EEE-220 Electronic Circuits Lab. PSPICE KULLANIMI

Benzer belgeler
ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

PSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

8. FET İN İNCELENMESİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

Elektronik Laboratuvarı

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

Devre Teorisi Ders Notu Dr. Nurettin ACIR ve Dr. Engin Cemal MENGÜÇ

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Şekil Sönümün Tesiri

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

DENEY 2: ALTERNATİF AKIM DEVRELERİNDE KONDANSATÖR VE BOBİN DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

TEMEL SPICE KULLANIMI. OrCAD programını çalıştırıp, File New Project e tıklayalım. Analog or Mixed A/D seçip proje ismi ve yerini girelim

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Elektrik - Elektronik Fakültesi

Yükselteçlerde Geri Besleme

DENEY 5: ALTERNATİF AKIMDA FAZ FARKI (R, L VE C İÇİN)

DENEY-3. FET li Yükselticiler

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

Deney 3 5 Üç-Fazlı Tam Dalga Tam-Kontrollü Doğrultucu

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

V-LAB BİLGİSAYAR ARAYÜZLÜ EĞİTİM SETİ

DENEY 25 HARMONİK DİSTORSİYON VE FOURIER ANALİZİ Amaçlar :

PSPICE AC SWEEP VE PARAMETRĐK ANALĐZ YÖNTEMLERĐ

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

NECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

İşlemsel Yükselteçler

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları

KZ MEKATRONİK. Temel Elektrik Elektronik Eğitim Seti Ana Ünite

Bölüm 11 ALTERNATİF AKIM (AC) Copyright 2008 Pearson Education Inc., publishing as Pearson Addison-Wesley

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

AC DEVRELERDE BOBİNLER

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ

Alternatif Akım Devreleri

DENEY-4 RL DEVRE ANALİZİ. Alternatif akım altında seri RL devresinin analizi ve deneysel olarak incelenmesi.

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

Ders 04. Elektronik Devre Tasarımı. Güç Elektroniği 1. Ders Notları Ege Üniversitesi Öğretim Üyesi Yrd.Doç.Dr. Mehmet Necdet YILDIZ a aittir.

AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ

ALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI

Transkript:

EEE- Electronic Circuits Lab. PSPICE KULLANIMI Hazırlayan: Zehan KESİLMİŞ Süre:6 dakika.pspice PSPICE, California üniversitesi tarafından geliştirilmiş bir elektronik devre benzetim programıdır. PSPICE programa giriş olarak netlist olarak adlandırılan metin tabanlı dosyaları kullanır. Netlist, devredeki elemanlarla birlikte, çeşitli model tanımlamalarını, benzetim tiplerini, ölçüm noktalarını, başlangıç şartlarını ve aritmetik işlemleri de içerebilir. Pspice ile ilgili temel kurallar aşağıda sıralanmıştır. Netlist içerisindeki açıklama satırları * veya $ işareti ile başlar. Bir satıra sığmayacak parametre tanımlamaları, yeni satırın başlangıcında + işaretiyle başlamalıdır. Tanımlanan elemanlar tekrarlanamaz; yani R elemanından sadece bir adet bulunmalıdır. Netlistte referans bir düğüm ( numaralı) bulunmak zorundadır. Tüm hesaplamalar bu düğüme göre yapılır. Netlist'in ilk satırı açıklama satırı olarak kabul edilir Pspice büyük küçük harf ayrımı yapmaz. Pspice tarafından Rbir ve RBIR aynı eleman olarak algılanır. Netlist komutuyla bitmelidir. Bu çalışmada Linear Technogy firmasının bir ürünü olan SWCADIII programı üzerinde çeşitli çalışmalar yapacağız. SWCADIII grafik tasarım ortamına sahip olan ve özellikle switch mode güç kaynağı tasarımı için yazılmış bir PSPICE klonudur. Bu program http://www.linear.com/ adresinden ücretsiz olarak indirilebilir. Bu çalışmada devre tasarımında grafik arayüz kullanılmayacak ve tüm tanımlamalar netlist üzerinden yapılacaktır.

.Netlist yapısı Aşağıda Şekil 'de DC analiz için devre örneği verilmiştir. Bu satır açıklama satırıdır V V R 5 R R.tran u.print dc i(r) i(r) i(r).end V=V R 5 R R Vb Şekil-. PSPICE DC analiz örneği Vo Yukarıda verilen netlistin açıklaması aşağıda verilmiştir. V V ifadesi V isimli voltluk dc gerilim kaynağının birinci düğümle toprak arasında olduğunu gösterir. R 5 ifadesi R isimli 5 ohmluk direncin birinci ve ikinci düğüm arasında olduğunu gösterir. R ifadesi R isimli ohmluk direncin ikinci düğümle toprak arasında olduğunu gösterir. R ifadesi R isimli ohmluk direncin ikinci düğümle toprak arasında olduğunu gösterir..tran u ifadesi mikro saniye boyunca transient analiz yapılacağını belirtir..print dc i(r) i(r) i(r) ifadesi dirençler üzerinden akacak akımları ekranda görmemizi sağlar..end ifadesi netlistin bittiğini belirtir..pspice'da tanımlamalar. Eleman tanımlamları Direnç: R[isim] <+düğüm> <-düğüm> <değer> Örneğin: r 4 5k Bobin: L[isim] <+düğüm> <-düğüm> <değer> Örneğin: L 4 5mH Kapasite: C[isim] <+düğüm> <-düğüm> <değer> Örneğin: c 4 5uF Diyot: D[isim] <+düğüm> <-düğüm> <model ismi> Örneğin Dbir D BJT: Q[isim] <kollektör< <beyz> <emiter> <taban> <model ismi> Örneğin: Q 4 5 Bjt MOS: M[isim] <drain> <gate> <source> <substrate> <model ismi> W=<kanal genişliği> L=<kanal boyu> Örneğin M drain cmosn w=u l=u. Bağımsız kaynaklar

Voltaj kaynağı: V[isim] <+düğüm> <-düğüm> DC <değer> AC <değer> Akım kaynağı: I[isim] <+düğüm> <-düğüm> <değer> Sinüs kaynağı: V[isim] <+düğüm> <-düğüm> sin(<offset> <genlik> <frekans> <geçikme> <df> <faz>) Örneğin: V sin(.v V 5Hz 5 ). Bağımlı kaynaklar Voltaj kontrollü voltaj kaynağı: E[isim] <+düğüm> <-düğüm> <+kontrol eden> <+kontrol eden> <kazanç> Örneğin: E 4 5 Akım kontrollü akım kaynağı:f[isim] <+düğüm> <-düğüm> <kontrol eden voltaj kaynağı> <kazanç> Örneğin:F 4 Vo ;Not:Buradaki Vo'ın gerilimi V'dır ve Pspice sadece üzerinden akan akımla ilgilenir. Voltaj kontrollü akım kaynağı:g[isim] <+düğüm> <-düğüm> <+kontrol eden> <+kontrol eden> <kazanç> Örneğin: G 4 6.5 Akım kontrollü voltaj kaynağı: H[isim] <+düğüm> <-düğüm> <kontrol eden voltaj kaynağı> <kazanç> Örneğin: H 4 Vo 4. PSPICE'la gerçekleştirilebilecek bazı analiz tipleri :.TRAN: Belli bir süre içinde transient analiz yapmakta kullanılır. Örneğin:.tran ms.ms ; ile ms arasında,.mslik artımlarla benzetim yapılır..dc: Belli bir kaynağın değerini belli aralıkta değiştirmek için kullanılır. Örneğin:.DC Vs V V.V ; Vs kaynağının değeri ile V arasında.vluk artışlarla değiştirilir..ac: Devredeki AC kaynağın frekansını belli aralıkta değiştirir..tf: transfer fonsiyon anlamına gelir. Örneğin.TF V(5) V(6) ifadesi altıncı düğümdeki değişimlerin beşinci düğüme etkisini gösterir. 5. Alt devre Netlist içinde sıklıkla kullanılacak yapılar alt devre olarak tanımlanabilir. 5. Alt devre tanımlama:.subckt <isim> <alt devre düğümü><alt devre düğümü><alt devre düğümü>...... Ends

5. Alt devre kullanma: X[isim] <üst devre düğümü> <üst devre düğümü> <üst devre düğümü> Örneğin: Eviren Yükselteç V sin(,m,5) R k Rf k X ideal_opamp.tran ms m.probe.print v() v() AC mv R k - + R f k Eksi_giris M Rin + - cikis Arti_giris Eksi_giris e5.subckt ideal_opamp eksi_giris arti_giris cikis Ri eksi_giris arti_giris meg E cikis arti_giris eksi_giris e5 s Arti_giris Şekil-. Eviren Yükselteç uygulaması 6. UYGULAMALAR Seri Rezonans devresi (AC analiz uygulaması): Bir RLC devresinde toplam empedans rezistif olduğu zaman devre rezonans durumundadır. Endüktif ve kapasitif reaktanslar birbirlerini vektörel olarak yok ederse ve akım en yüksek değerini alır. Bunu sonucu olarak faz açısı sıfır olur. Böyle bir devrenin PSPICE ile analizi aşağıda verilmiştir. RLC Seri rezonans devresi V AC V R 5 L mh C 5nF.print v().ac Lin 99 Hz 5kHz * Bitiş frekansı * Başlangıç frekansı * adım sayısı V V R 5 L mh Vo C 5nF Şekil-. RLC uygulaması 4

Yarım Dalga Doğrultma devresi (.Tran analiz uygulaması) Yarım Dalga Doğrultma V sin( V k) Da D R k *C u.print v() v().model D D.Tran.ms ms V V Şekil-. Yarım Dalga Doğrultmaç uygulaması R k Vo Diyodun i/v karakteristiğinin çıkartılması diyot i/v karakteristik v 5V r d dn4.dc v 5..probe *grafik sonuç üzerinde yatay eksende v() dikey eksende *i(d) gösterilmeli. Şekil-4 i/v karakteristiği için devre.model DN4 D IS=9.5E-9 RS=7.5E- N=.96 +CJO=4.6P VJ=.67 M=.46 BV=6 IBV=U 5

Ortak Emiter Yapının çıkış karakteristiğinin elde edilmesi Bu örnekte model ismi NPN olan bir transistör kullanılmıştır. Bu tanımlama.model komutuyla yapılmıştır. Model ismine ek olarak da transistörün akım kazancı 8 olarak tanımlanmıştır. Bjt çıkış karakteristiği ib 5u Rs k Rl 4 Q BJT Vcc 4 5V.PROBE.print ic(q).model BJT NPN (BF=8).dc vcc.v ib 5u u ib RL Vcc 5V Şekil-4. Ortak Emiter Yapı uygulaması MOS çıkış karakteristiği Bu örnekte www.mosis.org sitesinden alınan model tanımlaması mos.lib dosyasının içine yerleştirilmiştir. Daha önceki örneklere ek olarak model çağırma işlemi bu lib dosyasından yapılmaktadır. Burada N kanal MOS transistörün model ismi cmosn dır. MOS çıkı karakteristiği.lib c:\mos.lib vgs V Vdd 5V rd drain k M drain cmosn w=u l=u.dc vdd 5. Vgs V.V.print id(m) Vgs drain Rd k Vdd Şekil-5. MOS çıkış karakteristiği LM 74 kütüphanesi kullanarak eviren yükselteç Eviren Yükselteç.lib c:\lm74.lib r k rf k V SINE( k ) X 7 4 LM74 vcc 7 v vee 4 v.tran m.print V() V() V R - + Rf 7 Vcc -Vee 4 Şekil-. Eviren Yükselteç uygulaması 6

7