ÖZGEÇMİŞ. Tel: / 8121 GSM: E-Posta: Faks:

ÖZGEÇMİŞ 1. Genel: Düzenleme Tarihi: Mart 2017 Unvanı Adı Soyadı : Yazışma Adresi: Doğum Tarihi ve Yeri: Prof. Dr. Halit ALTUNTAŞ Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Uluyazı Kampüsü, Çankırı Karatekin Üniversitesi, 18100, Çankırı, TÜRKİYE 11.11.1979 Hekimhan/ Malatya Tel: 0376 218 9500/ 8121 GSM: E-Posta: haltuntas@karatekin.edu.tr Faks: 0 376 218 9541 2. Eğitim: Öğrenim Dönemi Derece (*) Üniversite Öğrenim Alanı 2004-2009 Doktora Gazi Üniversitesi Katıhal Fiziği 2001-2004 Y. Lisans Gazi Üniversitesi Katıhal Fiziği 1997-2001 Lisans Gazi Üniversitesi Fizik (*) Diploma Türü (Lisans, Y.Lisans, Doktora) 3. Akademik ve Mesleki Deneyim: Görev Dönemi Unvan Üniversite Bölüm 2017- Prof. Dr. Çankırı Karatekin Üniv. Fizik 2011-2017 Doç. Dr. Çankırı Karatekin Üniv. Fizik 2010-2011 Yrd. Doç. Dr. Çankırı Karatekin Üniv. Fizik 2009-2010 Araş. Gör. Dr. Gazi Üniversitesi Fizik 2005-2009 Araş. Gör. Gazi Üniversitesi Fizik 07.08-01.09.2014 Ziyaretçi Araştırmacı 04.01-02.02.2008 Ziyaretçi Araştırmacı 10.07-30.10.2006 Bilimsel Ziyaret+Kurs 2004 / 2005 Ders Yılı Laboratuvar Asistanı Helsinki Üniversitesi- FİNLANDİYA Weizmann Inst. of Science- İSRAİL Sevilla Universitesi-İSPANYA TOBB-ETU 02.09-15.09.2003 Ziyaretçi Öğrenci Radboud Üniversitesi/ HOLLANDA ALD Lab. (Kimya-Fizik) Submicron Research Lab- (MBE-Lab) Fizik Mühendislik Fakültesi/ Fizik Laboratuvarı Fizik

4. Yabancı Dil: İngilizce 5. Tezler: Doktora Tezinin Başlığı Al x Ga 1-x As/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretilmesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi Doktora Danışmanının Adı Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK Soyadı Y. Lisans Tezinin Başlığı AuAl2 bileşiğinin elektronik yapısının ve titreşim özelliklerinin yoğunluk fonksiyon teorisi ile incelenmesi Y.L. Tez Danışmanının Adı Yrd. Doç. Dr. Gökay UĞUR Soyadı 6. Araştırma Alanları: AlGaAs/GaAs QWIP yapılarının Molecular Beam Epitaxy (MBE) yöntemi ile büyütülmesi Atomic Layer Deposition (ALD) yöntemi ile büyütülen Grup III-Nitrid ince filmlerde akım iletim mekanizmalarının deneysel incelenmesi ALD ve kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile kaplanmış oksit (β-ga 2 O 3, SiO 2, TiO 2, SrTiO 3, v.s ) filmlerde dielektrik özelliklerin araştırılması İnce filmlerin elektriksel ve yapısal karaktarizasyonu 7. Projeleri: 2016- Proje İsmi: Deposition of HfO 2 thin films by atomic layer deposition technique and investigation of current-transport mechanisms. Proje Kodu: BAP FF270516L11 Görevi: Yürütücü Destekleyen Kuruluş: Çankırı Karatekin Üniv. BAP Birimi 2011-2014 Proje İsmi: Photonics Research Center Proje Kodu: DPT-2011K120290 Görevi: Araştırmacı Destekleyen Kuruluş: Devlet Planlama Teşkilatı (T.C. Kalkınma Bakanlığı) 8. İdari Görevleri: Dönemi Görevi 2011-2015 Bölüm Başkanı, Fizik Bölümü, Çankırı Karatekin Üniversitesi 2012-2016 Katıhal Fiziği Anabilim Dalı Başkanı, Fizik Bölümü, Çankırı Karatekin Üniversitesi

9. Makaleler: SCI, SSCI, AHCI gibi indekslerce taranan dergilerde yayımlanan tam metinli makaleler A.1 H. Altuntas, T. Bayrak, S. Kizir, A. Haider, N. Biyikli, Electrical conduction and dielectric relaxation properties of AlN thin films grown by hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition, SEMICONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, 31, 075003 (2016). A.2 H. Altuntas, C. Ozgit-Akgun, I. Donmez, N. Biyikli, Effect of Film Thickness on the Electrical Properties of AlN Films Prepared by PlasmaEnhanced Atomic Layer Deposition, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 62, 3627-3632 (2015). A.3 H. Altuntas, C. Ozgit-Akgun, I. Donmez, N. Biyikli, Current transport mechanisms in plasma enhanced atomic layer deposited AlN thin films, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 117, 155101 (2015). A.4 H. Altuntas, I. Donmez, C. Ozgit-Akgun, N. Biyikli, Effect of postdeposition annealing on the electrical properties of beta-ga 2 O 3 thin films grown on p-si by plasma-enhanced atomic layer deposition, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 32, 041504 (2014). A.5 H. Altuntas, I. Donmez, C. Ozgit-Akgun, N. Biyikli, Electrical characteristics of beta-ga 2 O 3 thin films grown by PEALD, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 593, 190-195 (2014). A.6 H. Altuntas, S. Ozcelik, The analysis of leakage current in MIS Au/SiO 2 /n-gaas at room temperature, SEMICONDUCTORS, 47, 1308-1311 (2013). A.7 H. Altuntas, S. Ozcelik, The interface states and series resistance analyzing of Au/SiO 2 /n-gaas at high temperatures, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 577, 143-147 (2013). A.8 M. Gokcen, H. Altuntas, S. Altindal, S. Ozcelik, Frequency and voltage dependence of negative capacitance in Au/SiO 2 /n-gaas structures, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 15 (1), 41-46 (2012). A.9 H. Altuntas, S. Altindal, S. Corekci, M. K. Ozturk, S. Ozcelik, Electrical characteristics of Au/n- GaAs structures with thin and thick SiO 2 dielectric layer, SEMICONDUCTORS, 45 (10), 1286-1290 (2011). A.10 H. Altuntas, A. Bengi, T. Asar, U. Aydemir, B. Sarikavak, Y. Ozen, S. Altindal, S. Ozcelik Interface state density analyzing of Au/TiO 2 (Rutile)/n-Si Schottky barrier diode, SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 42, 1257-1260 (2010). A.11 I. Kars, S. S. Çetin, B. Kınacı, B. Sarikavak, A. Bengi, H. Altuntas, M. K. Ozturk, S. Ozcelik, Influence of thermal annealing on the structure and optical properties of d.c. magnetron sputtered titanium dioxide thin films SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 42, 1247-1251 (2010). A.12 H. Altuntas, S. Altindal, H. Shtrikman, S. Ozcelik, A detailed study of current-voltage characteristics in Au/SiO 2 /n-gaas in wide temperature range, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 49, 904-911 (2009). A.13 H. Altuntas, S. Altindal, S. Ozcelik, H. Shtrikman, Electrical characterization of Au/n-GaAs Schottky Barrier Diodes with and without SiO 2 Insulator layer at room temperature, VACUUM, 83, 1060-1065 (2009).

A.14 H. Altuntas, A. Bengi, U. Aydemir, T. Asar, S. S. Cetin, I. Kars, S. Altindal, S. Ozcelik, Electrical characterization of current conduction in Au/TiO 2 /n-si at wide temperature range, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 12, 224-232 (2009). A.15 M. Gokcen, H. Altuntas, On the profile of temperature dependent electrical and dielectrical properties of Au/SiO 2 /n-gaas (MOS) structures at various frequencies, PHYSICA B- CONDENSED MATTER, 404, 4221-4224 (2009). A.16 S. B. Lisesivdin, H. Altuntas, A. Yildiz, M. Kasap, E. Ozbay, S. Ozcelik, DX-center energy calculation with quantitative mobility spectrum analysis in n-algaas/gaas structures with low Al content SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 45, 604-611 (2009). A.17 A. Yildiz, S. B. Lisesivdin, H. Altuntas, M. Kasap, S. Ozcelik, Electrical conduction properties of Si δ-doped GaAs grown by MBE PHYSICA B- CONDENSED MATTER, 404, 4202-4206 (2009). A.18 B. Sarikavak,, M. K. Ozturk, H. Altuntas, T. Mamedov, S. Altindal, S. Ozcelik, MBE-growth and characterization of InxGa1-xAs/GaAs (x=0.15) superlattice REVISTA MEXICANA DE FISICA, 54, 416-421 (2008). SCI-Expanded indeksince taranan dergilerde yayımlanan tam metinli makaleler A.19 H. Altuntas, T. Bayrak, A comparative study on electrical characteristics of crystalline AlN thi n films deposited by ICP and HCPA-sourced atomic layer deposition ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, DOI: 10.1007/s13391-017-6111-z. A.20 M. K. Ozturk, H. Altuntas, S. Corekci, Y. Hongbo, S. Ozcelik, E. Ozbay Strain-stress analysis of AlGaN/GaN heterostructures with and without AlN buffer and interlayer, STRAIN, 47 (S2) 19-27 (2011). A.21 H. Altuntas, S. Ozcelik, Growth and characterization of AlGaAs/GaAs quantum well infrared photodetectors, OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 4 (2), 132-135 (2010). A.22 M. Gokcen, H. Altuntas, S. Altindal Temperature dependence of electrical characteristics of Au/SiO 2 /n-gaas (MOS) structures, OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2(12), 838-841 (2008). A.23 M. Gokcen, H. Altuntas, S. Altindal Electrical and dielectric properties of Au/SiO 2 /n-gaas (MOS) structures with different oxide layer thickness OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2(12), 833-837 (2008). SCI, SCI-Expanded, SSCI, AHCI dışında uluslararası indeksler tarafından taranan dergilerde yayımlanan tam metinli makaleler B.1 Y. Bas, M. Tamer, A. Gultekin, M. K. Ozturk, H. Altuntas, S. Ozcelik, E. Ozbay Defect Research of InGaN Based on Blue LED Structures Using Reciprocal Space Mapping Gazi University Journal of Science, 28 (3), 365-375 (2015). B.2 H. M. Tutuncu, H. Altuntas, G. P. Srivastava, G. Ugur, First-principles study of electronic and dynamical properties of AuAl 2, Physica Status Solidi (c), 1(11), 3027-3030 (2004).

Yurt dışı hakemli dergilerde yayınlanan tam metinli araştırma makaleler B.3 M. Gökçen, H. Altuntas, On the anomalous peak in the forward bias C-V curves of in Au/SiO2/n-GaAs structures, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials - Symposia, 1(3), 226 229 (2009). B.4 H. Altuntas, M. Gökçen, S. Özcelik, Analysis of current-voltage characteristics in Au/n-GaAs Schottky barrier diodes in wide temperature range Journal of Optoelectronics and Advanced Materials - Symposia, 1(3), 222 225 (2009). B.5 H. Altuntas, S.B. Lisesivdin, A. Yildiz, T. Mamedov, S. Özcelik, MBE Growth and characterization of n-algaas/gaas Heterojunction, Balkan Physics Letters, 412-415 (2008). B.6 A. Yildiz, H. Altuntas, S. B. Lisesivdin, A. Bengi, and M. Kasap, Stokes shift in InGaN epitaxial layer grown by MOVPE Balkan Physics Letters, 346-348 (2008). B.7 H. Altuntas, M. K. Öztürk, T. S. Mammadov, and S. Özçelik, Structural Analysis of Al x Ga 1- xas/gaas Multi Quantum Well Structure, Fizika, 14, 88-91 (2008). 10. Bildiriler: Uluslararası Bildiriler Uluslararası kongre, sempozyum, panel, çalıştay gibi bilimsel, sanatsal toplantılarda sözlü olarak sunulan ve özet metin olarak yayımlanan bildiri metinleri C.1. C.2. C.3. C.4. H. Altuntas, T. Bayrak, S. Kizir, A. Haider, N. Biyikli, Dielectric behavior of AlN thin films deposited on p-si substrates by hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition, 16th International conference on Atomic Layer Deposition, Dublin, IRELAND (2016) (Sözlü Sunum). H. Altuntas, C. Ozgit-Akgun, I. Donmez, N. Biyikli, A Comparative study of the AlN dielectric films grown by PAALD and HCPALD, The 13th International Baltic Conference on Atomic Layer Deposition, Tartu, ESTONIA (2015). (Sözlü Sunum). H. Altuntas, A. Bengi, S. Ozkaya, A. Yildiz, M. Cakmak, T. Mammedov, S. Özçelik, MBE Growth and Structural characterization of InGaAs/GaAs QWIP, Turkish Physical Society XXIV. International Conference, Malatya, TURKEY (August-2007) (Sözlü Sunum). A. Yildiz, H. Altuntas, S. B. Lisesivdin, A. Bengi, M. Kasap, Stokes shift in In0.13Ga0.87N epitaxial layer grown by MOVPE, Turkish Physical Society XXIV. International Conference, Malatya, TURKEY (August-2007) (Sözlü Sunum). Uluslararası kongre, sempozyum, panel, çalıştay gibi bilimsel, sanatsal toplantılarda poster olarak sunulan ve tam metin olarak yayımlanan bildiri metinleri D.1 S. Ozçelik, H. Altuntas, T. Mammedov, MBE Growth and Characterization of InGaAs/GaAs Multi Quantum Well Infrared Photodetector Structure, 6th. International Microelectronic Sensors and Device Applications, Baku, AZERBAIJAN (2007).

D.2 S. Saglam, H. Altuntas, T. Mammedov, S. Ozcelik, MBE Growth and Characterization of In 0.17 Ga 0.85 As/GaAs QWIP Structure, 6th. International Microelectronic Sensors and Device Applications, Baku, AZERBAIJAN (2007). D.3 S. Cetin, S.T. Agaliyeva, B. Kinaci, T. Asar, H. Altuntas, T. S. Mammadov, S. Ozcelik, Temperature Dependence Photoluminescence Study of GaAs 1-x P x /GaAs Structure, 5th. International Scientific-Technical Conference: Topical Problems of Physics, Baku, AZERBAIJAN (2008). Uluslararası kongre, sempozyum, panel, çalıştay gibi bilimsel, sanatsal toplantılarda poster olarak sunulan ve özet metin olarak yayımlanan bildiri metinleri E.1 H. Altuntas, C. Ozgit-Akgun, I. Donmez, N. Biyikli, Electrical properties of AlN films deposited by plasma enhanced atomic layer deposition, The 13th International Baltic Conference on Atomic Layer Deposition, Tartu, ESTONIA (2015). E.2 H. Altuntas, C. Ozgit-Akgun, I. Donmez, N. Biyikli, Current Conduction Mechanisms in PlasmaEnhanced Atomic Layer Deposited AlN Thin Films on psi, 15th International conference on Atomic Layer Deposition, Portland, USA (2015). E.3 H. Altuntas, I. Donmez, C. Ozgit-Akgun, A. Haider, N. Biyikli, Effect of post-deposition annealing on the electrical characteristics of β-ga2o3 thinfilms deposited by PEALD, 14th International conference on Atomic Layer Deposition, Kyoto, JAPAN (2014). E.4 H. Altuntas,, I. Donmez, C. Ozgit-Akgun N. Biyikli, Electrical Characteristics of Ga2O3 Thin Films Deposited by Plasma enhanced Atomic Layer Deposition, 13th International conference on Atomic Layer Deposition, San Diego- USA (2013). E.5 H. Altuntas, S. Altindal, S. Özçelik, The Frequency Dependent Electrical Characteristics of Au/SiO 2 /n-gaas (MOS) Type Devices, Turkish Physical Society XXVII. International Conference, Istanbul, TURKEY (September-2010). E.6 H. Altuntas, S. Özçelik, and H. Shtrikman, Analysis of interface states and series resistance of Au/SiO2/n-GaAs Schottky barrier diodes at room temperature, 8th. International Conference on Physics of Advanced Materials (ICPAM-8), ROMANIA (2008). E.7 H. Altuntas, H. Shtrikman and S. Özçelik, The barrier height inhomogeneity in Au/n-GaAs Schottky barrier diodes, 8th. International Conference on Physics of Advanced Materials (ICPAM-8), ROMANIA (2008). E.8 H. Altuntas, M. Gökçen, Analysis of Current-voltage characteristics of Au/n-GaAs Schottky barrier diodes in wide temperature ranges, Condenced Matter Physics Conference of Balkan Countries, Muğla- TURKEY (2008). E.9 M. Gökçen, H. Altuntas, On the anomalous peak in the forward bias C-V curves of in Au/SiO 2 /n-gaas structures, Condenced Matter Physics Conference of Balkan Countries, Muğla- TURKEY (2008). E.10 M. Gökçen, H. Altuntas, Ş. Altındal Temperature dependence of electrical characteristics of Au/SiO 2 /n-gaas (MOS) strucrures, 25th. International Physics Congress, Bodrum, TURKEY (August-2008).

E.11 S. Özçelik, H. Altuntas, B. Akaoğlu, A. Bengi and T. Mammedov, Growth and Characterization of AlGaAs/GaAs Multi-Quantum Well Infrared Photodetector Structure 17th. International Vacuum Congress (IVC17), Stockholm, SWEDEN (July-2007). E.12 H. Altuntas, S. B. Lisesivdin, A. Yildiz, T. Mammedov, S. Ozcelik, MBE Growth and Characterization of n-algaas/gaas Heterojunction, Turkish Physical Society XXIV. International Conference, Malatya, TURKEY (August-2007). E.13 G. Ugur,, F. Soyalp, H. Altuntas, H. M. Tütüncü, G. P. Srivastava, Structural, Electronic, and Phonon Properties of AuAl 2 and AuGa 2, DFT Conference, Geneva, Switzerland (September 2005). E.14 H. M. Tutuncu, H. Altuntas, G. P. Srivastava, G. Ugur, First-principles study of electronic and dynamical properties of AuAl 2 11th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter (Phonons2004). St. Petersburg / RUSSIA ( July 25, 2004). Ulusal Bildiriler Ulusal kongre, sempozyum, panel, çalıştay gibi bilimsel, sanatsal toplantılarda sözlü olarak sunulan ve özet metin olarak yayımlanan bildiri metinleri F.1 S. B. Lisesivdin, H. Altuntas, A. Yıldız, M. Kasap, E. Özbay ve S. Özçelik, Sıcaklığa ve manyetik alana bağlı Hall ölçümlerinin analizi ile DX merkezi aktivasyon enerjisi hesabı, 16. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi/ Ankara, (6 Kasım 2009) (Sözlü Sunum). F.2 H. Altuntas, G. Ugur, S. Ugur, I, Akgun, The Phonon Dispersion of Ni-45%Pd Alloy, 9. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Bilkent Üniversitesi, Ankara, (Kasım 2002) (Sözlü Sunum). Ulusal kongre, sempozyum, panel, çalıştay gibi bilimsel, sanatsal toplantılarda poster olarak sunulan ve özet metin olarak yayımlanan bildiri metinleri F.3 H. Altuntas, A. Yildiz, Y. Ozen, S. Altindal, S. Ozcelik, Au/TiO 2 /n-si Schotkky Diyotlarında Ara- Yüzey Durum Analizi, 16. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi/ Ankara, (6 Kasım 2009). F.4 B. Kayhan, A. Yildiz, H. Altuntas, M. Kasap, ve S. Ozcelik, InGaAs Yarı-iletkeninin Elektriksel İletkenlik Özellikleri, 16. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi/ Ankara, (6 Kasım 2009). F.5 H. Altuntas, M. K. Öztürk, S. Özçelik, E. Özbay AlN tampon ve ara-tabakalı AlGaN/GaN HEMT yapılarında Zorlama Analizi 15. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Bilkent Üniversitesi, Ankara, (7 Kasım 2008). F.6 H. Altuntas, A. Bengi, A. Tataroglu, T. Mammedov, and S. Özçelik, In0.15Ga0.85As/GaAs Çoklu Kuantum Kuyulu Kızılötesi Fotodedektör Yapısının MBE Yöntemi İle Büyütülmesi ve Karakterizasyonu 14. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Hacettepe Üniversitesi, Ankara, (Kasım 2007). F.7 A. Bengi, S. Sarıkavak, H. Altuntas, T. Mammedov and S. Özçelik, InGaAs/InP Yapısının Moleküler Demet Epitaksi Yöntemi ile Büyütülmesi ve Karakterizasyonu 14. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Hacettepe Üniversitesi, Ankara, (Kasım 2007).

F.8 B. Sarikavak, H. Altuntas, A. Bengi, T. S. Mammadov, S. Ozcelik, Inx Ga 1-x As/ GaAs (x= 0,15) Süperörgüsü nün MBE de Büyütülmesi ve Bazı Elektriksel, Optiksel Özelliklerinin Belirlenmesi, 11. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi/ Ankara, (Aralık 2004). F.9 S. Korcak, H. Gumus, M. K. Ozturk, H. Altuntas, A. I. Kılıc, A. Bengi, T. S. Mammadov, S. Ozcelik, Alx Ga1-x As/ GaAs Kuantum Kuyu Yapısının Büyütülmesi ve X-Işınları Difraksiyonu Ölçümleri, 11. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi/ Ankara, (Aralık 2004). 11. Bilimsel Dergilerde Hakemlik: Rare Metals, Journal of Vacuum Science and Technology A, Materials Science in Semiconductor Processing, Politeknik dergisi. 12. Atıflar: ISI indeksine kayıtlı dergilerde yapılan atıf sayısı (Web of Science) 152 13. Yönettiği Tezler: Öğrenci Adı-Soyadı Yunus BAŞ Doktora Tezi (Tamamlandı-2014) (İkinci Danışman) Abdulsamed KAYA Yüksek Lisans (Tez Aşaması-Devam Ediyor) Kemal KAPLAN Yüksek Lisans (Tez Aşaması-Devam Ediyor) Tezin Adı In x Ga 1-x N (x= 0,075; 0,090; 0,100) Mavi Led'lerin mikroyapısal kusurlarının ters örgü uzay haritası ile incelenmesi HfO 2 ince filmlerin atomik katman biriktirme tekniği ile büyütülmesi ve akım-iletim mekanizmalarının incelenmesi Atomik katman biriktirme yöntemi ile büyütülmüş Al 2 O 3 ince filmlerin elektriksel özelliklerinin incelenmesi. 14. Verdiği Dersler: Dönemi Dersin Adı 2013 / 2014- Bahar Temiz Enerji Kaynakları (Lisans) 2 saat/ hafta 2014 / 2015- Güz İklim ve Atmosfer Fiziği (Lisans) 2 saat/ hafta 2014 / 2015- Güz Yarıiletken Fiziği (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2014 / 2015- Güz Kristal Büyütme Teknikleri (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2014 / 2015- Güz Opto-elektronik (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2014 / 2015- Güz Uzmanlık alan Dersi (Yüksek Lisans) 4 saat/ hafta

2014 / 2015- Bahar Temiz Enerji Kaynakları (Lisans) 2 saat/ hafta 2014 / 2015- Bahar İleri Kuantum Mekaniği-I (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2014 / 2015- Bahar İleri Malzeme Bilimi (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2014 / 2015- Bahar Katıların Optik Özellikleri (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2014 / 2015- Bahar Güneş Enerjisi (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2014 / 2015- Bahar Sağlık Fiziği (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2014 / 2015- Bahar Uzmanlık alan Dersi (Yüksek Lisans) 4 saat/ hafta 2015 / 2016- Güz Yarıiletken Fiziği (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2015 / 2016- Güz İleri Katıhal Fiziği-I (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2015 / 2016- Güz Kristal Büyütme Teknikleri (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2015 / 2016- Güz Güneş Enerjisi (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2015 / 2016- Güz Uzmanlık alan Dersi (Yüksek Lisans) 4 saat/ hafta 2015 / 2016- Bahar İleri Katıhal Fiziği-I (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2015 / 2016- Bahar Kristal Büyütme Teknikleri (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2015 / 2016- Bahar Güneş Enerjisi (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2015 / 2016- Bahar Uzmanlık alan Dersi (Yüksek Lisans) 4 saat/ hafta 2016 / 2017- Güz Genel Fizik-I (Lisans) 5 saat/ hafta 2016 / 2017- Güz Temiz Enerji Kaynakları (Lisans) 2 saat/ hafta 2016 / 2017- Güz İklim ve Atmosfer Fiziği (Lisans) ) 2 saat/ hafta 2016 / 2017- Güz İleri Kuantum Mekaniği-I (Yüksek Lisans) ) 3 saat/ hafta 2016 / 2017- Güz İleri Malzeme Bilimi (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2016 / 2017- Güz Güneş Enerjisi (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta 2016 / 2017- Güz Kristal Büyütme Teknikleri (Yüksek Lisans) 3 saat/ hafta