Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,

Benzer belgeler
DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti

1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:

ELEKTRONİK LAB. I DİYOT KARAKTERİSTİĞİ

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1. DİYOT ve UYGULAMALARI

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tünel Diyot 4. Iºýk Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot 6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - Varikap)

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

P-N Birleşimli Diyotlar

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT

A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 2. HAFTA

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

ZENER DİYOTLAR. Hedefler

Elektronik-I. Yrd. Doç. Dr. Özlem POLAT

AKHİSAR CUMHURİYET MESLEKİ VE TEKNİK ANADOLU LİSESİ YARI İLETKENLER

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

TEMEL KAVRAMLAR BİRİM SİSTEMİ TEMEL NİCELİKLER DEVRE ELEMANLARI ÖZET

Yarım Dalga Doğrultma

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 2. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

BÖLÜM III YARIİLETKEN ESASLARI

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

Ders 2- Temel Elektriksel Büyüklükler

Ankara Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü 7. Hafta. Aysuhan OZANSOY

Adapazarı Meslek Yüksekokulu Analog Elektronik

ELEKTRONİK-1 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Diyot Karakteristikleri Deneyleri (PN Jonksiyon)

SICAKLIK ALGILAYICILAR

Hareket halindeki elektrik yüklerinin oluşturduğu bir sistem düşünelim. Belirli bir bölgede net bir yük akışı olduğunda, akımın mevcut olduğu

Kırpıcı devrelerin çalışma prensiplerinin deney yoluyla incelenmesi.

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Enerji Band Diyagramları

Ders 3- Direnç Devreleri I

Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları

TEMEL ELEKTRİK-ELEKTRONİK DERSİ SORU BANKASI

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Şekil 1.1. Hidrojen atomu

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

Temel Elektrik Elektronik. Seri Paralel Devrelere Örnekler

(BJT) NPN PNP

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

Fotovoltaik Teknoloji

Akım ve Direnç. Bölüm 27. Elektrik Akımı Direnç ve Ohm Kanunu Direnç ve Sıcaklık Elektrik Enerjisi ve Güç

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

(VEYA-DEĞİL kapısı) (Exlusive OR kapısı) (Exlusive NOR kapısı)

Elektrik akımı ve etkileri Elektrik alanı ve etkileri Manyetik alan ve etkileri

Karadeniz Teknik Üniversitesi. Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

ANKARA ÜNİVERSİTESİ GAMA MESLEK YÜKSEKOULU

SİLİKON KONTROLLÜ ANAHTAR SİLİCON CONTROLLED RECTETİER ( SCR )

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ

DERS NOTLARI. Yard. Doç. Dr. Namık AKÇAY İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

8. FET İN İNCELENMESİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları

Transkript:

YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum Si Silikon (Silisyum) GaAs Galyum Arsenit

Katkılı malzemeler n tipi ve p tipi malzemeler p tipi malzemede deliklerin(oyukların) sayısı, elektronların sayısından fazladır. Bu nedenle p tipi malzemelerde, delik çoğunluk taşıyıcısı ve elektron azınlık taşıyıcısıdır. n tipi malzemede elektronların sayısı, deliklerin sayısından fazladır. Bu nedenle n tipi malzemelerde elektrona çoğunluk taşıyıcısı ve deliğe(oyuk) azınlık taşıyıcısı denir.

Diyot Diyotlar, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Diyot sembolü, aşağıda görüldüğü gibi, akım geçiş yönünü gösteren bir ok şeklindedir. Diyot Sembolü: Ayrıca, diyodun uçları pozitif (+) ve negatif (-) işaretleri ile de belirlenir. "+" ucu anot, "-" uca katot denir. Diyodun anaduna, gerilim kaynağının pozitif (+) kutbu, katoduna kaynağın negatif (-) kutbu gelecek şekilde gerilim uygulandığında diyot iletime geçer.

Yarıiletken diyot Yarıiletken diyotlar, P ve N tipi germanyum veya Silikon yarı iletkenlerinin bir araya getirilmesiyle elde edilen diyotlardır. PN yüzey birleşmeli (jonksiyon) diyotlarda, diyodun P bölgesinden çıkarılan bağlantı ucuna (elektroduna) ANOT ucu, N bölgesinden çıkarılan bağlantı ucuna da KATOT ucu denir. Anot "+" katot "-" ile gösterilir. Diyotlar temelde iki temel gruba ayrılır: Doğrultmaç diyotları Sinyal diyotları Doğrultmaç diyotları güç kaynaklarında AC yi DC ye dönüştürmekte kullanılır. Sinyal diyotları ise lojik devrelerde devre elemanı ya da radyo frekans (RF) devrelerinde sinyal ayırıcı olarak görev alır.

Eğilimlemesiz durum (V=0V) (öngerilimlemesiz) Gerilim uygulanmamış olan, diyoda POLARMASIZ diyot denir. N tipi malzemenin birleşme yüzeyine yakın kısmındaki serbest elektronlar, P tipi malzemeye, P tipi malzemedeki birleşme yüzeyine yakın oyuklarda N tipi malzemeye geçmek isterler. Birleşme bölgesinde birleşerek nötr bir bölge oluştururlar. Sonuçta, birleşme yüzeyinin (jonksiyonun) iki tarafında hareketli elektriksel yükü bulunmayan bir boşluk(nötr-azaltım) bölgesi oluşur. Yarıiletken diyoda eğilimleme uygulanmadığında, herhangi bir yöndeki net yük akışı sıfırdır. Başka bir deyişle, sıfır eğilimleme durumunda akım sıfırdır.

İleri eğilimleme durumu (V D > 0V) (İleri öngerilimleme) (Doğru Polarma) Doğru polarmada, gerilim kaynağının pozitif (+) kutbu, diyodun anoduna (P bölgesi), negatif (-) kutbu, diyodun katoduna (N bölgesi) bağlanır. Doğru yönde polarlanmış diyotta, N bölgesindeki serbest elektronlar, gerilim kaynağının negatif kutbu tarafından itilir, pozitif kutbu tarafından çekilir. Benzer şekilde, P bölgesi pozitif elektrik yükleri de kaynağın pozitif kutbu tarafından itilir, negatif kutbu tarafından çekilir. Bu sırada, pozitif elektrik yüklerinin tersi yönde hareket eden elektronlar da, P bölgesinden çıkarak kaynağın pozitif (+) kutbuna doğru akar. P bölgesinden kaynağa giden her elektrona karşılık, kayağın negatif kutbundan çıkan bir elektron da N bölgesine gelir. Böylece devrede bir akım doğar. Elektron akışının tersi yönde, yani kaynağın pozitif kutbundan diyoda doğru ve oradan da kaynağın negatif kutbuna doğrudur. Kısacası; akım "+" dan, "-" ye doğru akar.

Ters eğilimleme durumu (V D <0V) (Ters öngerilimleme) (Ters Polarma) Ters polarmada, gerilim kaynağının negatif (-) ucu, diyodun anoduna (P tarafına), gerilim kaynağının pozitif (+) ucu ise, diyodun katot (N) ucuna gelecek şekilde bağlanır. Ters yönde polarlanmış diyotta, P bölgesindeki pozitif elektrik yükleri (oyuklar) kaynağın negatif kutbu tarafından, N bölgesindeki serbest elektronlar ise pozitif kutbu tarafından çekilecek ve jonksiyondan herhangi bir akım geçmeyecektir. Bu durumda, ortadaki boşluk(azaltım) bölgesi de büyümektedir.

Ters doyum akımı (sızıntı akımı) P ve N tipi yarı iletken malzemelerinin incelenmesi sırasında, P tipi malzemede, azınlık taşıyıcısı olarak bir miktar serbest elektronun bulunduğu ve N tipi malzemede de bir miktar, aktif halde pozitif elektrik yükü (oyuk) bulunduğunu belirtmiştik. İşte ters polarma sırasında, bu azınlık taşıyıcıları etkinlik göstererek, diyot içerisinden ve dolayısıyla da devreden ters yönde çok küçük bir akım geçmesine neden olur. Bu akıma ters doyum akımı (kaçak akım) denir. Ters doyum akımı, mikro amper mertebesinde (μa) ihmal edilebilecek kadar küçük olup normal çalışma şartlarında diyodun çalışmasını etkilememektedir. Son yıllarda seviyesi silikon cihazlar için nanoamperlerde olduğu söylenebilir.

İleri ve geri eğilimleme bölgelerindeki yarıiletken diyot karakteristiği katıhal fiziği kullanılarak elde edilen Shockley denklemiyle tanımlanır. Is ters doyum akımı V D diyota uygulanan ileri besleme gerilimi n çalışma koşullarının ve fiziksel yapının fonksiyonu olan ideallik katsayısıdır. Birçok etmene bağlı olarak 1 ile 2 arasında değer alır.(aksi belirtilmedikçe n=1 dir) V T gerilimine ısıl gerilim denir. k Boltzmann sabiti=1.38x10-23 J/K T Kelvin cinsinden mutlak sıcaklık=273+c olarak sıcaklık q elektron yükünün büyüklüğüdür =1.6x10-19 C

Örnek: 27 C de ısıl gerilimi (V T ) yi hesaplayınız.

DİYOT KARAKTERİSTİĞİ DOĞRU POLARMA DURUMUNDA Doğru polarmada, şekil de görüldüğü gibi germanyum diyodun karakteristik eğrisi 0,3V civarında, silikon diyodun karakteristik eğrisi ise 0,7V civarında yukarıya doğru kıvrılmaktadır. Yani, ancak bu gerilim değerlerinden sonra diyot iletime geçmektedir. İletime geçiş gerilimine eşik gerilimi denir. Diyodun hemen iletime geçmemesinin nedeni birleşme yüzeyinin iki yanındaki boş (nötr) bölgesidir. Elektronlar, ancak eşik geriliminden sonra bu bölgeyi geçebilmektedir. Şekilde görüldüğü gibi, küçük değerli gerilim artışında, doğru yön akımı hızla büyümektedir. Bu akım fabrikasında verilen akım limitini aşarsa diyot yanar.

TERS POLARMA DURUMUNDA Ters polarmada, daha öncede belirtildiği gibi, belirli bir gerilime kadar ancak mikro amper mertebesinde ve önemsenmeyecek kadar küçük bir sızıntı akımı akmaktadır. Belirli bir gerilimi aşınca ise ters akım birden büyümektedir. DİYODUN DELİNMESİ Ters akımın birden büyümesi halinde zener bölgesi (çığ kırılma bölgesi), diyodun delinmesi, bu andaki gerilime de delinme gerilimi (zener potansiyeli) denir. Bir diyot şu iki nedenle bozulur: 1) Doğru yönde katalog değerinin üzerinde akım geçirilirse, 2) Ters yönde yine katalog değerinin üzerinde gerilim uygulanırsa.

Direnç Seviyeleri DC veya Statik Direnç Yarıiletken diyot içeren bir devreye dc gerilim uygulanırsa, diyodun karakteristik eğrisindeki çalışma noktası zamanla değişmeyecektir. Diyodun, belirli bir çalışma noktasındaki direncine dc veya statik direnci denir. Kıvrılma noktası ve aşağısında elde edilen dirençler dikey yükselme kısmında elde edilen dirençlerden daha yüksek olacaktır. Ters eğilimleme bölgesinde elde edilen direnç seviyeleri doğal olarak çok yüksek olacaktır.

Örnek: Şekildeki diyodun dc direncini aşağıda verilen değerler için hesaplayınız. a. I D =2 ma (düşük seviye) b. I D =20 ma (yüksek seviye) c. V D =-10 ma(ters eğilimleme)

AC veya Dinamik Direnç Bir diyodun dc direnci, çalışma noktasının yakınındaki, karakteristik eğri üzerinde bulanan diğer noktalara bağlı değildir. Ancak dc yerine sinüzodial bir giriş uygulanırsa durum tamamen değişecektir. Değişken giriş anlık çalışma noktasını yukarı ve aşağı hareket ettirir. Eğer değişken bir sinyal olmasaydı, çalışma noktası uygulanan dc seviyeyle belirlenen Q noktası olurdu. Q noktasından geçen teğet bir doğru çizilirse, ilgili karakteristik bölgesinde ac veya dinamik direnç hesaplanır. Gerilim ve akımdaki değişimler mümkün olduğunca küçük tutulmalı ve Q noktasının her iki tarafında eşit uzaklıklar alınmalıdır.

Örnek: Şekildeki karakteristik için a. ID=2 ma iken ac direnci bulunuz b. ID=25 ma iken ac direnci bulunuz c. a ve b şıkkı sonuçlarını her iki akım için bulanan dc dirençlerle karşılaştırınız. a c b

Dinamik direnci grafik kullanılarak hesaplandı fakat diferansiyel hesabın bir ifadesine yer verirlirse: Bir fonksiyonun bir noktadaki türevi, fonksiyona o noktada çizilen teğet doğrunun eğimine eşittir. İleri eğilimlemeye göre türevi alınır ve birkaç diferansiyel hesabı yapılır ve ters çevrilir.

Ortalama AC Direnci Eğer giriş sinyali, şekilde görünen geniş aralığı oluşturacak kadar yüksekse, bu bölgedeki dirence ortalama ac direnci denir. Ortalama ac direnci, en yüksek ve en düşük giriş gerilimlerine karşılık gelen noktalar arasına çizilen doğru ile belirlenir.

Diyot Eşdeğer Devreleri Bir eşdeğer devre, bir cihazın çalışmasını temsil etmek için uygun şekilde seçilen elemanların birleşimidir. Parçalı Doğrusal Eşdeğer Devre Diyot karakteristiğini düzgün doğru parçaları ile gösterilmesiyle elde edilen devreye parçalı doğrusal eşdeğer devre denir. Karakteristikte ortalama ac direnç eğimli kısma karşılık gelir. İleri eğilimlede 0.7 V a ulaşana kadar silikon diyot iletime geçmez. Düzgün doğru parçalarıyla karakteristik eğriye yaklaştırma yapılarak parçalı doğrusal eşdeğer devrenin tanımlanması

Basitleştirilmiş Eşdeğer Devre Çoğu uygulamada, devredeki diğer elemanlarla karşılaştırıldığında r ort (r av ) ihmal edilebilecek kadar küçüktür. Eşdeğer devreden r ort un kaldırılmasıyla aşağıdaki karakteristik elde edilir. Silikon yarıiletken diyodunun basitleştirilmiş eşdeğer devresi

İdeal Eşdeğer Devre r ort eşdeğer devreden kaldırıldıktan sonra, bir adım daha ileri gidip, uygulanan gerilim seviyesine göre düşük olan 0.7 V da ihmal edilebilir. İdeal diyot ve karakteristiği

Kaynaklar Boylestad R., Nashelsky L., Elektronik Cihazlar ve Devre Teorisi, Palme Yay., 2011. (Ders Kitabı) Boylestad R., Nashelsky L., Electronic Devices and Circuit Theory, Pearson Education., 2008.