Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği"

Transkript

1 Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 205

2

3 DENEY BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı A. Amaç Bu deneyin amacı, BJT ve MOSFET'li kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi, alçak ve yüksek frekanslardaki küçük işaret eşdeğer modellerinin incelenmesidir. B. Temel Bilgiler Bir kuvvetlendiricinin kazancı, girişine uygulanan AC işaretin frekansına da bağlıdır. Kuvvetlendiricilerde, katlar arasında kullanılan kuplaj ve emiterde kullanılan köprüleme kapasiteleri her ne kadar orta ve yüksek frekanslı AC işaretler için kısa devre kabul edilse de düşük frekanslardaki kapasitif reaktanslarından dolayı dikkate alınmaları gerekir. Yüksek frekanslarda çalışırken kuvvetlendiricilerde kullanılan kuplaj ve köprüleme kapasitelerinin kazanca önemli bir etkisi olmaz, fakat bu durumda BJT ler için emiter ve kollektör jonksiyon kapasiteleri (Ce,Cc) ile FET ler için elektrotlar arası kapasiteler (Cgs,Cgd,Cds) etkili olmaya başlar. Böylece düşük frekanslarda, devrede dışarıdan eleman olarak kullanılan kapasiteler, yüksek frekanslarda ise aktif elemanların jonksiyon kapasiteleri kazancın düşmesine neden olurlar. Buna göre bir kuvvetlendirici girişine uygulanan AC işareti bütün frekans değerleri için aynı şekilde kuvvetlendirmeyecektir. Buna göre bir kuvvetlendiricinin kazancının frekansla değişimini gösteren Şekil deki eğriye kazanç-frekans eğrisi denir. Buradaki kazanç akım veya gerilim kazancı olabilir. Ancak yaygın olarak kullanılan gerilim kazancıdır. Şekil e dikkat edildiğinde, kuvvetlendiricinin kazancı üst ve alt 3dB köşe veya kırılma frekansları arasında nisbeten frekansla değişmemektedir. f H ve f L arasındaki bu bölgeye kuvvetlendiricinin bandgenişliği (BG) denir. f L den daha düşük ve f H den daha yüksek frekans bölgelerinde kazancın önemli ölçüde düştüğü görülmektedir. Kazanç-frekans eğrisinin yarı logaritmik bir düzlemde, yani kazancın doğrusal frekansın ise logaritmik ölçeklendirildiği bilinmelidir. Buna göre, bir ses frekans kuvvetlendiricisinde tipik olarak f L nin nümerik değeri birkaç 0Hz lerde bulunurken f H nin değeri birkaç 0kHz lerde olacaktır. f L nin değeri f H ye göre çok küçük kalacağından bir kuvvetlendiricinin bandgenişliği yaklaşık olarak; şeklinde ifade edilir. f BG f H f L f H Kazanç ve zayıflamanın desibel (db) cinsinden ölçülmesi pratikte kullanılan bir yöntemdir.

4 Şekil Kuvvetlendiricinin kazanç-frekans eğrisi Bell, bir sistemdeki güç oranının logaritmasıdır. Fakat küçük güç oranlarında elde edilecek sayı, kesirli olacağından bell in 0 kat küçüğü olarak desibel kullanılır. Bir kuvvetlendiricinin giriş ve çıkış güçleri (P i, P 0 ) için düşünülürse; log 0 P 0 P i Bell A p (db) 0 log P 0 0 log V 0 2 R 0 P i Eğer, R 0 R i R veya giriş-çıkış dirençlerinin büyüklüğü ve etkisi ihmal edilebiliyorsa, gerilim ve akım kazancı olarak sırasıyla; V i 2 R i A v(db) 0 log( V 0 V i ) 2 20 log A v A I(dB) 0 log( I 0 2 R I i 2 R )2 20 log A I şeklinde yazılabilir. Alt ve üst 3dB kırılma noktalarına yarım-güç ya da gücün yarıya düştüğü noktalar da denir. Kuvvetlendiricilerde harici kapasitif etkiyi devreye dışarıdan eleman olarak bağlanan kuplaj ve köprüleme kapasiteleri oluştururken, dahili kapasitif etkiyi de BJT lerde beyz-emiter ve beyz-kollektör jonksiyon kapasiteleri (Ce, Cc) ile FET lerde transistörün terminalleri arasındaki kapasiteler (Cgs, Cgd, Cds) oluşturmaktadır.

5 Katlar arasında kullanılan kuplaj ve emiter köprüleme kapasiteleri kuvvetlendiricide alçak frekanslarda etkili iken BJT'de jonksiyon kapasiteleri ile FET'lerde transistör terminalleri arası kapasiteler ise yüksek frekanslarda etkilidir. Yani düşük ve orta frekans bölgelerinde çalışırken jonksiyon kapasiteleri dikkate alınmayacak kadar küçük, orta ve yüksek frekanslarda ise kuplaj ve köprüleme kapasiteleri kısa devre kabul edilir. Bir kuvvetlendiricide kazancın frekansla hemen hemen değişmediği ve kazancın da en yüksek olduğu frekans sahası orta frekans bölgesidir. BJT li Kuvvetlendiricinin Alçak Frekans Cevabı: Şekil 2 BJT li bir kuvvetlendirici devresini göstermektedir. Kuvvetlendirici devresine bakıldığında daha önce anlatıldığı gibi küçük işaret gerilim kazancını etkileyen C ve C 2 kuplaj kapasiteleri ve C 3 köprüleme kapasitesi görülmektedir. Bunun yanında Şekil 3 ise Şekil 2 deki kuvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer devresini göstermektedir. Burada zaman sabiti tekniği ile devredeki kapasitelerin etkileri tek tek hesaplanacaktır. Vcc R Rc C2 C Vo Vin RL R2 RE C3 Şekil 2 BJT li bir kuvvetlendirici devresi Şekil 3 BJT li kuvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer devresi

6 C Kondansatörünün Etkisi: C 2 ve C 3 kondansatörlerinin yeterince büyük olduğu düşünülürse bu kondansatörlerin etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C kondansatöründen görünen rezistans (r π //R TH ) olur. Böylece zaman sabiti; olarak elde edilir. Bu durumda köşe frekansı; şeklinde yazılır. C 2 Kondansatörünün Etkisi: τ C C x(r π //R TH ) f C 2πτ C 2πC (r π //R TH ) C ve C 3 kondansatörlerinin yeterince büyük olduğu düşünülürse bu kondansatörlerin etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C 2 kondansatöründen görünen rezistans (r 0 //R C + R L ) olur. Böylece zaman sabiti; olarak elde edilir. Bu durumda köşe frekansı; şeklinde yazılır. C 3 Kondansatörünün Etkisi: τ C2 C 2 x(r 0 //R C + R L ) f C2 2πτ C2 2πC 2 (r 0 //R C + R L ) C ve C 2 kondansatörlerinin yeterince büyük olduğu düşünülürse bu kondansatörlerin etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C 3 kondansatöründen görünen rezistans (R E //( R //R 2 β olarak elde edilir. Bu durumda köşe frekansı; τ C3 C 3 x(r E //( R //R 2 β f C3 2πτ C3 + r π ) olur. Böylece zaman sabiti; β + r π β ) 2πC 3 (R E //( R //R 2 β + r π β ) Sonuç olarak Şekil 2 deki kuvvetlendirici devresi için C, C 2 ve C 3 kondansatörlerinin her birinin etkisi ayrı ayrı hesaplandıktan sonra f C, f C2 ve f C3 frekansları içersinde en büyük değerli olan hangisi ise kuvvetlendiricinin alt 3dB kesim frekansını o belirlemektedir.

7 BJT li Kuvvetlendiricinin Yüksek Frekans Cevabı: Daha önce de belirtildiği gibi transistörlü kuvvetlendiricilerin alçak frekans cevabını devreye haricen bağlanan kuplaj ve köprüleme kapasiteleri etkilerken, yüksek frekans cevabını BJT ve FET lerin iç yapısından kaynaklanan kapasiteler (internal capacitances) etkiler. BJT nin basitleştirilmiş küçük işaret hibrit modeli Şekil 4 te gösterilmiştir. Şekil 4 BJT nin basitleştirilmiş küçük işaret modeli Şekil 4 te C π ile gösterilen BJT nin ileri yönlü kutuplama eklem kapasitesi, C μ ise geri yönlü kutuplama eklem kapasitesidir. Şekil 4 ten yola çıkarak bir ortak emiterli kuvvetlendiricinin küçük işaret eşdeğer devresi Şekil 5 te gösterildiği gibidir. Şekil 5 Ortak emiterli BJT kuvvetlendiricisinin küçük işaret eşdeğer devresi Şekil 5 teki C μ kapasitesinin varlığı devrenin analizini zorlaştırdığından devreye Miller teoremi uygulanarak bu karmaşıklıktan kurtulmuş olunur. Şekil 5 teki devreye Miller teoremi uygulandıktan sonraki eşdeğer devresi Şekil 6 de gösterilmiştir. Şekil 6 Miller teoremi uygulandıktan sonraki küçük işaret eşdeğer devre

8 Buradaki C μ ve C μ2 kapasiteleri; C μ C μ ( A V (ort)) C μ2 C μ ( A V (ort) ) ifadeleri ile tanımlanır. Buradaki A V (ort) terimi kuvvetlendiricinin orta frekans bölgesindeki gerilim kazancıdır. Şekil 6 daki devrenin giriş kısmındaki zaman sabiti (C π + C μ ) kondansatörlerinin uçlarından görünen direnç değeriyle; şeklinde hesaplanır. Buradan köşe frekansı ise; ifadesi ile tanımlanır. τ i (C μ + C π )(r π //R TH ) f hi 2πτ i 2π(C μ + C π )(r π //R TH ) Şekil 6 daki devrenin çıkış kısmındaki zaman sabiti C μ2 kondansatörünün uçlarından görünen direnç değeriyle; şeklinde hesaplanır. Buradan köşe frekansı ise; ifadesi ile tanımlanır. τ 0 C μ2 (r 0 //R C //R L ) f h0 2πτ 0 2πC μ2 (r 0 //R C //R L ) Bu hesaplamalar yapıldıktan sonra kuvvetlendirici devresinin üst 3dB köşe frekansı, bulunan f hi ve f h0 frekans değerlerinden küçük olanıdır. MOSFET li Kuvvetlendiricinin Alçak Frekans Cevabı: Şekil 7 MOSFET li bir kuvvetlendirici devresini göstermektedir. Kuvvetlendirici devresine bakıldığında daha önce anlatıldığı gibi küçük işaret gerilim kazancını etkileyen C ve C 2 kuplaj kapasiteleri görülmektedir. Bunun yanında Şekil 8 ise Şekil 7 deki kuvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer devresini göstermektedir. Burada zaman sabiti tekniği ile devredeki kapasitelerin etkileri tek tek hesaplanacaktır.

9 Şekil 7 Ortak kaynaklı NMOS kuvvetlendirici devresi Şekil 8 Ortak kaynaklı kuvvetlendiricinin küçük işaret eşdeğer devresi C Kondansatörünün Etkisi: C 2 kondansatörünün yeterince büyük olduğu düşünüldüğünde bu kondansatörün etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C kondansatöründen görünen direnç R eq R F /( A V (ort)) olur. Böylece zaman sabiti; şeklinde hesaplanır. Buradan köşe frekansı ise; ifadesi ile tanımlanır. τ C C R eq f C 2πτ C 2πC R eq

10 C 2 Kondansatörünün Etkisi: C kondansatörünün yeterince büyük olduğu düşünüldüğünde bu kondansatörün etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C 2 kondansatöründen görünen direnç R eq2 R L + r d //R D //R F olur. Böylece zaman sabiti; şeklinde hesaplanır. Buradan köşe frekansı ise; ifadesi ile tanımlanır. τ C2 C 2 R eq2 f C 2πτ C2 2πC 2 (R L + r d //R D //R F ) Sonuç olarak Şekil 7 deki kuvvetlendirici devresi için C ve C 2 kondansatörlerinin her birinin etkisi ayrı ayrı hesaplandıktan sonra f C ve f C2 frekansları içersinde en büyük değerli olan hangisi ise kuvvetlendiricinin alt 3dB kesim frekansını o belirlemektedir. MOSFET li Kuvvetlendiricinin Yüksek Frekans Cevabı: Daha önce de belirtildiği gibi transistörlü kuvvetlendiricilerin yüksek frekans cevabını BJT ve FET lerin iç yapısından kaynaklanan kapasiteler (internal capacitances) etkiler. MOSFET in küçük işaret hibrit modeli Şekil 9 da gösterilmiştir. Şekil 9 Ortak kaynaklı NMOS transistörün küçük işaret eşdeğer devre modeli Şekil 9 da C gs, C gd ve C ds ile gösterilen kondansatörler MOSFET in sırasıyla geçit-kaynak, geçit-savak ve savak-kaynak kapasiteleridir. Şekil 9 dan yola çıkarak bir ortak kaynaklı kuvvetlendiricinin küçük işaret eşdeğer devresi Şekil 0 da gösterildiği gibidir. Şekil 0 Ortak kaynaklı kuvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer devresi

11 Şekil 0 daki C gd kapasitesinin ve R F direncinin varlığı devrenin analizini zorlaştırdığından devreye Miller teoremi uygulanarak bu karmaşıklıktan kurtulmuş olunur. Şekil 0 daki devreye Miller teoremi uygulandıktan sonraki eşdeğer devresi Şekil de gösterilmiştir. Şekil Miller teoremi uygulandıktan sonraki küçük işaret eşdeğer devre Buradaki C gd, C gd2 kapasiteleri ve R F, R F2 dirençleri; ifadeleri ile tanımlanır. C gd C gd ( A V (ort)) C gd2 C gd ( A V (ort) ) R F R F /( A V (ort)) R F2 R F /( A V (ort) ) Şekil deki devrenin giriş kısmındaki zaman sabiti (C gs + C gd ) kondansatörlerinin uçlarından görünen direnç değeriyle; şeklinde hesaplanır. Buradan köşe frekansı ise; ifadesi ile tanımlanır. τ i (C gd + C gs )R F f hi 2πτ i 2π(C gd + C gs )R F Şekil deki devrenin çıkış kısmındaki zaman sabiti (C gd2 + C ds ) kondansatörlerinin uçlarından görünen direnç değeriyle; şeklinde hesaplanır. Buradan köşe frekansı ise; τ 0 (C gd2 + C ds ) (r d //R D //R L //R F2 )

12 f h0 2πτ 0 2π(C gd2 + C ds ) (r d //R D //R L //R F2 ) ifadesi ile tanımlanır. Bu hesaplamalar yapıldıktan sonra kuvvetlendirici devresinin üst 3dB köşe frekansı, bulunan f hi ve f h0 frekans değerlerinden küçük olanıdır. KAYNAKLAR:. Microelectronics Circuit Analysis and Design, Neamen D., Elektronik Devreler ve Uygulamaları-, Alçı M., Kılıç R., Microelectronic Circuit Design, Jeager R., Blalock T., Electronic Devices and Circuit Theory, Boylestad R., Nashelsky L.

13 Adı, Soyadı: Öğrenci No: C. Hazırlık Çalışması. V in 0.0 sin(ωt), R 0kΩ, R 2 kω, R C R L 4.7kΩ, R E 220kΩ, C C 2 μf, C 3 00μFve V CC 0V. Transistör parametreleri: β 00, V BE(on) 0.65V ve C μ 0.37pF, C π 0.7pF a. Yukarıda değerleri verilen aşağıdaki devre için desibel cinsinden ortaband gerilim kazancını A V (ort), alt kesim frekansını ve üst kesim frekansını bularak Tablo i doldurunuz. b. Desibel cinsinden küçük işaret gerilim kazancı-frekans eğrisini çiziniz. Vcc R Rc C2 C Vo Vin RL R2 RE C3 2. V in 0.02 sin(ωt), R F MΩ, R D 0kΩ, R L 0kΩ, C C 2 μf, V DD 0V k 50μA V 2, V T.2V, (W/L) n 5, λ 0, C gs pf, C gd 0.3pF, C ds 0 a. Yukarıda değerleri verilen aşağıdaki devre için desibel cinsinden ortaband gerilim kazancını A V (ort), alt kesim frekansını ve üst kesim frekansını bularak Tablo i doldurunuz. b. Desibel cinsinden küçük işaret gerilim kazancı-frekans eğrisini çiziniz.

14

15 Adı, Soyadı: Öğrenci No: D. Deney Çalışması BJT li kuvvetlendiricinin frekans cevabı deneyi:. Aşağıdaki devreyi kurunuz. Tablodaki frekans değerlerine göre devrenin küçük işaret gerilim kazancını bularak desibel cinsinden kazanç-frekans eğrisini aşağıdaki şablona çiziniz. Direnç ve kondansatör değerlerini hazırlık çalışmasındaki devre ile aynı alınız. 2. Çizilen eğriyi kullanarak ortaband gerilim kazancı A V (ort), alt kesim frekansını ve üst kesim frekansını bularak Tablo i doldurunuz. Vcc R Rc C2 C Vo Vin RL R2 RE C3 f(hz) A V A V (db) f(hz) A V A V (db) f(hz) A V A V (db) f(hz) A V A V (db) k 400k k 600k 30 k 200k M 00 2k 300k 2M

16 Adı, Soyadı: Öğrenci No: MOSFET li kuvvetlendiricinin frekans cevabı deneyi:. Aşağıdaki devreyi kurunuz. Tablodaki frekans değerlerine göre devrenin küçük işaret gerilim kazancını bularak desibel cinsinden kazanç-frekans eğrisini aşağıdaki şablona çiziniz. Direnç ve kondansatör değerlerini hazırlık çalışmasındaki devre ile aynı alınız. 2. Çizilen eğriyi kullanarak ortaband gerilim kazancı A V (ort), alt kesim frekansını ve üst kesim frekansını bularak Tablo i doldurunuz. f(hz) A V A V (db) f(hz) A V A V (db) f(hz) A V A V (db) f(hz) A V A V (db) k 400k k 600k 30 k 200k M 00 2k 300k 2M

17 Adı, Soyadı: Öğrenci No: E. Deney Sonuç Sayfası Aşağıdaki tabloyu ön hazırlık çalışması, PSPICE simülasyonu ve deney çalışmasında elde ettiğiniz sonuçlarla doldurunuz. Eğer sonuçlarda farklılıklar bulunuyorsa sebeplerini açıklayınız. BJT MOSFET Ön Hazırlık PSPICE Deney Çal. Ön Hazırlık PSPICE Deney Çal. A V (ort) db f L 3dB f H 3dB

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#8 I-V ve V-I Dönüştürücüler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 8 I-V ve

Detaylı

Maltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302)

Maltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302) Maltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302) GENEL DERS BİLGİLERİ Öğretim Elemanı : Yrd. Doç. Dr. Serkan Topaloğlu Ofis : MUH 314 Ofis Saatleri : Pazartesi: 14.00-16.00;

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 1: Transistörlü Yükselteç Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün

Detaylı

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#4 Bipolar Junction Transistor (BJT) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin

Detaylı

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 8 BJT TRANZİSTÖRLERLÜ KUVVENLENTİRİCİLER (YÜKSELTEÇLER) II Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof.

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#5 İşlemsel Kuvvetlendirici (OP-AMP) Uygulamaları - 1 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : YAPILIŞ TARİHİ: GRUP ÜYELERİ : 1. 2. 3. DERSİN SORUMLU ÖĞRETİM ÜYESİ: Yrd. Doç.

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi DENEY-4 Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi Deneyin Amacı: BJT yapmak. transistörlerle yapılan yükselteçlerin alçak ve yüksek frekans analizlerini Teorinin Özeti: Şimdiye kadar gördüğümüz transistörlü

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II ALTERNATİF AKIM KÖPRÜLERİ 1. Hazırlık Soruları Deneye gelmeden önce aşağıdaki soruları cevaplayınız ve deney öncesinde rapor halinde sununuz. Omik, kapasitif ve endüktif yük ne demektir? Açıklayınız. Omik

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim

Detaylı

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#10 Analog Aktif Filtre Tasarımı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 10 Analog

Detaylı

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

Şekil Sönümün Tesiri

Şekil Sönümün Tesiri LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç: KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100

Detaylı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

Adı Soyadı: Öğrenci No: DENEY 3 ÖN HAZIRLIK SORULARI. 1) Aşağıdaki verilen devrenin A-B uçlarındaki Thevenin eşdeğerini elde ediniz.

Adı Soyadı: Öğrenci No: DENEY 3 ÖN HAZIRLIK SORULARI. 1) Aşağıdaki verilen devrenin A-B uçlarındaki Thevenin eşdeğerini elde ediniz. dı Soyadı: Öğrenci No: DENEY 3 ÖN HZIRLIK SORULRI 1) şağıdaki verilen devrenin - uçlarındaki Thevenin eşdeğerini elde ediniz. 3 10 Ω 16 Ω 10 Ω 24 V 5 Ω 2) şağıda verilen devrenin Norton eşdeğerini bulunuz.

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c)

3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c) . Kazancın sonlu olması,. Lineerlik bölgesinin sonlu olması, 3. dengesizlik gerilimi, 4. frekans eğrisi, 5. gürültü alt başlıkları altında sıralanabilir. 3. V DD V CC I O I O I O I O V i - T T C C V O

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik1 Laboratuvarı eney Föyü eney#3 iyot Kırpıcı ve Kenetleyici evreler oç. r. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU AANA, 2016 BMM212 Elektronik

Detaylı

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,

Detaylı

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#2 Diyot Doğrultma Devreleri ve Gerilim Katlayıcı Doç Dr. Mutlu AVCI Ar.Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2016

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS A. DENEYİN AMACI : Seri RLC devresinin AC analizini yapmak ve bu devrede rezonans durumunu incelemek. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. AC güç kaynağı, 2. Sinyal üreteci, 3. Değişik değerlerde dirençler

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici DENEY-1 Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici Deneyin Amacı: Transistör kullanarak ortak emiterli küçük sinyal yükseltici yapılması ve özelliklerinin incelenmesi Teorinin Özeti: Bipolar transistör iki

Detaylı

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır. Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. 2 OSİLATÖRLER 1. Ön Bilgiler 1.1 Osilatör Osilatörler DC güç kaynağındaki elektrik enerjisini AC elektrik enerjisine

Detaylı

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER) EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL

Detaylı

Eleco 2014 Elektrik Elektronik Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyumu, 27 29 Kasım 2014, Bursa

Eleco 2014 Elektrik Elektronik Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyumu, 27 29 Kasım 2014, Bursa Güç MOSFET lerinde Elektriksel Sabit Yorma Kaynaklı Kapasite Değişimlerinin Analog Uygulamalara Etkileri The Effect of Electrical Constant Stress Induced Power MOSFET Capacitance Changes to Analog Applications

Detaylı

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 1.1. YARIİLETKEN DİYOT... 1 1.2. DİYOTUN DC MODELİ... 10 1.3. DİYOTUN ALÇAK FREKANS KÜÇÜK

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 6 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ 14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ Sinüsoidal Akımda Direncin Ölçülmesi Sinüsoidal akımda, direnç üzerindeki gerilim ve akım dalga şekilleri ve fazörleri aşağıdaki

Detaylı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100-200 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEYİN AMACI: Bu deneyi başarıyla tamamlayan her öğrenci 1. Filtre tasarımında uyulması gereken kuralları bilecek

Detaylı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:

Detaylı

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde BJT ve MOS kuvvelendiriciler incelenecek ve elde edilecek veriler yardımıyla her iki kuvvelendiricinin çalışma özellikleri gözlemlenecekir.

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı

Detaylı

MOSFET Karakteristiği

MOSFET Karakteristiği Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET

Detaylı

DENEY 5. Pasif Filtreler

DENEY 5. Pasif Filtreler ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM24 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2425 Bahar DENEY 5 Pasif Filtreler Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı : Ön

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

Elektronik Laboratuvarı

Elektronik Laboratuvarı 2013 2014 Elektronik Laboratuvarı Ders Sorumlusu: Prof. Dr. Mehmet AKBABA Laboratuvar Sorumluları: Rafet DURGUT İçindekiler Tablosu Deney 1: Laboratuvar Malzemelerinin Kullanılması... 4 1.0. Amaç ve Kapsam...

Detaylı

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DENEY 4. Rezonans Devreleri ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2012-2013 Bahar DENEY 4 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ OSMANİYE KORKUT ATA ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 2012 1 LABORATUVAR KURALLARI 1. Laboratuvarlar programda belirtilen giriş ve çıkış saatlerine

Detaylı

BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:

BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar: ÖLÜM 6 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLEİ Konular: 6.1 Küçük sinyal yükseltme işlemi 6.2 Transistörün ac eşdeğer dereleri 6.3 Ortak emiterli yükselteç 6.4 Ortak beyzli yükselteç 6.5 Ortak kolektörlü yükselteç

Detaylı

(BJT) NPN PNP

(BJT) NPN PNP Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün

Detaylı

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ DENEYİN AMAÇLARI DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ RC devresinde kondansatörün şarj ve deşarj eğrilerini elde etmek Zaman sabiti kavramını öğrenmek Seri RC devresinin geçici cevaplarını incelemek Deney Malzemeleri:

Detaylı

BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LABORATUARI - I DENEYLERİ

BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LABORATUARI - I DENEYLERİ BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LABORATUARI - I DENEYLERİ Dersin Sorumlusu Yrd. Doç. Dr. Rukiye UZUN 1 BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

Detaylı

Elektronik Devreler (MECE 212) Ders Detayları

Elektronik Devreler (MECE 212) Ders Detayları Elektronik Devreler (MECE 212) Ders Detayları Ders Adı Ders Kodu Dönemi Ders Saati Uygulama Saati Laboratuar Saati Kredi AKTS Elektronik Devreler MECE 212 Bahar 2 0 2 3 5 Ön Koşul Ders(ler)i MECE 211 Elektrik

Detaylı

ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI

ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI Deney Hocası: Yılmaz Ürgün Amaç: A, B, AB Sınıfı Kuvvetlendiricilerin İncelenmesi ve Gerçeklenmesi. Malzeme Listesi: Transistör:

Detaylı

KONDANSATÖRLER Farad(F)

KONDANSATÖRLER Farad(F) KONDANSATÖRLER Kondansatörler elektrik enerjisi depo edebilen devre elemanlarıdır. İki iletken levha arasına dielektrik adı verilen bir yalıtkan madde konulmasıyla elde edilir. Birimi Farad(F) C harfi

Detaylı

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı 1. OSİLATÖRLER 1.1. Osilatör Nedir? Elektronik iletişim sistemlerinde ve otomasyon sistemlerinde kare dalga, sinüs dalga, üçgen dalga veya testere dişi dalga biçimlerinin kullanıldığı çok sayıda uygulama

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı