Deneyle İlgili Ön Bilgi:



Benzer belgeler
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

DENEY-3. FET li Yükselticiler

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü ESM 413 Enerji Sistemleri Laboratuvarı-I

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

MOSFET Karakteristiği

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

DENEY 2: AC Devrelerde R, L,C elemanlarının dirençlerinin frekans ile ilişkileri ve RC Devrelerin İncelenmesi

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

EET-102 DENEY KİTAPÇIĞI

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI. DENEY 3 ve 4 SERİ, PARALEL VE KARIŞIK BAĞLI DİRENÇ DEVRELERİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 3: ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID) KONTROL ELEMANLARININ İNCELENMESİ *

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

V R1 V R2 V R3 V R4. Hesaplanan Ölçülen

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

DENEY 5. Rezonans Devreleri

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.

Deney 1: Saat darbesi üretici devresi

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS

Şekil 3-1 Ses ve PWM işaretleri arasındaki ilişki

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

HABERLEŞME ELEKTRONĐĞĐNE DENEY FÖYLERĐ 2011 V.Y.S.

AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ LABORATUVAR DENEY # 1

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY NO: 7 OHM KANUNU

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi

Transkript:

DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise akım kuvvetlendiricisi olarak kullanmak. Deneyle İlgili Ön Bilgi: BJT, çıkışındaki v-i karakteristiklerinin girişine akan akım ile kontrol edildiği bir üç uçlu elektronik devre elemanıdır. p kanallı bir BJT transistorun v-i karakteristikleri Şekil 1 de görülmektedir. Şekil 1. Transistorün akım-gerilim karakteristiği Transistörlü kuvvetlendiriciler tasarlanırken öncelikle doğru akım çalışma şartları belirlenir. Bu amaçla kurulan devrelere kutuplama devreleri denir. Ayrıca devre giriş ve çıkış bağlantıları çeşitli şekillerde yapılarak, transistörlü devrenin değişik özelliklerinden yararlanılır. Transistörlü kuvvetlendiricilerde üç çeşit bağlantı vardır. Bunlar : Ortak emetörlü (Common emitter - CE ), Ortak bazlı (Common Base - CB ) ve Ortak kolektörlü (Common Collector - CC). En çok tercih edilen Ortak emetörlü devre akım, gerilim ve güç kuvvetlendirmesini 180 faz farkıyla sağlayan devre şeklidir. Ortak emetörlü devrenin küçük işaret giriş ve çıkış dirençleri orta seviyelerde ( k mertebesinde) dir. Ortak bazlı devre yüksek gerilim kazancını ve Ortak kolektörlü devre ise yüksek akım kazancını faz farkı olmaksızın sağlarlar. Ortak kolektörlü devrenin giriş direnci yüksek (100 k mertebesinde), çıkış direnci ise küçük (50 mertebesinde) dür. Ortak kolektörlü devreye emetör çıkışlı devre veya emetör takipçisi de denir. Ortak kolektörlü devre, küçük empedanslı yükleri sürmek için kullanılr. Örnek olarak yüksek empedanslı bir çıkış katı ve düşük empedanslı bir yük bulunsun. Bu haliyle yük devreye bağlanacak olsa çıkışı kısa devre edeceğinden kuvvetlendirme işlemi gerçekleşmez ve çıkıştan istenen işaret elde edilemez. İşte böyle bir 10

durumda ortak kolektörlü bir devre kullanılır. Yüksek dirençli çıkış katı, ortak kolektörlü devrenin yüksek giriş direncine ve ortak kolektörlü devrenin düşük çıkış direnci, düşük yük direncine kuple olarak çıkışta istenen kuvvetlendirme sağlanır. Bu empedans uyumu sayesinde yüke istenen güç aktarımı gerçekleşir. Bu nedenle ortak kolektörlü devreler bir kuvvetlendirici grubunun son katında yer alırlar. Transistorlu kuvvetlendiriciler, devre ve yarı iletken eleman nedeniyle sınırlı bir frekans aralığında çalışırlar. Alçak frekanslarda genellikle bağlama kondansatörleri sebebiyle alt kesim frekansı belirlenir. Yüksek frekanslarda ise transistorun jonksiyon kapasiteleri ve uçlar arasında etkin olan kaçak kapasiteleri sebebiyle oluşan üst kesim frekansının üzerine çıkılamaz. Aradaki frekans spektrumu boyunca (orta frekanslar bölgesinde ) kazanç hemen hemen sabittir. Elektronik devre analizinde verilen eşdeğer devreler ve yapılan bir takım kabuller bu orta frekans bölgesinde geçerlidir. Alçak ve yüksek frekanslarda devre elemanlarındaki empedans değişikliklerinden dolayı devrenin kazancı hızla düşer. Şekil 2. de böyle bir kuvvetlendiricinin gerilim kazancı ile frekans değişimi arasındaki ilişki verilmiştir. Kv K V1 0.7 *K V1 f (Hz.) f alt f üst Şekil 2. Transistörlu kuvvetlendiricinin frekans tepkisi Devrenin band genişliği = BW = f üst - f alt f üst Deneyle İlgili Ön Çalışma: 1. Deneyde kullanılan transistörün karakteristiklerini araştırınız. 2. Deneyde yapılacak olan (Şekil 3 te verilmiş bulunan) Ortak Emetörlü devrenin gerilim kazancını yaklaşık olarak bulunuz ve bulduğunuz çözümü (yazılı olarak) deneye gelirken ilgili öğretim elemanlarına teslim ediniz. 11

Deneyin Yapılışı: 1. Deneyde kullanacağınız transistörün akım kazancını dijital AVOmetre kullanarak ölçüp kaydedin. hfe =... 2. Sinyal üretecini devreye bağlamadan Şekil 3 te verilmiş olan deney bağlantısını kurun. Devreye enerji verin. DC Voltmetre ile Transistör uçlarındaki gerilimleri ölçünüz. V BQ =... volt, V CQ =... volt, V EQ =... volt Vcc = +12v Giriş R 1 22 k C C1 + R C 8k2 + C C2 Çıkış Rg 47k Vg R 2 R E + C E Vç R y 3k3 1k 220 Şekil 3. Ortak Emetörlü Kuvvetlendirici 3. Sinyal üretecini devreye bağlayın. Osilaskobun 1. kanalını girişe, 2. kanalını çıkışa bağlayın. Sinyal üretecinin frekansını 1kHz. ve genliğini de osilaskop ekranındaki çıkış dalgasında distorsiyon oluşuncaya kadar artırın. Giriş ve çıkış gerilimlerini ekrandan okuyunuz. Vgpp =... volt, Vçpp =... volt. Küçük işaret gerilim kazancını ve faz farkını hesaplayın. Kv =... =... 4. Sinyal üretecinin genliğini kesinlikle değiştirmeden, sinyal üretecinin frekansını yavaş yavaş azaltın. Time-base ayarını düşürerek Osilaskoptan çıkış sinyalini takip edin. Bu durumda çıkış gerilim genliğinin azaldığını göreceksiniz. Çıkış gerilim genliği 0.707*Vçpp değerine düştüğünde, sinyal üretecinin frekansını kaydedin. fa =...Hz. Bu frekans, kuvvetlendiricinin alt kesim frekansıdır. Bu frekans değerinin biraz altında ve biraz üstündeki birer frekans için çıkış geilimlerini kaydedin. fa1 =...Hz., Vçpp1 =...... volt. fa2 =...Hz., Vçpp2 =...... volt. 5. Sinyal üretecinin frekansını 1 khz. e getirip çıkış gerilim genlik değerinin önceki değerle aynı olduğunu görmelisiniz. Aynı değilse ayarlayınız. Şimdi sinyal üretecinin genliğini kesinlikle değiştirmeden, sinyal üretecinin frekansını yavaş yavaş artırın. 12

Time-base ayarını artırarak Osilaskoptan çıkış sinyalini takip edin. Bu durumda çıkış gerilim genliğinin azaldığını göreceksiniz. Çıkış gerilim genliği 0.707*Vçpp değerine düştüğünde, sinyal üretecinin frekansını kaydedin. fü =...Hz. Bu frekans, kuvvetlendiricinin üst kesim frekansıdır. Bu frekans değerinin biraz altında ve biraz üstündeki birer frekans için çıkış gerilimlerini kaydedin. fü1 =...Hz, Vçpp1 =...... volt fü2 =...Hz, Vçpp2 =... volt. 6. Elde ettiğiniz frekans değerlerini ve bunlara karşılık gelen kazançları aşağıda boş olarak verilen grafiğe çizerek kuvvetlendiricinin kazanç-frekans eğrisini çıkarınız. Band genişliğini işaretleyiniz. Adım 6: Kazanç-Frekans Eğrisi 7. Şekil 4 te verilen ortak kolektörlü transistör devresini kurunuz. +12 v Giriş R B 220 k C C1 Çıkış C C2 Vg 1k R E 220 R y 2k2 Şekil 4. Ortak Kolektörlü Kuvvetlendirici 13

8. Devreye enerji verin. DC Voltmetre ile Transistör uçlarındaki gerilimleri ölçünüz. ( Bu ölçümü yaparken sinyal üretecini devre dışı yapın. ) VBQ =... volt, VCQ =... volt, VEQ =... volt. 9. Osilaskobun 1. kanalını girişe, 2. kanalını çıkışa bağlayın. Sinyal üretecinin frekansını 1kHz. yapın. Sinyal üretecinin genliğini de osilaskop ekranındaki çıkış dalgasında distorsiyon oluşuncaya kadar artırın. Giriş ve çıkış gerilimlerini ekrandan okuyunuz. Vgpp =... volt, Vçpp =... volt. Küçük işaret gerilim kazancını ve faz farkını hesaplayın. Kv =... =... 10. Deney setinin enerjisini kesin. Bu kısımda devrenin AC giriş direnci deneysel olarak bulunacaktır. Bunun için Sinyal üreteci ile devre girişi (Cc1 kondansatörü ) arasına seri bir ayarlı direnç (yani 47 k luk bir potansiyometre) bağlayın. Potansiyometrenin orta ucu ile sabit uçlardan biri ayarlı değişken direnç olarak kullanılacaktır, diğer sabit uç boştadır. Potansiyometre direncini sıfırlayıp Deney setine enerji verin. Çıkıştaki dalga şeklini gözleyerek, potansiyometrenin direncini artırın. Çıkıştaki distorsiyonsuz dalga şeklinin genliği, başlangıçtaki dalga şeklinin yarısına ( Vçpp/2 ) düştüğü yerde bu işleme son verin. Deney setinin enerjisini kesin. Potansiyometreyi çıkarıp direncini ölçün. Bu değer kuvvetlendiricinin AC giriş direncidir. Ri =.... Çalışma Soruları 1. Şekil 3 te verilen devrenin DC ve AC analizini yaparak deney sonuçlarıyla karşılaştırın. 2. Şekil 3 te verilen devrenin alçak ve yüksek frekans eşdeğer devrelerinden yaralanarak alt ve üst kesim frekanslarını hesaplayın. Yarı logaritmik- milimetrik kağıda ölçekli olarak bu sonuçları aktarın. Devrenin frekans tepkisini göz önüne alarak, teorik sonuçları deney sonuçlarıyla karşılaştırın. 3. Ortak kolektörlü devrelerin avantaj ve dezavantajları nelerdir? 4. Ortak emetörlü kuvvetlendiricilerle Ortak kolektörlü devreleri akım ve gerilim kazançları yönüyle karşılaştırın. 5. Deneyi yapılan Ortak kolektörlü devrenin giriş ve çıkış dirençlerini teorik olarak hesaplayıp, deney sonuçlarıyla karşılaştırın. 6. Deneyi yapılan Ortak kolektörlü devrenin giriş ve çıkış dirençlerini kullanarak devrenin AC güç kazancını hesaplayın. 14

7. Bu noktada transistör karakteristik eğrilerinin çıkarılmasıyla ilgili bir simulasyon çalışması yapılacaktır. Tablo 1. V CE (Volt) 0 0.1 0.3 0.5 2 6 10 i B =0 µa i B =20 µa i B =40 µa i B =60 µa i B =80 µa i B =100 µa Bunun için yukarıdaki devreyi bir simulasyon programında (Electronic workbench, Proteus, vs.) kurarak Tablo 1 de verilen kontrol akımına ve gerilimine karşılık gelen devre akım değerlerini sırasıyla elde ediniz. Bu işlemler için önce Tablo 1 de verilen i B akım değeri ayarlanır. Sonra VCE değerler sırayla verilerek i C akımı ölçülerek tabloya not edilir. Tabloda bulunan değerler kullanılarak transistorün akım-gerilim öz eğrisini milimetrik kağıda çizerek raporunuza ekleyiniz. 15

Malzeme Listesi: 220kΩ Direnç (1 adet) 47kΩ Direnç (1 adet) 22k Ω Direnç (1 adet) 10kΩ Direnç (2 adet) 8.2kΩ Direnç (1 adet) 3.3kΩ Direnç (1 adet) 2.2kΩ Direnç (1 adet) 1kΩ Direnç (1 adet) 220Ω Direnç (1 adet) 100kΩ POT (1 adet) 10µF Elektrolitik kondansatör (16 veya 25V) (2 adet) 220µF Elektrolitik kondansatör (16 veya 25V) (1 adet) BC237 BJT (1 adet) 16