BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 2. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

Transkript

1 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 2 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 3/1/2015 1

2 P-N BİRLEŞİM DİYOTU Günümüzde çoğu diyot silikon birleşimli (jonksiyonlu) diyotlardır. Bir birleşim boşaltılmış bölge olarakta adlandırılan p ve n bölgeleri arasında oluşturulur. Bir p n birleşimli diyot yarı iletken kristalden yapılır. Katkılama işlemi bir tarafta negatif yük taşıyıcıları (elektronlar) içeren ve n-tipi yariletken olarak adlandırılan bir bölge, diğer tarafta pozitif yük taşıyıcıları (boşluklar) içeren ve p-tipi yarıiletken olarak adlandırılan bölgeler oluşturulmak üzere yapılır. n-tipi ve p-tipi malzeme bir araya getirildiğinde, yük taşıyıcılarının mevcut olmadığı üçüncü bir alanı oluşturacak şekilde; n tarafından p tarafına anlık bir elektron akışı meydana gelir. Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 3/1/2015 2

3 Bu bölge yük taşıyıcılarının (elektronlar ve boşluklar) yokluğundan ötürü boşaltılmış bölge olarak adlandırılır. Diyot uçları bu bölgelerin her birisine birleştirilir. p-n jonksiyonu olarak adlandırılan bu iki bölge arasındaki sınır, diyot davranışının meydana geldiği yerdir. Kristal, elektronların n-tipi (katot) taraftan p-tipi (anot) tarafa doğru akmasına müsade eder. Ancak diğer yönde akışı engeller. 3/1/2015 Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 3

4 Prof. Dr. Mehmet Akbaba 4

5 Prof. Dr. Mehmet Akbaba 5

6 Şekil 1: P-N birleşim diyodu temel yapısı P ve N tipi malzemeler bir araya getirilip Yukarıda görüldüğü gibi uçlarına + uç N tipi malzemeye ve - uç P tipi malzeme bağlanırsa boşluklar sağa doğru (- uca doğru) hareket eder elektronlarda sağa doğru (+ uca doğru) hareket eder ve Birleşim arayüzünün iki tarafında aksi yük bölgeleri oluşur Ve bu bölgeye boşaltılmış bölge (deletion region) denir. Bu bölge yeteri kadar genişleyince elektron-oyuk alışverişi ve dolayısıyle akım akışı durur. Prof. M. Akbaba Electronics Notes on 3/1/ Diods

7 p-tipi malzeme n-tipi malzemeye birleştirildiğinde, bir birleşim(jonksiyon) oluşur. p deki boşuklar n bölgesine doğru difüzyona uğrarlar. n deki elektronlar p bölgesine doğru difüzyona uprarlar. Bu difüzyon işlemleri ile yeniden birleşme meydana gelir. Bir kısım boşluklar p bölgesinde yok olur. Bir kısım elektronlar n bölgesinde yok olur. Her iki taraftaki yükler elektrik alanı potansiyeli= V o a sebep olur. Böylece sınır yüklerinden oluşan boşaltılmış bölge oluşturulur. 7

8 Ters polarma altında PN Birleşimi Şekil 2: Boşaltılmış bölge oluşumu Ters yönde polarma uygulandığında Boşaltılmış bölge kapasitansı yeni polarma gerilimine V r şarj olurken geçici rejim oluşur. Boşaltılmış bölge genişler. Difüzyon akımı azalır. Sürüklenme akımı sabit kalır. 8

9 Bariyer gerilimi artar. Sürekli duruma ulaşılır. Geçici rejimden sonra: sürekli hal ters akımı= I S -I D (I D çok küçük) ve ters akım ~ I S ~10-15 A Ters polarma altında diyottaki akım ihmal edilir düzeydedir. Boşaltılmış bölge depo edilen yük A: kesit alanı q j : depolanmış yük q j = q N = qn D x n A W dep = boşaltılmış bölge genişliği 9

10 Ters polarma durumunda diyot üzerindeki voltaj düşümü V=V o +V R (Boşaltılmış bölge üzerindeki toplam voltaj V o + V R ) Bu yüzden ters polarma durumunda boşaltılmış bölge genişliği: 2 εs ( V o + V R ) 1 1 W dep = x n + x p = + q N A N D 10

11 Boşaltılmış bölge kapasitansı C j = dq dv j R (V = V ) R Q (Q polarma noktası, V R ters plarma gerilimi) C j ε A s = = W dep C jo V 1+ V R o C jo 2ε sq N A N D 1 = 2 N A + N D V o 11

12 C j C jo = V R 1+ V o m m grading katsayısı ve p bölgesinden n bölgesine konsantrasyonun nasıl değiştiğine bağlıdır; 1/3 <m <1/2. Aniden oluşan bir birleşim için, m=0.5 12

13 İleri polarmalanmış birleşim için taşıyıcı dağılımı Şekil 3 13

14 İleri polarmalanmış PN birleşimi Diyot denklemi D S ( V /( nv T ) 1) I = I e I S = Aqn D + burada; D 2 p n i L pn D LnN A D p : Boşlukların difüzyon sabiti (diffusibility) D n : Elektronların difüzyon sabiti(diffusibility) 14

15 DİYOTUN KUTUPLANDIRILMASI Diyotların kutuplandırılması diyodun uçlarına (terminallerine) dişarıdan bir gerilim kaynağı (batarya) bağlanarak yapılır. Uygulanan gerilmin polaritesine göre diyot ya ters yönde yada ileri yönde kutuplanır. Şekil x ters yönde kutplanma görülmektedir. Bu durumda gerilim kaynağının - terminali p-tipi malzemeye, + terminali de n-tipi malzemeye gelecek şekilde bağlanır. Ters yönlü bir kutuplama durumunda Şekil x de görüldüğü gibi, diyot p-n jonksiyon yapısındaki azaltılmış bölge genişler ve yapıda ters yönlü küçük bir sızıntı akımı dışında akım akmaz. Ters yönlü kutuplamada kutuplama gerilimi, diyodun ters yöndeki kırılım geriliminden (breakdown voltage) daha az olmalıdır. Aksi halde diyot delinir, her iki yönde akım akıtır ve diyot olarak görev yapamaz. Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 3/1/

16 C j C jo = V R 1+ V o m m grading katsayısı ve p bölgesinden n bölgesine konsantrasyonun nasıl değiştiğine bağlıdır; 1/3 <m <1/2. Aniden oluşan bir birleşim için, m=0.5 16

17 İleri yönde kutuplanmış PN birleşimi Diyot denklemi D S ( V /( nv T ) 1) I = I e I S = Aqn D + burada; D 2 p n i L pn D LnN A D p : Boşlukların difüzyon sabiti (diffusibility) D n : Elektronların difüzyon sabiti(diffusibility) 17

18 Şekil 4 : Diyodun ters yönde kutuplandırılması Her diyodun belirli bir ters yönde kırılma gerilimi vardır ve bu gerilim üretici firma tarafından belirlenir. Prof. M. Akbaba Electronics Notes on 3/1/ Diods

19 İleri yönde kutuplama: İleri yönde kutuplamanın bağlantı şekli Şekil xx te gösterilmiştir. Bu bağlantı için gerilim kaynağının + terminali p-tipi malzemeye, terminali de n-tipi malzemeye gelecek şekilde bağlanır. (Aradaki R direnci akım sınırlayıcı olarak kullanılmıştır) İleri yön kutuplama Şekil 5 ten de görüldüğü gibi, p-n jonksiyonundaki azaltılmış bölgenin daralmasına yol açar. Bu durumda potansiyel bariyeri pratik olarak yok olur ve akım akmaya başlar. Bir diyotun iletime geçebilmesi için uygulanan harici ileri yönde kutuplama geriliminin bariyer gerilimini aşması gerekmektedir. Silisyum diyotta iletim yaklaşık 0.7 V ta, germanyum diyotta ise 0.3 V ta ve GAS diyotta da 1.2 V ta gerçekleşmektedir. Prof. M. Akbaba Electronics Notes on 3/1/ Diods

20 Şekil 5 : Diyodun ileri yönde kutuplandırılması Prof. M. Akbaba Electronics Notes on 3/1/ Diods

21 Ters ve ileri yönde Diyot karekteristiği 3/1/2015 Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 21

22 Şekil 6 Şekil 6 Prof. M. Akbaba Electronics Notes on 3/1/ Diods

23 Çeşitli diyot devre simgeleri aşağıda gösterilmiştir: Anode (Anot ) (+) Anode (Anot ) (+) Cahode (Katot ) (-) Anode (Anot ) (+) Normal diyot Cahode (Katot ) (-) Zener diyot Anode (Anot ) (+) Cahode (Katot ) (-) Cahode (Katot ) (-) Normal diyot Prof. M. Akbaba Electronics Notes on 3/1/ Diods

24 Çeşitli diyot görünümleri Prof. M. Akbaba Electronics Notes on 3/1/ Diods

25 Şekil 7: Diyot karakteristiğinin ölçümü I F Doğru Polarma V R V BR (Bozulma gerilimi) V F - V A V B (Eşik gerilimi) Ters Polarma I R 25

26 Şekil 8.a: Sıcaklık etkisi Sıcaklığın diyot karakteristiği üzerindeki etkisi 26

27 Şekil 8.b: Sıcaklık etkisi 27

28 Şekil 9: Silikon yarı iletken diyot karakteristikleri 28

29 Elektriksel potansiyel, boşluklar için n-bölgesine difüze olabilmek ve elektronlar için p-bölgesine difüze olabilmek için aşılması gereken bir bariyer gibi davranır. Açık devre: Dış akım yok Birleşim gerilimi, V o Denge ve eşitlik prensibinden aşağıdaki denklem: V V n o N N A D = T 2 ni Si için, V o tipil olarak 0.6V - 0.8V aralığındadır. 29

30 N D : Donör (verici) atomların konsantrasyonu N A : Akseptör(alıcı) atomların konsantrasyonu n i : yapı içi taşıyıcı konsantrasyonu A: birleşimin kesit alanı V T : Termal gerilim (V) 30

31 V T = Thermal voltage = kt q burada: k : Boltzmann sabiti= ev/k q: Elektron yükü =1.6x10-19 C Silikon için 300 K de V T =0.026 V ve n i =1.5x10 10 /cm 3 n i : yapı içi taşıyıcı konsantrasyonu Boşaltılmış bölgedeki yük eşitliği aşağıdaki denklemi verir. q x p AN A = q x n AN D 31

32 burada: A : birleşimin kesit alanı x p : p-tarafındaki boşaltılmış bölgenin genişliği x n : n-tarafındaki boşaltılmış bölgenin genişliği N D : donör atom konsantrasyonu (per cm 3 ) N A : akseptör atom konsantrasyonu(per cm 3 ) Yukarıdaki denklemden, aşağıdaki denklemi elde ederiz. x x p n = N N D A 32

33 Boşaltılmış bölgenin genişliği: 2ε s 1 1 W = x + x = + V q N A N D dep p n o burada: ε s : silikonun geçirgenliği= 11.7 ε o =1.04x10-8 F/m Örnek T = 300 K de N D =10 15 /cm 3 ve N A =10 18 /cm 3 değerlerine sahip silikon diyotun boşaltılmış bölgenin üzerindeki bariyer gerilimini ve genişliğini bulunuz. 33

34 V Çözüm Aşağıdaki denklemi kullanarak o N N D A = VT ln 2 nı 300 K de, n i = /cm 3, (V T =0.026 V ) 5 kt 8.62*10 ( electron * V )*300 VT = = = V V q 1 electron V V o o = ln ln = = x = V 34

35 2ε sv o 1 1 W dep = x n + x p = + q N A N D W dep 8 6 2*1.04*10 *0.026* = + 1.6* = cm = µ m ( micron) Bu örnekten göreceğimiz üzere boşaltılmış bölgenin genişliği çok dar. 35

36 Diyot Çeşitleri ve Simgeleri Yarıiletken bir diyot için devre diyagramında kullanılan sembol diyotun tipini belirler. Farklılıklar az olmasına rağmen bazı tip diyotlar için çeşitli semboller mevcuttur. Anode (Anot ) (+) Cahode (Katot ) (-) Diyot Light Emitting Diode (LED) Işık yayan diyot 36

37 Tunnel Diyotlar Bu diyotlar quantum tunnel den dolayı sinyallerin yükseltilmesine ve çok basit iki durumlu devrelere müsade eden, negatif direnç gösteren bir çalışma bölgesine sahiptir. Yüksek taşıyıcı konsantrasyonu sebebiyle, tunnel diyotlar çok hızlı olup, düşük (mk) sıcaklıklarda, yüksek manyetik alanlarda ve yüksek radyasyonlu çevrelerde kullanılabilirler. Bu özellikleri sebebiyle çoğunlukla uzay araçlarında kullanılır. 37

38 Varikap veya Varaktor Diyotlar Bunlar voltaj-kontrollü kapasitörlerdir. Bu elemanlar PLL (phase-locked loop) devreleri, FLL (frequencylocked loop) devreleri ve televizyon alıcılarında hızlı kilitleme yapmak için kullanılan akort devreleri için önemlidir. Bu devre elemanları voltaj kontrollü osilatör için referans frekansı sağlayan ayarlanabilir osilatörleri mümkün kılmıştır. 38

39 Zener diyot Anode (Anot ) (+) Cahode (Katot ) (-) Anode (Anot ) (+) Cahode (Katot ) Zener diyot ideal diyot gibi ileri yönde akıma müsade eden ancak bunun yanı sıra üzerindeki gerilim dayanma gerilimi veya zener gerilimi olarakta bilinen belirli bir gerilimin üzerinde olduğunda ters yönde akıma da müsade eden bir diyottur. Zener diyotlar voltaj regülatörleri için referans gerilim sağlamak üzere veya diğer yarıiletkenleri anlık voltaj darbelerine karşı korumak için kullanılırlar. (-) 39

40 Zener diyot, ters polarmada zener geriliminde çalıştırılır (V Z ). Genel zener gerilimleri 1.8 V ile 200 V arasındadır. 40

41 Fotodiyotlar Bütün yarı iletkenler optik (ışık) kaynaklı) yük taşıyıcı üretimine maruz kalırlar. Bu tipik olarak istenmeyen bir etki olup, çoğu yarı iletkenler ışığı engelleyici malzemeler içine paketlenirler. Fotodiyotlar ise ışığı algılamak üzerine tasarlanırlar. Böylece ışığın geçmesine müsade eden malzemeler içine paketlenirler. Genellikle PIN (ışığa en duyarlı olan diyot) tipinde üretilir. Bir fotodiyot solar hücrelerde, fotometri de veya optik haberleşme de kullanılabilir. Bir çok fotodiyot bir kılıf içine lineer veya iki boyutlu dizin oluşturacak şekilde tek bir cihaz olarak paketlenebilir. 41

42 DIYOT I-V KARAKTERİSTİKLERİ Harici bir gerilim diyot içindeki bariyer alanının polaritesi ile aynı yönde diyota uygulanırsa, boşaltılmış (GEÇİŞ BÖLGESİ, DEPLETİON LAYER) bölge anlamlı derecede bir elektrik akışını (elektron/boşluk çifti ışık enerjisi gibi bir sebeple-fotodiyot- pn birleşiminde aktif olarak üretilmediği sürece) engelleyerek yalıtkan gibi davranmaya devam eder. Bu ters polarma (ters kutuplama) kavramıdır. Ancak bir şekilde harici gerilim kaynağı birleşim potansiyelinin tersi yöndeki bir polarite ile uygulanırsa, p-n birleşimi üzerinden azımsanmayacak miktarda elektrik akımı akmaya başlar. 42

43 Silikon diyotlar için, bariyer potansiyeli yaklaşık 0.7 V (Germanyum için 0.3 V ve Schottky için 0.2 V). Böylece, diyottan harici bir akım geçirilirse, p-katkılı bölge n-katkılı bölgeye göre pozitif olacak şekilde diyot üzerinde yaklaşık 0.7 V oluşacaktır. Bu durumda diyot için açık ve ileri yönde polarma landırılmış (kutuplandırlmış) denilir. Bir diyotun I V karakteristiği üç çalışma bölgesi ile açıklanabilir: 43

44 Şekil 12: Vbr=Delinme veya bel verme gerilimi (Delinme) (Ters) (Doğru) 44

45 Shockley diyot denklemi Shockley ideal diyot denklemi veya diyot yasası (transistorün müşterek mucidi William Bradford Shockley den sonra bu şekilde isimlendirildi) hem ileri hemde ters polarma (veya polarmasız) durumları için I-V karakteristiğini verir. Denklem: I ( ( V ( ) ) D nv 1 = I e T s burada I diyot akımı, I S ters yöndeki doyum akımı (veya ölçek akımı), V D diyot üzerindeki gerilim, V T termal gerilim (kt/q), ve n ideallik faktörü, kalite faktörü veya bazen emisyon katsayısı olarakta bilinir. 45

46 Değerler aşağıda verilmiştir: n: Idealite faktörü (1 Ge için, 2 Si için) V T =kt/q : Termal veya Isıl gerilim ve 25 O C de Yaklaşık olarak 26 mv alınır. k: Boltzman sabiti (1.38x10-23 J/K) T: Kelvin cinsinden sıcaklık ( O C+273) q: Elektron yükü (1.6x10-19 C) İdealite faktörü n, fabrikasyon prosesine ve yarı iletken malzemeye bağlı olarak 1-2 arasında değişir. (bazı durumlarda daha büyük değerler alabilir), çoğu durumda ise yaklaşık olarak 1 e eşit olarak alınır. (böylece n notasyonu ihmal edilir). Prof. Dr. Mehmet Akbaba 46

47 Diyodun tıkama yönündeki doyma akımı I S nin gösterilimi Akım, I(mikroA) DİYOT I-V KAREKTERİSTİĞİ I s Tıkama yönündeki -2 doyma akımı V D (Volt) Prof. Dr. Mehmet Akbaba 47

48 ÖRNEK1: Bir silisyum diyodun ters yöndeki doyma akımı 5 µa ve 100 Ω luk bir direnç ile seri bağlanarak aşağıdaki devre oluşturulmuştur. Verilen çalışma şartlarında diyodun uçlarındaki gerilim 0.6 V dur. Devrede dolaşan I akımının ve uygulanan V geriliminin değerlerini bulunuz. R V I D V D = 0.6 V I D V /( T = ( D ηv I e S ) 1) 0.6/(2*0.026) I D = ( e 1) = A I=I D V=RI+V D =100* =5.89 V Prof. Dr. Mehmet Akbaba 48

49 ÖRNEK 2: Silisyum bir diyodun ters yöndeki doyma akımı Is 7 pa dir ve bu değer her 10 o C de iki katına çıkmaktadır. Diyodun uçlarına 0.6 V bir gerilim uygulanmıştır. a) Diyot akımının 20 o C deki değerini bulunuz. b) Diyot akımının at 110 o C deki değerini bulunuz. c) Diyodun 20 o C deki ve 110 o C deki karekteristiklerini hesaplayıp çiziniz. ÇÖZÜM: Prof. Dr. Mehmet Akbaba 49

50 I s her 10 derecede bir 2 katına çıktığına göre bu akımın yeni değeri: (110-20)/10=9 ve Prof. Dr. Mehmet Akbaba 50

51 DİRENÇ TANIMLARI Bir diyotun çalışma bölgesi bir bölgeden diğerine doğru hareket ederken, diyotun direnci de karakteristik eğrisinin doğrusal olmayan şeklinden dolayı değişecektir. Uygulanan voltajın veya sinyalin tipine bağlı olarak üç çeşit direnç tanımlanır. DC veya statik direnç AC veya dinamik direnç Ortalama AC direnç 51

52 DC veya statik direnç Yarı iletken bir diyot içeren bir devreye DC voltajın uygulanması karakteristik eğrisi üzerinde zamanla değişmeyen bir çalışma noktası ile sonuçlanır. Çalışma noktasındaki diyot direnci basitçe ilgili V D ve I D değerleri ile bulunabilir. Bir diyottan geçen daha düşük akım daha yüksek dc direnç seviyesi anlamına gelir. 52

53 Aşağıdaki devreyi göz önüne alalım: V = RI + S D V D (3) I D = V S R V D R (4) Ve buda yük doğrusunun ( load line) denklemini verir. 53

54 Yük doğrusunun olşturulması (Load line) 54

55 V D =0 için (4) denkleminden V I D = = I S = R Kıısadevre kmı I D =0 için (4) denkleminden V D =V S = Açık devre geilimi. Bölece yük eğrisi üzerinde iki nokta belirlenmiş ve yük eğrisi çizilir. Yük eğrisi ile diyot karekteristiğinin kesiştiği nokta (şekilden görüldügü gini çalişma noktası olan Q noktasını verir ve oradan stastik veya dc direnci hesaplanır. 55

56 Yukarıdaki şekilden Q çaışma noktasında: I D =160 ma ve V D =0.84 V. Bu değerler kullanılırsa çalışma noktasındaki dc veya statik direnç: R dc = V I Q Q = = 5.25 Ω Olarak elde edilir. 56

57 Örnek 1 Şekil Ö1. deki diyot için aşağıdaki noktalar için DC direnç değerlerini (a) I D = 2 ma (b) I D = 20 ma (c) V D = -10 V Şekil Ö1. 57

58 Çözüm: (a) I D = 2 ma eğriden V D =0.5 V (b) I D = 20 ma eğriden V D =0.8 V (c) V D =-10 V da I D = - I S = -1 ua Sonuçlar bir diyotun dc direnç seviyeleri için daha önce söylenenleri destekliyor. 58

59 AC veya Dinamik Rezistans Değişen giriş işareti anlık çalışma noktasını karakteristik eğri üzerinde bir bölgede yukarı ve aşağı hareket ettirecektir. Böylece yandaki şekilde gözüktüğü gibi akım ve gerilimde belirli bir değişim tanımlayacaktır. Q point: Çalışma noktası anlamında kullanılmaktadır 59

60 Şekil 1.33 de gösterildiği gibi Q- noktası boyunca eğrinin tanjantı olarak çizilen düz bir çizgi diyot karakteristiğinin bu bölgesi için ac veya dinamik direnci belirlemek için kullanılabilecek voltaj ve akımdaki değişikliği tanımlayacaktır. Denklem, r d = ΔV ΔI d d Daha düşük Q-noktası (daha az veya gerilim) daha yüksek ac dirence işaret eder. Q-noktasındaki ac direncin belirlenmesi. 60

61 Figure 21 =20 ma =4 ma V 61

62 r = ΔV / Δ I Yukarıdaki şekilden V = 0.65 V and I = 30 ma, we find Ve ikinci noktada (Şekil üzerinde) V=0.58 V and I= 2.2 ma, Görüldğü gibi ac direnci iki nokta arasında bire on ranından daha fazla değişmektedir. 62

63 Örnek 2 Şekil Ö2 deki karakteristik için: (a) I D = 2 ma noktası için ac direnci bulunuz. (b) I D = 25 ma noktası için ac direnci bulunuz. (c) (a) ve (b) şıklarındaki sonuçları bu noktalardaki dc dirençleri ile kıyaslayınız. 63

64 Şekil Ö2 64

65 Çözüm: (a) I D = 2 ma için bu noktadaki tanjant çizgisi şekilde gösterildiği gibi çizildi ve belirlenen diyot akımın üzerinde ve altında 2 ma lik salınım yapacak şekilde seçildi. (I D = 4 ma ve V D = 0.76 V noktasında, ve I D = 0 ma ve V D = 0.65 V noktasında). Böylece akım ve gerilmde oluşan değişiklikler; ve ac direnç; 65

66 (b) I D = 25 ma için bu noktadaki tanjant çizgisi şekilde gösterildiği gibi çizildi ve belirlenen diyot akımın üzerinde ve altında 5 ma lik salınım yapacak şekilde seçildi. (I D = 30 ma ve V D = 0.8 V noktasında, ve I D = 20 ma ve V D = 0.78 V noktasında). Böylece akım ve gerilmde oluşan değişiklikler; ve ac direnç; (c) I D = 2 ma ve V D = 0.7 V için; I D = 25 ma ve V D = 0.79 V için 66

67 Eğer diyodun karekteristiği yoksa veya ac direncini sağlıklı bir şekilde belirleme imkanı yoksa o zaman ac direnci aşağıdaki formülden hesaplanır: r d =V T / I DC =0.026/ I DC Burada V T termal (ısıl) gerilimi (V T =kt/q daha önce tanımlanmıştı) I DC diyottan geçen doğru akım bileşenidir. 67

68 Ortalama AC Direnç Giriş sinyali şekil A1 deki gibi geniş bir salınım üretmek üzere yeterli büyüklüğe sahip ise bu bölge için cihaza ilişkin direnç ortalama direnç olarak adlandırılır. Ortalama ac direnç, tanımından anlaşılacağı üzere, giriş sinyalinin maksimum ve minimumlarının karakteristik eğri ile kesişim noktaları arasında çizilen düz çizgi tarafından belirlenen dirençtir. r av = ΔV ΔI D D ( Noktadan Noktaya) 68

69 Şekil A1: Belirtilen limit arasında ortalama ac direncin bulunması 69

70 Şekil A1 de belirtilen durum için; ac direnç (r d ) I D = 2 ma noktasında belirlenseydi, değeri 5Ω dan daha fazla olacaktı ve eğer 17 ma noktasında belirlenseydi bundan daha az olacaktı. Bu aralıkta ac direnç 2mA deki büyük değerden 17 ma deki küçük değere geçiş yapar. 70

71 KAYNAKLAR 1. Robert Boylestad and Louis Nashelski, Elektronik Cihazlar ve Devre Teorisi, Palme Yayıncılık 2. Mehmet Akbaba, Elektronik Devreler Ders Notları 3. Thomas L. Floyd, Electronic Devices, Merill Publishin Company 3/1/2015 Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 71

72 Teşekkür Ederim Sağlıklı ve mutlu bir hafta geçirmeniz temennisiyle, iyi çalışmalar dilerim 3/1/2015 Prof. M. Akbaba Electronics Notes on Diods 72