Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
|
|
- Yildiz Ölmez
- 6 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#1 Temel Yarıiletken Diyot Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Ar. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017
2
3 DENEY 1 Temel Yarıiletken Diyot Karakteristikleri A. Amaç Bu laboratuar çalışmasında yarıiletken diyot elemanı, diyot çeşitleri tanıtılacak ve akım-gerilim karakteristik eğrileri elde edilecektir. B. Temel Bilgiler PN Eklemi Katkılı veya saf bir yarıiletken taban üzerine n-tipi ve/veya p-tipi katkılama ile elde edilen eklem bir pn eklemi olup diyot olarak adlandırılan devre elemanını oluşturur. pn eklemi oluştuğu anda Şekil 1 de görüldüğü gibi difüzyon ile zıt kutuplu yük taşıyıcıları (elektron ve hole) bölgeleri arasında yük geçişi olur. Bu işlem p tipi bölgede elektron, n tipi bölgede hole birikip elektrik alan oluşumu ve bu alanın yeterince büyümesi sonucu difüzyonu durdurmasına kadar devam eder. Yüklerin toplandığı bu bölgeye uzay-yük bölgesi veya taban yarıiletkenin taşıyıcı tipine ters yükler toplanması nedeniyle azınlık (depletion) bölgesi denir. Uzay yük bölgesi harici kısımlarda ideal şartlarda herhangi bir yük bulunmayıp nötr kabul edilirler. Şekil 1 Difüzyonla yük geçişi geçişi ve uzay yük bölgesinin oluşması Oluşan bu pn eklemine harici bir uyarım uygulanmadığı takdirde, yük difüzyonundan kaynaklı oluşan elektrik alan bir potansiyel farkı oluşturur. Bu potansiyel farkına inşa potansiyeli (built-in potential/v bi ) veya bariyer potansiyeli denir. Difüzyon işlemini durduran mekanizma zıt kutuplu yük taşıyıcılarının oluşturduğu elektrik alan dengesidir. Bariyer potansiyelinin değeri germanyum için 0.3V ve silisyum için ise 0.7V düzeylerindedir (Şekil 1). Buradaki pn eklemi, akımın dikkate alınacak bir değerde tek yönlü olarak aktığını kabul eden diyot davranışını oluşturur. Diyotta ileri yönlü akımın girdiği p bölgesi anot ve akımın diyottan çıktığı terminal olan n bölgesi ise katot adını alır (Şekil 2).
4 Şekil 2 Yarıiletken diyot Diyotun çalışması, kutuplanmasına bağlı olarak uzay yük bölgesinin (SCR) genişleyip daralması prensibi üzeredir. Kaynağın pozitif ucu anoda negatif ucu da katoda bağlanırsa diyot ileri yönlü kutuplanır. Bu durumda uzay yük bölgesi daralmaya başlar ve uygulanan gerilimin genliği belirli bir eşik gerilim değerini aştığı zaman iletim akımı i D akar (Şekil 3). Bu eşik gerilimi öncesi de akım akışı olmasına rağmen akım değerinin çok küçük olması nedeniyle ihmal edilir. Eşik gerilimini aşan bir uyarım ile diyot akımı üstel bir artış gösterir. Şekil 3 İleri yönlü kutuplanmış pn eklemi, azatlım bölgesinin daralması ve akımların gösterimi Diyotun ters kutuplanması halinde uzay yük bölgesi daha büyüyecek, iletim ancak çok küçük değerli (femto amperler mertebesinde) ters yönlü bir sızıntı akımından ibaret olacaktır (Şekil 4). Bu sızıntı akımı ileri yönlü akım iletimi için önemli bir parametre olup ileri yönlü diyot akımı hesabında kendi değeriyle, ters yönlü iletim hesabında ise ihmal edilerek kullanılabilir. Şekil 4 Ters yönlü kutuplanmış pn eklemi, azatlım bölgesinin genişlemesi ve akımların gösterimi v D nv e / T İleri yönlü hesaplamada ters sızıntı akımı büyük değer alan terimi ile çarpılmakta, böylece ileri yönlü akımın makul bir değer alması söz konusu olmaktadır. Ters gerilimlemede ise iletim akımı
5 doğrudan doğruya femto amperler mertebesinde değer alan bu sızıntı akımına eşit olacağından ihmal edilmesi makul olmaktadır. Bu ters yönde iletimin olmadığı kabulünü mümkün kılar. Diyot elemanına ait devreden bağımsız diyot akım ( i D ) -gerilim ( v D ) ilişkisi aşağıdaki ifade ile modellenmektedir. Yarıiletken bir diyot için i D ve vd arasındaki bağıntı; i D I s ( e v D / nvt 1) şeklindedir. Burada; I s ters yönlü satürasyon akımı ve V T ise termal gerilim olup; k T q n Boltzmann sabiti = 1.38x10-23 Joule/Kelvin Kelvin birimli sıcaklık Elektron yükü = 1.602x10-19 Coulomb V T kt / q idealden uzaklaşma faktörü yada emisyon katsayısı ifadesi ile hesaplanır. Oda sıcaklığında (300ᵒK) yaklaşık olarak V T = 26mV alınır. Emisyon katsayısı veya idealden uzaklaşma faktörü olarak adlandırılan n, diyotun fabrikasyonuna ve malzeme özelliğine göre genellikle 1 ile 2 arasında bir değer alır. n = 1 kabul edildiğinde diyot denklemi i D I s ( e v D / VT 1) şekline gelir. Bu katsayı diyota ait üretici katalogunda belirtilir. I s gibidir. 10pA, T= 300ᵒK de ( V T =26mV ) tipik bir D i v diyot akım-gerilim eğrisi Şekil 5 de gösterildiği D Şekil 5 Yarıiletken diyotun i-v karakteristiği i D I s ( e v D / nvt 1)
6 yot denkleminde yer alan v D nvt e / ifadede yer alan 1 ihmal edilip denklem aşağıdaki şekle gelir. T = 300ᵒK de V T terimindeki V D n V T üstelinin 3 e eşit veya büyük olması durumunda i I ( e D s v D / nvt ) = 26mV olduğuna göre n = 1 için V D geriliminin V olması bu ihmal için yeterli olacaktır. İleri yönde akım iletimi yapan bir Si diyot için V D gerilimi yaklaşık 0.7 V mertebelerinde olacağından denklem -1 terimi ihmal edilmiş olarak kullanılabilir. Vs RI D VD 0 VD V nvt RI e V 0 s s D Şekil 6 İleri yönlü kutuplamalı diyot devresi ve devre denklemi v D nv e / T Yukarıdaki devre denklemi hem V D gerilimini hem de terimi ile bu gerilimin üstelini içerdiği için transandantal denklem olarak adlandırılır ve analitik bir çözüm yolu bulunmamaktadır. Bu nedenle, pn eklem diyot devre elemanı içeren elektronik devrelerin analizi için elle çözümlemelerde model bazlı yaklaşık çözümler, bilgisayar tabanlı çözümlemelerde nümerik analiz yöntemleri uygulanır. El ile çözüm yöntemi ilk olarak ideal diyot modellemesi ile başlar. İdeal olarak kabul edilen diyotta Şekil 7 de görüldüğü gibi v D = 0 V ve ileri yönlü iletim direnci r f = 0 Ω kabul edilir. Böylece diyot üzerinde herhangi bir gerilim düşümü oluşmaz. İdeal diyot sonraki modeller için tek yönlü iletimi sağlayan bir anahtar işlevli bileşendir. Pratikte böyle bir diyotun bulunmadığı unutulmamalıdır. Şekil 7 İdeal ve gerçek diyot karakteristiği Diyot elemanının bir ileri modeli ideal diyot elemanına tıkama yönünde bağlanmış bariyer gerilimi değeri kadar bir gerilim kaynağı içeren Şekil 8'de görülen sabit gerilim düşümü modelidir (constant voltage drop model, CVD). Sabit gerilim düşümü modelinde, ileri yönlü kutuplanmış diyot üzerindeki gerilim, diyot akımından bağımsız olarak v D = V γ V olarak kabul edilir. Şekil 8 de görüldüğü üzere pn
7 eklem diyot bir ideal diyot ve buna seri bağlanmış bir gerilim kaynağı ile temsil edilir. İleri yönlü iletim direnci r f = 0 Ω kabul edilmektedir. Şekil 8 Sabit gerilim düşümü modeli ve CVD ile gerçek diyot modeli karakteristiklerinin karşılaştırılması Diyotlu devrelerin analizinde sabit gerilim düşümü modeli genellikle AC girişli gerilim doğrultma devrelerinde kullanılan bir yaklaşımdır. Ancak diğer diyotlu devreler için bu model de yeterli doğrulukta olmayacağından, diyot üzerindeki gerilimin artan diyot akımıyla artışını yansıtan ilave bir direnç ile modelin daha ilerlemesi sağlanır. Bu modele parçalı lineer model (piece-wise linear model, PWL) denir ve daha yüksek doğruluk gösterir. Şekil 9 da görüldüğü üzere parçalı lineer modelde diyot, bir ideal diyot, seri bağlı bir gerilim kaynağı ve yine seri bağlı bir direnç ile temsil edilir. Böylece hem v D hem de r f sıfırdan farklı olur. Bu model önceki iki modeli de bünyesinde barındırır. Şekil 9 Parçalı lineer modeli ve PWL ile gerçek diyot modeli karakteristiklerinin karşılaştırılması Şekil 9 dan PWL diyot model denklemi; V D = V γ + r f I D Olarak yazılır. Şekil 6 daki devre denkleminde PWL model denklemi yerine konulursa;
8 V s RI D V D = 0 V s RI D (V γ + r f I D ) = 0 I D = V s V γ R + r f ile ifade edilir. Böylece analitik bir çözüm ifadesine ulaşılmış, diyot belirli bir başarım ile el çözümüne tabi tutulabilmiş olur. LED (Light Emitting Diode) LED, Light Emitting Diode kelimelerinin kısaltılmış halidir ve Işık Yayan Diyot anlamına gelir. LED ler foton yayan yarı iletken devre elemanlarıdır. Daha önce de belirtildiği gibi ileri yönlü kutuplanan pn eklemde hole ve elektronlar birleşmektedir (rekombinasyon). Eğer yarıiletken, GaAs gibi doğrudan (direct) geçişli bant aralığına sahipse hole ve elektronlar momentumlarında bir değişiklik olmadan birleşir ve bunun sonucunda bir foton yayarlar. Buna karşılık, yarıiletken malzeme Si gibi dolaylı (indirect) geçişli bant aralığına sahipse hole ve elektron birleşiminde momentum değişimi olur ve foton meydana gelmez. Bu nedenle LED'ler GaAs gibi bileşik yarıiletkenlerden üretilirler. LED için diyot akımı yarıiletkende meydana gelen rekombinasyon oranına bağlıdır. Bununla birlikte LED'den yayılan foton yoğunluğu da diyot akımıyla doğru orantılıdır. Şekil 10 LED lerdeki foton oluşturma olayını göstermektedir. Şekil 10 LED de foton oluşma işlemi ve LED sembolü LED lerin ortama yaydığı fotonun frekansı, spektrumun görünür ışık bölgesine denk düşer. Bununla birlikte gözle görülemeyen frekansta foton yayan kızılötesi (infrared, IR) veya morötesi (ultraviole,uv) LED ler de vardır. LED lerin yaydığı foton, yarıiletken malzemedeki katkı maddeleri ile ilgilidir. LED in hangi renkte ışık yayması isteniyorsa galyum, arsenit, alüminyum, fosfat, indiyum, nitrit gibi malzemelerden uygun oranda yarı iletken taban malzemeye katkı yapılır (GaAIAs, GaAs, GaAsP, GaP, InGaAIP, SiC, GaN). Böylece LED'in istenen dalga boyunda ışıma yapması sağlanır. Örneğin kırmızı renk (660nm) için GaAlAs, sarı renk (595nm) için InGaAIP, yeşil renk (565nm) için GaP, mavi renk (430nm) için GaN kullanılır. LED'lerin genel görünüşü aşağıdaki gibidir.
9 Şekil 11 LED in şematik görüntüsü ve farklı renklerde LED ler Zener Diyot Daha önceki kısımlarda belirtildiği gibi diyotun ters yönlü kutuplanmasıyla, diyot üzerindeki gerilim belirli bir limitin üzerine çıkamaz. Bununla birlikte bir noktadan itibaren ters yönlü kutuplanan diyotta kırılma (breakdown) meydana gelir ve ters yönde akan diyot akımı hızlıca artmaya başlar. Bu olayın oluştuğu gerilim değerine kırılma gerilimi denir. Ters yönde kırılmanın olduğu diyot akım-gerilim grafiği Şekil 12 de gösterilmiştir. Şekil 12 Kırılma geriliminin gösterildiği zener diyot i-v karakteristiği ve zener diyot sembolü Zener olarak adlandırılan diyotlar, belirli bir V z0 kırılma noktası belirlenilerek tasarlanır ve üretilirler. Şekil 12 de zener bölgesinde görülen r z direnci çok küçük değerlerde olup değeri birkaç ohm ile birkaç 10Ω arasında değişiklik gösterir. Zener diyotlarda V z0 zener potansiyeli katkılamaya bağlı olarak 1,8V ile 200V arasında değişiklik gösterebilir. Şekil 12 de zener diyot sembolü görülmektedir. Burada V z zener kırılma gerilimi ve I z akımı ise zener bölgesinde çalışan diyotun ters kutuplama akımını göstermektedir.
10 Malzeme Listesi: Dirençler : 10Ω, 1kΩ Diyot : D1N4001 LED : MV5353 Zener Diyot : BZX84C3V3 (3.3V) Standart deney teçhizatı Kaynaklar: 1. Microelectronics Circuit Analysis and Design, Neamen D., Microelectronic Circuit Design, Jeager R., Blalock T., Electronic Devices and Circuit Theory, Boylestad R., Nashelsky L.
11 Adı, Soyadı: Öğrenci No: C. Hazırlık Çalışması 1. Aşağıdaki V in geriliminin zamana göre değişim grafiği verildiğine göre devrenin çıkış eğrisini çiziniz. 10V Vin 5V 0V 0s 2s 4s 6s 8s 10s V(V1:+) Time 2. Aşağıdaki devre için Vo çıkış gerilimini bulunuz. V z = 3.2V r z = 0Ω V γ = 0.6V r f = 0Ω
12
13 Adı, Soyadı: Öğrenci No: D. Deney Çalışması 1. Dijital multimetreyi diyot ölçüm moduna getiriniz. İleri kutuplamada 1N4001 diyotu için açılma gerilimini ölçüp boşluğu doldurunuz. Şekil 13 Dijital multimetre ile diyot testi 2. Şekil 14 de görülen devreyi 1N4001, LED ve 3.3V zener elemanları için ayrı ayrı kurunuz. Aşağıdaki tabloda verilen farklı kaynak gerilimleri için V D ve V R gerilimlerini ölçünüz. Ölçtüğünüz değerleri yine tabloda ilgili alanlara yazınız. Tabloya yazılan değerleri kullanarak üç farklı diyot için akımgerilim (I D V D ) grafiklerini çiziniz. (I D = V R R ifadesinden hesaplanacaktır.) Şekil 14 v s 1N4001 v s LED v s Zener I D = V R R V D I D = V R R V D I D = V R R V D 0.2V 0.2V -7V 0.4V 0.5V -6V 0.5V 1V -5V 0.6V 1.5V -4V 0.7V 2V -3V 0.8V 2.2V -2V 0.9V 2.4V -1V 1V 2.6V 0.2V 2V 2.8V 0.4V 3V 3V 0.6V 4V 3.5V 0.8V 5V 4V 1V 6V 5V 2V 7V 6V 3V 8V 7V 4V 9V 8V 5V
14 Adı, Soyadı: Öğrenci No:
15 Adı, Soyadı: Öğrenci No: 3. Şekil 15'teki devre, herhangi bir iki terminalli elemanın ya da devrenin akım-gerilim karakteristiğini osiloskop yardımı ile elde etmekte kullanılabilir. Buradaki 1kΩ'luk direnç diyot üzerinden geçen akımın değerini sınırlamak için kullanılmıştır. Osiloskop ile akım değeri ölçülemediğinden, devreden geçen akım, diyota seri bağlanmış olan küçük değerli bir direnç üzerindeki gerilimin ölçülüp direnç değerine bölünmesiyle bulunur. Buradaki dikkat edilmesi gereken nokta, osiloskobun X girişindeki gerilim değerinin diyot ve 10Ω'luk direnç üzerindeki gerilimler toplamı olduğudur. Fakat buradaki 10Ω'luk direnç üzerindeki gerilimin diyot üzerindeki gerilimle karşılaştırıldığında çok küçük olması X girişindeki gerilimin yaklaşık olarak diyot üzerindeki gerilime eşit olduğu anlamına gelir. Buna göre Şekil 15 te görülen devreyi 1N4001 diyotu ve zener diyot için kurarak osiloskop ekranında X-Y modunda çıkışı gözleyiniz. Gözlediğiniz çıkışları ilgili koordinat düzlemi üzerine çiziniz. X 1k Y 10V 15V f=100hz 10 GND Şekil 15
16
17 Adı, Soyadı: Öğrenci No: E. Tartışma 1. Teorik ve deneysel sonuçları karşılaştırınız. Sonuçlar arasında farklılıklar var ise sebeplerini yazınız. 2. Üzerindeki çizgisi silinmiş olan bir diyotun anot ve katot ucunu dijital bir multimetre ile nasıl belirlersiniz açıklayınız. 3. Hangi şartlar altında bir eklem diyot açılır açıklayınız.
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM226 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#1 Temel Yarıiletken Diyot Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Ar. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2018
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniveritei Biyomedikal Mühendiliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı eney Föyü eney#1 Temel Yarıiletken iyot Karakteritikleri oç. r. Mutlu AVCI Ar. Gör. Mutafa İSTANBULLU AANA, 2015 ENEY 1 Temel
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik1 Laboratuvarı eney Föyü eney#3 iyot Kırpıcı ve Kenetleyici evreler oç. r. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU AANA, 2017 ENEY 3 Kırpıcı
DetaylıElektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot
ElektronikI Laboratuvarı 1. Deney Raporu AdıSoyadı: İmza: Grup No: 1 Diyot Diyot,Silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken malzemelerden yapılmış olan aktif devre elemanıdır. İki adet bağlantı ucu vardır.
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
DetaylıT.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları
T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
Detaylı1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar Konunun Özeti * Diyotlar yapım tekniğine bağlı olarak; Nokta temaslı diyotlar,
DetaylıElektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,
YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot Karakteristikleri Diyot, zener diyot DENEY
Detaylı1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve
DetaylıDENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler
ENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici evreler 1. Amaç Bu deneyin amacı, diyot elemanının elektronik devrelerde diğer bir uygulaması olan ve dalgaların şekillendirilmesinde kullanılan kırpıcı ve kenetleyici devrelerinin
DetaylıYarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;
1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#8 I-V ve V-I Dönüştürücüler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 8 I-V ve
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#4 Bipolar Junction Transistor (BJT) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıELEKTRONİK LAB. I DİYOT KARAKTERİSTİĞİ
KURALLAR: Deneye isminizin bulunduğu grupla beraber, ilgili saat ve günde geliniz. Deney grubu değişiklikleri için (başka bir dersle çakışması vb. durumlarda) deneyden sorumlu öğretim elemanı ile görüşebilirsiniz.
DetaylıŞekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri
DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Diyotlar; bir yarısı N-tipi, diğer yarısı P-tipi yarıiletkenden oluşan kristal elemanlardır ve tek yönlü akım geçiren yarıiletken devre elemanlarıdır. N
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıAMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim
DetaylıT.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU
T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
DetaylıELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri
DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.
DetaylıT.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I
T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 6: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad
DetaylıELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ
DetaylıT.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I
T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1. DİYOT ve UYGULAMALARI
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 DİYOT ve UYGULAMALARI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN EKİM 2011 KAYSERİ DİYOT
DetaylıDİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı 1. Deneyin Amacı DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot çeşitlerinin
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik1 Laboratuvarı eney Föyü eney#3 iyot Kırpıcı ve Kenetleyici evreler oç. r. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU AANA, 2016 BMM212 Elektronik
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
Detaylı1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde
DetaylıEEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 01: DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun
DetaylıKIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI
K.T.Ü ElektrikElektronik Müh.Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I KICHOFF'UN KIML E GEĠLĠMLE YSSININ DENEYSEL SĞLNMSI KICHOFF'UN KIML YSSI: Bir elektrik devresinde, bir düğümde bulunan kollara ilişkin akımların
Detaylı1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Yarı İletken Diyotlar 1.1 Giriş 1.2. Yarı İletkenlerde Akım Taşıyıcılar 1.3. N tipi ve P tipi Yarı İletkenlerin Oluşumu 1.4. P-N Diyodunun Oluşumu 1.5. P-N Diyodunun Kutuplanması
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıDENEY 2 Diyot Doğrultma Devreleri ve Gerilim Katlayıcı
DENEY 2 Diyot Doğrultma Devreleri ve Gerilim Katlayıcı A. Amaç Bu deneyin amacı, klasik bir DC güç kaynağında yer alan, AC işareti DC işarete dönüştürme işlemi için gerekli diyot doğrultma devrelerinin
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#2 Diyot Doğrultma Devreleri ve Gerilim Katlayıcı Doç Dr. Mutlu AVCI Ar.Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2016
DetaylıT.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT
T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ Deneyin Amacı: DENEY-1:DİYOT Elektronik devre elemanı olan diyotun teorik ve pratik olarak tanıtılması, diyot
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
DetaylıValans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.
Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıBÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)
BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda
DetaylıDeney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:
Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları Amaç: Diyot elemanını ve çeşitlerini tanımak Diyotun çalışma mantığını kavramak Diyot sağlamlık kontrolü İleri kutuplama, geri kutuplama ve gerilim düşümü. Araç
DetaylıDENEY 2 DİYOT DEVRELERİ
DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ 2.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde çıkış gerilim dalga formunda değişiklik oluşturan kırpıcı (clipping) ve kenetleme (clamping) devrelerinin nasıl çalıştığı öğrenilecek ve kavranacaktır.
DetaylıKIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ
A) Kırpıcı Devreler KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ Bir işaretteki belli bir gerilim ya da frekans seviyesinin üstündeki veya altındaki parçasını geçirmeyen devrelere kırpıcı devreler denir. Kırpıcı
DetaylıELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI
ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI 1. Direnç Renk Kodları Direnç Renk Tablosu Renk Sayı Çarpan Tolerans SİYAH 0 1 KAHVERENGİ 1 10 ± %1 KIRMIZI 2 100 ± %2 TURUNCU 3 1000 SARI 4 10.000 YEŞİL 5 100.000 ± %0.5 MAVİ
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıDENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ Alan Etkili Transistör (FET) Alan etkili transistörler 1 bir elektrik alanı üzerinde kontrolün sağlandığı bir takım yarıiletken aygıtlardır. Bunlar iki çeşittir:
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıProblem Çözmede Mühendislik Yaklaşımı İzlenecek Yollar Birimler ve ölçekleme Yük, akım, gerilim ve güç Gerilim ve akım kaynakları Ohm yasası
Yrd. Doç. Dr. Fatih KELEŞ Problem Çözmede Mühendislik Yaklaşımı İzlenecek Yollar Birimler ve ölçekleme Yük, akım, gerilim ve güç Gerilim ve akım kaynakları Ohm yasası 2 Mühendislik alanında belli uzmanlıklar
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıBölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak
DetaylıDENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT
YALITKAN YARI- İLETKEN METAL DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT Amaç: Birinci deneyde Ohmik bir devre elemanı olan direncin uçları arasındaki gerilimle üzerinden geçen akımın doğru orantılı
DetaylıElektronik Laboratuvarı
2013 2014 Elektronik Laboratuvarı Ders Sorumlusu: Prof. Dr. Mehmet AKBABA Laboratuvar Sorumluları: Rafet DURGUT İçindekiler Tablosu Deney 1: Laboratuvar Malzemelerinin Kullanılması... 4 1.0. Amaç ve Kapsam...
DetaylıOHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI
DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde, Ohm kanunu işlenecektir. Seri ve paralel devrelere ohm kanunu uygulanıp, teorik sonuçlarla deney sonuçlarını karşılaştıracağız ve doğrulamasını yapacağız.
DetaylıÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Diyotu tanımlayınız. Diyot bir yönde akım geçiren, diğer yönde akım geçirmeyen elektronik devre elemanıdır. Diyotlarda anot ve katodu tanımlayınız. Diyot
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıSensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL
Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Optik Sensörler Üzerine düşen ışığa bağlı olarak üstünden geçen akımı değiştiren elemanlara optik eleman denir. Optik transdüserler ışık miktarındaki değişmeleri elektriksel
Detaylı1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)
Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıDENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP
DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP Amaç: Bu deneyin amacı, öğrencilerin alternatif akım ve gerilim hakkında bilgi edinmesini sağlamaktır. Deney sonunda öğrencilerin, periyot, frekans, genlik,
DetaylıDENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı
DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER 3.1. Deneyin Amacı Yarım ve tam dalga doğrultucunun çalışma prensibinin öğrenilmesi ve doğrultucu çıkışındaki dalgalanmayı azaltmak için kullanılan kondansatörün etkisinin
DetaylıBLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 2. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 2 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 3/1/2015 1 P-N BİRLEŞİM DİYOTU Günümüzde çoğu
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıAKIM REGÜLELİ LED TEST CİHAZI TASARIMI CURRENT REGULATED LED TESTER DESIGN
AKM EGÜLELİ TEST CİHAZ TASAM CUENT EGULATED TESTE DESGN Yavuz EOL Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Fırat Üniversitesi yerol@firat.edu.tr Özet Bu çalışmada lerin sabit akımda test edilmesini sağlayan
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıELEKTRONİK-1 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Diyot Karakteristikleri Deneyleri (PN Jonksiyon)
ELEKTRONİK-1 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Diyot Karakteristikleri Deneyleri (PN Jonksiyon) DENEYİN AMACI 1. Silisyum ve Germanyum Diyotların karakteristiklerini anlamak. 2. Silisyum ve Germanyum Diyot tiplerinin
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıV R1 V R2 V R3 V R4. Hesaplanan Ölçülen
DENEY NO : 1 DENEYİN ADI : Kirchhoff Akım/Gerilim Yasaları ve Düğüm Gerilimleri Yöntemi DENEYİN AMACI : Kirchhoff akım/gerilim yasalarının ve düğüm gerilimleri yöntemi ile hesaplanan devre akım ve gerilimlerinin
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Amaç: Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı
DetaylıKırpıcı devrelerin çalışma prensiplerinin deney yoluyla incelenmesi.
DENEY 2: KIRPICI DEVRELER 2.1. Deneyin Amacı Kırpıcı devrelerin çalışma prensiplerinin deney yoluyla incelenmesi. 2.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) 1N400X diyot 2) 1KΩ direnç ve bağlantı kabloları
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıDENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ
DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ 8.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde fark yükselteçleri analiz edilecek ve girşçıkış sinyalleri incelenecektir. 8.2 TEORİK BİLGİ Fark yükselteçleri birçok entegre devrelerde kullanılan
DetaylıLEDler (Light Emitting Diodes-Işık Yayan Diyotlar)
LEDler (Light Emitting Diodes-Işık Yayan Diyotlar) Işık yayan flamansız lambalara LED denir. Bu elemanlar çeşitli boyutlarda üretilirler.2-20 miliamper gibi çok az akımla çalışırlar. Sarsıntılara dayanıklı
DetaylıDENEY 3 DİYOT DOĞRULTUCU DEVRELERİ
DENEY 3 DİYOT DOĞRULTUCU DEVRELERİ 31 DENEYİN AMACI Bu deneyde elektronik dc güç kaynaklarının ilk aşaması olan diyot doğrultucu devreleri test edilecektir Deneyin amacı; doğrultucu devrelerin (yarım ve
DetaylıGERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ
GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine
DetaylıElektrik Müh. Temelleri
Elektrik Müh. Temelleri ELK184 2 @ysevim61 https://www.facebook.com/groups/ktuemt/ 1 Akım, Gerilim, Direnç Anahtar Pil (Enerji kaynağı) V (Akımın yönü) R (Ampül) (e hareket yönü) Şekildeki devrede yük
DetaylıDENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ
Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ Devre Analiz yöntemlerinden olan Thevenin ve Norton teoremlerinin deneysel olarak gerçeklenmesi. Doğrusal devreleri analiz etmek
DetaylıAKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER
YARI İLETKENLER Doğada bulunan atamlar elektriği iletip-iletmeme durumuna görene iletken, yalıtkan ve yarı iletken olarak 3 e ayrılırlar. İletken maddelere örnek olarak demir, bakır, altın yalıtkan maddeler
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için
DetaylıModern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları
40 Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 1 Test 1 in Çözümleri 1. USG ve MR cihazları ile ilgili verilen bilgiler doğrudur. BT cihazı c-ışınları ile değil X-ışınları ile çalışır. Bu nedenle I ve II.
DetaylıBu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.
DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili
Detaylıdq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ
OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak
Detaylı