metal (bakır) metaloid (silikon) metal olmayan (cam) iletken yar ı iletken yalıtkan

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "metal (bakır) metaloid (silikon) metal olmayan (cam) iletken yar ı iletken yalıtkan"

Transkript

1 1 YARI İLETKENLER Enstrümantal Analiz ir yarı iltkn, iltknliği bir iltkn il bir yalıtkan arasında olan kristal bir malzmdir. Çok çşitli yarıiltkn malzm vardır, silikon v grmanyum, mtalimsi bilşiklr (silikon karbür gibi), v çşitli organik bilşiklr bunlardan bazılarıdır. Elktronik altlrin yapımında kullanılan iki önmli yarıiltkn malzm kristal silikon v grmanyumdur; inclmlrimiz bu yarıiltknlri kapsayacaktır. mtal (bakır) mtaloid (silikon) mtal olmayan (cam) iltkn yar ı iltkn yalıtkan Tanımlar pn ağlantısı: p-tip v n-tip yarı iltkn malzmlr arasındaki sınır. Diyot: Sadc bir yönd akım gçmsin olanak vrn bir lktronik alt. Engl (ariyr) Potansiyli: ir pn bağlantı diyotunun tüktm bölgsindki potansiyl. Düz (Forward) ias: ir diyotun akım ilttiği koşul. Trs (Rvrs) ias: ir diyotun akımı nglldiği koşul. Fotodiyod: Trs dirnci, gln ışıkla dğişn bir diyottur.

2 2 1. Silikon v Grmanyum Yarıiltknlr Silikon v grmanyum IV.Grup lmntlrindndir v bağ yapabiln dört valans lktronları bulunur. Silikon kristalind bir silikon atomunun hr bir lktronu, diğr bir silikon atomunun bir lktronu il kovalnt bağ oluşturduğundan harktsizdir. una gör kristal silikonda srbst lktron bulunmaz, v maddnin bir yalıtkan özlliği göstrmsi bklnir. Grçkt is oda sıcaklığında, bir lktronun srbst kalmasına ytck kadar ısıl çalkalanma vardır, böylc bağlardan kopan bir lktron kristal dokusu içind dolaşır v lktriği iltir. ir lktronun bu şkild ısıl "uyarılması" pozitif yüklü bir bölgnin oluşmasına yol açar, buna "boşluk" dnir v silikon atomunu blirtir. oşluk da harktlidir, v kristalin lktrik iltimin yardımcı olur. oşluğun harkt mkanizması kadmlidir; lktronca zayıf bölgy, komşu silikon atomundan bağlı bir lktron atlar v kndi yrind pozitif bir boşluk bırakır. ıraktığı boşluğa, oradaki atomun yanındaki atomdan yni bir - lktron atlaması il olay dvam dr. öylc lktron harktinin trs yönün doğru boşluk oluşması dvam dr. u açıklamaya gör, bir yarıiltknin iltknliği ısıl lktronun bir yönd, boşlukların is diğr yöndki harktlrindn kaynaklanır. ir silikon vya grmanyum kristalinin iltknliği "doping" yapılarak çok fazla artırılabilir. Doping, ufacık v miktarı kontrol dilbiln bir safsızlığın kristal yapısına sokulmasıdır. ir silikon yarıiltkn konulan doping maddsi arsnik vya antimon gibi bir V. grup lmnti, vya indiyum vya galyum gibi bir III. grup lmnti olabilir. Donor (Vrici) vya n-tip Safsızlık: ir V. grup lmnti atomunun kristal örgüsündki bir silikon atomu il yr dğiştirmsi durumunda, yapıya bir tan bağlı olmayan lktron konulmuş olur; lktronun kristald dolaşması için çok az bir ısıl nrjiy grksinim vardır. u lktronun ayrılmasıyla grid kalan pozitif atom (V. grup lmntinin atomu), harkt dbiln bir boşluk görvi yapamaz, çünkü kovalnt silikon bağından buradaki bağsız konuma bir lktronun gçm ğilimi çok azdır. Doping yapılmış bir yarıiltkn, bağlı olmayan lktronlar içrdiğindn "n-tip" vya ngatif tip yarıiltkn dnir, çünkü akımın "başlıca (salt) taşıyıcıları" lktronlardır. u tip bir yarıiltknd hala pozitif boşluklar vardır, ancak sayıları lktronların sayılarına kıyasla çok azdır; yani, n-tip bir yarıiltknd boşluklar akımın "azınlık taşıyıcıları" dır. Aksptör (Alıcı) vya p-tip Safsızlık: Silikonun, sadc üç valns lktronu bulunan bir III. grup lmnti il doping yapılması durumunda "p-tip" vya pozitif

3 3 tip yarıiltkn mydana glir. Safsızlık atomunun boş orbitalin, yanındaki silikon atomlarından lktronların atlamasıyla pozitif boşluklar oluşur. u işlml III. grup atomu pozitif yüklnir. oşluklar silikon atomundan silikon atomuna gçrk ilrlr; böylc, çoğunun taşıyıcısının pozitif olduğu bir akım oluşur. Pozitif boşluklar srbst lktronlardan daha az harktlidirlr; buna gör bir p-tip yarıiltkn bir n- tip yarıiltkndn daha zayıf bir iltkndir. paylaşılan lktronlar srbst lktron paylaşılan lktronlar boşluk safsızlık atom(vrici) safsızlık atom (alıcı) silikon kristali n-tip yarıiltkn p-tip yarıiltkn safsızlık olarak antimon ilav dilmiştir safsızlık olarak boron ilav dilmiştir Si atomu atom No: 14 Sb atomu atom no: 51 atomu atom No: 5 Saf silikon kristali, vrici safsızlık antimon atomu v alıcı safsızlık bor atomunun yapısını v yarı iltknlrin dokusunu göstrn diyagramlar 2. Yarı İltkn Diyotlar ir "diyot", bir yöndki iltknliği diğr yöndkindn daha büyük olan bir sistmdir. Tk bir grmanyum, vya silikon kristali içind birbirin bilşik n- v p-tip bölglr oluşturularak çok faydalı diyotlar yapılmaktadır; bölglr arasındaki yüzy pn bağlantısı dnir.

4 4 ir pn ağlantısının Özlliklri Şkil (a) da bir pn bağlantısının ksiti görülmktdir; bu tip bir bağlantı p bölgsindn n bölgsin pozitif yük (vya trs yönd ngatif yük) akmasını sağlar; diğr yönd (n dn p y) pozitif yük akmasına karşı büyük bir dirnç göstrir, bu bağlantıya "akım rktifiri (doğrultmaç)" adı vrilir. I t I r boşluklar I t I nt = 0 lktronlar p bölgsi n bölgsi (a) ias yok lktronlar v boşluklar bağlantıda birlşirlr I r I t I r I nt I nt Chaptr%2011%20Smiconductor%20Thory%20 and%20dvics.ppt p bölgsi n bölgsi + - V (b) Düz bias (forward bias) - + V (c) Trs bias (invrs bias) Şkil (b) d, bir potansiyl uygulanarak p bölgsinin n bölgsin gör pozitif yüklndiği durumdaki lktrik iltimi mkanizması göstrilmiştir; bu işlm "düz-bias" grilimi dnir. Düz bias (forward bias): V uygulanan > 0 p bölgsindki pozitif boşluklar v n bölgsindki fazla lktronlar (yani, hr iki bölgdki başlıca taşıyıcılar) lktrik alanının tkisiyl bağlantıya doğru harkt drlr, v birbirlriyl birlşrk yok olurlar. ataryanın ngatif ucu n bölgsin yni lktronlar vrir, bunlar tkrar iltm işlmini sürdürürlr; bataryanın pozitif

5 5 ucu is p bölgsindn lktron çkrk, pn bağlantısına doğru harkt dn yni boşluklar yaratır. Trs bias (rvrs bias): V uygulanan < 0 Diodda "trs-bias" grilimi varsa (Şkil-c) hr iki bölgdki başlıca taşıyıcılar bağlantıdan uzaklaşacak yönd harkt drlr, böylc grid birkaç yükün bulunduğu bir "ksiltm tabakası" bırakırlar. Hr iki bölgd d sadc bağlantıya doğru harkt dn v böylc bir akım taşıyan çok az konsantrasyondaki azınlık taşıyıcılar kalır. öylc, trs-bias grilimi altındaki iltim düz- bias altındakinin katı kadar olur. Yarı İltkn Diyotlar İçin Akım-Voltaj Eğrilri Aşağıdaki şkild tipik bir yarıiltkn diyotun forward (düz) v trs-bias altındaki davranışı göstrilmiştir. Düz-biasda akım voltajla hmn hmn ksponnsiyl olarak artar; bir kaç amprlik akımlar gözlnir. Trs-bias altında is, bir voltaj aralığı boyunca mikro ampr sviysind bir akım gözlnir; bu bölgd iltknlik azınlık taşıyıcılarca sağlanır. u trs akımın önmi yoktur. Trs potansiyl artırıldığında, yin d hızla trs akımın aşırı drcd artığı "kopma" voltajına ulaşılır. urada, yarıiltknin kovalnt bağlarının kopmasıyla mydana gln boşluklar v lktronlar alan tarafından hızlandırılarak çarpışmayla yni lktronlar v boşluklar oluştururlar. -V trs kopma bölgsi trs bias bölgsi +I Akım -I düz (forward) bias bölgsi +V Potansiyl Chaptr_9_Lctur_PowrPoint.ppt ir silikon yarıiltkn diodun akım voltaj özlliklri

6 6 Ayrıca bağlantı tabakası arasında, lktronların kuvantum mkaniği tünli d iltknliğin artmasına yardım dr. u iltknlik ısıtma tkisiyl diyotu tahrip dck kadar yüksktir. Trs-bias altında akımda ani artışa ndn olan voltaja "Znr kopma voltajı" dnir. ağlantı tabakasının tipinin v kalınlığının kontrol dilmsiyl birkaç volttan birkaç yüz volta kadar Znr Voltajları alınabilir. u olaydan lktronikt çok yararlanılır. 3. Transistörlr Transistör yarıiltkn kuvvtlndirm altidir v bir vakum kuvvtlndirm tüpü il ayni işlvi yapar; yani, giriş sinyalindn daha büyük bir çıkış sinyali oluşmasını sağlar. ir kaç tip transistör bulunur; bunlardan n çok kullanılan "bipolar" v "alan-tki transistörü" üzrind durulacaktır. ipolar (İki Kutuplu) Transistörlr ipolar transistörlr sırt-sırta yrlştirilmiş iki yarıiltkn diodtur. pnp transistörd n-tip bir bölg iki p-tip bölg arasına sıkıştırılmıştır; npn tip transistör bunun trsi bir yapıdadır. ipolar transistörlr çşitli şkillrd hazırlanabilir, bunlardan ikisi aşağıdaki şkl göstrilmiştir. PNP transistör NPN transistör C E C E p n p n p n (a) Fiziksl yapı C (kollktör) (b) Fiziksl yapı C (kollktör) (bas) E (mittr) (c) Şmatik yapı (bas) E (mittr) (d) Şmatik yapı

7 7 Tüm transistörlrin gnl görünümü: Küçüktürlr. Fazla dopingli dış tabakalardan küçüğün "mittr" büyüğün "kolktör" dnir. İnc (~ 0.02 mm), hafif dopingli "bas" tabakası, mittr il kollktörü birbirindn ayırır. Üç bölg arasında mkanik v lktrik bağlantısı vardır. ir alaşım bağlantı pnp transistörü, çoğunlukla, n-tip bir grmanyum çiptn yapılır. Çipin hr iki tarafı üzrin, indiyum gibi, bir III.Grup mtali plltlri konulur v plltlr rgiyip grmanyum içind çözününcy kadar ısıtılır. Soğutulup kristallndirilir. öylc, inc bir tabaka n-dopingli grmanyumun iki tarafında, iki tan yüksk dopingli p-bölgsi oluşturulur. Tipik bir düzlmsl npn transistörü, silikon dioksid il kaplanmış inc bir n-tip silikon yapraktan hazırlanır. Yaprak oksijn atmosfrind ısıtılarak bir oksit tabakası şklind çöktürülür. p-tip bas bölgsini yapmak için, oksid yüzy üzrind dair şklind bir girinti yapılır; sonra, kristal ısıtılır v boron buharlarına tutularak difüzyonla hafif dopingli, p-tip bölgnin oluşması sağlanır. Tabaka tkrar oksitlnrk ynidn yüzy filmi oluşturulur, sonra orijinal dairnin için daha küçük bir dair girintisi çizilir. u dairsl girintinin, kristalin ısıtılıp fosfor buharlarına tutulmasıyla, difüzyonla yüksk dopingli, n-tip mittr bölg oluşturulur. pnp v npn tip transistörlrin smbollri şkild göstrilmiştir. Emittr bağlantısındaki ok pozitif yük akımının yönünü göstrir. una gör, pozitif yük pnp tipt mittrdn bas, npn tipt is bas dn mittr doğru akar. ir ipolar Transistörün Elktriksl Özlliklri u kısımda bir pnp-tip bipolar transistörün davranışları inclncktir. npn-tip bir transistör d, lktrik akış yönünün trs olması dışında, ayni davranışları göstrir. Elktronik bir sistmdki bir transistörün uçlarından biri giriş bağlanır, ikinci uç çıkış görvi yapar; üçüncü uç ilk iki uca bağlıdır v "gnl" uçtur. u durumda üç şkil olabilir: bir gnl-mittr, bir gnl-kollktör, v bir gnl-tml şkli. Gnlmittr n çok uygulanan bağlantı şklidir v burada dtaylı olarak inclncktir.

8 8 Gnl-mittr şklindki bir pnp transistörünün akımı yüksltmsi şmatik olarak şkild vrilmiştir. urada, yüksltilck küçük bir DC giriş akımı (I ), mittr-bas dvrsin girr; bu akım şkild bas akımı olarak göstrilmiştir. Daha sonra görülcği gibi, altrnatif akım da I il sri hald vrilrk, yüksltilbilir. Yüksltildiktn sonra, DC bilşni bir yüksk-frkans filtrsi il uzaklaştırılır. ir mittr-kollktör dvr, bir sri batarya vya rktifirdn oluşan bir DC kaynağı vya güç kaynağından bslnir. Tipik bir güç kaynağı 9-30 V arasında potansiyl vrir. Kollktör vya çıkış akımı I C, bas giriş akımı I dn oldukça büyüktür. Kollktör akımın büyüklüğü, giriş akımı il doğru orantılıdır I C = I Orantı sabiti ya "akım kazancı" dnir, akım kuvvtlnmsinin bir ölçüsüdür. Kollktör akım mittr akımla da orantılıdır. I C = I E uradaki orantı sabiti ya "düz akım transfr oranı" dnir. I E = I + I C Olduğundan, a = 1 - şitliği yazılabilir. Tipik bir transistörd, aralığında bir dğrdir. ir ipolar Transistör il Kuvvtlndirm (Amplifikasyon) Mkanizması Şkild görüln transistörün mittr-bas yüzylri arası bir forward-biaslı pn, bas-kollktör bölg is bir trs-biaslı np bağlantısıdır. Onda birkaç voltluk bir giriş sinyali uygulandığında forward-biaslı bağlantıdan bir I akımı akar. Trsin, trs biaslu kollktör bas bağlantısının uçları arasından lktrik gçişi, başlıcataşıyıcıların bağlantıdan uzaklaşmasıyla, ngllnir. Forward-biaslı pn bağlantısında, p bölgsindki boşlukların sayısı, n bölgsindki harktli lktronların sayısına hmn hmn şittir. u ndnl, harktliliklrin-

9 9 dki küçük farklılık dışında, dioddaki iltim yüklü iki tip arasında az vya çok şit olarak paylaşılır. kollktör akımı, I C = I E C C p lamba p lamba S 1 n S 1 n p giriş, I p güç kaynağı E I ( A) E I C (ma) bas akımı, I = (1 - ) I E mittr akımı, I E = I C + I İltm yok İltm modu ir pnp transistölü dvrdki akımlar: = ir pnp transistörünün p bölgsinin n bölgsindn daha fazla dopingli olduğu biliniyor. u ndnl, p bölgsindki boşlukların konsantrasyonu, n tabakasındaki harktli lktronların konsantrasyonundan yüz kat vya daha fazladır. u durumda, bu pn bağlantısındaki boşlukların akım-taşıma kapasitsi, lktronların kapasitsindn blki yüz kat daha büyük olur. İki DC kaynağının (giriş bataryası v güç kaynağı) çıkardığı lktronlar p-tip mittr bağlantıda boşluklar oluşturur. u boşluklar sonra, çok inc n-tip bas bölgsin girr v burada bazıları giriş kaynağından gln lktronlarla birlşir; sonuçta, I akımı oluşur. oşlukların çoğu is dar bas tabakasına çkilrk ngatif yüklü kollktör-bağlantıya gidr v burada güç kaynağından gln lktronlarla birlşir; sonuçta, I C kollktör akımı oluşur.

10 10 Kollktör akımın büyüklüğü, mittrdki akım-taşıyıcı boşlukların sayısına bağlıdır. u sayı, giriş bas akımı tarafından çıkarılan lktronların bir sabitl çarpımı kadardır. u ndnl, bas akımı iki-kata çıkarılırsa, kollktör akımı da iki kat yükslir. u bağıntı bir bipolar transistörün akım yüksltm mkanizmasının tmlini oluşturur. Alan Etki Transistörlri (FET) İntgr dvrlrd çok kullanılan birkaç tip alan-tki transistorü (FET) gliştirilmiştir. unlardan birisi amplifikatörlrin giriş dirncini yüksltmk amacıyla yapılmış olan izol-girişli alan tki transistörüdür v giriş impdansları aralığında bulunur. u tip bir transistör, "mtal oxid smiconductor fild-ffct transistör " klimlrin baş harflri alınarak MOSFET sözcüğüyl tanımlanır. Şkild n-doplu bir FET in yapısı göstrilmiştir. urada bir p-tip madd içind iki izol n bölgsi oluşturulmuştur. Hr iki bölg inc bir izol dici silikon dioksit tabakasıyla kaplanmış, bu tabaka da koruyucu bir silikon nitrür tabakasıyla sarılmıştır. u tabakalar arasında boşluklar oluşturularak iki n-bölgsin lktrik tması yapılmıştır. Ayrıca madd il izol tabakası yüzyinin tması da sağlanmıştır. İkinciy "kapı" dnir, çünkü bu lktrotun potansiyli "atık" il "kaynak" arasındaki pozitif akımın büyüklüğünü saptar. Kapı tli v madd arasındaki silikon dioksit izolasyon tabakası, bir FET in yüksk impdansının ndnini açıklar. FET MOSFET P-tip P-tip N-tip + - atık (D) D kaynak (S) kapı (G) - + v i G S I + i v 0

11 11 Yararlanılan Kaynaklar Principls of Instrumntal Analysis, D.A.Skoog, D.M. Wst, II. Ed t ory%20and%20dvics.ppt _CMOS_Procss_Stps/07_CMOS_Dvic_Typs.ppt

İyon Kaynakları ve Uygulamaları

İyon Kaynakları ve Uygulamaları İyon Kaynakları v Uygulamaları E. RECEPOĞLU TAEK-Sarayköy Nüklr Araştırma v Eğitim Mrkzi rdal.rcpoglu rcpoglu@tak.gov.tr HPFBU-2012 2012-KARS KONULAR İyon kaynakları hakkında gnl bilgi İyon kaynaklarının

Detaylı

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir. TEMEL ELEKTRONİK Elektronik: Maddelerde bulunan atomların son yörüngelerinde dolaşan eksi yüklü elektronların hareketleriyle çeşitli işlemleri yapma bilimine elektronik adı verilir. KISA ATOM BİLGİSİ Maddenin

Detaylı

IKTI 102 25 Mayıs, 2010 Gazi Üniversitesi-İktisat Bölümü

IKTI 102 25 Mayıs, 2010 Gazi Üniversitesi-İktisat Bölümü DERS NOTU 10 (Rviz Edildi, kısaltıldı!) ENFLASYON İŞSİZLİK PHILLIPS EĞRİSİ TOPLAM ARZ (AS) EĞRİSİ TEORİLERİ Bugünki drsin içriği: 1. TOPLAM ARZ, TOPLAM TALEP VE DENGE... 1 1.1 TOPLAM ARZ EĞRİSİNDE (AS)

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

- BANT TAŞIYICILAR -

- BANT TAŞIYICILAR - - BANT TAŞIYICILAR - - YAPISAL ÖZELLİKLER Bir bant taşıyıcının nl örünümü aşağıdaki şkild vrilmiştir. Bant taşıyıcıya ismini vrn bant (4) hm taşınacak malzmyi için alan bir kap örvi örn, hm d harkt için

Detaylı

Kayıplı Dielektrik Cisimlerin Mikrodalga ile Isıtılması ve Uç Etkileri

Kayıplı Dielektrik Cisimlerin Mikrodalga ile Isıtılması ve Uç Etkileri Kayıplı Dilktrik Cisimlrin Mikrodalga il Isıtılması v Uç Etkilri Orhan Orhan* Sdf Knt** E. Fuad Knt*** *Univrsity of Padrborn, Hinz ixdorf Institut, Fürstnall, 3302 Padrborn, Almanya orhan@hni.upb.d **Istanbul

Detaylı

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 4: Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri Fotovoltaik Hücre Fotovoltaik Etki Yarıiletken Fiziğin Temelleri Atomik Yapı Enerji Bandı Diyagramı Kristal Yapı Elektron-Boşluk Çiftleri

Detaylı

FİZİK-IV LABORATUVARI

FİZİK-IV LABORATUVARI TAKA ÜNİVESİTESİ FEN-EDEİAT FAKÜLTESİ FİZİK ÖLÜMÜ FİZİK-V LAOATUVA Öğrncinin: Adı Soyadı :............... Nuarası :................ Dny Grubu :........ FİZİK-V LAOATUVA ( FL - ) ALÇAK SCAKLKTA KAACİSİM

Detaylı

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları

4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları Bölüm 7: Elektriksel Özellikler CEVAP ARANACAK SORULAR... Elektriksel iletkenlik ve direnç nasıl tarif edilebilir? İletkenlerin, yarıiletkenlerin ve yalıtkanların ortaya çıkmasında hangi fiziksel süreçler

Detaylı

YENİLENEBİLİR ENERJİ KAYNAKLARI AÇISINDAN RÜZGAR ENERJİSİNİN TÜRKİYE DEKİ KAPASİTESİ ÖZET

YENİLENEBİLİR ENERJİ KAYNAKLARI AÇISINDAN RÜZGAR ENERJİSİNİN TÜRKİYE DEKİ KAPASİTESİ ÖZET YENİLENEBİLİR ENERJİ KAYNAKLARI AÇISINDAN RÜZGAR ENERJİSİNİN TÜRKİYE DEKİ KAPASİTESİ LEVENT YILMAZ Istanbul Tknik Ünivrsitsi, İnşaat Fakültsi, Hidrolik v Su Yapıları Kürsüsü, 8626, Maslak, Istanbul. ÖZET

Detaylı

IŞINIM VE DOĞAL TAŞINIM DENEYİ

IŞINIM VE DOĞAL TAŞINIM DENEYİ IŞINIM VE DOĞAL TAŞINIM DENEYİ MAK-LAB005 1. DENEY DÜZENEĞİNİN TANITILMASI Dny düznği, şkild görüldüğü gibi çlik bir basınç kabının içind yatay olarak asılı duran silindirik bir lman ihtiva dr. Elman bakırdan

Detaylı

Anaparaya Dönüş (Kapitalizasyon) Oranı

Anaparaya Dönüş (Kapitalizasyon) Oranı Anaparaya Dönüş (Kapitalizasyon) Oranı Glir gtirn taşınmazlar gnl olarak yatırım aracı olarak görülürlr. Alıcı, taşınmazı satın almak için kullandığı paranın karşılığında bir gtiri bklr. Bundan ötürü,

Detaylı

DERS 9. Grafik Çizimi, Maksimum Minimum Problemleri

DERS 9. Grafik Çizimi, Maksimum Minimum Problemleri DERS 9 Grafik Çizimi, Maksimum Minimum Problmlri Bundan öncki drst bir fonksiyonun grafiğini çizmk için izlnbilck yol v yapılabilck işlmlr l alındı. Bu drst, grafik çizim stratjisini yani grafik çizimind

Detaylı

ORTAM SICAKLIĞININ SOĞUTMA ÇEVRİMİNE ETKİSİNİN SAYISAL OLARAK MODELLENMESİ

ORTAM SICAKLIĞININ SOĞUTMA ÇEVRİMİNE ETKİSİNİN SAYISAL OLARAK MODELLENMESİ ORTAM SICAKLIĞININ SOĞUTMA ÇEVRİMİNE ETKİSİNİN SAYISAL OLARAK MODELLENMESİ Srkan SUNU - Srhan KÜÇÜKA Dokuz Eylül Ünivrsitsi Makina Mühndisliği Bölümü -posta: srhan.kuuka@du.du.tr Özt: Bu çalışmada, komprsör,

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

BULANIK MANTIK KONTROLLÜ TERMOELEKTRİK BEYİN SOĞUTUCUSU

BULANIK MANTIK KONTROLLÜ TERMOELEKTRİK BEYİN SOĞUTUCUSU BULANIK MANIK KONROLLÜ ERMOELEKRİK BEYİN SOĞUUCUSU A.Hakan YAVUZ 1, Raşit AHISKA 2,Mahmut HEKİM 3 1Niksar Mslk Yükskokulu,Gaziosmanpaşa Ünivrsitsi Niksar,okat 2knik Eğitim Fakültsi,Elktronik Bilgisayar

Detaylı

DERS 9. Grafik Çizimi, Maksimum-Minimum Problemleri. 9.1. Grafik çiziminde izlenecek adımlar. y = f(x) in grafiğini çizmek için

DERS 9. Grafik Çizimi, Maksimum-Minimum Problemleri. 9.1. Grafik çiziminde izlenecek adımlar. y = f(x) in grafiğini çizmek için DERS 9 Grafik Çizimi, Maksimum-Minimum Problmlri 9.. Grafik çizimind izlnck adımlar. y f() in grafiğini çizmk için Adım. f() i analiz diniz. (f nin tanım kümsi, f() in tanımlı olduğu tüm rl sayıların oluşturduğu

Detaylı

Malzemelerin elektriksel özellikleri

Malzemelerin elektriksel özellikleri Malzemelerin elektriksel özellikleri OHM yasası Elektriksel iletkenlik, ohm yasasından yola çıkılarak saptanabilir. V = IR Burada, V (gerilim farkı) : volt(v), I (elektrik akımı) : amper(a) ve R(telin

Detaylı

Günlük Bülten. 27 Şubat 2013. TCMB, Şubat ayı PPK toplantısı özetini yayınladı

Günlük Bülten. 27 Şubat 2013. TCMB, Şubat ayı PPK toplantısı özetini yayınladı 27 Şuat 2013 Çarşama Günlük Bültn İMKB vrilri İMKB 100 77,514.3 Piyasa Dğri-TÜM ($m) 302,886.2 Halka Açık Piyasa Dğri-TÜM ($m) 86,403.0 Günlük İşlm Hacmi-TÜM ($m) 1,629.94 Yurtdışı piyasalar Borsalar Kapanış

Detaylı

AKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER

AKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER YARI İLETKENLER Doğada bulunan atamlar elektriği iletip-iletmeme durumuna görene iletken, yalıtkan ve yarı iletken olarak 3 e ayrılırlar. İletken maddelere örnek olarak demir, bakır, altın yalıtkan maddeler

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

Bağımsızlığının 20. Yılında Azerbaycan

Bağımsızlığının 20. Yılında Azerbaycan Bağımsızlığının 20. Yılında Azrbaycan Dr. Ali ASKER* 1980 lrin ortalarından itibarn Sovytlr Birliğind uygulanan ynidn yapılanma v saydamlık politikalarının amacı (n azından sözd), dmokratiklşm yoluyla

Detaylı

Bilgi Tabanı (Uzman) Karar Verme Kontrol Kural Tabanı. Bulanık. veya. Süreç. Şekil 1 Bulanık Denetleyici Blok Şeması

Bilgi Tabanı (Uzman) Karar Verme Kontrol Kural Tabanı. Bulanık. veya. Süreç. Şekil 1 Bulanık Denetleyici Blok Şeması Bulanık Dntlyicilr Bilgi Tabanı (Uzman) Anlık (Kskin) Girişlr Bulandırma Birimi Bulanık µ( ) Karar Vrm Kontrol Kural Tabanı Bulanık µ( u ) Durulama Birimi Anlık(Kskin) Çıkış Ölçklm (Normali zasyon) Sistm

Detaylı

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI KONDANSATÖR Kondansatör iki iletken plaka arasına bir yalıtkan malzeme konarak elde edilen ve elektrik enerjisini elektrostatik enerji olarak depolamaya

Detaylı

kirişli döşeme Dört tarafından kirişlere oturan döşemeler Kenarlarının bazıları boşta olan döşemeler Boşluklu döşemeler Düzensiz geometrili döşemeler

kirişli döşeme Dört tarafından kirişlere oturan döşemeler Kenarlarının bazıları boşta olan döşemeler Boşluklu döşemeler Düzensiz geometrili döşemeler Kirişli döşmlr Dört tarafından irişlr oturan döşmlr Knarlarının bazıları boşta olan döşmlr Boşlulu döşmlr Düznsiz gomtrili döşmlr bir tarafı irişli üç tarafı boşta döşm (Konsol döşm) Đi tarafı irişli ii

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel

Detaylı

YÜK KANCALARI VİDALI BAĞLANTILARINDA KULLANILAN FARKLI VİDA DİŞ PROFİLLERİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ GERİLME ANALİZİ

YÜK KANCALARI VİDALI BAĞLANTILARINDA KULLANILAN FARKLI VİDA DİŞ PROFİLLERİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ GERİLME ANALİZİ . Ulusal Tasarım İmalat v Analiz Kongrsi 11-1 Kasım 010- Balıksir YÜK KANCALARI VİDALI BAĞLANTILARINDA KULLANILAN FARKLI VİDA DİŞ PROFİLLERİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ GERİLME ANALİZİ Aydın DEMİRCAN*, M. Ndim

Detaylı

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net Yük Elektriksel yük maddelerin temel özelliklerinden biridir. Elektriksel yükün iki temel

Detaylı

doldurulması sırasında yayınlanan karakteristik X-ışınlarını bulması

doldurulması sırasında yayınlanan karakteristik X-ışınlarını bulması BETA () BOZUNUMU Çkirdklrin lktron yayınlamaları yy ilk gözlnn radyoaktif olaylardan birisidir. Çkirdğin atom lktronlarından birisini yakalaması, 1938 d Amrikalı fizikci Luis Waltr Alvarz in çkirdk k tarafından

Detaylı

MANYEZİT ARTIĞI KULLANILARAK SULU ÇÖZELTİLERDEN Co(II) İYONLARININ GİDERİMİ

MANYEZİT ARTIĞI KULLANILARAK SULU ÇÖZELTİLERDEN Co(II) İYONLARININ GİDERİMİ Onuncu Ulusal Kimya Mühndisliği Kongrsi, 3-6 Eylül 1, Koç Ünivrsitsi, İstanbul MANYEZİT ARTIĞI KULLANILARAK SULU ÇÖZELTİLERDEN Co(II) İYONLARININ GİDERİMİ İlkr KIPÇAK, Turgut Giray ISIYEL Eskişhir Osmangazi

Detaylı

DESTEK DOKÜMANI. Mali tablo tanımları menüsüne Muhasebe/Mali tablo tanımları altından ulaşılmaktadır.

DESTEK DOKÜMANI. Mali tablo tanımları menüsüne Muhasebe/Mali tablo tanımları altından ulaşılmaktadır. Mali Tablolar Mali tablo tanımları mnüsün Muhasb/Mali tablo tanımları altından ulaşılmatadır. Mali tablolarla ilgili yapılabilc işlmlr ii gruba ayrılır. Mali Tablo Tanımları Bu bölümd firmanın ullanacağı

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Günlük Bülten. Günlük Bülten

Günlük Bülten. Günlük Bülten 0 Oak 203 Prşmb Günlük Bültn İMKB vrilri İMKB 00 8,49. Piyasa Dğri-TÜM ($m) 320,064.6 Halka Açık Piyasa Dğri-TÜM ($m) 92,060.8 Günlük İşlm Hami-TÜM ($m) 2,046.97 Yurtdışı piyasalar Borsalar Kapanış % Dğ.

Detaylı

Kirişli döşemeler (plaklar)

Kirişli döşemeler (plaklar) Kirişli döşmlr (plaklar) Dört tarafından kirişlr oturan döşmlr Knarlarının bazıları boşta olan döşmlr Boşluklu döşmlr Düznsiz gomtrili döşmlr Üç tarafı kirişli bir tarafı boşta döşm Bir tarafı kirişli

Detaylı

B OSC2 VOD PIC16F84 MİKRODENETLEYİCİSİ KULLANILARAK CİHAZLARIN TELEFON İLE KONTROLÜNE BİR UYGULAMA. Rabman YAKAR, Etem KÖKLÜKAYA.

B OSC2 VOD PIC16F84 MİKRODENETLEYİCİSİ KULLANILARAK CİHAZLARIN TELEFON İLE KONTROLÜNE BİR UYGULAMA. Rabman YAKAR, Etem KÖKLÜKAYA. SAU Fn Bilimlri Enstitüsü Drgisi PIC16F84 Mikrodntlcisi Kullanılarak Ciaziarın Tlfon D Kontrolün Bir Uygulama PIC16F84 MİKRODENETLEYİCİSİ KULLANILARAK CİHAZLARIN TELEFON İLE KONTROLÜNE BİR UYGULAMA Rabman

Detaylı

ÖLÇME VE ÖLÇÜ ALETLERİ

ÖLÇME VE ÖLÇÜ ALETLERİ ÖLÇME VE ÖLÇÜ ALETLERİ 1. KISA DEVRE Kısa devre; kırmızı, sarı, mavi, nötr ve toprak hatlarının en az ikisinin birbirine temas ederek elektriksel akımın bu yolla devresini tamamlamasıdır. Kısa devre olduğunda

Detaylı

YENİ NESİL CAM KORKULUK SİSTEMLERİ

YENİ NESİL CAM KORKULUK SİSTEMLERİ F Mtal v Rklam Ürünlri San Tic AŞ YENİ NESİL CAM KORKULUK SİSTEM F TAL v NTİCAŞ Zmin Üstü Bağlantılı EGANT Srisi C50 Elgant srisi yüksk mimari standarttaki yapıların, dğrin, sağlamlığı v sttiği il dğr

Detaylı

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER

ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.

Detaylı

Çay Atıklarından Aktif Karbon Üretimi ve Adsorpsiyon Proseslerinde Kullanımı

Çay Atıklarından Aktif Karbon Üretimi ve Adsorpsiyon Proseslerinde Kullanımı ÖZET Çay Atıklarından Aktif Karbon Ürtimi v Adsorpsiyon Prosslrind Kullanımı Mrym OZMAK a, Işıl Gürtn b, Emin YAĞMUR b, Zki AKTAŞ b a DSİ Gn.Md. TAKK Dairsi Başkanlığı, Ankara, 61 b Ankara Ünivrsitsi Mühndislik

Detaylı

LOGARİTMA. Örnek: çizelim. Çözüm: f (x) a biçiminde tanımlanan fonksiyona üstel. aşağıda verilmiştir.

LOGARİTMA. Örnek: çizelim. Çözüm: f (x) a biçiminde tanımlanan fonksiyona üstel. aşağıda verilmiştir. LOGARİTMA I. Üstl Fonksiyonlr v Logritmik Fonksiyonlr şitliğini sğlyn dğrini bulmk için ypıln işlm üs lm işlmi dnir. ( =... = 8) y şitliğini sğlyn y dğrini bulmk için ypıln işlm üslü dnklmi çözm dnir.

Detaylı

SÜLFÜRİK ASİTLE DEHİDRATE EDİLEN BUĞDAY KEPEĞİ İLE Cu(II) İYONLARININ ADSORPSİYONU

SÜLFÜRİK ASİTLE DEHİDRATE EDİLEN BUĞDAY KEPEĞİ İLE Cu(II) İYONLARININ ADSORPSİYONU SÜLFÜRİK ASİTLE DEHİDRATE EDİLEN BUĞDAY KEPEĞİ İLE Cu(II) İYONLARININ ADSORPSİYONU A. ÖZER, D.ÖZER Fırat Ünivrsitsi, Mühndislik Fakültsi, Kimya Mühndisliği Bölümü. 23279-ELAZIĞ ÖZET Bu çalışmada, sülfürik

Detaylı

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri

12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri 12. Ders Yarıiletkenlerin lektronik Özellikleri T > 0 o K c d v 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Yalıtkan, yarıiletken, iletken, Doğrudan (direk) ve dolaylı (indirek) bant aralığı, tkin kütle, devingenlik,

Detaylı

Ödülü hayat olanlar için... Ayrıcalığı ile

Ödülü hayat olanlar için... Ayrıcalığı ile Ödülü hayat olanlar için... Ayrıcalığı il Bylikdüzü nd özlnn bir hayat... Huzur dolu mkanlar, yüksk konforlu yaşamlar Bylikdüzü Kavaklı da, bölgnin glişmkt olan n önmli yrlrindn birind sizin için ypyni

Detaylı

Dr. Fatih AY. Tel: 0 388 225 22 55 ayfatih@nigde.edu.tr

Dr. Fatih AY. Tel: 0 388 225 22 55 ayfatih@nigde.edu.tr Dr. Fatih AY Tel: 0 388 225 22 55 ayfatih@nigde.edu.tr Güneş Pillerinin Yapısı ve Elektrik Üretimi Güneş Pillerinin Yapımında Kullanılan Malzemeler Güneş Pilleri ve Güç Sistemleri PV Sistemleri Yardımcı

Detaylı

YAKLAŞIM SENSÖRLERİ (PROXIMITY) Endüktif, Kapasitif ve Optik Yaklaşım Sensörleri

YAKLAŞIM SENSÖRLERİ (PROXIMITY) Endüktif, Kapasitif ve Optik Yaklaşım Sensörleri YAKLAŞIM SENSÖRLERİ (PROXIMITY) Endüktif, Kapasitif ve Optik Yaklaşım Sensörleri Sanayi fabrika otomasyonunda proximity (yaklasım) sensorler kullanılır. Porximity sensorler profesyonel yapıda cevre sartlarından

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

Ruppert Hız Mekanizmalarında Optimum Dişli Çark Boyutlandırılması İçin Yapay Sinir Ağları Kullanımı

Ruppert Hız Mekanizmalarında Optimum Dişli Çark Boyutlandırılması İçin Yapay Sinir Ağları Kullanımı Makin Tknolojilri Elktronik Drgisi Cilt: 6, No: 2, 2009 (-8) Elctronic Journal of Machin Tchnologis Vol: 6, No: 2, 2009 (-8) TEKNOLOJİK ARAŞTIRMALAR www.tknolojikarastirmalar.com -ISSN:304-44 Makal (Articl)

Detaylı

NEM ALMALI SOĞUTMA SİSTEMLERİ

NEM ALMALI SOĞUTMA SİSTEMLERİ NEM ALMALI SOĞUTMA SİSTEMLERİ Alpr YILMAZ, Hüsamttin BULUT Çukurova Ünivrsitsi, Makina Mühndisliği Bölümü, 01330-ADANA ÖZET Son yıllarda iklimlndirm tknolojisind hızlı glişmlr yaşanmaktadır. Ozon tabakasına

Detaylı

TANITIM ve KULLANIM KILAVUZU. Modeller UBA4234-R. Versiyon : KK_UBA_V3.0210

TANITIM ve KULLANIM KILAVUZU. Modeller UBA4234-R. Versiyon : KK_UBA_V3.0210 SAT-IF / CATV Ultra Gniş Bantlı Dağıtım Yükslticilri (UBA-Srisi) TANITIM v KULLANIM KILAVUZU Modllr UBA4234-R Vrsiyon : KK_UBA_V3.0210 1.Gnl Tanıtım UBA Srisi Dağıtım Yükslticilri, uydu (950-2150MHz) v

Detaylı

KANUN TOHUMCULUK KANUNU. Kanun No. 5553 Kabul Tarihi : 31/10/2006 BİRİNCİ BÖLÜM. Amaç, Kapsam ve Tanımlar

KANUN TOHUMCULUK KANUNU. Kanun No. 5553 Kabul Tarihi : 31/10/2006 BİRİNCİ BÖLÜM. Amaç, Kapsam ve Tanımlar 8 Kasım 2006 ÇARŞAMBA Rsmî Gazt Sayı : 26340 KANUN TOHUMCULUK KANUNU Kanun No. 5553 Kabul Tarihi : 31/10/2006 Amaç BİRİNCİ BÖLÜM Amaç, Kapsam v Tanımlar MADDE 1 Bu Kanunun amacı; bitkisl ürtimd vrim v

Detaylı

Infrared Kurutucuda Ayçiçeği Tohumlarının Kuruma Davranışı ve Kuruma Modellerine Uyum Analizi

Infrared Kurutucuda Ayçiçeği Tohumlarının Kuruma Davranışı ve Kuruma Modellerine Uyum Analizi Fırat Üniv. Mühndislik Bilimlri Drgisi Fırat Univ. Journal of Enginring 7(1), 51-56, 015 7(1), 51-56, 015 Infrard Kurutucuda Ayçiçği Tohumlarının Kuruma Davranışı v Kuruma Modllrin Uyum Analizi Özt * Mhmt

Detaylı

VOLEYBOLCULARIN FARKLI MAÇ PERFORMANSLARI İÇİN TEKRARLANAN ÖLÇÜMLER YÖNTEMİNİN KULLANILMASI

VOLEYBOLCULARIN FARKLI MAÇ PERFORMANSLARI İÇİN TEKRARLANAN ÖLÇÜMLER YÖNTEMİNİN KULLANILMASI 96 OLEBOLCULAIN FAKLI MAÇ PEFOMANSLAI İÇİN TEKALANAN ÖLÇÜMLE ÖNTEMİNİN KULLANILMASI ÖET Gürol IHLIOĞLU Süha KAACA Farklı yr, zaman v matryallr üzrind tkrarlanan dnylr il bir vya birdn fazla faktörün tkisi

Detaylı

BÖLÜM II A. YE Đ BETO ARME BĐ ALARI TASARIM ÖR EKLERĐ ÖR EK 2

BÖLÜM II A. YE Đ BETO ARME BĐ ALARI TASARIM ÖR EKLERĐ ÖR EK 2 BÖLÜ II A. YE Đ BETO ARE BĐ ALARI TASARI ÖR EKLERĐ ÖR EK SÜ EKLĐK DÜZEYĐ YÜKSEK 6 KATLI BETO ARE PERDELĐ / ÇERÇEELĐ BĐ A SĐSTEĐ Đ EŞDEĞER DEPRE YÜKÜ YÖ TEĐ ĐLE A ALĐZĐ E TASARII.1. GENEL BĐNA BĐLGĐLERĐ...II./..

Detaylı

Mühendisler İçin DİFERANSİYEL DENKLEMLER

Mühendisler İçin DİFERANSİYEL DENKLEMLER Mühndislr İçin DİFERANSİYEL DENKLEMLER Doç. Dr. Tahsin Engin Prof. Dr. Yunus A. Çngl Sakara Ünivrsitsi Makina Mühndisliği Bölümü Elül 8 SAKARYA - - Mühndislr İçin Difransil Dnklmlr İÇİNDEKİLER BÖLÜM BİRİNCİ

Detaylı

BİLEŞENLER. Demiryolu Araçları için yüksek hızlı DC devre kesiciler Tip UR6, UR10 ve UR15

BİLEŞENLER. Demiryolu Araçları için yüksek hızlı DC devre kesiciler Tip UR6, UR10 ve UR15 İLŞNLR miryolu raçları için yüksk hızlı dvr ksicilr Tip R, R v R Gnl bilgi R, R v R; doğal soğutmalı, açmasız, tk kutuplu, çift yönlü, lktromanytik üflmli, lktrik kontrol dvrlrin v doğrudan aşırı akım

Detaylı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan

Detaylı

ISI GERİ KAZANIMI (Çapraz Akış) DENEY FÖYÜ

ISI GERİ KAZANIMI (Çapraz Akış) DENEY FÖYÜ ISI GERİ KAZANIMI (Çapraz Akış) DENEY FÖYÜ (Dny Yürüücüsü: Arş. Gör. Doğan ERDEMİR) Dnyin Amacı v Dny Hakkında Gnl Bilgilr Dnyin amacı sı gri kazanımı (çapraz akış) sismlrind;. Sıcaklık dğişimlrinin ölçümü

Detaylı

ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM

ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM ATOM HAREKETLERİ ve ATOMSAL YAYINIM 1. Giriş Malzemelerde üretim ve uygulama sırasında görülen katılaşma, çökelme, yeniden kristalleşme, tane büyümesi gibi olaylar ile kaynak, lehim, sementasyon gibi işlemler

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

JeoTes BASINÇLI KAPLAR

JeoTes BASINÇLI KAPLAR SINÇI KPR Okul, astan, spor tsislri, alışvriş mrkzlri v yüzm avuzları gibi sosyal tsislrd, askri tsislrd, yurt, lojman, apartman v toplu konutlarda, mrkzi ısıtma, soğutma v sıcak su sistmlrind, akümülasyon

Detaylı

ME 407 Mechanical Engineering Design

ME 407 Mechanical Engineering Design ME 407 Mechanical Engineering Design Temel Elektroniğe Giriş Eğitimi B.Ş. Özden 09.11.2012 ME 407 Temel Elektroniğe Giriş Eğitimi 1 Elektrik 09.11.2012 ME 407 Temel Elektroniğe Giriş Eğitimi 2 Elektrik

Detaylı

BÖLÜM 1 YARIİLETKENLERİN TANITILMASI. Konular: Amaçlar:

BÖLÜM 1 YARIİLETKENLERİN TANITILMASI. Konular: Amaçlar: BÖLÜM 1 YARIİLETKENLERİN TANITILMASI Konular: 1.1 Atomik Yapı 1.2 Yarıiletken, İletken ve Yalıtkan 1.3 Yarıiletkenlerde İletkenlik 1.4 N Tipi ve P tipi Yarıiletkenler 1.5 PN Bitişimi (eklemi) ve Diyot

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

TÜRK EKONOMİSİNDE PARA İKAMESİNİN BELİRLEYİCİLERİNİN SINIR TESTİ YAKLAŞIMI İLE EŞ-BÜTÜNLEŞME ANALİZİ

TÜRK EKONOMİSİNDE PARA İKAMESİNİN BELİRLEYİCİLERİNİN SINIR TESTİ YAKLAŞIMI İLE EŞ-BÜTÜNLEŞME ANALİZİ TÜRK EKONOMİSİNDE PARA İKAMESİNİN BELİRLEYİCİLERİNİN SINIR TESTİ YAKLAŞIMI İLE EŞ-BÜTÜNLEŞME ANALİZİ Cünyt DUMRUL * ÖZ Bu çalışma ticarî dışa açıklık, bklnn döviz kuru, bklnn nflasyon oranı v Türkiy il

Detaylı

Malzeme Güvenliği Bilgi Formu (EC) No. 1907/2006 (REACH) Düzenlemesi ile uyumludur Hazırlandığı tarih: 02/03/09 Revize edildiği tarih: 12/11/12

Malzeme Güvenliği Bilgi Formu (EC) No. 1907/2006 (REACH) Düzenlemesi ile uyumludur Hazırlandığı tarih: 02/03/09 Revize edildiği tarih: 12/11/12 BÖLÜM 1. MADDENİN/KARIŞIMIN VE FİRMANIN/İŞLETMENİN TANIMI 1.1 Ürün kimliği: EB25SS Ticari isim: Ekstra Güçlü Pisuar Kapakları 1.2 Maddnin vya karışımın blirtiln ilgili kullanımları v blirtiln kullanımlara

Detaylı

BÖLÜM 3. Bobin bir yalıtkan makara (mandren veya karkas) üzerine belirli sayıdaki sarılmış tel grubudur.

BÖLÜM 3. Bobin bir yalıtkan makara (mandren veya karkas) üzerine belirli sayıdaki sarılmış tel grubudur. TEMEL ELEKTRONİK BÖLÜM 3 BOBİNLER SABİT BOBİNLER VE YAPILARI Bobin bir yalıtkan makara (mandren veya karkas) üzerine belirli sayıdaki sarılmış tel grubudur. Kullanım yerine göre, makara içerisi boş kalırsa

Detaylı

Günlük Bülten. 27 Aralık 2012. Merkez Bankası Baş Ekonomisti Hakan Kara 2012 yılının %6 civarında enflasyonla tamamlanacağını düşündüklerini söyledi

Günlük Bülten. 27 Aralık 2012. Merkez Bankası Baş Ekonomisti Hakan Kara 2012 yılının %6 civarında enflasyonla tamamlanacağını düşündüklerini söyledi 27 Aralık 2012 Prşmb Günlük Bültn İMKB vrilri İMKB 100 77,991.1 Piyasa Dğri-TÜM ($m) 304,387.4 Halka Açık Piyasa Dğri-TÜM ($m) 87,677.3 Günlük İşlm Hami-TÜM ($m) 1,243.42 Yurtdışı piyasalar Borsalar Kapanış

Detaylı

28.02.2012 ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

28.02.2012 ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI Transistör 20. yüzyılın en büyük buluşlarından biri olduğu düşülmektedir. İnsanlığın aya gitmesi, giderek daha küçük ve daha etkili bilgisyarların yapılması, kulak içi işitme

Detaylı

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları 1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik

Detaylı

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK BÖLÜM 5 DİYOT ÇEŞİTLERİ 1) KRİSTAL DİYOT 2) ZENER DİYOT 3) TÜNEL DİYOT 4) IŞIK YAYAN DİYOT (LED) 5) FOTO DİYOT 6) AYARLANABİLİR KAPASİTELİ DİYOT (VARAKTÖR - VARİKAP) DİĞER DİYOTLAR 1) MİKRODALGA DİYOTLARI

Detaylı

Günlük Bülten. 26 Şubat 2013. İtalya da seçim sonuçları belli oldu

Günlük Bülten. 26 Şubat 2013. İtalya da seçim sonuçları belli oldu 26 Şuat 2013 Salı Günlük Bültn İMKB vrilri İMKB 100 76,670.3 Piyasa Dğri-TÜM ($m) 302,093.4 Halka Açık Piyasa Dğri-TÜM ($m) 86,034.3 Günlük İşlm Hacmi-TÜM ($m) 1,341.46 Yurtdışı piyasalar Borsalar Kapanış

Detaylı

Günlük Bülten. 05 Mart 2013. Şubat ayında TÜFE %0.30 arttı, ÜFE %0.13 azaldı. Şubat ayında elektrik tüketimi %6 düşüş gösterdi

Günlük Bülten. 05 Mart 2013. Şubat ayında TÜFE %0.30 arttı, ÜFE %0.13 azaldı. Şubat ayında elektrik tüketimi %6 düşüş gösterdi XU 100 U SD /TR Y (S ağ taraf) 05 Mart 2013 Salı Günlük Bültn İMKB vrilri İMKB 100 80,612.2 Piyasa Dğri-TÜM ($m) 315,101.9 Halka Açık Piyasa Dğri-TÜM ($m) 89,968.2 Günlük İşlm Hacmi-TÜM ($m) 1,595.93 Şuat

Detaylı

ELEKTROKİMYASAL REAKSİYONLAR

ELEKTROKİMYASAL REAKSİYONLAR KOROZYON GİRİ Çevresel etkenler veya çalışma ortamının koşullarından dolayı meydana gelen bozunmalara; Korozyon Oksidasyon olarak isimlendirilir. Gelişmiş ülkelerin yıllık gelirlerinin yaklaşık %5 lik

Detaylı

VT 265 www.whirlpool.com

VT 265 www.whirlpool.com VT 265.hirlpool.com 1 KURULUM BAĞLANTIYI YAPMADAN ÖNCE AYAR LEVHASI ÜZERINDE BELIRTILEN VOLTAJIN, vinizd mvcut voltaj il aynı olduğundan min olunuz. FIRININ IÇ KISMINDAKI KENARDA BULUNAN MIKRODALGA GIRIŞ

Detaylı

DERS 7. Türev Hesabı ve Bazı Uygulamalar II

DERS 7. Türev Hesabı ve Bazı Uygulamalar II DERS 7 Türv Hsabı v Bazı Uygulamalar II Bu rst bilşk fonksiyonlarının türvi il ilgili zincir kuralını, üstl v logaritmik fonksiyonların türvlrini, ortalama v marjinal ortalama ğrlri; rsin sonuna oğru,

Detaylı

01.04.2010. Tambur dişlisinin tambura montajı

01.04.2010. Tambur dişlisinin tambura montajı 01.04.0 TAMBURLAR Kaldırma makinalarında kullanılan tamburların yapısı aşağıdaki şkild görülmktdir. 1 4 Tambur dişlisinin tambura montajı 5 6 1 01.04.0 Tamburların yataklanma v tahrik skillri aşağıdaki

Detaylı

BÖLÜM 7. Sürekli hal hatalarının değerlendirilmesinde kullanılan test dalga şekilleri: Dalga Şekli Giriş Fiziksel karşılığı. Sabit Konum.

BÖLÜM 7. Sürekli hal hatalarının değerlendirilmesinde kullanılan test dalga şekilleri: Dalga Şekli Giriş Fiziksel karşılığı. Sabit Konum. 9 BÖLÜM 7 SÜRELİ HAL HATALARI ontrol itmlrinin analizind v dizaynında üç özlliğ odaklanılır, bunlar ; ) İtniln bir gçici hal cvabı ürtmk. ( T, %OS, ζ, ω n, ) ) ararlı olmaı. ıaca kutupların diky knin olunda

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak

RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu. Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak RÖNTGEN FİZİĞİ X-Işını oluşumu Doç. Dr. Zafer KOÇ Başkent Üniversitesi Tıp Fak X-IŞINI TÜPÜ X-IŞINI TÜPÜ PARÇALARI 1. Metal korunak (hausing) 2. Havası alınmış cam veya metal tüp 3. Katot 4. Anot X-ışın

Detaylı

Malzeme Bilgisi Prof. Dr. Akgün ALSARAN. Mekanizma ve etkileyen faktörler Difüzyon

Malzeme Bilgisi Prof. Dr. Akgün ALSARAN. Mekanizma ve etkileyen faktörler Difüzyon Malzeme Bilgisi Prof. Dr. Akgün ALSARAN Mekanizma ve etkileyen faktörler Difüzyon İçerik Difüzyon nedir Difüzyon mekanizmaları Difüzyon eşitlikleri Difüzyonu etkileyen faktörler 2 Difüzyon nedir Katı içerisindeki

Detaylı

Günlük Bülten. 06 Mart 2013. Merkez Bankası, Şubat Ayı Fiyat Gelişmelerini açıkladı. Yurtiçi otomotiv satışları Şubat ta geçen yıla göre %17 arttı

Günlük Bülten. 06 Mart 2013. Merkez Bankası, Şubat Ayı Fiyat Gelişmelerini açıkladı. Yurtiçi otomotiv satışları Şubat ta geçen yıla göre %17 arttı XU 100 US D/TRY (Sağ taraf) 06 Mart 2013 Çarşama Günlük Bültn İMKB vrilri İMKB 100 81,051.2 Piyasa Dğri-TÜM ($m) 318,088.0 Halka Açık Piyasa Dğri-TÜM ($m) 90,822.1 Günlük İşlm Hacmi-TÜM ($m) 1,695.51 Yurtdışı

Detaylı

PNOZ Emniyet Röleleri

PNOZ Emniyet Röleleri PNOZ Emniyt Röllri Emniyt Röllri PNOZ X, PNOZsigma v PNOZlog, Modülr mniyt röllri PNOZmulti v PNOZpowr Hr talp için uygun mniyt çözümü. İş Faaliytlri Excllnt Componnts Snsör tknolojisi Emniyt şaltrlri

Detaylı

Elektrik akımını bir değere kadar akmasına izin vermeyen bu değerden sonra sonsuz küçük direnç gösteren maddelerdir.

Elektrik akımını bir değere kadar akmasına izin vermeyen bu değerden sonra sonsuz küçük direnç gösteren maddelerdir. YARI İLETKENLER Elektrik akımını bir değere kadar akmasına izin vermeyen bu değerden sonra sonsuz küçük direnç gösteren maddelerdir. Yarı iletkenler periyodik cetvelde 3. ve 5. gruba girerler. Bu demektir

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır.

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. BÖLÜM 2 KONDANSATÖRLER Önbilgiler: Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. Yapısı: Kondansatör şekil 1.6' da görüldüğü gibi, iki iletken plaka arasına yalıtkan bir maddenin

Detaylı

ELEKTROTEKNİK VE ELEKTRİK ELEMANLARI

ELEKTROTEKNİK VE ELEKTRİK ELEMANLARI ELEKTROTEKNİK VE ELEKTRİK ELEMANLARI HAZIRLAYAN DOÇ.DR. HÜSEYİN BULGURCU 1 Balıkesir-2015 DERS KONULARI 1. Elektriğin Temelleri 2. Elektriksel Test Cihazları 3. Elektrik Enerjisi 4. Termostatlar 5. Röleler

Detaylı

Atom Y Atom ap Y ısı

Atom Y Atom ap Y ısı Giriş Yarıiletken Malzemeler ve Özellikleri Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Atom Yapısı Maddenin en küçük parçası olan atom, merkezinde bir çekirdek ve etrafında dönen elektronlardan oluşur. Çekirdeği oluşturan

Detaylı

GEBAM BÜLTENİ. Hacettepe Üniversitesi GERİATRİK BİLİMLER Araştırma ve Uygulama Merkezi. Geriatri ve Gerontoloji Kursu

GEBAM BÜLTENİ. Hacettepe Üniversitesi GERİATRİK BİLİMLER Araştırma ve Uygulama Merkezi. Geriatri ve Gerontoloji Kursu 2007 www.gbam.hacttp.du.tr GEBAM BÜLTENİ Hacttp Ünivrsitsi GERİATRİK BİLİMLER Araştırma v Uygulama Mrkzi Griatri v Grontoloji Kursu Ülkmizd hr yıl Mart ayında çşitli tkinliklrin grçklştiği Ulusal Yaşlılar

Detaylı

ALTI TEKERLEKLİ TAŞITIN DİNAMİK ANALİZİ

ALTI TEKERLEKLİ TAŞITIN DİNAMİK ANALİZİ Altı krlkli aşıtın Dinamik Analizi HAVACILIK VE UZAY EKNOLOJİLERİ DERGİSİ EMMUZ 5 CİL SAYI (1-14) ALI EKERLEKLİ AŞIIN DİNAMİK ANALİZİ Cihan DEMİR Yıldız knik Ünivrsitsi, Makin Fakültsi, Makin Mühndisliği

Detaylı

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon

Detaylı

Şekil 1.1. Hidrojen atomu

Şekil 1.1. Hidrojen atomu ANALOG ELEKTRONİK ANALOG ELEKTRONİK... i A. KISA ATOM BİLGİSİ...1 Giriş...1 Yörünge ve Kabuk...1 Enerji Bantları...2 İletken, Yarı İletken ve Yalıtkanlar...4 Kovalent Bağ...5 Saf Yarı İletken Malzemenin

Detaylı

Günlük Bülten. 26 Aralık 2012. Merkez Bankası Erdem Başçı 2013 Yılı Para ve Kur Politikası nı açıkladı

Günlük Bülten. 26 Aralık 2012. Merkez Bankası Erdem Başçı 2013 Yılı Para ve Kur Politikası nı açıkladı 26 Aralık 2012 Çarşamba Günlük Bültn İMKB vrilri İMKB 100 77,596.2 Piyasa Dğri-TÜM ($m) 302,542.1 Halka Açık Piyasa Dğri-TÜM ($m) 87,060.7 Günlük İşlm Hami-TÜM ($m) 976.12 Yurtdışı piyasalar Borsalar Kapanış

Detaylı