1.1 Özet ve Motivasyon

Benzer belgeler
1.1 Özet ve Motivasyon

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER

Yarım Dalga Doğrultma

DENEY FÖYÜ 5: Diyotlu Doğrultma Devreleri

KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ

DENEY 3 DİYOT DOĞRULTUCU DEVRELERİ

2. Bölüm: Diyot Uygulamaları. Doç. Dr. Ersan KABALCI

DENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

DENEY 2 Diyot Doğrultma Devreleri ve Gerilim Katlayıcı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları

TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR

DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

Şekil 1. Bir güç kaynağının blok diyagramı

Deney 1: Saat darbesi üretici devresi

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP

Deney 3 5 Üç-Fazlı Tam Dalga Tam-Kontrollü Doğrultucu

Adapazarı Meslek Yüksekokulu Analog Elektronik

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER

ELM 232 Elektronik I - Deney 2 Zener Diyotlu Regülatör Tasarımı. Doğrultucu Regülatör Yük. R L yükü üzerinde oluşan sinyalin DC bileşeni

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

dirençli Gerekli Donanım: AC güç kaynağı Osiloskop

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

DENEY-4 Yarım ve Tam Dalga Doğrultucular

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

BÖLÜM 2 DİYOTLU DOĞRULTUCULAR

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

DENEY NO : 6 KIRPICI DİYOT DEVRELERİ

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

DENEY 5. Pasif Filtreler

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ

kdeney NO:1 OSİLASKOP VE MULTİMETRE İLE ÖLÇME 1) Osiloskop ile Periyot, Frekans ve Gerlim Ölçme

Kırpıcı devrelerin çalışma prensiplerinin deney yoluyla incelenmesi.

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

4. 8 adet breadboard kablosu, 6 adet timsah kablo

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI

DENEY 11 PUT-SCR Güç Kontrolü

DENEY-2 ANİ DEĞER, ORTALAMA DEĞER VE ETKİN DEĞER

TEK FAZLI KONTROLLU VE KONTROLSUZ DOĞRULTUCULAR

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY - I

DENEY 5. Rezonans Devreleri

1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

Proje Teslimi: güz yarıyılı ikinci ders haftasında Devre ve Sistem Analizi Dersinde teslim edilecektir.

1. Şekildeki devreyi benzetim programında kurunuz (sinyal kaynağı: 3Hz, sinüzoidal dalga: min -3V, max 3V, diyot:1n4001).

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2: DĠYOT UYGULAMALARI

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

DENEY 3: DOĞRULTUCU DİYOT VE ZENER DİYOT UYGULAMASI

Transkript:

Yıldız Teknik Üniversitesi Elektrik Mühendisliği Bölümü Elektroniğe Giriş Laboratuvarı Deneyin Amacı Diyot çeşitleri ve çalışma prensiplerinin anlaşılması ve diyotların başlıca kullanım alanlarından biri olan doğrultucu devrelerinin incelenmesi Direncin küçük olduğu yöne "doğru yön" veya "iletim yönü", büyük olduğu yöne "ters yön" veya "tıkama yönü" denir. Diyot sembolü akım geçiş yönünü gösteren bir ok şeklindedir.. Özet ve Motivasyon.. Diyotların Çalışma Prensipleri Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren iki uçlu devre elemanıdır. Diyot N tipi yarıiletken madde ile P tipi yarıiletken maddenin bir araya gelmesi ile oluşur. Diyotun P kutbuna "Anot", N kutbuna da "Katot" adı verilir. Ayrıca, diyodun uçları pozitif () ve negatif ( ) işaretleri ile de belirtilir. Diyodun anoduna, gerilim kaynağının pozitif () kutbu, katoduna kaynağın negatif ( ) kutbu gelecek şekilde gerilim uygulandığında diyot iletime geçer. Pratikte diyotların davranışları yukarıda açıklanan ideal diyot karakteristiğinden biraz farklıdır. Diyotlar pratikte, pozitif yönde eşik geriliminin üzerinde (genellikle 0,7 V civarı) bir gerilim uygulanması ile iletime girer. Bu yüzden iletimde iken diyot üzerinde 0,7V civarı bir gerilim düşümü olur. Diyot üzerindeki gerilim düşümü diyottan geçen akım arttıkça bir miktar artar. Bu artış diyotta bulunan küçük değerli iç dirençten kaynaklanır. Dolayısıyla pratikte ileri yönde iletimde olan bir diyot; seri bağlı ideal diyot, direnç ve ters bağlı bir gerilim kaynağı ile modellenebilir. Ters yönde ise (ters kutuplama), delinme gerilimine kadar çok küçük sızıntı akımlar geçiren bir yalıtkan gibidir. Ancak delinme geriliminin üzerinde bir ters gerilim uygulanırsa, güç kaybından dolayı diyot yarı iletken özelliğini kaybeder ve genellikle iletken hale gelir. Bu duruma, genel olarak çığ devrilme denilmektedir. Şekil.2 de diyot akım gerilim karakteristiği verilmiştir. deney Şekil. : Diyot simgesi ve P N Jonksiyonu Işık Yayan Diyot (LED) : Üzerinden akım geçtiğinde ışık yayan bir diyot çeşididir. Üzerlerinden geçen akımın kontrol edilmesi amacıyla genellikle bir dirence seri bağlanırlar. Bu direncin diyot ile aynı pakete yerleştirildiği modeller (LED) de bulunmaktadır. Genellikle 2 ma civarı bir akımla gözle görülür ışık yayabilen LEDler, üzerinden 20 ma civarı bir akım geçtiğinde oldukça parlak olarak ışık verirler. Zener Diyot : Ters kutuplama altında (zener bölgede) güvenli bir şekilde çalışması için tasarlanmış bir diyot çeşididir. Diyotun ters kutuplama altındaki devrilme noktasından yararlanılarak geliştirilmiş özel diyotlardır. Zener diyotlar doğru kutuplama yapılırsa normal kristal diyot gibi (Germenyum=0,V, Silisyum=0,7V) iletime geçerler. Ters kutuplama yapıldığında ise delinme (zener) gerilimine kadar iletime geçmezler. Uygulanan gerilim delinme değerinin üstüne çıktığında çığ etkisi şeklinde akım geçirirler. Zener diyotlar, dalgalı doğru gerilimden düzgün doğru gerilim elde etmek için veya gerilim regülasyonu amacıyla kullanılır. Şekil.2 : Diyot akım gerilim karakteristiği Anot gerilimi katot geriliminden büyük olduğunda diyot, ihmal edilebilecek kadar küçük değerli bir iç dirence sahip olan iletken gibi davranır ve akım anottan katota doğru ok yönünde serbestçe akar. Ancak katot gerilimi anot geriliminden büyük olduğunda diyot sonsuz dirence sahiptir ve akım akmasına izin vermez. Şekil. : Zener diyot ve LED (Light Emitting Diode)

Yıldız Teknik Üniversitesi Elektrik Mühendisliği Bölümü Elektroniğe Giriş Laboratuvarı deney..2 Yarım Dalga ve Tam Dalga Doğrultucu Doğrultucularda, şebeke gerilimi bir transformatör ile daha küçük bir seviyeye düşürülür. Bu gerilim diyotlar ile doğrultulur. Doğrultma işlemi için Yarım Dalga ve Tam Dalga Doğrultucular kullanılır. Transformatörden alınan gerilim, ortalaması veya DC bileşeni olan tek yönlü dalgalı bir işarete çevrilir. Bu işaretin dalgalılığı, filtre edilerek azaltılır. Doğrultucular, yük üzerinden tek yönde akım geçmesini sağlar. Şekil. te tek yönlü ve çift yönlü doğrultucu devreler gösterilmiştir. Anlaşılacağı gibi tek yönlü doğrultucuya ait çıkış işareti ortalama değeri, çift yönlü doğrultucunun çıkış işaretinin yarısı kadardır. Tek yönlü doğrultucu için çıkış işareti genlik değeri Vdc = Vm / π olarak tanımlanır. Şebeke gerilimi orta uçlu bir transformatör ile düşürüldüğü durumda iki diyot ile tam dalga bir doğrultucu tasarlanabilir. Bu durumda pozitif alternansta üst koldaki, negatif alternansta ise alt koldaki diyot iletime geçer. Ancak bu durumda çıkışa transformatör geriliminin yarısı uygulanmış olur. VAC Vout L Şekil.6 : Orta uçlu bir transformatör tam dalga doğrultucu şeması ve çıkış dalga şekli Tam Dalga doğrultucu elde etmenin daha uygun bir yöntemi ise Şekil.7 de gösterilen diyot köprüsüdür. Diyot köprüsünde, pozitif alternansta ve nolu diyotlar iletime geçer ve giriş gerilimi yüke uygulanmış olur. Negatif alternansta ise 2 ve nolu diyotlar iletime geçerek, negatif giriş geriliminin yüke ters olarak uygulanmasını sağlarlar. Bu şekilde yük üzerinden hem pozitif hem de negatif alternansta akım geçmektedir ve T süresi boyunca çıkış gerilimi alınır. Her bir alternans için yarı iletken elemanların üzerinden geçen akımın yönü Şekil.'de verilmiştir. Şekil. : Yarım dalga doğrultucu ve tam dalga doğrultucu devreye ait akım yönleri VAC VAC Vout Vout L Yarım dalga doğrultucularda, giriş geriliminin pozitif olduğu zamanlarda diyot iletimde olup giriş gerilimi çıkışa iletilmektedir. Giriş gerilimi negatif olduğu durumda ise diyot sonsuz direnç gösterir ve çıkış gerilimi sıfır olur. Dolayısıyla, yük üzerinden sadece pozitif alternansta akım geçer. Bu nedenle yük üzerinde, besleme geriliminin periyodu T olmak üzere, T/2 süresince çıkış gerilimi ölçülür. Şekil.7 : Köprü diyot tam dalga doğrultucu şeması ve çıkış dalga şekli Doğrultulmuş işaretin ortalama değerini arttırma amaçlı olarak, doğrultucu çıkışına, gerilim değeri AC sinyalin tepe değerinin daha üzerinde olan bir kondansatör bağlanır. Yüksek frekanslı giriş işareti için küçük değerli, alçak frekanslı giriş işareti için ise daha büyük değerli bir kondansatör kullanılmalıdır. Aksi durumda filtreleme işlemi gerçeklenemez. Şekil. : Yarım Dalga Doğrultucu için dalga doğrultucu şeması ve çıkış gerilim şekli Doğrultulmuş gerilim tepe değerine eriştiği anlarda kapasitör şarj edilir. İki tepe değeri arasında, kapasitör yükü besler ve deşarj olur. Bu durum DC gerilimde bir dalgalanma meydana getirir. Kapasitör deşarj süresi sabiti C olduğundan, dalgalanma büyüklüğü daha büyük bir kondansatör kullanılarak azaltılabilir.

Yıldız Teknik Üniversitesi Elektrik Mühendisliği Bölümü Elektroniğe Giriş Laboratuvarı Filtreleme işlemine tabi tutulmuş işaretin tepe dalgalanmasının genliği denklem (.) den hesaplanabilir. (.) V Vm fc V i V Z I Z L (.2) yük direnç, f frekans değeri, C kondansatör değeri, V m AC işarete ait gerilim tepe değeri. Bu durumda DC işaretin genliği ise tepe dalgalanması değerinden yararlanılarak hesaplanır. V dc V o V m V Vm.( ) fc Şekil.9 : Basit bir gerilim regülatörü devre şeması Zener diyotla yapılan gerilim regülatörünün daha gelişmiş versiyonu, zener diyotlar, dirençler, ve transistörler içeren gerilim regülatör entegreleridir. Örneğin 78L0, giriş, çıkış ve toprak olmak üzere üç bacağı olan voltluk bir gerilim regülatörüdür. Girişine 7 0V arasında bir gerilim uygulandığında çıkışından V elde edilir. Girişine bağlanan dalgalı regüle edilmemiş gerilimden 78L0 aracılığı ile düzgün gerilimli güç kaynağı elde edilir. Çalışma prensibi ayrıntıları için 78L0 datasheeti incelenebilir. deney Doğrultulmuş işaretin dalgalılık faktörü, Denklem. ile ifade edilebilir. (.) r V ef / V ( V / ) / V dc dc 2 fc.2 Uygulama Bölümü :.2. Deneyden Önce Yapılması Gerekenler VAC C L Vout İstenen bilgileri yaptığınız araştırmalardan anladığınız şeyleri özetleyerek el yazınız ile cevaplayınız. Bu bilgileri ön rapor olarak hazırlayıp deneye beraberinizde getiriniz. Şekil.8 : Köprü diyot çıkışının kapasite ile düzeltilmesi..2 Gerilim egülatörü Düzgün bir DC gerilim elde edebilmek için gerilim regülasyonu yapılmalıdır. En basit gerilim regülatörü, bir zener diyot kullanılarak yapılabilir. Bu uygulamalarda zener diyotların ters kutuplama altındaki davranışından faydalanılır. Doğrultulmuş sinüsoidal gerilim ters kutuplanmış zener diyoda uygulandığında, sinüsoidal gerilimin zener geriliminden yüksek olan değeri kırpılmış olur. Böylece daha düzgün bir gerilim elde edilir. Şekil.9 da böyle basit bir gerilim regülatörü devre şeması görülmektedir. Zener diyotların bu özelliğinden gelişmiş güç kaynakları gibi uygulamalarda gerilim referansı elde etmek için faydalanılır. Osiloskop kullanımı ve sinyal jeneratörü kullanımı ile ilgili dökümanlara çalışınız. 2 Direnç kodlarının okunması ile ilgili dökümana çalışınız. Sinyal generatorü ile xx V maksimum genliği olan xx khz bir gerilimin nasıl elde edileceğini kısaca açıklayınız. (Burada xx öğrenci numaranızın son iki hanesidir.) Bu dalganın osiloskopta kendi belirlediğiniz volts/div ve sec/div ayarları ile nasıl görüneceğini çiziniz. Çizimde seçtiğiniz ayarları ve referans çizgilerini de veriniz. Diyotların ve zener diyotların çalışma prensiplerini inceleyiniz. Bilgilerinizi föy harici kaynaklarla da destekleyiniz. Edindiğiniz bilgilere göre diyot ve zener diyot akım gerilim karakteristiklerini çizerek, grafikler aracılığı ile çalışma prensiplerini açıklayınız. Doğrultucu çeşitlerini ve kullanım alanlarını belirtiniz. En yaygın kullanıma sahip doğrultucu çeşidi hangisidir? Neden?

Yıldız Teknik Üniversitesi Elektrik Mühendisliği Bölümü Elektroniğe Giriş Laboratuvarı deney.2.2 Gerekli Cihaz ve Elemanlar adet osiloskop adet dc ampermetre adet dijital multimetre adet sinyal jeneratörü adet N9 veya N00 diyot adet kω direnç 2 adet 00 Ω direnç adet. V zener diyot adet 0 µf/2 V kondansatör adet 22 µf/2 V kondansatör adet 7 µf/2 V kondansatör.2. Deneyin Yapılışı Yarım Dalga Doğrultucu Şekil.0'da gösterilen yarım dalga doğrultucuyu kurunuz. 2 Sinyal jeneratörü ile ürettiğiniz V S(p p)=20v / 0Hz AC gerilim için V o DC geriliminin maksimum (tepe) değerini ölçünüz. V o gerilimini osiloskopta V S(p p)=20v/ khz olarak değiştirip, V o DC geriliminin maksimum değerini ölçünüz. V o gerilimini osiloskopta Tam Dalga Doğrultucu Şekil.'de gösterilen tam dalga doğrultucuyu (kondansatör hariç) kurunuz. 2 Sinyal jeneratörü ile ürettiğiniz V S(p p)=20v/00hz AC gerilim için, V o DC geriliminin maksimum(tepe) değerini ölçünüz. V o gerilimini osiloskopta gözlemleyerek, dalga şeklini kaydediniz. Negatif ve pozitif yarı periyotlarda, akımın diyot köprüsü üzerinden yolunu nasıl tamamladığını raporunuzda açıklayınız. Şekil.'de gösterildiği gibi = kω luk yük direncine paralel olarak, C=22 μf lık bir elektrolitik kapasite bağlayınız. Bu durumda V o DC geriliminin maksimum değerini ölçünüz. V o gerilimini osiloskopta Kapasiteye zarar vermemek veya patlamasına yol açmamak için bağlantı yaparken kapasitenin yönüne dikkat ediniz. Yüke parelel kapasite bağlamanın çıkış gerilimi tepe dalgalanması üzerinde nasıl bir etki sağladığını raporunuzda açıklayınız. V S(p p) =20V/ khz için V o DC geriliminin maksimum değerini ölçünüz. V o gerilimini osiloskopta Gerilim dalgalanmasının ( V) frekans değişimine bağlı olarak nasıl değiştiğini raporunuzda açıklayınız. V S(p p) =20V/00 khz olarak değiştirip, V o DC geriliminin maksimum değerini ölçünüz. V o gerilimini osiloskopta V S(p p) =20V/00 Hz için C=7 μf bağlayarak gerilim dalgalanmasını inceleyiniz. V o gerilimini osiloskopta Dalga şeklinin farklı olduğunu göreceksiniz. Bu diyodun ters toparlanma süresi ile ilgilidir. Ters toparlanma süresinin ne olduğunu ve yüksek frekanslarda bizi nasıl etkilediğini ve bu problemin nasıl çözümlendiğini araştırınız ve raporunuzda açıklayınız. Vs N9 veya N00 Io A kω Vo Vs Gözlemlediğiniz dalga şeklini. adımda kaydettiğiniz dalga şekli ile karşılaştırarak, kapasite değerini değiştirmenin çıkış gerilimi dalgalanması üzerinde nasıl bir etki sağladığını raporunuzda açıklayınız. V DC A Io kω Vo C Şekil.0 : Yarım dalga doğrultucu devre şeması Şekil. : Tam dalga doğrultucu devre şeması

Yıldız Teknik Üniversitesi Elektrik Mühendisliği Bölümü Elektroniğe Giriş Laboratuvarı 6 Devrede yük direncini =00Ω olarak değiştirerek (V S(p p) =20V/00Hz, C=22 μf değerleri için) tepe dalgalanmasını inceleyiniz. V o gerilimini osiloskopta Devre Devre Parametreleri Gerilim Frekansı Yük Direnci Kapasite Değeri Çıkış Büyüklükleri Maksimum Gerilim Gerilim Dalgalanması Gözlemlediğiniz dalga şeklini. adımda kaydettiğiniz dalga şekli ile karşılaştırarak, yükü değiştirmenin çıkış gerilimindeki dalgalanmayı nasıl etkilediğini raporunuzda açıklayınız. Zener Gerilim egülatörü Şekil.2'de gösterilen zener gerilim regülatörü devresini (kondansatör hariç) kurunuz. Burada zener diyodun ters olarak (ters kutuplama) bağlandığına dikkat ediniz. 2 V S(p p)=20v/00 Hz için V o DC geriliminin maksimum değerini ölçünüz. V o gerilimini osiloskopta Yarım Dalga Doğrultucu Tam Dalga Doğrultucu Zener Gerilim egülatörü 0 Hz kω khz kω 00 khz kω 00 Hz kω 00 Hz kω 22 μf khz kω 22 μf 00 Hz kω 7 μf 00 Hz 00 Ω 7 μf 00 Hz kω 00 Hz kω 0 μf 00 Hz 00 Ω deney Zener diyot bağlamanın bağlamanın çıkış geriliminin dalgalanmasına nasıl bir etki yaptığını raporunuzda açıklayınız.. apor Hazırlanması : VAC Devrede gösterilen yere C=0 μf bağlantısını yaparak tepe dalgalanmasını inceleyiniz. V o gerilimini osiloskopta Bu kapasite değerinin tam dalga doğrultucuda kullanılan kapasite değerinden küçük olduğunu göz önünde bulundurarak, raporunuzda nedenleriyle birlikte performans değerlendirmesi yapınız. (Opsiyonel) 2. adımdaki devrede L yük dürencini =00Ω yaparak V o gerilimini osiloskopta gözlemleyiniz. 2. adıma göre dalga şeklinde oluşan farklılığı açıklamaya çalışınız. 2 C =00Ω V Z I Z L =kω L Deneyde aldığınız bütün dalga şekillerini rapora ekleyiniz. 2 aporunuzu örnek rapor formatına uygun şekilde hazırlayınız. Deneyin yapılışında bulunan bütün adımları simülasyon ortamında kurarak çalıştırınız. Simülasyondan elde edilen ve deneyde kaydettiğiniz sonuçları bir arada vererek karşılaştırınız. Deney maddeleri arasındaki inceleme ve araştırma içeren ve raporda açıklanması istenen maddelerin ( ile belirtilen maddeler) sonuçlarını raporunuza ekleyiniz. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucular ve zener gerilim regülatörü çıkış gerilimlerinin ortalama değerini hesaplayıp karşılaştırınız. Dalga şekilleri ve çıkış gerilimleri ortalama değerlerine bakarak hangi doğrultucu tipinin daha iyi olduğunu açıklayınız. Şekil.2 : Zener gerilim regülatörü devre şeması

N00 - N007 General Purpose ectifiers Features Low forward voltage drop. High surge current capability. Absolute Maximum atings * T A = 2 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value 00 002 00 00 00 006 007 May 2009 V M Peak epetitive everse Voltage 0 00 200 00 600 800 000 V I F(AV) I FSM Average ectified Forward Current.7 " lead length @ T A = 7 C Non-epetitive Peak Forward Surge Current 8.ms Single Half-Sine-Wave DO- COLO BAND DENOTES CATHODE Units.0 A 0 A I 2 t ating for Fusing ( t<8.ms ).7 A 2 sec T STG Storage Temperature ange - to 7 C T J Operating Junction Temperature - to 7 C N00 - N007 General Purpose ectifiers * These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired. Thermal Characteristics Symbol Parameter Value Units P D Power Dissipation.0 W θja Thermal esistance, Junction to Ambient 0 C/W Electrical Characteristics T A = 2 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V F Forward Voltage @.0A. V I rr Maximum Full Load everse Current, Full Cycle T A = 7 C I everse Current @ ated V T A = 2 C T A = 00 C 2009 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com N00 - N007 ev. C2 0 µa C T Total Capacitance V =.0V, f =.0MHz pf.0 0 µa µa

Typical Performance Characteristics Figure. Forward Current Derating Curve Figure. Non-epetitive Surge Current Figure 2. Forward Characteristics Figure. everse Characteristics N00 - N007 General Purpose ectifiers 2009 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com N00 - N007 ev. C2 2

N9 Small Signal Diode December 200 N9 Small Signal Diode DO- Color Band Denotes Cathode Absolute Maximum atings * T a = 2 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Unit V M Maximum epetitive everse Voltage 00 V I F(AV) Average ectified Forward Current 00 ma I FSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width =.0 second Pulse Width =.0 microsecond.0.0 A A T STG Storage Temperature ange -6 to 200 C T J Operating Junction Temperature 7 C * These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired. NOTES: ) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C. 2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations. Thermal Characteristics Symbol Parameter Value Unit P D Power Dissipation 00 mw θja Thermal esistance, Junction to Ambient 00 C/W Electrical Characteristics T C = 2 C unless otherwise noted Symbol Parameter Conditions Min. Max Units V Breakdown Voltage I = µa I = 00µA V F Forward Voltage I F = 0mA.0 V I everse Leakage V = 20V V = 20V, T A = 0 C C T Total Capacitance V = 0, f =.0MHz 2 pf t rr everse ecovery Time I F = 0mA, V = 6.0V ns L = 00Ω, I rr = ma 7 00 2 0 V V na µa 200 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com N9 ev. A

BZX8CV - BZX8C6 Zener Diodes Tolerance = % September 20 BZX8CV - BZX8C6 Zener Diodes DO- Glass Case COLO BAND DENOTES CATHODE Absolute Maximum atings Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at T A = 2 C unless otherwise noted. Symbol Parameter Value Units Power Dissipation @ T A = 2 C.0 P D Power Dissipation @ T L = 2 C at mm distance from the glass W. package Derate above 0 C 6.67 mw/ C T J, T STG Operating and Storage Temperature ange -6 to 200 C 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com BZX8CV - BZX8C6 ev...0

Electrical Characteristics Values are at T A = 2 C unless otherwise noted. Device BZX8CV BZX8CV6 BZX8CV9 BZX8CV BZX8CV7 BZX8CV BZX8CV6 BZX8C6V2 BZX8C6V8 BZX8C7V BZX8C8V2 BZX8C9V BZX8C0 BZX8C BZX8C2 BZX8C BZX8C BZX8C6 BZX8C8 BZX8C20 BZX8C22 BZX8C2 BZX8C27 BZX8C0 BZX8C BZX8C6 BZX8C9 BZX8C BZX8C7 BZX8C Zener Voltage () Zener Impedance Leakage Current V Z (V) I Z Z Z @ I Z Z ZK @ I ZK I @ V Min. Max. ma (Ω) (Ω) (ma) μa Max. Volts...7.0..8.2.8 6. 7.0 7.7 8. 9. 0.. 2..8. 6.8 8.8 20.8 22.8 2. 28 7 0 8..8..6. 6 6.6 7.2 7.9 8.7 9.6 0.6.6 2.7..6 7. 9. 2.2 2. 2.6 28.9 2 8 6 0 80 60 60 0 2 2 2 20 20 20 0 0 0 8 8 8 8 6 6 20 0 7. 7 8 9 0 20 2 2 2 0 0 0 0 90 00 00 00 00 600 00 00 00 00 200 200 200 200 00 0 00 00 00 00 600 600 600 70 000 000 000 000 000 00 00 BZX8C6 2 60 20 2000 9 V F Forward Voltage =.2 V Max @ I F = 200 ma Note:. Zener Voltage (V Z ): The zener voltage is measured with the device junction in the thermal equilibrium at the lead temperature (T L ) at 0 C ± C and /8 lead length. 60 0. 2 2. 6. 7 7.7 8. 9. 2.. 7 9 2 2 2 27 0 6 BZX8CV - BZX8C6 Zener Diodes 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com BZX8CV - BZX8C6 ev...0 2