ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
|
|
- Umut Özcan
- 5 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 TC SAKAYA ÜNİSİTSİ TKNOOJİ FAKÜTSİ KTİK-KTONİK MÜHNDİSİĞİ M KTONİK- DSİ ABOATUA FÖYÜ DNYİ YATAN: DNYİN AD: DNY NO: DNYİ YAANN AD ve SOYAD: SNF: OKU NO: DNY GU NO: DNY TAİHİ AO TSİM TAİHİ KONTO DĞNDİM Ön Çalışma (%) Deney Sonuçları (%) Sözlü (%) Deney erformansı (%) Deney aporu (%) TOAM Deney No: rogram Çıktıları 13 1,, 3, 4, 5
2 DNY 13 : BJT İ B SNF ÇAŞAN GÜÇ YÜKSTÇİ AMAÇ: Birleşim yüzeyli transistörlerle yapılan ve B sınıfı çalışan güç yükselteçlerini tanımak, çalışma prensibini öğrenmek ve çıkış gücünü bulmak. TOİ: Yükselteçleri; kullanım amaçlarına veya işlevlerine göre küçük sinyal(gerilim) yükselteçleri ve büyük sinyal (güç) yükselteçleri olarak sınıflandırılırlar. Küçük sinyal yükselteçleri girişlerindeki AC sinyali genlik olarak yükselten devrelere verilen isimdir. Diğer taraftan büyük sinyal veya güç yükselteçlerinde ise amaç, girişlerindeki sinyalin gücünü arttırmaktır. Bu yüzden güç yükselteçleri genellikle ardışıl(kaskat) bağlı devrelerde çıkışa en yakın kat olarak görev yapar ve yüke güç transfer ederler. Bir yükselteç tasarımında ana faktörler, doğrusallık(doğrusallığın azalması bozulma yani gürültüyü arttırır), verim, çıkış gücü ve kazanç tır. Genellikle bu faktörler arasında bir ilişki vardır. Örneğin bir yükseltecin doğrusallığının artması, verimini azaltacaktır. Küçük-sinyal (gerilim) yükselteçlerinde dikkate alınması gereken temel faktör genellikle doğrusallık ve kazançtır. Giriş dönüştürücüsünden(transdüserinden) gelen sinyalin gerilim ve akımı genellikle küçük olduğundan, güç kapasitesi ve güç verimliliği pek önemli değildir. Bir büyük-sinyal yükseltecinin, verimli çalışması ve tipik olarak birkaç Watt tan yüzlerce Watt a kadar gücü kaldırabilme kapasitesine sahip olması gerekir. Dengeleme, çalışmaya hazır hâle getirme anlamına gelen polarma işlemi, yükseltecin girişine AC özellikli sinyal uygulanmadan önce DC besleme kullanılarak transistörün istenilen noktada çalıştırılması amacıyla yapılır. Girişe AC özellikli sinyaller uygulanmadan önce yükselteç devresinin çektiği akımlara boşta çalışma veya sükûnet akımları adı verilir. Transistörlerin beyzine uygulanan polarma akımının değerine göre kollektörden emitere geçirdikleri akımın değeri değişmektedir. olarma akımından dolayı ortaya çıkan çalışma şekilleri ve çıkıştan alınan sinyallerin durumu dikkate alınarak güç yükselteçleri A, B, AB, C sınıfı çalışma biçiminde gruplandırılmıştır. Bu sınıfların haricinde büyük güçlü kuvvetlendiriciler için, yapılan çalışmalar sonucu yükün yapısını ve kullanım şeklini değiştirerek D,, F ve S sınıfı çalışan kuvvetlendiriciler geliştirilirken, bunun dışında DC kaynağın/kaynakların ihtiyaç anında anahtarlanma veya tetiklenme yöntemiyle kontrollü bir şekilde devreye alınması prensibine dayanan G ve H sınıfı kuvvetlendiriciler de geliştirilmiştir. A sınıfı yükseltecin genel çalışma prensibi, transistörün giriş sinyalinin tamamında yani 36 'lik kısmında iletimde olması yani giriş sinyalinin tamamının çıkışta yükseltilmesi prensibine dayanır. Transistörün, giriş sinyalinin tamamında iletimde kalabilmesi için(doyuma ve kesime gitmeden) transistörün çalışma noktasının (Q), yük doğrusunun tam ortasında seçilmesine özen gösterilir. A sınıfı yükselteç çalışmasında, kuvvetlendiricinin girişine herhangi bir AC işaret uygulanmasa bile kutuplamadan dolayı kuvvetlendiricinin sürekli DC güç tüketiyor olmasına ve buna bağlı olarak veriminin düşük olacağına dikkat edilmelidir. Düşük verimine rağmen A sınıfı yükselteç, diğer sınıflara göre daha yüksek doğrusallığa(gürültü oranı düşük) ve daha az verimliliğe sahiptir. Bu yüzden A sınıfı çalışan yükselteçler verimin çok önemli olmadığı fakat gürültü(bozulma) istenmeyen yerlerde tercih edilirler. Diğer taraftan güç yükselteçlerinde verimin büyük olmasının istendiği yerlerde vardır, örneğin çıkış katlarının maksimum derecede gücü yüke aktarması ve kendi üzerinde harcamaması tercih edilir. Zira büyük güç çeken yüklerin ihtiyaç duyduğu bu gücü verecek yükselteç eğer kendi üzerinde büyük bir güç harcar ise bu durumda aşırı derecede ısınır ve hasar görür. İşte bu duruma çözüm olarak transistörün çalışma noktasının kesimde seçilmesi öngörülmüş ve böylece girişlerinde bir AC sinyal yok iken transistörün(kesimde olduğundan) güç harcaması önlenmiştir. Böylece verimde artmıştır. Bu durumda yani transistörün boşta çalışma noktasının kesimde seçilmesi durumunda çalışmaya ise B sınıfı çalışma denmektedir. Bu durumda transistörün girişinde herhangi bir AC sinyal yok ise yani transistör boşta çalışıyorsa, çalışma noktası kesimde olduğundan dolayı transistör akımları sıfır olacaktır yani transistör güç harcamayacaktır. Bunun sonucu olarak B sınıfı çalışmada verimin A sınıfına göre daha büyük olmasını bekleyebiliriz. Diğer taraftan verimin yüksek olması yanında B
3 sınıfı çalışmada istenmeyen bir durum söz konusudur. Bu durum giriş sinyalinin(ac) çıkışta bozulması veya gürültü dediğimiz durumdur. Şimdi bu durumu aşağıdaki şekil üzerinde inceleyelim. Şekildeki B gerilim değerini yaklaşık olarak şu şekilde bulabiliriz; B CC 1 1,6 1K,7 17K 1K Aynı şekilde direnci uçlarında düşen gerilimini ise; olarak buluruz. Buradan akımını; B B,7,7 ma 1K olarak buluruz. Görüldüğü gibi boşta yani girişinde bir AC sinyal olmadığında bu transistör kesimdedir yani akımları sıfırdır( B = ma, C = ma). Bu durumda boşta çalışmada transistör güç harcaması; D C C 1,6xmA W eşitliği gereği sıfır olmaktadır, yani transistör güç harcamamaktadır(verim yüksek). Şimdide aynı devre girişlerine aşağıda görülen AC sinüs sinyalini uyguladığımızı düşünelim; 3
4 Bu durumda giriş sinyalinin pozitif alternansında transistör beyz akımı akmaya başlar(nn transistörün beyzi pozitif oluyor). Beyz akımına karşılık kollektör ve emiter akımları da akmaya başlar ve bu durumda çıkış voltajı; O şitliği gereği pozitif bir değer alır ve yükseltme gerçekleşmiş olur. Diğer taraftan girişin negatif alternansında transistör beyzi negatif olacağından beyz akımı akmaz(sıfır olur), buna bağlı olarak ta kollektör ve emiter akımları da sıfırda kalır ve çıkış gerilimi de sıfır olur, yani çıkış olmaz. Bu süre boyunca transistör kesimde kalmıştır yani çalışmamaktadır(güç harcaması sıfır). Sonuç olarak bu devre AC girişlerin sadece pozitif alternanslarını yükseltmekte, negatif alternanslarını ise kırpmaktadır, çıkış voltajının şekli şu şekilde gözükmektedir. Transistör çıkış karakteristik eğrisi üzerinde ise çıkış gerilimi şu şekilde gözükmektedir. Buradan görüldüğü gibi bu çalışmada A sınıfı çalışmaya göre çıkış sinyalinin maksimum(tepe) değeri daha büyük olmaktadır. Çıkış sinyalinin tepe değeri B sınıfı çalışmada teorik olarak besleme kaynağına( CC ) eşittir. O zaman B sınıfı çalışan yükselteçlerde çıkış işaret gücü A sınıfına göre çok daha yüksektir diyebiliriz. Diğer taraftan yukarıdaki şekilden de görüldüğü gibi B sınıfı çalışmada, giriş sinyali yükseltecin çıkışından şekil olarak bozulmuş olarak elde edilmiş oldu(yarım dalga çıkış verdi). Birçok uygulama için(örneğin ses yükselteçleri) bu durum kabul edilemez bir durumdur ve bu bir gürültü kaynağıdır. O halde bu soruna bir çözüm bulmak gerekmektedir. Bu durumda önerilen yöntem şu şekildedir. Madem NN transistör ile yapılan bu yükselteç sadece girişin pozitif alternansını yükseltmekte, o halde aynı devreden birde N transistörü ile yaparız ve bu devrede girişin negatif alternanslarını yükseltir. Biz giriş sinyalini bu iki devreye yani NN ve N transistörlerle yapılan iki devreye aynı anda uygular ve çıkışlarını da toplarsak, o zaman giriş sinyalinin tüm alternansları yükseltilmiş olur ve bozulmayı da ortadan kaldırmış oluruz. Bu anlattığımız devrenin prensip şeması aşağıda görülmektedir. 4
5 Bu bağlantı şekli özel bir bağlantı şeklidir ve devrenin bir kısmı bir alternans süresince sinyali yukarıya ittiği, diğer kısmı ise diğer alternans boyunca sinyali aşağıya çektiği için bu tip devrelere push-pull(it-çek) bağlantılı yükselteç devreleri de denmektedir. Aşağıdaki şekilde bu anlatılanların uygulandığı B sınıfı çalışan transistörlü bir ush-ull yükselteç devresi görülmektedir. Devrede NN ve N transistörler kullanıldığından bu tip devrelere aynı zamanda Tümler-Simetrik Yükselteçler de denir. Bu devrede çıkış işaretindeki bozulmaları(geçiş bozulmaları) önlemek amacıyla D 1 ve D diyotları kullanılmıştır(bu diyotlar üzerinde düşen,7 eşik gerilimleri aynı zamanda transistörlerin beyzemiter arasına da uygulanarak onların çalışabilmeleri için ihtiyaç duydukları eşik gerilim değerlerini sağlamakta ve böylece transistörler giriş sinyalinin sıfırdan farklı her değeri için çalışarak çıkış vermekte ve çıkışta oluşabilecek bozulmaları önlemektedirler). B sınıfı push-pull bir yükselteçte iki transistör (Q 1 ve Q olmak üzere) bulunur. Giriş sinyalinin pozitif alternansında Q 1 (NN) transistörü iletimde iken Q (N) transistörü yalıtımdadır. Negatif alternansında ise Q (N) iletimde, Q 1 (NN) yalıtımdadır. Bu devrede kullanılan transistörlerin biri NN diğeri N olmasına rağmen, karakteristik özellikleri aynı olmak zorundadır yani eşlenik transistör olmak zorundadır. Buna göre her iki transistörün kollektör-emiter arası iç dirençleri eşit olduğuna göre, her bir transistörün kollektör emiter arası boşta çalışma gerilimleri, besleme kaynağının yarısına eşit olmak zorundadır. Yani; C(max) CC 5
6 bununda ortalama değeri;, 318 C( ort),318 C(max) olur. Her bir transistörden geçebilecek maksimum(tepe) kollektör akım değeri ise; C(max) bununda ortalama değeri; C ( 318 ort), C (max) olarak bulunur. Buna göre her bir transistörün ısı olarak üzerlerinde harcadıkları güç miktarı( D ); D C( ort) C( ort),318 C(max),318 C(max) (,318) C(max) C(max) veya; D,318 (,318 ) (,318,318 C(max),318 C(max),318 CC ) olarak bulunur. Yük üzerinden alınabilecek maksimum AC çıkış gücü ise; (max) O( rms) (,77 ) (,77 CC ) CC 8 olarak bulunur. Benzer şekilde DC kaynaktan çekilen toplam güç ise; DC (, 318 CC C ort) CC C(max) olarak bulunur. Buradan verim; % (max) DC x1 olarak bulunur. İŞM BASAMAKA Not: İşlem basamaklarında yapacağınız voltaj ölçümlerini osilaskop ile yapınız. Ölçüm sırasında olt/div ve Time/div düğmelerini ayarlayarak, ölçülecek sinyali/sinyalleri ekrana sığabilecek en büyük konuma getiriniz Temel lektronik ğitim Setini masa üzerine çıkartınız modülünü ana üniteye yerleştirin ve bloğunu bulun. Blok üzerinde aşağıdaki devre olmalıdır. 6
7 1 1 K S 1 C 1 1 F +1 Osilaskop C Q 1 8 nf BD139 CH1 CH GND D 1 1N41 S İ O C 4 8 nf D 1N K S 4 Q BD14 S 3 C 3 1 F Hp S 5-1 C 5 1 F 3- S 1 ve S 5 anahtarlarını kapatarak devreye enerji veriniz. 4- Devrenin girişine( İ ), 3 p-p genliginde ve 1 KHz frekansında bir sinüs sinyali uygulayınız. 5- S 4 anahtarını açıp, S anahtarını kapatarak Q 1 NN transistörünü devreye alınız. Osilaskopla çıkış dalga şeklini( O ) ölçerek aşağıdaki koordinat sistemine çiziniz(gerilim değerlerini şekil üzerine yazınız). o 6-5. adımda elde ettiğiniz dalga şeklini yorumlayınız, beklediğiniz dalga şeklimidir açıklayınız(nedenlerini tartışınız). 7- Şimdi de S anahtarını açıp, S 4 anahtarını kapatarak Q N transistörünü devreye alınız. Osilaskopla çıkış dalga şeklini ölçerek aşağıdaki koordinat sistemine çiziniz(gerilim değerlerini şekil üzerine yazınız). 7
8 o 8-7. adımda elde ettiğiniz dalga şeklini yorumlayınız, beklediğiniz dalga şeklimidir açıklayınız(nedenlerini tartışınız). 9- Bu adımda S ve S 4 anahtarlarının ikisini de kapatarak her iki Q 1 ve Q transistörünü devreye alınız. Osilaskopla çıkış dalga şeklini ölçerek aşağıdaki koordinat sistemine çiziniz(gerilim değerlerini şekil üzerine yazınız). o 1-9. adımda elde ettiğiniz dalga şeklini yorumlayınız, beklediğiniz dalga şeklimidir açıklayınız(nedenlerini tartışınız). 11- S ve S 4 anahtarları kapalı iken hem giriş sinyalini ve hemde çıkış sinyalini osilaskop ile ölçünüz ve aşağıya çiziniz. İki sinyal arasında bir fark görüyormusunuz(genlik, frekans veya faz açısından)? ğer fark görmüyorsanız nedenlerini ve normalde ne olması gerektiğini tartışınız. İ 8
9 o 1- Şimdi S ve S 4 kapalı iken giriş sinyalinin genliğini yavaş yavaş arttırınız ve çıkış sinyalinin genliğini osilaskop ile gözlemleyiniz. Çıkış sinyalinin şekil olarak bozulmaya(distorsiyon-gürültü) başladığı noktada giriş geriliminin genliğini sabit bırakınız Bu durumda çıkış dalga şeklinin genliğini ölçünüz( Op-p(max) ) ve bu değerle, yük direnci( ) değerini kullanarak bu yükseltecin verebileceği en büyük gücü( (max) ) hesaplayınız ve aşağıya kaydediniz. Op-p(max) =. olt (max) =.. mw (Denysel) 14-. adımda verilen devrede kullanılan eleman değerlerini(gerilim, direnç) kullanarak 13. adımda deneysel yolla bulduğunuz (max) değerini teorik olarak yeniden hesaplayınız ve aşağıya kaydediniz. (max) =.. mw (Teorik) 15- Deneysel yolla ve teorik hesaplama ile bulduğunuz bu iki (max) değerini kıyaslayınız, arada bir fark varmıdır? arsa nedenlerini tartışınız. 16- Şimdi giriş sinyalinin genliğini 1 p-p değerine indirin. Daha sonra S 3 anahtarını kapatarak hoparlörden çıkış sinyalinin oluşturduğu sesi dinleyin. 17- S 3 anahtarı kapalı iken giriş sinyalinin genliğini 1 p-p değerinden yukarıya doğru yavaş yavaş arttırarak hoparlörden çıkış sinyalini dinleyiniz ve ne fark ettiğinizi not ediniz. Giriş sinyalinin seviyesini arttırmaya devam ederek hoparlördeki sesin bozulmasını(gürültü) tesbit ediniz. Sizce bu bozulma neden oldu tartışınız. Sonuçların Analizi: 1- Bu deney sonucu gördüğünüz deneysel ve teorik çalışma farklarını açıklayınız. - B sınıfı ush-pull çalışan yükselteçde çıkış gücü nasıl arttırılmaktadır? Açıklayınız. 3- B sınıf çalışmanın avantaj ve dezavantajlarını özetleyiniz. 4- Deneyde sonucu gördüğünüz distorsiyonları açıklayınız? Bunlar neden olmaktadır ve çözüm önerileriniz nedir? SOUA 1- ush-pull çalışan B sınıf yükselteç devresinde bulunan D1 ve D diyotların görevlerini açıklayınız. - Yaptığınız deneyde kullanılan devre simetrik kaynak ile beslenmektedir. Acaba aynı devre aynı çıkışlar için tek bir kaynaktan beslenebilir mi? Bunun için devrede ne gibi değişiklikler yapılmalıdır? 3- Devrede kullanılan C ve C4 kondansatörlerinin görevi nedir? 4- Tek bir transistörün B sınıfı çalıştırılması ile elde edilen güç yükselteci acaba pratikte kullanılabilir mi? ğer kullanılabilir diyorsanız örnek veriniz. 9
ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SKRY ÜNERSTES TEKNOLOJ FKÜLTES ELEKTRK-ELEKTRONK MÜHENDSLĞ ELM22 ELEKTRONK-II DERS LBORTUR FÖYÜ DENEY YPTIRN: DENEYN DI: DENEY NO: DENEY YPNIN DI ve SOYDI: SINIFI: OKUL NO: DENEY GRUP NO: DENEY TRH
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Deneyin Amacı: Alçak frekans güç yükselteçleri ve çıkış katlarının incelenip, çalışma mantıklarının kavranması Kullanılacak Materyaller: BD135 (npn Transistör)
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı
DetaylıELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
Detaylı* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.
Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİKELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 6 Deney Adı: Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıŞekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı
DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıŞekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı
1. OSİLATÖRLER 1.1. Osilatör Nedir? Elektronik iletişim sistemlerinde ve otomasyon sistemlerinde kare dalga, sinüs dalga, üçgen dalga veya testere dişi dalga biçimlerinin kullanıldığı çok sayıda uygulama
DetaylıMOSFET Karakteristiği
Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıDENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ
DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ 1. Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, Şekil 1 de görüldüğü gibi yarım
DetaylıŞekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi
DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 7 Deney Adı: Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması Öğretim Üyesi: Yard. Doç.
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 11 Deney Adı: OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri Malzeme Listesi:
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler
DetaylıHABERLEŞME ELEKTRONĐĞĐNE DENEY FÖYLERĐ 2011 V.Y.S.
MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAK. HABERLEŞME A.B.D HABERLEŞME ELEKTRONĐĞĐNE GĐRĐŞ DENEY FÖYLERĐ 2011 V.Y.S. DENEY NO: 1 DENEY ADI: Hoparlör Rezonans Frekansı ve Ses Basıncının Belirlenmesi AMAÇLAR:
DetaylıBMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO:4 KIRPICI DEVRELER Laboratuvar Grup No : Hazırlayanlar :......................................................................................................
DetaylıDENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ
DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ 1- Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, şekil 1 'de görüldüğü gibi yarım
DetaylıDENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri
1. Seri RC Devresinde Akım ve Gerilim Ölçme 1.1. Deneyin Amacı: a.) Seri RC devresinin özelliklerinin incelenmesi b.) AC devre ölçümlerinin ve hesaplamalarının yapılması 1.2. Teorik Bilgi: Kondansatörler
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıDENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT
DENEY 2 OHM-KIRCHOFF KANUNLARI VE BOBİN-DİRENÇ-KONDANSATÖR Malzeme Listesi: 1 adet 47Ω, 1 adet 100Ω, 1 adet 1,5KΩ ve 1 adet 6.8KΩ Dirençler 1 adet 100mH Bobin 1 adet 220nF Kondansatör Deneyde Kullanılacak
DetaylıBÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ
BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıDeney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.
Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıGERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ
GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine
DetaylıDENEY 5: RC DEVRESİNİN OSİLOSKOPLA GEÇİCİ REJİM ANALİZİ
A. DENEYİN AMACI : Seri RC devresinin geçici rejim davranışını osiloskop ile analiz etmek. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Sinyal Üreteci, 2. Osiloskop, 3. Değişik değerlerde direnç ve kondansatörler.
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıDENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ
DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıKIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ
KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıDC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER
1. DENEYİN AMACI KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER DC-DC gerilim azaltan
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıDENEY FÖYÜ 5: Diyotlu Doğrultma Devreleri
Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 5: Diyotlu Doğrultma Devreleri Alternatif akımı doğru akıma dönüştürebilmek, yarım dalga ve tam dalga doğrultma kavramlarını anlayabilmek ve diyot ve köprü diyotla doğrultma devrelerini
DetaylıDENEY NO : 6 KIRPICI DİYOT DEVRELERİ
DENEY NO : 6 KIRPICI DİYOT DEVRELERİ DENEYİN AMACI : Diyotların doğrultucu olarak kullanımını öğrenmek. KULLANILACAK MALZEMELER 2 adet 1N4007 diyot, 2 adet 1kΩ, Güç kaynağı, Fonksiyon jeneratörü, Osiloskop.
DetaylıDENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP
DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP Amaç: Bu deneyin amacı, öğrencilerin alternatif akım ve gerilim hakkında bilgi edinmesini sağlamaktır. Deney sonunda öğrencilerin, periyot, frekans, genlik,
DetaylıYÜKSELTEÇLER Ö Ğ R. G Ö R. D R. E S R A B İ L A L Ö N D E R
Ö Ğ R. G Ö R. D R. E S R A B İ L A L Ö N D E R 2 0 1 5 RF YÜKSELTEÇLERİ SINIFLANDIRMA 1. Dar bant akortlu RF yükselteçleri 2. Geniş bant akortlu RF yükselteçleri 3. Entegre devreli RF yükselteçleri IF
DetaylıDENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı
DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100-200 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEYİN AMACI: Bu deneyi başarıyla tamamlayan her öğrenci 1. Filtre tasarımında uyulması gereken kuralları bilecek
DetaylıĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.
Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre
DetaylıDENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı
DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER 3.1. Deneyin Amacı Yarım ve tam dalga doğrultucunun çalışma prensibinin öğrenilmesi ve doğrultucu çıkışındaki dalgalanmayı azaltmak için kullanılan kondansatörün etkisinin
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıDENEY 8. OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler
DENEY 8 OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler 1. Amaç Bu deneyin amacı; Op-Amp kullanarak toplayıcı, fark alıcı, türev alıcı ve integral alıcı devrelerin incelenmesidir.
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun
DetaylıKOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri
Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.
DetaylıDENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri
DENEY NO 3 Alçak Frekans Osilatörleri Osilatörler ürettikleri dalga şekillerine göre sınıflandırılırlar. Bunlardan sinüs biçiminde işaret üretenlerine Sinüs Osilatörleri adı verilir. Pek çok yapıda ve
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıDEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI
DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı
DetaylıDENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:
1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları
DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı; İşlemsel yükselteçlerle (OP-AMP) yapılabilecek doğrusal uygulamaları laboratuvar ortamında gerçekleştirmek ve
DetaylıELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI
ELEKTRONİK 2 LABORATUVARI DENEY 3: GÜÇ KUVVETLENDİRİCİLERİ UYGULAMALARI Deney Hocası: Yılmaz Ürgün Amaç: A, B, AB Sınıfı Kuvvetlendiricilerin İncelenmesi ve Gerçeklenmesi. Malzeme Listesi: Transistör:
DetaylıDENEY 4. Rezonans Devreleri
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2012-2013 Bahar DENEY 4 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıSAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ LABORATUARI
SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ LABORATUARI DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI:
Detaylı1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve
DetaylıDENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi
DENEY-4 Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi Deneyin Amacı: BJT yapmak. transistörlerle yapılan yükselteçlerin alçak ve yüksek frekans analizlerini Teorinin Özeti: Şimdiye kadar gördüğümüz transistörlü
Detaylı4. 8 adet breadboard kablosu, 6 adet timsah kablo
ALINACAK MALZEMELER 1. 0.25(1/4) Wattlık Direnç: 1k ohm (3 adet), 100 ohm(4 adet), 10 ohm (3 tane), 1 ohm (3 tane), 560 ohm (4 adet) 33k ohm (1 adet) 15kohm (1 adet) 10kohm (2 adet) 4.7 kohm (2 adet) 2.
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.
BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V
DetaylıSAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ
DENEY 1 SAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ KAYNAKLAR Analysis and Design of Digital Integrated Circuits, Hodges and Jackson, sayfa 6-7 Experiments in Microprocessors and Digital Systems, Douglas
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
Detaylı8.KISIM OSİLOSKOP-2 DC + AC ŞEKLİNDEKİ TOPLAM İŞARETLERİN ÖLÇÜMÜ
8.KISIM OSİLOSKOP-2 DC + AC ŞEKLİNDEKİ TOPLAM İŞARETLERİN ÖLÇÜMÜ Osiloskobun DC ve AC seçici anahtarları kullanılarak yapılır. Böyle bir gerilime örnek olarak DC gerilim kaynaklarının çıkışında görülen
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
Detaylı(BJT) NPN PNP
Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün
DetaylıElektrik Devre Lab
2010-2011 Elektrik Devre Lab. 2 09.03.2011 Elektronik sistemlerde işlenecek sinyallerin hemen hepsi düşük genlikli, yani zayıf sinyallerdir. Elektronik sistemlerin pek çoğunda da yeterli derecede yükseltilmiş
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Amaç: Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı
Detaylı