TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLER

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLER"

Transkript

1 Karadeniz Teknik Üniversiesi Mühendislik Fakülesi * Elekrik-Elekronik Mühendisliği Bölümü Elekronik Anabilim Dalı * Elekronik Laborauarı I 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLER Transisörlerin yükseleç olarak nasıl çalışırıldığının anlaşılması. Yükseleçlerde D çalışma nokasının öneminin anlaşılması. Yükseleçlerin D kuuplama ve analizinin anlaşılması. Yükseleçlerde kararlı çalışma için çeşili kuuplama yönemlerinin incelenmesi. 2. Ön Bilgi 2.1. D Kuuplama ve Çalışma Nokası Transisörlü yükseleç; girişinden uygulanan işareleri yükselerek çıkışına akarmak üzere asarlanmış bir devredir. Transisör, yükseleç olarak çalışabilmesi için D kuuplama gerilimlerine gereksinim duyar. Transisöre uygulanan kuuplama gerilimleri çıkış karakerisiği üzerinde ransisörün çalışma nokasını belirler. Transisörün sahip olduğu kuuplama akım ve gerilim değerini göseren bu noka çalışma nokası ya da Q nokası olarak adlandırılır. Şekil 1 de bir ransisörün çıkış karakerisiği üzerinde çeşili çalışma nokası örnekleri verilmişir. Şekil 1: Transisör için çeşili çalışma nokası örnekleri Çalışma nokasının uygun seçilmemesi durumunda çıkış işareinde kırpılmalar oluşmakadır. Bu durum Şekil 2 de göserilmişir. Şekil 2: Bir yükseleç devresinin doğrusal ve doğrusal olmayan çalışmasına örnekler

2 2.2. D Yük Doğrusu Transisörlü yükseleç devrelerinde çalışma nokasının ve D yük doğrusunun önemini gösermek amacı ile şekil 3.a da görülen devreden yararlanılacakır. Bu devrede ransisörün kuuplama akım ve gerilimleri, BB ve kaynakları ile ayarlanabilmekedir. Devredeki ransisör için kolekör karakerisik eğrileri ise şekil 3.b de verilmişir. Şekil 3: Ayarlanabilen kaynaklarla dc kuuplama ve ransisörün karakerisik eğrisi D kuuplamanın ekisini ve önemini anlamak amacı ile şekil-3 deki devrede I B akımını farklı değerlere ayarlayarak her bir I B akımı değerine karşılık ransisörün I ve E değerlerinin nasıl değişiğini inceleyelim. İlk olarak kollekör devresi için çevre denklemi yazılırsa; I = R 1 = R I + E E + R (1) bağınısı elde edilir. (1) bağınısı I düzleminde eğimi gelir. Bu doğru D yük doğrusu olarak adlandırılır. E 1 olan bir doğruya karşılık R BB kaynağını ayarlayarak I B değerini 100 µa yapalım. Bu durumda ransisörün kollekör akımı I ; I =β I B = µa=20ma olacakır. Bu kolekör akımına karşılık ransisörde oluşan kolekör-emier gerilim düşümü E; E = -( I R )= 10 - (20mA 200Ω) = 6 olacakır. Bulunan bu değerlere karşılık gelen ransisörün çalışma nokası şekil 4 de ransisör karakerisiğinde göserildiği gibi Q1 olacakır.

3 Transisörün baz akımının I B =150 µa yapılması durumunda ise kollekör akımı I ; I = β I B = µa=30ma olacakır. Bu kolekör akımına karşılık ransisörde oluşan kolekör-emier gerilim düşümü E ; E = -( I R )= 10 - (30mA 200Ω) = 4 olacakır. Bulunan bu değerlere karşılık gelen ransisörün çalışma nokası şekil 4 de ransisör karakerisiğinde göserildiği gibi Q2 olacakır. Son olarak baz akımının I B =200 µa yapılması durumunda ransisörün çalışma nokasını bulalım I = β I B = µa=40ma E = -( I R )= 10 - (40mA 200Ω) = 2 olacakır. Bulunan bu değerlere karşılık gelen ransisörün çalışma nokası şekil 4 de ransisör karakerisiğinde göserildiği gibi Q3 olacakır. Şekil 4: Transisör karakerisiği üzerinde D yük doğrusunun göserilişi Şekil 4 dikkalice incelenirse ransisörün baz akımındaki değişim, kolekör akımını değişirmeke dolayısıyla ransisörün kolekör-emier ( E ) gerilimi de değişmekedir. Örneğin I B akımındaki arma I akımını arırmakadır. Buna bağlı olarak E gerilimi azalmakadır. Bu durumda BB geriliminin ayarlanması ile I B değeri ayarlanmakadır. I B nin ayarlanması ise ransisörün D çalışma nokasını yük doğrusu üzerinde hareke eirmekedir. Şekil 4 de ransisör karakerisiği üzerinde göserilen ve Q1, Q2 ve Q3 olarak belirilen çalışma nokalarının birleşirilmesi ile elde edilen doğru D yük doğrusu olarak adlandırılır.

4 D yük doğrusu x eksenini 10 da kesmekedir. Bu değer E = nokasıdır. Bu nokada ransisör kesimdedir çünkü kolekör ve baz akımları idealde sıfırdır. Gerçeke baz ve kolekör akımları bu nokada am sıfır değildir. Çok küçük bir sızını akım vardır. Bu nedenle bu kesim nokası gerçeke 10 dan biraz daha küçükür. Yine bu örneke dc yük doğrusunun I eksenini kesiği değer idealde 50mA dir. Bu değer ise ransisör için doyum nokasıdır. Transisörün doyum nokasında kolekör akımı maksimumdur. Çünkü bu nokada 0 dır. Kolekör akımı; E I (2) R değerinde olacakır ve maksimumdur. Doğrusal Çalışma Doğrusal yükselme işlemini incelemek için Şekil 5 de verilen devreden yararlanılacakır. Başlangıça devre girişine s işareinin uygulanmadığını düşünelim. Devrede baz akımının I B =150µA ve buna karşılık kollekör akımı 30mA olacakır. Bu durumda ransisörün çalışma nokası E =4 olacakır. Bu noka Şekil 5.b de ransisör karakerisiği üzerinde göserilen Q çalışma nokasıdır. Şekil 5: Transisörlü yükseleç devresi ve yük doğrusu üzerinde sinyal davranışları

5 Devre girişine s kaynağından baz akımı üzerinde ±50µA(epe değeri) ekisi olan bir sinüs işarei uygulandığını varsayalım. Önce s işareinin poziif saykılı geldiğini kabul edelim. Bu işare; BB kaynağı ile aynı yönde eki edecek ve baz akımının yükselmesine neden olacakır. Giriş işarei S, poziif epe değerine ulaşığında baz akımıda maksimum oranda yükselecekir. Bu anda I B =150+50=200µA olacakır. Bu değer şekil 5.b de karakerisike A nokası olarak işarelenmişir. Buna karşılık kolekör akımı 40mA değerine yükselecek, kollekör-emier gerilimi ise 2 değerine düşecekir. Bu aşamadaki çalışmaya dikka edilirse ransisörün çalışma nokası A nokasına kaymışır. Burada giriş işareinde oplam 50µA lik bir değişim vardır. Çıkış kolekör akımında ise 10mA lik bir değişim söz konusudur. Dolayısıyla giriş işareinin poziif saykılı 200 ka yükselilmişir. Giriş işareinin negaif saykılında ise; bu işare baz akımını dolayısıyla kolekör akımını azalacakır. Transisör şekil 5.b de karakerisik üzerinde göserilen ve B olarak adlandırılan çalışma nokasına kayacakır. Bu çalışma nokasında; I B =100µA, I =20mA ve E =6 değerine ulaşacakır. Aynı şekilde dikka edilirse giriş işareinin 200 ka yükselildiği görülecekir. Buraya kadar anlaılanlardan da anlaşılacağı gibi, devre girişinde A giriş işarei yokken, ransisör Q çalışma nokasında (sükûne nokası) kalmakadır. Girişe bir sinyal gelmesi durumunda ise çalışma nokası bu sinyalin yönüne bağlı olarak kesime veya doyuma doğru kaymakadır. Giriş işarei yükselme işleminde Q nokasının erafında salınmakadır. Transisörün kesim veya doyum nokalarına ulaşmamakadır. Çıkışa elde edilen işare, giriş işareinin yükselilmiş bir formudur. Çıkış işareinin dalga biçiminde herhangi bir bozulma yokur. Bundan dolayı bu işleyişe Doğrusal Çalışma denir. Çıkışın Bozulması(Disorsiyon) Transisörle gerçekleşirilen yükseleçlerde; çıkışan elde edilen yükselilmiş işarein giriş işarei ile aynı dalga formunda olması isenir. Çıkış işareinde her hangi bir bozulma olması isenmez. Çıkış işareinde oluşan veya oluşabilecek bozulmaya ise disorsiyon adı verilir. Yükseleç devrelerinde birçok nedenden dolayı disorsiyon oluşabilir. Şekil 6 de ransisör devresinde oluşabilecek disorsiyonlar çıkış karakerisikleri üzerinde göserilmişir. Şekil 6: Transisörlü yükseleç devrelerinde oluşan disorsiyonlar

6 3.Deneyin Yapılışı 3.1. Deney Donanımları KL Lineer Devre Sei KL Deney Modülü Ölçü Aleleri: Osiloskop, İşare Üreeci, Avomere 3.2. Deneyler Sabi kuuplama deneyi 1. KL lineer devre seini ve KL deney modülünü kullanarak Şekil 7 deki devreyi kurunuz. 2. E = /2 olacak şekilde R4 ü ayarlayınız. 3. Sinyal üreecini devrenin girişine bağlayarak, devre çıkışında maksimum genlikli bozulmamış 1kHz sinüs dalgası göserecek şekilde osiliskopa giriş ve cıkış gerilim dalga şekillerini gözlemleyiniz. 4. Giriş sinyalini değişirmeden R4 ü 1MΩ a ayarlayarak çıkışı gözlemleyiniz. 5. Elde eiğiniz sonuçları Tablo 1 e kaydediniz. Şekil 7: Sabi kuuplama için devre Tablo 1: Sabi kuuplama deney sonuçları I I Giriş B Çıkış A B E E Kendi kendine kuuplama deneyi 1. KL lineer devre seini ve KL deney modülünü kullanarak Şekil 8 deki devreyi kurunuz. 2. R1 i 0Ω a ayarlayın. 3. E = /2 olacak şekilde R4 ü ayarlayınız.

7 4. Sinyal üreecini devrenin girişine bağlayarak, devre çıkışında maksimum genlikli bozulmamış 1kHz sinüs dalgası göserecek şekilde osiliskopa giriş ve cıkış gerilim dalga şekillerini gözlemleyiniz. 5. Giriş sinyalini değişirmeden R4 ü 1MΩ a ayarlayarak çıkışı gözlemleyiniz. 6. R1 i 1kΩ a ayarlayarak aynı işlemleri ekrarlayınız. 7. Elde eiğiniz sonuçları Tablo 2 ye kaydediniz. Şekil 8: Kendi kendine kuuplama için devre Tablo 2:Kendi kendine kuuplama deney sonuçları I I Giriş B B E E Çıkış A β değerinden bağımsız kuuplama deney 1. KL lineer devre seini ve KL deney modülünü kullanarak Şekil 9 daki devreyi 2 devrede olmayacak şekilde kurunuz. 2. = /2 olacak şekilde R2 yi ayarlayınız. 3. Sinyal üreecini devrenin girişine bağlayarak, devre çıkışında maksimum genlikli bozulmamış 1kHz sinüs dalgası göserecek şekilde osiliskopa giriş ve cıkış gerilim dalga şekillerini gözlemleyiniz. 4. Giriş sinyalini değişirmeden R2 yi 10KΩ a ayarlayarak çıkışı gözlemleyiniz. 5. 2(20μF) yi devreye ekleyerek, basamak 4 ve 5 i ekrarlayınız. 6. Elde eiğiniz sonuçları Tablo 3 ye kaydediniz.

8 Şekil 9: β değerinden bağımsız kuuplama için devre Tablo 3: β değerinden bağımsız kuuplama deney sonuçları 2 I B I E BE Giriş Çıkış A Devrede Devrede değil Kollekör geri beslemeli kuuplama için deney 1. KL lineer devre seini ve KL modülünü kullanarak Şekil 10 daki devreyi kurunuz. 2. E = /2 olacak şekilde R4 ü ayarlayınız. 3. Sinyal üreecini devrenin girişine bağlayarak, devre çıkışında maksimum genlikli bozulmamış 1kHz sinüs dalgası göserecek şekilde osiliskopa giriş ve çıkış gerilim dalga şekillerini gözlemleyiniz. 4. Giriş sinyalini değişirmeden R4 ü 1MΩ a ayarlayarak çıkışı gözlemleyiniz. 5. Elde eiğiniz sonuçları Tablo 4 e kaydediniz. Şekil 10: Kollekör geribeslemeli kuuplama için devre

9 Tablo 4: Kollekör geribeslemeli kuuplama deney sonuçları I I Giriş Çıkış B B E E A Darlingon Devresi Deneyi 1. KL lineer devre seini ve KL deney modülünü kullanarak Şekil 11 deki devreyi kurunuz. 2. R4 ü (1 MΩ) maksimuma ayarlayarak I B ve I akımlarını ve b gerilimini ölçünüz. 3. R4 ü (1 MΩ) minimuma ayarlayarak I B ve I akımlarını ve b gerilimini ölçünüz. 4. Elde eiğiniz sonuçları Tablo 5 e kaydediniz. Şekil 11: Darlingon devresi Tablo 5: Darlingon devresi deney sonuçları R4 I b I c A i b Z i R4 max R4 min Haırlama; A i =(1+β1) β2=i c /I b Z i = b /I b (1+β1) β2 R e

BÖLÜM 7 GÜÇ (POWER) YÜKSELTECİ KONU: GEREKLİ DONANIM: ÖN BİLGİ: DENEYİN YAPILIŞI:

BÖLÜM 7 GÜÇ (POWER) YÜKSELTECİ KONU: GEREKLİ DONANIM: ÖN BİLGİ: DENEYİN YAPILIŞI: BÖLÜM 7 GÜÇ (POWER) YÜKSELTECİ KONU: 1. Transisörlü güç yükselecinin analizi ve çalışma karakerisiklerinin incelenmesi. GEREKLİ DONANIM: Osilaskop (Çif Kanallı) İşare Üreeci (Signal Generaor) DC Güç Kaynağı

Detaylı

Bölüm 9 FET li Yükselteçler

Bölüm 9 FET li Yükselteçler Bölüm 9 FET li Yükseleçler DENEY 9-1 Orak-Kaynaklı (CS) JFET Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Orak kaynaklı JFET yükselecin öngerilim düzenlemesini anlamak. 2. Orak kaynaklı JFET yükselecin saik ve dinamik karakerisiklerini

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversiesi Mühendislik Fakülesi * Elekrik-Elekronik Mühendisliği Bölümü Elekronik Anabilim alı * Elekronik Laborauarı I FET.Lİ KUETLENİİCİLE 1. eneyin Amacı FET Transisörlerle yapılan

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN334 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 1: TRANZİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERDE GERİBESLEME I. EĞİTİM II.

Detaylı

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 3 TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 3 TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER T.. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİİLER Deneyi Yapanlar Grubu Numara

Detaylı

Bölüm 11 Temel İşlemsel Yükselteç Devreleri

Bölüm 11 Temel İşlemsel Yükselteç Devreleri Bölüm 11 Temel İşlemsel Yükseleç Devreleri DENEY 11-1 Eviren Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Eviren yükselecin çalışma prensibini anlamak. 2. Eviren yükselecin giriş ve çıkış dalga şekilleri ile gerilim kazancını

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II T.. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY : TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİİLER DENEY GRUBU :... DENEYİ YAPANLAR

Detaylı

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 7 KOMPARATÖRLER

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 7 KOMPARATÖRLER T.C. LĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENİSLİK FKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENİSLİĞİ ÖLÜMÜ ELN4 ELEKTRONİK EVRELER LORTVRI II ENEY 7 KOMPRTÖRLER eneyi Yapanlar Grubu Numara d Soyad Raporu Hazırlayan iğer Üyeler eneyin

Detaylı

DENEY 5 RL ve RC Devreleri

DENEY 5 RL ve RC Devreleri UUDAĞ ÜNİVESİTESİ MÜHENDİSİK FAKÜTESİ EEKTİK-EEKTONİK MÜHENDİSİĞİ BÖÜMÜ EEM2103 Elekrik Devreleri aborauarı 2014-2015 DENEY 5 ve Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı : Deney Sonuçları (40/100)

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II

ANALOG ELEKTRONİK - II ANALOG ELEKTONİK - II BÖLÜM Temel Opamp Devreleri Konular:. Eviren ve Evirmeyen Yükseleç. Temel ark Alıcı.3 Gerilim İzleyici.4 Türev ve Enegral Alıcı Amaçlar: Bu bölümü biirdiğinizde aşağıda belirilen

Detaylı

Elektronik Ders Notları 6

Elektronik Ders Notları 6 Elektronik Ders Notları 6 Derleyen: Dr. Tayfun Demirtürk E-mail: tdemirturk@pau.edu.tr 1 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ Konular: Transistörde DC çalışma noktası Transistörde temel polarama Beyz polarma Gerilim

Detaylı

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde BJT ve MOS kuvvelendiriciler incelenecek ve elde edilecek veriler yardımıyla her iki kuvvelendiricinin çalışma özellikleri gözlemlenecekir.

Detaylı

DENEY NO: 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER

DENEY NO: 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEY NO: 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde BJT ve MOS kuvvelendiriciler incelenecek ve elde edilecek veriler yardımıyla her iki kuvvelendiricinin çalışma prensipleri ve

Detaylı

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM21 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin

Detaylı

BÖLÜM 7 2.1 YARIM DALGA DOĞRULTMAÇ TEMEL ELEKTRONİK

BÖLÜM 7 2.1 YARIM DALGA DOĞRULTMAÇ TEMEL ELEKTRONİK BÖLÜM 7 2.1 YARIM DALGA DOĞRULTMAÇ Tüm elekronik cihazlar çalışmak için bir DC güç kaynağına (DC power supply) gereksinim duyarlar. Bu gerilimi elde emenin en praik ve ekonomik yolu şehir şebekesinde bulunan

Detaylı

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin

Detaylı

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK I LAB. 2 KIRPICI DERELER ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUARI DENEY 2: KIRPICI DERELER Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSE Arş.Gör. Alişan AYAZ Arş.Gör.

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II T.C. ULUDĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMRLIK FKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN4 ELEKTRONİK DEVRELER LBORTUVRI II DENEY 6: OSİLTÖRLER DENEY GRUBU :... DENEYİ YPNLR :......... RPORU HZIRLYN :...

Detaylı

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY ZAMANLAMA DEVRESİ

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY ZAMANLAMA DEVRESİ T.. ULUDĞ ÜNİVESİTESİ MÜHENDİSLİK FKÜLTESİ ELEKTİK - ELEKTONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN334 ELEKTONİK DEVELE LBOTUVI II DENEY 6 ZMNLM DEVESİ Deneyi Yapanlar Grubu Numara d Soyad aporu Hazırlayan Diğer Üyeler

Detaylı

ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri

ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri DENEYİN AMACI (1) Yarım-dalga, tam-dalga ve köprü doğrultucu devrelerinin çalışma prensiplerini anlamak. GENEL BİLGİLER Yeni Terimler (Önemli

Detaylı

RL, RC ve RLC DEN OLUŞMUŞ DEVRELERDE GEÇİCİ REJİMLERİN İNCELENMESİ

RL, RC ve RLC DEN OLUŞMUŞ DEVRELERDE GEÇİCİ REJİMLERİN İNCELENMESİ DNY NO: 6, C ve C DN OUŞMUŞ DVD GÇİCİ JİMİN İNCNMSİ Deneyin Amacı: Birinci derece elekrik devrelerinin zaman domeninde incelenmesi ve davranışlarının analiz edilmesi amaçlanmakadır. Genel Bilgiler: Bir

Detaylı

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler

Detaylı

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER 1. Deneyin Amacı Yarım

Detaylı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.

Detaylı

BÖLÜM 5 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ. Konular: Amaçlar:

BÖLÜM 5 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ. Konular: Amaçlar: ÖLÜM 5 5 TRANSİSTÖRLRİN D ANALİZİ Konular: Amaçlar: 5.1 Transistörde D çalışma noktası 5.2 Transistörde temel polarama 5.3 eyz polarma 5.4 Gerilim bölücülü polarma devresi 5.5 Geribeslemeli polarma devresi

Detaylı

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev

Detaylı

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEY-6 LOJİK KPILR VE İKİLİ DEVRELER DENEYİN MCI: Bu deneyde emel manık kapıları (logic gaes) incelenecek ek kararlı ikili devrelerin çalışma prensipleri gözlemlenecekir. ÖN HZIRLIK Temel lojik kapı devrelerinden

Detaylı

= t. v ort. x = dx dt

= t. v ort. x = dx dt BÖLÜM.4 DOĞRUSAL HAREKET 4. Mekanik Mekanik konusu, kinemaik ve dinamik olarak ikiye ayırmak mümkündür. Kinemaik cisimlerin yalnızca harekei ile ilgilenir. Burada cismin hareke ederken izlediği yol önemlidir.

Detaylı

DENEY 1. İşlemsel Kuvvetlendiricili (OP-AMP) Devrelerin AC Uygulamaları

DENEY 1. İşlemsel Kuvvetlendiricili (OP-AMP) Devrelerin AC Uygulamaları ULUDĞ ÜNİESİTESİ MÜHENDİSLİK FKÜLTESİ ELEKTİK-ELEKTONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN04 Elekrik Devreleri Laborauarı II 03-04 Bahar DENEY İşlemsel Kuvvelendiricili (OP-MP) Devreler Uygulamaları Deneyi Yapanın

Detaylı

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 5 Poziif Geri Bildirimli İşlemsel Kuvvelendirici Devreler İMZA KAĞIDI (Bu sayfa laborauvarın sonunda asisanlara eslim edilmelidir) Ön-Çalışma Lab Saain Başında

Detaylı

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini

Detaylı

ISI SENSÖR ve TRANSDÜSERLERİN SAĞLAMLIK KONTROLÜ

ISI SENSÖR ve TRANSDÜSERLERİN SAĞLAMLIK KONTROLÜ ATELYE: ENDÜSTRİYEL KONTROL ve ARIZA ANALİZİ İŞ YAPRAĞI NO: 21 ISI SENSÖR ve TRANSDÜSERLERİN SAĞLAMLIK KONTROLÜ DENEYİN AMACI : PTC, NTC ve Termokupulların AVOmere ile sağlamlık konrolünü yapmak. TEORİK

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Deneyin Amacı: Alçak frekans güç yükselteçleri ve çıkış katlarının incelenip, çalışma mantıklarının kavranması Kullanılacak Materyaller: BD135 (npn Transistör)

Detaylı

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz. Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100

Detaylı

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siir Üniversiesi Elekrik-Elekronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kiabı): Fundamenals of Elecric Circuis Charles K. Alexander Mahew N.O. Sadiku McGraw Hill,

Detaylı

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ DEVRE NLİZİ DENEY FÖYÜ 2013-2014 Ders Sorumlusu: Yrd. Doç. Dr. Can Bülent FİDN Laboratuvar Sorumluları: İbrahim TLI : Rafet DURGUT İÇİNDEKİLER DENEY 1: SERİ VE PRLEL DİRENÇLİ DEVRELER... 3 DENEY 2: THEVENİN

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 11 Deney Adı: OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri Malzeme Listesi:

Detaylı

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop Osiloskop kullanarak alternatif gerilimlerin incelenmesi Deney Malzemeleri: 5 Adet 1kΩ, 5 adet 10kΩ, 5 Adet 2k2Ω, 1 Adet potansiyometre(1kω), 4

Detaylı

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ LAB. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ LAB. DENEY FÖYÜ ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ L. DENEY FÖYÜ EYLÜL 00 DENEY : OSİLOSKOP, VOMETRE ve İŞRET ÜRETEİ KULLNIMI Deneyin macı: u deneyde elekrik devrelerindeki akım, gerilim, direnç gibi fiziksel büyüklüklerin ölçülmesi

Detaylı

FİZİK-II DERSİ LABORATUVARI ( FL 2 4 )

FİZİK-II DERSİ LABORATUVARI ( FL 2 4 ) FİZİK-II DERSİ LABORATUVARI ( FL 2 4 ) KURAM: Kondansaörün Dolma ve Boşalması Klasik olarak bildiğiniz gibi, iki ileken paralel plaka arasına dielekrik (yalıkan) bir madde konulursa kondansaör oluşur.

Detaylı

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alternatif akım (AC) ve doğru akım nedir örnek vererek kısaca tanımını yapınız. 2. Alternatif akımda aynı frekansa sahip iki sinyal arasındaki faz farkı grafik üzerinde (osiloskopta)

Detaylı

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) 9.1 Amaçlar 1. µa741 ile PWM modülatör kurulması. 2. LM555 in çalışma prensiplerinin

Detaylı

DENEY 6 OSİLOSKOP. Düşey saptırma. Şekil 1. Katot ışınlı tüp

DENEY 6 OSİLOSKOP. Düşey saptırma. Şekil 1. Katot ışınlı tüp DENEY 6 OSİLOSKOP 1. Deneyin Amacı Bu deneyde, osiloskopun çalışma prensibinin, eikleme ve senkronizasyonun nasıl yapıldığının ve osiloskop yardımıyla çeşili büyüklüklerin (genlik, faz farkı ve frekans

Detaylı

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:

Detaylı

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ DENEYİN AMAÇLARI DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ RC devresinde kondansatörün şarj ve deşarj eğrilerini elde etmek Zaman sabiti kavramını öğrenmek Seri RC devresinin geçici cevaplarını incelemek Deney Malzemeleri:

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU

Detaylı

DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ

DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ 2.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde çıkış gerilim dalga formunda değişiklik oluşturan kırpıcı (clipping) ve kenetleme (clamping) devrelerinin nasıl çalıştığı öğrenilecek ve kavranacaktır.

Detaylı

NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK-MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖLÜMÜ HABERLEŞME TEORİSİ FİNAL SINAVI SORU-CEVAPLARI

NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK-MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖLÜMÜ HABERLEŞME TEORİSİ FİNAL SINAVI SORU-CEVAPLARI NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK-MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖLÜMÜ HABERLEŞME TEORİSİ FİNAL SINAVI SORU-CEVAPLARI Tarih: 4-0-008 Adı Soyadı : No : Soru 3 4 TOPLAM Puan 38 30 30 30 8 Soru

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri)

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) 1. DENEYİN AMACI ÜÇ FAZ EVİRİCİ 3 Faz eviricilerin çalışma

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Amaç: Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı

Detaylı

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9. --İşlemsel Yükselteçler

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9. --İşlemsel Yükselteçler Masa No: No. Ad Soyad: No. Ad Soyad: ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9 --İşlemsel Yükselteçler 2013, Mayıs 15 İşlemsel Yükselteçler (OPerantional AMPlifiers : OP-AMPs) 1. Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı,

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

TEK-FAZLI TRANSFORMATÖRÜN HİSTEREZİS DÖNGÜSÜ DENEY

TEK-FAZLI TRANSFORMATÖRÜN HİSTEREZİS DÖNGÜSÜ DENEY İÖÜ ÜİVERSİTESİ MÜHEDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTROİK MÜH. BÖL. 325 ELEKTRİK MAKİALARI LABORATUVARI I TEK-FAZLI TRASFORMATÖRÜ HİSTEREZİS DÖGÜSÜ DEEY 325-0. AMAÇ: Tek fazlı transformatörün nüvesinin (demir

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

FİZİK II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

FİZİK II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ ELAL BAYA ÜNİESİTESİ / FEN-EDEBİYAT FAKÜLTESİ / FİZİK BÖLÜMÜ FİZİK LOATUA DENEY FÖYÜ. DİENÇ E ELEKTOMOTO KUETİNİN ÖLÇÜLMESİ. OHM YASAS. KHHOFF YASALA 4. ELEKTİK YÜKLEİNİN DEPOLANŞ E AKŞ AD SOYAD: NUMAA:

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR

Detaylı

DA-DA DÖNÜŞTÜRÜCÜLER (DA Kıyıcı, DA Gerilim Ayarlayıcı) DA gerilimi bir başka DA gerilim seviyesine dönüştüren devrelerdir.

DA-DA DÖNÜŞTÜRÜCÜLER (DA Kıyıcı, DA Gerilim Ayarlayıcı) DA gerilimi bir başka DA gerilim seviyesine dönüştüren devrelerdir. DADA DÖNÜŞÜRÜCÜLER (DA Kıyıcı, DA Gerilim Ayarlayıcı) DA gerilimi bir başka DA gerilim seviyesine dönüşüren devrelerdir. Uygulama Alanları 1. DA moor konrolü 2. UPS 3. Akü şarjı 4. DA gerilim kaynakları

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİKELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 6 Deney Adı: Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

Bölüm 2 DC Devreler. DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası

Bölüm 2 DC Devreler. DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası Bölüm 2 DC Devreler DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası DENEYİN AMACI 1. Seri, paralel ve seri-paralel ağları tanımak. 2. Kirchhoff yasalarının uygulamaları ile ilgili bilgi edinmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

Hafta 5 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü

Hafta 5 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 5 TRANZİSTORLARIN KUTUPLANDIRILMASI (ÖN GERİLİMLENMESİ) (EĞİLİMLENDİRİLMESİ) Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 16.03.2015 BSM

Detaylı

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi: 1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç: KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO:4 KIRPICI DEVRELER Laboratuvar Grup No : Hazırlayanlar :......................................................................................................

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 7 Deney Adı: Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması Öğretim Üyesi: Yard. Doç.

Detaylı

İşaret ve Sistemler. Ders 9: Sistemlere Giriş

İşaret ve Sistemler. Ders 9: Sistemlere Giriş İşare ve Sisemler Ders 9: Sisemlere Giriş Sisem Kavramı Belirli bir işi görmek için bir araa geirilmiş alelerin ve devrelerin ümüne birden SİSEM adı verilir. Başka bir deişle sisem, fiziksel bir sürecin

Detaylı

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 1: Transistörlü Yükselteç Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Transformatörün İncelenmesi

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Transformatörün İncelenmesi YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 4 Deney Adı: Transformatörün İncelenmesi Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ 1- Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, şekil 1 'de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. Schmitt kapılarının yapı ve karakteristiklerinin anlaşılması. GENEL BİLGİLER Schmitt kapısı aşağıdaki karakteristiklere sahip olan tek lojik kapıdır: 1.

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü ELEKTRİK MAKİNALARI LABORATUARI I

TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü ELEKTRİK MAKİNALARI LABORATUARI I Deney No:1 1 TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü ELEKTRİK MAKİNALARI LABORATUARI I Öğretim Üyesi : Prof. Dr. Güngör BAL Deneyin Adı : Yabancı uyartımlı generatör (YUG) özelliklerinin

Detaylı

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. Sümeyye

Detaylı

Bölüm 13 FSK Modülatörleri.

Bölüm 13 FSK Modülatörleri. Bölüm 13 FSK Modülatörleri. 13.1 AMAÇ 1. Frekans Kaydırmalı Anahtarlama (FSK) modülasyonunun çalışma prensibinin anlaşılması.. FSK işaretlerinin ölçülmesi. 3. LM5 kullanarak bir FSK modülatörünün gerçekleştirilmesi.

Detaylı

Ünite. Kuvvet ve Hareket. 1. Bir Boyutta Hareket 2. Kuvvet ve Newton Hareket Yasaları 3. İş, Enerji ve Güç 4. Basit Makineler 5.

Ünite. Kuvvet ve Hareket. 1. Bir Boyutta Hareket 2. Kuvvet ve Newton Hareket Yasaları 3. İş, Enerji ve Güç 4. Basit Makineler 5. 2 Ünie ue e Hareke 1. Bir Boyua Hareke 2. ue e Newon Hareke Yasaları 3. İş, Enerji e Güç 4. Basi Makineler. Dünya e Uzay 1 Bir Boyua Hareke Tes Çözümleri 3 Tes 1'in Çözümleri 3. 1. Süra skaler, hız ekörel

Detaylı

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde, Ohm kanunu işlenecektir. Seri ve paralel devrelere ohm kanunu uygulanıp, teorik sonuçlarla deney sonuçlarını karşılaştıracağız ve doğrulamasını yapacağız.

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi

Detaylı

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,

Detaylı

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi 23 Deney Adı : İşlemsel Kuvvetlendiricinin Temel Devreleri Deney No : 6 Deneyin Amacı : İşlemsel kuvvetlendiricilerle en ok kullanılan devreleri gerekleştirmek, fonksiyonlarını belirlemek Deneyle İlgili

Detaylı

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1 DENEY #4 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ ve MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi Kullanılan Alet ve Malzemeler: 1) DC Güç Kaynağı 2) Avometre

Detaylı

DENEY 6- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri

DENEY 6- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri DENEY 6- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri DENEYİN AMACI 1. Dijitalden Analog a çevrimin temel kavramlarının ve teorilerinin anlaşılması GENEL BİLGİLER Şekil-1 Şekil-1 de bir direnç ağıyla gerçekleştirilmiş

Detaylı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:

Detaylı