DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici"

Transkript

1

2 DENEY-1 Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici Deneyin Amacı: Transistör kullanarak ortak emiterli küçük sinyal yükseltici yapılması ve özelliklerinin incelenmesi Teorinin Özeti: Bipolar transistör iki jonksiyonlu ve üç uçlu bir elemandır. Diyodun çalışmasındaki prensipler kullanılarak bipolar transistörün çalışması açıklanabilir. Bipolar transistör yerine genellikle sadece transistör kelimesi kullanılmaktadır. NPN ve PNP olmak üzere iki çeşit transistör vardır. Transistör, emiter, taban ve kollektör uçlarından oluşur. NPN transistörde taban (baz), iki N bölgesi arasındadır. N bölgelerinden biri emiter, diğeri kollektördür. PNP transistörde ise taban, iki P bölgesi arasındadır. P bölgelerinden biri emiter, diğeri kollektördür. Transistörde taban bölgesinin genişliği ve katkılama oranı, emiter ve kollektöre göre çok küçüktür. Emiter ve kollektör aynı tür malzeme olmakla birlikte emiterin katkılama oranı kollektöre göre çok yüksektir. Şekil 1.1 de NPN ve PNP transistörlerin yapı ve sembolleri gösterilmiştir. Şekil 1.1. NPN ve PNP transistörlerin yapıve sembolü. Transistörün Çalışması Transistörde iki jonksiyon mevcuttur. Emiter ile taban arasındaki jonksiyon ve taban ile kolektör arasındaki jonksiyon. Bu iki jonksiyonun kutuplanmasına göre transistör farklı bölgelerde çalışır. Tablo 1.1 de transistörün çalışma bölgeleri gösterilmiştir. 1

3 Tablo.1.1 Transitörün çalışma bölgeleri Çalışma Bölgesi E-B jonksiyonu C-B jonksiyonu Aktif Doyma Kesim Ters İleri kutuplama İleri kutuplama Ters kutuplama Ters kutuplama Ters kutuplama (veya boş) İleri kutuplama Ters kutuplama (veya boş) İleri kutuplama Aktif Bölge Transistörün dört farklı çalışma bölgesinden öncelikle aktif bölgeyi inceleyelim. NPN bir transistörün aktif bölgede çalışması için kutuplamanın nasıl yapıldığı Şekil 1.2 de gösterilmiştir. Aktif bölgede çalışan bir NPN transistörde E-B jonksiyonu ileri yönde, C-B jonksiyonu ters yönde kutuplanır. Emiter bölgesinde çoğunluk akım taşıyıcıları olan elektronlar kaynağın (-) ucu tarafından itilerek taban bölgesine doğru hareket eder. Taban bölgesinin dar olması ve az miktarda katkılanması sebebiyle, emiter bölgesindeki elektronların çok azı taban bölgesindeki deliklerle birleşir, çoğunluğu kollektör bölgesine geçer. Bunun nedeni C-B jonksiyonunun ters kutuplanmasıdır. Emiterdeki elektronlar, kollektöre bağlı(+) gerilim kaynağı tarafından çekilir. Aynı zamanda C-B de oluşan boşluk bölgesi emiterden gelen elektronların hareketini destekler. Emiterden gelen elektronların yaklaşık olarak % 99 u kollektöre gider. Bu akım kalın okla gösterilmiştir. Transistördeki diğer akımlar bu akımın yanında çok küçüktür. Emiter elektronları yayan bölgedir. Kollektör ise bu elektronların toplandığı bölgedir. Emiterden gelen elektronların yaklaşık olarak % 1 i tabana doğru gider. Bu esnada taban bölgesindeki deliklerin bir kısmıda emitere doğru hareket eder. Tabanın katkılama oranı çok düşük olduğundan bu akım da çok küçüktür. C-B jonksiyonunun ters yönde kutuplanması ile boşluk bölgesi oluşur ve sızıntı akımı geçer. B de azınlık azınlık akım taşıyıcılarıolan elektronlar C ye doğru, C de azınlık akım taşıyıcıları olan delikler B ye doğru hareket eder. B-E uçlarına bir gerilim uygulanmadığında, C-B den geçen sızıntı akımı I CB0 sembolü ile gösterilir. Şekil 1.2. Aktif bölgede çalışan bir NPN transistörün kutuplanması İleri yönde uygulanan V BE geriliminin değeri, transistörden geçen emiter akımın miktarını belirler. Ters yönde uygulanan V CB geriliminin kollektör akımına etkisi çok azdır. V CB geriliminin arttırılması 2

4 boşluk bölgesini genişletir ve baz bölgesini daraltır. Bu durumda emiterden kollektöre gelen elektronlar artar, tabana gelen elektronlar azalır. Devre çözümünde kabul edilen akım yönü elektron akışının tersidir. NPN transistörün aktif bölgede çalışması durumunda elektronların akışı ve akım yönü Şekil 1.3 te gösterilmiştir. Şekil 1.3. NPN transistörde akım yönleri. Transistörde taban akımı ile kollektör akımının toplamı emiter akımını verir. Taban akımı, emiter ve kollektör akımına göre çok küçüktür. Kollektör akımının emiter akımına oranı 1 e yakındır. Bu oran DC akım kazancını verir ve α DC ile gösterilir. Doyum Bölgesi Tablo 1.1 de gösterildiği gibi her iki bölge de ileri yönde kutuplanırsa çalışma doyum bölgesinde olur. Doyumda C-B jonksiyonun daki boşluk bölgesi ortadan kalkar. Kollektörün emiterden gelen akım taşıyıcıları toplama özelliği büyük ölçüde azalır. Eğer C-B jonksiyonundaki ileri kutuplama yeterli ise kollektör emiterden gelen akım taşıyıcılarını toplamaz ve emiter gibi tabana doğru akım taşıyıcı yayar. Kesim Bölgesi Transistörün her iki jonksiyonu ters yönde kutuplanırsa çalışma kesim bölgesinde olur. Emiter taban bölgesine çoğunluk akım taşıyıcı göndermez. Emiter ve kollektörden sızıntı akımı geçer. Emiter akımının sıfır olmasıda kesim bölgesinde çalışmadır. Ters Çalışma Bölgesi Transistörde kollektör ve emiter yer değiştirilerek kullanılırsa bu bölge ters çalışma bölgesidir. Emiter ve kollektörün katkılama oranı aynı olmadığıiçin bu bölgedeki çalışma, aktif bölgeden farklıdır. 3

5 Kollektör ve emiterin değiştirilmesi genellikle mümkün değildir. Fakat bazı özel devrelerde transistör bu şekilde kullanılabilir. Ortak Emiterli Devre Ortak emiterli devrede NPN transistörün aktif bölgede çalışması için uygulanan gerilimler Şekil.1.4 te gösterilmiştir. B-E uçlarına V BE ve C-E uçlarına V CE kutuplama gerilimleri uygulanır. E-B jonksiyonu ileri yönde kutuplanır yani V BE gerilimi pozitiftir. Kollektöre, emitere göre pozitif V CE gerilimi uygulanır. Kollektör gerilimi tabana göre aşağıdaki gibi yazılır. V CB = V CE - V BE C-B jonksiyonunu ters kutuplamak için V CB gerilimi pozitif olmalıdır. Yani V CE gerilimi V BE geriliminden büyük olmalıdır.v CE gerilimi V BE den küçük ise V CB gerilimi negatif olur ve C-B jonksiyonu ileri yönde kutuplanır dolayısıyla transistör doymaya girer. Ortak emiterli devrede giriş taban, çıkış kollektördür. Belirli bir I B giriş akımı için I C çıkış akımı oluşur. Transistörün çalışması ortak tabanlı devreki gibidir. Ortak tabanlı devredeki kazanç cinsinden I B ile I C arasındaki ilişki aşağıdaki gibi elde edilir. Şekil 1.4 Ortak Emiterli devre Ortak Emiterli Devrede Çıkış Karakteristiği Ortak emiterli devrede bir NPN transistörün çıkış karakteristiği Şekil 1.5 de verilmiştir. A noktasında taban akımı sıfırdır ve transistörden çok küçük bir kollektör akımı geçer. Bu akım I CE0 sembolü ile gösterilir (I CE0 = α DC.I CB ). A noktasında transistör kesimdedir. B ve C noktalarında transistör aktif bölgededir. Aktif bölgede kollektör akımı, taban akımının α DC katıdır. Karakteristik üzerinde 4

6 görüldüğü α DC gibi her noktada aynı değildir. D noktasında ise transistör doyumda çalışır. Transistörde çalışma noktasının bulunmasıyük doğrusu çizilerek yapılabilir. V CE = V CC R C.I C (Şekil 1.4 ten) denklemi kullanılarak yük doğrusu çizilir. Karakteristik ile çakışan nokta çalışma noktasıdır. Transistör amplifikatör olarak kullanılıyorsa çalışma noktası dikkatli seçilmelidir. Kesim Bölgesi Şekil 1.5 Ortak emiterli NPN transistörün çıkış karakteristiği. Kesim bölgesinde transistor den taban akımıgeçmez. Bu durum,b-e jonksiyonunun açık devre olması, ters kutuplanması veya yeteri kadar kutuplanmaması ile ortaya çıkar. Transistörün kollektör-emiter uçları açık devre gibi davranır. Kollektörden geçen akım sıfırdır ve kollektör-emiter uçlarında maksimum gerilim oluşur Kesimde transistor den I CE0 akımıgeçer. Bu akım ihmal edilebilir Şekil 1.6 Ortak Emiterli devrede transistor ün kesimde olması Aktif Bölge ve Doyum Bölgesi E-B jonksiyonu yeteri kadar kutuplanmışsa taban akımı geçer. Aktif bölgede kollektör akımı I C =β DC.I B olarak hesaplanır. Taban akımı arttırıldığında kollektör akımı orantılı olarak artar. Doyma bölgesinde taban akımının arttırılması ile kollektör akımı artmaz. Doymada kolektör akımı maksimum değerine ve 5

7 C-E gerilimi minimum değerine ulaşır. Doyma bölgesinde VCE 0 kabul edilerek I Csat ve I Bsat aşağıdaki şekilde hesaplanır Uygulama 1 Şekil 1.7 Uygulama 1 devresi Ortak Emiterli Tek Katmanlı ve Çift Katmanlı Yükselticinin Tasarlanması Bir yükseltici yapmak için bir güç kaynağı, transistör, birkaç direnç ve kapasitör yeterlidir.bu kısımda istediğimiz özellikte bir bio-yükseltici adım adım tasarlanacaktır. Her kalifiye mühendisin yaptığı gibi önce gereksinim/ihtiyacı belirleyeceğiz. Daha sonra bazı kabuller ve katalog bilgileri kullanıp tasarımımızı adım adım yapacağız. Bu kısımda bio-yükseltici yapacağımız için bize yüksek bir voltaj kazancı gereklidir. Bu kazancı ortakemiterli bir yükseltici ile elde edebiliriz. En basit haliyle ortak yükseltici sol taraftaki şekilde gösterilmiştir. Bu devreye ortak-emiterli denilmesinin sebebi girişin Base, beslemenin (Vcc) kolektörden, çıkışın C noktasından emiterin ise nötre bağlanıyor olmasındandır. Şekil 1.8 Ortak Emiterli Yükseltici Hedefler Sinyalin 150 kat güçlendirilmesi 300Hz üzerindeki sinyallerin güçlendirilmesi. 6

8 9 Voltluk bir pil veya DC güç kaynağı ile güçlendirme yapacağımız için gelen sinyalin yükseltildikten sonra sinyalin pozitif ve negatif bileşeninin kısacası tepeden tepeye genliğinin 9V den büyük olmamasını isteriz. Eğer bu durum oluşursa saturasyon bölgesinde çalışıyoruz demektir ve sinyalimizde kayıplar oluşacaktır. Bu durumdan kaçınmak için sistemimize gelen giriş sinyali 0V olduğunda çıkıştan 4,5V almamız gerekiyor demektir. Şekil 1.9 Salınım Aralığı Şekil 1.10 Emiterin transistor direncinin gösterimi R C direncinin belirlenmesi V c = 1/2 V cc olacak şekilde sistemi konfigüre etmemiz gerekmekte.ohm kanununu kullanarak R C yi hesaplayabiliriz. Transistörümüzün kataloğuna bakarak I C akımının istediğimiz sıcaklık ve şartlarda 1mA olduğunu öğrendikten sonra R C =(V CC -V C )/I C formülünü kullanarak R C =(9-4,5)V/1mA = 4,5K olarak hesaplarız. Piyasada 4.5K direnç bulunmamaktadır buna en yakın direnç 4.7KΩ bulunmaktadır ve biz bunu kullanıyoruz. R E direncinin belirlenmesi Tür olarak devremizin kazancı R C /R E olacaktır. Emitör ile nötr arasına direnç koymamış olsak bile transistörümüzün emiter çıkışının bir direnci vardır ve bu r tr direnci aşağıdaki formül ile hesaplanır. r tr = 0.026/I E Bizim devremiz için emitör akımını 1mA seçmiştik. Bu durumda transistörümüzün r tr =0.026/1mA direnci 26Ω olarak hesaplanır. Buradan kazancı hesaplarsak 4.7KΩ/26Ω = 180 çıkacaktır bu istediğimiz değere her ne kadar yakın olsa da transistör direnci olan r tr güvenilir sabitlikte olmadığından 1K lık bir direnç daha eklememiz gerekecektir. Bu durumda yeni kazanç Kazanç=R C /(R E +r tr )= 4700/( ) = 4.6 olarak hesaplanacaktır. Bu her ne kadar bizim istediğimiz kazanca yakın olmasada bu dirence ekleyeceğimiz kapasitör sinyalin dalgalanmasında bu etkiyi yok edecektir bu kapasitör değerini de filtremizin 300Hz nin üstündeki sinyalleri geçirecek şekilde tasarlanması için seçeceğiz. 7

9 Üst/Yüksek Geçiren Filtre Kapasitörünün Seçilmesi Paralel direnç ve kapasitörün yüksek geçiren filtre olduğunu devre teorisi derslerinde gördük. Buradan yola çıkarak f= 1 formülü ile 2.π.R.C hesaplayabiliriz. Burada f = 300, R = 1KΩ seçildiğinden C= 20uF olarak bulunur. Giriş sinyalinden hemen sonra giriş sinyalindeki DC bileşeni çıkartmamızı sağlayacak 1uF lik kapasitörü ekledikten sonra (DC offset in sıfırlanması) devremiz yandaki hali alacaktır. Şekil 1.11 Emiter direncine bağlanan kapasitör Devrenin Kutuplamalarının Yapılması (Bias) Teorik derslerden hatırlayacağımız gibi transistörümüzün iletime geçebilmesi için V BE geriliminin V olması gerekmekte idi. Bunu sağlamak için devreye birkaç direnç eklememiz gerekmektedir. Yandaki şekilde R 2 direnci bunu sağlamak için eklenecektir. R 1 direnci ise besleme gerilimi ile R 2 üzerine düşürülecek olan gerilim için gerilim bölücü direncidir. R E direnci üzerine düşen gerilim VRE=1KΩ.1mA=1V dir. V B noktasına düşen (transistor ün B pini) gerilim ise V B =V RE +V BE = 1V+0.6V = 1.6V olarak bulunur. V R2 nin 1.6V olması gerekmekte. Şekil 1.12 kutuplama dirençlerinin eklenmesi Şekil 1.13 kutuplama dirençlerinin hesaplanması Gerilim bölücü değerlerinin bulunması B noktasındaki gerilimi 1.6V ye ayarlamak için gerilim bölücü yapacak olursak. Önce dirençlerin oranını bulmamız gerekecek. Denklemi tekrar düzenlersek R 1 V B = R 2 R 1 + R 2. V CC = V CC V B = = 4.6 R 2 V B 1.6 Piyasada bulunan 1K ve 4.7K lık dirençler ile bu oranı sağlayabiliriz. 8

10 Tek katlı ortak emiterli yükselticimizin son hali yandaki şekildeki gibidir. Çıkış sinyalimizin tepeden tepeye genliğinin en fazla 9V olacağından ve kazancımız 150 olduğundan bozulmadan yükseltebileceğimiz sinyalin tepeden tepeye genliği en fazla 9V/150 = 60mV dir. Şekil 1.14 Tek katmanlı ortak emiterli yükselticinin son hali Şekil 1.15 Çift katmanlı ortak emiterli yükseltici Giriş sinyalinin çok daha küçük olduğu durumlarda çıkış sinyalini güçlendirmek için ikinci bir katman eklemek mümkündür. Şekil 1.14 de elde ettiğimiz devreden farklı olarak ikinci katmanda kullanılan 120Ω luk direnç çok fazla kazançtan dolayı çıkış sinyalinin bozulmasını engellemek için kazancı düşürmekte kullanılmıştır. Bu direnç kullanıcı tarafından değiştirilerek kararlılık optimize edilebilir. 9

11 Deneyin Yapılışı: Deney 1.1- Şekil 1.14 de gösterilen devreyi breadboard üzerinde kurunuz. Giriş sinyalinin genliğini ve frekansını tablo 1.2 de istenenler üzerine ayarlayınız ve tabloda gösterilen değerlerde değiştirerek istenen sonuçları not alınız. Deney 1.2- Şekil 1.15 de gösterilen devreyi breadboard üzerinde kurunuz. Devrenizin kararlı hale gelmesi için 120Ω luk direnç yerine 150Ω, 220 Ω veya 1K Ω luk potunuzla uygun direnci ayarlayabilirsiniz. Giriş sinyalinin genliğini ve frekansını tablo 1.3 de istenenler üzerine ayarlayınız ve tabloda gösterilen değerlerde değiştirerek istenen sonuçları not alınız. Ön Hazırlık 1. Deney 1.1 ve Deney 1.2 yi herhangi simülasyon programı (Örn. Proteus) ile yaparak tabloları doldurunuz. Simülasyonu ek sayfadaki gibi yapmanız size hız kazandıracaktır simülasyondaki voltmetrelerin AC voltmetre olduğunu ve RMS ölçüm yaptığını unutmayın tabloda sizden istenen Vpp değerleridir RMS den Vpp ye geçiş yapınız. Kazançları hızlı hesaplatmak için tabloyu Excel ile hazırlayarak osiloskop ölçümü yapmak yerine voltmetreleri okuyarak RMS değerleri Vpp ye excel e dönüştürtüp, kazanç kısmını excele hesaplattırabilirsiniz. Simülasyon için 120Ω luk direnç yerine 220Ω kullanınız. 2. Uygulama 1 problemini çözünüz. 3. Ses dalgalarında insan kulağının hangi frekans aralığında duyduğunu, hangi frekans aralığının tiz, mid ve bas olduğunu araştırınız. Rapor Notları 1. Deney sonuçlarınızı ve yorumlarınızı ön çalışmanıza ekleyiniz. Malzeme Listesi 3 adet BC237B Transistör (1 Yedek) 6 adet 4.7KΩ Direnç (2 Yedek) 4 adet 1uF kapasitör (2 Yedek) 3 adet 20uF kapasitör veya 6 adet 10uF kapasitör (2 adet 10uF yi paralel bağlayarak 20uF elde etmek için) (1 Yedek) 6 adet 1KΩ Direnç (2 Yedek) 1adet 120Ω, 1 adet 150Ω,1 adet 220 Ω ve 1KΩ pot. 9V Pil ve bağlantı soketi 8 Ω Küçük Hoparlör 0.20 veya 0.50 wattlık yeterlidir. Bağlantı için üzerine önceden kablo lehimleyiniz. (Eski bozuk ve ucuz radyolardan sökebilirsiniz) Bağlantı kabloları ve yan keski getiriniz. Not: Deney föyü olmayan öğrenci derse alınmayacaktır. Devrenizi önceden breadboard üzerine kurarak getirmeniz tavsiye edilir. 10

12 Tablo 1.2 Tek katmanlı ortak emiterli yükseltici ölçümleri tablosu V giriş (Giriş V PP ) F giriş (Giriş Frekansı) 15mV 40 15mV mV mV mV mV mV mV 50 20mV mV mV mV mV mV mV 50 30mV mV mV mV mV mV mV 50 40mV mV mV mV mV mV mV 50 50mV mV mV mV mV mV mV 50 80mV mV mV mV mV mV 2000 V çıkış (Çıkış V PP ) Bozulma (Evet/Hayır) Kazanç 11

13 Tablo 1.3 Çift katmanlı ortak emiterli yükseltici ölçümleri tablosu V giriş (Giriş V PP ) F giriş (Giriş Frekansı) 15mV 40 15mV mV mV mV mV mV mV 40 18mV mV mV mV mV mV mV 40 20mV mV mV mV mV mV mV 40 20mV mV mV mV mV mV mV 40 30mV mV mV mV mV mV mV 40 60mV mV mV mV mV mV 2000 V çıkış (Çıkış V PP ) Bozulma (Evet/Hayır) Kazanç 12

14 13

15 14

16 DENEY-2 Ortak Baseli ve Ortak Kollektörlü Yükseltici Deneyin Amacı: Transistör kullanarak ortak baseli ve ortak kollektörlü küçük sinyal yükseltici yapılması ve özelliklerinin incelenmesi Teorinin Özeti: BJT ile genelde yapılan yükselticilerin tipik özellikleri Tablo 2.1 de gösterilmiştir. Tablo 2.1 CE (Ortak Emiter) CC (Ortak Kollektör) CB (Ortak Base) Voltaj Kazancı (A V ) Yaklaşık (-R C /R E ) Düşük (Yaklaşık 1) Yüksek Akım Kazancı (A I ) Yaklaşık (ß) Yaklaşık (ß+1) Düşük (Yaklaşık 1) Giriş Direnci Yüksek Yüksek Düşük Çıkış Direnci Yüksek Düşük Yüksek Faz Farkı Var Yok Yok Kullanım Yeri Yüksek Akım Kazancı Ve Gerilim Kazancı Anten Giriş Katı Güç Çıkış Katı Ortak Kollektörlü Devre Şekil 2.1 Ortak Kollektörlü Devrenin tipik yapısı Bu tip yükselticilerin tasarlanmasında temel olarak V CE (veya V CB ) ve V RE (veya V B ) gerilimlerinin eşitlenmesi düşünülür. Basitçe V B = V CC 2 => R 1 = R 2 seçilir. 15

17 Sonra, tercih edilen veya seçilen I E ve geri kalan değerler bulunur. R E = V E I E = V CC I E ß=100 kabul edilerek CE devrenin kararlı çalışması için R B <<(ß+1).R E seçilir R B = R 1 R 2 = R 1 2 = ß + 1. R E R E R 1 =R 2 =20.R E I E =1mA V CC =12V seçildikten sonra RE nin hesaplanması kolaylaşır. R E = V E I E = mA = 5.3KΩ R 1 =R 2 =20.R E = 106KΩ Piyasada bulunan standart dirençleri kullanacak olursak R1=R2=100KΩ, R E =5,6KΩ olarak bulunacaktır. Bu durumda devremizin son hali Şekil 2.2 deki gibi olacaktır. Şekil 2.2 Ortak Kollektörlü Devre 16

18 Ortak Baseli Devre Kutuplamaları ortak emiterli devre ile aynıdır. Ortak baseli devrelerde base nötr-toprak noktasına direk yada bypass kapasitörü ile bağlanılır. Şekil 2.3 Ortak Baseli Devre Ön Hazırlık 1. Şekil 2.2 deki devreden V S kaynağını ayırıp DC analizini yaparak I B, I C, I E, V B, V CE, V C gerilimlerini hesaplayınız. 2. Şekil 2.3 deki devreden V S kaynağını ayırıp DC analizini yaparak I B, I C, I E, V B, V CE, V C gerilimlerini hesaplayınız. 3. Şekil 2.2 ve 2.3 deki devreleri simülasyon programı kullanarak deneyde istenen değerleri bulunuz. Frekans değişimine göre kazanç değişimi grafiğini çiziniz. 4. Sonuçları yorumlayınız. Deneyin Yapılışı Deney 2.1- Şekil 2.2 deki devreyi kurunuz. Giriş sinyalini 100mV V PP sinüs olacak şekilde sinyal jeneratöründen ayarlayınız frekansını Tablo 2.2 de istenenler üzerine ayarlayınız. Tabloda değişen değerlere göre istenen sonuçları not ediniz. Frekans değişimine göre kazanç değişimi grafiğini çiziniz. Deney 2.2- Şekil 2.3 deki devreyi kurunuz. Giriş sinyalini 100mV V PP sinüs olacak şekilde sinyal jeneratöründen ayarlayınız frekansını Tablo 2.3 de istenenler üzerine ayarlayınız. Tabloda değişen değerlere göre istenen sonuçları not ediniz. Frekans değişimine göre kazanç değişimi grafiğini çiziniz. Rapor Notları: Teorik hesabınızın ve deney sonuçlarınızı karşılaştırın ve yorumlayınız. 17

19 Malzeme Listesi 2 adet BC237B Transistör (1 Yedek) 470Ω, 4.7KΩ, 47KΩ, 2 adet 5.6KΩ, 2 adet 100KΩ 2 adet 10uF, 3 adet 1uF Not: Deney föyü, ön çalışması olmayan öğrenci derse alınmayacaktır. Devrenizi önceden breadboard üzerine kurarak getirmeniz, laboratuarın boş saatlerinde devrenizi denemeniz tavsiye edilir. Tablo 2.2 Ortak Kollektörlü Yükseltici Ölçümleri Tablosu F giriş (Giriş Frekansı) 100 Hz 150 Hz 200 Hz 250 Hz 300 Hz 500 Hz 700 Hz 900 Hz 1200 Hz 1500 Hz 2000 Hz 2500 Hz 3000 Hz 3500 Hz 4000 Hz 4500 Hz 5000 Hz 6000 Hz 8000 Hz 9000 Hz 10KHz 15KHz 20KHz 25KHz 30KHz 35KHz 40KHz 45KHz 50KHz 70KHz 150KHz 200KHz 500KHz 1MHz V çıkış (Çıkış V PP ) Bozulma (Evet/Hayır) Kazanç 18

20 Tablo 2.3 Ortak Baseli Yükseltici Ölçümleri Tablosu F giriş (Giriş Frekansı) 100 Hz 150 Hz 200 Hz 250 Hz 300 Hz 500 Hz 700 Hz 900 Hz 1200 Hz 1500 Hz 2000 Hz 2500 Hz 3000 Hz 3500 Hz 4000 Hz 4500 Hz 5000 Hz 6000 Hz 8000 Hz 9000 Hz 10KHz 15KHz 20KHz 25KHz 30KHz 35KHz 40KHz 45KHz 50KHz 70KHz 150KHz 200KHz 500KHz 1MHz V çıkış (Çıkış V PP ) Bozulma (Evet/Hayır) Kazanç 19

21 DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type) MOSFET ler de kutuplama ve kuvvetlendirme işlemleri JFET lerle aynı özellikleri taşıdığından bu deneyde yapılan işlemler ve sonuçları azaltıcı tip MOSFET leri de kapsamaktadır. Teorinin Özeti: FET ler BJT ler gibi yarı iletken malzemelerden yapılmasına rağmen tek tip (unipolar) taşıyıcılara sahip olmaları çok yüksek giriş dirençlerin bulunması, gürültülerinin ve ısıl kararlılıklarının daha iyi olması gibi avantajları ve kazanç-bant genişliğinin nispeten küçük olması gibi gibi dezavantajları ile BJT lerden ayrılmaktadır. İki eleman arasındaki çalışma prensipleri açısından temel farklılık ise BJT lerin akım kontrollü FET lerin ise gerilim kontrollü eleman olmalarıdır. Bir elektriksel elemanların özellikleri en açık onun karakteristik eğrilerinden anlaşılır. Şekil 3.1 de bir FET için geçiş ve çıkış öz eğrileri birleştirilerek verilmiştir. Bu eğrilerden geçiş öz eğrisi daha sık kullanılır. Bu sebeple bu eğrinin kolay çizilmesi ve üzerinde Q çalışma noktasının bulunması için bir takım metotlar geliştirilmiştir. Bunlardan en yaygın olanı verilen denklemdir. I DS =I D =I DSS (1-V GS /V P ) 2 Burada; V p pinch-off (kısılma) voltajı, I DSS maksimum akaç (Drain) akımıdır. Şekil 3.1 Bir N kanal FET için karakteristik eğrileri 20

22 Deneyin Yapılışı: Deney 3.1 Ortak Kaynaklı (Common Source) Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.2 Ortak Kaynaklı Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.2 deki devreyi kurunuz. BF245 için I CSS =10mA V P =-5V alınacaktır Giriş işareti olarak fonksiyon jeneratörünün mili voltlar mertebesinde (yaklaşık 100 mv PP ) 10KHz lik sinüzoidal bir işaret uygulayınız. Bu girişi çıkışta maksimum bozulmasız (distorsiyonsuz), bir işaret elde edinceye kadar ayarlayınız. Giriş ve çıkış sinyallerini osiloskoptan gözlemleyerek ölçekli bir şekilde çizip voltaj kazancını hesaplayınız. Giriş ve çıkıştaki voltaj ve akım değerlerini rms cinsinden ölçerek akım kazançlarını, giriş ve çıkış direnç değerlerini hesaplayınız. Teorik hesaplarınızla karşılaştırma yaparak aralarında farklılıklar varsa sebeplerini araştırınız. Giriş işaretini çıkararak DC kapı (V G ) ve kaynak gerilimini (V S ) multimetre ile ölçünüz. Elde ettiğiniz ölçüm sonuçlarını bu devre için hesaplayacağınız teorik sonuçlarla karşılaştırınız. Sonuçlar arasında bir fark varsa sebebini açıklayınız. 21

23 Deney 3.2 Ortak Akıtıcılı (Common Drain) Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.3 Ortak Akıtıcılı Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.3 deki devreyi kurunuz. BF245 için I CSS =10mA V P =-5V alınacaktır Giriş işareti olarak fonksiyon jeneratöründen 400mV, 1KHz lik sinüzoidal bir işaret uygulayınız. Giriş ve çıkış işaretlerini osiloskoptan gözlemleyerek ölçekli bir şekilde çizip voltaj kazancını hesaplayınız. Giriş ve çıkıştaki voltaj ve akım değerlerini rms cinsinden ölçerek akım kazançlarını, giriş ve çıkış direnç değerlerini hesaplayınız. Teorik hesaplarınızla karşılaştırma yaparak aralarında farklılıklar varsa sebeplerini araştırınız. Giriş işaretini çıkararak DC kapı ve (V G ) ve kaynak (V S ) gerilimlerini multimetre ile ölçünüz. Elde ettiğiniz ölçüm sonuçlarını bu devre için hesaplayacağınız teorik sonuçlarla karşılaştırınız. Teorik hesaplamalarınızda giriş ve çıkış değerlerini bulunuz. Sonuçlar arasında bir fark varsa sebebini açıklayınız. 22

24 Deney 3.3 Ortak Kapılı (Common Gate) Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.4 Ortak Kapılı Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.4 deki devreyi kurunuz. BF245 için I CSS =10mA V P =-5V alınacaktır Giriş işareti olarak fonksiyon jeneratöründen 400mVpp 1 KHz lik sinüzoidal bir işaret uygulayınız. Çıkış işaretlerini osiloskoptan gözlemleyerek ölçekli bir şekilde çizip voltaj kazancını hesaplayınız. Giriş ve çıkıştaki voltaj ve akım değerlerini rms cinsinden ölçerek akım kazançlarını, giriş ve çıkış direnç değerlerini hesaplayınız. Teorik hesaplarınızla karşılaştırma yaparak aralarında farklılıklar varsa sebeplerini araştırınız. Giriş işaretini çıkararak DC akıtıcı (V D ), kaynak (V S ) gerilimlerini multimetre ile ölçünüz. Elde ettiğiniz ölçüm sonuçlarını bu devre için hesaplayacağınız teorik sonuçlarla karşılaştırınız. Sonuçlar arasında bir fark varsa sebebini açıklayınız. 23

25 Ön Çalışma Ön çalışma 1,2 ve deney esnasında kullanılmak üzere ölçüm sayfasından 3 kopya alınız. 4. Deney 3.1, 3.2, 3.3 de istenen değeleri Proteus ile bularak tabloları, şablonları doldurunuz. 5. Deney 3.1, 3.2, 3.3 de istenen değerleri teorik olarak hesaplayınız tabloları, şablonları doldurunuz. 6. JFET,MOSFET hakkında araştırma yaparak bu tip yükselticilerin hangi alanlarda kullanıldığını araştırınız. BJT yükselticiler hakkında araştırma yaparak bu tip yükselticilerin hangi alanlarda kullanıldığını araştırınız. Rapor Notları Deney sonuçlarınızı ve yorumlarınızı ön çalışmanıza ekleyiniz. Malzeme Listesi 3 adet BF245, 4x 10uF, 2,2MΩ, 5,6KΩ, 22KΩ, 3,3KΩ, 1MΩ, 2,2KΩ, 1,2KΩ, 3,3KΩ Not: Deney föyü ve ön çalışması olmayan öğrenci derse alınmayacaktır. Devrenizi önceden breadboard üzerine kurarak getirmeniz tavsiye edilir. 24

26 DENEY 3.1 ORTAK KAYNAKLI KUVVETLENDİRİCİ DEVRESİ SONUÇ TABLOSU RMS Giriş Çıkış Kazanç Akım Gerilim V G V S DC DENEY 3.2 ORTAK AKITICILI KUVVETLENDİRİCİ DEVRESİ SONUÇ TABLOSU RMS Giriş Çıkış Kazanç Akım Gerilim V G V S DC DENEY 3.3 ORTAK KAPILI KUVVETLENDİRİCİ DEVRESİ SONUÇ TABLOSU RMS Giriş Çıkış Kazanç Akım Gerilim V G V S DC 25

27 Simülasyon için Proteus programında BF245 yerine BF244 kullanılabilir yada simülasyon Multisim programı ile yapılabilir. 26

28 DENEY-4 Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi Deneyin Amacı: BJT yapmak. transistörlerle yapılan yükselteçlerin alçak ve yüksek frekans analizlerini Teorinin Özeti: Şimdiye kadar gördüğümüz transistörlü yükselteçlerin voltaj kazançları, küçük sinyal analizini kullanarak yaptığımız analiz sonucunda sabit çıkmıştı. Buna rağmen gerçekte yükselteçlerin kazancı frekansa bağımlıdır ve frekans değiştikçe voltaj kazancıda değişmektedir. Peki küçük sinyal analizini kullanarak bulduğumuz kazanç, hangi frekanslarda geçerlidir ve bu frekans aralığının dışında kazancın değeri ne olmaktadır. Bu sorunun cevabı belkide üç aşamada verilmelidir. Birinci olarak transistörün küçük sinyal kazancı orta (middle) frekans bandı diye tanımladığımız bölgede geçerlidir ve bu bant boyunca değişen frekanstan bağımsız olarak kazanç sabit kalmaktadır. İkinci aşamada transistörün alçak (düşük) frekans aralığında kazancın değişimini sayabiliriz. İkinci aşama eğer yükselteç giriş ve çıkışlarında R ve C elemanları kullanılıyorsa geçerlidir. Eğer RC elemanları kullanılmıyor ve transistör(ler) direkt kuplaj ile sinyal jeneratörüne ve yüke bağlanıyorsa, alçak frekans bandında da voltaj kazancı küçük sinyal kazancına eşit olur. Öte yandan RC kuplajlı devrelerde bulunan C elemanının kapasitif reaktansı (X C ) frekansa bağımlıdır ve frekans düştükçe değeride artmaktadır. Bunun sonucu olarak ta hem girişve hem de çıkış sinyallerine karşıbir zorluk göstererek alçak frekanslarda kazancın düşmesine neden olurlar. Bunun hangi sınırlar içerisinde olacağı, kullanılan C ve R elemanlarının değerine bağlıdır. Üçüncü ve son aşamada ise yüksek frekanslardaki kazancın değişimini sayabiliriz. Akla kullanılan C elamanlarının X C değerinin frekans arttıkça düştüğü ve dolayısı ile kazancın azalmaması yönünde bir soru gelebilir. Bu sorunun cevabı evet bu kondansatörler yüksek frekanslarda etkisizdirler, yani kazancın yüksek frekanslarda değişiminden sorumlu değildirler. Peki o zaman yüksek frekanslarda kazanç neden düşmektedir. Bunun cevabı transistörün elektrotları arasında görülen kapasitif etkilerdir. Bu kaçınılmaz bir nedendir ve bu kapasite değerleri transistör üreticileri tarafından belirlenmektedir. Eğer bu kaçınılmaz ise, dizayn sırasında bu etkilerin kazanç üzerinde yapacağı tesirlerde göz önünde tutulmalıdır. Transistörlü Yükselteçlerde Alçak Frekans Analizi Şekil-4.1 de görülen yükselteç devresinde alçak frekansta etkili olan üç kondansatör vardır. Bunlar sırası ile C İ, C O ve C B kondansatörleridir. Şimdi bunların etkilerini önce tek tek, daha sonrada devrenin toplam kazancına olan etkilerini inceleyelim. 27

29 Şekil 4.1 Transistörlü yükseltici devresi C İ kondansatörü kendisine bağlı eşdeğer dirençle bir RC devresi oluşturmaktadır ve bu devrenin kesim frekansı; 1 f Lİ = 2. π. R İ. C İ formülünden hesaplanabilir. Şekil-4.1 deki devre için R İ değeri; R İ =R 1 //R 2 //ßr e olarak alınabilir. C O kondansatörünün neden olduğu kesim frekansı ise; ile hesaplanabilir. Burada R O değeri; C B kondansatörünün etkisi ise; 1 f LO = 2. π. (R O + R L ). C O R O =R C //r O olarak alınabilir. 1 f LB = 2. π. R e. C B ile özetlenebilir. R e, C B, kondansatörlerine bağlı toplam eşdeğer direnç olup, değeri; Her bir kesim frekansından itibaren kazanç -20 db/decade eğimle azalmaktadır. Burada değeri en yüksek çıkan kesim frekansı baskın(dominant) olarak alınır ve yükseltecin alçak frekans kesim 28

30 noktasını belirler. Bu noktadan sonra orta frekans bandı gelir ve bu bantta kazanç yaklaşık olarak sabit kalır(yüksek frekans kesim noktasına kadar). Şekil-4.2 Tipik bir yükseltecin alçak frekans Bode eğrisi Şekil-4.2 de tipik bir transistörlü yükseltecin alçak frekans Bode eğrisini ve bu eğri üzerinde kazancın frekansla nasıl değiştiği görülmektedir. Her bir kesim frekansı logaritmik olarak ölçeklendirilmiş frekans ekseninde işaretlendikten sonra, bu frekanslardan bir decade(bir onluk) aşağı frekansa gidilir ve bu frekansa karşılık gelen -20 db kazanç noktası işaretlenir. Daha sonra her bir kesim frekansı ile bu noktalar birleştirilerek -20 db/decade eğime sahip asimptotlar elde edilir. Daha öncede değinildiği gibi, değeri en yüksek frekans baskındır ve bu frekanstan aşağıya doğru inilerek -3 db noktası işaretlenir. Eğer baskın frekanstan çizdiğimiz asimptot, diğer herhangi bir asimptot ile herhangi bir frekansta çakışıyorsa, çakışma noktasından frekansın azalma yönüne doğru -40 db/decade eğime sahip yeni bir asimptot çizilir. Bu asimptotda bir başkası ile çakışıyorsa bu noktadan itibaren eğim -60 db/decade olarak alınır. Daha sonra serbest elle baskın frekans değerinden başlayarak(-3 db noktasından geçecek şekilde), çakışmalardan sonra çizdiğimiz asimptotlar izlenerek, yükseltecin alçak frekans karakteristiği Bode eğrisi olarak çizilmiş olur. Transistörlü Yükselteçlerde Yüksek Frekans Analizi Yukarıda kısaca değindiğimiz gibi, transistörlerin kendi iç yapılarından dolayı yüksek frekanslarda elektrotlar arası kapasitif etki gösterir. Bunun yanısıra kullanılan kablo ve bakır yollarda yüksek frekanslarda bir kapasitif etkiye sahiptir. Yine önemli bir transistör parametresi olan β değeride frekansla birlikte değişmektedir. Bütün bu etkilerin sonucunda yükseltecin kazancı yüksek 29

31 frekanslarda azalma olarak kendini gösterir. Şekil-4.3 te transistörün elektrotlar arası kapasitif etkileri görülmektedir. Şekil-4.3 Transistörlerde elektrotlar arası kapasiteler Birçok transistör üreticisi firma, kataloglarda bu kapasite değerlerini verirken Şekil-4.3 teki semboller yerine aşağıdaki gösterimleri tercih etmektedir. C CB =C OBO =C OB C BE =C İBO =C İB C CE =C OEO =C OE Bu değerlerden en az etkili olan Cce değeri genellikle kataloglarda verilmez, dolayısı ile etkisi hesaplamalarda ihmal edilebilir. Yüksek frekansta bu kondansatörlerin etkisini özetlemenin en iyi yolu Şekil-4.4 te görülen yükseltecin yüksek frekanstaki eşdeğer devresine bakmaktır. Bu devre Şekil- 4.1 de görülen ortak emiterli yükseltecin yüksek frekans eşdeğer devresidir. Şekil-4.4 : Yükseltecin yüksek frekans eşdeğer devresi Burada C İ kondansatörünün değeri; olarak alınabilir. C wi giriş devresinde kullanılan kabloların kapasitif etkisidir. C Mi ise giriş devresinde görülen Miller kapasitesidir ve değeri Şekil-4.1 deki devre için; alınmalıdır. C o kondansatörü ise; 30

32 değerindedir. C wo çıkış devresinde görülen kablolama kapasitesidir.. C Mo ise çıkış devresinde görülen Miller kapasitesidir. Değeri ; olarak alınabilir. Giriş devresinin yüksek frekans kesim değerini bulabilmek için, C İ kondansatörüne bağlı dirençlerin toplamına R Th1 dersek; olarak bulunur. Buradan kesim frekansı; olarak bulunur. Çıkış devresinin kesim frekansı ise; olmak üzere, olarak bulunur. Yüksek frekansta β değerinin değişmesi sonucu üçüncü bir kesim frekansı oluşur. Bu frekansı bulabilmek için Şekil-4.5 te görülen hibrit-π veya diğer adı ile Giacoletto modeline bakalım. Şekil-4.5 : Transistörlü yükselteçlerin yüksek frekans hibrit-π modeli Transistör β değerinin yüksek frekansla değişimi; 31

33 olarak özetlenebilir. Burada f β (β nın yüksek frekanstaki değişiminden dolayı oluşan kesim frekans değeri) yukarıdaki eşdeğer devre kullanılarak aşağıdaki gibi bulunabilir. Yüksek frekansta etkili olan elemanlardan dolayı oluşan bu kesim frekansları artık Bode eğrisi çiziminde kullanılabilir. Bunun için öncelikle frekans ekseninde kesim frekansları işaretlenir ve her kesim frekansından bir decade(bir onluk) yukarı frekansa gidilerek, bu noktalarda -20 db değerleri işaretlenir(bakınız Şekil-6). Daha sonrada bu noktalar birleştirilerek yüksek frekans asimptotları elde edilir. Burada artık baskın(dominant) kesim frekansı değeri en küçük olanıdır. Bu yüzden bu frekans değeri ile -3 db değerinin kesiştiği nokta işaretlenir. Yüksek frekans eğrimiz bu noktadan geçmelidir. Alçak frekans cevabını çizerken izlediğimiz yol aynen burada da takip edilerek, transistörlü yükselteçlerin yüksek frekans Bode eğrisi çizilmiş olur. Daha sonra alçak, orta ve yüksek frekans eğrileri Şekil-4.7 de görüldüğü gibi tek bir grafik olarak çizilerek, yükseltecin toplam frekans eğrisi elde edilmiş olur. Şekil-4.6 : Tipik bir yükseltecin yüksek frekans Bode eğrisi 32

34 Şekil-4.7 : Tipik bir yükseltecin tüm frekans aralığı Bode eğrisi Deneyin Yapılışı: Not: İşlem basamaklarında yapacağınız voltaj ölçümlerini osilaskop ile yapınız. Osilaskopta voltaj ölçümü yaparken bütün voltaj değerlerini tepeden-tepeye(peak to peak) voltaj değerleri olarak alınız. 1. Şekil-4.8 de görülen yükselteç devresini deney seti üzerine kurarak, girişine sinyal jeneratörünü bağlayınız. Şekil-4.8 : Yükselteç devresi 33

35 2. Sinyal jeneratörünün çıkışını sinüs konumuna getirerek, frekansını 1KHz ve genliğini minimum durumda tutunuz. Osilaskobun 1. Kanalını sinyal jeneratörü çıkışına, 2. Kanalını da yük direncine bağlayınız. Şimdi sinyal jeneratörünün genliğini yavaş yavaş arttırarak 100 mv(p-p) değerine getiriniz. Bu durumda çıkıştan(yük üzerinden) distorsiyonsuz (bozulmamış) bir sinüs dalgası elde etmelisiniz. Eğer çıkışta bozulma oluyorsa, giriş genliğini azaltarak aşağıya not ediniz. VS =. mv(p-p) 3. Bundan sonra sinyal jeneratörünün frekansını sırası ile aşağıdaki tabloda görülen değerlere ayarlayarak, her frekans için çıkış genliğini(tepeden-tepeye) ölçünüz ve tablodaki uygun yerine yazınız. Not: Frekans değiştikçe sinyal jeneratörü çıkış genliğide değişebilir, bu yüzden her adımda sinyal jeneratörünün genliğinin yukarıda ölçtüğünüz değerde sabit kalmasını sağlayınız. Gerekirse genliği ayarlayarak, yukarıdaki değere getiriniz. 4. Yukarıda bulduğunuz çıkış genlik değerlerini her frekans için sabit giriş genliğine bölerek devrenin o frekanslardaki voltaj kazançlarını hesaplayınız ve aşağıdaki tabloya yazınız. Daha sonra bu kazançları karşılaştırarak orta frekans bandında yaklaşık sabit kalan AV(mid)değerini bulunuz(tablodan çıkartınız) ve aşağıya yazınız. A V(mid) = 5. Şimdi yukarıdaki tabloda bulduğunuz her kazancı A V(mid) değerine bölünüz ve aşağıdaki tabloya yazınız(a V / A V(mid) ) 34

36 6. Yukarıdaki tabloda bulduğunuz her A V /A Vmid değerinin logaritmasını alarak 20 ile çarpınız ve sonuçları aşağıdaki tabloya yazınız(20log(a V /AVmid))dB basamakta bulduğunuz değerleri kullanarak yarı logaritmik kağıt üzerine yatay eksende logaritmik olarak frekans ve dikey eksende db cinsinden normalize edilmiş kazanç Ön Hazırlık 1- Deneyde kullandığınız yükselteç devresinin alçak frekans kesim noktasını daha alçak bir değere çekmek için ne yapılmalıdır? 2-1. soruyu yüksek frekans için yeniden cevaplayınız. 3- Elde ettiğiniz Bode eğrileri ne amaçla kullanılıyor olabilir ve bu eğriler bize neyi anlatıyor? Lütfen açıklayınız. 4- Bode eğrilerinin okunması ve çizilmesini araştırınız. Rapor Notları 2. Deney sonuçlarınızı ve yorumlarınızı ön çalışmanıza ekleyiniz. 3. Yukarıda deneysel yol ile elde ettiğiniz sonucu şimdi birde teorik olarak elde edelim. Bunun için ekte verilen BC238B transistor ünün bilgi yaprağında bulunan değerleri kullanarak, deneyde kurduğunuz devre için, Voltaj kazancını, alçak ve yüksek frekanstaki kesim değerlerini teorik yolla bularak, Bode eğrisini tüm frekans aralığı için yeniden çiziniz. 4. Elde ettiğiniz sonuçlara dayanarak, deneysel yolla ve teorik olarak bulunan frekans eğrilerini yorumlayınız. Bulduğunuz sonuçlar uyuşuyor mu? Eğer arada fark var ise nedenlerini tartışınız. Malzeme Listesi 2 Adet BC238B (1 Yedek) 2 Adet 6,8uF kapasitör, 10uF kapasitör 1K Ω, 2 adet 4.7K Ω, 82K Ω, 270K Ω, 35

37 36

38 DENEY-5 GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ Deneyin Amacı: A, B, AB sınıfı kuvvetlendiricilerin incelenmesi ve gerçeklenmesi. Teorinin Özeti: Kuvvetlendiriciler, kuvvetlendirdikleri elektriksel büyüklüğün boyutuna göre gruplanır. Buna göre gerilim, akım ve güç kuvvetlendiricisi olmak üzere üç grup kuvvetlendirici vardır. Güç kuvvetlendiricilerinde yüke aktarılan güç önemlidir. Devrede oluşan kayıplar nedeni ile kaynaktan çekilen gücün tamamı yüke aktarılamaz. Yüke aktarılan güç P Y ve kaynaktan çekilen güç P DC ile gösterilsin. Yüke aktarılan gücün, kaynaktan çekilen güce oranına verim denir ve η ile gösterilir. Devrede harcanan güç nedeni ile verim %100 den küçüktür.güç kuvvetlendiricileri girişteki sinüzoidal işarete karşılık transistör üzerinden akan akımın akış açısına bağlı olarak sınıflara ayrılır. A Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi Şekil-5.1 A sınıfı temel güç kuvvetlendiricisi A sınıfı çalışmada giriş işaretinin iki yarı periyodu da kuvvetlendirilerek yüke aktarılır (Şekil 5.2). Şekil-5.2 Q çalışma noktası ve statik ve dinamik yük doğruları 37

39 Şekil 5.1 deki devreyi incelersek: Yüke aktarılan işaretin maksimum genlikli olabilmesi için çalışma noktasında V CE = V CC /2 seçilmelidir. Bu durumda çalışma noktasında kollektör akımı I C =V CC /2R L olur. B Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi Temel bir B sınıfı güç kuvvetlendiricisi Şekil 5.3 te verilmiştir. B sınıfı çalışmada çıkış akımının akış açısı θ =180 O dir. Buna göre girişe alternatif bir işaret uygulandığında işaretin bir yarı periyodu kuvvetlendirilerek yüke güç aktarılmaktadır (Şekil 5.4). V i = 0 iken akım akmaz. Bu nedenle verim A sınıfına göre daha yüksektir. Şekil-5.3 Temel B sınıfı güç kuvvetlendiricisi 38

40 Şekil-5.4 İdeal B sınıfı kuvvetlendiricinin yük doğrusu ve alternatif çıkış akım-gerilimleri B sınıfı çalışmada sadece bir yarı periyot kuvvetlendirildiği için distorsiyon yüksektir. Giriş işaretinin tümünü kuvvetlendirmek için 2 transistörlü yapı kullanılır (Şekil 5.5). Şekil-5.5 Push pull B sınıfı kuvvetlendirici Şekil 8.5 deki devreyi incelersek: V i =0 iken T1 ve T2 kesimdedir, V 0 =0 V i >V BE V i <-V BE iken T1 iletimdedir, iken T2 iletimdedir, V BE < V i < V BE arasında V 0 = 0 dır. Bu bozulmaya geçiş (cross-over)distorsiyonu denir. Çıkış işaretinin maksimum değeri V OM = V CC V CESAT dır. 39

41 AB Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi AB sınıfı çalışmada çıkış akımının akış açısı < θ < dir. B sınıfı kuvvetlendiricide geçiş distorsiyonu oluştuğu için bu bozulmayı önleyecek şekilde devreye 2 diyot eklenir. Böylece V i = 0 iken de devreden akım akar. B sınıfı çalışmaya göre distorsiyon daha azdır. Verim ise B sınıfına göre daha düşüktür. Deneyin Yapılışı: Deney Şekil 5.6 daki A sınıfı kuvvetlendirici devresini kurunuz ve çalıştırınız. Bu devreyi çalıştırırken devrenin girişine f=1khz lik 10mV genlikli bir gerilim uygulayınız. Giriş ve çıkış işaretlerini osiloskop şablonu üzerine çiziniz. 2. Devrenin kazancını ve çıkışta bozulma olmadan girişe uygulayabileceğiniz maksimum giriş işareti genliğini tespit ediniz ve sonuç sayfasındaki tabloya yazınız. 3. Kırpılmasız maksimum çıkış genliğindeki çıkış akımını hesaplayınız ve sonuç sayfasındaki tabloya yazınız. 4. Devrenin verimini ölçülen değerlerden hesaplayınız ve sonuç sayfasındaki tabloya yazınız. Deney Şekil 5.7 deki eşlenik transistörlü Push-Pull B sınıfı kuvvetlendiriciyi çalıştırınız. Devre girişine f = 1kHz lik 1V genlikli bir gerilim uygulayınız. 2. Giriş ve çıkış işaretlerini osiloskop şablonu üzerine çiziniz. 3. Maksimum çıkış gerilimi değeri için devrenin verimini ölçülen değerlerden yararlanarak hesaplayınız ve tabloya yazınız. Deney Geçiş distorsiyonu düzeltilmiş AB sınıfı Push-Pull kuvvetlendirici DC kutuplama devresi ile birlikte gerçeklenecektir. (Şekil 5.8) Giriş ve çıkış işaretlerini osiloskop şablonu üzerine çiziniz. Devrenin verimini ölçülen değerlerden hesaplayınız ve tablo 5.1 i doldurunuz. 40

42 Şekil 5.6 A Sınıfı Kuvvetlendirici Deney Devresi CH1 time/div CH1 volt/div CH2 time/div CH2 volt/div 41

43 Şekil 5.7 B Sınıfı Kuvvetlendirici Deney Devresi CH1 time/div CH1 volt/div CH2 time/div CH2 volt/div 42

44 Şekil 5.8 AB Sınıfı Kuvvetlendirici Deney Devresi CH1 time/div CH1 volt/div CH2 time/div CH2 volt/div 43

45 Tablo 5.1 Güç Kuvvetlendiricileri Arasındaki Karşılaştırma Kırpılmasız maksimum çıkış gerilimi Yük akımı A Sınıfı B Sınıfı AB Sınıfı Maksimum verim Ön Hazırlık 1. Deneyde kuracağınız bütün devrelerin verimini Proteus yardımıyla hesaplayınız. 2. Güç kuvvetlendirici devreleri temelde ne işe yarar ve nerelerde kullanılır? 3. Güç kuvvetlendiricilerin sınıflandırılması neye göre yapılır ve kaç çeşit güç kuvvetlendiricisi vardır? 4. Bir güç kuvvetlendiricisinin verimini tanımlayınız. 5. Maksimum akım sınırı 500mA; maksimum dayanma gerilimi 40V; V CESAT =0.5V ve β=100 değerleri ile verilen bir transistör kullanarak 100Ω yük direncine 0.5W güç sağlayan bir A sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarlayınız. 6. Şekil 5.5 deki gibi B sınıfı bir güç kuvvetlendiricisi verilmektedir. Devrenin yük direnci 100Ω ve besleme gerilimleri ±15V dur. Transistörlerin V CESAT değerleri 0.5V olduğuna göre yüke aktarılabilecek maksimum gücü hesaplayınız. (V BE =0; β çok büyük ve çıkış gerilimi tam sinüzoidal varsayınız). Rapor Notları Teorik hesabınızın ve deney sonuçlarınızı karşılaştırın ve yorumlayınız. Malzeme Listesi 1xBC237, 1xBD135, 1xBD136 (1 er tane yedek getirilmesi tavsiye olunur) 2 adet 1N adet 110kΩ, 2 adet 10kΩ, 2 adet 1,5kΩ, 1 adet 24Ω, 4 adet 120Ω (1/2watt), 2 adet 1,2kΩ, 1 adet 2,2kΩ 2 adet 1µf, 1 adet 4.7µf Not: Deney föyü ve ön çalışması olmayan öğrenci derse alınmayacaktır. Devrenizi önceden breadboard üzerine kurarak getirmeniz tavsiye edilir. 44

46 DENEY-6 GERİ BESLEMELİ KUVVETLENDİRİCİLER Deneyin Amacı: Geri beslemeli kuvvetlendirici devre yapısını ve çalışmasını deney yoluyla öğrenmek. Geri beslemenin kuvvetlendiriciler üzerindeki etkilerini incelemek. Teorinin Özeti: Geri beslemeli devreler elektronikte oldukça geniş bir kullanım alanı olan bir konudur. Bir elektronik devrede, çıkıştan alınan işaretin bir örneğinin aynı fazda veya zıt fazda girişe aktarıldığı devrelere Geri beslemeli Devreler diyoruz. Giriş işaretine zıt fazda gelen işarete dayalı devrelere negatif geri besleme devreleri, işleme negatif geri besleme, giriş işaretine eş fazda gelen işarete dayalı devrelere pozitif geri besleme devreleri, işleme pozitif geri besleme denir. Geri beslemeli sistemin genel blok diyagramı Şekil 6.1 de görülmektedir. Vs giriş sinyali, bir karıştırma devresine uygulanır ve bu arada βvo geri besleme sinyali ile birleştirilir. Bu sinyallerin farkı olan Vi, daha sonra yükseltece giriş gerilimi olarak uygulanır. Yükselteç çıkışının bir kısmı, giriş karıştırıcı devresine geri besleme sinyalini uygulayan geri besleme devresine (β) bağlanır. Şekil 6.1 Geri beslemeli sistemin genel blok diyagramı Geri beslemeli sisteme ilişkin transfer fonksiyonu: Burada Ao, geri beslemesiz kuvvetlendirici devresinin kazancı olup aynı zamanda açık çevrim kazancı olarak da ifade edilir. Af ise Geri beslemeli kuvvetlendirici devresinin kazancıdır. Transfer fonksiyonunda yer alan βao (βao: Döngü Kazancı) büyüklüğüne bağlı olarak sistemden elde edilen performans farklılık gösterir. 45

47 Transfer fonksiyonuna göre eşitliğin paydasındaki βao terimi incelenecek olursa; βao = 0 ise sistemde geri besleme yoktur. βao > 0 ise sistemde negatif geri besleme vardır. βao < 0 ise sistemde pozitif geri besleme vardır. βao = -1 ise sistem osilasyon yapar. Transfer fonksiyonuna göre döngü kazancı 1 den oldukça büyük olması durumunda (βao>>1) negatif geri beslemeli kuvvetlendirici devresinin kazancı tümüyle açık çevrim kazancından bağımsızdır. Pozitif Geri Besleme Af > Ao, transfer fonksiyonundaki paydanın modülü 1 den küçükse pozitif geri besleme söz konusudur. Pozitif geri besleme bazı özel durumlarda (darbe şekillendiriciler, osilatörler, aktif süzgeçler) kullanılır. Elde edilen kazanç geri beslemesiz kuvvetlendiriciden elde edilen kazanca göre yüksektir. Negatif Geri Besleme Af < Ao, transfer fonksiyonundaki paydanın modülü 1 den büyükse negatif geri besleme söz konusudur. Negatif geri besleme sistemler üzerinde bazı iyileştirici etkileri olduğundan oldukça sık karşılaşılan bir uygulamadır. Negatif geri besleme ile elde edilen gerilim kazancı, geri beslemesiz gerilim kazancına oranla oldukça düşüktür. Ancak bu kazanç kaybına karşılık yüksek bir giriş empedansı, düşük bir çıkış empedansı, daha kararlı bir kuvvetlendirici kazancı ve daha yüksek bir kesim frekansı elde etmek mümkündür. Kararlılığın artması ile birlikte aktif devre elemanındaki ısıl değişimler, zamanla parametrelerdeki değişimler ve gürültülerin etkisi azaltılmış olur. Negatif geri beslemeli devrelerin iyileştirici etkileri aşağıda özetlenmiştir. Daha yüksek giriş empedansı elde edilir. (Uygun bir negatif geri besleme topololojisi ile sağlanabilir.) Daha düşük çıkış empedansı elde edilir. (Uygun bir negatif geri besleme topololojisi ile sağlanabilir.) Frekans cevabı daha iyidir. Band-genişliği arttığından daha geniş bir frekans alanında girişin kuvvetlenmesi sağlanır. Geri beslemeli ve geri beslemesiz kuvvetlendiricilerden elde edilen kazançfrekans karakteristiği Şekil 6.2 de verilmiştir. Çıkıştaki distorsiyon ve gürültü etkileri negatif geri besleme ile en aza indirilir. (1+βAo) faktörü hem giriş gürültüsünü hem de sonuçta ortaya çıkan doğrusal olmayan bozulmayı önemli ölçüde azaltarak 46

48 belirgin bir şekilde iyileştirme sağlar. Ancak toplam kazancında azaldığını belirtmek gerekir. Kazancı geri beslemesiz kazanç düzeyine çıkarmak için ilave katların kullanılması halinde, bu ilave katın ve/veya katların sisteme, geri besleme yükseltecinin azalttığı kadar gürültü ekleyebileceği bilinmelidir. Kararlılık artar. Böylece devreden elde edilen kazanç, ısıl değişimlerden ve zamanla parametrelerdeki değişimlerden bağımsız hale gelir. Şekil 6.2 Geri beslemeli (Af) ve geri beslemesiz kuvvetlendirici (Ao) kazanç-frekans karakteristiği Geri Besleme Bağlantı Türleri Geri besleme sinyalini bağlamanın 4 temel yolu vardır. Hem gerilim hem de akım girişe seri ya da paralel olarak uygulanabilir. Seri-gerilim geri beslemesi Seri-akım geri beslemesi Paralel-gerilim geri beslemesi Paralel-akım geri beslemesi Buna göre gerilim, geri besleme devresine giriş olarak bağlanan çıkış gerilimini, akım, geri besleme devresinden akan çıkış akımını göstermektedir. Seri terimi, geri besleme sinyalinin, giriş sinyal gerilimi ile seri şekilde bağlandığını, paralel terimi ise geri besleme sinyalinin giriş akım kaynağına paralel bağlandığını gösterir. Geri Beslemenin Giriş ve Çıkış Empedanslarına Etkisi Seri geri besleme bağlantıları, giriş direncini yükseltme, paralel geri besleme bağlantıları ise giriş direncini düşürme eğilimi gösterir. Gerilim geri beslemesi çıkış empedansını düşürür, akım geri beslemesi ise çıkış empedansını yükseltir. Tipik olarak kaskat bağlı yükselteçlerin çoğunda yüksek giriş ve düşük çıkış empedansı arzu edilir. Geri beslemenin giriş ve çıkış empedanslarına etkisi aşağıdaki Tablo 6.1 de özetlenmiştir. 47

49 Tablo 6.1 Geri Besleme Bağlantı Türlerine Göre Giriş Ve Çıkış Empedanslarının Hesaplanması Deneyin Yapılışı: 1. Şekil 6.3 deki devreyi kurunuz. Girişe 10KHz frekansında 20mV genlikli sinüsoidal gerilim uygulayınız. 2. Geri beslemesiz devrenin kazancını gözleyiniz. 3. Geri besleme devresini ekleyiniz. R f nin farklı değerleri için ölçtüğünüz kazanç değerlerini Tablo 6.2 ye yazınız. Her bir direnç değeri için döngü kazancını (A 0 ) hesaplayınız. 4. Geri beslemesiz devre ve geri beslemeli (üç farklı direnç değeri ile) devrelerin alt ve üst frekansını deneysel yolla belirleyiniz ve Şekil 6.4 ve Şekil 6.5 üzerine çiziniz. 5. Ölçtüğünüz kazanç değerleri ile hesapladığınız değerleri karşılaştırarak tutarlılığını yorumlayınız. Şekil 6.3 Deney devresi 48

50 Tablo 6.2 Ölçüm sonuçları Şekil 6.4 Geri beslemesiz devrenin kazanç eğrisi Şekil 6.5 Geri beslemeli devrelerin kazanç eğrileri 49

51 Ön Hazırlık 1. BC108 transistörünün katalog bilgilerini inceleyip bacak bağlantılarını ve transistörün DC şartlardaki önemli parametrelerini öğreniniz. 2. Şekil 6.3 deki geri beslemeli kuvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer modelini çiziniz (Transistörler h-parametreleri ile modellenecektir). 3. Bu devrenin açık çevrim kazancı (A o ), her bir Rf direnci için döngü kazancı (A o ) ve geri beslemeli devrenin kazancı (A f ) değerlerini proteus kullanarak simülasyon verileriyle hesaplayınız. Frekans analizi kullanarak alt üst kesim frekanslarını bulunuz. Rapor Notları Teorik hesabınızın ve deney sonuçlarınızı karşılaştırın ve yorumlayınız. Malzeme Listesi 2 adet BC108 1 adet 1f, 1 adet 10f 1 adet 180k, 1 adet 27k, 1 adet 10k, 1 adet 1k, 1 adet 270, 1 adet 3.9k, 1 adet 5.6k 1 adet 33k, 1 adet 68k, 1 adet 270k Not: Deney föyü ve ön çalışması olmayan öğrenci derse alınmayacaktır. Devrenizi önceden breadboard üzerine kurarak getirmeniz tavsiye edilir. 50

52 Simülasyon temsilidir ve yardımcıdır. Aynı görüntünün ön çalışma ve raporda kullanılması kopya muamelesi gerektirir. 51

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi DENEY-4 Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi Deneyin Amacı: BJT yapmak. transistörlerle yapılan yükselteçlerin alçak ve yüksek frekans analizlerini Teorinin Özeti: Şimdiye kadar gördüğümüz transistörlü

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : YAPILIŞ TARİHİ: GRUP ÜYELERİ : 1. 2. 3. DERSİN SORUMLU ÖĞRETİM ÜYESİ: Yrd. Doç.

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L

Detaylı

ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI

ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI Deney Hocası: Yılmaz Ürgün Amaç: A, B, AB Sınıfı Kuvvetlendiricilerin İncelenmesi ve Gerçeklenmesi. Malzeme Listesi: Transistör:

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz. Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 1: Transistörlü Yükselteç Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.

Detaylı

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı 1. OSİLATÖRLER 1.1. Osilatör Nedir? Elektronik iletişim sistemlerinde ve otomasyon sistemlerinde kare dalga, sinüs dalga, üçgen dalga veya testere dişi dalga biçimlerinin kullanıldığı çok sayıda uygulama

Detaylı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER) EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre

Detaylı

(BJT) NPN PNP

(BJT) NPN PNP Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop Osiloskop kullanarak alternatif gerilimlerin incelenmesi Deney Malzemeleri: 5 Adet 1kΩ, 5 adet 10kΩ, 5 Adet 2k2Ω, 1 Adet potansiyometre(1kω), 4

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU

Detaylı

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL

Detaylı

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin

Detaylı

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Deneyin Amacı: Alçak frekans güç yükselteçleri ve çıkış katlarının incelenip, çalışma mantıklarının kavranması Kullanılacak Materyaller: BD135 (npn Transistör)

Detaylı

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

Şekil Sönümün Tesiri

Şekil Sönümün Tesiri LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin

Detaylı

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:

Detaylı

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi: 1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit

Detaylı

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır. Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. 2 OSİLATÖRLER 1. Ön Bilgiler 1.1 Osilatör Osilatörler DC güç kaynağındaki elektrik enerjisini AC elektrik enerjisine

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ 9.1. DENEYİN AMAÇLARI DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ RC devresinde kondansatörün şarj ve deşarj eğrilerini elde etmek Zaman sabiti kavramını öğrenmek Seri RC devresinin geçici cevaplarını incelemek

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 2 OHM-KIRCHOFF KANUNLARI VE BOBİN-DİRENÇ-KONDANSATÖR Malzeme Listesi: 1 adet 47Ω, 1 adet 100Ω, 1 adet 1,5KΩ ve 1 adet 6.8KΩ Dirençler 1 adet 100mH Bobin 1 adet 220nF Kondansatör Deneyde Kullanılacak

Detaylı

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi DENEY 8: PASİF FİLTRELER Deneyin Amaçları Pasif filtre devrelerinin çalışma mantığını anlamak. Deney Malzemeleri Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop.

Detaylı

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine

Detaylı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100-200 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEYİN AMACI: Bu deneyi başarıyla tamamlayan her öğrenci 1. Filtre tasarımında uyulması gereken kuralları bilecek

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : DENEY TARİHİ : DENEYİ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ DENEYİN AMAÇLARI DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ RC devresinde kondansatörün şarj ve deşarj eğrilerini elde etmek Zaman sabiti kavramını öğrenmek Seri RC devresinin geçici cevaplarını incelemek Deney Malzemeleri:

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015

Detaylı

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle

Detaylı

AC DEVRELERDE BOBİNLER

AC DEVRELERDE BOBİNLER AC DEVRELERDE BOBİNLER 4.1 Amaçlar Sabit Frekanslı AC Devrelerde Bobin Bobinin voltaj ve akımının ölçülmesi Voltaj ve akım arasındaki faz farkının bulunması Gücün hesaplanması Voltaj, akım ve güç eğrilerinin

Detaylı

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot

Detaylı

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER 1. DENEYİN AMACI KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER DC-DC gerilim azaltan

Detaylı

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ AMAÇLAR: ir transistor ün kolektör e baz eğrilerinin görülmesi. Transistor ün beta ( β) değerinin belirlenmesi. Sıcaklığa bağlı değişimlerin belirlenmesi.

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç: KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle

Detaylı

ANALOG HABERLEŞME (GM)

ANALOG HABERLEŞME (GM) ANALOG HABERLEŞME (GM) Taşıyıcı sinyalin sinüsoidal olduğu haberleşme sistemidir. Sinüs işareti formül olarak; V. sin(2 F ) ya da i I. sin(2 F ) dır. Formülde; - Zamana bağlı değişen ani gerilim (Volt)

Detaylı