FET Alan Etkili Transistör (Field Effect Transistor), 3 uçlu bir grup yarı iletken devre elemanının genel adıdır. Bu gruptaki transistörler kendi aralarında birtakım kategorilere ayrılır ve isimlendirilir. Aşağıda alan etkili transistör çeşitleri görülmektedir. Alan etkili transistör; Jonksiyon FET (JFET) veya metal oksitli yarı iletken JFET (MOSFET) olarak yapılır ve isimlendirilir. Her iki tip transistörün de n kanallı ve p kanallı olmak üzere iki tipte üretimi yapılır. n kanallı JFET'lerde iletim elektronlarla, p kanallı JFET lerde ise oyuklarla sağlanır. FET'lerin yapımı basit ve ekonomik olduğundan dolayı oldukça çok kullanım alanı bulmuştur. JFET lerin bipolar transistörlere göre önemli farklılıkları vardır. Avantajları: JFET'in giriş empedansı çok yüksektir. (BJT de 2 KΩ iken FET lerde yaklaşık 100 M Ω) Anahtar olarak kullanıldığında, sapma gerilimi yoktur. JFET'in gürültü seviyesi bipolar transistörlere nazaran azdır. Bu nedenle FET, alçak ve yüksek frekanslarda kullanılabilir. JFET, iyi bir sinyal kırpıcı olarak çalışır. JFET'in sıcaklık kararlılığı daha iyidir. Sıcaklık değişimlerinden pek etkilenmez. JFET'in radyasyon etkisi yoktur ve radyasyondan az etkilenir. BJT lere göre daha küçüktür. Bu nedenle entegrelerde daha fazla kullanılır. Dezavantajı: Bant genişliklerinin dar olması ve çabuk hasar görebilmesidir.
JFET (Eklem alan etkili transistör) 3 terminalli bir yarıiletkendir. Drain (akaç), source (kaynak) ve gate (kapı) n-kanal p-kanal JFET'ler; n kanallı ve p kanallı olmak üzere iki tipte üretilir. JFET sembolünde, gate ucunda bulunan okun yönü kanal tipini ifade eder. Ok yönü içeri doğru ise N kanal JFET, ok yönü dışarıya doğru ise P kanal JFET olduğu anlaşılır. n kanallı JFET ile p kanallı JFET in çalışma prensibi aynıdır. Tek fark akım yönleri ile polarma gerilimlerinin ters olmasıdır. JFET'e polarma gerilimleri uygulandığında meydana gelen akım ve gerilimler aşağıdaki şekil üzerinde gösterilmiştir.
n kanal JFET in karakteristik eğrileri. Kanalın tamamen kapanıp akım geçirmemesine neden olan ters gerilim değerine gate-source daralma gerilimi (pinch-off) adı verilir: Bu değer VP ile ifade edilir. Eğer drain kaynak voltajı daha fazla arttırılırsa, ters polarmalı gate ekleminin bozulma olayı (breakdown) meydana gelir. Bu ise yüksek bir ID akımına neden olarak JFET hasara uğrar. N kanal FET te VGS gerilimi, 0 ile -Vp arasında değiştirilerek ID akımı kontrol edilir. P kanal FET te ise ID akımının kontrolu için VGS gerilimi 0 ile Vp arasında değiştirilir. Kesimdeki VGS değerine VGS(off ) da denir. VGS(off ) ile Vp mutlak değer olarak birbirine eşittir. Katalogların çoğunda sadece VGS(off ) değeri verilir. Bu değer 10 na gibi çok küçük bir akımda tanımlanır.
FET'in bir diğer önemli karakteristiği ise, Transfer Karakteristiği olarak adlandırılır. Transfer karakteristiği eğrisi; sabit bir drain-source (VDS) geriliminde, gatesource (VGS) geriliminin fonksiyonu olarak elde edilen drain akımının (ID) eğrisini gösterir. Transfer karakteristiği aşağıdaki şekilde gösterildiği gibi elemanın iki önemli parametresi olan VP ve IDSS değerlerini verir. Transfer karakteristiği eğrisi matematiksel olarak; Diğer taraftan ID=0 için, eşitlik VGS=VP durumunu sağlar. IDSS ve VP değerleri imalatçı kataloglarında verilir. Bu değerlerden yararlanılarak transfer karakteristiği çizilebilir. Transfer karakteristiği eğrisinden ve değerlerden faydalanarak ID değerleri de hesaplanabilir.
İleri Yön Geçiş İletkenliği FET de ileri yön geçiş iletkenliği gm, VDS gerilimi sabit iken, ID akımındaki değişimin VGS gerilimindeki değişime oranı olarak tanımlanır. FET in transfer karakteristiği lineer olmadığı için gm çalışma noktasına bağlı olarak değişir. Aşağıdaki Şekilde farklı çalışma noktalarında gm in bulunması gösterilmiştir. VGS= 0 iken gm değeri gm0 olarak tanımlanır. Herhangi bir noktadaki gm değeri, gm0 a göre aşağıdaki eşitlikle hesaplanır.
MOSFET JFET'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için, JFET'in girişine bağlanan sinyal kaynağından çekilen küçük miktardaki ters beyz gate akımı, sinyal kaynağını yükler. Bu yükleme etkisini azaltmak ve frekans cevabını geliştirmek için JFET'lere göre daha fazla gelişmiş başka bir alan etkili transistör yapılmıştır. Alan etkili transistörün (FET) geliştirilmiş tipi genellikle MOSFET olarak bilinen metal oksit yarı iletkendir. MOSFET kelimesinin açılımı metal oxide semiconductor field effect transistordür (Metal oksit yarı iletken alan etkili transistör). MOSFET, İngilizce açılımının baş harfleri bir araya getirilerek oluşturulmuştur. İzole edilmiş gate (gate ucu kanaldan yalıtılmıştır) özelliğinden dolayı MOSFET'lerin giriş empedansı son derece yüksek olup (10 14 ) elektrodlar arası iç kapasitansı çok küçüktür. Bundan dolayı MOSFET'ler normal transistörlerin, frekans sahasının çok daha üstündeki frekanslarda ve yüksek giriş empedanslı yükselteçlere ihtiyaç duyulan devrelerde daha fazla kullanılırlar. Bunun için MOSFET'ler voltmetre, ohmmetre ve diğer test aletlerinde kullanılırlar. MOSFET'lerde, JFET'lere ve klasik transistörlere nazaran gürültü daha az olup, band genişliği daha fazladır. MOSFET'lerin bu üstünlüklerine nazaran bazı sakıncaları vardır. MOSFET yapısındaki ince silikon oksit tabakası, kolaylıkla tahrip olabilir. MOSFET'e elle dokunulması halinde insan vücudu üzerindeki elektrostatik yük nedeniyle oksit tabakası delinerek, kullanılmayacak şekilde harap olabilir. Bundan dolayı MOSFET'ler, özel ambalajlarında korunmaya alınmalı, MOSFET'e dokunmadan önce kullanıcı, üzerindeki elektrostatik yükü topraklayarak boşaltmalıdır. MOSFET ler şu şekilde sınıflandırılır: 1. Azalan (Boşluk şarjlı, depletion tipi) D-MOSFET 2. Çoğalan (Enhancement) tipi E-MOSFET JFET'lerde olduğu gibi yine kendi aralarında, n-kanallı ve p-kanallı azalan ve çoğalan tip olarak ayrılır. D-MOSFET D-MOSFET in temel yapısı aşağıda gösterilmiştir. D-MOSFET te D ve S altkatman malzeme üzerine katkılanarak, kapıya komşu olan dar bir kanal ile birbirine bağlanmıştır. D-MOSFET N kanal ve P kanal olabilir.
Kapı kanaldan izole olduğu için kapıya negatif veya pozitif gerilim uygulanabilir. D-MOSFET kapısına negatif gerilim uygulanırsa Azaltma (Depletion), pozitif gerilim uygulanırsa Arttırma (Enhacement) modunda çalışır. D-MOSFET te kapı ve kanal bir kapasitenin iki paralel plakası ve SiO2 tabakası bir dielektrik malzeme gibidir. Transfer Eğrileri
E- MOSFET E MOSFET in yapı ve sembolü aşağıda gösterilmiştir. E-MOSFET te fiziksel bir kanal yoktur. N kanal E-MOSFET te kapıya uygulanan gerilim eşik değerinde, SiO2 tabakasına komşu olan P malzemesinde ince bir negatif yük tabakası ve bir kanal oluşturur. Eşik geriliminin altında bir kanal oluşmaz. Kapı kaynak arasındaki pozitif gerilim arttırıldığında kanala daha çok elektron çekilir ve kanalın iletkenliği artar.
Transfer eğrileri I D Aktif Bölge Lineer Bölge R D V DD /R D V GS5 =V GSon I D + R G I G + V DS V DD V GS4 V G V GS V GS3 V FT V DD V GS2 V GS1 =V GST V DSS V DS Kapı gerilimi ile mosfet akımı arasındaki bağıntı; ID= gm.vgs gm katsayısı üretici firmalar tarafından bilgi sayfalarında verilmektedir. Güç elektroniğinde mosfet, ya hic kapı gerilimi uygulanmadan yada yeterli seviyede uygulanarak anahtarlama modunda kullanılmalıdır. BJT den farklı olarak anahtarlama elemanı olarak çalışan mosfet iletimde iken bir dirençe eşit olur. İletimde durumunda üzerine düşem gerilim; VDS=rD ID Ancak, iletim direnci sıçaklıkla doğru orantılıdır. Mosfet anahtarlama güç kaybı en az, iletim güç kaybı en fazla olan yarıiletkendir. 100A-1000V değerlerine kadar bulunabilen mosfetler, düşük gerilim-yüksek frekanslı (100kHz) DC-DC dönüştürücü ve inverterlerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Bütün mosfetlerin dahili bir ters-paralel diyotları mevcuttur. Mosfet bilgi sayfalarında, bu diyot hakkında yeterli bilgi verilmektedir. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) Günümüzde güç elektroniği uygulamalarında en fazla kullanılan elemanlardan birisi olan IGBT, transistör (BJT) ile Emosfet karısımı özel bir elemandır. BJT nin iyi tarafı iletim iç direncinin dolayısıyla da iletim kayıplarının düsük olmasıdır. Kötü tarafı ise anahtarlanma süresinin uzun olması dolayısıyla da anahtarlama kayıplarının yüksek olmasıdır. E-Mosfet lerde ise BJT ye göre tam tersi durum söz konusudur. Yani Mosfet in kötü tarafı, iletim iç direncinin yüksek dolayısıyla da iletim kayıpları transistöre göre daha fazla olmasıdır. İyi tarafı ise, yüksek giriş empedansı ve anahtarlanma süresinin düsük, dolayısıyla da anahtarlama kayıplarının transistöre göre daha az olmasıdır. Her iki elemanın iyi özellikleri alınarak yeni bir eleman gelistirilmistir. Bu eleman girisi mosfet gibi yapılandırılmıs çıkısı ise transistör gibi yapılandırılmıs olan IGBT dir. IGBT nin yapısı, temel devresi ve tipik eğrisi şekilde görülmektedir. Burada VGET : Kapı eşik gerilimi (4V civarında) VCET : CE eşik gerilimi (>2V) VCER : CE devrilme gerilimidir. I C V DD /R C R C V GE5 =V GES C I C + R G I G V GE4 + V CE V DD G V G V GE3 V GE E V RB V GE2 V GE1 =V GET V CE V CET V DD V CER IGBT nin anahtarlama hızı ve gerilim düşümü değerleri MOSFET ve BJT arasındadır. Kapı gerilim MOSFET te olduğu gibi bir eşik değerine sahiptir (VGET). Çıkış geriliminde BJT den farklı olarak bir bir eşik değeri (VCET) bulunmaktadır. Bu eşik gerilimine rağmen, iletim direnci çok küçük olan IGBT nin büyük akımlardaki gerilim düşümü MOSFET e göre çok küçüktür. IGBT nin ters dayanma gerilimi BJT gibi küçüktür. 500V-2000V a kadar bulunabilen IGBT
ler 1usn mertebesinde anahtarlama sürelerine sahiptir. Pratikte düşük gerilimli uygulamalarda MOSFET, daha yüksek gerilim (400V ve üstü) uygulamalarında IGBT tercih edilmektedir. DC-DC dönüstürücü (DC kıyıcı) ve DC-AC dönüstürücü (İnvertör) devrelerinde tercih edilen IGBT ler, orta frekanslara (20kHz) gerilim kontrollu anahtar olarak kullanılmaktadır. IGBT yarıiletkenleri, iki kutuplu eklem tranzistörleri gibi iletim kayıpları düşük olmasına rağmen MOSFET ler gibi de yüksek hızlara sahiptirler. Giriş impedansları yüksek olup, iletim hızları yüksektir. İki kutuplu eklem tranzistörleri ile karşılaştırıldıklarında, iletim akım ve gerilim yoğunlukları fazla olduğundan onlardan daha hızlı anahtarlama yapabilirler. İletim kayıplarının MOSFET lere oranla daha düşük olmasından dolayı da yüksek gerilimli uygulamalarda, MOSFET lerin yerine tercih edilirler. Akımın sıfır geçişinde anahtarlama veya rezonans anahtarlama tekniklerinin kullanılmasıyla yüzlerce KHz anahtarlama frekans oranlarında çalıştırılabilirler. İletime geçme hızları MOSFET lerden hızlı fakat kesime geçme hızları daha düşüktür. 1KHz ile 50KHz arasında iki kutuplu eklem tranzistörleri, MOSFET ler ve tristörlere tercih edilirler. Tristörlerle karşılaştırıldıklarında, onlardan çok hızlı anahtarlama yapabilirler. Gerilim değişim hızları dv/dt daha iyi olup, kesime girmeleri için tristörler gibi söndürme devrelerine gerek duymazlar. Kapıdan söndürmeli tristörler (GTO) bile ters bir akım akıtarak kesime girmesine karşılık, IGBT lerin kesime girmesi için kapı kapasitelerinin boşalması kesime girmesi için yeterlidir. IGBT lerin MOSFET lerden bir farkı da ters paralel bağlı bir diyotlarının olmayışıdır. Bu nedenle devre tasarımcıları, motor denetiminde IGBT kullandıklarında yükte oluşabilecek zıt emk ların olumsuz etkilerini önlemek için devreye ters paralel bağlı bir diyot kullanırlar. BJT ve IGBT lerin iletim kaybı, elemanın iletim gerilim düşümüne bağlıdır. MOSFET te ise iletim kaybı Rds direnci tarafından belirlenir. MOSFET IGBT BJT Akım (A) 20 20 20 Gerilim (V) 500 600 500 RDS (Ω) 25 o 0,2 0,24 0,18 RDS (Ω) 150 o 0,6 0,23 0,24 Anahtarlama süresi (ns) 40 200 200 Benzer akım gerilim oranlarına sahip bu üç elemanın boyut olarak sıralanması BJT>IGBT>MOSFET.
TRİSTÖR (SCR:Silicon Controlled Rectifier),Yarıiletken denetimli doğrultucu Tristör, yarı iletken 4 tabaka ve 3 ekleme sahip, 2 ana ve 1 kontrol terminali bulunan, kontrollü bir yarı iletkendir. Tristörler, SCR olarak da tanımlanırlar. Güç denetimi ana devre elemanlarının en önemlilerinden biridir. Dört ayrı yarıiletken tabakadan oluşmuştur. Çalışması, seri bağlı npn ve pnp tipli iki tranzistörün çalışması gibidir. Tristörün tranzistör eşdeğer devresi, Şekil 2.72.(c) den görüldüğü gibi, npn ve pnp tipi iki tranzistörün biri birini sürecek şekilde bağlanmasından oluşmuştur. Kapıdan T2 tranzistörünün bazına gerilim uygulanırsa T1'in bazına bağlı olarak IC kollektör akımı akmaya başlar. Akım denklemleri; IC1 = 1.IA + ICB01 IC2 = 2 IK + ICB02 IK = IA + IG IA = IC1 + IC2 IA = 1.IA + ICB01 + 2 IK + ICB02 IA = 1.IA + ICB01 + 2 (IA + IG) + ICB02 IA =( 2 IG + ICB01+ ICB02)/(1-1+ 2) IG=0 ise 1+ 2 çok düşüktür bundan dolayı payda 1 den çok küçük olmaz ve küçük anot akımı oluşur. IG yeterince büyük olursa 1+ 2=1 olur ve tristörden sonsuz akım akar(sınırlanmalıdır). ICB01 ve ICB02 emiter açık durumda her iki transistörün kollektör sızıntı akımlarıdır.
Akımın düşük değerlerinde 1 ve 2 değerleri de küçüktür. Taşıyıcı yoğunluk etkisinden dolayı küçük olan bu değerler, akımın artmasıyla hızla artarlar. Klasik anlamda kapıdan iletime sürme, bu kapı akım kazancına dayanılarak yapılır. SCR çok yaygın olarak kullanılan bir güç denetim elemanıdır. Tek bir tristör, milyonlarca Watt'lık gücü denetleyebilir. Seri-paralel bağlama ile 100MW kademelerindeki güçler denetlenebilir. Tristörün iletimi Tristörün anoduna ( ) katoduna (+) yönde bir gerilim uygulandığında, Şekilden görüldüğü gibi, kapı devresindeki s anahtarı kapatılsa bile tristör iletmeyecektir. Yani kesim bölgesinde çalışacaktır. Bu bölgede, tristör bir diyot gibidir. R (potansiyometre) ayarlı direnci ile tristör uçlarındaki VAK ters gerilimi arttırılarak VRB negatif devrilme gerilimine ulaştığında, diyotlarda olduğu gibi, ters yönde tristörden bir akım akar ve tristör iletken hale gelir. Şekil (a) daki devrede olduğu gibi, tristörün anoduna (+) katoduna ( ) olmak üzere bir gerilim uygulandığında, tristör iletime kutuplanmış olur. Kapı devresine, s anahtarı kapatılarak, bir tetikleme gerilimi uygulandığında tristör iletime geçer.
R R V G + - s I G G A K SCR I A (a) + Değişken - V K + V G - s I G G A K SCR (b) - Değişken + V K I A [A] I H (1) (2) I GH>I G1>I G2>I G3>I Gn>I G0=0 (yani tetikleme yok) (5) V RB (6) (4) (7) 0 V TT V 1 V 2 V 3 V n V FB0(I G=0) V A [V] (c) Tristörün (a)iletime kutuplama, (b)kesime kutuplama, (c)iletim-kesim-tıkama özeğrileri. (3) V latc V latc (8) Şekildeki iletim-kesim özeğrisinden görüldüğü gibi, SCR, IH tutma akımı (Holding current) değerine kadar iletime girmez. IA anot akımı bu değerin üstüne çıktığında, SCR hızla iletim konumuna geçerek anot akımı da artmaya başlar. Anot akımı herhangi bir nedenle bu IH tutma akımının altına inerse, SCR kesime girmiş olur. Tutma akımı SCR'de, negatif direnç özelliği gibi davranış gösterir. Ters gerilim tutma ve iletim özellikleri diyoda eşdeğer olan tristör, ek olarak ileri yönde gerilim tutma ve kontrol özelliklerine sahiptir. Tristör, kapı akımı uygulanmadığında, uygulanan pozitif gerilimi tutar ve akım geçirmez. Ancak uygulanan gerilim seviyesi sıfır devrilme gerilimi (VFB0) değerine ulaşırsa kendiliğinden iletime geçer. Tristör, kapı devresine kısa süreli bir akım darbesi ile devrilerek iletime geçer (tetiklenme). Tetikleme akımı A-K uçlarına uygulanan gerilimin seviyesine bağlıdır. Bu gerilim artıkça tetikleme akımı düşer. Ayrıca bu akım sıcaklığada bağlıdır. Kesimde olan ve uçlarına pozitif gerilim uygulanan bir trsitör G ucuna yeterli bir akım darbesi uygulandığında iletime geçer. Tristörün içinden geçen akım tutma (IH) akımının üstüne çıktığında tristör iletime kilitlenir ve bir diyota dönüşür (kapı akımından etkilenmez).
İletimde olan bir tristör, içerisinden geçen akım tutma akımın altına indiğinde yada indirildiğinde kesime gider. Sönme süresi kadar (tq) kadar kesimde kalmak zorundadır. Tristör kontrol sinyali ile kesime girmediği için yarı kontrollü güç elemanıdır. Tristörlerin çeşitli şartlarda iletimi sağlanabilir. i1-gerilim etkisiyle iletim (VA > VFB0) Tristör anot-katot uçlarına pozitif yönde bir gerilim uygulandığında kapı akımı sıfır bile olsa bu gerilim sıfır devrilme gerilimine ulaşınca görüldüğü gibi iletime geçer. Yani 1+ 2=1 olur demektir. Anot gerilimi VA, sıfır iletim devrilme gerilimi VFB0 değerinin üzerinde ise, kapı akımı sıfır olduğu durumda, e2 eklemi akımı etkisiyle oluşan elektrik alanı, diğer eklemleri da iletime sürer. Fakat işletmede bu tip iletime sürme şekli kullanılmaz. Çünkü, tristör böyle iletime geçerken zarar görebilir. Yani e2 eklemi ile silisyum tabaka temasındaki bölgede, alan etkisiyle anahtarlama akımı çığ şeklinde artmasına neden olur, ve tristörü iletime geçmeden termik olarak yükleyerek zarar verebilir. Anahtarlama kayıpları, anot geriliminin karesiyle orantılı olduğundan sıfır iletim devrilme geriliminden büyük anot gerilimleri tristör için zararlı olur. i2-hız etkisiyle iletim (Gerilim değişme hızı dvak/dt < dvak/dt krt) SCR'nin tranzistör eşdeğer devresinde baz-kollektör arasında bir kapasite görünür. Dolayısıyla dv/dt oranı yüksek olduğunda yani anot-katot gerilimi çok ani yükseldiğinde bu kapasitenin etkisiyle sıfır devrilme gerilimine gelmeden önce tristör iletime geçer. Her tristör için kritik bir dva/dt değeri vardır. Gerilim yükselme hızı bu değeri aşınca, tristör kapı ucundan bir uyarma olmazsa bile iletime geçer. Bu kritik değere, kritik gerilim yükselme hızı dva/dt krt denir. i3-sıcaklık etkisiyle iletim (TJ TJüretim) Yüksek sıcaklıklarda, p-n eklemi e2'de her 8 C sıcaklık artışında eklem kaçak akımı yaklaşık iki katına çıkar. Sıcaklığın yükselmesiyle 1+ 2 oranı 1'e yaklaşır ve tristör iletime geçer. Dolayısıyla tristörlerin ortam sıcaklığına bağlı olarak, eklemlerinin aşırı ısınarak denetimsiz olarak iletime girmesini önlemek için soğutulması gerekir. Tristör iletimde iken geçen akım, eşdeğer direnç ve gerilim düşümüne bağlı olarak bir kayıp güç oluşarak ısıya dönüşür. İşletmedeki bu TJ sıcaklığı, eklem bölgesinde olması gereken en yüksek sıcaklık TJSCR değerinin üzerine çıkarsa SCR denetimsiz iletime girmek ister. Bunu önlemek için SCR soğutularak TJ TJSCR olması sağlanır.
i4-işıma enerjisiyle iletim (ışık, radyoaktivite, elektromagnetik dalgalar vs. etkisi) Işıma etkisi veya enerjisi ile silisyumun spektral band genişliği değişerek yük taşıyıcı oranını (elektron ve oyuk) değiştirir. Dolayısıyla G= 1+ 2 kazancını 1'e yaklaştırarak tristörü tetikler. Bu mekanizma ışık etkili tristörlerde, tetikleme devresi için bulunur. Bu tristörler ışıkla tetiklendiği gibi aynı anda kapı tetiklemeli de çalışırlar. i5-tranzistör etkisiyle iletim (IG) Tranzistörlerin bazına bir gerilim uygulayarak, yani Şekilde G ucuna bir darbe gerilim uygulanması durumunda tranzistör iletime geçer. Buna kapıdan tetikleme veya tristörün ateşlenmesi denir. p bölgesinden çıkarılan kapı ucundan tetiklenen tristörlere klasik tristörler denir. Üstteki n tabakasına, baz kabul edilip kapı darbesi verilerek tetiklenen tristörlere de tamamlayıcı (Complementary) tristörler denir. V G mv 0 I A A 0,9.I T 0,1.I T 0 V A V t on t d t p t p t d olursa SCR rahatlıkla iletime girer t r di/dt V Q R Kesim (sönd.) komutu I T - di/dt söndürme (kesim) I RRM t q t ms Tekrar poz. t ms Ger. Uyg. V DRM dv/dt dv/dt krtk. 0 iyileşme süresi V RRM (a)tristör anahtarlama özeğrileri (kapı akımına göre anot akım ve gerilimi) V R t ms