DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 4. BÖLÜM
|
|
- Dilara Özgen
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 4. BÖLÜM OPTİK KAYNAKLAR
2 Fiber Optik Haberleşme için Kullanılan Başlıca Işık Kaynakları: Lazer Diyot : Çok eklemli (heterojunction) biçimlendirilmiş yarı iletken lazer diyotlar LED : Işık yayan diyotlar, (Light-Emitting Diode)
3 Lazer Diyotların ve LED lerin Kullanılmasının Sebepleri Yeterli çıkış gücü Doğrudan modüle edilebilme Yüksek verim Optik fiberle uyumlu boyut karakteristikleri
4 LED ve Lazer Diyotlar Arasındaki Temel Farklar Lazer diyottan alınan optik sinyal koherent ışıktır. LED den alınan optik sinyal koherent ışık değildir.
5 Koherent bir kaynakta; Optik sinyal, bir optik rezonatör (optical cavitiy) içerisinde üretilir. Spektral genişliği dar olan ışıma. Koherent olmayan bir kaynakta; P-N ekleminde ışık üretimi. Spektral genişliği çok yüksek olan ışıma.
6 Optik Dalga Kılavuzuyla Uyumlu Bir Optik Kaynak Seçiminde Fiberin Geometrisi Zayıflama spektrumu Grup hız dispersiyonu (GVD) Modal karakteristikleri (SMF, MMF) önemlidir. Optik kaynağın Gücü Spektral genişliği Işıma deseni Modülasyon yeteneği
7 Yarı İletken Fiziği ile ilgili konu başlıkları : Enerji bantları Katkısız (intrinsic) ve katkılı (extrinsic) madde pn eklemi Direkt ve endirekt bant aralıkları Yarı iletken cihaz imalatı
8 Katkısız (Intrinsic) ve Katkılı (Extrinsic) Malzemeler Katkısız malzemeler (Şekil 1.) Katkılı malzemeler n-tipi, V. Grup elementlerle katkılanmış (Şekil 2.) p-tipi, III. Grup elementlerle katkılanmış (Şekil 3.)
9 Yarıiletken Enerji Bandları Şekil 1. (a) Enerji-Seviyesi Diyagramları (b) Katkısız yarı iletken içindeki eşit elektron ve hol yoğunlukları
10 Intrinsic (Katkısız) Taşıyıcı Yoğunluğu n p n i K exp E 2k (2 BT / h ) ( memh K k g B ) T 3 4 T: Kelvin cinsinden sıcaklık k B : Boltzman sabiti h: Planck sabiti m e : Elektron etkin kütlesi m h : Hol etkin kütlesi Denklem 1.
11 Örnek K deki GaAs için aşağıdaki parametre değerleri veriliyor : Durgun elektron kütlesi m=9.11x10-32 kg. Etkin elektron kütlesi m e =0.068m=6.19x10-32 kg. Etkin hol kütlesi m h =0.56m=5.10x10-31 kg. Bant-aralığı enerjisi E g =1.42 ev Denklem 1. den katkısız taşıyıcı yoğunluğu : n i = 2.62x10 12 m -3 = 2.62x10 6 cm -3
12 N-tipi katkılanmış yarıiletken Şekil 2. (a) Bir n-tipi malzeme içindeki verici (donör) düzeyi (b) Donör katkılarının iyonlaşmasıyla arttırılmış elektron yoğunluğu dağılımı
13 P-tipi katkılanmış yarıiletken Şekil 3. (a) p-tipi malzemedeki alıcı (akseptör) düzeyi (b) Alıcı katkılarının iyonlaşmasıyla oluşan arttırılmış hol yoğunluğu dağılımı.
14 p-n eklemi Şekil 4. Bir pn eklemi boyunca elektron difüzyonu, Yüksz (boşaltılmış) bölge için bir potansiyel bariyeri (elektrik alan) meydana gelir.
15 tıkama yönünde kutuplama Şekil 5. Tıkama yönünde (reverse bias) kutuplama boşaltılmış bölgeyi genişletir, fakat azınlık taşıyıcılarının serbestçe taşınmasına izin verir.
16 ileri yönde kutuplama Şekil 6. İletim yönünde kutuplama ile (forward bias) azalan bariyer potansiyeli, çoğunluk taşıyıcılarının eklem boyunca yayılmalarına izin verir.
17 Direkt bant aralığı olan malzemede elektron geçişleri : Enerji ve momentum korunur. Şekil 7a. Bir direkt-bant aralıklı malzeme için elektron-hol yeniden birleşmesi ve foton yayılımıyla (emisyonuyla) sonuçlanması.
18 Endirekt bant aralığı olan malzemede elektron geçişleri : Enerji korunur, momentum korunmaz. Şekil 7b. Endirekt-bant-aralıklı malzemeler için elektron-hol yeniden birleşmesi enerjisi E ph ve momentumu K ph olan bir fonon gerektirir.
19 Yarı İletken Eleman Üretimi Subsrate (taban) üzerinde yarı iletken malzemelerin katmanlarını oluşturma Epitaxial Büyütme Tekniği (Epi = açık, taxix = düzenleme ) Bir malzemenin atomlarının başka bir malzeme üzerine yerleştirilmesi
20 Işık-Yayan Diyot : LED Daha basit elektronik sürücü devresi gerektirir. Daha düşük verimlidir. Düşük maliyetle üretilebilir.
21 Fiber optik haberleşme uygulamalarında kullanılan LED ler : Yüksek radyan çıkış açısına, Yüksek tepki hızına, Yüksek kuantum verimine sahip olmalıdır.
22 Şekil 8. (a) Tipik bir GaAlAs çift çok eklemli kaynağın kesiti. Bu yapıda taşıyıcı hapsetme ve optik kavuzlama yeteneği için x>y seçilmiştir. (b) Aktif bölgeyi gösteren enerji band diyagramı. elektron ve hol bariyerleri yük taşıyıcılarını aktif bölge içine hapseder. (c) Kırılma indisi değişimi. düşük kırılma indisli 1 ve 5 katmanları nedeniyle dalgaklavuzu etrafında bir optik bariyer oluşur.
23 Fiber optik haberleşmede kullanılan LED konfigürasyonları Yüzey yayılımlı ( Surface emitting LED) Kenar yayılımlı (Edge emitting LED)
24 Şekil 9. Bir yüksek-radyanslı yüzey-yayılımlı LED in şematik gösterimi. Aktif bölgenin alanı fiber öz çapı ile uyumlu olacak şekilde dairesel olarak sınırlandırılmıştır.
25 Şekil 10. Bir kenar-yayılımlı çift-heterojonksiyon LED in şematik gösterimi. Çıkış hüzmesi pn eklemi düzleminde lambertian dır ( 120 ) ve pn eklemine dik doğrultuda yüksek oranda yönlüdür. ( 30 )
26 Işık Kaynağı Malzemeleri Tek elementli yarı iletkenler Direkt bant aralığına sahip değil. İkili bileşikler, III. Grup elementleri (Al, Ga, In), V. Grup elementleri (P, As, Sb) Direkt bant aralığına sahip nm spektrumda üçlü alaşım: Ga 1-x Al x As Daha uzun dalgaboyu için dörtlü alaşım : In 1-x Ga x As y P 1-y
27 Şekil 11. Oda sıcaklığında Ga 1-x Al x As için alüminyum mol kesri x in bir fonksiyonu olarak bant-aralığı enerjisi ve çıkış dalgaboyu.
28 Şekil 12. x = 0.08 için Ga 1-x Al x As LED in ışıma spektrumu. Yarı-güçteki tam spektral genişliği 36 nm dir.
29 Enerji (E) - frekans (v) arasındaki temel kuantum-mekanik bağıntısı E hv hc (Joule) 1.24 ( m) E g (ev) 1 ev = 1.6*10^-19 Joule Denklem 3.
30 Şekil 13. Oda sıcaklığında kristal kafes aralığı ve diyot ışıma dalgaboyu arasındaki ilişki. Taralı alan dörtlü bileşik InGaAsP içindir. Yıldızla gösterilen (*) InP ile kafes-uyumlu In 0.8 Ga 0.2 As 0.35 P 0.65 içindir. ( E g 1.1eV )
31 aralığındaki x değerleri için GaAlAs ile elde edilen band aralığı enerjisi (deneysel) : E g x x (ev) Denklem 4. Örnek 3 : x = 0.07 ile Ga 1-x Al x As lazer için Denklem 4. den, E g = 1.51eV Denklem 3. den dalgaboyu λ = 0.82 μm
32 InP taban üzerine büyütülmüş In 1-x Ga x As y P 1-y alaşımlar için ev cinsinden bant aralığı enerjisi : E g 1.35 y 2.20x 0.72y ve 0.12y 2 0 x 0.47 Denklem 5. Bu malzeme alaşımı ile elde edilen dalgaboyu aralığı : m. Örnek 4: In 0.74 Ga 0.26 As 0.57 P 0.43 (x=0.26 ve y=0.57) alaşımı için Denklem 5. den Eg = 0.97 ev Denklem 3. den λ = 1.27μm
33 LED çıkış spektrumu Şekil nm deki kenar-yayılımlı (edge-emitting) ve yüzey-yayılımlı (surface-emitting) LED ler için tipik spektral dağılım. Artan dalgaboyu ile spektral genişlik artar, yüzey yayılımlı LED ler için daha geniştir.
34 LED in genel karakteristikleri : Geniş spektral çıkış ( nm) Optik çıkış güçleri -13 dbm den az (50 W) Sadece birkaç yüz Mbps e kadar modüle edilebilir. Lazer diyotlardan çok daha ucuz. LAN de yaygın bir şekilde kullanılır.
35 Kuantum verimi ve LED çıkış gücü Bir yarıiletken ışık kaynağında taşıyıcı enjeksiyonu ile (akımla) p tipi ve n tipi malzemede srasıyla fazlalık elektron ve holleri (azınlık taşıyıcıları) üretilir. Elektron n ve hol p taşıyıcı yoğunlukları eşittirler. Taşıyıcı enjeksiyonu durursa taşıyıcı yoğunluğu denge durumuna geri döner. Genellikle, fazlalık taşıyıcı yoğunluğu zamanla üstel olarak azalır : n n e 0 t n 0 = Başlangıçta enjekte olan fazlalık elektron yoğunluğu = Taşıyıcı ömrü Denklem 6.
36 Bir LED in oran denklemi Fazlalık taşıyıcıları ışınımlı veya ışınımsız olarak yeniden birleşirler. Işınımlı birleşmede band aralığı enerjisi olan hv e eşit enerjide bir foton yayılır. Işınımsız birleşmede ise enerji, aktif bölgede çeşitli şekillerde (ısı veya kinetik enerji vb.) harcanır. LED den sabit akım aktığında denge şartı sağlanmış olur. Yani yük nötrlüğü sağlandığı için elektron ve hol fazlalık yoğunlukları eşittir. LED in taşıyıcı yeniden birleşimi için oran denklemi : Toplam taşıyıcı üretim oranı = dışardan sağlanan taşıyıcı oranı termal taşıyıcı üretim oranı dn dt J qd Denklem 7. n J = akım yoğunluğu (A/cm 2 ) q = Elektron yükü (C) d = Birleşme bölgesinin kalınlığı (cm) n/ = Termal üretim oranı
37 Denge durumunda : n J qd Denklem 8. Bu bağıntı, LED içinden sabit bir akım akması durumu için aktif bölgedeki kalıcı hal elektron yoğunluğunu verir.
38 Dahili Kuantum Verimi (internal quantum efficiency) int R r R r R nr R r = Işınımlı birleşme oranı (birleşme/s) R nr = Işınımsız birleşme oranı (birleşme/s) Denklem 9.
39 Dahili Kuantum Verimi Fazlalık taşıyıcıların üstel azalması için ışınımlı ve ışınımsız birleşme ömürleri (s) : r n R r nr n R nr int 1 1 r nr r Denklem 10.
40 Toplam Birleşme Ömrü (recombination lifetime) r nr Denklem 11. Dahili kuantum verimleri : Basit tek eklemli LED ler için : int %50 Çift-çok eklemli (double heterojunction) LED ler için : 80 int %60
41 Eğer LED sürücü akımı I ise, toplam yeniden birleşme oranı : R r R I q Denklem 12. nr LED içerisinde üretilen optik güç : P int int I q hv int hci q Denklem 13.
42 Örnek 5. Bir çift çok eklemli InGaAsP LED, 1310 nm tepe dalgaboyunda sırasıyla 30 ns ve 100 ns ışınımlı ve ışınımsız birleşme sürelerine sahiptir. Sürücü akımı 40 ma ise toplam yeniden birleşme ömrü: Dahili kuantum verimi : r nr r nr ( ns) 23.1( ns) Denklem 13 de yerine konulursa P int int hci q 34 8 ( Js)(310 m / s)(0.040a) ( C)( m) mw
43 Şekil 15. Sadece kritik açıyla tanımlı bir koni içinden gelen ışık optik kaynaktan yayılabilir.
44 Harici Kuantum Verimi Harici kuantum verimi, LED den yayılan foton sayısının LED içerisinde üretilen foton sayısına oranıdır. ext c T( )(2 sin) d Denklem 14. T(Φ) = Fresnel iletim katsayısı (Fresnel transmissivity)
45 = 0 yani eksenel ışınlar için n1 = n ve n2 = 1 (hava) için T(0) 4n n Denklem 15. ( n1 n2) 4n T(0) ( n 1) 2 Denklem 16. Harici kuantum verimi : ext 1 n( n 1) 2 LED den yayılan optik güç : P ext P int Pint n( n 1) 2 Denklem 17.
46 Örnek 6. Bir LED de kullanılan yarıiletken malzemenin kırılma indisi n = 3.5 tur. Denklem 16.dan ext 1 3.5(3.5 1) %1.41 P P int
47 LED in Modülasyonu Bir LED in frekans tepkisi (bandgenişliği) için; Aktif bölgedeki katkılama oranı Yeniden birleşme bölgesine enjekte edilen taşıyıcıların ömrü (i ) LED in parazitik kapasitansı önemli parametrelerdir.
48 Sürücü akımı ω frekansında modüle edildiğinde, optik çıkış gücü : P( ) P 2 [1 ( ) ] 0 i 1/ 2 Denklem 18. P0 = Sıfır modülasyon frekansında yayılan güçtür. LED in modülasyon bandgenişliği elektriksel veya optik terimlerle ifade edilebilir. Normal olarak elektriksel bandgenişliği terimi kullanılır, çünki bandgenişliği gerçekte elektriksel devrelerle sınırlıdır. Modülasyon bandgenişliği : elektriksel sinyal gücü P() nın yarıya düştüğü frekans olarak tanımlanır.
49 Şekil 16. Bir optik kaynağın frekans tepkisi ile elektriksel ve optik 3-dB-bandgenişliği frekanslarının gösterimi.
50 P(ω) = I 2 (ω)*r den dolayı; ω frekansındaki elektriksel çıkış gücünün sıfır modülasyondaki (DC deki) güce oranı : 2 p( ) I ( ) Oran elektriksel 10log 10log 2 p(0) I (0) Denklem 19. I(ω) = Dedektör devresindeki elektrik akımı Elektriksel 3 db noktası, elektriksel gücün P(ω)=P(0)/2 olduğu frekansta meydana gelir : I I 2 2 ( ) (0) 1 2 veya I( ) I(0) Denklem 20. frekansındaki optik güç oranı, bu frekanstaki akım oranlarına eşittir. Oran optik P( ) I( ) 10log 10log P(0) I(0) Denklem 21.
51 Lazer Diyotlar
52 Şekil 17. Lazer etkisinde gerekli üç anahtar geçiş süreci. Açık daire elektronun başlangıç durumunu, kapalı son durumunu temsil eder. Her diyagramda solda gösterilen gelen fotonlar, sağda gösterilen yayılan fotonlar.
53 Şekil 18. Bir lazer diyot için Fabry-Perot resonatör oyuğu. Kısmen yansıtan ayna gibi yarılmış kristalin uç fonksiyonu. Arka yüzeydeki optik kaybı azaltmak için bir dielektrik yansıtıcıyla kaplanabilir. Not: Bir düşey elips şeklindeki lazerden çıkan ışık ışını, aktif alan yüzündeki lasing spotu düz olduğu halde bir yatay elipstir.
54 Şekil 19. Bir dağıtılmış-geri beslemeli (DFB) lazer diyotun yapısı.
55 Farklı lasing durumları ve rezonans frekansları için,elektrik alan fazörün koşullarında boyuna yönde yayılan elektromanyetik dalga ifadesi; E( z, t) I ( z) e j( t z) Denklem 22.
56 z uzaklığı boyunca içinden geçen lasing boşluğuyla eksponensiyel olarak artan bir foton enerjisindeki radyasyon yoğunluğu; I( z) I(0)exp g( hv) ( hv) z Denklem 23.
57 Gidiş dönüş sırasında, sadece optik radyasyonun R 1 ve R 2 oranları iki lazer sonundan (sırasıyla1 ve 2) yansıyandır. R n n 1 1 Denklem 24. n n R 1 ve R 2 ; Aynaların yansıtmaları veya Fresnel yansıma katsayılarıdır. İki madde arasındaki bir arayüzeyde ışığın yansıtması için n 1 ve n 2 kırılma indisine sahip.
58 Denklem 23. den gelen Lasing durumu; I( 2L) I(0) R1 R2 exp 2L g( hv) ( hv) Denklem 25.
59 Lasing eşiğinde, bir durgun-durum salınımı yer alır, ve geri dönen dalganın genlik ve fazı orijinal dalganınkiyle eşit olmalıdır. Bu koşul genlik için, I( 2L) I(0) Denklem 26. Ve faz için, e j2l 1 Denklem 27. Denklem 27. Fabry-Perot boşluğunun rezonans frekansı ile ilgili bilgi verir.
60 Lasing eşiğine hemen ulaşmak için koşul, oyuktaki toplam kayıp α t ye eşit optik kazançtaki noktadır. Denklem 26. dan bu koşul, g th t 1 2L ln 1 R R 1 2 end. Denklem 28. α end = Lasing boşluğundaki ayna kaybı.
61 Şekil 20. Optik çıkış gücü ve lazer diyotun sürme akımı arasındaki ilişki. Lasing eşiğinin aşağıda olduğu optik çıkış bir kendiliğinden LED-tipi yayılımdır.
62 Kuvvetli taşıyıcı sınırlandırmaya sahip lazer yapıların, kendiliğinden yayılım için eşik akım yoğunluğu olan J th denklemle lasing-eşiğiyle ilgili iyi bir yaklaşım yapılabilir, g J th th β, yapılan aygıta özel bir sabittir Denklem 29.
63 Lazer Diyot Oran Denklemleri Aktif bölgedeki elektron ve fotonların birbirini etkilemesi oran denklemleri tarafından tanımlanan sürüş akımı ve optik çıkış gücü arasındaki ilişki ile açıklanabilir.pn jonksiyonu taşıyıcı sınırlaması ile d nin derinliğiyle oran denklemleri şöyle çözülür. d dt Cn R sp (4-30) =uyarılmış emisyon + kendiliğinden oluşan emisyon + foton kayıpları ph dn dt J qd n (4-31) Cn =injeksiyon+ kendiliğinden oluşmuş yeniden birleşim +uyarılmış emisyon sp
64 n elektron sayısını verir.burada c bir katsayıdır.optik soğurum ve emisyonun etkileşimlerinin güç tanımlaması olarak kullanılır. lasing moddaki kendiliğinden oluşan emisyon oranı (toplam kendiliğinden R sp oluşan emisyon oranından daha küçük), foton ömrü, ph kendiliğinden oluşan yeniden birleşim ömrü ve J injeksiyon akım yoğunluğu. s 4-30 ve 4-31 denklemleri lazer oyuğundaki taşıyıcıların sayısını etkileyen faktörlerin tümü göz önünde bulundurarak eşitlenebilir.kararlı durumda bu denklemleri çözmek bize çıkış gücünün verimini açıklar ve 4-31 denklemlerini sıfıra eşitleriz. Pozitif olduğunda ( bu durumda küçüktür) yi ihmal edebiliriz. 1 Cn 0 ph R sp d dt
65 Bu bize yi yükseltmek için n nin bir başlangıç değeri n th ı aşması gerektiğini gösterir. =0 fotonun sayısı olduğu zaman kararlı durumda başlangıç akımı ın ihtiyaç duyduğu ters yüzey = n th ifade edilebilir. nth J th qd Bu açıklamalar bozulma mekanizmaları içindir ve aşırı sp elektron yoğunluğunu sürdürebilmek için gerekli akımı tanımlar.kararlı durumda foton ve elektron oran denklemlerini hesaba katarsak. n 0 Cn th R n th s sp s ph 0 J qd n th sp Cn th s için kararlı durum foton yoğunluğunu da hesaba katar çözersek birim hacimdeki herbir fotonun sayısal verisi: sp s i ph s ( J Jth) qd ph s İlk terim uyarı emisyonuyla sonuçlanan fotonların sayısıdır.ikinci terim kendiliğinden oluşan fotonları verir.
66 ext Harici Quantum Verimi Harici diferansiyel quantum verim orandır. Eşik değerlerini sabitlediğimizde kazanç katsayısını elde ederiz. = iç quantum verim oranıdır.oda sıcaklığında i ( g th ) yaklaşık değeri ext gth sürüş akımına karşılık gelen optik güç yayılımının eğrisinin kısmi doğrularından hesaplanır. ext i i 0,6 0,7 q E dp di elektron gerilimlerindeki band aralığı enerjisi. sürüş akımındaki adımsal değişiklik için mw lar seviyesinde yayılan Eoptik g güç cinsinden dalga boyudur.standart yarı iletkenler için quantum dp verimi% 15-20,yüksek kalitelilerde % arasındadır. ext m g dp( mw) ( m) di( ma)
67 ( e j2l 1) sabiti için için Rezonans Frekansları olduğu zaman sağlanır. Burada m bir katsayıdır. Yayılma 2L 2m 2n / kullanırsak.elde edilen frekansların bir oranı olarak elde ederiz.burada = Frekansın ve kazancın L 2Ln c v marasındaki ilişkiyi v gausyan dağılım formunda almak zorundayız. / 2n c spektrum merkezindeki dalga boyu. 2 ( 0 ) ( ) g(0) exp 2 kazancın spektral 2 genişliği. g 0 maxsimum kazançtır ve populasyonun tersiyle orantılıdır. Burada sadece boyuna modları dikkate alınmış bunun yanında birkaç enine mod da bulunabilir. Frekans aralıklarını bulmak için m ve m-1 tamsayıları tarafından elde edilen ve frekanslarının ardışık modları dikkate alınır. g(0) vm1 vm
68 Frekans aralıklarını bulmak için ; m m 2Ln c 1 vm 1 2Ln c m v m 2Ln 1 ( vm vm 1) c v v eşitliklerinin farkını alırız.bu durumda 2Ln v c ve frekans aralığı v eşitlik ilişkisini için kullanabiliriz ve, c 2Ln olarak hesaplanır. 2 2Ln elde ederiz. Kazanca karşı frekansın tipik krokisi şekildeki gibidir.modların tam sayıları, onların yükseklikleri ve aralıkları lazerin yapısına bağlıdır.
69 şekil. 4-21: Kazanç kılavuzlu GaAlAs/GaAs diyotun tipik spektrumu. n 3.7 Örnek:850 nm de çalıştırılan, Bir GaAs lazer 500 uzunluğunda ve kırılma indisi Frekans ve dalgaboyu aralıkları nedir? Eğer yarı güç noktası =2 nm ise kazancın spektral genişliği ne olur? 0 m
70 v c 2Ln v 2 2Ln =81 GHz =0.2 nm =1.70 nm 2 ( 0 ) g ( ) g(0) exp g( ) 0.5g(0) 2 2 Lazer Diyot Yapıları ve Işınım Modelleri Lazer diyotların verimli çalışabilmesi için heterojen katlar arasındaki taşıyıcı sınırlaması ve enine optik önemlidir. Akım akışı lazerin uzunluğu boyunca dar bir çizgi ile sınırlandırılmalıdır. Şekillerde üç temel optik sınırlama metotları gösterilmiştir.1 yapıda dar elektrot çizgisi ( bunun yapısı 8 den daha ) diyot uzunluğu buyuncadır. m Fiberin içindeki delikler ve elektronların injeksiyonu aktif bölgedeki kırılma indisini değiştirir.bu tür aygıtlar kazanç kılavuzlu lazerler olarak adlandırılır. 1. Yapıda optik güç 100 mv aştığında çok dengesizdirler 2. ve 3. yapılar çok daha dengeli yapılardır.
71 optik dalgalar için üç temel yapı: a) Kazanç kılavuzluda metalik çizgi teması yoluyla enjekte edilen elektronlar, aktif bölgenin kırılma indisini değiştirir b) pozitif indeks dalga kılavuzu, aktif bölgenin merkezi kısmında yüksek kırılma indisine sahip olur c) negatif indeks dalga kılavuzu, aktif bölgenin merkezi kısmında düşük kırılma indisine sahip olur.
72 2. ve 3. yapılarda farklı malzemelerin gerçek kırılma indislerindeki değişiklikler Lazerde yanal modlarda kontrol edilebilir. Bunlar kırılma kılavuzlu lazerler olarak adlandırılır. Bu yapılarda çeşitli materyalların gerçek kırıcı indeksinde değişimler, laser-de yanal modları kontrol ederler. Eğer özel indis kılavuzlu lazer sadece temel Enine ve temel boyuna mode dayanırsa bu tek modlu laser olarak bilinir. Yogunluk profilli çan biçiminde gaussian eğrili bu yöntem iyi ışınım yapar. İndis kılavuzlu lazerler dalga sınırlı yapılarda ya pozitif indise yada negatif indise sahiptir. Pozitif indis dalga kılavuzunda merkezi bölgesi daha yüksek bir kırılma indisine sahiptir. Böylece bütün kılavuzlanmış dalgalar dielektrik sınırında yansıtılır. Negatif indis dalga kılavuzunda, aktif katmanın merkezi bölgesi, dış bölgeden düşük kırıcı indeksine sahip olur. Dielektrik sınırlarında, ışığın parçası yansıtılır ve bundan sonrası, çevre materyal içinde kırılır ve kaybolur. İndeks kılavuzlu lazerler dört temel yapının herhangi birinde kullanılabilirler. Bunlar gizlenmiş heterojen yapılardır. Dar yassı ve yanları dik tepe. yüksek dirençli Kafes benzeri n tipi malzemenin içine ayrık band boşluğu ve düşük kırılma indisiyle gömülür. Bu durum yanal yüzeyde güçlü ışıkları doğurur. Bu temel yapının değişim miktarı yüksek performanslı lazer diyotların yapımında kullanılır.
73 a) kısa dalga boyu ( nm) GaAlAs b) uzun dalga boyu ( nm) InGaAsP gömülü heterojen yapılı lazer diyot
74 Seçici difüzyon konsantrasyonu şekil 4.24a da gösterilmiştir.burada kimyasal dopant aktif plakalar arasına difüz edilmiştir.dopant kırılma indisiyle değişir.şekil 4.24b de değişken kalınlıklı bir kanal yapı içine substrateler yapıştırılmıştır.şekil 4.24c de eğri tabaka yapısı gösterilmiştir.
75 Akım sınırlama metotları.
76 TEK MODLU LAZERLER Yüksek hızlı uzun mesafe iletim için sadece bit tek boyuna mod ve bir tek enine modu kapsayan tek modlu lazere ihtiyaç vardır. Bir uzunlamasına mod lazere sahip olmak için cde uzunluk L yi azaltmalıyız. L nin 250 den 25 m ye m v 2Ln düşürülmesiyle mod aralıkları 1 nm den 10nm ye yükselir. VCSEL veya VCL dik oyuklu yüzey yalıtımlı lazerdir. VCSEL de ayna sistemi kullanılmıştır.
77 Şekil 4-28 de ise yerleşik bir frekans seçici reflektörün kullanıldığı üç çeşit lazer düzeni gösterilmiştir. Her bir durumda frekans seçici reflaktör aktif bölgeye bitişik pasif bir dalga kılavuzu tabaka olan oluklu bir ızgaradır. Optik dalga bu ızgaraya paralel olarak yayılır. Bir faz ızgarası aslında periyodik olarak değişen kırılma indisine ait bir bölgededir ki bu da karşılıklı yayılan ve dolaşan iki dalganın birleşmesine sebep olur. ye yakın olan dalga boyları için bu birleşme en üst noktadadır. Buda olukların periyodu ile ilgilidir. B B 2 n e k Burada modun etkili kırılma indisidir ve k da ızgaranın dizilişidir.birinci sıradaki ızgaralar (k=1) en güçlü birleşmeyi sağlar. Yayılmış geribeslemeli lazerlerde (DFB) dalga boyu seçicisi için olan ızgara tamamıyla aktif olan bölge üzerine kurulur. Şekil 4-29 da gösterildiği gibi ideal bir DFB lazerinde boylamsal modlar simetrik olarak etrafında dalga boylarında yerleştirilmiştir ki buda ; n e B B 2n 2 B e L e ( m 1 ) 2
78 olarak verilmiştir.burada m=0,1,2,3, mod sırasıdır ve Lise e etkili ızgara uzunluğudur. Yayılmış Bragg reflektörü (DBR) lazeri için ızgara lazerin normal aktif tabakasının uçlarına yerleştirilir ki buda Fabry-Perot optik rezanatör içinde kullanılan bölünmüş uç aynalarının yerini alır. Yayılmış reflektör lazeri aktif ve pasif yayılmış reflektörler içerir. ( Şekil 4 28c). Bu yapı geleneksel DFB ve DBR lasing özelliklerini geliştirir ve yüksek bir randıman ve yüksek üretim yeterliliği sağlar.
79 Frekans seçici reflektörün kullanıldığı fiber yapıları a) DFB Yayılmış geribeslemeli lazer b) DBR Yayılmış-Bragg reflektör. c) DR Yayılmış reflektör
80 LAZER DİYOT MODÜLASYONU Işık dalgası üzerine bilgilerin yüklenme süreci modulasyon olarak adlandırılır. Bu durum ya direk olarak lazer akımını bilgi dalgası ile değiştirerek değişken optik bir çıkış gücü üretmek suretiyle yada harici bir modülatör kullanarak lazerle yayılan sabit optik güç sınırını düzenlemek suretiyle gerçekleştirilir. Harici modülasyon yüksek hızdaki sistemlerde cızırtı gibi istenilmeyen ve doğrusal olmayan etkileri en aza indirmek için gereklidir CD-ROM doğrudan ve harici modulasyonu çeşitli parça oranları açısından karşılaştıran bir similasyon modülü içerir. Lazer diyotların doğrudan modülasyon oranı üzerindeki ana limit kendiliğinden ve uyarılmış taşıyıcı ömrüne ve foton ömrüne bağlıdır. Bir Fabry-Perot boşluk içinde,foton ömrü; c 1 1 ph ( In ) g th n 2L R1R2 n 1 şeklindedir. c
81 Bir lazer diyotu kolaylıkla darbe modülasyonlu olabilir çünkü foton ömrü taşıyıcı ömründen çok daha küçüktür. Her darbeden sonra eğer lazer tamamıyla kapatılırsa kendiliğinden oluşan taşıyıcı ömür modülasyon oranını sınırlayacaktır. Bunun nedeni ; nin genliğinin I akım darbesinin başlangıcı aşağıdaki gibi verilen zaman dilimi p süreci; t d In I p ( I B I th : Bias akımıdır ) : Toplam akım e yakın olduğunda ortalama birleşme bölgesindeki taşıyıcıların Iömürleridir. th Direk olarak modüle edilmiş bir lazer diyotunu yüksek hızdaki iletim sistemleri için kullanırken modülasyon frekansı lazer alanının osilasyonlarının sıklığından daha fazla olamaz. Osilasyon hem kendiliğinden oluşan ömre hemde foton ömrüne bağlıdır. Osilasyon yaklaşık olarak p I I I B I p I B f 1 2 ( sp 1 ph ) I 1 ( 1) 2 1 / 2 I th
82 3 GHz de osilasyon tepe değerine sahip bir lazer örneği şekil de gösterilmistir.300 lik lazer için yaklaşık 1 ns ve sp m ph 2 ps nin üzerinde olduğu için injeksiyon akımı eşik akımının yaklaşık iki katıdır ve maksimum modülasyon frekansı birkaç GHz dir.
83 SICAKLIK ETKİLERİ Lazer diyotların uygulamasında en önemli etken olmasıdır. Isı değişimi deneysel olarak; ın ısıya bağlı I th Şekilde :sabit :Oransal ısı hassaslığının Ölçüsü I th T ( T) I e O I z Z T T 0 I th
BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)
BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda
DetaylıYarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;
1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun
DetaylıOptik Yükselteç (OA) Nedir?
Optik Yükselteç (OA) Nedir? Işığı kendi ortamında yükseltme arayışlarından doğan, optik alan içindeki ışık sinyalini, herhangi bir elektronik değişime ihtiyaç duymadan yükselten cihazdır. 1 Lazer ile optik
Detaylı1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Yarı İletken Diyotlar 1.1 Giriş 1.2. Yarı İletkenlerde Akım Taşıyıcılar 1.3. N tipi ve P tipi Yarı İletkenlerin Oluşumu 1.4. P-N Diyodunun Oluşumu 1.5. P-N Diyodunun Kutuplanması
DetaylıYarıiletken Optoelektronik Devre Elemanları. 2008 HSarı 1
Yarıiletken Otoelektronik Devre Elemanları 2008 HSarı 1 Otoelektronik Devre Elemanları -n Eklemlerinin Otoelektronik Uygulamaları Işık Üreteçler» Işık Yayan Diyotlar (LED)» Lazerler Işık Dönüştürücüler»
DetaylıDUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 13. BÖLÜM FİBER OPTİK ÖLÇÜMLERİ
DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 13. BÖLÜM FİBER OPTİK ÖLÇÜMLERİ KONULAR test ekipmanları zayıflama ölçümleri dispersiyon ölçümleri OTDR saha uygulamaları eye paternleri
DetaylıBÖLÜM I GİRİŞ (1.1) y(t) veya y(x) T veya λ. a t veya x. Şekil 1.1 Dalga. a genlik, T peryod (veya λ dalga boyu)
BÖLÜM I GİRİŞ 1.1 Sinyal Bir sistemin durum ve davranış bilgilerini taşıyan, bir veya daha fazla değişken ile tanımlanan bir fonksiyon olup veri işlemde dalga olarak adlandırılır. Bir dalga, genliği, dalga
DetaylıElektromanyetik Dalga Teorisi Ders-3
Elektromanyetik Dalga Teorisi Ders-3 Faz ve Grup Hızı Güç ve Enerji Düzlem Dalgaların Düzlem Sınırlara Dik Gelişi Düzlem Dalgaların Düzlem Sınırlara Eğik Gelişi Dik Kutuplama Paralel Kutuplama Faz ve Grup
DetaylıWaveguide to coax adapter. Rectangular waveguide. Waveguide bends
Rectangular waveguide Waveguide to coax adapter Waveguide bends E-tee 1 Dalga Kılavuzları, elektromanyetik enerjiyi kılavuzlayan yapılardır. Dalga kılavuzları elektromanyetik enerjinin mümkün olan en az
DetaylıModern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları
40 Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 1 Test 1 in Çözümleri 1. USG ve MR cihazları ile ilgili verilen bilgiler doğrudur. BT cihazı c-ışınları ile değil X-ışınları ile çalışır. Bu nedenle I ve II.
DetaylıHazırlayan: Tugay ARSLAN
Hazırlayan: Tugay ARSLAN ELEKTRİKSEL TERİMLER Nikola Tesla Thomas Edison KONULAR VOLTAJ AKIM DİRENÇ GÜÇ KISA DEVRE AÇIK DEVRE AC DC VOLTAJ Gerilim ya da voltaj (elektrik potansiyeli farkı) elektronları
DetaylıTemel Elektrik Elektronik. Seri Paralel Devrelere Örnekler
Temel Elektrik Elektronik Seri Paralel Devrelere Örnekler Temel Elektrik Elektronik Seri Paralel Devrelere Örnekler Temel Elektrik Elektronik Yarıiletken Elemanlar Kullandığımız pek çok cihazın üretiminde
DetaylıOptik Özellikler. Elektromanyetik radyasyon
Optik Özellikler Işık malzeme üzerinde çarptığında nasıl bir etkileşme olur? Malzemelerin karakteristik renklerini ne belirler? Neden bazı malzemeler saydam ve bazıları yarısaydam veya opaktır? Lazer ışını
DetaylıAtomlar, dış yörüngedeki elektron sayısını "tamamlamak" üzere, aşağıdaki iki yoldan biri ile bileşik oluştururlar:
ATOMUN YAPISI VE BAĞLAR Atomun en dış yörüngesinde dönen elektronlara valans elektronlara adi verilir (valance: bağ değer). Bir atomun en dış yörüngesinde 8'e yakın sayıda elektron varsa, örnek klor: diğer
DetaylıValans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.
Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
Detaylıİstatistiksel Mekanik I
MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için
DetaylıALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ
ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ Spektroskopiye Giriş Yrd. Doç. Dr. Gökçe MEREY SPEKTROSKOPİ Işın-madde etkileşmesini inceleyen bilim dalına spektroskopi denir. Spektroskopi, Bir örnekteki atom, molekül veya iyonların
DetaylıŞekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi
FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim
DetaylıEndüstriyel Sensörler ve Uygulama Alanları Kalite kontrol amaçlı ölçme sistemleri, üretim ve montaj hatlarında imalat sürecinin en önemli aşamalarındandır. Günümüz teknolojisi mükemmelliği ve üretimdeki
DetaylıA.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ 5. HAFTA
A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ 5. HAFTA İçindekiler 3. Nesil Güneş Pilleri Çok eklemli (tandem) güneş pilleri Kuantum parçacık güneş pilleri Organik Güneş
DetaylıOptoelektronik Tümleşik Devreler. 2008 HSarı 1
Optoelektronik Tümleşik Devreler 2008 HSarı 1 Kaynaklar: R. G. Hunsperger, Integrated Optics: Theory and Technology, 3rd Edition, Springer Series in Optical Science, Springer-Verlag, 1991 2008 HSarı 2
DetaylıDoç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü. Ders içeriği
ANTENLER Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü Ders içeriği BÖLÜM 1: Antenler BÖLÜM 2: Antenlerin Temel Parametreleri BÖLÜM 3: Lineer Tel Antenler BÖLÜM 4: Halka Antenler
DetaylıFotovoltaik Teknoloji
Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 4: Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri Fotovoltaik Hücre Fotovoltaik Etki Yarıiletken Fiziğin Temelleri Atomik Yapı Enerji Bandı Diyagramı Kristal Yapı Elektron-Boşluk Çiftleri
Detaylı1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar Konunun Özeti * Diyotlar yapım tekniğine bağlı olarak; Nokta temaslı diyotlar,
DetaylıHarici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti
Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre
Detaylıİki Aşamalı C Band Ebrium Katkılı Fiber Yükselteçlerde (EKFY) Kazanç Düzeltmek İçin Uzun Periyotlu Fiber Izgara Kullanılması
İki Aşamalı C Band Ebrium Katkılı Fiber Yükselteçlerde (EKFY) Kazanç Düzeltmek İçin Uzun Periyotlu Fiber Izgara Kullanılması Haluk Tanrıkulu tanrikul@metu.edu.tr ÖZET Ebrium Katkılı Fiber Yükselteç (EKFY)
DetaylıAkım ve Direnç. Bölüm 27. Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç
Bölüm 27 Akım ve Direnç Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç Öğr. Gör. Dr. Mehmet Tarakçı http://kisi.deu.edu.tr/mehmet.tarakci/ Elektrik Akımı Elektrik yüklerinin
DetaylıELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5
ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 İletim Hatları İLETİM HATLARI İletim hatlarının tarihsel gelişimi iki iletkenli basit hatlarla (ilk telefon hatlarında olduğu gibi) başlamıştır. Mikrodalga enerjisinin
DetaylıEnerji Band Diyagramları
Yarıiletkenler Yarıiletkenler Germanyumun kimyasal yapısı Silisyum kimyasal yapısı Yarıiletken Yapım Teknikleri n Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi p Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi Yarıiletkenlerde
Detaylı12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri
12. Ders Yarıiletkenlerin lektronik Özellikleri T > 0 o K c d v 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Yalıtkan, yarıiletken, iletken, Doğrudan (direk) ve dolaylı (indirek) bant aralığı, tkin kütle, devingenlik,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıRADYASYON ÖLÇÜM YÖNTEMLERİ DERS. Prof. Dr. Haluk YÜCEL RADYASYON DEDEKSİYON VERİMİ, ÖLÜ ZAMAN, PULS YIĞILMASI ÖZELLİKLERİ
RADYASYON ÖLÇÜM YÖNTEMLERİ Prof. Dr. Haluk YÜCEL 101516 DERS RADYASYON DEDEKSİYON VERİMİ, ÖLÜ ZAMAN, PULS YIĞILMASI ÖZELLİKLERİ DEDEKTÖRLERİN TEMEL PERFORMANS ÖZELLİKLERİ -Enerji Ayırım Gücü -Uzaysal Ayırma
Detaylı6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır.
6. Osiloskop Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. Osiloskoplar üç gruba ayrılabilir; 1. Analog osiloskoplar 2. Dijital osiloskoplar
DetaylıAMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim
DetaylıATOMİK YAPI. Elektron Yükü=-1,60x10-19 C Proton Yükü=+1,60x10-19 C Nötron Yükü=0
ATOMİK YAPI Elektron Yükü=-1,60x10-19 C Proton Yükü=+1,60x10-19 C Nötron Yükü=0 Elektron Kütlesi 9,11x10-31 kg Proton Kütlesi Nötron Kütlesi 1,67x10-27 kg Bir kimyasal elementin atom numarası (Z) çekirdeğindeki
DetaylıYTÜ Makine Mühendisliği Bölümü Termodinamik ve Isı Tekniği Anabilim Dalı Özel Laboratuvar Dersi Radyasyon (Işınım) Isı Transferi Deneyi Çalışma Notu
YTÜ Makine Mühendisliği Bölümü Termodinamik ve Isı Tekniği Anabilim Dalı Özel Laboratuvar Dersi Radyasyon (Işınım) Isı Transferi Deneyi Çalışma Notu Laboratuar Yeri: E1 Blok Termodinamik Laboratuvarı Laboratuar
DetaylıKARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1
KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik
DetaylıFİZ4001 KATIHAL FİZİĞİ-I
FİZ4001 KATIHAL FİZİĞİ-I Bölüm 3. Örgü Titreşimleri: Termal, Akustik ve Optik Özellikler Dr. Aytaç Gürhan GÖKÇE Katıhal Fiziği - I Dr. Aytaç Gürhan GÖKÇE 1 Bir Boyutlu İki Atomlu Örgü Titreşimleri M 2
DetaylıT.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU
T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV
DetaylıIşığın Modülasyonu. 2008 HSarı 1
şığın Mdülasynu 008 HSarı 1 Ders İçeriği Temel Mdülasyn Kavramları LED şık Mdülatörler Elektr-Optik Mdülatörler Akust-Optik Mdülatörler Raman-Nath Tipi Mdülatörler Bragg Tipi Mdülatörler Magnet-Optik Mdülatörler
DetaylıElektromanyetik Dalga Teorisi
Elektromanyetik Dalga Teorisi Ders-2 Dalga Denkleminin Çözümü Düzlem Elektromanyetik Dalgalar Enine Elektromanyetik Dalgalar Kayıplı Ortamda Düzlem Dalgalar Düzlem Dalgaların Polarizasyonu Dalga Denkleminin
DetaylıKABLOSUZ İLETİŞİM
KABLOSUZ İLETİŞİM 805540 MODÜLASYON TEKNİKLERİ FREKANS MODÜLASYONU İçerik 3 Açı modülasyonu Frekans Modülasyonu Faz Modülasyonu Frekans Modülasyonu Açı Modülasyonu 4 Açı modülasyonu Frekans Modülasyonu
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıT.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları
T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232
Detaylıİletken, Yalıtkan ve Yarı İletken
Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Deney No: 7 Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü Mikrodalga ve İletişim Lab. OPTİK FİBERLERDE ÖLÇMELER
KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Deney No: 7 Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü Mikrodalga ve İletişim Lab. TEMEL BİLGİLER: OPTİK FİBERLERDE ÖLÇMELER İnformasyon taşıyıcısı olarak ışık,
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıATOMİK YAPI. Elektron Yükü=-1,60x10-19 C Proton Yükü=+1,60x10-19 C Nötron Yükü=0
ATOMİK YAPI Atom, birkaç türü birleştiğinde çeşitli molekülleri, bir tek türü ise bir kimyasal öğeyi oluşturan parçacıktır. Atom, elementlerin özelliklerini taşıyan en küçük yapı birimi olup çekirdekteki
DetaylıBölüm 8: Atomun Elektron Yapısı
Bölüm 8: Atomun Elektron Yapısı 1. Elektromanyetik Işıma: Elektrik ve manyetik alanın dalgalar şeklinde taşınmasıdır. Her dalganın frekansı ve dalga boyu vardır. Dalga boyu (ʎ) : İki dalga tepeciği arasındaki
DetaylıDÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 1.
DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 1. DENEY GENLİK MODÜLASYONUNUN İNCELENMESİ-1 Arş. Gör. Osman
DetaylıANALOG HABERLEŞME (GM)
ANALOG HABERLEŞME (GM) Taşıyıcı sinyalin sinüsoidal olduğu haberleşme sistemidir. Sinüs işareti formül olarak; V. sin(2 F ) ya da i I. sin(2 F ) dır. Formülde; - Zamana bağlı değişen ani gerilim (Volt)
DetaylıDİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı 1. Deneyin Amacı DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot çeşitlerinin
DetaylıElektromanyetik Işıma Electromagnetic Radiation (EMR)
Elektromanyetik Işıma Electromagnetic Radiation (EMR) Elektromanyetik ışıma (ışık) bir enerji şeklidir. Işık, Elektrik (E) ve manyetik (H) alan bileşenlerine sahiptir. Light is a wave, made up of oscillating
DetaylıMIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu. 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar
MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için http://ocw.mit.edu/terms ve http://tuba.acikders.org.tr
DetaylıBölüm 3. Tek Serbestlik Dereceli Sistemlerin Zorlanmamış Titreşimi
Bölüm 3 Tek Serbestlik Dereceli Sistemlerin Zorlanmamış Titreşimi Sönümsüz Titreşim: Tek serbestlik dereceli örnek sistem: Kütle-Yay (Yatay konum) Bir önceki bölümde anlatılan yöntemlerden herhangi biri
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıTheory Tajik (Tajikistan)
Q3-1 Büyük Hadron Çarpıştırıcısı Bu probleme başlamadan önce ayrı bir zarfta verilen genel talimatları lütfen okuyunuz. Bu görevde, CERN de bulunan parçacık hızlandırıcısının LHC ( Büyük Hadron Çarpıştırıcısı)
DetaylıUBT Foton Algılayıcıları Ara Sınav Cevap Anahtarı Tarih: 22 Nisan 2015 Süre: 90 dk. İsim:
UBT 306 - Foton Algılayıcıları Ara Sınav Cevap Anahtarı Tarih: 22 Nisan 2015 Süre: 90 dk. İsim: 1. (a) (5) Radyoaktivite nedir, tanımlayınız? Bir radyoizotopun aktivitesi (A), izotopun birim zamandaki
DetaylıGÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM
GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel
DetaylıIşıma Şiddeti (Radiation Intensity)
Işıma Şiddeti (Radiation Intensity) Bir antenin birim katı açıdan yaydığı güçtür U=Işıma şiddeti [W/sr] P or =Işıma yoğunluğu [ W/m 2 ] Örnek-4 Bir antenin güç yoğunluğu Olarak verildiğine göre, ışıyan
DetaylıGamma Bozunumu
Gamma Bozunumu Genelde beta ( ) ve alfa ( ) bozunumu sonunda çekirdek uyarılmış haldedir. Uyarılmış çekirdek gamma ( ) salarak temel seviyeye döner. Gamma görünür ışın ve x ışını gibi elektromanyetik radyasyon
DetaylıANALOG FİLTRELEME DENEYİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının
DetaylıIşınım ile Isı Transferi Deneyi Föyü
Işınım ile Isı Transferi Deneyi Föyü 1. Giriş Işınımla (radyasyonla) ısı transferi ve ısıl ışınım terimleri, elektromanyetik dalgalar ya da fotonlar (kütlesi olmayan fakat enerjiye sahip parçacıklar) vasıtasıyla
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
DetaylıSİSMİK PROSPEKSİYON DERS-2 DOÇ.DR.HÜSEYİN TUR
SİSMİK PROSPEKSİYON DERS-2 DOÇ.DR.HÜSEYİN TUR SİSMİK DALGA NEDİR? Bir deprem veya patlama sonucunda meydana gelen enerjinin yerkabuğu içerisinde farklı nitelik ve hızlarda yayılmasını ifade eder. Çok yüksek
DetaylıProf. Dr. H. SELÇUK VAROL OPTOELEKTRON"K & F"BER OPT"K
I Prof. Dr. H. SELÇUK VAROL MUSTAFA YA!IMLI OPTOELEKTRON"K & F"BER OPT"K II Yayın No : 2017 Teknik Dizisi : 126 1. Bası A!ustos 2008 - "STANBUL ISBN 978-975 - 295-914 - 9 Copyright Bu kitabın bu basısı
DetaylıRF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ
RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama
DetaylıElektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,
YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum
DetaylıTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi. chem.libretexts.org
9. Atomun Elektron Yapısı Elektromanyetik ışıma (EMI) Atom Spektrumları Bohr Atom Modeli Kuantum Kuramı - Dalga Mekaniği Kuantum Sayıları Elektron Orbitalleri Hidrojen Atomu Orbitalleri Elektron Spini
DetaylıKuantum Fiziğinin Gelişimi (Quantum Physics) 1900 den 1930 a
Kuantum Fiziğinin Gelişimi (Quantum Physics) 1900 den 1930 a Kuantum Mekaniği Düşüncesinin Gelişimi Dalga Mekaniği Olarak da Adlandırılır Atom, Molekül ve Çekirdeği Açıklamada Oldukça Başarılıdır Kuantum
DetaylıFİZ217 TİTREŞİMLER VE DALGALAR DERSİNİN 2. ARA SINAV SORU CEVAPLARI
1) Gerilmiş bir ipte enine titreşimler denklemi ile tanımlıdır. Değişkenlerine ayırma yöntemiyle çözüm yapıldığında için [ ] [ ] ifadesi verilmiştir. 1.a) İpin enine titreşimlerinin n.ci modunu tanımlayan
DetaylıYARIİLETKEN LAZERLERDE YÜKLÜ TAŞIYICILARIN ENERJİ DURUMLARININ İNCELENMESİ
PAMUKKALE ÜNİ VERSİ TESİ MÜHENDİ SLİ K FAKÜLTESİ YIL PAMUKKALE UNIVERSITY ENGINEERING COLLEGE CİLT MÜHENDİ SLİ K B İ L İ MLERİ DERGİ S İ SAYI JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES SAYFA : 00 : 8 : : 155-160
DetaylıOPTİK HABERLEŞMEDE YARIİLETKEN TABANLI AYGIT TEKNOLOJİSİ
OPTİK HABERLEŞMEDE YARIİLETKEN TABANLI AYGIT TEKNOLOJİSİ AYŞE EROL İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ FEN FAKÜLTESİ FİZİK BÖLÜMÜ ayseerol@istanbul.edu.tr V. Fizik Çalıştayı - 19 Şubat 2015 2 Nano- ve Optoelektronik
DetaylıHareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu
Akım ve Direnç Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız tartışmalar durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik yüklerinin hareket halinde olduğu durumları inceleyeceğiz.
DetaylıA.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ 3. HAFTA
A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ 3. HAFTA İçindekiler 1.Nesil Güneş Pilleri Tek Kristalli Güneş Pilleri Çok Kristalli Güneş Pilleri 1. Tek Kristal Silisyum Güneş
DetaylıİÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR...
İÇİNDEKİLER Bölüm 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... 1 1.1 Katıhal... 1 1.1.1 Kristal Katılar... 1 1.1.2 Çoklu Kristal Katılar... 2 1.1.3 Kristal Olmayan (Amorf) Katılar... 2 1.2 Kristallerde Periyodiklik... 2
DetaylıELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ
DetaylıSICAKLIK ALGILAYICILAR
SICAKLIK ALGILAYICILAR AVANTAJLARI Kendisi güç üretir Oldukça kararlı çıkış Yüksek çıkış Doğrusal çıkış verir Basit yapıda Doğru çıkış verir Hızlı Yüksek çıkış Sağlam Termokupldan (ısıl İki hatlı direnç
Detaylıtayf kara cisim ışınımına
13. ÇİZGİ OLUŞUMU Yıldızın iç kısımlarından atmosfere doğru akan ışınım, dalga boyunun yaklaşık olarak sürekli bir fonksiyonudur. Çünkü iç bölgede sıcaklık gradyenti (eğimi) küçüktür ve madde ile ışınım
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıDENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri
DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri DENEYİN AMACI :Darbe Genişlik Demodülatörünün çalışma prensibinin anlaşılması. Çarpım detektörü kullanarak bir darbe genişlik demodülatörünün gerçekleştirilmesi.
Detaylıİletişim Ağları Communication Networks
İletişim Ağları Communication Networks Hazırlayan: M. Ali Akcayol Gazi Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Bu dersin sunumları, Behrouz A. Forouzan, Data Communications and Networking 4/E, McGraw-Hill,
DetaylıAhenk (Koherans, uyum)
Girişim Girişim Ahenk (Koherans, uyum Ahenk (Koherans, uyum Ahenk (Koherans, uyum http://en.wikipedia.org/wiki/coherence_(physics#ntroduction Ahenk (Koherans, uyum Girişim İki ve/veya daha fazla dalganın
DetaylıWR1001JL-TD FTTB NODE
WR1001JL-TD FTTB NODE Hangzhou Prevail Optoelectronic Equipment Co., Ltd. 2015. 1( Versiyon 1) 1. Ürün Özeti WR1001JL-TD optik alıcı son 1GHz FTTB iki yönlü optik alıcımızdır. Optik gücü geniş alanda alması
DetaylıTEMEL İNŞAATI ŞERİT TEMELLER
TEMEL İNŞAATI ŞERİT TEMELLER Kaynak; Temel Mühendisliğine Giriş, Prof. Dr. Bayram Ali Uzuner 1 2 Duvar Altı (veya Perde Altı) Şerit Temeller (Duvar Temelleri) 3 Taş Duvar Altı Şerit Temeller Basit tek
DetaylıDÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3.
DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3. DENEY AÇI MODÜLASYONUNUN İNCELENMESİ-1 Arş. Gör. Osman DİKMEN
DetaylıOptik Modülatörlerin Analizi ve Uygulamaları Analysis of the Optical Modulators and Applications
Optik Modülatörlerin Analizi ve Uygulamaları Analysis of the Optical Modulators and Applications Gizem Pekküçük, İbrahim Uzar, N. Özlem Ünverdi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Yıldız Teknik
DetaylıOptik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters
Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Gizem Pekküçük, İbrahim Uzar, N. Özlem Ünverdi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Yıldız Teknik Üniversitesi gizem.pekkucuk@gmail.com,
DetaylıDENEY 2. IŞIK TAYFI VE PRİZMANIN ÇÖZÜNÜRLÜK GÜCÜ
DENEY 2. IŞIK TAYFI VE PRİZMANIN ÇÖZÜNÜRLÜK GÜCÜ Amaç: - Kırılma indisi ile dalgaboyu arasındaki ilişkiyi belirleme. - Cam prizmaların çözünürlük gücünü hesaplayabilme. Teori: Bir ortamın kırılma indisi,
DetaylıBir antenin birim katı açıdan yaydığı güçtür. U=Işıma şiddeti [W/sr] P or =Işıma yoğunluğu [ W/m 2 ]
Işıma Şiddeti (Radiation Intensity) Bir antenin birim katı açıdan yaydığı güçtür U=Işıma şiddeti [W/sr] P or =Işıma yoğunluğu [ W/m 2 ] Örnek-4 Bir antenin güç yoğunluğu Olarak verildiğine göre, ışıyan
Detaylı11. SINIF SORU BANKASI. 2. ÜNİTE: ELEKTRİK VE MANYETİZMA 6. Konu ALTERNATİF AKIM VE TRANSFORMATÖRLER TEST ÇÖZÜMLERİ
. SINIF SORU BANKASI. ÜNİTE: EEKTRİK VE MANYETİZMA 6. Konu ATERNATİF AKIM VE TRANSFORMATÖRER TEST ÇÖZÜMERİ 6 Alternatif Akım ve Transformatörler Test in Çözümleri. Alternatif gerilim denklemi; V sinrft
Detaylı1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)
Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir
DetaylıBölüm 7 FM Modülatörleri
Bölüm 7 FM Modülatörleri 7.1 AMAÇ 1. Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi 2. Gerilim kontrollü osilatörün(vco) çalışma prensibinin anlaşılması. 3. Gerilim kontrollü osilatör
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
Detaylı1. AMAÇ Işınımla ısı transferi olayının tanıtılması, Stefan-Boltzman kanunun ve ters kare kanunun gösterilmesi.
IŞINIMLA ISI TRANSFERİ 1. AMAÇ Işınımla ısı transferi olayının tanıtılması, Stefan-Boltzman kanunun ve ters kare kanunun gösterilmesi. 2. TEORİ ÖZETİ Elektromanyetik dalgalar şeklinde veya fotonlar vasıtasıyla
Detaylı1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları
1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik
DetaylıAKDENİZ ÜNİVERSİTESİ. Anten Parametrelerinin Temelleri. Samet YALÇIN
AKDENİZ ÜNİVERSİTESİ Anten Parametrelerinin Temelleri Samet YALÇIN Anten Parametrelerinin Temelleri GİRİŞ: Bir antenin parametrelerini tanımlayabilmek için anten parametreleri gereklidir. Anten performansından
DetaylıAnkara Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 7. Hafta. Aysuhan OZANSOY
FİZ102 FİZİK-II Ankara Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 7. Hafta Aysuhan OZANSOY Bölüm 6: Akım, Direnç ve Devreler 1. Elektrik Akımı ve Akım Yoğunluğu 2. Direnç ve Ohm Kanunu 3. Özdirenç 4. Elektromotor
Detaylı