RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA)
|
|
- Eser Koz
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA)
2 GÜRÜLTÜ KATSAYISI LNA nın gürültü katsayısı alıcının gürültüsüne direkt olarak eklendiğinden düşük olması elzemdir. Takip eden basamakların gürültü katsayıları Takip eden basamakların gürültü katsayıları LNA nın güç kazancı oranında düşeceğinden LNA nın yeteri miktarda güç kazancına sahip olması da gereklidir.
3 GÜRÜLTÜ KATSAYISI LNA nın gürültü katsayısının 2-3 db arasında olması beklenir. 50 Ω luk bir kaynak direncine göre 2 db lik bir gürültü katsayısının LNA nın girişindeki gürültü voltajı cinsinden karşılığı:
4 METAL DİRENÇ ÖRNEĞİ Bir öğrenci yonga üzerinde bir LNA tasarlıyor ve LNA nın girişinden anten bağlantı noktasına 200 μm uzunluğunda bir hat çekiyor. Giriş kapasitansının değerini düşük tutabilmek için bu hattın genişliğini 0.5 μm yapıyor. LNA nın kendisinin 2 db gürültü katsayısı olduğunu ve metal hattın yüzey direncinin 40 mω/ olduğunu varsayalım. Toplam gürültü katsayısını hesaplayınız. LNA nın girişinde akım gürültü kaynağı olmadığını varsayınız.
5 METAL DİRENÇ ÖRNEĞİ Devreyi aşağıdaki gibi çizerken metal hattın direnci olan R L yi LNA nın parçası gibi görerek çiziyoruz. Bu durumda girişte görünen toplam gürültü voltajı V n,in2 +4kTR L oluyor. NF LNA LNA nın metal hat olmadan kendi gürültü faktörünü ifade ediyor. NF LNA = 2 db 1.58 ve R L = (200/0.5) 40 mω/ = 16 Ω ise
6 KAZANÇ LNA nın kazancının sonraki basamaklarda kullanılan mikser gibi blokların gürültü faktörlerini yeterince baskılayacak kadar yüksek olması gerekir. Gürültü faktörü ve üçüncü harmonik kesişim noktası değerleri birbirinden farklı kazanç değerlerine bölünürler fkat yinede kazancın yüksek olması mikserin doğrusallığı üzerinde baskı oluşturur.
7 KAZANÇ
8 GİRİŞ YANSIMA KAYBI Girişteki empedans uyumplamasının performansını gösteren parametre giriş yansıma kaybıdır. Bu parametre yansıyan gücün gönderilen güce bölünmesiyle ortaya çıkar. RS kaynak direnci için:
9 KARARLILIK Bir devrenin kararlılığını değerlendirmek için kullanılan parametre Stern kararlılık faktörüdür : Burada = S 11S22 S12S21 Eğer K>1 ise ve <1 ise devre her şartta kararlıdır.
10 KARARLILIK Kaskad bir bağlantıda ters izolasyon yüksek olduğundan S 12 0 ve çıkış empedansı göreceli olarak yüksek olursa S 22 1 diyebiliriz. Bu durumda Bunun sonucu olarak Bu şart devrenin kazancını sınırlayıcı bir şarttır. <1 demek demektir. Bunun anlamı giriş direncinin pozitif olmalı demektir.
11 BANT GENİŞLİĞİ LNA nın çalışma bandı genişliğince göreceli olarak düz bir transfer fonksiyonuna sahip olması gerekir. Bant içinde 1 db den az bir değişim olması tercih edilir. Bu sebeple LNA nın 3 db bandının çalışma bandından çok daha geniş olması gerekir ki kenarlardaki eğim 1 db yi geçmesin.
12 BANT ANAHTARLAMA Çok geniş bantlarda çalışması beklenen bazı LNA lar bunu bantlar arası frekans geçişini anahtarlama ile yapan bir devre kullanarak gerçekleştirebilir.
13 GİRİŞ UYUMLAMA Genelde LNA nın girişine bağlanan antenlerin veya filtrelerin standart çıkış dirençleri 50 Ω dur. Sistem gürültüsünü azaltabilmek ve maksimum güç transferinin sağlanabilmesi için LNA nın giriş empedansının 50 Ω direnç ve sıfır reaktansa uyumlanması gerekir.
14 GİRİŞ UYUMLAMA Şekildeki ortak source yükselticinin parazitik kapasitanslarda dahil edildiğinde giriş admitansı aşağıdaki gibidir.
15 GİRİŞ UYUMLAMA Önceki denklemden de görüleceği üzere giriş empedansı g m ve R D değerlerine bağlıdır. Bu değerler aynı zamanda yükselticinin kazancını ve gürültüsünü belirler. Bu durumda yükselticinin giriş empedansını kazanç ve gürültü faktöründen bağımsız olarak değiştirmek mümkün olmaz. Öyleyse empedans uyumlama için farklı metotlar düşünmemiz gerekir.
16 DİRENÇ İLE UYUMLAMA Giriş direncini ayarlamak için yükselticinin girişine ekstra direnç bağlamayı deneyebiliriz. Bu devre üç aşamada tasarlanır. (1) M 1 ver D kazanç ve gürültü faktörlerini ayarlamak için kullanılır. (2) R P giriş direncini Re{Z in } = 50Ω yapacak şekilde ayarlanır. (3)R S ile giriş arasına bir endüktör bağlanarak Im{Z in } sıfır yapılır.
17 DİRENÇ İLE UYUMLAMA Girişte direnç kullanılınca çıkıştaki toplam gürültü aşağıdaki gibi olur. Bu durumda gürültü katsayısı:
18 DİRENÇ İLE UYUMLAMA Sonuçta ortaya çıkan gürültü katsayısı 3 db den oldukça yüksektir. Bunun sebebi girişe koyulan R S R P kadarlık direncin getirdiği giriş gürültüsüdür. Öyleyse girişe direnç koymadan empedans uyumlaması yapabilmenin yolunu bulmamız gerekir.
19 LNA TOPOLOJİLERİ Şimdiye kadar gürültü katsayısı, giriş empedansı uyumlama ve kazanç değerinin LNA tasarımında önemli olduğunu gördük. Bundan sonra aşağıda görülen LNA yapılarının analizini yapıp bu parametreleri nasıl etkilediklerini göreceğiz. Ortak Source Ortak Gate Genişbant Endüktif yükleme Rezistif geribesleme Kaskad ve endüktif yükleme Endüktif dejenerasyon Endüktif yükleme Rezistif geribesleme İleribesleme Kaskad ve enüktif yükleme Gürültü sönümleyen LNA Reaktans sönümleyen LNA
20 ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE Aşağıdaki denklemde de görüleceği gibi kaynak voltajı ile voltaj kazancı arasında bir bağlantı vardır. Teknoloji ilerledikçe kaynak voltajının düşmesi direnç yüklemeli ortak source devrelerini sıkıntıya sokmaktadır.
21 ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE Direnç yüklemesinin bahsedilen problemlerini aşmak için ve daha yüksek frekanslarda çalışmayı sağlayabilmek için ortak source yapısında endüktif yük kullanılabilir. L 1 çıkış terminalindeki kapasitans ile rezonansa girerek direnç ile yüklemeye göre daha yüksek frekansta çalışmayı sağlar.
22 ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE DA GİRİŞ EMPEDANSI UYUMLAMASI Soldaki devreyi sağdaki gibi tekrar çizebiliriz. C GS ve C DS kapasitansları görmezden gelinir. Endüktörün kaybı R S direnci ile gösterilir. Giriş empedansı V x /I x olarak bulunur.
23 ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE DA GİRİŞ EMPEDANSI UYUMLAMASI RLC empedansı: V X, C F, ve RLC arasında kirchoff voltaj kuralı uygularsak
24 ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE DA GİRİŞ EMPEDANSI UYUMLAMASI Z T yi yerine koyduğumuzda: s=jw olursa Bu durumda Z in empedansının reel kısmı: Burada D pozitiftir. Öyleyse değerler öyle seçilebilir ki Re{Z in } = 50Ω olur.
25 C F nin L F ile SIFIRLANMASI Re{Z in } değeri belirli bir frekansta 50 Ω a eşit olur. Geribesleme kapasitansı ise diğer frekanslarda negatif giriş direnci oluşturarak kararlılık problemi oluşturabilir. Yukardaki denklemde pay aşağıda verilen frekansta sıfır olur. Eğer böyle bir frekans varsa bu frekanstan sonra Re{Z in } işaret değiştirir.
26 C F nin L F ile SIFIRLANMASI C F nin etkisi istenilen frekans aralığı için paraleline bağlanan ve rezonansa giren endüktör ile sıfırlanabilir. Fakat C F küçük olduğundan L F nin büyük olması gerekir. Bu durm da pratikte giriş ve çıkışta parazitik kapasitanslar oluşmasına ve performansın düşmesine sebep olabilir. Bu sebeple modern RF devrelerinde bu yapı nadiren kullanılır.
27 DİRENÇ GERİBESLEMELİ ORTAK SOURCE DEVRESİ Kanal boyu modülasyonunu görmezden gelirsek (ro= ): Kanal boyu modülasyonunu görmezden gelirsek (ro= ): Girişte empedans uyumu için:
28 DİRENÇ GERİBESLEMELİ ORTAK SOURCE DEVRESİ Devrenin gürültü faktörünü hesaplamak için R F, M 1 ve M 2 nin çıkıştaki gürültü voltajlarını bulmalıyız. R F in gürültüsü çıkışta şu olur: M 1 ve M 2 nin gürültü akımları çıkış direnci ile çarpılarak çıkış voltajlarına çevrilir.
29 DİRENÇ GERİBESLEMELİ ORTAK SOURCE DEVRESİ Üç kaynağın gürültü voltajlarının toplamından elde edilen çıkış gürültüsünden de aşağıdaki gibi NF değeri bulunur.
30 ORTAK KAPI Ortak kapı devresinin düşük giriş direnci LNA kullanımında avantajlıdır. L ile C in rezonans frekansında L 1 ile C 1 in rezonans frekansında x noktasından çıkışa voltaj kazancı:
31 ORTAK KAPI Devrenin gürültü faktörü:
32 r 0 ile ORTAK KAPI GİRİŞ EMPEDANSI r 0 üzerinden gerçekleşen pozitif geribesleme giriş empedansını arttırır. Bu durumda empedans uyumu için:
33 r 0 ile ORTAK KAPI GİRİŞ EMPEDANSI Devrenin voltaj kazancı: Empedans uyumu durumunda: r0 ile R1 in birbirine yakın olabildiği bir durumda voltaj kazancı g m r O /4 gibi çok düşük bir değere iner.
34 r 0 ile ORTAK KAPI GİRİŞ EMPEDANSI Ortka kapı devresinde kanal boyu modülasyonu görmezden gelinirse giriş empedansı çok düşük olarak hesaplanır. Eğer görmezden gelinmezse de çok yüksek olarak hesaplanır. Bu durumu çözmek için transistörün kanal uzunluğunun arttırılması gerekir. Ya da sonraki slaytta gösterilen kaskad bağlantı şekli kullanılabilir.
35 KASKAD ORTAK KAPI DEVRESİ g m r O >>1, kabul edersek R1 iki defa voltaj kazancına bölündüğünden Rin deki etkisi iyice azalmış olur. Ayrıca 3. terim 1. terime göre çok daha düşük olur. Bu durumda gönül rahatlığıyla R in 1/g m1 varsayımını kullanabiliriz
36 KASKAD ORTAK KAPI DEVRESİ M 2 için kanal boyu modülasyonunu ve body etkisini görmezden gelirsek aşağıdaki devreyi gürültü analizi için kullanabiliriz. M 2 nin gürültü katkısı (2r O1 C X ) -1 frekansına kadar görülmez.
37 KASKAD ORTAK KAPI DEVRESİ M1 ve M2 transistörleri (V GS1 - V TH1 ) ve V GS2 kadar DC voltaj harcarlar. Ayrıca I D1 DC akımı R S üzerinden geçip bir miktar DC voltaj harcar. Bu direnç DC voltajının önüne geçmek için L B endüktansı şekildeki gibi DC akım yolu olarak kullanılabilir. Bu endüktans aynı zamanda giriş kapasitansını da sıfırlamaya yarar.
38 ENDÜKTİF DEJENERASYONLU ORTAK SOURCE DEVRESİ Üçüncü terim frekanstan bağımsız ve reel bir değerdir. Bu değeri 50 Ω yaparak giriş empedans uyumu sağlayabiliriz.
39 ENDÜKTİF DEJENERASYONLU ORTAK SOURCE DEVRESİ ( ) Üçüncü terimdeki gm CGS1 ωt = 2πf T olduğundan bu terimi L 1 ω T olarak yazabiliriz. f T cmos transistörün kısa devre akım kazancının 1 e düştüğü frekanstır. Kesim frekansı olarak da bilinir.
40 ENDÜKTİF DEJENERASYONLU ORTAK SOURCE DEVRESİ L 1 endüktansı yonga ile paket arasına çekilen bağlantı teli üzerinden gerçekleştirilir. Bu telin her halukarda çekilmesi gerektiğinden ekstra bir parça eklemeye gerek kalmaz.
41 GÜRÜLTÜ FAKTÖRÜ HESABI Giriş reaktansını sıfırlamak içini girişe L G gibi bir endüktans bağladığımızda devremiz aşağıdaki gibi olur. Bu analizde C GD ve r 0 görmezden gelinmiştir.
42 GÜRÜLTÜ FAKTÖRÜ HESABI Girişte KVL yaparsak V V = I Rezonansta (s=jw 0 ): [ C s( R L s) L sc s] GS1 S + G + 1 GS [ s C ( L L ) R C s] L1s + V1 1+ in out 1 = I L1s + V1 GS1 1 G 1+ in out S GS1 V s 2 C GS 1 ( L L ) + 1 = G in = IoutL1 jω0 + V1R SCGS1 jω0
43 GÜRÜLTÜ FAKTÖRÜ HESABI V ( I I ) out n1 V1 = gm in = IoutL1 jω0 + V1R SCGS1 jω0 V in = I out L jω + R C jω ( I I ) S GS out n1 g m Gürültü akımını sıfır alırsak devrenin transkondüktansı şu olur: Giriş empedansı uyumu gml için: RS = 1 = CGS1 Bu durumda L ω 1 T
44 GÜRÜLTÜ FAKTÖRÜ HESABI V in = I out L jω + R C jω ( I I ) S GS out n1 gm Giriş voltajını sıfırlarsak: Giriş empedansı uyumu için: R S g = C m L GS1 1 = L ω 1 T Bu sonuçlar sadece rezonansta ve tam empedans uyumunda geçerlidir.
45 ENDÜKTİF DEJENERASYONLU KASKOD ORTAK SOURCE DEVRESİ
46 GERİBESLEMELİ ORTAK GATE DEVRESİ Rezonansta Gürültü faktörünü hesaplamak için önce soldaki devre kullanılarak voltaj kazancı hesaplanır
47 GERİBESLEMELİ ORTAK GATE DEVRESİ Çıkış gürültüsünün hesaplanması için sağdaki devreyi kullanırız. Gürültü faktörünü düşürmek için g m değerini düşürebiliriz
48 İLERİ BESLEMELİ ORTAK KAPI DEVRESİ A kazançlı devrenin gürültüsüde eklenirse:
49 GÜRÜLTÜ SÖNÜMLEYEN LNA lar Gürültü sönümleyen LNA ların amacı giriş transistörünün gürültü faktörüne olan etkisini sıfırlamaktır Öncelikle devrede sinyallerin aynı polaritede ama gürültülerin ters polaritede olduğu iki nokta belirlenir. Daha sonra bu iki noktanın gürültü ve sinyal voltajları eklenir. Böylece gürültüler birbirlerini götürürken sinyaller pozitif eklenerek artarlar.
RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ
RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama
DetaylıRF MİKROELEKTRONİK TEMEL BİLGİLER
RF MİKROELEKTRONİK TEMEL BİLGİLER BİRİMLER terminalli bir devre için desibel cinsinden voltaj kazancı: V o A = V 0log db Vi GİRİŞ Güç kazancı: P o A = P 10log db Pi ÇIKIŞ BİRİMLER Girişteki kaynak direnci
DetaylıŞekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı
DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıMOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı
MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,
DetaylıAlternatif Akım. Yrd. Doç. Dr. Aytaç Gören. Alternatif Akım
Yrd. Doç. Dr. Aytaç Gören Paralel devre 2 İlk durum: 3 Ohm kanunu uygulandığında; 4 Ohm kanunu uygulandığında; 5 Paralel devrede empedans denklemi, 6 Kondansatör (Kapasitans) Alternatif gerilimin etkisi
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıDÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3.
DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3. DENEY AÇI MODÜLASYONUNUN İNCELENMESİ-1 Arş. Gör. Osman DİKMEN
DetaylıALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER
1 ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS Empedans, gerilim uygulandığında bir elektrik devresinin akımın geçişine karşı gösterdiği zorluğun ölçüsüdür. Empedans Z harfi ile gösterilir
DetaylıChapter 14. Elektrik Devreleri. Principles of Electric Circuits, Electron Flow, 9 th ed. Floyd
Elektrik Devreleri Karşılıklı indüklenme (Ortak endüktans) İki bobin birbirine yakın yerleştirildiğinde, bir bobindeki değişen akı diğer bobinde indüklenmiş bir gerilime sebep olur. Bobinlerin ortak endüktansı
DetaylıAlternatif Akım Devreleri
Alternatif akım sürekli yönü ve şiddeti değişen bir akımdır. Alternatif akımda bazı devre elemanları (bobin, kapasitör, yarı iletken devre elemanları) doğruakım devrelerinde olduğundan farklı davranırlar.
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 3 Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Not: Solda gösterilen devre Temel Yarı İletken Elemanlar dersi laboratuvarında yaptığınız 5. deneye ilişkin devre olup,
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN
DetaylıBölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.
Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf
DetaylıLCR METRE KALİBRASYONU
599 LCR METRE KALİBRASYONU Yakup GÜLMEZ Gülay GÜLMEZ Mehmet ÇINAR ÖZET LCR metreler, genel olarak indüktans (L), kapasitans (C), direnç (R) gibi parametreleri çeşitli frekanslardaki alternatif akımda ölçen
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıDENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT
DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri
DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.
DetaylıALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER
1 ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER Empedans, gerilim uygulandığında bir elektrik devresinin akımın geçişine karşı gösterdiği zorluğun ölçüsüdür. Empedans Z harfi ile gösterilir ve birimi ohm(ω)
DetaylıDENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler
RF OSİLATÖRLER VE İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER (1.DENEY) DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler DENEYİN AMACI : Radyo Frekansı (RF) osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerini
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıBÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER
BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 2 Deney Adı: Ohm-Kirchoff Kanunları ve Bobin-Direnç-Kondansatör Malzeme Listesi:
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıYükselteçlerde Geri Besleme
Yükselteçlerde Geri Besleme Açık çevrim bir yükseltici yandaki gibi gösterebiliriz. vi A Bu devreyi aşağıdaki gibi kazancı β olan bir geri besleme devresi ile kapalı döngü haline getirebiliriz. A= vo A
DetaylıGERİBESLEME VE OSİLATÖR DEVRELERİ
GERİBESLEME VE OSİLATÖR DEVRELERİ Haberleşme sistemleri günlük yaşamın vazgeçilmez ögeleri haline gelmiştir. Haberleşme sistemlerinde kullanılan temel birimlerden bazıları osilatör ve filtre devreleridir.
DetaylıĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ
DENEY 1 ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ 1.1. Genel Bilgi MV 1424 Hat Modeli 40 kv lık nominal bir gerilim ve 350A lik nominal bir akım için tasarlanmış 40 km uzunluğundaki
DetaylıDeney 2: FET in DC ve AC Analizi
Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken
DetaylıDENEY NO : 4 DENEY ADI : Taşıyıcısı Bastırılmış Çift Yan Bant ve Tek Yan Bant Genlik Modülatör ve Demodülatörleri
DENEY NO : 4 DENEY ADI : Taşıyıcısı Bastırılmış Çift Yan Bant ve Tek Yan Bant Genlik Modülatör ve Demodülatörleri DENEYİN AMACI : Taşıyıcısı bastırılmış çift yan bant ve tek yan bant modüleli işaretlerin
DetaylıYrd. Doç. Dr. Levent Çetin. Alternatif Gerilim. Alternatif Akımın Fazör Olarak İfadesi. Temel Devre Elemanlarının AG Etkisi Altındaki Davranışları
Yrd. Doç. Dr. Levent Çetin İçerik Alternatif Gerilim Faz Kavramı ın Fazör Olarak İfadesi Direnç, Reaktans ve Empedans Kavramları Devresinde Güç 2 Alternatif Gerilim Alternatif gerilim, devre üzerindeki
DetaylıBLM1612 DEVRE TEORİSİ
BLM1612 DEVRE TEORİSİ KAPASİTÖRLER ve ENDÜKTANSLAR DR. GÖRKEM SERBES Kapasitans Kapasitör, elektrik geçirgenliği ε olan dielektrik bir malzeme ile ayrılan iki iletken gövdeden oluşur ve elektrik alanda
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıYÜKSEK GERİLİM ENERJİ NAKİL HATLARI
Enerjinin Taşınması Genel olarak güç, iletim hatlarında üç fazlı sistem ile havai hat iletkenleri tarafından taşınır. Gücün taşınmasında ACSR(Çelik özlü Alüminyum iletkenler) kullanılırken, dağıtım kısmında
DetaylıDüzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)
KTÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı DOĞRULTUCULAR Günümüzde bilgisayarlar başta olmak üzere bir çok elektronik cihazı doğru akımla çalıştığı bilinen
DetaylıFET Transistörün Bayaslanması
MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,
DetaylıYÜKSELTEÇLER Ö Ğ R. G Ö R. D R. E S R A B İ L A L Ö N D E R
Ö Ğ R. G Ö R. D R. E S R A B İ L A L Ö N D E R 2 0 1 5 RF YÜKSELTEÇLERİ SINIFLANDIRMA 1. Dar bant akortlu RF yükselteçleri 2. Geniş bant akortlu RF yükselteçleri 3. Entegre devreli RF yükselteçleri IF
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
DetaylıMV 1438 KABLO HAT MODELİ KARAKTERİSTİKLERİ VE MV 1420 İLETİM HATTI ÜZERİNDEKİ GERİLİM DÜŞÜMÜ
MV 1438 KABLO HAT MODELİ KARAKTERİSTİKLERİ VE MV 1420 İLETİM HATTI ÜZERİNDEKİ GERİLİM DÜŞÜMÜ MV 1438 KABLO HAT MODELİ KARAKTERİSTİKLERİ Genel Bilgi MV 1438 hat modeli 11kV lık nominal bir gerilim için
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
DetaylıU.Ü. Mühendislik Mimarlık Fakültesi Elektronik Mühendisliği Bölümü ELN3102 OTOMATİK KONTROL Bahar Dönemi Yıliçi Sınavı Cevap Anahtarı
U.Ü. Mühendislik Mimarlık Fakültesi Elektronik Mühendisliği Bölümü ELN30 OTOMATİK KONTROL 00 Bahar Dönemi Yıliçi Sınavı Cevap Anahtarı Sınav Süresi 90 dakikadır. Sınava Giren Öğrencinin AdıSoyadı :. Prof.Dr.
Detaylı* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.
Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun
DetaylıF AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER
ALTERNATİF AKIM DEVRELERİ A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER Alternatif akım devrelerinde akımın geçişine karşı üç çeşit direnç (zorluk) gösterilir. Devre elamanları dediğimiz bu dirençler: () R omik
DetaylıNedim Tutkun, PhD, MIEEE Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Konuralp Düzce
GÜÇ ELEKTRONİĞİ ÖRNEK ARASINAV SORULARI Nedim Tutkun, PhD, MIEEE nedimtutkun@duzce.edu.tr Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü 81620 Konuralp Düzce Soru-1) Şekildeki diyotlu R-L devresinde,
DetaylıArttıran tip DC kıyıcı çalışması (rezistif yükte);
NOT: Azaltan tip DC kıyıcı devresinde giriş gerilimi tamamen düzgün bir DC olmasına karsın yapılan anahtarlama sonucu oluşan çıkış gerilimi kare dalga formatındadır. Bu gerilimin düzgünleştirilmesi için
DetaylıAREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ
AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER DR. GÖRKEM SERBES İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ İşlemsel kuvvetlendirici (Op-Amp); farksal girişi ve tek uçlu çıkışı olan DC kuplajlı, yüksek kazançlı
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıKontrol Sistemlerinin Tasarımı
Kontrol Sistemlerinin Tasarımı Kök Yer Eğrileri ile Tasarım IV Geribesleme Üzerinden Denetim ve Fiziksel Gerçekleme Prof.Dr.Galip Cansever 2 3 Denetleyiciyi veya dengeleyiciyi geribesleme hattı üzerine
DetaylıBölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri 7.1 DENEYİN AMACI (1) JFET in temel karakteristiklerini anlamak. (2) MOSFET in temel karakteristiklerini anlamak. 7.2 GENEL BİLGİLER 7.2.1 Yeni Terimler: (1) JFET
DetaylıDENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre
DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıTransformatör nedir?
Transformatörler Transformatör nedir? Alternatif akımın gerilimini veya akımını alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan devre elemanlarına "transformatör" denir. Alternatif akım elektromanyetik indüksiyon
DetaylıDENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü
DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC voltmetre, ac gerilimleri ölçmek için kullanılan
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#10 Analog Aktif Filtre Tasarımı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 10 Analog
DetaylıTemel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları
Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları Direnç (R) Alternatif gerilimin etkisi altındaki direnç, Ohm kanunun bilinen ifadesini korur. Denklemlerden elde edilen sonuç
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
DetaylıBÖLÜM 3 ALTERNATİF AKIMDA SERİ DEVRELER
BÖÜM 3 ATENATİF AKMDA SEİ DEVEE 3.1 - (DİENÇ - BOBİN SEİ BAĞANMAS 3. - (DİENÇ - KONDANSATÖÜN SEİ BAĞANMAS 3.3 -- (DİENÇ-BOBİN - KONDANSATÖ SEİ BAĞANMAS 3.4 -- SEİ DEVESİNDE GÜÇ 77 ATENATİF AKM DEVE ANAİİ
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış
DetaylıELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.
ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik AC ve DC Empedans RMS değeri Bobin ve kondansatörün
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
Detaylı3.5. Devre Parametreleri
3..3 3.5. Devre Parametreleri 3.5. Devre Parametreleri Mikrodalga mühendisliğinde doğrusal mikrodalga devrelerini karakterize etmek için dört tip devre parametreleri kullanılır: açılma parametreleri (parametreleri)
DetaylıANALOG HABERLEŞME (GM)
ANALOG HABERLEŞME (GM) Taşıyıcı sinyalin sinüsoidal olduğu haberleşme sistemidir. Sinüs işareti formül olarak; V. sin(2 F ) ya da i I. sin(2 F ) dır. Formülde; - Zamana bağlı değişen ani gerilim (Volt)
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıKontrol Sistemlerinin Tasarımı
Kontrol Sistemlerinin Tasarımı Kök Yer Eğrileri ile Tasarım II PD Denetleyici ve Faz İlerletici Dengeleyici 1 Ardarda (Kaskat) bağlantı kullanılarak geri beslemeli sistemin geçici rejim cevabının iyileştirilmesi
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Aşağıdaki problemlerde aksi belirtilmedikçe
DetaylıADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
Detaylısbölüm I REZONANS DEVRELERİ
sböüm I EZONANS DEVEEİ. GİİŞ ezonans, bobin ve kondansatör kullanılan A elektrik ve elektronik devrelerinde oluşan özel bir durumdur. Herhangi bir A devrede bobinin Endüktif eaktans ı ile kondansatörün
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıDoç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü. Ders içeriği
ANTENLER Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü Ders içeriği BÖLÜM 1: Antenler BÖLÜM 2: Antenlerin Temel Parametreleri BÖLÜM 3: Lineer Tel Antenler BÖLÜM 4: Halka Antenler
DetaylıDENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri
DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri DENEYİN AMACI :Darbe Genişlik Demodülatörünün çalışma prensibinin anlaşılması. Çarpım detektörü kullanarak bir darbe genişlik demodülatörünün gerçekleştirilmesi.
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıDENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT
DENEY 2 OHM-KIRCHOFF KANUNLARI VE BOBİN-DİRENÇ-KONDANSATÖR Malzeme Listesi: 1 adet 47Ω, 1 adet 100Ω, 1 adet 1,5KΩ ve 1 adet 6.8KΩ Dirençler 1 adet 100mH Bobin 1 adet 220nF Kondansatör Deneyde Kullanılacak
Detaylı3 FAZLI SİSTEMLER fazlı sistemler 1
3 FAL SİSTEMLER Çok lı sistemler, gerilimlerinin arasında farkı bulunan iki veya daha la tek lı sistemin birleştirilmiş halidir ve bu işlem simetrik bir şekilde yapılır. Tek lı sistemlerde güç dalgalı
DetaylıDENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ
Deneyin Amacı DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Seri ve paralel RLC devrelerinde rezonans durumunun gözlenmesi, rezonans eğrisinin elde edilmesi ve devrenin karakteristik parametrelerinin ölçülmesi
DetaylıDENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ
DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI
DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L
DetaylıSAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI
SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO: DENEY GRUP NO:
DetaylıENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI
ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALAR HAKAN KUNTMAN 03-04 EĞİTİM-ÖĞRETİM YL İşlemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik alanında çeşitli ölçü ve kontrol düzenlerinin
DetaylıALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER)
1 ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER) Paralel Devreler Direnç, bobin ve kondansatör birbirleri ile paralel bağlanarak üç farkı şekilde bulunabilirler. Direnç Bobin (R-L) Paralel Devresi Direnç
DetaylıBMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup
DetaylıALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ ALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI Dr. Öğr. Üyesi Ahmet ÇİFCİ Elektrik enerjisi, alternatif akım ve doğru akım olarak
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)
BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre) Lineer modda, transistör DC devreleri için aşağıdaki şekilde gösterilir: Lineer modda Base Emitter
DetaylıOtomatik Kontrol (Doğrusal sistemlerde Kararlılık Kriterleri) - Ders sorumlusu: Doç.Dr.HilmiKuşçu
ROOT-LOCUS TEKNİĞİ Lineer kontrol sistemlerinde en önemli kontrollerden biri belirli bir sistem parametresi değişirken karakteristik denklem köklerinin nasıl bir yörünge izlediğinin araştırılmasıdır. Kapalı
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.
BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V
DetaylıDENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları
Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
Detaylı3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c)
. Kazancın sonlu olması,. Lineerlik bölgesinin sonlu olması, 3. dengesizlik gerilimi, 4. frekans eğrisi, 5. gürültü alt başlıkları altında sıralanabilir. 3. V DD V CC I O I O I O I O V i - T T C C V O
DetaylıEEM 202 DENEY 5 SERİ RL DEVRESİ
SERİ RL DEVRESİ 5.1 Amaçlar i, v, v R ve v L için RMS değerlerini hesaplama Seri RL devresinde voltaj ve empedans üçgenlerini tanımlama Seri RL devresinin empdansının kazanç ve faz karakteristiklerini
DetaylıTEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR
KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR 1. DENEYİN
DetaylıElektrik Devre Lab
2010-2011 Elektrik Devre Lab. 2 09.03.2011 Elektronik sistemlerde işlenecek sinyallerin hemen hepsi düşük genlikli, yani zayıf sinyallerdir. Elektronik sistemlerin pek çoğunda da yeterli derecede yükseltilmiş
DetaylıEndüstriyel Sensörler ve Uygulama Alanları Kalite kontrol amaçlı ölçme sistemleri, üretim ve montaj hatlarında imalat sürecinin en önemli aşamalarındandır. Günümüz teknolojisi mükemmelliği ve üretimdeki
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıDENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ
DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi. Maksimum güç transferi teoreminin geçerliliğinin deneysel
DetaylıDENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ Alan Etkili Transistör (FET) Alan etkili transistörler 1 bir elektrik alanı üzerinde kontrolün sağlandığı bir takım yarıiletken aygıtlardır. Bunlar iki çeşittir:
DetaylıAlternatif Akım. Alternatif Akım. Yrd. Doç. Dr. Aytaç Gören (MAK4075 Notları)
09.10.2012 (MAK4075 Notları) Yrd. Doç. Dr. Aytaç Gören İçerik Alternatif Gerilim Faz Kavramı ın Fazör Olarak İfadesi Direnç, Reaktans ve Empedans Kavramları Devresinde Güç 2 Alternatif Gerilim Alternatif
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
Detaylı