6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ



Benzer belgeler
8. FET İN İNCELENMESİ

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

DENEY in lojik iç şeması: Sekil 2

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

(BJT) NPN PNP

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

Bir devrede dolaşan elektrik miktarı gibi elektriksel ifadelerin büyüklüğünü bize görsel olarak veren bazı aletler kullanırız.

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

Şekil Sönümün Tesiri

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

ELEKTRİK AKIMI Elektrik Akım Şiddeti Bir İletkenin Direnci

DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

MOSFET Karakteristiği

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

Doğru Akım Devreleri

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

Elektronik Laboratuvarı

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI-GERİLİM VE AKIM ÖLÇÜMLERİ

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. DC Motor Hız Kontrolü Proje No: 1

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar

Elektronik Ders Notları 6

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

T.C. MİLLÎ EĞİTİM BAKANLIĞI UÇAK BAKIM TRANSİSTÖRLÜ DEVRELER

DENEY-4 RL DEVRE ANALİZİ. Alternatif akım altında seri RL devresinin analizi ve deneysel olarak incelenmesi.

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

Transkript:

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır. Kollektör-Beyz ters yönde polarmalandırılır. Ortadaki şekilde iki jonksiyon iki diyot olarak gösterilmiştir. Tabiki bu şekilde bir transistör yapılamaz ancak doğru polarmanın ve ters polarmanın anlaşılmasına yardımcı olur. Doğru polarmada Anod gerilimi katod gerilimine nazaran daha pozitiftir. Ters polarmada ise anod gerilimi katod gerilimine nazaran daha negatifdir. Şekil 2 de transistörün çalışması şematik olarak gösterilmiştir. Şekil 2 de transistörün çalışması 58

Doğru polarmada Beyz-Emiter jonksiyonu, emiterde bulunan elektronların beyze doğru çekilmesine neden olur. Beyze varan elektronların çoğu daha pozitif olan kollektörün etkisi altına girer ve kollektör tarafından çekilirler. (Şekil 2 deki akış yönü elektron akış yönüdür.) Bu durum sol taraftaki şekilde gösterilmektedir. Burada beyz akımının ve kollektör akımının toplamı emiter akımını vermektedir. 6.1.2. TRANSİSTÖRÜN ANAHTAR OLARAK KULLANILMASI Anahtar açıldığında transistörde hiçbir beyz akımı akmayacaktır. Buna bağlı olarak kollektör akımıda akmayacaktır. Yani transistör kesimdedir. Anahtar kapandığında beyz akımının akması kollektör akımının akmasına neden olacaktır. Bu da transistörü doyuma götürecektir. Doyumda ki transistörün CE gerilimi kabul edilirse batarya gerilimi lamba üzerine düşecektir. 6.1.3. A, B E C SINIFI POLARMALANDIRMA Şekil 3 A Sınıfı B Sınıfı C Sınıfı Polarma A sınıfı polarma da beyz akımının tamamı boyunca kollektör akımı akacak şekilde polarma yapılır. Beyz akımının artmasıyla ve azalmasıyla kollektör akımıda artar ve azalır. B sınıfı polarmada beyz akımı noktasındadır. Bu durumda hiçbir kollektör akımı akmaz ve transistör kesimdedir. Kollektör akımı polarma noktasının birazcık arttırılmasıyla akabilir. C sınıfı polarmada polarma noktası kesim bölgesinin altında seçilir. Kollektör akımı, polarma noktası epeyce yukarıda seçildiği zaman akabilir. 59

6.1.4. KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ Şekil 4 NPN ve PNP Transistörlü Küçük Sinyal Yükselteçleri İki transistör tipi (PNP, NPN) zıt güç kaynağı polarmasına sahiptir. Aynı şekilde kondansatörlerin polariteside terstir. Eğer transistörler aynı karakteristik özellikte olurlarsa, o zaman her iki devredeki direnç değerleri aynı olurdu. R1 ve R2 dirençleri beyz polarmasını sağlıyor. R3 direnci kollektör yük direnci, R4 emiter kararlılık direnci C3 kondansatörü dekuplaj kondansatörü C1 ve C2 kondansatörleri AC sinyale geçiş kolaylığı sağlayan ancak DC ye ise tıkaç görevi üstlenen elemanlardır. 6.1.5. ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Şekil 5 Ortak Emiterli Yükselteç Bu bağlantıya emiteri şaseli bağlantı da denir. Çünkü emiter kondansatörü, AC frekanslarda emiteri toprağa bağlar. Emiterin toprağa bağlanması nedeniyle hem giriş hemde çıkış emitere bağlıdır. Çıkış sinyali giriş sinyaline göre terslenmiştir. Giriş ile çıkış arasında 18 derece faz farkı vardır. Bu bağlantının çoğu uygulaması, gerilim yükselteci olarak kullanılmasıdır. 6

6.1.6. ORTAK BEYZ BAĞLANTILI YÜKSELTEÇ Şekil 6 Ortak Beyz Yükselteç Şekil 6 da C3 kondansatörü beyzi ac sinyallerde toprağa bağlar. Bundan dolayı hem giriş hemde çıkış beyze bağlanır (Ortak beyz bağlantılı yükselteç). Akım kazancı her zaman 1 den azdır ve Ic/Ie dir. Gerilim kazancı yüksektir. Çünkü kazanç ifadesi /re dir. (Yaklaşık olarak giriş ve çıkış akımları birbirine eşittir.) Genellikle 25 civarındadır. Giriş empedansı çok düşüktür. Genellikle 2W civarındadır. Çıkış empedansı yüksektir. Örneğin 1MW gibi. Çıkış sinyali giriş sinyaline göre terslenmez. Bu devre genellikle düşük empedanslı bir çıkışa sahip bir devreyi yüksek empedanslı giriş empedansına sahip bir devreye empedans uygunluğunu sağlaması için kullanılır. 6.1.7. ORTAK KOLLEKTÖR BAĞLANTILI YÜKSELTEÇ Şekil 7 Ortak Kollektör Yükselteç Güç kaynağının pozitif tarafı AC frekanslarda C3 kondansatörü tarafından sıfır seviyesine çekilir. Hem girişte hem de çıkış da kollektör ortaktır. Çıkış emiter gerilimi beyz geriliminin değerine çok yakın olduğu için yani giriş gerilimini izlediği için bu bağlantının diğer bir ismi de emiter izleyicili bağlantıdır. Akım kazancı Ie/Ib dir, tipik olarak 5 civarında. Gerilim kazancı, dekuplaj kondansatörü olmadığı için her zaman 1 den küçüktür ve yaklaşık olarak 1 alınabilir. Çıkış empedansı çok düşüktür ve 2W civarındadır. Giriş empedansı çok yüksektir. Tipik değer olarak 5KW dur. Giriş sinyali ile çıkış sinyali arasında faz terslemesi yoktur. Yani giriş sinyali ile çıkış ile aynı fazlıdır. 61

Bu devre genellikle yüksek empedanslı çıkışı olan bir devreyi, düşük empedanslı girişe sahip bir başka devreye empedans uygunluğu sağlaması için kullanılır. Ayrıca bu devre çeşitli yüksek empedanslı yükleri sürmek için de kullanılır. 6.2. DENEYSEL ÇALIŞMA-1 Şekil-8 de KZ-5-9 modülü verilmiştir. Bu modülde transistorün ölçümü, çalışma noktasının incelenmesi, sabit polarma, anahtar ve tersleyici olarak kullanılması konularında deneysel çalışmaların yapılması planlanmıştır. Modül üzerinde bulunan devreleri sırasıyla kurunuz. erilen işlem basamaklarını uygulayarak deneyleri gerçekleyiniz. TRANSİSTÖRÜN AOMETRE İLE ÖLÇÜLMESİ Q ÇALIŞMA NOKTASININ İNCELENMESİ B B NPN NPN C E C E B B PNP PNP C E C E bb 5 P1 Ib A Ic A cc 12 ce a) Transistörün Avometre ile Ölçülmesi b) Q çalışma Noktasının İncelenmesi SABİT POLARMANIN İNCELENMESİ TRANSİSTÖRÜN ANAHTAR OLARAK KULLANILMASI Ic SW Ic cc 12 µa Ib cc 12 D ce Ib µa ce c) Sabit Polarmanın İncelenmesi d) Transistörün Anahtar Olarak Kullanılması 62

TRANSİSTÖRÜN TERSLEYİCİ OLARAK KULLANILMASI cc 5-12 Çıkış CH2 Giriş 5-1pp 1-1KHz CH1 e) Transistörün Tersleyici Olarak Kullanılması Şekil-8 KZ-5-9 modülü 6.2.1. Transistorün Ölçümü, Çalışma Noktasının İncelenmesi, Sabit Polarma, Anahtar ve Tersleyici Olarak Kullanılması 1) Şekil 8.a da silisyum ve germanyum PNP-NPN transistörler verilmiştir. Bir Ohmmetre ile transistor ün B-E, B-C ve C-E uçları arasında direnç ölçünüz. Transistör tipine bağlı olarak B-E ve B-C uçları arasında bir diyot ve C-E uçları arasında da sırt sırta bağlı iki diyodun bağlı olması durumundaki direnç değerlerini gözlemleyiniz. (Bu gözlem gerçekleştirilemiyorsa transistör arızalıdır) 2) Şekil 8.b deki devrede gösterildiği biçimde I B ve I C akımları ile CE gerilimlerini ölçecek biçimde ampermetreler ve voltmetre bağlayınız. P 1 potansiyometresi ile B gerilimini değiştiriniz. I C - CE eksenlerinde I B akımlarını çiziniz. Çalışma noktasının değişimini gözlemleyiniz. 3) Şekil 8.c deki devrede gösterildiği biçimde I B ve I C akımları ile CE gerilimlerini ölçecek biçimde ampermetreler ve voltmetre bağlayınız. I C - CE eksenlerinde I B akımını çiziniz. Çalışma noktasını belirleyiniz devrede gösterildiği biçimde I B ve I C akımları ile CE gerilimlerini ölçecek biçimde ampermetreler ve voltmetre bağlayınız. P 1 potansiyometresi ile B gerilimini değiştiriniz. I C - CE eksenlerinde I B akımlarını çiziniz. Çalışma noktasının değişimini gözlemleyiniz. 4) Şekil 8.d deki devrede gösterildiği biçimde I B ve I C akımları ile CE gerilimlerini ölçecek biçimde ampermetreler ve voltmetre bağlayınız. SW anahtarını CC ye bağlayarak I B akımının akmasını sağlayınız. Bu esnada transistorün doyuma girdiğini, CE geriliminin yaklaşık olduğunu (anahtar kontakları kapalı) gözlemleyiniz. SW anahtarını CC den ayırarak I B akımını sıfır yapınız. Bu esnada 63

transistorün kesime gittiğini, CE geriliminin yaklaşık CC olduğunu (anahtar kontakları açık) gözlemleyiniz. 5) Şekil 8.e de bir transistörlü tersleyici devresi verilmiştir. Ana ünite üzerindeki kaynakları kullanarak devre üzerinde gösterilen gerilimleri uygulayınız. Bu esnada osiloskobunuzun 1 nolu kanalını şekilde gösterildiği gibi giriş sinyalini ve 2 nolu kanalını da çıkış sinyalini görüntüleyecek biçimde bağlayınız. Giriş ve çıkış sinyallerini karşılaştırarak tersleme işlemini gözlemleyiniz. 6.2.2. ÇALIŞMA SORULARI a) Transistörün diyotlu eşdeğer modelini çiziniz? b) Çalışma noktasını belirleyen parametreler nelerdir? c) Transistör doyum ve kesim durumlarını tanımlayınız. 6.3. DENEYSEL ÇALIŞMA-2 Şekil-1 de KZ-5-1 modülü verilmiştir. Bu modülde transistorün giriş ve çıkış grafikleri ve sızıntı akımı konularında deneysel çalışmaların yapılması planlanmıştır. Modül üzerinde bulunan devreleri sırasıyla kurunuz. erilen işlem basamaklarını uygulayarak deneyleri gerçekleyiniz. Re EE -12 Ie cb µa Ib Ic CC -12 Ic CC -12 Re Ib-Ic-Ie İlişkisi, Beyzi Ortak Giriş Grafiği, Beyzi Ortak Çıkış Grafiği Beyzi Ortak Bağlantıda Sızıntı Akımı a) Ib-Ic-Ie ilişkisi, Beyzi Ortak Giriş ve Çıkış Grafiği b) Beyzi Ortak Bağlantıda Sızıntı Akımı 64

R1 P2 cc 5 P1 Ib be cc 12 P1 Ib µa Ic ce Emiteri Ortak Bağlantıda Giriş Grafiği Emiteri Ortak Bağlantıda Çıkış Grafiği ve Sızıntı Akımı c) Emiteri Ortak Bağlantıda Giriş Grafiği d) Emiteri Ortak Bağlantıda Çıkış Grafiği ve Sızıntı Akımı Şekil-1 KZ-5-1 modülü 6.3.1. Transistorün Giriş ve Çıkış grafikleri ve Sızıntı Akımı 1) Şekil 1.a da bir ortak beyz transistörlü yükselteç verilmiştir. Devrede gösterilen ölçü aletlerini gösterildiği biçimde bağlayınız. EE ve CC gerilimlerini değiştirerek Ib,Ic ve Ie akımlarını gözlemleyiniz. 2) Şekil 1.b de bir ortak beyz transistörlü yükselteç verilmiştir. Devrede gösterilen ölçü aletlerini gösterildiği biçimde bağlayınız. CC gerilimini sıfırdan başlayarak arttırınız. Bu esnada Ic akımını ölçünüz. Transistörün bir Ib akımı olmadığı halde Ic akımı aktığını (sızıntı akımı) gözlemleyiniz. 3) Şekil 1.c de bir ortak emiter transistörlü yükselteç verilmiştir. P 1 potansiyometresi ile b gerilimini sıfırdan başlayarak arttırınız. Bu esnada Ib ve be gerilimlerini ölçerek transistorün giriş büyüklüklerini Ib-be grafiğinde gösteriniz. Grafiği yorumlayınız. 4) Şekil 1.d de bir ortak emiter transistörlü yükselteç verilmiştir. P 1 potansiyometresi ile b gerilimini sıfırdan başlayarak arttırınız. Bu esnada Ib ve Ic ve ce gerilimlerini ölçünüz. Ölçüm sonuçlarını Ic-ce ekseninde değişen Ib değerleri için çiziniz. Ib sıfır için P2 potansiyometresini değiştirerek sızıntı akımını gözlemleyiniz. 6.3.2. ÇALIŞMA SORULARI a) Transistörlü yükseltecin giriş büyüklükleri ve çıkış büyüklükleri nelerdir? b) Sızıntı akımı nedir? c) Ortak beyz ve emiter çalışma durumlarını karşılaştırınız. 65