YÖNLÜ KUPLÖR TASARIMI

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "YÖNLÜ KUPLÖR TASARIMI"

Transkript

1 T.C. KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü YÖNLÜ KUPLÖR TASARIMI Adı Soyadı Nesrin GÖKALP Münteha Şura YAVUZ Danışman Yrd. Dç. Dr. Haydar KAYA MAYIS 2012 TRABZON ii

2 T.C. KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü YÖNLÜ KUPLÖR TASARIMI Adı Soyadı Nesrin GÖKALP Münteha Şura YAVUZ Danışman Yrd. Dç. Dr. Haydar KAYA MAYIS 2012 TRABZON 1

3 LİSANS BİTİRME PROJESİ ONAY FORMU Nesrin GÖKALP ve Münteha Şura YAVUZ tarafından Yrd. Dç. Dr. Haydar KAYA yönetiminde hazırlanan Yönlü Kuplör Tasarımı başlıklı lisans bitirme projesi tarafımızdan incelenmiş, kapsamı ve niteliği açısından bir Lisans Bitirme Projesi olarak kabul edilmiştir. Danışman : Unvanı Adı ve SOYADI Jüri Üyesi 1 : Unvanı Adı ve SOYADI Jüri Üyesi 2 : Unvanı Adı ve SOYADI Bölüm Başkanı : Unvanı Adı ve SOYADI ii

4 ÖNSÖZ Hazırlamış olduğumuz bu çalışmada bizlere değerli zamanını ayıran, bizlere her türlü bilgi ve birikimini sunmaktan kaçınmayarak, çalışma süresince fikirleri ile bizi aydınlatan bitirme projesi danışmanı, değerli hocamız Yrd. Dç. Dr. Haydar KAYA ya sonsuz teşekkürlerimizi sunarız. Bölüm olanaklarının Bitirme Çalışmalarında kullanılmasına izin verdiği için Bölüm başkanlığına, desteklerinden dolayı Mühendislik Fakültesi Dekanlığına ve KTÜ Rektörlüğüne de teşekkürlerimizi sunarız. Aldığımız mühendislik eğitiminde, iyi bir mühendis olabilmemiz için değerli bilgilerini bizlerden esirgemeyen bütün bölüm hocalarımıza da teşekkürlerimizi sunar ve saygılarımızı iletiriz. Ayrıca projede birlikte çalıştığımız arkadaşlarımıza desteklerinden dolayı teşekkür ederiz. Son olarak bizlerin bugünlere gelmesinde her türlü fedakarlığı gösteren ve hayatımız boyunca her türlü maddi ve manevi desteklerini hiçbir zaman esirgemeyen ailelerimize şükranlarımızı sunarız. Mayıs 2012 Nesrin GÖKALP Münteha Şura YAVUZ iii

5 İÇİNDEKİLER LİSANS BİTİRME PROJESİ ONAY FORMU... ii ÖNSÖZ... iii İÇİNDEKİLER... iv ÖZET... vi SEMBOLLER VE KISALTMALAR... vii 1. GİRİŞ Tasarlanan Yönlü Kuplörde Dikkat Edilecek Hususlar Yönlü Kuplör Uygulamaları İş zaman çizelgesi TEORİK ALTYAPI Yansıma Katsayısı ve Duran Dalga Oranı Yönlü Kuplör Yönlü Kuplör Parametreleri Kuplaj Faktörü Kayıp İzolasyon Yönelticilik S Parametreleri Mikroşerit İletim Hatları YÖNLÜ KUPLÖR TASARIMI Tasarımda Kullanılacak Formüller Adım 1: Tek-Çift Mod Empedansının Bulunması Adım 2: Fiziksel Boyutların (s/h ve w/h) Bulunması Adım 3: Yönlü Kuplörün Fiziksel Uzunluğunun Bulunması iv

6 4. YÖNLÜ KUPLÖR SİMÜLASYONU TASARIM ÖRNEKLERİ Birinci Tasarım İkinci Tasarım Üçüncü Tasarım SONUÇLAR YORUMLAR VE DEĞERLENDİRME KAYNAKLAR ÖZGEÇMİŞ v

7 ÖZET Bu çalışma kapsamında çalışma frekans aralığı MHz olan dahili osilatör ile uyumlu yönlü kuplör tasarımına ait teorik ve deneysel sonuçlar yer almaktadır. Tasarımı yapılan yönlü kuplör, yansıma katsayısı ve duran dalga oranı ölçer cihazında kullanılmak amaçlı yapılmıştır. Teorik alt yapıda açıklandığı gibi bir yönlü kuplör, bir yönlü kuplörün tasarımına dair verilen kompleks formüller ile de tasarlanabilir. Bizim çalışmamızda açık kaynak kodlu bir program olan Qucs da istenen bazı veriler girilerek yönlü kuplör tasarımında kullanılan mikroşerit hattın fiziksel parametrelerine dair değerler kolaylıkla hesaplanabilir. Bu alınan değerler kullanılarak Eagle programı yardımı ile tasarım gerçeklenmiştir. Mikrodalga sistemlerinde olası empedans uyumsuzluklarından kaynaklanan güç kaybı istenmeyen bir durumdur. Bu durumu engellemenin bir yöntemi olarak yönlü kuplör kullanılabileceği gibi bir iletim hattı boyunca gelen ve yansıyan dalgaların güç hesabında da yönlü kuplörden yararlanılmaktadır. vi

8 SEMBOLLER VE KISALTMALAR Г S C[dB] L[dB] I [db] D[dB] S[X, Y] Zo F [Hz] Hz db Ω Yansıma Katsayısı Duran Dalga Oranı Kuplaj Faktörü Hat Kaybı Izolasyon Yönelticilik S-Parametreleri Karakteristik Empedans Malzemenin Efektif Geçirgenlik Katsayısı Çalışma Frekansı Hertz Desibel Ohm Sonsuz vii

9 1. GİRİŞ Mikrodalga sistemlerde kaynak ve yük arasındaki empedans uyumsuzlukları nedeniyle kaynaktan gönderilen dalganın bir kısmı geri yansıyabilir ve bu durum da hat üzerinde bir duran dalga paterni oluşturarak güç kaybına sebep olur. Mikrodalga sistemlerin tasarımında istenmeyen güç kaybını engellemek ve sistemin verimli çalışmasını sağlamak için oluşacak duran dalga paterninin olabildiğince önlenmesine dikkat edilmelidir. Bu çalışmada yansıma katsayısını ölçerek duran dalga oranını hesaplayan cihaz kapsamına dahil yönlü kuplör tasarımı yapılmıştır.yönlü kuplörler koaksiyel, mikroşerit hat ve iletim boruları ile gerçekleştirilebilir. Tasarlanmış yönlü kuplör ise mikroşerit iletim hattı ile gerçekleştirilmiştir Tasarlanan Yönlü Kuplörde Dikkat Edilecek Hususlar Yansıma katsayısı ve duran dalga oranı ölçer cihazının kapsamında kullanılacak çıkış gücü 7 dbm ve çalışma frekans aralığı MHz olan dahili osilatör devre elemanı dikkate alınarak merkez frekansı 1700 MHz olarak tasarlanmıştır. Tasarlanmış yönlü kuplör AD8302 entegresi ile verimli çalışılabilecek simetrik mikroşerit iletim hattı ile gerçekleştirilmiştir. Hattın karekteristik empedansı standart 50 Ω olup tasarım amacına uygun olması için yük empedansı da 50 Ω olması sağlanmaya çalışılmıştır Yönlü Kuplör Uygulamaları Mikrodalga devrelerinin belli bir noktasındaki güç veya frekansın ölçülmesi Mikrodalga gücünün örneklenmesi (otomatik seviye ayarlama devrelerinde ) Duran dalga oranı, yansıma katsayısı, empedans ve geri dönüş kaybı ölçümünde Mikrodalga transistörlerinin s-parametrelerinin belirlenmesinde ve zayıflatıcı gibi çeşitli uygulamalarda yönlü kuplörlerden faydalanılmaktadır. [1] 1

10 1.3. İş zaman çizelgesi Aylar Bitirme çalışmasının durumu 1.AY ŞUBAT 2. AY MART 1)Bitirme çalışması konusu için bölüme başvuru yapılması ve malzeme tedariki istenmesi 2)Malzemelerin tedarik edilerek çalışma ortamının oluşturulması 1)İlk tasarımın simülasyonunun yapılması 2)Simülasyonu yapılan tasarımın gerçeklenmesi, baskı devresinin oluşturulması 3)İkinci tasarımın simülasyonunun yapılması 4)Simülasyonu yapılan tasarımın gerçeklenmesi, baskı devresinin oluşturulması 3.AY NİSAN 4. AY MAYIS 1)Üçüncü tasarımın simülasyonunun yapılması 2)Simülasyonu yapılan tasarımın gerçeklenerek baskı devresinin oluşturulması 3)Gerçeklenen tasarımların Specktrum Analyzer da ölçümlerinin yapılması ve karşılaştırılması 1)Karşılaştırılan ölçümlere göre uygun olan tasarımın belirlenmesi 2)Danışman hocamızla birlikte son düzenlemelerin yapılarak bitirmenin yazımına başlanması 3)Bitirme kitapçığının ve posterlerin oluşturulması 2

11 2. TEORİK ALTYAPI 2.1. Yansıma Katsayısı ve Duran Dalga Oranı Bir elektronik devrenin karakteristik empedansı ile bu devrenin beslediği yükün birbirine eşit olmaması durumunda empedans uyumsuzluğu meydana gelir ve bunun bir sonucu olarak enerjinin bir bölümü yükten geri yansır. Hat üzerinde herhangi bir noktadaki yansıyan gerilimin, gelen gerilime oranı yansıma katsayısı olarak tanımlanır ve Г ile gösterilir. Yansıma katsayısı karmaşık bir büyüklüktür. (1), (2) Duran dalga oranı ise, hat üzerindeki gerilimin maksimum değerinin minimum değerine oranı olarak tanımlanır. Gerçel bir büyüklüktür. (3) (4) Duran dalga oranının yansıma katsayısına bağlı ifadesi;, 1 S (5) [1] 2.2. Yönlü Kuplör Yönlü kuplörler, bir hat üzerinde gelen ve yansıyan dalgaların ayrı ayrı ölçümünü sağlayabilen ve genelde, ana kol ve yardımcı kol olmak üzere iki iletim hattından oluşanelemanlardır. Bu iki iletim hattı, biri üzerinden geçen enerji diğerini kuple edecek 3

12 kadar yeterince birbirlerine yakındırlar. Ana kol ile yardımcı kol birbirine elektromagnetik olarak kuplajlıdır. Yönlü kuplörlerin önemli bir özelliği, sadece tek bir yönde akan gücü kuple eder. Çıkış portundaki güç kuple edilemez. Yönlü kuplörler için en sık kullanılan semboller Şekil 1'de gösterilmiştir. Yönlü kuplörlerin dört adet bağlantı noktası vardır. Port 1 gücün uygulandığı giriş portudur. Port 3, port 1 e uygulanan gücün bir kısmının göründüğü kuplaj portudur. Port 2, port 1 den gücün dışarıya verildiği iletilen portudur. Kuplörler genelde simetriktir bu yüzden izolasyon portu olan port 4 mevcuttur. Port 2 ye uygulanan gücün bir kısmı port 4 e birleştirilebilir. Port 4, normalde kullanılan genellikle eşleşen bir yük (genellikle 50 Ω) ile sonlandırılır. Şekil 1. Yönlü kuplör gösterimi [2] Tüm yönlü kuplörler için istenen ortak özellikler; geniş bir operasyonel bant genişliği, yüksek yönelticilik, diğer portlarla uyumlu yüklerle sonlandırıldığında tüm portların empedans uyumluluğunun sağlanmasıdır Yönlü Kuplör Parametreleri Kuplaj Faktörü Kuplaj faktörü ifadesi: P1: port 1 deki giriş gücü 4

13 P3: kuplaj portundaki çıkış gücü Kuplaj faktörü yönlü bir kuplörün birincil özelliğini temsil eder. Kuplaj faktörü negatif bir büyüklüktür; pasif bir cihaz için 0 db i geçmemelidir ve pratikte kuplaj portu, çıkış gücü iletim portunun gücünden daha fazla olduğu için -3 db i geçmemelidir. Kuplaj faktörü sabit değildir, frekans ile değişir Kayıp Ideal yönlü kuplörde, port 1 den port 2 ye ana hat kaybı (P1-P2) çıkış portuna verilen kuple edilmiş güçten kaynaklanır: Gerçek yönlü kuplör kaybı; kuplaj kaybı, dielektrik kaybı, iletim kaybı ve VSWR kaybının bir kombinasyonudur. Frekans aralığına bağlı olarak, toplam kaybın temelini oluşturan diğer kayıpların olduğu 15 db kuplajın üstünde kuplaj kaybı daha az olmaktadır. Bir kuplör için teorikte araya girme kaybı ile kuplaj arasındaki ilişki grafik 1 de gösterilmektedir. Grafik 1. Kuplaj faktörü ve araya girme kaybı arasındaki ilişki [2] 5

14 İzolasyon Bir yönlü kuplörün izolasyonu, diğer iki port uyumlu yükler tarafından sonlandırıldığında, giriş portu ve izolasyon portunun db sinyal seviyeleri arasındaki fark olarak tanımlanır. İzolasyon da iki çıkış portu arasında tanımlanabilir. Bu durumda, çıkış portları bir girdi olarak kullanılır; uyumlu yükler ile diğer iki port (giriş ve izole) sonlandırılırken iletim portu çıkış portu olarak kabul edilir. Giriş ve izolasyon portları arasındaki izolasyon iki çıkış portları arasındaki izolasyondan farklı olabilir. Örneğin port 2 ve port 3 arasındaki izolasyon 25 db gibi farklı bir değer olabilir, portların 1 ve 4 arasında izolasyonu 30 db olabilir. Izolasyon mümkün olduğunca yüksek olmalıdır. Gerçek kuplörlerde izolasyon portları tamamen izole değildir. Bazı RF gücü her zaman mevcut olacaktır. Yönlü kuplör dalga kılavuzları en iyi izolasyonu sağlar Yönelticilik Yönelticilik doğrudan izolasyon ile ilgilidir. P3: kuplaj portundaki çıkış gücü P4: izolasyon portundaki çıkış gücü 6

15 Yönelticilik mümkün olduğunca yüksek olmalıdır. Yönelticilik, tasarım frekansı çok yüksek olduğu ve bu iki dalga bileşenlerinin iptal olmasından dolayı daha hassas bir frekans fonksiyonudur. Yönlü kuplör dalga kılavuzu en iyi yönelticiliktedir. Yönelticilik doğrudan ölçülebilir değildir, izolasyon ve kuplaj ölçümleri arasındaki farktan hesaplanır: [2] 2.3. S Parametreleri S (saçılım) parametreleri doğrudan gelen, yansıyan ve iletilen gerilim dalgaları ile ilişkilidir. S parametrelerinin bilinmesi durumunda bir mikrodalga elemanın / hattın kapıları arasındaki ilişki anlaşılmış olur. S parametreleri bir Vektör Network Analizörü ile doğrudan ölçülebilir. Bir yönlü kuplörün 1 kapısı giriş, 2 kapısı iletilen, 3 kapısı yalıtım, 4 kapısı kuplaj kapısı olmak üzere S parametreleri; S[1,1]: yansıma S[1,2]: iletilen S[1,3]: yalıtılan S[1,4]: kuplajlanan güç bilgilerini verir. [1] 2.4. Mikroşerit İletim Hatları Mikroşerit hat, iletken bir şerit, dielektrik bir taban malzeme ve iletken bir toprak levhasından oluşan bir iletim hattıdır (şekil 2). 7

16 Şekil 2. Mikroşerit Hat Mikroşerit hatların karakteristik empedansı ve hatta yayılan işaretin dalga boyu, şeridin w genişliği ve taban malzemenin h yüksekliğine bağlı olarak hesaplanır. [3] Projemizdeki yönlü kuplör tasarımına dair kullanılacak mikroşerit hattın fiziksel büyüklüklerine ilişkin hesaplamalar ilerleyen kısımda verilecektir. 8

17 3. YÖNLÜ KUPLÖR TASARIMI Mikroşerit yönlü kuplörler genellikle mikrodalga sistemlerinde yüksek doğrulukla yansıyan ve iletilen güçlerin ölçümü için kullanılırlar. İstenen çalışma frekansında, simetrik iki hatlı bir mikroşerit yönlü kuplörün fiziksel uzunluğuna dair hesaplamalar ileride üç adımda tanımlanmıştır. Şekil 3 te hesaplanacak fiziksel parametrelerin mikroşerit iletim hattında nereyi ifade ettiği gösterilmektedir. Tasarımda; sonlandırılmış port empedansı, kuplaj seviyesi ve çalışma frekansı gereklidir. Bu tasarım mikrodalga uygulamalarında genellikle şu beş malzeme ile gerçekleştirilebilir: alüminyum, teflon, RO4003, FR4 ve RF-60. Kuplaj faktörü yönlü kuplörün fiziksel boyutuyla ilişkilidir. Tasarım aynı zamanda verilen kuplaj faktörü için yönlü kuplörün fiziksel uzunluğunun frekansla ilişkili olduğunu da gösterir. Şekil 3. İki hatlı mikroşerit yönlü kuplör 3.1. Tasarımda Kullanılacak Formüller Tasarımın başında genellikle yönlü kuplörün fiziksel parametreleri bilinmez. İlk olarak ulaşılan bilgi; sonlandırılmış hattın empedansı, kuplaj faktörü ve çalışma frekansıdır. Pratikte çoğu uygulamada, yönlü kuplörün her bir portunun sonlandırılan empedansının 50 Ω olması tercih edilir. Karakteristik empedans Zo port empedansına eşit olduğunda, eşleştirilmiş sistem tamamlanmış olur. 9

18 Tasarımda kuplaj faktörü ve karakteristik empedansın bilinmesi gerekir, bilinmemesi durumunda genellikle kullanılan standart değerler tercih edilir. Bu kabaca yapılan bir hesaplamadır. Kuplaj hattı için yönlü kuplörün fiziksel uzunluğu l, malzemenin efektif geçirgenlik katsayısı na bağlıdır. Bu katsayı malzemenin kapasitesinin bilinmesiyle bulunabilir. Kuplaj seviyesi ve çalışma frekansı gibi bilinen parametrelere dayalı olarak kuplaj tasarımı şu üç adımdaki hesaplamalar ile oluşturulur Adım 1: Tek-Çift Mod Empedansının Bulunması Mikroşerit hatlı kuplörün tek ve çift mod değerlerinin hesaplanmasına dair formüller (13) ve (14) te verilmiştir: Zoe: çift mod empedans Zoo: tek mod empedans C[dB]: ileri kuplaj katsayısı Adım 2: Fiziksel Boyutların (s/h ve w/h) Bulunması Yönlü kuplörün fiziksel boyutlarına dair mesafe oranı hesabı (15) bağıntısıyla yapılabilir: 10

19 (15) bağıntısında verilen ifade de, :mikroşerit hatlar arası mesafe oranıdır. ve : çift-tek moda karşılık gelen iletim hattı genişlik oranları (16) bağıntısında verilen bağıntı ile tek bir mikroşerit hattın genişliğinin hesabı yapılabilir. genişlik oranı için modifiye terimi (16) de verilen bağıntıdan çok daha farklı hesaplanır, bu hesaplamalar detaylı olarak (16) bağıntısıyla verilmiştir. ve için mikroşerit hat genişlik oranı: : Tek mikroşerit hat için genişlik oranı Mikroşerit hatlı kuplörde tek ve çift mod için genişlik oranlarına karşılık gelen tek ve çift mod karakteristik empedanslarının hesaplamalarına ilişkin bağıntılar aşağıda veirlmiştir: 11

20 ve :Tek mikroşerit hattın genişlik oranına karşılık gelen karakteristik empedanslar ve : Tek mikroşerit hattın genişlik oranı genişlik oranı için modifiye terimi (21) bağıntısı ile hesaplanabilir: : iletim hattı genişlik oranı için modifiye terimi (16) bağıntısı kullanıldığında, simetrik iki hatlı mikroşerit yönlü kuplörün s/h mesafe oranına dair kesin sonuçlar (15) bağıntısı ile hesaplanabilir. Kuplaj hattı için s/h oranı bulunduktan sonra, (22) bağıntısı ile kuplaj hattı için w/h oranı basitçe bulunabilir: Adım 3: Yönlü Kuplörün Fiziksel Uzunluğunun Bulunması Yönlü kuplörün fiziksel uzunluğu (25) bağıntısı kullanarak hesaplanır: 12

21 l : Yönlü kuplörün fiziksel uzunluğu f [Hz]:çalışma frekansı :Efektif geçirgenlik sabiti Efektif geçirgenlik sabiti aşağıdaki gibi hesaplanır: εefe ve εefo :Çift-tek mod efektif geçirgenlik sabitleri εefe ve εefo sabitlerinin değerleri tek çift mod kapasitelerine bağlıdır. Bu sabitlerin kapasitelere bağlı hesaplamaları (26a) ve (26b) bağıntılarıyla verilmiştir. Ce ve C : Çift-tek mod kapasiteleri Ce1, Co1: Aralarındaki dielektrik maddesi hava olan iki paralel levhanın kapasitesi Çift mod kapasite hesabı: Çift mod kapasitesi C e (27) bağıntısı ile verilmiştir: Paralel levhalı kondansatörün kapasitesi ve tek bir şerit hatta dair saçaklanma kapasitesi aşağıda hesaplanmıştır: 13

22 (30) bağıntısında verilen için tek mikroşerit hattın efektif gaçirgenlik sabiti ( ) aşağıdaki gibi tanımlanır: Daha önce (27) bağıntısında geçen ifadesi aşağıda belirtilmiştir. Tek mod kapasite hesabı: Tek mod kapasitesi C o (34) bağıntısı ile verilmiştir: 14

23 (36) bağıntısında verilen için hava aralığındaki saçaklanmadan kaynaklanan tek moda dair kapasite terimi (35) bağıntısı ile ifade edilebilir: Dielektrik bölgedeki saçaklanmadan kaynaklanan tek moda dair kapasite terimi (39) bağıntısı ile ifade edilebilir: [4] 15

24 4. YÖNLÜ KUPLÖR SİMÜLASYONU Yönlü kuplör simülasyonu için açık kaynak kodlu bir program olan Qucs yazılımı kullanılmıştır. Qucs programı ile istenen kuplaj değerine sahip bir mikroşerit hat çifti tasarlanmıştır. Daha sonra tasarımın S parametreleri analizi yapılarak, MHz aralığında çizdirildi. Kullanılan malzeme FR4 Epoxy Glass olarak belirlendi. Malzemenin dielektrik sabiti Er= 4.8, bord kalınlığı H= 1.6 mm, bakır kalınlığı T= mm alınmıştır. 20 db kuplaj değeri için çift mikroşerit hatta dair tek ve çift mod empedans hesabı; Tek mikroşerit hat için; 16

25 Hesaplanan bu değerler, malzeme parametreleri ve tasarım frekansı Qucs programının mikroşerit hat hesaplama aracına girilerek, mikroşerit hat uzunlukları hesaplanır. Ekran görüntüsü Şekil 4 ve Şekil 5 te bu işlem ve sonuçlar görülmektedir. Şekil 4. Qucs programının iletim hattı hesap arayüzü (tek mikroşerit hat hesabı) 17

26 Şekil 5. Qucs programının iletim hattı hesap arayüzü (çift mikroşerit hat hesabı) Hesaplanan bu değerler, malzeme parametreleri ve tasarım frekansı Qucs programının mikroşerit hat hesaplama aracına girilerek, mikroşerit hat uzunlukları hesaplanır. Aşağıdaki ekran görüntüsünde bu işlem ve sonuçlar görülmektedir. Burada program çıktıları W,S ve L parametreleridir. W mikroşerit hatların genişliği, S hatlar arasındaki mesafe, L hat uzunluğudur. Program çıktıları ve tasarımın yapıldığı malzeme parametreleri kullanılarak aşağıda verilen şekil 6 daki gibi devre şeması kuruldu. 18

27 Şekil 6. Yönlü kuplör simülasyonu için Qucs programında oluşturulan devre şeması Çizimde görüldüğü gibi yönlü kuplörün her bir kapısına birer kaynak bağlanmıştır. Malzeme parametrelerini belirlemek için tasarıma bir de malzeme bloğu (Subst1) eklenmiştir. Simülasyon tipi olarak S parametresi simülasyonu ve frekans aralığı olarak GHz seçilmiştir. 19

28 5. TASARIM ÖRNEKLERİ Yapılan üç tasarımda da 20 db kuplaj değeri için tek ve çift mod empedans hesabı yapılmıştır. Bir önceki bölümde hesaplanan bu değerler, malzeme parametreleri ve tasarım frekansı Qucs programının mikroşerit hat hesaplama aracına girilerek, mikroşerit hat uzunluklarına dair sonuçlar dikkate alınmıştır. Her üç tasarım için eagle programı kullanılarak board çizimi manuel olarak yapılmıştır Birinci Tasarım İlk tasarımda, yönlü kuplör AD8302 entegresinin datasheetinde verilen model örnek alınarak tasarlanmıştır. Tasarımda iki yönlü kuplör uc uca bağlanarak simetrik olmasına dikkat edildi. Hattın fiziksel parametrelerine dair hesaplamalar tek mikroşerit hat ve çift mikroşerit hat için bir önceki bölümde ayrı ayrı verilmiştir. Hat uzunluğu dalga boyu için hesaplanmıştır ve hattın karekteristik empedansı 50 Ω olarak kabul edilmiştir. Merkez frekansı 1.7 GHz de kuplaj faktörü 20 db olacak şekilde ayarlanmıştır. Kuplör giriş, kuplaj, izolasyon ve çıkış kapıları olmak üzere 4 kapıdan oluşmaktadır. Kuplaj ve izolasyon kapılarının diğer uçları direnç standart değerlerinden 47 Ω luk bir direnç ile sonlandırılmıştır. Tasarıma dair çizim şekil 7 de ve gerçeklenen ilk tasarımın baskı devresi Şekil 8 de verilmiştir. Şekil 7. Birinci tasarıma dair eagle programında elde edilen board çizimi 20

29 Şekil 8. Gerçeklenen ilk tasarımın baskı devresi 5.2. İkinci Tasarım İkinci tasarımda, yönlü kuplör üç paralel hat modeli örnek alınarak tasarlanmıştır. Tasarımda birbiri ile kuplajlanmış çift mikroşerit hat hesabı yapılarak ana hatta paralel ve simetrik üçüncü bir hat mevcuttur. Hattın fiziksel parametrelerine dair hesaplamalar tek mikroşerit hat ve çift mikroşerit hat için bir önceki bölümde ayrı ayrı verilmiştir. Hat uzunluğu dalga boyu için hesaplanmıştır ve hattın karekteristik empedansı 50 Ω olarak kabul edilmiştir. Merkez frekansı 1.7 GHz de kuplaj faktörü 20 db olacak şekilde ayarlanmıştır. Kuplör giriş, kuplaj, izolasyon ve çıkış kapıları olmak üzere 4 kapıdan oluşmaktadır. Kuplaj ve izolasyon kapılarının diğer uçları direnç standart değerlerinden 47 Ω luk bir direnç ile sonlandırılmıştır. Tasarıma dair çizim şekil 9 da ve gerçeklenen ikinci tasarımın baskı devresi Şekil 10 da verilmiştir. 21

30 Şekil 9. İkinci tasarıma dair eagle programında elde edilen board çizimi Şekil 10. Gerçeklenen ikinci tasarımın baskı devresi 5.3. Üçüncü Tasarım Üçüncü tasarımda, yönlü kuplör iki paralel hat modeli örnek alınarak tasarlanmıştır. Tasarımda birbiri ile kuplajlanmış çift mikroşerit hat hesabı yapılmıştır. Hattın fiziksel parametrelerine dair hesaplamalar tek mikroşerit hat ve çift mikroşerit hat için bir önceki bölümde ayrı ayrı verilmiştir. Hat uzunluğu dalga boyu için hesaplanmıştır ve hattın karekteristik empedansı 50 Ω olarak kabul edilmiştir. Merkez frekansı 1.7 GHz de kuplaj faktörü 20 db olacak şekilde ayarlanmıştır. Kuplör giriş, kuplaj, izolasyon ve çıkış kapıları olmak üzere 4 kapıdan oluşmaktadır. Kuplaj ve izolasyon kapılarının diğer uçları direnç standart değerlerinden 47 Ω luk bir direnç ile sonlandırılmıştır. Tasarım kesitleri şekil 11 22

31 de ayrıntılı bir şekilde verilmiştir. Tasarıma dair çizim şekil 12 de ve gerçeklenen üçüncü tasarımın baskı devresi Şekil 13 te verilmiştir. Şekil 11. Tasarım kesitleri [7] Şekil 12. Üçüncü tasarıma dair eagle programında elde edilen board çizimi Şekil 13. Gerçeklenen ikinci tasarımın baskı devresi 23

32 6. SONUÇLAR İlk tasarımda spektrum analizöründen 1.7 GHz de 5 dbm lik işaret izolasyon ve çıkış kapıları uygun yükle sonlandırılarak giriş kapısından verildi. Kuplaj kapısından alınan işaret 24 db olarak kaydedildi. Daha sonra aynı işaret bu kez kuplaj ve çıkış kapıları uygun yükle sonlandırılarak izolasyon kapısından yapılan ölçüm sonucunda 22 db olarak kaydedildi. Bu kapıdan işaretin çok fazla zayıflatılmış olması beklenmesine rağmen işaretin bu kapıdan da kuple edildiği anlaşıldı. Deney sonucunda network analizöründen alınan s-parametrelerine dair değerlerin frekansla değişimi grafik 2 ve grafik 3 de verilmiştir. Grafik 2. Birinci Tasarım için ileri yön s parametreleri Grafik 3. Birinci Tasarım için ters yön s parametreleri 24

33 İkinci tasarımda spektrum analizöründen verilen aynı işaret ile kuplaj kapısından 23.6 db ve izolasyon kapısından 27 db olarak ölçüm alındı. Bu denemede tasarım modeli üç paralel hat ile yapılarak birinci tasarıma göre iyileştirme yapıldığı kaydedildi. Deney sonucunda network analizöründen alınan s-parametrelerine dair değerlerin frekansla değişimi grafik 4 ve grafik 5 de verilmiştir. Grafik 4. İkinci tasarım için ileri yön S parametreleri Grafik 5. İkinci tasarım için ters yön S parametreleri Üçüncü tasarımda spektrum analizöründen verilen aynı işaret ile kuplaj kapısından yaklaşık 22 db ve izolasyon kapısında ise yaklaşık 30 db olarak ölçüm alındı. Deney sonucunda network analizöründen alınan s-parametrelerine dair değerlerin frekansla değişimi grafik 6 ve grafik 7 de verilmiştir. 25

34 Grafik 6. Üçüncü tasarım için ileri yön s parametreleri Grafik 7. Üçüncü tasarım için ters yön s parametrleri 26

35 7. YORUMLAR VE DEĞERLENDİRME Önemli bilimsel ve teknolojik gelişmelere yer veren mikrodalgaların, daha çok haberleşme alanında ilerlemeleri bilinmektedir. Bununla birlikte RF dalgalarının özel bazı mikroşerit filtrelerde olduğu gibi endüstriyel alanda kullanıldığı mevcuttur. Bu anlamda mikrodalga sistemlerde gelen ve yansıyan dalgalara dair bilgi veren yönlü kuplör elemanı, iletim hattı boyunca belli bir noktadaki güç ve frekans ölçümlerinde kullanılmaktadır. Ayrıca duran dalga oranı, yansıma katsayısı, empedans ve geri dönüş kaybı gibi uygulamalarda da yönlü kuplörlerden faydanılmaktadır. Çalışmamızda çalışma frekans aralığı MHz olan dahili osilatörden işaret alınan yönlü kuplör tasarlanmış, devre gerçeklemeleri yapıldıktan sonra alınan ölçüm sonuçları analiz edilmiştir, simülasyon sonuçları incelenmiştir. Alınan sonuçlardan simetrik bir yönlü kuplörün 1.7 MHz tasarım frekansında kuplaj faktörü, hedaflenen 20 db değeri için yaklaşık olarak gerçeklenmiştir. İzolasyon kapısından neredeyse kuplajlanan hedef işaretine yakın bir işaret alınması çalışmanın farklı tasarımlarla gerçeklenmesini gerektirmektedir. Üçüncü tasarımla kuplaj ve izolasyon kapıları arasındaki fark yaklaşık 9 db ölçülerek iyileştirilmenin yapıldığı kaydedilmiştir. Yapılan çalışmalar doğrultusunda, laboratuvar imkan ve olanaklarından faydalanılarak, orta seviyeli bir bütçe ile mikrodalga laboratuarlarında kullanılabilecek Yansıma Katsayısı ve Duran Dalga Oranı Ölçer yapılabileceği ve bu cihaz kapsamında, tasarımı yapılan Yönlü Kuplör ün kullanılabileceği görüldü ve tasarım gerçekleştirildi. 27

36 KAYNAKLAR [1]. D. K. Cheng, Mühendislik Elektromanyetiğinin Temelleri, Palme Yayıncılık, [2]. Thomas Koryu Ishii, Handbook of Microwave Technology: Components and devices, Academic Press, [3]. Rajesh Mangia, RF and Microwave Coupled-Line Circuits, Artech House, [4]. A. Eroğlu ve J. K. Lee, Complete Design Of Microstrip Directional Couplers Using Synthesis Technique, IEEE Transactions On Instrumentation And Measurement, no. 57, ÖZGEÇMİŞ 28

37 ÖZGEÇMİŞ Nesrin GÖKALP, 07/09/1989 tarihinde Erzincan ilinin Çayırlı ilçesinde doğdu. İlköğretim ilk iki sınıfını 9 Ocak İlköğretim Okulu nda tamamladı.ilkokul 3. Sınıftan itibaren ilköğretimi 29 Ekim İlköğretim Okulu nda, liseyi Erzincan Anadolu Lisesi nde okudu yılında Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü nde lisans eğitimine başladı. 3. Sınıfta bölümlerin ayrılması ile seçimini Elektronik ve Haberleşme dalı olarak yaptı. Şu anda 4. Sınıf öğrencisi olarak öğrenimine devam etmektedir. Münteha Şura YAVUZ, 01/06/1988 tarihinde Konya ilinin Meram ilçesinde doğdu. İlköğretimi Şükrü Doruk İlköğretim Okulu nda, liseyi Konya Lisesi nde okudu yılında Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü nde lisans eğitimine başladı. Muafiyet sınavına girerek, üniversite yabancı dil hazırlık sınıfından muaf oldu. 3. Sınıfta bölümlerin ayrılması ile seçimini Elektronik ve Haberleşme dalı olarak yaptı. Şu anda 4. Sınıf öğrencisi olarak öğrenimine devam etmektedir 29

3.5. Devre Parametreleri

3.5. Devre Parametreleri 3..3 3.5. Devre Parametreleri 3.5. Devre Parametreleri Mikrodalga mühendisliğinde doğrusal mikrodalga devrelerini karakterize etmek için dört tip devre parametreleri kullanılır: açılma parametreleri (parametreleri)

Detaylı

ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ OTOMOTİV MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ OTOMOTİV MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ OTOMOTİV MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ OTO4003 OTOMOTİV MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY FÖYÜ LAB. NO:.. DENEY ADI : SES İLETİM KAYBI DENEYİ 2017 BURSA 1) AMAÇ Bir malzemenin

Detaylı

Anten Tasarımı. HFSS Anten Benzetimi

Anten Tasarımı. HFSS Anten Benzetimi Bu dokümanda, antene ait temel bilgiler verilmiş ve HFSS programında anten tasarımının nasıl yapıldığı gösterilmiştir. Anten Tasarımı HFSS Anten Benzetimi KAZIM EVECAN Dumlupınar Üniversitesi Elektrik-Elektronik

Detaylı

Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü. Ders içeriği

Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü. Ders içeriği ANTENLER Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü Ders içeriği BÖLÜM 1: Antenler BÖLÜM 2: Antenlerin Temel Parametreleri BÖLÜM 3: Lineer Tel Antenler BÖLÜM 4: Halka Antenler

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ 14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ Sinüsoidal Akımda Direncin Ölçülmesi Sinüsoidal akımda, direnç üzerindeki gerilim ve akım dalga şekilleri ve fazörleri aşağıdaki

Detaylı

Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü

Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü ESM 413 Enerji Sistemleri Laboratuvarı-II RL, RC ve RLC DEVRELERİNİN AC ANALİZİ Puanlandırma Sistemi: Hazırlık Soruları:

Detaylı

ELN 4089 Mikrodalga Uygulamaları GİRİŞ. : Öğr.Gör. Dr. Ali Akman :

ELN 4089 Mikrodalga Uygulamaları GİRİŞ. : Öğr.Gör. Dr. Ali Akman : GİRİŞ Öğr. Üy. : Öğr.Gör. Dr. Ali Akman e-mail : aakman@uludag.edu.tr Ofis : EL-109 Görüşme Saatleri : Salı 11.00 12.00, Perşembe 14.00 15.00 Ders Web Sayfas : http://w20.uludag.edu.tr/~mikro/eln4089 Elektronik

Detaylı

ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5

ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 İletim Hatları İLETİM HATLARI İletim hatlarının tarihsel gelişimi iki iletkenli basit hatlarla (ilk telefon hatlarında olduğu gibi) başlamıştır. Mikrodalga enerjisinin

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri

DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri 1. Amaç Bu deneyin amacı; alternatif akım devrelerinde, direnç-kondansatör birleşimi ile oluşturulan RC filtre

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

TOPLU DEVRE ELEMANLARI KULLANILARAK TASARLANMIŞ 12Ω-50Ω FİLTRE

TOPLU DEVRE ELEMANLARI KULLANILARAK TASARLANMIŞ 12Ω-50Ω FİLTRE TOPLU DEVRE ELEMANLARI KULLANILARAK TASARLANMIŞ 12Ω-50Ω FİLTRE Bu süzgeç yapısı, SRFT (Simplified Real Frequency Technique) ile tasarlanmış olup, AWR Microwave Office ile yapılan benzetimde, toplu devre

Detaylı

ANTEN VE MİKRODALGA LABORATUVARI

ANTEN VE MİKRODALGA LABORATUVARI Deney No: 4 ANTEN VE MİKRODALGA LABORATUVARI ANTEN EMPEDANSININ YARIKLI HAT (SLOTTED LINE) KULLANILARAK ÖLÇÜMÜ Bir dalga kılavuzundaki gerilimi voltmetre ile akımı da ampermetre ile ölçmek mümkün değildir.

Detaylı

Yıldız Teknik Üniversitesi Elektronik ve Hab. Müh. Mikrodalga Lab. Deney No:6

Yıldız Teknik Üniversitesi Elektronik ve Hab. Müh. Mikrodalga Lab. Deney No:6 Deney No:6 Yıldız Teknik Üniversitesi Elektronik ve Hab. Müh. Mikrodalga Lab. VCO, Dedektör ve 3-Kapılı Sirkülatörün Tanınması Alçak Geçiren Filtreye Ait Araya Girme Kaybı Karakteristiğinin Belirlenmesi

Detaylı

RF ve Mikrodalga Mühendisliği (EE 310*) Ders Detayları

RF ve Mikrodalga Mühendisliği (EE 310*) Ders Detayları RF ve Mikrodalga Mühendisliği (EE 310*) Ders Detayları Ders Adı Ders Kodu Dönemi Ders Uygulama Laboratuar Kredi AKTS Saati Saati Saati RF ve Mikrodalga Mühendisliği EE 310* Bahar 3 2 0 4 5 Ön Koşul Ders(ler)i

Detaylı

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF

Detaylı

Mikrodalga Konnektörler. Microwave connectors

Mikrodalga Konnektörler. Microwave connectors Mikrodalga Konnektörler * Microwave connectors KONU : Mikrodalga Konnektörler PROJE YÖNETİCİSİ : Yrd. Doç. Dr. Arif Dolma TESLİM TARİHİ : 23.11.2005 HAZIRLAYANLAR : İpek SUADİYE 1. Giriş Bu çalışmada mikrodalga

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

UHF RFID SİSTEMLERİ İÇİN DOĞRUDAN VE KUPLAJ BAĞLANTILI SİMETRİK MİKROŞERİT ANTEN TASARIMI VE GERÇEKLENMESİ

UHF RFID SİSTEMLERİ İÇİN DOĞRUDAN VE KUPLAJ BAĞLANTILI SİMETRİK MİKROŞERİT ANTEN TASARIMI VE GERÇEKLENMESİ UHF RFID SİSTEMLERİ İÇİN DOĞRUDAN VE KUPLAJ BAĞLANTILI SİMETRİK MİKROŞERİT ANTEN TASARIMI VE GERÇEKLENMESİ Mehmet Ali BELEN 1 Mehmet Fatih ÇAĞLAR Adnan KAYA 3 Elektronik Haberleşme Mühendisliği Bölümü

Detaylı

ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ

ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ DENEY 1 ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ 1.1. Genel Bilgi MV 1424 Hat Modeli 40 kv lık nominal bir gerilim ve 350A lik nominal bir akım için tasarlanmış 40 km uzunluğundaki

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II ALTERNATİF AKIM KÖPRÜLERİ 1. Hazırlık Soruları Deneye gelmeden önce aşağıdaki soruları cevaplayınız ve deney öncesinde rapor halinde sununuz. Omik, kapasitif ve endüktif yük ne demektir? Açıklayınız. Omik

Detaylı

LCR METRE KALİBRASYONU

LCR METRE KALİBRASYONU 599 LCR METRE KALİBRASYONU Yakup GÜLMEZ Gülay GÜLMEZ Mehmet ÇINAR ÖZET LCR metreler, genel olarak indüktans (L), kapasitans (C), direnç (R) gibi parametreleri çeşitli frekanslardaki alternatif akımda ölçen

Detaylı

TRT GENEL MÜDÜRLÜĞÜ VERĐCĐ ĐŞLETMELERĐ DAĐRESĐ BAŞKANLIĞI SPEKTRUM ANALĐZÖR TEKNĐK ŞARTNAMESĐ

TRT GENEL MÜDÜRLÜĞÜ VERĐCĐ ĐŞLETMELERĐ DAĐRESĐ BAŞKANLIĞI SPEKTRUM ANALĐZÖR TEKNĐK ŞARTNAMESĐ TRT GENEL MÜDÜRLÜĞÜ VERĐCĐ ĐŞLETMELERĐ DAĐRESĐ BAŞKANLIĞI SPEKTRUM ANALĐZÖR TEKNĐK ŞARTNAMESĐ Sipariş No: VĐD 2010/12 1 SPEKTRUM ANALĐZÖR TEKNĐK ŞARTNAMESĐ 1. GENEL Bu şartnamenin amacı; Đdari Şartname

Detaylı

6. DENEY Alternatif Akım Kaynağı ve Osiloskop Cihazlarının Kullanımı

6. DENEY Alternatif Akım Kaynağı ve Osiloskop Cihazlarının Kullanımı 6. DENEY Alternatif Akım Kaynağı ve Osiloskop Cihazlarının Kullanımı Deneyin Amacı: Osiloskop kullanarak alternatif gerilimlerin incelenmesi Deney Malzemeleri: Osiloskop Alternatif Akım Kaynağı Uyarı:

Detaylı

KAÇAK ELEKTRİK KULLANIMININ UYUMLULUK YÖNTEMİ İLE BELİRLENMESİ. Yrd. Doç. Dr. Köksal ERENTÜRK

KAÇAK ELEKTRİK KULLANIMININ UYUMLULUK YÖNTEMİ İLE BELİRLENMESİ. Yrd. Doç. Dr. Köksal ERENTÜRK KAÇAK ELEKTRİK KULLANIMININ ELEKTROMANYETİK UYUMLULUK YÖNTEMİ İLE BELİRLENMESİ Yrd. Doç. Dr. Köksal ERENTÜRK Erzurum 2007 İÇERİK Bölgesel inceleme FACTS sistemler Elektromanyetik uyumluluk Kaçak kullanımda

Detaylı

ELEKTRİK ENERJİ SİSTEMLERİNDE OLUŞAN HARMONİKLERİN FİLTRELENMESİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ MODELLENMESİ VE SİMÜLASYONU

ELEKTRİK ENERJİ SİSTEMLERİNDE OLUŞAN HARMONİKLERİN FİLTRELENMESİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ MODELLENMESİ VE SİMÜLASYONU T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ELEKTRİK ENERJİ SİSTEMLERİNDE OLUŞAN HARMONİKLERİN FİLTRELENMESİNİN BİLGİSAYAR DESTEKLİ MODELLENMESİ VE SİMÜLASYONU Mehmet SUCU (Teknik Öğretmen, BSc.)

Detaylı

Elektromanyetik Dalga Teorisi Ders-3

Elektromanyetik Dalga Teorisi Ders-3 Elektromanyetik Dalga Teorisi Ders-3 Faz ve Grup Hızı Güç ve Enerji Düzlem Dalgaların Düzlem Sınırlara Dik Gelişi Düzlem Dalgaların Düzlem Sınırlara Eğik Gelişi Dik Kutuplama Paralel Kutuplama Faz ve Grup

Detaylı

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k

Detaylı

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,

Detaylı

12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI

12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI Wheatstone Köprüsü ile Direnç Ölçümü 12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI Orta değerli dirençlerin (0.1Ω

Detaylı

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER 1. Deneyin Amacı Yarım

Detaylı

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3.

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3. DENEY AÇI MODÜLASYONUNUN İNCELENMESİ-1 Arş. Gör. Osman DİKMEN

Detaylı

İletken Düzlemler Üstüne Yerleştirilmiş Antenler

İletken Düzlemler Üstüne Yerleştirilmiş Antenler İletken Düzlemler Üstüne Yerleştirilmiş Antenler Buraya dek sınırsız ortamlarda tek başına bulunan antenlerin ışıma alanları incelendi. Anten yakınında bulunan başka bir ışınlayıcı ya da bir yansıtıcı,

Detaylı

Journal of Engineering and Natural Sciences Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi

Journal of Engineering and Natural Sciences Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi Journal of Engineering and Natural Sciences Mühendislik ve Fen Bilimleri Dergisi Sigma 30, 427-435, 2012 Research Article / Araştırma Makalesi EFFECT OF THE FEED LINE ON THE RADIATION PATTERN OF THE SMALL

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi

Detaylı

L1, L2 ve L5 Frekanslarında Çalışan Üç Katmanlı Mikroşerit GPS Anteni Tasarımı

L1, L2 ve L5 Frekanslarında Çalışan Üç Katmanlı Mikroşerit GPS Anteni Tasarımı L1, L2 ve L5 Frekanslarında Çalışan Üç Katmanlı Mikroşerit GPS Anteni Tasarımı Sertaç ERDEMİR 1 Asım Egemen YILMAZ * Özet: Bu çalışmada Küresel Konumlandırma Sistemleri ölçümlerindeki kullanımı gittikçe

Detaylı

4. Sunum: AC Kalıcı Durum Analizi. Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık

4. Sunum: AC Kalıcı Durum Analizi. Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık 4. Sunum: AC Kalıcı Durum Analizi Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık 1 Giriş Aşağıdaki şekillere ve ifadelere bakalım ve daha önceki derslerimizden

Detaylı

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi DENEY 8: PASİF FİLTRELER Deneyin Amaçları Pasif filtre devrelerinin çalışma mantığını anlamak. Deney Malzemeleri Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop.

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin

Detaylı

MİKRODALGA ÖLÇÜM TEKNİKLERİ

MİKRODALGA ÖLÇÜM TEKNİKLERİ MİKRODALGA ÖLÇÜM TEKNİKLERİ Dr. Murat CELEP TÜBİTAK ULUSAL METROLOJİ ENSTİTÜSÜ 02 Nisan 2014 1 İÇERİK Ölçme Mikrodalga gürültü S-parametreleri Network Analyzer Spektrum analyzer SAR ölçümleri 2 ÖLÇME (?)

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR-II BORU ve DİRSEKLERDE ENERJİ KAYBI DENEYİ 1.Deneyin Adı: Boru ve dirseklerde

Detaylı

8. ALTERNATİF AKIM VE SERİ RLC DEVRESİ

8. ALTERNATİF AKIM VE SERİ RLC DEVRESİ 8. ATENATİF AKIM E SEİ DEESİ AMAÇA 1. Alternatif akım ve gerilim ölçmeyi öğrenmek. Direnç, kondansatör ve indüktans oluşan seri bir alternatif akım devresini analiz etmek AAÇA oltmetre, ampermetre, kondansatör

Detaylı

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : DENEY TARİHİ : DENEYİ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

Waveguide to coax adapter. Rectangular waveguide. Waveguide bends

Waveguide to coax adapter. Rectangular waveguide. Waveguide bends Rectangular waveguide Waveguide to coax adapter Waveguide bends E-tee 1 Dalga Kılavuzları, elektromanyetik enerjiyi kılavuzlayan yapılardır. Dalga kılavuzları elektromanyetik enerjinin mümkün olan en az

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

Eleman sayısı. Kılıf ve Koruyucu ekran. Kablo öz yapısı. İletken çapı. Eleman yapısı. Eleman sayısı. İletken Cinsi -K.

Eleman sayısı. Kılıf ve Koruyucu ekran. Kablo öz yapısı. İletken çapı. Eleman yapısı. Eleman sayısı. İletken Cinsi -K. HarİCİ Tesİsat Kabloları GENEL TANIMLAR (TÜRK TELEKOM KODLARI TT İŞ/A;İŞ/B) KDF A 00 0. İletken 0. İletkenin nominal çapı Eleman sayısı 00 Kablo çift sayısı Kılıf ve Koruyucu ekran A A H E iç kılıf Alüminyum

Detaylı

ELEKTRİK TESİSLERİNDE HARMONİKLERİN PASİF FİLTRE KULLANILARAK AZALTILMASI VE SİMÜLASYONU. Sabir RÜSTEMLİ

ELEKTRİK TESİSLERİNDE HARMONİKLERİN PASİF FİLTRE KULLANILARAK AZALTILMASI VE SİMÜLASYONU. Sabir RÜSTEMLİ ELEKTRİK TESİSLERİNDE HARMONİKLERİN PASİF FİLTRE KULLANILARAK AZALTILMASI VE SİMÜLASYONU Sabir RÜSTEMLİ Elektrik tesislerinin güvenli ve arzu edilir bir biçimde çalışması için, tesisin tasarım ve işletim

Detaylı

SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MİKRODALGA TEKNİĞİ I DERSİ DÖNEM PROJESİ

SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MİKRODALGA TEKNİĞİ I DERSİ DÖNEM PROJESİ SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MİKRODALGA TEKNİĞİ I DERSİ DÖNEM PROJESİ Yrd. Doç.Dr. Mehmet Fatih ÇAĞLAR Arş. Gör. Mahmut Ahmet GÖZEL Bahar

Detaylı

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Deneyin Amacı DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Seri ve paralel RLC devrelerinde rezonans durumunun gözlenmesi, rezonans eğrisinin elde edilmesi ve devrenin karakteristik parametrelerinin ölçülmesi

Detaylı

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L

Detaylı

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop Osiloskop kullanarak alternatif gerilimlerin incelenmesi Deney Malzemeleri: 5 Adet 1kΩ, 5 adet 10kΩ, 5 Adet 2k2Ω, 1 Adet potansiyometre(1kω), 4

Detaylı

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit

Detaylı

DENEY 5. Pasif Filtreler

DENEY 5. Pasif Filtreler ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM24 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2425 Bahar DENEY 5 Pasif Filtreler Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı : Ön

Detaylı

Online teknik sayfa. PowerCEMS50 KULLANICIYA ÖZEL TASARIMLI ANALIZ SISTEMLERI

Online teknik sayfa. PowerCEMS50 KULLANICIYA ÖZEL TASARIMLI ANALIZ SISTEMLERI Online teknik sayfa A B C D E F H I J K L M N O P Q R S T Sipariş bilgileri Tip Stok no. Talep üzerine Uygulama yeri ve müşteri gereklilikleri doğrultusunda kullanılacak cihazın özellikleri ve spesifikasyonları

Detaylı

DENEY 3: DTMF İŞARETLERİN ÜRETİLMESİ VE ALGILANMASI

DENEY 3: DTMF İŞARETLERİN ÜRETİLMESİ VE ALGILANMASI DENEY 3: DTMF İŞARETLERİN ÜRETİLMESİ VE ALGILANMASI AMAÇ: DTMF işaretlerin yapısının, üretim ve algılanmasının incelenmesi. MALZEMELER TP5088 ya da KS58015 M8870-01 ya da M8870-02 (diğer eşdeğer entegreler

Detaylı

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim

Detaylı

İnce Antenler. Hertz Dipolü

İnce Antenler. Hertz Dipolü İnce Antenler Çapları boylarına göre küçük olan antenlere ince antenler denir. Alanların hesabında antenlerin sonsuz ince kabul edilmesi kolaylık sağlar. Ancak anten empedansı bulunmak istendiğinde kalınlığın

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alternatif akım (AC) ve doğru akım nedir örnek vererek kısaca tanımını yapınız. 2. Alternatif akımda aynı frekansa sahip iki sinyal arasındaki faz farkı grafik üzerinde (osiloskopta)

Detaylı

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,

Detaylı

Ofset Besleme Hatlı Eğik Açıklık Kuplajlı Yığın Mikroşerit Anten Tasarımı Offset Feed Line Inclined Aperture Coupled Stacked Microstrip Antenna Design

Ofset Besleme Hatlı Eğik Açıklık Kuplajlı Yığın Mikroşerit Anten Tasarımı Offset Feed Line Inclined Aperture Coupled Stacked Microstrip Antenna Design Ofset Besleme Hatlı Eğik Açıklık Kuplajlı Yığın Mikroşerit Anten Tasarımı Offset Feed Line Inclined Aperture Coupled Stacked Microstrip Antenna Design Faruk Öztürk 1, Erdem Yazgan 2 1 Elektrik-Elektronik

Detaylı

YÜKSEK GERİLİM ENERJİ NAKİL HATLARI

YÜKSEK GERİLİM ENERJİ NAKİL HATLARI Enerjinin Taşınması Genel olarak güç, iletim hatlarında üç fazlı sistem ile havai hat iletkenleri tarafından taşınır. Gücün taşınmasında ACSR(Çelik özlü Alüminyum iletkenler) kullanılırken, dağıtım kısmında

Detaylı

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni

Detaylı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.

Detaylı

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin

Detaylı

Deney No:3 Güç iletiminde ve yansıma ölçümlerinde yönlendirici kuplör kullanılması. Deneyin Amacı: Bu deneyde,

Deney No:3 Güç iletiminde ve yansıma ölçümlerinde yönlendirici kuplör kullanılması. Deneyin Amacı: Bu deneyde, Deney No:3 Güç iletiminde ve yansıma ölçümlerinde yönlendirici kuplör kullanılması. Deneyin Amacı: Bu deneyde, Yıldız Teknik Üniversitesi Elektronik ve Hab. Müh. Mikrodalga Lab. Yönlendirici kuplörlerin

Detaylı

WR1001JL-TD FTTB NODE

WR1001JL-TD FTTB NODE WR1001JL-TD FTTB NODE Hangzhou Prevail Optoelectronic Equipment Co., Ltd. 2015. 1( Versiyon 1) 1. Ürün Özeti WR1001JL-TD optik alıcı son 1GHz FTTB iki yönlü optik alıcımızdır. Optik gücü geniş alanda alması

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

2.5. İletkenlerde R, L, C Hesabı İletim Hatlarında Direnç (R) İletim hatlarında gerilim düşümüne ve güç kaybına sebebiyet veren direncin doğru

2.5. İletkenlerde R, L, C Hesabı İletim Hatlarında Direnç (R) İletim hatlarında gerilim düşümüne ve güç kaybına sebebiyet veren direncin doğru 2.5. İletkenlerde R, L, C Hesabı 2.5.1. İletim Hatlarında Direnç (R) İletim hatlarında gerilim düşümüne ve güç kaybına sebebiyet veren direncin doğru hesaplanması gerekir. DA direnci, R=ρ.l/A eşitliğinden

Detaylı

EŞANJÖR (ISI DEĞİŞTİRİCİSİ) DENEYİ FÖYÜ

EŞANJÖR (ISI DEĞİŞTİRİCİSİ) DENEYİ FÖYÜ EŞANJÖR (ISI DEĞİŞTİRİCİSİ) DENEYİ FÖYÜ Giriş Isı değiştiricileri (eşanjör) değişik tiplerde olup farklı sıcaklıktaki iki akışkan arasında ısı alışverişini temin ederler. Isı değiştiricileri başlıca yüzeyli

Detaylı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100-200 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEYİN AMACI: Bu deneyi başarıyla tamamlayan her öğrenci 1. Filtre tasarımında uyulması gereken kuralları bilecek

Detaylı

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO: DENEY GRUP NO:

Detaylı

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP Amaç: Bu deneyin amacı, öğrencilerin alternatif akım ve gerilim hakkında bilgi edinmesini sağlamaktır. Deney sonunda öğrencilerin, periyot, frekans, genlik,

Detaylı

Işıma Şiddeti (Radiation Intensity)

Işıma Şiddeti (Radiation Intensity) Işıma Şiddeti (Radiation Intensity) Bir antenin birim katı açıdan yaydığı güçtür U=Işıma şiddeti [W/sr] P or =Işıma yoğunluğu [ W/m 2 ] Örnek-4 Bir antenin güç yoğunluğu Olarak verildiğine göre, ışıyan

Detaylı

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 1.

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 1. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 1. DENEY GENLİK MODÜLASYONUNUN İNCELENMESİ-1 Arş. Gör. Osman

Detaylı

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür: Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör

Detaylı

Salim OĞUR. SPP Takımı Adına. SPP de RF Mühendisliği: Güç Kaynağı, İletim Hattı ve Dolaştırıcı

Salim OĞUR. SPP Takımı Adına. SPP de RF Mühendisliği: Güç Kaynağı, İletim Hattı ve Dolaştırıcı Salim OĞUR Boğaziçi Üniversitesi Fizik Bölümü & CERN SPP Takımı Adına SPP de RF Mühendisliği: Güç Kaynağı, İletim Hattı ve Dolaştırıcı Hızlandırıcı ve Algıç Fiziği Çalıştayı 31 Mayıs - 03 Haziran 2016,

Detaylı

TRT GENEL MÜDÜRLÜĞÜ VERĐCĐ ĐŞLETMELERĐ DAĐRESĐ BAŞKANLIĞI SPEKTRUM ANALĐZÖR TEKNĐK ŞARTNAMESĐ

TRT GENEL MÜDÜRLÜĞÜ VERĐCĐ ĐŞLETMELERĐ DAĐRESĐ BAŞKANLIĞI SPEKTRUM ANALĐZÖR TEKNĐK ŞARTNAMESĐ TRT GENEL MÜDÜRLÜĞÜ VERĐCĐ ĐŞLETMELERĐ DAĐRESĐ BAŞKANLIĞI SPEKTRUM ANALĐZÖR TEKNĐK ŞARTNAMESĐ Sipariş No:VĐD-2009/22 1 SPEKTRUM ANALĐZÖR TEKNĐK ŞARTNAMESĐ 1. GENEL Bu şartnamenin amacı; Đdari Şartname

Detaylı

Alternatif Akım Devreleri

Alternatif Akım Devreleri Alternatif akım sürekli yönü ve şiddeti değişen bir akımdır. Alternatif akımda bazı devre elemanları (bobin, kapasitör, yarı iletken devre elemanları) doğruakım devrelerinde olduğundan farklı davranırlar.

Detaylı

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 1: Transistörlü Yükselteç Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün

Detaylı

Telkolink Kurumsal Bilgi Teknolojileri Çözümleri

Telkolink Kurumsal Bilgi Teknolojileri Çözümleri Telkolink Kurumsal Bilgi Teknolojileri Çözümleri www.telkolink.com N Dişi - N Erkek RF Koaksiyel Kablo Yüksek Gerilim Koruyucu Genişband Kablosuz Sistemleri, Wi-Fi 802.11 Kablosuz Yerel Ağ Uygulamaları,

Detaylı

19 ve 29 cmlik PONCEBLOC HAFİF YAPI ELEMANI SES AZALMA İNDİSİ ÖLÇÜMÜ ÖN RAPORU

19 ve 29 cmlik PONCEBLOC HAFİF YAPI ELEMANI SES AZALMA İNDİSİ ÖLÇÜMÜ ÖN RAPORU 19 ve 29 cmlik PONCEBLOC HAFİF YAPI ELEMANI SES AZALMA İNDİSİ ÖLÇÜMÜ ÖN RAPORU HAZIRLAYAN : Y.DOÇ. DR. NURGÜN TAMER BAYAZIT İTÜ MİMARLIK FAKÜLTESİ YAPI BİLGİSİ ABD TAŞKIŞLA TAKSİM-34437 İST TEMMUZ, 2014

Detaylı

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN

Detaylı

MV 1438 KABLO HAT MODELİ KARAKTERİSTİKLERİ VE MV 1420 İLETİM HATTI ÜZERİNDEKİ GERİLİM DÜŞÜMÜ

MV 1438 KABLO HAT MODELİ KARAKTERİSTİKLERİ VE MV 1420 İLETİM HATTI ÜZERİNDEKİ GERİLİM DÜŞÜMÜ MV 1438 KABLO HAT MODELİ KARAKTERİSTİKLERİ VE MV 1420 İLETİM HATTI ÜZERİNDEKİ GERİLİM DÜŞÜMÜ MV 1438 KABLO HAT MODELİ KARAKTERİSTİKLERİ Genel Bilgi MV 1438 hat modeli 11kV lık nominal bir gerilim için

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 2 Deney Adı: Ohm-Kirchoff Kanunları ve Bobin-Direnç-Kondansatör Malzeme Listesi:

Detaylı

YÜKSEK HIZLI DEVRE TASARIMINDA KARŞILAŞILAN GÜÇLÜKLER

YÜKSEK HIZLI DEVRE TASARIMINDA KARŞILAŞILAN GÜÇLÜKLER YÜKSEK HIZLI DEVRE TASARIMINDA KARŞILAŞILAN GÜÇLÜKLER Mumin Gözütok Argenç Ltd, 2010 Güngeçtikçe dijital devrelerin hızları artmakta ve mühendisler her yeni tasarımda daha hızlı devrelerle başetmek zorunda

Detaylı

Yıldız Teknik Üniversitesi Elektronik ve Hab. Müh. Mikrodalga Lab.

Yıldız Teknik Üniversitesi Elektronik ve Hab. Müh. Mikrodalga Lab. Deney No:2 Horn Antenin Işıma Özelliklerinin Elde Edilmesi Deneyin Amacı: Bu deneyde, Horn antenin çalışma prensibi ve karakteristikleri. Hüzme genişliği, radyasyon paterni ve kazanç kavramları. Horn antenin

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç

Detaylı

FIRAT ÜNİVERSİTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Antenler ve Mikrodalga Tekniği

FIRAT ÜNİVERSİTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Antenler ve Mikrodalga Tekniği FIRAT ÜNİVERSİTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Antenler ve Mikrodalga Tekniği DALGA KILAVUZLARI ve UYGULAMALARI Mustafa ULAŞ 990054 Yalçın YÜKSEL 99004 Cengiz TUNCEL 990053 İÇERİK Dalga Kılavuzları

Detaylı

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt. ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik AC ve DC Empedans RMS değeri Bobin ve kondansatörün

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-4 Kondansatörler ve Bobinler

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-4 Kondansatörler ve Bobinler Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-4 Kondansatörler ve Bobinler Kondansatörler Kondansatör, elektronların kutuplanarak elektriksel yükü elektrik alanın içerisinde depolayabilme

Detaylı