Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar"

Transkript

1 Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar DENEY 1-1 Lojik Kapı Devreleri DENEYİN AMACI 1. Çeşitli lojik kapıların çalışma prensiplerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların girişi ve çıkış gerilimlerini ölçmek. GENEL BİLGİLER Lojik kapılar, iki tip eleman kullanılarak gerçekleştirilir: "İki Kutuplu" ve "Metal Oksit Yarıiletken (MOS)" elemanlar. Transistör-Transistör Lojik (TTL) Benzersiz karakteristiği ile TTL: İki farklı durumda da (1 ve 0), çıkış empedansı oldukça düşüktür. TTL 7400 VE DEĞİL kapısının devre diyagramı, Şekil 1-1-1'de gösterilmiştir. Şekil TTL 7400 VE DEĞİL kapısı 1-1

2 Standart bir TTL için alçak ve yüksek seviye giriş gerilimleri, sırasıyla 0.8V ve 2V ile sınırlandırılmıştır. Bir giriş 0.8V iken, Q2 transistörünün bazında 0.1V luk bir gerilim vardır. Böylece Q4 kesimde (off), Q3 iletimde (on) olur ve çıkış yüksek seviyededir. Giriş gerilimi 2V iken, Q2 nin bazında 1.4V'luk gerilim olur. Böylece Q2 iletimde (on), Q3 kesimde (off) olur ve çıkış yüksek seviyededir. Standart TTL devresi, jonksiyon kapasitansının etkisinden dolayı çok hızlı değildir. Transistörün baz ve kollektörü arasına Schottky Diyot eklenerek, TTL devrelerinin hızı oldukça artırılabilir. Schottky diyot yaklaşık olarak 0.2V luk bir öngerilime sahip olduğu için, transistörün doyma gerilimini ve kesime gitme süresini arttırır. Schottky diyotu eklenmiş TTL devreleri, "Yüksek Hızlı TTL" olarak adlandırılır ve model numarasındaki "H" harfi ile belirtilir (74HXX). Schottky diyot eklenmiş düşük güçlü TTL ler de, LS harfleriyle belirtilir (74LSXX). Şekil Schottky transistör Schottky transistör, Şekil 1-1-2'de gösterilmiştir. Doyumdayken, kollektör ve emetör arasındaki gerilim düşümü yaklaşık 0.5V dur, doyum çok yoğun olmaz ve çalışma hızı artırılmış olur. Tek kutuplu MOS elemanlar: (1) PMOS (2) NMOS (3) CMOS NMOS ile yapılmış bir değilleyici, Şekil 1-1-3'te gösterilmiştir. 1-2

3 Şekil NMOS değilleyici Şekil 1-1-3'te, Q2 yük direnci ve Q1 yükselteç olarak kullanılmıştır. MOSFET in giriş empedansı çok yüksek olduğu için (sonsuza yakın), çıkış akımı neredeyse sıfır yada sadece birkaç +μa kadardır. Bu yüzden MOS, aynı tip yükleri sürmede çok yeteneklidir ve çok yüksek çıkış yük sayısına (fanout) sahiptir. CMOS yada "Tümleyen Metal Oksit Yarıiletken", P ve N kanallı MOSFET lerden elde edilir. Tipik bir CMOS Şekil te gösterilmiştir. Şekil CMOS değilleyici Şekil teki devrede, A= 1 iken, Q2 iletimde ve Q1 kesimde olduğu için çıkış F= 0 olur. A= 0 iken, tam ters olarak, Q2 kesimde, Q1 iletimdedir ve F= 1 olur. Bu devre, sırasıyla 1 ve 0 dan sorumlu Q1 ve Q2 MOSFET lerinden oluşan bir DEĞİL kapısıdır. Çıkış kapasitesi önemli ölçüde arttırılmıştır. Tamponlu CMOS lar, model numarasının sonundaki "B" harfi ile belirtilir. "UB" harfleri ise tamponsuz bir CMOS u belirtmektedir. Şekil te, tamponlu ve tamponsuz CMOS sembolleri gösterilmiştir. 1-3

4 MB84000B Serisi Diğerleri (a) Giriş/çıkış Tamponlu (b) Tamponsuz (c) Çıkış Tamponlu Şekil Tamponlu ve tamponsuz IC kapılar KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL Temel Elektrik Devreleri Deney Düzeneği 2. KL Kombinasyonel Lojik Devre Deney Modülü (1) 3. Multimetre 4. DC Güç Kaynağı (0/ +15V) DENEYİN YAPILIŞI A. TTL Devresi 1. Şekil 1-1-6'daki bağlantı diyagramı yardımıyla gerekli bağlantıları yapın. U1, standart seri 7400 VE DEĞİL kapısı ve U2, LS serisi 74LS02 VEYA DEĞİL kapısıdır VDC sabit güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. 1-4

5 Şekil Bağlantı diyagramı (KL blok c) 3. İlave DC güç kaynağının çıkışını, A1 girişine bağlayın. A1 için giriş gerilimini, 0V~5V arasında sınırlandırın. Tablo 1-1-1'deki giriş dizilerini takip edin, F1 çıkışını ölçün ve kaydedin. A1 F1 A1 F1 A1 F1 A1 F1 A1 F1 0V 1.5V 2.5V 3.5V 4.5V 0.6V 1.6V 2.6V 3.6V 4.6V 0.7V 1.7V 2.7V 3.7V 4.7V 0.8V 1.8V 2.8V 3.8V 4.8V 0.9V 1.9V 2.9V 3.9V 4.9V 1V 2V 3V 4V 5V 1.1V 2.1V 3.1V 4.1V 1.2V 2.2V 3.2V 4.2V 1.3V 2.3V 3.3V 4.3V 1.4V 2.4V 3.4V 4.4V Tablo İlave DC güç kaynağının çıkışını, A3 girişine bağlayın. A3 için giriş gerilimini, 0V~5V arasında sınırlandırın. Tablo 1-1-2'deki giriş dizilerini takip edin, F2 çıkışını ölçün ve kaydedin. 1-5

6 A3 F2 A3 F2 A3 F2 A3 F2 1V 2V 3V 4V 1.1V 2.1V 3.1V 4.1V 1.2V 2.2V 3.2V 4.2V 1.3V 2.3V 3.3V 4.3V 1.4V 2.4V 3.4V 4.4V 1.5V 2.5V 3.5V 4.5V 1.6V 2.6V 3.6V 4.6V 1.7V 2.7V 3.7V 4.7V 1.8V 2.8V 3.8V 4.8V 1.9V 2.9V 3.9V 4.9V 2V 3V 4V 5V Tablo B. CMOS Devresi 1. Şekil 1-1-7'deki bağlantı diyagramı yardımıyla gerekli bağlantıları yapın. U5, standart seri CMOS CD4011 dir. +12VDC sabit güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. Şekil Bağlantı diyagramı (KL blok d) 1-6

7 2. İlave DC güç kaynağının çıkışını, A5 girişine bağlayın. A5 için giriş gerilimini, 0V dan başlayarak, 0.5V'luk aralıklarla artırın. Tablo teki her giriş gerilimine karşılık gelen Y1 çıkış gerilimini ölçün ve kaydedin. A5 Y1 A5 Y1 A5 Y1 A5 Y1 0V 3.5V 7V 10.5V 0.5V 4V 7.5V 11V 1V 4.5V 8V 11.5V 1.5V 5V 8.5V 12V 2V 5.5V 9V 2.5V 6V 9.5V 3V 6.5V 10V Tablo U6, 74HC02 yüksek hızlı CMOS kapısıdır. 4. İlave DC güç kaynağının çıkışını, A8 girişine bağlayın. A8 için giriş gerilimini, 0V dan başlayarak, 0.5V'luk aralıklarla artırın. Tablo teki her giriş gerilimine karşılık gelen Y2 çıkış gerilimini ölçün ve kaydedin. A8 Y2 A8 Y2 A8 Y2 A8 Y2 0V 3.5V 7V 10.5V 0.5V 4V 7.5V 11V 1V 4.5V 8V 11.5V 1.5V 5V 8.5V 12V 2V 5.5V 9V 2.5V 6V 9.5V 3V 6.5V 10V Tablo

8 DENEY 1-2 Eşik Gerilimi Ölçümü DENEYİN AMACI 1. şdeğer giriş/çıkış gerilimleri arasındaki ilişkiyi anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların eşik gerilimlerini ölçmek. GENEL BİLGİLER Eşik gerilimi yada V T, giriş ve çıkış gerilimlerinin eşit olduğu durumdaki gerilimdir. Giriş gerilimi, V T den büyük veya çıkış gerilimi, V T den küçük ise devre durum değiştirecektir. V T değeri, lojik kapının türüne bağlı olarak değişir. Bu deneyde, standart ve LS serisi TTL kapılar ile standart ve HC serisi CMOS kapılarda ölçümler yapılacaktır. KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL Temel Elektrik Devresi Laboratuarı 2. KL Kombinasyonel Lojik Devre Deney Modülü (1) 3. Multimet DENEYİN YAPILIŞI A. TTL şik Geriliminin Ölçülmesi 1. Şekil 1-2-1'deki bağlantı diyagramı yardımıyla gerekli bağlantıları yapın. +5VDC sabit güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. 1-8

9 2. A1 ve F1 uçlarındaki gerilimleri ölçün. U1, standart seri 7400 VE DEĞİL kapısıdır. U1 için eşik gerilimi V T = V 3. A3 ve F2 uçlarındaki gerilimleri ölçün. U2, LS serisi 74LS02 VEYA DEĞİL kapısıdır. U2 için eşik gerilimi: V T = V Şekil Bağlantı diyagramı (KL blok c) B. CMOS Eşik Geriliminin Ölçülmesi 1. Şekil 1-2-2'deki bağlantı diyagramı yardımıyla gerekli bağlantıları yapın. +12VDC sabit güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. 2. A5 ve Y1 uçlarındaki gerilimleri ölçün. U5, standart seri CMOS CD4011 dir. U5 için eşik gerilimi: V T = V 3. A7 ve Y2 uçlarındaki gerilimleri ölçün. U6, 74HC02 yüksek hızlı CMOS kapısıdır. U6 için eşik gerilimi: V T = V 1-9

10 Şekil Bağlantı diyagramı (KL blok d) 1-10

11 DENEY 1-3 Gerilim/Akım Ölçümü DENEYİN AMACI 1. TTL ve CMOS kapıların gerilim ve akım karakteristiklerini anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların gerilim ve akım değerlerini ölçmek. GENEL BİLGİLER TTL kapıların V IL 0.8V, V OL 0.4V, V IH 2V, V OH 2.4V anma gerilim değerleri kullanılarak I IH, I IL, IOH ve I OL anma akım değerleri belirlenebilir. Anma gerilim değerleri çıkış lojik seviyesinin doğruluğunu etkilerken, akım değerleri ise kapıların harici yükleri sürme kapasitesini etkiler. Bu deneyde, çeşitli lojik kapıların gerilim ve akım değerleri ölçülecek ve karşılaştırılacaktır. Daha yüksek doğruluk elde etmek için, gerilim ve akım değerlerini ölçerken mümkün olduğu kadar çok ondalık basamak kaydedin. KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL Temel Elektrik Devreleri Deney Düzeneği 2. KL Kombinasyonel Lojik Devre Deney Modülü (1) 3. Multimetre 1-11

12 DENEYİN YAPILIŞI A. TTL I/O Gerilim ve Akımının Ölçülmesi 1. Şekil 1-3-1'deki bağlantı diyagramı ve Şekil 1-3-2'deki devre yardımıyla gerekli bağlantıları yapın. Şekil Bağlantı diyagramı (KL blok c) Şekil TTL gerilim ve akım ölçüm devresi (standart seri) 2. +5VDC sabit güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. U1'in giriş gerilimini ölçün ve V IL =0.8V olacak şekilde R12'yi ayarlayın. R9'un uçlarındaki gerilimi ölçün ve kaydedin, V I = V. I IL akımını hesaplayın I IL =V I /100= ma. U1'in çıkış gerilimini ölçün ve maksimum V OH = V ve minimum V OH = V değerlerini bulmak için R14'ü ayarlayın. 1-12

13 3. V OH =2.4V olacak şekilde R14'ü ayarlayın ve R14 ile toprak arasındaki klipsin yerine ampermetre bağlayın. I OH değerini ölçün ve kaydedin. I OH = ma. 4. R9-R11 ve F1-R13 arasındaki klipsleri çıkartıp, R8-R11 ve F2-R13 arasına yerleştirin. U2'nin (LS serisi) gerilim ve akım karakteristiklerini ölçün. Şekil TTL gerilim ve akım ölçüm devresi (LS serisi) 5. U2'nin giriş gerilimini ölçün ve V IL =0.8V olacak şekilde R12'yi ayarlayın. R8'in uçlarındaki gerilimi ölçün ve kaydedin, V I = V. I IL akımını hesaplayın I IL =V I /100= ma. U2'nin çıkış gerilimini ölçün ve maksimum V OH = V ve minimum V OH = V değerlerini bulmak için R14'ü ayarlayın. 6. V OH =2.4V olacak şekilde R14'ü ayarlayın ve R14 ile toprak arasındaki klipsin yerine ampermetre bağlayın. I OH değerini ölçün ve kaydedin. I OH = ma. 7. Şekil 1-3-4'teki bağlantı diyagramı ve Şekil 1-3-5'teki devre yardımıyla gerekli bağlantıları yapın. V IH =2 olacak şekilde R12'yi ayarlayın. R9'un uçlarındaki gerilimi ölçün, V I = V. I IH akımını hesaplayın I IH =V I /100= ma. 8. U1'in çıkış gerilimini ölçün ve maksimum V OL = V ve minimum V OL = V değerlerini bulmak için R14'ü ayarlayın. 9. V OL =0.4V olacak şekilde R14'ü ayarlayın ve R14 ile +5V arasındaki klipsin yerine ampermetre bağlayın. I OL değerini ölçün ve kaydedin. I OL = ma. 1-13

14 Şekil Bağlantı diyagramı (KL blok c) Şekil TTL gerilim ve akım ölçüm devresi (standart seri) 10. R9-R10 ve F1-R13 arasındaki klipsleri kaldırıp, R8-R10 ve F2-R13 arasına yerleştirin. 11. V IH =2V olacak şekilde R12'yi ayarlayın. R8'in uçlarındaki gerilimi ölçün, V I = V. I IH akımını hesaplayın I IH =V I /100= ma. 1-14

15 Şekil TTL gerilim ve akım ölçüm devresi (LS seri) 12. U2'nin çıkış gerilimini ölçün ve maksimum V OL = V ve minimum V OL = V değerlerini bulmak için R14'ü ayarlayın. 13. V OL =0.4V olacak şekilde R14'ü ayarlayın ve R14 ile +5V arasındaki klipsin yerine ampermetre bağlayın. I OL değerini ölçün ve kaydedin. I OL = ma. B. CMOS Gerilim ve Akımının Ölçülmesi 1. Şekil 1-3-7'deki bağlantı diyagramı ($ işaretli klips hariç) ve Şekil 1-3-8'deki devre yardımıyla gerekli bağlantıları yapın. 2. KL Düzeneğindeki +12VDC sabit güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. V+ yı, +12V'a bağlayın. 3. V IL gerilimi 3.6V olacak şekilde R19'u ayarlayın. R16'nın uçlarındaki gerilimi ölçün, V I = V. I IL akımını hesaplayın I IL =V I /100= ma. 4. Y1 ucundaki gerilimi ölçün ve maksimum V OH = V ve minimum V OH = V değerlerini bulmak için R21'i ayarlayın. 5. V OH gerilimi 10.8V olacak şekilde R21'i ayarlayın ve # işaretli klipsin yerine ampermetre bağlayın. I OH değerini ölçün ve kaydedin I OH = ma. 1-15

16 6. V IH gerilimi 8.4V olacak şekilde R19'u ayarlayın. # işaretli klipsi çıkartın ve $ işaretli klipsi yerleştirin. R16'nın uçlarındaki gerilimi ölçün, V I = V. I IH akımını hesaplayın I IH =V I /100= ma. 7. Y1 ucundaki gerilimi ölçün ve maksimum V OL = V ve minimum V OL = V değerlerini bulmak için R21'i ayarlayın. 8. V OL gerilimi 1.2V olacak şekilde R21'i ayarlayın. $ işaretli klipsin yerine ampermetre bağlayın. I OL değerini ölçün ve kaydedin. I OL = ma. Şekil Bağlantı diyagramı (KL blok d) Şekil CMOS gerilim ve akım ölçüm devresi 1-16

17 DENEY 1-4 Temel Lojik Kapıların Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER Temel lojik kapıların giriş ve çıkış karakteristikleri aşağıda tanımlanmıştır: V OH = Yüksek seviye çıkış gerilimi V OL = Düşük seviye çıkış gerilimi V IH = Yüksek seviye giriş gerilimi V IL = Düşük seviye giriş gerilimi I OH = Yüksek seviye çıkış akımı I OL = Düşük seviye çıkış akımı I IH = Yüksek seviye giriş akımı I IL = Düşük seviye giriş akımı TTL kapıların karakteristikleri, CMOS kapılarınkilerden farklıdır. Aynı şekilde, kapılara bağlanan yük ve akım sınırlama dirençleri de farklıdır. Örneğin bir VE kapısı ve bir VEYA kapısı durumunda: 1. TTL ve CMOS Kapıların YÜKSEK ve ALÇAK Girişleri CMOS kapıların girişi 10KΩ'luk bir dirence bağlanırken, TTL girişleri, 1KΩ'luk dirence bağlanır. TTL kapıların "ALÇAK" girişi CMOS kapıların "ALÇAK" girişi LS serisi TTL kapılar için direnç değeri yaklaşık olarak 5KΩ dur. Eğer bir TTL VEYA kapısının X girişi topraklanırsa, genişleme kontrolünü imkansız yapacak şekilde, F çıkışı A girişine eşit olur (F=A). 1-17

18 Eğer direnç topraklanmışsa ve X girişinde sinyal yoksa, bu durum X in topraklanmasına eşdeğerdir ve F=A dır. Gerekirse, F=A+X olacak şekilde, X girişine bir sinyal eklenebilir. Çıkış, X tarafından kontrol edilebilir. 2. VE Kapısı TTL VE kapıları, açıkken (girişine sinyal bağlı değil) yada besleme gerilimine bir direnç bağlıyken, yüksek durumdadır. CMOS VE kapıları, besleme gerilimine en az 10KΩ luk bir direnç bağlıyken yüksek durumdadır. TTL kapıların "YÜKSEK" girişi CMOS kapıların "YÜKSEK" girişi "Doğruluk Tablosu", bir lojik kapının, ideal şartlar altında, girişlerine karşılık gelen çıkışları gösteren bir tablodur. 3. VEYA Kapısı DURUMUM İRİŞLER ÇIKIŞ A B F Açıklama A=0 B=0 iken, çıkış F=0 A=0 B=1 iken, çıkış F=1 A=1 B=0 iken, çıkış F=1 A=1 B=1 iken, çıkış F=1 Boolean ifadesi: F= AB+ AB+AB=A+B 1-18

19 4. VE Kapısı DURUMUM İRİŞLER ÇIKIŞ A B F Açıklama A=0 B=0 iken, çıkış F=0 A=0 B=1 iken, çıkış F=0 A=1 B=0 iken, çıkış F=0 A=1 B=1 iken, çıkış F=1 Boolean ifadesi: F=AB 5. DEĞİL (NOT) Kapısı DURUMUM İRİŞ ÇIKIŞ A F Açıklama A=0 iken, çıkış F=1 A=0 iken, çıkış F=0 Boolean ifadesi: F= A 6. ÖZEL VEYA (XOR) Kapısı DURUMUM İRİŞLER ÇIKIŞ A B F A=B iken, çıkış F=0 A B iken, çıkış F=1 Boolean ifadesi: F= AB+ AB=A B 1-19

20 7. VE DEĞİL (NAND) Kapısı VE DEĞİL kapısının çıkışı, VE kapısının tamamen tersidir. DURUM GİRİŞLER ÇIKIŞ A B F Açıklama A=0 B=0 iken, çıkış F=1 A=0 B=1 iken, çıkış F=1 A=1 B=0 iken, çıkış F=1 A=1 B=1 iken, çıkış F=0 Boolean ifadesi: F= AB 8. VEYA DEĞİL (NOR) Kapısı VEYA DEĞİL kapısının çıkışı, VEYA kapısının tamamen tersidir. DURUM GİRİŞLER ÇIKIŞ A B F Açıklama A=0 B=0 iken, çıkış F=1 A=0 B=1 iken, çıkış F=0 A=1 B=0 iken, çıkış F=0 A=1 B=1 iken, çıkış F=0 Boolean ifadesi: F= A+B=A B Bu doğruluk tabloları, pozitif gerilimin lojik 1, negatif gerilimin lojik 0 durumlarını temsil ettiği, pozitif lojik esasına dayalıdır. Negatif lojik durumunda çıkışlar ters çevrilecektir. Aşağıda, pozitif ve negatif lojik için verilen VEYA kapısı doğruluk tablolarını karşılaştırın: 1-20

21 DURUMUM İRİŞLER ÇIKIŞ DURUM GİRİŞLER ÇIK Ş A B F A B F Negatif lojik için verilen VEYA kapısı doğruluk tablosunun, pozitif lojik VE kapısına eşdeğer olduğuna dikkat edin. KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL Temel Elektrik Devreleri Deney Düzeneği 2. KL Kombinasyonel Lojik Devre Deney Modülü (1) 3. Osiloskop DENEYİN YAPILIŞI A. VE Kapısı Karakteristiklerinin Ölçülmesi 1. Şekil 1-4-1'deki bağlantı diyagramı ve Şekil 1-4-2'deki devre yardımıyla gerekli bağlantıları yapın. +5VDC sabit güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. 1-21

22 Şekil Bağlantı diyagramı (KL blok c) Şekil VE ve VEYA kapılarının eşdeğer devreleri 2. A1 ve A2 girişlerini, SW0 ve SW1 veri anahtarlarına, F3 çıkışını ise L0 Lojik Göstergesine bağlayın. Aşağıdaki giriş dizilerini takip edin ve çıkışları kaydedin. DURUM A2 A1 F A2 girişine, Fonksiyon Üretecinden 10Hz'lik TTL seviye kare dalga uygulayın. Aşağıdaki A1'in giriş koşullarını takip edin (Saat Üretecinden 1Hz'lik kare alarak). Giriş ve çıkış dalga şekillerini ölçün ve kaydedin. 1-22

23 (1) A1=0 A2 (2) A1=1 A2 (3) A1=1 Hz A2 F3 F3 F3 B. VEYA Kapısı Karakteristiklerinin Ölçümü 1. KL blok c'deki U2, bu kısmda kullanılacaktır. 2. A3, A4 girişlerini, SW0, SW1 veri anahtarlarına ve F4 çıkışını L1 Lojik Göstergesine bağlayın. Aşağıdaki giriş dizilerini takip edin ve F4 çıkışını kaydedin. DURUM A4 A3 F A4 girişine, Fonksiyon Üretecinden 10Hz'lik TTL seviye kare dalga uygulayın. Aşağıdaki A3'ün giriş koşullarını takip edin (Saat Üretecinden 1Hz'lik kare alarak). Giriş ve çıkış dalga şekillerini ölçün ve kaydedin. 1-23

24 (1) A3=0 A4 (2) A3=1 A4 (3) A3=1 Hz A4 F4 F4 F4 C. DEĞİL Kapısı Karakteristiklerinin Ölçülmesi 1. U3'ün C1 girişini ve F6 çıkışını sırasıyla SW0 veri anahtarına ve L1 Lojik Göstergesine bağlayın. Aşağıdaki giriş dizilerini takip edin ve çıkışları kaydedin. DURUM C1 F F6'yı C2'ye bağlayın. F7 çıkışını, L2 Lojik Göstergesine bağlayın. Aşağıdaki giriş dizilerini takip edin ve çıkışları kaydedin. DURUM C2 F D. VE DEĞİL Kapısı Karakteristiklerinin Ölçülmesi 1. Aşağıdaki ölçümlerde U1 kullanılacaktır. A1,A2 girişlerini, SW0, SW1 veri anahtarlarına, F1 çıkışını L1 Lojik Göstergesine bağlayın. Aşağıdaki giriş giriş dizilerini takip edin ve çıkışları kaydedin. 1-24

25 DURUM A2 A F A2 girişine, Fonksiyon Üretecinden 10Hz'lik TTL seviye kare dalga uygulayın. Aşağıdaki A1'in giriş koşullarını takip edin (Saat Üretecinden 1Hz'lik kare alarak). Giriş ve çıkış dalga şekillerini ölçün ve kaydedin. (1) A1=0 A2 (2) A1=1 A2 (3) A1=1 Hz A2 F1 F1 F1 E. VEYA DEĞİL Kapısı Karakteristiklerinin Ölçülmesi 1. Aşağıdaki ölçümlerde U2 kullanılacaktır. A3,A4 girişlerini, SW0,SW1 veri anahtarlarına, F2 çıkışını L1 Lojik Göstergesine bağlayın. Aşağıdaki giriş dizilerini takip edin ve çıkışları kaydedin. DURUM A4 A F

26 2. A4 girişine, Fonksiyon Üretecinden 10Hz'lik TTL seviye kare dalga uygulayın. Aşağıdaki A3'ün giriş koşullarını takip edin (Saat Üretecinden 1Hz'lik kare alarak). Giriş ve çıkış dalga şekillerini ölçün ve kaydedin. (1) A3=1 A4 (2) A3=0 A4 (3) A3=1 Hz A4 F2 F2 F2 F. ÖZEL VEYA Kapısı Karakteristiklerinin Ölçülmesi 1. Aşağıdaki ölçümlerde U4 kullanılacaktır. C4,C5 girişlerini SW0,SW1 veri anahtarlarına, F9 çıkışını L1 Lojik Göstergesine bağlayın. Aşağıdaki giriş dizilerini takip edin ve çıkışları kaydedin. DURUM C5 C F C4 girişine, Fonksiyon Üretecinden 10Hz'lik TTL seviye kare dalga uygulayın. Aşağıdaki C5'in giriş koşullarını takip edin (Saat Üretecinden 1Hz'lik kare alarak). Giriş ve çıkış dalga şekillerini ölçün ve kaydedin. 1-26

27 (1) C5=1 C4 (2) C5=0 C4 (3) C5=1 Hz C4 F9 F9 F9 1-27

28 DENEY 1-5 Lojik Kapılar Arasında Arayüz DENEYİN AMACI 1. Arayüz bağlantı tekniklerini anlamak. 2. TTL'den CMOS'a ve CMOS'tan TTL'e arayüz devresi oluşturmak. GENEL BİLGİLER TTL ve CMOS, en sık kullanılan lojik kapılardır. Özellikleri aşağıda gösterilmiştir. TTL CMOS Besleme gerilimi +5V±0.25V 3~18V Düşük seviye giriş gerilimi V IL 0.8V Yüksek seviye giriş gerilimi V IH 2.0V 1.5V 3.5V Düşük seviye çıkış gerilimi V OL Yüksek seviye çıkış akımı V OH 0.4V 2.4V 0V 5V Düşük seviye giriş akımı I IL 1.6mA 0.1µA Yüksek seviye giriş akımı I IH 40µA 0.1mA Düşük seviye çıkış akımı I OL 16mA 1mA Yüksek seviye çıkış akımı I OH 0.4µA 0.1mA Tablodan, CMOS kapının giriş gerilimi gereksiniminin, TTL kapının çıkış gerilimi kapasitesinden daha yüksek olduğu görülmektedir. Eğer bir TTL kapı, bir CMOS kapıyı sürmek için kullanılırsa, TTL in çıkış gerilimi, CMOS un giriş gerilimi gereksimini karşılayabilmek için, arttırılmadır. Öte yandan TTL i sürmek için CMOS kullanıldığı zaman, CMOS un çıkış akımı arttırılmalıdır. Bu yüzden, bir arayüz devresi gerçekleştirmeden önce, veri sayfaları dikkatlice incelenmelidir. 1-28

29 Şekil de gösterildiği gibi, TTL tarafından sürülen CMOS un giriş gerilimini arttırmak için, besleme gerilimine bağlı bir R X direnci eklenebilir. R X değer aralığı, standart seri TTL için 390Ω~4.7KΩ, LS serisi için 820Ω ~12KΩ dur. Bir TTL kapı CMOS tarafından sürüleceği zaman, CMOS un çıkış akımını arttırmak için araya bir tampon eklenmelidir. Paralel olarak bağlanmış iki standat CMOS, bir LS serisi TTL kapısını sürebilir. Şekil TTL-CMOS arayüz devresi KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL Temel Elektrik Devreleri Deney Düzeneği 2. KL Kombinasyonel Lojik Devre Deney Modülü (1) 3. Multimetre DENEYİN YAPILIŞI A. TTL-CMOS Arayüzü 1. Şekil 1-5-2'deki bağlantı diyagramına göre gerekli bağlantıları yapın. U1, standart seri TTL kapısıdır. 2. (R13+R14) 220Ω olacak şekilde R14'ü ayarlayın. 1-29

30 3. +5VDC sabit güç kaynağını, KL modülünün sağ üst köşesinde bulunan +12VDC ve +5VDC uçlarına bağlayın. Bu şekilde, hem TTL hemde CMOS kapılarına +5V besleme gerilimi sağlanmış olur. A1 girişini, SW0 veri anahtarına bağlayın. A1 için aşağıda verilen giriş koşullarını takip edin. F1, A5 ve Y1 uçlarındaki gerilimleri ölçün ve kaydedin. A1 F1 A5 Y Klips kullanarak, R14'ü +5V'a bağlayın. 3. adımı tekrarlayın. A1 F1 A5 Y1 0 1 Şekil Bağlantı diyagramı (KL blok c ve d) B. CMOS-TTL Arayüzü 1. Aşağıdaki ölçümlerde U7 kullanılacaktır. Şekil 1-5-2'deki bağlantı diyagramı yardımıyla gerekli bağlantıları yapın. 1-30

31 2. U7'nin Y8 çıkışını, U1'in A1 girişine ve C8'i, SW1 veri anahtarına bağlayın. C8 için aşağıda verilen giriş koşullarını takip edin. Y8, A1 ve F1 uçlarındaki gerilimleri ölçün ve kaydedin. C8 Y8 A1 F Klipsleri kullanarak C6, C7 ve C8'i paralel bağlayın. 2. adımı tekrarlayın. C8 Y8 A1 F Y8'i, U3'ün C1, C2, ve C3 girişlerine bağlayın. U3'ün F6, F7 ve F8 çıkışlarını paralel olarak bağlayın. 2. adımı tekrarlayın. C8 Y8 C1 F

1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek.

1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek. DENEY Temel Lojik Kapıların Karakteristikleri DENEYİN AMACI. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak.. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek. GENEL İLGİLER Temel lojik

Detaylı

SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ

SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI 1. Temel lojik kapı sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. GENEL BİLGİLER TTL kapıların karakteristikleri,

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 DENEY 1-6 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC

Detaylı

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. Schmitt kapılarının yapı ve karakteristiklerinin anlaşılması. GENEL BİLGİLER Schmitt kapısı aşağıdaki karakteristiklere sahip olan tek lojik kapıdır: 1.

Detaylı

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri DENEY 4-1 Flip-Floplar DENEYİN AMACI 1. Kombinasyonel ve ardışıl lojik devreler arasındaki farkları ve çeşitli bellek birimi uygulamalarını anlamak. 2. Çeşitli flip-flop

Detaylı

1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek.

1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek. DENEY 1 Temel Lojik Kapıların Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER Temel

Detaylı

DENEY 2-1 VEYA DEĞİL Kapı Devresi

DENEY 2-1 VEYA DEĞİL Kapı Devresi DENEY 2-1 VEYA DEĞİL Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. VEYA DEĞİL kapıları ile diğer lojik kapıların nasıl gerçekleştirildiğini anlamak. GENEL BİLGİLER VEYA DEĞİL kapısının sembolü, Şekil 2-1 de gösterilmiştir.

Detaylı

DENEY 1a- Kod Çözücü Devreler

DENEY 1a- Kod Çözücü Devreler DENEY 1a- Kod Çözücü Devreler DENEYİN AMACI 1. Kod çözücü devrelerin çalışma prensibini anlamak. GENEL BİLGİLER Kod çözücü, belirli bir ikili sayı yada kelimenin varlığını belirlemek için kullanılan lojik

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri

ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri DENEYİN AMACI (1) Yarım-dalga, tam-dalga ve köprü doğrultucu devrelerinin çalışma prensiplerini anlamak. GENEL BİLGİLER Yeni Terimler (Önemli

Detaylı

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DENEY 1-3 DC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-22001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını

Detaylı

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ SAYISAL DEVRE UYGULAMALARI Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ İÇİNDEKİLER ŞEKİLLER TABLOSU... vi MALZEME LİSTESİ... viii ENTEGRELER... ix 1. Direnç ve Diyotlarla Yapılan

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

DENEY 2-5 Karşılaştırıcı Devre

DENEY 2-5 Karşılaştırıcı Devre DENEY 2-5 Karşılaştırıcı Devre DENEYİN AMACI 1. Dijital karşılaştırıcıların çalışma prensiplerini ve yapısını anlamak. GENEL BİLGİLER Bir karşılaştırma yapabilmek için en az iki sayı gereklidir. En basit

Detaylı

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 DENEY 2-3 Süperpozisyon, Thevenin ve Norton Teoremleri DENEYİN AMACI 1. Süperpozisyon teoremini doğrulamak. 2. Thevenin teoremini doğrulamak. 3. Norton teoremini

Detaylı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:

Detaylı

DENEY 3a- Yarım Toplayıcı ve Tam Toplayıcı Devresi

DENEY 3a- Yarım Toplayıcı ve Tam Toplayıcı Devresi DENEY 3a- Yarım Toplayıcı ve Tam Toplayıcı Devresi DENEYİN AMACI 1. Aritmetik birimdeki yarım ve tam toplayıcıların karakteristiklerini anlamak. GENEL BİLGİLER Toplama devreleri, Yarım Toplayıcı (YT) ve

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek.

1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek. DENEY 7-2 Sayıcılar DENEYİN AMACI 1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek. GENEL BİLGİLER Sayıcılar, flip-floplar

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

DENEY 1-3 ÖZEL VEYA KAPI DEVRESİ

DENEY 1-3 ÖZEL VEYA KAPI DEVRESİ DENEY 1-3 ÖZEL VEYA KAPI DEVRESİ DENEYİN AMACI 1. ÖZEL VEYA kapısının karakteristiklerini anlamak. GENEL BİLGİLER ÖZEL VEYA kapısının sembolü Şekil 1-8 de gösterilmiştir. F çıkışı, A B + AB ifadesine eşittir.

Detaylı

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin. DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.

Detaylı

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir. DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese

Detaylı

DENEY 4-1 Kodlayıcı Devreler

DENEY 4-1 Kodlayıcı Devreler DENEY 4-1 Kodlayıcı Devreler DENEYİN AMACI 1. Kodlayıcı devrelerin çalışma prensibini anlamak. GENEL BİLGİLER Kodlayıcı, bir ya da daha fazla girişi alıp, belirli bir çıkış kodu üreten kombinasyonel bir

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

Bölüm 2 DC Devreler. DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası

Bölüm 2 DC Devreler. DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası Bölüm 2 DC Devreler DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası DENEYİN AMACI 1. Seri, paralel ve seri-paralel ağları tanımak. 2. Kirchhoff yasalarının uygulamaları ile ilgili bilgi edinmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI

DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-21001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. Devre elemanı üzerinden akım akmasını sağlayan

Detaylı

DENEY 11 PUT-SCR Güç Kontrolü

DENEY 11 PUT-SCR Güç Kontrolü DENEY 11 PUT-SCR Güç Kontrolü DENEYİN AMACI 1. PUT-SCR güç kontrol devresinin çalışmasını öğrenmek. 2. Otomatik ışık kontrol devresinin yapımı ve ölçümü. GİRİŞ Önemli parametrelerinin programlanabilir

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri DENEY 4-1 Flip-Floplar DENEYİN AMACI 1. Kombinasyonel ve ardışıl lojik devreler arasındaki farkları ve çeşitli bellek birimi uygulamalarını anlamak. 2. Çeşitli flip-flop

Detaylı

DENEY 6- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri

DENEY 6- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri DENEY 6- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri DENEYİN AMACI 1. Dijitalden Analog a çevrimin temel kavramlarının ve teorilerinin anlaşılması GENEL BİLGİLER Şekil-1 Şekil-1 de bir direnç ağıyla gerçekleştirilmiş

Detaylı

DENEY 3-1 Kodlayıcı Devreler

DENEY 3-1 Kodlayıcı Devreler DENEY 3-1 Kodlayıcı Devreler DENEYİN AMACI 1. Kodlayıcı devrelerin çalışma prensibini anlamak. GENEL BİLGİLER Kodlayıcı, bir ya da daha fazla girişi alıp, belirli bir çıkış kodu üreten kombinasyonel bir

Detaylı

Bölüm 9 FET li Yükselteçler

Bölüm 9 FET li Yükselteçler Bölüm 9 FET li Yükseleçler DENEY 9-1 Orak-Kaynaklı (CS) JFET Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Orak kaynaklı JFET yükselecin öngerilim düzenlemesini anlamak. 2. Orak kaynaklı JFET yükselecin saik ve dinamik karakerisiklerini

Detaylı

Bölüm 1 Temel Ölçümler

Bölüm 1 Temel Ölçümler Bölüm 1 Temel Ölçümler DENEY 1-1 Direnç Ölçümü DENEYİN AMACI 1. Ohmmetrenin temel yapısını öğrenmek. 2. Ohmmetre kullanarak nasıl direnç ölçüleceğini öğrenmek. GENEL BİLGİLER Tüm malzemeler, bir devrede

Detaylı

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde, Ohm kanunu işlenecektir. Seri ve paralel devrelere ohm kanunu uygulanıp, teorik sonuçlarla deney sonuçlarını karşılaştıracağız ve doğrulamasını yapacağız.

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ OSMANİYE KORKUT ATA ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 2012 1 LABORATUVAR KURALLARI 1. Laboratuvarlar programda belirtilen giriş ve çıkış saatlerine

Detaylı

DENEY 6a- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri

DENEY 6a- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri DENEY 6a- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri DENEYİN AMACI 1. Dijitalden Analog a çevrimin temel kavramlarının ve teorilerinin anlaşılması GENEL BİLGİLER Şekil-1 Şekil-1 de bir direnç ağıyla gerçekleştirilmiş

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır. Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır. Uygulama -1: Dirençlerin Seri Bağlanması Uygulama -2: Dirençlerin Paralel Bağlanması Uygulama -3: Dirençlerin Karma Bağlanması Uygulama

Detaylı

DENEY 2- Sayıcılar ve Kaydırmalı Kaydediciler

DENEY 2- Sayıcılar ve Kaydırmalı Kaydediciler DENEY 2- Sayıcılar ve Kaydırmalı Kaydediciler DENEY 2a- JK Flip-Flop Devreleri DENEYİN AMACI 1. Sayıcıların prensiplerinin ve sayıcıların JK flip-flopları ile nasıl gerçeklendiklerinin incelenmesi. GENEL

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER 1. Deneyin Amacı Yarım

Detaylı

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi-- ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6 --Thevenin Eşdeğer Devresi-- DENEYİN AMACI Deneyin amacı iki terminal arasındaki gerilim ve akım ölçümlerini yaparak, Thevenin eşdeğer devresini elde etmektir. GEREKLİ

Detaylı

EEM309 SAYISAL ELEKTRONİK LABORATUARI. AND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır.

EEM309 SAYISAL ELEKTRONİK LABORATUARI. AND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır. Deney No : 1 Deneyin dı : ojik Kapılar GİRİŞ: EEM309 SIS EEKTRONİK ORTURI ND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır. amba Şekil 1: VE kapısının sembolü, elektriksel ve transistör eşdeğeri

Detaylı

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad

Detaylı

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2 DENEY 1 AMAÇ: VE Kapılarının (AND Gates) çalısma prensibinin kavranması. Çıkıs olarak led kullanılacaktır. Kullanılacak devre elemanları: Anahtarlar (switches), 100 ohm ve 1k lık dirençler, 7408 entegre

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I. I kd = r. Şekil 1.

KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I. I kd = r. Şekil 1. KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I THEENİN ve NORTON TEOREMLERİ Bir veya daha fazla sayıda Elektro Motor Kuvvet kaynağı bulunduran lineer bir devre tek

Detaylı

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Sıcaklık kontrol elemanlarının türlerini ve çalışma ilkelerini öğrenmek. 2. Bir orantılı sıcaklık kontrol devresi yapmak. GİRİŞ Solid-state sıcaklık kontrol

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?...

ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?... ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?... İçerik Düzeni Entegre Tanımı Entegre Seviyeleri Lojik Aileler Datasheet Okuma ENTEGRE TANIMI Entegreler(IC) chip adı da verilen,

Detaylı

DENEY 5: ALTERNATİF AKIMDA FAZ FARKI (R, L VE C İÇİN)

DENEY 5: ALTERNATİF AKIMDA FAZ FARKI (R, L VE C İÇİN) DENEY 5: ALTERNATİF AKIMDA FAZ FARKI (R, L VE C İÇİN) A. DENEYİN AMACI : Bu deneyin amacı, pasif elemanların (direnç, bobin ve sığaç) AC tepkilerini incelemek ve pasif elemanlar üzerindeki faz farkını

Detaylı

Deney 1: Lojik Kapıların Lojik Gerilim Seviyeleri

Deney 1: Lojik Kapıların Lojik Gerilim Seviyeleri eney : Lojik Kapıların Lojik Gerilim Seviyeleri eneyin macı: Lojik kapıların giriş ve çıkış lojik gerilim seviyelerinin ölçülmesi Genel ilgiler: ir giriş ve bir çıkışlı en basit lojik kapı olan EĞİL (NOT)

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L

Detaylı

Ölçüm Temelleri Deney 1

Ölçüm Temelleri Deney 1 Ölçüm Temelleri Deney 1 Deney 1-1 Direnç Ölçümü GENEL BİLGİLER Tüm malzemeler, bir devrede elektrik akımı akışına karşı koyan, elektriksel dirence sahiptir. Elektriksel direncin ölçü birimi ohmdur (Ω).

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ UYGULAMALARI

ELEKTRİK DEVRELERİ UYGULAMALARI ELEKTRİK DEVRELERİ UYGULAMALARI 2017/2018 GÜZ YARIYILI Uygulamalar için Gerekli Malzemeler 4 adet 100 Ω Direnç 4 adet 1K Direnç 4 adet 2.2K Direnç 4 adet 10K Direnç 4 adet 33K Direnç 4 adet 100K Direnç

Detaylı

2. KİRCHHOFF YASALARI AMAÇLAR

2. KİRCHHOFF YASALARI AMAÇLAR 2. KİRCHHOFF YSLRI MÇLR 1. Kirchhoff yasalarının doğruluğunu deneysel sonuçlarla karşılaştırmak 2. Dirençler ile paralel ve seri bağlı devreler oluşturarak karmaşık devre sistemlerini kurmak. RÇLR DC güç

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 3 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI

OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI 2.1 Objectives: Ohm Kanunu: Farklı direnç değerleri için, dirence uygulanan gerilime göre direnç üzerinden akan akımın ölçülmesi. Dirençlerin Seri Bağlanması: Seri bağlı

Detaylı

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak

Detaylı

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi Deneyin Amacı: Avometre ile doğru akım ve gerilimin ölçülmesi. Devrenin kollarından geçen akımları ve devre elemanlarının üzerine düşen gerilimleri analitik

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

DENEY 7: GÖZ ANALİZİ METODU UYGULAMALARI

DENEY 7: GÖZ ANALİZİ METODU UYGULAMALARI A. DENEYİN AMACI : Devre analizinin önemli metodlarından biri olan göz akımları metodu nun daha iyi bir şekilde anlaşılması için metodun deneysel olarak uygulanması. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü DENEY-5-

Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü DENEY-5- KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik-Mimarlık Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektrik Makinaları ve Güç Sistemleri Laboratuarı DENEY-5- HAZIRLIK ÇALIŞMASI 1. Opamp uygulama devreleri

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 1

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 1 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 1 DİRENÇ DEVRELERİNDE OHM VE KİRSHOFF KANUNLARI Arş. Gör. Sümeyye

Detaylı

BM217 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVAR DENEYLERİ

BM217 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVAR DENEYLERİ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BM217 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVAR DENEYLERİ Yrd. Doç. Dr. Emre DANDIL İÇİNDEKİLER ŞEKİLLER TABLOSU... vi MALZEME LİSTESİ... viii ENTEGRELER...

Detaylı

DENEY NO: 2 KIRCHHOFF UN AKIMLAR YASASI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

DENEY NO: 2 KIRCHHOFF UN AKIMLAR YASASI. Malzeme ve Cihaz Listesi: DENEY NO: 2 KIRCHHOFF UN AKIMLAR YASASI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 12 k direnç 1 adet 2. 15 k direnç 1 adet 3. 18 k direnç 1 adet 4. 2.2 k direnç 1 adet 5. 8.2 k direnç 1 adet 6. Breadboard 7. Dijital

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100

Detaylı

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alternatif akım (AC) ve doğru akım nedir örnek vererek kısaca tanımını yapınız. 2. Alternatif akımda aynı frekansa sahip iki sinyal arasındaki faz farkı grafik üzerinde (osiloskopta)

Detaylı

AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ LABORATUVAR DENEY # 1

AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ LABORATUVAR DENEY # 1 Önbilgi: AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ Yarıiletken elemanlar, 1947 yılında transistorun icat edilmesinin ardından günümüze kadar geliserek gelen bir teknolojinin ürünleridir. Kuvvetlendirici

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

DENEY 4 PUT Karakteristikleri

DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. PUT karakteristiklerini ve yapısını öğrenmek. 2. PUT un çalışmasını ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek. 3. PUT karakteristiklerini ölçmek. 4.

Detaylı

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi 23 Deney Adı : İşlemsel Kuvvetlendiricinin Temel Devreleri Deney No : 6 Deneyin Amacı : İşlemsel kuvvetlendiricilerle en ok kullanılan devreleri gerekleştirmek, fonksiyonlarını belirlemek Deneyle İlgili

Detaylı

Bölüm 14 FSK Demodülatörleri

Bölüm 14 FSK Demodülatörleri Bölüm 14 FSK Demodülatörleri 14.1 AMAÇ 1. Faz kilitlemeli çevrim(pll) kullanarak frekans kaydırmalı anahtarlama detektörünün gerçekleştirilmesi.. OP AMP kullanarak bir gerilim karşılaştırıcının nasıl tasarlanacağının

Detaylı

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR 1.1 Amaçlar AC nin Elde Edilmesi: Farklı ve değişken DC gerilimlerin anahtar ve potansiyometreler kullanılarak elde edilmesi. Kare dalga

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LABORATUVARI I T.C. ULUDĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMRLIK FKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LBORTUVRI I DENEY 6: ve KPI KRKTERĠSTĠKLERĠ Boşta çalışma karakteristiği Yüklü çalışma karakteristiği

Detaylı

DENEY FÖYÜ8: Lojik Kapıların Elektriksel Gerçeklenmesi

DENEY FÖYÜ8: Lojik Kapıların Elektriksel Gerçeklenmesi DENEY FÖYÜ8: Lojik Kapıların Elektriksel Gerçeklenmesi Deneyin Amacı: Temel kapı devrelerinin incelenmesi, deneysel olarak kapıların gerçeklenmesi ve doğruluk tablolarının elde edilmesidir. Deney Malzemeleri:

Detaylı

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı; Avometre ile doğru akım ve gerilimin ölçülmesidir. Devrenin kollarından geçen akımları ve devre elemanlarının üzerine düşen

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için

Detaylı

Bölüm 8 FM Demodülatörleri

Bölüm 8 FM Demodülatörleri Bölüm 8 FM Demodülatörleri 8.1 AMAÇ 1. Faz kilitlemeli çevrimin(pll) prensibinin incelenmesi. 2. LM565 PLL yapısının karakteristiğinin anlaşılması. 3. PLL kullanarak FM işaretin demodüle edilmesi. 4. FM

Detaylı

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot

Detaylı