ÇOK KA TLI (MULTİ STAGE) YÜKSELTEÇLER

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "ÇOK KA TLI (MULTİ STAGE) YÜKSELTEÇLER"

Transkript

1 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı 2 ÇOK KA TLI (MULTİ STAGE) YÜKSELTEÇLER ı. Ön Bilgiler Bu deneyde yükselteçlerin arka arkaya ba~lanması konusunu incelenecektir. Bilindi~ üzere tek transistörlü yükselteçler yeterli yükseltme sağlamazlar. Örne~in bir mikrofona konuşulduğu zaman, mikrofon çıkışındaki i -2m V civarındaki sinyalin bir hoparlörden duyulabilmesi yada bir radyonun anteninde oluşan 0,01 m V civarındaki sinyalin hoparlörden duyulabilmesi için bir çok yükselteci arka arkaya bağlamak gerekir. 1.ı. Direk Bağlamalı (Direct Coupling) Kuvvetlendiriciler: Özellikle ön yükselteçlerde kullanılan ve en kolay olan ba~lama yöntemi direk bağ/ama yöntemidir. Bu ba~lama (ba~lamaya kuplaj da denir) şekli adından da anlaşıldığı gibi bir yükseltecin çıkışını diğerinin girişine doğrudan bağlamakla sağlanır. Reı ~L t i v. v. Birinci kal ı. j R, Direk bağlamalı ıkinci kat kuvvetlendirici den de anlaşılacağı gibi her transistörün çıkış voltajı aynı zamanda diğer transistörün beyz voltajını sağlamaktadır. Bu tür devrelere DC yükselteç de denmektedir. DC yükselteçler özellikle çok düşük frekanslara hatta OHz (DC) den başlayarak devrenin izin verdiği en yüksek frekanslara kadar çalışırlar RC Bağlamalı (RC Coupling) Kuvvetlendiriciler: Bir devrenin çıkışındaki sadece AC sinyali sonraki devrenin gırışıne aktarmak istiyorsak ve bu iki devreyi birbirine bağlarken empedans uyumu sorunu yoksa bağlama elemanı olarak kondansatör kullanılır. Bu kondansatöre kup/ai kondansaıörü denir.

2 ~ Birinci 2. RC iuıt bağlama Devrenin RC kısmının C'si aradaki kuplaj kondansatörü, R'si ise birinci transistörün Re si ve ikinci tranzistörün beyzine bağlı dirençlerdir. Kullanılan kondansatör, sinyal frekansına çok az empedans göstennelidir. Bir kondansatör DC derilimi geçinnez, düşük frekanslara ise yüksek empedans gösterir. Bu nedenle RC kuplajlı devrelerde düşük frekanslarda kazanç azalır. Yüksek frekanslara çıkıldıkça kuplaj kondansatörünün empedansı iyice azalacağı için devrenin kazancı da (teorik olarak) artacaktır. Aslında böyle olamaz. Frekans arttıkça kullanılan transistörün yüksek frekans karakteristiği, transistörün küçücük iç kapasiteleri hatta devrenin baskı devresinin şekli ve kullanılan malzemenin özeliğinden dolayı devrenin kazancı düşecektir. Direk kuplajlı devrelerde aslında yüksek frekanslarda bu özellikleri gösterirler Transformatör Kuplajlı Kuvvetlendiriciler: 3. Transformatör kuplajı kuvvetlendirici Transformatörler bir devre, hem DC yalıtım hem de empedans uygunluğu sağlamak İdeal transformatörde hiç kayıp olmaz. Yani girişine uygulanan güeü çıkışından aynen alabiliriz. Fakat bant genişlikleri çok dardır. Özellikle ses frekans devrelerinde istenilen bant genişliğini tutturmak için özel sanrnh transformatörler kullanmak gereklidir. Transformatörlerin bu dar bant özellikleri yüksek frekans devrelerinde çoğunlukla istenilen bir özellik haline dönüşür. Hatta bandı daha da daraltmak için transfonnatörler kondansatörlerle de desteklenerek sadece istenilen frekansı geçiren özelliklerde yapılır. Bu tür devrelere Rezonans/ı Transformatör Kup/aj adı verilir. Transformatörün aynı zamanda empedans uydurma işlemi de yapmaktadır. ıçın kullanılır.

3 2. DENEYLER 2.1. Deneye gelmeden önce çalışılacak sorular yükselteçlerde ilk yükselteç veya ilk birkaç yükseltecin gürültü seviyesinin düşük olması gerekmektedir. Bunun sebebi nedir? Bir yükseltecin çıkışını diğer yükseltecin girişine bağlamak için uyulması gereken kurallar nelerdir? Çok katlı yükselteçlerde toplam kazanç katların kazançlarına bağlı olarak nasıl hesaplanır? Direk bağlamalı, Re bağlamalı, Transformatör bağlamalı ve push pull çok katlı yükselteçlerin birbirlerine olan üstünlükleri nelerdir? Çok katlı 2.2.Deney 1: JFET'1i es Kuvvetlendirici (kendi Kuvvetlendiriciler kendine polarmalı) Direk Bağlamalı (Direct Coupling) 1- İlk önce KL modülü KL-200 lineer devre borduna yerleştirilir. 2- Kısa devre elemanları 4' e göre yerleştirilir YRı ve VR3,'ü Vcı ve VCı'nin ikiside Vee olacak şekilde ayarlanır. 2 İşaret üreteci ve osiloskop giriş terminalin (IN) ve osiloskopu aynı zamanda çıkış terminaline bağlanır. İşaret üretecinin çıkışını ı KHz'lik sinüs dalgasına ayarlanıp, osiloskopta maksimum bozunumsuz dalga şekli görülecek şekilde gözlemlenip kaydedilir. Osilosküp kullanarak Vb ı, Vcı, Vbı ve Vouı'daki dalga şekilleri gözlemlenip kaydedilir. e3 (47 J.ıF )'Ü devre dışı bırakarak 5 ve 6.adımlar tekrarlanır. YRı (VR IMO) direncini rasgele değiştirerek Vb ı, Veı, Vb ı ve Vouı'daki dalga şekillerinin değişip değişmediği gözlemlenir. -+12V Ao----r T ~~~D_~ VA4 R5 Tn B Q2 OUT 1 C1 TP6 -+ TP2 OUT2 R1 '- A TP1 VR3 IN step (7) dlscon nklion + c3 B block 4. Re bağlamalı kuvvetlendirici EI

4 2.2.1.neneyin Sonucu: Deney sonuçları Tablo i 'e kaydedilir, daha sonra kullanarak hesaplanacaktır (C) bağlı olmalıdır.). aşağıdaki ifadeleri tablodaki verileri Av _ Voı _ Ve, _, - rf, "i, Vb, = AV = voı = Voul ı Viı Vbı Av = Vout = Vi, Avs = Vout = Vin Av hesaplama formülleri kullanılarak teorik ve gerçek değerler karşılaştırılır. C3 bağlı Dalga C3 şekli v;n1 Vp-p bağlı değil Dalga şekli Vp-p ~t v;"l Vbı1 ~i \öl Vd1 ~ i Vd1.1.1 Vb21 ~i,öi.1 vni ~i voi.1 Tablo 1. Deney sonuçları ~t

5 2.3. Deney 2: Do~rudan ba~lamalı 1- Kısa 2- VItı direnci, (VR IMO) VC1direncini voltajı devre elemanlan kuvvetlendirici 5'e göre yerleştirilecektir. Vee olacak şekilde ayarlanır. Daha sonra voltmetre kullanarak 2 (DC gerilimi) Vbıeı ve Vbıeı gerilimleri ölçülüp kaydedilecek. İşaret üretecini ve osiloskopu giriş terminaline (IN) ve osiloskopu aynı zamanda çıkış terminaline (OUT) bağlanır. İşaret üretecinin çıkışı IKHz'lik sinüs dalgasına ayarlarup osiloskopta maksimum bozunumsuz dalga şeklini görebilecek şekilde genliği adım adım artınhr. Osiloskop kuııanarak Vb ı, Vcı, Vbı ve VCı (Vout)'deki dalga şekilleri gözlemlenip kaydedilir. C3 (47 ;.ıf ),ü devre dışı bırakarak 5 adım tekrarlanır. C3 kondansatörü bağlanır ve VItı ( VR IMO) direncini rasgele değiştirerek Vb ı, Vcı, Vbı ve VOU!' daki dalga şekillerin değişip değişmediği gözlemlenir. VItı 'ü normal aralığına getirip giriş işaretinin frekansını OHz ~20KHz arasında değiştirilir. Giriş ve çıkış tenninallerindeki dalga şekilleir gözlemlenip YOU! ile farasındaki ilişki kaydedilir. +12V Ao---, , o---o R5 VR4 TP7 B OUT1 TPG C1 + TP2 0l1T2 R1 ~ R6 TP1 VR3 IN B black a 5. Doğrudan bağlamalı kuvvetlendirici Deneyin sonucu: Deney sonuçları Tablo 2 ve şekil 6'ya kaydedilecektir.

6 C3 bağlı C3 Dalga şekli baalı deail Dalga şekli Vp-p Vp-p vml.t vml ~'1 t ~'1 vdl Vdl.t vi.t V01.t Tablo 2. Deney Aşağıdaki t.t t sonçları veriler tablo 2 ' deki veriler kullanılarak hesaplanacaktır (C) bağlı olmalıdır). = Voı = Ve ı = Viı Vb ı Av = Voı = Vout = ı Vi Vb ı ı Av= Vout = Av i Viı Avs = Vout Vin = Av hesaplama formülleri kullanılarak teorik ve gerçek değerler karşılaştırılır. Avo : Vo maksimum iken Av değeri. AvfAIıo (-3db) f 6. Frekans tepki eğrisi

7 2.4. Deney 3: Transformatör baglamah kuvvetlendirici Kısa devre elemanlannı şekil Tye göre takılacaktır. Güç kaynagı (12V) takılacaktır. İşaret üreteci ve osiloskopu giriş terminaline, 8 n 'luk direnci (taklit yük) ve osiloskopu çıkış terminaline bağlanacaktır. İşaret üretecinin çıkışını 500Hz'lik sinüs dalgasına ayarlayıp osiloskopta maksimum bozunumsuz dalga şeklini görebilecek şekilde genligi adım adım artırılır. Giriş işaretinin frekansını OHz-20kHz arasında değiştirerek Vin ile Vout'taki dalga şekilleri gözlemlenecek ve V out ile farasındaki ilişki kaydedilecektir. İşaret üretencini veya walkmanin çıkış kulaklığını giriş terminaline baglayarak çıkışta hala ses üretilip üretilmediğine bakılacaktır. + es LU TP, IN + C4 block b 7. Transformatör bağlamalı kuvvetlendirici Deneyin Sonucu: Deney sonucunu Tablo 3'e kaydedilecek ve Dalga çıkış gücü hesaplanacaktır. şekli Vp-p vinl "t vml ~t Tablo3. Deney sonuçları

8 Maksimum bozunumsuz ÇıkıŞ güeü= Avo: Vo maksimum iken Av V 20 = p-p 8R ı mw değeri. AviAva (abd) i D.707 ı~b) 8. Frekans tepki eğrisi 2.5. Deney 4: Çift Uçlu push-pull kuvvetlendirici deneyi devre elemanlarını 9'ye göre yerleştirilir. +1 2V'luk güç kaynağı bağlanır (Çıkış terminaline 8 n /1 W'lık direnç bağlanmalıdır). 2- Çalışma akımını ölçmek için A2 ampermetresi bağlanır (Ampermetreyi değiştirmek için AI ' deki kısa devre elemanı kuııanılabilir). Çalışma akıml» 20mA ise Q6 ve Q7 tranzistör1eri kolaylıkla ısınabileceği için güç kesilmeli ve devre tekrar gözden geçirilmelidir. 3- Olası yanlış bağlantıları kontrol etmenin yanı sıra güç kaynağı b a ğlı iken voltmetre kuııanılarak her bir transistorün durumları aşağıdaki analiz yöntemi ilc belirlenebilir: Vbe>O,7V transistorün B ve E terminaııeri arasında kısa devre var. Vbe ~ O.2V Vce:: OV transistorün C ve E terminaııeri arasında kısa devre var. Vbe:: O.6V Vce:: O.2V Transistor doyurnda. 4- I. ve 2.durumların söz konusu olması durumunda transistor değiştirilmelidir. 3. durumun söz konusu olması durumunda ise Vbe (lb), VR i ayarlı direnci kullanılarak 1- Kısa ayarlanmalıdır. olacak şekilde RI 6 (SVR 2M n) direnci 2 ayarlanır. Daha sonra ampermetredeki değişim gözlemlenir. 6- VRI (VRı i k n) ayarlı direncinin A2 ampermetresini ı OmA civarında bir değer gösterecek şekilde ayarlanır. 7- İşaret üretecini ve osiloskopu giriş terminaline (IN) ve osiloskopu aynı zamanda çıkış terminaline (OUT) bağlanır. 8- İşaret üretecinin çıkışını 500Hz'lik sinüs dalgasına ayarlayıp osiloskopta maksimum bozunumsuz dalga şeklini görebilecek şekilde genliği adım adım artırılır. 9- Osiloskop kuııanılarak Vb s, VCs ve Vb 6 'daki dalga şekiııeri gözlemlcnip kaydedilecek. 10- VR ı direncini On ' a getrip Y OU! çıkışındaki dalga şeklindeki geçiş bozunumu meydana gelip gelmediği gözlemlenecektir. LL- 8 n 'luk direnci kaldırarak yerine hoparlör bağlanır. Kuvvetlendiricinin girişine uygulanan işaret üretecinin çıkışını rasgele değiştirerek yuksek frekans lı veya yuksek genlikli bir işaret uygulanması sonucunda Q6 ve Q7 tranistörlerinin aşırı ısınması ile sesin 5- Ampermetreyi A i konumuna bağlayıp Vd = Vee yuksekliğinin değişiğ değişmediğine bakılacaktır.

9 12- Işaret üretecini çıkarıp kuvvetlendiricinin girişine parmak ile dokunulduğunda hoparlörde vızıltı meydana geldiği gözlemlenir (Giriş terminaline parmak ile dokunmak gürültüye neden olmaktadır.). 13- Walkmanin kulaklık çıkışını kuvvetlendiricinin giriş terminaline bağlanıp müzik dinlenir. +12V c. R18 R15 + IN ~14 cr TP2 R1. \n\1 8 block c 9. Çift Uçlu push-pull kuvvetlendirici Deneyin Sonucu: Deneyin sonucu Tablo 4 ' e kaydedil ecek ve maksimum bozunumsuz çıkış gücü hesaplanacaktır. Statik (est ç alışma akııııı (A2) Vb5e5 Ve5 Vb6e6 Vb7e7

10 Dinamik Test v VIN ~ t v v VBS ~ t VB6 v f t v Vcs t t VOUT ~ sonuçl arı Tablo 4. Deney 2 Pout= V out(p - p) _ - 8R ı Ri = 80.. t

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 DENEY 1-6 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC

Detaylı

MOSFET Karakteristiği

MOSFET Karakteristiği Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET

Detaylı

Elektriksel-Fiziksel Özellikler... 2 Kullanım... 3 Uygulama Örnekleri... 7

Elektriksel-Fiziksel Özellikler... 2 Kullanım... 3 Uygulama Örnekleri... 7 FONKSİYON ÜRETECİ KULLANIM KILAVUZU (FUNCTION GENERATOR) İçindekiler Elektriksel-Fiziksel Özellikler... 2 Kullanım... 3 Uygulama Örnekleri... 7 Şekil Listesi Şekil 1 Fonksiyon üreteci... 2 Şekil 2 Fonksiyon

Detaylı

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi 23 Deney Adı : İşlemsel Kuvvetlendiricinin Temel Devreleri Deney No : 6 Deneyin Amacı : İşlemsel kuvvetlendiricilerle en ok kullanılan devreleri gerekleştirmek, fonksiyonlarını belirlemek Deneyle İlgili

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ A. DENEYİN AMACI : Seri ve paralel RC devrelerinin ac analizini yapmak. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Sinyal Üreteci, 2. Osiloskop, 3. Değişik değerlerde direnç ve kondansatörler. C. DENEY İLE

Detaylı

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz. Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre

Detaylı

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ 1- Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, şekil 1 'de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

BİLGİSAYARLI KONTROL OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER

BİLGİSAYARLI KONTROL OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER BÖLÜM 4 OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER 4.1 OPERASYONEL AMPLİFİKATÖRLER (OPAMP LAR) Operasyonel amplifikatörler (Operational Amplifiers) veya işlemsel kuvvetlendiriciler, karmaşık sistemlerin

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) 9.1 Amaçlar 1. µa741 ile PWM modülatör kurulması. 2. LM555 in çalışma prensiplerinin

Detaylı

BÖLÜM 4 RADYO ALICILARI. 4.1 Süperheterodin Alıcı ANALOG HABERLEŞME

BÖLÜM 4 RADYO ALICILARI. 4.1 Süperheterodin Alıcı ANALOG HABERLEŞME BÖLÜM 4 RADYO ALIILARI 4. Süperheterodin Alıcı Radyo alıcıları ortamdaki elektromanyetik sinyali alır kuvvetlendirir ve hoparlöre iletir. Radyo alıcılarında iki özellik bulunur, bunlar ) Duyarlılık ) Seçicilik

Detaylı

TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI

TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI Tarkan AYDIN 1 DĐYOTLAR Şekil 1.0 Şekil 1.1 Şekil 1.2 Şekil 1.3 Diyotun Karakteristik Eğrisi Şekil 1.4 Şekil 1.5 Diyotlar P N tipi maddelerden oluşur. Bu iki madde

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı

Detaylı

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde

Detaylı

OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER

OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER Fairchild 1965 yılında, en çok kullanılan Ua709 elemanı piyasaya sunmuştur. Aslında başarısının yanında, bu elemanın birçok dezavantajları da vardı. Bu nedenle de

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi DENEY-4 Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi Deneyin Amacı: BJT yapmak. transistörlerle yapılan yükselteçlerin alçak ve yüksek frekans analizlerini Teorinin Özeti: Şimdiye kadar gördüğümüz transistörlü

Detaylı

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ 1. Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, Şekil 1 de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

ELEKTROENSEFALOGRAM (EEG) ÖLÇÜMÜ

ELEKTROENSEFALOGRAM (EEG) ÖLÇÜMÜ ELEKTROENSEFALOGRAM (EEG) ÖLÇÜMÜ 4 4.0 DENEYİN AMACI 4.1 FİZYOLOJİK PRENSİPLER 4.2 DEVRE AÇIKLAMALARI 4.3 GEREKLİ ELEMANLAR 4.4 DENEYİN YAPILIŞI 4.5 DENEY SONUÇLARI 4.6 SORULAR DENEY 4 ELEKTROENSEFALGORAM

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

Yükseltici DA Kıyıcılar, Gerilim beslemeli invertörler / 12. Hafta

Yükseltici DA Kıyıcılar, Gerilim beslemeli invertörler / 12. Hafta E sınıfı DC kıyıcılar; E sınıfı DC kıyıcılar, çift yönlü (4 bölgeli) DC kıyıcılar olarak bilinmekte olup iki adet C veya iki adet D sınıfı DC kıyıcının birleşiminden oluşmuşlardır. Bu tür kıyıcılar, iki

Detaylı

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DENEY 1-3 DC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-22001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını

Detaylı

3. HAFTA BLM223 DEVRE ANALİZİ. Yrd. Doç Dr. Can Bülent FİDAN. hdemirel@karabuk.edu.tr

3. HAFTA BLM223 DEVRE ANALİZİ. Yrd. Doç Dr. Can Bülent FİDAN. hdemirel@karabuk.edu.tr 3. HAFTA BLM223 Yrd. Doç Dr. Can Bülent FİDAN hdemirel@karabuk.edu.tr Karabük Üniversitesi Uzaktan Eğitim Uygulama ve Araştırma Merkezi 2 3. OHM KANUNU, ENEJİ VE GÜÇ 3.1. OHM KANUNU 3.2. ENEJİ VE GÜÇ 3.3.

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI II. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI II. DENEY FÖYÜ ELEKRİK DERELERİ-2 LABORAUARI II. DENEY FÖYÜ 1-a) AA Gerilim Ölçümü Amaç: AA devrede gerilim ölçmek ve AA voltmetrenin kullanımı Gerekli Ekipmanlar: AA Güç Kaynağı, AA oltmetre, 1kΩ direnç, 220Ω direnç,

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin. DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.

Detaylı

DENEY 7 SOLUNUM ÖLÇÜMLERİ.

DENEY 7 SOLUNUM ÖLÇÜMLERİ. SOLUNUM ÖLÇÜMLERİ 7 7.0 DENEYİN AMACI 7.1 FİZYOLOJİK PRENSİPLER 7.2 DEVRE AÇIKLAMALARI 7.3 GEREKLİ ELEMANLAR 7.4 DENEYİN YAPILIŞI 7.5 DENEY SONUÇLARI 7.6 SORULAR DENEY 7 SOLUNUM ÖLÇÜMLERİ. 7.0 DENEYİN

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DENEY FÖYÜ DENEY ADI AC AKIM, GERİLİM VE GÜÇ DENEYİ DERSİN ÖĞRETİM ÜYESİ DENEY SORUMLUSU DENEY GRUBU: DENEY TARİHİ : TESLİM

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/9) Akreditasyon Kapsamı

Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/9) Akreditasyon Kapsamı Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/9) Kalibrasyon Laboratuvarı Akreditasyon No: Adresi : Saray Mah. Site Yolu Sokak No:5/4 Anel İş Merkezi 34768 İSTANBUL / TÜRKİYE Tel : 0216 706 13 68 Faks : E-Posta

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 3 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 3 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 3 LAB. DENEY FÖYLERİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER 16 AMAÇ 1. Eviren işlemsel kuvvetlendirici devresini öğrenmek. 2. Evirmeyen

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I. I kd = r. Şekil 1.

KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I. I kd = r. Şekil 1. KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I THEENİN ve NORTON TEOREMLERİ Bir veya daha fazla sayıda Elektro Motor Kuvvet kaynağı bulunduran lineer bir devre tek

Detaylı

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR 1.1 Amaçlar AC nin Elde Edilmesi: Farklı ve değişken DC gerilimlerin anahtar ve potansiyometreler kullanılarak elde edilmesi. Kare dalga

Detaylı

AMLİFİKATÖRLER VE OSİLATÖRLER

AMLİFİKATÖRLER VE OSİLATÖRLER BÖLÜM 5 Multivibratörler KONULAR: 1. Dengesiz (astable) multivibratörün çalışması ve özelliklerini incelemek. 2. Çif dengeli (bistable) multivibratörün çalışmasını ve özelliklerini incelemek. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

BÖLÜM VIII ÖZEL TİP YÜKSELTEÇLER

BÖLÜM VIII ÖZEL TİP YÜKSELTEÇLER BÖLÜM VIII ÖZEL TİP YÜKSELTEÇLE Özel tip yükselteçlerde dar bant ve geniş bantlı yükselteçler işlenecektir. Dar band yükselteçler genelde alıcı-verici devrelerinde kullanılıp, frekans bandı dar olan sinyallerin

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır?

1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır? 1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır? a) Yüzde 10 b) Yüzde 5 c) Yüzde 1 d) Yüzde 20 3. Direnç

Detaylı

Bölüm 8 FM Demodülatörleri

Bölüm 8 FM Demodülatörleri Bölüm 8 FM Demodülatörleri 8.1 AMAÇ 1. Faz kilitlemeli çevrimin(pll) prensibinin incelenmesi. 2. LM565 PLL yapısının karakteristiğinin anlaşılması. 3. PLL kullanarak FM işaretin demodüle edilmesi. 4. FM

Detaylı

FOTOPLETİSMOGRAM ÖLÇÜMÜ

FOTOPLETİSMOGRAM ÖLÇÜMÜ FOTOPLETİSMOGRAM ÖLÇÜMÜ 6 6.0 DENEYİN AMACI 6.1 FİZYOLOJİK PRENSİPLER 6.2 DEVRE AÇIKLAMALARI 6.3 GEREKLİ ELEMANLAR 6.4 DENEYİN YAPILIŞI 6.5 DENEY SONUÇLARI 6.6 SORULAR DENEY 6 FOTOPLETİSMOGRAM ÖLÇÜMÜ 6.0

Detaylı

DENEY 7. Frekans Modülasyonu

DENEY 7. Frekans Modülasyonu DENEY 7 Frekans Modülasyonu Frekans Modülasyonu Frekans ve az odülasyonları açı (t) odülasyonu teknikleri olarak adlandırılırlar. Frekans odülasyonunda, taşıyıcı sinyalin rekansı odüle eden sinyal ile

Detaylı

EEM 311 KONTROL LABORATUARI

EEM 311 KONTROL LABORATUARI Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 311 KONTROL LABORATUARI DENEY 03: DC MOTOR FREN KARAKTERİSTİĞİ 2012-2013 GÜZ DÖNEMİ Grup Kodu: Deney Tarihi: Raporu

Detaylı

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO: DENEY GRUP NO:

Detaylı

Deney 32 de osiloskop AC ve DC gerilimleri ölçmek için kullanıldı. Osiloskop ayni zamanda dolaylı olarak frekansı ölçmek içinde kullanılabilir.

Deney 32 de osiloskop AC ve DC gerilimleri ölçmek için kullanıldı. Osiloskop ayni zamanda dolaylı olarak frekansı ölçmek içinde kullanılabilir. DENEY 35: FREKANS VE FAZ ÖLÇÜMÜ DENEYĐN AMACI: 1. Osiloskop kullanarak AC dalga formunun seklini belirlemek. 2. Çift taramalı osiloskop ile bir endüktanstın akım-gerilim arasındaki faz açısını ölmek. TEMEL

Detaylı

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

SAYISAL ELEKTRONİK DERSİ LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ

SAYISAL ELEKTRONİK DERSİ LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ SAYISAL ELEKTRONİK DERSİ LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ 2013-2014 EGE ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DENEYLER İÇİN GEREKLİ ÖN BİLGİLER Tablo 1: Direnç kod tablosu OSİLOSKOP KULLANIMINA AİT TEMEL

Detaylı

GAZĠOSMANPAġA ÜNĠVERSĠTESĠ

GAZĠOSMANPAġA ÜNĠVERSĠTESĠ GAZĠOSMANPAġA ÜNĠVERSĠTESĠ Bilimsel AraĢtırma Projeleri Komisyonu Sonuç Raporu Proje No: 2011/52 TEMEL ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK DEVRE SĠSTEMLERĠNĠN KURULMASI Proje Yöneticisi Yrd. Doç. Dr. Levent GÖKREM Mühendislik

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir.

2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir. Tristörlü Redresörler ( Doğrultmaçlar ) : Alternatif akımı doğru akıma çeviren sistemlere redresör denir. Redresörler sanayi için gerekli olan DC gerilimin elde edilmesini sağlar. Büyük akım ve gerilimlerin

Detaylı

ÜÇGEN,TESTERE işaret ÜRETEÇLERi VE veo

ÜÇGEN,TESTERE işaret ÜRETEÇLERi VE veo Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. 2 ÜÇGEN,TESTERE işaret ÜRETEÇLERi VE veo. Ön Bilgiler. Üçgen Dalga işaret Üreteci Üçgen dalga işareti kare dalga işaretinin

Detaylı

Artvin Meslek Yüksekokulu

Artvin Meslek Yüksekokulu Artvin Çoruh Üniversitesi Artvin Meslek Yüksekokulu Elektrik Programı-Doğru Akım Devreleri Dersi Deney Föyü Öğr. Gör. Çağlar YAZICI 2014-2015 1 DENEY NO :1 :Direnç, akım, gerilim ve güç ölçme :Direnç,

Detaylı

DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI

DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-21001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. Devre elemanı üzerinden akım akmasını sağlayan

Detaylı

V-LAB BİLGİSAYAR ARAYÜZLÜ EĞİTİM SETİ

V-LAB BİLGİSAYAR ARAYÜZLÜ EĞİTİM SETİ Çeşitli ölçüm ünitelerine ve sinyal üreteçlerine sahip olan, tüm entegre cihazlarının bilgisayar üzerinden kontrol edilebilir ve gözlemlenebilir olması özellikleri ile Mesleki Eğitim'in önemli bir enstrümanıdır.

Detaylı

Bölüm 12 PWM Demodülatörleri

Bölüm 12 PWM Demodülatörleri Bölüm 12 Demodülatörleri 12.1 AMAÇ 1. Darbe Genişlik Demodülatörünün çalışma prensibinin anlaşılması. 2. Çarpım detektörü kullanarak bir darbe genişlik demodülatörünün gerçekleştirilmesi. 12.2 TEMEL KAVRAMLARIN

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır? 1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan

Detaylı

DC/DC DÖNÜSTÜRÜCÜLER

DC/DC DÖNÜSTÜRÜCÜLER DC/DC DÖNÜSTÜRÜCÜLER DC-DC dönüştürücüler, özellikle son dönemlerde güç elektroniği ve endüstriyel elektronik uygulamalarında çok yoğun olarak kullanılmaya baslayan güç devreleridir. DC-DC dönüştürücülerin

Detaylı

SAYISAL ELEKTRONİK DERSİ LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ

SAYISAL ELEKTRONİK DERSİ LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ SAYISAL ELEKTRONİK DERSİ LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ 2009-2010 EGE ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DENEYLER İÇİN GEREKLİ ÖN BİLGİLER Tablo 1: Direnç kod tablosu OSİLOSKOP KULLANIMINA AİT TEMEL

Detaylı

ELEKTROMİYOGRAM (EMG) ÖLÇÜMÜ

ELEKTROMİYOGRAM (EMG) ÖLÇÜMÜ ELEKTROMİYOGRAM (EMG) ÖLÇÜMÜ 2 2.0 DENEYİN AMACI 2.1 FİZYOLOJİK PRENSİPLER 2.2 DEVRE AÇIKLAMALARI 2.3 GEREKLİ MALZEMELER 2.4 DENEYİN YAPILIŞI 2.5 DENEY SONUÇLARI 2.6 SORULAR DENEY 2 ELEKTROMİYOGRAM (EMG)

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

Elektrik Devre Temelleri

Elektrik Devre Temelleri Elektrik Devre Temelleri 3. TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) 1 PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2

Detaylı

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici DENEY-1 Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici Deneyin Amacı: Transistör kullanarak ortak emiterli küçük sinyal yükseltici yapılması ve özelliklerinin incelenmesi Teorinin Özeti: Bipolar transistör iki

Detaylı

1. DARBE MODÜLASYONLARI

1. DARBE MODÜLASYONLARI 1. DARBE MODÜLASYONLARI 1.1 Amaçlar Darbe modülasyonunun temel kavramlarını tanıtmak. Örnekleme teorisini açıklamak. Bilgi iletiminde kullanılan birkaç farklı modülasyon tekniği vardır. Bunlardan bazıları

Detaylı

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2 DENEY 1 AMAÇ: VE Kapılarının (AND Gates) çalısma prensibinin kavranması. Çıkıs olarak led kullanılacaktır. Kullanılacak devre elemanları: Anahtarlar (switches), 100 ohm ve 1k lık dirençler, 7408 entegre

Detaylı

İ Ç İ N D E K İ L E R

İ Ç İ N D E K İ L E R İÇİNDEKİLER İ Ç İ N D E K İ L E R SAYFA BÖLÜM I REZONANS DEVRELERİ... I-. GİRİŞ... I-.. PASİF DEVRE ELEMANLARI... I-..2 DİRENÇLİ AC DEVRE... I-..3 BOBİNLİ AC DEVRE... I-2..4 KONDANSATÖRLÜ AC DEVRE... I-3.2

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI DENEY FÖYÜ DENEY ADI FOTOVOLTAİK PANELLERİN ÇEŞİTLERİ VE ÖLÇÜMLERİ DERSİN ÖĞRETİM

Detaylı

İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER DERS NOTLARI

İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER DERS NOTLARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER DERS NOTLARI Hazırlayan: Öğr. Gör. Bora Döken 1 İÇİNDEKİLER Sayfa İÇİNDEKİLER... 2 1. OPAMP IN TANITILMASI... 2 1.1 Opamp Sembolü ve Terminalleri... 3 1.2 Opamp'ların Özellikleri...

Detaylı

olarak çalýºmasýdýr. AC sinyal altýnda transistörler özellikle çalýºacaklarý frekansa göre de farklýlýklar göstermektedir.

olarak çalýºmasýdýr. AC sinyal altýnda transistörler özellikle çalýºacaklarý frekansa göre de farklýlýklar göstermektedir. Transistorlu Yükselteçler Elektronik Transistorlu AC yükselteçler iki gurupta incelenir. Birincisi; transistorlu devreye uygulanan sinyal çok küçükse örneðin 1mV, 0.01mV gibi ise (örneðin, ses frekans

Detaylı

YAKIN DOĞU ÜNİVERSİTESİ. Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü ELE 210 BİLGİSAYAR UYGULAMALARI

YAKIN DOĞU ÜNİVERSİTESİ. Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü ELE 210 BİLGİSAYAR UYGULAMALARI YAKIN DOĞU ÜNİVERSİTESİ Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü ELE 210 BİLGİSAYAR UYGULAMALARI "ELEKTRONİK WORKBENCH(EWB)" İLE BİLGİSAYAR SİMÜLASYONU DENEY - 1 BASİT RESİSTOR AĞLARI Öğrenme Hedefleri(Deneyin

Detaylı

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : YAPILIŞ TARİHİ: GRUP ÜYELERİ : 1. 2. 3. DERSİN SORUMLU ÖĞRETİM ÜYESİ: Yrd. Doç.

Detaylı

2. DA DEVRELERİNİN ANALİZİ

2. DA DEVRELERİNİN ANALİZİ 2. DA DEVRELERİNİN ANALİZİ 1 Hatları birbirini kesmeyecek şekilde bir düzlem üzerine çizilebilen devrelere Planar Devre adı verilir. Hatlarında kesişme olan bazı devreler de (şekil-a) kesişmeleri yok edecek

Detaylı

9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR

9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR 9. ÜNİTE OHM KANUNU KONULAR 1. FORMÜLÜ 2. SABİT DİRENÇTE, AKIM VE GERİLİM ARASINDAKİ BAĞINTI 3. SABİT GERİLİMDE, AKIM VE DİRENÇ ARASINDAKİ BAĞINTI 4. OHM KANUNUYLA İLGİLİ ÖRNEK VE PROBLEMLER 9.1 FORMÜLÜ

Detaylı

Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/11) Akreditasyon Kapsamı

Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/11) Akreditasyon Kapsamı Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/11) Adresi : Sincan Organize Sanayi Bölgesi Büyük Selçuklu Bulvarı No:2/A 06930 ANKARA / TÜRKİYE Tel : 0 312 267 32 43 Faks : 0312 267 17 61 E-Posta : eldas@eldas.com.tr

Detaylı

ANALOG HABERLEŞME A GRUBU İSİM: NUMARA

ANALOG HABERLEŞME A GRUBU İSİM: NUMARA BÖLÜM 7 ÖRNEK SINAV SORULARI İSİM: NUMARA A GRUBU MERSİN ÜNİVERSİTESİ MMYO ANALOG HABERLEŞME DERSİ FİNAL SINAV SORULARI S-1 Bir GM lu sistemde Vmaxtepe-tepe10 V ve Vmin tepe-tepe6 V ise modülasyon yüzdesi

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı