DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI"

Transkript

1 DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi, alçak ve yüksek frekanslardaki küçük işaret eşdeğer modellerinin incelenmesidir. B. Temel Bilgiler Bir kuvvetlendiricinin kazancı, girişine uygulanan AC işaretin frekansına da bağlıdır. Kuvvetlendiricilerde, katlar arasında kullanılan kuplaj ve köprüleme kapasiteleri her ne kadar orta ve yüksek frekanslı AC işaretler için kısa devre kabul edilse de (X C ; frekans büyüklüğü ile ters orantılı olarak değişir. Yüksek frekanslarda X C değeri düşecek ve kapasitör kısa devre davranışı gösterecektir.) düşük frekanslardaki kapasitif reaktanslarından dolayı dikkate alınmaları gerekir. Yüksek frekanslarda çalışırken kuvvetlendiricilerde kullanılan kuplaj ve köprüleme kapasitelerinin kazanca önemli bir etkisi olmaz, fakat bu durumda BJT ler için emiter ve kollektör jonksiyon kapasiteleri (Ce,Cc) ile FET ler için elektrotlar arası kapasiteler (Cgs,Cgd,Cds) etkili olmaya başlar. Böylece düşük frekanslarda, devrede dışarıdan eleman olarak kullanılan kapasiteler, yüksek frekanslarda ise aktif elemanların jonksiyon kapasiteleri kazancın düşmesine neden olurlar. Buna göre bir kuvvetlendirici girişine uygulanan AC işareti bütün frekans değerleri için aynı şekilde kuvvetlendirmeyecektir. Buna göre bir kuvvetlendiricinin kazancının frekansla değişimini gösteren Şekil 1 deki eğriye kazanç-frekans eğrisi denir. Buradaki kazanç akım veya gerilim kazancı olabilir. Ancak yaygın olarak kullanılan gerilim kazancıdır. Şekil 1 e dikkat edildiğinde, kuvvetlendiricinin kazancı üst ve alt 3dB köşe veya kırılma frekansları arasında nisbeten frekansla değişmektedir. f H ve f L arasındaki bu bölgeye kuvvetlendiricinin bandgenişliği (BG veya BW) denir. f H den yüksek veya f L den düşük frekans bölgelerinde kazancın düştüğü görülmektedir. Kazanç-frekans eğrisinin yarı logaritmik bir düzlemde, yani kazandın doğrusal frekansın ise logaritmik ölçeklendirildiği bilinmelidir. Buna göre, bir frekans kuvvetlendiricisinde tipik olarak f L nin nümerik değeri birkaç 10 Hz lerde bulunurken f H nin değeri birkaç 10 khz lerde olabilir. f L değeri f H ye göre küçük olacağından bu kuvvetlendiricinin bandgenişliği yaklaşık olarak; şeklinde ifade edilir. f BG = f H - f L f H Kazanç ve zayıflamanın desibel (db) cinsinden ölçülmesi pratikte kullanılan bir yöntemdir.

2 Şekil 1 Kuvvetlendiricinin kazanç-frekans eğrisi Bell, bir sistemdeki güç oranının logaritmasıdır. Fakat küçük güç oranlarında elde edilecek sayı, kesirli olacağından bell in 10 katı olarak desibel kullanılır. Bir kuvvetlendiricinin giriş ve çıkış güçleri (P İ P O ) için düşünülürse; log 10 P o P i Bell A P db = 10log P o = 10log V o 2 /R o P i V 2 i /R i Eğer, R o = R i = R veya giriş-çıkış dirençlerinin büyüklüğü ve etkisi ihmal edilebiliyorsa, gerilim ve akım kazancı olarak sırasıyla; A V(dB) = 10 log( V o V i ) 2 = 20 log A v Şeklinde yazılabilir. Alt ve üst 3dB kırılma noktalarına yarım-güç ya da gücün yarıya düştüğü noktalar da denir. Kuvvetlendiricilerde harici kapasitif etkiyi devreye dışarıdan eleman olarak bağlanan kuplaj ve köprüleme kapasiteleri oluştururken, dahili kapasitif etkiyi de BJT lerde beyz-emiter ve beyz-kollektör jonksiyon kapasiteleri (Ce, Cc) ile FET lerde transistörün terminalleri arasındaki kapasiteler (Cgs, Cgd, Cds) oluşturmaktadır. Katlar arasında kullanılan kuplaj ve emiter köprüleme kapasiteleri kuvvetlendiricide alçak frekanslarda etkili iken BJT'de jonksiyon kapasiteleri ile FET'lerde transistör terminalleri arası kapasiteler ise yüksek frekanslarda etkilidir. Yani düşük ve orta frekans bölgelerinde çalışırken jonksiyon kapasiteleri dikkate alınmayacak kadar küçük, orta ve yüksek frekanslarda ise kuplaj ve köprüleme kapasiteleri kısa devre kabul edilir. Bir kuvvetlendiricide kazancın frekansla hemen hemen değişmediği ve kazancın da en yüksek olduğu frekans sahası orta frekans bölgesidir.

3 BJT li Kuvvetlendiricinin Frekans Cevabı: Şekil 2 BJT li bir kuvvetlendirici devresini göstermektedir. Kuvvetlendirici devresine bakıldığında daha önce anlatıldığı gibi küçük işaret gerilim kazancını etkileyen C 1 ve C 2 kuplaj kapasiteleri ve C 3 köprüleme kapasitesi görülmektedir. Bunun yanında Şekil 3 ise Şekil 2 deki kuvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer devresini göstermektedir. Burada zaman sabiti tekniği ile devredeki kapasitelerin etkileri tek tek hesaplanacaktır. Şekil 2 BJT'li bir kuvvetlendirici devresi Şekil 3 BJT'li kvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer devresi C 1 Kondansatörünün Etkisi: C 2 ve C 3 kondansatörlerinin yeterince büyük olduğu düşünülürse bu kondansatörlerin etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C 1 kondansatöründen görünen rezistans (r π / R TH ) olur. Böylece zaman sabiti;

4 Bu durumda köşe frekansı; şeklinde yazılır. C 2 Kondansatörünün Etkisi: C 1 ve C 3 kondansatörlerinin yeterince büyük olduğu düşünülürse bu kondansatörlerin etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C 2 kondansatöründen görünen rezistans (r o // R C + R L ) olur. Böylece zaman sabiti; Bu durumda köşe frekansı; şeklinde yazılır. C 3 Kondansatörünün Etkisi: C 1 ve C 2 kondansatörlerinin yeterince büyük olduğu düşünülürse bu kondansatörlerin etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C 3 ) olur. Böylece zaman sabiti; kondansatöründen görünen rezistans ( R E // R 1//R 2 β + r π β Bu durumda köşe frekansı; şeklinde yazılır. Sonuç olarak Şekil 2 deki kuvvetlendirici devresi için C 1, C 2 ve C 3 kondansatörlerinin her birinin etkisi ayrı ayrı hesaplandıktan sonra, f C1, f C2 ve f C3 frekansları içerisinde en büyük ve en küçük değerleri; kuvvetlendiricinin alt 3dB ve üst 3 db kesim frekansını belirlemektedir.

5 C. Deney Çalışması 1. Aşağıdaki devreyi kurunuz. Tablodaki frekans değerlerine göre devrenin küçük işaret gerilim kazancını bularak desibel cinsinden kazanç-frekans eğrisini aşağıdaki şablona çiziniz. R S = 0.1 KΩ R 1 = 56 KΩ R 2 = 5.6 KΩ R C = 4.7 KΩ R E = 0.1 KΩ R L = 10 KΩ C 1 = 1 µf C 2 = 220 nf V CC = +12 V -V CC = -12 V V in = 0.2sin(wt) V Q 1 = BC237B 2. Çizilen eğriyi kullanarak ortaband gerilim kazancı, alt kesim frekansını ve üst kesim frekansını bularak Tablo 1 i doldurunuz. f(hz) V i (mv) V o (mv) A V A V (db) f(hz) V i (mv) V o (mv) A V A V (db) K K K K K 200 A Vort (db) f L f H

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU

Detaylı

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi

Detaylı

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler

Detaylı

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALAR HAKAN KUNTMAN 03-04 EĞİTİM-ÖĞRETİM YL İşlemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik alanında çeşitli ölçü ve kontrol düzenlerinin

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)

Detaylı

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,

Detaylı

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.

Detaylı

DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri

DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri 1. Amaç Bu deneyin amacı; alternatif akım devrelerinde, direnç-kondansatör birleşimi ile oluşturulan RC filtre

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : YAPILIŞ TARİHİ: GRUP ÜYELERİ : 1. 2. 3. DERSİN SORUMLU ÖĞRETİM ÜYESİ: Yrd. Doç.

Detaylı

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi DENEY-4 Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi Deneyin Amacı: BJT yapmak. transistörlerle yapılan yükselteçlerin alçak ve yüksek frekans analizlerini Teorinin Özeti: Şimdiye kadar gördüğümüz transistörlü

Detaylı

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 1: Transistörlü Yükselteç Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün

Detaylı

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY

Detaylı

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER

DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER 1. Amaç Bu deneyin amacı, lineer (doğrusal) kuvvetlendiricilerde kullanılan BJT kuvvetlendirici devresinin devre girişine uygulanan zamanla değişen bir küçük işareti kuvvetlendirmesi

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER) EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR

Detaylı

Şekil Sönümün Tesiri

Şekil Sönümün Tesiri LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin

Detaylı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II ALTERNATİF AKIM KÖPRÜLERİ 1. Hazırlık Soruları Deneye gelmeden önce aşağıdaki soruları cevaplayınız ve deney öncesinde rapor halinde sununuz. Omik, kapasitif ve endüktif yük ne demektir? Açıklayınız. Omik

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II Öğrenci No: Adı Soyadı: Grubu: DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER Deneyin Yapıldığı Tarih:.../.../2017

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L

Detaylı

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür: Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör

Detaylı

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici DENEY-1 Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici Deneyin Amacı: Transistör kullanarak ortak emiterli küçük sinyal yükseltici yapılması ve özelliklerinin incelenmesi Teorinin Özeti: Bipolar transistör iki

Detaylı

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 8 BJT TRANZİSTÖRLERLÜ KUVVENLENTİRİCİLER (YÜKSELTEÇLER) II Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof.

Detaylı

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100

Detaylı

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER)

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER) 1 ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER) Paralel Devreler Direnç, bobin ve kondansatör birbirleri ile paralel bağlanarak üç farkı şekilde bulunabilirler. Direnç Bobin (R-L) Paralel Devresi Direnç

Detaylı

NECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

NECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ NECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ DENEY : AKIM AYNALARI Genel Bilgiler Akım aynaları yükten bağımsız

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen

Detaylı

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için, DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere

Detaylı

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS A. DENEYİN AMACI : Seri RLC devresinin AC analizini yapmak ve bu devrede rezonans durumunu incelemek. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. AC güç kaynağı, 2. Sinyal üreteci, 3. Değişik değerlerde dirençler

Detaylı

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DENEY 4. Rezonans Devreleri ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2012-2013 Bahar DENEY 4 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 2 OHM-KIRCHOFF KANUNLARI VE BOBİN-DİRENÇ-KONDANSATÖR Malzeme Listesi: 1 adet 47Ω, 1 adet 100Ω, 1 adet 1,5KΩ ve 1 adet 6.8KΩ Dirençler 1 adet 100mH Bobin 1 adet 220nF Kondansatör Deneyde Kullanılacak

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#8 I-V ve V-I Dönüştürücüler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 8 I-V ve

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere

Detaylı

Sinüsoidal Gerilim ve Akım ALIŞTIRMALAR

Sinüsoidal Gerilim ve Akım ALIŞTIRMALAR Sinüsoidal Gerilim ve Akım 65 2.7. ALŞTRMALAR Soru 2.1 : 4 kutuplu bir generatörde rotor (hareketli kısım) 3000 devir/dk ile döndüğüne göre, üretilen gerilimin frekansını bulunuz. (Cevap : f=100hz) Soru

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ 14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ Sinüsoidal Akımda Direncin Ölçülmesi Sinüsoidal akımda, direnç üzerindeki gerilim ve akım dalga şekilleri ve fazörleri aşağıdaki

Detaylı

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak

Detaylı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100-200 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEYİN AMACI: Bu deneyi başarıyla tamamlayan her öğrenci 1. Filtre tasarımında uyulması gereken kuralları bilecek

Detaylı

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim

Detaylı

8. ALTERNATİF AKIM VE SERİ RLC DEVRESİ

8. ALTERNATİF AKIM VE SERİ RLC DEVRESİ 8. ATENATİF AKIM E SEİ DEESİ AMAÇA 1. Alternatif akım ve gerilim ölçmeyi öğrenmek. Direnç, kondansatör ve indüktans oluşan seri bir alternatif akım devresini analiz etmek AAÇA oltmetre, ampermetre, kondansatör

Detaylı

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER ALTERNATİF AKIM DEVRELERİ A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER Alternatif akım devrelerinde akımın geçişine karşı üç çeşit direnç (zorluk) gösterilir. Devre elamanları dediğimiz bu dirençler: () R omik

Detaylı

OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER

OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER Fairchild 1965 yılında, en çok kullanılan Ua709 elemanı piyasaya sunmuştur. Aslında başarısının yanında, bu elemanın birçok dezavantajları da vardı. Bu nedenle de

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler

DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler RF OSİLATÖRLER VE İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER (1.DENEY) DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler DENEYİN AMACI : Radyo Frekansı (RF) osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerini

Detaylı

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC voltmetre, ac gerilimleri ölçmek için kullanılan

Detaylı

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır. Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. 2 OSİLATÖRLER 1. Ön Bilgiler 1.1 Osilatör Osilatörler DC güç kaynağındaki elektrik enerjisini AC elektrik enerjisine

Detaylı

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit

Detaylı

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır. Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun

Detaylı

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı

Detaylı

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri 1. Seri RC Devresinde Akım ve Gerilim Ölçme 1.1. Deneyin Amacı: a.) Seri RC devresinin özelliklerinin incelenmesi b.) AC devre ölçümlerinin ve hesaplamalarının yapılması 1.2. Teorik Bilgi: Kondansatörler

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri

Detaylı

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler

Detaylı

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki

Detaylı

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler

Detaylı

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER 1 ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER Empedans, gerilim uygulandığında bir elektrik devresinin akımın geçişine karşı gösterdiği zorluğun ölçüsüdür. Empedans Z harfi ile gösterilir ve birimi ohm(ω)

Detaylı

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ Deney : FARK YÜKSELTEÇ Fark Yükselteç (Differential Amplifier: Dif-Amp) Fark Yükselteçler, çıkışı iki giriş işaretinin cebirsel farkıyla orantılı olan amplifikatörlerdir. O halde bu tip bir amplifikatörün

Detaylı

AC DEVRELERDE KONDANSATÖRLER

AC DEVRELERDE KONDANSATÖRLER A DEVRELERDE KONDANSATÖRLER 7.1 Amaçlar: Sabit frekansta çalışan kondansatörler Kondansatör voltaj ve akımı arasındaki faz farkının ölçülmesi Kondansatör voltaj ve akım şiddetleri arasındaki ilişkiler

Detaylı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:

Detaylı

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.

Detaylı

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı