ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

Benzer belgeler
BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

(BJT) NPN PNP

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

DERS NOTLARI. Yard. Doç. Dr. Namık AKÇAY İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

Hafta 4 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü BJT TRANZİSTÖRLERİN TEMELLERİ

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

8. FET İN İNCELENMESİ

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Proje Adı : IŞIĞA DÖNEN KAFA PROJESİ

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken

T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK

DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ

A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 3. HAFTA

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1. DİYOT ve UYGULAMALARI

Elektronik Ders Notları 5

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

Elektronik Ders Notları

Siz elinizdeki borudan su akımını aktırdıkça, klapa açılıyor, sizin akıttığınız akım ve barajdan akan akım birleşip barajdan aşağı akıyor.

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI

DENEY in lojik iç şeması: Sekil 2

Şekil Sönümün Tesiri

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY 1- LABORATUAR ELEMANLARININ TANITIMI VE DC AKIM, DC GERİLİM, DİRENÇ ÖLÇÜMLERİ VE OHM KANUNU

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri

DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Transkript:

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN

BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem Transistor Genel Özellikleri: 1. Üç uçlu devre elemanıdır. 2. Yapısında akım iletimini sağlayan elektron (n) ve delikler/oyuklar (p) bulunur. 3. Küçük ve çok az yer kaplarlar. 4. Çok az enerji harcarlar. 5. Çalışma koşulları sağlandığında devreye girme süreleri kısadır. 6. Çalışma gerilimleri düşüktür. 7. Üretimi kolay ve ucuzdur. Kullanım Alanları: Transistor yapısal bakımdan, yükselteç olarak çalışma özelliğine sahip bir devre elemanıdır. Daha yaygın kullanım amacı ise devrede anahtarlama yapmaktır. Elektroniğin her alanında kullanılmaktadır. Dolayısı ile teknolojinin en değerli elektronik devre elemanlarından biridir. 1. Anahtarlama devre transistörleri 2. Osilatör devre transistörleri 3. Amplifikatör devre osilatörleri

BJT Bölgeleri: 1. Baz Bölgesi: BJT nin yarıiletken bölgelerinden ortada kalan bölgesidir ve tip olarak diğer iki bölgeden farklıdır. Transistorun çalışmasını etkileyen bölgedir. 2. Emiter Bölgesi: Akım taşıyıcılarının harekete başladığı bölge 3. Kollektor Bölgesi: Akım taşıyıcıların toplandığı bölge Bu bölgelere irtibatlandırılan bağlantı iletkenleri de, elektrot, ayak veya bağlantı ucu olarak tanımlanır.

Eklem Transistor nedir? Eklem Transistor, yarı iletken malzemeden yapılmış elektronik devre elemanıdır. Her ne kadar diyotun yapısına benzese de çalışması ve fonksiyonları diyottan çok farklıdır. Transistor iki eklemli üç bölgeli bir devre elemanı olup iki ana çeşittir: a) NPN Tipi b) PNP Tipi Transistor tanımları: 1. Transistor, iki elektrodu arasındaki direnci, üçüncü elektroda uygulanan gerilim ile değişen bir devre elemanıdır. 2. Transistor yan yana birleştirilmiş iki PN diyotundan oluşan bir devre elemanıdır. Birleşme sırasına göre NPN veya PNP tipi transistor oluşur.

NPN ve PNP Transistorlerin Yapısal Gösterilimi ve Transistor Sembolleri

Transistörün Kutuplandırılması (Polarılması) Nedir? Transistörün çalışması için doğru yönde kutuplandırılması gerekir. Diğer bir deyişle baz, emiter ve kollektörün DC bir gerilim ile beslenmesi gerekir. Bu DC gerilime polarma gerilimi denir. Bu kutuplandırma işlemi iki şekilde olabilir: 1. Doğru kutuplama 2. Ters kutuplama Transistörlerde Doğru Kutuplama Şartı: 1. Baz-emiter arasının doğru yönde kutuplanması gerekir. 2. Baz-kollektör arasının ters yönde kutuplanması gerekir. 3. Silisyum transistörler için B-E arası gerilimin (VBE) en az 0,7V olması gerekir. Transistörlerde Ters Kutuplama Şartı: Baz-Emiter arasının ters kutuplanmasıyla transistör kesime gider. NPN transistörde baz kutbu, emiter kutbuna göre daha alçak seviyede kutuplanacak olursa transistörün ters kutuplanması gerçekleşir. pnp ve npn transistörlerin doğru kutuplandırılması

Transistörün Çalışması Bir transistörün çalışması için: 1. Transistörün çalışabilmesi için; baz-emiter jonksiyonu doğru yönde, baz-kolektör jonksiyonu ise ters yönde kutuplandırılmalıdır. Bu çalışma biçimine transistörün aktif bölgede çalışması denir. 2. Baz akımı olmadan emiter-kollektör jonksiyonundan akım akmaz. Yani transistör kesimde kalır. Baz akımı, emiter ve kollektör akımları yanında çok küçük bir değere sahip olsa da transistörün çalışması açısından önemlidir. 3. PN jonksiyonlarının karakteristikleri transistörün çalışmasını belirler. Örneğin transistör VBE olarak tanımlanan baz-emiter jonksiyonuna doğru yönde bir başlangıç gerilimine gereksinim duyar. Bu gerilimin değeri silisyum transistörlerde 0,7V., germanyum transistörlerde 0,3V. civarındadır.

Transistör Bağlantı Türleri: Transistörler, kullanış amaçlarına göre üç ayrı şekilde bağlanırlar. Bağlantıların isimlendirilmesi, ortak uca göre yapılır. Buna göre transistör bağlantı türleri: 1. Ortak Bazlı 2. Ortak Emiterli 3. Ortak Kollektörlü

Ortak Bazlı Devre Şekil a da bu devre yeniden çizilerek devre parametreleri gösterilmiştir. Şekil b de ise bu devreye ait karakteristikler (kollektör karakteristikleri) görülmektedir. Sabit bir emiter akımında, kollektör akımının kollektör gerilimi ile fazla değişmediği görülmektedir. Akım Kazancı, ortak bazlı devrede yük direnci sıfır, kollektör gerilimi sabitse, oranına transistörün akım kazancı denir. α değeri 0,95-0,98 arasında değişir.

Ortak Bazlı Devre Ortak bazlı devrede diğer bir akım oranı da;

Ortak Bazlı Devre (Örnek):

Ortak Bazlı Devre (Örnek-Çözüm):

BJT nin Çalışma Rejimleri Transistörlerde başlıca 4 çalışma bölgesi vardır. Bu bölgeler; ileri yönde çalışma (aktif) bölgesi, ters yönde çalışma bölgesi, kesim (cutoff) bölgesi ve doyum (saturation) bölgesi olarak adlandırılır. Bu çalışma bölgeleri transistörün baz-emiter ve baz-kollektör jonksiyonlarının kutuplanma şekillerine göre oluşturulmuşlardır. Buna göre:

BJT nin Çalışma Rejimleri 1)Kesim Bölgesi: a. Baz akımı sıfırdır. b. Baz-Emiter gerilimi sıfırdır. c. Devrede kollektör akımı oluşmaz. d. Kollektorden değeri çok küçük olan sızıntı akımı adı verilen bir akım akar. e. Sızıntı akımı birçok uygulamada ihmal edilebilir. f. Kollektördeki kaynak gerilimi yaklaşık olarak kollektör-emiter gerilimine eşittir. 2) Doyma Bölgesi a. Baz kolundan akan akıma bağlı olarak kollektör akımı arttırılır. b. Kollektör akımına bağlı olarak kollektör-emiter gerilimi azalmaya başlayacaktır. c. Kollektör-emiter gerilimi doyum değerine ulaştığında baz akımı arttırılsa da kollektör akımı bu artıştan etkilenmeyecektir. d. Kollektör-Emiter gerilimi doyum bölgesinde sıfıra çok yakın bir değerdir.

BJT nin Çalışma Rejimleri 3)İleri Yönde (Aktif) Çalışma Bölgesi: a) Baz-Emiter jonksiyonu doğru, baz-kollektör jonksiyonu ters kutuplanmalıdır. b) Baz akımı sıfırdan büyük, kollektör-emiter gerilimi de sıfırdan büyük olmalıdır. c) Bu bölgede transistörün çıkış akımı, öncelikle baz akımına az da olsa VCE gerilimine bağlıdır. d) Transistörlerin yükseltici olarak kullanıldığı uygulamalarda transistör aktif bölgede çalıştırılır. 4) Ters Yönde Çalışma: a) Bu bölgedeki çalışma ileri yönde çalışmadan farklıdır. b) Kollektör ve emiterin yer değiştirilmesi genelde mümkün değildir. Fakat bazı özel devrelerde transistör bu şekilde kullanılabilir. c) Transistörlerin yükseltici olarak kullanıldığı uygulamalarda transistör aktif bölgede çalıştırılır. d) Transistörde kollektör ve emiter uçlarının yer değiştirilmesi ile elde edilen çalışma bölgesidir.

Transistörlerin Sağlamlık Kontrolünün Yapılması 1. Analog Avometre ile a. Ölçü aleti direnç (X1) kademesine alınır. b. Ölçü aletinin problarından biri transistörün bir ayağında sabit tutulur. c. Boştaki prob diğer iki ayağa değdirilir. d. Değdirilen iki ayakta ölçü cihazında değer okunmalıdır. e. Eğer okunmuyorsa sabit seçilen transistör ayağı değiştirilip işlemler tekrarlanır. İki ayakta da değer gösterdiğinde; a. Sabit olarak seçilen transistör ayağı baz, b. Probun değdirildiği diğer iki ayaktan ölçü aletinde büyük değer veren ayak emiterdir. c. Probun değdirildiği diğer iki ayaktan ölçü aletinde küçük değer veren ayak kollektördür. İki ayakta da değer gösterdiğinde; a. Baza değdirilen ölçü aleti probu artı ise transistör PNP tipidir. b. Baza değdirilen ölçü aleti probu eksi ise transistör NPN tipidir. NOT: Sağlam bir transistörde ölçü aleti probları emiter ve kollektöre değdirildiklerinde her iki yönde de değer okunmaması gereklidir.

Transistörlerin Sağlamlık Kontrolünün Yapılması 1. Digital Avometre ile a. Ölçü aleti DİYOT kademesine alınır. b. Ölçü aletinin problarından biri transistörün bir ayağında sabit tutulur. c. Boştaki prob diğer iki ayağa değdirilir. d. Değdirilen iki ayakta ölçü cihazında değer okunmalıdır. e. Eğer okunmuyorsa sabit seçilen transistör ayağı değiştirilip işlemler tekrarlanır. İki ayakta da değer gösterdiğinde; a. Sabit olarak seçilen transistör ayağı baz, b. Probun değdirildiği diğer iki ayaktan ölçü aletinde büyük değer veren ayak emiterdir. c. Probun değdirildiği diğer iki ayaktan ölçü aletinde küçük değer veren ayak kollektördür. İki ayakta da değer gösterdiğinde; a. Baza değdirilen ölçü aleti probu artı ise transistör NPN tipidir. b. Baza değdirilen ölçü aleti probu eksi ise transistör PNP tipidir. NOT: Sağlam bir transistörde ölçü aleti probları emiter ve kollektöre değdirildiklerinde her iki yönde de değer okunmaması gereklidir.