DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ

Benzer belgeler
Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ

DENEY 3 DİYOT DOĞRULTUCU DEVRELERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 5 SÜPERPOZİSYON VE MAKSİMUM GÜÇ AKTARIMI

Elektronik Laboratuvarı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Deneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir.

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

DENEY 3 ÇEVRE AKIMLAR & DÜĞÜM GERİLİM METODU

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 3 Ortalama ve Etkin Değer

AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

DENEY 4: SERİ/PARALEL REZİSTİF DEVRELERİN AC ANALİZİ

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

DENEY 2 Op Amp: AC Uygulamaları

İşlemsel Yükselteçler

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

DENEY-3. FET li Yükselticiler

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 7: GÖZ ANALİZİ METODU UYGULAMALARI

8. FET İN İNCELENMESİ

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri

DENEY 9: THEVENİN VE NORTON TEOREMİ UYGULAMALARI

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 1

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

DENEY 9: THEVENİN VE NORTON TEOREMİ UYGULAMALARI

ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY 2

DENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 6: SERİ/PARALEL KARIŞIK DEVRELERİN ANALİZİ

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

DENEY-4 RL DEVRE ANALİZİ. Alternatif akım altında seri RL devresinin analizi ve deneysel olarak incelenmesi.

DENEY 5: ALTERNATİF AKIMDA FAZ FARKI (R, L VE C İÇİN)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

DENEY 7: GÖZ ANALİZİ METODU UYGULAMALARI

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü ESM 413 Enerji Sistemleri Laboratuvarı-I

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9. --İşlemsel Yükselteçler

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri

DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI (OHM, KİRCHOFF AKIM VE GERİLİM)

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

DENEY 10: DEVRE ANALİZ METODLARININ UYGULAMALARI VE PSPICE DA BAĞIMLI KAYNAK ANALİZİ

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI-GERİLİM VE AKIM ÖLÇÜMLERİ

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

DENEY NO : 6 KIRPICI DİYOT DEVRELERİ

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

DENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

Introduction to Circuit Analysis Laboratuarı 1.Deney Föyü

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 4

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 1: SERİ VE PARALEL BAĞLI DİRENÇ ELEMANLARI

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

DENEY 5: RC DEVRESİNİN OSİLOSKOPLA GEÇİCİ REJİM ANALİZİ

BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

Transkript:

DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ 8.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde fark yükselteçleri analiz edilecek ve girşçıkış sinyalleri incelenecektir. 8.2 TEORİK BİLGİ Fark yükselteçleri birçok entegre devrelerde kullanılan bir devre türüdür. Fark yükselteçleri girişlerine uygulanan iki işaretin farkını yükseltirler. Bu devreler OpAmp ların da temelini oluşturur. Bu devrelerin iki girişi ve iki çıkışı vardır. 8.2.1 Temel BJT Fark Yükselteçleri BJT fark yükselteçlerinde iki eş transistör kullanılır ve bu transistörler sabit akım ile beslenir. Temel BJT fark yükselteci devresi Şekil 8.1 de gösterilmiştir. DC Analiz: İlk olarak her iki taban terminaline ortak mod gerilimi (Vi n1 =V in2 =V cm ) uygulanır. I Q akımı Q 1 ve Q 2 transistörleri tarafından eşit paylaşılır(q 1 ve Q 2 eş transistörler). Taban akımlarını ihmal edersek, I C1 =I E1 ve I C2 =I E2 olur. Eğer giriş işareti girişlerden birine uygulanır ve diğer giriş toprağa bağlanırsa, işlem tek sonlandırmalı olarak adlandırılır. Eğer iki giriş zıt kutuplu sinyallerle beslenirse, çift sonlandırmalı olarak adlandırılır. AC Analiz: Tek Sonlandırılmalı AC Gerilim Kazancı Eğer giriş işareti girişlerden birine uygulanır, diğer giriş toprağa bağlanırsa, buna tek sonlandırmalı denir. Eğer iki giriş zıt kutuplu sinyallerle beslenirse, çift sonlandırmalı olarak adlandırılır. OKÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI 1

Küçük işaret eşdeğer devresini elde etmek için, bütün DC kaynaklar 0 a götürülür ve yerlerine eşdeğer kısa devre konulur. Şekil 8.2 de küçük işaret eşdeğer devresi gösterilmiştir. R O akım kaynağının çıkış direncidir. i b v c2 = v o i b V in /2 h ie h fe i b R C R C h fe i b h ie V in /2 i e i e R O Fark kazancı Şekil 8.2 BJT Fark Yükselteci Küçük İşaret Eşdeğer Devresi olarak hesaplanır. Ortak Mod İşlemi AC Gerilim Kazancı Eğer giriş işareti her iki girişide uygulanırsa, işleme ortak mod denir. Küçük işaret eşdeğer devresini elde tekme için, bütün DC kaynaklar 0 a götürülür ve yerlerlerine eşdeğer kısa devre konulur. Şekil 8.3 de küçük işaret eşdeğer devresi gösterilmiştir.r O akım kaynağının çıkış direncidir. i b v c2 = v o i b V in /2 h ie h fe i b R C R C h fe i b h ie V in /2 i e i e R O Şekil 8.3 Ortak Giriş Sinyalli Fark Yükseltecinin Küçük İşaret Eşdeğer Devresi Ortak mod küçük işaret kazancı olarak hesaplanır. OKÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI 2

Ortak Mod Zayıflama Oranı Ortak mod Zayıflama Oranı (Common Mode Rejection RatioCMRR), bir fark yükseltecinin ortak mod girişimini zayıflatma yeteneğinidir ve aşağıdaki gibi tanımlanır: 8.2.2 MOSFET Fark Yükselteçleri Şekil 8.4 de temel MOSFET fark yükselteci gösterilmiştir. M1 ve M2 transistörleri eş transistörlerdir ve her zaman doyum bölgesinde çalışırlar. V i D1 i D1 V o v G1 v GS1 M 1 M 2 v GS1 v G1 I Q V Şekil 8.4 Temel MOS Fark Yükselteci DC Analiz Küçük işaret eşdeğer devresini elde etmek için Şekil 8.4 deki DC kaynaklar(vg1 = VG2 = 0) sıfıra götürülür ve yerine kısa devre konur. IQ akımı M! ve M2 transistörleri arasında eşit olarak paylaşılır. AC Analiz Tek Sonlandırılmalı AC Gerilim Kazancı OKÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI 3

Eğer giriş işareti girişlerden birine uygulanır, diğer giriş toprağa bağlanırsa, buna tek sonlandırmalı denir. Küçük işaret eşdeğer devresini elde etmek için, bütün DC kaynaklar 0 a götürülür ve yerlerine eşdeğer kısa devre konulur. Şekil 8.5 de küçük işaret eşdeğer devresi gösterilmiştir. Fark kazancı olarak bulunur. v o M 2 v d /2 v d /2 g g m v gs v o (a) (b) Şekil 8.5 Fark Yükseltecinin Ortak Mod Yarım Devre Modeli Ortak Mod İşlemi Gerilim Kazancı Eğer giriş işareti her iki girişe de uygulanırsa, işleme ortak mod denir. Küçük işaret eşdeğer devresini elde tekme için, bütün DC kaynaklar 0 a götürülür ve yerlerine eşdeğer kısa devre konulur. Şekil 8.6(a) da ortak mod yarım devre modeli gösterilmiştir. Şekil 8.6(b) de küçük işaret eşdeğer devresi gösterilmektedir. R O akım kaynağının çıkış direncidir. OKÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI 4

M 2 v o v cm g g m v gs v o 2R O v cm 2R O (a) (b) Şekil 8.6 Fark yükseltecinin Ortak Mod Yarım Devre Modeli Ortak mod küçük işaret kazancı olarak hesaplanır. 8.3 ÖN ÇALIŞMA V = 15V R =10k b14 M 3B b13 b6 b10 b11 M 4B b12 V o 6 14 13 3 2 1 10 11 12 a3 a5 b5 v 1 v 2 M 1A M 2B b3 8 5 a4 b4 a8 M 5A a6 a10 a11 M 6A 7 4 9 V DD pin 14'e, V SS pin 7'e bağlanacaktır CD4007 a7 a9 V = 15V Şekil 8.7 CMOS Fark Yükselteci OKÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI 5

8.3.1 Şekil 8.7 deki devre için A d yi bulunuz. K n1 =k n2 =k n5 =k n6 =0.1 ma/v 2, k p3 =k p4 =0.3 ma/v 2 ve bütün transistörler için λ= 1V. M 6a için λ= 0.01V 8.3.2 Şekil 8.7 deki devrenin PSpice analizini yapınız ve A d, A cm, Rid, Ric ve CMRR yi bulunuz. A d = A c = Rid = Ric = CMRR = 8.3.3 Şekil 8.7 deki devrenin PSpice analizini yapınız ve gerilim transfer karakteristiğini çıkartınız. (Y) Volts/div= (X) Volts/div= Time/div= OKÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI 6

8.4 İŞLEM BASAMAKLARI 8.4.1 Deneyde Kullanılacak Malzemeler Direnç NMOS : 10 kω : CD4007 Standart Laboratuvar Ekipmanları: Osiloskop, DC Güç Kaynağı, Sinyal Jeneratörü, Dijital Multimetre, Protoboard, 8.4.2 Şekil 8.7 deki devreyi kurunuz. V 1 = 0.05sin(2π100t) ve V 2 = 0 iken Vo(t) çiziniz. Gerilim transfer karakteristiğini çiziniz. A d yi bulunuz. (Y) Volts/div= (X) Volts/div= Time/div= (Y) Volts/div= (X) Volts/div= Time/div= OKÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI 7

8.4.3 Şekil 8.7 deki devreyi kurunuz. V 1 = V 2 = 2sin(2π100t) ve V 2 = 0 iken Vo(t) çiziniz. Gerilim transfer karakteristiğini çiziniz. A C yi bulunuz. 8.4.4 Aşağıdaki tabloyu doldurunuz. A d A C CMRR 8.5 SONUÇ 8.5.1 Ön çalışma sonuçları ile deney sonuçlarını karşılaştırınız. Farklar varsa nedenini açıklayınız. 8.5.2 Bu deneyde ne öğrendiniz açıklayınız. OKÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI 8