Elektronik 2 Laboratuvarı Deney Föyleri

Benzer belgeler
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

DENEY-3. FET li Yükselticiler

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

MOSFET Karakteristiği

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

Elektronik Laboratuvarı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI

4. 8 adet breadboard kablosu, 6 adet timsah kablo

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

AC DEVRELERDE BOBİNLER

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

8. FET İN İNCELENMESİ

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları

EEM 201 DEVRE TEORĐSĐ I DENEY 3

Selçuk Üniversitesi Teknoloji Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

Şekil 1. R dirençli basit bir devre

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

DENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

DENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY 4. Rezonans Devreleri

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

DENEY 5. Rezonans Devreleri

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

CUMHURİYET ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVAR KILAVUZU

DENEY-4 Yarım ve Tam Dalga Doğrultucular

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

DENEY 8. OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 1

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

EEM 202 DENEY 8 RC DEVRELERİ-I SABİT BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

DENEY 3 Ortalama ve Etkin Değer

Bölüm 9 FET li Yükselteçler

DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER

DENEY 1- LABORATUAR ELEMANLARININ TANITIMI VE DC AKIM, DC GERİLİM, DİRENÇ ÖLÇÜMLERİ VE OHM KANUNU

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

Transkript:

Elektronik 2 Laboratuvarı Deney Föyleri Hazırlayan: Arş. Gör. Kürşad UÇAR KONYA, 2018

DENEY FÖYÜ SAHİBİNİN Adı Soyadı Öğrenci No su Lab. Grubu Grup.. Laboratuvar Kuralları Deneyler iki haftada bir yapılacaktır. Her öğrenci kendi gün ve saatinde laboratuvara girecektir. Kendi grubunda derse gelmediği takdirde diğer grupların dersine girmek yasaktır. Deneyler 4. Kat 413 nolu laboratuvarda yapılacaktır. 1 dönemde toplam 5 deney yapılacaktır. Geçerli bir mazeretle deneye katılmayan bir öğrenci gerekli rapor, izin vb. belgelerle laboratuvar sorumlusuna en kısa zamanda başvurmalıdır. Dersle ilgili duyurular bölüm web sitesi üzerinden yapılacaktır. Deneye öğrencilerin deney föyüne çalışarak gelmeleri gerekmektedir. Her öğrenci derse kendi deney föyünü getirecektir. Deney föyü olmayan öğrenci derse alınmayacaktır. İsteyen öğrenci o deneyde yapılacak devreleri kendi malzemeleri ile kurup laboratuvara getirebilir. Deney föyleri her hafta bir deney olacak şekilde getirilecektik. Deneyden önce yapılması gerekilen kısımlar ve hesaplamalar deneyden önce mutlaka yapılmalıdır. Laboratuvar ile ilgili iletişim: Arş. Gör. Kürşad UÇAR kucar@selcuk.edu.tr Teknoloji Fakültesi 1. Kat 117 2

Elektronik 2 Laboratuvar Ders Saatleri Normal Öğretim İkinci Öğretim Deney No Grup No Tarih Saat Deney No Grup No Tarih Saat Grup 1 28.2.2019 14:40 Grup 5 28.2.2019 18:30 Deney 1 Grup 2 28.2.2019 15:40 Grup 6 28.2.2019 19:15 Deney 1 Grup 3 7.3.2019 14:40 Grup 7 7.3.2019 18:30 Grup 4 7.3.2019 15:40 Grup 8 7.3.2019 19:15 Grup 1 14.3.2019 15:40 Grup 5 14.3.2019 19:15 Deney 2 Grup 2 14.3.2019 14:40 Grup 6 14.3.2019 18:30 Deney 2 Grup 3 21.3.2019 15:40 Grup 7 21.3.2019 19:15 Grup 4 21.3.2019 14:40 Grup 8 21.3.2019 18:30 Grup 1 28.3.2019 14:40 Grup 5 28.3.2019 18:30 Deney 3 Grup 2 28.3.2019 15:40 Grup 6 28.3.2019 19:15 Deney 3 Grup 3 4.4.2019 14:40 Grup 7 4.4.2019 18:30 Grup 4 4.4.2019 15:40 Grup 8 4.4.2019 19:15 Deney 4 Deney 4 DAHA SONRA İLAN EDİLECEKTİR. DAHA SONRA İLAN EDİLECEKTİR. Deney 5 Deney 5 Lab saatlerinde olabilecek değişiklikler için duyuruları takip ediniz... 3

DENEY 1 4

DENEY 1: BJT lerin Sabit ve Gerilim Bölücülü Devreyle Öngerilimlenmesi Amaç: BJT transistörlerde bağlantılı terminaller için nasıl ölçüm ve hesaplama yapılacağını öğretmektir. Kullanılacak Malzemeler: Osiloskop Dijital Multimetre Dc Güç Kaynağı Fonksiyon Üretici 680-Ω, 1-kΩ, 1.8-kΩ, 2.2-kΩ, 6.8-kΩ, 33-kΩ, 1-MΩ dirençler BC337 1. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Şekil 1 de gösterilen sabit ön gerilimli devrenin simülasyonunun yapılması için aşağıdaki adımları takip edin. Çizim sayfasının görev çubuğundaki butonları kullanarak aşağıdaki 3 soruda istenilen akımları ve gerilimleri elde ediniz. Şekil 1 i. Base,emiter ve kolektör akımlarını bulunuz. ii. Base-emiter voltajını bulunuz. (V BE =?) iii. Kolektör-emiter voltajını bulunuz. ( V CE =?) iv. β değerini hesaplayınız. 5

2. DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR 2.1. β NIN BULUNMASI a. Şekil 1 'deki devreyi kurunuz. b. V BE ve V RC gerilimlerini ölçünüz ve aşağıya kaydediniz. V BE(ölçülen) :. V RC(ölçülen) :. c. Ölçülen direnç ve gerilim değerlerini aşağıdaki formüller içerisinde kullanarak baz ve kollektör akımını hesaplayınız. Bulduğunuz değerleri hem aşağıya kaydediniz. I B(hesaplanan) :. I C(hesaplanan) :. d. Yukarıda bulduğunuz değerleri kullanarak β = Ic/ IB formulünden β değerini hesaplayınız. β:. 2.2. SABİT ÖNGERİLİMLİ DÜZENLEME a. Bir önceki bölümde bulduğunuz değerleri kullanarak V B, V C, V E ve V CE gerilimlerini hesaplayınız. V B(hesaplanan) :, V C(hesaplanan) :., V E(hesaplanan) :., V CE(hesaplanan) :. 6

b. Yukarıda hesaplayarak bulduğunuz değerleri şimdi de ölçerek elde ediniz. V B(ölçülen) :, V C(ölçülen) :., V E(ölçülen) :., V CE(ölçülen) :. 2.3. GERİLİM BÖLÜCÜLÜ DEVRE a. Şekil 2 deki devreyi BC337 transistör kullanarak kurunuz. b. Birinci bölümde BC337 transistörü için elde edilen β değerini kullanarak V B, V E, I E, I C, V C, V CE ve I B değerlerini hesaplayınız. V B :., V E :., I E :.., I C :.., V C :.., V CE :.. I B :. 7

c. Şekil 2 deki devreyi çalıştırınız ve V B, V E, V C, V CE gerilimlerini ölçünüz ve Tablo 1 e giriniz. Buna ek olarak V R1 ve V R2 gerilimlerini ölçünüz. I C, I E akımlarını hesaplayınız ayrıca I 1 ve I 2 akımlarını ( I 1 = V R1 / R 1 ve I 2 = V R2 / R 2 ) formülünü kullanarak bulunuz. I B akımını Kirşof akım kuralını (I 1 ve I 2 akımlarının toplamı) kullanarak hesaplayınız. Hesaplanan I B, I E, I C değerlerini Tablo 1 e giriniz. Tablo 1 deki ölçülen ve hesaplanan değerleri karşılaştırınız. Aralarında açıklamaya değer belirgin fark var mı? TABLO 1 3. SORULAR 1. a. Şekil 1 de gösterilen sabit öngerilimli devre için saturasyon(doyum) akımı olan I C(SAT) değerini hesaplayınız. I C(SAT):.. b. Şekil 1 de gösterilen sabit öngerilimli devre için saturasyon(doyum) akımı olan I C(SAT) değerini β değerini normalden 2 kat büyük alarak hesaplayınız. I C(SAT):.. 8

c. a ve b şıklarında çözülen devreler için I C(SAT) akımı değeri kullanılan transistorün β değerine bağlı olarak değişir mi? 2. Deneylerdeki her iki devre için β değeri 2 kat alındığında Q noktası (kolektör karakteristiğinde (I C ve V CE tarafından tanımlanan) değişimi nasıl olur? Bir transistor daha yüksek β değerine sahip bir transistor ile yer değiştirildiğinde Q noktası nasıl kayar? Q noktası saturasyona (yüksek I C düşük V CE ) doğru mu yoksa kesime (düşük I C yüksek V CE ) doğru mu hareket eder? Açıklayınız. 3. β da oluşan değişimden dolayı, I C, I B ve V CE oranlarındaki değişimi bulunuz. 9

DENEY 2 10

DENEY 2: Ortak-Emiterli BJT Yükselteçler Amaç: Ortak emiterli bir devrede AC ve DC gerilimleri ölçmek. Yüklü ve yüksüz durumda gerilim kuvvetlendirmeyi(av), giriş empedansı (Zi) ve çıkış empadansı (Zo) ölçmek. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Fonksiyon üreteci Malzemeler :1 kω, 3 kω, 10 kω direnç 15 μf(2), 100 μf BJT Transistör BC337 1. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Aşağıda verilen devrenin simülasyon çizimini yapınız. Vsig voltaj kaynağını çizim programında V SIN olarak alınız ve genlik değerini 10mV frekansını da 1kHz olarak ayarlayınız. 1) Devredeki tüm akım ve voltaj değerlerini ölçünüz. 2) Elde edilen değerler sonucunda r ε direncini hesaplayınız. 3) Devrenin giriş ve çıkış voltajını osiloskop yardımıyla gösteriniz.(osiloskobun bir probu Vsig girişinde diğer probu ise çıkış üzerinde olacak) 4) Prob imleçlerini kullanarak giriş ve çıkış dalga şekillerinin tepeden tepeye değerlerini ölçünüz. 11

2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR 2.1. 0RTAK EMİTERLİ DC ÖNGERİLİMLEME a. Şekil 1 'deki devreyi kurunuz. b. Devredeki aşağıda verilen DC değerleri hesaplayınız. V B(hesaplanan) :., V C(hesaplanan) :., V E(hesaplanan) :., I E(hesaplanan) :., r ε(hesaplanan) :.. c. Devreye Vcc=10 V DC gerilim uygulayarak aşağıda verilen DC değerleri ölçünüz. V B(ölçülen) :., V C(ölçülen) :., V E(ölçülen) :.., I E(ölçülen) :., Bulduğunuz değerleri 1(b) deki değerler ile karşılaştırınız. I E = V E / R E eşitliğini kullanarak emiter akımını hesaplayınız. I E(hesaplanan) :., I E nin ölçülen değerini kullanarak r ε AC dinamik direncini hesaplayınız. 2.2. Ortak Emiterli AC gerilim kazancı a. Emiter direnci köprülenmiş ortak emiterli transistörlü devrenin gerilim kazancını kazanç eşitliğinden faydalanarak bulunuz. :.. 12

b. AC giriş sinyali Vsig=20 mv (rms), f=1 khz lik bir sinyali devreye uygulayınız. Çıkış dalga şeklini gözleyerek çıkış işaretinin şeklinde bir bozulma olmadığından emin olunuz.(eğer varsa giriş işaretinin değeri veya DC gerilim değerini düzelme oluncaya kadar azaltınız). DMM veya osiloskop kullanarak AC çıkış gerilimini ölçünüz. :.. Ölçüm değerlerini kullanarak yüksüz durumdaki gerilim kazancını hesaplayınız. 2.3. AC Giriş Empadansı Zi :.. a. Zi değerini hesaplayınız.(β=150 ve transistor katalog bilgilerini kullanabilirsiniz) :.. b. Zi değerini ölçmek için Rx=1 kω olan bir giriş ölçüm direncini Şekil 2.2 deki gibi bağlayınız. Girişe Vsig=20 mv, rms uygulayınız. Çıkış dalga şeklini osiloskopla gözleyiniz ve sinyalde bir bozulma (distorsiyon) olmadığından emin olunuz (gerekiyorsa giriş değerini ayarlayınız) ve Vi değerini ölçünüz. Zi yi bulmak için Vi(ölçülen)=... buradan elde edilir. Zi nin ölçülen değerini bölüm 3 (a) daki hesaplanan değer ile karşılaştırınız. (hesaplanan):. 13

2.4. AC Çıkış Empadansı Zo a. Zo = Rc bağıntısından Zo ın değerini hesaplayınız. Zo(hesaplanan):. b. Girişteki Rx direncini kaldırarak Vsig=20 mv, rms değerinini girişe uygulayarak Vo çıkış değerini ölçünüz. Çıkış dalga şeklinde distorsiyon olmadığından emin olunuz. Vo(ölçülen)(yüksüz durumda):... Zo ın ölçülen değerini bölüm 4 (a) daki hesaplanan değer ile karşılaştırınız. 2.5. Osiloskop Ölçümü Şekil 2.1 deki devreye Vsig=20 mv, tepeden-tepeye f=1 khz lik bir giriş sinyali uygulayarak, Şekil 2.3 e Vsig ve Vo dalga şekillerini çiziniz. 14

DENEY 3 15

DENEY 3: JFET KARAKTERİSTİK İNCELEMESİ Amaç: Bir JFET transistörün çıkış ve transfer karakteristiklerini elde etmek. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Malzemeler : 100 Ω direnç (2) 1 kω direnç (2) 10 kω direnç 5 kω luk potansiyometre 1 MΩ luk potansiyometre BF245A veya BF245AC JFET Transistor 1. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Aşağıdaki devre Şekil 3.1 deki devre ile benzerdir fakat iki devrede farklı JFET ler kullanılmıştır. Bu devrenin çalışma noktasını belirlemek için, devrenin simülasyonunu yapınız ve aşağıda istenilen değerleri ölçünüz. 1) Drain-Source voltajını (VDS) 2) Gate Souce voltajını (VGS) 3) Drain akımını (ID) 4) Gate akımını Deney 2 Bu devrenin çalışma noktasını belirlemek için, devrenin simülasyonunu yapınız ve aşağıda istenilen değerleri ölçünüz. 1) Drain-Source voltajını (VDS) 2) Gate Souce voltajını (VGS) 3) Drain akımını (ID) 4) Gate akımını 16

Sorular 1) Schockley akım denkleminde ID ve VGS verildiğinde özel bir noktada IDSS ve VP hesaplanabilir mi? Hesaplanabilirse nasıl hesaplanır? Şayet hesaplanamazsa nedeni nedir? 2) Schockley eşitliğini IDSS, VP ve ID terimlerini kullanarak VGS yi verecek şekilde yazınız. 3) IDSS =10 ma, VP =-5V ve ID =4mA olarak verilirse VGS yi bulunuz. 2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR VGS (ölçülen) =... 2.1. Doyma Akımı IDSS ve Kısma Gerilimi VP nin Ölçülmesi a. Şekil 3.1 deki devreyi kurunuz. b) 1 MΩ luk potansiyometreyi V GS =0 V olana kadar değiştirin. V GS =0 V olduğunda I D =I DSS olduğunu unutmayınız. c) 5 kω luk potansiyometreyi değiştirerek V DS =8 V olmasını sağlayın. V R gerilim değerini ölçünüz. V R (ölçülen)=... d) Doyma akımını I DSS =I D =VR/R formülünü ve ölçülen direnç değerini kullanarak hesaplayınız. I DSS (ölçümden hesaplama)=... e) V DS değerini 8 V olarak tutun ve V R =1mV olana kadar V GS değerini azaltın. Burada I D = V R /R = 1mV/100 Ω = 10 μa 0 ma. V P gerilimini I D =0 ma olduğundaki V GS voltajı olduğunu hatırlayın. Kapı kaynak kapama gerilimini aşağıya kaydedin. V P (ölçülen)=... f) Bulunan değerleri laboratuvardaki farklı iki grupla karşılaştırın ve aşağıya kaydedin. 1. I DSS =, V P = 2. I DSS =, V P = Bulunan değerlere göre IDSS ve VP değerleri bütün F245C transistörleri için aynı mı? 17

g) Bulunan I DSS ve V P değerlerini ve Shockley denklemini kullanarak devrenin transfer karakterini Şekil 3.2 ye çiziniz. Eğri üzerinde en az 5 nokta belirleyiniz. Shockley Denklemi 2.2. Çıkış Karakteristiği a. Şekil 3.1 deki devreyi kullanarak V GS =0 V ve V DS =0 V elde edene kadar potansiyometreleri değiştirin. I D değerini I D =V R /R ve ölçülmüş olan R değerini kullanarak hesaplayın ve Tablo 3.1 e girin. b. V GS değerini 0 V olarak tutun ve V DS değerini 1 er volt artırarak 14 V a kadar çıkarın. Her adımda hesaplanan I D değerini kaydedin. 100 Ω luk rezistans için ölçülen değeri kullanmayı unutmayın. c. 1 MΩ luk potansiyometreyi V GS = -1 V olana kadar değiştirin. V GS değerini sabit tutarak V DS değerini Tablo 3.1 deki değerlere göre ayarlayın ve hesaplanan I D değerlerini kaydedin. d. 2(c) adımını tablodaki V GS değerleri için tekrarlayın. V GS değeri V P değerini aştığında işlemi durdurun. e. JFET in çıkış karakteristiğini Şekil 3.3 e çizin. f. Grafik Bölüm 1 in sonuçlarını doğruluyor mu? Yani V GS =0 V iken I D nin ortalama değeri I DSS e yakın mı? I D =0 ma değerini sağlayan V GS değeri V P değerine yakın mı? 18

19

DENEY 4 20

DENEY 4: LİNEER OP-AMP DEVRELERİ Amaç: Operasyonel Kuvvetlendiricilerde DC ve AC gerilimleri ölçmek. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Fonksiyon üreteci Malzemeler :20 kω, 100 kω (3) direnç 741 op- amp 1. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Şekil 4.7 de gösterilen eviren yükseltecin simülasyonunu yapınız. Zaman domeninde t=200μs için aşağıda istenilen değerleri bulunuz. 1) Giriş ve çıkış voltaj dalga şekillerini gözlemleyiniz. Ekran görüntüsünü alıp rapora ekleyiniz. 2) Giriş ve çıkış voltajlarının her biri için tepeden tepeye(peak-to-peak) değerlerini ölçünüz. 3) Giriş voltajına karşılık çıkış voltajı arasındaki faz farkını gözlemleyiniz. Faz Farkı kaç derecedir? 2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR 2.1. Eviren Kuvvetlendirici a. Şekil 4.1 deki devrenin gerilim kazancını hesaplayınız. 21

Av=Vo/Vi (hesaplanan)=... b. Şekil 4.1 deki devreyi kurunuz. Girişe Vi=1V, rms (f=10 khz) bir gerilim uygulayarak DMM kullanarak çıkış gerilimini ölçünüz. Ölçülen değerleri kullanarak gerilim kazancını hesaplayınız. 1(a) daki hesaplanan değeri 1(b) deki ölçülen değerle karşılaştırınız. Vo (ölçülen)=... Av=Vo/Vi (ölçümden)=... c. R1 değerini 100 kω luk bir dirençle değiştirerek Vo/Vi yi hesaplayınız. Vo (ölçülen)=... Giriş Vi=1V, rms değeri için çıkışı ölçünüz. Av=Vo/Vi (ölçümden)=... 1(a) daki hesaplanan değeri 1(b) deki ölçülen değerle karşılaştırınız. d. Osiloskobu kullanarak giriş ve çıkış gerilimlerini Şekil 4.2 ye çiziniz. 22

2.2. Evirmeyen Kuvvetlendirici a. Şekil 4.3 deki devrenin gerilim kazancını hesaplayınız. Av=Vo/Vi (hesaplanan)=... b. Şekil 8.3 deki devreyi kurarak direnç değerlerini ölçünüz.girişe Vi=1V, rms (f=10 khz) bir gerilim uygulayarak DMM kullanarak çıkış gerilimini ölçünüz. c. Ölçülen değerleri kullanarak gerilim kazancını hesaplayınız. 2(a) daki hesaplanan değeri 2(b) deki ölçülen değerle karşılaştırınız. Vo (ölçülen)=... Av=Vo/Vi(ölçümden)=... d. R1 değerini 100 kω luk bir dirençle değiştirerek 2(a) ve 2(b) yi tekrarlayınız.. Av=Vo/Vi (hesaplanan)=... Vo (ölçülen)=... Av=Vo/Vi (ölçümden)=... 23

Gerilim kazancının ölçülen ve hesaplanan değerlerini karşılaştırınız. e. Osiloskobu kullanarak giriş ve çıkış gerilimlerini Şekil 4.4 ye çiziniz. 2.3. Gerilim İzleyici Şekil 4.5 deki devreyi kurarak direnç değerlerini ölçünüz.girişe Vi=1V, rms (f=10 khz) bir gerilim uygulayarak DMM kullanarak çıkış gerilimini ölçünüz. Ölçülen değeri teorik değerle karşılaştırınız. Vo (ölçülen)=... 2.4. Toplama Devresi a. Şekil 4.6 daki devredeki çıkış gerilimini hesaplayınız. (V1=V2=1V, rms). 24

Vo(hesaplanan):.. b. Şekil 4.6 deki devreyi kurarak direnç değerlerini ölçünüz. Girişe V1=V2=1V, rms (f=10 khz) bir gerilim uygulayarak DMM kullanarak çıkış gerilimini ölçünüz. Vo(ölçülen):... 4(a) daki hesaplanan değeri 4(b) deki ölçülen değerle karşılaştırınız. c. R2 değerini 100 kω luk bir dirençle değiştirerek 4(a) ve 4(b) yi tekrarlayınız. Vo(hesaplanan):.. Vo(ölçülen):... 25

DENEY 5 26

DENEY 5: Darlingtonlu ve Kaskod Kuvvetlendirici Devreleri Amaç: Darlington ve kaskod kuvvetlendiricilerde AC ve DC gerilimleri ölçmek. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Fonksiyon üreteci Malzemeler : 51Ω(1), 1 kω (2), 1.8 kω (1), 4.7 kω(1), 5.9 kω(1), 6.8 kω(1) 50 kω luk potansiyometre (1) 0.001 μf (1), 10 μf (3) 2N3904 BJT (2) a. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Şekil 5.3 de gösterilen kaskod yükselteç devrenin simülasyonunu yapınız. Çizim sayfasının görev çubuğundaki butonları kullanarak aşağıdaki 3 soruda istenilen akımları ve gerilimleri elde ediniz. 1) Tüm DC akım ve voltajları ölçünüz.(dc Analiz yaparak) 2) Ölçüm sonucunda elde edilen değerleri kullanarak devrenin dinamik direncini hesaplayınız. 3) Zaman domeninde t=200μs ayarını yaparak giriş ve çıkış dalga şekillerini osiloskop yardımıyla gösteriniz. 27

2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR 2.1. Darlington Emiter İzleyici Düzenlemesi a.. Şekil 5.1 'deki devreyi kurarak DC gerilim ve akımları hesaplayınız. V B (hesaplanan) =... V E (hesaplanan) =... Gerilim kazancı, giriş ve çıkış direnci ve çıkış empedansı teorik değerlerini hesaplayınız. Av (hesaplanan) =... Zi (hesaplanan) =... Zo(hesaplanan) =... b. Şekil 5.1 deki Darlington transistörlü devreyi kurunuz ve 50 kω luk potansiyometre(rb) yi VE =5 V bir emiter gerilimi elde edecek şekilde ayarlayınız. DMM kullanarak DC gerilimleri ölçünüz. Ölçülen değerlere göre base ve emiter DC akımlarını hesaplayınız. V B (ölçülen) =... V E (ölçülen) =... I B (hesaplanan)=... I E (hesaplanan)=... 28

Bu Q noktasındaki transistorün β değerin hesaplayınız. β(hesaplanan)=... c. Giriş değeri f=10 khz frekansta Vsin=1 V tepe geriliminde bir sinyal devreye uygulayınız. Osiloskobu kullanarak çıkış gerilimini gözleyiniz. Sinyalin kırpılmamış ve bozulmamış olduğuna dikkat ediniz. (Giriş sinyalinin genliğini gerekirse düşürünüz.) Vi (ölçülen) =... Vo (ölçülen) =... Ölçülen değerlere göre AC gerilim kazancını hesaplayınız. Av(hesaplanan) =... 2.2. Kaskod Kuvvetlendirici a. Şekil 5.2 deki kaskod kuvvetlendiricideki DC gerilim ve akımları hesaplayınız.(base akımlarının gerilim bölücü akımlarından çok küçük olduğunu kabul ediniz.) V B1 (hesaplanan)=... V E1 (hesaplanan)=... V C1 (hesaplanan)=... V B2 (hesaplanan)=... V E2 (hesaplanan)=... V C2 (hesaplanan)=... 29

b. Şekil 5.2 deki devredeki DC gerilimleri ölçünüz. V B1 (ölçülen)=... V E1 (ölçülen)=... V C1 (ölçülen)=... V B2 (ölçülen)=... V E2 (ölçülen)=... V C2 (ölçülen)=... c. Her bir transistörün AC gerilim kazançlarını hesaplayınız. A V1 (hesaplanan)=... A V2 (hesaplanan)=... d. f=10 khz frekansta Vsin=10mV tepe geriliminde bir giriş sinyali uygulayarak osiloskoptan çıkış gerilimini gözleyiniz. Eğer çıkış sinyalinde bir kırpılma veya bozulma varsa giriş gerilimini azaltınız. DMM kullanarak AC sinyalleri ölçünüz. Ölçülen gerilim kazançlarını hesaplayınız. 2 (c ) ve (d) deki hesaplanan ve ölçülen değerleri karşılaştırınız. V İ (ölçülen)=... V O1 (ölçülen)=... V O2 (ölçülen)=... A V1 = V O1 / V İ (hesaplanan)=... A V2 = V O2 / V O1 (hesaplanan)=... A V = V O2 / V İ (hesaplanan)=... e. Osiloskopta V O1 ve V O2 çıkış gerilimlerini, giriş gerilimi Vi yi gözleyiniz. Genlik ve faz farklılıklarınız gösteriniz.(resim çekerek raporunuza ekleyiniz.) 30

DENEY 6 31

DENEY 6: Ortak Emiterli Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Amaç: Ortak Emiterli bir kuvvetlendiricide frekans cevabını ölçmek ve hesaplamak. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Fonksiyon üreteci Malzemeler : 2 kω (2), 3.9 kω(1), 10 kω(1), 39 kω(1) 1 μf, 10 μf(3) 2N3904 (npn BJT) 1. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Şekil 7.3 de gösterilen devrenin simülasyonunu yapınız. Frekans değerini 10Hz den 1GHz e manuel olarak ayarlayarak (f=10hz,1khz,100khz,1mhz,100mhz,1ghz) Vout/Vin sayısal kazancın çizimini yapınız. Giriş çıkış ölçümlerini osikoskopta yapınız. 1) Şekil 7.3 deki devrenin DC analizini yapınız. 2) Hesaplanan verilerden dinamik direnci ve yüklü ortaband kazancını hesaplayınız. 3) Simülasyondaki kazanç değeriyle hesaplanan değeri karşılaştırınız. Değerler aynı mı? 32

2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR 2.1. Düşük Frekans Cevabı Hesaplamaları a. DC öngerilimleme voltajlarını ve akımlarını Şekil 7.1 deki devreden hesaplayınız. V B (hesaplanan) =... V E (hesaplanan) =... V C (hesaplanan)=... I E (hesaplanan)=... re (hesaplanan)=... b. Kuvvetlendiricinin orta banttaki (yükleme durumunda) kazancını verilen formülü kullanarak hesaplayınız. Av,mid =... 33

2.2. Düşük Frekans Cevabı Ölçümleri a. Şekil 7.1 deki devreyi kurarak direnç değerlerini ölçünüz. Vcc=20 V ayarlayınız. f= 5 khz de Vsig=20 mv tepe değerinde AC sinyali girişe uygulayınız. Çıkış Vo sinyalini osiloskopla gözleyiniz. Eğer sinyalde bir bozulma varsa giriş sinyalini azaltınız. b. Bozulmasız sinyal için aşağıdaki değerleri ölçünüz. c. Devrenin orta frekans gerilim kazancını hesaplayınız. Vsig (ölçülen)=. Vo(ölçülen)= Av,mid =... Giriş sinyalini yukarıdaki gibi ayarlanmış tutarak Tablo 7.1 deki tablodaki gibi frekans değerlerini değiştirerek Vo değerlerini tabloda doldurunuz. Her bir frekans için kuvvetlendiricinin kazancını hesaplayınız. Ve tablo 7.2 ye giriniz. 2.3. YÜKSEK FREKANS CEVABI HESAPLAMALARI a. Bozulmasız bir çıkış gerilimi elde edecek şekilde giriş gerilimi uygulayarak, yüksek frekanslardaki çıkış gerilimlerini ölçerek Tablo 7.3 ü doldurunuz. Vi(ölçülen)=.. 34

. 35