Hafta 5 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü
|
|
- Tülay Yıldırım
- 7 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 5 TRANZİSTORLARIN KUTUPLANDIRILMASI (ÖN GERİLİMLENMESİ) (EĞİLİMLENDİRİLMESİ) Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü BSM 224 Electronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 1
2 DC Kutuplama, (Ön gerilimleme), (Eğilimlendirme) Kutuplama, yükseltecin uygun bir şekilde lineer çalışması için dc çalışma noktasını (Q noktası) kurar. Bir yükselteç, giriş ve çıkışında doğru DC gerilimi ile polarma yapılmamışsa, giriş sinyali uygulandığı zaman doyum veya kesim durumuna geçebiliriz. Şekil 1, bir yükseltecin uygun ve uygun olmayan DC polarma etkilerini göstermektedir. Kısım (a) 'da, çıkış sinyali, ters olması dışında, giriş sinyalinin güçlendirilmiş bir kopyasıdır ki bu girişi ile faz dışı (180 o faz farkı) olduğu anlamına gelir. Çıkış sinyali, dc polarma düzeyi V DC (out) nin üstünde ve altında eşit olarak salınım yapar. Uygun olmayan polarma yapıldığı zaman, kısım (b) ve (c)'de gösterildiği gibi, çıkış sinyalinde bozulmaya neden olabilir BSM 224 Electronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 2
3 (a) Lineer çalışmada çıkış geriiminin şekli giriş geriliminin şekli ile aynıdır. Sadece aralarında gelik farkı ve 180 o faz kayması vardır. Şekil 1(a) Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 3
4 Kısım (b) kesime çok yakın olan bir Q-noktasının (dc çalışma noktası) sonucu olarak çıkış geriliminin pozitif kısmının sınırlamasını göstermektedir. Şekil 1(b) Kısım (c), kesime çok yakın olan bir Q-noktasının (dc çalışma noktası) sonucu olarak çıkış geriliminin negatif kısmının sınırlamasını göstermektedir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 4
5 Grafiksel Analiz Şekil 2(a)'da tranzistor, belirli I B, I C, I E, ve V CE değerlerini elde etmek için V CC ve V BB ile polarma (kutuplama) yapılmiş hali göstermektedir. Kollektör karakteristik eğrilerini üretmek için değişken dc polarma gerilimi (V BB ) ile kutuplanmış bir tranzistor devresi Şekil 2(b) de gösterilmiştir. Bu şekil dc-polarma etkisini grafiksel olarak göstermek için kullanılacaktır Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 5
6 Şekil BSM 224 Elektronik Devreler Mehmet Akbaba Prof. Dr. 6
7 Şekil 2(b). Kollektör karakteristik eğrileri Değişken polarma gerilimi (V BB ) ile tranzistorün kollektör karekteristiğinin elde edilmesi Şekil 2(b) de gösterilmiştir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 7
8 Şekil 3 te I B ye 3 değer atadık ve I C ve V CE nin ne olduğunu gözlemledik. İlk olarak, Şekil 3 te görüldüğü gibi I B üretmek için V BB değeri ayarlanır. kollektör akımı 20 ma olarak verildiğinden (Şekil 3 (a)) Bu Q-noktası Şekil 3 teki grafikte Q 1 olarak gösterilmiştir. Sonra, Şekil 3(b) de gösteirldiği gibi, V BB 300 µa I B ve 30 ma I C üretmek için yükseltilmiştir. Bu durumdaki Q-noktası grafikte Q 2 olarak gösterilmiştir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 8
9 Şekil 3 Q noktasının ayarlanmasının gösterilimi Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 9
10 (a) Şekil 3 Q noktasının ayarlanmasının gösterilimi Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 10
11 (b) V BB yi artırarak I B yi 300 ma çıkartalım. Şekil 3. Q-noktasının ayarlanmasının gösterimi Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 11
12 (b) Şekil 3. Q-noktasının ayarlanmasının gösterimi Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 12
13 Son olarak, Şekil 3 (c) de gösteirldiği gibi, V BB I B =400 µa ve I C =40 ma değerlerini verecek şekilde yükseltilmiştir. Bu durumdaki Q-noktası grafikte Q 3 olarak gösterilmiştir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 13
14 (c) V BB yi artırarak I B yi 400 ma çıkartalım. Şekil 3: V BB yi ayarlayarak Q noktasının ayarlanması Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 14
15 (c) Şekil 3. Q-noktasının ayarlanmasının gösterimi Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 15
16 DC Yük Doğrusu Bir tranzistor devresinin DC çalışma noktası dc yük doğrusu kullanarak grafiksel bir şekilde tanımlanabilir. Şekil 4(a) da görüldüğü gibi bu, doyum değerinin y- ekseni üzerinde I C = I C(sat) olduğu noktadan kesim değerinin x-ekseni üzerinde V CE = V CC olduğu noktaya kadar olan bir doğrudur. Yük doğrusu tranzistor tarafından değil, karakteristik eğrileri ile açıklanan dış devre (V CC ve R C ) tarafından belirlenir. Şekil 3 ten, I C denklemi: Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 16
17 Yük Doğrusu Şekil 4(a): Yük Doğrusu gösterilimi Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 17
18 Şekil 4(b): Yük Doğrusu gösterilimi Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 18
19 Bu denklem eğimi 1/R C olann, x eksenini V CE = V CC noktasında kesen ve y eksenini I C(sat) =V CC / R C noktasında kesen doğrunun denklemidir. Yük doğrusu Şekil 4(a) ve Şekil 4(b) de gösterilmiştir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 19
20 Figure 4(c) Illustration of Q Points on the Load Line Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 20
21 Lineer (Doğrusal) Çalışma Yük doğrusunun doyma ve kesim arasındaki tüm noktaları içeren bölge, genellikle transistörün doğrusal çalışma bölgesi olarak bilinir. Transistor bu bölgede çalıştığı sürece, çıkış gerilimi giriş geriliminin ideal olarak lineer üretimidir. Şekil 5, bir transistörün doğrusal çalışmasının örneğini göstermektedir. AC büyüklkler küçük italik simgeler ile gösterilmektedir. Sinüs formunda bir gerilimin (V in ) V BB üzerine bindirildiğini varsayalım; beyz akımının sinus formu şeklinde Q-noktasının altında ve üstünde değişen değerler almasına neden olmaktasır ve bu da kollektör akımının 30 ma lık Q-noktasının 10 ma altında ve üstünde değişen değerler almasına neden olmaktadır Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 21
22 Kollektör akımındaki değişimin sonucu olarak, emiter gerilimi 3.4 V lık Q-noktasının, 2.2 V altında ve üstünde değişen değerler alır. Şekil 5 te, yük doğrusunun A noktası sinus formundaki giriş geriliminin pozitif tepesine karşılık gelir. B noktası negatif tepeye karşılık gelir ve Q noktası sinüs dalgasının sıfır değerine karşılık gelir. V CEQ, I CQ ve I BQ değerleri giriş sinus gerilimi uygulanmamış olduğu dc Q-noktalarıdır Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 22
23 Şekil 5. Beyz akımındaki değişimin sonucu olarak kollektör akımındaki ve kollektör-emitter gerilimindeki değişim Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 23
24 Dalga formu Bozulması (Distorsiyonu) Daha önceden de belirtildiği gibi, bazı giriş sinyali koşulları altında, yük doğrusu üzerindeki Q-noktasının konumu, Şekil 6 kısım (a) ve (b) de gösterildiği gibi V CE dalga formunun bir tepe noktasının sınırlandırlmasına ya da kırpılmasına neden olur. Her iki durumda da, giriş sinyali Q-noktasının konumu için çok büyüktür ve giriş alternansının bir bölümü sırasında, tranzistorü kesim ya da doyum durumuna geçer. Her iki tepe Şekil 6 (c) 'de olduğu gibi sınırlandırılmış olduğunda, tranzistor aşırı derecede büyük bir giriş sinyali ile doyum ve kesim durumuna sürülür. Sadece pozitif tepe sınırlı olduğunda, tranzistor doyum durumuna değil kesim durumuna sürülür. Sadece negative tepe sınırlı olduğunda, transistor kesim durumuna değil sadece doyum durumuna sürülür Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 24
25 Şekil 6(a) Q-noktası verilen giriş sinyali için doyuma çok yakın olduğundan dolayı tranzistor doyum durumuna sürülür Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 25
26 Figure 6(a) Transistor is driven into saturation because the Q-point is too close to saturation for the given input signal Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 26
27 (c) Giriş sinyali çok büyük olduğundan dolayı transistor hem doyum hem kesim durumuna sürülür. Şekil 6: Doyum ve / veya kesim içine sürülme durumunda tranzistorün grafiksel yük doğrusu gösterimi Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 27
28 Örnek 1: Şekil 7 deki devre için Q-noktasını belirleyin ve dc yük doğrusunu çizin. β=β DC =200 olduğunda, lineer çalişma için beyz akımının maksimum tepe değerini bulun. Şekil Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 28
29 Çözüm: Q-noktası I C ve V CE değerleri ile tanımlanır. Q-noktası I C = 39.6 ma ve V CE = 6.93 V değerlerindedir. I C (cutoff)(kesim) 0 değerinde iken, kollektör akımında ne kadar değişim meydana geldiğini ve hala transistörün lineer çalişmayı sağladığını belirlemek için I C (sat)(doyum) değerini bilmek gerekir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 29
30 Solution The Q-point is defined by the values of I C and V CE. The Q-point is at I C = 39.6 ma and at V CE = 6.93 V. Since I C (cutoff ) 0, you need to know I C (sat) to determine how much variation in collector current can occur and still maintain linear operation of the transistor Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 30
31 Beyz akımının en yüksek tepe değeri değişimi aşağıdaki gibi belirlenir: Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 31
32 TRANSİSTÖR KUTUPLAMA (POLARMA) YÖNTEMLERİ Kutuplama (Polarma) için birkaç yol vardır. Örneğin; a) Beyz Kutuplama (Base Biasing) b) Emiter Geri-besleme Kutuplama (Emiter Feedback Biasing) c) Kollektör Dirençli Geri-besleme Kutuplama (Collector Feedback Resistor Biasing) d) Gerilim Bölücü Kutuplama (Voltage Divider Biasing) Her bir kutuplama konusu ayrı ayrı detaylı olarak anlatılacaktır BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 32
33 (Base Biasing ) Beyz Kutuplama ( Eğilimleme) Bu kutuplama yöntemi, anahtarlama devrelerinin en yaygın kullanılanıdır. Şekil 1 da beyz kutuplamalı devre görülmektedir. Doğrusal bölge için bu devrenin analizi Kirchhoff un gerilimler kanunu ile yapılabilir. Şekil BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 33
34 V V V I CC R B B CC V yerine -I B V R R B B CC V -V B BE V R BE BE olur. elde edilir. Şekil 1 de verilen devre için kollektör tarafından Kirchhoff gerilimler kanunu yazılırsa, V CE için; I B R B 0 0 yazarsak, Buradan; (V CE çekilirse;) BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 34
35 I C =β DC I B formülündeki I B yerine yukarıda verilen ifadeyi yazarsak; (β DC = β) ÖRNEK 1: Şekil 2 de verilen devre için ß değeri 100 den 200 e çıkarıldığında Q çalışma noktasındaki değişim ne kadar olacaktır? R C =620 Ω, R B =360 kω, V CC =12 V, Şekil BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 35
36 V β=100 için I V CC BE C1 DC RB CE V ma 1 VCC RC IC *3.139mA V β=200 için V IC DC V CC BE 2 RB 6.278mA V CE 2 VCC RC IC *6.278mA V β 100 den 200 e değiştiğinde I C deki değişme aşağıdaki gibi olur % I C 100 I I C 2 C1 I C BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 36
37 V CE deki % azalma aşağıdaki gibi olur: % V CE V 100 V V C C 2 C Bu devrede gördüğünüz gibi, Q-noktası β değerine oldukça bağlıdır. Bu yüzden beyz polarma ayarlaması yapmak oldukça güvensizdir. Sonuç olarak doğrusal çalışma gerekiyorsa beyz polarması kullanılmaz. Bu devre daha çok anahtarlama uygulamalarında kullanılır BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 37
38 Emiter geri-besleme kutuplama (Emitter-Feedback Bias) Şekil 2 deki Beyz polarmalı devreye emiter direnci eklenirse, Şekil 3 de görüldüğü gibi devre Emiter geribesleme polarmalı hale gelir. + Negatif geri-besleme sayesinde, Beyz gerilimine ters yöde bir kollektör gerilimi elde edilir. Kollektör akımında oluşan herhangi bir değişim beyz gerilimini de değiştirecektir. Bu durumda beyz gerilimi daha belirgin bir hal alır. Eğer kollektör akımı artarsa, Emiter gerilimi de artacaktır. Bu durumda beyz gerilimi artacaktır. Çünkü V B = V E +V BE dir. R B I C Şekil 3 V CC R C + V CC I B + - V - BE BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 38
39 Beyz gerilimindeki artış nedeneyle R B nin uçlarındaki gerilim azalacaktır, Bu azalma nedeniye beyz akımı azalacak ve kollektör akımındaki artışı tutacaktır. Benzer durum kollektördeki akımın azaltılmasıyla gerçekleşecektir. Doğrusal (lineer çalışan) devreler için daha iyi olsa da, β'ya bağlı olduğu için hala gerilim bölücü devre gibi kararlı değildir. I E yi hesaplamak için, Kirchhoff un gerilimler kanunu beyz devresine uygulayabiliriz. I B yi I E cinsinden yazarsak I E nin hala β ya bağlı olduğu görülür; BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 39
40 ÖRNEK 2 + V CC Örnek 1 de verilen devre emitere bir direnç eklenerek emiter geri besleme haline getirilir. Diğer tüm değerler ve kullanılan tranzistor aynı kalıyor. Q çalışma noktasının ne kadar değişeceğini belirleyin. R B I B I C I E R C R E R C =620 Ω, R B =360 kω, V CC =12 V, R E =1.0 kω, Şekil BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 40
41 V β= 100 için V IC I E1 RC CE I VBE R / /100 CC 1 B DC 2.46 ma 1 VCC ( RC RE ) IC1 12 ( ) *2.46mA V β=200 için VBE R / / CC C I E RC B DC V 4.04 ma V CE 2 VCC ( RC RE ) IC2 12 ( ) k*4.04ma 5.46 V β 100 den 200 e değiştiğinde I C deki değişme aşağıdaki gibi olur % I C I 100 I I C C 2 C BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 41
42 V CE deki % azalma aşağıdaki gibi olur: % V CE V 100 V C 2 C1 V C Emiter geri beslemeli polarma daha kararlı çalışmasına ve Beyz polarmalı devre ile karşılaştırıldığında daha güvenilebilir sonuçlar vermesine rağmen, hala tam kararlı bir Q noktası belirlenemez BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 42
43 Kollektör geri besleme kutuplama (polarma) (Collector Feedback Resistance Biasing) Devrenin daha düzgün çizimiş hali şekil 4 de verilmiştir BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 43
44 Şekil 4: Kollektör rezistansı (direnci) geri besleme kutuplama (Collector feedback resistor biasing) BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba 44
45 Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 45
46 ÖRNEK 3 (EXAMPLE 3) RB yi önce 100 kω ve sonra 500 kω seçin ve aradaki farkı irdeleyin Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 46
47 Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 47
48 Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 48
49 Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 49
50 GERİLİM BÖLÜCÜ KUTUPLAMA Bu noktaya kadar ayrı bir dc kaynak olan V BB, beyzemiter polarması (kutuplaması) için kullanılmaktaydı. Çünkü V CC den bağımsız ve tranzistörün nasıl çalıştığını göstermeye yardım etmekteydi. Fakat daha pratik polarma (kutuplama) yöntemi olan tek kaynaklı polarmalandırma (kutuplandırma) Şekil 9 da gösterilmektedir. Şemayı daha sadeleştirmek için kaynak bir daire (V CC ) ile göstterilmiştir. Şekil 9 da gösterildiği gibi, tranzistorün beyz ucunda R 1 ve R 2 dirençlerinden oluşan bir gerilim bölücü vardır. Gerilim kaynağı V CC dir. A noktası ile toprak arasında iki adet akım yolu vardır: ilki R 2 üzerinden geçmekte diğeri ise tranzistorün beyz-emiter bağlantısı ve R E üzerinden geçmektedir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 50
51 Akım yönlerine ve elektron akış yönlerine dikkat edin. Gerçekte akım yönleri ok ile gösterilen yönlerin tam tersi olacaktır. Şekil 5: Gerilim Bölücü Kutuplama (Polarma) Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 51
52 Genelde gerilim bölücü polarmalandırma beyz akımını Şekil 5 da görülen R 2 üzerinden geçen I 2 akımından çok küçük yapmak için tasarlanır. Bu durumda beyz akımının yükleme etkisi göz ardı edilebildiği için gerilim bölücü devrenin analizini yapmak oldukça basittir. Beyz akımı R 2 üzerinden geçen akımın yanında çok küçük olacak şekilde tasarlanmış bir gerilim bölücü polarmalı bir tranzistorde çalışma büyüklükleri scaklıktan daha az etkilenir ve pratik olarak sıcaklık etkisinden bağımsız olduğu düşünülür. I 2 ile karşılaştırıldığında oldukça küçük bir I B değerine sahip gerilim bölücü devrenin analizini yapmak için ilk yapılması gereken; Yüksüz gerilim bölücü formülü kullanılarak beyz ucundaki gerilimi hesaplamaktır Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 52
53 Eğer beyz gerilimini (V B ) biliyorsak aşağıda belirtilenleri bulabiliriz; V E = V B - V BE I C = I E = V E / R E Eğer V C ve V E biliyorsak, V CE değerini bulabiliriz. V CE =V C -V E Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 53
54 Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 54
55 ÖRNEK 4 Şekil 6 daki devrede V CE ve I C değerlerini bulunuz (β=100) Şekil Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 55
56 Çözüm: Beyz gerilimi; Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 56
57 Yukarıdaki örnekte temel bir analiz yapılmıştır. Ancak bazı durumlarda daha detaylı ve doğru analizler yapılması istenilebilir. İdealde, gerilim bölücü devre kararlıdır. Yani, tranzistörü önemli bir yük olarak görmez. Devre tasarımları bir yönden kazanç sağlarken diğer yönden kayba yol açan durumlar içerir. Örneğin kaealı gerilim bölücü diğer devrelerdeki potansiyel yük etkileri ve ilave güç gereklilikleri bakımından istenmeyen küçük dirençler gerektirir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 57
58 Eğer bir devre tasarımcısı giriş direncini artırmak isterse bu gerilim bölücü kararlı olmayabilir ve daha detaylı bir analiz gerektirir. Gerilim bölücünün kararlı olup olmadığını belirlemek için Şekil 7 de gösterilen beyzdeki doğru akim giriş direnci incelenmelidir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 58
59 Şekil 7: Yüklü gerilim bölücü devresi Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 59
60 Gerilim Bölücü Polarmada Yük Etkisi Tranzistor beyzinde DC Giriş Direnci: Transistörün dc giriş direnci orantılıdır. Bu yüzden farklı transistörlerde farklı değerler alır.transistör doğrusal bölgede çalıştığında, Emiter akımı (I E ) =βi B olur. Emiter direnci, beyz devresinden bakıldığında, değeri normal değerinden daha büyük görünecektir. Bunun sebebi dc akım kazancıdır. Bu sebeple, R IN (base) = V B / I B = V B / (I E /β) olacaktır. R İN ( base) I V E B Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 60
61 This is the effective load on the voltage divider illustrated in Figure 11. You can quickly estimate the loading effect by comparing R IN (base) to the resistor R 2 in The voltage divider. As long as R IN (base) is at least ten times larger than R 2, the loading effect will be 10% or less and the voltage divider is stiff. If R IN (base) is less than ten times R 2, it should be combined in parallel with R Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 61
62 EXAMPLE 5 (ÖRNEK 5) Şekil 8 de tranzistorun beyzinden bakıldığında görülen giriş direnci bulunuz. β= 125 ve V B =4 V. ÇÖZÜM: R in(base) Figure Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 62
63 GERİLİM BÖLÜCÜ YÖNTEMİNDE YÜKLEME (GİRİŞ DİRENCİNİN) ETKİSİNİN HESABA KATILMASI Daha önce verilen analizde I B ve dolayısı ile tranzistorun yükleme (giriş dierencinin) etkisi ihmal edilmişti. Burada bu etki hasaba katılarak daha hassas analiz yapılacaktır Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 63
64 R in >10R 2 olunca yükleme etkisi ihmal edilebilir. (R in : Beyzden bakıldığında tranzistotrun giriş direnci). Fakat bu şart sağlanmazsa Thevenin teoremi kullanılarak analiz aşağıdaki gibi yapılır: Şekil 9 Çevre denkleminden: V th R th I B V BE R in I B ( R th R in ) I B V BE Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 64
65 Şekil 9 Şekil 10.a, 10.b ve 10.c takip edilirse: V th R2V R 1 CC R 2 Olduğu görülür. Ve R th R1R 2 R R Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba
66 Yine Şekil 9 dan I B V R th th V R BE in R in =V B / I B = (V BE +R E I E ) / I B V BE <<R E I E olduğu göz önüne alınırsa R in =R E (I E / I B ) = (1+β)R E olur. β>>1 olması durumunda I C I E ve R in = β RE olur Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 66
67 Yine Şekil 9 dan I B V R th th V R BE in R in =V B / I B = (V BE +R E I E ) / I B V BE <<R E I E olduğu göz önüne alınırsa R in =R E (I E / I B ) = (1+β)R E olur. β>>1 olması durumunda I C I E ve R in = β RE olur Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 67
68 Ayrıca denklemler aşağıdaki gibide yazılabilir: I B =I C /β, I B =I E /(1+β) ve I C =βi E /(1+β) yazılırsa V th =R th I E /(1+β)+V BE +R E I E V th =(R th /(1+β)+R E )I E +V BE Ve buradan: I E R E elde edilir. V th R V th BE ( 1 ) Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 68
69 V B V BE R in I B V th R th I B V CC R C I C V CE R E I E I I ve I ( 1 ) I C ve B E B Yazılırsa V CC = (βr C +(1+β)R E )I B +V CE V CE = V CC - (βr C +(1+β)R E )I B elde edilir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 69
70 β>>1 olması halinde yukarıdaki bağıntılar aşağıdaki şekildede yazılabilir: I I C I E E V R E th ve V R th BE ve V CE =V CC - (R C +R E )I E V E =R E I E elde edilir Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 70
71 ÖRNEK 6 : ( β=150>>1 ) β β Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 71
72 Veya Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 72
73 ÖRNEK 10: Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 73
74 V B >V E ve BE birleşimi ileri yönde kutplanmış V C <V B ve yine BC birleşimi de ileri yönde kutplanmış. Bu nedenlerle tranzistör is doyma (saturation) bölgesinde çalışmaktadır Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 74
75 ÖRNEK 7: Şekil 11 deki devrede I B, I C, I E, V B, V CE, V C, ve V E değerlerini a) Yükleme etkisini yok sayayarak b) Yükleme etkisini hesaba katarak (tam analiz) bulunuz ve sonuçları karşılaştırınız. Si, β=80 Vo Parametreler: V CC =24 V, β=80, R 1 =68 kω R 2 =15 kω, R C =6.8 kω, R E =1.2 kω Şekil Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 75
76 Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 76
77 Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 77
78 Sonuçlar aşağıdaki tabloda karşlaştırılmaktadır. Bu karşılaştırmadan görülmekredirki βr E <10R 2 olunca yaklaşık hesap yöntemi oldukça büyük hata vermektedir. Bu problemde βr E = 80*1.2= 96 kω fakat 10R 2 = 10*15=150 kω. Bu nedenle yaklaşık metodun yüksek oranda hata vereceği açıkça görülmektedir. I B (µa) I C (ma) I E (ma) P t (µw) Yaklaşık Analiz Tam Analiz V B (V) V C (V) V E (V) V CE (V) Yaklaşık Analiz Tam Analiz Electronics Prof. Dr. Mehmet Akbaba 78
79 KAYNAKLAR 1. Robert Boylestad and Louis Nashelski, Elektromik Cihazlar ve Devre Teorisi, Palme Yayıncılık 2. Mehmet Akbaba, Elektronik Ders Devreler Notları 3. Thomas L. Floyd, Electronic Devices, Merill Publishin Company BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet Akbaba
80 Teşekkür Ederim Sağlıklı ve mutlu bir hafta geçirmeniz temennisiyle, iyi çalışmalar dilerim BSM 224 Elektronik Devreler Prof. Dr Mehmet Akbaba
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 8 BJT TRANZİSTÖRLERLÜ KUVVENLENTİRİCİLER (YÜKSELTEÇLER) II Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof.
DetaylıELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıMOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11
MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.
Detaylı* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.
Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ
BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ Hedefler DC polarma devrelerinin amacını, avantajlarını ve çalışma prensipleri anlayacaksınız Sabit Beyz Polarmalı ve Emiteri Kararlı DC Polarma Devrelerinin hesaplamalarını
DetaylıElektronik Ders Notları 6
Elektronik Ders Notları 6 Derleyen: Dr. Tayfun Demirtürk E-mail: tdemirturk@pau.edu.tr 1 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ Konular: Transistörde DC çalışma noktası Transistörde temel polarama Beyz polarma Gerilim
DetaylıDENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk
DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk AMAÇLAR Bipolar transistorleri kullanarak güncel bazı kutuplama devreleri tasarımı ve analizi. Kutuplama devrelerinin sıcaklığa karşı kararlılık
Detaylıİşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs)
BLM224 ELEKTERONİK DEVRELER Hafta 12 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs) Opamp Sembolü ve Terminalleri Standart bir opamp; iki adet giriş terminali, bir adet çıkış terminaline
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıKOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri
Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.
DetaylıFET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9
FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ Hafta 9 Prof. Dr. Mehmet Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği 1 Alan-Etkili Tranzistörler (FET ler) Hatırlanacağı üzere
DetaylıHafta 4 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü BJT TRANZİSTÖRLERİN TEMELLERİ
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 4 BJT TRANZİSTÖRLERİN TEMELLERİ Prof. Dr. Mehmet Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Elektronik Devreler Prof. Dr. Mehmet 1 TRANZİSTORLER BJT FET BJT:
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıBLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 3 DİYOT UYGULAMALARI Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Elektronik Notları 1 Tam Dalga Doğrultucu, Orta Uçlu Bu doğrultma tipinde iki adet diyot orta
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıTRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)
TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT) Transistörler, katı-hal devre elemanlarıdır. Genelde transistör yapımında silisyum ve germanyum kullanılmaktadır. Bu dokümanımızda bipolar Jonksiyon transistörlerin temel yapısı
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıBu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.
TRANZİSTÖRLERİN ÇALIŞMASI VE KARAKTERİSTİKLERİ Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir. Temel kavramlar PNP ve NPN olmak üzere iki çeşit BJT tranzistör vardır.
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010
TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıŞekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı
DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF
DetaylıDENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER
DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER 1. Amaç Bu deneyin amacı, lineer (doğrusal) kuvvetlendiricilerde kullanılan BJT kuvvetlendirici devresinin devre girişine uygulanan zamanla değişen bir küçük işareti kuvvetlendirmesi
DetaylıYükselteçlerde Geri Besleme
Yükselteçlerde Geri Besleme Açık çevrim bir yükseltici yandaki gibi gösterebiliriz. vi A Bu devreyi aşağıdaki gibi kazancı β olan bir geri besleme devresi ile kapalı döngü haline getirebiliriz. A= vo A
DetaylıBÖLÜM 5 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ. Konular: Amaçlar:
ÖLÜM 5 5 TRANSİSTÖRLRİN D ANALİZİ Konular: Amaçlar: 5.1 Transistörde D çalışma noktası 5.2 Transistörde temel polarama 5.3 eyz polarma 5.4 Gerilim bölücülü polarma devresi 5.5 Geribeslemeli polarma devresi
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
DetaylıBölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıDENEY 2 DİYOT DEVRELERİ
DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ 2.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde çıkış gerilim dalga formunda değişiklik oluşturan kırpıcı (clipping) ve kenetleme (clamping) devrelerinin nasıl çalıştığı öğrenilecek ve kavranacaktır.
DetaylıGERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ
GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine
DetaylıProf. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü
BJT YÜKSELTEÇLER (KUVVETLENDİRİCİLER) (BJT AMPLIFIERS) KÜÇÜK İŞARET ANALİZİ (AC ANALİZİ) Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 15.04.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof.
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıDENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET
DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)
BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre) Lineer modda, transistör DC devreleri için aşağıdaki şekilde gösterilir: Lineer modda Base Emitter
DetaylıŞekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı
1. OSİLATÖRLER 1.1. Osilatör Nedir? Elektronik iletişim sistemlerinde ve otomasyon sistemlerinde kare dalga, sinüs dalga, üçgen dalga veya testere dişi dalga biçimlerinin kullanıldığı çok sayıda uygulama
DetaylıDENEY 8. OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler
DENEY 8 OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler 1. Amaç Bu deneyin amacı; Op-Amp kullanarak toplayıcı, fark alıcı, türev alıcı ve integral alıcı devrelerin incelenmesidir.
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
Detaylı(BJT) NPN PNP
Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün
DetaylıÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9. --İşlemsel Yükselteçler
Masa No: No. Ad Soyad: No. Ad Soyad: ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9 --İşlemsel Yükselteçler 2013, Mayıs 15 İşlemsel Yükselteçler (OPerantional AMPlifiers : OP-AMPs) 1. Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı,
DetaylıDENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ
DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.
Detaylı5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI
5. ölüm: JT D Öngerilimleme Doç. Dr. rsan KAAL 1 Öngerilimleme Transistörün düzgün bir şekilde çalışması için öngerilimlenmesi gerekir. DA çalışma noktasını oluşturmak için birçok yöntem vardır. Öngerilimleme
DetaylıMultivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör
Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıBölüm 1. Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları
Bölüm Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları. Temel Elektriksel Büyüklükler: Akım, Gerilim, Güç, Enerji. Güç Polaritesi.3 Akım ve Gerilim Kaynakları F.Ü. Teknoloji Fak. EEM M.G. .. Temel
DetaylıDeney 2: FARK YÜKSELTEÇ
Deney : FARK YÜKSELTEÇ Fark Yükselteç (Differential Amplifier: Dif-Amp) Fark Yükselteçler, çıkışı iki giriş işaretinin cebirsel farkıyla orantılı olan amplifikatörlerdir. O halde bu tip bir amplifikatörün
DetaylıAREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ
AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER DR. GÖRKEM SERBES İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ İşlemsel kuvvetlendirici (Op-Amp); farksal girişi ve tek uçlu çıkışı olan DC kuplajlı, yüksek kazançlı
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıT.C. MİLLÎ EĞİTİM BAKANLIĞI UÇAK BAKIM TRANSİSTÖRLÜ DEVRELER
T.C. MİLLÎ EĞİTİM BAKANLIĞI UÇAK BAKIM TRANSİSTÖRLÜ DEVRELER Ankara, 2013 Bu modül, mesleki ve teknik eğitim okul/kurumlarında uygulanan Çerçeve Öğretim Programlarında yer alan yeterlikleri kazandırmaya
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#8 I-V ve V-I Dönüştürücüler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 8 I-V ve
DetaylıEEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 04: BJT TRANSİSTÖR VE AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıZENER DİYOTLAR. Hedefler
ZENER DİYOTLAR Hedefler Bu üniteyi çalıştıktan sonra; Zener diyotları tanıyacak ve çalışma prensiplerini kavrayacaksınız. Örnek devreler üzerinde Zener diyotlu regülasyon devrelerini öğreneceksiniz. 2
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları
DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı; İşlemsel yükselteçlerle (OP-AMP) yapılabilecek doğrusal uygulamaları laboratuvar ortamında gerçekleştirmek ve
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 3 Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Not: Solda gösterilen devre Temel Yarı İletken Elemanlar dersi laboratuvarında yaptığınız 5. deneye ilişkin devre olup,
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıGERİBESLEME VE OSİLATÖR DEVRELERİ
GERİBESLEME VE OSİLATÖR DEVRELERİ Haberleşme sistemleri günlük yaşamın vazgeçilmez ögeleri haline gelmiştir. Haberleşme sistemlerinde kullanılan temel birimlerden bazıları osilatör ve filtre devreleridir.
DetaylıElektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,
YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıKIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ
KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıDENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B
DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051
DetaylıDENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı
DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya
DetaylıDeney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.
Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıElektronik Laboratuvarı
2013 2014 Elektronik Laboratuvarı Ders Sorumlusu: Prof. Dr. Mehmet AKBABA Laboratuvar Sorumluları: Rafet DURGUT İçindekiler Tablosu Deney 1: Laboratuvar Malzemelerinin Kullanılması... 4 1.0. Amaç ve Kapsam...
Detaylı