metal (bakır) metaloid (silikon) metal olmayan (cam) iletken yar ı iletken yalıtkan
|
|
- Pinar Budak
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 1 YARI İLETKENLER Enstrümantal Analiz ir yarı iltkn, iltknliği bir iltkn il bir yalıtkan arasında olan kristal bir malzmdir. Çok çşitli yarıiltkn malzm vardır, silikon v grmanyum, mtalimsi bilşiklr (silikon karbür gibi), v çşitli organik bilşiklr bunlardan bazılarıdır. Elktronik altlrin yapımında kullanılan iki önmli yarıiltkn malzm kristal silikon v grmanyumdur; inclmlrimiz bu yarıiltknlri kapsayacaktır. mtal (bakır) mtaloid (silikon) mtal olmayan (cam) iltkn yar ı iltkn yalıtkan Tanımlar pn ağlantısı: p-tip v n-tip yarı iltkn malzmlr arasındaki sınır. Diyot: Sadc bir yönd akım gçmsin olanak vrn bir lktronik alt. Engl (ariyr) Potansiyli: ir pn bağlantı diyotunun tüktm bölgsindki potansiyl. Düz (Forward) ias: ir diyotun akım ilttiği koşul. Trs (Rvrs) ias: ir diyotun akımı nglldiği koşul. Fotodiyod: Trs dirnci, gln ışıkla dğişn bir diyottur.
2 2 1. Silikon v Grmanyum Yarıiltknlr Silikon v grmanyum IV.Grup lmntlrindndir v bağ yapabiln dört valans lktronları bulunur. Silikon kristalind bir silikon atomunun hr bir lktronu, diğr bir silikon atomunun bir lktronu il kovalnt bağ oluşturduğundan harktsizdir. una gör kristal silikonda srbst lktron bulunmaz, v maddnin bir yalıtkan özlliği göstrmsi bklnir. Grçkt is oda sıcaklığında, bir lktronun srbst kalmasına ytck kadar ısıl çalkalanma vardır, böylc bağlardan kopan bir lktron kristal dokusu içind dolaşır v lktriği iltir. ir lktronun bu şkild ısıl "uyarılması" pozitif yüklü bir bölgnin oluşmasına yol açar, buna "boşluk" dnir v silikon atomunu blirtir. oşluk da harktlidir, v kristalin lktrik iltimin yardımcı olur. oşluğun harkt mkanizması kadmlidir; lktronca zayıf bölgy, komşu silikon atomundan bağlı bir lktron atlar v kndi yrind pozitif bir boşluk bırakır. ıraktığı boşluğa, oradaki atomun yanındaki atomdan yni bir - lktron atlaması il olay dvam dr. öylc lktron harktinin trs yönün doğru boşluk oluşması dvam dr. u açıklamaya gör, bir yarıiltknin iltknliği ısıl lktronun bir yönd, boşlukların is diğr yöndki harktlrindn kaynaklanır. ir silikon vya grmanyum kristalinin iltknliği "doping" yapılarak çok fazla artırılabilir. Doping, ufacık v miktarı kontrol dilbiln bir safsızlığın kristal yapısına sokulmasıdır. ir silikon yarıiltkn konulan doping maddsi arsnik vya antimon gibi bir V. grup lmnti, vya indiyum vya galyum gibi bir III. grup lmnti olabilir. Donor (Vrici) vya n-tip Safsızlık: ir V. grup lmnti atomunun kristal örgüsündki bir silikon atomu il yr dğiştirmsi durumunda, yapıya bir tan bağlı olmayan lktron konulmuş olur; lktronun kristald dolaşması için çok az bir ısıl nrjiy grksinim vardır. u lktronun ayrılmasıyla grid kalan pozitif atom (V. grup lmntinin atomu), harkt dbiln bir boşluk görvi yapamaz, çünkü kovalnt silikon bağından buradaki bağsız konuma bir lktronun gçm ğilimi çok azdır. Doping yapılmış bir yarıiltkn, bağlı olmayan lktronlar içrdiğindn "n-tip" vya ngatif tip yarıiltkn dnir, çünkü akımın "başlıca (salt) taşıyıcıları" lktronlardır. u tip bir yarıiltknd hala pozitif boşluklar vardır, ancak sayıları lktronların sayılarına kıyasla çok azdır; yani, n-tip bir yarıiltknd boşluklar akımın "azınlık taşıyıcıları" dır. Aksptör (Alıcı) vya p-tip Safsızlık: Silikonun, sadc üç valns lktronu bulunan bir III. grup lmnti il doping yapılması durumunda "p-tip" vya pozitif
3 3 tip yarıiltkn mydana glir. Safsızlık atomunun boş orbitalin, yanındaki silikon atomlarından lktronların atlamasıyla pozitif boşluklar oluşur. u işlml III. grup atomu pozitif yüklnir. oşluklar silikon atomundan silikon atomuna gçrk ilrlr; böylc, çoğunun taşıyıcısının pozitif olduğu bir akım oluşur. Pozitif boşluklar srbst lktronlardan daha az harktlidirlr; buna gör bir p-tip yarıiltkn bir n- tip yarıiltkndn daha zayıf bir iltkndir. paylaşılan lktronlar srbst lktron paylaşılan lktronlar boşluk safsızlık atom(vrici) safsızlık atom (alıcı) silikon kristali n-tip yarıiltkn p-tip yarıiltkn safsızlık olarak antimon ilav dilmiştir safsızlık olarak boron ilav dilmiştir Si atomu atom No: 14 Sb atomu atom no: 51 atomu atom No: 5 Saf silikon kristali, vrici safsızlık antimon atomu v alıcı safsızlık bor atomunun yapısını v yarı iltknlrin dokusunu göstrn diyagramlar 2. Yarı İltkn Diyotlar ir "diyot", bir yöndki iltknliği diğr yöndkindn daha büyük olan bir sistmdir. Tk bir grmanyum, vya silikon kristali içind birbirin bilşik n- v p-tip bölglr oluşturularak çok faydalı diyotlar yapılmaktadır; bölglr arasındaki yüzy pn bağlantısı dnir.
4 4 ir pn ağlantısının Özlliklri Şkil (a) da bir pn bağlantısının ksiti görülmktdir; bu tip bir bağlantı p bölgsindn n bölgsin pozitif yük (vya trs yönd ngatif yük) akmasını sağlar; diğr yönd (n dn p y) pozitif yük akmasına karşı büyük bir dirnç göstrir, bu bağlantıya "akım rktifiri (doğrultmaç)" adı vrilir. I t I r boşluklar I t I nt = 0 lktronlar p bölgsi n bölgsi (a) ias yok lktronlar v boşluklar bağlantıda birlşirlr I r I t I r I nt I nt Chaptr%2011%20Smiconductor%20Thory%20 and%20dvics.ppt p bölgsi n bölgsi + - V (b) Düz bias (forward bias) - + V (c) Trs bias (invrs bias) Şkil (b) d, bir potansiyl uygulanarak p bölgsinin n bölgsin gör pozitif yüklndiği durumdaki lktrik iltimi mkanizması göstrilmiştir; bu işlm "düz-bias" grilimi dnir. Düz bias (forward bias): V uygulanan > 0 p bölgsindki pozitif boşluklar v n bölgsindki fazla lktronlar (yani, hr iki bölgdki başlıca taşıyıcılar) lktrik alanının tkisiyl bağlantıya doğru harkt drlr, v birbirlriyl birlşrk yok olurlar. ataryanın ngatif ucu n bölgsin yni lktronlar vrir, bunlar tkrar iltm işlmini sürdürürlr; bataryanın pozitif
5 5 ucu is p bölgsindn lktron çkrk, pn bağlantısına doğru harkt dn yni boşluklar yaratır. Trs bias (rvrs bias): V uygulanan < 0 Diodda "trs-bias" grilimi varsa (Şkil-c) hr iki bölgdki başlıca taşıyıcılar bağlantıdan uzaklaşacak yönd harkt drlr, böylc grid birkaç yükün bulunduğu bir "ksiltm tabakası" bırakırlar. Hr iki bölgd d sadc bağlantıya doğru harkt dn v böylc bir akım taşıyan çok az konsantrasyondaki azınlık taşıyıcılar kalır. öylc, trs-bias grilimi altındaki iltim düz- bias altındakinin katı kadar olur. Yarı İltkn Diyotlar İçin Akım-Voltaj Eğrilri Aşağıdaki şkild tipik bir yarıiltkn diyotun forward (düz) v trs-bias altındaki davranışı göstrilmiştir. Düz-biasda akım voltajla hmn hmn ksponnsiyl olarak artar; bir kaç amprlik akımlar gözlnir. Trs-bias altında is, bir voltaj aralığı boyunca mikro ampr sviysind bir akım gözlnir; bu bölgd iltknlik azınlık taşıyıcılarca sağlanır. u trs akımın önmi yoktur. Trs potansiyl artırıldığında, yin d hızla trs akımın aşırı drcd artığı "kopma" voltajına ulaşılır. urada, yarıiltknin kovalnt bağlarının kopmasıyla mydana gln boşluklar v lktronlar alan tarafından hızlandırılarak çarpışmayla yni lktronlar v boşluklar oluştururlar. -V trs kopma bölgsi trs bias bölgsi +I Akım -I düz (forward) bias bölgsi +V Potansiyl Chaptr_9_Lctur_PowrPoint.ppt ir silikon yarıiltkn diodun akım voltaj özlliklri
6 6 Ayrıca bağlantı tabakası arasında, lktronların kuvantum mkaniği tünli d iltknliğin artmasına yardım dr. u iltknlik ısıtma tkisiyl diyotu tahrip dck kadar yüksktir. Trs-bias altında akımda ani artışa ndn olan voltaja "Znr kopma voltajı" dnir. ağlantı tabakasının tipinin v kalınlığının kontrol dilmsiyl birkaç volttan birkaç yüz volta kadar Znr Voltajları alınabilir. u olaydan lktronikt çok yararlanılır. 3. Transistörlr Transistör yarıiltkn kuvvtlndirm altidir v bir vakum kuvvtlndirm tüpü il ayni işlvi yapar; yani, giriş sinyalindn daha büyük bir çıkış sinyali oluşmasını sağlar. ir kaç tip transistör bulunur; bunlardan n çok kullanılan "bipolar" v "alan-tki transistörü" üzrind durulacaktır. ipolar (İki Kutuplu) Transistörlr ipolar transistörlr sırt-sırta yrlştirilmiş iki yarıiltkn diodtur. pnp transistörd n-tip bir bölg iki p-tip bölg arasına sıkıştırılmıştır; npn tip transistör bunun trsi bir yapıdadır. ipolar transistörlr çşitli şkillrd hazırlanabilir, bunlardan ikisi aşağıdaki şkl göstrilmiştir. PNP transistör NPN transistör C E C E p n p n p n (a) Fiziksl yapı C (kollktör) (b) Fiziksl yapı C (kollktör) (bas) E (mittr) (c) Şmatik yapı (bas) E (mittr) (d) Şmatik yapı
7 7 Tüm transistörlrin gnl görünümü: Küçüktürlr. Fazla dopingli dış tabakalardan küçüğün "mittr" büyüğün "kolktör" dnir. İnc (~ 0.02 mm), hafif dopingli "bas" tabakası, mittr il kollktörü birbirindn ayırır. Üç bölg arasında mkanik v lktrik bağlantısı vardır. ir alaşım bağlantı pnp transistörü, çoğunlukla, n-tip bir grmanyum çiptn yapılır. Çipin hr iki tarafı üzrin, indiyum gibi, bir III.Grup mtali plltlri konulur v plltlr rgiyip grmanyum içind çözününcy kadar ısıtılır. Soğutulup kristallndirilir. öylc, inc bir tabaka n-dopingli grmanyumun iki tarafında, iki tan yüksk dopingli p-bölgsi oluşturulur. Tipik bir düzlmsl npn transistörü, silikon dioksid il kaplanmış inc bir n-tip silikon yapraktan hazırlanır. Yaprak oksijn atmosfrind ısıtılarak bir oksit tabakası şklind çöktürülür. p-tip bas bölgsini yapmak için, oksid yüzy üzrind dair şklind bir girinti yapılır; sonra, kristal ısıtılır v boron buharlarına tutularak difüzyonla hafif dopingli, p-tip bölgnin oluşması sağlanır. Tabaka tkrar oksitlnrk ynidn yüzy filmi oluşturulur, sonra orijinal dairnin için daha küçük bir dair girintisi çizilir. u dairsl girintinin, kristalin ısıtılıp fosfor buharlarına tutulmasıyla, difüzyonla yüksk dopingli, n-tip mittr bölg oluşturulur. pnp v npn tip transistörlrin smbollri şkild göstrilmiştir. Emittr bağlantısındaki ok pozitif yük akımının yönünü göstrir. una gör, pozitif yük pnp tipt mittrdn bas, npn tipt is bas dn mittr doğru akar. ir ipolar Transistörün Elktriksl Özlliklri u kısımda bir pnp-tip bipolar transistörün davranışları inclncktir. npn-tip bir transistör d, lktrik akış yönünün trs olması dışında, ayni davranışları göstrir. Elktronik bir sistmdki bir transistörün uçlarından biri giriş bağlanır, ikinci uç çıkış görvi yapar; üçüncü uç ilk iki uca bağlıdır v "gnl" uçtur. u durumda üç şkil olabilir: bir gnl-mittr, bir gnl-kollktör, v bir gnl-tml şkli. Gnlmittr n çok uygulanan bağlantı şklidir v burada dtaylı olarak inclncktir.
8 8 Gnl-mittr şklindki bir pnp transistörünün akımı yüksltmsi şmatik olarak şkild vrilmiştir. urada, yüksltilck küçük bir DC giriş akımı (I ), mittr-bas dvrsin girr; bu akım şkild bas akımı olarak göstrilmiştir. Daha sonra görülcği gibi, altrnatif akım da I il sri hald vrilrk, yüksltilbilir. Yüksltildiktn sonra, DC bilşni bir yüksk-frkans filtrsi il uzaklaştırılır. ir mittr-kollktör dvr, bir sri batarya vya rktifirdn oluşan bir DC kaynağı vya güç kaynağından bslnir. Tipik bir güç kaynağı 9-30 V arasında potansiyl vrir. Kollktör vya çıkış akımı I C, bas giriş akımı I dn oldukça büyüktür. Kollktör akımın büyüklüğü, giriş akımı il doğru orantılıdır I C = I Orantı sabiti ya "akım kazancı" dnir, akım kuvvtlnmsinin bir ölçüsüdür. Kollktör akım mittr akımla da orantılıdır. I C = I E uradaki orantı sabiti ya "düz akım transfr oranı" dnir. I E = I + I C Olduğundan, a = 1 - şitliği yazılabilir. Tipik bir transistörd, aralığında bir dğrdir. ir ipolar Transistör il Kuvvtlndirm (Amplifikasyon) Mkanizması Şkild görüln transistörün mittr-bas yüzylri arası bir forward-biaslı pn, bas-kollktör bölg is bir trs-biaslı np bağlantısıdır. Onda birkaç voltluk bir giriş sinyali uygulandığında forward-biaslı bağlantıdan bir I akımı akar. Trsin, trs biaslu kollktör bas bağlantısının uçları arasından lktrik gçişi, başlıcataşıyıcıların bağlantıdan uzaklaşmasıyla, ngllnir. Forward-biaslı pn bağlantısında, p bölgsindki boşlukların sayısı, n bölgsindki harktli lktronların sayısına hmn hmn şittir. u ndnl, harktliliklrin-
9 9 dki küçük farklılık dışında, dioddaki iltim yüklü iki tip arasında az vya çok şit olarak paylaşılır. kollktör akımı, I C = I E C C p lamba p lamba S 1 n S 1 n p giriş, I p güç kaynağı E I ( A) E I C (ma) bas akımı, I = (1 - ) I E mittr akımı, I E = I C + I İltm yok İltm modu ir pnp transistölü dvrdki akımlar: = ir pnp transistörünün p bölgsinin n bölgsindn daha fazla dopingli olduğu biliniyor. u ndnl, p bölgsindki boşlukların konsantrasyonu, n tabakasındaki harktli lktronların konsantrasyonundan yüz kat vya daha fazladır. u durumda, bu pn bağlantısındaki boşlukların akım-taşıma kapasitsi, lktronların kapasitsindn blki yüz kat daha büyük olur. İki DC kaynağının (giriş bataryası v güç kaynağı) çıkardığı lktronlar p-tip mittr bağlantıda boşluklar oluşturur. u boşluklar sonra, çok inc n-tip bas bölgsin girr v burada bazıları giriş kaynağından gln lktronlarla birlşir; sonuçta, I akımı oluşur. oşlukların çoğu is dar bas tabakasına çkilrk ngatif yüklü kollktör-bağlantıya gidr v burada güç kaynağından gln lktronlarla birlşir; sonuçta, I C kollktör akımı oluşur.
10 10 Kollktör akımın büyüklüğü, mittrdki akım-taşıyıcı boşlukların sayısına bağlıdır. u sayı, giriş bas akımı tarafından çıkarılan lktronların bir sabitl çarpımı kadardır. u ndnl, bas akımı iki-kata çıkarılırsa, kollktör akımı da iki kat yükslir. u bağıntı bir bipolar transistörün akım yüksltm mkanizmasının tmlini oluşturur. Alan Etki Transistörlri (FET) İntgr dvrlrd çok kullanılan birkaç tip alan-tki transistorü (FET) gliştirilmiştir. unlardan birisi amplifikatörlrin giriş dirncini yüksltmk amacıyla yapılmış olan izol-girişli alan tki transistörüdür v giriş impdansları aralığında bulunur. u tip bir transistör, "mtal oxid smiconductor fild-ffct transistör " klimlrin baş harflri alınarak MOSFET sözcüğüyl tanımlanır. Şkild n-doplu bir FET in yapısı göstrilmiştir. urada bir p-tip madd içind iki izol n bölgsi oluşturulmuştur. Hr iki bölg inc bir izol dici silikon dioksit tabakasıyla kaplanmış, bu tabaka da koruyucu bir silikon nitrür tabakasıyla sarılmıştır. u tabakalar arasında boşluklar oluşturularak iki n-bölgsin lktrik tması yapılmıştır. Ayrıca madd il izol tabakası yüzyinin tması da sağlanmıştır. İkinciy "kapı" dnir, çünkü bu lktrotun potansiyli "atık" il "kaynak" arasındaki pozitif akımın büyüklüğünü saptar. Kapı tli v madd arasındaki silikon dioksit izolasyon tabakası, bir FET in yüksk impdansının ndnini açıklar. FET MOSFET P-tip P-tip N-tip + - atık (D) D kaynak (S) kapı (G) - + v i G S I + i v 0
11 11 Yararlanılan Kaynaklar Principls of Instrumntal Analysis, D.A.Skoog, D.M. Wst, II. Ed t ory%20and%20dvics.ppt _CMOS_Procss_Stps/07_CMOS_Dvic_Typs.ppt
İyon Kaynakları ve Uygulamaları
İyon Kaynakları v Uygulamaları E. RECEPOĞLU TAEK-Sarayköy Nüklr Araştırma v Eğitim Mrkzi rdal.rcpoglu rcpoglu@tak.gov.tr HPFBU-2012 2012-KARS KONULAR İyon kaynakları hakkında gnl bilgi İyon kaynaklarının
DetaylıAtomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.
TEMEL ELEKTRONİK Elektronik: Maddelerde bulunan atomların son yörüngelerinde dolaşan eksi yüklü elektronların hareketleriyle çeşitli işlemleri yapma bilimine elektronik adı verilir. KISA ATOM BİLGİSİ Maddenin
DetaylıEnerji Band Diyagramları
Yarıiletkenler Yarıiletkenler Germanyumun kimyasal yapısı Silisyum kimyasal yapısı Yarıiletken Yapım Teknikleri n Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi p Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi Yarıiletkenlerde
Detaylı1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Yarı İletken Diyotlar 1.1 Giriş 1.2. Yarı İletkenlerde Akım Taşıyıcılar 1.3. N tipi ve P tipi Yarı İletkenlerin Oluşumu 1.4. P-N Diyodunun Oluşumu 1.5. P-N Diyodunun Kutuplanması
DetaylıValans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.
Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,
Detaylıİletken, Yalıtkan ve Yarı İletken
Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,
DetaylıYARIİLETKENLER BÖLÜM 8. Yarıiletkenler Acaba onları önemli kılan nedir? 5/5/2015
YARIİLETKELER Yarıiltknlr Acaba onları önmli kılan ndir? Yarıiltknlr yalıtkan dğildirlr ancak iltknlr kadar iyi lktrik iltkni d dğildirlr. İltknlik bakımından iltknlr il yalıtkanlar arasında yr alırlar
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış
DetaylıIKTI 102 25 Mayıs, 2010 Gazi Üniversitesi-İktisat Bölümü
DERS NOTU 10 (Rviz Edildi, kısaltıldı!) ENFLASYON İŞSİZLİK PHILLIPS EĞRİSİ TOPLAM ARZ (AS) EĞRİSİ TEORİLERİ Bugünki drsin içriği: 1. TOPLAM ARZ, TOPLAM TALEP VE DENGE... 1 1.1 TOPLAM ARZ EĞRİSİNDE (AS)
Detaylı- BANT TAŞIYICILAR -
- BANT TAŞIYICILAR - - YAPISAL ÖZELLİKLER Bir bant taşıyıcının nl örünümü aşağıdaki şkild vrilmiştir. Bant taşıyıcıya ismini vrn bant (4) hm taşınacak malzmyi için alan bir kap örvi örn, hm d harkt için
DetaylıTemel Elektrik Elektronik. Seri Paralel Devrelere Örnekler
Temel Elektrik Elektronik Seri Paralel Devrelere Örnekler Temel Elektrik Elektronik Seri Paralel Devrelere Örnekler Temel Elektrik Elektronik Yarıiletken Elemanlar Kullandığımız pek çok cihazın üretiminde
DetaylıKayıplı Dielektrik Cisimlerin Mikrodalga ile Isıtılması ve Uç Etkileri
Kayıplı Dilktrik Cisimlrin Mikrodalga il Isıtılması v Uç Etkilri Orhan Orhan* Sdf Knt** E. Fuad Knt*** *Univrsity of Padrborn, Hinz ixdorf Institut, Fürstnall, 3302 Padrborn, Almanya orhan@hni.upb.d **Istanbul
DetaylıFotovoltaik Teknoloji
Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 4: Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri Fotovoltaik Hücre Fotovoltaik Etki Yarıiletken Fiziğin Temelleri Atomik Yapı Enerji Bandı Diyagramı Kristal Yapı Elektron-Boşluk Çiftleri
DetaylıAtomlardan Kuarklara. Test 1
4 Atomlardan Kuarklara Tst. Nötronlar, tkilşim parçacıkları dğil, madd parçacıklarıdır. Bu ndnl yanlış olan E sçnğidir. 5. Elktriksl olarak yüklü lptonlar zayıf çkirdk kuvvtlri aracılığıyla tkilşim girrlr.
DetaylıSensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison
Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör
DetaylıEnerji Dönüşüm Temelleri. Bölüm 3 Bir Fazlı Transformatörler
Enrji Dönüşüm Tmllri Bölüm 3 Bir Fazlı Transformatörlr Birfazlı Transformatorlar GİRİŞ Transformatörlrin grçk özllik v davranışlarını daha kolay anlamak için ilk aşamada idal transformatör üzrind durulacaktır.
Detaylı4/26/2016. Bölüm 7: Elektriksel Özellikler. Malzemelerin Elektriksel Özellikleri. Elektron hareketliliği İletkenlik Enerji bant yapıları
Bölüm 7: Elektriksel Özellikler CEVAP ARANACAK SORULAR... Elektriksel iletkenlik ve direnç nasıl tarif edilebilir? İletkenlerin, yarıiletkenlerin ve yalıtkanların ortaya çıkmasında hangi fiziksel süreçler
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıDERS NOTLARI. Yard. Doç. Dr. Namık AKÇAY İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi
DERS NOTLARI Yard. Doç. Dr. Namık AKÇAY İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi Ders-2 4.10.2016 http://www.megep.meb.gov.tr/mte_program_modul/ TEMEL YARI İLETKEN ELEMANLAR TEMEL YARI İLETKEN ELEMANLAR
DetaylıElektronik-I. Yrd. Doç. Dr. Özlem POLAT
Elektronik-I Yrd. Doç. Dr. Özlem POLAT Kaynaklar 1-"Electronic Devices and Circuit Theory", Robert BOYLESTAD, Louis NASHELSKY, Prentice-Hall Int.,10th edition, 2009. 2- Elektronik Cihazlar ve Devre Teorisi,
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) :
BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler
DetaylıMOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı
MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,
DetaylıDÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EET305 OTOMATİK KONTROL I Dr. Uğur HASIRCI
DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TENOLOJİ FAÜLTESİ ELETRİ-ELETRONİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EET305 OTOMATİ ONTROL I ALICI DURUM HATASI ontrol sistmlrinin tasarımında üç tml kritr göz önünd bulundurulur: Gçici Durum Cvabı
DetaylıFİZİK-IV LABORATUVARI
TAKA ÜNİVESİTESİ FEN-EDEİAT FAKÜLTESİ FİZİK ÖLÜMÜ FİZİK-V LAOATUVA Öğrncinin: Adı Soyadı :............... Nuarası :................ Dny Grubu :........ FİZİK-V LAOATUVA ( FL - ) ALÇAK SCAKLKTA KAACİSİM
DetaylıBir iletken katı malzemenin en önemli elektriksel özelliklerinden birisi, elektrik akımını kolaylıkla iletmesidir. Ohm kanunu, akım I- veya yükün
Bir iletken katı malzemenin en önemli elektriksel özelliklerinden birisi, elektrik akımını kolaylıkla iletmesidir. Ohm kanunu, akım I- veya yükün geçiş hızının, uygulanan voltaj V ile aşağıdaki şekilde
DetaylıIŞINIM VE DOĞAL TAŞINIM DENEYİ
IŞINIM VE DOĞAL TAŞINIM DENEYİ MAK-LAB005 1. DENEY DÜZENEĞİNİN TANITILMASI Dny düznği, şkild görüldüğü gibi çlik bir basınç kabının içind yatay olarak asılı duran silindirik bir lman ihtiva dr. Elman bakırdan
DetaylıDİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı 1. Deneyin Amacı DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot çeşitlerinin
DetaylıELEKTRONİK-1 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Diyot Karakteristikleri Deneyleri (PN Jonksiyon)
ELEKTRONİK-1 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Diyot Karakteristikleri Deneyleri (PN Jonksiyon) DENEYİN AMACI 1. Silisyum ve Germanyum Diyotların karakteristiklerini anlamak. 2. Silisyum ve Germanyum Diyot tiplerinin
DetaylıAnaparaya Dönüş (Kapitalizasyon) Oranı
Anaparaya Dönüş (Kapitalizasyon) Oranı Glir gtirn taşınmazlar gnl olarak yatırım aracı olarak görülürlr. Alıcı, taşınmazı satın almak için kullandığı paranın karşılığında bir gtiri bklr. Bundan ötürü,
DetaylıYENİLENEBİLİR ENERJİ KAYNAKLARI AÇISINDAN RÜZGAR ENERJİSİNİN TÜRKİYE DEKİ KAPASİTESİ ÖZET
YENİLENEBİLİR ENERJİ KAYNAKLARI AÇISINDAN RÜZGAR ENERJİSİNİN TÜRKİYE DEKİ KAPASİTESİ LEVENT YILMAZ Istanbul Tknik Ünivrsitsi, İnşaat Fakültsi, Hidrolik v Su Yapıları Kürsüsü, 8626, Maslak, Istanbul. ÖZET
DetaylıMalzemelerin elektriksel özellikleri
Malzemelerin elektriksel özellikleri OHM yasası Elektriksel iletkenlik, ohm yasasından yola çıkılarak saptanabilir. V = IR Burada, V (gerilim farkı) : volt(v), I (elektrik akımı) : amper(a) ve R(telin
DetaylıAKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER
YARI İLETKENLER Doğada bulunan atamlar elektriği iletip-iletmeme durumuna görene iletken, yalıtkan ve yarı iletken olarak 3 e ayrılırlar. İletken maddelere örnek olarak demir, bakır, altın yalıtkan maddeler
DetaylıDERS 9. Grafik Çizimi, Maksimum Minimum Problemleri
DERS 9 Grafik Çizimi, Maksimum Minimum Problmlri Bundan öncki drst bir fonksiyonun grafiğini çizmk için izlnbilck yol v yapılabilck işlmlr l alındı. Bu drst, grafik çizim stratjisini yani grafik çizimind
DetaylıAtomlar, dış yörüngedeki elektron sayısını "tamamlamak" üzere, aşağıdaki iki yoldan biri ile bileşik oluştururlar:
ATOMUN YAPISI VE BAĞLAR Atomun en dış yörüngesinde dönen elektronlara valans elektronlara adi verilir (valance: bağ değer). Bir atomun en dış yörüngesinde 8'e yakın sayıda elektron varsa, örnek klor: diğer
DetaylıYarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;
1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun
DetaylıORTAM SICAKLIĞININ SOĞUTMA ÇEVRİMİNE ETKİSİNİN SAYISAL OLARAK MODELLENMESİ
ORTAM SICAKLIĞININ SOĞUTMA ÇEVRİMİNE ETKİSİNİN SAYISAL OLARAK MODELLENMESİ Srkan SUNU - Srhan KÜÇÜKA Dokuz Eylül Ünivrsitsi Makina Mühndisliği Bölümü -posta: srhan.kuuka@du.du.tr Özt: Bu çalışmada, komprsör,
DetaylıGünlük Bülten. 27 Şubat 2013. TCMB, Şubat ayı PPK toplantısı özetini yayınladı
27 Şuat 2013 Çarşama Günlük Bültn İMKB vrilri İMKB 100 77,514.3 Piyasa Dğri-TÜM ($m) 302,886.2 Halka Açık Piyasa Dğri-TÜM ($m) 86,403.0 Günlük İşlm Hacmi-TÜM ($m) 1,629.94 Yurtdışı piyasalar Borsalar Kapanış
DetaylıDERS 9. Grafik Çizimi, Maksimum-Minimum Problemleri. 9.1. Grafik çiziminde izlenecek adımlar. y = f(x) in grafiğini çizmek için
DERS 9 Grafik Çizimi, Maksimum-Minimum Problmlri 9.. Grafik çizimind izlnck adımlar. y f() in grafiğini çizmk için Adım. f() i analiz diniz. (f nin tanım kümsi, f() in tanımlı olduğu tüm rl sayıların oluşturduğu
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin
DetaylıModern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları
40 Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 1 Test 1 in Çözümleri 1. USG ve MR cihazları ile ilgili verilen bilgiler doğrudur. BT cihazı c-ışınları ile değil X-ışınları ile çalışır. Bu nedenle I ve II.
DetaylıMEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI
MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI KONDANSATÖR Kondansatör iki iletken plaka arasına bir yalıtkan malzeme konarak elde edilen ve elektrik enerjisini elektrostatik enerji olarak depolamaya
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıBilgi Tabanı (Uzman) Karar Verme Kontrol Kural Tabanı. Bulanık. veya. Süreç. Şekil 1 Bulanık Denetleyici Blok Şeması
Bulanık Dntlyicilr Bilgi Tabanı (Uzman) Anlık (Kskin) Girişlr Bulandırma Birimi Bulanık µ( ) Karar Vrm Kontrol Kural Tabanı Bulanık µ( u ) Durulama Birimi Anlık(Kskin) Çıkış Ölçklm (Normali zasyon) Sistm
DetaylıBULANIK MANTIK KONTROLLÜ TERMOELEKTRİK BEYİN SOĞUTUCUSU
BULANIK MANIK KONROLLÜ ERMOELEKRİK BEYİN SOĞUUCUSU A.Hakan YAVUZ 1, Raşit AHISKA 2,Mahmut HEKİM 3 1Niksar Mslk Yükskokulu,Gaziosmanpaşa Ünivrsitsi Niksar,okat 2knik Eğitim Fakültsi,Elktronik Bilgisayar
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıÇAPRAZ AKIŞLI ISI DEĞİŞTİRİCİ
ÇAPRAZ AKIŞLI ISI DEĞİŞTİRİCİ MAK-LAB012 1. DENEY DÜZENEĞİNİN TANITILMASI Düznk sas olarak dikdörtgn ksitli bir kanaldan ibarttir. 1 hp gücündki lktrik motorunun çalıştırdığı bir vantilatör il kanal içind
DetaylıYÜK KANCALARI VİDALI BAĞLANTILARINDA KULLANILAN FARKLI VİDA DİŞ PROFİLLERİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ GERİLME ANALİZİ
. Ulusal Tasarım İmalat v Analiz Kongrsi 11-1 Kasım 010- Balıksir YÜK KANCALARI VİDALI BAĞLANTILARINDA KULLANILAN FARKLI VİDA DİŞ PROFİLLERİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ GERİLME ANALİZİ Aydın DEMİRCAN*, M. Ndim
DetaylıTEST 12-1 KONU ELEKTRİK AKIMI. Çözümlerİ ÇÖZÜMLERİ
OU 1 T Çözümlr TST 1-1 ÇÖÜ 5. 6 4 1. irncin boyuna bağlı olup olmadığını araştırdığı için ksitlri aynı, boyları farklı tllr kullanılmalıdır. Tllr aynı cins olmalı. u durumda v nolu tllr olmalıdır. 1. -
DetaylıFARKLI SICAKLIKLARDAKİ GÖZENEKLİ İKİ LEVHA ARASINDA AKAN AKIŞKANIN İKİNCİ KANUN ANALİZİ
FARKLI ICAKLIKLARDAKİ GÖZEEKLİ İKİ LEVHA ARAIDA AKA AKIŞKAI İKİCİ KAU AALİZİ Fthi KAMIŞLI Fırat Ünivrsit Mühndislik Fakültsi Kimya Mühndisliği Bölümü, 39 ELAZIĞ, fkamisli@firat.du.tr Özt Farklı sıcaklıklara
DetaylıBağımsızlığının 20. Yılında Azerbaycan
Bağımsızlığının 20. Yılında Azrbaycan Dr. Ali ASKER* 1980 lrin ortalarından itibarn Sovytlr Birliğind uygulanan ynidn yapılanma v saydamlık politikalarının amacı (n azından sözd), dmokratiklşm yoluyla
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıMOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11
MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.
DetaylıMANYEZİT ARTIĞI KULLANILARAK SULU ÇÖZELTİLERDEN Co(II) İYONLARININ GİDERİMİ
Onuncu Ulusal Kimya Mühndisliği Kongrsi, 3-6 Eylül 1, Koç Ünivrsitsi, İstanbul MANYEZİT ARTIĞI KULLANILARAK SULU ÇÖZELTİLERDEN Co(II) İYONLARININ GİDERİMİ İlkr KIPÇAK, Turgut Giray ISIYEL Eskişhir Osmangazi
DetaylıKRİSTAL KUSURLARI BÖLÜM 3. Bağlar + Kristal yapısı + Kusurlar. Özellikler. Kusurlar malzeme özelliğini önemli ölçüde etkiler.
KRİSTAL KUSURLARI Bağlar + Kristal yapısı + Kusurlar Özellikler Kusurlar malzeme özelliğini önemli ölçüde etkiler. 2 1 Yarıiletken alttaş üretiminde kullanılan silikon kristalleri neden belli ölçüde fosfor
DetaylıGÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM
GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun
Detaylıkirişli döşeme Dört tarafından kirişlere oturan döşemeler Kenarlarının bazıları boşta olan döşemeler Boşluklu döşemeler Düzensiz geometrili döşemeler
Kirişli döşmlr Dört tarafından irişlr oturan döşmlr Knarlarının bazıları boşta olan döşmlr Boşlulu döşmlr Düznsiz gomtrili döşmlr bir tarafı irişli üç tarafı boşta döşm (Konsol döşm) Đi tarafı irişli ii
Detaylıdoldurulması sırasında yayınlanan karakteristik X-ışınlarını bulması
BETA () BOZUNUMU Çkirdklrin lktron yayınlamaları yy ilk gözlnn radyoaktif olaylardan birisidir. Çkirdğin atom lktronlarından birisini yakalaması, 1938 d Amrikalı fizikci Luis Waltr Alvarz in çkirdk k tarafından
DetaylıAkım ve Direnç. Bölüm 27. Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç
Bölüm 27 Akım ve Direnç Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç Öğr. Gör. Dr. Mehmet Tarakçı http://kisi.deu.edu.tr/mehmet.tarakci/ Elektrik Akımı Elektrik yüklerinin
DetaylıDr. Fatih AY. Tel: 0 388 225 22 55 ayfatih@nigde.edu.tr
Dr. Fatih AY Tel: 0 388 225 22 55 ayfatih@nigde.edu.tr Güneş Pillerinin Yapısı ve Elektrik Üretimi Güneş Pillerinin Yapımında Kullanılan Malzemeler Güneş Pilleri ve Güç Sistemleri PV Sistemleri Yardımcı
DetaylıDESTEK DOKÜMANI. Mali tablo tanımları menüsüne Muhasebe/Mali tablo tanımları altından ulaşılmaktadır.
Mali Tablolar Mali tablo tanımları mnüsün Muhasb/Mali tablo tanımları altından ulaşılmatadır. Mali tablolarla ilgili yapılabilc işlmlr ii gruba ayrılır. Mali Tablo Tanımları Bu bölümd firmanın ullanacağı
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıGünlük Bülten. Günlük Bülten
0 Oak 203 Prşmb Günlük Bültn İMKB vrilri İMKB 00 8,49. Piyasa Dğri-TÜM ($m) 320,064.6 Halka Açık Piyasa Dğri-TÜM ($m) 92,060.8 Günlük İşlm Hami-TÜM ($m) 2,046.97 Yurtdışı piyasalar Borsalar Kapanış % Dğ.
DetaylıÖLÇME VE ÖLÇÜ ALETLERİ
ÖLÇME VE ÖLÇÜ ALETLERİ 1. KISA DEVRE Kısa devre; kırmızı, sarı, mavi, nötr ve toprak hatlarının en az ikisinin birbirine temas ederek elektriksel akımın bu yolla devresini tamamlamasıdır. Kısa devre olduğunda
DetaylıATOM, İLETKEN, YALITKAN VE YARIİLETKENLER
ATOM, İLETKEN, YALITKAN VE YARIİLETKENLER Hedefler Elektriksel karakteristikler bakımından maddeleri tanıyacak, Yarıiletkenlerin nasıl elde edildiğini, karakteristiklerini, çeşitlerini öğrenecek, kavrayacak
DetaylıKirişli döşemeler (plaklar)
Kirişli döşmlr (plaklar) Dört tarafından kirişlr oturan döşmlr Knarlarının bazıları boşta olan döşmlr Boşluklu döşmlr Düznsiz gomtrili döşmlr Üç tarafı kirişli bir tarafı boşta döşm Bir tarafı kirişli
DetaylıAşağıda verilen özet bilginin ayrıntısını, ders kitabı. olarak önerilen, Erdik ve Sarıkaya nın Temel. Üniversitesi Kimyası" Kitabı ndan okuyunuz.
KİMYASAL BAĞLAR Aşağıda verilen özet bilginin ayrıntısını, ders kitabı olarak önerilen, Erdik ve Sarıkaya nın Temel Üniversitesi Kimyası" Kitabı ndan okuyunuz. KİMYASAL BAĞLAR İki atom veya atom grubu
Detaylı12. Ders Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri
12. Ders Yarıiletkenlerin lektronik Özellikleri T > 0 o K c d v 1 Bu bölümü bitirdiğinizde, Yalıtkan, yarıiletken, iletken, Doğrudan (direk) ve dolaylı (indirek) bant aralığı, tkin kütle, devingenlik,
DetaylıB OSC2 VOD PIC16F84 MİKRODENETLEYİCİSİ KULLANILARAK CİHAZLARIN TELEFON İLE KONTROLÜNE BİR UYGULAMA. Rabman YAKAR, Etem KÖKLÜKAYA.
SAU Fn Bilimlri Enstitüsü Drgisi PIC16F84 Mikrodntlcisi Kullanılarak Ciaziarın Tlfon D Kontrolün Bir Uygulama PIC16F84 MİKRODENETLEYİCİSİ KULLANILARAK CİHAZLARIN TELEFON İLE KONTROLÜNE BİR UYGULAMA Rabman
DetaylıYAKLAŞIM SENSÖRLERİ (PROXIMITY) Endüktif, Kapasitif ve Optik Yaklaşım Sensörleri
YAKLAŞIM SENSÖRLERİ (PROXIMITY) Endüktif, Kapasitif ve Optik Yaklaşım Sensörleri Sanayi fabrika otomasyonunda proximity (yaklasım) sensorler kullanılır. Porximity sensorler profesyonel yapıda cevre sartlarından
DetaylıYENİ NESİL CAM KORKULUK SİSTEMLERİ
F Mtal v Rklam Ürünlri San Tic AŞ YENİ NESİL CAM KORKULUK SİSTEM F TAL v NTİCAŞ Zmin Üstü Bağlantılı EGANT Srisi C50 Elgant srisi yüksk mimari standarttaki yapıların, dğrin, sağlamlığı v sttiği il dğr
DetaylıELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER
ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER İletkenlik Elektrik iletkenlik, malzeme içerisinde atomik boyutlarda yük taşıyan elemanlar (charge carriers) tarafından gerçekleştirilir. Bunlar elektron veya elektron boşluklarıdır.
DetaylıDers 2- Temel Elektriksel Büyüklükler
Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net Yük Elektriksel yük maddelerin temel özelliklerinden biridir. Elektriksel yükün iki temel
DetaylıLOGARİTMA. Örnek: çizelim. Çözüm: f (x) a biçiminde tanımlanan fonksiyona üstel. aşağıda verilmiştir.
LOGARİTMA I. Üstl Fonksiyonlr v Logritmik Fonksiyonlr şitliğini sğlyn dğrini bulmk için ypıln işlm üs lm işlmi dnir. ( =... = 8) y şitliğini sğlyn y dğrini bulmk için ypıln işlm üslü dnklmi çözm dnir.
DetaylıSÜLFÜRİK ASİTLE DEHİDRATE EDİLEN BUĞDAY KEPEĞİ İLE Cu(II) İYONLARININ ADSORPSİYONU
SÜLFÜRİK ASİTLE DEHİDRATE EDİLEN BUĞDAY KEPEĞİ İLE Cu(II) İYONLARININ ADSORPSİYONU A. ÖZER, D.ÖZER Fırat Ünivrsitsi, Mühndislik Fakültsi, Kimya Mühndisliği Bölümü. 23279-ELAZIĞ ÖZET Bu çalışmada, sülfürik
Detaylıİletkende seri olarak tel direnci ve magnetik alandan doğan reaktans ile şönt olarak elektrik alandan doğan toprak kapasitesi mevcuttur.
9 ÖÜM 4 İETİM HT 4.. İltim hatlarının yapısı üksk grilim iltim hatlarında malzm olarak çlik özlü alüminyum iltknlr kullanılır. ( luminium onductor tl inforcd) Kanada standardı olarak tüm dünyada kuş isimlri
DetaylıÖdülü hayat olanlar için... Ayrıcalığı ile
Ödülü hayat olanlar için... Ayrıcalığı il Bylikdüzü nd özlnn bir hayat... Huzur dolu mkanlar, yüksk konforlu yaşamlar Bylikdüzü Kavaklı da, bölgnin glişmkt olan n önmli yrlrindn birind sizin için ypyni
DetaylıMühendisler İçin DİFERANSİYEL DENKLEMLER
Mühndislr İçin DİFERANSİYEL DENKLEMLER Doç. Dr. Tahsin Engin Prof. Dr. Yunus A. Çngl Sakara Ünivrsitsi Makina Mühndisliği Bölümü Elül 8 SAKARYA - - Mühndislr İçin Difransil Dnklmlr İÇİNDEKİLER BÖLÜM BİRİNCİ
DetaylıÜstel Dağılım SÜREKLİ ŞANS DEĞİŞKENLERİNİN OLASILIK YOĞUNLUK FONKSİYONLARI
..3 SÜREKLİ ŞNS DEĞİŞKENLERİNİN OLSILIK YOĞUNLUK FONKSİYONLRI Üstl Dağılım Sürkli Üniform Dağılım Normal Dağılım Üstl Dağılım Mydana gln iki olay arasındaki gçn sür vya ir aşka ifadyl ilgilniln olayın
DetaylıKurulum Öncesi Uyarılar
Kurulum Öncsi Uyarılar Ağ Kamrasından duman çıktığı görülür vya normal olmayan bir koku duyulursa Ağ Kamrasının lktrik bağlantısını ksin. Bu tür bir durumla karşılaşıldığında dağıtıcı fi rma il tmas kurun.
DetaylıBÖLÜM 1 YARIİLETKENLERİN TANITILMASI. Konular: Amaçlar:
BÖLÜM 1 YARIİLETKENLERİN TANITILMASI Konular: 1.1 Atomik Yapı 1.2 Yarıiletken, İletken ve Yalıtkan 1.3 Yarıiletkenlerde İletkenlik 1.4 N Tipi ve P tipi Yarıiletkenler 1.5 PN Bitişimi (eklemi) ve Diyot
DetaylıYarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1
Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıTEMEL ELEKTRİK-ELEKTRONİK DERSİ SORU BANKASI
TEMEL ELEKTRİK-ELEKTRONİK DERSİ SORU BANKASI TEMEL ELEKTRİK ELEKTRONİK 1 1. Atomun çekirdeği nelerden oluşur? A) Elektron B) Proton C) Proton +nötron D) Elektron + nötron 2. Elektron hangi yükle yüklüdür?
DetaylıHücre bölünmesi sırasında önce... sonra... bölünmesi gerçekleşir.
2.Mitoz Hücr Bölünmsi Hücr bölünmsi tüm canlılarda görüln bir olaydır. Hücr bölünmsi büyüm, glişm, yaraların iyilşmsi, ürm hücrlrinin oluşması v tk hücrli canlıların çoğalması olaylarında tkilidir. Bir
DetaylıİSTATİSTİK TERMODİNAMİK
MI OpnCoursWar http://ocw.mt.du 5.60 hrmodnamk v Kntk ahar 008 u malzmlr atıfta bulunmak vya kullanım şartlarını öğrnmk çn http://ocw.mt.du/trms stsn zyart dnz İSİSİK ERMODİMİK Makroskopk trmodnamk sonuçların
DetaylıSiz elinizdeki borudan su akımını aktırdıkça, klapa açılıyor, sizin akıttığınız akım ve barajdan akan akım birleşip barajdan aşağı akıyor.
TRANSİSTÖRLER: En basit tanımını size yine su akış sistemleri ile anlatayım. Şöyle düşünün, büyük bir baraj var ve bu barajdan akacak suyun akımını, size verilen küçük bir hortumla kontrol etmeniz isteniyor.
DetaylıRuppert Hız Mekanizmalarında Optimum Dişli Çark Boyutlandırılması İçin Yapay Sinir Ağları Kullanımı
Makin Tknolojilri Elktronik Drgisi Cilt: 6, No: 2, 2009 (-8) Elctronic Journal of Machin Tchnologis Vol: 6, No: 2, 2009 (-8) TEKNOLOJİK ARAŞTIRMALAR www.tknolojikarastirmalar.com -ISSN:304-44 Makal (Articl)
DetaylıIKTI Mayıs, 2012 Gazi Üniversitesi-İktisat Bölümü DERS NOTU 08
DERS NOTU 08 TOPLAM ARZ EĞRİSİ (AS) VE DENGE ENFLASYON- İŞSİZLİK VE PHILLIPS EĞRİSİ TOPLAM ARZ (AS) EĞRİSİ TEORİLERİ Bugünki drsin içriği: 1. TOPLAM ARZ, TOPLAM TALEP VE DENGE... 1 1.1 TOPLAM ARZ EĞRİSİNDE
DetaylıÇay Atıklarından Aktif Karbon Üretimi ve Adsorpsiyon Proseslerinde Kullanımı
ÖZET Çay Atıklarından Aktif Karbon Ürtimi v Adsorpsiyon Prosslrind Kullanımı Mrym OZMAK a, Işıl Gürtn b, Emin YAĞMUR b, Zki AKTAŞ b a DSİ Gn.Md. TAKK Dairsi Başkanlığı, Ankara, 61 b Ankara Ünivrsitsi Mühndislik
DetaylıBÖLÜM 3. Bobin bir yalıtkan makara (mandren veya karkas) üzerine belirli sayıdaki sarılmış tel grubudur.
TEMEL ELEKTRONİK BÖLÜM 3 BOBİNLER SABİT BOBİNLER VE YAPILARI Bobin bir yalıtkan makara (mandren veya karkas) üzerine belirli sayıdaki sarılmış tel grubudur. Kullanım yerine göre, makara içerisi boş kalırsa
Detaylı( ) ( ) Be. β - -bozunumu : +β - + ν + Q - Atomik kütleler cinsinden : (1) β + - bozunumu : nötral atom negatif iyon leptonlar
6.. BETA BOZUUU Çkirdğin pozitif vya ngatif lktron yayması vya atomdan bir lktron yakalaması yolu il atom numarası ± 1 kadar dğişir. β - -bozunumu : ( B 4 4 ( B 4 nötral atom Atomik kütllr insindn : (
DetaylıTANITIM ve KULLANIM KILAVUZU. Modeller UBA4234-R. Versiyon : KK_UBA_V3.0210
SAT-IF / CATV Ultra Gniş Bantlı Dağıtım Yükslticilri (UBA-Srisi) TANITIM v KULLANIM KILAVUZU Modllr UBA4234-R Vrsiyon : KK_UBA_V3.0210 1.Gnl Tanıtım UBA Srisi Dağıtım Yükslticilri, uydu (950-2150MHz) v
DetaylıA 308 Astrofizik II. Prof. Dr. Fehmi EKMEKÇİ Ankara Üni. Fen Fak. Astronomi ve Uzay Bilimleri Bölümü
A 308 Astrofizik II Prof. Dr. Fhmi EKMEKÇİ Ankara Üni. Fn Fak. Astronomi v Uzay Bilimlri Bölümü Yararlanılacak Kaynaklar A. Kızılırmak, 970, Astrofiziğ Giriş, Eg Üni. Fn Fak. Matbaası, Bornova-İzmir Lloyd
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıNEM ALMALI SOĞUTMA SİSTEMLERİ
NEM ALMALI SOĞUTMA SİSTEMLERİ Alpr YILMAZ, Hüsamttin BULUT Çukurova Ünivrsitsi, Makina Mühndisliği Bölümü, 01330-ADANA ÖZET Son yıllarda iklimlndirm tknolojisind hızlı glişmlr yaşanmaktadır. Ozon tabakasına
DetaylıBMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup
DetaylıDENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT
YALITKAN YARI- İLETKEN METAL DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT Amaç: Birinci deneyde Ohmik bir devre elemanı olan direncin uçları arasındaki gerilimle üzerinden geçen akımın doğru orantılı
DetaylıInfrared Kurutucuda Ayçiçeği Tohumlarının Kuruma Davranışı ve Kuruma Modellerine Uyum Analizi
Fırat Üniv. Mühndislik Bilimlri Drgisi Fırat Univ. Journal of Enginring 7(1), 51-56, 015 7(1), 51-56, 015 Infrard Kurutucuda Ayçiçği Tohumlarının Kuruma Davranışı v Kuruma Modllrin Uyum Analizi Özt * Mhmt
DetaylıBÖLÜM II A. YE Đ BETO ARME BĐ ALARI TASARIM ÖR EKLERĐ ÖR EK 2
BÖLÜ II A. YE Đ BETO ARE BĐ ALARI TASARI ÖR EKLERĐ ÖR EK SÜ EKLĐK DÜZEYĐ YÜKSEK 6 KATLI BETO ARE PERDELĐ / ÇERÇEELĐ BĐ A SĐSTEĐ Đ EŞDEĞER DEPRE YÜKÜ YÖ TEĐ ĐLE A ALĐZĐ E TASARII.1. GENEL BĐNA BĐLGĐLERĐ...II./..
Detaylı