Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Benzer belgeler
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER

BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

Enerji Sistemleri Mühendisliği

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

Deney 3: Alternatif Akım Köprüleri

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

Şekil Sönümün Tesiri

DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ

Elektronik Ders Notları 6

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

(BJT) NPN PNP

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

Deney 4: 555 Entegresi Uygulamaları

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs)

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ

EET-201DEVRE ANALİZİ-1 DENEY FÖYÜ

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

DENEY 8. OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.

Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı

BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

DENEY 2. Şekil KL modülünü, KL ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

4. 8 adet breadboard kablosu, 6 adet timsah kablo

AC DEVRELERDE BOBİNLER

Transkript:

Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün uygulama alanlarından biri de yükselteç devresi tasarımıdır. Transistörlü bir yükselteç devresinin işlevi, girişine uygulanan sinyali yükselterek, bir diğer tabirle kuvvetlendirerek çıkışına aktarmaktır. Transistörlü yükselteç devrelerinde DC ve AC gerilimleri beraber olduğu için genel olarak iki aşamada incelenir; DC Analiz DC Analiz AC Analiz İyi bir yükselteç tasarımı için transistörün özelliklerine uygun DC polarma(öngerilimleme) akım ve gerilimleri seçilmelidir. Dolayısıyla yükselteç tasarımında yapılması gereken ilk adım transistörlü yükselteç devresinin DC analizidir. Analiz işleminde transistörün çalışma bölgesi belirlenir. Transistörü yükselteç olarak kullanabilmek için aktif çalışma(v BE >0, V CB >0) bölgesinde olmalıdır. Bu bölge için uygun akım ve gerilimler hesaplanır. Sonuçta; transistörlü yükselteç devresi AC çalışmaya hazır hale getirilir. Şekil 1.1: Transistör Çıkış Karakteristiği Yükselteç devrelerinde DC işaretlerin tanımlanmasında genellikle alfabenin büyük harfler kullanılır. (I E, V BE ve V CE v.b gibi) AC işaretlerin tanımlanmasında ise etkin (rms) değer, tepe değer (peak), tepeden tepeye (peak-to-peak) değer gibi çeşitli tanımlar vardır. Genel kabul olarak AC işaretler tanımlanırken alfabedeki küçük harfler italik formda kullanılır. (i c, i b, v ce, v be v.b gibi) AC Analiz Transistörün AC analizinde devredeki DC kaynaklar ve kondansatörler kısa devre yapılır. Bu duruma göre devrenin AC eşdeğer devresi oluşturularak analiz işlemi yapılır. Yükselteç devrelerinde girişten verilen bir işaretin genliği, akımı veya gücü yükseltilmektedir. Bu anlamda yükselteç devrelerinde bir kazanç söz konusudur. Yükselteç devrelerinin temel amacı da bu kazançlardır. Transistörlü yükselteçlerin AC işaret analizinde karmaşık yapılar ortaya çıkarabilir. Analizi kolaylaştırıp pratik hale getirmek için çeşitli yöntemler geliştirilmiştir. Bunlardan en uygun ve pratik yöntem; transistörün eşdeğer devre modellerinden yararlanmaktır. Transistörün AC eşdeğer devre Sayfa - 1 - Toplam Sayfa - 7 -

modellemesinde kullanılan başlıca üç tip yöntem vardır. Bunlar; h veya hibrit parametre, π- parametre ve r e parametre yöntemleri olarak bilinir ve tanımlanırlar. Bu deneyde; transistörün AC eşdeğer devre modellemesinde kullanmak üzere, h parametresi modeli tanıtılacak ve çalışma yapılacaktır. Transistörün Karma Eşdeğer Devresi (h-hibrit parametre modeli) Aktif çalışma bölgesi için transistör gerilim ve akım değerlerinin küçük değişimlerinde doğrusal 4 uçlu gibi düşünülebilir. Buna bağlı Şekil 2 de olduğu gibi bir modelleme yapılabilir. 4 değişken arasındaki ilişki aşağıdaki gibi ifade edilebilir; Şekil 1.2: Karma Eşdeğer Devre Modeli V i = I i. h 11 + V o. h 12 I o = I i. h 21 + V o. h 22 V o = 0 için h 11 = V İ /I i : kısa devre giriş empedansı I İ = 0 için h 12 = V İ /V o : açık devre ters yönde transfer gerilimi oranı V o = 0 için h 21 = I o /I i : kısa devre ileri yönde akım oranı I İ = 0 için h 22 = I o /V o : açık devre çıkış empedansı Şekil 1.3: AC Analiz Karma Eşdeğer Devre Modeli AC analizde transistör eş değer devresi yandaki şekilde görülmektedir. Yandaki eş değer devre ile yukarıdaki anlatılan modeldeki parametreleri denkleştirirsek; h 11 = h i, h 12 = h r, h 21 = h f ve h 22 = h o dır. h parametre modelinde ortak uçlu devrelerde alt indekse; ortak emetörlü devreler için e, ortak beyzli devreler için b ve ortak kollektörlü devreler için c harfi eklenir. Ortak emetörlü devre için tam karma eşdeğer devre: Şekil 1.4: Tam Karma Eşdeğer Devre Modeli Sayfa - 2 - Toplam Sayfa - 7 -

Ortak emetörlü devre içi yaklaşık eşdeğer devre: Ortak emetörlü devrelerde h re ve h oe değerleri çok küçüktür ve giriş-çıkış empedansları, akım-gerilim kazançları bu değerlerden çok az etkilenir. Bu durumda h re = h oe = 0 olarak kabul edilir ve yandaki gibi yaklaşık eşdeğer devre oluşturulur. Şekil 1.5: Yaklaşık Eşdeğer Devre Modeli Transistörlerin Bağlantı Şekilleri Transistörlü yükselteçler; devrede kullanılan bipolar jonksiyon transistörün bağlantı şekline göre 3 gruba ayrılırlar; Ortak Bazlı Ortak Emetörlü Ortak Kollektörlü Ortak Bazlı Devre Bu devrede baz ucu hem giriş hem de çıkış için ortaktır Düşük giriş, yüksek çıkış empedansına sahiptir (Giriş 50-500 Ohm, Çıkış 300k-1M Ohm) Akım kazancı 1 den küçük, gerilim ve güç kazancı büyüktür Faz kayması meydana gelmez Şekil 1.6: Ortak Bazlı Devre Ortak Emetörlü Devre Bu devrede emetör ucu hem giriş hem çıkış için ortaktır Giriş ve çıkış empedansı orta değerlidir (Giriş 1k-10k Ohm, Çıkış 10k-50k Ohm) Akım, gerilim ve güç kazancı meydana gelir Girişteki sinyali 180 derece faz kayması ile çıkışa aktarır Şekil 1.7: Ortak Emetörlü Devre Sayfa - 3 - Toplam Sayfa - 7 -

Ortak Kollektörlü Devre Bu devrede kollektör ucu hem giriş hem de çıkış için ortaktır Düşük çıkış, yüksek giriş empedansına sahiptir (Giriş 20k-300k Ohm, Çıkış 300-500 Ohm) Gerilim kazancı 1 den küçük, akım ve güç kazancı büyüktür Faz kayması meydana gelmez Şekil 1.8: Ortak Kollektörlü Devre Transistörlü yükselteçlerde kullanılan bağlantı tiplerinden en popüleri ortak emetörlü yükselteç devresidir. Kimi kaynaklarda ismi kısaltılarak CE (Common Emiter) olarak tanımlanır. Ortak emetörlü yükselteçlerin (OE) gerilim ve akım kazançları oldukça yüksektir. Bu durum onu birçok uygulamada popüler kılar. Bu deneyde ortak emetörlü yükselteç devresi DC Analiz ve AC analiz aşamaları ile irdelenip, uygulama gerçekleştirilecektir. Ortak Emetörlü Devre Yükseltilecek veya kuvvetlendirilecek giriş işareti yükseltecin beyz-emetör terminalleri arasından uygulanır. Çıkış işareti ise; yükseltecin kollektör-emetör terminalleri arasından alınır. Dolayısı ile emetör terminali giriş ve çıkış işareti için ortak uçtur. Bundan dolayı bu şekilde oluşturulan devreye ortak emetörlü yükselteç (CE Common Emiter) olarak ad verilir. Yandaki şekilde bir ortak emetörlü yükselteç devresi gösterilmiştir. Şekil 1.9: Ortak Emetörlü Yükselteç Devresi Ortak Emetörlü Yükselteç h parametre AC Analizi AC analizde kapasitörler ve DC kaynakların hepsi kısa devre yapılarak AC eşdeğer devre modeli oluşturulur. Şekil 8 de AC analiz işleminde kapasite ve DC kaynağın kısa devre edilişi gösterilmektedir. AC analiz yaparken birkaç parametre modeli ile çözümleme yapılabiliyordu. Bu deney için h veya hibrit parametre modeli kullanılarak AC analizimizi yapacağız. Şekil 1.10: Ortak Emetörlü Yükselteç AC Analiz Devresi Sayfa - 4 - Toplam Sayfa - 7 -

Ortak emetörlü yükselteç devresi için yaklaşık h parametre eşdeğer devresi Şekil 1.11 de gösterilmiştir. Şekildeki; V İ giriş AC sinyalimizi, V O çıkış AC sinyalimizi, h ie giriş direnci parametresi, h fe ileri transfer akım oranı parametresidir. Şekil 1.11: h parametre yaklaşık eşdeğer devre Parametreler seçilen transistöre göre değişiklik göstermekte ve kataloglarında değerleri bulunmaktadır. Şekil 1.11 deki eşdeğer devre aracılığı ile AC analiz yapacak olursak; Giriş empedansı: Gerilim Kazancı: Akım Kazancı: Z I = R BB h ie Çıkış Empedansı: V O = I O. (R C R L ) = h fe I b. (R C R L ) V I = I b. h ie A V = (h fe /h ie ). (R C R L ) A I = R BB. h fe R BB + h ie R BB h ie Z O = R C R L A I = I C I b = h fe R BB h ie Sayfa - 5 - Toplam Sayfa - 7 -

B.DENEY ÖNCESİ ÇALIŞMASI Şekil 1.12: Ortak Emetörlü Yükselteç Devresi 1. C1 ve C2 kondansatörleri niçin kullanılmaktadır. Devreye getirdiği olumsuzluklar neler olabilir? 2. Re direnci devreye ne gibi bir katkısı vardır ve ona paralel olan Ce kondansatörü niçin kullanılmaktadır? 3. Devrenin küçük işaret yani AC eşdeğer devresini h parametre modeli ile çizerek giriş ve çıkış empedanslarını, akım ve gerilim kazancını hesaplayınız. (BC547 için: β = h FE = 300 h fe = 370 h ie = 8k Ohm h re = 3,6x10-4 h oe = 2x10-5 ) Sayfa - 6 - Toplam Sayfa - 7 -

C.DENEY ÇALIŞMASI 1. Şekil 1.12 deki devreyi kurunuz. Giriş kaynağını 1kHz e ayarlayarak çıkış geriliminde bozulma olmayacak şekilde giriş gerilimini ayarlayınız. 2. Girişte ve çıkışta gördüğünüz gerilimi ölçekli olarak çiziniz ve kazancı hesaplayarak not alınız. Kazanç: A V = Şekil 1.13: Ortak Emetörlü Yükselteç Devresi 3. Şekil 1.13 de görüldüğü gibi giriş kaynağı ile yükselteç arasına seri olarak 10k Ohm luk bir potansiyometre bağlayarak giriş gerilimini çıkışta bozulma olmayacak şekilde ayarlayınız. V 1 ve V 2 gerilimlerini ölçerek giriş direncini bulunuz. V 1 = V 2 = R in = 4. R=10k Ohm luk potansiyometre değeri sıfırda iken giriş gerilimini çıkışta bozulma olmayacak şekilde ayarlayınız. Bu durumda Vy gerilimini ölçünüz. Giriş gerilimini sabit tutarak R direncini arttırınız. Çıkış geriliminin yarıya düştüğü anda R direncini ölçünüz. Bu değer giriş direncinize eşit olan değer olacaktır. Vy = R = Sayfa - 7 - Toplam Sayfa - 7 -