T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1
|
|
- Hande Erkin
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Erdem ARSLAN EKİM 2011 KAYSERİ
2 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI 1. GİRİŞ Transistörler elektronik devrelerde kullanılan aktif elemanlar arasında oldukça önemli bir yer tutmaktadır. Temelde iki modda çalışan transistör elemanı devrelerde ya bir devrede anahtarlama elemanı ya da bir kuvvetlendirici devresinde aktif eleman olarak yer bulabilir. İster bir anahtar, ister bir yükseltici, isterse de bir üreteç işlevi görsün, bütün transistörler elektrik direncinin değişmesine dayalı olarak çalışır. Transistörün collector (toplayıcı), base (taban) ve emiter (yayıcı) olarak üç bağlantısı (katmanı) vardır. Base akımı olmadığında collector ile emiter arasındaki direnç o kadar yüksektir ki bu iki bağlantı arasında hemen hemen hiçbir akım geçemez. Ama base bağlantısında küçük bir akım aktarıldığında collector ile emiter arasındaki dirençte çok büyük azalma olur. Dolayısıyla emiter ile collector arasından akım geçebilir. Böylece transistör küçük bir akımın yardımıyla büyük bir akımı denetleyebilir. Bilindiği gibi BJT transistör elemanı base girişine uygulanan küçük bir akım Ib ile transistörün diğer iki bacağı collector ve emiter arasındaki direnç değişimini kontrol eden elemandır. Bu direnç değeri Ib akımının olmadığı durumda çok yüksek bir değerde iken Ib akımının çok yüksek olduğu durumlarda ise çok küçük değerdedir. Geçiş direnci elemanı olarak bilinen transistör elemanın Vce arasında görülen potansiyeli minimum değerde ise bu olay transistör terminolojisinde saturasyon olarak addedilmektedir. Vce arasında görülen potansiyel fark maksimum değerde ise bu olay kesim olarak adlandırılmaktadır. Transistörün anahtarlama elemanı olarak kullanıldığı devrelerde bu iki bölgeden faydalanılmak istenir. Çünkü bir anahtarlama elemanında üzerinden geçen akımın olup olmaması önemlidir. Transistör elemanı bir kuvvetlendirici elemanı olarak kullanıldığı durumda ise bu iki bölgenin arasında bir çalışma noktası tespit edilmeye çalışılır. Şekil 6.1 de BJT transistör yük eğrisi üzerinde kesim, aktif ve doyum(saturasyon) bölgeleri verilmiştir. Şekil 6.1. BJT transistör yük eğrisi üzerinde kesim, aktif ve doyum bölgeleri. Bunun sebebi AC giriş işaretinin değişken değerlerine göre Vce arasında görülen direncin değişim göstermesi istenir. Fakat Q çalışma noktası saturasyon veya kesim bölgelerinde çalıştırılacak olursa küçük genlikli AC giriş işaretinin tüm değerlerine ya kesim ya da saturasyon tepkisi vereceklerdir. Bu durumda bu bölgelerde seçilecek Q çalışma noktalarında transistör elemanının kuvvetlendirici olarak kullanılması mümkün olmayacaktır. 1
3 2. DENEYİN AMACI Bu deneyde, BJT transistörlerin temel iki kullanım modu olan anahtarlama ve kuvvetlendirme devreleri incelenecektir. Bu amaçla deneyde kullanılacak olan iki kutuplu jonksiyon (BJT) transistörün bulunduğu OB(ortak base), OE(ortak emiter), OC(ortak kolektör) kuvvetlendirici yapıları ve devamında A ve B sınıfı kuvvetlendiricilerden bahsedilecektir. Daha sonra BJT transistörün anahtarlama elemanı olarak kullanılabilmesi için gerekli olan devre düzeneği açıklanmaya çalışılacaktır. Deneyin uygulama kısmında ise A sınıfı ortak emiterli bir kuvvetlendirici devresi ve temel bir anahtarlama elemanı olarak kullanılması gerekli olan devre kurularak, Q çalışma noktasının bulunduğu bölgeye ait transistörün çalışması anlatılmaya çalışılacaktır. 3. ÖN BİLGİ 3.1. BJT transistörün kuvvetlendirici olarak kullanılması Yükselteç devreleri, transistörlerin en çok kullanıldığı uygulama alanıdır. Bu devrelerin görevi, girişlerine uygulanan AC sinyalin akım ve/veya gerilim değeri olarak genliğini yükseltmektir. Ses yükselteçleri ise insan kulağının algılama sınırları dâhilindeki (20Hz~20kHz aralığı) AC sinyalleri kuvvetlendirir. Yükselteç devreleri, transistörün devreye bağlanış sekline bağlı olarak üç ana guruba ayrılır. Giriş ve çıkış sinyalleri açısından ortak olan transistör ucu bağlantıya ismini verir. 1- Emiteri şase (ortak) bağlantı 2- Kollektörü şase (ortak) bağlantı 3- Beyzi şase (ortak) bağlantı Şekil 6.2. Montaj sekline göre yükselteç çeşitleri. Tablo 6.1. Montaj sekline göre yükselteç çeşitlerinin karşılaştırılması. 2
4 Emiteri şase bağlantı, ses yükselteç devrelerinde en çok kullanılan devre sekli olarak karsımıza çıkmaktadır. Yükselteç devrelerini, sinyal yükseltme sekli açısından da gruplandırmak mümkündür. Yükseltecin çalışma sınıfı transistöre uygulanan öngerilim ile alakalıdır. Buna bağlı olarak, giriş sinyalinin ne kadarının çıkışa yükseltilerek aktarılacağı belirlenir. 1- A sınıfı yükselteç: Girişe uygulanan sinyalin tamamı kuvvetlendirilir. (360 ) 2- B sınıfı yükselteç: Girişe uygulanan sinyalin yarı saykılı (pozitif veya negatif alternansı) kuvvetlendirilir. (180 ) 3- AB sınıfı yükselteç: A sınıfı ve B sınıfı çalışmanın arasında kuvvetlendirme yapar. (180 ~360 ) 4- C sınıfı yükselteç: Girişe uygulanan sinyalin yarı saykılının bir bölümü kuvvetlendirilir. (<180 ) Ses yükselteç devreleri, giriş sinyalinin özelliklerinin bozulmadan çıkıştan alınması amacıyla A sınıfı ya da B sınıfı Push-Pull (simetrik transistörlü) şeklinde düzenlenir. A sınıfı ses yükselteci: A sınıfı ses yükselteç devreleri, girişine uygulanan ses sinyalin tamamını yükseltme özelliğine sahiptir. Bu amaçla, devrede kullanılan transistörün çalışma noktası yük doğrusunun orta kısımlarında seçilerek, çıkış sinyalinin pozitif ve negatif yönlü salınımlarının eşit düzeyli olması sağlanır. Ancak, giriş sinyali olmadığı durumlar da bile transistörün iletimde olması, A sınıfı yükseltecin düşük verimle çalışmasına neden olmaktadır. Diğer yandan, giriş sinyalinin aşırı değerler alması durumunda, çıkış sinyalinde doyum veya kesim nedeniyle tek ya da iki yönlü bozulmalar meydana gelecektir. Sekil 6.3. A sınıfı emiteri şase yükselteç devresi ve giriş-çıkış sinyalleri Sekil 6.3 te görülen yükselteç devresindeki C1 ve C2 kondansatörleri, AC sinyalin geçişine izin verirken DC gerilimi bloke ederler. RE direnci, bir yandan transistörün çalışma noktasının kararlılığına yardımcı olurken, diğer taraftan yükseltecin AC gerilim kazancını düşürmektedir. CE kondansatörü, AC sinyaller açısından RE direncini bypass ederek, devrenin AC sinyal kazancının düşmesini engeller. Yükselteç devresinin DC çalışma şartları, 3
5 Yükselteç devrelerinde, çıkış sinyalinin giriş sinyaline oranı gerilim kazancı olarak ifade edilir. Sekil 6.3 teki yükselteç devresinin AC gerilim kazancı, XCE: CE kondansatörünün empedansı (AC direnci) re: Transistörün beyz-emiter C direnci olup, Bypass kondansatörü (CE) kullanılmıyorsa, yükseltecin AC gerilim kazancı, eşitliği ile hesaplanır. Görüldüğü gibi, CE kondansatörünün empedansı ortadan kalktığından dolayı devrenin gerilim kazancı düşmektedir. Eğer emiter direnci (RE) kullanılmıyorsa, yükseltecin ac gerilim kazancı, eşitliği ile hesaplanır. Bu durumda devrenin gerilim kazancının artacağı açıkça görülmektedir. Ancak, RE direncinin kaldırılmasıyla transistörün çalışma noktasının olumsuz yönde etkilenip kayabileceği unutulmamalıdır. Eşitliklerdeki (-) işareti, giriş ve çıkış sinyalleri arasında 180 faz farkı olduğunu ifade etmektedir. Sekil 6.4. Şekil 6.3 deki devre için örnek çalışma şartları. 4
6 Şekil 6.5 te verilen A sınıfı emiteri şase yükselteç devresinin kazancını hesaplayarak çıkış ucundaki sinyalin osilaskop ekranındaki görüntüsünü çiziniz. Sekil 6.5. Ortak emiterli kuvvetlendirici örnek devresi. 5
7 Yükselteç devresinin çıkış ucunda yani transistörün kollektör ucunda, 9,4V DC gerilim (VC) üzerinde 8,4VPP (tepeden tepeye) 1kHz AC sinyal görülecektir. CE kondansatörü çıkarıldığında devrenin kazancı, B sınıfı ses yükselteci: B sınıfı ses yükselteçleri, girişine uygulanan ses sinyalin yarı saykılını (pozitif veya negatif alternansını) yükseltme özelliğine sahip devrelerdir. Devrede kullanılan transistörün çalışma noktası yük doğrusunun kesim (cutoff) noktasında seçilir. Transistör, A sınıfı çalışmada giriş sinyali olmadığında bile iletimde olduğu halde, B sınıfı çalışmada sadece AC giriş sinyali varken iletime geçmektedir. Bunun anlamı, B sınıfı yükselteçlerin A sınıfı yükselteçlere kıyasla daha verimli çalıştığıdır. Çünkü giriş sinyali olmadığında transistör kesimde olacağından güç kaynağı üzerinden akım çekmeyecek ve herhangi bir güç harcaması olmayacaktır. Bu olumlu yanına rağmen, giriş sinyalinin sadece yarı saykılını yükseltmesi olumsuzluk olarak karsımıza çıkmaktadır. Diğer yarı saykılın çıkışta görülmemesi ses sinyalinin bozulmasına neden olur. Bu sebeple, B sınıfı ses yükselteç devreleri biri NPN diğeri PNP olmak üzere simetrik iki transistörün Push-Pull adı verilen özel bir bağlantısıyla gerçekleştirilir. Bu bağlantı sayesinde, giriş sinyalinin pozitif alternansları NPN transistör ve negatif alternansları PNP transistör tarafından yükseltilerek, çıkış sinyalinin aslına benzer olması sağlanır. Giriş işareti olmadığında transistörlerin kesimde olması nedeniyle veriminin yüksek olması ve çıkış gücünün iki transistöre bölünerek her bir transistör için daha az güç harcanması B sınıfı Push-Pull yükselteçlerin avantajları olarak karşımıza çıkmaktadır. Bu avantajları nedeniyle özellikle güç yükselteç devrelerinde B sınıfı Push-Pull bağlantı tercih edilmektedir. Sekil 6.6. B sınıfı kollektörü şase yükselteç devresi ve giriş-çıkış sinyalleri. Sekil 6.6 da görülen kollektörü şase B sınıfı yükselteç devresi görülmektedir. Dikkat edilirse, transistörün beyz ucu DC öngerilim almamaktadır. Bu nedenle, giriş sinyali olmadığında transistör kesimde kalmaktadır. Yine beyz ön gerilimlemesi olmadığından, transistör giriş sinyalinin sadece pozitif alternanslarında ve bu alternansların esik gerilimi (VT=0,7V) üzerindeki değerlerinde iletken olur. Transistör, kollektörü şase ya da diğer adıyla gerilim izleyici olarak baglanmıstır. Beyz ucundan verilen giris sinyalinin pozitif alternansları, çıkıs ucu olan emiterden hemen hemen aynı genlikte (0,7V eksik) alınır. 6
8 Şekil 6.7. Şekil 6.6 daki devre için örnek çalışma şartları. Giriş sinyalinin tamamını yükseltmek üzere B sınıfı Push-Pull yükselteçler kullanılır. Böyle bir devre şekil 6.8 de görülmektedir. Sekil 6.8. B sınıfı Push-Pull yükselteç devresi ve giriş-çıkış sinyalleri. Devrede, giriş sinyalinin pozitif alternansları NPN transistör ve negatif alternansları da PNP transistör tarafından kuvvetlendirilmektedir. Ancak her iki transistörün eşik gerilimi nedeniyle geçiş bozulması (crossover distortion) meydana gelir. Push-Pull yükselteç devresinde görülen geçiş bozulmasını gidermek ve çıkıştan alınan yükseltilmiş sinyalin giriş sinyali ile aynı özellikleri taşımasını sağlamak üzere sekil 6.9 da ki devre kullanılır. 7
9 Sekil 6.9. Geçiş bozulması giderilmiş B sınıfı Push-Pull yükselteç devresi ve giriş-çıkış sinyalleri Şekil 6.9 da ki devrede, diyotlar yardımıyla her iki transistörün beyzinde eşik seviyesinde gerilim düşümleri meydana getirilmiştir. Böylece giriş sinyalinin pozitif alternansının tamamında NPN transistör ve negatif alternansının tamamında da PNP transistör yükseltme işlemini gerçekleştirir BJT transistörün on-off anahtarlama elemanı olarak kullanılması Sekil Transistörlü anahtar ve Ortak emiterli transistörün çıkış öz eğrileri. Şekil 6.10 da verilen emiter montajlı transistör, V CC kaynağını R C yüküne bağlayan bir anahtar olarak kullanılmıştır. Ortak emiterli bir transistörün çıkış karakteristik eğrileri şekil 6.10 da verilmiştir. Bu karakteristik üç ayrı çalışma bölgesine ayrılabilir; kesim, aktif ve doyum bölgeleri. Kesim bölgesinde, emiter-baz ve kollektör-baz eklemleri tıkama yönünde kutuplanmıştır. Kolektör akımı I C, çok küçük olan tıkama yönü akımı I CBO ya eşittir. Bu durumda anahtarımız açık devredir. 8
10 Aktif bölgede, emiter-baz eklemi iletim yönünde, kolektör-baz eklemi tıkama yönüne kutuplanır ve transistörün I C çıkış akımı, I B giriş akımına göre oldukça doğrusal davranır. Bu çalışma bölgesi doğrusal yükselteçlerde kullanılmakta olup, anahtar uygulamalarında bu bölge mümkün olduğunca çabuk geçilmelidir. Doyum bölgesinde, hem kolektör-baz hem de emiter-baz eklemleri iletim yönünde kutuplanmıştır. Bu durumda V CE geriliminin değeri, transistörün eşik geriliminden küçüktür. Eğer bir anahtar devresindeki transistörün I C ve I B akımları birbirlerinden bağımsız olarak devre tarafından tanımlanıyorsa (I B I C / h FE ) transistör doyumdadır. Eğer bir anahtar devresindeki transistörün V CB gerilimi (NPN transistör için) negatif ise transistör doyumdadır. Doyumda olan bir transistörün I B baz akımı artırılarak V CEsat gerilimi bir miktar daha küçültülebilir. Bununla birlikte bu gerilim Silisyum transistörlerde birkaç yüz mv, Germanyum transistörlerde birkaç on mv kadardır. Şekil 6.10 da ki devrenin girişine şekil 6.11 de ki V İ (t) darbeleri uygulanırsa, V 1 gerilim seviyesi transistörü Q1 kesim noktasına, V 2 gerilim seviyesi Q2 doyma noktasına götürür. Q1 noktasından Q2 noktasına geçiş çok hızlıdır. Sekil Sürücü darbesi ile Ic ve Ib akımları. 9
11 4. DENEYİN YAPILIŞI 4.1. A sınıfı ortak emiterli BJT kuvvetlendirici deneyi Şekil A sınıfı ortak emiterli kuvvetlendirici uygulama devresi. 1- Şekil 6.12 de görülen devreyi deney bordu üzerine kurunuz. 2- Devrenin DC çalışma noktasına ait büyüklükleri hesaplayıp, sonuçları gözlem tablosuna kaydediniz. 3- Bypass kondansatörünün (CE) devrede olduğunu düşünerek devrenin AC gerilim kazancını hesaplayıp, sonucu gözlem tablosuna kaydediniz. 4- S1 anahtarını kapatarak devreye enerji veriniz. 5- Devrenin DC çalışma noktasına ait büyüklükleri ölçüp, sonuçları gözlem tablosuna kaydediniz. 6- S2 anahtarını kapatarak bypass kondansatörünü (CE) devreye alınız. 7- P1 potansiyometresini kullanarak devrenin girişine 50mVPP/1kHz sinüs dalga sinyal uygulayınız. 8- Devrenin çıkısını osilaskop (DC konumda) ile ölçerek, çıkış sinyalini çiziniz. 9- Ölçtüğünüz çıkış sinyalinin giriş sinyaline oranını hesaplayıp, sonucu kazanç (AV) olarak gözlem tablosuna kaydediniz. 10- Bypass kondansatörünün (CE) devreden çıkarıldığını düşünerek devrenin AC gerilim kazancını hesaplayıp, sonucu gözlem tablosuna kaydediniz. 11- S1 anahtarını kapatarak devreye enerji veriniz. 12- Devrenin DC çalışma noktasına ait büyüklükleri ölçüp, sonuçları gözlem tablosuna kaydediniz. 13- S2 anahtarını açarak bypass kondansatörünü (CE) devreden çıkarın. 14- P1 potansiyometresini kullanarak devrenin girişine 50mVPP/1kHz sinüs dalga sinyal uygulayınız. 15- Devrenin çıkısını osilaskop (DC konumda) ile ölçerek, çıkış sinyalini çiziniz. 16- Ölçtüğünüz çıkış sinyalinin giriş sinyaline oranını hesaplayıp, sonucu kazanç (AV) olarak gözlem tablosuna kaydediniz. 10
12 Gözlem Tablosu: 11
13 4.2. BJT Transistörün anahtarlama elemanı olarak kullanılması Şekil BJT anahtarlama devresi. 1- Şekil 6.13 te görülen devreyi deney bordu üzerine kurunuz. 2 Girişte 5 V bağlı iken, transistörün hangi bölgede çalıştığını belirleyin. IB, IC ve VCC değerlerini kaydediniz. 3- Girişte 3 V bağlı iken, transistörün hangi bölgede çalıştığını belirleyin. IB, IC ve VCC değerlerini kaydediniz. 4- Aynı deneyi, girişi toprağa bağlayarak tekrarlayınız. Şekil BJT anahtarlama zamanları ölçüm devresi. 5- Şekil 6.14 te görülen devreyi deney bordu üzerine kurunuz. Devre girişine kare dalga üretecini bağlayınız. 1KHz, 10KHz ve 100KHz lik giriş frekansları için Gecikme, yükselme, uzama ve düşme sürelerini ölçünüz. 5. DENEY RAPORUNDA İSTENENLER 1. B tipi kuvvetlendiricilerde oluşan distorisyon etkisi yorumlayarak bu problemin ortadan nasıl kaldırılabileceği hakkında bilgi veriniz. 2. OE, OB ve OC kuvvetlendirici devrelerinin farklarını yorumlayınız. 3. Transistörün çalışma modları hakkında (Saturasyon, kesim ve aktif bölgeler) bilgi veriniz. 12
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıŞekil-2.a Röleli anahtar
K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı TRANSĐSTÖRÜN ANAHTAR DAVRANIŞLARI 1. Genel Tanıtım Şekil 1.a da verilen emetör montajlı transistör V cc kaynağını
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
Detaylı(BJT) NPN PNP
Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün
DetaylıELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 11 Deney Adı: OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri Malzeme Listesi:
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİKELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 6 Deney Adı: Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
DetaylıBölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKAYA ÜNİSİTSİ TKNOOJİ FAKÜTSİ KTİK-KTONİK MÜHNDİSİĞİ M KTONİK- DSİ ABOATUA FÖYÜ DNYİ YATAN: DNYİN AD: DNY NO: DNYİ YAANN AD ve SOYAD: SNF: OKU NO: DNY GU NO: DNY TAİHİ AO TSİM TAİHİ KONTO DĞNDİM Ön
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıMultivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör
Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI THEVENIN VE NORTON TEOREMLERİNİN UYGULANMASI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Sertaç SAVAŞ MART
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
Detaylı5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI
5. ölüm: JT D Öngerilimleme Doç. Dr. rsan KAAL 1 Öngerilimleme Transistörün düzgün bir şekilde çalışması için öngerilimlenmesi gerekir. DA çalışma noktasını oluşturmak için birçok yöntem vardır. Öngerilimleme
DetaylıDENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2
DENEY 1 AMAÇ: VE Kapılarının (AND Gates) çalısma prensibinin kavranması. Çıkıs olarak led kullanılacaktır. Kullanılacak devre elemanları: Anahtarlar (switches), 100 ohm ve 1k lık dirençler, 7408 entegre
DetaylıDENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER
DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER 1. Amaç Bu deneyin amacı, lineer (doğrusal) kuvvetlendiricilerde kullanılan BJT kuvvetlendirici devresinin devre girişine uygulanan zamanla değişen bir küçük işareti kuvvetlendirmesi
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 7 Deney Adı: Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması Öğretim Üyesi: Yard. Doç.
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun
DetaylıNECMETTİN ERBAKAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK-1 LABORATUVARI DENEY FÖYÜ
NECMETTİN ERBAKAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK-1 LABORATUVARI DENEY FÖYÜ 1 LABORATUVARDA UYULMASI GEREKEN KURALLAR Laboratuvara kesinlikle
DetaylıDENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ
DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.
Detaylı* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.
Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010
TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıKIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ
KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
DetaylıŞekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı
1. OSİLATÖRLER 1.1. Osilatör Nedir? Elektronik iletişim sistemlerinde ve otomasyon sistemlerinde kare dalga, sinüs dalga, üçgen dalga veya testere dişi dalga biçimlerinin kullanıldığı çok sayıda uygulama
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) :
BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1. DİYOT ve UYGULAMALARI
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 DİYOT ve UYGULAMALARI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN EKİM 2011 KAYSERİ DİYOT
DetaylıĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.
Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre
DetaylıTRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)
TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT) Transistörler, katı-hal devre elemanlarıdır. Genelde transistör yapımında silisyum ve germanyum kullanılmaktadır. Bu dokümanımızda bipolar Jonksiyon transistörlerin temel yapısı
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıDENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET
DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen
DetaylıBMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO:4 KIRPICI DEVRELER Laboratuvar Grup No : Hazırlayanlar :......................................................................................................
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıBölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları
Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler
DetaylıDENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı
DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Şaban ULUS Şubat 2014 KAYSERİ
DetaylıÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...
ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...olarak polarmalandırılması gerekir. Yukarıdaki boşluğa aşağıdakilerden
DetaylıÜÇ-FAZLI TAM DALGA YARI KONTROLLÜ DOĞRULTUCU VE ÜÇ-FAZLI EVİRİCİ
KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Güç Elektroniği Uygulamaları ÜÇ-FAZLI TAM DALGA YARI KONTROLLÜ DOĞRULTUCU VE ÜÇ-FAZLI EVİRİCİ Hazırlık Soruları
DetaylıKOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri
Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.
DetaylıŞekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi
23 Deney Adı : İşlemsel Kuvvetlendiricinin Temel Devreleri Deney No : 6 Deneyin Amacı : İşlemsel kuvvetlendiricilerle en ok kullanılan devreleri gerekleştirmek, fonksiyonlarını belirlemek Deneyle İlgili
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
Detaylı(VEYA-DEĞİL kapısı) (Exlusive OR kapısı) (Exlusive NOR kapısı)
1.1 Ön Çalışma Deney çalışmasında yapılacak uygulamaların benzetimlerini yaparak, sonuçlarını ön çalışma raporu olarak hazırlayınız. 1.2 Deneyin Amacı Temel kapı işlemlerinin ve gerçekleştirilmesi. bu
DetaylıELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SKRY ÜNERSTES TEKNOLOJ FKÜLTES ELEKTRK-ELEKTRONK MÜHENDSLĞ ELM22 ELEKTRONK-II DERS LBORTUR FÖYÜ DENEY YPTIRN: DENEYN DI: DENEY NO: DENEY YPNIN DI ve SOYDI: SINIFI: OKUL NO: DENEY GRUP NO: DENEY TRH
DetaylıDeney 2: FET in DC ve AC Analizi
Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
DetaylıEEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 04: BJT TRANSİSTÖR VE AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıDENEY 5: RC DEVRESİNİN OSİLOSKOPLA GEÇİCİ REJİM ANALİZİ
A. DENEYİN AMACI : Seri RC devresinin geçici rejim davranışını osiloskop ile analiz etmek. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Sinyal Üreteci, 2. Osiloskop, 3. Değişik değerlerde direnç ve kondansatörler.
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıYILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Işığı Takip Eden Kafa 2 Nolu Proje
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ Işığı Takip Eden Kafa 2 Nolu Proje Proje Raporu Hakan Altuntaş 11066137 16.01.2013 İstanbul
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE
BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 2 Deney Adı: Ohm-Kirchoff Kanunları ve Bobin-Direnç-Kondansatör Malzeme Listesi:
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıBÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ
BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,
DetaylıElektronik Laboratuvarı
2013 2014 Elektronik Laboratuvarı Ders Sorumlusu: Prof. Dr. Mehmet AKBABA Laboratuvar Sorumluları: Rafet DURGUT İçindekiler Tablosu Deney 1: Laboratuvar Malzemelerinin Kullanılması... 4 1.0. Amaç ve Kapsam...
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ
BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ Hedefler DC polarma devrelerinin amacını, avantajlarını ve çalışma prensipleri anlayacaksınız Sabit Beyz Polarmalı ve Emiteri Kararlı DC Polarma Devrelerinin hesaplamalarını
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı
DetaylıDENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:
1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.
BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V
Detaylı