGRAMI EGE ÜNİVERSİTESİ EGE MYO MEKATRONİK PROGRAMI SENSÖRLER VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLER SEVİYENİN ÖLÇÜLMESİ Seviye Algılayıcılar Şamandıra Seviye Anahtarları Şamandıralar sıvı seviyesi ile yukarı ve aşağı doğru hareket

Detaylı

Hatun KORKUT Doktora Tezi Fizik Anabilim Dalı Prof. Dr. Abdülmecit TÜRÜT 2009 Her hakkı saklıdır

Hatun KORKUT Doktora Tezi Fizik Anabilim Dalı Prof. Dr. Abdülmecit TÜRÜT 2009 Her hakkı saklıdır AYNI ŞARTLARDA HAZIRLANAN Cr/n-GaAs SCHOTTKY KONTAKLARINDA NUMUNE SICAKLIĞINA BAĞLI T 0 ANORMALLİĞİNİN ISIL TAVLAMAYLA İYİLEŞTİRİLMESİ Hatun KORKUT Doktora Tezi Fizik Anabilim Dalı Prof. Dr. Abdülmecit

Detaylı

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR 1.1 Amaçlar AC nin Elde Edilmesi: Farklı ve değişken DC gerilimlerin anahtar ve potansiyometreler kullanılarak elde edilmesi. Kare dalga

Detaylı

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Sıcaklık kontrol elemanlarının türlerini ve çalışma ilkelerini öğrenmek. 2. Bir orantılı sıcaklık kontrol devresi yapmak. GİRİŞ Solid-state sıcaklık kontrol

Detaylı

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK BÖLÜM 5 DİYOT ÇEŞİTLERİ 1) KRİSTAL DİYOT 2) ZENER DİYOT 3) TÜNEL DİYOT 4) IŞIK YAYAN DİYOT (LED) 5) FOTO DİYOT 6) AYARLANABİLİR KAPASİTELİ DİYOT (VARAKTÖR - VARİKAP) DİĞER DİYOTLAR 1) MİKRODALGA DİYOTLARI

Detaylı

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI SIGNAL FLOW GRAPH İŞARET AKIŞ DİYAGRAMLARI İşaret akış diyagramları blok diyagramlara bir alternatiftir. Fonksiyonel bloklar, işaretler, toplama noktaları

Detaylı

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN

GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN GÜNEŞ ENERJĐSĐYLE HĐDROJEN ÜRETĐMĐ Kim. Müh. Serdar ŞAHĐN / Serkan KESKĐN 1. GĐRĐŞ Güneş enerjisinden elektrik enerjisi üretilmesi işlemi, çeşitli alanlarda uygulanmıştır. Fakat güneş enerjisinin depolanması

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

Mehmet Faruk KARABAT Yüksek Lisans Tezi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. İsmail ARSEL 2014 Her hakkı saklıdır

Mehmet Faruk KARABAT Yüksek Lisans Tezi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. İsmail ARSEL 2014 Her hakkı saklıdır P TİPİ SİLİSYUM TABANLI ALTLIK ÜZERİNE CuO MADDESİNİN KAPLANARAK ELDE EDİLEN YAPILARIN AKIM İLETİM MEKANİZMALARI Mehmet Faruk KARABAT Yüksek Lisans Tezi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. İsmail

Detaylı

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER Dielektrik malzemeler; serbest elektron yoktur, yalıtkan malzemelerdir, uygulanan elektriksel alandan etkilenebilirler. 1 2 Dielektrik malzemeler Elektriksel alan

Detaylı

OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ

OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ TOPLAR OP-AMP ÖRNEĞİ GERİLİM İZLEYİCİ Eşdeğer devresinden görüldüğü gibi Vo = Vi 'dir. Emiter izleyici devreye çok benzer. Bu devrenin giriş empedansı yüksek, çıkış empedansı

Detaylı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan

Detaylı

Farklı malzemelerin dielektrik sabiti LEP 4.2.06_00

Farklı malzemelerin dielektrik sabiti LEP 4.2.06_00 PHYWE Farklı malzemelerin dielektrik sabiti LEP 4.2.06_00 İlgili başlıklar Maxwell in eşitlikleri, elektrik sabiti, plaka kapasitörün kapasitesi, gerçek yükler, serbest yükler, dielektrik deplasmanı, dielektrik

Detaylı

Şekil 1.1. Hidrojen atomu

Şekil 1.1. Hidrojen atomu ANALOG ELEKTRONİK ANALOG ELEKTRONİK... i A. KISA ATOM BİLGİSİ...1 Giriş...1 Yörünge ve Kabuk...1 Enerji Bantları...2 İletken, Yarı İletken ve Yalıtkanlar...4 Kovalent Bağ...5 Saf Yarı İletken Malzemenin

Detaylı

KONUM ALGILAMA YÖNTEMLERİ VE KONTROLÜ

KONUM ALGILAMA YÖNTEMLERİ VE KONTROLÜ KONUM ALGILAMA YÖNTEMLERİ VE KONTROLÜ 1. AMAÇ: Endüstride kullanılan direnç, kapasite ve indüktans tipi konum (yerdeğiştirme) algılama transdüserlerinin temel ilkelerini açıklayıp kapalı döngü denetim

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 1. Deneyin Amacı Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI CDS (Kadmiyum

Detaylı

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net Yük Elektriksel yük maddelerin temel özelliklerinden biridir. Elektriksel yükün iki temel

Detaylı

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot ElektronikI Laboratuvarı 1. Deney Raporu AdıSoyadı: İmza: Grup No: 1 Diyot Diyot,Silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken malzemelerden yapılmış olan aktif devre elemanıdır. İki adet bağlantı ucu vardır.

Detaylı

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ Infrared (IR) ve Raman Spektroskopisi Yrd. Doç. Dr. Gökçe MEREY TİTREŞİM Molekülleri oluşturan atomlar sürekli bir hareket içindedir. Molekülde: Öteleme hareketleri, Bir eksen

Detaylı

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları Bölüm 7: Elektriksel Özellikler CEVAP ARANACAK SORULAR... Elektriksel iletkenlik ve direnç nasıl tarif edilebilir? İletkenlerin, yarıiletkenlerin ve yalıtkanların ortaya çıkmasında hangi fiziksel süreçler

Detaylı

28.02.2012 ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

28.02.2012 ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI Transistör 20. yüzyılın en büyük buluşlarından biri olduğu düşülmektedir. İnsanlığın aya gitmesi, giderek daha küçük ve daha etkili bilgisyarların yapılması, kulak içi işitme

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI Dersin Kodu FIZ508 Spektroskopik Analiz Yöntemleri (II) Kredisi (T P K) (3 0 3) 2-Bahar Atomik spektroskopi, infrared absorpsiyon spektroskopisi, raman spektroskopisi, nükleer magnetik rezonans spektroskopisi,

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

ENDÜSTRİYEL BİR TESİSTE DİNAMİK KOMPANZASYON UYGULAMASI

ENDÜSTRİYEL BİR TESİSTE DİNAMİK KOMPANZASYON UYGULAMASI ENDÜSTRİYEL BİR TESİSTE DİNAMİK KOMPANZASYON UYGULAMASI Özgür GENCER Semra ÖZTÜRK Tarık ERFİDAN Kocaeli Üniversitesi Mühendislik Fakültesi, Elektrik Mühendisliği Bölümü, Kocaeli San-el Mühendislik Elektrik

Detaylı

DOKUZ EYLÜL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ DEKANLIĞI DERS/MODÜL/BLOK TANITIM FORMU. Dersin Kodu: MMM 4036

DOKUZ EYLÜL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ DEKANLIĞI DERS/MODÜL/BLOK TANITIM FORMU. Dersin Kodu: MMM 4036 Dersi Veren Birim: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Dersin Türkçe Adı: ELEKTRONİK MALZEMELERİ Dersin Orjinal Adı: ELEKTRONİK MALZEMELERİ Dersin Düzeyi:(Ön lisans, Lisans, Yüksek Lisans, Doktora) Lisans

Detaylı

Yığma yapı elemanları ve bu elemanlardan temel taşıyıcı olan yığma duvarlar ve malzeme karakteristiklerinin araştırılması

Yığma yapı elemanları ve bu elemanlardan temel taşıyıcı olan yığma duvarlar ve malzeme karakteristiklerinin araştırılması Yığma yapı elemanları ve bu elemanlardan temel taşıyıcı olan yığma duvarlar ve malzeme karakteristiklerinin araştırılması Farklı sonlu eleman tipleri ve farklı modelleme teknikleri kullanılarak yığma duvarların

Detaylı

Atom. Atom 9.11.2015. 11 elektronlu Na. 29 elektronlu Cu

Atom. Atom 9.11.2015. 11 elektronlu Na. 29 elektronlu Cu Atom Maddelerin en küçük yapı taşlarına atom denir. Atomlar, elektron, nötron ve protonlardan oluşur. 1.Elektronlar: Çekirdek etrafında yörüngelerde bulunurlar ve ( ) yüklüdürler. Boyutları çok küçüktür.

Detaylı

Bölüm 3 SAF MADDENİN ÖZELLİKLERİ

Bölüm 3 SAF MADDENİN ÖZELLİKLERİ Bölüm 3 SAF MADDENİN ÖZELLİKLERİ 1 Amaçlar Amaçlar Saf madde kavramının tanıtılması Faz değişimi işleminin fizik ilkelerinin incelenmesi Saf maddenin P-v-T yüzeylerinin ve P-v, T-v ve P-T özelik diyagramlarının

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

YAPAY SİNİR AĞLARI. Araş. Gör. Nesibe YALÇIN BİLECİK ÜNİVERSİTESİ

YAPAY SİNİR AĞLARI. Araş. Gör. Nesibe YALÇIN BİLECİK ÜNİVERSİTESİ YAPAY SİNİR AĞLARI Araş. Gör. Nesibe YALÇIN BİLECİK ÜNİVERSİTESİ İÇERİK Sinir Hücreleri Yapay Sinir Ağları Yapısı Elemanları Çalışması Modelleri Yapılarına Göre Öğrenme Algoritmalarına Göre Avantaj ve

Detaylı

Atom Y Atom ap Y ısı

Atom Y Atom ap Y ısı Giriş Yarıiletken Malzemeler ve Özellikleri Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Atom Yapısı Maddenin en küçük parçası olan atom, merkezinde bir çekirdek ve etrafında dönen elektronlardan oluşur. Çekirdeği oluşturan

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak X-IŞINI TÜPÜ X-IŞINI TÜPÜ PARÇALARI 1. Metal korunak (hausing) 2. Havası alınmış cam veya metal tüp 3. Katot 4. Anot X-ışın

Detaylı

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ 1. Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, Şekil 1 de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı

Detaylı

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken) KTÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı DOĞRULTUCULAR Günümüzde bilgisayarlar başta olmak üzere bir çok elektronik cihazı doğru akımla çalıştığı bilinen

Detaylı

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde

Detaylı

T.C. KTO KARATAY ÜNİVERSİTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ

T.C. KTO KARATAY ÜNİVERSİTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ T.C. KTO KARATAY ÜNİVERSİTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ Aktif Titreşim Kontrolü için Bir Yapının Sonlu Elemanlar Yöntemi ile Modelinin Elde Edilmesi ve PID, PPF Kontrolcü Tasarımları Arş.Gör. Erdi GÜLBAHÇE

Detaylı

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır.

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. BÖLÜM 2 KONDANSATÖRLER Önbilgiler: Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. Yapısı: Kondansatör şekil 1.6' da görüldüğü gibi, iki iletken plaka arasına yalıtkan bir maddenin

Detaylı

Selçuk Üniversitesi. Mühendislik-Mimarlık Fakültesi. Kimya Mühendisliği Bölümü. Kimya Mühendisliği Laboratuvarı. Venturimetre Deney Föyü

Selçuk Üniversitesi. Mühendislik-Mimarlık Fakültesi. Kimya Mühendisliği Bölümü. Kimya Mühendisliği Laboratuvarı. Venturimetre Deney Föyü Selçuk Üniversitesi Mühendislik-Mimarlık Fakültesi Kimya Mühendisliği Bölümü Kimya Mühendisliği Laboratuvarı Venturimetre Deney Föyü Hazırlayan Arş.Gör. Orhan BAYTAR 1.GİRİŞ Genellikle herhangi bir akış

Detaylı

Vakum Teknolojisi * Prof. Dr. Ergun GÜLTEKİN. İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi

Vakum Teknolojisi * Prof. Dr. Ergun GÜLTEKİN. İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi Vakum Teknolojisi * Prof. Dr. Ergun GÜLTEKİN İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi Giriş Bilimsel amaçla veya teknolojide gerekli alanlarda kullanılmak üzere, kapalı bir hacim içindeki gaz moleküllerinin

Detaylı

Aşağıdaki, verimli ve güvenilir bir işlem için gerekli tüm bileşenleri tanımlanmış gerçek evirici devresinin bir şematik çizimidir:

Aşağıdaki, verimli ve güvenilir bir işlem için gerekli tüm bileşenleri tanımlanmış gerçek evirici devresinin bir şematik çizimidir: NOT Geçidi Daha önce değinilen tek-transistörlü evirici devresinin gerçekte geçit gibi pratik kullanımının olması çok ilkeldir. Gerçek evirici devreler gerilim kazancını maksimize etmek için birden fazla

Detaylı

Yarıiletkenler Diyotlar

Yarıiletkenler Diyotlar Yarıiletkenler Diyotlar 1 Bohr Atom Modeli Bu modelde görüldüğü gibi, elektronlar çekirdek etrafında belirli bir yörüngede yer almaktadırlar. Bir malzemenin atomik yapısı, onun iletkenlik ya da yalıtkanlık

Detaylı