KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

Benzer belgeler
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

Emiteri Ortak Yükselteç (EOB)

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

(BJT) NPN PNP

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

Şekil Sönümün Tesiri

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

8. FET İN İNCELENMESİ

5/21/2015. Transistörler

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ

Elektronik Ders Notları 6

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

YÜKSELTEÇLER Ö Ğ R. G Ö R. D R. E S R A B İ L A L Ö N D E R

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. DC Motor Hız Kontrolü Proje No: 1

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER

GERİBESLEME VE OSİLATÖR DEVRELERİ

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

SERİ, PARALEL DİRENÇ DEVRELERİ VE KIRCHHOFF KANUNLARI

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Proje Adı : IŞIĞA DÖNEN KAFA PROJESİ

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

Hafta 5 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

İşlemsel Yükselteçler

İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs)

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Işığa Dönen Kafa Projesi 2

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

Elektronik Laboratuvarı

(VEYA-DEĞİL kapısı) (Exlusive OR kapısı) (Exlusive NOR kapısı)

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Bölüm 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili Transistörler)

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

SICAKLIK KONTROLLÜ HAVYA

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

Yükselteçlerde Geri Besleme

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Transkript:

Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir. "KOB" aynı zamanda. "Kollektörü ortak yükselteç" anlamında da kullanılacaktır. Giriş işareti beyz ile kollektör arasına uygulanmakta, emiter çıkış alınmaktadır. Şekil 6.36 'da kollektörü ortak bir yükselteç devresi verilmiştir. Şekilde görüldüğü gibi giriş gerilimi ile çıkış gerilimi aynı fazdadır. Şekil 6.36 - Kollektörü ortak yükselteç devresi. Burada bir noktaya dikkat etmek gerekiyor: Şekilde görüldüğü gibi PNP transistör olduğu halde, V BB kaynağı, beyz 'e pozitif gerilim uygulanacak şekilde bağlanmıştır. Bu bağlantı, kollektöre negatif polarma gerilimi uygulanması amacıyla yapılmış olup, besleme şekli, Emiter, "+"si, beyz "+" sından daha büyük olacak şekilde ayarlandığından E - B diyodu, yine doğru polarmalı olmaktadır. Ş ekil 6.37 'de giriş ve çıkış karakteristik eğrilerinden yararlanarak giriş ve çıkış dirençleri hesaplanabilecektir. Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri KOB Statik Giriş Direnci Sekil 6.37 (a) eğrisinde çalışma noktası olarak A noktasını seçelim. Karakteristik doğrusal devam ettiği ve baslangıç noktasından geçtiği için gerilim ve akım değişim miktarlarını almak yerine, kendilerini almak mümkündür. R g = V BC / I B = 10 / 100.10-6 = 100000Ω = 100 KΩ Kollektörü ortak baglantıda giriş direnci 100 ile 1000 KΩ arasında değişmektedir.

Şekil 6.37- Kollektörü ortak yükseltecin karakteristik eğrileri. (a) Giriş (b) Çıkış KOB Statik Çıkış Direnci Şekil 6.37 (b) eğrisinden gerilim akım değişim miktarları, V EC = 0,3-0,2 = 0,1V; I E = 3,3-2,2 = 1.1 ma olup, yerlerine konulursa : R Ç = V EC / I E = 0,1 / 1,1.10-3 =~ 91Ω olur. Kollektörü ortak bağlantıda çıkış direnci 50 ile 500 Ohm arasında değişir. KOB Statik Akım Kazancı Kollektorü ortak devrede akım kazancı K i = γ = I E / I B = ( I C + I B ) / I B = (I C / I B ) +1 = β +1 Emetörü ortak bağlantılı yükselteç bölümünde β akım kazancının 10 ile 200 arasında değiştiği belirtilmisti. γ akım kazancı içinde aynı değerler verilebilecektir. KOB Statik Gerilim Kazancı Şekil 6.36 'dan takip edilirse, Empedans uygunluğu sağlamak bakımından R 1 ve R 2 dirençleri transistörün giriş ve çıkış dirençlerine yakın seçilir. Gerilim kazancı: K V =I E.R 2 / I B.R 1 = γ.r 2 / R 1 'dir. Yukarıdaki değerlere göre: K V = 200.1 / 100000 = 0,182 olur.

Görüldüğü gibi KOB 'da gerilim kazancı 1'den küçüktür. KOB Statik Güç Kazancı Güç kazancı: K P = γ 2.(R 2 /R 1 ) = γ.k V olup Yukarıdaki değerlere göre: K P = 200.0,182 = 3,64 olur. Görüldüğü gibi güç kazancı da diğer bağlantı şekillerine göre oldukça düşüktür. Kollektorü ortak bağlantı halindeki güç kazancı genelde, K P = 10...100 arasındadır. Kollektörü Ortak Bağlantının Dinamik Karakteristikleri Kollektörü ortak yükselteci dinamik karakteristik değerlerin hesaplama yöntemleri de, diğer bağlantı şekillerine benzer.. Kollektörü Ortak Yükseltecin Kullanım Alanları: Kollektörü ortak bağtantı vasıtasıyla bir montajın basitleştirilmesi sağlanabilmektedir. Şekil 6.38 'de böyle bir örnek verilmiştir. Emiteri ortak devre önüne direk kuplajla kollektörü ortak bir devre getirilmiştir. Birincisi, yani kollektörü ortak devre, faz dönmesi yapmadığı için R p ile her iki devrede birden sıcaklık etkisinin azaltılması sağlanmaktadır. Yapılan hesaplar göstermiştir ki, her iki transistör de emiteri ortak düzende bağlandığında aynı kazanç elde edilebilmektedir. Fakat bu halde fazladan 2 direnç ile 2 kondansatör daha kullanılması gerekmektedir. Kollektörü ortak bağlantı, daha çok, kollektörü gövdeye bağlı olan büyük güçlü transistörlerde uygulanmaktadır. Ayrıca, büyük dirençli giriş ve küçük dirençli çıkış gerektiren devrelerde bu bağlantı şekli uygulanır. Çoğunlukla çıkış emiter direncinden alınır. Bu şekildeki kollektörü ortak devreye EMİTER ÇIKIŞLI devre denir. Şekil 6.38 'deki kollektörü ortak bağlantılı transistor emiter çıkışlıdır. Tablo 6.2 'de transistörün değişik bağlantı hallerindeki karakteristik değerleri verilmiştir.

Şekil 6.38 - Kollektörü ortak devrenin emiteri ortak devreye direk kuplajı. Tablo 6.2 - Transistörün değişik bağlantı hallerindeki karakteristik değerleri (Hem DC, hem de AC çalışmada gerekir.) Karakteristikler Sembolü Emiteri Ortak Bağlantı Beyzi Ortak Bağlantı Kollektörü Ortak Bağlantı Giriş Direnci R G (Ω) 200-2000 30-150 100000-100000 Çıkış Direnci R Ç (Ω) 10000-500000 Akım Kazancı K İ β = I C / DI B 10-200 200000-2000000 α = I C / DI B 1 'den Küçük 50-500 γ = I g / DI B 10-200 Gerilim Kazancı K V Birkaç yüz 200-3000 < 1 Güç Kazancı Giriş - Çıkış İşaretlerinin Faz Farkları Yüksek Frekanslara Uygunluğu K P Birkaç bin 40 DB Birkaç yüz 30 DB 10-100 15 DB 180 Yok Yok Normal En uygunu Uygun Transistörün Üç Temel Yükselteç Halindeki Dört Bölge Karakteristik Eğrileri Bir transistörün dört statik karakteristik eğrisini bir arada incelemek mümkündür. Böyle toplu halde gösteriliş şekline "Dört Bölge Karakteristik Eğrileri" denmektedir. Şekit 6.39, Şekil 6.40 ve Şekil 6.41'de, 3 bağlantı durumundaki "Dört Bölge Statik Karakteristik Eğrileri" gösterilmiştir. 1- I. Bölge: ( V CE - I C ) Karakteristiği 3- III. Bölge: ( V BE - I B ) Karakteristiği 2- II. Bölge: ( I B - I C ) Karakteristiği 4- IV. Bölge: ( V BE - V CE ) Karakteristiği

Şekil 6.39 - Emiteri Ortak Bağlantıda Dört Bölge Karakteristikleri 1- I. Bölge: ( V CB - I C ) Karakteristiği 3- III. Bölge: ( V EB - I E ) Karakteristiği 2- II. Bölge: ( I E - I C ) Karakteristiği 4- IV. Bölge: ( V EB - V CB ) Karakteristiği Şekil 6.40 - Beyz 'i ortak bağlantıda dört bölge karakteristiği Kollektör Çıkışlı Emiter Çıkışlı 1- I. Bölge: ( V CE - I E ) Karakteristiği 1- I. Bölge: ( V EC - I C ) Karakteristiği 2- II. Bölge: ( I B - I E ) Karakteristiği 2- II. Bölge: ( I B - I C ) Karakteristiği

3- III. Bölge: (V C - I B ) Karakteristiği 3- III. Bölge: ( V B - I B ) Karakteristiği 4- IV. Bölge: ( V C - V EC ) Karakteristiği 4- IV. Bölge: ( V BE - V EC ) Karakteristiği Şekil 6.41 - Kollektörü ortak bağlantıda dört bölge karakteristik eğrileri.