Yarıiletken Yapılar HSarı 1

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "Yarıiletken Yapılar. 2009 HSarı 1"

Transkript

1 Yarıiletken Yapılar 2009 HSarı 1

2 Ders İçeriği Yarıiletken klemler» Homo klemler» Hetero klemler Optoelektronik Malzemeler Optoelektronik Üretim Teknolojisi 2009 HSarı 2

3 Kaynaklar: 1) Solid State lectronics Devices, B. G. Streetmann, Prentice Hall, ) The Physics of Semiconductors with applications to Optoelectronic Devices Kevin F. Brennan, Cambridge University Press, ) Quantum Semiconductor Structures, Fundamentals and Applications, C. Weisbuch, Borge Vinter, Academic Press Inc ) 5) HSarı 3

4 Yarıiletken klemler Yarıieltkenlerden yararlanma bunlardan farklı tip katkılanmış olanlarını biraraya getirerek eklemler oluşturmak ile gerçekleştirilir İki farklı eklemlerden bahsedebiliriz: i) Aynı tür eklemler (Homojunction): Aynı tür yarıiletkenden oluşturulmuş n ve ptipi yarıiletkeni birleştirerek oluşturulan eklemler (örneğin Si:Si, Ge:Ge) n p Si Si n p ii) Farklı tür eklemler (Heterojuction): Farklı tür yarıiletkenleri birleştirerek oluşturulan eklemler (örneğin Si:Ge, GaAs:) Si Ge n p n GaAs p 2009 HSarı n p 4

5 Aynı Türden klemler (Homojunction) Silikondan yapılmış ntipi ve ptipi katkılanmış yarıiletken malzemeyi düşünelim Malzemeler aynı olduğu için (silikon) n ve p tipi malzemenin bant aralığı da aynı olacaktır ntipi ptipi lektron Deşik (hole) Atom qφ qχ qφ qχ =0 Boşluk f f qφ (iş fonksiyonu): Bir elektronu Fermi seviyesinden ( f ) boşluğa (=0) götürmek için gereken enerji qχ (elektron affinity): Bir elektronu iletim bandından ( ) boşluğa (=0) götürmek için gereken enerji 2009 HSarı 5

6 Yarıiletken klemler lektron Deşik (hole) Atom ntip ptip f f d 2 d 1 2εVo N A = ( ) q ND ( N A ND ) 2εVo N D = ( ) q N A( N A N D ) 1/ 2 1/ 2 V b : yapısal (buildin) potansiyel d : tüketim (deplition) bölgesi d V b I V n p A f 2009 HSarı 2εV o d = d d = ( ) 1 d2 q N A N D 1/ 2

7 MetalYarıiletken klemler lektron Deşik (hole) Atom Metal pveya ntipi yarıiletken pn eklemlerinin birçok kullanışlı özelliği sadece metalyarıiletken eklem yapılarak da oluşturulabilir 2009 HSarı 7

8 IV ğrileri V n p I qv kt I( V ) = I ( e 1) k I I k =karanlık akım Dp Dn Ik = qa( pn np ) L L p n I k V 2009 HSarı 8

9 IV ğrileriters Besleme n p V A n d p qv kt I( V ) = I ( e 1) I k V b V f Ters besleme V= V Difüzyon ve drift akımlar Ters besleme Karanlık akım 2009 HSarı Çığ etkisi 9

10 IV ğrileriileri besleme n d p qv kt I( V ) = I ( e 1) k n p V A I V b V f İleri besleme V= V 2009 HSarı İleri besleme 10

11 Yarıiletken klemler: IV ğrileri n V p I Aydınlatma Yok qv kt I( V ) = I ( e 1) k I k =karanlık akım Dp Dn Ik = qa( pn np ) L L p n n p I n p VV o VV o F V b I k V F n p n p V b V o F çığ bölgesi V o F V b =Kırılma gerilimi (breakdown voltage) 2009 HSarı 11

12 Farklı Türden klemlerhetero Yapılar Farklı yarıiletkenden yapılmış ntipi ve ptipi katkılanmış yarıiletken malzemeyi düşünelim Malzemeler farklı olduğu için bant aralıkları da farklı olacaktır Si: ntip Ge: ptip lektron Deşik (hole) Atom qφ qφ =0 Boşluk f g =1,2 ev g =0,6 ev f 2009 HSarı 12

13 Hetero Yapılar Si: ntip Ge: ptip lektron Deşik (hole) Atom φ φ =0 Boşluk f g =1,2 ev g =0,6 ev f f f 2009 HSarı 13 Üçgen Kuantum Çukuru

14 Hetero YapılarÜstünlükleri Denge durumu (V=0) x z n p f f y F 2009 HSarı 14

15 Farklı Türden klemlerüstünlükleri v y = yüksek devingenlik x y x=l y z F V 0 yük modülasyonu V 0 yüksek devingenlik L lektronlar, yüklü iyonlardan ayrılarak devingenliklerinin daha büyük olduğu bölgede hareket ederler Kuantum çukur içersindeki elektron yoğunluğu dış elektrik alan ile değiştirilebilir (yük modülasyonu) Kuantum çukurunun genişliği (zdoğrultusu) elektronların de Broglie dalgaboyu mertebesinde olduğu için kuantum etkileri görülür Yükler, uzayın belli bir bölgesine sınırlandırıldığı için elektrondeşik birleşmesi çok verimlidir Farklı malzemeler kullanıldığı için (farklı kırılma indisleri) fotonlar uzayın belli bir bölgesinde hapsedilir, optik verim artar Kuantum çukurunun genişliği ayarlanarak (katkı atom konsantrasyonu) enerji seviyeleri, dolayısı ile yayınlanacak ışığın frekansı ayarlanabilir 2009 HSarı 15

16 Yüksek Devingenlik 10 6 Piezoelektrik (akustik fonon) Devingenlik (cm 2 /Vs) Devingenlik (cm 2 /Vs) T (K) Fonon etkileşimi (kristal titreşimi) İyonlaşmış katkı atomları (saçılma) 10 5 GaAs T (K) Fonon etkileşimi (kristal titreşimi) 10 6 Piezoelektrik (akustik fonon) GaAs/ HSarı 16

17 Yük Modülasyonu V Ters besleme V < 0 I n p z x y z F F 2009 HSarı 17

18 Yük modülasyonu V İleri besleme V > 0 I n p z x z F y F 2009 HSarı V > 0 18

19 Yük modülasyonu Vm V d I V > 0 V y x z F I n p F 2009 HSarı 19

20 Kuantum Çukuru GaAs yarıiletkenine Al ekleyerek yarıiletkeni oluşturulabilir. nin band aralığı ( g ) içindeki Al atomlarının yüzdesine bağlı olarak GaAs nin band aralığı olan g =1,42 ev ile AlAs nin band aralığı olan g =2,2 ev arasındaki değerleri alabilir Ga x Al (1x) As GaAs Ga x Al (1x) As =0 Boşluk f f Kuantum Çukuru g g 2009 HSarı 20 GaAs

21 Kuantum Çukuru V= lektron için Schrödinger Denklemi 2 d ψ dx ( x) 2m e 2 2 [ ] V ( x) ψ ( x) = 0 ħ 3 n=3 L λ e x d 2 ψ ( x ) 2 m ψ x 2 2 dx k = Dalga fonksiyonu ( ) = 0 ħ 2m e ħ ψ(x)= 0 ( ) 2 sin( nπ ψ ) n x = x L L (V= ) 0 < x < L (V= 0) 0 < x < L n=1, 2, L L λ e n=2 n=1 x nerji n = 2 2 π ħ 2m L e 2 n 2 n=1, 2, 3... T=0 K T=0 K Ödev1: Potansiyel Ödev2: Üçgen kuantum çukurunun sonlu çukuru olduğu durumda olduğu durumda enerji enerji değerleri nasıl değerleri nasıl olur? 2009 HSarı olur? 21

22 Düşük Boyutlu Sistemler Yasak bant g (Al)= ev y x z nerji ( g ) GaAs g =1.43eV L x Ly g (Al)= ev L z x L x L x L x L x L y L y Ly L y L z L z L z L z 3 Boyutlu yapı (3B) Yığınsal (bulk) yapılar 2 Boyutlu yapı (2B) (kuantum çukurları) 1 Boyutlu yapı (1B) (kuantum teller) 0 Boyutlu yapı (0B) (kuantum noktalar) L x >> λ e L x λ e L x λ e L x λ e L y >> λ e L y >> λ e L y >> λ L y λ e e 2009 HSarı 22 L z >> λ e L z >> λ e L z λ e L z λ e

23 YığınsalKuantumluluğa Karşı L x x z y Yığınsal (bulk) Yapı L x >> λ e Kuantum Çukuru L x λ e L x L x GaAs x GaAs x g() g() g() e 2 e 1 g() enerji g(gaas) GaAs e 2 2 ħ k = = 2m e C h ω 2 2 ħ k = = 2m ( ) g ω = = ħ ħ h GaAs 2009 HSarı g n n frekans frekans 23 C V V e n g(gaas) 1 h 2 h 2 ħ nπ = g 2me Lx 2 h n 2 ħ nπ = 2mh Lx e h ( ) ω = ħ 2 ω n=1, 2, 3..

24 Düşük Boyutlu Sistemlerin Üstünlükleri Taşıyıcıları (elektron ve deşik) uzayın belli noktasında hapsetmek taşıyıcıların dalga fonksiyonlarının örtüşmesini arttırır. Bu örtüşme, ed çiftlerinin verimli bir şekilde birleşmesini başka bir ifade ile yayınlanan ışığın kuantum verimliliğinin artmasını sağlar Durum yoğunluğunun kesikli olması taşıyıcıların bant içinde ısıl enerjilerinin genişlemesini engellediğinden bantgenişliği azalır, tek renkliliğe daha çok yaklaşılır Yukarıdaki durumların sonucu olarak, ışık üretiminde kullanılan düşük boyutlu sistemler eşik akımın düşmesine ve yüksek kuantum verimliliğine yol açar. Durum Yoğunluğu 0B 2B 3B 2009 HSarı ( 24 g )

25 Hetero YapılarUygulama Alanları Farklı türden yarıiletkenler ile yapılan eklemler sayesinde düşük kuantum boyutlara inmek mümkün. Farklı türden yarıiletkenler ile yapılan eklemler elektronikte ve optoelektronikte oldukça yaygın olarak kullanılmaktadır lektronikte, Hızlı transistörlerin yapımında Modulation Doped Field ffect Transistor(MODFT veya HMT) Hetorojunction Bipolar Transistör (HBT) Optoelektronikte, Kuantum çukurlu lazerlerin yapımında Verimli güneş pillerinde Işığın modülasyonunda Dalga klavuzlarında DBR ayna yapımında 2009 HSarı 25

26 Optoelektronik Malzemeler 2009 HSarı 26

27 Optoelektronik Malzemeler1 Işık üretimi için dolaysız (direk) bant aralığına sahip yarıiletkenler kullanılmalıdır Genellikle bileşik yarıiletkenler dolaysız bant aralığına sahip oldukları için optoelektronik teknolojisinde çok yaygın olarak kullanılır (GaAs, ) Verimli ışık aletlerinin yapılabilmesi için kristal kusurlarının en az olması gerekir g k Bant aralığının, istenilen dalgaboyunda ışık elde edecek (algılayacak) şekilde ayarlanabilmesi arzulanır Bileşik yarıiletkenlerde atom konsantrasyonu değiştirilerek bant aralığı ( g ) değiştirilebilir. Böylece istenilen bant aralığına sahip yarıiletken malzemeler elde edilebilir. Buna bant aralığı mühendisliği (Band Gap ngineering) denir Benzer şekilde kırılma indisi de konsantrasyona bağlı olarak değişir (Selmineer Denklemi) Örneğin: Al x Ga 1x As komposizyona bağlı bant aralığı ( g )( 293 o K sıcaklıkta), x =0 ile 0.44 aralığında g (x) = g (GaAs) (1.429eV)x (0.14eV)x 2 x > 0.44 için AlGaAs indirek bant aralığına sahip olmaktadır kırılma indisi de konsantrasyona bağlıdır (Selmineer Denklemi) B n λ 2 2 ( x) = A( x) D( x) 2 o λo C( x) 2009 HSarı Selmineer Denklemi 27

28 g () g (GaAs) g (GaAs) g () d (nm) GaAs ngaas n n () n (GaAs) d 2009 HSarı 28

29 film (AlAs) Altaş (GaAs) Optoelektronik Malzemeler3 Farklı türden bileşik yarıiletkenleri büyütmek için uygun bir alttaşın bulunması gerekmektedir a b Alttaşın ve üzerinde büyütülecek filmin kristal örgü sabitleri arasındaki fark çok küçük olmalıdır b a a < %1 Örgü sabitleri arasındaki fark ne kadar büyük olursa alttaş üzerinde büyütülecek filmin kalınlığı da o kadar çok azalır t d 2009 HSarı 29

30 Optoelektronik Malzemeler4 Bileşik Yarıiletkenlerde kristal sabiti ve enerji 2009 HSarı 30

31 Tek Atomlu Yarıiletkenler Optoelektronik Malzemeler5 III IV V VI VII silikon (Si), germanyum (Ge), karbon (C)! II Işık Kaynakları I II V V Işık Algılayıcıları I Güneş pilleri Dolaylı Bant yapısı (Si) Bileşik Yarıiletkenler IIIV İkili (Ternary) => GaAs, AlAs, InAs, InP Üçlü (Quaternary) => Ga x Al (1x) As, In x Al (1x) As V I I Işık Kaynakları V IIVI Işık Algılayıcıları Güneş pilleri İkili (Ternary) => HgTe, CdTe I Üçlü (Quaternary) => Cd x Hg (1x) Te 2009 HSarı Dolaysız (direk) Bant yapısı (GaAs) 31

32 Optoelektronik Malzemeler Al x Ga 1x As için bant aralığı (293 o K) g (x) = g (GaAs) (1.429eV)x (0.14eV)x 2 x > 0.44, için AlGaAs indirek bant aralığına sahiptir n Kırılma indisi 2 2 ( x) = A( x) D( x) λ 2 o λo C( x) B 2009 HSarı 32

33 Optoelektronik MalzemelerInGaAs In x Ga 1x As için bant aralığı (300 o K) g (x) = 1.425eV (1.501eV)x (0.436eV)*x 2 Bütün x değerleri için InGaAs direk bant aralığına sahiptir 2009 HSarı 33

34 Optoelektronik Yapılar Bileşik yarıiletken yapılar MB, MOCVD gibi tekniklerle üretilir g (InP) g (In 0,53 Ga 0,47 As) g () g (GaAs) g () g (GaAs) In 0,53 Ga 0,47 As ninp ninp GaAs ngaas GaAs GaAs GaAs ngaas Basit Heteroyapılar Kuantum Çukurları Çoklu Kuantum Çukurları 2009 HSarı 34

35 Hetero Yapılar In 0,53 Ga 0,47 As ninp ninp g (InP) g (In 0,53 Ga 0,47 As) Basit Heteroyapılar f f Üçgen Kuantum Çukuru 2009 HSarı 35

36 Kuantum Çukurlar Düşük bant aralığına sahip (örneğin GaAs), yüksek bant aralığına sahip başka bir malzeme ile (örneğin ) sandiviç yapıda büyütüldüğü takdirde düşük bant aralığına sahip malzemenin iletim bandı elektronlar için, değerlik bandı ise deşikler için kuantum çukuru oluşturur. d kalınlığı eksiton yarıçapı mertebesinde d (nm) GaAs ngaas g () g (GaAs) Kuantum Çukurları d (nm) 2009 HSarı 36

37 Çoklu Kuantum Çukurlar Çoklu kuantum çukurlarda kuantum çukurları arasındaki mesafe uzak olduğu durum GaAs GaAs GaAs ngaas g () g (GaAs) Çoklu Kuantum Çukurları Her bir katmanın kalınlığı kullanılan ışığın belli dalgaboylarına göre ayarlanarak DBR aynaları yapılabilir HSarı 37

38 Çoklu Kuantum ÇukurlarSüper Örgüler Çoklu kuantum çukurlarda kuantum çukurları arasındaki mesafe yakın olduğu durumda kuantum çukurları etkileşerek taşıyıcılar çukurlar arasında tünelleme ile geçebilmektedir GaAs GaAs GaAs ngaas g () g (GaAs) Çoklu Kuantum Çukurları Her bir katmanın kalınlığı kullanılan ışığın belli dalgaboylarına göre ayarlanarak DBR aynaları yapılabilir HSarı 38

39 Optoelektronik Malzeme Üretim Teknikleri Optoelektronik malzemeler (heteroyapılar) çoğunlukla epitaksi kristal büyütme teknikleri ile üretilirler pitaksi, kelime anlamı ile alttaşın kristal yapı ve doğrultusunu koruyarak yapılan büyütme işlemine denir (100) Yaygın optoelektronik malzeme üretim teknikleri: Sıvı Fazı pitaksi (Liquid Phase pitaxy, LP) Buhar Fazı pitaksi (Vapor Phase pitaxy, VP) Organik Metal Kimyasal Faz ptaksi (Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOVP) Organik Metal Kimyasal Buhar pitaksi (Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) Moleküler Demet pitaksi (Molecular Beam pitaxy, MB) 2009 HSarı 39

40 Molekül Demeti Yöntemi (MB) Çok yüksek vakum (< mbar) altında gerçekleştirilen epitaksiyel büyütme yöntemidir Genellikle IIIV bileşik yarıiletken yapılar (, InAlAs vs) büyütülmektedir shutter elektron tabancası In Al büyütme odası transfer (tampon) vakum bölgesi örnek girişi As Si alttaş örnek hazırlama odası örnek transfer çubuğu Ga yüksek vakum pompaları kaynaklar fosforlu ekran yüksek vakum pompaları karakterizasyon odası Üstünlükleri: Atomik mertebede kalınlık kontrolü Saflık derecesi çok iyi olan malzemeler üretilebilir Büyütme sırasında çok iyi katkılanma kontrolü sağlanabilir Lazer, dedektör ve modülatör gibi heteroyapılar için ideal Olumsuzlukları: Kristal büyütme hızı yavaş < 1 µm/sa Seri üretime uygun değil Oldukça pahalı (Million Buck pitaxy) 2009 HSarı 40

41 Yarıiletken TeknolojisiDiyot Fabrikasyonu Al Metali SiO 2 nsi 1 nsi 5 nsi 9 Fotoresist (PR) SiO 2 yi aşındıracak kimyasal işlem Al nsi 2 nsi 6 nsi 10 Maske 3 nsi nsi 7 UV ışık 4 Boron Difüzyonu 8 nsi 11 nsi nsi 2009 HSarı 41 psi

42 Yarıiletken TeknolojisiLazer Fabrikasyonu Optoelektronik devre elemanları daha çok heteroyapılar ile yapıldığı için bunların imal edilmesi daha karmaşıktır Optoelektronik devre elemanları daha çok birleşik yarıiletkenlerden (hetoroyapılar) yapıldığı için MB, MOCVD gibi pahalı teknikler kullanılır Alttaş n GaAs pitaksiyel büyütme Oksit Tabaka GaAs ngaas processing GaAs ngaas 2009 HSarı 42

43 Teşekkürler 2009 HSarı 43

44 Teşekkürler 2009 HSarı 44

14. Ders. Yarıiletkenler Yapılar

14. Ders. Yarıiletkenler Yapılar 14. Ders Yarıiletkenler Yapılar c c f v v 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Pn eklemlerinin yapısı, Pn eklemlerin VI eğrileri, Homo ve heteroyapıları, Kuantum yapılar, Optoelektronik malzemeler ve üretim teknikleri

Detaylı

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri 12. Ders Yarıiletkenlerin lektronik Özellikleri T > 0 o K c d v 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Yalıtkan, yarıiletken, iletken, Doğrudan (direk) ve dolaylı (indirek) bant aralığı, tkin kütle, devingenlik,

Detaylı

Yarıiletken Optoelektronik Devre Elemanları. 2008 HSarı 1

Yarıiletken Optoelektronik Devre Elemanları. 2008 HSarı 1 Yarıiletken Otoelektronik Devre Elemanları 2008 HSarı 1 Otoelektronik Devre Elemanları -n Eklemlerinin Otoelektronik Uygulamaları Işık Üreteçler» Işık Yayan Diyotlar (LED)» Lazerler Işık Dönüştürücüler»

Detaylı

Optoelektronik Tümleşik Devreler. 2008 HSarı 1

Optoelektronik Tümleşik Devreler. 2008 HSarı 1 Optoelektronik Tümleşik Devreler 2008 HSarı 1 Kaynaklar: R. G. Hunsperger, Integrated Optics: Theory and Technology, 3rd Edition, Springer Series in Optical Science, Springer-Verlag, 1991 2008 HSarı 2

Detaylı

Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü 06100 Tandoğan-ANKARA

Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü 06100 Tandoğan-ANKARA In x Al 1-x As BİLEŞİK YARIİLETKEN MALZEMELERDE KALICI FOTOİLETKENLİK Hüseyin SARI 1, Harry H. WIEDER* Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü 06100 Tandoğan-ANKARA *Kaliforniya

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 4: Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri Fotovoltaik Hücre Fotovoltaik Etki Yarıiletken Fiziğin Temelleri Atomik Yapı Enerji Bandı Diyagramı Kristal Yapı Elektron-Boşluk Çiftleri

Detaylı

YENİ YARI-İLETKEN TEKNOLOJİLERİ

YENİ YARI-İLETKEN TEKNOLOJİLERİ YENİ YARI-İLETKEN TEKNOLOJİLERİ Doç. Dr. Cengiz Beşikci Mikroelektronik Bilgisayar Enformasyon Teknolojisi Telekomünikasyon Mikroelektronik Teknolojisi Yeni Kavramlar Yeni Malzemeler Küçültme Karõşõk Teknolojiler

Detaylı

Yarıiletken Optoelektronik Devre Elemanları. 2008 HSarı 1

Yarıiletken Optoelektronik Devre Elemanları. 2008 HSarı 1 Yarıiletken Optoelektronik Devre Elemanları 2008 HSarı 1 Optoelektronik Devre Elemanları p-n Eklemlerinin Optoelektronik Uygulamaları Işık Üreteçler» Işık Yayan Diyotlar (LED)» Lazerler Işık Dönüştürücüler»

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR...

İÇİNDEKİLER 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... İÇİNDEKİLER Bölüm 1: KRİSTALLERDE ATOMLAR... 1 1.1 Katıhal... 1 1.1.1 Kristal Katılar... 1 1.1.2 Çoklu Kristal Katılar... 2 1.1.3 Kristal Olmayan (Amorf) Katılar... 2 1.2 Kristallerde Periyodiklik... 2

Detaylı

Doç.Dr.Vildan BiLGiN. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü

Doç.Dr.Vildan BiLGiN. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü Doç.Dr.Vildan BiLGiN Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi - Fizik Bölümü vbilgin@comu.edu.tr İÇERİK; Moleküller ve Katılar, Katıların Bant Yapısı ve Elektriksel İletkenlik, Yarıiletkenler,

Detaylı

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları Bölüm 7: Elektriksel Özellikler CEVAP ARANACAK SORULAR... Elektriksel iletkenlik ve direnç nasıl tarif edilebilir? İletkenlerin, yarıiletkenlerin ve yalıtkanların ortaya çıkmasında hangi fiziksel süreçler

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI Dersin Kodu FIZ508 Spektroskopik Analiz Yöntemleri (II) Kredisi (T P K) (3 0 3) 2-Bahar Atomik spektroskopi, infrared absorpsiyon spektroskopisi, raman spektroskopisi, nükleer magnetik rezonans spektroskopisi,

Detaylı

İstatistiksel Mekanik I

İstatistiksel Mekanik I MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 8.333 İstatistiksel Mekanik I: Parçacıkların İstatistiksel Mekaniği 2007 Güz Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

15. Ders Optoelektronik Devre Elemanları-I. n p

15. Ders Optoelektronik Devre Elemanları-I. n p 15. Ders Optoelektronik Devre Elemanları-I V n p 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Işık üreten optoelektronik devre elemanlar, Işık aan diot (LED), Lazer, Yarıiletken dalga kılavuzlar, Optik fiber konularında

Detaylı

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir. TEMEL ELEKTRONİK Elektronik: Maddelerde bulunan atomların son yörüngelerinde dolaşan eksi yüklü elektronların hareketleriyle çeşitli işlemleri yapma bilimine elektronik adı verilir. KISA ATOM BİLGİSİ Maddenin

Detaylı

Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS. Yarıiletken Malzemeler EEE213 3 3+0 3 5

Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS. Yarıiletken Malzemeler EEE213 3 3+0 3 5 DERS BİLGİLERİ Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS Yarıiletken Malzemeler EEE213 3 3+0 3 5 Ön Koşul Dersleri Dersin Dili Dersin Seviyesi Dersin Türü İngilizce Zorunlu / Lisans Yüz Yüze

Detaylı

FOTOVOLTAİK (PV) TEKNOLOJİLERİ. Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK sozcelik@gazi.edu.tr

FOTOVOLTAİK (PV) TEKNOLOJİLERİ. Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK sozcelik@gazi.edu.tr FOTOVOLTAİK (PV) TEKNOLOJİLERİ Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK sozcelik@gazi.edu.tr Sunum İçeriği 1. Fotovoltaik (PV) teknolojilerin tarihsel gelişimi 2. PV hücrelerin çalışma ilkesi 3. PV hücrelerin kullanım

Detaylı

Optik Özellikler. Elektromanyetik radyasyon

Optik Özellikler. Elektromanyetik radyasyon Optik Özellikler Işık malzeme üzerinde çarptığında nasıl bir etkileşme olur? Malzemelerin karakteristik renklerini ne belirler? Neden bazı malzemeler saydam ve bazıları yarısaydam veya opaktır? Lazer ışını

Detaylı

Dr. Fatih AY. Tel: 0 388 225 22 55 ayfatih@nigde.edu.tr

Dr. Fatih AY. Tel: 0 388 225 22 55 ayfatih@nigde.edu.tr Dr. Fatih AY Tel: 0 388 225 22 55 ayfatih@nigde.edu.tr Güneş Pillerinin Yapısı ve Elektrik Üretimi Güneş Pillerinin Yapımında Kullanılan Malzemeler Güneş Pilleri ve Güç Sistemleri PV Sistemleri Yardımcı

Detaylı

SICAKLIK ALGILAYICILAR

SICAKLIK ALGILAYICILAR SICAKLIK ALGILAYICILAR AVANTAJLARI Kendisi güç üretir Oldukça kararlı çıkış Yüksek çıkış Doğrusal çıkış verir Basit yapıda Doğru çıkış verir Hızlı Yüksek çıkış Sağlam Termokupldan (ısıl İki hatlı direnç

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

Malzemelerin elektriksel özellikleri

Malzemelerin elektriksel özellikleri Malzemelerin elektriksel özellikleri OHM yasası Elektriksel iletkenlik, ohm yasasından yola çıkılarak saptanabilir. V = IR Burada, V (gerilim farkı) : volt(v), I (elektrik akımı) : amper(a) ve R(telin

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

ANKARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ YÜKSEK LİSANS TEZİ KUANTUM NOKTA TEMELLİ BELLEK YAPILARDA KUANTUM NOKTALARININ ELEKTRONİK YAPISININ DERİN SEVİYE GEÇİŞ SPEKTROSKOPİSİ İLE BELİRLENMESİ Türkan

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

FM561 Optoelektronik. Yarıiletken Fiziği

FM561 Optoelektronik. Yarıiletken Fiziği FM561 Optoelektroik Yarıiletke Fiziği Yarıiletke Optoelektroik Devre lemaları 005 HSarı 1 Optoelektroik Devre lemaları Optoelektroik Yarıiletke Malzemeler Optoelektroik Malzeme Üretim Tekolojisi p- klemlerii

Detaylı

SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE

SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE OPTİK MALZEMELER ARAŞTIRMA GRUBU SPEKTROSKOPİK ELİPSOMETRE Birhan UĞUZ 1 0 8 1 0 8 1 0 İçerik Elipsometre Nedir? Işığın Kutuplanması Işığın Maddeyle Doğrusal Etkileşmesi Elipsometre Bileşenleri Ortalama

Detaylı

Kuantum Fiziğinin Gelişimi (Quantum Physics) 1900 den 1930 a

Kuantum Fiziğinin Gelişimi (Quantum Physics) 1900 den 1930 a Kuantum Fiziğinin Gelişimi (Quantum Physics) 1900 den 1930 a Kuantum Mekaniği Düşüncesinin Gelişimi Dalga Mekaniği Olarak da Adlandırılır Atom, Molekül ve Çekirdeği Açıklamada Oldukça Başarılıdır Kuantum

Detaylı

YARIİLETKEN LAZERLERDE YÜKLÜ TAŞIYICILARIN ENERJİ DURUMLARININ İNCELENMESİ

YARIİLETKEN LAZERLERDE YÜKLÜ TAŞIYICILARIN ENERJİ DURUMLARININ İNCELENMESİ PAMUKKALE ÜNİ VERSİ TESİ MÜHENDİ SLİ K FAKÜLTESİ YIL PAMUKKALE UNIVERSITY ENGINEERING COLLEGE CİLT MÜHENDİ SLİ K B İ L İ MLERİ DERGİ S İ SAYI JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES SAYFA : 00 : 8 : : 155-160

Detaylı

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ Infrared (IR) ve Raman Spektroskopisi Yrd. Doç. Dr. Gökçe MEREY TİTREŞİM Molekülleri oluşturan atomlar sürekli bir hareket içindedir. Molekülde: Öteleme hareketleri, Bir eksen

Detaylı

MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu. 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar

MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu. 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için http://ocw.mit.edu/terms ve http://tuba.acikders.org.tr

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ

ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ ALETLİ ANALİZ YÖNTEMLERİ UV-Görünür Bölge Moleküler Absorpsiyon Spektroskopisi Yrd. Doç.Dr. Gökçe MEREY GENEL BİLGİ Çözelti içindeki madde miktarını çözeltiden geçen veya çözeltinin tuttuğu ışık miktarından

Detaylı

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER Dielektrik malzemeler; serbest elektron yoktur, yalıtkan malzemelerdir, uygulanan elektriksel alandan etkilenebilirler. 1 2 Dielektrik malzemeler Elektriksel alan

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Kimyasal Depolama Yöntemiyle Elde Edilen CdSe Filmlerinin Elektriksel Karakteristikleri

Kimyasal Depolama Yöntemiyle Elde Edilen CdSe Filmlerinin Elektriksel Karakteristikleri Kimyasal Depolama Yöntemiyle Elde Edilen CdSe Filmlerinin Elektriksel Karakteristikleri H. Metin, S. Erat * ME. Ü. Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Mersin, hmetin@mersin.edu.tr *ME. Ü. Fen-Edebiyat

Detaylı

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap) Diyot Çeºitleri Otomotiv Elektroniði-Diyot lar, Ders sorumlusu Yrd.Doç.Dr.Hilmi KUªÇU Diðer Diyotlar 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir

Detaylı

2. Işık Dalgalarında Kutuplanma:

2. Işık Dalgalarında Kutuplanma: KUTUPLANMA (POLARİZASYON). Giriş ve Temel ilgiler Işık, bir elektromanyetik dalgadır. Elektromanyetik dalgalar maddesel ortamlarda olduğu gibi boşlukta da yayılabilirler. Elektromanyetik dalgaların özellikleri

Detaylı

ZnO TABANLI YARIİLETKENLERDE METAL KONTAK ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI * Investigation of Metal Contact Properties at ZnO Based Semiconductors

ZnO TABANLI YARIİLETKENLERDE METAL KONTAK ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI * Investigation of Metal Contact Properties at ZnO Based Semiconductors ZnO TABANLI YARIİLETKENLERDE METAL KONTAK ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI * Investigation of Metal Contact Properties at ZnO Based Semiconductors Nihal TOZLU Fizik Anabilim Dalı Hamide KAVAK Fizik Anabilim

Detaylı

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ Sakarya Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü M6/6318 Bölümün tanıtılması Elektrik Elektronik Mühendisliğinin tanıtılması Mühendislik Etiği Birim Sistemleri Doğru ve

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Optik Sensörler Üzerine düşen ışığa bağlı olarak üstünden geçen akımı değiştiren elemanlara optik eleman denir. Optik transdüserler ışık miktarındaki değişmeleri elektriksel

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

GÜNE LLER GÜNE LLER Güne pilleri, üzerlerine gelen güne ının (foton) enerjisini elektrik enerjisine dönü

GÜNE LLER GÜNE LLER Güne pilleri, üzerlerine gelen güne ının (foton) enerjisini elektrik enerjisine dönü GÜNEŞ PİLLERİ GÜNEŞ PİLLERİ Güneş pilleri, üzerlerine gelen güneş ışığının (foton) enerjisini elektrik enerjisine dönüştüren fotovoltaik düzeneklerdir. Fotovoltaik, görünür ışınlara maruz kaldığında, voltaj

Detaylı

DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 4. BÖLÜM

DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 4. BÖLÜM DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 4. BÖLÜM OPTİK KAYNAKLAR Fiber Optik Haberleşme için Kullanılan Başlıca Işık Kaynakları: Lazer Diyot : Çok eklemli (heterojunction) biçimlendirilmiş

Detaylı

İÇİNDEKİLER 1: X-IŞINLARI

İÇİNDEKİLER 1: X-IŞINLARI İÇİNDEKİLER Bölüm 1: X-IŞINLARI 1.1. X-ışınlarının Özellikleri... 1 1.2. Elektromanyetik radyasyon... 2 1.3. Sürekli Spektrum... 5 1.4. Karakteristik Spektrum... 6 1.5. X-ışınlarının Oluşturulması... 9

Detaylı

GÜNEŞİN ELEKTROMANYETİK SPEKTRUMU

GÜNEŞİN ELEKTROMANYETİK SPEKTRUMU GÜNEŞİN ELEKTROMANYETİK SPEKTRUMU Güneş ışınımı değişik dalga boylarında yayılır. Yayılan bu dalga boylarının sıralı görünümü de güneş spektrumu olarak isimlendirilir. Tam olarak ifade edilecek olursa;

Detaylı

Işığın Modülasyonu. 2008 HSarı 1

Işığın Modülasyonu. 2008 HSarı 1 şığın Mdülasynu 008 HSarı 1 Ders İçeriği Temel Mdülasyn Kavramları LED şık Mdülatörler Elektr-Optik Mdülatörler Akust-Optik Mdülatörler Raman-Nath Tipi Mdülatörler Bragg Tipi Mdülatörler Magnet-Optik Mdülatörler

Detaylı

KAPLAMA TEKNİKLERİ DERS NOTLARI

KAPLAMA TEKNİKLERİ DERS NOTLARI KAPLAMA TEKNİKLERİ DERS NOTLARI CVD Kaplama Ortalama kapalı bir kap içinde ısıtılmış malzeme yüzeyinin buhar halindeki bir taşıyıcı gazın kimyasal reaksiyonu sonucu oluşan katı bir malzeme ile kaplanması

Detaylı

OPTİK HABERLEŞMEDE YARIİLETKEN TABANLI AYGIT TEKNOLOJİSİ

OPTİK HABERLEŞMEDE YARIİLETKEN TABANLI AYGIT TEKNOLOJİSİ OPTİK HABERLEŞMEDE YARIİLETKEN TABANLI AYGIT TEKNOLOJİSİ AYŞE EROL İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ FEN FAKÜLTESİ FİZİK BÖLÜMÜ ayseerol@istanbul.edu.tr V. Fizik Çalıştayı - 19 Şubat 2015 2 Nano- ve Optoelektronik

Detaylı

DENEY 3. Tek Yan Bant Modülasyonu

DENEY 3. Tek Yan Bant Modülasyonu DENEY 3 Tek Yan Bant Modülasyonu Tek Yan Bant (TYB) Modülasyonu En basit genlik modülasyonu, geniş taşıyıcılı çift yan bant genlik modülasyonudur. Her iki yan bant da bilgiyi içerdiğinden, tek yan bandı

Detaylı

DİKDÖRTGEN KESİTLİ YARIİLETKEN KUANTUM ÇUKURLU LAZERLERDE NORMALİZE YAYILMA SABİTİNİN HESAPLANMASI

DİKDÖRTGEN KESİTLİ YARIİLETKEN KUANTUM ÇUKURLU LAZERLERDE NORMALİZE YAYILMA SABİTİNİN HESAPLANMASI T.C. PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ DİKDÖRTGEN KESİTLİ YARIİLETKEN KUANTUM ÇUKURLU LAZERLERDE NORMALİZE YAYILMA SABİTİNİN HESAPLANMASI Özgür Önder KARAKILINÇ Yüksek Lisans Tezi DENİZLİ

Detaylı

DOKUZ EYLÜL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ DEKANLIĞI DERS/MODÜL/BLOK TANITIM FORMU. Dersin Kodu: MMM 4036

DOKUZ EYLÜL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ DEKANLIĞI DERS/MODÜL/BLOK TANITIM FORMU. Dersin Kodu: MMM 4036 Dersi Veren Birim: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Dersin Türkçe Adı: ELEKTRONİK MALZEMELERİ Dersin Orjinal Adı: ELEKTRONİK MALZEMELERİ Dersin Düzeyi:(Ön lisans, Lisans, Yüksek Lisans, Doktora) Lisans

Detaylı

Fotonik Kristallerin Fiziği ve Uygulamaları

Fotonik Kristallerin Fiziği ve Uygulamaları Fotonik Kristallerin Fiziği ve Uygulamaları Ekmel Özbay, İrfan Bulu, Hümeyra Çağlayan, Koray Aydın, Kaan Güven Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü Bilkent, 06800 Ankara ozbay@fen.bilkent.edu.tr, irfan@fen.bilkent.edu.tr,

Detaylı

MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu. 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar

MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu. 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için http://ocw.mit.edu/terms ve http://tuba.acikders.org.tr

Detaylı

MMM291 MALZEME BİLİMİ

MMM291 MALZEME BİLİMİ MMM291 MALZEME BİLİMİ Ofis Saatleri: Perşembe 14:00 16:00 ayse.kalemtas@btu.edu.tr, akalemtas@gmail.com Bursa Teknik Üniversitesi, Doğa Bilimleri, Mimarlık ve Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme

Detaylı

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre

Detaylı

CALLİSTER - SERAMİKLER

CALLİSTER - SERAMİKLER CALLİSTER - SERAMİKLER Atomik bağı ağırlıklı olarak iyonik olan seramik malzemeler için, kristal yapılarının atomların yerine elektrikle yüklü iyonlardan oluştuğu düşünülebilir. Metal iyonları veya katyonlar

Detaylı

Azot kırmızımsı sarı renk, karbon yapay gün ışığı rengi sağlar.2000 V mertebesinde çalıştırılırlar. Elektronları 1-3 lm/w arasındadır.

Azot kırmızımsı sarı renk, karbon yapay gün ışığı rengi sağlar.2000 V mertebesinde çalıştırılırlar. Elektronları 1-3 lm/w arasındadır. A)Soğuk Elektrotlu Deşarj Lambaları,Işık Tüpleri Y.G de pozitif plazma üretim prensibiyle çalışırlar. İki çeşidi vardır. 1)Azotlu ve Karbondioksitli Işık Tüpleri (Moore Işık Tüpleri) Azot kırmızımsı sarı

Detaylı

T.C. SELÇUK ÜNĠVERSĠTESĠ FEN BĠLĠMLERĠ ENSTĠTÜSÜ

T.C. SELÇUK ÜNĠVERSĠTESĠ FEN BĠLĠMLERĠ ENSTĠTÜSÜ T.C. SELÇUK ÜNĠVERSĠTESĠ FEN BĠLĠMLERĠ ENSTĠTÜSÜ ÇOK TABAKALI BĠR YARIĠLETKEN KUANTUM NOKTASINDAKĠ DONOR SAFSIZLIĞININ OPTĠK ÖZELLĠKLERĠ HATĠCE TAġ YÜKSEK LĠSANS TEZĠ FĠZĠK ANABĠLĠM DALI ġubat-2011 KONYA

Detaylı

SPEKTROSKOPİ. Spektroskopi ile İlgili Terimler

SPEKTROSKOPİ. Spektroskopi ile İlgili Terimler SPEKTROSKOPİ Spektroskopi ile İlgili Terimler Bir örnekteki atom, molekül veya iyonlardaki elektronların bir enerji düzeyinden diğerine geçişleri sırasında absorplanan veya yayılan elektromanyetik ışımanın,

Detaylı

Bugün için Okuma: Bölüm 1.5 (3. Baskıda 1.3), Bölüm 1.6 (3. Baskıda 1.4 )

Bugün için Okuma: Bölüm 1.5 (3. Baskıda 1.3), Bölüm 1.6 (3. Baskıda 1.4 ) 5.111 Ders Özeti #4 Bugün için Okuma: Bölüm 1.5 (3. Baskıda 1.3), Bölüm 1.6 (3. Baskıda 1.4 ) Ders #5 için Okuma: Bölüm 1.3 (3. Baskıda 1.6 ) Atomik Spektrumlar, Bölüm 1.7 de eģitlik 9b ye kadar (3. Baskıda

Detaylı

PRATİKTE AYDINLATMA KAVRAMLARI VE TERİMLERİ

PRATİKTE AYDINLATMA KAVRAMLARI VE TERİMLERİ İSO ATMK - AGİD Sektör Toplantısı PRATİKTE AYDINLATMA KAVRAMLARI VE TERİMLERİ A.Kamuran TÜRKOĞLU, Kevork BENLİOĞLU, Tuba BASKAN 23.06.2011 1 İÇERİK 1. Işık Şiddeti - Kandela 2. Işık Akısı - Lümen 3. Aydınlık

Detaylı

MALZEME BİLGİSİ DERS 2 DR. FATİH AY. www.fatihay.net fatihay@fatihay.net

MALZEME BİLGİSİ DERS 2 DR. FATİH AY. www.fatihay.net fatihay@fatihay.net MALZEME BİLGİSİ DERS 2 DR. FATİH AY www.fatihay.net fatihay@fatihay.net DERSİN AMACI: Malzeme Biliminde temel kavramları tanıtmak ÖĞRENECEKLERİNİZ: Malzeme yapısı Yapının özelliklere olan etkisi Malzemenin

Detaylı

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ

MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ MİNYATÜR ISIL İŞLEM ÜNİTESİ Prof. Dr. Hasan EFEOĞLU Mühendislik Fakültesi E&E Mühendisliği Bölümü hefeoglu@atauni.edu.tr Forum, CeBIT 09-Eylül-2005, İstanbul Yarıiletken Teknolojisi Günlük hayatımızın

Detaylı

ZnS Nanoparçacıklar İçeren Langmuir-Blodgett İnce Filmlerin Elektriksel Özellikleri

ZnS Nanoparçacıklar İçeren Langmuir-Blodgett İnce Filmlerin Elektriksel Özellikleri S Ü Fen Ed Fak Fen Derg Sayı 28 (2006) 65-72, KONYA ZnS Nanoparçacıklar İçeren Langmuir-Blodgett İnce Filmlerin Elektriksel Özellikleri Tayfun UZUNOĞLU 1, Hüseyin SARI, Rıfat ÇAPAN*, Çelik TARIMCI, Tülay

Detaylı

METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010

METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010 METALİK MALZEMELERİN GENEL KARAKTERİSTİKLERİ BAHAR 2010 WEBSİTE www2.aku.edu.tr/~hitit Dersler İÇERİK Metalik Malzemelerin Genel Karakteristiklerİ Denge diyagramları Ergitme ve döküm Dökme demir ve çelikler

Detaylı

PERİYODİK CETVEL. Yanıt : D. www.kimyahocam.com. 3 Li : 1s2 2s 1 2. periyot 1A grubu. 16 S : 1s2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 4 3.

PERİYODİK CETVEL. Yanıt : D. www.kimyahocam.com. 3 Li : 1s2 2s 1 2. periyot 1A grubu. 16 S : 1s2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 4 3. PERİODİK CETVEL Periyodik cetvel, elementlerin atom numaraları temel alınarak düzenlenmiş bir sistemdir. Periyodik cetvelde, nötr atomlarının elektron içeren temel enerji düzeyi sayısı aynı olan elementler

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ VE ÖZELLİKLERİ Batur BEKİROĞLU Dr. Vatan TUĞAL Marmara Üniversitesi Teknik Eğitim Fakültesi Elektrik Eğitimi Bölümü Göztepe, İstanbul

GÜNEŞ PİLLERİ VE ÖZELLİKLERİ Batur BEKİROĞLU Dr. Vatan TUĞAL Marmara Üniversitesi Teknik Eğitim Fakültesi Elektrik Eğitimi Bölümü Göztepe, İstanbul Özet: Bu çalışmada güneş ışığının güneş pilleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Ayrıca güneş pillerinde temel yapıtaşlarını oluşturan kısa-devre akımı ( ), açık-devre gerilimi ( ) ve dolum faktörü (FF)

Detaylı

Katkılı Tabakalar Arasındaki Uzaklığa Bağlı Olarak Çift

Katkılı Tabakalar Arasındaki Uzaklığa Bağlı Olarak Çift C.Ü. Fen-Eebiyat Fakültesi Fen Bilimleri Dergisi (2004)Cilt 25 Sayı 2 Katkılı Tabakalar Arasınaki Uzaklığa Bağlı Olarak Çift Si δ - Katkılı GaAs Yapısı Emine Öztürk Cumhuriyet Üniversitesi Fen Eebiyat

Detaylı

PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ. CuGaTe 2 İNCE FİLMLERİNİN YAPISAL ELEKTRİKSEL VE OPTİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ. CuGaTe 2 İNCE FİLMLERİNİN YAPISAL ELEKTRİKSEL VE OPTİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ CuGaTe 2 İNCE FİLMLERİNİN YAPISAL ELEKTRİKSEL VE OPTİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ YÜKSEK LİSANS TEZİ Yunus KAMAÇ Anabilim Dalı : Fizik Tez Danışmanı: Doç.

Detaylı

Manyetik Alan. Manyetik Akı. Manyetik Akı Yoğunluğu. Ferromanyetik Malzemeler. B-H eğrileri (Hysteresis)

Manyetik Alan. Manyetik Akı. Manyetik Akı Yoğunluğu. Ferromanyetik Malzemeler. B-H eğrileri (Hysteresis) Manyetik Alan Manyetik Akı Manyetik Akı Yoğunluğu Ferromanyetik Malzemeler B-H eğrileri (Hysteresis) Kaynak: SERWAY Bölüm 29 http://mmfdergi.ogu.edu.tr/mmfdrg/2006-1/3.pdf Manyetik Alan Manyetik Alan

Detaylı

KOROZYONUN ÖNEMİ. Korozyon, özellikle metallerde büyük ekonomik kayıplara sebep olur.

KOROZYONUN ÖNEMİ. Korozyon, özellikle metallerde büyük ekonomik kayıplara sebep olur. KOROZYON KOROZYON VE KORUNMA KOROZYON NEDİR? Metallerin bulundukları ortam ile yaptıkları kimyasal veya elektrokimyasal reaksiyonları sonucu meydana gelen malzeme bozunumuna veya hasarına korozyon adı

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ. Elektrik Y.Müh. Ahmet Bozkurt Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi 1.GİRİŞ

GÜNEŞ PİLLERİ. Elektrik Y.Müh. Ahmet Bozkurt Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi 1.GİRİŞ GÜNEŞ PİLLERİ Elektrik Y.Müh. Ahmet Bozkurt Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi 1.GİRİŞ İnsanoğlunun yüzyıllardır bilgi birikimi yaptığı, diğerlerine göre sınırlı olanaklar içinde teknolojik-bilimsel

Detaylı

Şekil 1.1. Hidrojen atomu

Şekil 1.1. Hidrojen atomu ANALOG ELEKTRONİK ANALOG ELEKTRONİK... i A. KISA ATOM BİLGİSİ...1 Giriş...1 Yörünge ve Kabuk...1 Enerji Bantları...2 İletken, Yarı İletken ve Yalıtkanlar...4 Kovalent Bağ...5 Saf Yarı İletken Malzemenin

Detaylı

Bünyamin Şahin ve Sedat Ağan

Bünyamin Şahin ve Sedat Ağan International Journal of Engineering Research and Development, Vol.2, No.2, June 2010 43 PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM),Raman

Detaylı

ELEMENT VE BİLEŞİKLER

ELEMENT VE BİLEŞİKLER ELEMENT VE BİLEŞİKLER 1- Elementler ve Elementlerin Özellikleri: a) Elementler: Aynı cins atomlardan oluşan, fiziksel ya da kimyasal yollarla kendinden daha basit ve farklı maddelere ayrılamayan saf maddelere

Detaylı

AMORF SİLİKON P-İ-N GÜNEŞ PİLLERİ VE KALKAJONİD CAMLARDA FOTOTAŞIYICI ÖMÜR SÜRESİ ÖLÇÜMÜ

AMORF SİLİKON P-İ-N GÜNEŞ PİLLERİ VE KALKAJONİD CAMLARDA FOTOTAŞIYICI ÖMÜR SÜRESİ ÖLÇÜMÜ AMORF SİLİKON P-İ-N GÜNEŞ PİLLERİ VE KALKAJONİD CAMLARDA FOTOTAŞIYICI ÖMÜR SÜRESİ ÖLÇÜMÜ Ruhi KAPLAN Mersin Üniversitesi Eğitim Fakültesi Fen ve Matematik Alanlar Eğitimi Bölümü Yenişehir Kampüsü, 33169

Detaylı

MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu. 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar

MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu. 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar MIT Açık Ders Malzemeleri http://ocw.mit.edu 5.62 Fizikokimya II 2008 Bahar Bu materyallerden alıntı yapmak veya Kullanım Şartları hakkında bilgi almak için http://ocw.mit.edu/terms ve http://tuba.acikders.org.tr

Detaylı

3. Merkez atomu orbitallerinin hibritleşmesi

3. Merkez atomu orbitallerinin hibritleşmesi 3. Merkez atomu orbitallerinin hibritleşmesi Bir atomun yapa bileceği kovalent bağ sayısı taşıdığı ya da az bir enerjiyle taşıyabileceği (hibritleşme) yarı dolu orbital sayısına eşittir. Farklı enerji

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

YARIİLETKEN LAZERLERİN OPTİK VERİMİNİN FERMI-DIRAC YAKLAŞIMI YÖNTEMİ İLE İNCELENMESİ. Emre EREN

YARIİLETKEN LAZERLERİN OPTİK VERİMİNİN FERMI-DIRAC YAKLAŞIMI YÖNTEMİ İLE İNCELENMESİ. Emre EREN YARIİLETKEN LAZERLERİN OPTİK VERİMİNİN FERMI-DIRAC YAKLAŞIMI YÖNTEMİ İLE İNCELENMESİ Emre EREN Yüksek Lisans Tezi Fizik Anabilim Dalı Prof. Dr. İskender ASKEROĞLU 2012 Her Hakkı Saklıdır 1 GAZİOSMANPAŞA

Detaylı

NANO TEKNOLOJİ İLE YAPILMIŞ LED Lİ AMPÜLLER. Coşkun İŞÇİ *

NANO TEKNOLOJİ İLE YAPILMIŞ LED Lİ AMPÜLLER. Coşkun İŞÇİ * 687 NANO TEKNOLOJİ İLE YAPILMIŞ LED Lİ AMPÜLLER Coşkun İŞÇİ * ÖZET Nano teknolojinin birçok alanda yaygın olarak kullanıldığı bilinmektedir. Bu makalede, Bilkent Üniversitesinde, nano teknoloji ile üretilen

Detaylı

Atom Y Atom ap Y ısı

Atom Y Atom ap Y ısı Giriş Yarıiletken Malzemeler ve Özellikleri Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Atom Yapısı Maddenin en küçük parçası olan atom, merkezinde bir çekirdek ve etrafında dönen elektronlardan oluşur. Çekirdeği oluşturan

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

20.03.2012. İlk elektronik mikroskobu Almanya da 1931 yılında Max Knoll ve Ernst Ruska tarafından icat edilmiştir.

20.03.2012. İlk elektronik mikroskobu Almanya da 1931 yılında Max Knoll ve Ernst Ruska tarafından icat edilmiştir. SERKAN TURHAN 06102040 ABDURRAHMAN ÖZCAN 06102038 1878 Abbe Işık şiddetinin sınırını buldu. 1923 De Broglie elektronların dalga davranışına sahip olduğunu gösterdi. 1926 Busch elektronların magnetik alanda

Detaylı

AKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER

AKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER YARI İLETKENLER Doğada bulunan atamlar elektriği iletip-iletmeme durumuna görene iletken, yalıtkan ve yarı iletken olarak 3 e ayrılırlar. İletken maddelere örnek olarak demir, bakır, altın yalıtkan maddeler

Detaylı

ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ *

ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ * ATMALI FİLTRELİ KATODİK VAKUM ARK DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ÇİNKO NİTRÜR (Zn 3 N 2 ) ÜRETİMİ VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ * Production and Optical Properties of Zinc Nitride (Zn 3 N 2 ) By Pulsed Filtered Cathodic

Detaylı

Malzeme Bilimi ve Mühendisliği. h$p://www.mse.cankaya.edu.tr

Malzeme Bilimi ve Mühendisliği. h$p://www.mse.cankaya.edu.tr Malzeme Bilimi ve Mühendisliği 1 h$p://www.mse.cankaya.edu.tr Malzeme Bakır Çağı (M.Ö. 5000-3000) Tunç Çağı (M. Ö. 3000-1000) Demir Çağı (M.Ö. 1190-330 ) 2 Malzeme Günümüzde birçok malzeme çeşidi bulunmaktadır.

Detaylı

Enerji Verimliliği ve İndüksiyon Ocaklarının Değerlendirilmesi. Yrd. Doç. Dr. Halil Murat Ünver Kırıkkale Üniversitesi

Enerji Verimliliği ve İndüksiyon Ocaklarının Değerlendirilmesi. Yrd. Doç. Dr. Halil Murat Ünver Kırıkkale Üniversitesi Enerji Verimliliği ve İndüksiyon Ocaklarının Değerlendirilmesi Yrd. Doç. Dr. Halil Murat Ünver Kırıkkale Üniversitesi Giriş İndüksiyonla Isıtma Prensipleri Bilindiği üzere, iletken malzemenin değişken

Detaylı

DA DEVRE. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI

DA DEVRE. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI DA DEVRE Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı ANALIZI BÖLÜM 1 Temel Kavramlar Temel Konular Akım, Gerilim ve Yük Direnç Ohm Yasası, Güç ve Enerji Dirençsel Devreler Devre Çözümleme ve Kuramlar

Detaylı

AMORF SİLİKON GÜNEŞ PİLLERİNDE FOTOTAŞIYICI REKOMBİNASYON KİNETİĞİ

AMORF SİLİKON GÜNEŞ PİLLERİNDE FOTOTAŞIYICI REKOMBİNASYON KİNETİĞİ AMORF SİLİKON GÜNEŞ PİLLERİNDE FOTOTAŞIYICI REKOMBİNASYON KİNETİĞİ ALKAN ALKAYA MERSİN ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ANA BİLİM DALI YÜKSEK LİSANS TEZİ MERSİN TEMMUZ

Detaylı

HACİMSEL FOTOVOLTAİK OLAY

HACİMSEL FOTOVOLTAİK OLAY YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ FEN-EDEBİYAT FAKÜLTESİ FİZİK BÖLÜMÜ BİTİRME TEZİ HACİMSEL FOTOVOLTAİK OLAY Tuğçe SOYŞEN 04022011 Tez Danışmanı: Yrd. Doç. Dr. Rıza DEMİRBİLEK HAZİRAN 2008 İÇİNDEKİLER TEŞEKKÜR

Detaylı

FOTOVOLTAİK SEKTÖRÜ TEDARİK ZİNCİRİ BAKIŞI. Dr. Baha Kuban - CleanGlobe

FOTOVOLTAİK SEKTÖRÜ TEDARİK ZİNCİRİ BAKIŞI. Dr. Baha Kuban - CleanGlobe FOTOVOLTAİK SEKTÖRÜ TEDARİK ZİNCİRİ BAKIŞI Dr. Baha Kuban - CleanGlobe SOLAR TR ODTÜ Ankara Nisan 2010 SEKTÖR GELİŞİM DÖNEMLEMESİ - 2003 2003-2008 2008-2012 2012-2020 2020- Arge ve Teknoloji Geliştirme

Detaylı

Kasetin arka yüzeyi filmin yerleştirildiği kapaktır. Bu kapakların farklı farklı kapanma mekanizmaları vardır. Bu taraf ön yüzeyin tersine atom

Kasetin arka yüzeyi filmin yerleştirildiği kapaktır. Bu kapakların farklı farklı kapanma mekanizmaları vardır. Bu taraf ön yüzeyin tersine atom KASET Röntgen filmi kasetleri; radyografi işlemi sırasında filmin ışık almasını önleyen ve ranforsatör-film temasını sağlayan metal kutulardır. Özel kilitli kapakları vardır. Kasetin röntgen tüpüne bakan

Detaylı